ВЧ разряд низкого давления тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.08 ВАК РФ

■■) 0 1 п 'О п"

АКАДЕМИЯ ЕАУК СССР ОРДЕНА ЛЕНИНА. ФИЗИКО-ТЕШйЧЕСКШ ИНСТИТУТ им.А.О.ВДйе

На правах рукописи

КАГАНОВИЧ Игорь Дмитриевич

УДК 537.523.74

ВЧ РАЗРЯД НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ (Специальность 01.04.08 - физика и химия плазмы)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Пзтярбзгрг 1^2

Работ® выполнена на кафедре физики плазмы Санкт-Петербургского технического университета.

Научный руководитель -

доктор физико-математических наук, профессор Л.Д.Цендин.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Г.А.Двжев, доктор физико-математических наук, профессор ».П.Райзер.

Ведущая организация - Санкт-Петербургский университет

Загата состоится " " 1992 г. в часов на

заседании специализированного ученого совета К 003.23.03 Физико-технического института им. Л.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технического института.

Автореферат разослан " " 1992 г.

Ученый секретарь специализированного совета,

кандидат физико-математических наук Б.Г.Жуков

-1 ,

^ ...

" Г—

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы.

В последнее время значительно возрос интерес к изучению процессов, происходящее в стационарных 34 разрядах. Этот интерес стимулируется широким .применением ЕЧ разрядов з различных областях паута; и техники - в радиоэлектронике, плазмохго/шн и лазерной технике.

ВЧ разряд по сравнению с разрядом постоянного тока обладает той особенностью, что протекание ВЧ токов на границах плазмы, как правило, обусловлено токами смещения. Это приводит к большому разнообразию процессов, имеющих место при взаимодействии ВЧ полей с границей плазма 34 разряда.

Очевидно, что реиение различных проблем, связанных с приложениями ВЧ разрядов- требует знания физических процессов, имеших гюсто в таких" разрядах, а также зависимости свойств ВЧ разрядов от внешних условие.

Настоящая работа представляет собой теоретическое исследование ВЧ разрядов, на основе полученного з работе усредненного нелокального кинетического уравнения для функции рас гфеделения электронов. Полученное уравнение уменьшает затраты машинного времени для расчета ВЧ разрядов низкогс давления во много раз и позволяет эффективно моделировать процессы в плазме ВЧ разрядов.

Цели работы. Задачей настоящей работы является

теоретическое исследование ВЧ разрядов низкого давления с целью выяснения основных закономерностей в поведении характеристик ВЧ разряда и построения . адекватной теоретической модели ВЧ разряда в этих услоЕ^лх.

Научная новизна работы заключается в следужцем: Получено- усредненной нелокзлы э кинетическое уравнение для описания функции распределения электронов (£р; по якергиям в иголкновительном л пролетис;-' режимах.

На -снове у редненного ккнеткческсгс урзвненг.л

- А -

показано, что ФР может сосюягь из двух груш электронов с сильно различавшимися температурами.

, Для условий ВЧ разряда низкого давления определены границы существования эффективного стохастического нагрева электронов.

Летально изучено влияние приэлектродных слоев ВЧ разряда на его устойчивость. Предсказано различив в устойчивости ВЧ разряда в зависимости от типа электродов.

Продемонстрировано качественное различие процесса рас-ишвания неоднородности двухкомпснентной и многокомпонентной плазмы. В частности,показано, что в плазме с горячими электронами (температура электронов много больше температуры птоз) могут образовываться скачки ионной концентрации.

Практическая значимость.

Результата исследования позволяют производить инженерный расчет параметров диффузионного ВЧ разряда в диапазоне радиочастот, а также облегчают выбор внешних параметров для получения ВЧ разряда с теми или иными свойствами, в зависимости от конкретного приложения ВЧ разряда. Кроме того, развитые в работе метода исследования ВЧ разрядов могут быть использованы тзи изучении ВЧ разрядов в более сложных условиях, когда процессы рождения и устранения частиц определяются не только прямой ионизацией и диффузией.

Зачищаемые положения.

1. Упрощенное кинетическое уразнэние для электронов в неоднородных э-чктрических полях, которое является альтернативой методу Монте-Карло и сохраняет все качественные особенности и следствия точного уравнения. На основе усредненного кинетического уравнения показано, что ФР может состоять из двух групп электронов с лшьно различающимися энергиями.

2. Результаты теоретического исследования столкновг • тельного и стохастического Еагревов электронов и критерий перехода мегщг ними.

3. Результаты теоретического исследования (численного и

аналитического) ВЧ разряда среднего давления. Зависимость устойчивости ВЧ разряда от типа электрода и результаты исследования нелинейной стадии развитая неустойчивости.

4. Результаты исследования явлений переноса в многокомпонентной плазме. Показано, что как и в электроотрицательных, так и в электроположительных газах диффузионная эволюция может происходить в несколько этапов и мокет сопровождаться формированием скачков.

Алдробация работы и пу&шкацки.

Материалы, составляющие содержание? диссертации, докладывались на семинаре по физике низкотемпературной плазмы з Киеве в 1990 г., на семинарах по физике плазмы электроотрицательных газов в Москве 1951г., 1932 г.,на VIII Всесоюзной конференции по физике низкотемпературной плазмы в Минске 1ЭУ1 г., на конференциях ESCAMPIG, Orleans 1990, St.Petersburg 1992, ICPIG F'.sa 1991,а также на семинарах в СЛОТУ и ®ГИ им.А.Ф.Иоффе. По теме диссертации опубликовано семь печатник работ.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и списка литературы.

Содержание работы. £а введении показана актуальность теш, изложена структура диссертации, приведены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе во введении приводится обзор литературы по вопросил, связанным с методами реие.згя электродного кинетического уравнения в неоднородных ВЧ и постоянных во времени электрических полях ВЧ разряда.

В пергсм параграфе обсуждается, процедура лрострзнстБен-во-времэяного усреднения кинетического уравнения для функции распределения электронов. Прямое моделирование . jran сложных нестационарных я .фос-трангтвенно неоднородных систем очень трудоемко, поскольку электронное кш1этиче'"иоо уравнение догагяо учитывать стационарные и ВЧ не', щородчыв

- б -

поля, упругие к не упругие столкновения. Но возможно существенное упрощение задачи, если частота неупругих столкновений электрона с атомам rssa v* мала по сравнению с частотой поля ь> :: с обратным временем, необходимым для смещения электрона на расстояние порядка мэжэлектродного зазора. Большинство ьлектроноЕ оказываются захваченными в объеме разряда стационарными электрическими полями (см. рис. 1> Поскольку характерное время изменения энергии электрона v*-1 велико,, кинетическое уравнение может быть осреднено но ВЧ колебаниям и по быстры?.: электронным движениям по сечении разряда.

При sic:,: функция распределения электронов (ФР) мало отличается от изотропное и зависит не от координаты и скорости по отдельности, а от полной энергии е-тг/2 + еср(т), где ф(х) - потенциал среднею ноля:

+ t- \ "г""'

<Е(х)>= J E(x,t)dt/(t2- t, ) , (1)

t, (z)

где' t1 (x) - временные граница плазменной фазы (см.

рис. 1)

Концентрация электронов равна концентрации понос n (x,t)=n„(x). В плазме интегрирование по времени в (1) следует заполнять по всему периоду поля Т. Пренебрегая потерям! энергии электрона при упругих столкновениях, получим усредненное по' сечэнии, доступному для электрона с полной энергией s, 'уравнение для изотропной части ФР в виде:

if (8)

4-«]yï)> = ™*(eUo(e) f . (2)

где пространственное усреднение ксэфЬщиентз диффузии но энесгии

<C(v,s)> = ? v^ikE (х)>/[3(цг+ Vе-)} (3)

••»гсготы г узуугих ударов y*(e,t) sans, мнется 'согласно

ЕиоЛ.а) Схематическая аавиоимосгь усредненного ао зронаии по-свхакида к воюженио границы плазма-слой Свэргикадьт ныо линии-) в различные моыонги времени, б) Двииониэ гранкци плазма-сдой. ?лохтродк расположены при 1X1

Gil") =

i

?

TÍ"dt í

O H_(S,t)

G(s-ecp(x))

•te

(4)

Здесь - гршш доступной .для электрона области;

интегрирование выполняется при заданной полной энергия е. Задача сводится к уравнению, формально совпадающему с обнчнкм лгк&вькгм ¡юшетическигд. Зависимость от стационарного <Е(х)> к ссцилляторного 3(X,t)='F!(>:,t)-<:E> полей ябляэтся лзрамэтршеской. Стацкова. яое поде определяется уравнением для ионной концентрации совместно с условием къазлпзй ргльности, а профиль осцилляторного поля Е -условием сохранения электронного тока (который в плазме достаточно;: плотности совпадает с полным). Значение S в центре разряда определяется условием стационарности. 3 локальном .гоибликекки ионизация возрастазг от центра к ¡герифзрик разряде гак,что в этем случае концентрация в слоях не яажого кепьте.чек в центре.Ife-за экспоненциального спада нелокальной CP, обусловленного взупругиш ударами, ионизация падает от центра к 'периферии гораздо бкетрээ, чем концентрат: я, и концентрация в пряэлектродные слоях существенно меньае, чем в центре, Значения осцилляторного поля Е в центральной области малц. Поэтому для электронов с кглха е дестулна толы; о эта область, и значения усредненного (3),!4) кезфвютэаяа v«.d_> при малых а малы.

При г< в* из (2) следует сохранение потока по жэргда

_ _ _

Ге= v<rTTS7>-^?. Так как растзт с энергией ,то

наклон í? укенькается при переходе от калах а к большим. Это обстоятельство к sfóex? Раизауара пои <о>г» объясняет оЗсге2S5 медленней части Ф? при переходе от локального к Ее локально!.'?' ро.стлу (см. 2).

3 п.з рассматривается дваженаэ ионов, когда длина :х посбега кногс кеньг» здак: мекэлектроднего зазора к слоя пространственного заряда. Б- случае, когда и много больше обратного характерного времени ухода исков из зблзст? слоя

оВ~3/ ' с«-'

-'О,

РиЭкспериментальная (атрихогка) и. рассад. аньая(.спхо-шяея) $î для срлт* =13,6 Мгц, L, 1см, г =¿,7 мА/с.ч„ р=чДТо.р.

4nat, где o1 - црозодамость конов), такие возможно усреднение по колебаниям 34 поля. 3 результате задача может быть реяена аналитически для трех предельных законов распределения источников ионов Q:l) Q - const, 2) Q = v1}\'

const, 3) Q = Гб(х), где S(x) - дельта функция, Г -const.

В результате получен полный набор самосогласованных уравнений для ВЧ разряда. Он содержит электронное кинетическое уравнение, уравнение для плотности ионов и уравнение ■ Пуассона, которое в плазме сводится к условию кзз?инеятральности.

П. 4 посвяден сравнению теории с экспериментом. Показано, что рассчитанная аналитически ФР удовлетворительно совпадай с экспериментальной.

Во второй глазе исследуется ВЧ разряд в пролетном рекиме, когда длина свободного пробега электрона превышает межэлектроднай зазор 2L . В высокочастотном случае, когда частота поля w прешшает частоту столкновений электрона со слоями Q--v/Lo и v*-частоту неупругих ударов, возможно усреднить кинетическое уравнение по пространству и времени и получитьt уравнение, аналогичное усредненному кинетичес-ксму уравнению в столкновительном случае. В пролетном режиме возникают .два новых обстоятельства, усложняющих кинетическое уравнение. Уход электронов на электроды-необходимо учитывать в пролетном режиме, поскольку значительно большая доля электронов находите : в области хвоста'ФР. В случае малой анизотропии <5? в конусе выхода удается учесть уход с помощью эффективной частоты ухода v8(j(e) и соответствующий член -Уефг0(8) нужно добавить з правую часть кинетического уравнения. Столкновения электронов с движущейся границей пйагма-слой: приводит к новому механизму нагрева электронов (п.З). Для эффективного стохастического нагрева необходимо, чтобы движение электрона было звотическиы. В работе показано, что стохастический нагрев в ВЧ разряде выключается, если профиль ионоз однородный, u " - плазкенной электронной частоты к и < О (МА-П)174, где М,т - касса нокэв и электронов, соответственно. В обратном случае стохастический нагрев больше стол-

- II -

¡сновительного, если слоя бесстолкновительш по электронам, 1ля учета стохастического нь^рева соответствующий коэффициент диф$узич по энергии нужно сломить со стожновителышм.

В п. 4 исследуется профиль концентрации ионов при ш » и - ионной плазменной частота., когда профиль концентрации ионов можно считать стационарным. В п.4.1 обсуздается про-$чль концентрации ионов в бесстолкковительном приэлвктроднск слов пространственного заряда. Дяя разрядов низкого давления Ь.Р. нелокальна и источник ионов расположен в центре разряда, так что можно считать поток ионов з слое постоянным. В случае, если напряжение на разряде много больше температуры электронов (это условие обычно всегда выполнено), можно считать границу плазма-слой резкой. В этих предположениях задача имеет аналитическое решение. В п.4.2 исследуется профиль ионов в плазме. Для произвольной ФР электронов шведе н модифицированный критерий Нема для перехода плазма-слой.

В третьей главе рассматривается ВЧ разряд среднего давления. При средних давлениях QP электронов определяйте* локальном значением ЬЧ поля к для описания KOiaraanm: можно воспользоваться коэффициентом Тауксэяда. Для u » 4%ai профиль ионов стационарен. Усредненное ионное уравнение решалось численно с целью определения характеристик ВЧ разряда в трех простых газах-гелш, аргоне и азоте (п.2). Рассчитанные характеристики разряда (вольте1- тарные характеристики (ВАХ), таэдиш слоев и т.п.) удовлетворительно совпадают с экспериментальным»! данными .Это позволяет использосать программу расчетов в диагностических целях (п.2.2).

В п.З ебсувдеются механизмы неустойчивостей в ^Ч разряде. Хорошо известно, что ВЧ разряд неустойчив .гри средних давлениях. В результате развития неустойчивостей разряд горит з форме инуров. Зкслеричечтальпо ка^.здаег-'я два минимума ЗАХ, . которым соответствуй? два значения нормальной плотности тока (HÏÏT), j . Oitmo рэх:*.:«

перЕэй ICI сЕязиваот с юустоЯчигостьк объема плоз;/и, а второй - с НеуСТОЙЧЕВОСТЬИ с5МИХ слог'11. В п.З проведен

линейный анализ . устойчивости ВЧ разряда вблизи .

Предала!лось, что 'плазма провоцирует неустойчивость, а слоя, оказывают ' стабилизирушее влияшм. Особое внимание уделялось взаимодействию слоев к плазмы к нахождению точкой трапицы устойчивости ВЧ разряда по току для сравнения с ::-.сперим9Етом. Ооычно критерием устойчивости считают растушуй ВАХ разряда. Однако в рчде случае это огчзквается неверным. Дл. кеустойчиьостей.ЕакремвЕТ которых не зависит от поперечяого волнового" числа,самыми опаонкмк зоумув,знеями мох'ут оказаться двуаюшке возйутцэнкя, вытянутые в,пот. тока. В них плотность тока меняется мало и соответственно мало затрагиваются слои, стабялизирукдие разряп. В этих случаях еовозможок анализ устойчивости по знаку производной ЗАХ разряда 6\Т/дЗ. Для теплово! неустойчивости из-за влияния теплопроводности и диффузии наиболее опасны возмущения с малым Волковым числом. В случае диэлектрических электродов устойчивость разряда определяется знаком ВАХ ,а в случае металлических электродов не определяется знаком ВЛХ . Оказывается, что разряд с проводящими электродами более неустойчив, чем с диэлектрическими электродами. Физический механизм похож на хорошо известное явление возникновения постоянной разности потенциалов мезкду электродами в аешметргпюм разряде, разом-снутымк по постоянному теку. Если по цепи может протекать постояннкй ток ,то разность' потенциалов не возникает, структура слоя у болыттго электрода меняется.Электроны здесь колеблются ,ке достигая электрода, на некотором расстоянии от ного, гак, чтобы постоянное напряжение мекду плазмой иэлектродами было одинаковы . В случае диэлектрического электрода равенство нулю постоянного тока на электрод должно выполняться б каждой точке , и возникает поете ришья разность потенциалов мезду плазмой к электродов ^ (у) (у - координата вдоль электрода). Проводящей электрод гквшотенииалзн, поэтому лзменэаие концентрации плазм вдоль у приводит к изменении толща;. слоя вдоль у и только суммарный постоянный гок ка электрод равен нулю. Таким образам, для а-рож??.:а слои стабчлязирувт разряд, и слагаемое, отвечающее за д«кр>.»мент

- 13 -

неустойчивости' для металлического электрода, в четыре раза

меньше чем для диэлектрического. Например, для тепловой

неустойчивости критерий развития неустойчивости примет вид

(Оез учета вязкости и теплопроводности):

Я/Л1 (7г . . п ч Г 1 - для диэлектрического (Д т о^ < о, тде Э - ^ 1/4 . ддЯ „егаллйаского

ЭЛВКТрОДОВ,

где - напрякение нз плазме ,Ч0 - напряженке на слоях. На основе срагасная зксперимг иаябкак даЕшх и рлсч-этоз сделан вывод, что неустойчивость в ¿г имеет тепловую

природу, а в Не явно не тепловую.

В п.4 исследовался разряд в режиме Ш1Г с помощью адиабатической, квагжодномерной модели, В такой модели профиль плазмы определяется локальными параметрами разояда в центральной плоскости и задача сводится к двум уравнениям для концентрации плаямн и температуры газа:

(5гг - о

ь„ >2 ^ _ _ (5)

-(Д-2.1 - т +■ т +■ пт /п ,

I Я ) о ОС'

где То - температура электрода, и. , п1, Ьо - параметры .разряда .Ь® = Г/'т0 - 'ийузионная деета, \"е - напряаэкие на разряде при п О, V - напряжет-ие на иазряде в ре.диме ЮТ, V д1ха;,/д1п2 - логарифметесиая производная частого ионизации. Величина НОТ определяется ия • услозъя существованиг плавного перехода из переморил в равновесную область и в 1,5 раза превышав1! зкачешз, соответствующее минимуму БАХ. И для тепловой неустойчивости з рзкиме ШТ профиль температура выбегает за прсЛгль концанттззцгк, те. температура газа не мала таи .где концентрация плазмы грактичесхи равна ьули.

Анализ переходной области ок&зыъазтея ваяяым и для янлений при токах порядка большей КЕТ - Показано, что некоторые перехода мевду саСильякми состояниями могут 0ы?> заарешены, ч*о :<оае? приводить к зависимости бермы двухмерного рг.гряд? от его ирэдысюр*.ги.

В четвертой главе диссертации рассмотрена эволюция неоднородности многокомпонентной плазмы. Известно, что наличие в плазме отрицательных ионсз сильно меняет ее свойстве. В работе показано, что в .яюгокошонентной бе стоковой лазме с горячили электронами (Ге»1'1)в отличие с. даухкомпонентной возможно образование скачкой. Пространственная и временная эволюция многокомпонентной плазмы описыБейтся системой уравнений пэреноса:

+ га = 1а : га =-1)№гаьЛЕ , ■ <с>

где г =¿1 зарядовое число, Ь - подвжностъ, С

а а а

коэффициент диффузии, Г^ ~ плотность потока, I иоточниковый член. Условие квазинейтральности сводится к

2 п г = о.

а а а

В отсутствие гелазмохимяческих слагаемых. I эеолиция малой неоднородности с пространственным масштабом ь происходит с двумя временнша. масштабами. За первую стадии

~ ЬгТ±/ТвБ^ электронная концентрация стакоьигся однородной. Ионная составлявшая становится однородной за значительно большее вромя tг~ 1г/01. Нелинейная эволюция гораздо более слокна. Например, если вторыг.: сортом ионов являются отрицательные ионы с большей подвижностью Шг» Я^) и начальная величина концентрации положительных ионов в' некоторой области меньше, чем средам электронная концентрация, возникают три стадии эволюции неоднородности. За ьремя Ь2Т± (В^Т^) образуется профиль электронной концентрации с изломом, который рёздеяяет область электрон-хряной ялазиы р = пв; п - 0 .(см. рис.3) и область, где пв=сопэ1; (р,п,г»е - концентрации положительных, отрицательных ионов и электронов) . Более долгий масштаб времени ЬгТ1/(Т)пТо) соответствует образовании и эволюции скачка когдонтрацдй: р, пи производных /Сх, Последняя медленная стадам эволюции характеризуется иси-иошшм амбшоляршм ьремешм хг~ Ьг/Вр и соответствует релаксации ионного состава на фоне однородней электронной концентрации.

Рис.3.Продли конценграций положительных ионов и электронов для четырех моменгоъ времени, дл< 01 .Д^О.001, Т[/ Г^-0.01. •4: I 12.8 2075 300 р: I 2 3 4 ■V I' 2' з' 4 '

6) Зависимость от врекони.

с1/ ^

-16 -

Образование таких скачков, как результат опрокидывания профиля плотности иоЬов, возмскно' также, если Бр> Ь^,и в многокомпонентной плазме только электроположительных газов (см. рис.4). Источниковоа слагаемое в (6) .едет к релаксации состава плазма к равновесному. Следовательно, если олрокидывание профиля ионов происходит бистрее, чем его шазмохимическая релаксация, то последняя не влияет на образование скачков.

Граничные условия с учетом быстрых плазмохимических реакций могут также порождать резкие профили ионной концентрации. Из-за нелинейности выражения для потека отрицательных ионов пограничные слои могут иметь слокнуя структуру,например концентрации ионов укручэются в глубь плазмы.

В пятой главе предложена простая модель роста пленок аморфного силана из ВЧ разрядной плазмы. Большинство работ, исследующих рост ' пленок , рассматривает гпожкыэ многопараметрические модели, содержащие большое число параметров. Поскольку константы химических процессов известны с точностью до порядка, то для эффективного прогнозирования процесса в настоящее Бремя необходимы простые модели, использующие1 минимальное количество параметров, но позволяющие проводить оперативные оценка всех основных параметров роста с достаточной точностью. В модели' использовались следующие предположения максвелловская функция распределения электронов с температурой, определяющейся из условия баланса электронов и ионов. Предполагалось, что основной ■ вклад в роот' пленок дает склил 81Н3, о азущийся из силана электронным ударом и диссоциацией силана при реакцк с водородом. В этих предположениях можно получить слэдущее выражение для потока силила, определяющее скорость росте:

(Пв - концентрация электронов, р - давленчз газа, Ь -межэлектродный зазор, ей - пг-рог реакции тассоцизцмл силана электронным удатюм, 61 - энергия ионизации).

Вес.А,Эволюция, плазмы с положительными ионами. Профили концентраций р(.х,т)-менее подвижных ионов,

1(х, г)- более подвижных ионов.

Д„-0.01 .Д^.001 4-0.01

1-рСх»г)=4ехр(-х ) при 1=0,

2-р(х*г) при г-5,

1-п(х,г)»1 при т.о (

2-а(х,г) при г=5.

. - 18 -

Аналогичные выражения получены для отношения потоков ионов и SlKj к потоку ' силила, характеризующие качество плэыок.

ОСНОВНЫЕ РЕ УЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Упрощенное кинетическое уравнение для электронов' в неоднородных и ечектрических полях, которое является альтернативой метода • Манте Чарло и сохраняй? все качественные особенности и следствия точного уравнения! На основе усредненного кинетического уравнения показано, что ФР может состоять из двух груш электронов с сильно различающимися энергиями.

2. Результаты теоретического исследования столянови-тельного и стохастического нагревов электронов и условий перехода между ними.

3. Результаты теоретического исследования (численного и аиалити.зского) ВЧ разряда среднего давления. Зависимости устойчивости ВЧ разряда от тина электрода и результаты исследования нелинейной стадии развития неустойчивости.

4. Результаты исследования явлений переноса в многокомпонентно!! плазме. Показано, что как и в электроотрицательных, так и в электроположительных газах диффузионная эволюция монет происходить в несколько этапов и может сопровождаться формированием скачков.

По теме диссертации опубликованы следущие работы:

1. Каганович " Д., Цендан Л.Д., ВесстолкноЕИтельный цриэлектрод-кый слой висскочастотного разряда, Письма в ЖГФ, 19S0.T.16, вып.2, с.46-48.

2. Kaganovich I.D., ííaendin L.D. /í£< tei or colllslör.uj. low-presure BF discharge in ?roc. VIII ЕЗСА&'ЧС- (Orleans, Prance), 1990, pp.161-162.

3. Ka¿ranovlch I.D., Tsenain L.D. /Иге space-tlaie-íivewjgliig proceuore and modeling of the RP discharge, íü'-'-J Transact lona on plasipn sclencs, 1992, v.2Q, .11.

t Kaganovlch I.I).. Tsendin L.D. /Low pressure HP discharge In the free-flight regies, IESE fransactlons cr, plasma science, 1532, v.20.N2.

5. Kagancvich T.D., Ssenuin L.D., Yatsenko '»Ccutx-actioii ol BP dlschai'ge at the medium pressures'* In Proe.iX ESCAMPIG (St.Peresburg; Russia) 1S92.

6. Gorbachev Yu.E., Zatevalthln M.A., Xagsnovlcb i.S. Simple model ior amorphous silicon film growth rrom HP-discharge plasma. Proc.IX ESCAMPIG (St.Peresburg, Russia) 1992.

1. Kaganovich I.D., Tsenain L.D,, iic.i-Llresr Phenomena. In multi-species plasna diffusion. Prr-c.T/' S3CA22PIG (St.Peresburg, Russia) 1592.

FTO ir/j®,3aK.64?,TOp.I00,itt.-n3ji.Ji.0,9; 20/j/]ii-I992r.

Beci'JiaTHO