Вклад поверхностных фаз Si-Al, Si-In-Na, Si-Au в электрическую проводимость кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

1 Поверхностные фазы и их электрофизические свойства

Введение.

1.1 Поверхностные фазы на кремнии.

1.1.1 Описание кристаллической структуры поверхностных фаз.

1.1.2 Состав и свойства поверхностных фаз на кремнии.

1.1.3 Роль поверхностных фаз в процессах на поверхности кремния.

1.2 Электропроводность полупроводников.

1.2.1 Основные сведения о электропроводности.

1.2.2 Поверхностная проводимость.

1.2.3 Механизмы проводимости.

1.3 Электрическая проводимость поверхностных фаз Si( 100)2х 1,

Si(l 11)7x7.

1.4 Электрическая проводимость поверхностных фаз кремнийадсорбат.

Выводы.

2 Экспериментальная установка и методы исследований.

Введение.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Метод дифракции медленных электронов.

2.3 Четырехзондовый метод измерения проводимости.

2.4 Двухзондовый метод измерения проводимости.

2.5 Подготовка образцов.

Выводы.

3 Автоматизация измерений проводимости

Введение.

3.1 Метрология.

3.2 Принципы построения автоматизированных систем сбора данных.

3.3 Система автоматизации измерений проводимости.

Выводы.

4 Исследование электрической проводимости поверхностных фаз на кремнии

Введение.

4.1 Измерение электрической проводимости поверхностных фаз.

4.2 Измерение электрической проводимости поверхностных фаз Al/Si(100).

4.3 Исследование адсорбции Na на поверхностную фазу Si(lll)4xl-In.

4.4 Измерение электрической проводимости одно- и трехдоменной поверхностной фазы Si(l 11)5x2-Au.

Выводы.ЮО

Основные результаты работы

Актуальность темы.

В настоящее время кремний является базовым материалом в технологии современных интегральных микросхем. В связи с уменьшением размеров полупроводниковых приборов в современной микро- и наноэлектронике оказалось, что влияние поверхности (поверхностных фаз) на физические параметры является существенным.

Кроме научного интереса, изучение физических явлений на поверхности полупроводников имеет большое практическое значение, поскольку глубокое понимание причин, приводящих к изменению поверхностных свойств, может стимулировать разработку принципиально новых полупроводниковых приборов и приемов по эффективной стабилизации параметров существующих полупроводниковых устройств. Так, за последние 30 лет развитие технологии производства полупроводниковых приборов позволило уменьшить размер затвора более чем в 1000 раз и по современным прогнозам его размер к 2010 году достигнет значений несколько нанометров, что потребует использования поверхностных явлений в создании элементов наноэлектроники с использованием, например, многослойных структур. Столь стремительное увеличение степени интеграции современных полупроводниковых приборов привело к увеличению внимания к процессам, происходящим на поверхности полупроводников, изучением которых занимается такая область физики конденсированного состояния - как физика поверхности.

Исследования упорядоченных поверхностных фаз (ПФ), сформированных на атомарно-чистой поверхности полупроводников, проводятся уже более чем

40 лет. С использованием таких методов изучения поверхности, как дифракция медленных электронов (ДМЭ), ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) и др., в том числе и самый современный - сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), уже проведено значительное количество исследований и к настоящему времени представлено большое количество публикаций о кристаллической и электронной структуре поверхностных фаз. Однако электрическая проводимость поверхностных фаз изучена еще явно недостаточно. Одной из главных причин этого является недостаточная проработанность методик определения электрофизических параметров ПФ. Дело в том, что измерение электрических свойств поверхностных фаз требуется проводить только в условиях сверхвысокого вакуума (СВВ), когда исследователь имеет дело с атомарно-чистой поверхностью подложки. Вынос таких образцов на воздух приводит к разрушению кристаллической и электронной структуры поверхностных фаз, и, следовательно, к изменению их электрофизических параметров. Кроме того, пока остается неясным сам механизм поверхностной проводимости. Отсутствует ясное понимание роли поверхностных фаз в проводимости приповерхностных слоев монокристаллических полупроводников (в том числе и кремния) с адсорбатами.

Цель диссертационной работы. Целью работы было исследование электрической проводимости поверхностных фаз Si-Al, одно- и трехдоменной ПФ Si(l 11)5x2-Au; влияния адсорбции атомов натрия на поверхностную фазу Si(l 1 l)4xl-In.

Основные задачи:

1. Сконструировать четырех- и двухзондовую измерительные приставки для проведения электрических измерений в условиях сверхвысокого вакуума in situ.

2. Разработать систему автоматизации измерений электрической проводимости поверхностных фаз.

3. Предложить методику измерения электрической проводимости поверхностных фаз Si-Al.

4. Исследовать влияние адсорбции атомов натрия на поверхностную фазу Si(l 11)4x1-In при комнатной температуре.

5. Исследовать влияние формирования однодоменных ПФ Si(lll)5x2-Au на электрическую проводимость.

Научная новизна работы:

- предложены оригинальные методики исследования электропроводности поверхностных фаз на кремнии в условиях СВВ.

- исследована электрическая проводимость субмонослойной системы Al/Si(100) и ПФ Si(100)-Al при комнатной температуре.

- исследовано изменение электрической проводимости подложки при адсорбции натрия на поверхностную фазу Si(l 1 l)4xl-In при комнатной температуре.

- исследована электрическая проводимость однодоменной ПФ Si(l 11)5x2-Au.

Практическая ценность.

Получены данные о электрической проводимости поверхностных фаз Si(100)2x2-Al и Si(100)c(4xl2)-Al, а также влиянии осаждения алюминия на электрическую проводимость данных поверхностных фаз. Исследована электрическая проводимость подложки кремния со сформированной поверхностной фазой Si(lll)4xl-In при адсорбции атомов натрия. Показано, что вклад в электрическую проводимость подложки однодоменной ПФ Si(lll)5x2-Au выше, чем трехдоменной ПФ Si(l 11)5x2-Au.

Результаты могут быть использованы для получения необходимых электрофизических свойств двумерных структур в полупроводниковой наноэлектро-нике и, в целом, для расширения представлений о механизмах электрической проводимости поверхностных фаз. Аппаратура, разработанная в процессе исследований, может использоваться для изучения условий формирования и электрической проводимости поверхностных фаз в условиях низких, высоких и комнатных температур.

На защиту выносятся основные результаты диссертационной работы:

1. Осаждение алюминия при комнатной температуре на поверхностную фазу Si( 100)2x1 приводит к ее разрушению и уменьшению вследствие этого электрической проводимости.

2. Электрическая проводимость ПФ Si(100)2x2-Al не отличается от проводимости ПФ чистого кремния (100). Поверхностная фаза Si(100)c(4xl2)-Al имеет более высокую электрическую проводимость, чем ПФ Si( 100)2x1.

3. При осаждении натрия на поверхностную фазу Si(l 11)4x1-In электрическая проводимость уменьшается, что вызвано образованием ПФ Si(lll)4x2-(In, Na), которая обладает диэлектрическими свойствами.

4. Вклад однодоменной ПФ Si(lll)5x2-Au в электрическую проводимость подложки выше, чем трехдоменной ПФ Si(l 11)5x2-Au.

Апробация результатов работы.

Основные результаты работы были представлены на конференциях:

1. Россия, Владивосток, ИАПУ ДВО РАН, (1999), III региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов;

2. Россия, Владивосток, ВГУЭС, (2000), Вторая международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Высокие интеллектуальные технологии развития профессионального образования и науки";

3. Россия, Владивосток, ИАПУ ДВО РАН, (2000), IV региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов;

4. Россия, Владивосток, ДВГУ, (2000), Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике;

5. Россия, Санкт-Петербург, (2000), Вторая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлек-тронике;

6. Germany, Physikzentrum Bad Honnef, (2001), WE - Heraeus - Seminar 2D Conductivity in Surface States and Nanolayers;

7. Россия, Владивосток, ВГУЭС, (2001), Третья международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Научный потенциал ВУЗов - на развитие производительных сил Приморского края";

8. Belarus, Minsk, (2001), International conference "Nanomeeting-2001";

9. Россия, Хабаровск, (2001), Вторая региональная научная конференция "Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование";

10. Россия, Благовещенск, АТУ, (2002), IV международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых исследователей;

11. Россия, Владивосток, ВГУЭС, (2002), Четвертая международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых;

12. Russia, Vladivostok, (2002), Fifth Russian-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces;

13. Russia, Vladivostok, (2002), Second Asia-Pacific conference "Fundamental problems of opto- and microelectronics";

14. Россия, Санкт-Петербург, (2002), Вторая всероссийская конференция "Химия поверхности и нанотехнология";

15. Россия, Хабаровск, (2002), Международный симпозиум (II Самсоновские чтения) "Принципы и процессы создания неорганических материалов";

16. Россия, Москва, (2002), IV Международная научно-техническая конференция МИЭТ "Электроника и информатика-2002";

17. Россия, Владивосток, ИАПУ ДВО РАН, (2002), VI региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов;

18. Россия, Владивосток, ДВГУ, (2002), Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике.

Публикации.

По теме диссертации опубликованы 4 статьи в научных журналах и 15 тезисов докладов.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов работы и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 116 страниц, включая 48 рисунков, 1 таблица и список литературы из 111 наименований.

Основные результаты работы

С использованием метода дифракции медленных электронов, двух- и четы-рехзондового методов измерения электрической проводимости исследовано влияние поверхностных фаз, образуемыми атомами металлов (алюминием, натрием и золотом) и кремния на электрическую проводимость подложки кремния. Показано, что добавление атомов натрия в ПФ Si(l 1 l)4xl-In приводит к изменению электрических свойств подложки.

Основываясь на результатах, изложенных в диссертационной работе, можно сделать следующие выводы:

1. Разработанные двухзондовая измерительная вакуумная приставка и система автоматизации измерений электрической проводимости позволяют в реальном времени проследить изменения проводимости при напылении адсорбата на поверхность подложки.

2. При напылении А1 на поверхность Si(100) при комнатной температуре наблюдается разрушение поверхностной фазы Si( 100)2x1 и формирование ПФ Si(100)2x2-Al. Электрическая проводимость данной поверхностной фазы не отличается от проводимости поверхностной фазы Si( 100)2x1.

3. Поверхностная фаза Si(100)c(4xl2)-Al обладает проводимостью приблизительно на 6 % большей, чем ПФ Si( 100)2x1.

4. Добавление атомов натрия в ПФ Si(l 11)4x1-In при КТ приводит к уменьшению электрической проводимости подложки, что связано с образованием ПФ Si(l 11)4х2-(1п, Na), которая обладает диэлектрическими свойствами.

5. Поверхностная проводимость однодоменной Si(lll)5x2-Au фазы приблизительно в 5 раз выше проводимости образца с трехдоменной Si(lll)5x2-Au фазой.

Автор выражает благодарность Виктору Григорьевичу Лифшицу за научное руководство, Цуканову Дмитрию Анатольевичу, Утасу Олегу Александровичу и Рыжкову Сергею Витальевичу за помощь в работе и обсуждение результатов, а также всем сотрудникам Научно-Технологического Центра полупроводниковой микроэлектроники ИАПУ ДВО РАН.

1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. - М.: Наука, 1964.

2. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985.

3. Шаскольская М.П. Кристаллография. Учебник для вузов. М.: Высшая школа, 1976,- 391 с.

4. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. - 536 с.

5. Bechstedt F., Enderlein R. Semiconductor Surfaces and Interfaces // Phys. Research, vol. 5.- Akademie-Verlag Berlin, 1988. 441 p.

6. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. Chichester: John Wiley & Sons, 1994. - 454 p.

7. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии // Соросовский образовательный журнал. 1997. - № 2. - С. 107114.

8. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и процессы на поверхности кремния. // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1989. С. 5-43.

9. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л., Саранин А.А., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Поверхностные фазы на кремнии // Успехи физических наук. 2000. - Т. 170, № 5. -С. 569-571.

10. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л., Азатьян С.Г., Саранин А.А., Луняков Ю.В., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Двумерные структуры на поверхности кремния // Известия Академии наук. Серия физическая. 2001. - Т. 65, № 2. - С. 176-179.

11. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov В.К., Gavrilyuk Y.L. The role of Surface phases in processes on silicon surfaces // Surf. Sci. 1989. - V. 222, № 1. - P. 21-30.

12. Lifshits V.G., Gavrilyuk Y.L., Zotov A.V., Tsukanov D.A. Si surface phases: formation, role in processes and properties // Phys. Low-Dim. Struct. 1997. - V.l-2. -P. 131-138.

13. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. - 792 с.

14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. - 456 с.

15. Nakajima Y., Uchida G., Nagao Т., and Hasegawa S. // Two-dimensional adatom gas on the Si(l 1 l)V3xV3-Ag surface detected through changes in electrical conduction //Phys. Rev. В. 1996.-V. 54. - P. 14134-14138.

16. Bauerle F., Monch W., and Henzler M. Correlation of electronic surface properties and surface structure on cleaved silicon surfaces // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43, № 10.-P. 3917-3919.

17. Kwonjae Yoo and H. H. Weitering. Electrical conductance of reconstructed silicon surface // Phys. Rev. B. 2002. - V. 65. - P. 115424 (1-11).

18. Hasegawa Y., Lyo I.-W., Avouris Ph. Electronic properties of nanometer-size metal-semiconductor point contacts studied by STM // Appl. Surf. Sci. 1994. - V. 7677. - P. 347-352.

19. Petersen C.L., Grey F., Aono M. Oxidation of clean silicon surfaces studied by four-point probe surface conductance measurements // Surf. Sci. 1997. - V. 377-379.- P. 676-680.

20. Gasparov V.A., Grashulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G., Churusov B.K., Galkin N.G., Plusnin N.I. Electrophysical properties of the surface phases of In and Cr on Si(l 11) // Vacuum. 1990. - V. 41, № 4-6. - P. 1207-1210.

21. Takeda S., Tong X., Ino S., Hasegawa S. Structure-dependent electrical conduction through indium atomic layers on the Si(l 11) surface // Surf. Sci. 1998. - V. 415.- P. 264-273.

22. Gasparov V.A., Bondarev V.V., Nikolaev K.R. In-situ investigations of electrical transport properties of Si(lll)-In(lxl)R30°, Si(lll)-Pb(V3xV3)R30° surface phases and ultrathin films // Phys. Low-Dim. Struct. 1995. - V. 6. - P. 45-54.

23. Hasegawa S., Jiang C-S., Nakajima Y., Nagao Т., Tong X. Surface electrical conduction correlated with surface structures and atom dynamics // Surf. Rev. Lett. -1998.- V. 5, №3-4.-P. 803-819.

24. Hasegawa S., Tong X., Jiang C-S., Nakajima Y., Nagao T. Electrical conduction via surface-state bands // Surf. Sci. 1997. - V. 386. - P. 322-327.

25. Nakajima Y., Takura S., Nagao Т., Hasegawa S. Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(l 1 l)-V3xV3-Ag // Phys. Rev. B. -1997. V. 56, № 11. - P. 6782-6787.

26. Jiang C-S., Tong X., Hasegawa S., Ino S. Electrical conduction though the surface-state band of the Si(l 11)- V21xV21-(Ag-Au) structure // Surf. Sci. 1997. - V376. - P. 69-76.

27. Hasegawa S., Tsuchie K., Toriyma K., Tong X., Nagao T. Surface electronic transport on silicon: donor- and acceptor-type adsorbates on Si(lll)V3xV3-Ag substrate // Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 162-163. - P. 42-47.

28. Tong X., Jiang C-S., Horikoshi K., Hasegawa S. Surface-state electrical conduction on the Si(lll)V3xV3-Ag surface with noble-metal adatoms // Surf. Sci. 2000. -V. 449.-P. 125-134.

29. Hasegawa S., Ino S. Correlation between atomic-scale structures and macroscopic electrical properties of metal-covered Si(lll) surfaces // Int. J. Modern Phys. B. -1993. V. 7, № 22. - P.3817-3876.

30. Hasegawa S., Ino S. Surface structures and conductance at epitaxial growth of Ag and Au on the Si(l 11) surface // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 68. - P. 1192-1195.

31. Jiang C-S., Hasegawa S., Ino S. Surface conductivity for Au or Ag on Si(lll) // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54, № 15. - P. 10389-10392.

32. Hasegawa S., Tong X., Takeda S., Sato N., Nagao T. Structures and electronic transport on silicon surfaces // Progress in Surface Science. 1999. - V. 60. - P. 89257.

33. Tsoukanov D.A., Ryzhkov S.V., Gruznev D.V., Lifshits V.G. The Role of the Surface Phases in the Surface Conductivity // Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 162/163. -P. 168-171.

34. Ryzhkov S.V, Tsukanov D.A, Lifshits V.G. Surface Conductivity of Ultra-Thin Na and Au Films on Si(100) //Phys.Low-Dim.Struct. V. 7/8. - 1999. - P. 149-154.

35. Tanikawa Т., Matsuda I., Nagao Т., Hasegawa S. Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface // Surf. Sci. 2001. - V. 493. - P. 389-398.

36. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел / В.Ф. Кулешов, Ю.А. Кухаренко, С.А. Фридрихов и др.- М.: Наука, 1985.- 290 с.

37. Андронов А.Н., Пронина Н.А. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ): Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГТУ, 1997.- 45 с.

38. Castner D.G., Somorjai G.A. Surface structures of adsorbed gases on solid surfaces. A tabulation of data reported by low-energy electron diffraction studies. // Chem. Rev. 1979. - V. 79, № 3. - P. 233-252.

39. Mark P., Levine J.D., McFarlaue S.H. Atomic structure of the Si(l 11)7x7 surface. // Phys. Rev. Lett. 1977. - V. 38, № 24. - P. 1408-1411.

40. Hansen N.R., Heneman D. Interpretation of low energy electron diffraction data to predict surface atom arrangements. // Phys. Rev. 1961. - V. 121. - P. 1093-1109.

41. Большов JI.А., Напартович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Субмонос-лойные пленки на поверхности металлов. // УФН. 1977. - 122, № 1. - С. 125-158.

42. Van Hove М.А., Somorjai G.A. Adsorption and adsorbate-induced restructuring: a LEED perspective. // Surf. Sci. 1994. - V. 299-300, № 1-2. - P. 487-501.

43. Van Hove M.A., Tong S.Y. Surface crystallography by LEED. Berlin: Springer-Verl., 1979.-234 p.

44. Heinz K. Is there a future for LEED intensities? // Appl. Phys. 1986. - A41. -P. 3-19.

45. Хейденрайх P. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Москва: Мир, 1966.-239 с.

46. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.

47. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. - 206 с.

48. Мейер А.А. Влияние поверхностной проводимости на результаты измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом // Заводская лаборатория. -1964.- №8. -с. 963-967.

49. Blood P., Orton J.W. Recent developments in the characterisation of semiconductors by transport measurements // Acta Electronica. 1983. - V.25,2,-P. 103-121.

50. Батавин В.В., Жаворонков Н.В. К применению четырехзондового метода для измерения поверхностного сопротивления тонких эпитаксиальных слоев // Заводская лаборатория. -1982. с. 49-52.

51. Kramer P. and Ruyven L.J. Space Charge Influence on Resistivity Measurements // Sol. State Electronics. 1977. - V.20. - P. 1011-1019.

52. Huang R.S. and Ladbrooke P.H. The Use of a Four-Point Probe for Profiling Sub-micron Layers // Sol. State Electronics. 1978. - V.21. - P. 1123-1128.

53. Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника. 1981. - № 1-2. - с. 3-49.

54. Roberts R.W. Generation of clean surface in high vacuum // British J. Appl. Phys. 1963. - V. 14, № 9. - P. 537-543.

55. Французов A.A. Получение, структура и химическая активность атомарно-чистой поверхности германия и кремния // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников. Новосибирск: Наука, 1975. С. 49-65.

56. Gobeli G.W., Allen F.G. Possible structures for clean annealed surface of germanium and silicon. // J. Phys. Chem. Solids 1960. - V. 14. - P. 23-31.

57. Henderson R.C., Marcus R.B., Polito WJ. Carbide contamination of silicon surface // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42, № 3. - P. 1208-1215.

58. Gullis A.G., Booker G.R. The epitaxial growth of silicon films on (111) silicon surface //J. Cryst. Growth. 1971. - V. 9, № 5. - P. 132-138.

59. Chang C.C. Contaminants on chemically etched silicon surfaces // Surf. Sci. -1970.-V. 23.-P. 283-298.

60. Charig J.M., Skinner D.K. Auger electron spectroscopy of nickel deposits on the silicon (111) surface// Surf. Sci. 1970. - V. 19, № 2. - P. 283-290.

61. Кузмичев Д.А., Радкевич И.А., Смирнов А.Д. Автоматизация экспериментальных исследований. М.: Наука, 1983. - 392 с.

62. Бурдун Г.Д., Марков Б.Н. Основы метрологии. М.: Из-во стандартов, 1972.

63. Кузнецов В.А., Долгов В.А., Коневских В.М., Лобатый С.Ф., Герасимов А.Г., и др. Измерения в электронике. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 512 с.

64. Зайдель А.Н. Ошибки измерений физических величин. Л.: Наука, 1974.

65. Никитюк Н.М. Микропроцессоры и микро-ЭВМ, применение в приборостроении и научных исследованиях. М.: Энергия, 1981.

66. Интегральные усилители: Операционные усилители. Том 1, Физматлит, 1993. 240 с.

67. Ide Т., Nishimory Т. and Ichinokawa Т. Surface structures of Si(100)-Al phases // Surf. Sci. 1989. - V. 209. - P. 335-344.

68. Nogami J., Baski A.A. and Quate C.F. Aluminium on the Si(100) surface: Growth of the first monolayer //Phys. Rev. В. 1991.-V. 44, №3.-P. 1415-1418.

69. Northrup J.E., Schabel M.C., Karlsson C.J. and Uhrberg R.I.G. Structure of low-coverage phases of Al, Ga, and In on Si(100) // Phys. Rev. B. 1991. - V. 44, № 24. -P. 13799-13802.

70. Takeuchi N. Adsorption of III and group V metals on Si(001): One-dimensional versus two-dimensional growth // Phys. Rev. B. 2000. - V. 63. - P. 035311 (1-5).

71. Sakama H., Murakami K., Nishikata K., Kawazu A. Structural determination of Si(100) 2x2-Al by tensor LEED // Phys. Rev. B. 1993. - V. 48, № 8. - P. 5278-5281.

72. Brocks G., Kelly P.J., Car R. Adsorption of Al on Si(100): a surface polimeriza-tion reaction // Phys. Rev. B. 1993. - V. 70, № 18. - 2786-2789.

73. Yeom H.W, Abukawa Т., Nakamura M., Suzuki S., Sato S., Sakamoto K., Sakamoto Т., Kono S. Initial stage growth of In and Al on a single-domain Si(001) 2x1 surface // Surf. Sci. 1995. - V. 341. - P. 328-334.

74. Zhu C., Misawa S., Tsukahara S. Initial stage aluminium thin film growth on Si(100) surface as observed by scanning tunneling microscopy // Surf. Sci. 1995. - V. 325. - P. 279-284.

75. Hasan M.A., Radnoczi G., Sundgren J.E., Hansson G.H. Epitaxial growth of A1 on Si by thermal evaporation in ultra- high vacuum: growth on Si( 100)2x1 single and double domain surfaces at room temperature // Surf. Sci. 1990. - V. 236. - P. 53-76.

76. Itoh H., Itoh J., Schmid A., Ichinokawa T. Temperature-depending growth and surface structure of low-coverage A1 phases on Si(100) observed by scanning tunneling microscopy // Surf. Sci. 1994. - V. 302. - P. 295-302.

77. Shimizu N., Kitada H., Ueda О. A1 growth on Si(100) observed by tunneling microscopy // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 150. - P. 1159-1163.

78. Kotlyar V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Kubo O., Ohnishi H., Katayama M., Oura K. High-temperature interaction of A1 with Si(100) surface at low A1 coverages // Surf. Sci. 2002. - V. 506. - P. 80-86.

79. Zhu C., Kawazu A., Misawa S. and Tsukahara S. Adsorption of A1 on Si(100) at high temperature // Phys. Rev. B. -1999. V. 59, №15. - P. 9760-9763.

80. Ichinokawa Т., Itoh H., Schmid A., Winau D., Kirschner J. Reconstructed structures in metal/Si(100) surfaces at high temperature observed by scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. - V. 12. - P. 2070-2073.

81. Oshima Y., Hirata Т., Yokoyama Т., Hirayama H., Takayanagi K. Atomic structure of cluster-ordered array on the Si(001) surface induced by aluminum // Surf. Sci. -2000.-V. 465.-P. 81-89.

82. Khramtsova E.A., Saranin A.A., Chub A.B., Lifshits V.G. A1 and Au binary surface phases on the Si(l 11) surface // Surf. Sci. 1995. - V. 331-333. - P. 594-599.

83. Daimon H., Chung С., Ino S., Watanabe Y. A study of Si(lll)5x2-Au structures by Li adsorption and their coadsorption superstructures // Surf. Sci. 1990. - V. 235, № 1-2.-P. 142-155.

84. Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G., Duchinsky V.G. LEED-AES study of surface structures formed at coadsorption of A1 and Sb on (100), (111) and (110) Si surface // Surf. Rev. Lett. 1994. - V. 1, № 2-3. - P. 285-293.

85. Бехтерева O.B., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Поверхностные фазы в системе Si-Au-In // Поверхность. 1990. - №. 10. - С. 32-35.

86. Daimon Н., Ino S. Study of the Si(l 11)7x7 surface structure by alkali metal adsorption // Surf. Sci. 1985. - V. 164. - P. 320-326.

87. Kravetsky I.V., Marowsky G., Rubahn H.-G. Room temperature adsorption of Na on Si(l 11)7x7 as studied by resonant optical second harmonic generation // Surf. Sci. -2001.-V. 474.-P. 47-54.

88. Boness J., Marowsky G., Braun J., Witte G., Rubahn H.-G. Second-harmonic generation from sodium covered Si(l 11)7x7 surfaces // Surf. Sci. 1998. - V. 402-404. -P. 513-517.

89. Soukiassian P., Bakshi M.H., Hurych Z., Gentle T.M. Electronic properties of alkali metal/silicon interfaces: a new picture // Surf. Sci. 1989. - V. 221. - P. L759-L768.

90. Jeon D., Hashizume Т., Sakurai T. Structural and electronic properties of ordered single and multiple layers of Na on the Si(l 11) surface // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 69, №9.-P. 1419-1422.

91. Okuda Т., Shigeoka H., Daimon H., Suga S., Kinoshita Т., Kakizaki A. Surface and bulk core level shifts of the Si(lll)3xl-Na and Si(lll)87x7-Na surfaces // Surf. Sci. 1994. - V. 321, №1-2. - P. 105-110.

92. Kan Т., Mitsukawa K., Ueyama Т., Takada M., Yasue Т., Koshima T. Secondary ion emisson processes of sputtered alkali ions from alkali/Si(100) and Si(lll) // Surf. Sci. 2000. - V. 460. - P. 214-222.

93. Hirayama H., Baba S., Kinbara A. Electron energy loss measurements of In/Si(l 11) superstructures: Correlation of the spectra with surface superstructures // Appl. Surf. Sci. 1988. - V. 33-34. - P. 193-198.

94. Stevens J.L., Worthington M.S., Tsong I.S.T. 4x1 reconstruction of indium deposited on vicinal Si(lll) surfaces // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47, № 3. - P. 14531459.

95. Finney M.S., Norris C., Howes P.B., James M.A., Macdonald J.E., Johnson A.D., Vlieg E. The growth and atomic structure of the Si(lll)-indium interface studied by surface X-ray diffraction // Physica B. 1994. - V. 198. - P. 246-248.

96. Abukawa Т., Sasaki M., Hisamatsu F., Nakamura M., Kinoshita Т., Kakizaki A., Goto Т., Kono S. Core-level photoemission study of the Si(lll)4xl-In surface // J. Electr. Spect. Relat. Phenom. 1996. - V. 80, № 1-3. - P. 233-236.

97. Collazo-Davila C., Marks L.D., Nishii K., Tanishiro Y. Atomic structure of the In on Si(l 1 l)(4xl-In) surface // Surf. Rev. Lett. 1997. - V. 4, № i. p. 65-70.

98. Zotov A.V., Saranin A.A., Kubo O., Harada Т., Katayama M., Oura K. Quantitative STM investigation of the phase formation in submonolayer In/Si(l 11) system // Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 159-160, № 1-4. - P. 237-242.

99. Nakamura J., Watanabe S., Aono M. Anisotropic electronic structure of the Si(lll)-(4xl)-In surface//Phys. Rev. B. 1999. - V. 63, № 19 - 193307-4.

100. Abukawa Т., Sasaki M., Hisamatsu F., Goto Т., Kinoshita Т., Kakizaki A., Kono S. Surface electronic structure of a single-domain Si(lll)4xl-In surface: a synchrotron radiation photoemission study // Surf. Sci. 1995. - V. 325. - P. 33-44.

101. Hill I.G., McLean A.B. Metallicity of In chains on Si(lll) // Phys. Rev. B. -1997. V. 56, № 24. - P. 15725-15728.

102. Hasegawa S., Grey F. Electronic transport at semiconductor surface-from point-contact transistor to micro-four-point probe // Surf. Sci. 2002. - V. 500. - P. 84-104.

103. Plass R., Marks L.D. Submonolayer Au on Si(l 11) phases diagram // Surf. Sci. -1997. V. 380. - P. 497-506.

104. Sakai H., Khramtsova E.A., Ichimiya A. Metastable ordering of domain walls into Si(lll)2V3x2V3Z10.9°-Au structure studied by RHEED and STM // Japan J. Appl. Phys. 1998. - V. 37, № 6B. - P. L755-L757.

105. Khramtsova E.A., Sakai H., Hayashi K., Ichimiya A. One monolayer of gold on an Si(lll) surface: surface phases and phase transitions. // Surf. Sci. 1999. - V. 433435., № 1-3 - P. 405-409.

106. Ryjkov S.V., Nagao Т., Lifshits V.G., Hasegawa S. Phase transition and stability of Si(l 1 l)-8x"2"-In surface phase at low temperature // Surf. Sci. 2001. - V. 488. -P. 15-22.1. ГОСУДг1. ЪТвйК&'ЛУМ!ч^ъ- к -оъ