Влияние процессов переноса заряда на оптические свойства фоторефрактивных сред для записи информации тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

Введение.

Гл.1. Теория фотогальванического эффекта на примесных комплексах коисталлов. $> I.I. Модельные потенциалы.

§> 1.2. Модель примесного комплекса, состоящего из -центра и кулоновского центра.

§1.3. Модель двух S -центров.

§1.4. Применение моделей примесных комплексов к расчету £ГТ в некоторых кристаллических структурах. 59 Приложение.

Гл.2, Особенности фоторефракции, наводимой ограниченными световыми пучками в кристаллах с фотогальваническим переносом зарядов. 79 Гл.З. Теория фотоиндуцированного рассеяния сгета в фоторефрактивных средах.

§3.1. ®отоиндуиированное рассеяние в средах с локальным откликом /фотогальванический механизм фоторефракции/.

3.1.1. Рассеяние под углом 90°

3.1.2. Рассеяние под малыми углами.

§3.2. Фотоиндуцированное рассеяние СЕета в кристаллах с диффузионным механиз

§м Фоторефракции.

В последние годы большое внимание уделяется изучению сегне-тоэлектрических кристаллов, обладающих фоторефрактивными свойствами /т.е. способностью изменять показатель преломления под действием света/ /1-^7 • Эти кристаллы используются в динамической голографии для целей записи информации. Они имеют ряд преимуществ по сравнению с другими регистрирующими средами: высокая информационная емкость и разрешающая способность, реверсивность, большая дифракционная эффективность, возможность записи и считывания информации в реальном времени. Особый интерес для квантовой электроники представляют процессы нелинейного взаимодействия вырожденных по частоте волн в фоторефрактивных средах, позволяющие осуществить, в частности, обращение волнового фронта.

Основным недостатком большинства фоторефрактивных кристаллов является низкая фоточувствительность.

Фоторефракция имеет и другую /вредную/ сторону: использование подобных сред в качестве электрооптических элементов либо преобразователей частоты нередко приводит к фазовым искажениям и ухудшению поперечной структуры лазерных пучков /эффект оптического повреждения, или "орЬ/саб с/а по " / /1 - §7 •

Решение этих двух противоположных задач /улучшение характеристик фоторефрактивных регистрирующих сред и подавление оптического повреждения/ требует глубокого понимания микроскопических механизмов фоторефракции. В настоящее время установлено, что фоторефракция обусловлена процессами переноса заряда под действием освещения - т.н. объемным фотогальваническим эффектом и диффузией фотовозбужденных носителей. Эти процессы вызывают перераспределение зарядов в освещенной области и, как следствие, появление внутреннего электрического поля, изменяющего показатель преломления посредством эффекта Поккельса.

Актуальность темы диссертации связана с тем, что эти исследования способствуют выяснению природы фотогальванического и фоторефрактивного эффектов в сегнетоэлектрических кристаллах, которые являются перспективными средами для целей записи информации в динамической голографии.

Цель работы. Настоящая диссертационная работа имеет своей целью теоретически исследовать основные закономерности взаимодействия оптического излучения с неоднородными фоторефрактив-ными средами, а также оценить вклад примесных донорно-акцептор-ных комплексов в фотогальванический эффект.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения, содержит 149 стр. машинописного текста, 26 рисунков и список литературы из 160 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

3 работе получены следующие основные результаты.

1. На основании проведенных исследований показано, что асимметричная фотоионизация примесных комплексов является наиболее эффективным из всех извес/.тных механизмов фотогальванического эффекта.в кристаллах.

2. Рассчитаны спектральные зависимости фотогальванического тензора /и) и поглощениям/^ для двух моделей одинаково ориентированных комплексов /£ -центр + кулоновский центр, два £ -центра/.

Наиболее существенной особенностью компоненты ^¿¡¿^ , отвечающей за продольный /относительно оси комплекса/ ток, является наличие осцилляции, связанных с эффектом КЕантово-механической интерференции. Компоненты и рхъ х не испытывают осцилляции. Эффект интерференции может приводить к изменению знака ФГТ в зависимости от частоты и поляризации света.

3. Получены простые аналитические выражения для <§ГТ в »коло-пороговой и высокочастотной областях. Показано, что в исследованной области параметров величина тока растет при увеличении эффективного заряда /2*>0 / и уменьшении межцентрового расстояния Я

Определен вклад примесных комплексов в поглощение. Для комп-лекеов с г? > О характерно наличие порогового поглощения /при (£о! /, которое убывает с ростом межцентрового расстояния по закону Ц ^2- • В случае ¿? пороговое поглощение отсутствует.

5. Рассмотрены особенности ФГЭ на примесных комплексах в полупроводниках А<7В?И со структурой сфалерита. Частотная зависимость единственной отличной от нуля компоненты макроскопического фотогальванического тензора не испытывает осцилляции. Установлено, что введение примесей, образующих дефекты е разных подрешетках /тип С(1? /, должно оказывать гораздо большее влияние на 5ГТ по сравнению с примесями, создающими дефекты в одной подрешетке /тип С(/.

Показано, что, в отличие от [ 2 /, Фотогальванический ток, обусловленный фотоионизацией примесных комплексов, в кубических полупроводниках по порядку величины может быть таким же /или большим/, как и в сегнетоэлектриках.

6. Рассмотрены два типа центров в сегнетоэлектриках со структурой перовскита /титанат бария/. При разумных значениях параметров спектральная характеристика ®ГТ качественно согласуется с результатами измерений. Теория объясняет изменение знака тока в зависимости от частоты и поляризации св/Г^/а, а также предсказывает/частотную зависимость компоненты р>х&х » которая пока не измерялась.

7. Рассчитаны пространственные распределения для произвольного соотношения фотопроводимости (Г<р и темновой проводимости б*~<? . Полученные зависимости хорошо описывают известные экспериментальные результаты. Установлен», что фотогальванический эффект является основным механизмом фоторефракции в кристаллах ^: Ре

8. Исследовано влияние анизотропии проводимости на распределение изменения показателя преломления. Установлена, что абсолютная величина ЛИ сильно зависит от параметра , а отношение /&Ч(0,о) - слаб».

9. Развита методика исследования Фотоиндуцированного рассеяния света /ФИРС/ в фоторефрактивных средах. Получено общее выражение для интенсивности ёИРС в борновском приближении /формула /3. ЦЧ / /.

10. В средах с фотогальваническим■механизмом фоторефракции локальный ;огклик/ эффект ФИРС имеет существенно нестационарный характер: интенсивностьХц возрастает квадратично . во времени от начального уровня /рассеяние на статических неоднородностях показателя преломления/ , достигает максимума и убывает с выходом на "полочку" Х^+Хр / Хр ~ рассеяние на фотоиндуцированных неоднородностях/.

II. Получены явные выражения для Хд Б 90°-геометрии и в случае рассеяния под малыми углами. Показано, что учет фотопроводимости (Г^? оказывает существенное влияние на результаты. В условиях сильного насыщения / / интен 0 сивности "голографического" рассеяния Д-ля 90 ~ геометрии пропорциональны квадрату фазового набега £^ > а положение максимума не зависит от £$ ; для рассеяния под малыми углами ^ /, Я^РрЗ,причем положение максимума сдвигается в сторону бо'лыпих Ь с 'ростом . Оценки интенсивности ФИРС показывают, что в реальных экспериментальных условиях в кристалле ¿.¡Л/^: Ре. возможна практически полная перекачка энергии падающего излучения в энергию рассеянных волн.

12. Сравнение теории с экспериментом позволило оценить ряд параметров фоторефрактивной среды: максимальное изменение показателя преломления , интенсивность насыщения Х$ , темновое время релаксации ^о . Оценки хорошо согласуются с данными независимых измерений. Получена опенка среднеквадратичных флуктуации фотогальванического коэффициента: чГТр> /¿о ~ о. 4 .

13. В средах с чисто диффузионным механизмом фоторефракции /нелокальный отклик/ существует стационарное усиление рассеянных волн, а индикатриса ФИРС резко асимметрична /в отличие от сред с локальным откликом/. Стационарная интенсивность рассеяния зависит от величины Чд-С, - коэффициент усиления/ следующим образом: ыл^'-О/и^е)

В нестационарном режиме интенсивность рассеяния монотонно возрастает при £д > О и монотонно убывает при ^ < О , приближаясь к стационарному значению. В начальный момент Х^ зависит линейно от времени. I

1. Фридкин З.М. Фотосегнетоэлектрики. -М.: Наука, 1979.- 264.

2. Лайнс М., Гласс. А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. - 736.

3. Кузьмиков Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. - 400.

4. Петров М.П., Степанов С.И. , Хоменко A.B. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и ®птической обработке информации. Л.: Наука, 1983. - 270.

5. Дмитриев В.f., Тарасов Л.В. Прикладная нелинейная оптика. -М.: Радио и связь, 1982. 352.

6. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М.: Физматгиз, 1963.

7. Зеегер К. Физика полупроводников. -М.: Мир, .1977. 615.

8. Алмазов Л.А., Григорьев H.H. Междолинное перезаселение носителей и поперечная сгото-эдс в полупроводниках.- ФТП, 1978, 12 , 10, 1996-2003.

9. ChynoweM\ Суи $ыиигу, frbtn&te. - ptys. (Ш/., idS-b, iozj 3, //Г.

10. AM., VonJin. Цко(-е A/z^ia* T.J. Htyh iaCk photove-Z-bcctc- e0ic,t апе( photobegxactiir^ putessen. a/>/>€. LtM", 1Э?<0 zr ч, ¿Я-гз^.

11. Phoioconduci'iviiy iи сеьЫсп g&no-e&vk/ V-fi.Fiioiktn , A-A.öiWCev, A V.Jowvl ( ЧЗЪ-ЧЗ?.

12. Белиничер В.И., Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии. УФН, 1980, 130 , 8, 4I5-iL58.

13. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках / "Проблемы соврем, физики. Сб. статей к IOO-летию со дня ровд. А.Ф.ИофФе". Л. -.Наука, 1980. -с. 275-293.

14. Von bcd+1 К. nie iu€l pKfrorttioUc, effa* ov*

15. Q/fto( f>UzoeAc/lAQs rvuttz'uoi&t. F-e/üw^., 13H, 2S ^ 13t.

16. Герзанич Е.И., ®ридкин B.M. Сегнетоэлектрики типа aW. И.: Наука, 1982. - 227.

17. Кристогель Н., Гулбис А. Возможность собственного аномального фотовольтаического эффекта в Еибронном сегнетоэлект-рике. Изв.АН ост.СОР.физ.мат., IS79, 28 , 3, 268-271.

18. Къг$Ьо((г4 А/., (hktfrs 4. PMov*t+*4C, cc*m*t ^ у{$>и»иСА.Щ sHHs {¿et еол^-^af ^АЛо^1. ЖсЫс -Ctech.J.ftyz.sOte,^

19. V™ ВгШ t^Kicacty. ThjWiy fikofrvo-ешсefäto* cvpt«£s. Pfyyfa/. ßt 1331, гъ} ю, ssso-ssjt,21. kbUvfae A/., Vn Mb* /?., н&ьпип« p, Ontkz LHtbtnic$u€k f>kotov*€b4io effact pke.6vOb ¿vx-t-t^m-noUq't^ sfates-. ¿x Phys.,1. Btf,

20. Белин;:чер З.И., Ивченко E.Ji., Стурман Б.И. Кинетическая теория сдвигового фотогальванического эффекта в пьезо-электриках. 2ST§, 1982, 83 , 2, 649-661.

21. Гир^берг Я.Г., Трунов H.H., Бурсиан'3.3. Сегнетоэлектрикс межзонной связью в поле Енешней электромагнитной волны.-Изв.АН СССР сер. Физ., 1983, 47 , 3, 541-547.20

22. Be0tnt'c,k&i> V*I.t MevikevV-V- Photometrie сиiwnüti&uc, ¿y\ <vt$ent'</-c Ptys.- Stit> S*€. fdtf, И

23. Линейный фотогальванический эффект б дырочном арсениде галлия / А.З.Андрианов, Е.Л.Ивченко, Г.Е.Пикус и др. -¿5ТФ, 1981, 81 , б, 2080-2094.

24. Беяиничер В.И., Малиновский В.К., Стурман Б.И. Фотоволь-таический эффект в кристаллах с полярной осью. ;1оТ<?, 1977, 73 , 2, 692-699.'

25. Баскин 5.14., Магарилл Л.И., 5нтин М.В. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии. ФТТ, 1978, 20 , 8, 2432-2436.

26. Белиничер З.И., Филонов А.Н. Модели примесных центров в теории фотогальванического эффекта. АЕтометр., 1978,

27. V&vi R. JUst»>vy Нлл. ьпогий€б>ис, pM»-VQCUuc, tffrc* С* Ptyy St«*' -ГЭЖ, 883, 2, Ч1Э- 4Z9

28. Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в модели неглубоких примесных центров. ФТТ, 1980, 22 , 10, 3084-3090.31., Сидоркин A.C., Федосов В.Н. Фотовольтаический эффект в сегнетоэлекгриках, содержащих заряженные дефекты. ФТТ, 1982, 24 , 8, 2524- 2526.

29. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.: Мир, 1977. 562.р (Z

30. Физика и химия соединений AB / Под ред. С.А.Медведева М.: Мир, 1970. 624.

31. Шейнкман М.К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермическ»й диссоциации донорно-акцепторных пар. ПЛОТ®, 1972, 15 , II, 673-679.

32. Струмбан Э.Е. Исследование глубоких центров вметодами модуляционной спектроскопии. Авт.дисс. . к.ф.-м.н., Л., 1977.

33. HCbJLchjL, TL, счЫи&с- fofiecJ-S, о\ jjj -V ъ-erHt'сли^кс&ъь. ¿-вгс/^ог? $ fates сьио( СчЪ&ььсЛ&тиw&bfies.- рку&сч, <гжз, ест-iff, pti, idt-ws.

34. Люминесценция связанных экситонных комплексов в монокристаллах ¿?nS-e / Г.Н.Иванова, д.Д.Недеогло, Б.В.Новиков, В.Г.Талалаез. ФТТ, IS8I, 23 , 9, 2693-2699.

35. Немченко A.M. Изменение электрических и люминесцентных свойств монокристаллов B-i^S в результате диффузии меди. -Авт.дисс. . к.ф.-м.н, Днепропетровск, 1973.

36. Городецкий И.Я. Рекомбинационные процессы в широкозонныхполупроводниках к^б . Авт.дисс.к.ф.-м.н.,1. Киев, 1972.

37. Ильина М.А. Исследование особенностей люминесценции сульфидных кристаллосгосфоров с повышенной концентрацией активатора. -Авт.дисс. . к.ф.-м.н., Тарту, 1973.

38. РьСъ s¡¡-ссНс^ otefzd г/нс. t^-tCwuct-e, / А/- Мъ^п&я, Р. ипъ^кгЯ, Я. fjonestcUn . - Ям/. В, 1380, 22 ,

39. PkofrS-enZih'vity 1 fiiAokwiш Cots l ¿млуь+ctes, /A/.E. kr^stoiskvtf*, I.v-Yhv^foMtU,

40. ТУ- ТогсА/нвкяд^ M.k. bkfiCnkw). pkyy SM. 1380, M£/ 2,

41. Вавилов B.C., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука,1981. 368.

42. Спектральные свойства монокристаллов метаниобата лития с примесью ионов келеза и неодима / Е.Г.Валяшко, Т.Н.Варина, Р.Н.Кузьмин и др. Ш1С, 1974, 21 , I, 50-34.

43. Исследование примесных центров е легированном железом метаниобате лития методам гамма-резонансной спектроскопии/ Н.М.Рубинина, В.Б.Шагдзров, З.К.Яновский, Р.Н.Кузьмин.-Квант.электр., 1975, 2 , 5, 1024-1029.

44. Связанные состояния примесных атомов железа в метаниобате .лития / В.Н.Белогуров, В.А.Былинкин, И.В.Готлиб и др. -ёТТ, 1976, 18 , I, 143-145.

45. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл /титанат бария/. М.: Наука, 1974. - 295.

46. Фотолюминесценция сегнетоэлектрика Вй^Мц 0</£~ / И.С.Горбань, А.Ф.Гуменюк, В.Н.Голонжа и др. STT, 1981, 23 , 2, 467-473.

47. Нои 9.L., Lcuujin^ R.ß.t аЫъсЛ Я. Е.s-es of f>hotocyi<faaeo{ сдлги-е,ъь Су\

48. Гудаез O.A., Детиненко В.А., Малиновский В.К. Знергети-ческий спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута. ФТТ, 1981, 23 , I, 195-201.

49. Арутганян 3.3. ЗПР комплексов в LiX 03 • -Изв.АН Арм.ССР.физ., 1981, 16 , 5, /391-396.

50. ЗПР исследование аксиальных центров Fe** в КТ<к 0$ / И.П.Быков, М.Д.Глинчук, Л.А.Кармазин, В.В.Лагута.

51. TT, 1983, 25 , 12, 3586-3590.

52. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978. т.1 : 569 е., т.2: 357 с.

53. Ланно М., Бургуэн I. Точечные дефекты в полупроводниках.-М.: Мир, 1984. -263.

54. Харрисон У. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972. - 616.

55. Хейне В., Kosh М., Уэйр Д. Теория псевдо потенциала. М.: Мир, 1973. - 557.

56. Бете Г., Солпитер 3. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами. Н.: Физматгиз, I960. - 562.61. 5.Г. ГАе е&о-Рюи/с,

57. CWlaf (УЫЯЛ^ cf-efeefs СУ\шлс(м<уЬ%ъ. fbv. AW Phtfs. sro62. awto H (Z. , Ш&0- ß-K. Я с&ъ^ъЪ&ъ eg. St*tf)<6L -tUe&iMCabC tf&b f>MvCotüg*6o'b of CHt^n -Kfi-tS tn i&Kt'cwcfaüM-S.-^.ßhffZ.C, 1920, ¿OZ?-ZC<{0.

58. Демкоз 10.H., Островский B.H. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Л.: изд. ЛГУ, 1975. 240.

59. Кирушиц Д.А. Полевые методы теории многих частип. М.: Госатомиздат, 1963. - 344.

60. Базь А.И., Зельдович Я.Б. , Переломов A.M. .Рассеяние, реакции и распады в нерелятиеистской квантовой механике.-М.: Наука, 1971. 544.

61. Ландау Л.Д. , Линт;иц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: ёизматгиз, 1963. - 702.

62. Lucwsfyj 0t. Он pkeJ-OcOyUTtdh'O^ of ef-VLf

63. JLntVis$ ¿и $e/*iconott<cu^s . -Soб Statte Comm., IMS', lf гзд-зог.

64. Рознери'щ Я.А., Продан В.Д. Фотополевая ионизация глубоких центров в полупроводниках с учетом кулоновского действия. -Изв. вузов. Физика. 1977, 1!° 12, 85-91.

65. Белявский 8.И. Сечение фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках с сильно анизотропными зонами. -§ТП, 1977, П , 10, 1930-1933.

66. Бонч-Бруевич З.Л. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках. -Вестн. МГУ, физ.,астр. 1971, 12 , 5 , 586-593 .

67. Имамов 3.3., Крамер Н.И., Сагдуллаева С.А. Эффект увлечения электронов при фотоионизации глубоких примесных центров. -ФТП, 1977, П , 9, I8I9-I822.

68. Балтенкоз A.C., -Гринберг A.A. Учет кулоновского взаимодействия в модели Луковского при фотоионизации положительнои отрицательно заряженных примесных центров. ^ТП, 1976,10, 6, II59-II63.

69. Гринберг A.A. Фотоионизация глубоких примесных центров Е полупроводниках. с;ТП, 1976, 10 , 10, 1872-1878.

70. Балтенков A.C., Гилерсон В.Б. Упругое рассеяние света глубокими примесными центрами в полупроводниках. <0ТП, 1980, 14, 2, 242-248.

71. Белявский В.И., Свиридов В.В. Время жизни электронного состояния, формируемого потенциальной ямой малого радиуса и отталкивающим кулоноЕСким потенциалом. ®ТП, 1981, 15 , 5, 979-981.

72. Имамов Б.З., Маматкулов Б.Р. , Фотоионизация глубоких примесных центров при дефиците энергии фотона. iTFI, 1981, 15 , 9, 1800-1804.

73. Комаров И.Б., Пономарев Л.И., Славянов С.Ю. Сфероидальные и кулоновские сфероидальные функции. 14.: Наука, 1976. -319.

74. БерезинА.А., Кирий В.Б. Приближение дёльтаобразного потенциала е теории отрицательно заряженных центров окраски. «ТТ, 1969, П , 2II8-2I2I.

75. Примесные Н~- подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы е полупроводниках / Е .М.Гершензон,

76. А.П.Мель никое, Р.И.Рабинович, Н.А.Серебрякова. У5Н, 1980, 132 , 2, 353-378.

77. Бейтмен Г., Зрдейи А. Высшие трансцендентные Функции. -М.: Наука, 1965. т.1: 294 с.83. ' . Обуховский,В.В., Стоянов А.В. Модель Фотовольтаических центров в сегнтоэлектриках./ В сб.: Квантовая электроника, Киев: Наук, думка, 1982, вы п.23, 90-98.

78. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. 14.: Наука, 1978. - 831.

79. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.Й. Интегралы и ряды. Специальные пункции. Ni.: Наука, 1983. 750.

80. ОбухоЕский В.В., Стояное А.В. Готовольтаический эффект на примесных комплексах кристаллов. 7«iií, 1982, 27 , 4, 542-548.

81. V-V*t Uefr^notS ff, I/. A Jbhofoff'dw'^ cuntas ш cbgsf*/s. Yó#¿,

82. Справочник по специальным Функциям / Под ред. М.Абрамовича, И.Стиган. :••{.: Наука, 1979. - 830.39. ßu€k f>Koivvo€fiotSc -г^с* Си 15<*П0$ / Коок,1. К. Мнпь^л-, ил Ав}?, 1jt 9, 8Y9-2S-0.

83. Ос т апе нко 0. С., Шейнкман М.К. Исследование ориентацион-ного вырождения анизотропных центров в гексагональных кристаллах. Ш, 1978, 20 , II, 3468-3470.

84. Обуховский В.В., Стоянов A.B. Фотогальванический эффект в кристаллах/ В сб.: Актуальные Еопросы ядерной физики низких энергий. Препр. КИЯИ-82-7, Киев, 1982, с. 29-32.

85. ФеоФилоЕ П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: Физматгиз, 1959. - 288.

86. Обуховский В.В., Стоянов A.B. Модель фотогальванических центров е кристаллах / В сб.: П Республиканская конференция по фотоэлектрическим явлениям е полупроводниках. Тез. докл. /Одесса, сент. 1982 г./ Киев: Наук, думка, с.185-186.

87. Фстогальваническик эффект в кубических кристаллах ¿nS / B.K.Фридкин, Е.Х.Каримов, В.А.Кузнецов и др. §ТТ, 1980, 22 , 9, 2820-2822.

88. Подвижность нетермализованных носителей в кубическомпьезоэлектрике / В.М.Фридкин, В.Г.Лазарев, А.З.Левин,

89. А.И.Родин. OTT, 1983, 25 , II, 3402-3406.

90. Андрианов A.B., Лрсшецкий И.Д. Обнаружение "линейно/го" фотогальванического эффекта в кристаллах ^ As /ь-типа /

91. В сб.: П Республиканская конференция по фотоэлектрич. явлениям в полупроводниках . Тез.докладов /Одесса, сент. 1982 г./ Киев: Наук, думка, 1982. - с.20.97. (¿пока &Q.S jokoiw&tH^ С и Вес TiOj / V- Л АЛ КосМ, Я

92. W- Uftit, Р. Fwi&et., 1дН, 1Jt /l/1-v, зог-sof.

93. C(.M. Tkl fokotW-f'VKoHv^ efgtct* -inpWLVun^ fftSt W.

94. Обуховекий B.B., Стоянов A.B. Модель фотовольтаическихцентров в сегнетоэлектриках /В сб.: X Всес. конфер. посегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народн. хозяйстве. Тез.докл., ч.П. Минск, 1982. - с.106.

95. Обуховский В.В., Стоянов A.B. Модель фотовольтаических центров ,в сегнетоэлектриках. Изв. АН СССР. сер. г>из. 1983, 47 , 4, 652-655.

96. Борн IL, Вольф Э. Основы оптики. М. : Наука, 1973. - 719.102. фелсен Л., Маркувиц Н. Излучение и рассеяние волн, т. I. -М.: Мир, 1978. 547.

97. Vo&cn«Ji pkis^e. h&eoftfi.fltiC' sM/tj^e- ¿и fiesi/vc-■е&сРглс / W.f. Bwvjvi, S+o^f-öui^,k/. А ^. яер^ои^. о/м. Ьпрмятиц, ws, tj) ч, Зое- ы.

98. Дмитриев В.Г., Коновалов В.А. , Шалаев Е.А. Влияние наведенной оптической неоднородности показателя преломления на генерацию второй гармоники в кристаллах мета-ниобата лития. Квант.электр., 1979, 6,3, 506-512.

99. Довгий Б.П.-, Обуховский В.В. Влияние фоторефрактивн§го эффекта на лазерную генерацию. 1984, 29 , I, 30-35.

100. Гулбис A.B. Расчет фотопреломления в ЦМвОт,-Ре. . Изв. АН Латв.ССР.сер.физ.-тех., 1978, № 3, 3&-43.

101. Механизм фоторефрактивного эффекта в ниобате лития с железом / А,П.Леванюк, Е.М.Уюкин, В.А.Пашков, Н.М.Соловьева. ФТТ, 1980, 22 , 4, II6I-II69.

102. Погосян А.Р., УгокинЕ.М., Леванюк А.П. Экспериментальное обнаружение неполевого вклада в фоторефрактивный эффектв кристаллах U/l/f^lFe,. ФТТ, 1580, 22 , 12, 3725-3727.

103. Обуховский В.В. Теория фотоиндуцированного изменения показателя преломления сегнтоэлектриков. У«Ж, 1982, 27 , 3, 344-349.

104. Обуховский В.В., Стоянов A.B. Особенности фоторефракции, наведенной в кристаллах гауссовым лучом. Вестн. Киевск. ун-та, Физика, 1983, вып. 24, 75-81.

105. ИЗ. Ch&n AS. OjjtcCQe&f Cnctucecf cltomg^, og

106. H^iczs ¿и Lißfa)} anof ¿;r« (P3 app-e. Phys,.,1. Я, 8, ззез-зззб.1. ОСП* сГкьъ, Р^',1э?о> г,

107. Леванюк А.П., Осип§в В.В. Механизмы фоторефрактивного эффекта. Изв. АН СССР сер.физ., 1977, 41 , 4, 752-770.

108. Исследование эффекта оптического повреждения в кристаллах ниобата лития / В.И.Белиничер, И.Ф.Канаев, З.К.Малиновский, Б.И.Стурман. ®ТТ, 1976, 18 , 8, 2256-2261.

109. Пашков В.А., Соловьева Н.М., Ангерт Н.Б. Наведенная оптическая неоднородность в ниобате лития во внешнем электрическомполе. ФТТ, 1979, 21 , I , 92-99.

110. Фотопреломление в ниобате лития / П.А.Аугустов, В.И.Готлиб, Н.М.Рубинина, К.К.Шварц. ФТТ, 1977, 19 , 5, 1493-1494.

111. Ковалевич В.И., Волк Т.Р. Особенности эффекта фоторефракции в кристаллах \ Fe / В сб.: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1979. - с. 137-145.

112. Одулов С.Г., Олейник О.И., Соскин M.G. Оптическая нелинейность чистых кристаллов ниобата лития и голографическая запись при низких температурах. П.льЗТФ, 1981, 34. , 7, 403-406.

113. Канаев И.®., Малиновский В.К. Фтогальванический и фотореф-рактивный эффекты в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1982, 24 , 7, 2149-2158.

114. Фридкин В.М., Магомадов P.M. Аномальный фотовольтаический эффект в ¿¡¿/¿Oj'.Fe. в поляризованном свете. П.ЕЗТФ, 1979, 30 , II, 723-726.

115. JlwesHflOLHo*' 4 Ииг, pkoíovo¿i<ub Сь eiofxc}

116. MÍO}/Festé, PMoiteZ, E. ^¿¿¡^ fi.vo«

117. Винецкий В.JI. , Кухтарев Н.В. Аномальное фотонапряпение и перекачка энергии при записи голографических решеток в полупроводниках. П.1ТФ , 1975, I , 4, 176-180.

118. Пашков В.А., Соловьева Н.М., Уюкин Е.М. Фото- и темновая проводимости в кристаллах ниобат^лития. ФТТ, 1979, 21 , 6, 1879-1882.

119. Аугустов П.А., Готлиб В.И. Влияние электрического поля на фотопреломление в ниобате лития. Изв. АН Латв.ССР. сер. физ.-техн., 1976, № 3, II4-II7.

120. Абрамов Н.А., Воронов'В.В. Локальная фотодеформация и фоторефракция в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1979, 21 , 4, 1234—1236.

121. ТихоНое А.й., Самарский A.A. /равнения математической физики М.: Наука, 1972. - 552.

122. Исамару А. Распространение и рассеяние волн в случайно-неоднородных средах. М.: Мир, 1981.

123. Кондиленко В.П., Марков В.Б., Одулов С.Г., Соскин М.О. Нестационарный энергообмен при записи динамических голограмм в кристаллах с фотовольтаическим эффектом. УФЖ, 1978, 23 , 12, 2039-2043.

124. Pkie&j?*, u/.j ЯгиЫес /./., Zicie€&sz, V.L. ОрКьъе апс( stobije /»^/^A'^s (4 frxnsWo*' MM dtopU #ffii«»t niogtfe. RCA teri**-,1., М-10Э.

125. М^пмъъоп R.ß Gictyfabcf Г,/С, Us-ел. scoctt^bcHg ЫсСи(£<{ ko-бо^гяунъ си. ùfl^urn tu- tyi^13, ? , fS-ïF-KM

126. Особенности наведенной оптической неоднородности в кристаллах Lit/éÛj с примесью ионов железа / З.М.Авакян, С.А.Алавердян, К.Г.Белабаев и др. §ТТ, 1978, 20 , 8, 2428-2432.

127. Kautel/I.P., Mct&wntq S-faJi/Kîv Ä .Г.лдь+о/е, . pft. CorvtW-, 2Y> lt ЭГ- -ТОО.136. «отоиндупированное рассеяние света в кристаллах НБС:Се / В.В.Воронов, И.Р.Дорош, Ю.СДузьминов, Н.В.Ткаченко. -Квант.электр., 1980, 7 , II, 2313-2318.

128. Вссиит-ь^иНим nhfat-e, Ov^bt^^ ¿Уъ &/'Н'еси2оцtïon, гг* t&bcù'n. $ / I. Я. Dfrbosh, ■ S. Kitzmino^ /V.M. W et <*e. ¿т. W1, 4££J

129. P.A., (Uunfe^*- М', Shvabts, K.K. phoU-tefatction c*rto( cxyii^ot'to/oic frcfht ^-app-e. AZ9t

130. АЕакян Э.М., Белабаев К.Г., ОдулоЕ С.Г. Поляризаиионно-анизотропное СЕетоиндуцированное рассеяние в кристаллах ¿;/l/f(?3-Pe . ®ТТ, 1983, 25 , II, 3274-3281.

131. Дмитрик Г.Н., Короткое П.А., ОбухоЕский В.В. Влияние фоторефракции на релеевское рассеяние в Li— . -Опт. и спектр., 1983, 55 , 2, 399-400.

132. ТЫ- jiko-bÜHoOtaitf R.aSfÖbCffk s¿и ikowiKß a &«6k effecf /ciiqms>btf-j V.tf. Ръ'с/кМ, (pot-egboy, B.Jannrt. ieig,1. АН-Ч, W-UO.

133. Белабаев К.Г., Габриэлян В.Т., ОаркисоЕ В.Х. Особенности релаксации остаточных напряжений монокристаллов LlNiOjе области 20 200°С. - Кристаллогр., 1973, 18 , I, 198-199.

134. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. - 416.

135. Современная кристаллография/ Под ред. Б.К.Вайнштейна. т.З. М.: Наука, 1980.

136. Ченский Е.В. Крупномасштабный флуктуационный потенциал и плотность состояний в легированных и сильно компенсированныхполупроводниках. КЭТФ, 1979, 77 , I, 155-169.

137. Рытое С.М., Кравцов Ю.А., Татарский В.И. ВЗедение в статистическую радиофизику. ч.2. Случайные поля. М.: Наука, 1980. - 464.

138. Кляцкин В.И. Стохастические уравнения и волны в случайно-неоднородных средах. М.: Наука, 1980. - 336.150. К. u/л^е Шокг9о9-гз

139. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. -М.: Наука, 1982. 624.и *

140. Стоянов A.B. Теория фотоиндуцированного рассеяния света е фотореФрактивны-х средах / В сб.: У1 Всес. конФер. молодых ученых "Теоретич. и прикладная оптика". Тез. докл.1. Л., ГОИ, 1984.

141. Винецкий В.Л., Кухтарев Н.В., Соскин М.С. Преобразование интенсивностей и фаз световых пучков нестационарной "несмещенной" голографической решеткой. Квант, электр., 1977, 4,2, 420-425.

142. ЕелабаеЕ К.Г., Марков В.Б., Одулов С.Г. ®отовольтаический эффект в восстановленных кристаллах ниобата лития. -1979, 24 , 3, 367-371.

143. KiÜiviß ¡Сила И, S/tec-hjpzcofitc ¿ь/-eytig*Uon «^f jbkotovot-fab фгс/s С» <(<feo( L,'A/{03 . ^ioC., 1)1? t ny) 1, 1l1-l2><f.

144. Винецкий В.Л., Кухтарев Н.В., Семенец Т.И. Кинетика динамической самодифракиии световых пучков в объемных средах с локальным откликом. Квант.электр., 1981, 8 , 1,217-220.

145. Погосян А.Р., Попов Б.Н., Уюкин Е.М. Природа фотопроводимости и анизотропия подеижности фотоэлектронов в- -TT, 1982, 24 , 9, 2551-2557.

146. Стурман Б.И. Фотогальванический эффект, дифп-узия и дрейф неравновесных электронов при конечных длинах свободного пробега. 11ЭТФ, 1982, 83 , 5, 1930-1940.

147. Владимиров B.C. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1971. - 512.

148. Самарский A.A. Теория разностных схем. М.: Наука, 1983. - 616.