Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

иа30Б2001 -«гш,

Татаринцев Александр Владимирович

Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников

Специальность 01.04.10 - «физика полупроводников»

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

ВОРОНЕЖ-2006

003062001

Работа выполнена в Воронежском государственном университете.

НАУЧНЫЙ КОНСУЛЬТАНТ: доктор физико-математических наук,

профессор Левин Марк Николаевич

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ: доктор технических наук, профессор

Гуляев Александр Михайлович

доктор физико-математических наук, профессор Терехов Владимир Андреевич

доктор физико-математических наук, профессор Безрядин Николай Николаевич

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ: Московский инженерно-физический

институт (государственный университет)

Защита состоится «12» апреля 2007 г. в _часов на заседании диссертационного совета Д. 212.038.10 при Воронежском государственном университете (394006, г. Воронеж, Университетская пл. 1, ауд.^-2 ? ). С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного университета.

Автореферат разослан « ме

Диссертационного совета МАРШАКОВ В.К.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Функционирование современных интегральных схем (ИС), выполненных по технологии металл-окисел-полупроводник (МОП) и предназначенных для работы в условиях воздействия внешних дестабилизирующих факторов, определяется процессами, происходящими в приповерхностном слое полупроводника, на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в диэлектрическом слое. Повышение степени интеграции ИС ведет к возрастанию роли поверхности и требует более углубленного анализа влияния внешних факторов различной природы на ее свойства.

Одним из таких факторов является ионизирующее излучение (ИИ). Вопрос дефекгообразования в МОП структурах под действием ИИ достаточно освещен в литературе (например [1,2]). Тем не менее, некоторые полученные в рамках данной работы экспериментальные результаты, такие, как формирование термостабильного радиационного заряда в окисле МОП структуры, содержащем примесь фосфора, коррелированное изменение заряда в окисле и на поверхностных состояниях (ПС) границы раздела полупроводник-окисел, и другие не вписываются в рамки известных представлений и требуют привлечения новых физических моделей для их объяснения и интерпретации. Разработки технологических процессов с использованием ионизирующих излучений, решение проблем оценки радиационной стойкости МОП ИС потребовали количественного описания процессов накопления и релаксации радиационного заряда в МОП структурах с учетом глубоких ловушечных уровней примесных центров в окисном слое, что определяет актуальность данного направления работы.

Сложность анализа поверхностных радиационных эффектов в полупроводниках и МОП структурах состоит в том, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров являются интегральным результатом дефекгообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводнике, диэлектрике и на границе их раздела. Для корректной интерпретации экспериментальных результатов требуется проведение комплексного исследования, обеспечивающего возможность независимого контроля и разделения процессов образования дефектов в различных слоях. Комплексный подход к исследованию подразумевает совместное использование набора прецизионных электрофизических методов исследования дефекгообразования в полупроводниковых подложках, диэлектрических слоях ' и" границах раздела полупроводник-диэлектрик в исследуемых структурах. Другая проблема заключается в том, что наблюдаемые радиационные эффекты проявляются по-разному в зависимости от технологии формирования тестовых структур. Конкретные проявления во многом зависят и от характеристик самих тестовых объектов, на которых проводятся исследования. Это определяет актуальность адаптации известных электрофизических методов исследования для конкретных тестовых объектов и решения задачи разделения эффектов воздействия ионизирующих излучений на диэлектрик и границу раздела полупроводник-диэлектрик в

МОП структурах с учетом планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника, краевых эффектов, геометрии тестовых структур.

Непосредственная зависимость поверхностного потенциала полупроводника от локализованного в окисном слое заряда делает актуальной задачу анализа пространственного распределения этого заряда. Для решения этой задачи потребовалось провести моделирование фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной МОП структуры с радиационным зарядом, с учетом двух эмитгирующих границ и наличием захвата фотоэмитгированных носителей заряда и разработать методы исследования пространственного распределения заряда в диэлектрических слоях облученных ионизирующим излучением МОП структур по токам внутренней фотоэмиссии.

В последнее время проявляется повышенный интерес к исследованию воздействия на немагнитные полупроводниковые кристаллы импульсных электромагнитных полей (ИМП) (например [3,4]). В отличие от ИИ, которое действует, главным образом на слой диэлектрика и границу раздела диэлектрик-полупроводник, ИМП действует на полупроводниковый кристалл, изменяя физико-химические свойства его поверхностных слоев. Вместе с тем, в обоих случаях, и в результате воздействия ИМП, и при воздействии ИИ наблюдаются долговременные изменения структуры и свойств полупроводниковых кристаллов и МОП структур, хотя и протекают эти изменения по разным механизмам. Исследование физических процессов, протекающих в многослойных структурах на основе полупроводников, под действием ИМП необходимо для решения задач возможного их использования в технологических процессах для выявления потенциально ненадежных элементов ИС, направленной модификации материалов и приборных структур, а также для решения задач противодействия намеренным дестабилизирующим воздействиям подобных факторов.

Данная работа выполнена в рамках х/д НИР ВГУ №№ НИЧ 116/91; НИЧ 96/93; НИЧ-99; 4113/306-2005.

Цель работы состояла в установлении основных закономерностей воздействия ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхность полупроводников, границу раздела полупроводник-диэлектрик и диэлектрик МОП структур.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования.

1. Экспериментальные исследования воздействия радиации на полупроводники и МОП структуры, релаксационных процессов в облученных МОП структурах и интерпретация полученных результатов.

2. Исследование фотоэмиссионных процессов в облученных МОП структурах. Разработка фотоэмиссионных методов определения пространственного распределения радиационно-индуцированного объемного заряда в диэлектрике МОП структуры.

3. Экспериментальные исследования воздействия импульсных электромагнитных полей на полупроводники и МОП структуры и интерпретация полученных результатов.

4. Разработка комплекса прецизионных методов исследования дефектообразо-вания в МОП структурах для разделения эффектов воздействия ионизирующих излучений на полупроводник, границу раздела полупроводник-диэлектрик и диэлектрик МОП структуры с учетом планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника и геометрии исследуемых структур и создание оборудования для его реализации.

Научная новизна.

1. Построенная модель МОП структуры, учитывающая наличие собственных и примесных дефектов в слое двуокиси кремния и поверхностных состояний на границе окисла с полупроводником, адекватно описывает экспериментальные результаты исследований процессов накопления радиационного заряда в диэлектрике при воздействии ионизирующих излучений и последующей его релаксации.

2. Обнаружен и интерпретирован эффект аномально высокой генерации поверхностных состояний на 1ранице подзатворного окисла с подложкой в МОП структурах с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений, связанный с повышенным содержанием водорода на границе поликремния с окислом.

3. Впервые прямым образом по исследованию спектров БЬТБ наблюдался эффект уменьшения концентрации исходных дефектов в кристаллах кремния и арсенида галлия в результате воздействия малых доз гамма-излучения.

4. На основе проведенного моделирования фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной структуры ро/у-БьБЮгЗ! с радиационным зарядом с учетом двух эмитирующих границ и наличием захвата в диэлектрике фото-эмиттированных носителей заряда решена обратная задача анализа пространственного распределения локализованного заряда в окисле по полевым и спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока.

5. Обнаружены эффекты долговременного изменения структуры и физико-химических свойств поверхности полупроводниковых кристаллов в результате воздействия ИМП: немонотонное изменение сорбционной способности поверхности кристаллов кремния, германия, арсенида галлия, повышение химической активности поверхностных слоев кристаллов фосфида индия, сопровождающиеся изменением топологии поверхности.

6. Обнаружен эффект изменения спектра БЬТБ поверхностных электронных состояний в кристаллах арсенида галлия в результате воздействия импульсного магнитного поля.

Практическая значимость.

1. Разработанный метод нестационарной спектроскопии поверхностных со-

• стояний в режиме постоянного подпорогового тока МОП транзистора (МОПТ) позволяет исследовать энергетический спектр ПС в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника непосредственно в тестовом транзи-

сторе МОП ИС. Метод обладает повышенной чувствительностью за счет собственного усиления в исследуемом транзисторе при регистрации нестационарной перезарядки ПС.

2. Применение автогенераторного варианта измерения высокочастотной емкости в методе БЬТБ, позволяющее повысить достоверность определения параметров глубоких уровней (ГУ) за счет регистрации семейства характеристик изотермической релаксации емкости в широком температурном интер-" вале, и использование преобразования Лапласа для обработки релаксационных кривых обеспечивают прецизионное определение параметров дефектов и типа их симметрии по расщеплению сигнала БЬТБ при нагрузках на кристалл много меньших его предельной прочности, что принципиально упрощает практическую реализацию метода.

3. Совместный анализ полевых и спектральных характеристик токов внутренней фотоэмиссии позволяет определять профиль радиационного заряда в диэлектрике облученной МОП структуры. Анализ семейства спектральных характеристик фотоэмиссионного тока МОП структуры, измеренных при различных напряжениях на электроде, позволяет определять распределение заряда захваченных в окисле электронов.

4. Совместное использование методов токов накачки заряда и стационарных вольтамперных характеристик (ВАХ) позволяет разделить эффекты воздействия ионизирующих излучений на диэлектрик и границу раздела полупроводник-диэлектрик в транзисторной МОП структуре с учетом эффектов короткого канала и планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника.

5. Обнаруженные эффекты воздействия ионизирующих излучений на полупроводники: формирование термостабильного радиационного заряда в содержащем примесь фосфора диэлектрике МОП структуры воздействием ионизирующего излучения, выявление повышенного содержания водорода на границе затвор-окисел последовательным воздействием ультрафиолетового и рентгеновского излучений, повышение радиационной проводимости слоев двуокиси кремния в результате радиационно-термических воздействий, коррелирующее с повышением радиационной чувствительности МОП структур, могут составить физическую основу технологических методов управления поверхностным потенциалом полупроводника и прогнозирования радиационной стойкости МОП ИС.

6. Обнаруженные эффекты воздействия ИМП на полупроводники: низкотемпературное геттерирование в полупроводниковых кристаллах и модификация физико-химических свойств поверхности кристаллов полупроводников воздействием ИМП являются основой для разработки новых технологических процессов, в том числе, выявления латентных технологических дефектов в МОП ИС, низкотемпературного гетгерирования в кремнии, повышения качества окисных пленок, полученных на кристаллах фосфида индия, предварительно обработанных ИМП.

Положения, выносимые на защиту:

1. Воздействие ионизирующего излучения на структуру /jo(y-Si-Si02(P)-Si приводит к образованию термостабильного радиационного заряда, обусловленного зарядом ионизированных атомов фосфора, изоморфно замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах. Радиационно-термические эффекты в структуре /7o/y-Si-Si02(P)-Si могут быть адекватно описаны на основе модели с двумя ловушечными уровнями, учитывающими собственные и примесные дефекты в Si02, и поверхностными состояниями на границе окисла с полупроводником.

2. Последовательное воздействие ультрафиолетового и рентгеновского излучений на структуры /»o/y-Si-Si02(P)-Si с повышенным содержанием водорода на границе окисла с поликремнием приводит к аномально высокой генерации поверхностных состояний на границе подзатворного окисла с подложкой.

3. Воздействие гамма-излучения Со в диапазоне до 104Р для кристаллов кремния и до 5-106 Р для кристаллов арсенида галлия приводит к уменьшению концентрации исходных дефектов с глубокими уровнями, регистрируемыми по спектрам DLTS.

4. Воздействие ИМП на полупроводниковые кристаллы приводит к долговременным немонотонным изменениям их структуры и физико-химических свойств поверхностных слоев: необратимому изменению спектра ГУ, соответствующих поверхностным электронным состояниям в кристаллах GaAs; изменению сорбционной способности поверхности кристаллов Si, Ge и GaAs; повышению химической активности поверхностных слоев кристаллов InP, которая проявляется в увеличении скорости низкотемпературного химического окисления; изменению топологии поверхности исследуемых материалов; проявлению эффекта низкотемпературного гетгерирования в кристаллах Si, AmBv, твердых растворах Sb-As и Sb-As-Ge.

5. Автогенераторный вариант метода измерения высокочастотной емкости в методе DLTS с использованием преобразования Лапласа, обеспечивает измерение релаксации емкости с относительным разрешением ДС/С до 10"5, и позволяет не менее чем на порядок по сравнению с предельной прочностью кристалла снизить величину давления на кристалл, необходимого для определения типа симметрии дефекта по расщеплению сигнала DLTS.

6. Профиль радиационного заряда, захваченного на ловушечные уровни в окисле облученной МОП структуры, может быть определен по полевым и спектральным характеристикам токов внутренней фотоэмиссии. Распределение заряда захваченных в окисле электронов может быть получено из анализа семейства спектральных характеристик фотоэмиссионного тока, измеренных при различных напряжениях на электроде.

Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы.

Всесоюзный научно-технический семинар «Радиационная технология в производстве интегральных схем» (Воронеж, 1988); III Всесоюзная конференция «Моделирование отказов и имитация на ЭВМ статистических испытаний ИМС и их элементов» (Суздаль, 1989); XIV семинар «Радиационная физика полупроводников» (Новосибирск, 1989); V Всесоюзное совещание «Математическое моделирование приборов микроэлектроники» (Новосибирск, 1989); Проблемный семинар «Примеси, дефекты и деградационные явления в полупроводниковых материалах и приборах» (Ленинград, 1989, 1991); Международное совещание «Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра» (Ташкент, 1989; Ленинград, 1990; Алма-Ата,1992; Белгород, 2004); IV и V Международные научно-технические конференции «Электроника и информатика» (Москва, 2002, 2005); Международная научно-техническая конференция "Тонкие пленки и слоистые структуры" (Москва, 2002); IX, X, XI и XII Международные научно-технические конференции «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2003, 2004, 2005, 2006); V международная конференция «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 2003); Международная научно-практическая конференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва 2003, 2006); Международная научно-техническая школа-конференция «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2003); V и VII Международные научно-технические конференции «Кибернетика и технологии XXI века» (Воронеж, 2004, 2006); Международные научные конференции "Тонкие пленки и наноструктуры" (Москва, 2004, 2005); III Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006» (Воронеж, 2006).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 79 печатных работ, в том числе 36 статей, 22 доклада и 19 тезисов докладов на научных и научно-технических конференциях, совещаниях, семинарах, 1 патент РФ.

В совместных работах автору принадлежит разработка методик проведения исследований, постановка и проведение экспериментов, анализ и обобщение полученных результатов, написание статей. Ряд исследований проведен с участием аспирантов, защитивших кандидатские диссертации, у которых автор являлся соруководителем (Макаренко В.А., Каданцев A.B.).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 323 страницы машинописного текста, включая 129 рисунков. Список литературы содержит 342 наименования.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, определены научная новизна и практическая значимость полученных результатов, указаны положения, выносимые на защиту, приведены данные о структуре диссертации, основных публикациях и апробации работы.

Первая глава посвящена развитию метода нестационарной спектроскопии ГУ в полупроводниках и электрофизических методов исследования спектра поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик.

В первом разделе главы проанализированы возможности и ограничения известных электрофизических методов исследования параметров ГУ в полупроводниках и ПС на границе раздела полупроводник-диэлектрик, использовавшихся и получивших развитие в настоящей работе.

Далее представлены новые электрофизические методы, позволяющие добиться повышения точности определения исследуемых параметров по сравнению с известными. Исследование влияния одноосного сжатия полупроводникового кристалла на сигнал ОЬТ8 используется для определения типа симметрии дефекта [5]. При этом для получения достаточного разрешения спектров по энергии требуется приложение к образцу значительных усилий, что может привести к его разрушению. Для повышения разрешающей способности классического метода БЬТ5 предложено использовать интегральное преобразование Лапласа. На примере дефектного комплекса кислород-вакансия (А-центра) в кремнии проведено численное моделирование влияния упругих напряжений на сигнал БЬТБ. При отсутствии внешней нагрузки наблюдается пик в спектре БЬТБ, соответствующий моноэнергетическому уровню Е1 (рис.1, кривая 1). Упругое сжатие приводит к деформации пика, что является результатом на- Рис 2 Расчетные Ьар1асе-ОЬТЗ-спектры А-ложения четырех близко располо- центра в кремнии от давления одноосного сжа-женных пиков. При больших на- тия вдоль оси [110] Рцо = 0,05 ГПа (1 - уро-грузках пик расщепляется. Для по- вень Е3 = 0,171 эВ; 2 - полоса уровней Е2, Е5,

70 80 80 100 110 120 тмтвтувш т. к

Рис.1. Расчетные зависимости сигнала ШЛ^ А-центра в кремнии от давления одноосного сжатия Рюо вдоль оси [110]. Рцо = 0; 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5; 0,6, 0,7 ГПа для кривых 1-8, соответственно.

лучения достаточного разрешения по энергии необходимо приложение

Еб с энергией 0,17 эВ; 3 - уровень Е1 = 0,169 эВ; 4 - уровень Е4 = 0,168 эВ).

к образцу нагрузки не менее 0,6-0,7 ГПа, что близко к значению предела прочности для кремния (0,7 ГПа). Обработка релаксационных кривых с помощью преобразования Лапласа позволяет разделить эмиссию носителей заряда с близко расположенных уровней при значительно меньшей нагрузке (рис.2). Для А-центра при использовании метода регуляризации Тихонова было получено разрешение по энергии ~ 0,001 эВ, при отношении шум-сигнал не более 3 %.

Для исследования ГУ, образованных поверхностными состояниями на границе раздела кремний-двуокись кремния разработан метод нестационарной спектроскопии ПС в режиме постоянного подпорогового тока МОПТ. Метод отличается повышенной точностью, за счет использования собственного усилительного эффекта исследуемого МОПТ при регистрации нестационарной перезарядки ПС. Релаксация заряда неравновесно заполненных ПС сопровождается изменением поверхностного потенциала полупроводника у s, наиболее чувствительным параметром к которому является подпороговый ток, экспоненциально зависящий от ys- Предложен метод определения спектра ПС по временной зависимости напряжения на затворе V0(tj в процессе релаксации заряда неравновесно заполненных ПС при поддержании постоянного подпорогового тока введением обратной связи. Метод позволяет исследовать спектр ПС в половине запрещенной зоны основных носителей при переключении МОПТ из обогащения в начало слабой инверсии (вблизи «середины зоны» \|»з«фв при Vq-Vmg, где срв - объемный потенциал полупроводника), и в половине запрещенной зоны неосновных носителей - при переключении МОПТ из сильной инверсии в «середину зоны». Кинетика изменения заряда ПС Qss(t) при переключении МОПТ (для определенности р-канал) из обогащения в инверсию описывается уравнением:

E(t)

Qss(0=q J Nss(E)exp[-(etl+cp)t]dE, (1)

Fp

где e„ и Cp - коэффициенты эмиссии электронов с ПС и захвата на них дырок, соответственно, FP - квазиуровень неосновных носителей, E(t) - уровень ПС, с которого происходит эмиссия в момент t. Спектр ПС определяется по измеряемой зависимости VG(t) следующим образом:

NSS(t) = Cox(qkT)-' exp(t/tD)[(VG0 - VG(t))/tD -dVG(t)/dt]-t, (2) где tD =c~'- момент достижения E(t) демаркационного уровня Ed, отвечающего условию еп= ср. Значение tD находится из наклона релаксационной кривой V0(t), построенной в координатах ln[C0I(VGo3 - VG(t))/q] - t. Временная шкала спектра ПС переводится в энергетическую по известному соотношению: E(t) = E, — kT-ln(vthCTnnlt), где Vth - тепловая скорость электрона, п, -собственная концентрация, стп - сечение захвата электрона. Предложена процедура определения с„ по Vo(t), измеренным при двух температурах.

Нижняя часть запрещенной зоны исследуется при переключении МОПТ из сильной инверсии в слабую. В этом случае перезарядка ПС происходит только

за счет эмиссии дырок с ПС в валентную зону, а уравнение для спектра ПС сводится к виду:

N88(0 = -сох (якТ)-'[с1Уо(0/<кИ.- (3)

Известен метод определения плотности ПС по токам накачки заряда (ТНЗ), обусловленным перезарядкой ПС и возникающим в цепи подложки МОПТ с обратно смещенными переходами истока и стока при подаче на затвор периодического импульсного напряжения [6]. В результате численного расчета ТНЗ для различных спектров ПС выявлены погрешности этого метода, связанные с неконтролируемым участием эмиссии в перезарядке ПС при использовавшихся импульсах накачки с варьируемыми линейными фронтами. Предложено использовать многоступенчатые импульсы, позволяющие разделить во времени процессы эмиссии и рекомбинации и прямо задавать времена 1ет,е/р эмиссионной перезарядки ПС в верхней и нижней половинах запрещенной зоны полупроводника. Спектр ПС определяется производной ТНЗ 1ср по варьируемым параметрам 1ете/р:

Nss(Ee

р) = ~

ега,е/р

д\

CP

(4)

-'ет,е/р/ , . ' а. >

ЯкАаТГ йетс/р

где £ - частота импульсов, Ао - площадь электрода затвора, а энергия связана

(5)

со временем эмиссионной разрядки известным соотношением:

E(t) = Ei Т kT • MVfcCTn/pn.te^e/p). Сечения захвата стп/р определяются по температурным зависимостям ТНЗ.

При исследовании воздействия гамма-излучения на спектр ГУ в кремнии и арсениде галлия методом DLJS обнаружен эффект уменьшения концентрации электрически активных дефектов. Эф- °-0161 - г а

фект проявляется в изменении концентрации глубоких центров, соответствующих дивакансии в кремнии и уровням EL2 и EL6 в арсениде галлия (рис.3), и объясняется взаимодействием радиа-ционно-индуцированных точечных дефектов с исходными дефектами в полупроводниковом кристалле.

Для исследования радиационных эффектов в полупроводниках и МОП структурах разработан автоматизированный измерительный комплекс, который позволяет реализовать следующие виды измерений: -DLTS методики, методы стационарных, нестационарных и квазистатических вольт-фарадных характеристик, Рис.з. Сигнал DLTS кристаллов Si (а) и методы стационарных и динамических GaAs О5): 1 - исходный; 2, 3 - после воз-

вольтамперных характеристик, метод то- ^Г гамма-имучения лозой 10 Р и r r г ' 5*10 Р, соответственно.

ков накачки заряда в МОПТ. Комплекс имеет следующие характеристики: относительное разрешение при измерении емкости ДС/С0 до 10"5 в интервале измеряемых емкостей 1+500 пФ; измеряемый ток 10"12-И0"3 А; температурный диапазон измерений 77*370 К с точностью стабилизации ±0,1 К; программное задание импульсов напряжения различной формы; частота следования импульсов 10 ^105 с, длительность - 10"3-е-10 с; длительность фронта нарастания импульсов не более 10"7 с; диапазон прикладываемых к образцу напряжений от -20 В до +20 В с дискретностью 0,02 В.

Во второй главе представлены экспериментальные результаты исследований воздействия ИИ на МОП структуры с диэлектриком, содержащим примеси, и результаты моделирования радиационных эффектов в МОП структурах с глубокими ловушечными уровнями в диэлектрике.

В первом разделе главы представлен аналитический обзор известных моделей образования радиационного заряда в облученных МОП структурах и связанных с ним структурных превращений в пленке двуокиси кремния и на границе раздела кремний-двуокись кремния.

Далее приведены оригинальные результаты исследований воздействия ИИ на МОП структуры с окислом, содержащим примесь фосфора. Обнаружен эффект формирования в окисле радиационного заряда, имеющего две составляющие с существенно разной термополевой стабильностью. Нестабильная («отжигаемая») составляющая представляет собой заряд дырок, захваченных на напряженных Б^-О и (или) Б^-связях, который отжигается при температуре до 600 К. Величина термостабильной составляющей заряда не зависит от вида излучения и при заданном уровне концентрации примеси в окисле определяется дозой облучения. Этот заряд не отжигается в диапазоне неразру-шающих структуру температур (<750 К) и представляет собой заряд ионизированных атомов фосфора, замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах без их разрушения (рис.4). Заряженные примесно-кислородные тетраэдры (Р04)+ встроены в сетку БЮ2 и неподвижны, что обеспечивает высокую термополевую стабильность этого заряда. Обнаруженный эффект фЬрмирования термостабильного заряда позволяет решить задачу управления поверхностным потенциалом полупроводника за счет контролируемой РиС.4. термосгабильный ионизации введенной в диэлектрик примеси. "фосфорный" центр.

Предложена модель структуры ро /у-Б1—3!О 2(Р)—Б1 с двумя ловушечными уровнями, учитывающими собственные и примесные дефекты в окисле, и проведен анализ кинетики накопления и релаксации радиационного заряда в диэлектрике. Модель включает собственные дефекты ЗЮ2 (Е'-центры), расположенные вблизи границ раздела в областях с большим количеством напряженных и разорванных связей. Отжиг заряда на таких дефектах происходит при температурах до 600 К. Примесные центры сформированы атомами фосфора,

изоморфно замещающими атомы кремния в кислородных тетраэдрах. Эти центры локализованы в глубине окисного слоя, где упругие напряжения ниже, чем на границах раздела. Этот центр является достаточно глубоким для обеспечения термостабильности захваченного на нем заряда. Кроме того, в модели учтены радиационно-индуцированные ПС на границе раздела Б^БЮг, обусловленные Рь-центрами. Под действием ИИ в окисле МОП структуры происходит генерация электронно-дырочных пар, разделение их электрическим полем, уход высокоподвижных электронов из слоя БЮг и захват дырок, медленно двигающихся как полярой, на ловушечные уровни. Облучение МОП структуры УФ излучением с энергией, меньше ширины запрещенной зоны БЮг, вызывает протекание надбарьерного фотоэмиссионного тока. Инжекция фотоэлектронов приводит к нейтрализации положительно заряженных центров в объеме окисла. Релаксация радиационного заряда обусловлена туннелирова-нием электронов из подложки и затвора и термоэмиссией захваченных дырок в валентную зону диэлектрика при повышенной температуре.

Процессы накопления и последующей релаксации радиационного заряда в структуреро/у-вь-БЮгСР)-® описываются системой уравнений:

а п

52п

дк'

д(п-Е)

' р&с2

! + 0(Е)-ЯР(Е);

+ 0(Е)-11П(Е);

дк 5(р-Е) 91 ~рах2 Цр бх р(0,1) = р(ё, 0 = п(0,1) = П((1,0 = 0; р(х,0) = п(х,0) = 0;

+р-п), Е(х,0) = Е0 = —V/<1;

ОХ ££()

—-кр1-кп1, —--Кр2-Кп2,

Ип, =пР„ап(цп|Е| + ул); Яп2 = пР,2ап(цп|Е|+ул);

v ^п

р, (X, о = Р(0,0 • ехр(-а - ехр(-рх) • I); Р,(Е(,1) = Р,(0,0 • ехр(-АТ2 • ехр(-Е, /кТ) • I); Оиу = Ат(Ь-АФ)Р ехр(-х0/1);

с5п

•^к =-ЯпЦ„Е-якТцп—.

дк

(6)

(7)

(8)

(9)

(10) (П) (12)

(13)

(14)

(15)

(16)

Здесь Бпр, цпр, п, р - коэффициенты диффузии, подвижности и концентрации электронов и дырок; а„ р - сечения захвата для электронов и дырок; в - темп генерации излучением электронно-дырочных пар; Я,,^, Яр^ - скорости захвата электронов и дырок на ловушечные уровни; N,¡.2 и Р,^ - концентрации лову-шечных уровней (центров дырочного захвата) и дырочного заряда, захваченного на ловушках; аир- частотный и барьерный факторы, соответственно;

А - феноменологический параметр, зависящий от природы дырочного центра; Е, - энергия дырочного центра; Ац„ - феноменологический параметр, определяемый интенсивностью падающего излучения; параметр / характеризует рассеяние электронов во встречном поле потенциального барьера (ПБ).

Уравнения непрерывности (6,7) с выбранными граничными и начальными условиями (8) представляют собой краевую задачу, которая решается методом «прогонки». Разрядка положительного заряда за счет процессов туннелирова-ния описывается уравнением (13), за счет термоэмиссии - (14). Уравнения (1516) описывают надбарьерную фотоэлектронную эмиссию и радиационный то-коперенос через диэлектрик.

На начальном этапе облучения захват дырок происходит практически равномерно по толщине окисла. С ростом поглощенной дозы в объеме диэлектрика формируется потенциальная яма для свободных электронов. Это препятствует уходу электронов из окисла и приводит к аннигиляции части ранее накопленного положительного заряда в глубине диэлектрика. Дырочный захват продолжается лишь в приэлекгродных областях. Накопление дырочного заряда приводит к повышению напряженности электрического поля в областях его локализации, что ведет к уменьшению сечения захвата дырок, ограничению дальнейшего процесса накопления радиационного заряда и выходу дозо-вой зависимости на насыщение. При ненулевом потенциале на затворе структуры все распределения электрических параметров становятся асимметричными. Радиационный заряд накапливается преимущественно вблизи одной из границ окисла. Сдвиг порогового напряжения существенно увеличивается при обеих полярностях напряжения на затворе. Модель позволила количественно описать наблюдаемые в системе /?о/у-81-8102(Р)-51 закономерности изменения радиационного заряда: увеличение накопленного термостабильного радиационного заряда при повторении цикла "облучение-отжиг" и в результате облучении при повышенной температуре, а также обратимость процессов накопления и последующей аннигиляции положительного заряда в окисле при последовательном воздействии радиации и ближнего УФ излучения.

Установлено, что радиационная проводимость слоев двуокиси кремния (измеряемая при воздействии ионизирующего излучения низкой интенсивности) в МОП структуре чувствительна к их структурному состоянию, которое не проявляется в «темновых» электрофизических характеристиках, но определяет их радиационную чувствительность (рис.5). Обнаружен эффект повышения радиационной проводимости слоев двуокиси кремния в результате радиа-ционно-термических воздействий, коррелирующий с повышением радиационной чувствительности МОП структур при повторном облучении. Эффект объясняется повышением структурной упорядоченности объема окисла с вытеснением напряженных связей («преддефектов») к границам раздела.

Впервые обнаружен эффект аномально высокой генерации ПС на границе подзатворного окисла с подложкой в МОП структурах с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии УФ и рентгеновского излучений (рис.6). Эффект обусловлен наличием водорода, локализованного вблизи гра-

ницы окисла с поликремнием, который проникает к границе раздела с подложкой в результате предварительного ультрафиолетового облучения и приводит к резкому повышению генерации ПС при последующем воздействии ИИ. Наличие водорода вблизи границы раздела ро/у-ЗьБЮг является латентным (скрытым) технологическим дефектом, снижающим радиационную стойкость и надежностные характеристики МОП ИС. Для выявления этого дефекта может быть использовано радиационное тестирование МОП интегральных схем с последовательным воздействием УФ и рентгеновского излучений.

Третья глава посвящена исследованию влияния ионизирующих излучений на планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника, а также анализу возникающих при воздействии радиации краевых эффектов, обусловленных двумерностью исследуемых структур.

Для исследования влияния радиационных воздействий на характер пленарной неоднородности поверхностного потенциала полупроводника в системе БьБЮг без формирования МОП структуры разработан бесконтактный метод, в котором потенциал поверхности Ус определяется методом Кельвина [7] по контактной разности потенциала с зондом, сканирующим поверхность полупроводниковой пластины, а изгиб зон в полупроводнике - по разности значений Ус, измеренных в темноте и с освещением в инфракрасной или видимой

областях обеспечиваю-

щем полное распрямление зон на поверхности полупроводника: = Ус Поверхностный потенциал полупроводника варьируется изменением заряда на внешней поверхности окисла, величина которого задается временем выдержки структуры в коронном разряде.

Эффективный заряд в диэлектрике и плотность ПС могут быть определены из соотношений:

Рис.5. Подпороговые сток-затворные ВАХ (а) и ВАХ радиационно-индуцированного тока через подзатворный окисел (6) п-канальных МОПТ: 1-исходная; 2-после облучения рештеном 105 Р; 3-после отжига 650 К, 1 час; 4-после повторного облучения рентгеном 105 Р.

канальных (Ь) МОПТ: 1 - исходные; 2 - после воздействия УФ излучения; 3 - после последовательного воздействия УФ и рентгеновского излучений (5*104 Р); 4 - после рентгеновского облучения (5*104 Р) без предварительного УФ воздействия; 5 - после финишного отжига (450° С, 15 мин). ^ = 46 нм, Ь = 2,4 мкм.

Оы

16 ду

дУс

-1 --

(17)

(18)

где УСтги <35С11Ш - потенциал поверхности полупроводника и заряд области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника при у 8 = <рь; фт8 - разность работ выхода между зондом и подложкой.

Сканирование зондом по поверхности полупроводниковой пластины дает возможность получить планарное распределение потенциала и оценить характер его флуктуаций, а также флуктуаций поверхностного заряда. В предположении о распределения заряда по нормальному закону могут быть рассчитаны параметры распределения Гаусса встроенного в диэлектрик заряда: среднее значение <30Х = \У2<Тд !<\ и среднеквадратическое отклонение:

СТ0 =<*Ч((СОХ +С8С +С8з)>

(19)

где \У = (2е8*)/5/яКв) - средняя толщина ОПЗ полупроводника.

Для исследования изменения планарной неоднородности распределения радиационного заряда в диэлектрике тестовых МОГГГ при воздействии ИИ разработана методика, основанная на анализе совместно измеренных подпоро-говых ВАХ МОПТ и токов накачки заряда. В результате двумерного численного расчета сток-затворных и сток-стоковых ВАХ МОПТ с учетом индуцированных радиацией заряда в подзатворном окисле С>0, и ПС установлено, что наличие ПС приводит к появлению зависимости порогового напряжения Ут от напряжения на стоке Уц для МОПТ с длинным каналом и усилению этой зависимости для короткоканальных МОПТ. Характер этой зависимости определяется распределением ПС вблизи стока, что подтверждается прямыми экспери-

скопе (РЭМ). Эффект усиливается с уменьшением длины канала и повышением плотности ПС вблизи стока и объясняется экранированием части заряда ПС, расположенных в пристоковой области, не потенциалом затвора, а потенциалом стока.

Выявленные эффекты зависимости Ут от Уо и отсутствия насыщения 10 от У0 ограничивают область применимости известного

-3 -2 -1 1

"К \

ю4"

\ \|

\

-|0,А\

Рис.7. Подпороговые ВАХ МОПТ

(Ь=2 мкм) при |У0| =0,2; 1;2 В для

метода [8] определения С?0, и ^ по подпоро- кривых 1;2;3, соответственно. <3и=0.

говым ВАХ, широко используемого для N55 = 0 и N55 = 4*1012 см'2эВ"' для

МОПТ с длинным каналом. Установлена воз- ДВУ* семейств ВАХ. Различное по-

можность возникновения неконтролируемых веДение ВАХ иллюстрирует эффект

ошибок в определении С>0( (вплоть до ошибки влияния ПС на зависимость ϰаð-. _ „_ вого напряжения от напряжения

в знаке заряда) без учета зависимости Ут от стока> „рИВОДЯЩИЙ к ошибке в оп.

У0, определяемой искомыми параметрами С>ое ределении р« по методу [8].

и N33 (рис.7). Ошибки возрастают с уменьшением длины канала и повышением N35.

Предложена методика определения зарядовых характеристик границы раздела полупроводник-диэлектрик в МОПТ, учитывающая эффекты короткого канала и планарной неоднородности, из совместно измеренных подпороговых ВАХ МОПТ и токов накачки заряда.

Подпороговая ВАХ /»-канального транзистора с длинным каналом описывается выражением:

Ь = Ь ехР

-Р

Уо-Ур

«\

1-ехр рУ0

(20)

где 10=(2/Ь)ц„—р 2(л, /М0)^2С0(У3); Ъ и Ь - ширина и длина канала; р ш

N0 концентрация легирующей примеси в подложке; Ус- напряжение на затворе, соответствующее середине области слабой инверсии ( У3 =1,51пА.); У5=Ру8 - безразмерный поверхностный электростатический потенциал; Х. = п,/Ы0; р = я/кТ;

уГ+Зау/" _.2_ ^т

Со(У5) =

1

V-За,

2кТ(-У8 -1)

ехр

2 СТУ2

с!У<-

(21)

емкость обедненного слоя при значении поверхностного потенциала У8 = У8;

п - ^ох + ^С + Сю . т _ Сох +

Г ' с

ох '■'ох

емкость поверхностных состояний;

С;с __1_ г

л/2Ь0 л/2тсОу 1.5,„^з^

Сох емкость окисла; См = яЫ,

ехр(У5)-1-^2(ехр(-У8)-1)

(ехр(У8)-У8 -1 + Я.2(ехр(-У8) + У8-1))1/2

хехр

' (У5 —1,51п X)2 ^ 2сту2

(22)

¿У.

полная емкость ОПЗ полупроводника при У8 = У8; =■фгskт/q2ЫD - длина экранирования в полупроводнике; ау " стандартное отклонение безразмерного поверхностного потенциала.

Методика состоит в следующем. Для транзисторов с длинным каналом, когда имеется насыщение выходной характеристики, плотность ПС определяется методом ТНЗ. По наклону сток-затворной подпороговой ВАХ, построенной в . координатах 1п1с/10 -рУс, находится параметр п (tgaG =-1/п), далее определяется С*с =(п-1)Сох . По экспериментальному значе- нию С^с, используя (22), определяется параметр сту, а далее заряд окисла 00, и его среднеквадратичное отклонение ад из выражений:

Ос =-С4 -Сох(ут -фт8 -2Р"11пХ)+2ЧКюр-1Ш;

(23)

ст0=Г1сту(Сох+С;+См), (24)

где полный пространственный заряд полупроводника в середине области слабой инверсии рассчитывается по формуле:

/5_хг г 1.51пХ+Зау у

<11= %-° ° | ((ехр(¥3) - У5 -1) + Я2(ехр(-У5) + У5 - ф х 1.51пХ-Зоу

(25)

жехр(-(У5 —1,51пХ)2 /(2сту2))1У5.

Для транзисторов с относительно малой длиной канала при независимости крутизны ВАХ на участке подпорогового тока может быть использована изложенная выше последовательность определения N55 и а заряд в окисле определяется из выражения (23) при подстановке в него порогового напряжения Уто, найденного из экспериментальной зависимости УТ(У0).

Исследовалось воздействие тормозного рентгеновского излучения ~20 кэВ, электронов с энергией ~20 кэВ и альфа-частиц (Ро210) с энергией ~5 МэВ на «(/?)-канальные тестовые МОПТ и комплементарные элементы (КМОП) серийных ИС. Установлено, что в результате облучения возникает зависимость порогового напряжения от напряжения на стоке, отсутствующая на исходных МОПТ. Возникающая зависимость усиливается с накоплением дозы и линейна при равномерном облучении МОПТ с Уо= 0. Линейность нарушается при облучении транзистора со смещением на стоке или локальном облучении при-стоковой области (низкоэнергетичными электронами в РЭМ), что согласуется с результатами двумерного моделирования МОПТ с неравномерным распределением ПС по длине канала.

Установлено, что ИИ наряду с образованием радиационного заряда приводит и к росту неоднородности его распределения (параметр 0<з). Генерация заряда сопровождается генерацией ПС (рис.8). Расчет плотности ПС без учета пленарной неоднородности поверхностных параметров дает завышенные значения.

Рис.8. Дозовые зависимости изменения заряда в окисле (1), плотности ПС (3) и флуктуаци-онного параметра о<} (4) для л-канального (а) и /»-канального (Ь) транзисторов. Кривая 2 -дозовая зависимость плотности ПС, рассчитанная из наклона сток-затворной подпороговой ВАХ без учета планарной неоднородности МОПТ. Ь = 3 мкм, X = 100 мкм, с1ол = 46 нм, N8 = 1013 см' . Энергия рентгеновских квантов Е* = 25 кэВ.

Рис.9. Параметрические зависимости эффективного заряда в окисле и плотности ПС для п-канальных МОПТ. Параметр - промежуток времени с момента окончания облучения (а) и экспозиционная доза (Ь).

Методами нестационарной спектроскопии и ТНЗ определен спектр ПС, имеющий широкий пик с максимумом вблизи Ev + 0,75 эВ, характерный для Рь-центров (Si3sSi"). Установлено коррелированное изменение интегральной плотности ПС и эффективного заряда в окисле как при рентгеновском облучении МОПТ, так и при последующей релаксации облученных приборов (рис.9). Эффект наблюдался только в «сухих» окислах с малым содержанием водорода и высокой плотностью напряженных связей на границе раздела с полупроводником. На основе экспериментальных результатов предложен механизм совместной генерации и аннигиляции обнаруженных Рь-центров с известными Е'-центрами (03=Si+) или кислородными дырочными центрами (03 sSi-O4), ответственными за Qot. Коррелированное изменение NSs и Qot нарушается при повышении содержания водорода в окисном слое. В МОПТ с «влажным» окислом после облучения наблюдались независимо протекающие долговременные процессы туннельной разрядки Qot и генерации ПС с участием водорода.

С помощью локального воздействия пучком низкоэнергетичных (~10-30 кэВ) электронов в РЭМ выявлены участки МОПТ с повышенной радиационной чувствительностью, определяющие устойчивость схемы в целом. Установлено, что радиационная деградация МОП ИС, изготовленных по технологии LOCOS, обусловлена повышением тока потребления за счет токов утечек по периферии канала МОПТ.

Обнаружены новые радиационные эффекты в короткоканапьных МОПТ и ИС, обусловленные накоплением ПС в пристоковых областях МОПТ: снижение напряжения смыкания ОПЗ истока и стока, появление токов утечек в глубине подзатворной области МОПТ и повышение тока потребления ИС, возникновение паразитного тиристорного эффекта в КМОП.

При малой плотности радиационно-индуцированных ПС и больших величинах положительного заряда в диэлектрике возможно образование на поверхности полупроводника р-типа инверсионного слоя. В результате наблюдается эффект бокового растекания тока по инвертированной поверхности полупроводника, который проявляется в увеличении неконтролируемых токов утечек в МОП элементах ИС и увеличении ВЧ емкости МОП структуры в области инверсии. Выявлены ограничения известного метода определения сопротив-

ления внеэлектродного инверсионного слоя МОП структуры [9]. Показано, что форма кривой ВЧ дифференциальной проводимости МОП структуры с внеэлектродным каналом в области инверсии определяется соотношением величин сопротивления инверсионного слоя и площади электрода. Предложен метод определения сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по максимальному значению ВЧ дифференциальной проводимости в области инверсии расширяющий диапазон определения параметров по сравнению с известным методом расчета по реактивной составляющей.

Четвертая глава посвящена исследованию фотоэмиссионных процессов в МОП структурах с радиационным зарядом в диэлектрике и разработке методик определения пространственного распределения локализованного в диэлектрике заряда.

Первый раздел главы представляет собой аналитический обзор методов исследования пространственного распределения объемного заряда в диэлектрических слоях МОП структур по токам внутренней фотоэмиссии.

Далее проведено численное моделирование фотоэмиссионных процессов в диэлектрике кремниевой МОП структуры с радиационным зарядом с учетом одновременной эмиссии через обе границы и наличием захвата фотоэмиттиро-ванных носителей заряда и предложена методика анализа пространственного распределения локализованного в диэлектрике МОП структуры радиационного заряда. Показано, что фотоэмиссионная ВАХ (ФЭВАХ) структуры ро1у-$1-8102-81 с глубокими ловушками и локализованным в диэлектрике радиационным зарядом (ЛЗ) имеет три характерных участка (рис.10). Участкам плавного изменения тока соответствует положение энергетического минимума потенциала вблизи одной из границ диэлектрика. Ток при этом определяется, в основном, фотоэмиссией из противоположного электрода. Скачок тока ФЭВАХ обусловлен изменением направления поля в электронейтральной части диэлектрика и соответствующим перемещением энергетического минимума потенциала от одной эмитирующей границы к другой. (При моделировании предполагалось, что радиационно-индуцированный положительный заряд имеет распределение Гаусса, расположен вблизи границ диэлектрика, и максимум распределения (Рщих) отстоит на величину За от границы). Вид

МО"11^ 0,3 у* 2,5 2 1,5 . 1 ад М0-1,1А

0,6 У,В ■0,3 ■0,6

-2 V,-1 -и;«— ' 0> 2

Рис.10. Расчетные ФЭВАХ структуры ро^-Б^-ЗЮг-81. Ф1=Ф2=4 эВ; а„(Е)=1,6 Ю^О.О+Ю"4 Е1-31)"1; распределения ЛЗ - распределения Гаусса с параметрами: 0=1,7 нм, а1=3<т, аг=с1ох - За; симметричное распределение положительного зарядаРПп1Х=2,4*1018 см"3 (<3„, =1012 см"2), Ртм*=3,6*1018 (<Эо1=1,5*1012см-2), Рши*=4,8*1018 см"3 ((За1=2*1012 см'2) (для кривых 1-3, соответственно); несимметричное распределение заряда: Рии»1=2,4*10'8 см"3 (С?о,=10Ь см"2), Р.ш«2=4,8*1018 см"3 (<3«= 2*1012 см"2) (кривая 4). Кривая 5 соответствует кривой 1 при отсутствии захвата носителей заряда.

ФЭВАХ отражает пространственное распределение объемного заряда в окисле.

Разработана методика определения профиля радиационного заряда в диэлектрике МОП структуры по токам внутренней фотоэмиссии, которая включает: определение величины эффективного заряда у каждой из границ диэлектрика из наклона ФЭВАХ на участке плавного изменения тока; определение высоты ПБ у соответствующей границы из экспериментальной спектральной характеристики; определение параметров искомого распределения из сопоставления полученных значений с расчетными. Приведены экспериментальные результаты применения методики для исследования пространственного распределения индуцированного рентгеновским излучением заряда в структуре

Наличие в диэлектрике МОП структуры ловушек для электронов может привести к накоплению в нем отрицательного заряда. Анализ фотоэмиссионных процессов в этом случае позволяет определить профиль распределения этого заряда. Аналитически показано, что при произвольном распределении ЛЗ положение экстремума ПБ определяется полевой зависимостью его высоты ДФ: х о = -д(ЛФ)/дЕ, где Е = -Ус / <1ох. Распределение плотности заряда может быть найдено на участке изменения хо: р(х0) = а[(5х0/5ЕГ1+Ьх03]

Здесь а, Ь - константы С из- РисП' Изменение вершины потенциального барьера на

границе эмитгирующего электрода с диэлектриком МОП вестными значениями. Из „ру^уры от приложенного напряжения: а - положи-численного эксперимента, тельный заряд в диэлектрике р(х)=Ю"ехр[-х/(0,05с1)]; Ь -проведенного для различ- отрицательный р(х)=-1019ехр[-х/(0,05<1)]; (У=4+п0,5 В;

0.4 0.9 1.2 1.в а

X, нм

■0.3

•0 35

■0,4

■0,4!

-0.5 «>сх),в

ных распределений р(х), установлено, что метод практически применим для отрицательного заряда в диэлектрике, когда полевая зависимость х0 меняется в достаточно широких пределах (~1-10 нм) (рис.11). Метод заключается в определении высот ПБ из семейства спектральных зависимостей ФЭТ: 1~ (Ьу-

отрицательныи п=0,1,2,...); ДФ,е\1

х, нм

Рис.12. Экспериментальные полевые зависимости изменения высоты потенциального барьера на границе раздела вЮг^ в МОП структурах Аи-БЮг-З!, (а) до (кривая 1) и после интенсивной (кривая 2) УФ обработки; Ь - рас-ДФ)Р {параметр р определя- пределение отрицательного заряда вблизи границы раз-

ется матепиалом эмитгепа'» дела 8'°2"8' в МОП стру1с1уре' сформированной с отжи-материалом эмиттера;, гом в водороде и П0СЛедующим УФ облучением, найден-

измеренных при различных ное по экспериментальным спектральным зависимостям

фотоэмиссионного тока.

напряжениях на затворе

Исключение интерференция УФ излучения в тонкопленочной МОП структуре и поддержание постоянства плотности потока УФ, поглощаемого в эмит-тирующем электроде во веем спектральном интервале обеспечивалось калибровкой источника УФ по сквозному току спутниковой МОП структуры с предварительно созданной импульсом высокого напряжения утечкой через диэлектрик. Метод позволил выявить образование отрицательного заряда в подзатворных окислах вблизи (рапицы с затвором при воздействии на МОП структуры больших потоков УФ излучения (рис.12).

Для проведения фотоэмиссионных исследований разработана автоматизирован-

ная измерительная установка. Диапазон измеряемых токов составляет 10" -НО А

при облучении УФ излучением 20СИ-400 нм, Диапазон напряжений смещения от -50 до +50 В с шагом 0,1 В.

Пятая глава посвящена исследованиям воздействия импульсных магнитных полей на немагнитные полупроводниковые материалы и разработке технологических методов использования воздействия ИМП для выявления латентных дефекта в полупроводниках и полупроводниковых структурах и направленной модификации полупроводниковых материалов.

В первом разделе главы представлен аналитический обзор результатов исследования воздействия ИМП на немагнитные полупроводниковые кристаллы с дефектами.

Далее приведены результаты исследований воздействия ИМП на элементарные полупроводники (51, Ое), полупроводниковые соединения АтВУ (ОаАя, 1пР) и твердые растворы элементов III, IV и V фупп таблицы Менделеева. Обнаружен эффект низкотемпературного геттерировакия в полупроводниковых кристаллах, в основе которого лежит И МП-индуцированный распад примесно-дефектных комплексов в объеме кристалла, диффузия к поверхности кристалла образующихся продуктов распада, обладающих аномально высокой подвижностью, и образование новых дефектных комплексов в приповерхностном слое. Движение дефектов

Рис.13. СТМ-изображенне и профиль поперечного сечения поверхности кристалла Сг-5г а - до воздействия ИМП (параметр шероховатости Лг я 1,34 нм); Ь и с - через 200 и 400 часов после обработки ИМП, соответственно (Нг = 5,81 нм и ¡Ъ: = 0,92 нм); (1 - профиль поперечного сечения (\ - до воздействия ИМП; 2 и 3 - через 200 и 400 часов после обработки ИМП, соответственно).

к поверхности стимулируется упругими напряжениями в кристалле. Разработан способ низкотемпературного геттерирования в кремнии, основанный на последовательной обработке кристалла альфа-частицами и ИМП. Облучение альфа-частицами обеспечивает создание вне рабочих областей кристалла стоков для точечных дефектов, образующихся при ИМП-индуцированном распаде исходных дефектных комплексов. Принципиальное преимущество представленного способа состоит в том, что он реализуется при Т < 520 К и может быть использован на любом этапе формирования прибора, включая финишный.

Обнаружен эффект «выявления» скрытых (латентных) дефектов в кремниевых МОП структурах в результате воздействия ИМП. Локальные неоднородности, не проявляющие электрической активности в исходной структуре, могут быть переведены в электрически активное состояние воздействием ИМП. Эффект объясняется ИМП-индуцированным распадом дефектных комплексов в кристалле кремния и последующим захватом продуктов распада (точечных дефектов, способных к миграции в кристалле, обработанном ИМП) на локальных структурных неоднородностях, в том числе первоначально латентных. Показана возможность использования ИМП в качестве тестирующего воздействия для обнаружения латентных технологических дефектов в кремниевых МОП структурах.

Обнаружены эффекты долговременного немонотонного изменения физико-химических свойств поверхности полупроводниковых кристаллов в результате воздействия ИМП. Эффект долговременного (сотни часов при комнатной температуре) немонотонного изменения топологии поверхности полупроводниковых кристаллов проявляется в снижении планарности поверхности на первом этапе и ее последующем повышении до уровня, превышающего исходный (рис.13). Реконструкция поверхности кристаллов объясняется возникновением потоков подвижных точечных дефектов в результате распада исходных дефектных комплексов под воздействием ИМП. Изменение топологии поверхности полупроводников сопровождается немонотонным изменением ее сорбционной способности.

На примере фосфида индия показана возможность использования обработки полупроводниковых материалов ИМП для увеличения скорости химических реакций, протекающих на их поверхности. Для кристаллов фосфида индия обнаружено изменение скорости их низкотемпературного (Т = 313 К) химического окисления. Изменение скорости процесса окисления сопровождается синхронным изменением диэлектрической прочности оксидных пленок (рис.14). Рентгенофазовым анализом установлено отсутствие влияния предвари-

ла, НМ Е-10б,В/м

Рис.14. Зависимости от времени, после ИМП-обработки подложки: 1 - разности толщин Д<1 оксидных пленок экспериментальных и контрольных образцов; 2 — напряженности электрического поля Е в пленке, при которой через поперечное сечение конденсатора протекает ток 10"6 А. Время окисления 25 мин.

тельной обработки подложек ИМП на фазовый состав оксидных пленок, сформированных на их поверхности. Эффект повышения скорости химического окисления фосфида индия в результате предварительной обработки кристалла ИМП может быть объяснен в рамках механизма, ответственного за возникновение диффузионной неустойчивости в кристаллах полупроводниковых соединений АШВУ[10].

В результате исследования воздействия ИМП на дефектную подсистему монокристаллов арсенида галлия методом DLTS обнаружен эффект необратимого изменения спектра ГУ, соответствующих поверхностным электронным состояниям (ПЭС), в результате обработки кристалла ИМП. Эффект заключается в изменении температурного положения пика ПЭС (рис.15). Положения и амплитуды пиков, обусловленных объемными глубокими уровнями EL6 и EL2, в результате воздействия ИМП не менялись, что свидетельствует о чувствительности к воздействию ИМП только поверхностных электронных состояний. Спектры DLTS пластин арсенида галлия, предварительно обработанных в парах селена, не менялись в результате воздействия ИМП. Обнаруженный эффект может быть объяснен с позиций концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами [11,12].

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Обнаружен эффект формирования термостабильного радиационного заряда в диэлектрике МОП структуры, содержащем примесь фосфора, воздействием ионизирующего излучения. Термостабильный заряд обусловлен зарядом ионизированных атомов фосфора, изоморфно замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах без их разрушения. Предложенная модель МОП структуры с двумя ловушечными уровнями, учитывающими наличие собственных и примесных дефектов в двуокиси кремния, и поверхностными состояниями на границе окисла с полупроводником, адекватно описывает процессы накопления и релаксации радиационного заряда за счет термической и туннельной разрядки, а также процессы токопереноса в диэлектрике МОП структуры с глубокими ловушками и радиационным зарядом в окисле под воздействием низкоинтенсивного рентгеновского излучения.

2. Обнаружен эффект аномально высокой генерации поверхностных состояний на границе подзатворного окисла с подложкой в МОП ИС с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений, не вызывающих структурных изменений. Эф-

т,к

Рис.15. Влияние обработки ИМП на ОЬТБ спектры контактов Шотгки А1-ОаАв: 1 - исходный; 2; 3 - через 1 и 7 суток после ИМП, соответственно. Спектры 4 и 5 измерены на образцах с предварительной обработкой пластин ОаАв в парах селена до и через 3 суток после воздействия ИМП. Режим измерения БЬТБ: Юме/210мс.

фект обусловлен наличием водорода, локализованного вблизи границы раздела окисла с поликремнием, который проникает к границе раздела с подложкой в результате предварительного ультрафиолетового облучения и приводит к резкому повышению генерации ПС при последующем радиационном воздействии. Обнаружен эффект повышения радиационной проводимости слоев двуокиси кремния в результате воздействия ионизирующего излучения и последующего термического отжига, коррелирующий с повышением радиационной чувствительности МОП структур. Эффект объясняется повышением структурной упорядоченности объема окисла с вытеснением напряженных 81-0 связей («преддефектов») к границам раздела.

3. Впервые методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружен эффект уменьшения концентрации электрически активных дефектов в кремнии и арсениде галлия в результате воздействия гамма-излучения. Эффект объясняется взаимодействием генерируемых жестким излучением радиационно-индуцированных точечных дефектов с исходными дефектами в полупроводниковом кристалле.

4. Обнаружены эффекты долговременного немонотонного изменения физико-химических свойств поверхности полупроводниковых кристаллов воздействием ИМП: топологии поверхности исследуемых материалов; сорбционной способности кремния, германия и арсенида галлия; химической активности поверхностных слоев фосфида индия, которая проявляется в увеличении скорости низкотемпературного химического окисления. Эффекты объяснены возникновением потоков подвижных точечных дефектов в результате распада исходных дефектных комплексов под воздействием ИМП.

5. Обнаружен эффект необратимого изменения температурного положения пика БЬТБ, соответствующего поверхностным электронным состояниям, в результате обработки кристалла арсенида галлия импульсным магнитным полем. Положения и амплитуды пиков, обусловленных объемными глубокими уровнями, при этом не менялись. Обнаруженный эффект объяснен с позиций концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами.

6. Обнаружен эффект низкотемпературного гетгерирования в полупроводниковых кристаллах кремния, соединениях АШВУ, кристаллах твердых растворов вЬ-Ав и БЬ-Ав-ве в результате воздействия ИМП. В основе эффекта лежит ИМП-индуцированный распад дефектных комплексов в объеме кристалла, диффузия к поверхности кристалла продуктов распада, и образование новых дефектных комплексов.

7. Решена задача разделения эффектов воздействия ионизирующих Излучений на диэлектрик и границу раздела полупроводник-диэлектрик в МОП структуре и создана методика, учитывающая пленарную неоднородность распределения поверхностного потенциала полупроводника и эффект короткого канала. Методика включает определение плотности ПС из измерений токов накачки заряда и расчет эффективного заряда в диэлектрике МОПТ и его флуктуаций из совместно измеренных выходных и передаточных ВАХ

МОПТ и экспериментальной зависимости порогового напряжения от напряжения на стоке.

8. На основе проведенного моделирования фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной структуры po/j-Si-SiCh-Si с радиационным зарядом с учетом двух эмитирующих границ и наличием захвата в диэлектрике фото-эмитгированных носителей заряда установлено, что вид фотоэмиссионных ВАХ отражает пространственное распределение объемного заряда в диэлектрике. Разработана методика анализа распределения радиационного заряда по спектральным и полевым зависимостям фотоэмиссионного тока. Заряд захваченных в окисле электронов определяется из анализа семейства спектральных характеристик фотоэмиссионного тока, измеренных при различных затворных напряжениях.

9. Разработан метод нестационарной спектроскопии поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МОПТ, позволяющий исследовать энергетический спектр ПС в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника непосредственно в тестовом транзисторе ИС. Метод обладает повышенной чувствительностью за счет собственного усиления в исследуемом транзисторе при регистрации нестационарной перезарядки ПС.

Ю.Разработан автогенераторный вариант метода измерения высокочастотной емкости в методе DLTS с использованием преобразования Лапласа, обеспечивающий измерение релаксации емкости с относительным разрешением АС/С до 10"5. Предложенный вариант метода позволяет не менее чем на порядок по сравнению с предельной прочностью кристалла снизить величину давления на кристалл, необходимого для определения типа симметрии дефекта по расщеплению сигнала DLTS.

Результаты диссертации использовались в следующих учебных курсах:

«Радиационная физика», «Радиационное материаловедение», «Вычислительная физика» (решение задач).

Цитированная литература

1. Ma Т.Р. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. - Ed. New York: Wiley Interscience, 1989. - 670 p.

2.'Першенков B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першенков, В.Д. Попов, A.B. Шальнов. - М.: Энергоатомиздат, 1988. - 256 с.

3. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел / Ю.И. Головин // ФТТ. -2004. - Т. 46, вып. 5. - С. 769-803.

4. Моргунов Р.Б. Спин-зависимые реакции между дефектами структуры и их влияние на пластичность кристаллов в магнитном поле / Р.Б. Моргунов // УФН. - 2004. - Т. 174, №2.-С. 131-159.

5. Meese J.M. Deflect symmetry from stress transient spectroscopy / J.M. Meese, J.W. Farmer, C.D. Lamp // Phys. Rev. Lett. - 1983. - V. 51, № 14. - P. 12861289.

6. Groesenecen G. A relaiable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors / G. Groesenecen [et al] // IEEE Trans. Electron Devices. - 1984. - V. ED-31, № 1. -P.42-53.

7. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников / Г.П. Пека. - Киев : Вища школа, 1984. - 214 с.

8. McWhorter P. J. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors / P.J. McWhorter, P.S. Winokur // Appl. Phys. Lett. -1986. - V. 48, №2. - P. 133-135.

9. Nicollian E.H. Lateral AC Current Flow Model for Metal-Insulator- Semiconductor Capacitors / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // IEEE Journal Trans. Electron Devices.-1965,-V. 12, №7.-P. 108-117.

Ю.Левин М.Н.Эффект магнитно-индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях AmBv / М.Н. Левин, Г.В. Семенова, Т.П Сушкова // ДАН. - 2003. - Т. 388, вып. 5. - С. 608-610.

11.Belyavsky V.I Spin effects in defect reactions / V.I. Belyavsky, M.N. Levin // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70. - P. 104101 (8).

12.Belyavsky V.I Defect-induced lattice magnetism: Phenomenology of magnetic-field-stimulated defect reactions in nonmagnetic solids / V.I. Belyavsky, M.N. Levin, N.J. Olson // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 73. - P. 054429 (6).

Основное содержание диссертации опубликовано в работах: Публикации в изданиях по перечню ВАК РФ

1. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах / М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, В.И. Литманович, А.В. Татаринцев, В.Е. Чернышев // Микроэлектроника. - 1992. - Т. 21, № 2. - С. 34-41.

2. Двумерное моделирование короткоканальных МОП-транзисторов с учетом поверхностных состояний / М.Н. Левин, А.Г. Кадменский, С.Г. Кадменский,

B.И. Литманович, А.В. Татаринцев, В.Е. Чернышев // Автометрия. - 1992. -№2.-С. 7-12.

3. Автоматизированная установка для исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, В.Л. Израйлит, А.В. Татаринцев,

C.Г. Кадменский // Приборы и техника эксперимента. — 1992. - № 2. - С. 119-122.

4. Прямой метод определения плотности поверхностных состояний по токам накачки заряда / М.Н. Левин, В.И. Литманович, А.В. Татаринцев, В.Е. Чернышев II Физика и техника полупроводников. -1993. -Т. 27, № 1. - С. 3-11.

5. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП-транзистора / М.Н. Левин, Е.Н. Бормон-тов, А.В. Татаринцев, В.Р. Гитлин // Журнал технической физики. — 1999. -Т. 69, вып. 8.-С. 60-64.

6. Повышенная генерация поверхностных состояний в МДП-элементах интегральных схем при воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений / М.Н. Левин, Е.Н. Бормонтов, О.В. Волков, С.С. Остроухов, А.В. Татаринцев // Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30, № 1. - С. 12-16.

7. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока / М.Н. Левин, E.H. Бормонтов, О.В. Волков, С.С. Остроухов, A.B. Татаринцев И Журнал технической физики.-2001.-Т. 71, вып. 3.-С. 46-52.

8. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, A.B. Татаринцев, С.С. Остроухов, С.Г. Кадменский // Микроэлектроника. - 2002. - Т. 31, № 6. - С. 408413.

9. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменский, М.Н. Левин, С.С. Остроухов, A.B. Татаринцев // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2002. - № 1. - С. 5-12.

10. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, А.В.Татаринцев, O.A. Косцова, A.M. Косцов // Журнал технической физики. - 2003. - Т. 73, вып. 10. - С. 85-87.

11. Метод Крячко: исследование зарядового состояния границы раздела диэлектрик-полупроводник / В.В. Крячко, В.В. Будко, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2003. - № 1. - С. 53-61.

12. Моделирование процессов релаксации радиационного заряда в МОП-структурах / М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, Т.Г. Меньшикова // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2003. - № 1. - С. 71-77.

13. Левин М.Н. Радиационное тестирование МДП-элементов интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2003. — № 2. -С. 46-52.

14. Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП-транзистора / E.H. Бормонтов, М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, Т.Г. Меньшикова, A.B. Татаринцев // Письма в «Журнал технической физики». - 2004. - Т. 30, вып. 9. -С. 73-81.

15. Выявление скрытых дефектов в МДП-элементах интегральных схем воздействием импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин, В.Н. Прасолов, O.A. Косцова // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2004. - № 2. - С. 29-34.

16. Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик / В.В. Крячко, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, E.H. Бормонтов // Журнал технической физики. - 2004. — Т. 74, вып. 10. - С. 128-133.

17. Татаринцев A.B. Метод исследования радиационно-индуцированных изменений границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП транзисторе с учетом эффектов короткого канала и планарной неоднородности / A.B. Татаринцев, М.Н. Левин, В.А. Макаренко // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2004. - № 5. - С. 46-53.

18. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников / A.B. Каданцев, Г.И. Котов, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // Приборы и техника эксперимента. - 2004. — № 6. — С. 138-139.

19. Моделирование процессов радиационной технологии в производстве МДП интегральных схем / В.Р. Гитлин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, М.Н. Левин // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2004. - № 2. — С. 16-24.

20. Влияние предварительной импульсной магнитной обработки кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления / М.Н. Левин, Г.В. Семенова, A.B. Татаринцев, О.Н. Шуйская // Письма в «Журнал технической физики». -

2005. - Т. 31, вып. 17. - С. 89-94.

21. Определение сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя МДП-структры / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, В.Р. Гитлин // t Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2005. - № 2. - С. 24-29.

22. Моделирование радиационного токопереноса в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, A.B. Каданцев, В.Р. Гитлин // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. - 2005. - № 2. - С. 30-37.

23. Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, В.Р. Гитлин//Микроэлектроника. - 2006. - № 5. - С. 382-391.

24. Татаринцев A.B. Электрофизические и радиационные методы исследования полупроводников и МОП структур / A.B. Татаринцев // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. -

2006.-№2.-С. 116-132.

Статьи в изданиях, не входящих в перечень ВАК РФ, труды конференций

25. Радиационная технология корректировки электрофизических параметров МДП БИС с использованием рентгеновского излучения / В.М. Вахтель, В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменский, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев // Электронная техника. Серия 7. Технология и организация производства. - 1990. - № 6 (163). -С. 19-23.

26. Использование ультрафиолетового излучения в радиационно-термических процессах корректировки параметров МДП БИС / В.Р. Гитлин, М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, A.B. Татаринцев // Электронная техника. Серия 7. Технология и организация производства. - 1990. - № 6 (163). - С. 23-26.

27. Сопоставление воздействий различных видов ионизирующих излучений на параметры серийных МДП БИС / В.Р. Гитлин, М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, A.B. Татаринцев // Электронная техника. Серия 7. Технология и организация производства. - 1990. - № 6 (163). - С. 9-12.

28. Левин М.Н. Моделирование воздействий ионизирующих излучений на структуру металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, Ю.В. Иванков // Конденсированные среды и межфазные границы. -2002. - Т. 4, № 3. - С. 195-202.

29. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов Cz-Si после воздействия импульсного магнитного поля / М.Н.Левин, A.B. Татарин-цев, Л.А. Битюцкая, Г.Д. Селезнев // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2003. - Т. 5, № 2. - С. 213-215.

30. Магнитостимулированное гетгерирование в кремнии / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин, O.A. Косцова, Э.А. Долгополова // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2004. - Т. 6, № 3. - С. 260-263.

31. Окисление кристаллов фосфида индия с предварительной магнитной обработкой / Г.В. Семенова, О.Н. Шуйская, A.B. Татаринцев, Э.А. Долгополова, М.А. Дронов, М.Н. Левин // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2005. - Т. 7, № 2. - С. 150-153.

32. Измерительный комплекс для исследования тестовых структур МДП интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, П.А. Лукьянович, A.B. Ка-данцев, В.Р. Гитлин // Конденсированные среды и межфазные границы. -2005. - Т. 7, № 4. - С. 355-369..

33. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр поверхностных электронных состояний монокристаллов арсенида галлия / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, М.А. Дронов, A.B. Каданцев, Г.И. Котов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2005. - Т. 7, № 4. - С. 370-372.

34. Определение типа симметрии точечных дефектов в полупроводниках методом Laplace-DLTS / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков, A.B. Каданцев // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2006. — Т. 8, № 2. - С. 149-153.

35. Релаксационные процессы в облученных структурах металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, В.И. Литманович, A.B. Татаринцев, С.И. Шепелевич // Релаксационные процессы в диэлектриках : сб. науч. тр. - Воронеж, 1990. - С. 106-110.

36. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней с использованием интегрального преобразования Лапласа / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, А.Э. Ахкубеков // Полупроводниковые гетероструктуры : сб.

tнауч.тр.-Воронеж, 2005.-С. 96-108.

37. Ёдиный механизм радиационно-стимулированных изменений спектра поверхностных состояний и заряда окисла в системе Si-Si02 / М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, В.И. Литманович, A.B. Татаринцев, В.Е. Чернышев // Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра : тез. докл. 42 совещ. Алма-Ата. - Л., 1992. - С. 356-357.

38. Левин М.Н. Электрофизические методы исследования многослойных тонкопленочных гетероструктур / М.Н. Левин, Б.Н. Прасолов, A.B. Татаринцев // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: материалы Международ. науч.-практ. конф. - М., 2003. - С. 352-356.

39. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов арсенида галлия после воздействия импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, М.А.

Гречкина, A.B. Татаринцев, O.A. Косцова // Межфазная релаксация в полиматериалах : материалы Международ, науч.-техн. шк.-конф. - М., 2003. - Ч. 2.-С. 85-87.

40. Исследование зарядового состояния границы раздела диэлектрик-полупроводник методом контактной разности потенциалов / В.В. Крячко, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, E.H. Бормонтов, В.В. Будко // Межфазная релаксация в полиматериалах : материалы Международ, науч.-техн. шк.-конф. - М., 2003. - Ч. 2. - С. 187-190.

41. Исследование воздействия рентгеновского излучения на параметры МДП транзисторов / E.H. Бормонтов, М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, Т.Г. Меньшикова, A.B. Татаринцев, В.В. Ганжа // Радиолокация, навигация, связь : материалы X Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2004. - С. 646-655.

42. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках: методика, аппаратура, эксперимент / М.Н. Левин, A.B. Каданцев, Г.И. Котов,

A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // Кибернетика и технологии XXI века : материалы V Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2004. - Т. 1. - С. 401413.

43. Автоматизированный DLTS спектрометр / М.Н. Левин, A.B. Каданцев, Г.И. Котов, A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // Тонкие пленки и наноструктуры : материалы Международ. науч. конф. - М., 2004. - Ч. 2. - С. 206-209.

44. Воздействие импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводниковых кристаллов / A.B. Татаринцев, М.А. Дронов, В.Р. Гитлин, М.Н. Левин // Радиолокация, навигация, связь : материалы XI Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2005. - Т. 1. - С. 556-569.

45. Эффект атермической аннигиляции дефектных комплексов в полупроводниках / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин, A.B. Каданцев, Г.И. Котов // Электроника и информатика - 2005 : материалы 5-й Международ, науч.-техн. конф. - М„ 2005. - С. 31-32.

46. Левин М.Н. Повышение разрешающей способности нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков // Радиолокация, навигация, связь : материалы XII Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2006. - Т. 2. - С. 1415-1422.

47. Радиационное тестирование МДП элементов интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин, В.А. Макаренко // Кибернетика и высокие технологии XXI века : материалы VII Международ, науч.-техн. конф. — Воронеж, 2006. - Т. 1. - С. 246-257.

48. Радиационное дефектообразование в кремниевых МОП-структурах с двуокисью кремния, легированной фосфором / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев,

B.Р. Гитлин, В.А. Макаренко, Е.В. Бондаренко // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006 : материалы Ш Всерос. конф. - Воронеж, 2006. - Т. II. - С. 569-572.

49. Автогенераторный метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней с преобразованием Лапласа / A.B. Татаринцев, А.Е. Ахкубеков, A.B. Ка-данцев, М.Н. Левин // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006 : материалы III Всерос. конф. - Воронеж, 2006. - Т. II. - С. 623-626.

Патенты

50. Способ изготовления МДП БИС : Патент РФ №1762688 от 12.08.93 / В.Р. Гитлин, А.Н. Ивакин, С.Г. Кадменский, С.С. Остроухов, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев.

Работы 1-24 опубликованы в изданиях, соответствующих перечню ВАК РФ.

Подписано в печать 21.12.2006 г. Формат 60x84/16. Усл. п. л. 2.00. Тираж 110 экз. Заказ № 10 Отпечатано ООО ИПЦ «Научная книга» Воронеж, пр-т Труда, 48.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I

РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В

ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Электрофизические методы определения параметров глубоких уровней в полупроводниках и поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик (аналитический обзор).

1.2. Определение типа симметрии точечных дефектов в полупроводниках методом Ьарксе-ВЬТБ.

1.3. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МОП транзистора

1.4. Исследование спектра поверхностных состояний по токам накачки заряда

1.5. Радиационная аннигиляция дефектов в диодах Шоттки на кремнии и арсениде галлия.

1.6. Автоматизированный комплекс для исследования радиационных эффектов в полупроводниках электрофизическими методами.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ I.

ГЛАВА II

РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В КРЕМНИЕВЫХ МОП

СТРУКТУРАХ

2.1 Воздействие ионизирующих излучений на кремниевые МОП структуры (аналитический обзор).

2.2 Формирование термостабильного радиационного заряда в диэлектрике структуры роЬ-Ъг-ЪЩРуЪ!.

2.3 Моделирование радиационно-термических эффектов в структуре ро1у

§\-8Ю2(Р)^.

2.4 Эффект повышения радиационной проводимости слоев S1O2 при радиационно-термических воздействиях.

2.5 Аномальная генерация поверхностных состояний в МОП структурах при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ II.

ГЛАВА III

ПЛАНАРНАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ В РАДИАЦИОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭФФЕКТАХ

3.1 Воздействие ионизирующих излучений на планарную неоднородность поверхностного потенциала в системе Si-Si02.

3.2 Моделирование воздействия ионизирующих излучений на короткоканальные МОПТ с учетом планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника.

3.3 Экспериментальные исследования радиационно-индуцированных изменений границы раздела полупроводник-диэлектрик в МОП структурах с учетом планарной неоднородности поверхностного потенциала полупроводника

3.4 Краевые эффекты в облученных МОП структурах.

3.5 Исследование эффекта образования внеэлектродного инверсионного слоя в облученных МОП структурах.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ III.

ГЛАВА IV

ВНУТРЕННЯЯ ФОТОЭМИССИЯ В МОП СТРУКТУРАХ, ПОДВЕРГНУТЫХ ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

4.1 Фотоэмиссионные методы исследования пространственного распределения объемного заряда в диэлектрических слоях МОП структур (аналитический обзор).

4.2 Моделирование фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной МОП структуры.

4.3 Анализ пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике облученной МОП структуры по вольтамперным характеристикам фотоэмиссионного тока.

4.4 Анализ пространственного распределения заряда в диэлектрике МОП структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока.

4.5 Автоматизированная установка для фотоэмиссионных исследований в МОП структурах.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ IV.

ГЛАВА V

ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 5.1 Воздействие импульсных магнитных полей на немагнитные полупроводниковые кристаллы с дефектами (аналитический обзор).

5.2 Воздействие импульсных магнитных полей на дефектную подсистему полупроводников и выявление скрытых дефектов в МОП структурах.

5.3 Воздействие импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников.

5.4 Воздействие импульсных магнитных полей на спектр глубоких уровней монокристаллов арсенида галлия.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ V.

Актуальность темы.

Функционирование современных интегральных схем (ИС), выполненных по технологии металл-окисел-полупроводник (МОП) и предназначенных для работы в условиях воздействия внешних дестабилизирующих факторов, определяется процессами, происходящими в приповерхностном слое полупроводника, на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в диэлектрическом слое. Повышение степени интеграции ИС ведет к возрастанию роли поверхности и требует более углубленного анализа влияния внешних факторов различной природы на ее свойства.

Одним из таких факторов является ионизирующее излучение (ИИ). Вопрос де-фектообразования в МОП структурах под действием ИИ достаточно освещен в литературе (например [1,2]). Тем не менее, некоторые полученные в рамках данной работы экспериментальные результаты, такие, как формирование термостабильного радиационного заряда в окисле МОП структуры, содержащем примесь фосфора, коррелированное изменение заряда в окисле и на поверхностных состояниях (ПС) границы раздела полупроводник-окисел, и другие не вписываются в рамки известных представлений и требуют привлечения новых физических моделей для их объяснения и интерпретации. Разработки технологических процессов с использованием ионизирующих излучений, решение проблем оценки радиационной стойкости МОП ИС потребовали количественного описания процессов накопления и релаксации радиационного заряда в МОП структурах с учетом глубоких ловушечных уровней примесных центров в окисном слое, что определяет актуальность данного направления работы.

Сложность анализа поверхностных радиационных эффектов в полупроводниках и МОП структурах состоит в том, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров являются интегральным результатом дефектообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводнике, диэлектрике и на границе их раздела. Для корректной интерпретации экспериментальных результатов требуется проведение комплексного исследования, обеспечивающего возможность независимого контроля и разделения процессов образования дефектов в различных слоях.

Комплексный подход к исследованию подразумевает совместное использование набора прецизионных электрофизических методов исследования дефектообразова-ния в полупроводниковых подложках, диэлектрических слоях и границах раздела полупроводник-диэлектрик в исследуемых структурах. Другая проблема заключается в том, что наблюдаемые радиационные эффекты проявляются по-разному в . зависимости от технологии формирования тестовых структур. Конкретные проявления во многом зависят и от характеристик самих тестовых объектов, на которых проводятся исследования. Это определяет актуальность адаптации известных электрофизических методов исследования для конкретных тестовых объектов и решения задачи разделения эффектов воздействия ионизирующих излучений на диэлектрик и границу раздела полупроводник-диэлектрик в МОП структурах с учетом планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника, краевых эффектов, геометрии тестовых структур.

Непосредственная зависимость поверхностного потенциала полупроводника от локализованного в окисном слое заряда делает актуальной задачу анализа пространственного распределения этого заряда. Для решения этой задачи потребовалось провести моделирование фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной МОП структуры с радиационным зарядом, с учетом двух эмиттирующих границ и наличием захвата фотоэмиттированных носителей заряда и разработать методы исследования пространственного распределения заряда в диэлектрических слоях облученных ионизирующим излучением МОП структур по токам внутренней фотоэмиссии.

В последнее время проявляется повышенный интерес к исследованию воздействия на немагнитные полупроводниковые кристаллы импульсных электромагнитных полей (ИМП) (например [3,4]). В отличие от ИИ, которое действует, главным образом на слой диэлектрика и границу раздела диэлектрик-полупроводник, ИМП действует на полупроводниковый кристалл, изменяя физико-химические свойства его поверхностных слоев. Вместе с тем, в обоих случаях, и в результате воздействия ИМП, и при воздействии ИИ наблюдаются долговременные изменения структуры и свойств полупроводниковых кристаллов и МОП структур, хотя и протекают эти изменения по разным механизмам. Исследование физических процессов, протекающих в многослойных структурах на основе полупроводников, под действием ИМП необходимо для решения задач возможного их использования в технологических процессах для выявления потенциально ненадежных элементов ИС, направленной модификации материалов и приборных структур, а также для решения задач противодействия намеренным дестабилизирующим воздействиям подобных факторов.

Данная работа выполнена в рамках х/д НИР ВГУ №№ НИЧ 116/91; НИЧ 96/93; НИЧ-99; (47-113-2005) 4113/306-2005.

Цель работы состояла в установлении основных закономерностей воздействия ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхность полупроводников, границу раздела полупроводник-диэлектрик и диэлектрик МОП структур.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования.

1. Экспериментальные исследования воздействия радиации на полупроводники и МОП структуры, релаксационных процессов в облученных МОП структурах и интерпретация полученных результатов.

2. Исследование фотоэмиссионных процессов в облученных МОП структурах. Разработка фотоэмиссионных методов определения пространственного распределения радиационно-индуцированного объемного заряда в диэлектрике МОП структуры.

3. Экспериментальные исследования воздействия импульсных электромагнитных полей на полупроводники и МОП структуры и интерпретация полученных результатов.

4. Разработка комплекса прецизионных методов исследования дефектообразования в МОП структурах для разделения эффектов воздействия ионизирующих излучений на полупроводник, границу раздела полупроводник-диэлектрик и диэлектрик МОП структуры с учетом планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника и геометрии исследуемых структур и создание оборудования для его реализации.

Научная новизна.

1. Построенная модель МОП структуры, учитывающая наличие собственных и примесных дефектов в слое двуокиси кремния и поверхностных состояний на границе окисла с полупроводником, адекватно описывает экспериментальные результаты исследований процессов накопления радиационного заряда в диэлектрике при воздействии ионизирующих излучений и последующей его релаксации.

2. Обнаружен и интерпретирован эффект аномально высокой генерации поверхностных состояний на границе подзатворного окисла с подложкой в МОП структурах с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений, связанный с повышенным содержанием водорода на границе поликремния с окислом.

3. Впервые прямым образом по исследованию спектров ЭЫЗ наблюдался эффект уменьшения концентрации исходных дефектов в кристаллах кремния и арсенида галлия в результате воздействия малых доз гамма-излучения.

4. На основе проведенного моделирования фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной структуры /?0/у-81-8Ю2-81 с радиационным зарядом с учетом двух эмитирующих границ и наличием захвата в диэлектрике фотоэмиттирован-ных носителей заряда решена обратная задача анализа пространственного распределения локализованного заряда в окисле по полевым и спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока.

5. Обнаружены эффекты долговременного изменения структуры и физико-химических свойств поверхности полупроводниковых кристаллов в результате воздействия ИМП: немонотонное изменение сорбционной способности поверхности кристаллов кремния, германия, арсенида галлия, повышение химической активности поверхностных слоев кристаллов фосфида индия, сопровождающиеся изменением топологии поверхности.

6. Обнаружен эффект изменения спектра ЭЬТЗ поверхностных электронных состояний в кристаллах арсенида галлия в результате воздействия импульсного магнитного поля.

Практическая значимость.

1. Разработанный метод нестационарной спектроскопии поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МОП транзистора (МОПТ) позволяет исследовать энергетический спектр ПС в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника непосредственно в тестовом транзисторе МОП ИС. Метод обладает повышенной чувствительностью за счет собственного усиления в исследуемом транзисторе при регистрации нестационарной перезарядки ПС.

2. Применение автогенераторного варианта измерения высокочастотной емкости в методе БЬТЗ, позволяющее повысить достоверность определения параметров глубоких уровней (ГУ) за счет регистрации семейства характеристик изотермической релаксации емкости в широком температурном интервале, и использование преобразования Лапласа для обработки релаксационных кривых обеспечивают прецизионное определение параметров дефектов и типа их симметрии по расщеплению сигнала при нагрузках на кристалл много меньших его предельной прочности, что принципиально упрощает практическую реализацию метода.

3. Совместный анализ полевых и спектральных характеристик токов внутренней фотоэмиссии позволяет определять профиль радиационного заряда в диэлектрике облученной МОП. Анализ семейства спектральных характеристик фотоэмиссионного тока МОП структуры, измеренных при различных напряжениях на электроде, позволяет определять распределение заряда захваченных в окисле электронов.

4. Совместное использование методов токов накачки заряда и стационарных вольт-амперных характеристик (ВАХ) позволяет разделить эффекты воздействия ионизирующих излучений на диэлектрик и границу раздела полупроводник-диэлектрик в транзисторной МОП структуре с учетом эффектов короткого канала и планарной неоднородности распределения поверхностного потенциала полупроводника.

5. Обнаруженные эффекты воздействия ионизирующих излучений на полупроводники: формирование термостабильного радиационного заряда в содержащем примесь фосфора диэлектрике МОП структуры воздействием ионизирующего излучения, выявление повышенного содержания водорода на границе затвор-окисел последовательным воздействием ультрафиолетового и рентгеновского излучений, повышение радиационной проводимости слоев двуокиси кремния в результате радиационно-термических воздействий, коррелирующее с повышением радиационной чувствительности МОП структур, могут составить физическую основу технологических методов управления поверхностным потенциалом полупроводника и прогнозирования радиационной стойкости МОП ИС.

6. Обнаруженные эффекты воздействия ИМП на полупроводники: низкотемпературное геттерирование в полупроводниковых кристаллах и модификация физико-химических свойств поверхности кристаллов полупроводников воздействием ИМП являются основой для разработки новых технологических процессов, в том числе, выявления латентных технологических дефектов в МОП ИС, низкотемпературного геттерирования в кремнии, повышения качества окисных пленок, полученных на кристаллах фосфида индия, предварительно обработанных ИМП.

Положения, выносимые на защиту:

1. Воздействие ионизирующего излучения на структуру ро1у-Б\-8Ю2(Р)-81 приводит к образованию термостабильного радиационного заряда, обусловленного зарядом ионизированных атомов фосфора, изоморфно замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах. Радиационно-термические эффекты в структуре ро1у-$\-$Ю2(Р)-$1 могут быть адекватно описаны на основе модели с двумя ло-вушечными уровнями, учитывающими собственные и примесные дефекты в 8102, и поверхностными состояниями на границе окисла с полупроводником.

2. Последовательное воздействие ультрафиолетового и рентгеновского излучений на структуры /?о/у-81--8Ю2(Р)-81 с повышенным содержанием водорода на границе окисла с поликремнием приводит к аномально высокой генерации поверхностных состояний на границе подзатворного окисла с подложкой.

3. Воздействие гамма-излучения Со60 в диапазоне до 104 Р для кристаллов кремния и до 5-106 Р для кристаллов арсенида галлия приводит к уменьшению концентрации исходных дефектов с глубокими уровнями, регистрируемыми по спектрам ОЬТБ.

4. Воздействие ИМП на полупроводниковые кристаллы приводит к долговременным немонотонным изменениям их структуры и физико-химических свойств поверхностных слоев: необратимому изменению спектра ГУ, соответствующих поверхностным электронным состояниям в кристаллах СаАэ; изменению сорбци-онной способности поверхности кристаллов 81, ве и ваАз; повышению химической активности поверхностных слоев кристаллов 1пР, которая проявляется в увеличении скорости низкотемпературного химического окисления; изменению топологии поверхности исследуемых материалов; проявлению эффекта низкотемпературного геттерирования в кристаллах 81, АШВУ, твердых растворах ЯЬ-Аб и ЗЬ-Аэ-Се.

5. Автогенераторный вариант метода измерения высокочастотной емкости в методе ЭЬТЗ с использованием преобразования Лапласа, обеспечивает измерение релаксации емкости с относительным разрешением АС/С до 10*5, и позволяет не менее чем на порядок по сравнению с предельной прочностью кристалла снизить величину давления на кристалл, необходимого для определения типа симметрии дефекта по расщеплению сигнала БЬТЗ.

6. Профиль радиационного заряда, захваченного на ловушечные уровни в окисле облученной МОП структуры, может быть определен по полевым и спектральным характеристикам токов внутренней фотоэмиссии. Распределение заряда захваченных в окисле электронов может быть получено из анализа семейства спектральных характеристик фотоэмиссионного тока, измеренных при различных напряжениях на электроде.

Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы.

Всесоюзный научно-технический семинар «Радиационная технология в производстве интегральных схем» (Воронеж, 1988); III Всесоюзная конференция «Моделирование отказов и имитация на ЭВМ статистических испытаний ИМС и их элементов» (Суздаль, 1989); XIV семинар «Радиационная физика полупроводников» (Новосибирск, 1989); V Всесоюзное совещание «Математическое моделирование приборов микроэлектроники» (Новосибирск, 1989); Проблемный семинар «Примеси, дефекты и деградационные явления в полупроводниковых материалах и приборах» (Ленинград, 1989, 1991); Международное совещание «Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра» (Ташкент, 1989; Ленинград, 1990; Алма-Ата, 1992; Белгород, 2004); IV и V Международные научно-технические конференции «Электроника и информатика» (Москва, 2002, 2005); Международная научно-техническая конференция "Тонкие пленки и слоистые структуры" (Москва, 2002); IX, X, XI и XII Международные научно-технические конференции «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2003, 2004, 2005, 2006); V международная конференция «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 2003); Международная научно-практическая конференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва 2003, 2006); Международная научно-техническая школа-конференция «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2003); V и VII Международные научно-технические конференции «Кибернетика и технологии XXI века» (Воронеж, 2004, 2006); Международные научные конференции "Тонкие пленки и наноструктуры" (Москва, 2004, 2005); III Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006» (Воронеж, 2006).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 79 печатных работы, в том числе 36 статей, 23'доклада и 19 тезисов докладов на научных и научно-технических конференциях, совещаниях, семинарах, 1 патент РФ.

В совместных работах автору принадлежит разработка методик проведения исследований, постановка и проведение экспериментов, анализ и обобщение полученных результатов, написание статей. Ряд исследований проведен с участием аспирантов, защитивших кандидатские диссертации, у которых автор являлся сору-ководителем (Макаренко В.А., Каданцев A.B.).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 323 страницы машинописного текста, включая 129 рисунков. Список литературы содержит 342 наименования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Обнаружен эффект формирования термостабильного радиационного заряда в диэлектрике МОП структуры, содержащем примесь фосфора, воздействием ионизирующего излучения. Термостабильный заряд обусловлен зарядом ионизированных атомов фосфора, изоморфно замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах без их разрушения. Предложенная модель МОП структуры с двумя ловушечными уровнями, учитывающими наличие собственных и примесных дефектов в двуокиси кремния, и поверхностными состояниями на границе окисла с полупроводником, адекватно описывает процессы накопления и релаксации радиационного заряда за счет термической и туннельной разрядки, а также процессы токопереноса в диэлектрике МОП структуры с глубокими ловушками и радиационным зарядом в окисле под воздействием низкоинтенсивного рентгеновского излучения.

2. Обнаружен эффект аномально высокой генерации поверхностных состояний на границе подзатворного окисла с подложкой в МОП ИС с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений, не вызывающих структурных изменений. Эффект обусловлен наличием водорода, локализованного вблизи границы раздела окисла с поликремнием, который проникает к границе раздела с подложкой в результате предварительного ультрафиолетового облучения и приводит к резкому повышению генерации ПС при последующем радиационном воздействии. Обнаружен эффект повышения радиационной проводимости слоев двуокиси кремния в результате воздействия ионизирующего излучения и последующего термического отжига, коррелирующий с повышением радиационной чувствительности МОП структур. Эффект объясняется повышением структурной упорядоченности объема окисла с вытеснением напряженных 81-0 связей («преддефектов») к границам раздела.

3. Впервые методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружен эффект уменьшения концентрации электрически активных дефектов в кремнии и арсениде галлия в результате воздействия гамма-излучения. Эффект объясняется взаимодействием генерируемых жестким излучением радиационно-индуцированных точечных дефектов с исходными дефектами в полупроводниковом кристалле.

4. Обнаружены эффекты долговременного немонотонного изменения физико-химических свойств поверхности полупроводниковых кристаллов воздействием ИМП: топологии поверхности исследуемых материалов; сорбционной способности кремния, германия и арсенида галлия; химической активности поверхностных слоев фосфида индия, которая проявляется в увеличении скорости низкотемпературного химического окисления. Эффекты объяснены возникновением потоков подвижных точечных дефектов в результате распада исходных дефектных комплексов под воздействием ИМП.

5. Обнаружен эффект необратимого изменения температурного положения пика БЬТ8, соответствующего поверхностным электронным состояниям, в результате обработки кристалла арсенида галлия импульсным магнитным полем. Положения и амплитуды пиков, обусловленных объемными глубокими уровнями, при этом не менялись. Обнаруженный эффект объяснен с позиций концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами.

6. Обнаружен эффект низкотемпературного геттерирования в полупроводниковых кристаллах кремния, соединениях АтВу, кристаллах твердых растворов 8Ь-Аб и ЗЬ-Аэ-Ое в результате воздействия ИМП. В основе эффекта лежит ИМП-индуцированный распад дефектных комплексов в объеме кристалла, диффузия к поверхности кристалла продуктов распада, и образование новых дефектных комплексов.

7. Решена задача разделения эффектов воздействия ионизирующих излучений на диэлектрик и границу раздела полупроводник-диэлектрик в МОП структуре и создана методика, учитывающая планарную неоднородность распределения поверхностного потенциала полупроводника и эффект короткого канала. Методика включает определение плотности ПС из измерений токов накачки заряда и расчет эффективного заряда в диэлектрике МОПТ и его флуктуаций из совместно измеренных выходных и передаточных ВАХ МОПТ и экспериментальной зависимости порогового напряжения от напряжения на стоке.

8. На основе проведенного моделирования фотоэмиссионных процессов в диэлектрике облученной структуры /ю/у-БьЗЮг-З! с радиационным зарядом с учетом двух эмитирующих границ и наличием захвата в диэлектрике фотоэмиттирован-ных носителей заряда установлено, что вид фотоэмиссионных ВАХ отражает пространственное распределение объемного заряда в диэлектрике. Разработана методика анализа распределения радиационного заряда по спектральным и полевым зависимостям фотоэмиссионного тока. Заряд захваченных в окисле электронов определяется из анализа семейства спектральных характеристик фотоэмиссионного тока, измеренных при различных затворных напряжениях.

9. Разработан метод нестационарной спектроскопии поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МОПТ, позволяющий исследовать энергетический спектр ПС в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника непосредственно в тестовом транзисторе ИС. Метод обладает повышенной чувствительностью за счет собственного усиления в исследуемом транзисторе при регистрации нестационарной перезарядки ПС.

Ю.Разработан автогенераторный вариант метода измерения высокочастотной емкости в методе ОЬТБ с использованием преобразования Лапласа, обеспечивающий измерение релаксации емкости с относительным разрешением АС/С до 10"5. Предложенный вариант метода позволяет не менее чем на порядок по сравнению с предельной прочностью кристалла снизить величину давления на кристалл, необходимого для определения типа симметрии дефекта по расщеплению сигнала ОЬТ8.

1. Ma Т.Р., Dressendorfer P.V. 1.nizing radiation effects in MOS devices and circuits / . T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. - New York : J.Wiley, 1989. - 670 p.

2. Першенков B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першен-ков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. -М. : Энергоатомиздат, 1988. 256 с.

3. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел / Ю.И. Головин // ФТТ. -2004.-Т. 46, Вып. 5.-С. 769-803.

4. Моргунов Р.Б. Спин-зависимые реакции между дефектами структуры и их влияние на пластичность кристаллов в магнитном поле / Р.Б. Моргунов // УФН. -2004. Т.-174, №2.-С. 131-159.

5. Литовченко В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник / В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Киев : Наукова Думка, 1978. -316с.

6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. М.: Мир, 1984.-Т.1.-454 с.

7. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. М.: Мир, 1984. - Т.2. - 456 с.

8. Nicollian Е.Н. MOS (metal-oxide-semiconductor) physics and technology / E.H. Nicollian, J.R. Brews. New York : Wiley, 1984. - 760 p.

9. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D.V. Lang // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45, № 7. - P. 3023-3033.

10. Johnson N.M. Constant-capacitance DLTS measurement of defect-density profiles in semiconductors / N.M. Johnson, D.J. Baterlink // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, № 7.-P. 4828-4833.

11. Meese J.M. Deffect symmetry from stress transient spectroscopy / J.M. Meese, J.W. Farmer, C.D. Lamp //Phys. Rev. Lett. 1983. - V. 51, № 14. - P.1286-1289.

12. Awadelkarim O.O. Deep leveltransient spectroscopy and photoluminescence studies of electron-irradieted Czochralski silicon / O.O. Awadelkarim, H. Weman // J. Appl. Phys. 1986. -V. 60, № 6. - P. 1974-1979.

13. Hofmann K. Process-induced interface and bulk states in MOS structures / K. Hofmann, M. Schulz // J.Electrochem. Soc. : Solid State Science and Technology. -1985. V. 132, № 9. - P. 2201-2208.

14. Karwath A., Deep level transient spectroscopy on single, isolated interface traps in field effect transistors / A. Karwath, M. Schulz // Appl. Phys. Lett. 1988. - V. 52, № 8.-P. 634-636.

15. Brotherton S.D. Photocurrent deep level transient spectroscopy in silicon / S.D. Brotherton // J.Appl.Phys. 1984. - V. 55, № 10. - P. 3636-3643.

16. Borsuk J.A. Current transient spectroscopy: a high-sensitivity DLTS system / J.A. Borsuk, R.M. Swanson // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. - V. 27, №. 12. - P. 2217-2225.

17. Farmer J.W. Charge transient spectroscopy / J.W. Farmer, C.D Lamp., J.M. Meese //Appl. Phys. Lett.- 1982.-V. 41,№ 11.-P. 1063-1065.

18. Berglund L.M. An investigation of surface states at a silicon/silicon dioxide interface emploing metal-oxide-silicon diodes / L.M. Berglund // Solid State Electronics. -1962.-V. 5.-P. 285-291.

19. Kuhn M.A. Qwasi-static technique for MOS C-V and surface states measurements /M.A. Kuhn // Solid State Electronics. 1970. - V. 118. - P. 2002-2011.

20. Overstraeten R. Qwasi-static technique for MOS C-V / R. Overstraeten // J. Elec-trochem. Society.- 1973. V. 120,№ 12.-P. 1185-1191.

21. Nicollian E.H. MOS study of interface-state time constant dispersion / E.H. Nicol-lian, A. Goetzberger // Appl. Phys. Lett. 1967. - V. 10, № 2. - P. 60-64.

22. Nicollian E.H. MOS conductance technique for measuring of surface state parameters / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // Appl. Phys. Lett. 1965. - V. 7, № 8. - P. 216-218.

23. Nicollian E.H. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by the metal insulator silicon conductance technique / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // J. Bell. Syst. Techn. 1967. - V. 46, № 5. - P. 1055-1072.

24. Overstraeten R.J. Theory of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states / R.J. Overstraeten, G.J. Declerck, P.A. Muls // IEEE Trans. Electron Dev. - 1975. - V. 22, № 5. - P. 282-288.

25. Gallowey K.F. A simple model of separating interface and oxide charge effects of MOS device characteristics / K.F. Gallowey, M. Gaitan, T.I. Russel // IEEE Trans. Nuclear Science. 1984. - V. 31, № 6. - P. 1497-1502.

26. McWhorter P.J. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors / P.J. McWhorter, P.S. Winokur // Appl. Phys. Lett. 1986. - V. 486, № 2. - P. 133-135.

27. Simmons J.G. Theory of dynamic charge and capacitance characteristics in MIS systems containing discrete surface traps / J.G. Simmons, L.S. Wei // Solid State Electronics. 1973. - V. 16, № l.-P. 43-52.

28. Simmons J.G. Theory of dynamic charge and capacitance characteristics in MIS systems containing distributed surface traps / J.G. Simmons, L.S. Wei // Solid State Electronics. 1973. - V. 16, № 1. - P. 53-66.

29. Simmons J.G. Theory' of transient emission current in MOS devices and the direct determination of interface trap parameters / J.G. Simmons, L.S. Wei // Solid State Electronics. -1974. V. 17. - P. 117-124.

30. Simmons J.G. Theory of non-steady-state interfacial thermal current in MOS devices and the direct determination of interface trap parameters / J.G. Simmons, G.W. Taylor//Solid State Electronics. 1974. - V. 17-P. 125-130.

31. Mar H.A. Determination of the energy distribution of interface traps in MIS systems using non-steady-state technique / H.A. Mar, J.G. Simmons // Solid State Electronics. 1974. - V. 17.-P. 131-135.

32. Wang L.W. MOS interface state density measuremrnts using transient capacitance spectroscopy / L.W. Wang // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. - V. 27, № 12. - P. 2231-2239.

33. Johnson M.N. Measurement of semiconductor-insulator interface states by constant-capacitance, deep-level transient spectroscopy / M.N. Johnson // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V. 21, № 2. - P. 303-315.

34. Johnson N.M. Energy resolved DLTS measurement of interface states in MIS structures / M.N. Johnson // Appl. Phys. Lett. 1979. - V. 34, № 11. - P. 802-804.

35. Saks N.S. Determination of interface trap capture cross section using three-level charge pumping / N.S. Saks, M.G. Ancona // IEEE Electron Device Letters. 1990. -V. 11,№ 8.-P. 339-341.

36. Analysis of the charge pumping technique and its applicationfor the evaluation of MOSFET degradation / P. Herremans et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 1989. - V.36,№7.-P. 1318-1335.

37. Correlaation between CMOS transistor and capacitor measurements of interface trap spectra / T.J. Russel et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. - V. 33, № 6. - P. 1228-1234.

38. Brugler J.S. Charge pumping in MOS devices / J.S. Brugler, P.G. Jespers // IEEE Trans. Electron Dev. 1969. -V. 16, № 3. - P. 297-302.

39. Wachnik R.A. A model for the charge-pumping current based on small rectangular voltage pulses / R.A. Wachnik, J.R. Lowney // Solid State Electronics. 1986. - V. 29,№4.-P. 447-460.

40. Tseng W.L. A new charge pumping method of measuring Si-S02 interface states / W.L. Tseng // J. Appl. Phys. 1987. - V. 62, № 2. - P. 591-599.

41. Chung J.E. The development and application of a Si-Si02 interface trap measurement system based on the staircase charge-pumping technique / J.E. Chung, R.S. Muller // Solid State Electronics. 1989. - V. 32. - P. 867-872.

42. Каплянский A.A. Расщепление полос в спектрах кубических кристаллов, подвергнутых ориентированной деформации / А.А. Каплянский // Оптика и спектроскопия. 1961. -Т. 10, вып. 2.-С. 165-172.

43. Каплянский А.А. Некубические центры в кубических кристаллах и их спектроскопическое исследование / А.А. Каплянский // Оптика и спектроскопия. -1964.-Т. 14, вып.4.-С. 602-614.

44. Laplace transform spectroscopic studies of defects in semiconductors / L. Dobac-zewski et al. // J. Applied Physics. 1994. - V. 76, № l.-P. 194-198.

45. Левин M.H. Определение типа симметрии точечных дефектов в полупроводниках методом Laplace-DLTS / M.H. Левин, А.В. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков // Конденсированные среды и межфазные границы. 2006. - Т. 8, № 2. - С.149-153.

46. Татаринцев A.B. Электрофизические и радиационные методы исследования полупроводников и МОП структур / A.B. Татаринцев // Вестн. Воронеж, гос. унта. Сер. Физика, математика. 2006, № 2. - С. 116-132.

47. Kimerling L.C. Radiation effects in semiconductors / Ed. by N.B. Urli and J.W. Corbett. London.: Inst.of Physics, 1977. 221 p.

48. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon. I. Electron spin resonance of the Si Acenter / G.D. Watkins, J.W. Corbett // Phys. Rev. 1961. - V. 121. - P. 1001-1014.

49. Берман JI.C. Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках /Л.С.Берман, A.A. Лебедев.-Л.: Наука, 1981.- 176 с.

50. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии / К. Рейви. М. : Мир, 1984.-475 с.

51. Вавилов B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / B.C. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. -М.: Наука, 1990. 216 с.

52. Численные методы решения некорректных задач / А.Н. Тихонов и др.. М. : Наука, 1990.-232 с.

53. Физические величины / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 832 с.

54. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП-транзистора / М.Н. Левин, E.H. Бормонтов, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин // ЖТФ. 1999. - № 8. - С. 60-64.

55. A relaiable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors / G. Groesenecen et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. - V. 31, № 1. - P. 42-53.

56. Прямой метод определения плотности поверхностных состояний по токам накачки заряда / М.Н. Левин, В.И. Литманович, A.B. Татаринцев, В.Е. Чернышев //ФТП.- 1993.-Т. 27, № I.-C. 3-11.

57. Эффект атермической аннигиляции дефектных комплексов в полупроводниках / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин, A.B. Каданцев, Г.И. Котов //

58. Электроника и информатика-2005: Матер. 5-й Международ, науч.-тех. конф. -М,2005.-С. 31-32.

59. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников / А.В. Каданцев, Г.И. Котов, М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Ю.К. Шлык // ПТЭ. 2004. - № 6. - С. 138-139.

60. Милне А. Примеси с глубокими примесями в полупроводниках / А. Милне. -М. :Мир, 1981.-480 с.

61. Eizenberg M. Space-charge-limited current measurements in semi-insulating GaAs / M. Eizenberg, H.J. Hovel // J. Appl. Phys. 1991. - V. 69. - P. 2256-2263.

62. Stoichiometry-dependent native acceptor and donor levels in Ga-rich n-type gallium arsenide / G. Marrakchi et al. // J. Appl. Phys. 1992. - V. 71, № 7. - P. 33253329.

63. Meyer B.K. Energy levels and photo-quenching properties of the arsenic antisite in GaAs / B.K. Meyer, D.P Hofman, J.-M. Speath // J. Phys. C: Solid State Phys. -1987.-V. 20.-P. 2445-2451.

64. Figielski T. Non-Stoichiometric Defects in GaAs Crystals / T. Figielski // Phys. Stat. Sol. (a). 1987.-V. 102.-P. 493-498.

65. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / В.В. Болотов и др. // ФТП. 1980. Т. - 14, № 11. - С. 2257-2259.

66. Радиационное упорядочение структуры несовершенных полупроводниковых кристаллов / И.П. Чернов и др. // ФТП. 1980. - Т. 14, № 11. - С. 2271-2273.

67. Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых дох излучения / П.А. Черданцев и др. // ФТП. 1984. - Т. 18, № 11.-С. 2061-2065.

68. Автоматизированная установка для исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, В.Л. Израйлит, А.В. Татаринцев, С.Г. Кадменский // ПТЭ. 1992. - № 2. - С. 119-122.

69. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней с использованием интегрального преобразования Лапласа / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Ка-данцев, А.Э. Ахкубеков // Полупроводниковые гетероструктуры : сб. науч. тр. -Воронеж, 2005.-С. 96-108.

70. Автоматизированный DLTS спектрометр / М.Н. Левин, A.B. Каданцев, Г.И. Котов, A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // Тонкие пленки и наноструктуры : материалы Международ, науч. конф. М., 2004. - Ч. 2. - С. 206-209.

71. Левин М.Н. Повышение разрешающей способности нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев,

72. A.Э. Ахкубеков // Радиолокация, навигация, связь : материалы XII Международ, науч.-тех. конф. Воронеж, 2006. - Т. 2. - С. 1415-1422.

73. Измерительный комплекс для исследования тестовых структур МДП интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, П.А. Лукьянович, A.B. Каданцев,

74. B.Р. Гитлин // Конденсированные среды и межфазные границы. 2005. - Т. 7, № 4.-С. 355-369.

75. Хоровиц П. Искусство схемотехники: в 2-х т. / П. Хоровиц, У. Хилл. М.: Мир, 1986. - Т. 2. - 569 с.

76. Певзнер В.В. Прецизионные регуляторы температуры / В.В. Певзнер. М. : Энергия, 1973.- 192 с.

77. Кейн В.М. Конструирование терморегуляторов / В.М. Кейн. М. : Советское радио, 1971.- 152 с.

78. Ульрих. В.А. Микроконтроллеры PIC16X7XX / В.А. Ульрих. СПб. : Наука и техника, 2002. - 320 с.

79. Helms C.R. The Physics of Si02 and the Si-Si02 Interface / C.R. Helms, B.E. Deal. New York : Pergamon Press, 1968. - 356 p.

80. The physics of Si02 and its Interface / ed. by S.T. Pantelides. New York : Pergamon Press, 1978.-412 p.

81. Fahzner W.R. Si-Si02 Intrinsic States and Interface Charges / W.R. Fahzner, E. Klausmann. Berlin : Hahn-Meither-Inst. Kern forsch, 1984. - 150 p.

82. Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС / Ф.Л. Эдельман. Новосибирск : Наука, 1980.-256 с.

83. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи/У. Харрисон. Т. 1. - М.: Мир, 1983.-372 с.

84. Силинь А.Р. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02/ А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Рига : Зинанте, 1985. -244 с.

85. Revesz A.G. The defect structure of vitreous Si02 films on silicon. I.Structure of vitreous Si02 and the nature of Si-0 band / A.G. Revesz // Phys. Stat. Sol.(a). 1980. -V. 57.-P. 235-243.

86. Revesz A.G. Chemical and structural aspects of the irradiation behavior of Si02 films on silicon / A.G. Revesz // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1977. - V. 24, № 6. - P. 2102-2107.

87. Revesz A.G. The defect structure of vitreous Si02 films on silicon. Il.Channel and network defect in vitreous Si02 / A.G. Revesz // Phys. Stat. Sol.(a). 1980. - V. 57.-P. 657-667.

88. XPS studies of structure induced radiation effects at the Si-Si02 interface/ F.J. Grunthaner et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1980. - V. 27, № 6. - P. 1640-1646.

89. The physics of Si02 and its Interface / ed. by S.T. Pantelides. NewYork : Pergamon Press, 1978.-412 p.

90. Grunthaner F.J. Experimental observation of the Chemistry of the SiO/Si interface / F.J. Grunthaner, J. Maserjiam // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1977. - V. 24, № 6. - P. 2108-2112.

91. Grunthaner F.J. Radiation-induced defects in Si02 as determined with XPS / F.J. Grunthaner, P.J. Grunthaner, J. Maserian // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1982. - V. 29, №6.-P. 1462-1466.

92. Griscom D.L. Diffusion of radiolytic molecular hydrogen as a mechanism for the post-irradiation buildup of interface states in Si02-on-Si structures / D.L. Griscom // J. Appl. Phys. 1988. - V. 58, № 7. - P. 2524-2533.

93. Edwards A.H. Theory of defects in the MOS system / A.H. Edwards // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York, 1986. - P. 271-283.

94. Poindexter E.H. Chemical and structural features of inherent and process-induced defects in oxidized silicon / E.H. Poindexter, P.J. Caplan, G.J. Gerardi // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York, 1986. - P. 299-308.

95. Radiation-induced trivalent silicon defect buildup at the Si-Si02 interface in MOS structures / P.M. Lenahan et al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1981. - V. 28, № 6. - P. 4105-4111.

96. Lenahan P.M. Radiation-induced paramagnetic defects in MOS structures / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1982. - V. 29, № 6. - P. 1459-1461.

97. Lenahan P.M. An electron spin resonance study of radiation-induced electrically active paramagnetic centers at the Si-Si02 interface / P.M. Lenahan, P.V. Dressendor-fer//J. Appl.Phys.- 1983.-V. 54,№3.-P. 1457-1460.

98. Lenahan P.M. Hole traps and trivalent silicon centers in metal-oxide-silicon devices / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // J.Appl.Phys. 1984. - V. 55, № 10. - P. 3495-3499.

99. Witham H.S. The nature of the deep hole trap in MOS oxides / H.S. Witham, P.M. Lenahan // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987. - V. 34, № 6. - P. 1147-1151.

100. Native defects at the Si-Si02 interface-amorphous silicon revisited / D.K. Biegelsen et al. //Applications of Surface Science. 1985. -V. 22/23. - P. 879-890.

101. Jupina M.A. Spin dependent recombination: a Si byperfine study of radiation-induced Pb centers at the Si-Si02 interface / M.A. Jupina, P.M. Lenahan // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. - V. 37, № 6. - P. 1650-1657.

102. Nichols D.K. A review of dose rate dependent effects of total ionizing dose irradiations / D.K. Nichols // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. - V. 27, № 2. - P. 10161024.

103. Winokur P.S. Interface-state generation in radiation-hard oxides / P.S. Winokur, H.E. Boesch// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. - V. 27, № 6. - P. 1647-1650.

104. Aslam M. Nature of electron and hole traps in MOS Systems with Poly-Si electrode / M. Aslam, R. Singh, P. Balk // Phys. Stat. Sol.(a). 1984. - V. 84. - P. 659668.

105. Aitken J.M. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02 / J.M. Aitken, D.R. Young // J.AppLPhys. 1978. - V. 49, № 6. - P. 3386-3391.

106. Electron trapping in Si02 at 295 and 77 K / D.R. Young et al. // J. Appl. Phys. -1979. V. 50, № 1 o. - P. 6366-6372.

107. Hartstein A. Identification of electron traps in thermal silicon dioxide films / A. Hartstein, D.R. Young //Appl. Phys. Letts. 1981. -V. 38, № 8. - P. 631-633.

108. The effects of water on oxide and interface trapped charge generation in thermal Si02 films / F.J. Feigl et al. // J. Appl. Phys. 1981. - V. 52, № 9. - P. 5665-5682.

109. Schmitz W. Radiation induced electron traps in silicon dioxide / W. Schmitz, D.R. Young // J. Appl. Phys. 1983. - V. 54, № 11. - P. 6443-6447.

110. DeKeersmaecker R.F. Hole trapping in the bulk of Si02 layers at room temperature / R.F. DeKeersmaecker, D.J. DiMaria // J. Appl. Phys. 1980. - V. 51, № 1. - P. 532-539.

111. Young D.R. Charge trapping in Si02 / D.R. Young // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York, 1986. - P. 487-496.

112. Devine R.A. Ion implantation and ionizing radiation effects in thermal oxides / R.A. Devine // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York, 1986. -P. 519-527.

113. Gdula R.A. The effects of processing on radiation damage in Si02 / R.A. Gdula // IEEE Trans. Electron Dev. 1979. - V. 26, № 4. - P. 644-647.

114. DeKeersmaecker R.F. Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted Si02 layers / R.F. DeKeersmaecker, D.J. DiMaria // J. Appl. Phys. 1980. -V. 51.-P. 1085-1091.

115. Marczewski M. Photoinjection stydies of ion-implantion-induced electron traps in MOS structures / M. Marczewski, I. Strzalkowski // Appl. Phys. A. 1982. - V. 39. -P.233-236.

116. Strzalkowski I. Thermal Depopulation studies of electron traps in ion implanted silica layers /1. Strzalkowski, M. Marczewski, M Kowalsky // Appl. Phys. A. V. 40. -P. 123-127.

117. Alexandrovia S. Microscopic location of electron traps induced by arsenic implantation in silicon dioxide / S. Alexandrovia, D.R. Young // J. Appl. Phys. 1983. - V. 54.-P. 174-179.

118. McWhorter P.J. Radiation response of SNOS nonvolatile transistors / P.J. McWhorter, S.L. Miller, T.A. Dellin // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. - V. 33, № 6. -P. 1414-1419.

119. Sundaresan R. Rapid-thermal nitridation of Si02 for radiation-hardened MOS gate dielectrics / R. Sundaresan, M.M. Matloubian, W.E. Bailey // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1986. V. 33, № 6. - P. 1223-1227.

120. Grove A.S. A model for radiation damage in metal-oxide-semiconductor structures / A.S. Grove, E.H. Snow // Proc. IEEE. 1966. - V. 54. - P. 894-895.

121. Stanley A.G. A model for shifts in the gate turn-on voltage of insulated-gate field-effect devices induced by ionizing radiation / A.G. Stanley // IEEE Trans. Electron Dev.- 1967.-V. 14.-P. 134-138.

122. Mitchell J.P. Radiation-induced space-charge buildup in MOS structures / J.P. Mitchell // IEEE Trans. Electron Dev. 1967. - V. 14, № 11. - P. 764-774.

123. Churchill J.N. Electron irradiation effects in MOS systems / J.N. Churchill, T.W. Collins, F.E. Holmstrom // IEEE Trans. Electron Dev. 1974. - V. 21, № 12. - P. 768-777.

124. Collins T.W. Charge distributions in MOS capacitors for large irradiation doses / T.W. Collins, F.E. Holmstrom, J.N. Churchill // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1979. - V. 26, №6.-P. 5176-5179.

125. Churchill J.N. Dynamic model for e-beam irradiation of MOS capacitors / J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, № 6. - P. 3994-4002.

126. Churchill J.N. Modeling of irradiation-induced changes in the electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures / J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W.

127. Collins // Advances in Electronics and Physics. 1982. - V. 58. - P. 1-79.

128. Sokel R. Numerical analysis of transient photoconductivity in insulators / R. Sokel, R.C. Hughes //J. Appl. Phys. 1982. V. 55. -P.7414-7424.

129. Hughes R.C. Theory of responce of radiation sensing field effect transistors / R.C. Hughes // J. Appl. Phys. 1985. - V. 58, № 3. p. 1375-1378.

130. Герасимов Ю.М. Модель накопления заряда в диэлектрике МДП-структуры / Ю.М. Герасимов, А.Н. Кармазинский // Радиотехника и электроника. 1986. - Т. 31, № 7. - С. 1382-1389.

131. Гуртов В.А. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении / В.А. Гуртов, А.Н. Назаров, Н.В. Травков / ФТП. 1990. - Т. 24, № 6. - С. 969-977.

132. Vinetskii V.L. Charge and potential distribution in dielectric layers of MOS structures under ionixation / V.L. Vinetskii, G.E. Chaika, E.S. Shevchenko // Phys. Stat. Sol.(a). 1974. - V. 26. - P. 743-752.

133. Saturation of threshold voltage shift in MOSFET's at high total dose / H.E. Boesch et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1986. - V. 33, № 6. - P. 1191-1197.

134. Гуров К.П. Кинетика образования положительного объемного заряда в диэлектрике МДП-приборов при облучении / К.П. Гуров, JI.K. Израилева, Л.И. Ко-ломийцев//Микроэлектроника. 1977. -Т. 6, № 2. -С. 163-171.

135. Кинетика накопления индуцированного радиацией заряда в диэлектриках МДП-структур / А.Б. Герасимов и др. // Микроэлектроника. 1980. - Т. 9, № 5. -С. 450-455.

136. Chin M.R. Photocurrent generation in thermal Si02 under X-ray irradiation: significance of constant injection / M.R. Chin, T.P. Ma // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53, №5.-P. 3673-3679.

137. Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МДП-транзисторов / Ю.В. Баранов и др. // ФТП. 1985. - Т. 19, № 10. - С. 1883-1885.

138. Гуртов В.А. Токи затвора и объемный заряд в двуокиси кремния при экспозиции под электронным пучком / В.А. Гуртов, А.И. Назаров, О.Ф. Огурцов // Микроэлектроника,- 1986.-Т. 15,№4.-С. 314-323.

139. Krantz R.J. Applied field and total-dose dependence of trapped charge build up in MOS devices / R.J. Krantz, L.W. Ankerman, T.C. Zeitlow // IEEE Trans. Nucl. Sei. -1987.-V. 34,№6.-P. 1196-1201.

140. Measurement of low-energy X-ray dose enchancement in MOS devices with sili-cide gates / J.M. Benedetto et al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987. - V. 34, № 6. - P. 1540-1543.

141. Benedetto J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1986. - V. 33, № 6. -P. 1318-1323.

142. Dozier C.M. Photon energy dependence of radiation effects in MOS structures / C.M. Dozier, D.B. Brown // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980. - V. 27, № 6. - P. 16941698.

143. McLean F.B. A framework for understanding radiation-induced interface states in Si02 MOS structures / F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980. - V. 27, № 6. -P. 1651-1657.

144. McWhorter P.J. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1990. - V. 37, № 6. - P. 1682-1689.

145. Reversibility of trapped hole annealing / A.J. Lelis et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1988. - V. 35, № 6. - P. 1186-1191.

146. Brown D.B. Electron-hole recombination in irradiated Si02 from a microdo-simetry viewpoint / D.B. Brown, C.M. Dozier // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1981. - V. 28, №6.-P. 4142-4144.

147. Dozier C.M. The use of low energy X-ray for device testing a comparison with Co60 radiation / D.B. Brown, C.M. Dozier // IEEE Trans. Nucl. Sei. - 1983. - V. 30, №6.-P. 4382-4387.

148. Charges in metal-oxide-'semiconductor samples of various technologies induced by 60Co-y and X-ray quanta / H. Ringel et al. // J. Appl. Phys. 1985. - V. 57, № 2. -P. 393-399.

149. Hamm R.N. Dose calculations for Si Si02 - Si layered structures irradiated by X-rays and Co60 gamma rays / R.N. Hamm // IEEE Trans. Nucl. Sei. - 1986. - V. 33, №6.-P. 1236-1239.

150. Winokur P.S. Dependence of interface-state build up on hole generation inirradi-ated MOS capacitors / P.S. Winokur, J.M. Garrity, H.E.Jr. Boesch // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1976. - V. 23, № 6. - P. 1580-1585.

151. Winokur P.S. Comparison of interface-state build up in MOS capacitors subjected to penetrating and nonpenetrating radiation / P.S. Winokur, M.M. Sokoloski // Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 28, № 10. - P. 627-630.

152. Winokur P.S. Interface-state generation in radiation-hurd oxides / P.S. Winokur, H.E.Jr. Boesch // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980. - V. 27, № 6. - P. 1647-1650.

153. Winokur P.S. Two-stade process for build up of radiation-induced interface-states / Winokur P.S. et al. // J. Appt. Phys. 1979. - V. 50, № 5. - P. 3492-3494.

154. Beckmann K.H. Hydrides and hydroxyls in thin silicon dioxide films / K.H. Beckmann, N.J. Harrick // J. Electrochem. Soc. 1971. - V. 118, № 4. - P. 614-619.

155. Sah C.T. Origin of interface states and oxide charges generated by ionizing radiation / C.T. Sah // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1976. - V. 23, № 6. - P. 1563-1568.

156. Shimizu H. Phosphorus-induced positive charge in native oxide of silicon wafers / H. Shimizu, C. Munakata //Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64. - P. 3598-3605.

157. Nature of Defect Centers in Doped Thin Film Si02 / Warren W.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - P. 995-1002.

158. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, A.B. Татаринцев, С.С. Остроухов, С.Г. Кадменский //Микроэлектроника. 2002. - Т. 31, № 6. - С. 408-413.

159. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДПинтегральных схем / В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменский, М.Н. Левин, С.С. Остроухов, A.B. Татаринцев // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2002. -№ 1.-С. 5-12.

160. Electron and hole trapping in doped oxides / W.L. Warren et al. // IEEE Trans Nucl. Sei. 1995. - V. 42, № 6. - P. 1731-1739.

161. X-ray and UV Controlled Adjustment of MOS VLSI Circuits / M.N. Levin et al. // Microelectronics Reliability. 2001. - V. 41, № 2. - P. 185-191.

162. Способ изготовления МДП БИС : Патент РФ №1762688 от 12.08.93 / В.Р. Гитлин, А.Н. Ивакин, С.Г. Кадменский, С.С. Остроухов, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев.

163. Левин М.Н. Моделирование воздействий ионизирующих излучений на структуру металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, Ю.В. Иванков // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4, №3.-С. 195-202.

164. Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, В.Р. Гитлин //Микроэлектроника.-2006.-№ 5.-С. 382-391.

165. Моделирование процессов радиационной технологии в производстве МДП интегральных схем / В. Р. Гитлин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, М.Н Левин

166. Вести. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2004. - № 2. - С. 16-24.

167. Моделирование процессов релаксации радиационного заряда в МОП-структурах / В. Р. Гитлин, А.В. Татаринцев, В.А. Макаренко, Т.Г. Меньшикова // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2003. -№ 1. - С. 71-77.

168. Schwank J.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing / J.R. Schwank, W.R. Dawes // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1983. - V. 30, № 6. - P. 1100-1104.

169. Physical mechanisms contributing to device "rebound" / J.R. Schwank et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1984. - V. 31, № 6. - P.1434-1438.

170. Oldham T.R. Spatial dependence of trapped holes determined from tunneling analysis and measured annealing / T.R. Oldham, A.J. Lelis, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1986. - V. 33, № 6. - P. 1203-1209.

171. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г. Кадменский и др. // Письма в ЖТФ. 1993. - Т. 19, № 3. - С. 41-45.

172. Levin M.N. Relaxation processes induced in Si-Si02 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communications. 1994,-V. 90, № ¡2.-?. 813-816.

173. Berglund C.N. Photoinjection into Si02: electron scattering in the image force potential well / C.N. Berglund, R.J. Powell // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42, № 2. - P. 573-579.

174. Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов / Б.С. Польский. Рига : Зинанте, 1986. - 168 с.

175. Левин М.Н. Радиационное тестирование МДП-элементов интегральных схем / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.Р. Гитлин // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2003. - № 2. - С. 47-53.

176. Радиационное тестирование МДП элементов интегральных схем / Левин М.Н., Татаринцев A.B., Гитлин В.Р., Макаренко В.А. // Кибернетика и высокие технологии XXI века : Материалы VII Международ, науч-тех. конф. Воронеж, 2006.-Т. 1.-С. 246-257.

177. Радиационные методы в твердотельной электронике / B.C. Вавилов и др.. -М. : Радио и связь, 1990. 183 с.

178. Технология СБИС. В 2-х кн. Кн. I. Пер. с англ. / Под ред. С Зи. М. : Мир, 1986.-405 с.

179. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах / М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, В.И. Литманович, A.B. Татаринцев, В.Е. Чернышев // Микроэлектроника. 1992. -Т. 21, №2. -С. 34-41.

180. А. с. СССР № 1119543 от 15.06.1984. Способ определения высоты потенциального барьера на границе раздела в МДП-структуре / В.А. Гольдфарб, М.Н. Левин, В.Ф. Сыноров, Б.Н. Сахаров.

181. Сахаров Б.Н. Особенности фотоэмиссии в МДП-структурах с учетом локализованного в диэлектрике заряда / Б.Н. Сахаров, О.Н. Смирнова, В.А. Гольдфарб //Микроэлектроника. 1981. - Т. 10, № 5. - С. 463-466.

182. Левин М.Н. Влияние внутреннего поля в диэлектрике на фотоэмиссионный ток в МДП-структуре / М.Н. Левин, Б.Н. Сахаров, В.А. Гольдфарб // Микроэлектроника. 1984. - Т. 13, № 1. - С. 47-50.

183. Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron currents / E.H. Nicollian et al. // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42, № 13. - P. 5654-5664.

184. Горелкинский Ю.В. Перенос водорода в субмикронных слоях Si02 на Si / Ю.В. Горелкинский, Н.Н. Невинный, Е.А. Люц // ФТП. 1994. - Т. 28, вып. 1. -С. 41-47.

185. Kato М. Radiation effects on ion-implanted silicon-dioxide films / M. Kato, K. Watanabe, T. Okabe // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989. - V. 36, № 6. - P. 2199-2204.

186. Lisovskii I.P. Effect of UV illumination on electrical properties of MOS layer structures / I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, R.O. Litvinov // Phys. Stat. Sol. (a). -1979.-V. 53,№2.-P. 253-262.

187. The role of hydrogen in radiation-induced defect formation in polysilicon gate MOS devices / Swank J.R. et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1987. - V. 34, № 6. -P. 1152-1157.

188. Saks N.S. Interface trap formation via the two-stage H+ process / N.S. Saks, D.L. Brown // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1989. - V. 36, № 6. - P. 1848-1857.

189. Mrstik BJ. Si-Si02 interface generation during X-ray irradiation and during postirradiation exposure to a hydrogen ambient / B.J. Mrstik, R.W. Rendell // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1991.-V. 38, №6.-P. 1101-1107.

190. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. М. : Мир, 1986.-453 с.

191. Метод Крячко: исследование зарядового состояния границы раздела диэлектрик-полупроводник / В.В. Крячко, В.Н. Будко, М.Н. Левин, А.В. Татаринцев //

192. Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2003. - № 1. - С. 53-61.

193. Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик / В.В. Крячко, М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Е.Н. Бормонтов //ЖТФ.-2004.-Т. 74, вып. 10. -С. 128-133.

194. Пека Т.П. Физические явления на поверхности полупроводников / Т.П. Пека. -Киев : Вища школа, 1984.-214 с.

195. Будко В.Н. Измерение потенциала поверхности металлов и полупроводников компенсационным методом Кельвина-Зисмана / В.Н. Будко, В.В. Крячко // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. - Т. 5, №2. - С. 155161.

196. Барабан А.П. Электроника слоев Si02 на кремнии / А.П. Барабан, В.В. Бу-лавинов, П.П. Коноров. Л. : Изд. ЛГУ, 1988. - 360 с.

197. Nicollian E.N. MOS Pysics and Technology / E.N. Nicollian, J.R. Brews. New York : Wiley - Interseience, 1982. - 351 p.

198. Aitkens J.M. 1 цт-MOSFET VLST technology: radiation effects / J.M. Aitkens // IEEE J. Solid State Circuits. 1979. -V. 14, № 2. - P. 294-315.

199. Mc. Wroter P.J. Simple technique for separating the effects of interface trapsand trapped-oxide charge in metall-oxide-transistore / P.J. Mc.Wroter, P.S. Winokur // Appl. Phys. Lett. 1986. - V. 48, № 2. - P. 133-137.

200. Wilson C.L. Modelling of ionizing radiation effects in short-channel MOSFETs / C.L. Wilson, J.L. Blue // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1982. - V. 29, № 6. - P. 1676-1681.

201. Wilson C.L. Two-dimensional modelling of N-channel MOSFETs included radiation induced interface and oxide charge / C.L. Wilson, J.L. Blue // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1984. - V. 31, № 6. - P. 1448-1453.

202. Двумерное моделирование короткоканальных МОП-транзисторов с учетом поверхностных состояний / М.Н. Левин, А.Г. Кадменский, С.Г. Кадменский,

203. В.И. Литманович, А.В. Татаринцев, В.Е. Чернышев // Автометрия. 1992. -№ 2. -С. 7-12.

204. Muller R.S. Device Elements for Integrated Circuits / R.S. Muller. New York : Wiley - Interseience, 1986. - 226 p.

205. A simple punchthrough model for short-channel MOSFETs / F.C. Hsu et al. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1983. - V. 30, № 10. - P. 1348-1359.

206. Troutman R.R. VLSI limitations from drain-induced barrier lowering / R.R. Troutman // IEEE J. Solid State Circuits. V. 14, № 2. - P. 383-391.

207. Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП-транзистора / Е.Н. Бормонтов, М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, Т.Г. Меньшикова, А.В.Татаринцев // Письма в ЖТФ. 2004. - Т. 30, вып. 9. - С. 73-81.

208. Релаксационные процессы в облученных структурах металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, В.И. Литманович, А.В. Татаринцев, С.И. Шепелевич // Релаксационные процессы в диэлектриках : сб. науч. тр. / Воронеж, 1990.-С. 106-110.

209. Локальные радиационные эффекты в МДП-элементах БИС / М.Н. Левин, С.Г. Кадменский, В.И. Литманович, А.В. Татаринцев // Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра : тез. докл. ХХХХ совещ. Л., 1990. С. 452.

210. Kwok K.N. Effects of Hot-Carrier Trapping in n- and p-Channel MOSFET's / K.N. Kwok, G.W. Taylor // IEEE Trans. Electron Dev. 1983. - V. 30, № 8. - P. 871876.

211. Tsuchiya T. Relationship Between Hot-Electrons/Holes and Degradation of p- and n-Channel MOSFET's / T. Tsuchiya, J. Frey // IEEE Electron Dev. Let. 1985. - V.6, № 1.-P. 8-11.

212. Trapping effects in irradiated and avalanche-injected MOS capacitors/ M. Ba-kowski et al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1978. - V. 25, № 6. - P. 1233-1238.

213. Joshi A.B. A comparison of radiation and hot-electron-induced damages in MOS capacitors with rapid thermally nitrided thin-gate oxides / A.B. Joshi, G.Q. Lo, D.L. Kwong // Solid St. Electron. 1991. - V. 34, № 10. - P. 1023-1028.

214. Effects of X-Ray Irradiation on the Channel Hot-Carrier Reliability of Thin-Oxide n-Channel MOSFET's / J.Y.-C.Sun et al. // Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials. Tokyo, 1986. P. 479482.

215. Определение сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя МДП-структры / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, В.Р. Гитлин // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2005. - № 2. - С. 24-29.

216. Nicollian E.H. Lateral AC Current Flow Model for Metal Insulator - Semiconductor Capacitors / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // IEEE Journal Trans. Electron Dev.- 1965.-V. 12, №7.-P. 108-117.

217. Власенко E.B. Распределение потенциала и плотности заряда инверсионного слоя близ края электрода в МДП-структурах / Е.В. Власенко, В.А. Гергель // Микроэлектроника. 1979. - Т. 8, вып. 5. - С. 445-448.

218. Helman J.S. Internal photoemission theory / J.S. Helman, F. Sanchez-Sinencio // Phys. Rev. B. 1973. - V. 7, № 8. - P. 3702-3708.

219. Caroli C. Internal photoemission of holes from semiconductor into semiconductor / C. Caroli, J.S. Helman, F. Sanchers // Phys. Rev. B. 1975. - V. 11, № 2. - P. 980985.

220. Kadlec J. Results and problems of photoemission in sandwich structures / J. Kadlec, K.H. Gundlach // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. - V. 37. -№ 9. - P. 9-28.

221. Kadlec J. Theory of internal photoemission in sandwich structures / J. Kadlec // Physica Reports, Phys Lett.: Sec.C. 1976. - V. 26, № 2. - P. 69-98.

222. Solver M. Comment on Electron scattering in the image potential well / M. Solver, P. Smejtek // J. Appl. Phys. 1972. м V. 43, № 5. - P. 2451-2453.

223. Гриценко B.A. Аномальное рассеяние фотоинжектированных электронов ваморфных пленках / В.А. Гриценко // Письма в ЖЭТФ. 1978. - Т. 27, № 7. - С. 400-402.

224. Powell R.J. Photoinjection studies of charge distributions in oxides of MOS structures / R.J. Powell, C.N. Berglund // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42, № 11. - P. 43904397.

225. Brews J.R. Limitations upon photoinjection studies of charge distributions close to interfaces in MOS capacitors / J.R. Brews // J. Appl. Phys. 1973. - V. 44, № 1. - P. 379-384.

226. Lych W.T. Predicted effect of exponential charging profiles on photoinjected currents in silicon dioxide / W.T. Lych // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43, № 7. - P. 30233027.

227. Goodman A.M. Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide / A.M. Goodman / Phys. Rev. B. 1966. - V. 152, № 2. - P. 780-784.

228. Lepek A. Photoconductivity and internal photoemission in semiconductors diamond / A. Lepek, A. Halperin, J. Levinson // Phys. Rev. B. 1979. - V. 19, № 4. - P. 2250-2255.

229. Fudjimaki Y. Richardson-Schottky type photoinjection current from photoconduc-tor into insulating liquid / Y. Fudjimaki // Jap. Journal Appl. Phys. 1979. - V. 18, № 11.-P. 2087-2092.

230. Interface barrier in metal-aluminum nitride-silicon structure by internal photoemission / M. Morita et al. // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53, № 5. - P. 3694-3697.

231. DiMaria D.J. Capture and emission of electrons of 2.4 eV deep trap level in S1O2 films / D.J. DiMaria, F.J. Feigl, S.R. Butler // Phys. Rev. B. 1975. - V. 11, № 12. -P.5023-5030.

232. Powell R.J. Photoinjection into Si02.' use of optical interference to determine electron and hole contributions / R.J. Powell // J. Appl. Phys. 1969. - V. 40, № 13. - P. 5093-5101.

233. Vodenicharov C.M. A new method for the determination of the metal-insulator (semiconductor) work function by photo-emission measurements / C.M. Vodenicharov, A.A. Stanchev, S.G. Ckristov // Phys. St. Sol. (a). 1982. - V. 69, № 2. - P. 541-546.

234. Добрецов JI.H. Эмиссионная электроника / Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова,-М.: Наука, 1966.-564 с.

235. Lewerenz H.J. Low energy investigation of photoemission from inderect optical excitations / H.J. Lewerenz, J.K. Sass, E. Piltz // Surface science. 1979. - V. 80. - P. 141-150.

236. Kane E.O. Theory of photoelectric emission from semiconductors / E.O. Kane // Phys. Rev. B. -1962.-'V. 127, № 1.-P. 131-152.

237. DiStefano Т.Н. Structure of the Si02-Si interface by internal photoemission / Т.Н. DiStefano // Proc. Int. Conf. on physics of Si02 and its interfaces. New York, 1978. -P. 362-365.

238. Бродский A.M. Теория электронной эмиссии из металлов / A.M. Бродский, Ю.Я. Гуревич. М.: Наука, 1973. - 255 с.

239. Photocurrents in MOS devices / Geddo M. et al. // Thin Solid Films. 1976. - V. 36, № l.-P. 243-246.

240. DiMaria D.J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and cen-troids from photocurrent voltage characteristics of MOS-structures / D.J. DiMaria // J. Appl. Phys. - 1976. - V. 47, № 9. - P. 4073-4077.

241. Thomas J.H. Electron trapping levels in silicon dioxide thermally grown in silicon /J.H. Thomas, F.J. Feigl //J. Phys. Chem. Sol. 1972. -V. 33, № 12. - P. 2197-2216.

242. Thomas J.H. Transit photodepopulation measurements of electron trap distributions in thin Si02 films on silicon / J.H. Thomas // J. Appl. Phys. 1973. - V. 44, № 2. -P. 811-814.

243. Powell R.J. On the determination of charge centroids in insulators by photoinjection or photodepopulation / R.J. Powell // Appl. Phys. Lett. 1977. - V. 31, № 4. - P. 290-291.

244. Grabski J. Determination of spatial distribution profile of immobile charge in MIS dielectric layer by optical stimulation of trapping states / J. Grabski, Z. Majewski // Electron Technology. 1979. - V. - 12, № 3. - P. 75-87.

245. Barrnel F. Study on Al-Si3N4 interface by photoinjection measurements in MNS and MNOS sandwiches / F. Barrnel, J.C. Phister // Thin Solid Films. 1975. - V. 28. -P. 323-335.

246. Моделирование радиационного токопереноеа в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, A.B. Каданцев, В.Р. Гитлин // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2005. -№ 2. - С. 30-37.

247. Christensen О. Quantum efficiency of the internal photoelectric effect in silicon and germanium / 0. Christensen // J. Appl. Phys. 1976. - V. 47, № 2. - P. 689-694.

248. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока / М.Н. Левин, E.H. Бормонтов, О.В. Волков, С.С. Остроухов, A.B. Татаринцев // ЖТФ. 2001. - Т. 71. - вып. 3. - С. 46-51.

249. Powell R.J. Interface barrier energy determination from voltage dependence of photoinjected currents / R.J. Powell // J. Appl. Phys. 1970. - V. 41, № 6. - P. 24242431.

250. A.c. СССР № 1200769 от 22.10.1985. Способ определения высоты потенциального барьера на границе раздела полупроводник-диэлектрик / В.А. Гольд-фарб, М.Н. Левин, В.Ф. Сыноров, Б.Н. Сахаров.

251. Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы / В.И. Алыииц и др. // Кристаллография. 2003. - Т. 48, № 5. - С. 826-854.

252. Эффекты магнитного воздействия на механические свойства и реальную структуру немагнитных кристаллов / A.A. Урусовская и др. // Кристаллография. 2003. - Т. 48, № 5. - С. 855-872.

253. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел / Г.И. Дистлер и др. // ДАН СССР. 1983. - Т. 268, № 3. - С. 591593.

254. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля / В.И. Альшиц и др. // ФТТ. 1987. - Т. 29, № 2. - С. 467-470.

255. Головин Ю.И. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов//Письма в ЖЭТФ.- 1993.-Т. 58, №3,-С. 189-192.

256. Головин Ю.А. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле / Ю.А. Головин, O.JI. Казакова, Р.Б. Моргунов // ФТТ. -1993. -Т. 35, № 5. С. 1384-1386.

257. Головин Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в моно!фисталлах NaCl / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // ФТТ. 1995. -Т. 37, №5.-С. 1352-1361.

258. Головин Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCliCa / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // ФТТ. -1995. Т. 37, № 7. -С. 2118-2121.

259. Головин Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макро-пластического течения ионных кристаллов / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // Письма в ЖЭТФ. 1995. - Т. 61, № 7. - С. 583-586.

260. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магнитным полем / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, A.B. Тютюнник // Известия РАН (сер. физическая).1995.-Т. 59, № 10.-С. 3-7.

261. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле / Ю.И. Головин и др. // Известия РАН (сер. физическая). 1996. - Т. 60, № 9. - С. 173-178.

262. Долгоживущие состояния дефектов структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем / Ю.И. Головин и др. // ФТТ.1996. Т. 38, № 10.-С. 3047-3049.

263. Головин Ю.И. In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах КС1:Са / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // ФТТ. 1997. - Т. 39, № 4. - С. 630-633.

264. Головин Ю.И. Магнитопластические эффекты в кристаллах / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // Известия РАН (сер. физическая). 1997. - Т. 61, № 5. - С. 850859.

265. Головин Ю.И. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов //Известия РАН (сер. физическая). 1997. - Т. 61, № 5.-С 965-971.

266. Головин Ю.И. Роль внутренних механических напряжений в магнитости-мулированном движении дислокаций / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов // Кристаллография. 1998. - Т. 43, № 4. - С. 689-693.

267. Фотовозбуждение магниточувствительных точечных дефектов в ионных кристаллах / Ю.И. Головин и др. // Кристаллография. 1998. - Т. 43, № 5. - С. 912-916.

268. Головин Ю.И. Оптическое возбуждение магниточувствительных центров в ионных кристаллах / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.З. Шмурак // Доклады РАН. 1998. - Т. 360, № 6. - С. 753-755.

269. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей / A.A. Урусовская и др. // ФТТ. 2000. - Т. 42, № 2. -С. 267-269.

270. Обратимые и необратимые изменения пластических свойств кристаллов NaCl, вызванные действием магнитного поля / Ю.И. Головин и др. // ФТТ. -1998. Т. 40, № 11. - С. 2065-2068.

271. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl / Ю.И. Головин и др. // ФТТ. 1998. - Т. 40, № 12. - С. 2184-2188.

272. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов С60 / Ю.А. Осипьян // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 69, № 2. - С. 110-113.

273. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS / Ю.И. Головин и др. // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 69, №2.-С. 114-118.

274. Головин Ю.И. Влияние магнитного поля на макросвойства реальных диамагнитных кристаллов (часть 1) / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // Материаловедение. 2000. - Т. 115, № 3. - С. 2-9.

275. Головин Ю.И. Влияние магнитного поля на макросвойства реальных диамагнитных кристаллов (часть 2) / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // Материаловедение.-2000.-Т. 115, №4.-С. 2-7.

276. Тяпунина H.A. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF / H.A. Тяпунина, В.Л. Красников, Е.П. Белозерова // ФТТ. 1999. - Т. 41, № 6.-С. 1035-1041.

277. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле / В.И. Альшиц и др. // ФТТ. 2000. - Т. 42, № 2. - С. 270-272.

278. Альшиц В.И. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова // ЖЭТФ. 1997. - Т. 111, № 2.-С. 615-626.

279. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта / М.И. Молоцкий // ФТТ. 1991. - Т. 33, № 10.-С. 3112-3114.

280. Molotskii М., Fleorov V. Influence of static and alternative magnetic fields on plasticity of crystals / M. Molotskii, V. Fleorov // Phil. Mag. Letters. 1996. - V. 73. -P.ll-13.

281. Головин Ю.И. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // Доклады РАН. -1997. -Т.354, № 5. С.632-634.

282. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl / Ю.И. Головин и др. // Письма в ЖЭТФ. 1998. - Т.68, № 5. - С.400-405.

283. Эффекты разупорядочения ионных кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний в условиях парамагнитного резонанса / Ю.И. Головин и др. // ЖЭТФ.-2000.-Т. 117, №6.-С. 1080-1093.

284. Бучаченко А.Л. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях / А.Л. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, K.M. Салихов. Новосибирск : Наука, 1978. - 295 с.

285. Изменение упруго-напряженного состояния структур Si-SiC>2 / H.B. Кукушкин и др. // ЖТФ. 1985. - Т. 55. - Р. 2083-2085.

286. Релаксационные процессы перестройки реальной структуры кремния после

287. ИМП / С.Н. Постников и др. // Обработка импульсным магнитным полем : матер. V науч-тех. семин. София-Нижний Новгород, 1992. С. 30-37.

288. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si /М.Н. Левин, Б.А. Зон.-ЖЭТФ.- 1997.-Т. 111,№3.-С. 1-26.

289. Levin M.N. Pulsed magnetic field induced 3-D islanding of oxigen contained clusters in Cz-Si crystals / M.N. Levin, В .A. Zon // Mater. Res. Soc. Proc. 2000. - V. 39. - P. 429-434.

290. Levin M.N. Magnetic-field induced generation of A-like centers in Cz-Si crystals / M.N. Levin, B.A. Zon // Phys. Lett A. 1999. - V. 260. - P. 386-390.

291. Левин М.Н. Долговременные изменения параметров МДП-структур, индуцированные импульсными магнитными полями / М.Н. Левин, Ю.А. Капустин, В.М. Масловский // Физика окисных пленок : матер. Всеросс. науч.-тех. конф. Петрозаводск, 1994.-С. 58-59.

292. Levin M.N. Pulsed magnetic field induced effects in silicon:experiment and theory / M.N. Levin, B.A. Zon // International Symposium on Si heterostructures: from physics to devices. -Heraclion. Crete Creece, 1995. P. 183.

293. Левин М.Н. Самоорганизующиеся процессы в кристаллах кремния, обработанных ИМП / М.Н. Левин, Л.А. Битюцкая, Е.С. Машкина // Синергетика, структура и свойства материалов, самоорганизующиеся технологии : матер, симпозиума. Москва, 1996. - С. 88-90.

294. Давыдов В.Н. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем / В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, Е.П. Найден// ФТП. 1989. - Т. 23, № 9. - С. 1596-1599.

295. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе БЬ-Аз / Левин М.Н. и др. // ФТТ. 2003. - Т. 45, № 4. - С. 609-612.

296. Левин М.Н. Эффект магнитно-индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях АИ1ВУ / М.Н. Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова //ДАН. 2003. - Т. 388, вып. 5. - С. 608-610.

297. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия / Левин М.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28, вып. 19. -С. 50-55.

298. Климов Ю.А. Воздействие импульсного магнитного поля на электрофизические параметры МДП-структур / Ю.А. Климов, В.М. Масловский, В.В. Тарасенко //. Электронная техника. Сер.З. 1990. - Вып. 5 (139). - С. 20-25.

299. Климов Ю.А. Долговременная релаксация параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитного поля / Ю.А. Климов, В.М. Масловский, К.В. Холоднов // Электронная техника. Сер.З. 1991. - Вып. 5 (144). - С. 22-26.

300. Изменение электрофизических параметров систем БьБОг, индуцированные импульсным магнитным полем / Масловский В.М. и др. // ФТП. 1994. - Т. 28, №5.-С. 772-777.

301. Бучаченко А.Л. Магнитные эффекты в химических реакциях / А.Л. Бучачен-ко // Успехи химии АН СССР. 1976. - Т. ХЬХ, № 5. - С. 761-792.

302. Молоцкий М.И. Отрицательный магнитопластический эффект в немагнитных кристаллах / М.И Молоцкий // ФТТ. 1993. - Т. 35. - С. 11-14.

303. Maslovsky V.M. Charge stability of Si-Si02 systems and its changes induced by a pulsed magnetic field treatment / V.M. Maslovsky, J.O. Litchmanov, N.S. Samsonov // Phys. Lett. A.- 1995.-V. 197.-P. 253-256.

304. Plans J. Theoretical study of oxygen in silicon: breaking of the Si-Si bond / J. Plans, G. Diaz, E. Martinez / Phys. Rev. B. 1987. - V. 35, № 2. - P. 788-791.

305. Belyavsky V.I. Spin effects in defect reactions / V.I. Belyavsky, M.N. Levin // Phys. Rev. B. 2004. - V. 70. - P. 104101(8).

306. Белявский В.И. Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах / В.И. Белявский, Ю.В.Иванков, М.Н. Левин // ФТТ. 2006. - Т. 48, вып. 7. - С. 1255-1259.

307. Belyavsky V.I. Defect-induced lattice magnetism: Phenomenology of magnetic-field-stimulated defect reactions in nonmagnetic solids / V.I. Belyavsky, M.N. Levin, N.J. Olson // Phys. Rev. B. 2006. - V. 73. - P. 054429(6).

308. Левин М.Н. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсульфата / М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин // ФТТ. 2003. - Т.45, № 9. - С. 1680-1684.

309. Магнитостимулированное геттерирование в кремнии / М.Н. Левин, А.В. Та-таринцев, В.Р. Гитлин, О.А. Косцова, Э.А. Долгополова // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т.6, № 3. - С. 260-263.

310. Выявление скрытых дефектов в МДП-элементах интегральных схем воздействием импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, В.Р. Гитлин, В.Н. Прасолов, О.А. Косцова // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. - № 2. - С. 29-34.

311. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, О.А. Косцова, А.М Косцов // ЖТФ. 2003. - Т. 73, вып. 10. - С. 85-87.

312. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов Cz-Si после воздействия импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Л.А. Битюцкая, Г.Д. Селезнев // Конденсированные среды и межфазные границы. -2003.-Т. 5,№2.-С. 213-215.

313. Левин М.Н. Модификация поверхности полупроводниковых кристаллов импульсными магнитными полями / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, O.A. Косцова // Электроника и информатика 2002 : тез. докл. IV Междунар. науч-тех. конф. М., 2002. -Ч. 1.- С. 237-238.

314. Якушев А.И. Взаимозаменяемость, стандартизация и технические измерения / А.И. Якушев, Л.Н. Воронцов, Н.М. Федотов. М. : Машиностроение, 1986. -352 с.

315. Левин М.Н. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации / М.Н. Левин, В.Н. Семенов, A.B. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27, вып. 7. - С. 35- 39.

316. Косцов A.M. Абсорбционные спектры кристалла триглицинсульфата в коротковолновом диапазоне / A.M. Косцов // Изв. РАН (сер. физическая). 2000. -Т. 64,№9.-С. 1712-1713.

317. Влияние предварительной импульсной магнитной обработки кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления / М.Н. Левин, Г.В. Семенова, A.B. Та-таринцев, О.Н. Шумская // Письма в ЖТФ. 2005. - Т. 31, вып. 17. - С. 89-94.

318. Окисление кристаллов фосфида индия с предварительной магнитной'обработкой / Г.В. Семенова, О.Н. Шумская, A.B. Татаринцев, Э.А. Долгополова, М.А. Дронов, М.Н. Левин // Конденсированные среды и межфазные границы. -2005.-Т. 7, №2.-С. 150-153.

319. Сошников И.М. Окисление фосфида индия концентрированной азотной кислотой в присутствии иода / И.М. Сошников, H.H. Дементьев // Химия: Теория и технология. 1999. -№ 2. - С. 43-48.

320. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уман-ский и др.. М. : Металлургия, 1982. - 632 с.

321. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2!!IB3VI (110)/ Б.И. Сысоев и др. // ФТП. 1995. - Т. 29, № I. - С. 24-32.

322. Hughes G.J. An investigation of the passivating effects of hydrogen sulphide on the GaAs (100) surface / G.J. Hughes, L. Roberts, O.M. Henry // Mater. Sei., Eng. B. 1991.-V. 9.-P.37-41.

323. Электронное состояние в приповерхностной области GaAs, обработанной в парах селена с мышьяком / Агапов Б.Л. и др. // ФТП. 1999. - Т. 33, вып. 6. -С.712-715.