Выращивание и исследование напряженных ВТСП YBaCuO пленок тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

Глава I. Выращивание ВТСП пленок YBaCuO методом лазерной абляции

1.1. Метод лазерной абляции для выращивания ВТСП пленок YBaCuO

1.2. Экспериментальная установка и методика измерения сверхпроводящих параметров YBaCuO пленок.

1.3. Взаимодействие лазерного излучения с поверхностью мишени YBaCuO

1.4. Формирование и рост пленок YBaCuO на монокристаллических подложках

Глава II. Влияние макроструктуры на сверхпроводящие параметры YBaCuO пленок

2.1. Макроструктура YBaCuO материалов

2.2. Связь макроструктуры со сверхпроводящими параметрами YBaCuO пленок

2.3. Температурная зависимость плотности критического тока YBaCuO пленок, выращенных методом лазерной абляции.

Глава III. Выращивание и исследование напряженных сверхпроводящих YBaCuO пленок

3.1. Выращивание ВТСП напряженных YBaCuO пленок методом лазерной абляции

3.2. Механизм подавления плотности критического тока в YBaCuO напряженных пленках

3.3. Исследование ВТСП напряженных YBaCuO пленок методом сканирующей микроскопии.

3.4. Температурные зависимости плотности критического тока ВТСП напряженных YBaCuO пленок

Глава IV. ВТСП-сквид на основе YBaCuO пленки

4.1. Сквиды на основе YBaCuO материалов

4.2. Магнитометры на основе ВТСП dc-сквидов

4.3. Высокотемпературный сверхпроводящий тонкопленочный dc-сквид.

Актуальность проблемы. Высокотемпературная сверхпроводимость - одно из наиболее быстро развивающихся направлений современной физики конденсированных сред. Острый интерес к ней обусловлен не только тем, что до сих пор не найдены ответы на фундаментальные вопросы о ее природе, но, пожалуй, в большей мере огромными возможностями ее использования в прикладных целях. В первую очередь ВТСП структуры интересны с точки зрения создания высокочувствительных устройств - СКВИДов(8ирегсо ducting Quantum Interference Device - SQUID). Причем наибольший интерес представляют пленочные СКВИДы. В настоящее время за рубежом разрабатываются СКВИДы на бикристаллических подложках и на подложках, сформированных в виде ступеньки. Технология изготовления СКВИ-Дов на ВТСП пленках, выращенных на таких подложках является очень сложной, причем сама ВТСП структура на границе или ступеньке формируется не монокристаллическая, а потому подвержена дегра-дационным процессам.

До недавнего времени, изучение ВТСП пленок (на кафедре Общей Физики ОмГУ) шло, в основном, по двум направлениям - изготавливались и изучались ВТСП пленки двух типов: монокристаллические и гранулярные пленки. В конечном счете, цель исследования этих пленок заключалась в достижение оптимальных параметров (критический ток и т.п.) и их различных свойств (физических и химических, например: структурную устойчивость этой пленки к термоциклированию, а также химическую устойчивость к атмосферным газам), для последующего их применения - изготовления СКВИДов. Но оказалось, что ВТСП монокристаллические и гранулярные пленки не удовлетворяют (оптимальным параметрам) требованиям, предъявляемым к ним для последующего изготовления СКВИДов. Гранулярные пленки при термоци-клировании вскоре деградируют (что недопустимо в работе СКВИДа), а монокристаллические пленки имеют достаточно большое значение Jc, так же нежелательное для работы СКВИДа, так как это уменьшает его чувствительность. Характерное значение плотности критического тока монокристаллических пленок ~ Ю^А/см2 давало значение критического тока СКВИДа порядка миллиампера. Лучшие СКВИДы с высокой чувствительностью имели значение критического тока около 50 мкА и ниже.

Актуальной задачей остается получение ВТСП пленок, которые удовлетворяли бы следующим параметрам: высокая устойчивость к тер-моциклированию - сохранение сверхпроводящих свойств (плотности критического тока) в течение относительно большого количества термоциклов, что характерно для монокристаллических пленок, и небольшое значение плотности критического тока Jc, что характерно для гранулярных пленок.

Состояние проблемы.

В настоящее время наиболее эффективным методом для выращивания высококачественных ВТСП пленок является метод лазерной абляции [3-20]. Для полного понимания механизма образования и роста пленок на различных подложках требуется не только оптимальный подбор большого числа параметров напыления (параметры лазерного излучения, температура подложки, давление по кислороду, расстояние мишень-подложка и др.), но и ясное понимание физических процессов, определяющих качество выращиваемых пленок. К таким процессам относятся механизм переноса вещества мишени на рабочую поверхность подложки в процессе взаимодействия импульсного лазерного излучения с поверхностью ВТСП мишени, механизм роста тонких сверхпроводящих пленок на монокристаллических подложках, влияние условий выращивания на сверхпроводящие параметры, устойчивость к деградации и макроструктуру YВаСиО пленок и множество других.

Исследования по лазерной абляции в основном посвящены физическим процессам протекающим в факельной плазме, энергетическим характеристикам элементов плазмы. Однако, для более полного понимания механизма переноса вещества мишени на поверхность подложки требуются исследования процессов, происходящих в самой ВТСП мишени при воздействии на него мощного лазерного излучения, что и будет определять механизм отрыва и энергетические характеристики частиц. Во многих работах, где приводятся результаты исследований макроструктуры YBaCuO пленок, не указываются значения сверхпроводящих параметров, непосредственно связанных с макроструктурой, что позволило бы надежно классифицировать низко- и высококачественные пленки по некоторым из них. Несмотря на достигнутые успехи в выяснении механизма эпитаксиального роста YBaCuO пленок на монокристаллических подложках, связанных с упругонапряженными состояниями на границе пленка-подложка, химической активностью материалов пленки и подложки, с преимущественной ориентацией по тому или иному кристаллографическому направлению при эпитакси-альном росте пленок и т.д., нет ясного понимания причин, вызывающих рост YBaCuO пленок с макроструктурой, свойственной как поли-, так и монокристаллам и связанный с этим огромный разброс значений сверхпроводящих параметров пленок (в особенности, плотности критического тока Jc - почти на пять порядков) при относительно небольших изменениях условий напыления. Механизм деградации сверхпроводящих свойств при воздействии таких элементов воздуха, как вода и углекислый газ [79 - 89], интересен не только как дополнительный метод исследования физических свойств YВаСиО материалов, но также с точки зрения пригодности YBaCuO пленок как основы для сверхпроводящей микроэлектроники. В этом случае необходимы исследования устойчивости к деградации в условиях, наиболее приближенных к эксплуатационным, т. е. устойчивость к термоциклированию в интервале температур 77 -г 300 К на воздухе. В настоящее время несколько исследовательских групп разрабатывают и исследуют тонкопленочные ВТСП-сквиды постоянного тока. Как показывают результаты экспериментов [159-167], эти сквиды демонстрируют разрешение сигналов на уровне 10~12Тл/Гц1/2, выдерживают многократное погружение в жидкий азот, работают в земном магнитном поле и демонстрируют схожие характеристики с низкотемпературными сквидами. Такие тонкопленочные ВТСП-сквиды постоянного тока изготавливаются на бикри-сталлических подложках и на ступеньках, что существенно усложняет технологию и повышает себестоимость продукции. В ряде работ было выяснено, что для оптимальной работы приборов на основе пленок из ВТСП материалов очень важно сочетание ряда сверхпроводящих параметров. Первостепенное значение в этом смысле занимает рабочий ток таких элементов, а значит и критический ток пленки и соответствующая ему плотность этого тока. Чувствительность СКВИДа тем выше, чем меньше параметр (3 = 21СЬ/Ф0. Кроме того существенное влияние на работу подобных элементов оказывает параметр ассиметрии плеч СКВИДа по току: а = (IC2 — /ci)//c, где 1С\ и /с2- критические токи через первое и второе плечо сответственно, а /с = 1С\ +/С2- Как показали эксперименты этот параметр существенно зависит от структуры, получаемых пленок, и близок к нулю у монокристаллических YBaCuO пленок. Таким образом, для изготовления СКВИДов необходимо сочетание низкой плотности критического тока, присущей гранулярным пленкам (Jc ~ 104А/м2) и макроструктурой, характерной для монокристаллических пленок со всеми вытекающими отсюда свойствами.

Цель и задачи работы.

Целью работы являются исследования: влияния условий выращивания методом лазерной абляции на структуру и сверхпроводящие параметры YBaCuO пленок, температурных зависимостей плотности критического тока пленок, влияния скорости охлаждения пленок после процесса напыления на транспортные свойства пленок, создание сверхпроводящего квантового интерференционного датчика (СКВИДа) на основе напряженных пленок. В процессе выполнения работы были поставлены и решены следующие основные задачи:

1. Выращены напряженные ВТСП пленки YBaCuO, обладающие температурными зависимостями плотности критического тока, отличающиеся от зависимостей монокристаллических и гранулярных пленок немонотонным характером. Эти пленки устойчивы к деградации и проявляют диамагнитные свойства монокристаллических пленок.

2. Показано, что одним из важных параметров выращивания напряженных пленок является скорость охлаждения, влияющая на "замораживание" механических напряжений в пленке и образование доменной структуры.

3. Обнаружено, что на температурных зависимостях плотности критического тока напряженных пленок в области 50 - 55 К возникают минимумы плотности критического тока, глубина которых зависит от скорости охлаждения.

4. Предложена качественная модель подавления плотности критического тока в напряженных пленках, основанная на представлениях о междоменной границе как джозефсоновском переходе.

5. Показано, что термоциклирование напряженных пленок мало влияет на плотность критического тока при азотной температуре (77 К). При плотности критического тока порядка 103 — 105^4/сж2, напряженные пленки имеют отличную от нуля магнитную восприимчивость.

6. На основе напряженных YBaCuO пленок изготовлен dc- сквид с новой геометрией и обладающий чувствительностью порядка Ю-5 — 10~6 Фо/Гг^1/2, где Фо - квант магнитного потока.

Объекты и методы исследования.

В работе использовались экспериментальные методы исследования. При получении YBaCuO пленок использовался импульсный лазер Nd : YAG (ЛТИ 403). Мишенями служили таблетки керамического YBaCuO. Измернния сверхпроводящих параметров YBaCuO пленок проводились четырехзондовым методом. В качестве подложек использовались монокристаллические пластины £УТг'Оз(ЮО), ЬаАЮ^(Ю0) и сапф ира(100). Исследования структуры проводились с использованием оптической (Neophot-2) и электронной микроскопии ("BS-350" TESLA), а также с помощью сканирующего тунельного микроскопа СММ-2000Т. Температурные зависимости плотности критического тока снимались при помощи стандартного четырехзондового метода, при фиксированной температуре. В качестве криогенной ячейки использовалась криогенная установка НВК, позволяющая охлаждать образцы до температуры порядка 15-16 К.

Научная новизна.

1. Выращены методом лазерной абляции и исследованы напряженные ВТСП пленки YBaCuO, обладающие высокой критической температурой и низкими значениями плотности критического тока, т.е. совмещающие свойства монокристаллических и гранулярных пленок. Исследовано влияние скорости охлаждения YBaCuO пленок после процесса напыления на их сверхпроводящие свойства и структуру.

2. Предложена качественная модель подавления плотности критического тока в напряженных пленках, основанная на представлениях о междоменной границе как джозефсоновском переходе и возникновением кулоновской блокады.

3. Исследована устойчивость сверхпроводящих(СП) параметров напряженных YBaCuO пленок к термоциклированию в интервале температур от 300 до 77 К. Показано, что термоциклирование не влияет на плотность критического тока при азотной температуре.

4. Получены температурные зависимости плотности критического тока для монокристаллических, гранулярных и напряженных YBaCuO пленок в интервале температур от 16 до 100 К. Температурные зависимости плотности критического тока напряженных пленок сильно отличаются от температурных зависимостей, характерных для монокристаллических и гранулярных пленок и не описываются известными теориями.

5. Исследовано влияние термоциклирования на вид температурных зависимостей плотности критического тока YBaCuO пленок. Показано, что происходит обратимая релаксация механических напряжений.

6. Показано, что напряженные YBaCuO пленки оптимально пригодны для создания dc-СКВИДов с высокой чувствительностью и могут успешно конкурировать со СКВИДами, изготовленными на ступенчатых и бикристаллических подложках.

Научная и практическая значимость.

Результаты работы позволяют глубже понять механизм роста тонких YBaCuO пленок, выращенных in situ методом лазерной абляции. Уточнена технология получения пленок с требуемыми для конкретных задач структурой и физическими свойствами. Используя полученные в работе результаты созданы dc-СКВИДы с высокой чувствительностью и разработаны рекомендации для наукоемкой технологии их изготовления и тестирования. СКВИДы могут быть взяты за основу при изготовлении различных высокочувствительных приборов, например, магнитометров для медицины, дефектоскопов, СКВИД-микроскопов и др.

Защищаемые положения.

1. На сверхпроводящие свойства и структуру YBaCuO пленок помимо температуры подложки существенное влияние оказывает скорость охлаждения после напыления, а именно быстрое охлаждение существенно подавляет критический ток (на несколько порядков), при параметрах напыления, характерных для получения монокристаллических пленок. В результате быстрого охлаждения пленки в ней происходит образование доменов напряжений и релаксация механических напряжений, возникающих в пленке, не успевает произойти. Границы между доменами напряжений существенно подавляют критический ток.

2.Температурные зависимости плотности критического тока напряженных пленок существенным образом отличаются от зависимостей монокристаллических и гранулярных пленок: на температурных зависимостях плотности критического тока напряженных пленок обнаружены локальные минимум и максимум. Для всех исследованных напряженных пленок локальный минимум находился в диапазоне температур 50-55 К.

В процессе термоциклирования локальный минимум при некотором числе термоциклов сменяется на монотонно убывающую кривую. При дальнейшем термоциклировании монотонно спадающая кривая вновь сменяется на кривую с локальными минимумом и максимумом.

3. Напряженные пленки по своим свойствам существенным образом отличаются как от монокристаллических, так ж от гранулярных. По величине плотности критического тока эти пленки сравнимы с гранулярными (/с ~ 103 — 104А/см2), а по устойчивости к деградации-ближе к монокристаллическим.

4. ВТСП пленочные СКВИДы, созданные на основе напряженных пленок обладают чувствительностью порядка Ю-5 — 10б Фо/у/Гц и устойчивостью к деградации.

Апробация работы. Результаты работы докладывались: на научных семинарах кафедры общей физики Омского госуниверситета, лаборатории ВТСП Института сенсорной микроэлектроники СО РАН, Института физики прочности и материаловедения СО РАН(г. Томск), на 3-ей Международной научно-технической конференции "Лазерные технологии и средства их реализации" (сентябрь 2000, г. С.Питербург), 15th Internat. Confer, on Coherent and Nonlinear Optics (1995, St.-Petersburg, Russia); EUROMECH Colloquium 363 "Mechanics of laser ablation" (Novosibirsk, Russia, 23-26 June, 1997).

Личный вклад соискателя. Муравьев А.Б. принимал непосредственное участие на всех этапах научно-исследовательской работы по теме диссертации: постановке задач исследования, проведении экспериментов, анализе и обсуждении результатов экспериментов.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, и заключения. Изложена на 146 страницах машинописного текста, иллюстрирована 55 рисунками и 7 таблицами. Список цитируемой литературы содержит 214 наименований.

Основные результаты и выводы.

1. Быстрое охлаждение после процесса напыления приводит к фрагментации материала пленки из-за наличия больших механических напряжений и образованию напряженных состояний ВТСП YBaCuO пленок.

2. Подавление критического тока в напряженных пленках обусловлено границами между доменами напряжений, являющихся джозефсоновскими переходами.

3. Температурные зависимости плотности критического тока напряженных пленок сильно отличаются от зависимостей монокристаллических и гранулярных пленок, что говорит о существенном различии структуры и джозефсоновских свойств.

4. Термоциклирование существенно меняет вид температурной зависимости плотности критического тока напряженных, что объясняется в рамках модели кулоновской блокады.

5. Термоциклирование напряженных пленок мало влияет на плотность критического тока при азотной температуре (77 К). При плотности критического тока порядка 103 — 105А/см2, напряженные пленки имеют отличную от нуля магнитную восприимчивость.

6. На основе напряженных пленок созданы ВТСП пленочные dc-СКВИДы с чувствительностью Ю-5 - 10~6Фо/у/Гц и высокой устойчивостью к деградации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Bednorz J.G., Muller К.A. // Z. Phys., B. 1986. v. 64. P. 189.

2. Wu M.K., Ashburn J.R., Torng C.J. et al. // Phys. Rev. Lett.- 1987. -V. 58. -P. 908.

3. Narayan J., Biunno N., Singh R.et al. // Appl. Phys. Lett. -1987. -V. 51. -P. 1845-1847.

4. Dijhkamp D et al. // Appl. Phys. Lett. -1987. -V. 51. -P. 619-621.

5. Komuro S et al. // Jpn. J. Appl. Phys. -1988. -V. 27. -P. L34-L36.

6. Головашкин А.И. и др. // Письма в ЖЭТФ. -1987. -Т. 46. -С. 200-203.

7. Lynds L et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 52. -P. 320-322.

8. Югай K.H., Скутин A.A., Сероиян Г.М. и др. // СФХТ. -1994. -Т. 7. -N. 6. -С. 1026-1032.

9. Варламов Ю.Д., Врацких В.Ф., Предтеченский М.Р. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. -Т. 14. -N. 22. -С. 2066-2070.

10. Предтеченский М.Р., Смаль А.Н., Варламов Ю.Д., Майоров А.П.// СФХТ. -1992. -N. 6. -С. 1120-1124.

11. Воробьев О.В., Козлов В.И., Корнеев В.В. и др. // СФХТ. -1991. -N. 10. -С. 1935-1937.

12. Ефанов Е.И., Трофимов А.А.// СФХТ. -1991. -N. 9. -С. 1778-1781.

13. Головашкин А.И. и др. В кн.: Тезисы докл. II Всес. конф. по ВТСП. - Киев, 1989. -Т. 2. -С. 198.

14. Руденко Е.Н. и др. В кн.: Тезисы докл. II Всес. конф. по ВТСП. - Киев, 1989. -Т. 2. -С. 260.

15. Коньков К.Э., Молчанов А.С. // СФХТ. -1992. -N. 4. -С. 738-743.

16. Иванов А.А., Братухин П.В., Галкин С.Г. и др. // СФХТ. -1992. -N. 4. -С. 724-731.

17. Прохоров В.Г., Мацуй В.И., Васько В.А.// СФХТ. -1992. -N. 3. -С. 505-509.

18. Гапонов С.В., Гарин Ф.В., Голубев В.Н. и др. // ЖЭТФ. -1989. -Т. 95. -N. 3. -С. 1086-1091.

19. Грехов И.В., Делимова Л.А., ЛинейчукИ.А. и др. // СФХТ. -1990. -N. 8. -С. 1708-1711.

20. Pan V.M., Gaponov S.V., Kaminsky G.G. et al. // Cryogenics. -1989. -V. 29. -N. ЗА. -P. 392.

21. Алфеев B.H., Мощалкова H.A.// СФХТ. -1990. -N. 4. -С. 668-680.

22. Avirovic M., Neumann Ch., Ziemann P. et al. // Sol. St. Commun., -1988. -V. 67. -P. 795.

23. Venkatesan Т., Chase E.W., Wu X.D. et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 53. -P. 243.

24. Li H.C., G. Linker G., Ratzei F. et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 52. -P. 1098.2627 282930 31 [323334 35

25. Предтеченский М.Р., Майоров А.П.// СФХТ. -1993. -N. 5. -С. 1018-1032.

26. Koren G., Polturak Е., Ficher В., Cohen D.// Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 53. -P. 2330.

27. Самохин А.А.// Труды ИОФАН. -1988. -Т. 13, -С. 3.

28. Творогов С.Д., Федосеев В.Г., Югай К.Н.// Изв. вузов. Физика. -1993. -N. 8. -С. 3.

29. Otsubo S., Minamikawa Т. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. -1990. -V. 29. -P. 73.

30. Федер E.// Фракталы. M.: Мир, 1991. -254 С.

31. Дыхне A.M., Юдин Г.Л.// УФН. -1978. -Т. 125. -С. 377-407.

32. Simon R.W., Piatt С.Е., Lee А.Е. et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 53. -N. 26. -P. 2677.

33. W.H. Yang W.H., Hou D.S., Li C.Z.// Solid State Comm. -1990. -V. 75. -N. 5. -P. 421.1.ibowitz K.B. et al. // Phys. Rev. B. -1987. -V. 35. -P. 8821.

34. Вроцких В.Ф., Дунаевский C.M., Духовская E.Jl. и др. // СФХТ. -1991. -N. 9. -С. 1782-1785.

35. Berkowski М. et al. New dielectric substrats for microwave and far-infrared applications of high-Tc thin films. To be publ. in Electronic prop, of high-Tc superconductors and related compositions (Springer series Solid State sciencies), 1990.

36. Акопян Р.Б., Кафадарян Е.А., Никогосян В.Р., Терзян С.С.// СФХТ. -1991. -N. 6. -С. 1181-1182.

37. Singh R.K., Narayan J., Singh. А.К., Krishnaswamy J.// Appl. Phys. Lett. -1989. -V. 54. -N. 22. -P. 2271-2273.

38. Li Q., Meyer O., Xi X.X. et al. // Appl. Phys. Lett. -1989. -V. 55. -N. 17. -P. 1792-1794.

39. Hwang D.M., Ying Q.Y., К wok H.S.// Appl. Phys. Lett. -1991. -V. 58. -N. 21. -P. 2429-2431.

40. Андрианов Д.Г., Ефимов А.Г., Климонский С.О. и др. // СФХТ. -1993. -N. 4. -С. 777-785.

41. С.Т. Cheung, Е. Ruckenstein // J. Mater. Res. -1989. -V. 4. -N. 1. -P. 1-15.

42. Filipczuk S.W.// Physica C. -1991. -V. 173. -P. 1-8.

43. Берт H.A., Карманенко С.Ф., Конников С.Г. и др. // СФХТ. -1991. -N. 4. -С. 756-761.

44. Белоусов М.В., Орехова Н.В., Давыдов В.Ю., Конников С.Г.// СФХТ. -1993. -N. 1. -С. 104-110.

45. Zheng J.Q., Wang Х.К., Shin М.С. et al. // Appl. Phys. Lett. -1991. -V. 58. -P. 2303.

46. Vassenden F., Linker G., Geerk J.// Physica C. -1991. -V. 175. -P. 566.

47. Ивлев A.H., Тищенко Э.А.// СФХТ. -1992. -N. 5. -С. 836-849.

48. Makajima H., Yamaguchi S., Iwasaki K. et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 53.

49. Варламов Ю.Д., Предтеченский M.P., Смаль A.H.// СФХТ. -1990. -N. 11. -С. 2560-2566.

50. Варламов Ю.Д., Предтеченский М.Р., Смаль A.H., Турбин А.В.// СФХТ. -1990. -N. 3. -С. 461-468.

51. Лежнин И.В., Муравьев А.Б., Скутин А.А., Югай К.К., Югай K.H., Серопян Г.М., Сычев С.А.// Вестник ОмГУ. -1997. -N. 1. -С. 41-43.

52. Nefedov V.I. et al. //J. Electron Spectr. and Relat. Phenomena. -1989. -V. 49. -P. 47.

53. Kumar B. et al. // J. Mater. Sci. -1988. -V. 23. -P. 3879.

54. Van Veen G.N.A. et al. // Physica. Ser. C. -1988. -V. 152. -P. 267.

55. Ekin J.W., Larson T.M., Bergen N.F. et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 52. -P. 1819.

56. Tazon Y., Aihara K., Mijabara K. et al. // IEEE Trans. Magn. -1989. -V. 25. -N. 2. -P. 2049-2052.

57. Maley M.P., Willis J.O., Katz J.D. et al. // IEEE Trans. Magn. -1989. -V. 25. -N. 2. -P. 2053.

58. Tzeng Y., Holt A., Ely R. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 52. -N. 2. -P. 155.

59. Mizushima K., Sagoi M., Miura Т., Ioshida J. // Appl. Phys. Lett. -1988. -V. 52. -N. 2. -P. 1101.61. lye Y., Tamegai Т., Takeya H., Takei H.// Jpn. J. Appl. Phys. -1988. -V. 27. -N. 4. -P. L658.

60. Oshima M. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. -1988. -V. 27. -P. L2233.

61. Enokihara A. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. -1989. -V. 28. -P. L452.

62. Williams R.S., Chaudhury S.// Chemistry of HTSQ II. Washington: American Chemical Society, 1988. - Ch. 22.

63. Куприянов М.Ю., Лихарев K.K.// УФН. -1990. -Т. 160. -N. 5. -С. 49-87.

64. Gavaler J.R. et al. // IEEE Trans. Magn. -1989. -V. 25. -P. 803.

65. Технология тонких пленок. Т. 2 / под ред: Л. Майссела, Р. Гленга / М.: Сов. радио, 1977.

66. Муравьев А.Б., Скутин А.А., Югай К.К., Югай К.Н., Серопян Г.М., Сычев С.А.// Вестник ОмГУ. -1996. -N. 2. -С. 33-35.

67. Декорирование поверхности твердых тел / Дистлер Г.И., Власов В.П., Герасимов Ю.М. и др. М.: Наука, 1976. -112 С.

68. Дистлер Г.И., Обронов В.Г.// ДАН СССР. -1971. -Т. 191. -С. 819.

69. Distler G.J., Gerasimov Y.W., Obronov V.G.// Thin Solid Films. -1972. -V. 10. -P. 195.

70. Дистлер Г.И., Обронов В.Г., Герасимов Ю.М.// ФТТ. -1972. -Т. 14. -С. 682.

71. Dumler I., Marrapodi M.R.// Thin Solid Films. -1972. -V. 12. -P. 279-285.

72. Ackermann M., Vermaak J.S., Snyman Н.С.// Surface Sci. -1973. -V. 34. -P. 1394-1400.75 76 [7778