Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§ I.I. Область гомогенности теллурида кадмия.

§ 1.2. Собственные дефекты в CdTe.

§ 1.3. Взаимодействие собственных и примесных дефектов в решетке теллурида кадмия.

§ 1.4. Взаимодействие точечных дефектов с дислокациями.

Глава П. ПОЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ CdTe И МЕТОДИКИ ИХ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ.

§ 2.1. Синтез и выращивание кристаллов CdTe

§ 2.2. Приготовление образцов и нанесение контактов.

§ 2.3. Контроль однородности образцов

§ 2.4. Методика электрических измерений

§ 2.5. Методика фотоэлектрических измерений.

Глава Ш. НЕСТАБИЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ р - С die.

§ 3.1. Временные изменения в p-CdTe. . Анализ различных моделей.

§ 3.2. Характер временных изменений в низкоомном p-CdTe с низким уровнем неконтролируемых примесей.

§ 3.3. Нестабильности электрических свойств теллурида кадмия с высоким уровнем неконтролируемых примесей.

§ 3.4. Кинетика процессов,происходящих в p-CdTe при низкотемпературном отжиге

§ 3.5. Временные изменения электрических свойств образцов, полученных низкотемпературными методами.

§ 3.6. Электрические свойства теллурида кадмия, содержащего значительные концентрации собственных дефектов.

Глава 1У. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Со!Те ,ЛЕГИРОВАННОГО

АМФОТЕРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ ( &в , Sn ).

§ 4.1. Электрические свойства теллурида кадмия, легированного Sn

§ 4.2. Собственная проводимость кристаллов

CdTe : Ge , CdTe: Sri

§ 4.3. Влияние термообработки на электрические свойства CdTe , легированного амфотерной примесью.

Глава У. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ CdTe:&e, Fe ,СОДЕРЖАЩИХ ОБЛАСТИ МИКРОНЕОДНОРОДНОСТЕЙ.ПО

§ 5.1. Анизотропия подвижности носителей заряда в кристаллах CdTe - Ge.ПО

§ 5.2. Влияние неоднородностей на электрические свойства CdTe , легированного германием.III

§ 5.3. Фотоэлектрические свойства неоднородных кристаллов CdTe-Oe.

§ 5.4. Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe-Fee магнитным упорядочением

ВЫВОДЫ

Развитие полупроводниковой электроники неразрывно связано с решением главной задачи материаловедения - получением кристаллов с заданными свойствами. Наряду с интенсивным поиском новых полупроводников происходит углубленное изучение уже известных материалов.

П У1

Соединения А В относятся к той группе полупроводниковых веществ, которые изучались и находили довольно широкое применение задолго до того, как появилось само понятие' "полупроводник". В последние годы интерес к этой группе соединений неуклонно возрастает в связи со все более четко выявляющимися возможностями их практического применения.

Выбор объекта исследования - теллурида кадмия - определяет

П У1 ся его выгодным отличием от других соединений А В рядом характерных свойств, благодаря которым он широко применяется в различных областях приборостроения [2.152]. Обладая шириной запрещенной зоны, оптимальной по отношению к солнечному спектру, и высоким коэффициентом поглощения, С с/Те перспективен для изготовления фотоэлектрических преобразователей энергии. Благодаря наличию области пропускания в диапазоне 1-30 мкм и высокой влагоустой-чивости, теллурид кадмия находит широкое применение^ в ИК-техни-ке /2.95J. С с/Те используют также при создании электрооптиче -ских модуляторов для Ж-области, электролюминесцентных диодов. Обладая большими атомными номерами компонент ( 48 для Со/ и 52 для Те ), теллурид кадмия является весьма ценным материалом для создания детекторов % -излучения.

Практическое использование CdTe в значительной мере определяется решением ряда проблем, главной из которых является разработка воспроизводимой технологии получения достаточно крупных и совершенных монокристаллов с требуемыми характеристиками и параметрами, стабильными в широкой области температур. Успешное решение этой задачи возможно путем углубленного изучения структуры, состояния и характера взаимодействия собственных и примесных дефектов, определяющих основные свойства полупроводниковых соединений.

Наличие в теллуриде кадмия достаточно высокой концентрации собственных дефектов, значительного фона неконтролируемых примесей (I016 - Ю17см~3), дислокаций ( >5*104 см'2) и других несовершенств кристаллической решетки создает благоприятные условия для различного типа взаимодействий между ними. Происходящие процессы энергетически обусловлены и приводят к значительной степени ассоциации, а также образованию областей микронеоднородностей, существенным образом влияющих на физико-химические свойства С с/Те t

Настоящая работа посвящена изучению особенностей взаимодействия примесей элементов 1У (Ge ,Sn) иУП () групп с собственными и структурными дефектами кристаллической решетки теллурида кадмия. Исследованы релаксационные процессы в нелегированном низкоомном р-С<Ле(р = I + 10 4 Ом см) в зависимости от концентрации неконтролируемых примесей и степени их ассоциации с атомными дефектами основного вещества. С этой целью проведены измерения электрофизических и фотоэлектрических характеристик исследуемых кристаллов, приготовленных в различных технологических условиях.

Работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, приложения и примечания.

Первая глава носит обзорный характер. В ней рассмотрены такие вопросы, как: область гомогенности Сс/Гг ,состояние собственных дефектов в решетке теллурвда кадмия, процессы взаимодействия между дефектами различного типа и их влияние на физичес -кие свойства исследуемых кристаллов.

Наличие достаточно широкой области гомогенности теллурида кадмия обусловливает возможность существования в нем точечных атомных дефектов как в подрешетке Cd , так и в подрешетке Те .

Данные о равновесном состоянии дефектов при высоких температурах были получены методом высокотемпературных измерений С , Ин . В области значительных давлений пара кадмия доминирующими являются двукратно ионизированные собственные дефекты или

Cdc В составах, близких к насыщенным теллуром, электрические свойства CdTe определяются неконтролируемыми примесями. Поэтому картина собственных дефектов при низких РСс/ остается не вполне понятной. Поскольку в реальных кристаллах высокотемпературное и низкотемпературное состояние дефектов значительно отличается, анализируются также работы, посвященные изучению: состояния дефектов в облученных кристаллах CdTe, а также подвергнутых термообработке в различных условиях.

Природам дефектов в полупроводниковых соединениях определяется условиями их получения, а также наличием примесей и структурных несовершенств решетки, обусловливающих разнообразные процессы взаимодействия, происходящие при охлаждении кристаллов. Это значительно затрудняет интерпретацию полученных при исследовании результатов. Поэтому вопрос о существовании и энергетическом положении большинства собственных дефектов в решетке CdTe является дискуссионным.

Из анализа условий взаимодействия собственных и примесных дефектов следует, что соединения АПВУ1, к которым относится и

CdTe , характеризуются высокой степенью ассоциации. Таким образом, физико-химические свойства кристаллов CdTe в значительной мере определяются наличием в его решетке донорно-акцептор-ных пар и химических комплексов.

П У1

Обзор работ, посвященных изучению свойств соединений А В Ш У и А В , показывает, что при определенных условиях приготовления кристаллов этих полупроводников определяющую роль играет взаимодействие точечных и структурных дефектов, обусловливающие неравномерное распределение электрически активных примесей и приводящее к возникновению флуктуирующего потенциального рельефа.

Описанию различных используемых при исследовании методик посвящена вторая глава диссертации. Основная часть результатов получена на кристаллах, выращенных методом Бриджмена. Содержание примеси в образцах было определено методом радиоизотопов.35 Структурное совершенство и однородность материала контролировали металлографическим методом, сканированием световым зондом, а также по данным электрофизических измерений.

Электрические свойства низкоомного CdTe исследовали компенсационным методом. Измерения температурных зависимостей электропроводности и коэффициента Холла полу изолирующих образцов CdTe - Ge, Sn проводили с использованием электрометрического усилителя У5-7. На установках, собранных на основе спектральных приборов ИКС-П и УМ-2, измеряли спектральные,,температурные и релаксационные зависимости фотопроводимости и фотохоллэффекта. Исследовали ИК-гашени.е фотопроводимости.

В третьей главе представлены результаты исследования харакй Работы по определению реального содержания легирующих примесей в исследуемых кристаллах выполнены в радиоизотопной лаборатории кафедры неорганической химии Черновицкого госуниверситета. терных временных изменений электрофизических свойств нелегированного p-CdTe с относительно низким удельным сопротивлением (уэ = I * I04 Ом см), наблюдающихся при температурах, близких к комнатной ( Т^ЗЗО К) и имеющих обратимый характер.

Исследуемые кристаллы были получены различными методами и поэтому отличались соотношением между концентрациями собственных дефектов и неконтролируемых примесей, а также их суммарным количеством.

Из анализа полученных данных следует, что характер и направление наблюдаемых изменений определяются степенью ассоциации собственных (\fcJ) дефектов и остаточных (в основном Сиг ) примесей. Предложена модель, согласно которой наблюдаемые явления объясняются процессами образования и распада ассоциатов противоположно заряженных дефектов в соответствии с реакциями:

Vv+D'+e

Четвертая глава диссертации посвящена изучению электрофизических свойств полуизолирующего теллурида кадмия, легированного амфотерными примесями ( &е , Sa).

Исследованы температурные зависимости 6" , /?„ иji кристаллов Со/Те :Sn с концентрацией примеси 3*Ю17 * б'Ю1^ см""3 . Изучаемый материал обладал, как правило, электронным типом проводимости. На зависимостях ^ RH ~ f(10 jT) большинства образцов в интервале 300-450 К обнаружено два наклона, что можно объяснить одновременным участием в проводимости нескольких глубоких уровней, размещенных в области середины запрещенной зоны. Этот вывод качественно подтверждается проведенными теоретическими расчетами. Показано, что определение энергий залегания и степени компенсации уровней без учета одновременного их участия в проводимости может привести к существенным погрешностям.

Проведены исследования электрофизических свойств кристаллов CJTe: Ge подвергнутых кратковременному отжигу при 600°С в условиях различного давления паров кадмия ( Pcd ). Установлено,что в процессе термообработки при /g^ - mm происходит перелокализация атомов примеси из подрешетки Те в подрешетку Cd . В этом случае наблюдали переход исследуемого материала из высокоомного в низкоомное состояние п -типа проводимости.

В пятой главе диссертации изучались особенности электрических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe-'Ge , Fe характеризующихся наличием микронеоднородностей, которые приводят к возникновению флуктуирующего потенциального рельефа.

Существование в специально отожженном CdTe -Ge таких микрообластей подтверждают результаты, полученные при сканировании образцов световым зондом и при измерении вольтамперных характеристик. Установлено, что отклонение от закона Ома в исследуемом материале наступает при напряженности электрических полей 40 -80 В/см, а ВАХ имеет вид, близкий к закону Френкеля-Пула.' Принимая наиболее вероятной высоту потенциальных барьеров ^-0,1 -0,2 эВ, по наклону прямых ^^была оценена величина пространственного размера потенциала 2 ^ (2-4)*10"^ см.

Из анализа фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe ■ Ge с неоднородностями следует, что они определяются наличием в матрице центров быстрой и медленной рекомбинации (высокая фоточувствительность, ИК- и Т-гашение), а также существующего потенциального рельефа (длинновременные релаксации фотопроводимости,линей Условное обозначение Pcd отвечающего условию конгруэнтного испарения, когда устанавливается минимальное общее давление. ность ЛАХ при 295 К, существенное уменьшение кратности ИК- и Т-гашения).

При исследовании электрических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe: Fe ,которые характеризуются наличием областей магнитного упорядочения, установлено, что им свойственны основные характерные черты неоднородных полупроводников (длинновре-менные релаксации фотопроводимости, нелинейная ВАХ, эффекты переключения, заниженные значения величины RH6).

Основные результаты работы были доложены и обсуждены на: 1У Всесоюзном совещании "Физика и химия и техническое применетт ут ние полупроводников А В (Одесса,1976), 17 Республиканской конференции молодых ученых по физике (Шнек, 1977), Первой Всесоюзной научно-технической конференции "Получение и свойства

П УТ ТУ УТ полупроводниковых соединений типа А В и А В и твердых растворов на их основе (Москва,1977), Ш Всесоюзном совещании "Дефекты структуры в полупроводниках (Новосибирск,1978), Всесоюзной конференции "Материалы для оптоэлектроники" (Ужгород,1980), П Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент,1980), У Всесоюзном совещании "Физика и техническое применение полупроводников (Вильнюс, 1983), научных семинарах и конференциях Черновицкого государственного университета и Черновицкого Отделения Института проблем материаловедения АН УССР и опубликованы в следующих работах:

1. Савицкий А.В.,Никонюк Е.С.,Иванчук Р.Д.,Парфенюк 0,А.,Ила-щук М.И.,Матлак В.В, Электрические свойства отожженных кристаллов CdTe-Fe- ФТП,1977, т.II, № 6, с.1173-1176.

2. Иванчук Р.Д.,Парфенюк О.А.,Чоботарь В.И.,Илащук М.И. Эффекты памяти в естественно легированных слоях n~CdTeСборник тезисов 1У республиканской конференции молодых ученых по физике,- Минск,1977, с.32.

3. Матлак В,В.,Илащук М.И.,Парфенюк 0.А.,Павлин П.А. Влияние линейных дефектов на физические свойства CdTe .- В кн.-: Тезисы докладов Первой Всесоюзной научно-технической конференции "Получение и свойства полупроводниковых, соединений

ТТ УТ ТУ УТ типа А В и AXJB и твердых растворов на их основе.-М., 1977, ч.1, с.37.

4. Парфенюк О.А. ,3аячкивский В.П.,Илащук М.И., Матлак В.В., Савицкий А.В. Влияние степени легирования на фотоэлектрические свойства CdTe В кн.: Тезисы докладов Первой Всесоюзной научно-технической конференции "Получение и свойства

П УТ ТУ УТ полупроводниковых соединений типа А В и А В и твердых растворов на их основе".- М., 1977, ч.1, с.175.

5. Матлак В.В.,Илащук М.И., Бурчак Б.Л.,Чоботарь В.И.,Павлин

П.А. Влияние кратковременного отжига кристаллов CdTe'&e на их электрические свойства.-В кн.: Тезисы докладов Первой

Всесоюзной научно-технической конференции "Получение и свой

П УТ ТУ УТ ства полупроводниковых соединений типа А В и А В и твердых растворов на их основе".-М.,1977,ч.1, с.53.

6. Савицкий А.В.,Иванчук Р.Д.,Павлин П.А.,Бейсюк П.П.,Никонюк Е.С.,Матлак В.В.,Илащук М.И. Влияние контролируемого отжига на физические свойства кристаллов CdTe- Те В кн.: Тезисы докладов Первой Всесоюзной конференции "Получение и свойства полупроводниковых соединений типа А^1 и А^В71 и твердых растворов на их основе".- М., 1977,ч.1,с.52-53.

7. Матлак В.В. ,Илащук М.И.*,Парфенюк О.А.,Савицкий А.В. Электрические свойства полуизолирующего CdTe .-^ТП,1977,т.П,А1 12, с.2287-2291.

8. Парфенюк О.А. ,Никонюк Е.С. ,Илащрс М.И. .Савицкий А.В.,Матлак

В.В., Павлин П.А. Особенности электрических свойств кристаллов CdTe-Sn. Рукопись деп. в ЦНИИ "Электроника" от 04.12. 79 г. It РА-2868. 9. Савицкий А.В.,Матлак В.В.,Павлин П.А.,Парфеншк О.А.,Илащук М.И.,Скицко А.И. Влияние состояния примесных центров Се и Sn. на некоторые физические свойства теллурида кадмия.- В кн.: Тезисы докладов Ш Всесоюзного совещания "Дефекты структуры в полупроводниках", Новосибирск,1978,ч.1, с.144. ТО.Илащук М.И.,Скицко А.И.,Матлак В.В. Фотоэлектрические свойства теллурида кадмия собственной проводимости.- В кн.': Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Материалы для оптоэлект-роники", Ужгород, 1980, с.141. П.Матлак В.В., Илащук М.И,,Скицко А.И.,Смерека З.И. Влияние распределения глубоких центров на свойства CdТе -&е собственной проводимости.- В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках.-Ташкент, 1980, ч.2, с.112.

12.Матлак В.В.,Илащук М.И.,Полянко О.С. Влияние термообработки на электрические свойства CdTe ,легированного С-е .-Известия АН СССР, Неорганические материалы,1983,т.19,В II,с.1935-1937.

13.Илащук М.И.,Матлак В.В.,Ворошок П.И. Влияние низкотемпературного отжига на электрические свойства p-CdTe.- В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания "Физика и техническое приме

П У1 нение полупроводников А В , Вильнюс, 1983, с.62-63.

Новизна работы. Исследованы релаксационные процессы в относительно низкоомном (j) = I * Ю4 Ом см) нелегированном р - CdTe с различным уровнем неконтролируемых примесей (Т=295-420 К). Предложена модель, объясняющая наблюдаемые временные изменения электрофизических характеристик исследуемого материала образованием и распадом ассоциатов собственных дефектов ( VCo/, \fCJ ) и остаточных примесей донорного типа (преимущественно Сис).

Установлено, что в нелегированных монокристаллах CdTe , закаленных от высоких температур (~ Ю00°С), содержится значи

ТЯ Q тельное количество ( - 10 см ) собственных дефектов ( УСс/ , Cdc ), образующих ассоциаты с низкой энергией взаимодействия, основная часть которых (^60%) диссоциирует при Т = 350 - 385К.

Проводимость полу изолирующих кристаллов CdTe-Sri /г-типа при Т = 285 - 450 К определяется одновременной ионизацией нескольких глубоких уровней, размещенных в области середины запрещенной зоны Ес -(0,6 - 0,9) эВ.

Показано, что в процессе термообработки образцов CdTe: Се при 600°С в условиях fjlj = min может происходить перелокализация амфотерной примеси &е из подрешетки Те в подрешетку Cd . Этот процесс начинается из центральной области образца и сопровождается значительным увеличением концентрации электронов.

В полуизолирующем теллуриде кадмия, легированном Ge , обнаружена анизотропия подвижности, которая обусловлена существованием преимущественного направления дислокаций в кристаллах.

Установлено, что при специальной термообработке в кристаллах CdTe '-Ge, Fe возможно образование микронеоднородностей,которые приводят к возникновению значительного потенциального рельефа. Этим объяснены особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств исследуемых образцов.

На защиту выносятся следующие положения: - временные изменения электрофизических свойств нелегированного низкоомного CdTe уо-типа, происходящие в области температур 330 - 420 К, обусловлены образованием и распадом ассоциатов собственных дефектов ( V^ , ) и неконтролируемых примесей донорного типа (в основном Сие );

- электрофизические свойства нелегированного р - Со/Те , в котором зафиксировано высокотемпературное равновесие дефектов (закалка от Ю00°С), определяются наличием значительных концентрато о ций ( ~10 см ) ассоциатов с низкой энергией взаимодействия, компонентами которых являются собственные дефекты (предположительно , Vqj i CdL );

- проводимость полуизолирующих кристаллов CdTe •' S/г в интервале 295-450 К определяется одновременной ионизацией нескольких глубоких уровней, размещенных в области середины запрещенной зоны;

- значительное увеличение концентрации электронов при специальной термообработке высокоомных образцов CdTe • Ge может быть объяснено перелокализацией амфотерной примеси по подрешеткам;

- существование анизотропии подвижности в полуизолирующем CdTe'Ge связано с наличием преимущественного направления дислокаций в кристаллах;

- при специальной термообработке в кристаллах CdTe -Ge 7 CdTe- Fe могут возникать области микронеоднородностей, обусловленные неравномерным распределением примеси. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств такого материала определяются наличием флуктуирующего потенциального рельефа.

Практическая ценность настоящей работы состоит в следующем: При исследовании электрофизических свойств нелегированного P~CdTe6wio установлено, что характер и направление наблюдаемых временных изменений определяются процессами взаимодействия собственных дефектов и неконтролируемых примесей. Полученные результаты могут быть использованы при решении вопроса изготовления стабильного низкоомного материала.

Полуизолирующий CdTe. ,легированный амфотерными примесями, можно использовать при разработке и получении спектрометрических детекторов }f— , X- и ^-излучения.

На основе высокоомных кристаллов CdTe : Ge разработаны высокоэлективные интерференционные фильтры для ИК-области спектра (Л = 14,5 - 25 мкм), используемые в серийно выпускаемых ИК-спектрометрах (ИКС-29, ИКС-31), для разделения порядков дифракции.

Кристаллы CdTe ■' Fe .характеризующиеся длинновремеиными релаксациями и остаточной проводимостью, могут служить материалом для оптоэлектронных элементов памяти, видиконов и др.

Результаты исследования процессов, проходящих в теллуриде кадмия при термообработке в области температур 600°С, имеют определенное научное значение, поскольку равновесное состояние дефектов в CdTe-ащ Т^700°С недостаточно изучено.

Знание технологических режимов получения кристаллов, содержащих области неоднородностей, может быть использовано при выращивании структурно совершенного CdTe.

Фоточувствительные монокристаллы CdTe '-Ge\ CdTe-Sri могут найти применение при разработке и изготовлении фотоэлектрических приборов (фоторезисторов, фотодиодов и др.).

выводы

1. Характер релаксационных процессов, происходящих в нелегированном р-Сс/Те (р=I * Ю4 Ом см) с различным уровнем неконтролируемых примесей, в области температур 330-420 К, зависит от соотношения концентраций в степени ассоциации собственных дефектов ( VCd) и остаточных примесных центров донорного типа (в основном, Си.;).

2. В нелегированных кристаллах р~ Сс/Те , закаленных от высоких температур (— Ю00°С) доминирующими являются собственные дефекты (предположительно Сс/с), образующие ассоциаты с низкой энергией взаимодействия, основная часть которых диссоциирует при Т = 350 - 385 К. Оценено; расстояние между их компонентами ( 2 ~ 10 см).

3. Установлено, чтоз электрофизические свойства нелегированного, сравнительно низкоомного р~ CdTe определяются уровнями:

Ev+ 0,07 эВ; Ev+ 0,13 - 0,15 эВ; £v+ 0,22 эВ; Ev+ 0,34 -0,36 эВ. Акцепторный центр с глубиной залегания Ev+ 0,07 эВ соответствует однократно ионизированной вакансии кадмия.

4. Электрофизические свойства полуизолирующих кристаллов CdTe -Sn определяются одновременной ионизацией нескольких глубоких уровней, размещенных в области середины запрещенной зоны от Ес- 0,6 эВ до 0,9 эВ.

5. Установлено, что в процессе термообработки образцов CdTe'Ge при 600°С в условиях Pqj = mm происходит перелокализация примеси

Ge из подрешетки Те в подрешетку С с/ , Эффект отжига начинает сказываться из центральной части образца.

6. В кристаллах CdTe'Ge обнаружено явление анизотропии подвижности при разлинных направлениях магнитного поля и дислокаций, обусловленное существованием преимущественного направления последних.

7. При специальной термообработке кристаллов CdTe : Ge происходит образование областей микронеоднородностей, наличие которых приводит к возникновению флуктуирующего потенциального рельефа. Это подтверждается результатами электрофизических и фото-электричеких исследований. Оценены пространственные размеры потенциала ( Z ~ см).

8. Изучены электрические и фотоэлектрические свойства образцов Со/Те • Fe , характеризующихся наличием областей магнитного упорядочения. Показано, что исследуемому материалу свойственны характерные черты неоднородных полупроводников.

1.I. Акшфорт Х.Л., Мермин Н. Физика твердого тела.- М.: Мир, 1979, т.1, 399 с.1.~2. Блекмор Д. Статистика электронов в полупроводниках."- М.: Мир, 1964, 392 с.

2. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972, 384 с.

3. Быоб Р. Фотопроводимость твердых тел.- М.: Изд.иностр.лит., 1962, 558 с.

4. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.- М.: Мир,1968, 654 с.

5. Киреев П.С. Физика полупроводников.- М.: Высшая школа,1969, 589 с.

6. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.- К. "Наукова думка", 1978, 316 с.

7. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках.- М.: 1974, 436 с.

8. Рыбкин С.М.' Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М., Гос.изд. физ.-мат.лит., 1963, 494 с.

9. Точечные дефекты в твердых телах.- М.: Мир,1979, 379 о.тт ут

10. Физика и химия соединений А В М.: Мир, 1970, 624 с.

11. Фистуль>В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов.- М.: Металлургия, 1977, 239 с.

12. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников.- М.: Высшая школа, 1975, 295 с.

13. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979, 416 с.

14. Абрамов А.А., Вавилов B.C., Водопьянов Л.К. Энергетический спектр и возможная природа дефектов, возникающих в CdTe

15. П.-типа после облучения электронами с энергией I МэВ и тепловыми нейтронами.-ФТП,1970,т.4, № 2, с.270-274.

16. Агринская Н.В.-, Алексеенко М.В., Матвеев О.А. О механизме рассеяния носителей тока в кристаллах теллурида кадмия, легированного хлором.- ФТП, 1981, т.15, № 5, с.1029-1031.

17. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Гусева М.И. и др. Некоторые вопросы ионного легирования CdTeФТП,1972, т.6,3, с.473-476.

18. Агринская Н.В., Аркадьева Е.И., Матвеев О.А. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов

19. CdTe.- ФТП, 1968, т.2, £ 7, с.932-938.

20. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А. Оптическое поглощение, связанное с дефектами решетки в кристаллах

21. CdTe .w ФТП,1970, т.4, № 2, с.370-372.

22. Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe .-ФТП, 197I, т.5, № 5, с.869-875.

23. Агринская Н.В., Каминушкин В.П., Матвеев О.А., Мурина Т.М. Рассеяние света, обусловленное неоднородностями в кристаллах теллурида кадмия.- ФТП, 1981, ж.15, $ 10,с.2040-2043.

24. Агринская Н.В., Матвеев О.А. О взаимодействии примесей и дефектов решетки в кристаллах CdTe% легированных хлором. ФТП, 1976, т.10, Ш I, с.162-165.

25. Агринская Н.В., Матвеев О.А. Влияние крупномасштабных флук-туаций потенциала на электропроводность полуизолирующих кристаллов CdTe.- ФТП, 1980, т. 14, № 5, с.1024-1026.

26. Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А. Электрические свойства полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором.- ФТП, 1976, т.10, № II, с.2153-2156.

27. Баженов А.В., Осипьян Ю.А. Экспоненциальный край поглощения в селениде кадмия с дислокациями.- ФТП, 1980, т.22,4, с.991-996.

28. Белявский В.И., Даринский Б.М., Шалимов В.В. К теории подвижности дислокаций в легированных полупроводниках.- ФТТ, 1982, т.24, № 2, с.511-515.

29. Болынева Ю.Н., Григорьев Ю.А., Гришина С.А., Мильвидский М.Й., Освенский В.Б., Шифрин С.С. Влияние легирования изо-валентными примесями на совершенство структуры монокристаллов арсенида галлия.- Кристаллография, 1982, т.24,4, с.722-728.

30. Бондаренко Й.Е., Никитенко В.И. Особенности движения дислокаций в кремнии, обусловленные их взаимодействием с примесями. Ш Всесоюзное совещание "Дефекты структуры в полупроводниках". Тезисы докладов, ч.1, 1978, Новосибирск,с.50.

31. Вавилов B.C., Ноллк Э.А., Егоров В.Д. и др. Излучательная рекомбинация в теллуриде кадмия при возбуждении импульсами быстрых электронов.- ФТП, 1964, т.6, J£ 5, с.1406-1412.

32. Вищакас Ю.К., Липскис К.К., Сакалас А.П. Термическое гашение фотопроводимости с большими энергиями активации га1. П УТшения.- Проблемы физики соединений А В , 1972, Вильнюс, с.301-306.

33. Вул Б.М., Иванов B.C., Рукавишников В.А. и др. Свойства теллурида кадмия, легированного железом.- ФТП, 1972, т.6, № 7, с.1264-1267.

34. Вул B.M., Вавилов B.C., Иванов B.C. и др. Исследование двухзарядного акцептора в теллуриде кадмия.- ФТП, 1972, т.6, № 8, с.1442-1446.

35. Вул В.М., Чапнин В.А. Влияние легирования и термообработки на электрические свойства теллурида кадмия.- Сб."Теллурид кадмия", М.: Наука, 1968, с.32-43.

36. Вывенко О.Ф.;, Новиков В.В., Страхов П.П., Талалаев В.Г. Особенности оптических спектров экситонов Cc/S вблизи полос скольжения дислокаций.-ФТТ,1979,т.21,№ 7,с.2058-2061.

37. Гавалешко Н.П., Курик М.В., Скицко И.Ф., Иванчук Р.Д. Аномальный сдвиг основного состояния экситона в теллуриде кадмия, легированного железом.- ФТТ, 1975, т.17, № 10,с.3057-3059.

38. Гёоргобиани А.И. Глубокие центры в широкозонных полупроводниках, связанные с ассоциатами дефектов.- Тезисы докладов У Всесоюзного совещания "Физика и техническое применетт утние полупроводников А В , 1983, Вильнюс, т.1, с.27.

39. Демиденко А.Д. Теплоемкости сульфида, селенида и теллурида кадмия при 55 300 К. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1969, т.5, $ 2, с.252-255.

40. Дидковский А.П., Матлак В.В., Куц В.И., Хиврич В.И. Об аномальных фото- и темновой проводимости в полуизолирующем

41. Сс/Те,- ФТП, 1976, т.10, №. 12, с.2349-2351.

42. Дидковский А.П., Хиврич В.И. Эффекты переключения и памяти в Сс/Те,- ФТП, 1974, т.8, В 5, с.990-992.

43. Добрего В.П. Расчет кинетики спада фотопроводимости при наличии коллективных рекомбинационных барьеров.- ФТП,1975,т.9, № п, с.2079-2083.

44. Зарецкий А.В., Кириченко Л.Г., Петренко В.Ф. и др. Переносэлектрического заряда полными и частичными дислокациями в IflS.'- ФТТ, 1983, т.25, № 3, с.715-721.

45. Зарецкий А.В., Осипьян О.А., Петренко В.Ф., Струкова Г.К. Экспериментальное определение дислокационных зарядов в

46. Cc/S ФТТ, 1977, т.19, IS 2, с.418-423.

47. Зарецкий А.В., Петренко В.Ф. Экспериментальное наблюдение уменьшения холловской подвижности электронов проводимости при движении дислокаций в Zn Je.- ФТТ, 1983, т.25, № 2, с«532-541.

48. Зарецкий А.'В., Петренко В.Ф. Исследование влияния движения дислокаций на электропроводность ZnSe,:- ФТТ, 1980, т.22,1. Jfc 7, с.2186-2191.

49. Зарецкий А.В., Петренко В.Ф. Влияние движения дислокаций на электропроводность Zn.Se,- ФТТ, 1978, т.20, № 4, с.1167-1174.

50. Зуев В.А., Литовченко В.Г., Сукач Г.А. Об одном механизме компенсации поверхностного заряда."- УФЖ, 1975, т.20, 7, с .1147-1154.

51. Иванов Ю.М., Меньшенин Ю.В., Маслянников В.А., Люкманов В.Б., Ванюков А.В. "Проблемы физики соединений Материалы Ш Всесоюзного совещания,1972,Вильнюс, ч.1,е.356.

52. Иванов B.C., Стапачинский В.Б., Чапнин В.А, Дифференциальная спектроскопия локальных центров в Со/Те ФТП, 1971, т.5, Ш I, c.I0I-I05.

53. Карпов В.Г. Эффект температурной зависимости крупномасштабного потенциального рельефа в полупроводниках.- ФТП, 1973, т.15, № 2, с.217-222.

54. Кетис Б.П., Кривка Й., Рекснис Р., Сакалас А. Проявление неоднородностей ъп-CcISb условиях инфракрасного гашенияфотопроводимости.- Литовский физический сборник, 1979, т.19, В 6, с.803-807.

55. Кирьяшкина З.И., Названов В.Ф., Филипченко В.Я.,Белецкая Л.М. Явление фотопамяти в поликристаллических слоях CdS , легированных щелочными металлами.- ФТП, 1976, т.6, № 10, с.2050-2052.

56. Кириченко Л.Г., Петренко В.Ф. Экспериментальные исследования процессов переноса электрического заряда дислокациями на TnSe.- ФТТ, 1980, т.22, В 2, с.544-550.

57. Кириченко Л.Г., Петренко В.Ф., Уймин Г.В. 0 природе дислокационного заряда в Tn.Se .- ЖЭТФ,1978,т.74,№ 2,с.743-746.

58. Колюбакин А.И.;, Осипьян Ю.А., Шевченко С.А, 0 спектре дислокационных состояний пластически деформированного германия /г-типа.- ЖЭТФ, 1979, т.77, №3(9), с.975-988.

59. Краснов А.П., Осипьян Ю.А. Влияние пластической деформации ; на электрические свойства монокристаллов 7/г SS р-типа при высоких скоростях деформации.- ФТТ,1980,т.22, В 2,с.483-489.

60. Краснов А.П., Осипьян Ю.А. Влияние пластического изгиба на электрические свойства монокристаллов р-Т/г S3,- ФТТ, 1978, т.20, В 6, с.1773-1779.

61. Кривов М.А., Маменов С.В., Мелев В.Г. Аномальная холловская подвижность в арсениде галлия.- ФТП, 1974, т.16, № 2,с.430-433.

62. Литовченко В.Г.,Ковбасюк В.Г. О критерии "сильного" легирования для центров, дающих глубокие уровни,и характере спектра быстрых поверхностных ловушек кремния.- ФТП, 1969, т.З, В 6, с.870-873.

63. Маркевич И.В., Шейнкман М.В. Особенности термостимулированной проводимости в неоднородных полупроводниках.- ФТП,1971, В 10, с.1987-1989.

64. Маркевич И.В., Федорус Г.А., Шейнкман М.К.' Высокотемпературная остаточная проводимость в кристаллах Cc/S{A^ ), Cc/S{Au), CdS{A/a).-4>ТПД969, т.3,№ 9, с.1422-1424.

65. Мартинайтис А.В., Сакалас А.Л.:, Янушкевичгос З.В. О природе центров быстрой рекомбинации в кристаллах Cc/Se.- ФТП,1973, т.7, № II, с.2232-2234.

66. Матвеев О.А., Аркадьева Е.Н., Гончаров JI.A. Явление "самоочистки" кристаллов. Доклады АН СССР. Техническая физика, 1975, т.21, № 2, с.325-328.

67. Матлак В.В., Илащук М.И.-, Парфенюк О.А. и др. Электропроводность полуизолирующего Со/Те.- ФТП, 1977, т.II, № 12, с.2287-2292.

68. Матлак В.В., Никонюк Е.С., Савицкий А.В., Товстюк К.Д. Электрические свойства теллурида кадмия, легированного германием.- ФТП, 1972, т.10, В II, с.2065-2068.

69. Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках.- ФТП, 1982, т.16, В I, с.3-18.

70. Медведев С.А., Максимовский С.И., Киселева К.В.;, Клевков Ю.В., Сентюрина Н.Н. О природе точечных дефектов в нелегированном CdTe. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1973, т.9, № 3, с.356-360.

71. Медведев С.А., Максимовский С.И., Клевков Ю.В., и др. Синтез и направленная кристаллизация теллурида кадмия при контролируемом отклонении от стехиометрии.- Сб.1: Теллурид кадмия, М.:: Наука, 1968, с. 7-13.

72. Михайлов В.А., Голубев В.В., Красулина Б.С. Определение эффективных коэффициентов распределения меди и серебра в теллуриде кадмия высокой чистоты.- Сб.: Халькогениды цинка, кадмия и ртути. М.: Металлургия, 1973,, с.36-39.

73. Морозов В.И., Чернов В.Г. Донорно-акцепторное взаимодействие в арсениде индия, легированном кадмием и теллуром.-ФТП, 1979, т.13, № 9, с.1804-1809.

74. Никонюк Е.С., Матлак В.В., Иванчук Р.Д., Савицкий А.В.1 Тем-пературна залежн1сть електропров1дност1 I ефекту Холла в CdTe .- Ф1зична електрон1ка, Льв1в: Вица школа, 1970, № 3, с.8-14.

75. Никонюк Е.С., Парфенюк О.А., Матлак В.ВJ и др. Фотоэлектрические свойства теллурида кадмия, легированного германием,-ФТП, 1975, т.9, В 7, с.1271-1278.

76. Никонюк Е.С., Савицкий А.В., Парфенюк О.А., Чиокан И.П.;, Заячкивский В.П. Температурная активация фотопроводимости (ФП) в n-CdTe.-mi, 1975, т.9, В 7, с.1398-1401.

77. Панчук О.Э.;, Г£ицив В.И., Белоцкий Д.П. Диффузия Си в CdTe.- Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1975, т.II, Ш 10, с.1763-1765.

78. Петросян С.Г., Шик А.Я. Отрицательная фотопроводимость и инфракрасное гашение остаточной проводимости в неоднородных полупроводниках.- ФТП, 1976, тЛ0,№ 7, с.1355-1360.

79. Петросян С,Г., Шик А.Я. Фотопроводимость неоднородных полупроводниковых твердых растворов,- Письма в ЖЭТФ, 1982,т.35, № 9, с.357-359.

80. Петухов Б.В., Сухарев В.Я. О влиянии упругих полей точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе.- ФТТ, 1981, т.23, № 4, с.1093-1096.

81. Попова М., Поливка П., Проссер В. Оптические переходы в

82. CdTe,легированном мелкими и глубокими примесями.- Материалы Всесоюзного совещания "Проблемы физики соединений АПВУ1", 1972, Вильнюс, т.1, с.200-204.

83. Ризаханов М.А. Объяснение некоторых электрических свойств халькогенидов кадмия и модели электронных, дырочных центров захвата.- 1980, Махачкала, ст. деп.: № 1061-80.

84. Ризаханов М.А., Бабибов Ф.С., Каждаев М.А., Ахмедов А.Г., Пекарь Г.О. Спектры индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Afl>.~ ФТП,1976,т.10,№3, с.582-584.

85. Ризаханов М.А., Карпович И.А., Гасанбеков Г.М. Электронные ловушки в монокристаллических пленках CdSx,

86. ФТП, 1974, т.8, JS II, с.2084-2088.

87. Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Абрамов И.Я. Объяснение особенностей зелено-синей люминесценции в InS на основе новой модели центров свечения.-ФТП,1978, т.12, № II,c.2I86-2I9I.

88. Рытова Н.С.;, Фистуль^ В.И. Термодинамический анализ поведения амфотерных примесей в полупроводниках aV.- ФТП, 1970, т.4, В 6, C.II09-III6.

89. Рудь Ю.В., Санин К.В. Электропроводность теллурида кадмия при высоких температурах.- ФТП, 1969, т.3,1 7, с.1089-109I.

90. Рудь Ю.В., Санин К.В. Влияние давления пара кадмия на электропроводность. кристаллов теллурида кадмия при высокой температуре.- ФТП,1971, т.5, № 2, с.284-292.

91. Самойлович А.Г.1, Ницович М.В. К вопросу о рассеивании на диполях.- ФТТ, 1963, т.5, № 10, с.2981-2985.

92. Саралидзе З.К. Взаимодействие точечных дефектов с дислокациями во внешнем поле напряжений и радиационная ползучесть.-ФТТ, 1978, т.20, № 2, с.378-384.

93. Слынько Е.И., Иванчук Р.Д., Слынько В.В., Савицкий А.В., Товстюк К.Д.Магнитное упорядочение примесей в кристаллах'

94. CdTe , легированного железом.-УФЖ, 1976,т.21,№ 4,с.663-667.

95. Соколова А.А., Вавилов B.C., Плотников А.Ф. и др. Фотоэлектрические свойства теллурида кадмия,содержащего акцепторы с глубокими уровнями.- ФТП, 1969, т.З, № 5, с.720-726.

96. Соловьева Е.В., Каратаев В.В., Миловидский М.Г., Говорков А.В, Влияние взаимодействия дефектов на физические свойства арсе-нида галлия, содержащего примеси 1У группы.- ФТП, 1975, т.9,2, с.387-390.

97. Товстюк К.Д. Проблемы полупроводникового материаловедения.-Сб. научн.трудов:Физические основы полупроводникового материаловедения, Киев: Наукова думка, 1982, с.3-14.

98. Чапнин В.А., Иванов B.C., Колесник Т.Ф.1, Ванюков А.В. О влиянии дислокаций на свойства/г- CdTe .- Сб.: Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков, Тбилиси,с.206-211.

99. Шейнкман М.К.; Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар в CdS .-Письма в ЖЭТФ, 1972, т.15,1. II, с.673-676.

100. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В.,Торчинская

101. Т.В. Механизмы излучательных и безизлучательных переходов1. П УТв соединениях А В и природа центров свечения.- Изв.АН СССР, с. Физика, 1976, т.40, В II, с.2290-2297.

102. Шейнкман М.К., Маркевич И.В., Хиврич В.А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS-'A^-'Cf,-ФТП, т.5, № 10, с. 1904-19II.

103. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках.- ФТП, 1976, т.10, № 2, с.209-233.288.; Шик А.Я. Подвижность- неравновесных носителей в неоднородных полупроводниках.- ФТП, 1976, т.10, № 6, с.1115-1118.

104. Шик А.Я. Рекомбинация неравновесных носителей и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках."- ФТП, 1975, т.9,1. В II, с.2129-2135.

105. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях.- ФТП, 1979, т.13, № I, с.93-97.

106. Шкловский В.И., Щур М.С., Эфрос А.Л. S -образная вольтампер-ная характеристика в компенсированном полупроводнике.-ФТП, 1971, т.5, № 10, с.1938-1942.

107. Щербак Л.П.,Никонюк Е.С., Панчук О.Э.,Савицкий А.В. ,Фейчук П.И. Исследование поведения Ge и CdTe Изв#> АН СССР,

108. Bryant F.J., Cox A.F.J., Webster E. Atomic displacements and the nature of hand radiative emission in cadmium telluride.-J.Phys.(Proc.Phys.Soc.), 1968, v.1, К 6, p.1737-1745.

109. Bryant F.J., Webster E. Threshold energy for atomic displacement in cadmium telluride.- Phys.status solidi, 1967, v.21, N 1, p.315-321.

110. Bryant F.J., Totterdell D.H.J. Electron radiation damage and the edge emission of cadmium telluride.- Radiat. Eff., 1971, v.9, N 1-2, p.115-120.

111. Бараненкова P.П. Исследование дислокационной структуры кристаллов теллурида кадмия: Автореф. дисс. . канд.техн.наук.-Москва, 1971.- 21 с.

112. Грыцив В.И. Исследование поведения меди, серебра и золота в теллуриде кадмия: Автореф. дисс. . канд.хим.наук.- Черновцы, 1975.- 20 с.

113. Матлак В.В. Исследование состояния дефектов в теллуриде кадмия: Автореф. дисс. . канд. физ.-мат.наук.- Черновцы, 1973.- 22 с.

114. Никонюк B.C. Физико-технологическое исследование примесных состояний в теллуриде кадмия: Автореф.1 дисс. канд. физ.-мат. наук.- Черновцы, 1975.- 22 с.

115. Парфенюк О.А. Электрические и фотоэлектрические свойства полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного элементами 1У группы ( Sn , бе ): Автореф. дисс. . канд. физ.-мат.' наук.- Черновцы, 1982.- 20 с.

116. Щербак Л.П. Исследование дефектной структуры теллурида кадмия, легированного германием и оловом: Автореф. дисс. .канд. хим. наук.- Черновцы, 1977.- 20 с.

117. А.с. 860643 (СССР) Способ создания контакта (Товстюк К.Д., Савицкий А.В., Павлин П.П., Парфенюк О.А., Чоботарь В.И., Бобицкий Я.В.), заявл. 14.04.80 (2802451/18-25). H0I 21/263.1. ПРИМЕЧАНИЕ

118. Личное участие диссертанта в работах, опубликованных в соавторстве, заключается в следующем;

119. Савицкий А.В;-, Никонюк Е.С., Иванчук Р.Д., Парфенюк О.А,', Илащук М.И.', Матлак В.В. Электрические свойства отожженных кристаллов CdTe:Fe ФТП, 1977, т.П, В 6, С.П73-П76.

120. Диссертантом проведены измерения электрических характеристик образцов Сс/Те -Fe с различной концентрацией примеси до и после термообработки.

121. Иванчук Р.Д., Парфенюк О.А., Чоботарь В.И., Илащук М.И. Эффекты памяти в естественнолегированных слоях п-Сс/ТеСборник тезисов 37 республиканской конференции молодых ученых по физике.' Минск, 1977, с. 32.

122. Диссертантом исследованы релаксационные зависимости фотопроводимости при различных условиях возбуждения собственным светом.

123. Матлак В.В.', Илащук М.И., Парфенюк О.А., Павлин П.А. Влияние линейных дефектов на физические свойства CdTe Тезисы докладов Первой Всесоюзной научно-технической конференции "Полутт утчение и свойства полупроводниковых соединений типа А В иту ут

124. Совместно с Парфенюком О.А, исследованы спектральные, температурные и люксамперные характеристики фотопроводимости и фото-холлэффекта образцов CdTe-Ge о различной концентрацией примеси.

125. Диссертантом проведены измерения электрических характеристик исходных и отожженных образцов CdTe •' Ge с различным количеством легирующей примеси. Совместно с Матлаком В.В. предложена модель, удовлетворительно объясняющая полученные данные.

126. Диссертантом проведены измерения температурных зависимостей электропроводности и коэффициента Холла образцов CdTe: Те до и после термообработки.

127. Матлак В.В., Илащук М.И., Парфенюк О.А., Савицкий А.В. Электрические свойства полуизолирующего Сс/Те ФТП,1977, т.II,

128. В 12, с.2287-2291. Диссертантом исследованы электрические свойства полуизолирующих кристаллов Сс/Те-' Ge , Sn , Интерпретация результатов проведена совместно с соавторами.

129. Парфенюк О.А,', Никонюк Б.С., Илащук М.И., Савицкий А.В., Матлак В.В.,Павлин П.А. Особенности электрических свойств кристаллов CdTe :Sti. Рукопись деп. в ЦНИИ "Электроника" от 04.12.79 г., В РА-2868.

130. Диссертантом были исследованы температурные зависимости проводимости и коэффициента Холла образцов Со/Те: Sri, а также проведены теоретические расчеты указанных характеристик.

131. Диссертантом проведены измерения электрических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe-Ge . Обсуждение полученных результатов проведено совместно с соавторами.

132. Илащук М.И., Скицко А.И., Матлак В.В. Фотоэлектрические свойства теллурида кадмия собственной проводимости.- В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Материалы для оптоэлек-троники", Ужгород, 1980, с.141.

133. Совместно с Скицко А.И. проведены измерения спектральныхf температурных и люксамперных зависимостей фотопроводимости и

134. ИК-гашения. Особенности исследуемых характеристик объяснены совместно с Матлаком В.В.

135. Диссертантом исследованы электрофизические свойства кристаллов CdTe-Ge собственной проводимости путем сравнения экспериментально полученных и теоретически рассчитанных характеристик.

136. Матлак В.В., Илащук М.И., Полянко 0.С, Влияние термообработки на электрические свойства CdTe , легированного Ge .- Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т.19, № II, с.1935-1937.

137. Диссертантом проведены измерения температурных зависимостей электропроводности и коэффициента Холла исходных и отожженных кристаллов CdTe-Ge. Совместно с Матлаком В.В. предложена модель процессов, происходящих при термообработке.

138. Илащук М.И., Матлак В.В., Воронюк П.И. Влияние низкотемпературного отжига на электрические свойства p-Cdleв кн.-:

139. Тезисы докладов У Всесоюзного совещания "Физика и техническое1. П УТприменение полупроводников А В , Вильнюс,1983,т.3,с.62-63.