Взаимодействие электромагнитного излучения с волнами объемного заряда в n-GaAs тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

Введение

Глава I. Исследование взаимодействия электромагнитного излучения со статическими электрическими неус-тойчивостями в диодах с междолинным переносом носителей.

§ I Исследование эффектов локализованного развития отрицательной дифференциальной проводимости

§ 2 Эффекты взаимодействия электромагнитного излучения с образцами, стабилизированными внешней схемой.•.

Глава П. Взаимодействие электромагнитного излучения с формирующейся электрической неустойчивостью

§ I Влияние степени сформированное™ домена на выходные параметры генераторов Ганна

§ 2 Влияние скорости формирования домена на полосу частотной перестройки генератора Ганна . •

§ 3 Трансформация электрических неустойчивостей в поле электромагнитной волны.

Глава Ш. Некоторые особенности взаимодействия электромагнитного сигнала с движущимися электрическими неустойчиво с тяжи.

§ I Использование нелинейности высокочастотной проводимости диода Ганна для преобразования внешнего СВЧ излучения.

§ 2 Использование внешней 0Д11 генерирующего диода Ганна для частотного преобразования СВЧ сигнала

§ 3 Особенности синхронизации генераторов Ганна, работающих в режиме формирующегося домена

Глава 1У и возможности исследования пространственно неоднородных образцов с N -ОДП радиочастотными методами.

§ I Исследование локализованного междолинного переноса носителей и процессов формирования статических доменов.

§ 2 Исследование параметров движущихся доменов в коротких диодах Ганна

§ 3 Изучение переходных процессов при формировании движущихся дипольных доменов.

За последние годы развитие радиоэлектроники и особенно микроэлектроники показало, что решение проблемы создания электронных схем, обладающих значительными функциональными возможностями не может быть осуществлено только путем повышения сложности и степени интеграции микросхем, построенных на принципах классической схемотехники. Традиционное направление интегральной электроники вплотную столкнулось с проблемой возрастающих количеств, так как задачу создания сложных устройств пытаются решить, используя трлько эти принципы. Поэтому в настоящее время становятся все более актуальными разработки электронных схем, расширение функциональных возможностей которых не требовало бы существенного увеличения количества необходимых компонентов, а определялось, ч в первую очередь, возможными режимами их работы.

Практика показала, что одним из перспективных путей реализации многофункциональных электронных схем является широкое использование богатейшего арсенала физических явлений, наблюдаемых в нелинейных электрических схемах в непрерывных средах (в системах с распределенными параметрами). Так множество дискретных компонентов сложного радиоэлектронного устройства может быть заменено средой, выполняющей функции этого множества. Эти физические предпосылки положены в основу нового, интенсивно развивающегося направления радиоэлектроники - функциональной радиоэлектроники.

В последние годы повышенное внимание привлекло к себе изучение неравновесных состояний в объеме твердых тел. Разработке этих вопросов посвящено большое количество работ школы Пожелы Ю.К. Исследования при этом явления дрейфовой, концентрационной и других видов отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП),неустойчивостей, связанных с эффектами горячих носителей, создание принципиально новых активных устройств электроники, доказали несомненную перспективность данного направления исследований с научной и практической точек зрения. Последнее подтверждается результатами исследований проведенных в ИФП СО АН УССР Кравченко А.Ф., Еородовским П.А. и другими.

Особый интерес вызывают явления объемной ОДП, особенно те из них, которые имеют малые характерные времена, в частности, обусловленные междолинным переносом горячих носителей. Так как наиболее общим следствием появления ОДП является разбиение поля в образце на домены слабого и сильного поля (эффект Ганна), усилия исследователей были направлены на изучение динамики доменов, в результате чего удалось определить теоретически и экспериментально многие параметры стабильных доменов сильного электрического поля в зависимости от электрофизических параметров полупроводникового материала и напряжения смещения на образце. Подтверждением этому может послужить ряд фундаментальных работ Бонч-Бруевича В.Л. и Левинштейна М.Е. с группой сотрудников ЛфТИ.

Контролирующее влияние высокочастотного напряжения на образец, расположенный в контуре, однако, существенным образом изменяет и усложняет картину явления. В частности, удается реализовать режим, при котором частотные возможности определяются не пролетной длиной образца, а свойствами колебательной системы или характеристиками входного сигнала. К сожалению, достаточно простой и общий аналитический подход, который позволил бы уяснить переход одного режима в другой, их связь и способы реализации, отсутствует. Исчерпывающие исследования выполнены либо для практически безынерционного (стабильного) домена, либо для режима ограниченного накопления объемного заряда, В первом случае с помощью "правила равных площадей" Батчера, Фоссета, Хилсума удается построить динамическую вольтамперную характеристику диода, отражающую наличие уже сфорлировавшегося домена. Во втором случае при условиях, исключающих формирование домена, можно непосредственно использовать характеристику "скорость-поле" ФсЕ) , как это было проделано Коуплэндом в работах, посвященных разработке теории режима 0Н03. При этом из рассмотрения выпадает вопрос о возможности самовозбуждения и существования автоколебаний при асинхронном соотношении их частоты и пролетной частоты,когда наличие большой начальной амплитуды нельзя объяснить пассивной фильтрацией спектра пролетных колебаний.

Отмеченные пробелы теории особенно заметны при анализе режима формирующегося домена автогенераторов на диоде Ганна, для которого характерна близость периода автоколебаний к времени переходных процессов домена, Его особенностью, ценной для практики, является возможность достижения высокого КЦЦ при перестройке частоты инерции в широких пределах. Как известно, состояние диода можно было бы описать единственной характеристикой 1}(Е) с падающим участком, достаточной для анализа автогенераторов. Однако образование домена, приводящее к резкому перераспределению поля в диоде, неизбежно вызывает деформацию его вольтампер-ной характеристики. Существенной чертой этого процесса является его инерционность, обусловленная ограничением скорости изменения заряда домена омическим сопротивлением диода.

Преодолеть указанные трудности и противоречия и провести аналитическое изучение частотных свойств диода Ганна, работающего в режиме формирующегося домена, оказывается возможным при систематическом учете его инерционности. Решению задачи в таком аспекте бшь по'священ ряд фундаментальных работ Харьковской школы Прохорова Э.Д. В них были сформулированы основные принципы работы диода Ганна в гибридном режиме и возможности перевода его в режим 0Н03 или режим подавления доменов изменением величины смещающего напряжения. В наиболее общем подходе решение этой задачи предусматривает привлечение в расчет статической зависимости и параметров доменов сильного электрического поля. Однако отсутствие строгой аналитической теории нестабильных ган-новских доменов не позволило учесть инерционность установления их параметров и таким образом выявить многообразие в поведении диодов, испытывающих воздействие электромагнитного излучения.

Особое место в ряду проблем, связанных с физикой неустойчивости, занимают вопросы,их возникновения, и трансформации в пространственно неоднородных системах с одним и более видами ОДП . В трудах московской школы Калашникова С.Г. проведено теоретическое и экспериментальное исследование поведения статических доменов для образцов с концентрационной ОДП, при этом обнаружены новые способы генерации, преобразования сигналов, включающие параметрические эффекты и хотя проведенные исследования указали на их чрезвычайную важность и перспективность, они, к сожалению, не включили в себя ту область режимов работы, при которых частота зондирующего сигнала была бы близка обратному времени формирования статической неустойчивости.

Таким образом, целью данной работы является теоретическое и экспериментальное исследование закономерностей взаимодействия и взаимовлияния электромагнитного излучения и электрических неус-тойчивостей в среде-с $ -ОДП для обеспечения, дальнейшего расширения их практического использования при создании различных функциональных элементов и устройств микроволнового диапазона, а также, при разработке новых радиофизических методов исследования электрических неустойчивостей в среде с № -ОДП.

Решение проблемы включало следующие этапы :

- выявление, экспериментальное исследование и определение закономерностей эффектов взаимодействия внешнего электромагнитного излучения с электрическими неустойчивостями локализованными в образце смещенном в допороговую область напряжений, на частотах близких обратному времени перераспределения потенциала между областью с ОДП и остальной частью образца;

- определение условий возникновения движущихся электрических неустойчивостей в образцах, стабилизированных внешней цепью при их взаимодействии с внешним электромагнитным излучением;

- всестороннее изучение физических закономерностей воздействия высокочастотного (ВЧ) поля большой амплитуды на процессы образования, движения и исчезновения доменов СЭП, включающее в себя : а) теоретическое исследование работы генератора Ганна в режиме формирующегося домена; б) экспериментальное исследование динамики электрической неустойчивости при одновременном воздействии на образец постоянного греющего поля и ВЧ поля большой амплитуды;

- выявление физической природы процессов, возникающих при взаимодействии внешнего электромагнитного поля с генератором Ганна, работающим в режиме формирующегося домена.

При выполнении работы уделялось большое внимание использованию полученных результатов для выработки рекомендаций по технологии и разработке принципов создания элементов функциональной электроники.

В качестве объекта исследования были выбраны диоды Ганна типа "сэндвич", выполненные из эпитаксиального П'ОйАз с длиной активной области ¿-10.90 мкм и концентрацией легирующей примеси /I - 4»10"^. 3*10^ см~3 в керамических кристаллодержате-лях. Такой выбор объяснялся следующими причинами:

I. Оценка величины времени формирования стабильного ганнов ского домена в таких образцах показывает, что режим формирующегося домена наиболее вероятен в автогенераторах сантиметрового диапазона, т.е. рабочего диапазона автогенераторов, использующих диоды с приведенными выше параметрами.

2. Поскольку работа преследовала своей целью выработку практических рекомендаций по созданию новых функциональных узлов и устройств СВЧ диапазона, за основу были выбраны электрофизические параметры диодов, наиболее широко представленных современной отечественной промышленностью.

Исследования проводились, в основном, экспериментальными методами. Для этого были созданы приборно-измерительные комплексы,, позволяющие: а) регистрировать наличие электрических неустойчивостей, локально развивающихся в объеме образца, и их развитие с изменением приложенного к образцу постоянного греющего поля радиофизическими методами; б) изучать переходные процессы установления стационарных колебаний в автогенераторах на диодах Ганна, обусловленных формированием движущихся электрических неустойчивостей в присутствии переменного поля большой амплитуды; в) определять время формирования стабильных ганновских доменов в коротких образцах из семейства амплитудночастот-ных характеристик синхронизации генераторов, построенных на их основе.

Кроме указанных,' применялись обычные радиофизические методы исследования пассивных и генерирующих образцов с развивающимися в них электрическими неустойчивостями. К ним относятся панорамный, метод измерения импеданса, измерение фазового соотношения двух сигналов с помощью фазометрического моста, изучение частотного спектра сигнала и другие.

В соответствии с этапами решения проблемы, основной материал диссертации разбит на четыре главы.

В первой главе изложены результаты исследований эффектов неоднородного разогрева носителей в эпитаксиальных пленках арсени-да галлия, возникновения статических доменов сильного электрического поля и их перерастания в движущиеся. Неоднородный разогрев носителей получался двумя независимыми методами: подбором образцов с различной степенью врожденной неоднородности, в том числе и возникающих при нанесении контактов; стабилизацией генерирующих образцов внешней цепью. Детальные исследования динамики доменов проводились путем взаимодействия СВЧ излучения с образцом.

Во второй главе приведены данные комплексного исследования работы автогенератора на диоде Ганна в режиме формирующегося до-ме'на. Предложена аналитическая теория работы диода с нестабильным движущимся доменом в параллельном резонансном контуре. Особое внимание уделялось экспериментальному исследованию переходных процессов, возникающих в таких генераторах при изменении постоянного поля смещения, либо переменного поля резонатора, аналитическое описание которых, в рамках приведенной теории, не представляется возможным.

В третьей главе описаны исследования эффектов взаимодействия движущихся электрических неустойчивостей с полем, представляющим собой супперпозицию собственного поля резонансного контура и переменного поля внешнего воздействия при асинхронном соотношении их частот. Предложена методика расчета автодинного смесителя на диоде Ганна, генерирующего в моде формирующегося домена, приведены результаты экспериментальных исследований такого смещения. Представлены результаты экспериментального исследования особенностей синхронизации ганновских генераторов, работающих в режиме формирующегося домена.

В четвертой главе предложены новые радиофизические методы исследования параметров электрических неустойчивостей разработанные на основе результатов исследований, представленных в предыдущих главах работы. К ним относятся: метод исследования электрических неустойчивостей локализованных в объеме образца, смещенного в область предпороговых полей; измерение параметров движущихся электрических неустойчивостей и времени формирования стабильных доменов сильного электрического поля в коротких диодах Ганна; метод исследования переходных процессов установления стационарных колебаний в автогенераторах Ганна. Наиболее общие положения, развитые и обоснованные в диссертации, можно сформулировать следующим образом:

1. Взаимодействие электромагнитного излучения с электрическими неустойчивостями, локализованными в объеме образца, носит резонансный характер с частотой, определяемой временем перераспределения потенциала между областью с ОДП и остальной частью образца и зависящей от параметров обеих областей.

Разработанная методика исследования такого взаимодействия дает возможность измерять параметры электрической неустойчивости и диэлектрическую проницаемость арсенида галлия в условиях междолинного переноса.

2. Пороговое значение амплитуды внешнего сигнала, необходимого для возбуждения автоколебаний в образцах стабилизированных внешней цепью, строгим образом зависит от частоты сигнала и параметров электрической неустойчивости.

3. Изучение высокочастотной моды формирующегося домена с необходимостью требует включения гистерезисных явлений и задержек, связанных с зарождением и подавлением домена.

Многообразие механизмов взаимодействия электромагнитного излучения с формирующимися электрическими неустойчивостями в образцах объясняется различной степенью сформированности объемного заряда.

4. Комплексное использование нелинейности динамической вольтамперной характеристики диода, генерирующего в моде формирующегося домена, и ее продолжительного падающего участка может послужить основой для создания новых многофункциональных устройств СВЧ диапазона: индикаторов и измерителей малых уровней СВЧ мощности, элементов памяти, преобразователей частоты и др.

Диссертационная работа была выполнена в отделе полупроводI никовой электроники Днепропетровского отделения Института механики АН УССР, позднее реорганизованного в Институт технической механики АН УССР на период 1974-1981 гг. Тематика исследований соответствовала планам НИР: "Кинетика доменных неустойчивостей в функциональных устройствах на базе многодолинных полупроводников" 71038718, "Стабилизация отрицательного дифференциального сопротивления N - и S - типов в объеме полупроводников и его использование в функциональных узлах приборных комплексов" № 76030894, выполненных в соответствии с планами секций "Плазма и неустойчивости в полупроводниках", "Микроэлектроника", Совета АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников".

Основные результаты проведенных исследований можно суммировать оледукхцим образом :

1. В диодах с пространственной неоднородностью экспериментально установлено наличие резонаноных явлений на частотах, определяемых временем установления объемного заряда в области локализованного развития ОДП. Показано, что динамика объемного заря1 да удовлетворительно описывается в рамках классической модели Друде-Лорентца.

2. В образцах, стабилизированных от собственной генерации внешней схемой, условия возникновения автоколебаний определяются соотношением резонансной частоты возникающей статической неоднородности и частоты внешнего сигнала.

3. Теоретически и экспериментально показано, что воздействие высокочастотного поля на свойства образца с доменом сводится к изменению степени сформированности домена и, следовательно, эффективной величины динамической ОДП. Определены оптимальные значения выходной мощности, эффективности и сопротивления нагрузки генератора, работающего в режиме формирующегося домена.

4. Показано, что время установления частоты генерации обусловлено накоплением остаточного объемного заряда домена и изменением эффективной величины плотности носителей. Определены условия минимизации задержки установления стабильной частоты генерации.

5. Показано, что для генераторов, работающих в доменных модах, типична ассиметрия АЧХ синхронизации, обусловленная зависи мостью гистерезиса домена от степени его сформированности.

6. Определено оптимальное для получения максимальной эффективности преобразования сигнала соотношение проводимости диода на постоянном и переменном токе. Показана возможность и разработаны физические принципы создания преобразователей частоты.

7. Предложены радиофизические методы контроля динамики объемного заряда: а) локализованного в области статического домена - основанные на измерении мощности поглощаемой диодом, его импеданса и фазочастотных характеристик прошедшего сигнала; б; движущегося домена - основанные на измерении коэффициента синхронизации и частоты колебаний в различных точках вдоль радиоимпульса генерации на фронте установления стационарных колебаний в резонаторе.

8. Разработан метод измерения времени формирования объемного заряда в условиях одновременного воздействия на диод постоянного поля смещения и переменного поля большой амплитуды, основывающийся на измерении АЧХ. синхронизапди генератора в различных точках его частотного диапазона.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Комплекс представленных в диссертации исследований возник из проблемы выяснения природы явлений взаимодействия электромагнитного поля с формирующимися электрическими неустойчивостями, возникающими в средах с локальной и нелокальной отрицательной дифференциальной проводимостью. Выполненные с этой целью работы потребовали расширения круга изучаемых явлений и представлений о закономерностях возникновения ОДП и электрических неустойчи-востей в электрически неравновесных пространственно неоднородных средах, испытывающих влияние высокочастотного поля большой амплитуды с периодом колебаний сравнимым с характерным временем формирования неустойчивостей.

Для обоснования основных научных положений, развитых в работе и выносимых на защиту, было проделано следующее : а) Проведено последовательное изучение механизмов взаимодействия электромагнитного излучения со статическими электрическими неустойчивостями, локализованными в объеме образца.

При этом исследовались электрические статические неустойчивости двух видов: возникающие на концентрированных неоднороднос-тях и проявляющиеся уже в предпороговой области смещающих напряжений, прианодная область повышенного напряжения, возникающая в образцах стабилизированных внешней цепью при полях, превышающих пороговое для возникновения генерации. б) Всесторонне изучен характер воздействия высокочастотного поля большой амплитуды на движущиеся электрические неустойчивости: проведен теоретический анализ работы генератора Ганна в режиме формирующегося домена; экспериментально исследованы трансформации неустойчивостей в У1иОйЛ$ , обусловленные изменением амплитуды высокочастотного поля или постоянного поля смещения. в) Проведен теоретический анализ и экспериментальное исследование некоторых особенностей взаимодействия генерирующего диода с внешним электромагнитным излучением, отличающимся по частоте от собственной частоты генерации диода. При этом всестороннему исследованию подвергались как работа диода в роли автодинно-го смесителя, так и некоторые особенности синхронизации генераторов на диодах Ганна »работающих в режиме формирующегося домена.

С этой целью были разработаны методики исследования локализованного меядолинного переноса носителей и формирования статических электрических неустойчивостей, исследования параметров движущихся доменов в коротких диодах, а также экспериментального исследования переходных процессов, возникающих при формировании движущихся электрических неустойчивостей в присутствии переменного поля большой амплитуды, с помощью радиофизических методов измерения.

1. Mag со-shack j., M'u-cel A. WideSavd CW amplified ¿¿on in X-3and with Gunn- diodes. -

2. SC Covf. Hcg, Technical Papers, 1Щ p. ¿34--/35.

3. MagarshacA j., Mircea A. Stabilization and wide lande amplification using a^eroritical-fy doped transferred electron ¿Cedes. - Рлос. ¿¿¿. Con/. Microwave and Optical Geszprtftian and

4. Amplification, Amsterdam, Jhe /Netherlands, /Щ p /6-/? -/S. 23.

5. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука,1972-416 с.

6. T/7L777H.W., tfnightS. Garrier generation and switching phenomena in n Go As devices. -Appl. Phys. oCe tiers, /#67, VJ1, л/S, p- 45-47.

7. SAow/f.P, Salomon £7?., Gwffa tfbe influence of Sot/n dart/ conditions on current instabilities in GaAs. /3MJ. tes. Pent, y. /3, MS;p. 547-5№

8. Г/атп HStaSility and switching in avercrilicallc/ doped Gmn diodes. Proc. /FEE, v. 5%1. P. SPS5-/2S6.

9. Левинштейн M.E., Пожела Ю.К., Шур M.C. Эффект Ганна. -M.: Советское радио, 1975. 288 с.

10. Posztoczf Л£, Goldwaseen ¿¿/¿¿an ZG.-GaAs Gunn diodes.- /tficrowevej.} /$73, p5/-54.

11. Кэррол Дж. СВЧ генераторы на горячих электронах: Пер.с англ. / Под ред.Б.Л.Гельмонта. М.: Мир, 1972. - 383 с.

12. Каганов В.И. СВЧ полупроводниковые передатчики. -М.: Радио и связь, 1981. 400 с.

13. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под ред. М.Хауэса, Д.Моргана : Пер. с англ. Пер.под ред.В.^С.Эткина. -М.: Мир, 1979. 444 с.

14. Кукарин C.B. Электронные СВЧ приборы. М. : Радио и связь, 1981. - 272 с.

15. Соколовский И.И., Плаксин C.B., Челядин А.В. Фазовращатель на диодах с междолинным переносом электронов. Тез.докл. Всесоюз.науч.-тех.конф. Киев, 1982, с.5.14. (fUnnj.S. jnséaâîliites ûf cv/-/-ené ¿n ///-v se777LCff72dacéûw. -J8M joi/z-n. /Ces. #ezf>.,

16. M.S.j Gopínaík A. Pf¿?#¿r7g £¿/nn d¿>7T7a¿77sa¿ X-dand 7лсс/*й1£>а/-е f/~ee^¿/e77c¿es ¿/s¿'n^ a sean 77¿77^ 777¿c/-oseape. -J. Pfys. Я:Арре. Pá¿/sv Щ к 7, а/У, p. sp-77.

17. Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах: Пер.с нем. / Под ред.В.Н.Сретенского. -М.: Физматгиз, 1963. -368 с.

18. Раппопорт Г.Н., Райва Д.П., Загороднюк A.M. Измерение им— митанса активных и пассивных двухполюсников. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1973, вып.П, с.96-97.

19. Антипов В.Б., Левашкин В.И. Измерение параметров эквивалентной схемы варактора по проходящей и отраженной мощности. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1977, вып.8. с.85-89.

20. Трифонов В.В., Чеканников Б.А. Измерение характеристик диода Ганна в режиме большого сигнала. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1978, вып,3, с.89-93.

21. JfeinSe TV. Principies о/ а pdenomenafagicaf tAeary а/ £(/лл osciiiatar. Sofrd- State <?&ctrarzies, /Щ к//7 />. 533-523.24. /(¿/rttiawa P. Transient SeAaviar op Pi^d/ie£d domains in semiconductors. Prac. I££E7 /05/, v. ss,1. N9, p. -/¿¿б.

22. Шур M.C. Аналитическая теория динамики ганновских доменов.-ФТП, 1973, т.7, № 6, с.II78-1183.

23. PoProcP P. Effects а/ device parameters ¿777 domain dynamics in GaAs. Prac. !£££, /Щ к 53, ¿/6, р.зм -Ж5„

24. Odtomo M. PvcPeation of Pip/ifiedd da mains ¿л Gats.-Jap. J. Jpp£ PAvs., /Щ v. 7, p.

25. Хиппель А. Р. Диэлектрики и волны : Пер.с англ. =/ Под ред. проф.Н.Г.Дроздова. -М.: ИЛ, I960 438 с.

26. Hoßson&.S. Mp eyi/cmßeni ecraiit qp a ¿?onn-<?fpec^ device. J/7,; 6th Jntemationaf ¿reference on microwave and optica?generation and amplication. Proc.} СатлЗн^е, Щ р.з/4-з/<е.

27. Fawcett W., ßoardman АД., Swain S. Monte- farfo determination о/ electron transport properties in partium arsenide. -jP/ys. Mem. So?., /00 v.з/, а/9, p. /993-/т.

28. А с fei 9. A. Microwave //art moßifit// of Act electrons ¿npafftum arsenide. /fritips /Pes. fiepts., /95?, y. vs, /1 £4/-552.

29. Челядин A.B., Гончаров B.B., Соколовский И.И. Исследование отражательного усилителя СВЧ на эффекте мевдолинного переноса электронов. В кн.: Элементы радиоприемных устройств. Таганрог, 1979, с.65-71.- 139

30. PerfvTav 3. S., ¿/padfyaj/í/fá C.aí., Ралх f. itfcde Ja vd re/fecÍLOTi-íj/pe ¿ranfes-red pfecérov arr7pP¿y¿ers. -////

31. Ггат,/Щ v.tf7T-/S, tí//,/>.&/-&/.

32. J/cCumfer ЯЗ., Chi/nontá/? А. С. /Аеагу а/ negati&e -cendvctíaTjce arnpftfcatean and а/ £¿/7777 с 77 s/a-ÍLÍLÍles ¿n ,,íwo va££e¡/"ser77ic0S7d¿/céors.-lf££ favs., /933, к ЕЯ-/3, я/, p

33. Sterser £ Sía3L'3¿¿a¿LO/7 а/ сс/регснйса£т/ла/7^еллеа/-e Secaron awpeí/i'ers. -Prac. !£££, /93Р v.sz y/¿7, p/W-Ш.

34. AcM S.A. ffeéemínaéíov a/ ¿fyp 7zepaé¿&e dlf/esenü'at 77?o3¿3¿{y а/ a-typppa3£¿¿/777 arsenidp c/Scnf <$'777777 m'ctam&es. -Páys. ¿¿e&ers А, /Щ К 94, p.PCO-PCP

35. Pawag ¿ус/ti c., ЛЬm т., J77vís/ti 7. Mtcrawa&e Tveasuremevé a/ d¿yyeren tía / nPfa/W ppnducéív¿é¿/ d¿/e ¿o fréfritaMp frans/er af Ш pfefé/>077$ ¿77 77• ¿ype CaAs. • P/tj/s. deMers, /93/, V.&A, PSP, p. 300-39/.

36. Калашников С.Г., Любченко B.E., Скворцова H.E. Отрицательная дифференциальная проводимость арсенида галлия при нагреве электронов СВЧ полем. ФТП, 1967, т.1с.1445-1447.

37. Braslaa M Velocity-field characteristic of gaffium arsenide from measurement of ¿he conducéitf¿~ty ir? a micro ware fee Id. Phys. ¿eté.,SP57, vf4Ap. 53/ 533.

38. Cohen ct.JP. J microwave evaluation о/ hhe &etba<ty-field characteristic in differed regions of individual epitaxial gallium arsenide facers. -Proc. i НЕ, /Щ /. 57, л/7, p/JSP-/31/.

39. Винтман 3.JI., Гончаров B.B., Соколовский И.И., Челядин А.В. Индикация малых уровней СВЧ-мощности. Микроэлектроника, 1978, т.7, ¿E 3, с.274-278.

40. Соколовский И.И., Костылев С.А. Управление частотой генераторов Ганна введением синхросигнала. Радиотехника и электроника, 1973, г.17, £ 2, с.319-325.

41. Соколовский И.И., Костылев С.А. Генератор на диодах Ганна с плавной настройкой. Изв.Вузов СССР, Радиоэлектроника, 1973, т.16, tf 10, с.17-20.

42. Стабилизация отрицательного дифференциального сопротивления N- nS -типов в объеме полупроводников: ОтчетДШ АН УССР; Рук. С.А.Костылев.ГР 76030894; víhb.Jí б 819409, 1979.- 281 с.

43. Соколовский И.И., Челядин А.В., Гончаров В.В. Измерение интенсивности импульсного электромагнитного излучения. В кн.:

44. Метрология в радиоэлектронике: Тез.докл.У Всесоюзной научно-техн.конф. Тула, 1981, с.63-64.

45. Костылев С.А., Соколовский И.И., Челядин А.В. Элемент памяти на диоде Ганна. УШ Всесоюзная конференция по СВЧ электронике: Тез.докл.Ростов-на-Дону, 1976, с.152-153.

46. Бонч-Бруевич В.JI., Серебренников П.С. К вопросу о типах доменной электрической неустох^чивости в полупроводниках с горячими электронами. Радиотехника и электроника, 1969,т.14, вып.9, с.I648-1655. .

47. Copelavd J. A. A new wade a/ operationfar ¿¿/ft negative resistance oscillators. Proc. /£££,1. Л//0, p /4Г2-Ш

48. Вс/бтпап Pj\,doS5on 9. S, 7aylor AC Trans/erredelectron dev£ces.~c/ondon A/ew- Уаг/еу Acad. Pressf /9/2.de&'nst&nM.f^S/rvrtf.s Computer-calculations of t/?e efficiency of the £¿//7/7 fp/te/tf-toti -£lectroa deil, /26В, v.4, л/2/, p

49. M/inetsovfiK, oievinstecn //.£., SAt/r Mf. Jhe invest got ¿on of Me 9onn died? aperation ¿17 a resonator ¿/stnp the computer model.-Sol -2t. <£dec-tron., /Щ K/4,W3, p. 22/-22C7,

50. Бородовокий П.А., Булдыгин А.Ф. Параллельная работа диодов Ганна в коаксиальном резонаторе. Радиотехника и электроника, 1969, т.14, В 2, с.362-365.

51. Прохоров Э.Д., Арендарь В.Н. Об условиях работы диодов Ганна в гибридном режиме. Радиотехника и электроника, 1971, г.16, Я 7, с.I230-1236.

52. Warner tot- ^tension qr ¿¡¿/ря effect theory oi&en Sy Poison and mhrovs. Electron. c/ett., /966 Y.2, А/7 1/>-260-26/.

53. Bt/tehet-PN.? Fawceli W. SiaSle domain propagation¿77 the Si/7777 effect. BHi.f Appl. Phys„ Ш, к /7, Щp. W 5-/4 32.

54. Алтухов И.В., Каган М.С., Калашников С.Г., Кукушкин В.В. Миллиметровое излучение диодов Ганна, модулированное пролетной частотой. Письма в ИГФ, 1976, т.2, вып.10, с.477-479.

55. Caf+oIGcBitn P.A. cíow freat/e/7c¿/ a77a£oofor a Gc/nn -effect osaffaror. /PÍE Trans. efea/rov Reveces, /96., У- ЕЯ. -J4, л//Р,р. Ш

56. CcpeSand J.A. Theoretical séc/dy о/ а Sonn d¿ ode ¿n a rafonané cít-cocé. /рр£< Trars.j У- ЕЯ1. Afp, />. SS-SS.87. rfeinfe IV. 2&er777¿77aé¿or7 о/ G¿/n77¿¿odes- Sfeeéro-rzíescéeé-é-, /£6?, v-J; VP, p. S2-S4.

57. Тагер A.C. Теоретическая оценка предельной мощности генераторных СВЧ диодов. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1974, № II, с.36-50.■

58. Coftfam F.P. tfioh ef/eccencj/ Х-Sand Sonn оfc¿£-Eaéórs. Рмс. /£ЕЕ, /Ш, к S7, , л/£, p. /sf-esp.

59. ЭО.Арендарь В.Н., Прохоров Э.Д. Перескок частоты в генераторах Ганна. Радиотехника и электроника, 1973, т.18, №6, с.1320-1322.

60. ЭЗ.Гоноровскии И.С. Основы радиотехники. -М.: Советское радио, 1964.

61. Андрианов A.B., Сюваткин B.C. Исследование импульсного генератора на диоде Ганна. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1978, в.II, C.II3-II6.- 145

62. Freemn K<R',Ho8sov 6.S. T/ie Vfr retettonaf CW £1/7777~ . ' e//eci deütces. /FFF Trans, /П'?, к ^p 62-70.96. ß/ag(2rsftäc& 1 fatiс er А., Spifafvti f. ^piiwz/rn d6>?L//70f ¿rans/errea? е£ес&ел ащр&уее/- de vi res гя GaAs. -/¿FFT/ans., Щ v.FP-F/, p>

63. Эйзенгарт Т., Кан Д. Теоретическое и экспериментальное исследование держателя СВЧ элемента в волноводе. Заруб.радио-электр., 1972, JB 8, с.102-111.

64. Соколовский И.И., Челядин A.B., Яиуненко А.Г. Диапазонные характеристики генераторов на диодах с переносом электронов.' В кн.: Электродинамика и радиофизическое приборостроение. Днепропетровск, 1980, с.35-40.

65. CopeFand J-A. dSA es¿/¿¿¡з¿¿г- ¿¿ode Mearß-j.AfpFrhi/s.j №, к 38, YS, р. ЗОР5-ЗШ

66. Связь, 1974. 73 с. ЮЗ.Соколинский В.Г. Экспериментальное исследование частотных искажений сигналов в частотно-модулированных автбгенераторах СВЧ при высоких скоростях модуляции. - Радиотехн. и электрон., 1973, т.18, вып.10, с.2194-2196.

67. Ma two TochLhito. Effects о/a ponn oscilla/слoperating on a temperature depance Of diodes conduction. SoB. - Si. Slectro77.f /272, V. 22, a/2, p. 75/-Г52.

68. Ю5. fias A. fy/ects о/ a temperaiore gradient 077 a do7naiV' mode pV77n oscillator operating 177 a ra son a to/-, Sol.-Si eeectronШ, v. /7, У/, /> 3/3-3/5.

69. Воробьев B.H., Эткин B.C. К исследованию эффнкта Ганна в магнитном поле. Радиотехника и электр., 1969, т.14,вып.2, с.327-330.

70. И54 Peen*.H., Maidhese £.j> The QaAs iravetärrf waite. ampecfCe^ as a hew Find af mic/wwatte ¿ra 77s¿'s/o* -Proc. /f££f /ж, к бе, />. /Мб- rsoe.

71. П6. ßi/Шег р.м, Ражей\K/t Pcis^777 f. A ttmpe* anafysis y siaßte äamaCn рмраоай'ол ¿л ¿he £¿/7177 ep/ecii. -Bnt.J. tippt. Phys., /Ж, v/T, У7, р<?4/-Ш

72. Калашников С.Г., Любченко В.Е., Скворцова Н.Е. Отрицательная дифференциальная проводимость арсенида галлия при нагреве электронов СВЧ полем. ФТП, 1967, т.1, № 9, с.1445-1447.

73. Алтухов И.В., Каган М.С., Калашников С.Г., Кукушкин В.В., Ландсберг Е.Г. Электрическая неустойчивость полупроводникас ОДП при одновременном нагреве электронов постоянным и переменным электрическими полями. ФТП, 1978, т.12, вып.2, с.299-302.

74. Калашников С.Г., Каган М.С., Кукушкин В.В. Электрически активные полупроводники и их использование для генерации и преобразования частоты СВЧ колебаний. Радиотехн.и электрон., 1978, т.23, & 9, с.1915-1918.

75. Magavo $.f jheaiwa. Р< ¿e/iatäev/* ар £¿/7777 d/ede а sc/РРа/а^ wtth а -maitc na refferto* as a seCf- ¿>xcted rnr**'* a^d a 3oad warfantian detedo/-. /£££ Trans.7 /Щ V- M77-/P, р. М-Ш

76. Андреев B.C. Теория нелинейных электрических цепей. -М.: Связь, 1972. 328 с.

77. Гончаров В.В., Коломойцев В.Ф., Соколовский И.И., Челядин А JB., Яцуненко А.Г. Автодинный приемник на диоде Ганна. Тез.тема-тич.засед.-сем."Элементы с ОС в радиоприемной аппаратуре",1. M., 1982, с.8.

78. Коломойцев В.Ф., Соколовский И.И., Челядин A.B. Преобразователь частоты на диоде Ганна. В^кн.: Электродинамика и физика СВЧ, Днепропетровск, 1980, с.159-166.

79. F Bern i770 Р'Ь. $¿777 chrori¿ation op m ¿ero watte osaffaticosin ûû/s. /ï-ос. /fee, yçss, v.s3r p. /sss- /sss.

80. M о 77s с?? Mâ. Freo о en су contrc S о/ pefsed Sa A s irá/7777 e/pecéû aiûdes fy injection Soctiezo. Proc. /£££, 065, У. S3, p. /74/-/&Z

81. Гельбвахс, Мэо. Фазовая синхронизация в импульсных ганнов-ских генераторах. ТИИЭР, 1966, т.54, № II, c.IOO-IOI.

82. Уаёti 3. M, âecco7?efP, Waw/it S.£. Phase- focéed Sa As CWmCcrovave osciStators. /£££ Trans. SSectron %etfiicest /PSS, v. £Я-S3, л//,р W'/fS

83. Poââman//., âosch â. S Prep¿/er7c¿/ division with power fain Í77 &07777 osci¿fe tors. Sfertronc'rs dett/S37, у. 5/3-5/5.

84. Магалес, Шлоссер. Синхронизация импульсных генераторов. -ТИИЭР, 1968, т.56, № 5, с.118.

85. Сугияма. Эксперименты с генератором, синхронизированным на гармонике. ТИИЭР, 1968, т.56, Jfe 5, с.133.

86. Куайн. Характеристики внешней фазовой синхронизации генераторов на диодах с переносом электронов, работающих в режиме ограниченного накопления объемного заряда. ТИИЭР, 1969, т.57, В 3, с.161-164.

87. Хайне, Куайн. Замечания к сообщению "Характеристики внешней фазовой синхронизации генераторов на диодах с переносом электронов, работающих в режиме 0Н03". ТИИЭР, 1970, т.58, № 2, с.137-139.

88. Bosch 3.£, Ро 33wann Рсермщ мпсАгопНаЗЗоА о/ form effec-t огссЗЗаЗоы - /РРР frans, 33ectronfie&ices, /щ v. ЕЯ-/3,

89. Пациорек. Синхронизация генераторов внешним сигналом. -ТИИЭР, 1965, т.53, Jfe II, C.I930-I93I.

90. Соколовский И.И. Исследование механизмов широкодиапазонной работы диодов Ганна в моде подавляемого домена. Дис. канд.физ.-мат.наук. - Днепропетровск, 1974. - 147 с.о гудс^сл*:г1ль, лшагь мрсэсш

91. ГС ülVicJüäl/Vl --хСГ.1ХУ iA »Л^Хм-iLuu'/iui УССР AivU^.//k Aii ¿'ССРУ1. В.А. ЛА AI^I/ 1978 r.1. УХЗЕКШД*

92. ЗАМ. F/KCBOibiil^i КБ IiPuuiP^iI/ia ц/я B-2U83- r//^i.A. ш/м '-"Л/ 1078 г.1. А К Гвнедрена результатов Ш1Р в производство

93. J« Стоимость электровакуумного прибора /сопмситно о могиигноЗ здетемо.:/ G тис, руб.

94. Кскличеиие из эксплуатации генератора СлЧ высокого урояля исключило и предусмотренные законодательством дополнительные расход!;.

95. IIa спецодежду /в соответствии с Постановлением Совета 1/.И-шзстров СССР от II июня ГЭ5Э г. 2 329/ г.-еталлизировашше очки р/ а ь еталл:;зированше халаты /15 р/ - итого 570 руб.

96. Па л-е^пл.-'е: В экономическую э!£ентигность не вкл-чены зятрзты паразработку /ГССГ 2.IC3-68 и "Стадии разработаи" и ГССТ I5.CCI-7J "Разработка я постановка продукция на производство"/, а Tairce расходы на мероприятия по радиомаскировке.

97. В результате внедрения фактически* гоцово/ экономический э.>-£ент состзшиет 50,43 тис. р,уб.1. Ст ЛАН УССР1. Ст предприятия п/я 3-228Э

98. Зав. отделом к • {«""'i« а.1. KCCTLZLß С.Л,

99. ОТСБС^Л'^ПРВДЕаГГШ Ц/Я B-87I9 -В.М.ЖЖШГ1.SIr.1. АКТ

100. О внедрении результатов ИКР в производство

101. A. Прибор по электрическим параметрам удовлетворяет требованиямс::стот.!!;, вшшчазцей указашгн;! прибор.

102. Б. Го габаритам и энергопотреблению прибор выгодно отличается от кспагьзовавизтхсл ранее.

103. Р2 = 0,0874, 4? = I, сопутствующее капитальные вло::хния схпиал ош для обоих видов прпборов базового и нового.

104. Начальник планово-эконом. отд.1. В.С.Гордеевo ese/из протокола №11 заседания президиума Укр.РП НТО РЭС им.А.С.Попова

105. Президиум Укр РП НТО РЭС им.А.С.Попова1. ПОСТАНОВЛЯЕТ: