Оптические свойства квантовых ям во внешних электрическом и магнитном полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.02 ВАК РФ

Предисловие.

Глава 1. Оптические свойства легированных одиночных квантовых ям в электрическом и магнитном полях.

1.1. Введение.

1.2. Теория потенциала нулевого радиуса в размерно-ограниченных системах.

1.3. Энергия локализованных состояний в одиночных квантовых ямах во внешних полях.

1.4. Многофононные оптические переходы в одиночных квантовых ямах. Сравнение теории с экспериментом.

Глава 2. Особенности межзонных оптических переходов в квазидвумерных системах во внешних полях.

2.1. Введение.

2.2. Межзонное поглощение света в квантовых ямах во внешних электрй.ческоМ'и магнитном полях.

2.3. ЭлектроиндуцироваИная люминесценция в размерно-ограниченных системах.

Глава 3. Внутризонное поглощение света в квазидвумерных системах во внешних полях.

3.1. Введение.

3.2. Прямые внутризонные оптические переходы.

3.3. Внутризонное поглощение света с учетом рассеяния носителя на примеси.

3.4. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ИК поглощение в одиночных квантовых ямах.

Разнообразные устройства твердотельной электроники, созданные на основе композиций полупроводниковых материалов, произвели революцию в развитии приборостроения и придали мощное ускорение физики полупроводников. В 70-х годах была создана база для изготовления структур микрометровых размеров. Этот технологический успех привел к стремительному улучшению всех основных параметров электронных устройств: увеличению быстродействия, уменьшению размеров, повышению надежности.

В последние десятилетия происходит экспериментальное и теоретическое освоение структур нанометровых размеров, что объясняется не только перспективами дальнейшего улучшения характеристик микроэлектронных приборов, но и возможностью создания объектов с совершенно новыми физическими свойствами. Большое внимание уделяется исследованию одиночных квантовых ям (КЯ), систем с квантовыми ямами, сверхрешеткам в связи с их уникальными электрическими и оптическими характеристиками. Многочисленные экспериментальные исследования, проводимые в последние годы, показывают, что оптические свойства квазидвумерных систем принципиальным образом отличаются от оптических свойств объемного материала благодаря локализации волновых функций носителей, приводящей к эффекту размерного квантования.

При интерпретации экспериментальных данных оптических спектров поглощения и люминесценции в КЯ, часто привлекается модель прямоугольной квантовой ямы с конечными или бесконечно-высокими стенками. Последние технологические достижения, связанные с применением компьютерного контроля за затворами молекулярных пучков при использовании метода молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяют получать размерно-ограниченные полупроводниковые системы заданной толщины с различным профилем потенциала КЯ. Эти экспериментальные возможности позволили и в теоретических исследованиях не ограничиваться прямоугольной формой потенциала. В последнее время все чаще применяется модель, в которой потенциал КЯ апроксимируется параболой. Квантовые системы с таким потенциалом получают и при использовании специальной технологии легирования [1]. Параболическая КЯ впервые была получена в размерно-ограниченной структуре ОаАэ-А1хОа1.хАз [2]. Повышенное внимание к системам с параболическим потенциалом объясняется тем, что проявление эффектов размерного квантования в них происходит в достаточно широких КЯ (с шириной ¿/0 более 1000 А). Для типичных параметров параболической квантовой ямы ОаАэ-А1хОа 1 .хАб шаг пространственного квантования для электронов равен 14.6/й?о эВ (если ¿4 задавать в А), то есть, при £/о=1000 А, %со -14.6 мэВ. Следовательно, при температуре Т<100 К, размерно-квантованные уровни могут заметным образом определять свойства таких квантовых систем. Поэтому неудивительно, что исследования оптических свойств параболических КЯ (межзонная люминесценция [3,4] резонансное неупругое рассеяние света [5]) проводятся при ¿/о>1000 А, что делает подобные системы перспективными для применения в оптоэлектронике. Параболическая зависимость потенциала КЯ также очень удобна для теоретических расчетов, так как многие параметры позволяет получить аналитически, что делает возможным более ярко высветить физическую картину исследуемого явления.

Современная нанотехнология, используя направленное легирование, получает размерно-ограниченные объекты с заранее задаваемым положением примесного центра в них. Это послужило мощным толчком к теоретическим исследованиям влияния положения примеси на электрические и оптические свойства подобных систем.

Физические свойства КЯ и других структур пониженной размерности коренным образом меняются, если эти системы помещают во внешние 4 электрическое и магнитное поля. Исследование свойств КЯ в зависимости от величины и направления внешних полей представляют собой важную задачу, так как это позволяет создавать новые полупроводниковые приборы с уникальными возможностями.

В первой главе диссертационной работы исследуются оптические свойства легированных КЯ в электрическом и магнитном полях. Для описания локализованных состояний используется модель потенциала нулевого радиуса. Изучено влияние постоянных электрического и магнитного полей на энергию связи локализованных электронов в КЯ. Исследована зависимость энергии связанного состояния от ширины КЯ и положения 8-легированной примеси в ней. Вычислен коэффициент примесного поглощения света в КЯ во внешнем магнитном поле и изучены особенности примесного поглощения света в размерно-ограниченных системах в продольном магнитном поле.

С привлечением идеи многофононных оптических переходов объясняется широкий класс экспериментальных данных по поглощению света и люминесценции в легированных квазидвумерных системах. Выяснены особенности люминесценции, возникающие в продольном магнитном поле.

Вторая глава описывает исследования межзонных оптических переходов в квазидвумерных системах во внешних полях. Исследованы процессы поглощения электромагнитной волны в КЯ с прямоугольным и параболическим потенциалом. В присутствии электрического и магнитного полей, наряду с прямыми межзонными переходами, заметным образом активизируются непрямые оптические переходы, определяемые взаимодействием носителей с акустическими и оптическими фононами. В работе вычислен коэффициент поглощения света для этих переходов. Проводится сравнение полученных теоретических результатов с экспериментальными данными.

Исследуется межзонная люминесценция в параболической КЯ во внешних электрическом и магнитном полях. Предсказан новый канал 5 излучения и поглощения электромагнитной волны, определяемый непрямыми оптическими переходами. Вычисляется частотная зависимость электроиндуцированного излучения с учетом взаимодействия электрона с акустическими и оптическими фононами. Полученные результаты сравниваются с экспериментом.

Третья глава посвящена особенностям внутризонного поглощения света в КЯ во внешних полях. Изучается внутризонное поглощение света в параболической КЯ в случае, когда напряженность электрического поля направлена вдоль оси пространственного квантования, а напряженность магнитного поля параллельна плоскости размерно-ограниченной системы. Наличие внешнего магнитного поля дает возможность управлять рабочей частотой ИК-детектора, реализованного на подобной структуре. Присутствие, наряду с магнитным, внешнего электрического поля позволяет управлять величиной внутризонного поглощения света при рассеянии электрона на примеси. Выяснены условия при которых перестает работать борновское приближение. Определен коэффициент внутризонного поглощения света для прямых оптических переходов, которые возможны при падении электромагнитной волны параллельно поверхности КЯ. Исследованы непрямые внутризонные оптические переходы (вектор поляризации световой волны перпендикулярен оси пространсвенного квантования) для случаев рассеяния носителей на примеси, на акустических и на оптических фононах.

Заключение

Исследована энергия связи примесных состояний в параболических квантовых ямах (КЯ) во внешних электрическом и магнитном полях методом потенциала нулевого радиуса. Получено уравнение для энергии связанного состояния, когда напряженность электрического поля направлена нормально поверхности размерно-ограниченной системы, а напряженность магнитного поля направлена или вдоль оси пространственного квантования или вдоль поверхности системы. Исследовано поведение энергии связи от напряженности внешнего магнитного поля Н, толщины КЯ, положения примеси в квантовой яме, величины и направления напряженности F электрического поля. В частности для случая расположения примеси в центре КЯ показано, что с ростом Н энергия связи увеличивается, а с ростом Т7 уменьшается. Если же примесь расположена не в центре КЯ, то величиной энергии связанного состояния можно управлять меняя величину и направление внешнего электрического поля. Результаты сравниваются с данными для энергии связанного состояния, полученными вариационными методами расчета.

Показано, что в размерно-ограниченных системах при определенных параметрах системы появляются локализованные состояния, которые отсутствуют при тех же параметрах в объемном материале. Изучено поведение таких размерно-индуцированных связанных состояний в зависимости от величины внешних полей, параметров КЯ и положения примеси в ней.

Получено выражение для коэффициента поглощения света, определяемого переходом электрона со связанного состояния Б^-донора на уровни Ландау в прямоугольной КЯ во внешнем магнитном поле направленном вдоль оси пространственного квантования с использованием модели многофононных оптических процессов. Предложен механизм уширения линий поглощения, позволяющий объяснить наблюдаемое значение полуширины линий. С привлечением идеи многофононных оптических переходов объясняется широкий класс экспериментальных данных по люминесценции в легированных квазидвумерных системах. Показано, что интенсивность люминесценции немонотонно зависит от положения легированных акцепторов, а полуширина пика люминесценции уменьшается при удалении примесей от центра размерно-ограниченной системы. Исследуются особенности люминесценции, возникающие в продольном магнитном поле. Предложенный механизм уширения линий поглощения и люминесценции является, по-видимому, определяющим в одиночных КЯ и вносит существенный вклад в уширение линий в структурах с многими КЯ.

Исследованы межзонные оптические переходы в квантовых ямах, помещаемых во внешние постоянные электрическое и магнитное поля.

При этом напряженность электрического поля Л7 направлена вдоль оси пространственного квантования, а напряженность магнитного поля Н вдоль поверхности квантовой системы. Определен коэффициент межзонного поглощения света для прямых и непрямых оптических переходов. Проведен расчет спектральной интенсивности излучения для межзонных переходов. Анализируется частотная зависимость поглощения света и люминесценции в зависимости от величины внешних полей.

Коэффициент поглощения света для непрямых оптических переходов с ростом напряженности электрического поля уменьшается, что связано с уменьшением интеграла перекрывания волновых функций зонных носителей. С ростом напряженности магнитного поля, из-за увеличения ширины запрещенной зоны, длинноволновой край поглощения сдвигается в область больших частот. При увеличении напряженности электрического поля, максимум поглощения сдвигается в длинноволновую область, так как ширина запрещенной зоны уменьшается. Расчет коэффициента поглощения для непрямых оптических переходов проведен с учетом рассеяния носителей на акустических и оптических фононах. Показано, что при одновременном присутствии магнитного и электрического полей,

98 появляется новый канал поглощения света и люминесценции, связанный с проявлением непрямых оптических переходов. Появление такого канала и возможность при помощи внешних полей плавно управлять параметрами, характеризующими непрямые переходы, дает возможность получать важную дополнительнцю информацию о зонной структуре полупроводниковых материалов.

Исследована межзонная электроиндуцированная люминесценция, определяемая взаимодействием электронов с фононами. Определена частотная зависимость спектральной интенсивности излучения с учетом взаимодействия электрона с акустическими колебаниями. Форма линии излучения описывается кривой, максимум которой сдвинут по отношению края прямого оптического в область меньших частот на величину А V и, с ростом электрического поля, сдвигается в длинноволновую область. Если полуширина кривой люминесценции д<Н-Ау, то в длинноволновой области должна наблюдаться электроиндуцированная люминесценция. Наиболее ярко она проявляется в случае взаимодействия электрона с оптическими колебаниями. Все теоретические результаты сравниваются с экспериментальными данными.

Проведено теоретическое исследование внутризонного поглощения света в параболических квантовых ямах, то есть поглощение электромагнитной волны свободными носителями заряда. Рассматривается случай, когда напряженность электрического поля направлена вдоль оси пространственного квантования, а напряженность магнитного поля параллельна плоскости размерно-ограниченной системы. При этом проводятся расчеты для двух вариантов направления падения света на квантовую систему: падение электромагнитной волны параллельно поверхности размерно-ограниченной системы и падение света перпендикулярно поверхности КЯ. В первом случае возможны прямые оптические переходы, для которых определен коэффициент поглощения света. Полученное теоретически для типичных параметров КЯ значение

9 1 внутризонного коэффициента поглощения света (~10 см" ) находится в

99 хорошем согласии с экспериментальными данными. В данной конфигурации внешних полей расстояние между подзонами с ростом напряженности магнитного поля увеличивается. Следовательно, меняя величину магнитного поля можно менять частоту света для которой коэффициент поглощения максимален. Таким образом возникает уникальная возможность в широких пределах управлять с помощью внешнего магнитного поля рабочей частотой ИК детектора.

При падении света перпендикулярно поверхности КЯ прямые внутризонные оптические переходы запрещены. Для этого случая исследуются непрямые внутризонные оптические переходы. Рассматривается рассеяние электрона на примесном центре, который описывается в модели потенциала нулевого радиуса. Определена зависимость внутризонного поглощения света от величины магнитного поля. Показано, что коэффициент поглощения с ростом напряженности магнитного поля ведет себя немонотонным образом и в сильных магнитных полях борновское приближение неприменимо. Определены границы применимости борновского приближения. Показана возможность управления величиной внутризонного поглощения света, связанного с рассеянием на примесном центре, с помощью внешних электрического и магнитного полей.

Изучено влияние электрон-фононного взаимодействия на ИК поглощение в одиночных квантовых ямах, как для случая рассеяния носителей на акустических колебаниях решетки, так и для случая рассеяния на оптических фононах. Внешнее электрическое поле не влияет на процессы внутризонного поглощения света, связанные с рассеянием на фононах, в то время как те же процессы, связанные с рассеянием на примеси управляемы электрическим полем. Поэтому появляется возможность различения вкладов в коэффициент внутризонного поглощения света процессов рассеяния носителей на 8-легированной примеси и рассеяния носителей на колебаниях решетки.

Выражаю глубокую признательность своим научным руководителям профессору С.И. Берилу и профессору Э.П. Синявскому за постоянное внимание и плодотворные научные консультации. Я также искренне благодарен доценту A.M. Попову, профессору П.И. Хаджи, доценту B.C. Шолохову, старшему преподавателю A.C. Старчуку, сотрудникам кафедры теоретической физики и лаборатории вычислительного эксперимента Приднестровского университета за обсуждение рассмотренных в диссертации задач.

1. Херман M. Полупроводниковые сверхрешетки. Перевод с английского - М.: Мир, 1989. - 240 с.

2. Gossard A.S. II Inst. Phys. Cousf. Ser.N 69, p .1, Ed. E.H. Roderick, Bristol institute of Physics, 1983.

3. Burnett J.H., Cheong H.M., Paul W., Hopkins P.F., and Gossard A.S. Photoluminescence excitation spectroscopy of Be-remotely-doped wide parabolic GaAs/AlxGai.xAs quantum wells // Phys. Rev. B, 1993-1, 48, № 11, pp.7940-7943.

4. Fritze M., Chen W., Nurmikko A.V., Jo J., Santos M., and Sheyegan. Intraband spectroscopy of a quasi-three-dimensional electron gas in wide parabolic (Al, Ga)As quantum wells // Phys. Rev. B, 1993-11, 48, № 20, pp.l5103-15111.

5. Bastard G. Hydrogenic impurity states in a quantum well: A simple model // Phys.Rev.B., 1981,24, № 8, pp.4714-4722.

6. Chandhuri S., Bajaj K.K. // Phys.Rev.B., 1984, 29, 1803.

7. Oliveira L.E., Falicov L.M. Energy spectra of donors and acceptors in quantum-well structures. Effect of spatially dependent screening

8. Phys.Rev.B., 1986,34, № 12, pp.8676-8683.

9. Fraizzoli S., Bassani F. and Buczko R. Shallow donor impurities in GaAs-GaixAlxAs quantum-well structures: role of the dielectric-constant mismatch // Phys.Rev.B., 1990, 41, № 8, pp.5096-5103.

10. Pang Tao and Louise Steven G. Negative-Donor Centers in

11. Semiconductors and Quantum Wells // Phys.Rev.Lett., 1990, 65, pp.1635-1638.

12. Weber Gerald. Donors bound to X valleys in type-II GaAs-AlAs quantum well structures //Appl.Phys.Lett., 1995, 67, № 10, pp.1447-1449.

13. Beril S.I., Pokatilov E.P., Zotov A.S., Madkour S. Impurity states inquantum well structures // Phys. Stat. Sol. (b), 1991,166, pp. 145-150.

14. Stopa M. and Dassarma S. Calculated shallow-donor-level binding energies in GaAs-AlxGai.xAs quantum wells // Phys.Rev.B., 1989, 40, №12, pp. 8466-8472.

15. Kagan M.S., Altukhov I.V., Korolev K.A., Orlov D.V, Sinis V.P,

16. Thomas S.G., Wang K.L., Schmalz K., and Yassievich I.N. Shallow acceptor states in SiGe quantum wells. P2-2, p. 124. 8-th. International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors. Monpellier, France. July 27-30, 1998.

17. Betancur F.J., Mikhailov I.D., Marin J.H., and Oliveira L.E. Electronic structure of donor-impurity complex in GaAs/GaixAlxAs quantum wells // J.Phys.: Condens.Matter, 1998,10, pp. 7283-7292.

18. Mikhailov I.D., Betancur F.J., Marin J.H., and Oliveira L.E. Model structure for D() states in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells. F3, p.33. 8-th. International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors. Monpellier, France. July 27-30, 1998.

19. Greene R.L., Bajaj K.K. Effect of magnetic field on the energy levels of a hydrogenic impurity center in GaAs/Gai.xAlxAs quantum-well structures // Phys.Rev.B., 1985, 31, № 2, pp.913-918.

20. Nguyen N., Ranganathan R., McCombe B.D, Rustgi M.L. Effect ofsubband mixing on the energy levels of a hydrogenic impurity in a

21. GaAs/GaixAlxAs double quantum well in a magnetic field // Phys.Rev.B.,1021992, 45, № 19, pp.11165-11172.

22. Cheng J.-P., Lin C., McCombe B.D. // Phys.Rev.B., 41 ,8315 (1991)

23. Cen J. and Bajaj K.K. Effects of electric and magnetic fields on confined donor states in a dielectric quantum well. //Phys.Rev.B., 1993-1, 48, № 11, pp.8061-8067.

24. Синявский Э.П. Влияние магнитного поля на энергию связанного состояния в квантованной пленке // ФТТ, 1991, 33, № 4, сс. 1307-1309.

25. Cai Min, Wenming Liu. Binding energy of impurities in asymmetric quantum wells with longitudinal electric field // Physica B, 1991,172, № 4, pp.429-434.

26. Zang J.X., Rustgi M.L. Energy levels of a hydrogenic impurity in a parabolic quantum well with a magnetic field // Phys.Rev.B., 1993-11, 48, № 4, pp.2465-2469.

27. Zhu Jia-Lin, Xu Sheng. Binding and transition energies of off-center D' impurity states in quantum wells and magnetic fields // Phys.Rev.B., 1994-11, 50, № 16, pp. 12175-12178.

28. Blinowski J., Szwacka T. Variational studies of D° and D" centers in magnetic fields in bulk crystals and in parabolic quantum wells.

29. Phys.Rev.B., 1994-1, 49, № 15, pp.10231-10241.

30. Zhu Jia-Lin, Lin D.L., Kawazoe Y. Energy levels of D(0) and D("}in GaAs/GaixAlxAs under magnetic fields // Phys.Rev.B, 1996, 54, № 23, pp. 16786-16798.

31. Shi J.M., Peeters F.M., Hai G.Q., and Devreese J.T. Donor transition enrgy in GaAs superlattices in a magnetic field along the growth axis // Phys.Rev.B, 1991, 44, № 11, pp.5692-5702.

32. Szafran В., Adamowski J., Bednerek S., and Stebe B. Influence of donor impurity on optical transitions in quantum dots. P 2- 4,p.l26. 8-th. International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors. Monpellier, France. July 27-30,1998.

33. Barticevic A., Leon A., and Pacheco H. Binding energies of donors in quantum dots in the presence of magnetic field. P 2-18, p. 140. 8-th. International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors. Monpellier, France. July 27-30, 1998.

34. Покатилов Е.П., Фомин B.M., Берил С.И. Колебательные возбуждения, поляроны и экситоны в многослойных структурах и в сверхрешетках. — Кишинев. Штиинца, 1990. — 278 с.

35. Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред в многослойных структурах и сверхрешетках. Диссертация доктора физ.-мат. наук. М., 1991,400 с.

36. Демков Ю.Н., Островский В.Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. JI. Изд-во Ленинградского университета,1975, 240 с.

37. Синявский Э.П., Канаровский Е.Ю. Размерно-индуцированные связанные состояния в квазидвумерных полупроводниковых системах // ФТТ, 1992,34, № 3, сс.737-742.

38. Андреев С.П. Спектры и кинетика систем с магнитопримесными состояниями при конечном радиусе потенциала // УФЫ, 1984,143, вып.2, сс.213-228.

39. Кревчик В.Д., Зайцев Р.В. Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками // ФТТ, 2001, 43, вып.З, сс.504-508.

40. Huant S., Najda S.P. and Etienne В. Two-dimensional D-centers //Phys. Rev. Lett., 1990, 65, pp.1486-1489.

41. Fujito M., Natori A., and Yasunaga H. Magneto-optical spectrum ofa D" ion in a GaAs-Gao.75Alo.25As quantum well // Phys.Rev.B, 1995, 51, pp.463 7-4640.

42. Синявский Э.П., Гребенщикова Е.И. Многофононные оптические переходы в размерно-ограниченных системах в магнитном поле // ЖЭТФ, 1999,116, вып. 6(12), сс.2069-2078.

43. Taniguchi Masaki and Narita Shin-ichuro. Isolated D" states and D" complexes in germanium in magnrtic fields // J. Phys. Soc. Jap., 1979, 47, № 5, pp. 1503-1510.

44. Sinyavskii E.P, Safronov E.Yu. The optical properties of impurity center short-range potentials in a magnetic field // Phys.Stat.Sol.(b), 1990,160, pp.357-364.

45. Haefner M., Lehmann L., Mitdank R., Oelgart G., Schulze E. Luminescence Characterization of (AlGa)As Single Quantum Wells //Phys.Stat.Sol.(a), 1990,122, pp.683-693.

46. Zhang Y.H., Ledentsov N.N., and Ploog K. Effect of hole-localization mechanisms on photoluminescence spectra of two-dimensional-electron-gas systems // Phys.Rev. B, 1991, 44, № 3, pp.139-1402.

47. Kash J.A., Mendez E.E., and Morko9 H. Electric field induced decrease of photoluminescence lifetime in GaAs quantum wells

48. Appl.Phys.Lett., 1985, 46, № 2, pp.173-175.

49. Liu D.W., Xu X.M., Chen Y.F. Photoluminescence-excitation-correlation spectroscopic study of a high-density two-dimensional electron gas in GaAsZAlo.3Gao.7As modulation-doped quantum wells // Phys. Rev B, 1994-1, 49, № 7, pp.4640-4645.

50. Kukushkin I.V., von Klitzing K., Ploog K., Timofeev V.B. Radiative recombination of two-dimensional electrons in acceptor 5-doped GaAs-AlxGai„xAs single heterojunctios // Phys.Rev B, 1989, 40, №11, pp.7788-7792.

51. Дите А.Ф., фон Клитцинг К., Кукушкин И.В., Тимофеев Б.В., Филин А.И. Кинетика излучательной рекомбинации двумерных электронов с фотовозбужденными дырками в одиночном гетеропереходе GaAs/AlGaAs с монослоем акцепторов.

52. Письма в ЖЭТФ, 1991, 54, в.7, сс.393-397.

53. Bradshaw J.L., Choyke W.J., Devaty R.P., and Messham R.L. Photoluminescence from carries confined at an AlxGaixAs/GaAs heterojunction interface // J. Luminescence, 1991, 47, № 5, pp.249-254.

54. Волков O.B., Кукушкин И.В., фон Клитцинг К., Эберл К. Свободные и локализованные положительно заряженные экситоны в спектре излучения GaAs/AlGaAs квантовых ям // Письма в ЖЭТФ, 1998, 68, сс.223-228.

55. Ulbrich R.G., Kash J.A., and Tsang J.C. Hot-Electron Recombination at Neutral Acceptors in GaAs: A cw Probe of Femtosecond Intervalley Scattering // Phys.Rev.Lett., 1989, 62, № 8, 949-952.

56. Zakharchenya B.P., Kop'ev P.S., Mirlin D.N., Palakov D.G., Reshina I.I., Sapega V.F., and Sirenko A.A. Optical alignment of 2D-electron momenta in multiple quantum well structures.

57. Solid State Commun., 1989, 69, № 3, pp.203-206.

58. Skromme B.J., Bhat R., Koza M.A., Schwarz S.A., Rovi T.S., and Hwang D.M. Vertical transport in semiconductor superlattices probed by minibound-to-acceptor magnetoluminescence // Phys.Rev.Lett., 1990,65, рр.2050-2053.

59. Копьев П.С., Мирлин Д.Н., Поляков Д.Г., Решина И.И., Сапега В.Ф., Сиренко А.А. Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния // ФТТ, 1990,24, №7, сс.1200-1208.

60. Dao L.V., Gal М., Li G., and Jagadish С. Dynamics of photoexcited holes in n-doped InGaAs/GaAs single quantum well // Appl.Phys.Lett., 1997, 71 (13), pp.l 849-1851.

61. Oliveria L.E., Lopez-Condor J. Acceptor-related photoluminescence study in GaAs/GaixAlxAs quantum wells // Phys.Rev B, 1990, 41, № 6, pp.3719-3727.

62. Santiago Rosana В., d'Albuquerque e Castro J., Oliveira Luiz E. Photoluminescence line shape associated with e-A° acceptor related recombination in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells under applied electric field // Phys.Rev B, 1993-1, 48, № 7, pp.4498-4502.

63. Афоненко А.А., Кононенко B.K., Манак И.С., Шевцов В.А. Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правил отбора // ФТП, 1997, 31, № 9, сс.1087-1091.

64. Rune G.C., Holtz P.O., Sudaram M., Merz J.L., Gossard A.C.and Monemar B. dependence of the binding energy of the acceptor on its position in a GaAs/AlxGai.xAs quantum wells // Phys.Rev.B, 1991, 44, № 8, pp.4010-4013.

65. Zeng K.C., Lin J.Y., Jiang H.X., Salvador A., Popovici G., Tang H., Kim W., and Morkoc H. Effect of well thickness and Si doping on the optical properties of GaN/AlGaN multiple quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1997, 71, pp. 1368-1370.

66. Plant A.S., Kukushkin I.V., von Klitzing K., and Ploog K.P. Magneto-optics in GaAs-AlxGai.xAs single heterojunctions.

67. Phys.Rev B, 1990-11, 42, № 9, pp.5744-5750.

68. Skromme B.J., Bhat R., and Koza M.A. Extrinsic photoluminescence inconpled-well GaAs/AlGaAs superlattices // Solid State Commun., 1988,10766, № 5, рр.543-547.

69. Gekhtman D., Kash J.A., Cohen E., and Ron Arza. Optical observation of impurity localized states at the edges of Landau subbands in doped quantum wells // Phys.Rev. B, 1996, 54, № 4, pp.2756-2762.

70. Перлин Ю.Е. Современные методы теории многофононных процессов // УФН, 1963, 80, вып.4, сс.553-595.

71. Коварский В.А. Многоквантовые переходы— Кишинев: Штиинца, 1974-240 с.

72. Синявский Э.П., Канаровский Е.Ю. Оптические свойства легированных квадратичных квантовых ям в постоянном электрическом поле // ФТТ, 1993, 35, № 6, сс. 1641-1650.

73. Берил С.И., Покатилов Е.П. Поверхностные состояния в квантовом диэлектрике // ФТП, 1978,12, сс.2030-2033.

74. Pokatilov Е.Р., Beril S.I. Spatially extended optical modes in two-layer periodical structures // Phys. Stat. Sol. (b), 1982,110, pp.K75-K78.

75. Pokatilov E.P., Beril S.I. Electron-phonon interaction in periodic two-layer structures //Phys. Stat. Sol. (b), 1983,118, pp.567-573.

76. Перлин Ю.Е., Цукерблат Б.С. Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. Кишинев : Штиинца, 1976. - 368 с.

77. Синявский Э. П. Потенциал примесных центров нулевого радиуса в двумерных системах // Изв. АН РМ (физика и техника), 1992,1(7), сс.12-15.

78. Леванюк А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников // УФН, 1981,133, вып.2, сс.427-477.

79. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971. - 1108 с.

80. Мирлин Д.Н., Перель В.И., Решина И.И. Рассеяние горячих электронов нейтральными акцепторами в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // ФТП, 1998, 32, № 7, сс.866-875.

81. Gurioli M., Vinattieri A. and Colocci M. // Appl.Phys.Lett., 1991, 59, № 17, pp.2150-2152.

82. Wang S.M., Treideris G., Chen W.Q., and Andersson T.G. Growth of analog AlxGai.xAs/GaAs parabolic quantum wells by molecular beam epitaxy//Appl.Phys.Lett., 1993, 62, № 1, pp.61-62.

83. Weisbuch C., Miller R.C., Dingle R., Gossard A.C., Wiegmann W. Intrinsic radiative recombination from quantum states in GaAs-AlxGaixAs multiquantum well structures // Solid State Commun., 1981, 37, № 3, pp.219-222.

84. Алешкин В.Я., Антон A.B., Бабушкина T.C., Батукова JI.M., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Малкина И.Г. Фотолюминесценция квантовых слоев InxGaixAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)А арсенида галлия. // ФТП, 1990, 24, в.5, сс.892-896.

85. Игнатьев А.С., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур InxGai.xAs/ GaAs с одиночными квантовыми ямами. // ФТП, 1994, 28, в.1, сс. 125-132.

86. Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Устинов В.М. Выращивание квантово-размерных гетероструктур (InGa)As/GaAs методом осаждения "субмонослойных" напряженных слоев InAs // ФТП, 1994, 28, вып.4, сс.604-610.

87. Terashima Koichi, Tajima Michio, Ikarashi Nobuyuki, Niino Taeko and Tatsumi Torn. Photoluminescence of Sii.xGex/Si quantum well structures // Jpn. J. Appl. Phys., 1991, 30, № 12B, pp.3601-3605.

88. Варданян Б.Р., Резванов P.P., Чукичев H.K., Юнович А.Э. Люминесценция множественных квантовых ям GaAs/AlxGaixAsв структурах для инфракрасных приемников // ФТП, 1994, 28, в.2, сс.259-265.

89. Yamanishi Masamichi, Usami Yuichi, Kan Yasuo, and Suemune Ikuo.

90. Transient Response of Photoluminescence for Electric Field in a

91. GaAs/Alo.7Gao.3As Single Quantum Well // Jpn. J. Appl. Phys., 1985, 24,1098, pp.L586-L588.

92. Kan Yasuo, Yamanishi Masamichi, Suemune Ikuo, Yamamoto Huroaki, and Yao Takafumi. Electric Field Effect on Subband State Transitions Peak in the Photoluminescence from a GaAlAs Quantum Well Structure // Jpn. J. Appl. Phys., 1985, 24, № 8, pp.L589-L592.

93. Peric H., Jusserand B., Richards D., Etienne B. Luminescence and intersubband excitations in high density two-dimensional electron gases //Phys.Rev.B, 1993-1, 47, № 19, pp. 12722-12726.

94. Sanders G.D., Bajaj K.K. Electronic properties and optical-absorption spectra of GaAs-AlxGaixAs quantum well in externally applied electric fields // Phys. Rev. B, 1987, 35, № 5, pp.2308-2320.

95. Jogai B., and Wang K.I. Intraband optical transition in GaAs-Gai.xAlxAs superlatticies in an applied electric field // Phys.Rev.B, 1987, 35, № 2, pp.653-659.

96. Chang Yia-chung, Schulman J.N., Efron V.

97. Jap. Journal of Appl. Phys., v.62, № 11, pp.4533-4537 (1987)

98. Ksendzov A., Grunthaner F.J., Liu J.K., Rich D.H., Terhune R.W., and Wilson B.A. Absorption and photoluminescence of ultrathin pseudomorphic InAs/GaAs quantum wells // Phys.Rev.B, 1991, 43, № 18, pp. 14574-14580.

99. Hausser S., Fuchs G., Hangleiter A., Strenbel K., and Tsang W.T. Anger recombination in bulk and quantum well InGaAs // Appl.Phys.Lett., 1990, 56, № 10, pp.913-915.

100. Gobel E.O., Jung H., Kühl J., and Ploog K. //Phys.Rev.Lett, v.51,№ 17, pp.1588-1591 (1983)

101. Feldmann J., Peter G., Göbel E.O., Dawson P., Moore K., Foxon C., and Elliott R.J. Linewidth dependence of radiative exciton lifetimes in quantum wells // Phys.Rev.Lett, 1987, 59, № 20, pp.2337-2340.

102. Michler P., Hangleiter A., Moritz A. et al. // Phys. Rev.B 48, pp.11991 (1993).

103. Whittaker D.M., Fisher T.A., Simmonds P.E., Skolnik M.S., and

104. Smithet R.S. Magnetic-Field-Induced Inderect GaP in Modulation-Doped Quantum Well // Phys. Rev. Lett., 1991, 67, № 7, pp.887-890.

105. Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е. К теории экситона Моттав сильном магнитном поле // ЖЭТФ, 1967, 53, № 2, с.717-722.

106. Лернер И.В., Лозовик Ю.Е. Экситон Мотта в квазидвумерных полупроводниках в сильном магнитном поле // ЖЭТФ 78, вып.З, сс.1167-1175 (1980).

107. Elliot R.J., Loudon R. //J.Phys.Chem.Sol. 15, 196 (1960).

108. Синявский Э.П., Канаровский Е.Ю. Влияние постоянного электрического поля на оптические свойства параболических квантовых ям // ФТТ, 1995, 37, № 9, сс.2639-2645.

109. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.-615 с.

110. Hou H.Q., Staguhn W., Miura N., Segawa Y., Takeyama S., and Aoyagi Y. Photoluminescence intensity of InGaAs/GaAs strained quantum wells under high magnetic fields // Solid State Commun., 1990, 74, №8, pp. 687-691.

111. Mendez E.E., Bastard G., Chang L.L., Esaki L., Morkos H.,and Fisher R. Effect of an electric field on the luminescence of GaAs quantum wells // Phys. Rev. B, 1982, 26, № 12, pp.7101-7104.

112. Ishikawa Takuya, Nashimura Shinji, and Tada Kunio. Quantum-Confined Stark Effect in a Parabolic-Potential Quantum Well

113. Jpn. J. Appl. Phys., 1990,29, № 8, pp.1466-1473.

114. Chen W., Andersson T.G., and Wang S. Quantum well located-to-global state transitions under an electric field // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, 1994, 33, № IB, pp.896-899.

115. Levine B.F., Choi K.K., Bethea C.G., Walker J., and Malik R.J. // Appl. Phys. Lett., 50 , pp.1092 (1987).

116. Faist J., Capasso F., Sivco D.L., et.al. // Science, 264, pp.553 (1994).

117. West L.C., Eglash S.J. // Appl. Phys. Lett., 46 (12), pp.1156 (1985).

118. Levine B.F., Malik R.J., Walker J., Choi K.K., Bethea C.G.,111

119. Kleinman D.A., and Vandenberg J.M. Strong 8.2 (im infrared intersubband absorbtion in doped GaAs/AlAs quantum well waveguides // Appl. Phys. Lett., 1987, 50, № 5, pp.273-275.

120. Yang C.-L., Pan D.-S., Samoano R. // Jour, of Appl. Phys., 65, pp.3253 (1989).

121. Zhang Y., Baruch N., and Wang W.I. Normal incidence infrared photodetectors using intersubband transitions in GaSb L-valley quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1993, 63, № 8, pp.1068-1070.

122. Misra R., Greve D.W., and Schlesinger Т.Е. Infrared absorption in GexSibx quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1995, 67, № 17, pp.2548-2550.

123. Brown E.R. and Eglach S .J. Calculation of the intersubband absorption strength in ellipsoidal-valley quantum wells // Phis. Rev. В., 1990, 41, № 11, pp.7559-7601.

124. Xie H., Piao J., Katz J., and Wang W.I. Intersubband absorption in GaixAsxSb/AlSb superlattices for infrared detection // J. Appl. Phys., 1991. 70, № 6, pp.3152-3156.

125. Namavar F., Soref R.A. Optical wavequiding in Si/Sii.xGe/Si heterostructures // J. Appl. Phys., 1991, 70, № 6, pp.3370-3372.

126. Галкин Н.Г., Маргулис В.А., Шорохов A.B. Внутризонное поглощение электромагнитного излучения квантовыми наноструктурами с параболическим потенциалом конфайнмента //ФТТ, 2001, 43, вып.З, сс.511-519.

127. Берил С.И., Калиновский В.В., Мадкур С. Особенности поглощения света свободными носителями заряда в тонких пленках и в сверхрешетках при рассеянии на оптических фононах. Тез. докл. на

128. XIV Всесоюзном (Пекаровском) совещании по теории полупроводников. Донецк, 1989.

129. Берил С.И., Покатилов Е.П., Старчук A.C. Рассеяние электронов поляризационными оптическими колебаниями в структурах с квантовыми ямами // Вестник Приднестровского университета, 1999, № 2, сс.28-29.

130. Берил С.И., Покатилов Е.П., Гаю Н.И., Мадкур С. Циклотрон-фононный резонанс в структурах с квантовыми ямами. // Изв. АН РМ. Физика и техника, 1994, № 1(13), сс.47-56.

131. Работы, опубликованные по теме диссертации

132. Sinyavskii Е.Р., Sokovnich S.M., Pasechnik F.I. Energy of Bound State in Parabolic Quantum Well in Magnetic and Electric Fields // Phys. Stat. Sol. (b), 1998, 209, pp.55-62.

133. Синявский Э.П., Соковнич C.M. Внутризонное поглощение светав квазидвумерных системах во внешних электрическом и магнитном полях //ФТП, 1999,33, сс.828-831 .

134. Синявский Э.П., Соковнич С.М. Оптические свойства размерно-ограниченных систем во внешних электрическом и магнитном полях. Тезисы докладов межд. Научно-практ. конфер."Мат. методы в образовании, науке и промышленности" Тирасполь, 1999.

135. Sinyavskii Е.Р., Sokovnich S.M., Chernysh L.V. Optical Transitions Induced by Electric Field in Parabolic Quantum Wells.

136. Abstract of III Inter. School-Confer, on "Physical Problems in material science of semiconductors", Chernivtsi, 1999.

137. С1нявскп Е.П., Соковшч C.M., Черныш JI.B. Електрошдуковаш оптичш переходи в парабол1чних квантових ямах. Материали IV Всеукр. Конф."Фундаментальна та професшна пщготовка фах1вц1в з ф1зики". Миколшв, 1999.

138. Синявский Э.П., Соковнич С.М. Оптические свойства легированных квантовых ям во внешнем магнитном поле. Тезисы докладов II международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург, Россия 3-5.07.2000.

139. Синявский Э.П., Соковнич С.М. Особенности примесного поглощения света в размерно-ограниченных системах в продольном магнитном поле // ФТП, 2000, 34, сс.844-845.

140. Синявский Э.П., Соковнич С.М. Электроиндуцированная люминесценция в параболических квантовых ямах в магнитном поле114

141. ФТТ, 2000, 42, сс.1685-1688.

142. Синявский Э.П., Соковнич С.М. Оптические свойства легированных квазидвумерных систем // ФТТ, 2000, 42, сс.1695-1699.

143. Ю.Синявский Э.П., Соковнич С.М., Черныш Л.В.

144. Электроиндуцированные непрямые оптические переходы в параболических квантовых ямах. Материалы юбилейной конф. проф.-пед. состава, посвящ. 70-летию Приднестр. гос. универ. им.Т.Г.Шевченко, Тирасполь, 17-25 апреля 2000г, сс. 207-210.

145. Синявский Э.П., Соковнич С.М. Внутризонное поглощение света в параболических квантовых ямах во внешних полях с учетом фононов. Вестник Приднестровского университета, 2000, №1-2(12), сс.11-16.

146. Соковнич С.М. Примесная люминесценция в квазидвумерных системах во внешнем магнитном поле. Тезисы докладов междун. научно-практич. конфер. "Математич. моделирование в образовании, науке и производстве", Тирасполь, 27-30 июня 2001 г, с. 193-194.

147. Beril S.I., Starchuk A.S., Sokovnich S.M. Electron scattering by polarization optical vibrations in quantum well structures. Abstracts International conference on materials science and condensed matter physics. Chi§inau, Moldova, Jule 5-7, 2001, p.86