Взаимодействие эрозионной лазерной плазмы с поверхностью кристаллов: модификация Si и формирование пленок YBa2 Cu3 O7 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

¡2*3 11 У %

. МИНИСТЕРСТВО НАУКИ, ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ И ТЕХНИЧЕСКОЙ ПОЛИТИКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НИЖЕГОРОДСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н. И. ЛОБАЧЕВСКОГО

На правах рукописи

КАЛЯГИН Михаил Андреевич

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭРОЗИОННОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ КРИСТАЛЛОВ: МОДИФИКАЦИЯ И ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК У Ваг Си307

Специальность 01.04.07 — физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Нижний Новгород 1992

Работа выполнена в Институте прикладной физики РАН г. Н. Новгород.

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук Талонов С. В.

Официальные оппоненты:

член-корреспондент РАН, профессор Павлов П. В.,

кандидат физико-математических наук, старшин научный сотрудник

Чозлов В. А.

Ведущая организация — физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН.

при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского по адресу: 603600, Н. Новгород, ул. Б. Покровская, 37.

Отзывы направлять по адресу: 603600, Н. Новгород, ГСП-34, пр. Гагарина, 23, корп. 3, НИФТИ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ННГУ.

Авторсферат разослан « ^^»____ 1992 г.

Защита состоится «

1992 г.

заседании специализированного совета К 063.77.04

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат физико-математических паук

Попов Ю. С.

•ОССИЙСКАЯ -----

БИБЛИОТЬ1ЧА '

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы . Лазерно-плазменный метод (ЛПМ) обработки материалов относится к числу новых способов радиационного воздействия на твердые тела. Его появление связано с развитием лазерной техники и открывшимися в результате исследований возможностями лазерно-плазменного источника для направленного изменения свойств твердых тел [1,2].

Сущность ЛПМ состоит в облучении кристаллов (подложек) эрозионной плазмой, образованной в результате воздействия лазерного излучения на распыляемый материал (мишень). Происходящие в процессе облучения события в кристалле чрезвычайно многообразны и, как показали многочисленные эксперименты, доминирование каждого из них может приводить к качественно различным результатам [3-7].

Повышенный интерес к такого рода взаимодействиям обусловлен тем, что стимулирование тех или иных процессов возможно посредством изменения условий облучения. Это открывает возможности управления протекающими в кристаллах процессами и обеспечивать желаемое изменение их кристаллографических, электрофизических и других свойств. Накопленный к настоящему времени опыт показал эффективность ЛПН н реальность построения на его основе ряда новых технологий.

Проблема управления свойствами кристаллов посредством лазерно-плазменной обработки является многопараметрической задачей, поскольку результат взаимодействия плазмы с твердым телом сильно зависит от условий облучения. К таким условиям относятся плотность и энергетика составляющих эрозионный поток частиц, температура кристалла, давление фоновой среды.

В общем случае энергетический спектр част,иц лазерной плазмы охватывает диапазон от единиц до нескольких тысяч электронвольт, причем доля быстрых и медленных ионов в лазерном факеле меняется в зависимости от оптических и теплофизических свойств мишени, параметров излучения и давления остаточных газов в области разлета плазмы [5]. Эта зависимость позволяет управлять энерсети-

ческим спектром эрозионного потока и, следовательно, использовать лазерную плазму для решения широкого круга прикладных задач. Например, высокоэнергетичная плазма со средней энергией частиц -О,1+1 кзВ может быть использована для имплантации частиц потока вглубь облучаемого материала, стимулирования диффузионных процессов в приповерхностных слоях кристаллов и т.д.

Как показывает опыт, результат взаимодействия ионов с энергией ~1кэВ с кристаллом существенно отличается от получаемого при обработке твердых тел традиционными методами, такими как ионная имплантация и магнетронное напыление. При лазерно-плазменном облучении происходит внедрение ионов в подложку на глубину существенно меньшую характерной для ионной имплантации: например, для фосфора с энергией 1кэВ величина 11 в 81 составляет -50А [4]. В результате структурные нарушения решетки локализуется в приповерхностной области кристалла, чрезвычайно важно при формировании легированных слоев субмикронной толщины.

Если облучению лазерной плазмой подвергается кристалл с совершенной структурой, то при достаточно высокой температуре область ионного внедрения может стать источником неравновесных дефектов вакансионного типа. Миграция вакансий в материэл будет приводить к появлению избыточной концентрации дефектов и области порядка их длины свободного пробега, глубина которой на 1+2 порядка превышает В сформированном таким образом

возбужденном слое можно ожидать ускорения протекания процессов, скорость которых определяется концентрацией . дефектов вакансионного типа. В частности, в ряде работ был обнаружен эффект ускорения диффузии примесей в условиях облучения полупроводниковых кристаллов энергетичкыми частицами [4,8]. Учитывая, что структурные нарушения в диффузионную область кристалла плазменным об. учением не вводятся, этот метод становится привлекательным с точки зрения легирования кристаллов при пониженных температурах.

С другой стороны, внедрение высокоэнергетичных ионов в поверхностные слои подложки играет полонительную роль при создании разного рода покрытий с неупорядоченной микроструктурой и высокой адгезией (пассивирующих, антифрикционных и т.д.). Присутст-

вне в лазерном факеле высокоэнергетичных частиц облегчает решение задач такого типа, что выгодно отличает метод лазерно плазменной обработки от магнетронного и других способов напыления.

Вторая особенность лазерно-плазменнсго источника состоит ь высокой плотности потока испаренного .вещества (до 1 O^cm'V ). Качественный анализ показывает, что увеличение плотности потока конденсата на подложку изменяет условия на ростовой поверхности таким образом, что двумерный механизм роста становится более вероятным. Известно, что сформированные по двумерному механизму пленки имеют более совершенную кристаллическую структуру, чем образованные в результате срастания трехмерных Зародышей. Например, при послойном росте в пленках- не образуются межзеренные границы, в ряде случаев отрицательно влияющие на электрооптические, электрофизические и другие свойства пленок. В связи с этим реализация двумерного механизма роста при формировании эпитакси-альных слоев весьма желательна. К сожалению, общей теории, подтверждающей зависимость механизма poeta от плотности конденсата в настоящее время нет, однако некоторые экспериментальные данные подтверждают это предположение.'

Следует .отметить также, что лазерно-плазменную обработку материалов можно проводить как в вакууме так и в фоновой среде, что также расширяет возможности метода. Вакуумное напыление обычно используется когда требуется высокая энергия частиц или испаренный материал химически активен й необходимо избежать его взаимодействия с какими-либо химическими элементами. - Фоновая среда, напротив, применяется для снижения энергии, эрозионного потока или для обеспечения условий протекания химической реакции непосредственно на стадии разлета плазмы. Характерным примером успешного применения реактивного напыления является синтез из лазерной плазмы пленок высокотемпературного сверхпроводящего соединения УВа^си^о^Э]. Кислородосодержащая. атмосфера в этом случае обеспечивает окисление металлов как на стадии разлета так и во время их конденсации на подложку.

Наиболее ярко перечисленные преимущества проявляются при использовании в качестве испарителей импульсных лазеров, поскольку их мощное излучение позволяет получать потоки эрозион-

ной плазмы практически любых веществ. Количество испаренного вещества в этой случае точно дозировано, а диапазон энергий и интенсивностей плазменного потока очень широк. В связи с этим с практической точки зрения применение импульсных лазеров наиболее привлекательно.

Первые эксперименты по использованию технологии лазерного напыления для модифицирования поверхностных свойств материалов и напыления пленочных структур были проведены в семидесятых годах и продемонстрировали эффективность лазерко-плазменного воздействия на кристаллы. Были показаны возможности этого метода по компенсированию проводимости поверхностных слоев вале [6], формированию многослойных систем [3], струкурно совершенных пленок полупроводников и диэлектриков [7]. Настоящую диссертацию можно рассматривать как продолжение начатых в работах [6,7] исследований

Цель работы. Основные направления проделанной в рамках данной диссертации работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Изучение процессов в приповерхностных слоях кремния при бомбардировке их потоками лазернрй плазмы и формирование субмикронных легированных слоев.

2. Разработка технологии получения методом импульсного лазерного напыления пленок сверхпроводящего соединения УгВагсиз07 и исследование их свойств.

Научная новизна. Исследована низкотемпературная диффузия в крзмнии, стимулированная облучением эрозионным потоком примесей аэ, р, б!?,, в. Для процесса диффузии под действием потока легирующих частиц с энергией 100-1000 эВ развита модель поверхностного источника примеси. Определены значения параметров, контролирующих диффузионный процесс.

Обнаружено явление свя; .авания диффундирующей в кристалле примеси при интенсивном его облучении. Определены условия, энергия активации и особенности перераспределения примеси при отжиге. Показано, что явление позволяет формировать субмикронные слои- Б!, легированные до концентрации, близкой к предельной. Предложен механизм комппексообразования, построена феноменологи-

ческая модель.

Иследованы условия и динамика легирования в! бором из нанесенного на поверхность пленочного источника. Проведено сопоставление полученных результатов с существующими моделями диффузии бора в кремний.

Исследованы характеристики пр-переходов, полученных облучением кремния лазерной плазмой. Установлены причины, влияющие на величину времени жизни носителей в переходе.

Разработана технология роста не содержащих макровоючений тонких' (-ЮОпш) пленок высокотемпературного сверхпроводящего соединения у ва сид методом импульсного лазерного напыления. Исследована микроструктура пленок, ее зависимость от условий синтеза и типа используемых подложек. Предложен способ управления ориентацией растущих на ЗгТЮз слоев. Оценены коэффициенты анизотропии скоростей роста и токопереноса соединения УВагсизот в направлениях вдоль и поперек с.

Исследованы резистивные переходы, вольтамперные и вольтпо-левые зависимости ВТСП слоев. Обнаружена существенная связь критических параметров и кристаллических свойств пленок: Установлено, что пленки с низкими зс (В =0) более чувствительны к магнитному полю и степень восприимчивости 1 к В может служить индикатором содержащихся в них слабых связей.

Оценена энергия связи и вихрей магнитного поля. Показано, что она одинакова для пленок с различными 1 .. Предполагается, что большая величина и исключает возможность гигантского крипа магнитного потока. Критический ток пленок не определяется Непосредственно величиной энергии связи, но зависит от доли сечения пленки, переносящей ток максимальной плотности.

Оценены шумовые и высокочастотные свойства увей слоев, показана принципиальная возможность их использования при изготовлении ряда приборов криоэлектроники.

Практическая ценность. Проведенные в работе исследования направлены на изучение возможностей лазерно-плазменной технологии для формирования субмикронных структур электроники. Ряд полученных результатов уже нашел применение.

Исследования процессов при обучения 31 потоком примеси' по-

казали возможность развития на их основе нового низкотемпературного способа получения легированных слоев. Полученные результаты использованы при разработке способа изготовления элементов солнечных фотоэлектрических преобразователей, защищенного авторским свидетельством. Преобразователи близки по качеству к полученным термодиффузией, технология легко автоматизируема и производительна.

Предложенный в работе способ получения тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников УВагсизо? позволяет получать пленки с близкими к предельным параметрами Тс и jc. Исследования свойств ВТСИ слоев показали возможность применения их при изготовлении ИК-болометров, СВЧ -резонаторов, СКВИДов.

Апробация результатов. Основные результаты диссертации' опубликованы в 17 работах [1-17*], доложены на X Всесоюзном совещании по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1985), II Всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости (Киев, 1989), на I Международной школе по применение лазеров в электронике (Ташкент, 1989).

Структура и йЗъеи диссертации. Диссертация состоит из двух частей, введения и заключения.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Bfl введении обоснована актуальность выбранной темы, дан краткий обзор содержания работы и раскрыта новизна и практическая ценность полученных результатов.

Первая насхь диссертации посвящена исследованию процессов в приповерхностных слоях кремния в условиях облучения его высоко-энергетичной плазмой, созданной излучением TEA СО -лазера и во время последующей термической обработки. В I главе приведена общая схема экспериментальной установки, основные характеристик» плазменных потоков и методика исследования получаемых структур. Установлено, что при температурах 450-675°с облучение эрозионными потоками легирующих примесей сопровождается проникновением примеси в глубь si в режиме радиационно-стимулированной диффузии

(РСД). Исследована динамика РСД, ее зависимость от интенсивности облучения, температуры, типа легирующих атомов (Р, Ав, БЬ, В). Развиты модельные представления о диффузии, стимулированной прямым облучением знергетичными атомами примеси, проведено их сопоставление с экспериментом. Найдены неравновесные коэффициенты диффузии примесей и диффузионные длины дефектов в

Показана возможность изготовления при РСД из лазерной плазмы легированных субмикронных слоев кремния с концентрацией носителей .Ю'МО20 см"3. Исследован режим '"самоизолирующейся" РСД, реализующийся при облучении кремния плазмой веществ с низким давлением паров. Установлено, что в этом случае время РСД ограничивается растущей на поверхности кристалла пленкой, в связи с чем получение глубоких легированных слоев возможно лишь в результате высокотемпературного отжига.

Во второй главе изучено обнаруженное при РСД под действием интенсивного Н = Ю'^Ю^см^с"5) облучения явление связывания значительной части примесных атомов, позволяющее накопить примесь в приповерхностной области. Исследованы особенности ее активации и перераспределения при последующем отжиге (800°-1000°С), оценена энергия активации распада содержащих примесь дефектных комплексов. Показано, что режим облучения, сопровождающийся связыванием примеси является эффективным способом получения легированных вплоть до уровня 5'10госм"3 слоев кремния толщиной 0, 02-0, 5 мкм.

Обнаруженная нелинейность эффективности комплексообразования от плотности потока и повышенная скорость диффузии примеси в процессе распада комплексов позволили предположить, что явление комплексообразования связано с участием подвижных собственных дефектов решетки (вакансий) и примесных атомов. Большая величина энергии активации (- 1,2 эВ) указывает на сложный состав формирующихся в этих условиях комплексов. Предложена феноменологическая модель комплексообразования, оценены параметры, контролирующие этот процесс.

Рассмотрены особенности формирования слоев р-э1 при диффузии из нанесенного на поверхность кремния сверхтонкого (<100 А) пленочного источника' элементарного бора.' Показано, что режим

проникновения бора в кристалл при отжиге в инертной атмосфере близок к диффузии примеси из ограниченного источника без стока через барьерный слой, роль которого в данном случае играет слой естественного окисла кремния.

Полученные результаты были использованы при изготовлении с помощью лазерно-плазменной технологии (ЛПТ) солнечных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Установлено влияние режимов облучения и отжига на характеристики np-перехода ФЭП. Найдены близкие к оптимальным условия формирования эмиттерного п-слоя. Приведены параметры изготовленных ФЭП.

Ей второй части исследуются возможности ЛПТ для получения тонких пленок высокотемпературного сверхпроводящего соединения *,вагси3о7 ( ybco). Пленки формировались осаждением на горячую поверхность низкоэнергетичной (-20 эВ) плазмы, создаваемой распылением стехиометричной мишени излучением лазера на алюмоиттри-евом гранате (yag:nd*). Исследованы особенности напыления пленок из многокомпонентных кислородосодержащих мишеней. Установлена необходимость проведения процесса напыления в кислородосодержа-щей атмосфере, обеспечивающей компенсацию кислорода испаряющегося на стадии конденсации эрозионного потока. Характерный для соединения YtBa2Cu307 низкий коэффициент поглощения излучения с длиной волны а = 1,06 мкм и связанный с этим вынос с мишени большого количества капель вещества обусловил необходимость проведения напыление по схеме "скрещенных пучков". Приводится описание этой схемы и собранной для ее реализации экспериментальной установки.

Показано, что за счет энергетичности поступающего на подложку вещества высококачественные пленки ybco могут быть получены при пониженной относительно равновесных условий температуре Подложки.

Оптимизированы режимы напыления ВТСП тонкопленочных структур с высокой токонесущей способностью.(плотность критического тока не ниже 10®А/см2 при 78К). Исследована микроструктура пленок KjBa сизо? на подложках SrTi03. Установлено, что в зависимости от условий напыления и ориентации ростовой поверхности меняется микроструктура и ориентация составляющих пленку зерен.

Лучшие пленки характеризуется совершенной структурой зерен, когерентными межзеренными границами и отсутствием прослоек промежуточных фаз. Оценено различие скоростей роста пленок в направлениях вдоль и поперек оси с: в направлении малых периодов решетки она примерно на порядок выше.

Определены особенности роста увсо слоев на подложках А1г0з и si. Для предотвращения взаимодиффузии элементов пленок и подложек использовались буферные подслои zro2. Исследована микроструктура пленок формирующихся на поликристаллических слоях Zr02, обнаружено ее качественное отличие от характерной для пленок, выращенных на монокристаллических подложках SrTi03. ВТСП пленки в системе увсо/ Zro./ si, А1гоз - поликристаллические, содержат большое количество некогерентных межзеренных границ и прослоек промежуточных фаз. На основании полученных результатов выработаны рекомендации по условиям роста монокристаллических пленок уза cu о на подслоях zro , zro sv о .

4 J 7 2 2 2 3

Исследования электрофизических свойств УВа2Сизо7 слоев обнаружили существенное влияние на них со стороны микроструктуры. Максимальные значения температуры перехода в сверхпроводящее состояние То=91.5К, при ширине перехода ДТ= 0, 3 {{, и плотностей критического тока jc-7-106A/cM2 при 78К получены в монокристаллических пленках увсо (001) на SrTi£>3 (100).

Приведены температурные зависимости удельного сопротивления пленок с различной микроструктурой, их вольтамперные характеристики для разных величин индукции внешнего магнитного поля. Обнаружена анизотропия токонесущих свойств соединения в направлениях [100] ([010]) и [001]. Сделано предположение , что в общем случае ВТСП пленка может рассматриваться как композит сверхпроводящих областей с высокими и низкими критическими параметрами. Интегральные характеристики пленок определяются преимущественным содержанием в них соответствующих областей и состоянием межзеренных границ. Основанный на экспериментальных результатах расчет показал, что энергия пиннинга абрикосовских вихрей в ВТСП слоях одинакова в пленках с высокими и низкими jc, т. е. срыв вихрей с центров закрепления не является основным фактором, ограничивающим их токонесущую способность.

Проведена серия экспериментов по оценке возможностей применения ВТСП тонкопленочных структур в приборах криоэлектроники. Показана принципиальная возможность их использования для изготовления ИК-болометров, СВЧ-резонаторов, искусственных слабых связей.

Осноышё. реаудыаты могут быть сформулированы следующим образом.

1. Исследована низкотемпературная (500-600°С) стимулированная диффузия в при облучении его эрозионным потоком легирующей примеси (р, аб, бь). Развита и сопоставлена с экспериментом модель поверхностного источника примеси. Показана возможность изготовления легированных слоев с максимальной концентрацией носителей Ю^+Ю^см"3.

Н. Обнаружено и исследовано явление связывания примеси в кремнии при его облучении интенсивными эрозионными потоками. Выяснены условия активации и перераспределения связанной примеси при отжиге ( >800°С). Показано, что эффект связывания позволяет накопить примесь в ходе стимулированной диффузии и изготавливать легированные до концентрации *5-10госм~3 слои кремния толщиной 0,02+0,5 мкм. Предложена модель комплексообразования, где в качестве устойчивого дефекта рассматривается комплекс дивакансия-примесь.

3. Исследована динамика формирования проводящих слоев р-Б1 в условиях облучения б! лазерной плазмой бора и при последующем отжиге (800+1000°С). Обнаружен самоизолирующийся режим РСД в процессе лазерно-плазменной обработки. Установлено существенное влияние атмосферы отжига и слоя естественного окисла кремния на динамику проникновения бора в кристалл.

4. Показана возможность изготовления с помощью лазерно-плазменной технологии элементов кремниевых фотопреобразователей.

5. Разработана одностадийная (без высокотемпературного отжига) технология напыления высокотемпературных сверхпроводящих пленок УВагсизот без макровключений размером более 1мкм с высокими критическими параметрами.

6. Исследована микроструктура пленок Увсо на подложках бгт1оз и в системе увсо/ гг02/ б1,а1гоэ. Обнаружено влияние ус-

ловий напыления и ориентации подложки на микроструктуру пленок. Показано, что преимущественная ориентация зерен ybco меняется в зависимости от температуры ростовой поверхности. Продемонстрирована возможность применения пленок YBa2Cu307 х для изготовления на их базе ИК-болометров, СВЧ-резонаторов, СКВИДов.

7. Установлена существенная связь между микроструктурой и электрофизическими параметрами ВТСПП. Максимальная плотносгь критического тока получена в монокристаллических пленках на srTio3 (001) и составляет прн 78к 7-106А/см2. Эта величина, по-видимому, близка к предельной для соединения YBa2cu307_x.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ:

1. Способ изготовления солнечных фотоэлектрических преобразова-лелей. Авт. свидетельство N 1153760. Гапонов C.B., Стриковский М. Д., Калягин М. А..

2. Гапонов С. В., Стриковский М. Д., Калягин М. А.. Применение лазеров в технологии микроэлектроники. Изв. АН СССР. Сер. Физическая, т. 49, N4, с. 758-764, 1985.

3. Гапонов С. В., Калягин М. А., Стриковский М. Д. . Низкотемпературная диффузия в кремнии, стимулированная интенсивным потоком частиц легирующих примесей. Тез. докладов- Xv Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных, частиц с кристаллами, с. 117, М. , Изд. МГУ, 27т29 мая, 1985г.

4. Способ изготовления полупроводниковых структур с легированным поверхностным слоем. Авт. свидетельство n 1266392. Гапонов C.B., Калягин М. А., Стриковский М. Д..

5. Гапонов С. В., Калягин М. А., Стриковский М. Д.. Модификация свойств приповерхностных слоев полупроводников под действием эрозионной лазерной плазмы. Препринт n 134 ФИ АН СССР им. П.Н.Лебедева, М. ,1986.

6. Гапонов С. В., Калягин М. А., Стриковский М. Д.. Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии, фосфора в кремний. ФТП, т. 12, N9, с. 1642-1647, 1987.

7. Калягин М. А., Стриковский М. Д. Формирование проводящих слоеь при облучении поверхности кремния лазерной плазмой бора и прн

последующем отжиге. ФТП, т. 23, Н8, с. 964-957, 1989. 8 . Гапонов C.B., Ильин Н.В., Калягин М. А., Клюенкор Е. Б. Стри-ковский М. Д. Анизотропия магнитных и электрических свойств тонких сверхпроводящих пленок YBa2cu30T Письма в ЖЭТФ., т. 48, в. 3, с. 155-158, 1988.

9. Исследование болометрических свойств пленок состава УВа2Си3о7 ^ Письма в 1ТФ, т. 14, вып. 20, 1988, с. 1836-1838. Гапонов С. В., Калягин М. А., Хребтов И. А., Леонов В. И., Павельев Д. Г., Павлов С. А., Чурин A.D..

10. С. В. Гапонов, М. А. Калягин; Л. В. Малышева и др. Шумовые свойства у-ва-си-о пленок. Письма в 1ТФ, т. 15, вып. 12,. 1989, с. 62-67.

11. Гапонов C.B., Гарин Ф. В., Голубев В. Н., Калягин H.A., Клюен-ков Е. Б. и др. Вольт-амперная характеристика И критические токи в слабых магнитных полях в YBa^cu^o^. ЖЭТФ, т. 95, в. 3, 1989, с. 1086-1091.

12. Caponov S.V., Kalyagin М.А., Besvinner A.V. et al. Thin film processing for high-Tc. superconductors. Proceed. First Intern. School on laser surface microprocessing. 30 oct.73 nov. 1989, Tashkent, USSR, pp.77-83.

13. Заявка на изобретение. Авт. свидетельство н 284235. Гапонов С. В., Голубев В. Н., Калягин М. А. и др.

14. Безвиннер A. B. , Калягин М. А., Косыев В. Я. и др. Электрофизические характеристики сверхпроводящих пленок- УВагсизо7_г. Тез. докл. II Всесоюзной конференции по ВТСП. Киев, 25-29 сентября, 1989г., с. 25.

15. Киселев Н. А., Васильев А. Л., Довыденко А. Ы., Гапонов С. В., Калягин М. А. Электронная микроскопия пленок YBa2Cu307 i. Сверхпроводимость: .ФХТ, т. 3, N4, 1990, с. 658-667.

16. Безвиннер A.B., Гапонов C.B., Калягин U.A. й др. Критические токи и энергия связи вихрей в эпитаксиальных пленках ува2сизотв. Сверхпроводимость:ФХТ, т.З, н10. ч.2, 1990, с. 2332-2342.

17. Гапонов C.B., Калягин И. А., Киселев H.A., Васильев А. Л. Микроструктура и электрофизические свойства пленок УВа2си307\ Веб. Рост кристаллов. М., Наука, т. 19, 1991, с. 211-224!

ЛИТЕРАТУРА.

1. Щука А. А., Днепровский В. Г., Дудолаев А. Г. Получение тонки* слоев с помощью лазерного излучения. Зарубежная электрон, техн., 1974, в. 24, с. 38-65.

2. Гапонов С. В., Салащенко И. Н. Вакуумное напыление пленок с помощью импульсных лазеров.- Электрон, пром. ,1976, вып. 1(49), с. 11-20. 3. Ахсахалян А. Д., Гапонов С. В., Лучин В. И. . и др. Искусственные многослойные отражающие и селективные элементы для мягкого рентгеновского излучения.- ЯТФ, 1984, т. 54, в. 4, с. 747-762.

4. Физические процессы в облученных полупроводниках. /Под ред. Смирнова Л. С. - Новосибирск: Наука, 1977.

5. Алейников В. С., Бондаренко 10. Ф., Санферова Л. И., Цыганков Ю. А. Компактный импульсный излучатель на углекислом газе и перспективы его применения.- Электрон, пром., 1981, вып. 5-6 (101-102), с.77-82.

6. Гапонов С. В., Стриковский М. Д. Компенсация GaAs облучением эрозионной лазерной плазмой. - ЖТФ, 1983, т. 53, N6, с. 1230-1231.

7. Гапонов С. В., Клюенков Е. Б., ' Нестеров Б. А. и др. Низкотемпературная эпитаксия диэлектриков при лазерном распылении материалов в разреженной химически активной газовой среде. - Письма в ЯТФ, т. 5, в. 8, с. 472-475.

8. Minear R.L., Nelson D.G., Gibbons-J.F. Enhanced diffusion in Si and Ge by light implantation.- Journ. Appl. Phys., 1972, v.43, N8, p.3468-3480.

9. Wu X.D., Dijkkamp D., Ogale S.B. et al. Epitaxial odering of oxide superconductor thin films on (100) SrTiO prepared b>J pulsed laser evaporation.- Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, Nil, p.861-863.