Роль неравновесных состояний и релаксационных процессов при лазерном формировании полупроводниковых слоев тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭРОЗИОННОЙ ЛАЗЕРНОЙ МкШ,

ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ.

1.1. Лазерная плазма. Образование и разлет в вакуум.

1.2. Взаимодействие атомов и интенсивных атомар-. ных потоков с поверхностью твердого тела

1.3. Экспериментальная установка и методы иссле дования.

1.4. Характеристики эрозионной лазерной плазмы на стадии инерциального разлета в вакуум

1.5. Взаимодействие продуктов лазерной эрозии с поверхностью твердого тела

Элементная база полупроводниковой электроники в подавляющем большинстве своем построена на пленочных структурах с микронными и субмикронными толщинами активных областей. Тенденция использования все более тонких слоев для производства приборов твердотельной электроники в настоящее время усиливается. В последние годы резко возрос интерес к многослойным пленочным структурам типа сверхрешетка, открывающим возможности практического использования новых физических явлений. Сверхрешетки состоят из чередующихся слоев двух материалов, толщины которых могут варьироваться от десятков до нескольких сотен ангстрем. Ведущее положение в формировании таких структур занимают методы молекулярно-пучковой эпитаксии и газотранспортной МОС гидридной технологии.

Большие возможности в этом направлении открывают неравновесные методы обработки полупроводниковых материалов. Например, для создания резких профилей распределения легирующей примеси широко используется ионная имплантация в сочетании с импульсным отжигом нарушенных слоев. Весьма перспективным представляется и метод лазерной эпитаксии, в котором пленки формируются из материала, испаренного в результате действия на мишень лазерных импульсов. Этим способом удается получать сплошные монокристаллические пленки толщиной всего в несколько атомных слоев. Уже одно это обстоятельство оправдывает усилия, затрачиваемые на его совершенствование. На практике с помощью лазерной эпитаксии далеко не всегда и не для всех материалов удается получать пленки и многослойные структуры с удовлетворительными электрофизическими характеристиками. Например, первые же работы по арсениду галлия показали, что концентрация активной примеси в эпитаксиальных слоях не соответствует параметрам материала мишени, а подвижность носителей ниже, чем в пленках, полученных традиционными методами. Изучение явлений, происходящих в лазерной плазме во время свободного разлета в вакуум и при столкновении с препятствием, а также явлений в кристаллах, сопровождающих образование пленки на их поверхности, является актуальной задачей, решение которой позволило бы определить условия формирования совершенных полупроводниковых структур. Альтернативным решением проблемы может быть разделение процесса формирования пленки или многослойной композиции на два этапа: лазерное напыление слоев требуемой толщины и состава и их рекристаллизация с целью получения нужных структурных и электрофизических свойств.

В последние годы в печати широко обсуждается импульсный лазерный отжиг (ИЛО) полупроводников. Интерес к этому вопросу не случаен: ИЛО, как нельзя лучше, вписывается в технологию создания элементной базы на основе тонкопленочных структур, Интенсивный световой поток и малая длительность импульса позволяют разогреть до нужной температуры и локализовать у поверхности зону отжига, избежав тем самым нежелательных эффектов, возникающих при длительном нагреве всего образца. Однако, и здесь есть свои проблемы, связанные с неоднородностью светового потока в поперечном сечении пучка и нелинейным характером разогрева широкозонных полупроводников ( М< Е^ > где Ед - ширина запрещенной зоны), затрудняющим контроль температуры в конце импульса облучения.

Чрезвычайно важным обстоятельством является то, что исследования по лазерному отжигу позволили с оптимизмом взглянуть на актуальнейшую проблему - получение ориентированных полупроводниковых слоев на неориентирующих подложках. Продвижение в понимании механизмов ориентации под действием сил, не локализованных на масштабах, сравнимых с периодом кристаллической решетки, вносит вклад в создание физических основ технолгии трехмерных интегральных схем.

Целью настоящей работы является исследование возможности управления структурными и электрофизическими характеристиками пленок с помощью лазерного излучения.

Основное внимание в работе уделено:

- исследованию характеристик плазмы на различных стадиях процесса лазерного напыления пленок;

- роли радиационных явлений в полупроводниках при лазерной эпитаксии;

- исследованию отжига тонкопленочных-структур и их рекристаллизации при воздействии лазерного излучения; .

- исследованию механизмов ориентации кристаллов под действием сил, не локализованных на межатомных расстояниях.

Диссертация состоит из введения, трех глав и.заключения.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом.

1. Исследована динамика эрозионной лазерной плазмы, образованной при воздействии на мишень импульсного излучения с плот

8-2 я» ностыо потока ^ = (4*10).10 Вт.см и длительностью ^ц = о 3.10""° с. Определена структура эрозионного потока. За плазменным сгустком со средней энергией ионов Е«.,г 340 эВ следует поток атомов с Еьр = 10 эВ. Максимальные концентрации в плазменной и нейтральной частях составляют соответственно для лег

Т 3 ТД 3 коплавких материалов П-1 = 5.10 , ^ = ЗЛО см~^ для тугоплавких *Ч = 5Л0^3, = 1Л0^ см""3 (расстояние от мишени 5 см).

Для плазменной части факела найдены профили концентрации частиц и электронной температуры.

2. Исследовано' взаимодействие лазерной плазмы с поверхностью твердого тела. Плазма формировалась при испарении мишени и нагреве пара излучением неодимового лазера, работающего в о режиме модулированной добротности с Гн = ЗЛО с, = 2Дж. о о

Плотность потока излучения менялась в пределах (4*10)Л0 Вт.см . Определены условия, когда у поверхности подложки образуется соударительная область с повышенной концентрацией частиц и температурой. Определены основные характеристики этой области: размер, состав,и концентрация частиц, динамика образования.

Предложен механизм образования термализованной области, основанный на эффекте распыления поверхностных слоев высоко-энергетичной частью продуктов эрозии.

3. Показано, что бомбардировка поверхности полупроводников частицами с энергией в несколько сот электрон-вольт, содержащимися в лазерном факеле, может приводить к изменению электрофизических параметров на глубине несколько тысяч ангстрем, значительно превышающей длину пробега самой частицы в твердом о теле (10 * 20А). Механизмом, ответственным за этот эффект, является интенсивное дефектообразование в приповерхностном слое и последующая миграция дефектов на значительную глубину. Следствием этого может быть компенсация проводимости исходного полупроводника или ускоренная диффузия в нем примеси.

Экспериментально найдена зависимость диффузионной длины вакансий от температуры для и .

Рассмотрена возможность получения ориентированных пленок на не ориентирующих подложках посредством кристаллизации вещества в поле анизотропных упругих дзформаций.

Показано, что одним из факторов, способствующих ориентированному росту пленок, может служить анизотропная деформация подложки. На основании этого предложен механизм появления преимущественной ориентации в пленке на стадии зародышеобразова-ния и на более поздней стадии роста за счет переориентации кристаллитов в твердой фазе.

Проведены эксперименты по лазерному отжигу (кристаллизации) полупроводниковых пленок на аморфных подложках. С помощью полупрозрачных масок на поверхности пленок создавалось неоднородное (с определенной симметрией) распределение температуры, что приводило к появлению анизотропной деформации и способствовало ориентированному росту пленок. Этим методом были получены ориентированные пленки РвТе и &е .

- 156 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Ахоахалян АД., Битюрин Ю.А., Гудков A.A. Взаимодействие лазерной плазмы с подложкой. - В кн.: Применение лазеров в науке и технике: Тез.докл. Всесоюз.научно-техн.конф. Ленинград, 1980, с,18.

2. Битюрин Ю.А., Талонов C.B., Гудков A.A. и др. Взаимодействие эрозионной лазерной плазмы с поверхностью твердого тела и получение пленочных структур. В кн.; Международный симпозиум "0птика-80и. Будапешт, 1980, с.482.

3. Битюрин Ю.А., Гапонов C.B., Постникова Т.В. Низкотемпературная диффузия, стимулированная действием импульсных потоков лазерной плазмы. ЖТФ, 1981, т.51, вып.6,с. I279-I28I,

4. Битюрин Ю.А., Талонов C.B., Гудков A.A. и др. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия. Электронная промышленность, 1981, вып.5-6 (30), C.II0-II5. . .

5. Ахсахалян А.Д., Битюрин Ю.А., Гудков A.A., Лучин В.И. Характеристики эрозионной лазерной плазмы, используемой для вакуумного напыления и эпитаксии. -Горький,1981. 40 с. (Препринт /ИПФ АН СССР: №21). , .

6. Битюрин Ю.А., Талонов C.B., Гарин Ф.В., Стриковский М.Д. О возможности применения лазерной плазмы для изменения свойств приповерхностных.слоев материалов. В кн.: Оптика лазеров: Тез.докл, Ш Всесоюз.конф. Ленинград,1981, с.438-439.

7. Ахсахалян. А.Д., Битюрин Ю.А., Талонов C.B., Гудков A.A., Лучин В.И, Процессы в эрозионной плазме при лазерном вакуумном напылении пленок. I. Характеристики эрозионной лазерной плазмы.на стадии инерциального разлета. 1ТФ,1982, т.52,.вып.8, с.1584-1589.

8. Ахсахалян А.Д., Битюрин Ю.А., Талонов C.B., Гудков A.A., Лучин В.И. Процессы в эрозионной плазме при лазерном вакуумном напылении пленок. П. Взаимодействие продуктов лазерной эрозии, с поверхностью, твердого тела. ЖТФ, 1982, т.52, вып.8, с.1590-1596.

9. Y. A., Gapûnov S.V., kïyuenkov Ebv Sirikovsky M.D.

10. Go/ls compensai îok Ц UvWse ^Éuxes ioW-еие-гздpartie (es.- $o£ld slaU. coMmuniîcoitohs, v. M}

11. Битюрин Ю.А., Гапонов C.B., Клюенков Е.Б., Стриковский М.Д. 0 возможности управления концентрацией и подвиж -ностью носителей тока в приповерхностных слоях. В кн.: Тр. Всесоюз.конф.по физике полупроводников': Тез.докл. Баку, 1982, т.2, с.87-68.

12. Битюрин Ю.А., Гапонов C.B., Гудков A.A., Миронов В.Л. Кристаллизация в поле упругих деформаций. Горький, 1983. - 29с. (Препринт /ШФ АН СССР:.№.75).

13. Битюрин Ю.А,, Гапонов C.B., Гудков A.A., Миронов В.Л. Направленная кристаллизация, при лазерном отжиге. -Квантовая электроника, 1984, т.II, № I, с.181.

14. Битюрин Ю.А.-, Гапонов C.B., Клюенков Е.Б., Стриковский М.Д. Действие мощных.импульсных потоков ионов малой энергии на GaJU . ФТП, 1984, т.18, № 10, с,1729-1734.

15. Анисимов С.И., Имас Й.А., Романов Г.С., Ходыко. Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970. - с.262.

16. Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир, 1974. - с.467. . .

17. Романов Г.С., Степанов К.Л. Экранинование поверхности металла продуктами разрушения ее потоками излучения ОКГ малой мощности. ШС, 1968, т.8, с.753-763.

18. Афанасьев Ю.В., Крохин О.Н. Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные вещества. Труды. Ш АН СССР, 1970, т.52, с.118-170.

19. Лучин В.И. Влияние теплофизических свойств мишени на режим испарения под воздействием лазерного излучения. -Изв.ВУЗов, Радиофизика, 1980, т.23, № 2, о.177-181.

20. Басов И.Г., Крохин О.Н., Склизнов Т.В. Исследование динамики нагревания и разлета плазмы, образующейся при фокусировании мощных излучений лазера на вещество. Труды ФИ АН СССР, 1970, т.52, с.171-235.

21. IsehorA/.R. MiqU ^иеузд ^изт о. Q- swiAcked Ccmadlavx Jour-mxß. of Physics , -496^ } v. p.1. Ш.

22. Iseyior V.R. loh e^Ustov» dependence on irv.ii, //o.

23. Быковский Ю.А., Дегтяренко H.H., Елесин В.Ф., Козырев Ю.П., Сильнов С.М. Масс-спектроскопические исследования лазерной плазмы. ЖЭТФ, 1971, т.60, с.1306-1319.

24. Девятых Г,Г., Ларин Н.В., Максимов Г.А. Анализ твердых веществ на время-пролетном масс-спектрометре с лазерным источником ионов. IAX, 1974, т.29, с.1516-1520.

25. Быковский Ю.А., Васильев Н.М. и др. 0 формировании энергетического спектра ионов лазерной плазмы. Письма в 1ЭТФ, 1972, т.15, № 6, с.308-311. . .

26. Ловецкий Е.Е., Поляничев А.Н., Фетисов B.C. Разлет, реком-бинирующей плазмы в вакуум. ЖТФ, 1974, т.44, вып.5,с .1025-1031.

27. Воронов Г.С., Чернышев Л.Е. Изменение ионного состава разлетающейся многозарядной лазерной плазмы. ЖТФ,1973, т.43, вып.7, с.1484-1487. .

28. Быковский Ю.А., Дегтяренко H.H., Елесин В.Ф., Кондрашев В.Е., Ловецкий Е.Е. Ускорение ионов при. разлете плазменного сгустка. 1ТФ, 1973, т.43, вып.12, с.2540-2545.

29. Фринхтеннихт Дж. Импульсные атомные пучки, генерируемыепри помощи лазера. Приборы для научный исследований,1974, № I, с.59-65. 32. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М., Атомиздат,1968.

30. Технология тонких пленок (справочник). Под.ред.Елинсона М.И., Смолко Г.Г. -М.: Сов.Радио, 1977, т.1, с.664.

31. Векслер В.И. Вторичная ионная эмиссия металлов. -М.: Наука, 1978,-с.227.

32. Арифов У.А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. М.: Наука, 1968. - с.355.

33. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. М»: Мир, 1967. - с.450.

34. Машкова Е.С., Молчанов В.А. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел. -М.: Атомиздат, 1980. -с.254.

35. M<\skkov<x E.S., Moíícivcwev V.A. In- Proc. Seventh

36. Cok^. Phenomena lv\ Ionized Gases . Beo^vad^

37. Демченко П.А., Крупник Л.И. Взаимодействие плазмы с поверхностью твердого тела. I. Налетание сверхзвукового потока на тела разного профиля. ЖТФ, 1976, т.46, вып.II, с.2333- 2338.

38. Демченко П.А., Крупник Л.И., Легнер Е.С. Взаимодействиеплазмы с поверхностью твердого тела» П. Структура пограничного слоя, 1ТФ, 1976,.т.46, вып.II, с.2339-2348.

39. Демченко П.А., Крупник Л.И. Взаимодействие плазмы с поверхностью твердого тела. Ш. Анализ свечения, возникающего у тел в плазменном потоке. ЖТФ, 1976, т.46, вып.П, с.2349--2354. .

40. Осадин Б.А., Русаков М.В. К.конденсации эрозионной плазмы.

41. Ж», 1974, т.44, вып.2, с.477-478.

42. Днепровский В.Г., Осадин Б.А., Ь^саков Н.В. К конденсации плотного потока пара. ЯГФ, 1974, т.44, вып. 2,с.435-440.

43. Зельдович Я.Б., Райзер Ю.П. Физика ударных, волн и высокотемпературных гидродинамических явлений, М.: Наука, 1966.

44. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966.

45. Талонов C.B., Лускин Б.М., Нестеров Б.А., Салащенко H.H. Низкотемпературная эпитаксия пленок, конденсированных из лазерной плазмы. Письма в ЖТ$, 3, № 12,с .573-576 (1977).

46. Petersen ML, Ос^Ыг R.E. Trans. Met. Soc. AIME ; Ш,v. ж, р. т.

47. IWuch Р Bouvatie-v* Mv ߣauckard Ca^toàmg C. -Apptf. Pi^s.LeR, v.lS, f>.77.51. №(хЦ c.W. J.Appt. РЦ&., mi, v.iA,

48. Мастере Б., Диффузия, стимулированная протонным облучением. Сб.статей, М.: Мир, 1980, вып.10, с.184.

49. Mlnear R.L.# Jlfetbon D.G., &ib&o*s Л.F. J.

50. Strack А/, г J.ÀppÎ.P^s., y. 24 , р.2.405.

51. Лабунов В.А., Борисенко В.Е. §ТП, 1979, т.13, вып.З, 'о .6 04.

52. Борисенко В.Е., Буйко Л.Д., Лабунов В.А. ФТП, 1981, т.15, вып.1, с.З.

53. Борисенко В.Е., Горская Л.Ф., Дутов Д.Г., Лабунов В.А., Лобанова К.Е. ФТП, 1982, т.16, вып.5, с.910.

54. Лабунов В.А., Борисенко В.Е,, Ухов В.А. Электронная техника, сер.6, Материалы, 1977, № XI, с.72. , .

55. Борисенко В.Е., Ершов С.Н., Калинкин Ю.А., Пантелеев В.А. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, вып.9, с.559.

56. Качурин Г.А., Ловягин Р.Н., Степина Н.П. ФТП, т.15, вып.2, 1982, с,290-295.

57. Талонов C.B., Стриковский М.Д. Особенности плазмообразова-ния при испарении веществ излучением TEA С02-лазера. -ЖТФ, 1982, т.52, № 9, с.1838-1842.

58. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -М.: Мир, 1973, с.296. . .

59. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И., Павлов П.В., Зорин E.H. Диффузионно-коагуляционная модель накопления радиационных дефектов при ионной бомбардировке кремния. ФШ, 1975,т.9, вып.12,- с.2292.

60. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983, с .24.

61. Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках» В сб. Точечные дефекты в твердых телах. - М.: Мир, 1979, вып.9, с.9.

62. Качурин Г.А., Ловягин Р.Н., Степина Н.П. Ш, 1981, т.15, . вып. 2, с.290.

63. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, IS6I, с.249.

64. Физические процессы в облученных полупроводниках. Ред.Л.С. Смирнов. Новосибирск, Наука, 1977, с.164.

65. Woocicoclc ЗХ, SUavino* IX., CiavU Ъ.1. SoЫ EßecW тсь, Щ5, ыЛЬ, iïo.l, р.аб7.

66. Гаврилов A.A., Качурин Г.А., Сафронов Л.Н., Смирнов Л.С. Ш, 1980, - т.10, выи. 8, с.1425.

67. Талонов C.B., Стриковский М.Д. ЖТФ, 1983, т.53, вып.6, с .1230.

68. Талонов C.B., Стриковский М.Д. ЖТФ, 1982, т.52, вып.9, с.1838.

69. Танина Н.В., Уфимцев.В.Б., Фистуль В.И. Письма 1ТФ, 1983, т.8, вып.Ю, с.620.

70. Глинчук К.Д., Заяц Н.С., Прохорович A.B. ФТП, 1982, т.16, вып.12, с.2214.

71. Придачин Н.В., Качурин Г.А., Смирнов Л.С. 0 механизме ра-диационно-ускоренной диффузии в арсениде галлия, облученном ионами. ФТТ, 1974, т.8, вып.Ю, с.1996-1997.

72. Va и. VecUt-ги 1А.; Tsu SaWs P.M. c\v\d Uoowliout —

73. Va* Veck-U* J.A. M. РЦ*. fce.v., mi, ß>23>, p.GSSO.

74. V/an-lelei M.; Vo^ VecMen I.A. РЦ&.Йсу., &ДЗ, p.SSSO.

75. E.J.-РЦь. ßfev., WO, 624, p.lMS.80. /-0 HV. and Co^fxxan, PU^s. ßev. LeU.y v. AAf>. 190*1.1. рЫхкег! WUlU C.V. Cy^ífc W.M.

76. XÁfffc. РЦ1., 4Q84, V. p. 7424.82. Мипхкаг*'«к'. TckiU fe., аис! Mcisucla К. Jpn.T.v.20; p. 8é>7.

77. B.C. | WtùU C.W., Mo^e T.S. Mite* Pfys.fiev. mi, v.4*, p. 3W.

78. Галяутдинов М.Ф., Саинов H.A., Штирков Е.И., Хайбуллин И.Б. В кн.: У Всесоюз.совещания по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом: Тез.докл. Ленинград, 1981.85.v. p. 330.86. koclera M. Jp*. T. App¿. P^s., v.l, р.

79. МиШ»«, W.W. a^cl Releerla RF, J. Appt. v.U} f.kbb.88. ^ekerka ft.R J.Appi. РЦ*., v.3Ê>, p.26A.

80. Mováis, LR. OkVvd Wlwe^d X Cr^vt. Gr»-owlU;1. V.S,

81. Be^-tovvi VitaU & Rtwu.nl E v Го tí G. Siruciure b-avistUov\s>

82. A a^ovpUôus Si uwdei^ lasevs ¿^adcaílon. J. Appt. Physv ДМ, p. 259 "-26£.

83. Качурин Г.A., Нидаев E.B. Об эффективности отжига имплантированных слоев миллисекундными лазерными импульсами.

84. ФТП, 1977, т.П, внп.10, с.2012-2014.92. 1/itah BerioioUl

85. M., L. Laser induc-ed «ДиисЬлкеcliawge^ i*. í.e.w»lcov\ductov-s re&xèed to ^ufcesl\ap€. Tn : Ldier - S>o¿cd Хк-te^^actiôns cmd Lasen Procèssi^.-mi, ÑX « AIP, m, MAMAS.

86. Шефталь H.H. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. В сб.: Рост кристаллов.-М'.: Наука, 1974, т.10, с.195.

87. Шефталь H.H., Клыков В.И. Особенности и механизм явления искусственной эпитаксии. В сб.: Рост кристаллов. - М.: Наука, 1980, т.13, с.80.

88. GeUM.V/.АиWacUs, ЪЛ.ъ Х>. 2.f Моцк-Ulw ft.W., $»VwliU Неии^ I. Si lie©* ^mpkoejpl-tcxx^ uii^ <x S^Kp-IwUr oven.- Aj»|>£. РЦ*. LeU.^ ШО, V. Xo.S", ¿<56.96. //ide^uwn Moví . Q.-l> «^apkoepi'W^ oj- tilico и ■fiimS si- ^oM supei^akura+ed solution. Три. J.

89. Af.pt Pk^ v.2oy a/o.«, p.-igos.97. Gels M.W.; Tsaur ß.-Y.eriv\<xvttAAkrt ova ^ro-'tí-H.^s wcbk square-Wave awA &txwtooil»profiles.- A^.PU^.Lett., Ш2, v.U,

90. Ipav4cK L.S.; Lowndes IX GrapWoepitax^ efedro1. Appfc. mi, v.Ao, p.

91. Тлилиуо, lamw^a. Tólcu^a^a Т. £>t J^KCIcjík^

92. ОУЧ ^ wu\de>wv owto SlO^, ^ Q ^wi/tcked

93. Easer f»iAe avmecJ^. Зрк. 3. Щ0( v. Й,

94. ЬсЛигоЛ J., !6nwc4wvuvCs Mov-l U., /i/a.kawo M.epî-Ux^ ^rowUt in po^-Si ©ver £îOaии

95. V i M- РЦ*., ш, v.2.0; ж.з, p. im-<tm,

96. Раи Зоки CC, ТЧаиг 6 .-Y., Скс^нлст PX. , Geùs /4.W.- ¿и- diAvw1. Mi

97. Dvv -ccxx-tecl âulvlra.'teb. —1. Y. Vo.2, р.^б-Щ.

98. SiuU* T.J., G-iMon* З.Г. 4 ГС-. Zone ctwo\

99. V'ecr^s-tcl^i.z.a'èùôvi ef Sù ow oxi-dlied SùIlcohbWirts. Af>f>£. PUgs. -fêe^v.Ai, a/O.3

100. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики.- M.: Наука, 1979. . . .

101. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. .

102. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964.

103. Талонов C.B., Салащенко Н.Н., Ханин Й.И. Повышение рав- . номерности пространственного распределения, излучения 0КГ.- В сб.: Квантовая электроника / Под ред.Н.Г.Басова. 1972, № 7,.с.48. .

104. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А, Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982.

105. Инденбом В.Л. Роль упругого взаимодействия в явлении эпитаксии. В сб.: Рост кристаллов. Ереван, изд-во Ереванского университета, 1975, т.II.

106. Александров Л.Н. О кинетических параметрах процесса взрывной (ударной) кристаллизации пленок. Письма в !Т§, 1982, т.8, вып.6, с.368.