Закономерности формирования термополевых микровыступов, изучаемые полевыми эмиссионными методами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

* № ' ■

' РОССИЙСКАЯ АКАДЕШЯ НАУК

ФШИКО-ТЕЖЖЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. А.О.ИОФФЕ

НА ПРАВАХ РУКОПИСИ

ВЛАСОВ ЮРКЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ

УДК 548.51:62-4:537.212:096

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТЗРМОПОЛЕВЫХ МЖРОВЫСТУПОВ, ИЗУЧШЫЕ ПОЛЕВЫМИ ЭМИССИОННЫЙ! МЕТОДАМИ

(специальность 01.04.04 - физическая электроника)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 1992

Работа выполнена в Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН

НаучныЯ руководитель - доктор физико-математических наук

В.Н.1ИРЕДНЙК.

О&гцпалыше оппоненты - доктор физико-математических наук

Г.Г.ВЛАДИМИРОВ,

кандидат физико-математических наук М. В. КРАС11НБК0ВА.

Ведущая Организация - С.Петербургский государственный

технический университет.

Ззцита состоится " А? " оЛСЙЛ 1992 г. в ЛН часов на заседании специализированного совета Д 003.23.01 в 2кзуяо техническое институте им.А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 134021, С.Петербург, ул.Политехническая,26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке йизико-тех.таческого института им.А.Ф.Иоффе РАН.

Автореферат разослан "А ^" 1992 г.

Учёный секретарь

специализированного совета Д 003.23.01 кандидат физико-математических наук

(А.Л.ОрОели)

- 3 -ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ГАВОТЫ

Актуальность работа. Проблема изменения формы малых кристаллических тел при различных внешних воздействиях, а также вопрос о характерных, равновесных и стацкояаршос формах ыикро-кристаллов внимательно изучались исследователями на протяжении ■многих десятилетий. Новые возможности в экспериментальном изучении этой темы открыло создание методик полевого электронного, а затем полевого ионного микроскопа. Ух® первые эксперименты, проведенные Мюллером [11 и Бендаамшом и Даешсинсом 12], показали, что вершина металлического остр;гйного эмиттера испытывает значительные изменения Форш при воздействии на кез внешнего электрического поля,и температуры.

К настоящему времени накоплен и обобщён значительный теоретический и экспериментальный материал, посвященный проблеме тер. МОПОЛ9БОГО изменения формы вершин змиттеров-острий. Так было доказано, что при воздействии на остриЗ высоких температуры и поля за изменение форма его поверхности отвечает процесс поверхностной семодиффузии атомов, проявляющийся в росте (или растЕореккк) кристалла, а направление изменения формы (затупление или заострение) определяется балансом действующих на поверхность растягивающих сил электрического поля и сжимающих сил поверхностного натяжения £3,4). В свете этого определенный интерес представляла возможность управлять процессом сзмодкф*узии посредством варьи-' рования интенсивности внешнего воздействия, в результате чего программируемо изменять форму вершины острия. Проведанные в этом направлении эксперименты выявили насколько возможных стадий термополевых формоизменений вершины металлического острийного эмиттера: перестройка, полная перестройка, микровыступы, мэкронарос-тн (полевая эрозия). Перестроенные формы,- равновесные с точки зрения баланса действуодих на поверхность сил,- были исследованы достаточно тщательно Г5]. Что касается стадии микровыступов, то хотя экспериментального материала,, посвяцбнного их изучению, Сало собрано достаточно много (например, смЛбЗ), он не всегда укладывался в рамки сложившихся представлений или, по крайней мере, требовал дополнительных объяснений. Гак, например, не было

прямых доказательств реального существования микровыстугов в условиях, их шрождакэдих. Это дззало право на высказывание такого предположения, что образование мккровыступов происходит только при охлаждении острия. Кроме того, в отличие от перестроенных форм, для кжрозыступов не было разработано адекватных подходов к понят:ш равновесной форщ (с точки зрения баланса действующих на поверхность сил), а также оставалось неясным, могут ли такие равновзснш микровыступы быть стабильными. Ранние теоретические изыскания предсказывали возможность достижения так называемых стационарных состояний, когда в качестве лимитирующего фактора изменения фор:® поверхности выступает непрерывное полевое испарение материала с вершин микровыступов, т.е. с участков, где на-прякЗнность електрического шля максимальна [7]. Однако, прямого экспериментального подтверждения этого предположения также не существовало. А в плане практического использования получение эмиттера с одаим иди несколькими микровыступами в стационарном состоянии могло бы открыть путь к создании новых точечных ионных источников тугоплавких металлов.

Цель работа. Изучить тенденции появления и исчезновения тэрмоподевых микровыступов, а также изменения их формы и локализации в зависимости от действующих значений поля и температуры. Для этого попытаться расширить на случай микровыступов развитые ранее для стадии перестройки представления, базирующиеся на рассмотрении конкуренции действующих на поверхность твердого тела сил электростатического поля и поверхностного натяжения. Далее, используя аирокий набор полевых эмиссионных методов, выяснить (глазным образом на примере вольфрама и в меньшей степени молибдена) вопрос существования микровыступов в условиях высоких палей к температур в принципе, выяснить и уточнить проблему существования и получения равновесных микровыступов, равно как изучить в деталях поведение стационарных испаряющих форм 1п аии и рассмотреть их свойствз в практическом аспекте ионных источни-

Научная новизна результатов заключается в следующем:

1. Впервые в прямом эксперименте в режиме полевого дессрбцконно-го микроскопа проведено наблюдение термополевых микровыступов из вольфрама и молибдена при высоких (1300-2300 К) температурах острия, в результата чего доказано та существование при указанных температурах и обнаружен сложный характер их поведения (дви-кениэ по поверхности, появление, исчезновение).

2. Развита теоретическая концепция конкуренции действуюпих на поверхность растягивакцих сил электрического юля и сжимающего поверхностного натяжения, рассматривающая состояния поверхности в координатах (давление, кривизна) и учитывающая полевое испарение. На этой основа создана новая модель, объясняющая процессы формоизменения вершины острия на стадаи микровнступов в результате термополевого воздействия, и теоретически проанализированы возможные пути достижения стационарных и устойчивых равновесных форм термополевых микровыступов.

3_ Экспериментально показано следующее из выработанной модели существование устойчивых равновесных микровыступов и стационарных форм в виде как перестроенных острий (дня молибдена), так и с микровыступами (для вольфрама и молибдена). Проверены опытным путЭм вытекающие из модели тестовые процедуры, позволялдие различать равновесные и стационарные фермы микровнступов. Экспериментально обнаружено предсказанное моделью наличие разрешённых и запрещенных областей значений полевого множителя (3, характеризующего кривизну поверхности данного острия, для перестроенных форм и микровнступов.

4. Экспериментально с использованием комплекса методов полевой электронной, ионной и десорбционной микроскопии получен равновесный термополевой микровыстуд на Еолъфрэмсвом острие и впервые определен коэффициент- поверхностного натяжения 7 для такого микровыступа. Тем самым, кроме того, была разработана новая методика определения у.

5. Основываясь на разрвботанной модели, экспериментально решена практически важная задача создания единственного микровыступа, расположенного строго по оси острия, ориентированного по кристаллографическому направлению <111>.

6. На примере вольфрама впервые экспериментально показана воз-

кожпость создания точечных ионных источников, действующих по принципу горячего полевого испарения материала эмиттера с мик-ровыступоз. Экспериментально определены ионный ток с одного кикровыетупа, ионный ток с острия, имеющего несколько микровыступов, оценена плотность ионных токов и эмиссионная яркость.

Научная и практическая значимость. В настоящей диссертации детально исследованы тенденции изменения форш вершины металлического острия на стадии микровыступов в зависимости от внешнего электрического поля и температуры. Полученные экспериментальные результаты подтверждают разработанную модель и расширяют представления о механизмах, ответственных за термополавые формоизменения. Они тахке открывают возможности практического создания суперострых острий (которые могут использоваться как эффективные электронные катоды или острия-зонды в СТЫ) и точечных узкоапэр-турных источников ионов тугоплавких металлов.

Основже положения, выносмяде на защиту:

1. Модель изменения форш вэраины острия на стадии микровыстугов в результате, термополевого воздействия, разработанная на базе теоретической концепции конкуренции действующих на поверхность растягивающих сил электрического поля и снимающего поверхностного нэтяжения, рассматривающая состояния поверхности в координата;-: (давление, кривизна) и учитывающая полевое испарение.

2. Результаты экспериментов, прямо доказывающих существование устойчивых равновесных микровыступов и стационарных (обнаружива-хщкх полевое испарение) форм. Результаты впервые проведённого экспериментального определения ксйф^ициекта поверхностного натя-кекия для раьнсвеского вольфрамового микровыступа: 7=5000 дин/см.

3. Решение практически важных задач создания острия с единственным , имегакл один ш несколько атомов на вершине, микровысту-псм, расположенным строго по оси острия V. реализации на примере вольфрама точечного ионного источника, действующего по принципу горячего полевого испарения материала эмиттера с микровыступов.

Адробацая работы. Результаты исследований, воиедшпх в .диссертацию, докладывались и обсуждались на Всесоюзной школе "Физика поверхности" (Ташкент, 1983), Всесоюзной школе по полевой эмиссионной микроскопии (Валдай, 1986), XX (Киев, 1987) и XXI (Ленинград, 1990) Всесоюзных конференциях по эмиссионной электронике, 7 Есесоюзной конференции по росту кристаллов (Москва, 1988), Межотраслевом совещании по полевой эмиссионной микроскопии (Харьков, 1939), 8 Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Свердловск, 1990), 38 международном симпозиуме по эмиссиям в сильных полях (Вена, 1991).

По теме диссертации имзется 14 публикаций (5 статей и 9 тезисов докладов) и 2 изобретения.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, четырЗх глав и выводов и содеротт 139 страниц, в том числа 22 рисунка, 6 таблиц и список литературы, включающий ИЗ наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность теш диссертации, формулируются цель работы, еЭ новизна и значимость.

Первая глава содержит обзор теоретических и экспериментальных работ (до 1986 г.), посвящЗнкых теме изменения формы' вершины острийных эмиттеров год действием внешнего электрического поля и температуры, а также в результате ионной бомбардировки поверхности. Изложен теоретически разработанный Херрингоч (3) термодинамический подход к объяснения термотолешх явлений, описывающий ратаовегке формы поверхности частиц малых размеров в терминах свободной поверхностной энергии. Приведены рассуадения и экспериментальные материалы, из которых следует, что в основе явления термслслевого изменения формц поверхности вершины металлического острийного эмиттера лежит процесс поверхностной самодиффузии атомов, проявляющийся в росте (или растворении) мккро-кристалла, а направление изменения формы (затупление или заострение) определяется балансом действующих на поверхность рзстяги-

вгтед':: сил електрич^с^ого поля и сзсшеющих сил поверхностного натаяеявя. С этих позади рассмотрено проявление процесса по-шрукосл-юй С1!к?дк$?узия, вырэтлкаееся в затуплении острий при простом термическое сглзкявьмш, а такке шшяяаэ внешнего элек-тркческс.го поля и ионной бомбардировки яа этот процесс. Обобщены дзншю та определена» энергии активации поверхностной саг,*одг:'М.узяа в отсутствии и в присутствии внешнего »л:.'к?р;псслого поля и по спрэделении коэффициента поверхностного г.атлгйпгя. Кратко расеглотреян стадии термополовых изменений форм:: пгшрхкостп мотаглэтесксго острия и обсувдеш сложившиеся к тому врг?й«1'эи ярег,стг>йг.ваяя о механизмах тагах формоизменений. На основе опадязй приегд-шгего теоретического и эксперяменталь-ного кэтеряапг форму лщ>уется задача работы.

JiPPl'LJCíML посаявдена методике и технике экспериментов. В ной откеч'йзтся, что в работе применялись нгароко известные й хоросо сгбя зпрекокондовзгше метод;.: полевой электронной и голевой иоъяой микроскопия. Для решения поставленных задач по изуче-ibík термело^евнх явлонкЗ наряду с обачиымя отпаянными стекляши-кя полет;:: глглрэккамя микроскопами использовалась созданная для этих цадой ц«льнок5Тзйкческая свэрхвыссковакуумкая установка попевогэ эгдгсскондога микроскопа, позволяющая проводить наблюдения всдоьик &лектрокнзх, ионных к ионжх десорбционнах изоб-j-i.'.w-Kití'. о'л-екта исследований, а тзюсе измерять его эмиссионные го|Ч«тлрт*:,7иг.н. Предельнее значения давления остаточшх газов в рабочей кодере составлял« 10""-10"" Тор. Существенным отличием конструкций длиной установки о г иных аналогичных била возмеж-н'стъ в чкеткх r-.'jyyy;.----:x условий? при годзчо ка иболедуеков с;рп" лусокогс поло^сстельчего потенциала пропревать его до в;,-ооних температур (т.е. проводить термополевую обработку), а с rrovv.ui.v'o ;/.:1крокг,н?лькогс усилителя яркости изображения визуализй-рогьть горючее тюлевое испарение материала образца с поверхности острия, к-менившего í^r-му в процессе терг-'огтолевого воздействия, пл.: же як.'-рзть тек ионов собственного материала. Описан разра-'■отзчуый метод изготовления остр'.йгих вольфрамовых эмиттеров, ориенгнре&аапгх влоль кристаллографического направления <П1>.

Третья глава посвящена развитию модели, объясняющей кс-мг-нения формы металлического острия при твркогшевом воздействии, на базе теоретической концепции конкуренции действующих "на поверхность растягивающих сил электрического поля и сзккаа!»го поверхностного натяжения, рассматривающей состоянии поверхности в координатах (давление, кривизна) и умтквазсяой нелепое испарение. Согласно Херркнгу [31, направлошю миграции вещества в области вершины острия при- одновременном воздействии внешнего электрического поля и температуры регулируется соотноконкем между давлением сил электростатического поля I5 и давлением сил поверхностного натяжения Р^:

рг= -£ = ?Т = 7Й -где 7- напряжённость электрического поля у вершины; и- напряжение, подаваемое на остриЗ; ас- Фактор, зависящий от формы и взаимного расположения острия-катода и акодя; 7- коэффициент поверхностного натяжения; К- кривизна поверхности. Из приведЗшшх выражений следует, что в общем случае Р линейно, а Рк квадратично зависят от X. Однако, зависимость РГ(Я) не может быть чисто параболической, поскольку при переходе от перестроенных форм острия к стадии микровыступов геометрическое подобие форм не соблюдается и коэффициент эе должен существенно изменяться. В итоге кривая Рг(й) представляет собой волнистую линию, состоящую из двух парабол с перегибом мевду ними. ¡[а рис Л представлена теоретическая схема, отражающая воздействие описанных выше сил на точку поверхности вершины острия исходной формы с некоторой кривизной К, для фиксированной температуры. Кривые из семейства РГ(Я) отличаются только по параметру 17; зависимость явля-

ется прямой линией и го зависит от напря&ьшя. Пологое давление Гг вызывает диффузио^.шй поток атомов с боковой поверхности в сторону вершины острил, который при всех Рг<Р меньше обратного штока, вызванного давлением сил поверхностного нптяшния. Термополевые формоизмен&кия острия в направлен™ роста К начинаются только при перекомпенсэции сил поверхностного натяжения силами электростатического поля, когда результирующий диффузиошшй

(давление)

С 1С (кривизна)

Рис.1. Теоретическая схема, отражающая воздействие давления сил электростатического поля Рг и поверхностного натяжения Р. на точку поверхности вершины острия в

процессе термополевого воздействия (пояснения см. в тексте).

а

I

поток меняет направление, т.е. при РГ>Р . Стрелки на рисунке характеризуют естественное направление процессов роста или затупления. В точках типа А достигается устойчивое, а в точках типа В - неустойчивое состояние равновесия (РГ=Р ) перестроенной поверхности. Аналогичные точки А' к В' относятся к стадии микровыступов. Точки типа Е характеризуют стационарные состояния микровыступоз, рост которых ограничен полевым испарением материала. Вообще говоря, приведенное рассмотрение термополевых формоизменений в координатах (Р^гД) является "точечным", т.е. равновесие Рг=Р^ рассматривается для точки (и некоторой окрестности вокруг неё) на поверхности. Такое рассмотрение было бы вполне корректным лишь для случая идеальной изотропной сферы. На самом деле реальная поверхность острия не сфера, а состоит из ряда плоских граней, соединённых скруглёнными участками. Поэтому при определённых напряжениях равновесие между Рг и Р^ является неполным: оно достигается лишь для некоторых геометрически и кристаллографически эквивалентных областей и прежде всего тех, где исходная кривизна максимальна.

Данная схема позволяет определить процедуры затупления или заострения острия, получения стационарных или равновесных микровыступов .

Четвёртая главз содержит описание экспериментальных результатов по изучении термополевых микровыступов. Впервые проведённое прямое наблюдение стационарных вольфрамовых микровыступов в полеЕом десорбционком режиме при температуре образца 1300 К < Т < 2300 К и Р-1,5-10° В/см доказало их существование в данных условиях, а киносъёмка полевых десорбционных изображений микровыступов выявила довольно слокнкй характер их поведения: движение по поверхности, исчезновение и появление. Эксперименты с молибденом показали возможность достижения стационарных (сбнару-киващих полевое испарение) состояний на стадии перестройки. С использованием всего набора имевшихся в наличии полевых эмиссионных методов (полевые электронная, ионная и ионная десорбиион-ная микроскопия) я в соответствии с процедурой, вытекавсей из разработанной модели, был получен равновесный микровыступ на-

вольфрамовом острие, для которого и отсутствует полевое

испарение с вершины. Вычислив напряжённость электрического шля на основе вольт-амперной характеристики Фаулера-Нордгейма для »того острия и определив го полевому ионному изображению локальные радиусы закругления вершины равновесного микровыступа (по количеству моноатомных ступеней мекду выбранными кристаллографическими направлениями), удалось впервые получить значение коэффициента поверхностного натяжения для вольфрамового микровыступа, которое оказалось равным примерно 5000 дин/см. Разработанная модель позволила также решить задачу создания единственного на острив микровыступа, располохсенного строго по его оси. Это удалось осуществить, используя ориентированное го направлению <111> вольфрамовое остриЗ. Сложность заключалась в том, что образование нужного микровыступа как правило сопровождается возникновением более острых микровыступов-сателлитов в областях (114). Подавить-их один за другим удалось последовательными небольшими снижениями напряжения термссолевой обработки. В результате на вершине острия остался единственный требуемый микровыступ. Экспериментальное обнаружение полевого испарения материала с вершины вольфрамовых и молибденовых термополевых микровыступов побудило измерить ионные токи. Анализ этих данных показал, что при 1=1680-1780 К и Г около 1,5«10* В/см конный ток с одного микровыступа составляет примерно 5 • 10"1* А. Поскольку обычно на вершине острия располагается несколько испаряющих микроваступсв, то Полный ионный ток может достигать 10'"-10'" А. Анализ денных по,испарению с единственного микровыступа на острив показал, что оценка диаметра эмиттарущего пятна дабт величину ~80 которая характеризует точечность такого ионного источника. Несмотря на малый абсолютный ток, его плотность достаточно велика и оценена как 0,3-0,5 А/см*. Поскольку угловая расходимость ионного потока мала (0,02 стерад), то такой источник обладает значительной эмиссионной яркость»: ~20 А/см*-стерад.

В заключение главы приведен краткий критический анализ результатов исследований термополевых явлений, проведбнных другими исследователями в последние годы (с 1986 по 1991).

выводи

1. Создана универсальная сверхвысоковакуумная цельнометаллическая установка с микроканельннм усилителем яркости изобраке-ния, сочетающая в себе методики полевого электронного, полевого ионного и полевого ионного десорбционного микроскопов и позволяющая проводить количественные измерения электронных и ионных токов. Впервые реализован режим визуализации горячего полевого испарения с эмиттера-острия.

2. Впервые в прямом эксперименте в режиме полевого десорбционного микроскопа проведено наблюдение термополевнх микровыступов из вольфрама и молибдена при высоких (1300-2300 К) температурах острия, в результате чего доказано их существование при Указанных температурах и обнаружен сложный характер га поведения (движение по поверхности, появление, исчезновение).

3. Развита теоретическая концепция конкуренции действующих на поверхность растягивающих сил электрического поля и сжимающего поверхностного натякения, рассматривающая состояния поверхности в координатах (давление, кривизна) и учитывающая полевое испарение. На этой основе создана новая модель, объясняющая процессы формоизменения вершины острия на стадии микровыступов в результате термополевого воздействия, и теоретически проанализированы возмсянне пути достижения стационарных и устойчивых равновесных форм термополевнх микровыступов.

4« Экспериментально показана следующая из выработанной модели возможность существования устойчивых равновесных микровыступов и стационарных ферм в виде как перестроенных острий (для молибдена), так и с микровыступами (для. вольфрама и молибдена). Проверены опытным путём вытекающие из Модели тестовые процедуры, позволяющие различать равновесные и стационарные формы микровыступов. Экспериментально обнаружено предсказанное моделью наличие разрешённых и запрещённых областей значений полевого множителя р, характеризующих кривизну поверхности данного острия, для перестроенных форм и микрсвыступов.

5. Экспериментально с использованием всех имещихся в наличия полевых эмиссионных методик получен равновесный термополевой микровыступ на вольфрамовом острие. Впервые определен коэфХи-

циент поверхностного натяжения 7 для такого микровыступа, оказавшийся раЕным 5000 дин/см. Тем самым была разработана новая методика определения 7.

6. Основываясь на.разработанной модели экспериментально решена практически важная задача создания единственного микровыступа, расположенного строго го оси острия, ориентированного по кристаллографическому -направлении <111 >. Для этого была выработана процедура удаления обычно сопутствующих микровыступов-сателлитов, образующихся в областях (114).

7. На примере вольфрама впервые экспериментально показана возможность создания точечных ионных источников, действующих по ' принципу горячего полевого испарения материала эмиттера с микровыступов. Экспериментально определены ионный ток с одного микровыступа -5-10'" А, .ионный ток с острия, имеющего несколько микровыстугов,- до 2,5 «Ю"" А, оценена плотность ионных токов - 0,3*0,5 А/см* и эмиссионная яркость -20 А/см* «стерад.

Основные материалы диссертации опубликованы в работах;

1. Власов Ю.А., Павлов В.Г. Полевой ионный микроскоп для исследования поверхности. - "Физика поверхности". Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы (Ташкент, 1983). Черноголовка, 1983, с.137.

2. Бернацкий Д.П., Власов O.A., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Совместное использование полевой десорбционной микроскопии, масс-анализа и полевой электронной микроскопии для изучения поверхности". - Всесоюзная конференция "Диагностика поверхности" (Каунас, 1986). Тезисы оригинальных докладов. Черноголовка, 1986, с.182.

3. Власов D.A., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Высокотемпературное голевое испарение термополевых микровыступов. - Письма в ЖТФ, I98S, т.12, С.548-552.

4. Власов Ю.А., Голубев О Л., Шредник В.Н. Изменение форм металлических острий при конкуренции электростатических и "капиллярных" сил. - XX Всесоюзная конферэндая по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Киев, 1987, т.1, с.1Б2.

5. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредник В.Н. Изменение формы металлического острия при конкуренции электростатических и "капиллярных" сил. - Извэстия АН СССР, сер. физ., 1988, т.52, Jfâf с. 1538-1543.

6. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредник В.Н. Равновесные и стационарные формы нагретых металлических монокристаллов в сильном электрическом поле. - 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитак-сии. Расширенные тезисы. Москва, 1988, т.4, с.76-77.

7. Vlaso7 J.A., Golubev O.L., Shrednlk V.N. Progress la the study of tîiermo-field phenomena. - Journal De Physique, 1988, Coll. C6, suppl.11, T.49, C6-131 - C6-136.

8. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредник В.Н. Термополевые формы монокристалла вольфрама, ориентированного вдоль оси го направлению <111>. - Межотраслевое совещание по полегай эмиссионной микроскопии. Тезисы докладов. Харьков, 1989, с.32.

9. Бутенко В.Г., Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредгопс В.Н. Развитие изучения термоголевых явлений. - XXI Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Ленинград, 1990, T.I, с.234.

10. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредакк В.Н. Точечный электронный источник высокой яркости. - 8-й Всесоюзный симпозиум го сильноточной электронике. Тезисы докладов. Свердловск, 1990, T.I, с.98-99.

11. Butenko V.G.,Vlaeov Yu.A., Golubev O.L.,Shrednlk V.HJPolnt-sources of electrons and ions using mlcroprotruslon on the top of a tip. - 38-th International Field Emission Symposium. Program and Abstracts. Vienna, 1991, p.P3-23.

12. Butenko V.G.,Vlasov Yu.A.,Golubev О.1.,Shrednlk V.N. Point sources of electrons ánd lona using mlcroprotruslon on the top of a tip. - Surf.Sol, 1992, v.266, p.165-169.

13. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредник В.Н. Равновесные и стационарные формы нагретых металлических кристаллов в сильном электрическом поле. // Рост кристаллов, т.19. М.:"Наука", 1991, с.5-21.

14. Бутенко В.Г., Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредаик В.Н. Выра-

щиваше единственного кристаллического микровыступа на вершине острия. - 8 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Расширенные тезисы докладов. Харьков, 1992, т.1, c.IC-II.

15. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредник В.Н. Способ получения металлических микрокристаллов с микровыступом . ¿.с. *I549l4I с графом "Т"; гриф "Т" снят 20 апреля 1992 г., разрешение ШШ. Л35.

16. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Щредаик В.Н. Способ получения микрокристаллов о шшровыступом . Заявка на а.с.

-V4811391/26 от 09.04.90, шл. решение от 27.02.91, с грифом ."Т"; гриф "Г" снят 20 апреля 1992 г., разрешение ФГИ J636.

Цитируемая лзтвратура

1. MullerE.V. Walters Beobachtungen mit dem Feldelektronen-mlkrosKop. - Z. Phys., 1938, Bd.108, S.668-680.

2. Benjamin M..Jenkins R.O.Ths distribution' Oi autoelectronlc emission irom elngle crystal metal points. I. Tungsten, Molybdenum, Ifickal in clean state. - Proc. Roy. Soo. Ind. A, 1940, v. 176, p.262-279.

3. Herring 0. The use of classical macroscopic concepts In surface-energy problems. - In: Structure and properties of solid surfaces. Edited by R.Goner and O.S.Smith. Chicago, the University of Chicago Press, 1953, p.5-72.

4. Dyke W.P,,Cbart>ormier P.li.,Strayer R.W.,Floyd R.b.,Bardour J.P., Troian J.K. Electrical Stability and Life of the Heated Field Bniseion Cathode. - J. Appl.Phys., 1960, v.31, No.5, p.790-805.

5 Сокольская И.Л. Применение автоамиссионного микроскопа для изучения поверхностной диффузии и самодиффузии.

//Поверхностная диффузия и растекание. П/ред. Я.Е.Гегуаина. U.'.Наука, 1969, с.108-148.

6. Щредник В.Н. Термополевые и конденсационные формы роста кристаллов-острий, изучаемые методами автоэмиссионной микроскопии. //Рост кристаллов, т. 13. Ы.:"Наука",

1980, с.68-79.

Т. Dreohaler М. Kzletallatuifen von I bis 100Q A (Heratellung