Анализ состава оксидных слоёв с термокристаллизованными нановключениями кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

Боряков Алексей Владимирович

АНАЛИЗ СОСТАВА ОКСИДНЫХ СЛОЁВ С ТЕРМОКРИСТАЛЛИЗОВАННЫМИ НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ КРЕМНИЯ

Специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук

11 ЯНЗ 2015

Нижний Новгород - 2014 г.

005557940

Работа выполнена в Федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего образования «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники.

Научный руководитель: Павлов Дмитрий Алексеевич,

д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники ФГАОУ ВО «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».

Официальные оппоненты: Середин Павел Владимирович,

д.ф.-м.н., доцент кафедры физики твердого тела и наноструктур ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет»;

Шоболов Евгений Львович, к.ф.-м.н., начальник научно-исследовательского сектора ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова».

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

«Институт проблем машиностроения РАН».

Защита состоится «18» марта 2015 г. в 16:00 на заседании диссертационного совета Д212.166.01 в Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского по адресу: 603950, г. Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп. 3, Конференц-зал.

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского и на сайте http://diss.mm.ru/444.

Автореферат разослан » января 2015 1

Ученый секретарь

диссертационного совета Д212.166.01, кандидат физико-математических наук М.О. Марычев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. На современном этапе развития опто- и наноэлектроники возникла необходимость создания эффективных фото- из светодиодов на основе кремния, который является непрямозонным материалом, вследствие чего в нём запрещены прямые оптические переходы. Новым решением в данном направлении оказалось использование квантово-размерных структур на основе Si, в которых снимается данный вид ограничения. Это позволяет сформировать полноценную приборную базу для перспективных областей электроники.

Одним из решений в данном направлении является создание элементов наноэлектроники с использованием кремниевых наночастиц в окружении оксидных матриц (SiCb, AI2O3, Z1O2 и др.). Применение различных видов оксидов также позволяет управлять оптоэлектронными свойствами конечного прибора. Однако, главенствующую роль в проявляемых фотоэлектронных свойствах занимают сами наночастицы Si. Так уже многие годы с целью повышения эффективности работы данных приборов ведутся исследования структуры нанокристаллов (НК) кремния, их фотоэлектронных свойств и особенностей формирования. При этом исследованиям процессов образования соединений кремния с другими элементами системы НК/оксид уделяется не так много внимания. Отчасти это связано с ограниченностью большинства аналитических методов исследования элементного и химического состава с нанометровым разрешением, а также с тем, что наиболее распространенной системой является nc-Si/Si02, которая имеет довольно простой химический состав. Тем не менее, полноценная характеристика нанокристаллов кремния в окружение оксидных матриц невозможна без локального анализа химического состава.

Нанокристаллы кремния никогда не существуют в окружении исходной оксидной матрицы. Они формируются в ней в процессе высокотемпературной обработки, проходя которую во всей системе происходит ряд термически стимулированных химических реакций, в конечном итоге приводящих к выделению элементного кремния в виде компактных образований с кристаллической структурой. Именно ход этих процессов и определяет конечные параметры и свойства ne-Si. Поэтому с позиций материаловеденья так важно исследовать химический (фазовый) состава подобных структур.

Для полноценного изучения фазового состава с прецизионным нанометровым разрешением существует не так много методов, среди которых всё таки можно выделить вторичную ионную масс-спектрометрию (ВИМС), просвечивающую электронную микроскопию (ПЭМ) в сочетании с рентгеновской энергодисперсионной спектроскопией (ЭДС) или спектроскопией характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ), а также метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), который имеет ряд преимуществ по сравнению с ВИМС и ПЭМ. Главное преимущество метода РФЭС заключается в возможности прямого анализа химических соединений в слоях нанометровой толщины благодаря явлению химического сдвига. Метод ВИМС крайне требователен к эталонным образцам и в нём сложно интерпретировать результаты исследований. Для метода ПЭМ даже в сочетании с ЭДС или СХПЭЭ доступен только элементный анализ, хотя и с достаточно высоким пространственным разрешением. Таким образом, метод РФЭС оказывается наиболее оптимальным для исследования слоевого фазового состава с нанометровым разрешением и наиболее эффективно может быть применён для анализа многослойных нанопериодических структур (МНС), например Si0x/Zr02, или структур подвергнутых имплантации, например SiOx:C+, и высокотемпературному отжигу (ВТО) для формирования термокристаллизованных нановключений на основе кремния.

Системы на основе МНС Si0x/Zr02 оказываются перспективными с позиции управления электрическими свойствами, размерами и плотностью оптически активных ne-Si посредством ограничения слоями ZrCh, также данные слои позволяют изменять показатель преломления всей МНС. В структурах на основе нестехиометрического оксида кремния, подвергнутого имплантации ионов С+ и ВТО, возможно получение нанокристаллов на основе SiC, которые имеют полосы люминесценции в видимой области, что в перспективе позволяет создать многомодовый излучатель в видимой и ближней ИК-областях.

Цель работы. Целью данной работы являлось установление закономерностей формирования термокристаллизованных нановключений кремния в диэлектрических слоях путём анализа элементного и фазового состава методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

1. На основе метода РФЭС разработать метод количественного фазового анализа, позволяющий определять долю элементного кремния и прочих оксидных состояний.

2. Подобрать режим ионного травления, обеспечивающий нанометровое разрешение при послойном анализе и неизменность фазового состава поверхности структур.

3. Верифицировать факторы относительной элементной чувствительности с использованием тестовых эталонов.

4. Исследовать элементный и химический состав нанослоёв структур SiOx:C с термокристаллизованными нановключениями на основе кремния.

5. Проанализировать эволюцию фазового состава в многослойных нанопериодических структурах SiOx/ZrOi в зависимости от температуры высокотемпературного отжига.

Научная новизна работы.

1. Развит оригинальный метод количественного химического/фазового анализа на основе рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в применении к анализу состава гетероструктур НК Si. Относительная погрешность химического анализа для таких объектов не превышает 10%.

2. На серии тестовых структур ZrOi, БЮгСкварц), SiOî/Si и SiC экспериментально показано отсутствие влияния выбранного режима ионного травления (1 кэВ, 45°) на модификацию химического состава приповерхностного анализируемого слоя.

3. Впервые получены самосогласованные профили распределения концентрации элементов и химических соединений по глубине многослойных нанопериодических структур Si0x/Zr02 и диэлектрических слоев SiOx модифицированных ионами С+.

Методология, теоретическая и практическая значимость работы. Разработанный в ходе выполнения работы усовершенствованный метод количественного химического анализа может быть использован при проведении исследований методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии любого класса наноструктур, является полностью универсальным и физически- и математически- обоснованным. Использование данной методики позволяет перейти от чисто качественного химического анализа к количественному с относительной ошибкой не более 10%. Так, данная методика уже успешно применяется при химическом анализе структур на основе GaAs (А3В5), содержащих внутренний слой КЯ InxGai-xAs и покровный слой на основе разбавленного ферромагнитного полупроводника MnyGay.iAs.

Полученные профили распределения состава можно сопоставить с оптоэлектронными свойствами данных НК на основе Si, изученными люминесцентными методами. В результате возможно определение степени влияния окружающей матрицы вещества и состава НК на эти свойства, что в итоге позволяет выработать научные модели, описывающие электронные процессы, происходящие в НК, и зонную структуру.

По материалам диссертация обновлен курс лекций, читаемых студентам пятого курса и магистрантам первого года обучения физического факультета ННГУ "Методы диагностики и анализа микро- и наносистем". Разработано и издано в электронном виде учебное пособие для студентов, слушающих данный курс, "Химический анализ твёрдотельных гетеронаносистем методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии".

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Введение углерода в слои SiOx с последующим отжигом, приводит к изменению механизма выделения элементного кремния, который замещается соединениями SiC, и формированию комбинированной диэлектрической матрицы Si02 и S12O3, окружающей НК кремния и карбида кремния в нанослоях структуры.

2. Отжиг МНС a-Si0x/Zr02 при температуре свыше 1000°С вызывает формирование ZrSiOi из SiOx и Zr02 на гетерограницах слоёв и в слоях "SiOx", что существенно влияет на выделение элементного нанокристаллического кремния в слоях "SiOx".

3. На защиту выносится оригинальная методика количественного химанализа, позволяющая по рентгеновским фотоэлектронным спектрам проводить локальные измерения элементного и химического состава наноструктур с относительной ошибкой не более 4% и 10%, соответственно.

Достоверность результатов в экспериментальной части работы обеспечена использованием высокоразрешающих и взаимодополняющих методов анализа твердотельных образцов с последующей оценкой статистической значимости результатов методами математической статистики, в теоретической части - базируется на корректном применении математического аппарата, которое подтверждается совпадением, в частных или предельных случаях, новых результатов с ранее известными или полученными из экспериментов.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на XXV Российской конференции по электронной микроскопии "РКЭМ-2014" (2-7 июня 2014 г. Россия, г. Черноголовка), Третьей школе молодых ученых по физике нанострукгурированных и кристаллических материалов (15-17 мая 2014 г. Россия, г. Нижний Новгород), 1st International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2014": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (March 25-27, 2014. Russia, Saint-Petersburg), XV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (25-29 ноября 2013 г. Россия, г. Санкт-Петербург, СПбГПУ), XVIII Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013» (3-7 июня 2013 г. Россия, г. Черноголовка), XXIV Российской конференции по электронной микроскопии (29 мая - 1 июня 2012 г. Россия, г. Черноголовка), IX Международной конференции и VIII Школе молодых ученых "Кремний-2012" (9-13 июля 2012 г. Россия, г. Санкт-Петербург), XVI Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам (Черноголовка, Россия, 31 мая - 2 июня, 2011), Международной конференции Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (Yaroslavl, Russia, June 8 - 10, 2010), III Всероссийской конференции и Школе молодых ученых "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 26-29 октября, 2010), XXIII Российской конференции по электронной микроскопии. (Черноголовка, Россия, 31 мая - 4 июня, 2010), XII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 25-29 октября, 2010), XIV Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Н. Новгород, 15-19 марта, 2010), XIV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам (Черноголовка, Россия, 31 мая - 3 июня, 2009 г.), II Всероссийской

школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых "Наноматерналы-2009" (Рязань, Россия, 21-26 сентября, 2009 г.), Одиннадцатой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (30 ноября - 4 декабря 2009 г., Россия, г. Санкт-Петербург).

Публикации. Всего по теме диссертационной работы опубликовано 37 научных и учебно-методических работ, в том числе 2 учебно-методических пособия 10 статей в ведущих научных изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 25 публикаций в сборниках трудов и тезисах докладов российских и международных научных конференций.

Личный вклад автора. Автор работы самостоятельно определял направление исследований предоставленных ему объектов, сам осуществлял постановку эксперимента на сверхвысоковакуумном комплексе (СВВ) Omicron Multiprobe RM как для исследуемых структур, так и для тестовых эталонов, проводил анализ экспериментальных данных и их интерпретацию. Для количественного анализа выделений элементного кремния и его оксидных соединений автором была разработана оригинальная методика химического анализа.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 5-ти глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 136 страниц, включая 52 рисунка. Список цитируемой литературы включает 98 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введении обоснована актуальность темы исследования, сформулирована цель и поставлены задачи работы. Показана новизна и практическая значимость работы, сформулированы основные положения, выносимые на защиту, а также приведены сведения об апробации работы и публикациях автора по теме диссертации.

Первая глава диссертации содержит обзор литературы, посвященный объектам исследования данной работы - нанокристаллам на основе кремния в окружении оксидной матрицы вещества. Даётся описание методов получения соответствующих структур. Отдельно отмечена необходимость ВТО при температуре свыше 1000°С для формирования нанокристаллической структуры выделений кремния. При этом нужно отметить закономерность, что с повышением температуры отжига увеличивается степень кристаллического совершенства НК и уменьшается количество дефектов, но в тоже время происходит увеличение и среднего размера кристаллитов. Так, в большинстве работ исследуются нанокристаллы размерами от 2 и более нанометров. Энергетические параметры НК Si определяются непосредственно влиянием квантово-размерного эффекта. С увеличением размеров наночастиц спектр излучения стремится к непрерывному (как для объемного кремния) и увеличивается время излучательной рекомбинации, поэтому эффективность люминесценции таких объектов падает. Размер и плотность нанокристаллов оказывается в прямопропорциональной зависимости от степени пересыщения кремнием исходного оксида (SiOx), но данная зависимость нарушается в случае изготовления МНС, в которых можно управлять размером и плотностью НК толщинами ограничивающих слоёв.

Далее следует описание методов, применяемых для исследования наноструктурированных материалов. Рассказывается о наиболее широко распространенных методах ПЭМ в совокупности с ЭДС, СХПЭЭ и др., ВИМС, электронная оже-спектрометрия, спектроскопия комбинационного рассеяния, дифракционных методах исследования с использованием монохромотизированных пучков электронов и рентгеновского излучения. Раскрываются возможности методов в плане степени локальности анализа, возможностей элементного и химического анализа, чувствительности и др. Также даётся обзор в область современного состояния метода РФЭС для исследования наноструктур и нанообъектов.

Совокупный анализ методов позволяет сделать вывод, что метод РФЭС является наиболее удобным для элементного и химического анализа наноструктур и нанообъектов, однако, на сегодняшний момент, потенциал метода в области изучения структур с НК Si ещё до конца не раскрыт.

Во второй главе дается описание основ метода РФЭС, его аппаратной реализации на базе СВВ комплекса Omicron Multiprobe RM и описание методики послойного анализа.

Рассмотрена физическая модель явления образования фотоэлектрона из атома под воздействием первичного кванта рентгеновского излучения. Энергия данных электронов обуславливается непосредственно энергетической структурой атома и поэтому является характеристичной для каждого атома в отдельности. Глубина выхода характеристичных фотоэлектронов (ХФЭ) зависит прямо пропорционально от длины свободного пробега (Х|) и принимается равной ЗХ|, поскольку с этой глубины эмитируется не менее 95% всех ХФЭ. Глубина выхода для электронов с кинетическими энергиями в интервале 100-1000 эВ, обычно регистрируемых в методе РФЭС, в среднем составляет 2-3 нм [1], поэтому данный метод является поверхностно чувствительным. Отдельно рассматривается явление химического сдвига фотоэлектронных пиков атомов в зависимости от их химического состояния. Величина такой сдвижки может достигать 5 эВ при полной ширине пиков на полувысоте порядка 1,5 эВ, что позволяет использовать данное явление для диагностики фазового состава. Идентификация элементного состава структур осуществляется с помощью атласов эталонных спектров атомов [2 - 4]. Обработка спектральных данных осуществляется в специализированном программном обеспечении SDP v4.3 [5]. Для количественного расчёта результатов элементного анализа используется метод факторов относительной чувствительности, коэффициенты для которого либо брались из атласов эталонных спектров атомов, либо определялись экспериментально при анализе эталонных структур.

В данной главе также описывается состав и устройство СВВ комплекса Omicron Multiprobe RM. Давление остаточных газов в аналитической камере составляет ~10 Topp, что позволяет исследовать поверхность твердотельных наноструктур, не опасаясь загрязнения и оксидирования. Для проведения исследований методом РФЭС используется источник рентгеновского излучения DAR 400 с AI и Mg анодами, предназначенными для возбуждения фотоэлектронов характеристичными линиями рентгеновского излучения Al К„ (1486,7 эВ) и MgKa (1253,6 эВ). Анализ энергий электронов осуществляется полусферическим анализатором энергий электронов ЕА-125 с пятиканальным детектором на основе вторично-электронных умножителей (Channeltron™) который имеет разрешение по энергии до 20 мэВ и позволяет сепарировать энергию электронов в интервале 0-2000 эВ. Ионное профилирование поверхности структур при послойном анализе осуществляется ионной пушкой 1SE-10 с использованием ионов Ar при давлении 410"6 Topp. Ускоряющее напряжение пушки составляет величину до 5 кВ, пучок имеет радиапьно равномерное распределение тока ионов с силой до 10 мкА, диаметр пучка может варьироваться в пределах 1-25 мм.

Послойный анализ структур заключается в осуществлении цикла: ионное травление -анализ поверхности методом РФЭС. При этом особое внимание уделяется выбранному режиму травления, который должен производить лишь механическое удаление слоев материала без внесения существенной ошибки в их химическую природу или глубину анализа. Исследования тестовых эталонов Zr02, Si02, SiC, С, Si, Zr02:Y203 показали, что режим травления с энергией ионов 1 кэВ и углом падения 45° удовлетворяет заявляемым требованиям.

В третьей главе описывается оригинальный метод количественного фазового анализа, позволяющий определять долю элементного кремния и прочих химических состояний. Первичный анализ спектров производится с помощью атласов РФЭС для элементов и соединений [2 - 4]. На соответствующие позиции по энергии встраиваются ФЭ-линии, удовлетворяющие форме ФЭ-спектра (Рис. I), а критерием встраивания является минимум функции/2 огибающей [6].

-

10000

^ 2000

X

196 192 188 184 180 178 172

Энергия связи, эВ

Рис. 1. Пример разложения Зс1-дублета 2.Г, записанного на глубине 14 нм структуры МНС ЭЮ^Юг, на гауссианы. А и В - Ъйцг и ЗсЬд дублет 2г в состоянии 2г51С>4; аналогично: С и Е - Ъс в состоянии Т-чОг, О и р - Хг в состоянии 2тО. Тотж=| 100°С.

Однако, такая обработка спектральных данных имеет малую достоверность, поскольку при наложении ФЭ-линий различных соединений (в случае систем с 3-мя и более элементами) точность разложения падает. Поэтому вводится метод математического расчёта, основанный на верификации конкретных фаз по всем фотоэлектронным линиям в которых они присутствуют. Так, например, для фазы 2г5Ю4 должно выполняться требование наличия соответствующих линий в ФЭ-спектрах Zr> и О с учётом стехиометрии и положения по энергии этого соединения. Также сумма всех интегральных интенсивностей (или площадей) встроенных линий для соединений конкретного элемента, например, Ъч, определённых из ФЭ-спектров других элементов, участвующих в связях с 2г, не должна превышать или быть меньше интегральной интенсивности ФЭ-спектрах Ъх. Всё это сводится к выполнению системы уравнений (1,2):

где 1\ вс - интенсивность линии в ФЭ-спектре элемента А, отвечающая соединению АаВ/,Сс со стехиометрией, которая определяется коэффициентами а, Ь и с, а 5л - фактор относительной чувствительности элемента А, I"в с - относительная интенсивность с учётом ФОЧ, формируемая химической фазой АаВьСс в ФЭ-спектрах элементов:

(О

а 5

¡л

I.

где 1А - интегральная интенсивность анализируемого ФЭ-спектра элемента А. Первое уравнение системы (2) отражает анализ ФЭ-спектра элемента А, второе - элемента В и т.д. Данные уравнения позволяют однозначно соотнести относительные концентрации химических соединений, определяемые по разным ФЭ-спектрам. Соответственно, случаи несовпадения концентраций будут прямым доказательством ошибки проведённого начального разложения. В итоге, всё это позволяет проводить химический фазовый анализ с относительной ошибкой не более 10% в интегральных интенсивностях линий, встраиваемых в ФЭ-спектры элементов. Количественное содержание любой химической фазы в образце определяется суммой вкладов долей ФЭ-линий элементов, относящихся к данному веществу, помноженных на концентрации соответствующих элементов:

!А Iв ¡X

лл-х- -С(А)+ С(Д) + ...+ ■С(Х) = С(А11В„...Хх), (3)

1а 'в 'х

где С(Х) и С(А„Вь...Хх) - концентрации элемента X и соединения АаВь—Хх в образце, соответственно.

Четвёртая глава посвящена исследованию элементного и химического состава нанослоёв структур БЮ^С с термокристаллизованными нановключениями на основе кремния. Особый интерес вызывает в данном случае исследование влияния примеси углерода на состав НК и эволюцию окружающей матрицы вещества.

Данные структуры представляют собой слои БЮХ выращенные на $¡(100) и подвергнутые имплантации углерода. Использовались две дозы имплантации 9-Ю16 и 1,2'1017 см"2 и последующий отжиг при температуре 1 100°С в атмосфере N2. Вначале были получены результаты элементного анализа (Рис. 2).

100 150

Глубина, нм

Рис. 2. Профили распределения Si, О и С (РФЭС и SRIM/TRIM) по толщине для образцов с дозами имплантированного углерода 1,2-Ю17 см"2 (а) и 9-1016 см'2 (б).

По данным результатам видно, что с ростом концентрации профиля имплантированного углерода существенно уменьшается концентрация в профиле кислорода и наоборот. Таким образом, данные профили коррелируют, и при этом профиль кремния практически не изменяется с глубиной. Однако, без проведения химанализа данные результаты сложно как-либо интерпретировать. Отдельно можно отметить, что профили углерода, полученные в РФЭС, совпадают с профилями имплантированного углерода, полученными в программной среде ЗШМ/ТЮМ [7]. Это говорит о том, что в процессе отжига не произошло существенного диффузионного размытия профиля углерода, и что процесс ионной имплантации не привёл к существенному распылению поверхности плёнки Б¡Ох. Приповерхностный слой соответствует $¡02, что вызвано доокислением поверхности БЮХ в процессе отжига.

На рисунках 3 и 4 представлены результаты химического фазового анализа с использованием метода описанного в главе 3.

а)

> & (31)

• (ЗЮС+вЮ+БЮ)

•■«■ С (С)

С (БГС)

- С (БЮС)

С (ЭС+вЮС)

($)

- -• (аос+эга+ас)

-■« - С (С)

С (&С)

С (БЮС)

С (БЮ+БЮС)

Рис. 3. Профили распределения концентрации различных химических соединений 81 и С по глубине для образцов с дозами имплантированного углерода 1,2 1017 см"2 (а) и 9-1016 см"2 (б).

50 100 150

Глубина, нм

100 150

Глубина, нм

Рис. 4. Переход оксидной матрицы БЮ* из 8Юг в Б¡2О3 и обратно по глубине для образцов с дозами имплантированного углерода 1,2-1017 см"2 (а) и 9-1016 см"2 (б).

Из анализа данных, приведённых на рисунке 3 следует, что внедрение углерода подавляет формирование НК, состоящих из чистого 51. Так для образца с максимальной дозой имплантированного углерода, в слое с максимальной его концентрацией не наблюдается наличия сигнала от элементного кремния, что говорит о том, что НК там отсутствуют. Однако, в прилегающих слоях где концентрация углерода составляет несколько атомных процентов и его не хватает для формирования карбида кремния, образование НК 81 происходит. Данный результат подтверждается и для структуры с меньшей дозой имплантированного углерода, но в других соотношениях по концентрациям. В итоге, можно заключить, что структуры данного типа имеют сложный слоевой состав, - распределение НК разного состава (81/81С), в котором стехиометрия будет определяться конкуренцией процессов выделения и С, что проявится в смешенных люминесцентных свойствах, присущих как НК на основе так и НК на основе карбидов. Проведённые исследования люминесцентных свойств структур такого рода подтверждают данный факт. Ещё одно интересное явление при имплантации углерода и отжиге заключается в том, что происходит изменение окружающей оксидной матрицы БЮх в слое с высоким содержанием углерода (Рис. 4). При приближении/удалении от данного слоя начинается смещение ФЭ-пика 81(2р) оксида кремния в область меньшей энергии связи и обратно. Это говорит об изменении химического состава оксида. Начинает преобладать степень окисления кремния 813+, что соответствует соединению 8120з. Это является следствием уменьшения концентрации кислорода на данной глубине. Когда углерод пропадает (при толщинах менее 70 нм и более 190 нм), стехиометрия восстанавливается до 8Ю2. Такая корреляция между концентрацией соединений карбида кремния и возникновением 8120з, отсутствие диффузионного размытия профиля углерода и более быстрая диффузия О по сравнению с из слоя с имплантированным С (что было отмечено при анализе данных элементного состава) однозначно говорит о том, что образование соединений С-81 в процессе отжига задерживает диффузию кремния и углерода из слоя, не препятствуя при этом диффузии кислорода. По данным РФЭС также была проведена оценка минимальных размеров НК Э), и минимальный размер нанокристаллов составил —1,5 нм.

Пятая глава посвящена исследованию эволюции фазового состава многослойных нанопериодических структур 8ЮХ/7Ю2 в зависимости от температуры высокотемпературного отжига. Научный интерес представляло исследование взаимовлияния слоев на фазовый состав друг друга и на процессы формирования нанокристаллических выделений в слоях 8ЮХ и их окружение.

Данные МНС представляют собой структуры с разным периодом слоев, а именно: по параметрам роста толщина слоёв 8ЮХ составляла 16-8 нм, гЮ2 8-2 нм (периодизация структуры в нанометрах: 10/8/16/4/12/4/12/4/8/2/8/2/16/3!-подложка, с подчерком даны толщины слоёв 7Ю2). Выбор периода структур не случаен. Слои с большим периодом удобны для анализа на начальном этапе исследований, а с меньшим представляют собой уже приборные слои, эволюция состава в которых ещё не ясна. Далее образцы подвергались отжигу в атмосфере азота в течение 2 ч. при температурах до 1100°С с шагом в 100°С.

На рисунке 5 приведены результаты элементного анализа структур, подвергнутых отжигу при 1000°С и 1100°С, и без отжига. По данным профилям видно, что при переходе от температуры отжига 1000°С к 1100°С в распределении состава МНС происходят существенные изменения, а именно, в таких структурах происходит скачкообразное усиление диффузии элементов. Можно полагать, что при смене температуры отжига происходят и существенные фазовые превращения.

Глубина, нм

Рис. 5. Результаты элементного анализа МНС подвергнутых

отжигу при 1000°С и 1100°С, и без отжига.

На рисунке 6 приведены результаты химического анализа для компонент оксидов кремния. Важными особенностями изменения состава являются снижение в -1,5 раза концентрации БЮг в слоях структуры и уменьшение концентрации субоксидов

кремния на глубине 100-140 нм. Аналогичные изменения наблюдаются и для профилей концентрация которого также уменьшается в -1,7 раза при увеличении температуры отжига до 1100°С.

Глубина, нм

Рис. 6. Результаты химического анализа: изменения компонент оксидов кремния МНС 8Юх&СЬ, подвергнутых отжигу при 1000°С и 1100°С.

Дальнейшее рассмотрение данных МНС показало, что в их составе можно выделить смешенный оксид ггЗЮ4, распределение которого вместе с распределением элементного кремния приведено на рисунке 7.

Рис. 7. Результаты химического анализа изменения компонент 2гБЮ4 и для МНС БЮх/гЮг, подвергнутых отжигу при 1000°С и 1100°С.

Согласно представленным результатам при увеличении температуры отжига до 1100°С происходит существенное увеличение объёмной доли 2г5Ю4, так его концентрация возрастает примерно в 2,5 раза по сравнению с температурой отжига 1000°С. Концентрация элементного кремния также продолжает расти, что свидетельствует о продолжении процесса формирования НК 51. Обобщая полученные результаты можно утверждать, что при переходе к температуре отжига 1 100°С начинает активно формироваться оксид 2г8Ю4, который формируется как из уже ранее сформированных 8Ю2 и ЪтОг ,так и из БЮ*, что приводит к смене процесса выделения нанокристаллического кремния от 8ЮХ+Т—»БЮг+в! к БЮх+гЮг+Т—>гг8Ю4+81. Наиболее активное формирование 2г8Ю4 отмечается в области гетеропереходов. При анализе результатов распределения концентраций элементов и обнаруженных соединений также учитывались особенности проводимых экспериментов в частности, что сбор фотоэлектронов осуществляется с большой площади анализа ~1,5 мм , что требавало учёта не плоскостности и шероховатости поверхности по всей этой области и глубины анализируемого слоя в методе РФЭС примерно равном 3 нм. Этим также объясняется плохое пространственное разрешение по глубине самых тонких слоёв структуры, даже для структуры без отжига.

Независимые исследования данных структур проводились на ПЭМ в сочетании с ЭДС. Результаты ВРПЭМ с анализом межплоскостных расстояний для структуры подвергнутой отжигу в 1100°С приведены на рисунке 8. Обнаруженные фазы близки к т-ХгОг (0,26 нм), I-Ъг02 (0,3 нм), (0,185 нм и 0,155 нм) и 51 (0,315 нм). Так, в основном 1-2Ю2 и т-гЮ2

обнаруживаются в слоях "гЮг", тогда как гг8Ю4 обнаруживается как в слоях "2Ю2" и "8ЮХ", так и на гетеропереходах, что согласуется с данными РФЭС. Нанокристаллы кремния формируются в слоях "8ЮХ", при этом их концентрация растёт при приближении к подложке, что также подтверждает данные РФЭС.

Рис. 8. ВРПЭМ-изображения МНС, подвергнутой высокотемпературному отжигу при 1100°С, а) слои 10/8 16/4 и 12/4, б) слои 8/2. Среднее межплоскостное расстояние в кристаллизовавшихся областях выделенных фиолетовым 0,315 нм, красным 0,3 нм, зелёным 0,26 нм, синим 0,185 нм и бирюзовым 0,155 нм цветами1.

1 Все цветные рисунки автореферата представлены в электронной версии по адресу http://diss.unn.ru. 12

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ

1. Приведённый литературный обзор показал актуальность дальнейшего развития систем на основе ne-Si и отставание методов по части анализа химического состава с высоким пространственным разрешением.

2. Усовершенствованная методика количественного химического анализа в методе рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии способна обеспечить проведение химического анализа соединений структуры с допустимой ошибкой не более 10%.

3. Послойное профилирование структур ионным травлением Аг+ с параметрами энергии ионов 1 кэВ и углом падения ионного пучка на поверхность образца 45° не приводит к изменению химического состава приповерхностного слоя.

4. Имплантация углерода в слои SiOx с последующим ВТО приводит к существенному изменению состава слоёв, а именно формирование карбид-кремниевых соединений, замещает выделение чистого элементного кремния в диэлектрической матрице, а сама матрица переходит из устойчивого состояния S¡02 к SÍO2+SÍ2O3.

5. Использование методики количественного химического анализа позволяет производить оценку размеров НК. Граница минимального размера нанокластеров Si, выявленных с использованием метода РФЭС составляет 1,5 нм, что подтверждается данными ФЛ.

6. Переход от температуры ВТО 1000°С к 1100°С является критическим для МНС, содержащих гетеропереходы наноразмерных слоёв Si0x/Zr02, т.к. сильная взаимная диффузия компонент приводит к формированию ZrSiOí из оксидов матриц SÍ02 и Zr02, который одновременно существует во всех слоях структуры. Формирование ZrSÍOí приводит к увеличению выделения элементного кремния.

Список цитированной литературы

1. Количественная оже-электронная и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия / М. П. Сих // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / М. П. Сих [и др.]; Под ред. Д. Бриггс, М. П. Сих; Пер. с англ. А. М. Гофман [и др.]. - М.: Мир, 1987. - Гл. 5. - С. 203-243.

2. Handbooks of monochromatic XPS spectra. Volume 1. The elements and native oxides / Ed. by В. V. Crist. - Ames, Iowa: XPS International Inc., 1999.

3. Handbooks of monochromatic XPS spectra. Volume 2. Commercially pure binary oxides and a few common carbonates and hydroxides / Ed. by В. V. Crist. - Mountain View, CA: XPS International LLC, 2005.

4. NIST Standard Reference Database 20, Version 4.1 [электронный ресурс] / Data comp, and eval. by A. V. Naumkin, A. Kraut-Vass, S. W. Gaarenstroom, C. J. Powell // NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Доступно на: http://srdata.nist.gov/xps. (дата обращения: 15.04.2012).

5. Spectral Data Processor v. 4.3 [электронный ресурс] // Spectral Data Processor (32 bit version). Доступно на: http://www.xpsdata.com. (дата обращения: 10.03.2008).

6. Обработка данных в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / П. М. А. Шервуд // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / М. П. Сих [и др.]; Под ред. Д. Бриггс, М. П. Сих; Пер. с англ. А. М. Гофман [и др.]. - М.: Мир, 1987. - Прил. 3. - С. 497-529.

7. SRIM - The Stopping and Range of Ions in Matter [электронный ресурс] / J. F. Ziegler // PARTICLE INTERACTIONS WITH MATTER. Доступно на: http://www.srim.org. (дата обращения: 12.02.2010).

Список работ, опубликованных автором по теме диссертации

Al. Боряков A.B., Николичев Д.Е. / Диагностика локального состава

полупроводниковых гетероструктур методом сканирующей оже-микроскопии // Тезисы

докладов Одиннадцатой всероссийской молодёжной конференции по физике

полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (30 ноября -4 декабря 2009 г. Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 29, СПбГПУ). С. 113.

А2. Николичев Д.Е., Боряков A.B. / Наноанализ самоорганизованных островков GeSi методом сканирующей оже-микроскопии // Тезисы докладов П-ой всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых "Наноматериалы-2009" (21-26 сентября

2009 г. Россия, г. Рязань). С. 76-79.

A3. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Вихорев A.C., Демидов Е.С., Зубков С.Ю., Лесников В.П., Подольский В.В., Левчук С.А. / Распределение состава в многослойных магнитных полупроводниках Si/Mn, определенное методами сканирующей оже-микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Сборник трудов XVI Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам (31 мая - 3 июня 2009 г. Россия, г. Черноголовка). С. 274.

A4. Боряков A.B., Николичев Д.Е., Грачев А.П., Сидорин А.П., Белов А.И., Ершов A.B., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. / Формирование и «белая» фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO, имплантированных ионами углерода // Сборник трудов XIV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (15-19 марта 2010 г. Россия, г. Н.Новгород). Т.2. - С. 482-483.

А5. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Вихорев A.C., Демидов Е.С., Зубков С.Ю., Лесников

B.П., Подольский В.В., Левчук С.А. / Локальный состав тонких пленок и дефектов магнитных полупроводников Si:Mn и Si:Co // Тезисы докладов ХХП1 Российской конференции по электронной микроскопии (31 мая - 4 июня 2010 г. Россия, г. Черноголовка).

C. 117.

А6. Боряков A.B., Павлов Д.А., Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. / Фазовый состав и фотолюминесценция плёнок SiOx, подвергнутых имплантации ионов углерода и отжигу // Тезисы докладов XII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (25-29 октября

2010 г. Россия, г. Санкт-Петербург). С. 89.

А7. Боряков A.B., Вихорев A.C., Ершов A.B., Зубков С.Ю., Карзанов В.В. / Исследование морфологии и состава тонких слоев Si02/Hfö2, выращенных на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Тезисы докладов XXIII Российской конференции по электронной микроскопии (31 мая - 4 июня 2010 г. Россия, г. Черноголовка). С. 138.

А8. Белов А.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Боряков A.B., Сидорин А.П., Ершов A.B., Тетельбаум Д.И., Терехов В.А., Домашевская Э.П., Спирин Д.Е. / Фотолюминесценция и фазовый состав пленок SiOx, имплантированных ионами углерода // Тезисы докладов III Всероссийской конференции и Школы молодых ученых "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (26-29 октября 2010 г. Россия, г. Н.Новгород). С. 111-112.

А9. Boryakov A.V., Vihorev A.S., Ershov A.V., Zubkov S.Yu., Karzanov V.V. / XPS depth profiling of Si02/HTO2/Si thin layers // Proc. of Int. Conf. on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (June 8-10,2010. Russia, Yaroslavl). P. P2-14.

A10. Nikolitchev D.E., Demidov E.S., Podolskii V.V., Lesnikov V.P., Boryakov A.V., Vihorev A.S., Zubkov S.Yu., Levchuk S.A. / Local composition analysis of Ge:Mn, Si:Mn and Si: Co magnetic semiconductor thin films by XPS and SAM // Proc. of Int. Conf. on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (June 8 - 10, 2010. Russia, Yaroslavl). P. 0313.

All. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Зубков С.Ю., Демидов Е.С., Лесников В.П., Подольский В.В., Левчук С.А. / Состав и топография тонких пленок сплава Гейслера // Сборник трудов XVI Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам (31 мая - 2 июня 2011 г. Россия, г. Черноголовка). С. 59.

А12. Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Трушин В.Н., Тихов С.В., Питиримова Е.А., Николичев Д.Е., Боряков A.B. / Выращивание эпитаксиальных слоев Sii_xGex на КНС-подложках и некоторые их свойства // Тезисы докладов IX Международной

конференции и VIII Школы молодых ученых "Кремний-2012" (9-13 июля 2012 г. Россия, г. Санкт-Петербург). С. 285.

А13. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. / Особенности формирования нанокластеров золота в матрице Si02 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии (29 мая - 1 июня 2012 г. Россия, г. Черноголовка). С. 42.

А14. Зубков С.Ю., Боряков A.B., Николичев Д.Е., Малышев А.Ю., Шенгуров В.Г. / Метрологическое обеспечение метода АСМ при исследовании геометрических характеристик самоорганизованных наноостровков на основе полупроводников A4 и АЗВ5 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии (29 мая - 1 июня 2012 г. Россия, г. Черноголовка). С. 229.

А15. Боряков A.B., Николичев Д.Е., Малышев А.Ю., Шенгуров В.Г. / Сравнительный анализ методов расчета содержания Si и Ge в тонких пленках SiGe и метрологическое обеспечение метода электронной оже-спектроскопии // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии (29 мая-1 июня 2012 г. Россия, г. Черноголовка). С. 264.

А16. Боряков A.B., Николичев Д.Е., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. / Локальный состав приборных слоев Si/КНИ, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Сборник трудов XVIII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013» (3—7 июня 2013 г. Россия, г. Черноголовка). С. 224-225.

А17. Зубков С.Ю., Боряков A.B., Ершов A.B., Николичев Д.Е., Суродин С.И. / Состав многослойных нанопериодических структур на основе Zr02 и SiO // Сборник трудов XVIII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013» (3-7 июня 2013 г. Россия, г. Черноголовка). С. 284285.

А18. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Дорохин М.В., Суродин С.И. / Состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaMnAs // Сборник трудов XVIII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013» (3-7 июня 2013 г. Россия, г. Черноголовка). С. 240-241.

А19. Суродин С.И., Боряков A.B. / Исследование химического состава многослойных наноструктур на основе Si0,/Zr02 методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Тезисы докладов XV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (25-29 ноября 2013 г. Россия, г. Санкт-Петербург, СПбГПУ). С. 68.

А20. Крюков Р.Н., Боряков A.B. / Исследование систем спиновых светоизлучающих диодов со слоем ферромагнитного полупроводника GaMnAs методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Тезисы докладов XV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (25-29 ноября 2013 г. Россия, г. Санкт-Петербург, СПбГПУ). С. 83.

А21. Surodin S.I., Boryakov A.V., Nikolichev D.E., Ershov A.V. / Chemical composition of multilayer nanostructures based on Si0*/Zr02 studying by X-ray photoelectron spectroscopy // 1st International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2014": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (March 25-27, 2014. Russia, Saint-Petersburg). P. 109-110.

A22. Боряков A.B., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Ершов A.B. / Исследование многослойных наноструктур на основе Si0,/Zr02 методами электронной микроскопии и спектроскопии // Тезисы докладов XXV Российской конференции по электронной микроскопии "РКЭМ-2014" (2-7 июня 2014 г. Россия, г. Черноголовка). С. 228.

А23. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Крюков Р.Н., Дорохин М.В. / Химический состав структур спиновых светоизлучающих диодов // Тезисы докладов XXV Российской конференции по электронной микроскопии "РКЭМ-2014" (2-7 июня 2014 г. Россия, г. Черноголовка). С. 254.

А24. Суродин С.И., Боряков A.B., Николичев Д.Е., Ершов A.B. / Исследование химического состава многослойных наноструктур на основе Si0x/Zr02 методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Тезисы докладов Третьей школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (15-17 мая 2014 г. Россия, г. Нижний Новгород). С. 151-152.

А25. Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков A.B. / Исследование системы спинового светоизлучающего диода методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Тезисы докладов Третьей школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (15-17 мая 2014 г. Россия, г. Нижний Новгород). С. 137-138.

А26. Белов А.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Боряков A.B., Сидорин А.П., Грачев А.П., Ершов A.B., Тетельбаум Д.И. / Формирование и «белая» фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO,, имплантированных ионами углерода // ФТП. - 2010. - Т.44, №11. - С.1498-1503.

А27. Боряков A.B., Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Ершов A.B., Михайлов А.Н. / Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода // ФТТ. - 2012. - Т.54, №2. - С.370-377.

А28. Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков A.B. / Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах S1O2 и AI2O3 // Поверхность. РСНИ. -

2012. - №8. - С.58-64.

А29. Боряков A.B., Николичев Д.Е., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов A.B., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. / Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице Zr02 методами электронной спектроскопии // Вестник ННГУ. - 2013. - №2(2). -С.52-57.

А30. Боряков A.B., Вихорев A.C., Ершов A.B., Зубков С.Ю., Карзанов В.В., Николичев Д.Е. / Морфология, состав и термическая стабильность тонких слоев SiCb/Hftb, полученных на кремнии методом электронно-лучевого испарения в вакууме // Поверхность. РСНИ. -

2013. - №9. - С.69-77.

А31. Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков A.B., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. / Структура и морфология поверхности слоев Sii-xGex/Si/Сапфир, выращенных методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. - 2013. - Т.49, №8. - С.805-809.

А32. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин A.B., Здоровейщев A.B., Дроздов М.Н., Суродин С.И. / Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs // Вестник ННГУ. - 2013. -№1(1). - С.48-52.

АЗЗ. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Малышев А.Ю., Зубков С.Ю. / Метрологическое обеспечение аналитических методов исследования твердотельных наносистем // Вестник ННГУ. - 2013. - №6(1). - С.41-46.

А34. Николичев Д.Е., Боряков A.B., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Кудрин A.B. / Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs // ФТП. - 2014. - Т.48, В.6. - С.839-844.

А35. Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев A.B., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков A.B., Зубков С.Ю. / Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // ЖТФ. - 2014. - Т.84, В.12. - С.102-106.

Подписано в печать 29.12.2014. Формат 60x84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Гарнитура Тайме. Усл. печ. л. 1. Заказ 784. Тираж 100 экз.

Отпечатано в типографии Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 603000, г. Нижний Новгород, ул. Большая Покровская, 37