Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Список сокращений.

Введение.

Глава 1. Электрический пробой твердых диэлектриков обзор литературы).

1.1 Гипотезы об ЭПТД, обусловленном, ударной ионизацией.

1.1.1 Из истории взглядов на ЭПТД, как следствие процессов ударной ионизации.

1.1.2 Развитие представлений об ЭПТД, обусловленном ударной ионизацией.

1.2 Гипотезы об ЭПТД, исключающие механизм ударной ионизации.

1.3 Роль дефектов в изменении электрической прочности твердых диэлектриков.

1.3.1 О связи электрической и механической прочности твердых диэлектриков.

1.3.2 Роль точечных дефектов в изменении электрической прочности твердых диэлектриков.

1.4 Предпробивные явления в микронных слоях ГЦГК.

1.4.1 Электрическое упрочнение и сверхсильные электрические поля.

1.4.2 Предпробивные токи в ЩГК в тонких слоях.

1.4.3 Электролюминесценция микронных слоев ЩГК.

1.4.4 Воздействие сильных и сверхсильных полей на систему точечных и линейных дефектов.

1.5 Обсуждение литературных данных. Постановка задачи исследований.

Глава 2. Ударная ионизация, свечение и энергетические спектры горячих электронов в ЩГК.

2.1 Природа токов в микронных слоях ЩГК с электролитовыми спиртовыми электродами в сильных и сверхсильных электрических полях.

2.1.1 Волът-амперные и волът-яркостные характеристики ЭЛЩГК.

2.1.2 Природа тока на начальных участках ВАХмикронных слоев

2.1.2.1 Токи, ограниченные пространственным зарядом.

2.1.2.2 Вольт-амперные и волът-яркостные характеристики при низкой температуре и разной начальной концентрации дефектов.

2.1.3 Обсуждение результатов. Выводы.

2.2 Токи и ударная ионизация в ЩГК при внешней инжекции электронов в диэлектрик.

2.2.1 Вольт-амперные характеристики и свечение ЩГК в условиях регулируемой импульсной инжекции электронов в слой диэлектрика через тонкий металлический электрод.

2.2.2 Зависимость коэффициента ударной ионизации от напряженности электрического поля для NaCl и KCl.

2.3 Кинетика тока и свечения микронных слоев ЩГК в сверхсильных электрических полях.

2.3.1 Учет влияния положительного объемного заряда.

2.3.2 Расчет распределения электрического поля в слое NaCl при протекании в нем лавинного тока.

2.3.3 Кинетика свечения микронных слоев ЩГК в сверхсильных электрических полях.

2.4 Спектры горячих электронов, ускоренных полем в слое ЩГК.

2.5 Обсуждение результатов. Выводы.

Глава 3. Дефектообразование и электропроводность в ЩГК в условиях сильных и сверхсильных электрических полей.

3.1. Генерация дефектов и токи в ЩГК в сильных электрических полях.

3.1.1 Генерация линейных дефектов в каменной соли в предпробивных полях.

3.1.2 Влияние сильных электрических полей и других условий эксперимента на скорость генерации дислокаций в ЩГК.

3.1.3 Распределение плотности дислокаций по толщине слоя.

3.1.4 Влияние сильного электрического поля на край фундаментального оптического поглощения NaCl.

3.1.5 Зависимость вольт-амперных и вольт-яркостных характеристик от времени воздействия электрического поля.

3.2. Генерация линейных и точечных дефектов и перенос заряда в ЩГК в сверхсильных электрических полях.

3.2.1. Дефектообразование и перенос заряда в сверхсильных электрических полях при кратковременных импульсных воздействиях напряжения.

3.2.2 Распределение электрического тока по площади слоя

3.2.3 Оценка роли термического воздействия тока на дефектообразование в ЩГК.

3.2.4 Термоударный механизм генерации дефектов в ЩГК в условиях сверхсильного поля.

3.2.5Генерация точечных дефектов в ЩГК в сверхсильных электрических полях.

3.3 Механизмы эффекта "шнурования" электронного тока в тонких слоях ЩГК в сверхсильных электрических полях.

3.3.1 Роль электродов в процессах локализации тока.

3.3.2 Шнурование электронов проводимости в полупроводниковых и диэлектрических материалах вследствие возникновения электрической неустойчивости.

3.3.3 Миграционная поляризация и ее влияние на процессы локализации переноса заряда.

3.3.4 Дислокационный механизм локализации переноса заряда.

3.4 Обсуждение результатов. Выводы.

Глава 4. Кинетика предпробивных процессов, определяющих электрическую прочность микронных слоев ЩГК.

4.1 Дефектообразование и электрическая прочность слоев ЩГК.

4.1.1 Деградационные процессы при ЭЛ ЩГК.

4.1.2 Дефектообразование и пробой слоев ЩГК.

4.2 Электрическая прочность слоев ЩГК с электролитовыми электродами на импульсном напряжении.

4.2.1 Обсуждение устойчивости режима стационарности полного тока.

4.2.2 Кинетика предпробивных процессов и определение электрической прочности микронных слоев ЩГК.

4.3 Пробой микронных слоев NaCl в условиях принудительной импульсной инжекции электронов.

4.4 Предпробивные процессы и пробой микронных слоев ЩГК при разной температуре.

4.4.1 Вольт-амперные характеристики и свечение ЩГК с плазменными электродами при комнатной температуре.

4.4.2. Низкотемпературные исследования В АХ и свечения образцов

ИаС1.

4.5 Анализ результатов исследования предпробивных процессов в НК ЩГС с точки зрения развиваемых в данной работе положений (по литературным данным).

4.6 Особенности предпробивных процессов в различных полупроводниковых и диэлектрических материалах.

4.7 Обсуждение результатов. Выводы.

Данная работа посвящена исследованию изменений структуры микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) под действием сильного и сверхсильного электрических полей и влиянию этих изменений на предпробивные процессы и пробой.

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. Теоретическое и экспериментальное изучение свойств реальных кристаллов убеждает в том, что все кристаллические тела в той или иной степени дефектны. Идеальность их строения нарушается фононами, структурными дефектами (по Шоттки и Френкелю), чужеродными атомами внедрения или замещения, дислокациями, границами блоков и т.д. Именно дефекты кристаллической решетки обуславливают многие свойства твердых тел. Они влияют на пластичность и вязкость, пределы упругости и прочности, тепло- и электропроводность, фотопроводимость, определяют вид спектров поглощения, испускания и многое другое, в том числе и пробой диэлектриков.

В настоящее время существуют различные точки зрения на природу электрического пробоя твердых диэлектриков. Само наличие этого факта говорит о недостаточной определенности и изученности данного процесса. Еще в большей степени это можно утверждать о связи механических и электрических свойств твердых диэлектриков и влиянии процессов дефектообразования в сильных электрических полях на предпробивные явления и пробой. Здесь можно привести цитату из широко известной книги Сканави Е.И. «Физика диэлектриков (область сильных полей)»:

Известно, что под стадией потери электрической прочности следует понимать такую стадию в процессе пробоя, когда в диэлектрике создается проводящий путь, а в дальнейшем наблюдается резкое усиление ионизационных процессов и увеличение тока даже при понижении напряжения, приложенного к образцу. Вторая стадия пробоя - разрушение диэлектрика при электрической форме пробоя, по-видимому, весьма тесно связана с первой стадией и возникает непосредственно вслед за ней или даже накладывается на нее. Однако, даже в наиболее современных теориях процесс развития пробоя, переход первой стадии во вторую, природа разрушения диэлектрика не рассматриваются».

Приведенная цитата вполне отражает состояние изученности явления пробоя и в настоящее время. Процессы дефектообразования под действием электрических полей перед пробоем, а тем более в первой и второй стадиях электрического пробоя, не исследованы. Такие исследования вследствие быстротечности процесса пробоя являются технически очень сложными. Например, попытки единичных наблюдений образования дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) под действием однородного электрического поля (исходя из литературных данных) всегда сопровождались разрушением образца в результате электрического пробоя [1].

До недавнего времени считалось, что в толстом слое твердого диэлектрика механизм электрического пробоя — лавинностримерный, в тонких (микронных) слоях - многолавинностримерный. В еще более тонких слоях (субмикронных), в которых процессы ударной ионизации менее интенсивны, - электронно-термический. Вышеуказанные механизмы пробоя, рассматривающие развитие разряда в пространстве и времени, носят качественный характер и могут стать количественными, если в них будут использованы надежные данные об элементарных процессах (ударная ионизация, генерация экситонов и дефектов решетки, эмиссии электронов с катода и др.). Явление ударной ионизации при этом можно считать краеугольным камнем этого направления. Однако имеются теоретические и экспериментальные работы, объясняющие многие предпробивные явления и сам электрический пробой без ее участия, что поставило под сомнение само существование процессов ударной ионизации в щелочно-галоидных криста-лах и других твердых диэлектриках.

Для дальнейшего же развития современной техники необходима большая определенность в вышеуказанных вопросах. В связи с развитием микроэлектроники резко расширилась область применения диэлектриков. Во многих устройствах, в частности, в конденсаторах, полевых транзисторах, МДП-структурах и др. используются тонкие диэлектрические слои, которые длительное время подвергаются воздействию сильных электрических полей. В этих условиях в диэлектриках наблюдается развитие физических процессов, приводящих к изменению структуры вещества и ухудшению его электроизоляционных свойств.

Таким образом, при изучении электрической прочности твердых диэлектриков, в том числе в теоретических работах по этому направлению, необходимо учитывать изменение структуры материала под действием сильного электрического поля и влияние этого изменения на предпробивные процессы и пробой.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ состоит в определении роли процессов дефектообразования и ударной ионизации в развитии электрического пробоя микронных и субмикронных слоев ЩГК.

Указанная цель достигается решением следующих задач:

1. Определение природы электропроводности микронных слоев ЩГК в условиях сильных и сверхсильных электрических полей. Изучение электронных токов и процессов ударной ионизации, измерение энергии электронов, ускоряемых в диэлектрике сверхсильным электрическим полем.

2. Изучение дефектообразования в слоях ЩГК в сильных и сверхсильных электрических полях.

3. Изучение взаимного влияния дефектообразования, электропроводности, электронно-оптических процессов и их вклада в развитие электрического пробоя тонких слоев ЩГК.

Решение поставленных задач составляет основу развиваемого в работе научного направления «Кинетика и механизмы дефектообразования в сверхсильных электрических полях и его влияние на предпробивные процессы и пробой ЩГК. Данное направление является существенным вкладом в область физики диэлектриков - область сильных электрических полей.

Работа включалась в координационные планы НИР АН СССР и РФ по проблемам «Люминесценция и развитие ее применений в народном хозяйстве», «Электрический пробой и старение диэлектриков» направления «Физика, подсекция физика твердого тела» на период 1976-2001 гг. Выполнялась в рамках госбюджетных тем № 14/94 «Низкотемпературные исследования ионных и электронных процессов в ЩГК в условиях сильных и сверхсильных электрических полей», № 4/97 «Исследование ионных и электронных процессов в ЩГК в области сильных и сверхсильных электрических полей», 4/00/2 «Исследование пред-пробойных явлений и кинетики электрического пробоя в тонких слоях ЩГК» в Томском университете систем управления и радиоэлектроники по единому заказ - наряду. Темы согласованы с Головным советом «Физика, подсекция Физика твердого тела» Минобразования РФ.

ОБЪЕКТ И ПРЕДМЕТ ИССЛЕДОВАНИЯ. Объектом исследования являются физические процессы, протекающие в тонких монокристаллических слоях щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) в сверхсильных электрических полях. Известен так называемый эффект электрического упрочнения с уменьшением толщины диэлектрика. Открытие этого эффекта позволило в тонких (от 1 до 10 мкм) слоях диэлектрика создавать электрические поля, превышающие пробивные для «толстых», и получивших название сверхсильных. Таким образом, в тонких диэлектрических слоях в сверхсильном электрическом поле стало возможным наблюдать процессы и явления, которые в более толстых слоях ((1 >10 мкм) практически невозможно наблюдать и исследовать вследствие возникновения пробоя и чрезвычайной его быстротечности. К этим процессам и явлениям относятся: протекание электронных токов и свечение слоев ЩГК (электролюминесценция), процессы ударной ионизации, эмиссия электронов, ускоренных электрическим полем в слое диэлектрика, в вакуум, генерация точечных и линейных дефектов и др. Все эти процессы и явления могут составлять новую развивающуюся область физики диэлектриков - область сверхсильных электрических полей. Многие из этих явлений представляют самостоятельный научный и практический интерес и в той или иной степени могут предварять или сопровождать пробой, а значит являться предметом данного исследования.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА.

Впервые, в микронных слоях ЩГК, до возникновения пробоя, обнаружен эффект интенсивной генерации линейных и точечных дефектов под действием сильного и сверхсильного электрических полей. Проведено изучение механизмов этого явления. Определены свойства областей с модифицированной полем структурой (повышенная электропроводность, деформация спектров поглощения и др.).

Доказано, что электронные токи, ударная ионизация и электролюминесценция в ЩГК протекают локально и только в местах с измененной под действием электрического поля кристаллической структурой. Для таких областей (каналов предпочтительного переноса заряда) впервые были определены некоторые характеристики электронно-дырочных процессов в сверхсильных электрических полях: коэффициент ударной ионизации и его зависимость от напряженности электрического поля, подвижность дырок и энергетический спектр "горячих" электронов, эмиттированных из ЩГК в вакуум. Впервые показано, что при определенных условиях в таких областях диэлектрика можно осуществить разряд, аналогичный низковольтному тлеющему разряду в газах, при котором и наблюдается электролюминесценция.

Показана определяющая роль дефектообразования в развитии предпробив-ных процессов в диэлектрике. Выделен критерий, напрямую связанный с механической прочностью образца, при выполнении которого непременно разовьется цепь предпробивных процессов и пробой.

НАУЧНАЯ ЦЕННОСТЬ. Сверхсильное электрическое поле является для твердых диэлектриков одним из экстремальных параметров, при реализации которого наблюдается ряд фундаментальных процессов, связанных с изменением структуры твердого тела. Результаты исследований ЩГК в области сверхсильных электрических полей позволяют выйти на новый уровень в понимании механизмов электропроводности, электролюминесценции и электрического пробоя твердых диэлектриков. Вследствие этого, результаты проведенных исследований могут быть использованы при уточнении ранее созданных и разработке новых теорий в области электролюминесценции и пробоя. В частности, данные исследования существенно дополняют физику твердых диэлектриков - область сильных электрических полей.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ. Результаты данного исследования могут лечь в основу прикладных методов прогнозирования срока службы и повышения стойкости материалов к процессам электрического старения и пробоя при комплексном воздействии различных факторов, а также методов управления процессами, определяющими электронно-оптические свойства и электрическую прочность твердых диэлектриков.

ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, выносимые на защиту:

1. Сильное электрическое поле с напряженностью Е > 0,8 Епроо (Епроо -электрическая прочность толстых слоев) вызывает в тонком слое ЩГК генерацию линейных и точечных дефектов. Дефектообразование предваряет и обуславливает весь комплекс предпробивных процессов и явлений: деформирует кристаллическую структуру образца, изменяет распределение электрического поля по толщине и площади слоя диэлектрика, создает каналы и области повышенной электропроводности, в которых протекают ионные и электронные токи и развиваются процессы ударной ионизации, завершающиеся разрушением слоя диэлектрика (пробоем).

2. Образование новых линейных и, как следствие, точечных дефектов в сильном и сверхсильном электрическом поле может происходить в результате следующих механизмов:

1) полевого (вследствие движения в кристалле заряженных дислокаций и их размножения под действием кулоновских сил);

2) пондеромоторного (генерация новых дислокаций под действием локальных механических напряжений, создаваемых в слое диэлектрика электрическим полем);

3) термоударного (генерация дислокаций вокруг токового «шнура» под действием механических напряжений, обусловленных градиентом температуры).

Определены условия, при которых может действовать тот или иной механизм генерации дефектов.

3. Наблюдаемый экспериментальный эффект «шнурования» тока в тонких слоях ЩГК обусловлен инжекцией электронов из микронеровностей на катоде при их пространственном совпадении с местами скопления дислокаций в слое, играющих роль каналов предпочтительного переноса заряда. Такая ситуация может быть реализована автоматически при наличии микро-острий на катоде с достаточно малым радиусом скругления, тогда вследствие пондеромоторных сил дислокационная структура будет развиваться прямо под микроострием. Автоэлектронная эмиссия из микронеровностей в области повышенного электропереноса облегчается за счет усиления электрического поля вблизи микроострий (геометричесий фактор) и более интенсивных процессов миграционной поляризации вдоль дислокационных линий.

4. Ускорение электронов полем, ударная ионизация и возбуждение центров свечения наблюдается только в созданных под действием сверхсильного электрического поля каналах повышенной электропроводности, представляющих из себя области с модифицированной вследствие термоударного механизма структурой, имеющие высокую концентрацию линейных и точечных дефектов. Именно в таких областях слоя при протекании процессов ударной ионизации и возбуждения электронами наблюдается электролюминесценция (ЭЛ) и осуществляется квазистационарный электрический разряд, аналогичный тлеющему разряду в газах.

5. Нарушение электрической прочности тонких слоев ЩГК происходит после достижения некоторой критической напряженности поля, при которой начинается генерация линейных и точечных дефектов при данных условиях эксперимента.

Выполнение этого критерия непременно вызовет цепь процессов, приводящих к пробою:

1) в полях с напряженностью 0,8 Епро0< Е < Епроо (до начала инжекции электронов из катода) при достаточной временной выдержке накопление линейных и точечных дефектов вызывает расстрескивание слоя и пробой;

2) в области сверхсильных электрических полей (при Е > Епро0) генерация дефектов приводит к возникновению локальных токов автоэлектронной эмиссии, сопровождаемых термопластическими эффектами, созданию каналов повышенной электропроводности, возникновению в них процессов ударной ионизации, стримера и пробоя, или возникновению квазистационарного режима (в образцах со спиртовыми электролитовыми электродами), его последующего срыва, вызывающего новое нарастание тока и пробой.

ДОСТОВЕРНОСТЬ выдвигаемых на защиту научных положений и результатов обусловлена использованием образцов ЩГК (модельного диэлектрика), тонких, микронной толщины, слоев диэлектрика, в которых развитие пробоя вследствие процессов ударной ионизации замедлено, использованием электродов, позволяющих создавать в образце однородное по напряженности электрическое поле, более корректными, чем ранее, методами изучения предпробивных явлений (метод управляемой принудительной инжекции электронов в диэлектрик через полупрозрачный металлический катод и другие), применением для исследований образцов с малой начальной концентрацией дефектов и условиями эксперимента, при которых влияние процессов дефектообразования на измеряемые электрические характеристики были сведены к минимуму. Кроме того, высокая достоверность полученных результатов достигалась использованием взаимно дополняющих методик измерений, согласованностью результатов при измерении различных характеристик (электрических, электронно-оптических, спектральных и др.), соответствием данных экспериментов с расчетами, в том числе и результатами других авторов, непротиворечием современным представлениям о предпробивных явлениях и электрическом пробое в ЩГК и других диэлектрических и полупроводниковых материалах.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА. Результаты, изложенные в диссертационной работе, получены автором и группой сотрудников и аспирантов, руководимых автором, а также в сотрудничестве с учеными кафедры физической электроники и кафедры конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры ТУ

СУР. Автор принимал активное участие в проведении всех экспериментальных работ, разработке исследовательских методик, обсуждении результатов и планировании дальнейших исследований в данном направлении. В процессе выполнения диссертационной работы автор заново проанализировал и переосмыслил всю совокупность экспериментальных результатов, полученных ранее в соавторстве, значительно углубил их понимание и интерпретацию. Существенно уточнил совместно разработанные физические модели и расчеты и расширил сферы их применения. В результате такого анализа лично автором были сформулированы основные защищаемые научные положения и проведено их обоснование.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результаты работы обсуждались на: 4 и 5 Всесоюзных совещаниях по электролюминесценции (Черновцы и Ставрополь, 1971г.), Международном совещании по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле (Варна, Болгария, май, 1974), Всесоюзном симпозиуме по диэлектрическим материалам и материалам квантовой электроники (Москва, 1977), Всесоюзном семинаре «Элементарные релаксационные процессы в ионных кристаллах» (Рига, 1981), Первой международной конференции по проводимости и пробою диэлектриков (Тулуза, Франция, 1983), Республиканских конференциях «Физика твердого тела и новые области ее применения» (Караганда, 1986, 1990), Всесоюзном семинаре «Люминесценция и ее применение в народном хозяйстве» (Запорожье, 1987), Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 1988), Расширенном заседании секции электролюминесценции Научного Совета по люминесценции АН СССР (Вильнюс, 1989), Международной конференции по физике твердого тела (Караганда, 1996), Международной конференции по радиационно-термическим эффектам и процессам в неорганических материалах (Томск, 1998, 2000), Международной конференции по физике диэлектриков (С-Петербург, 2000).

ПУБЛИКАЦИИ. Основное содержание диссертации опубликовано в 25 статьях в центральных журналах, 27 тезисах докладов на конференциях по рангу не ниже Всероссийских и 5-ти отчетах по НИР, имеющих государственную регистрацию, перечень основных публикаций приведен в конце автореферата.

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

Исходным материалом являются ЩГК, выращенные из расплава ОСЧ методом Кирополуса. Суть метода изготовления образцов заключается в том, что в кристалле размерами 15x15x3 мм со стороны широких граней во встречном направлении вымываются соосные лунки. Материал, оставшийся между лунками, представляет собой рабочий слой образца. В некоторых случаях рабочий слой формировался между дном лунки и плоскостью раскола («односторонние» образцы). За счет резкой анизотропии растворения рабочий слой представляет собой тонкую пластинку микронной толщины с высокой степенью плоскопарал-лельности, «запечатанную» в кристалл макроскопических размеров. Площадь равной толщины может достигать нескольких квадратных миллиметров. Приготовление образцов осуществлялось на специальной установке, включающей в себя резервуар с рабочим раствором, термостат со стеклянным змеевиком, специальный держатель образца с медицинскими иглами, через которые подается раствор к граням образца и нижний резервуар для накопления используемого раствора. Рабочий раствор, проходя через змеевик термостата, нагревается до оптимальной температуры. Нагретый раствор через резиновые трубки и медицинские иглы поступает к образцу и вытравливает лунки необходимой глубины. Далее использованный раствор стекает в нижний резервуар. Контроль толщины слоя осуществляется визуально с помощью микроскопа.

Выявление дислокационной структуры слоев проводилось методом избирательного травления поверхности слоя. Наблюдение изменений дислокационной картины после приложения электрического поля к образцу осуществлялось при использовании в качестве электродов электролита, который не оказывает травящего воздействия на поверхность кристалла. Этому требованию удовлетворяет насыщенный раствор соответствующей данному кристаллу соли в бутиловом спирте. Визуальные исследования дислокационной картины слоев проводятся с помощью микроскопа МИМ-7.

Для оценки влияния структурных изменений, происходящих в образце под действием сильных и сверхсильных электрических полей, на концентрацию дополнительных электронных состояний в запрещенной зоне кристалла проводились измерения коэффициента поглощения слоя диэлектрика в области края фундаментального поглощения. Для измерения коэффициентов поглощения ЩГК использовалась установка, включающая в себя вакуумный монохроматор ВМР-2, источник ультрафиолетового света - лампу высокого давления ВМФ-25 и регистрирующее устройство на базе фотоэлектронного умножителя ФЭУ-19А и микроамперметра. Специфические особенности измерения абсорбционных характеристик образцов, используемых в данной работе, связаны с малыми геометрическими размерами рабочего слоя. Поэтому регистрирующее устройство BMP

2 было доработано: уменьшена площадь выходящего из монохроматора светового потока и увеличена чувствительность.

Для оценки степени изменения поверхности слоя образца после воздействия электрического поля были проведены электронно-микроскопические исследования поверхности при увеличении в несколько десятков тысяч раз.

Измерения электронно-оптических характеристик образцов ЩГК проведены на трех установках, на импульсном и переменном напряжениях. Компенсация емкостной составляющей тока проводилось с помощью мостовой схемы. Первая установка (с использованием электролитовых электродов на основе бутилового спирта) позволяет производить измерения зависимостей между яркостью электролюминесценции, током, текущим через образец и напряженностью электрического поля при различной температуре (от 80 °С до минус 35 °С). Данный диапазон температуры ограничен свойствами электролитовых электродов. Для исследования электронно-оптических характеристик при более низкой температуре (вплоть до температуры жидкого азота) использована вторая установка, в которой в качестве электродов применяется газовая плазма низкого давления. В этой установке предусмотрена возможность отделения излучения образцов ЩГК от свечения газового разряда.

Для исключения влияния контактных явлений на электронные процессы в объеме диэлектрика использовалась установка, осуществляющая принудительную импульсную инжекцию электронов в диэлектрик электронным пучком. Регулируемая инжекция осуществлялась через полупрозрачный металлический электрод. На данной установке в тонких монокристаллических слоях ЩГК впервые были проведены наблюдения процессов ударной ионизации и определены зависимости коэффициента ударной ионизации от напряженности поля.

Изучение спектров горячих электронов, ускоряемых в диэлектрике сверхсильным электрическим полем, были проведены на специальной вакуумной установке методом задерживающего потенциала. При этом образец ЩГК анодной стороной прижимался вакуумно плотно к вакуумной камере установки, в которой помещался вторично-электронный умножитель и электрод в виде сетки. На сеточный электрод подавалось пилообразное, задерживающее вылетающие электроны из сверхтонкого (несколько сотен ангстрем) анодного электрода, напряжение. Катодный электрод, чтобы увеличить электрическую прочность образцов при измерениях в сверхсильных электрических полях, выполнялся из электролита.

ОБЪЕМ И СТРУКТУРА РАБОТЫ. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитированной литературы, семи приложений. Работа содержит 304 страницы машинописного текста, 5 таблиц, 94 рисунка и библиографию из 347 наименований, включая основные работы автора. В приложениях приведены основные методики расчетов и экспериментов.

Эти выводы подтверждаются и спектральными измерениями. Например, спектр свечения предварительно охлажденного образца ЫаСГЕи имеет острый пик с максимумом равным 430 нм, при этом излучение структурных центров свечения практически отсутствует.

Однако, если измерить спектр этого же образца повторно при прочих равных условиях, то можно отметить, что появляется небольшое по интенсивности свечение структурных центров. Последующие измерения спектров (особенно при более высокой температуре) показывают, что свечение структурных центров усиливается во время измерения, пока не достигнет определенного предельного значения, соответствующего комнатной температуре (см. рис. 4.18).

Как видно из рис. 4.18, спектр активированного европием образца, измеренный при комнатной температуре, содержит как излучение £и-центров с максимумом равным 430 нм (узкая полоса), так и излучение структурных центров свечения с максимумом равным 460-470 нм (широкая полоса, показанная пунктиром). Эти результаты также показывают, что под воздействием импульсов сверхсильного электрического поля даже при низкой температуре не прекращаются деградационные процессы, приводящие к накоплению структурных дефектов.

Однако интенсивность их значительно снижается с понижением температуры.

Учитывая вышеуказанное, можно предположить, что в достаточно сильных электрических полях, при температуре минус 100°С даже в процессе первого измерения уже могут происходить структурные изменения, влияющие в дальнейшем на условия токопрохождения. Возможно нарастание тока через слой ШС1-Еи (см. рис. 4.17, первое измерение при Г= -100 °С) обусловлено процессами ударной ионизации в слое с уже нарушенной кристаллической структурой.

Поэтому, следующие эксперименты по исследованию предпробивных процессов в ЩГК проведены при температуре порядка минус 160 °С10, при минимальном времени воздействия сверхсильных электрических полей. Как показали эксперименты, вплоть до пробоя, ни тока, ни свечения в образцах ЩГК наблюдать не удавалось. Причем, даже в активированных примесями образцах свечение нельзя было отделить от помех. Токи также отсутствовали при данной чувствительности измерительной установки (I мин ~ 0,01 мкА). Пробой возникал вследствие расстрескивания слоя диэлектрика.

Возникает вопрос, почему при такой температуре отсутствует ток до пробоя в предварительно охлажденном образце. Ответ, по-видимому, следует искать как отн. ед. 5 0

400 450 500 А,, нм

Рис. 4.18 Спектр ЭЛ ИаС1-Еи при комнатной температуре в особенностях контактирования плазменных электродов с диэлектриком, так и в особенностях переноса заряда при низкой температуре.

Особенности плазменного контакта с диэлектриком рассмотрены в приложении 7. Однако, там не приведены подробности механизмов попадания носителей заряда в слой ЩГК. Судя по осциллограммам (см. рис. П7.4), а там присутствуют пики зарядки емкости слоя, на поверхности диэлектрика должны формироваться заряды, соответствующие приложенному напряжению и величине емкости слоя. В прикатодной области формируется отрицательный объемный заряд захваченных на ловушки электронов (^-центры), как и в случае непосредственного электронного контакта (см. приложение 1). На анодной поверхности - формируется слой адсорбированных положительных ионов и,

1\ \ \ / / \ \ 1 \ 1 \ \ \ V \ \ \ \ \ \ \ N \

10 Более низкую температуру получить не удалось вследствие низкого качества теплоизоляции рабочей камеры. возможно, объемный заряд инжектированных из плазменного электрода дырок. Однако, после смены полярности напряжения, на анодной поверхности (теперь уже катодной) также сформируется ООЗ на глубоких ловушках, который не будет успевать освобождаться в такт смене полярности напряжения. Это приведет к тому, что инжектируемые из плазменного электрода электроны не смогут попадать вглубь дальше ООЗ, а процессы перезарядки слоя будут проходить только на поверхности и определяться адсорбируемыми положительными и отрицательными ионами газового разряда. Кроме того, следует иметь в виду, что по мере зарядки слоя энергия инжектированных в слой электронов уменьшается вследствие перераспределения напряжения между слоем диэлектрика и разрядными промежутками в лунках. Таким образом, электроны, участвующие в ЭЛ ЩГК с плазменными электродами, попадают вглубь слоя диэлектрика освобождаясь с глубоких ловушек ООЗ. Появляющийся активный ток в слое уменьшает величину ООЗ и вызывает на осциллограммах пички зажигания разряда в лунках.

С понижением температуры вероятность термополевого [234] разрушения F-центров уменьшится, поэтому электронная проводимость будет появляться в полях с большей напряженностью, чем при комнатной температуре (см. рис. 4.14, 4.15). Следует также учитывать, что при комнатной температуре интенсивно проходят процессы дефектообразования и перенос заряда осуществляется преимущественно в областях с наиболее дефектной структурой, где могут быть значительно изменены энергетические уровни электронных и дырочных центров захвата. При очень низкой температуре и на переменном напряжении процесс дефектообразования может начаться в полях с напряженностью, значительно превышающей 1 MB/см. При этом возникающие под действием поля механические деформации могут приводить слой диэлектрика к разрушению, что и наблюдается в эксперименте. Тот факт, что при температуре порядка минус 150-160 °С не наблюдаются токи и свечение слоя NaCl вплоть до пробоя свидетельствует о том, что процессы дефектообразования предшествуют появлению электронных токов и пробою.

Конечно, в слое диэлектрика имеются "старые" дислокационные линии, которые могут играть роль каналов преимущественного переноса заряда, но:

1) в экспериментах с плазменными электродами мы имеем дело с ООЗ, играющим роль электрода, поэтому F-центры и дислокационная линия могут быть пространственно разъединены;

2) малая при низкой температуре подвижность ионов и нет процесса усиления поля вблизи дислокационного выхода, а значит и инжекции туда электронов.

4.5 Анализ результатов исследования предпробивных процессов в НК ЩГС сточки зрения развиваемых в данной работе положений по литературным данным)

Как известно, нитевидные кристаллы щелочногалоидных соединений (НК ЩГС) обладают уникальными свойствами: высокой степенью структурного совершенства, малой толщиной, практически идеальной поверхностью. Интерес к НК в настоящей работе связан с тем, что в этих кристаллах очень высокие механические характеристики, в частности, очень высок предел текучести. Как указано в [323], его величина составляет 60-80 МПа, что более чем на порядок превышает предел текучести массивных материалов. В связи с этим ожидается в НК ЩГС и более высокая электрическая прочность.

НК, кроме перечисленных достоинств имеют, еще одно - на одном и том же кристалле длиной 1-1,5 см можно сделать до 20 пробоев [324] практически в одинаковых условиях. Это преимущество НК значительно расширяет экспериментальные возможности и их точность. В связи с этим представляет значительный интерес анализ предпробивных явлений в НК ЩГС.

Напряженность пробоя НК ЩГС и ее зависимость от толщины диэлектрика. В [324] обнаружена линейная зависимость пробивного напряжения НК КВг в области толщин от 4 до 20 мкм, то есть электрического упрочнения с уменьшением толщины не обнаружено. Однако, для НК NaCl и KCl такая зависимость наблюдается: для НК NaCl, начиная с 6 мкм; для НК KCl - с 10 мкм. Тем не менее, ничего определенного сказать о том, есть электрическое упрочнение или нет, нельзя, так как очень мало исследовано НК с толщиной менее 6 мкм. Это, по-видимому, связано с тем, что получение качественных НК ЩГС с такой толщиной и, главное, экспериментальная работа с ними сопряжены с большими техническими трудностями.

При сравнении конкретных значений пробивных напряженностей НК и образцов из массивных ЩГК выявились существенные различия (см. таблицу 4.2). Как видно из таблицы, значения электрической прочности для всех НК ЩГС существенно ниже, чем у Кострыгина [51] и Пикаловой [108], которые, как известно, использовали образцы с лунками для создания однородного по площади слоя электрического поля.

Кроме того, в работе [108] применялись электролитовые электроды на основе тяжелых спиртов, которые не создавали микроострий в отличие от металлических электродов. В работе же [324] в качестве электродов использовались изготовленные оплавлением из тонкой платиновой проволоки сфера, диаметром 50 мкм и диск диаметром 40 мкм. И, хотя, автор [324] утверждает, что между этими электродами возникает однородное по напряженности электрическое поле, согласится с этим трудно. Обсуждение результатов по определению величины электрической прочности НК ЩГС будет приведено ниже.

Заключение

Благодаря эффекту электрического упрочнения в щелочно-галоидных кристаллах и других диэлектриках микронной и субмикронной толщины удается создавать электрические поля без разрушения образца, значительно превышающие по напряженности пробивные для толстых слоев (десятки микрон и более). При таких полях, называемых сверхсильными, в диэлектриках протекают электронные и ионные процессы, которые в более толстых слоях не могли быть исследованы из-за возникновения разрушения диэлектрика в результате пробоя.

Исследования проводились в микронных и субмикронных слоях ЩГК, издавна являющихся модельными диэлектриками, на образцах, приготовленных методом анизотропного растворения, в которых могут быть реализованы однородные сверхсильные электрические поля без пробоя. В качестве электродов использовались электролитовые электроды на основе тяжелых спиртов и другие электроды (в том числе плазменные и электронный контакт), при которых достигается наибольшая электрическая прочность.

Использование микронных слоев ЩГК и таких электродов позволяет не только достичь сверхсильных электрических полей, но и растянуть процесс пробоя во времени, определить и исследовать наиболее существенные его составляющие. Впервые показано, что процессы движения заряженных дефектов и дефектообразование предваряют все явления, определяющие электрическую прочность и пробой ЩГК. Этот важный с мировоззренческой точки зрения вывод составляет основу развиваемого в работе научного направления, связанного с кинетикой и механизмом протекания в сверхсильных электрических полях дефектообразования и его влиянием на предпробивные процессы и пробой ЩГК. В свою очередь, данное направление является существенным вкладом в новую область физики диэлектриков - область сверхсильных электрических полей [347].

Основные полученные результаты сформулированы в виде выводов в конце каждой главы и, в общем, могут быть сведены к следующим защищаемым положениям:

1. Сильное электрическое поле с напряженностью Е > 0,8 Епроо (Епро0 -электрическая прочность толстых слоев) вызывает в тонком слое ЩГК генерацию линейных и точечных дефектов. Дефектообразование предваряет и обуславливает весь комплекс предпробивных процессов и явлений: деформирует кристаллическую структуру образца, изменяет распределение электрического поля по толщине и площади слоя диэлектрика, создает области повышенной электропроводности и каналы, в которых протекают ионные и электронные токи и развиваются процессы ударной ионизации, завершающиеся разрушением слоя диэлектрика (пробоем).

2. Образование новых линейных и, как следствие, точечных дефектов в сильном и сверхсильном электрическом поле может происходить в результате следующих механизмов:

1) полевого (вследствие движения в кристалле заряженных дислокаций и их размножения под действием кулоновских сил);

2) пондеромоторного (генерация новых дислокаций под действием локальных механических напряжений, создаваемых в слое диэлектрика электрическим полем);

3) термоударного (генерация дислокаций вокруг токового «шнура» под действием механических напряжений, обусловленных градиентом температуры).

Определены условия, при которых может действовать тот или иной механизм генерации дефектов.

3. Наблюдаемый экспериментальный эффект «шнурования» тока в тонких слоях ЩГК обусловлен инжекцией электронов из микронеровностей на катоде при их пространственном совпадении с местами скопления дислокаций в слое, играющих роль каналов предпочтительного переноса заряда. Такая ситуация может быть реализована автоматически при наличии микроострий на катоде с достаточно малым радиусом скругления, тогда вследствие пондеромоторных сил дислокационная структура будет развиваться прямо под микроострием. Инжекция электронов из катода в области повышенного электропереноса облегчается за счет усиления электрического поля вблизи микроострий (геометричесий фактор) и более интенсивных процессов миграционной поляризации вдоль дислокационных линий.

4. Ускорение электронов полем, ударная ионизация и возбуждение центров свечения наблюдается только в созданных под действием сверхсильного электрического поля каналах повышенной электропроводности, представляющих из себя области с модифицированной вследствие термоударного механизма структурой, имеющие высокую концентрацию линейных и точечных дефектов. Именно в таких областях слоя при протекании процессов ударной ионизации и возбуждения электронами наблюдается электролюминесценция (ЭЛ) и осуществляется квазистационарный электрический разряд, аналогичный тлеющему разряду в газах.

5. Нарушение электрической прочности тонких слоев ЩГК происходит после достижения некоторой критической напряженности поля, при которой начинается генерация линейных и точечных дефектов при данных условиях эксперимента.

Выполнение этого критерия непременно вызовет цепь процессов, приводящих к пробою:

1) в полях с напряженностью 0,8 Епроо< Е < Епроэ (до начала инжекции электронов из катода) при достаточной временной выдержке накопление линейных и точечных дефектов вызывает расстрескивание слоя и пробой;

2) в области сверхсильных электрических полей (при Е > Епроо) генерация дефектов приводит к возникновению локальных токов автоэлектронной эмиссии, сопровождаемых термопластическими эффектами, созданию каналов повышенной электропроводности, возникновению в них процессов ударной ионизации, стримера и пробоя, или возникновению квазистационарного режима (в образцах со спиртовыми электролитовыми электродами), его последующего срыва, вызывающего новое нарастание тока и пробой.

В данной диссертационной работе проведена попытка обобщения разработанных представлений на предпробивные процессы в НЩГК, а также сравнение предпробивных процессов в ЩГК с предпробивными процессами в других диэлектрических материалах и полупроводниках.

Наиболее общим свойством всех материалов в условиях сверхсильного электрического поля является локальный характер переноса заряда, связанный с наличием линейных дефектов. Уже отмечалось (см. разд. 4.6), значительное сходство характера переноса заряда в тонких слоях ЩГК и обратносмещенных р - и-переходах полупроводников (вольт-амперная характеристика, микроплазменный характер свечения и др.). В полупроводниковых материалах надежно установлено, что первичные Микроплазменные токи и свечение возникают в областях р - п-переходов с дислокациями. В свою очередь, совокупность микроплазм определяет все важнейшие характеристики приборов, работающих в режиме лавинного пробоя (стабилитроны, тиристоры, транзисторы и др.)

Имеется большое сходство в природе и кинетике развития предпробивных процессов, обусловленных стадией накопления дефектов, между слоями ЩГК' и другими диэлектрическими материалами. При электролюминесценции ЩГК

1 о "2 концентрация структурных центров свечения достигает ~10 см" . Очевидно, что не все дефекты могут являться центрами электролюминесценции, поэтому эта оценка может служить нижней границей для общей концентрации микродефектов. Характерные размеры возвышенностей в местах локального переноса заряда (см. электронно-микроскопические исследования в разд. 3.3.4) показывают, что возможные увеличения объема кристалла в этих местах могут составлять 1 -5%. Такое «разбухание» материала могут обеспечить вакансии в количестве до

213 19213

10 см" . А величины 10 - 10 см" характерны для концентрации дефектов в аморфных пленках. Таким образом, структура исследуемого в сверхсильных полях диэлектрика не является кристаллической задолго до момента окончательного разрушения диэлектрика. Следует отметить, что уменьшение плотности ЩГК на 10% является предельной, после этого наступает механическая неустойчивость и разрушение материала. Все это подтверждает важную роль дефек-тообразования в предпробивных процессах и пробое большинства тонкопленочных (тонкослойных) материалов.

Что касается обобщения разработанных представлений на предпробивные процессы и пробой в более толстых слоях и макрокристаллах ЩГК и других диэлектриков, то можно сказать следующее. Одной из первых теорий, отождествляющих электрическую и механическую прочности диэлектрика, была теория Роговского по разрыву ионной кристаллической решетки электрическим полем [1]. Однако расчет Роговского основывался на модели идеальной кристаллической решетки, поэтому давал сильно завышенные значения электрической прочности. В связи с этим, были необходимы теории, учитывающие неидеальность кристалла.

Наиболее строго подошел к рассматриваемому вопросу Горовиц [1]. В его работе проводится вычисление пробивного напряжения для случая, когда пробой осуществляляся в виде разрыва диэлектрика по микротрещине на его поверхности. Рассчитанные в работе Горовица значения электрической прочности не очень сильно отличались от экспериментальных для некоторых материалов, но для стекла, фарфора, каменной соли расхождение было существенным (около порядка величины). Несмотря на это, принцип, заложенный в расчете Горовица в общем виде, позволял предполагать, что реальные кристаллы в значительной степени отличаются от идеальных и должны иметь меньшую механическую и электрическую прочность.

Воробьев A.A., Завадовская Е.К., рассматривая экспериментальные данные по пробою, подметили интересную связь, согласно которой для ионных кубических кристаллов пробивная напряженность при электрической форме пробоя прямо пропорциональна энергии кристаллической решетки. Основываясь на этой закономерности, Воробьев A.A., Завадовская Е.К. [27], предложили теорию пробоя твердых диэлектриков. Они приняли, что электрон, разгоняясь в электрическом поле, набирает кинетическую энергию и при столкновении с решеткой разрушает ее. Однако, как показано в [27], такой механизм пробоя маловероятен.

Тем не менее, эмпирическая зависимость электрической прочности ЩГК от энергии кристаллической решетки существует и требует объяснений.

Экспериментальные данные, полученные в настоящей диссертационной работе, позволяют предложить следующую физическую картину развития пробоя в массивных диэлектрических кристаллах {d > 10-ь20 мкм).

По-видимому, до напряженности пробоя (для NaCl E[W~l,5 MB/см), в кристалле необратимых изменений не происходит. Генерации линейных дефектов, которая наблюдается в микронных слоях ЩГК в более слабых электрических полях (Е~0,8 Епроо), в более толстых слоях и макрокристаллах не наблюдается, так как предел текучести массивных материалов значительно больше.

При достижении Епрао вблизи микроострий на катоде возникают пондеромо-торные силы, достаточные для генерации дислокаций. Микроострие действуя как ммро индентор вызывает частичный сдвиг, при этом генерируются дислокационные полупетли, которые проникают на глубину порядка сотни микрометров (по данным Гилмана и Штауфа [83], Шаскольской с сотрудниками [84]) и соединяются с дислокационной сеткой Франка. Вслед за этим процессом возникает инжекция электронов из катода в этот участок. Протекание тока в глубине диэлектрика и до анодного электрода, вероятнее всего, будет проходить по дислокационным линиям сетки Франка. При этом ток может распадаться на ветви, протекая по предпочтительным направлениям, которыми являются дислокационные линии.

В процессе протекания электронного тока, особенно в прикатодной области, в шнуре тока возникает локальный нагрев, вызывающий термоудар и значительное расширение области переноса заряда, а также еще большее изменение ее свойств (электропроводность, энергетический спектр электронных уровней, ширину запрещенной зоны и др.). Однако, такое изменение происходит не по всей длине, так как ток распадается на параллельные ветви и плотность его в каждой ветви уменьшается. Перенос заряда сопровождается процессами ударной ионизации, поэтому в прианодной области кристалла будет накапливаться ПОЗ, способствующий формированию стримера. Эти процессы будут усиливаться, так как появился отформованный канал в прикатодной области и инжекция в него, а также интенсивность в нем процессов ударной ионизации, увеличатся. Кроме того, увеличится напряженность поля в остальной части слоя вследствие нарастания ПОЗ у анода.

После прохождения стадии формирования стример начнет распространяться к катоду. Как известно, продвижение его сопровождается значительно большими разрушениями кристалла, чем в процессе переноса заряда в прикатодной области. Кроме того, известно, что скорость распространения стримера и сопровождающих его разрушений значительно больше скорости прорастания дефектных участков от катода. Как указывается в [1, 27, 206 и др.], скорость распространения стримера превышает скорость звука.

По-видимому, такая скорость разрушений кристалла обусловлена другими механизмами, чем при разрушениях в прикатодной области, максимальная скорость которых не превышает скорости звука. Вполне возможно, что разрушения, вызываемые стримером, обусловлены механизмом разрыва ионных связей по Роговскому и Горовицу [1], поскольку эффективная напряженность между сформованным каналом у катода и ближайшей к катоду границей стримера может значительно превышать среднюю, или развиваются по механизму электронной детонации [206].

Первая стадия (стадия формирования разряда) заканчивается при соединении проводящих каналов, распространяющихся с катода и анода. Далее начинается стадия собственно пробоя (всплеск тока и выделение значительной энергии в объеме канала). Следует отметить, что все рассматриваемые в макрослоях предпробивные и пробивные процессы быстротечны, протекают практически одновременно и завершаются разрушением образца.

Новой важной информацией, представленной в данной физической картине пробоя, является опережающая роль деградационных процессов кристаллической структуры, возникающих под действием электрического поля. Эти процессы обусловлены механическим и электростатическим действием электрического поля на кристаллическую структуру материала и играют важнейшую роль в возникновении каналов облегченного переноса заряда и центров инжекции электронов из электрода.

Рост концентрации линейных и точечных дефектов на несколько порядков приводит к тому, что электрический пробой происходит уже в каналах с нарушенной кристаллической решеткой, энергетический спектр которой мы не знаем. Но ясно, что зонный энергетический спектр пробиваемого кристалла существенно отличается от исходного.

Таким образом, развиваемые в данной работе научные взгляды показывают, что многие теории пробоя, основанные на представлениях об идеальной кристаллической решетке исследуемого материала, должны быть пересмотрены с учетом того, что структура реального диэлектрика в области развивающегося пробоя значительно отличается от структуры, которую он имел до приложения электрического напряжения.

В связи с этим результаты и обобщения данной диссертационной работы могут играть важную мировоззренческую и методическую роль при проведении теоретических и экспериментальных исследований пробоя ЩГК и других диэлектрических материалов.

Микронные слои ЩГК в этом плане могут служить экспериментальной и теоретической моделью для выявления общих закономерностей предпробивных процессов и пробоя кристаллических диэлектриков.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность и благодарность своим учителям Воробьеву Г.А. и Несмелову Н.С., а также сотрудникам и друзьям - Нефедцеву Е.В., Солдатовой Л.Ю., Дружинину А.П., Свешникову И.В., Мореву С.Н., Милюшиной, М.М., Лебедевой Н И. за большую помощь в выполении этой работы.

1. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей), М.: ГИФМЛ, 1958, 907 с.

2. Иоффе А.Ф.// УФН.-1928.-Т. 8.-С. 141.

3. Вальтер А.Ф., Инге Л. Д.//Электричество. 1930.-Т.6. - 83 с.

4. Иоффе А.Ф.// ЖТФ.-1931.-Т.1.-№4. С. 289.

5. Александров А.П., Иоффе А.Ф.//ЖТФ.-1933.-Т.З.- №1.-С. 32.

6. Александров А.П., Золотарева А.М.//ЖТФ.-1934,-№4.-С. 429.

7. Fauler К. / / Proc. Roy. Soc. А.- 1938. 141. - Р. 56.

8. Френкель Я.И. //ЖЭТФ,- 1938. -№12.-С. 1292.

9. Davisson O.W. / / Progress in Dielectrics. 1959. - Vol. 1. - London, Heywood and Co, Zdt.

10. Caspari M.E.//Phys. Rev. 1955.-98.-P. 1679.

11. П.Воробьев A.A., Воробьев Г.А., Мельников М. А. / / ФТТ. 1960. -Т.2.-№9.-С. 2021.

12. Offenbacher Е. L., Callen H.B. //Phys. Rev. 90.-Р. 401.

13. Hippel A.//Zs. f. Phys.-1931,-T.67.-Р. 707., Т. 68.-Р. 309.

14. Hippel A.//Zs. f. Phys.- 1932. -T.75.-P. 145.

15. Hippel A.//Appl. Phys.- 1937.-T.8.-P. 815.

16. Callen H.B. // Phys. Rev. 1949. - T.76. - №9. - P. 1394.

17. Fröhlich H.//Proc. Roy. Soc. A.- 1937. -T. 160.-P. 230.

18. Ахиезер А., Лифшиц И. //ДАН СССР. 1940. - Т.27. - № 8. - С. 785.

19. Heller W.R. //Phys. Rev.- 1951. Т.84. - Р. 1130.

20. FranzW. / /Zs. f. Phys. 1952. - Т. 132. - Р. 285.

21. Gamashita J., Watanabe M. / / J. Phys. Soc. 1952. - T.7. - P. 334, Progr. Teor. Phys. - 1954. - T.12. - P.443.

22. Чуенков В. А. / / УФН. 1954. - Т.54. - С. 185., Изв. Томск, политехи, инта. - 1956. - Т. 91.-С. 45.

23. Forlani F., Minnaja. N.//Phys. Stat. Sol. 1964.-Т.4. - №2.-Р.311.

24. O'Dwyer J. J.//Phys. andChem. Solids. 1967.-T.28. - №7.-P.1137.

25. Чуенков В. А. / / ФТТ. 1960. - Т. 2. - №5. - С. 799.

26. Чуенков В. А.//ФТТ. 1962.-Т. 4. - №11. - С. 3054.

27. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. 1966. - Изд. «Высшая школа». - 224 с.

28. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. / / Радиотехника и электроника. -1962. Т. 7. - №9. - С.523.

29. Воробьев A.A., Воробьев Г.А., Кострыгин В.А.//Изв. АН СССР, ОТН, Энергетика и автоматика.-1961 .-Т. 2.-С. 62.

30. Воробьев Г. А. Физика диэлектриков, область сильных полей. 1977. -Изд. Томск, гос. ун-та.

31. O'Dwyer J.J. // J. Appl. Phys. 1968. - T.39. -P. 4356, - 1969. - T.48. -P.3887.

32. Klein N., Solomon P. //J. Appl. Phys.- 1976.-T.47.-P. 4364.

33. Вул В .M. / /ЖТФ. 1956. -Т.26. - №11. - С. 2403.

34. Вул В.М., Шотов А.П. //Радиотехникаи электроника. 1956.-Т. 1.-№8.-С. 1080.

35. Вул В.М., Заварицкая Э.И., Давыдова И.В. //ЖТФ. 1963. -Т. 5,-№4.

36. Ditmer B.Z.//Arch. f. El. 1963. - Т.57.-№3.-P.4.

37. Воробьев Г. А., Лисецкая M.H. // ФТТ. 1964. -Т.6. - С. 3493.

38. Лисецкая М.Н.//Изв. вузов МВиССО СССР, Физика. 1965. - №5. - С. 108.

39. Торбин Н.М. II Изв. АН СССР, ОТН, Энергетика и автоматика. 1961. -№1; ФТТ. - 1960. -Т.2. - №10.

40. Баранов A.B., Воробьев Г.А. / / Радиотехника и электроника. -1965. Т.10. - №11. - С. 206.

41. Rose A. / /Phys. Rev. 1955. -Т.97. - P.1538.

42. Воробьев Г. А., Лисецкая М.Н. //ЖТФ. 1966. -Т.36. -№10.

43. Мик Дж., Крэггс Дж. Пробой в газах (пер. с англ.). Изд. - Иностранная литература. - 1960.

44. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. // Радиотехника и электроника. -1962. -Т.7. -№9.-С. 523.

45. Воробьев A.A., Воробьев Г.А., Кострыгин В.А. //Изв. АН СССР, ОТН, Энергетика и автоматика.-1961.-Т. 2,- С. 62.

46. Seitz F.//Phys. Rev.-1949.-T.76. P. 1376.

47. Zener C. //Proc. Roy. Soc. (A) 1934. -T.145. - P.523.

48. Волькенштейн Ф.Ф. //ЖТФ. 1939.-T.9. - С. 171.

49. Fowler R.H. / / Proc. Roy. Soc. (A) 1936. - T.141. -P.56.

50. Френкель Я.И.//Электричество. 1947. - №8. - С.5.

51. Толпы го К. Б. Дискуссии. //Изв. АН СССР, сер. физ. 1958. -Т.22.- С. 383.

52. Горкун Ю.И., Толпыго К .Б.// Изв. АН СССР, сер. физ. 1958. -Т.22.-С. 377.

53. Пекар С.И. / Исследования по электронной теории кристаллов. ГТИ. -1951.

54. Пекар С .И. / / УФН. 1953. - Т.50. - С.197.

55. Вершинин Ю.Н. / Электрический пробой твердых диэлектриков. Изд-во «Наука». - 1968.

56. Кучин В.Д., Шастова А.К. / Теория электрического разрушения диэлектриков. В сб. «Диэлектрики и полупроводники». - Киев. - 1973.

57. Вершинин Ю.Н., Герман В.Г./Пробой твердых диэлектриков при импульсном воздействии напряжения. В сб. «Электрофизические проблемы применения твердых и комбинированных диэлектриков в технике высоких напряжений». - Изд-во «Наука». - Новосибирск. - 1974.

58. Кузнецов Ю.И., Торбин Н.М. //ФТТ. 1969.- Т.П. - №4.-С.951.

59. Вершинин Ю.Н. // ФТТ. 1969. - Т.11. - №3. - С. 836.

60. Вершинин Ю.Н., Зотов Ю. А.//ФТТ. 1975. - Т. 17. -№3.-С. 826.

61. Вершинин Ю.Н., Зотов Ю.А. / / ФТТ. 1975. - Т. 17. - №12. - С. 3487.

62. Onodera Y. / / J. Phys. Soc. Japan. 1968. - V.25, №2. - P. 469.

63. Di Stefano Т.Н., Spicer W. / / Phys. Rev. 1973. - V. B7 - P. 1554.

64. Воробьев A.A., Завадовская E.K. / Электрическая прочность твердых диэлектриков. ГИТТЛ. - 1956.

65. Зельдович Я.Б., Ландау Л.Д. //ЖЭТФ. 1944.-Т. 14.-С.32.

66. Alder B.I., Christian P.H. //Phys. Rev. 1956. -T.104. -P.550.

67. Бриш A.A., Тарасов M.С., Цукерман В. Д. / / ЖЭТФ. 1960. -Т.38. - С.22.

68. Альтшулер Л.В., Кулешова Л.В., Павловский М.Н. //ЖЭТФ.- 1960.-Т. 39.-С. 16.

69. Журков С. Н., Томашевский Э. Е. IIЖТФ. 1955. - Т. 25. - С. 66.

70. Сончик К.К. //Изв АН СССР, сер. физ.- 1958. -Т. 22. -С. 423.

71. Inuishi J., Suita Т. //J. Inst. El. Eng. Japan. 1954. -T.74. -P. 150.

72. Rogowski W. // Archiv fur Elektrotechn. 1928.-T.20.-P.99.

73. Lemhaus F.// Archiv fur Elektrotechn. 1938. - T.32. - №5. - P.281.

74. Weicker W. // E.T.Z. 1926. - T.47. - P.174.

75. Akachira T., Gemantn A.//Arch. f. El. 1933. - T.27.-P.577

76. Кунин Н.Ф., Сенилов Г.В. / В кн. «Труды СФТИ». 1936. - Т.4. -С.132.

77. Соколов A.A./В кн. «Труды СФТИ». 1936.-Т.4.-С.40.

78. Иоффе А.Ф. / Физика кристаллов.-М.-Госиздат. 1929.

79. Воробьев А. А. // ДАН СССР. 1940. - Т.26. - С.8; ЖТФ. - 1956. - 1.26. - С.2.

80. Кучин В. Д. //ДАН СССР. 1957. - Т.114. - С.301.

81. Stark, Hartón//Nature.- 1955. -№4495.-Р.1225.

82. Журков С. H., Нарзулаев Б .H. //ЖТФ. 1953. -Т.23. -С.1677.

83. Gillman 1.1., Stauff D. W.//J. Appl. Phys. 1958.-V.29.-P.120.

84. Шаскольская М.П., Ван-Янь-Вэнь, Ту-Шу-Чжао//ФТТ.-1961.-Т. З.-С. 658.

85. Воробьев А. А.//ДАН СССР. 1934. - Т.З. - С.424.

86. Воробьев A.A. //ДАН СССР. 1940. - Т. 26.-С. 780.

87. Вул Б.М., Гольдман И.М.//ДАН СССР. 1935.-T. 1.-С.363

88. Вальтер А.Ф., Инге Л. Д. / / ДАН СССР. 1934. - Т.2. - С.65.

89. Inuishi J., Suita T.//J. Phys. Soc. Japan. 1954.-Т.9.-Р.431.

90. Hippel A., Alger R.S. //Phys. Rev. 1949.-T.76.-P.127.

91. Першиц Я.Н., Гутман В .И. //Изв. вузов. Физика. 1962. - №4. - С. 123.

92. Шефер Н.И., Бурсиан Э.В.11 Уч. записки Оренбургского гос. пед. ин-та,- 1967. -№21.-С. 180.

93. Розман Г. А.//Изв. вузов. Физика. 1971. - №2.-С. 137.

94. Воробьев Г. А.//ФТТ. 1969.-Т.П. - №10.-С.3033.

95. Воробьев Г.А., Кострыгин В.А., Мурашко Л.Т.//ПТЭ.-1962,-Т.5.-С. 198.

96. Воробьев Г.А., Пикалова И.С.//ПТЭ.-1967.-Т. 1.-С. 198.

97. Кострыгин В.А. / / ФТТ. 1960. - Т. 2. -№8.-С. 1841.

98. Воробьев A.A., Воробьев Г.А., Кострыгин В.А. //Изв.АН СССР, ОТН, Энергетика и автоматика.-1961.-Т. 2.- С. 62.

99. Воробьев A.A., Воробьев Г.А., Кострыгин В.А. //Изв.АН СССР, ОТН, Энергетика и автоматика.-1962.-Т. 4.-С. 66.

100. Cooper R., Rowson C.H., Watson D.B. //Nature.-1963.-T. 197.-P. 4868.

101. Колесов C.H., Гейман Г.И. //Изв. вузов МВиССО, Физика. 1971. -Т. 8.-С. 155.

102. Cooper R., Smith W. A.//Proc. Phys. Soc. 1961.-T. 78.-P. 734.

103. Plessner K.W.//Proc. Phys. Soc. 1948.-T. 60.-P. 339.

104. Weaver C., Macleod J.//Brit. J. Appl. Phys. 1965. - T.16.-№4.

105. Воробьев Г.А., Мухачев В.A. / Пробой диэлектрических пленок. -Изд-во «Сов. Радио». 1977.

106. Воробьев Г.А., Пикалова И.С. //ФТТ.-1969. Т. И. -С. 532.

107. Воробьев Г.А., Лебедева Н.И., Надорова Г.С.//ФТТ.-1971.-Т. 13.-№3. -С. 890.

108. Пикалова И.С. //ФТТ.-1968.-Т. 10.-С. 278.

109. Вальтер А.Ф., Инге Л.Д. / / Изв. АН СССР, сер. физ. 1936. - Т. 4. - 561.

110. Hippel А. / / Phys. Rev. 1938. - Т.54. - №12. - P. 1096.

111. ЗиракВ.Э. //Изв АН СССР, сер. физ. 1971,- Т. 35.-№7.-С. 1340.

112. Конорова Е.А. / / Изв АН СССР, сер. физ. 1960. - Т. 24. - №1. - С. 58.

113. Конорова Е.А., Сорокина Л.А. II Сб.: Физика ЩГК. 1962. - Рига. - С. 377.

114. Воробьев Г.А., Кострыгин В.А., Кострыгина Н.П. / / ФТТ. 1961. - Т. 9. -№3.

115. Баранов А.В., Воробьев Г.А. //Изв. вузов. Физика.-1965.-№ 4.-С. 179.

116. Баранов А.В., Воробьев Г.А.//Радиотехника и электроника.-1965.-Т. Ю.-Вып. 11.-С. 206.

117. Торбин Н.М. / В кн.: Физика ЩГК. 1962. - Рига. - С.370.

118. Cooper R., Elliot С.Т. / / Brit. J. Appl. Phys. Т. 1. - P. 121.

119. Георгобиани A.H. / / Тр. ФИАН СССР. Т. 23. - С. 1.

120. Соколов В.А. / Сб. : Пробой диэлектриков и полупроводников. 1964. -Энергия. - С.353.

121. Георгобиани А.Н., Голубева Н.П. / / ОС. 1962. - Т. 12. - С. 802.

122. Георгобиани А.Н., Солодовникова Е.П. / Тезисы докладов на II совещании по электролюминесценции. Днепропетровск. - 1967.

123. Unger S., Teegarden К. / / Phys. Rev. Lett. 1967. - Т. 19. - P.1229.

124. Paracchini С. / / Phys. Rev. В. Solid. State. 1971. - T.4. - P.2342.

125. Paracchini C. / / Phys. Rev. B. Solid. State. 1973. - T.7. - P. 1602.

126. Paracchini С. / / Phys. Rev. В. Solid. State. 1973. - T.8. - P.848.

127. Параккини К. / / Изв. АН СССР, сер. физ. 1973. - Т. 37. - С. 700.

128. Соколов В.А., ГусароваР.В. / В кн.: Спектроскопия твердого тела. 1969. -№4.-С. 169.

129. Гусарова Р.В. / / Изв. ТПИ. Томск. - 1967. - Т. 162. - С. 166.

130. Paracchini С., Schianchi G. / / Solid State Communs. 1970. - T.8. - P. 1769.

131. Лыскович A.B., Захарко Я.М., Триска Т.И. / / Физическая электроника (Республ. межвед. научн. техн. сб.). - 1975. - Е. 10. - С. 70.

132. Onaka R., Mori H., Shoji J. II J. Phys. Sol. Japan. 1967. - T.23. -P.836.

133. Пологрудов B.B., Мецик B.M., Шуралева Е.И. / / ФТТ. 1976. - Т. 18. - С. 1110.

134. Paracchini С., Schianchi G. / / Phys. Stat. Solid. 1969. - T.36. - №1.

135. Bosi P., Paracchini C., Schianchi G. / / Phys. Stat. Sol (a). 1970. - T.3. - P.679.

136. Воробьев Г.А., Пикалова И.С.//Изв. вузов. Физика,-1966.-№ 6.-C. 158.

137. Пикалова И.С. / Канд. дисс. ТГУ Томск. 1968.

138. Воробьев Г.А., Рамазанов П.Е., Несмелов Н.С., Пикалова И.С. / / Изв. вузов. Физика. 1968. - №5.-С. 116.

139. Воробьев Г.А., Несмелов Н.С. / /ФТТ. 1968. - Т. 10. - С. 3691.

140. Несмелов Н. С .//Изв. вузов. Физика,-1969.-№ З.-С. 135.

141. Лебедева Н.И., Несмелов Н.С.//ФТТ.-1972.-Т. 14.-С. 1282.

142. Дружинин А.П., Несмелов Н.С. //Оптика и спектроскопия.-1981.-№ 51.-С. 301.

143. Дружинин А.П., Лебедева Н.И., Несмелов Н.С. Электролюминесценция КС1-Т1 //Оптика и спектроскопия.-1979.-Т. 47.-С. 917.

144. Дружинин А.П., Несмелов Н.С. Влияние концентрации активатора на среднюю длину свободного пробега электронов в ЩГК между неупругими столкновениями //ФТТ.-1980.-Т. 22.-С. 2181.

145. Несмелов Н.С. Дис. .докт. физ.-мат. наук.-Рига, Саласпилс: ИФТТ АН Латв. ССР. 1980.

146. Etzel H. W., Maurer R. J. / / J. Chem. Phys. 1950. - V.18. - №8. - P. 1003.

147. Пратт П.Л. / / Вакансии и другие точечные дефекты в металлах и сплавах. Сб. научн. статей. -М. 1961. - С. 121.

148. Воробьев A.A. Ионные и электронные свойства щелочногалоидных кристаллов. Т.1. Томск. - 1968. -306 с.

149. Фриауф Р. Дж. Основы теории процессов ионного переноса / / Физика электролитов. Процессы переноса в твердых электролитах и электродах. Сб. научн. статей. M : - Мир. - 1978. - С. 165.

150. Кожогулов О.Ч., Макаров В.П., Шалпыков А.Ш. Примесные дефекты в щелочногалоидных кристаллах. Фрунзе: Илим. - 1984. - 161 с.

151. Sarkozi J., Hartman Е. // Acta Phys. Hung. 1985. - V. 58. - №3-4. - 259.

152. Reddy Kantha В., Nagabhooshanam M. / / Mater. Sei. Lett. 1987. - V.6, №3. -P.289.

153. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. М.: ИЛ. - 1962.

154. Breckenridge R. G.// J. Chem. Phys. 1950. - V. 18, №7. - 913.

155. Haven Y. / / J.Chem. Phys. 1953. - V.21, №1. - P. 171.

156. Мацонашвили Б.Н. / / ЖЭТФ. 1956. - T.31, вып. 6. - С. 1110.

157. Сканави Г.И.Физика диэлектриков (область слабых полей). М.: Гос-техиздат. - 1949.

158. Гектин A.B., Красовицк&я И.М., Серебряный В.О. / / ФТТ. 1988. - Т.30, вып.4. - С.964.

159. Барабошкина Т.К. Электрическое старение нитевидных кристаллов: Дисс. канд. физ.-матем. наук. Кемерово. - 1987. - 164 с.

160. Гегузин Я.Е., Солунский В.И., Резник Л.М. / / ФТТ. Т.7, вып. 3. - С.802.

161. Солунский В.И., Хавкин Е.Л. //ФТТ, 1973.-Т.15, вып. 11.-С.3286.

162. Солунский В.И.//ФТТ. 1983.-Т.25, вып. 5.-С.1548.

163. Солунский В.И. / / ФТТ. 1981. - Т.23, вып. 10. - С.3077.

164. Whithworth R.W. / / Phil. Mag. 1985. - V. 5(A), №6. - P.857.

165. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. - 599 с.

166. Ван Бюрен Дефекты в кристаллах. - М.: ИЛ. - 1962. - 584с.

167. Урусовская A.A. / / УФН. 1968. - Т. 96, вып. 1. - С. 39.

168. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. М.: Наука. - 1981.-643 с.

169. Eshelby I.D., Newey C.W.A, Pratt P.L., Lidiard A.B. / / Phil. Mag. 1958. -V.3, №25. - P. 75.

170. Whithworth R.W. / / Advances in Phys. 1975. - V.24, №2 - P.203.

171. Whithworth R.W. / / Phil. Mag. 1985. - V. 51(A), №6. - P.857-863.

172. Whithworth R.W. / / Phil. Mag. 1967. - V. 15, №134. - P.305.

173. Brissenden S., Gardner I.W., Illingworth I., Kovacevic I., Whithworth R.W. / / Phys. Stat. Sol. 1979. - V.51, №2. - P.521.

174. Yamada T., Ozaki J, Kataoka T. / / Phil. Mag. 1988. - V.58, №2. - P.385.

175. Тяпунина H.A., Коломийцев А.И. / / Кристаллография. 1973. - T. 18, вып. 4. -С. 868.

176. Strumane R., Batist R.D. / / Phys. Stat. Sol. 1963. - V.3, №>8. - P. 1387.

177. Davidge R.W. / / Phys. Stat. Sol. 1963. - V.3, № 10. - P. 1851.

178. Robinson W. H., Clover A. J., Wolfenden A. / / Phys. Status Solidi. 1978. - V. 48(A), №1.-P 156.

179. Brantley W.A., Bauer C.L. / / Phil. Mag. 1969. - V.20, №165. - P. 441.

180. Brantley W.A., Bauer C.L.//Mater. Sei. and Eng. 1969. - V.4, №1.-P. 29.

181. Швидковский Е.Г., Тяпунина H.A., Белозерова Э.П. / / Кристаллография. -1962.-Т.7, вып. 3.-С.471.

182. Загоруйко Н.В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии / / Кристаллография. 1965. - Т. 10, вып. 1. - С.81.

183. Блистанов A.A., Сойфер Я.М., Шаскольская М.П. / / Кристаллография. — 1966. Т. 11, вып. 5. - С.827.

184. Тяпунина H.A., Коломийцев А.И. / / Кристаллография. 1972. - Т. 17, вып. 6. - С.1258.

185. Colombo L., Kataoka Т., Li J.C.M. / / Phil. Mag. 1982. - V. A46, №2. - P.211.

186. Зуев Л.Б., Турчинович Г.Е. / / ФТТ. 1968. - T. 10, вып. 9. - С.2811.

187. ZuevL.B, Sergeev V.P. / /Phys. Stat. Sol. 1981. - V.A63, №1.-P.K119.

188. Загоруйко H.B., Щукин Е.Д. / / Кристаллография. 1968. - Т.13, вып. 5. -С.908.

189. Белозерова Э.П., Светашов A.A., Тяпунина H.A. / / Кристаллография. -1983.-Т.28, вып. 6.-С.1176.

190. Зуев Л.Б., Токмашев М.Г., Сидоров Н.С. / / Физ. и химия обработки материалов. 1971. - Вып. 2, - С.32.

191. Зуев Л.Б., Токмашев М.Г. / / Электрохимия. 1976. - Т.12, вып. 1. - С.106.

192. Зуев Л.Б., Турчинович Г.Е., Гудимова Е.П., Кузнецов В.Е. / / ФТТ. 1970. -Т. 12, вып. 7. - С.2027.

193. Лифшиц И.М., Гегузин Я.Е. / / ФТТ. 1965. - Т.7, вып. 1. - С.62.

194. Зуев JI.Б. Дебаевское экранирование и дислокационные процессы у поверхности кристаллов LiF / / Поверхность. Физика. Химия. Механика -1983.-Вып. 2.-С. 56.

195. Зуев Л.Б., Токмашев М.Г. / / Изв. вузов. Физика. 1974. - Вып. 1. - С. 133.

196. Зуев Л.Б., Сергеев В.П., Рябченко H.H. / / Изв. вузов. Физика. 1979. - Вып. 3. - С.71.

197. Сергеев В.П., Зуев Л.Б. / / ФТТ. 1980. - Т.22, вып. 6. - С. 1766.

198. Сергеев В.П., Зуев Л.Б. / / Изв вузов. Физика. 1980. - Вып. 10. - С. 10.

199. Прудникова Л.А./ / Дисс.канд. физ. мат. наук. - Томск. - 1966. - 182 с.

200. Ивченко Н.Б., Кузнецов Р.И. Изменение дислокационной структуры монокристаллов KCl под действием электрического поля. Свердловск, 1981. -Деп. в ВИНИТИ, № 684 - 82 Деп. - 23 с.

201. Cooper R., Wollace A.A. // Proc. Phys. Soc. 1953. - V.B66, part. 12, №408 B. -P. 1113.

202. Anderson R.A. / / Phys. Rev. 1986. - V. B33, №2. - P 1302.

203. Воробьев Г.А., Пикалова И.С.//ФТТ.-1969.-Т.11.-С. 532.

204. Möstl К.// J. Phys.-1960. -№160. -С. 1;V. D6. -P. 2131.

205. Möstl К.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1974,- V.21,№ 1. -P. 123.

206. Вершинин Ю.Н. Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков. Екатеринбург: УрО РАН. -2000.-258 с.

207. Косцов Э.Г. Детонационный механизм пробоя диэлектрика Сб. тезисов докладов Всесоюзн. научн. конф. «Пробой и электрическое старение». - Баку, 1982.-С. 21-23.

208. Экспериментальные и теоретические исследования электронно-оптических и ионных процессов в тонких монокристаллических слоях NaCl в сверхсильных электрических полях: Отчет о НИР/ Научн. руков. Еханин С.Г. -Томск: ТИАСУР, 1986. № ГР 01830003337. - 58с.

209. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Потахова Л.Ю. Исследование вольт-амперных характеристик микронных слоев каменной соли в сверхсильных электрических полях / / Изв. вузов: Физика. 1989. - Вып.7. - С. 115-117.

210. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.-Л.: ГИФМЛ, 1958.

211. Мусабеков Т.Ю., Сандомирский B.B. Токи в диэлектрике, ограниченные пространственным зарядом. В сб. Вопросы пленочной электроники. М.: Сов. Радио, 1966. -С.83.

212. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. - 222с.2il3. Греков Е.В., Сухоруков О.Г. / / Микроэлектроника. 1986. - Т. 15, №2. -С.135.

213. Tannons С., Yelon A.//J. Appl. Phys. 1988. - V.63. - №1. -Р.224.

214. Many A., Pakavy G. / / Phys. Rev. 1968. - V.126. - №6. - P.1980.

215. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Теория переходного тока в диэлектриках при ограниченном уровне монополярной инжекции. Новосибирск, 1983, Институт автоматики и электромеханики СО АН СССР, Препринт №211. - 41с.

216. Blaise G. / / J. Appl. Phys. 1995. - V.77, №7. - P 2916.

217. Елинсон М.И., Степанов Г.В., Перов П.И., Покалекин В.И. Основные механизмы переноса носителей заряда в пленочных системах. В сб. Вопросы пленочной электроники. - М.: «Сов. Радио». - 1966. - С.5.

218. Купцов A.M., Минаев С.М. Электрический ток, ограниченный пространственным зарядом в нитевидных кристаллах КВг / Кузбас. политехи, ин-т: Кемерово, 1986. 15 с. Деп. в Винити 24.12.86, № 8852-В.

219. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Нефедцев Е.В. Приготовление тонких монокристаллов NaCl методом анизотропного растворения / / ПТЭ. 1986. - №3. -С.225.

220. Солдатова Л.Ю. Дис. .канд. физ.-мат. наук.-ТГУ, Томск 1998.

221. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Кривощеков В.П., Несмелов Н.С. Исследование свечения каменной соли в сверхсильных электрических полях при наличии электронного контакта / / ФТТ. 1970. - Т.12, вып. 5. - С. 1487.

222. Яснопольский Н.Л., Сергейчева Л.Н, Индришенок В.И. Исследование токов в тонких слоях диэлектриков методом электронного контакта. В сб. Вопросы пленочной электроники. - М.: «Сов. Радио». - 1966. - С.407.

223. Арифов У.А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела- Изд. АН. Узб. ССР. 1968.

224. Будылин Б.В., Воробьев A.A. Действие излучений на ионные структуры. -М.: Госатомиздат. 1962.

225. Брюининг Г. Физика и применение вторичной эмиссии. М.: Мир. - 1958.

226. Махов А.Ф. / / ФТТ. 1960. - №9. - 2161.

227. Стародубцев C.B., Романов A.M. Прохождение горячих частиц через вещество. Ташкент: Изд. АН Узб. ССР. - 1962.

228. Фридрихов С.А., Шульман А.Р. Взаимодействие электронов с щелочнога-лоидными кристаллами. В сб. Физика ЩГК. - Рига. - 1962. - С.263.

229. Слуцкая В.В. Тонкие пленки в технике СВЧ. М.: Сов. Радио. - 1967.

230. Серебров П.А., Фридрихов С.А. / / Радиотехника и электроника. 1963. -№8. - С. 1451.

231. Карнаухова Н.М., Упатов В.Я. / / Радиотехника и электроника. 1959. - №3. - С.524.

232. Упатов В.Я. / / Радиотехника и электроника. 1957. - №2. - С.184.

233. Еханин С.Г. Особенности импульсного электронного контакта / / Радиотехника и электроника. 1975. - Т.20, №4. - С.792.

234. Еханин С.Г. Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК / Дисс. .канд. физ.-мат. наук.-Томск: ТГУ, 1974.

235. Martin E.H., Hirsh J./ / J. Appl. Phys. 1972,- V.43. - P.1002.

236. Lindmayer J. / / J. Appl. Phys. 1965. - V.36. - P.196.

237. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Несмелов Н.С. Ударная ионизация в ЩГК / / ФТТ.- 1976.-Т. 18, вып. 1.-С. 192-195.

238. Ведерников В.А., Еханин С.Г., Несмелов Н.С. / / ФТТ. 1970. - Т. 12, в.З. -С.937.

239. НефедцевЕ.В. / Дисс. .канд. физ.-мат. наук.-Томск. : ТГУ, 1990.

240. Воробьев Г.А., Дацко Л.С., Дружинин А.П., Еханин С.Г. и др. Эмиссия горячих электронов из тонких монокристаллических слоев ЩГК. / / ФТТ. -1978.-Т.20, в.4. С.1059.

241. Смирнов В.И. Курс высшей математики, т.2, М.: Наука, 1974.

242. Тамм И.Е. Основы теории электричества. М.: ГИТТЛ. - 1956.

243. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Милюшина М.М., Несмелов Н.С.//ФТТ.-1973.-Т. 15.-С. 2545.

244. Костин Н.Ф., Лубенец C.B., Александров К.С. / / Кристаллография. 1961. -№6. - С.737.

245. Гилман Дж. Источники дислокаций в кристаллах / / Дислокации и механические свойства кристаллов: Сб. науч. работ. М.: ИЛ, 1960. - С.438-455.

246. Орлов Л.Г. О зарождении дислокаций на внешних и внутренних поверхностях кристаллов / / ФТТ. 1967. - Т.9, вып.8. - С.2345-2349.

247. Воробьев Г. А., Лебедева Н.И., Несмелов Н.С. Образование дислокаций в тонких слоях ЩГК под действием электрического поля./ / ФТТ. 1974. -Т.16, №10 - С.3122-3123.

248. Воробьев A.A. Заряженные точечные и линейные дефекты в ионных кристаллах и их перемещения во внешних полях. Томск. - 1981. - Т.2. - 239 с. - Деп. в ВИНИТИ, № 1802-81.

249. Белозерова Э.П. Заряженные дислокации в щелочно-галоидных кристаллах. Кострома, 1985. 104 с. Деп. в ВИНИТИ, № 2520-85.

250. Турчинович Г.Е. Исследование закономерностей движения заряженных дислокаций в ионных кристаллах: Дис. .канд. физ.-мат. наук: Новокузнецк, 1971.- 135 с.

251. Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. - 643 с.

252. Наумов А.Ф. Влияние кристаллографической ориентации и облучения на скорость растворения ЩГК / / Дисс. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1967. -157с.

253. Загоруйко Н.В., Резников Б.А., Тяпунина H.A. Возникновение и движение дислокаций в кристаллах NaCl под действием термоупругих напряжений / / ФТТ, 1966.-Т.8, вып. 1.-С. 166-171.

254. Боярская Ю.С., Грабко Д.З., Кац М.С. Физика процессов микроиндентирования. Кишинев. - 1986. - 294 с.

255. Гилман Дж., Джонстон В., Зарождение и рост полос скольжения в кристаллах фтористого лития / / Дислокации и механические свойства кристаллов: Сб. науч. работ. М.: ИЛ, 1960. - С.82-116.

256. Тяпунина H.A., Белозерова Э.П. Заряженные дислокации и свойства щелочно-галоидных кристаллов / / УФН. 1986. - Т. 156, вып.4. - С. 683.

257. Мартыщенко В.И., Новиков H.H., Ландау А.И. Исследование процесса размножения дислокаций при расширении одиночных полупетель в монокристаллах NaCl//ФТТ. 1981.-Т.23, вып. 8. - С.2298.

258. Веселов В.И., Ничуговский Г.И., Предводителев A.A. Закономерности формирования дислокационной структуры линий скольжения / / Изв. вузов. Физика. 1983. - Вып. 1. - С.65.1. Mj 254

259. Новиков H.H., Руденко O.B. Изучение конфигурации перемещающихся под действием напряжений различной величины и длительности винтовых дислокационных полупетель в ЩГК / / Изв. вузов. Физика. 1980. - Вып. 10. -С.88.

260. Мотт Н., Герни Р. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -М.: ИЛ, 1960.-304 с.

261. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Нефедцев Е.В. О месте появления новых дислокаций при их электрополевой генерации / / Кристаллография 1990. -Т.35, вып. 1. - С.237-238.

262. Физика кристаллов с дефектами / Предводителев A.A., Тяпунина H.A., Зи-ненковаГ.М.,БушуеваГ.В.-М.: МГУ, 1986.-239с.

263. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Нефедцев Е.В. Влияние сильного электрического поля на фундаментальный край оптического поглощения ЩГК / / Изв. вузов. Физика. 1990. - Вып.З. - С. 105-106.

264. Кулик З.С. / / Вестник Львов, ун-та. Сер. физ. 1986. - Вып.20. - С. 33.

265. S е i t z F. //Reviews of Modern Phys. -1951,- V.23, №4. P.328.

266. Blackney R.M., Dexter D.L. / / Phys. Rev. 1954/ - V. 96, №1. - P. 227.

267. Сугаков В.И., Хотяинцев В.П. Влияние дислокаций на форму экситонных полос / / ФТТ. 1974. -т.21, вып. 3. - С. 939.

268. Lipson H.G., Burshtein Е., Smith P.L. / / Phys. Rev. 1955. - V. 99, №2. - P. 444.

269. Chiarotti G. Effecct of lov-temperature plastic deformation upon the optical properties of alkali halides / / Phys. Rev. 1957. - V.107, №2. - P. 381-387.

270. Вишневский B.H., Кулик Л.Н., Романюк H.A. О фундаментальном поглощении дефектных монокристаллов хлористого натрия / / Оптика и спектроскопия. 1969. - Т.27, вып. 4. - С. 696.

271. Вишневский В.Н., Кулик З.С., Кулик Л.Н. Спектры отражения деформированных монокристаллов галогенидов калия и натрия / / ФТТ. 1973. - Т. 15, №5.-С. 2255.

272. Лифшиц И.М., Пушкаров Х.И. Локализованные возбуждения в кристаллах с дислокациями / / Письма в ЖЭТФ. 1970. - Т.11, вып.9. - С. 456-459.

273. Delbeco С., Pringsheim P., Yuster Р. / / J. Chem. Phys. 1951. - V. 19, №5. - P. 574-577.

274. Onaka R., Fujita I. / / Phys. Rev. 1960. - V. 119, №5. - P. 1597-1598.

275. Klick С. Patterson D. / / Phys. Rev. 1963. - V. 130, №6. - P. 2169-2176.

276. LÜty F., Zizelmann W. / / Solid State Commun. 1964. - V. 2, №7. - P. 179-182.

277. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977.-368 с.

278. Вершинин Ю.Н. Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков. Екатеринбург: УрО РАН, 2000. 258 с.

279. Воробьев Г.А., Несмелов Н.С. Электрический пробой твердых диэлектриков //Изв. вузов. Физика. 1979.- Вып. 1. -С.90-104.

280. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. Т.2. М.: Мир, 1984. -368 с.

281. Несмелов Н.С. Электролюминесценция каменной соли / / Изв. вузов. Физи! ка. 1970. - Вып. 5. - С.52-58.

282. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Нефедцев Е.В. Пластические явления в тонких монокристаллических диэлектриках в сверхсильных электрических полях // Ред. журн. «Изв. вузов. Физика».-Томск, 1990.-Деп. в ВИНИТИ 15.03.90, № 1446.

283. Маркова-Осоргина И.Н., Шмурак С.З. Дислокационные экситоны в кристаллах KJ / / ФТТ. 1974. - Т. 16, вып. 10. - С.З 164.

284. Несмелов Н.С. Механизм предпробойной электролюминесценции ЩГК / / Оптика и спектроскопия. 1981. - Т.50, вып. 5. - С.893-899.

285. Попов Л.Е., Ганзя Л.Б., Кобытев B.C. Контактное взаимодействие реагирующих дислокаций и генерирование точечных дефектов / / Изв. вузов. Физика. 1984.-Т.27, №1. - С.56-61.

286. Яворский Б.М., Детлаф A.A. Справочник по физике. М.: Наука, 1964. - 847 с.

287. Арсенин В.Я. Математическая физика. М.: ГРФМЛ - 1966. - 367с.

288. Справочник по специальным функциям / Под ред. М. Абрамовича, И. Сти-ган. М.: Наука, 1979. - 832 с.

289. Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. И.К.Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.

290. Штанько В.Ф., Олешко В.Ф., Инякин В.Н. Пластическая деформация ще-i лочно-галоидных кристаллов, облученных электронным пучком наносекундной длительности / / Физ. и химия обраб. матер. 1988. - Вып. 6. - С. 11-13.

291. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. Теоретическая физика. Т.7. -М.: Наука, 1987.-246с.

292. Судзуки Т. Поверхностные источники и пластическое течение в кристаллах KCl / / Дислокации и механические свойства кристаллов: Сб. науч. работ. -М.: ИЛ, 1960.-С. 151-168.

293. Дружинин А.П., Несмелов Н.С. Определение неравновесной концентрации а-центров в щелочно-галоидных кристаллах по данным электролюминесценции / / Оптика и спектроскопия. 1980. - Т. 49, № 5. -С. 908-911.

294. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Нефедцев Е.В. Температурные зависимости квантового выхода электролюминесценции и деградационные процессы в NaCl / / Изв. вузов. Физика. 1990. -Вып.2. - С.409-412.

295. Эффективность радиационного создания Х~ъ- центров в щелочно-галоидных кристаллах / Нурахметов Т.М., Гиндина Р.И., Осьминин B.C., Эланго A.A. // Труды ИФ АН Эст. ССР. 1977. - Вып. 47. - С. 168-183.

296. Gutmanas E.Y. Dislocation mobility in alkali halide crystals at lov temperatures / / J. Phys. 1976. - Liv.37, Suppl. N 12. - P. C7-595 - C7-600.

297. Лубенец C.B., Остапчук Е.И., Ландау А.И. Подвижность винтовых дислокаций в кристаллах KCl в интервале температур 77-300 К / / ФТТ. -1980. Т. 22, № 9. - С. 2726-2734.

298. Вайсбурд Д.И., Месяц Г.А., Пети Г. Автоэлектронная эмиссия металлических пленок, индуцированная пикосекундными импульсами инфракрасного лазерного излучения / / Изв. вузов. Физика. 1997. -№11.-С.42-44.

299. Краткий справочник фюико-химических величин. Под ред. Мищенко К.П. и Равделя A.A. Л.: Изд. «Химия», 1967.

300. Вершинин Ю.Н. В кн.: Электрофизическая аппаратура и электрическая изоляция. М., «Энергия», 1970.

301. Веденеев В.И., Гурвич Л.В. и др. Энергии разрыва химических связей. По-1 тенциалы ионизации и сродство к электрону. М.: Изд. АН СССР, 1962.

302. Еханин С.Г., Несмелов Н.С. Вольт-яркостная характеристика электролюминесценции NaCl / / Изв. вузов, Физика. 1969. - №12. - С. 149.

303. Еханин С.Г., Несмелов Н.С. Установка для низкотемпературных исследований микронных слоев ЩГК в сверхсильных электрических полях, статья. / /ПТЭ. 1994, N3.- С.182-185.

304. Бонч-Бруевич B.JL, Звягин И.П., Миронов А.Г. / Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Изд. - во «Наука». - 1972.

305. Бенинг П. / Электрическая прочность изоляционных материалов и конструкций. — М.: Госэнергоиздат. 1960. - 216с.

306. Воробьев A.A. Заряженные точечные и линейные дефекты в ионных кристаллах и их перемещения во внешних полях. Томск. - 1981. - Т. 1. - 177 с. - Деп. в ВИНИТИ, № 1802-81.

307. Воробьев A.A. Переходы твердых и жидких тел в газоплазменое состояние. Детонация и взрыв вещества, 1 и 2 части. Деп. в ВИНИТИ, № 1276-79, №1679-79.

308. Chynoweth A.G., Pearson G.L. Effect of dislocations on breakdown in silicon p-n junctions / / J.Appl. Phys. - 1958. - V.29, №7. - P. 1103-1110.

309. Kikuchi M., Tachikawa K. Visible light emisión and microplasma phenomena in silicon p-n junctions. Part. 1 / / J. Phys. Soc. Jap. - 1960. - V. 15, № 5. - P. 835848.

310. Goetzberger A., Stephens C. Voltage dependence of microplasma density in p-n -junctions in silicon / / J.Appl. Phys. 1961. - V.32, №12. - P. 2646-2650.

311. Грахов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n -перехода в полупроводниках. -Л.: Энергия, 1980. 151 с.

312. Чайновет А. Внутренняя автоэлектронная эмиссия / / УФН. 1961. - Т.75, вып. 1.-С. 169-196.

313. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука. 1979. - 343с.

314. Гегузин Я.Е., Солунский В.И. Явление вакансионного пробоя в щелочно-галоидных кристаллах в условиях самодиффузии / / ФТТ. Т. 10, вып. 12. -С.3670-3672.

315. Воробьев А.А., Воробьев С.А. / /Изв. вузов. Физика. 1969. - №3. - С.127.

316. Несмелов Н.С. Механизм предпробойной электролюминесценции ЩГК / / Оптика и спектроскопия. 1981. - Т.50, вып.5. - С.893-899.

317. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно-сибирское книжное издательство, 1977. -208 с.

318. Адирович Э.И. / / Изв. АН СССР, сер. физ. 1960. - Т. 24, вып. 1.

319. Oldham W.G., Antognetti P. An approximate turn-of theory for miniature avalanche diodes. -Phys. status solidi (a), 1975, v. 28.

320. Keil G., Ruge J. Microplasmas in GaAs diodes. J. Appl. Phys. 1965, v. 36.

321. Верман Б.С., Евстропов B.B., Царенков Б.В. Свойства отдельных микроплазм в GaAs р п-структурах. - ФТП, 1971, Т. 5.

322. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой р n-перехода в полупроводниках. - Ленинград: Изд-во «Энергия», 1980. - 150 с.

323. Chynoweth A.G., Pearson G.L. Effect of dislocations on breakdown in silicon p-n-junctions. J. Appl. Phys., 1958, v. 29.

324. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. Изд. Наука, ГРФМЛ, М, 1974.

325. Малиненко В.П., Лалэко А.А., Стефанович Г.Б. Временные характеристики пробоя в исследовании деградационных процессов в тонкопленочном диэлектрике Сб. тезисов докладов Всесоюзн. научн. конф. «Пробой и электрическое старение». - Баку, 1982. - С. 57-58.

326. Dumin D.J. / / J. Electrochem. Soc. 1995. - 142, №4. - S.1272-1277.

327. Keisuke I., Daisuke I., Yoshimichi O. / / Jap. J. Appl. Phus. Pt2. 1995. - 34, № 1. - S.205-211.

328. Jonscer A.K. Dielectric breacdown in solids / / Open Swiches. 1987. - N.Y., Lon., P. 257-272.

329. Harari E. Dielectric breacdown in electrically stressed thin films thermal Si02 / / J.Appl. Phys. 1978. - V.49, № 4. - P. 2478-2489.

330. Krause H. Trap induction and breadown mechanism in Si02 films / / Phys. Status Solidi. 1985. -V. 89 (a), № 1 - P. 353-362.

331. Kein N. Breadown mechanism of thermally grown silicon dioxide at high electric filds / / J. Appl. Phys. -1988. V. 63, № 3. - P. 970-972.

332. Revesz A.G. The defect structure of vitreous Si02 films on silicon. 2. Cannel and network defects in vitreous Si02 // Phys. Status. Solidi. 1980. - V. 57, №2.1.P.657-666.

333. Apte Pushkar P., Saraswat Krishna C. / / IEEE Trans. Electron Devices. 1994. -41, №9. - S.1595-1602.

334. Zeller H.R. Breakdown and prebreakdown phenomena in solids dielectrics / / IEEE Transact. Electr. Insulation. 1987. - VEI - 22, №2. - P. 115-122.

335. Ушаков В.Я., Робежко A.JI. Ефремова Г.В. Закономерности развития разрушения полимеров при длительном нагружении электрическим полем / / ФТТ. 1984. - Т. 26, вып. 1. - С. 45-49.

336. Мецик М.С., Шишелова Т.И., Гладкий Г.Ю. Электропроводность, высоковольтная поляризация кристаллов мусковита месторождений России и Индии Тез. докл. девятой международной конференции «Физика диэлектри1. И1 jков». Санкт-Петербург, 2000, т. 1. - С.50-51.

337. Антифеева Е.Л. Модели переноса заряда в металлооксидных диэлектриках и проблема поиска новых конденсаторных материалов Тез. докл. девятой международной конференции «Физика диэлектриков». - Санкт-Петербург, 2000, т.1. - С.21-22.

338. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Несмелов Н.С. Физика твердых диэлектриков, область сверхсильных электрических полей / / Изв. вузов. Физика. 2000. -Вып.8. - С. 26-35.