Процессы образования и свойства центров люминисценции в щелочно-галоидных кристаллах с примесями элементов IIIA и VIIIB групп тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Термически стимулированные дефекты чистых кристаллов.

1.1. Образование центров люминесценции в результате прогрева чистых щелочно-галоидных кристаллов.

1. 2. Воздействие рентгеновского излучения на термически обработанные кристаллы. 28 1.3. Выводы.

Глава 2. Щелочно-галоидные кристаллы с примесью никеля.

2. 1. Необходимость исследования.

2. 2. Выращивание кристаллов.

2. 3. Зависимость структуры примесных центров от температурной обработки и концентрации примеси.

2.3.1. Общие зависимости поведения спектров в кристаллах.

2.3.1.1. Теоретические предпосылки.

2.3.1.2. Внутрицентровые переходы.

2.3.1.3. Полосы с переносом заряда в необлученных кристаллах.

2.3.2. Полосы поглощения в необлученных кристаллах. Экспериментальные данные.

2.3.2.1. Концентрационные зависимости.

2.3.2.2. Зависимость полос поглощения от обработки кристалла.

2.3.2.3. Спектры люминесценции нерентгенизованных щелочно-галоидных кристаллов с примесью никеля.

2.3.3. Воздействие ионизирующего излучения на кристаллы.

2.3.3.1. Изменения спектральных характеристик кристаллов.

2. 4. Введение никеля в щелочно-галоидные кристаллы методом диффузии.

2.4.1. Электролитический метод.

2.4.2. Термически стимулированная диффузия.

2.4.2.1. Внедрение металлического никеля.

2.4.2.2. Внедрение соли МС12.

2. 5. Выводы.

Глава 3. Примесные центры люминесценции в кристаллах с примесью ртутеподобных ионов.

3.1. Примесные центры в необлученных кристаллах.

3.1.1. Кристаллы с малой концентрацией примеси.

3.1.1.1. Спектры поглощения.

3.1.1.2. Люминесценция ртутеподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах

3.1.2. Концентрационные изменения в спектрах.

3.1.3. Влияние метода введения примеси в кристалл на его свойства.

3.1.3.1. Выращивание кристаллов из расплава.

3.1.3.2. Внедрение примеси в кристаллы методом диффузии.

3. 2. Преобразование примесных дефектов под действием ионизирующего излучения

3.2.1. Центры Ме2+.

3.2.2. Центры Me°Va+.

3.2.3. Стабильные радиационно-созданные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах с примесью ртутеподобных ионов.

3. 3. Мелкодисперсные кристаллы.

3. 4. Выводы.

Глава 4. Применение методов EXAFS - спектроскопии для исследования структуры дефектов в щелочно-галоидных кристаллов.

4. 1. Сущность метода EXAFS спектроскопии.

4. 2. Исследование щелочно-галоидных кристаллов методом EXAFS.

4. 3. Люминесцентные методы регистрации спектров EXAFS.

4.3.1. Флуоресцентная EXAFS - спектроскопия.

4.3.2. XEOL - спектроскопия.

4. 4. Применение люминесцентных методов EXAFS - спектроскопии для исследования щелочно-галоидных кристаллов.

4.4.1. Метод FLEXAFS.

4.4.2. Метод XEOL - спектроскопии.

4. 5. Выводы.

Глава 5. Применение щелочно-галоидных кристаллов для рентгеновской микроскопии

5.1. Использование рентгеночувствительных фосфоров в биологии и медицине.

5. 2. Запоминающие люминофоры для рентгенографии.

5. 3. Использование в рентгенографии щелочно-галоидных кристаллов.

5.3.1. Рентгенолюминофоры.

5.3.2. Радиофотолюминофоры.

5. 4. Способы регистрации люминесцентных изображений.

5. 5. Характеристики полученных изображений.

5. 6. Повышение пространственного разрешения.

5. 7. Другие возможности применения радиофотолюминофоров на основе щелочногалоидных кристаллов.

5. 8. Выводы.

Несмотря на то, что исследования спектральных и структурных характеристик центров люминесценции в щелочно-галоцдных кристаллах продолжаются более полувека, актуальность таких исследований не уменьшается. Это связано, в первую очередь с тем, что примесные и собственные центры люминесценции в таких кристаллах, имеющих простую кубическую решетку и ионный тип связи между атомами, достаточно просто описываются математически. Это позволяет рассчитывать их спектры поглощения и люминесценции и, соответственно, сопоставляя экспериментальные и расчетные спектральные характеристики и дополнительную структурную информацию получать данные, с одной стороны, о пространственной и электронной конфигурации таких центров, а с другой - совершенствовать математический аппарат для дальнейшего применения в случае более сложных систем. Таким образом, щелочно-галоидные кристаллы являются удобными модельными объектами для исследования закономерностей формирования пространственных и спектральных характеристик центров люминесценции в широкозонных диэлектриках.

В то же время, интерес к исследованиям центров люминесценции в таких кристаллах периодически возрастает в связи с появлением публикаций о возможности их практического применения в той или иной области. Впервые такое резкое возрастание возникло вследствие разработки устройств для дозиметрии ионизирующего излучения, затем - появления лазеров на центрах окраски, материалов для записи и хранения информации.

В конце 80-х годов исследования спектральных и структурных характеристик различных рентгенолюминофоров, в том числе и на примесных центрах люминесценции в щелочно- галоидных кристаллах, были стимулированы разработкой новых люминесцентных запоминающих материалов и методов для регистрации изображений, создаваемых рентгеновским излучением (так называемые Image Plates). Такие материалы позволяют фиксировать рентгеновское изображение при помощи центров люминесценции, созданных ионизирующим излучением. Концентрация центров пропорциональна поглощенной дозе. При этом экспонируется сразу весь объект, как при обычном фотографировании, однако изображение получается в скрытом виде. Затем, при помощи специальных устройств считывания, изображение визуализируется. В основе визуализации лежит оптическое разрушение радиационно созданных центров люминесценции. Возникающая при этом рекомбинационная люминесценция регистрируется при поточечном сканировании Image Plates с помощью фотоприемников и, в цифровом виде, передается на компьютер. Полученное цифровое изображение можно исследовать с применением стандартных методов обработки изображений.

Преимуществами таких методов является то, что, наряду с высоким пространственным разрешением (100 мкм), комплекс материал - считывающее устройство имеет динамический диапазон регистрации не менее 105, т.е. позволяет регистрировать одновременно структуру как плотных, так и мягких тканей. Вследствие этого отпадает необходимость изменять энергию кванта и интенсивность рентгеновского излучения для оптимизации условий регистрации. Кроме того, такие материалы имеют чувствительность, на два порядка большую, чем стандартные рентгеновские пленки. Дополнительным преимуществом, по сравнению с рентгеновскими пленками, является многократность использования Image Plates. Изображение легко стирается облучением светом с определенной длиной волны, после чего устройство готово к повторному использованию.

Основной элемент таких устройств рентгеночувствительный экран из композитного кристаллического вещества, например, порошка LiFBr, помещенного в компаунд. Чувствительность к ионизирующему излучению данное вещество приобретает вследствие искусственного введения примесей, изменение зарядового состояния и окружения которых при облучении и дает требуемый эффект. Однако, образующиеся таким образом центры люминесценции нестабильны при хранении и считывании информации. Кроме того, для некоторых применений пространственного разрешения 100 мкм недостаточно. Многие особенности структуры биологических тканей выявляются на более высоком уровне разрешения. Такие свойства Image Plates не соответствуют требованиям рентгеновской микроскопии. Кроме недостаточного разрешения, нестабильность 'люминесцирующих дефектов приводит к тому, что полученные изображения необходимо хранить на носителях информации. Простой расчет показывает, что для записи изображения размером 1x1 см, при пространственном разрешении 1 мкм и динамическом диапазоне регистрации 24000, необходимо 200 Мбайт памяти. Естественно, более приемлемым является хранение изображения на рентгеночувствительном материале и считывания его, или же его участков при необходимости.

Кроме высокого пространственного разрешения и стабильности, желательно, чтобы можно было осуществлять, даже за счет меньшей чувствительности, регистрацию всего изображения одновременно. Регистрация изображения с высоким разрешением последовательным способом, точка за точкой, требует длительного времени. В настоящее 5 время именно данный метод является основным в рентгеновской микроскопии. Исследуемый объект последовательно сканируется узким пучком ионизирующего излучения, выделяемым при помощи точечной диафрагмы. Интенсивность прошедшего через объект пучка регистрируется тем, или иным приемником. Длительное время регистрации, естественно, неприемлемо для исследования живых объектов. Даже, если при этом не увеличивается доза поглощенного рентгеновского излучения. Длительная иммобилизация живого объекта с точностью один микрон - практически нерешаемая задача, что исключает методы высокоразрешающей рентгеновской микроскопии, основанные на поточечном сканировании исследуемого объекта через калиброванное отверстие малого размера.

Следовательно, для использования в рентгеновской микроскопии, необходима разработка новых рентгеночувствительных материалов, параметры которых оптимизированы для данной цели. При этом основное внимание уделяется широкозонным рентгенолюминофорам, обладающим высокой чувствительностью к рентгеновскому излучению.

Перспективным классом таких материалов являются щелочно-галоидные кристаллы с примесями группы железа и ртутеподобными ионами. Известно, что в щелочно-галоидных кристаллах можно создать ионизирующим излучением дефекты, высокостабильные при комнатной температуре. Образованные с помощью таких дефектов изображение можно визуализировать нагревом кристалла, или же облучением в их полосе поглощения. Нами показано, что в таких кристаллах могут создаваться также и новые, не известные ранее высокостабильные центры люминесценции.

Создание высокоэффективных люминофоров невозможно без детального исследования их свойств и процессов, происходящих в них при различных внешних воздействиях. Известно, что свойства люминофоров существенным образом зависят от метода создания кристалла и введения в него примеси. Исследование указанных зависимостей позволяет выявить закономерности формирования и радиофотохимического преобразования центров люминесценции в люминофорах, изготовленных различными способами. Однако, несмотря на многолетнюю историю исследования щелочно-галоидных кристаллов, многие свойства центров люминесценции, а также закономерности их создания и преобразования под воздействием внешних условий остаются неизвестными. В качестве примера можно привести центры, создающиеся в кристаллах в результате их нагрева. Существует множество публикаций, описывающих спектральные характеристики данных центров, влияние на эффективность их создания температурных условий, а также наличия 6 тех, или иных газов. Однако, структура, механизм создания, и даже кинетика образован™ таких центров до сих пор не установлены. В то же время, Такие исследования важны для создания эффективных рентгенолюминофоров, т.к. прогрев кристаллов является практически обязательным этапом их создания или эксплуатации.

Так как основные свойства кристаллофосфоров определяются наличием в них примесных и собственных дефектов, то наибольшее значение и наибольший интерес для исследований имеют процессы, в которых участвуют эти дефекты. Кроме диффузии дефектов по кристаллу, в нем происходят также взаимодействия дефектов между собой и с кристаллической решеткой. Такие интеркристаллические реакции, их закономерности, а также процессы образования в решетке центров - участников данных реакций приводят к изменению спектральных характеристик кристаллофосфоров.

На образование центров люминесценции или же исходных дефектов, приводящих к образованию данных центров, существенное влияние оказывает среда, в которой образуется кристаллофосфор, а также условия его образования. Поэтому для получения требуемых оптических свойств кристалла необходимо изучать закономерности совокупности процессов, приводящих к созданию кристаллофосфора, а также электронную и пространственную структуру образующихся центров, как люминесцирующих, так и не люминесцирующих, но влияющих на свойства кристаллофосфора.

Вследствие этого основными методами исследования оптических характеристик таких кристаллов должны быть структурно-чувствительные методы. При этом основную информацию дает изучение изменений структуры дефектов на основе оптических, электрических и магнитных свойств кристаллов, а химический, рентгеноструктурный и другие методы анализа являются вспомогательными. Причиной этого является малая концентрация центров люминесценции в большинстве кристаллофосфоров. Сложность получения достоверной информации на основе столь ограниченного количества используемых методов вызывает необходимость исследования закономерностей образования центров люминесценции в наиболее простых по структуре кристаллах с целью применения полученной информации в более сложных случаях.

Как отмечалось выше, одним из типов таких «модельных» кристаллов являются щелочно-галоидные кристаллы. Наличие простой кубической решетки, простота получения исходных кристаллов для исследований, разработанный математический аппарат для расчета системы уровней примесных дефектов в таких кристаллах определили их интенсивное изучение в 50-70х годах именно для выявления закономерностей поведения примесных дефектов.

Однако данная простота проявляется только при поверхностном изучении щелочно-галоидных кристаллов. Основным методом их получения является выращивание из расплава, что связано с тем, что многие примесные дефекты, необходимые для придания кристаллам требуемых свойств, невозможно создать при выращивании из раствора. Высокая химическая активность щелочно-галоидных соединений при высокой температуре привела к тому, что многие методы, широко используемые, например, для полупроводников, невозможно применять при создании щелочно-галоидных кристаллов. Такие методы, как выращивание из раствора в расплаве, применение изолирующих слоев расплавленных веществ, твердотельные реакции прокаливанием в плавне приводят, как правило, к непредсказуемым результатам. Это определило три основных метода создания кристаллофосфоров на основе щелочно-галоидных кристаллов: выращивание из расплава, получение монокристаллов методом направленного массопереноса, а также внедрение примеси в кристалл диффузией примеси из паров металла или же соли.

В процессе исследований кристаллофосфоров на основе щелочно-галоидных кристаллов сложилось представление о том, что их спектральные характеристики зависят только от атомного номера введенного химического элемента и его валентности, но метод введения примеси не влияет на спектральные свойства кристаллов. Например, показано, что спектры поглощения, возбуждения, излучения щелочно-галоидных кристаллов, активированных методом диффузии из газовой фазы парами Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, Sb, Cu, Ag, Au, Mn, не зависят от того, применялся ли металлический активатор, или его галоидные соли [1]. Эти спектры практически совпадают со спектральными характеристиками кристаллов, выращенных методом Киропулоса или методом Стокбаргера. Независимо от метода приготовления активирующая примесь встраивается в решетку кристалла в виде ионов ТГ, In+, Ga+, Pb++, Sn++, Ge++ и т.д. В связи с этим, основным методом для создания кристаллофосфоров на основе щелочно-галоидных кристаллов в течение ряда лет был метод внедрения примеси термически активированной диффузией из паров металла или его соли. Несмотря на то, что в настоящее время, как указано выше, применяется, в основном, выращивание щелочно-галоидных кристаллов из расплава с введенной в него примесью, смена метода не сопровождалась публикациями, показывающими различие в свойствах таких кристаллофосфоров.

Однако такое соответствие свойств является совсем не очевидным. Ввиду того, что процессы химического взаимодействия различны в расплаве и на поверхности твердого тела, структура примесных дефектов при выращивании кристалла из расплава и при термически активированном внедрении примеси в чистый кристалл может различаться. При этом различия могут заключаться в валентности, ядерности и пространственной структуре дефектов.

Именно такие различия были показаны нами при изучении динамики создания, преобразования и разрушения радиационно созданных примесных центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах с примесью никеля или индия, приготовленных различными методами. Нами показано, что тип и поведение примесных дефектов в исследованных кристаллах зависит от метода приготовления кристалла. Впервые на основе экспериментальных исследований доказаны различия между выращенными кристаллами и кристаллами, в которые примесь вводилась диффузией из паровой фазы [2, 3]. При этом одна из причин различий заключается в том, что диффузия по местам нарушений структуры кристаллической решетки увеличивает количество центров, ассоциированных с макроскопическими дефектами кристаллической решетки. Нами также обнаружено, что тип примесных центров люминесценции зависит от того, в какой форме вводится примесь (соль или металл, разные типы солей) [4].

Для установления структуры центров люминесценции перспективны методы EXAFS и XEOL спектроскопии. Данные методы представляют несомненный интерес, так как позволяют получать данные о структуре ближайшего окружения исследуемого иона: радиусе конкретной координационной сферы, типу химических элементов, находящихся в данной сфере, а также их количеству, фактору разупорядоченности атомов. Сложность использования EXAFS и XEOL для исследования щелочно-галоидных кристаллов заключается в том, что такие методы, как правило, не избирательны и дают информацию о строении окружение всех атомов химического элемента, а не только о структуре люминесцирующих дефектов. Кроме того, требуются разработки специальных методик, поскольку рентгеновское излучение в процессе регистрации спектра само генерирует дополнительные дефекты.

Таким образом, исследование спектральных характеристик щелочно-галоидных кристаллов, а также закономерностей их изменения при варьировании метода создания кристалла или введения в него примеси, а также при температурном, радиационном, или же каким-либо другом воздействии на кристалл, с одной стороны расширяют Q представления о физике и химии кристаллофосфоров, а с другой - позволяют создать новые материалы для регистрации ионизирующего излучения.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и библиографии, содержащей 258 наименований.

5. 8. Выводы

Полученные результаты показывают, что разработанные и исследованные нами материалы на основе щелочно-галоидных кристаллов могут применяться для регистрации рентгеновских изображений. Их пространственное разрешение равно 1 мкм, динамический диапазон регистрации более 10000. Нижний предел чувствительности, определяемый как свойствами материала, так и приемной системой, имеет величину порядка ЗмкДж/см2. Разработанные среды представляют интерес вследствие высокой разрешающей способности, возможности многократного считывания без разрушения изображения и возможности длительного хранения изображения (до 10 лет в отдельных экспериментах).

Нами показана целесообразность использования бесселевых пучков для возбуждения люминесценции при регистрации глубоких люминесцентных изображений. По сравнению со световыми полями, формируемыми линзовыми системами, в наших экпериментах реализовано равномерное возбуждение люминесценции по всей толщине изображения пучками предельно малых поперечных размеров. В совокупности с параметрами разработанных нами материалов и соответствующей системой регистрации изображения это позволит реализовать устройства для микрорентгенографии с использованием жесткого рентгеновского излучения. В то же время для осуществления регистрации глубоких изображений необходима разработка не только системы для возбуждения люминесценции, но и оптической системы, позволяющей устранить влияние побочных максимумов при сборе возбуждаемого излучения.

Заключение

В результате проведенных исследований и анализа данных, полученных нами и данных других авторов можно сделать заключение, что классическое представление о решетке щелочно-галоидных кристаллов, прогретых при температуре, близкой к температуре плавления, как о неидеальной решетке, не содержащей сложных дополнительных дефектов, в которую могут быть внедрены, например, примесные ионы, неверно. В чистых щелочно-галоидных кристаллах при их прогреве, независимо от того, происходит ли он при выращивании из расплава или же при термической обработке готового кристалла, образуются высокостабильные центры люминесценции. Многокомпонентность реакции их образования свидетельствует о том, что данные дефекты не элементарны. Основная полоса люминесценции лежит в ближней ультрафиолетовой области и не может быть сопоставлена с известными дефектами чистых щелочно-галоидных кристаллов. Создаваемые центры термически и оптически стабильны, однако, при длительном хранении кристаллов, возможна агрегация центров. Ввиду этого наблюдается различие в граничных температурах, при которых возникает эффект: для естественных кристаллов данная граница совпадает с началом термически стимулированной диффузии по объему кристалла, а для выращенных из расплава порядка ] 00-150°С.

Наличие примесей в кристаллах может приводить к их взаимодействию с термически образованными люминесцирующими дефектами, присущими чистым кристаллам. Такое взаимодействие, не меняя спектральные характеристики кристалла, изменяет стабильность термически образованных дефектов и, следовательно, может влиять также и на процессы преобразования примесных дефектов.

Образованные в результате термического воздействия центры люминесценции в чистых щелочно-галоидных кристаллах радиационно неустойчивы. При воздействии на кристалл ионизирующим излучением концентрация данных дефектов уменьшается, однако, в то же время происходит образование центров, люминесцирующих в видимой области. Люминесценция образующихся центров перекрывает практически весь видимый диапазон спектра. Температурная зависимость эффективности их образования аналогична зависимости образования центров люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Образованные дефекты термически стабильны.

Следовательно, при анализе процессов, происходящих в прогретых примесных щелочно-галоидных кристаллах, например, при помощи спектральных характеристик, а также изменения этих характеристик под действием температуры, или же ионизирующего излучения необходимо разделение примесных дефектов, и дефектов, присущих чистым кристаллам, а также взаимодействие этих дефектов между собой.

Структура и свойства примесных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах зависит от метода введения примеси. Показано, что введение примеси в виде металла при выращивании кристаллов из раствора приводит, как правило, к образованию в кристалле наиболее стабильных примесных дефектов (например, In+, Tl+, Ga+ в узле решетки в случае ртутеподобных примесных ионов). Использование для выращивания соли металлов дает менее предсказуемые результаты вследствие протекания сложных процессов взаимодействия соли с расплавом и кристаллом в процессе выращивания. При этом возможно как изменение валентности примесного металла (нами показано, что, при введении в расплав примеси InCk происходит изменение валентности металла от 3 до 1, и в кристалле образуются дефекты, содержащие как ионы In, так и ионы 1п3+). При использовании солей металлов группы железа такие изменения нами не обнаружены, однако использование солей с кислотным основанием, отличным от галоида приводит к образованию в кристаллах дефектов со сложной пространственной структурой (показано на примере соли NiS). При введении примеси в кристалл методом термически стимулированной диффузии, структура образующихся дефектов зависит от соотношения радиусов ионов примеси и катионов кристалла в случае использования примеси в виде металла (продемонстрировано на примере кристаллов КС1-1п и NaCl-In). Использование соли приводит к полностью непредсказуемым результатам: структура образующихся примесных дефектов зависит от используемой соли, температуры прогрева, концентрации примеси в кристалле (показано на примерах солей 1пС1з и NiCh). Неравновесный захват примеси при синтезе мелкокристаллических образцов может приводить к созданию совершенно различных примесных дефектов.

Подтверждена природа полос поглощения, возникающих в ультрафиолетовой области спектра в щелочно-галоидных кристаллах, как полос, обусловленных переносом заряда от иона галоида к двухвалентному иону никеля. При анализе спектральных характеристик таких кристаллов и их изменениях при различных воздействиях (тепловом, воздействии различными излучениями) необходимо учитывать образование в кристаллах с примесью никеля центров, характерных для чистых прогретых кристаллов.

Показано также влияние дополнительных примесей, влияющих на степень дефектности кристалла, на спектральные свойства щелочно-галоидных кристаллов с примесью индия.

В кристаллах с примесью индия, таллия или галлия обнаружены новые, создаваемые ионизирующим излучением, примесные центры, люминесцирующие в видимой области при возбуждении в ультрафиолетовой области спектра. Центры отличаются высокой термической и оптической стабильностью. На основе спектральных, структурных и температурных данных сделан вывод, что данные центры должны иметь структуру (In2+(Hab )а) или близкую к ней.

Впервые разработана методика исследования структуры примесных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах с использованием EXAFS и XEOL спектроскопии. Определена структура примесных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах с примесью индия или никеля: в кристаллах, активированных методом термически стимулированной диффузии из паров соли никеля, примесь образует кластеры из ионов никеля и галоида с минимально возможными расстояниями между ними; в кристаллах, выращенных из расплава с добавлением соли InCh примесь смещается из узла решетки, образуя трехкоординированный комплекс индия с ионами галоида в вершинах треугольников. При помощи данных методов впервые продемонстрирована динамика изменения структуры ближайшего окружения иона никеля под действием ионизирующего излучения.

Впервые также обнаружено необычное поведение спектров XEOL при исследовании ближайшего окружения ионов брома в кристаллах КВт. При повышении дозы поглощенного синхротронного излучения в спектрах наблюдается изменение направления скачка сигнала люминесценции при переходе через край поглощения брома с положительного на отрицательное. Несмотря на высокую скорость изменений, при последовательной регистрации ряда спектров на одном участке кристалла удается фиксировать последовательное уменьшение величины скачка одной полярности и, затем, увеличения - другой. Данный эффект может быть объяснен наличием в кристалле двух типов центров, с сильно перекрывающимися полосами люминесценции. В результате воздействия синхротронного излучения уменьшается концентрация одних центров (преобладающих вначале) при практически неизменной концентрации вторых. Различие в механизмах возбуждения рентгеностимулированной оптической люминесценции приводит к тому, что в спектрах XEOL для одного типа дефектов наблюдается положительный скачок, а для другого - отрицательный. Изменение направления скачка обусловлено относительным изменением концентрации дефектов в процессе облучения кристалла.

Нами показана возможность применения высокочувствительных методов FLEXAFS для установления структуры примесных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при концентрациях примеси порядка 100 ррш, разработаны методики получения спектров для таких концентраций.

Впервые показана возможность, используя метод XEOL, изучать селективно структуру собственных, а не примесных дефектов в кристаллах. Стандартное применение методов EXAFS-спекгроскопин связано с определением или собственной структуры исследуемых веществ, или же усредненных по объему характеристик (например, примесных дефектов). Усреднение по объему приводит к тому, что, при наличии в образце атомов одного типа, но с различным ближайшим окружением, получаемые структурные характеристики характеризуют не структуру конкретных кластеров, а некую усредненную картину. Селективность метода XEOL дает возможность, выделяя для регистрации область люминесценции конкретного центра, получать данные именно о его структуре. Нами впервые показано различие спектров EXAFS чистых кристаллов КВг измеренных с помощью различных методик: прямого поглощения, спектров вторичной рентгеновской люминесценции FLEXAFS, спектров рентгеностимулированной оптической люминесценции (XEOL). Различие этих методик состоит в различных вторичных процессах использованных для получения спектров EXAFS (рентгеновское поглощение и рентгеновская флюоресценция происходят на всех поглотивших первичный квант ионах, а оптическая флюоресценция только на ионах входящих в люминесцирующие дефекты). Из данных XEOL следует, что имеется, по крайней мере, два типа люминесцирующих дефектов. Данные других методов дают интегральную структуру окружения брома в КВг, соответствующую структуре кристалла. Более того, показано, что, при неизменности спектров EXAFS (относящихся к структуре основного соединения), XEOL спектры, дающие информацию о дефектах, изменяются в процессе воздействия синхротронного излучения, что и дает возможность определения динамики преобразования дефектов при облучении. При длительном воздействии в спектрах XEOL чистых кристаллов КВг происходит изменение направления скачка сигнала при переходе через край поглощения брома, связанных с изменением окружения галоида. Такой эффект обнаружен впервые нами.

Также доказано, что разработанные и исследованные нами материалы на основе щелочно-галоидных кристаллов могут применяться для регистрации рентгеновских изображений. Их пространственное разрешение равно 1 мкм, динамический диапазон регистрации более 10000. Нижний предел чувствительности, определяемый как свойствами материала, так и приемной системой, имеет величину порядка ЗмкДж/см2. Разработанные среды представляют интерес вследствие высокой разрешающей способности, возможности многократного считывания без разрушения изображения и возможности длительного хранения изображения (до 10 лет в отдельных экспериментах).

Нами показана целесообразность использования бесселевых пучков для возбуждения люминесценции при регистрации глубоких люминесцентных изображений. По сравнению со световыми полями, формируемыми линзовыми системами, в наших экспериментах реализовано равномерное возбуждение люминесценции по всей толщине изображения пучками предельно малых поперечных размеров. В совокупности с параметрами разработанных нами материалов и соответствующей системой регистрации изображения это позволит реализовать устройства для микрорентгенографии с использованием жесткого рентгеновского излучения. В то же время для осуществления регистрации глубоких изображений необходима разработка не только системы для возбуждения люминесценции, но и оптической системы, позволяющей устранить влияние побочных максимумов при сборе возбуждаемого излучения.

1. Лущик Н.Е., Лущик Ч.Б. Активирование щелочно-галоидных монокристаллов методом диффузии из газовой фазы // Труды ИФ АН ЭССР. I960. - №11. - С.62-79.

2. Кочубей В.И., Конюхова Ю.Г., Гюнсбург К.Е. Люминесцентный метод измерения EXAFS-спектров дефектов структуры щелочно-галоидных кристаллов // Журнал прикладной спектроскопии. 2002. - Т.69. - № 2. - С.229-233.

3. Gyunsbyrg K.E., Zvezdova N.P., Kochubey V.I., Sedova Y.G. Transformation of the luminescent centers in KCl-In crystals under synchrotron radiation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A, 2000, - V.448, - №1-2, - P.483-486.

4. Парфианович И. А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. -Иркутск: Восточно-Сибирское книжное изд-во, 1977. 209 с.

5. Егранов А.В., Раджабов Е.А. Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах,- Новосибирск: Наука. Сиб.отд-ние, 1992. -161 с.

6. Masamitsu Hirai. Formation of color centers in anion-doped crystals // J. Phys. Chem. Solids.- 1990. Vol.51. - № 7. P.737-745.

7. Jain V.K. Behavior of divalent cation impurities in alkali halide crystals // Phys. Stat. Sol. (b).- 1971.-Vol.44.-№ 1,-P. 11-28.

8. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides // Advances in Physics. 1982. - Vol.31. -№ 5. - P.491-551.

9. Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция неорганических кристаллов // Труды ИФ АН ЭССР. 1989. -Т.63.-С.7-18.

10. Williams R.T. Creation of lattice defects in the bulk and at the surface of alkali halide crystals // Radiation Effects and Defects in Solids. 1989. - Vol. 109. - P. 175-187.

11. Williams R.T. Photochemistry of F-center formation in halide crystals // Semiconductors and Insulators. 1978. - Vol. 3,- P.251-283.

12. Williams R.T., Song K.S. The self-trapped exciton II J. Phys. Chem. Solid. 1990. - Vol.51. -№ 7. - P.679-716.

13. Gyunsburg К.Е., Kochubey V.I., Sedova Yu.G., Zvezdova N.P. Investigation of structure of UV luminescence centers in pure alkali halide crystals with SR // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A. 1998. - Vol. 405. - P. 355-358.

14. Andersen Т., Baptista F.L. New oxygen centres in KC1 single crystals // Phys. Stat. Sol. (b). -1971,- Vol.44. № 1. - P.29-38.

15. Моргенштерн 3.JI. Из прений по докладу И. А. Парфиановича // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1949. - Т.13. - № 1. - С.166.

16. Miyake Isao, Futama Hideo. An impurity center in KC1 and NaCI crystals grown in nitrogen gas // J. Phys. Soc. Jap. 1987. - Vol.56. - № 2. - P.833-837.

17. Седова Ю.Г. Исследование процессов образования центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах с примесями индия и никеля: Дисс. . канд. Физ.-мат. наук. Саратов. 1999. - 145 с.

18. Кочубей В.И., Конюхова Ю.Г., Гюнсбург К.Е., Звездова Н.П. Влияние прогрева на спектральные характеристики чистых щелочно-галоидных кристаллов NaCI II Оптика и спектроскопия. 2000. - Т.89. - №4. - С.583-586.

19. Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М: Высш. школа, 1982.-376 с.

20. Шмид Р., Сапунов В.Н. Неформальная кинетика. В поисках путей химических реакций Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 264 с.

21. Власов В.К., Тарасов М.Ю., Тростянецкая О.А. Изменение люминесцентных свойств неорганических материалов при термической обработке // Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1985. - Т.21. - № 1. - С.101-105.

22. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. - 264с.

23. Акилбеков А.Т., Васильченко Е.А., Сармуханов Е.Т., Шунеев К.Ш., Эланго А.А. Радиационное дефектообразование в пластически деформированном КВг // Физика твердого тела. -1991. Т.ЗЗ. - № 3. - С.868-873.

24. Гектин А.В., Дзенис Я.Я., Ширан Н.В. Роль дефектов в фотолюминесценции кристаллов КС1 // Оптика и спектроскопия. 1988. - Т.65. - № 4. - С.921-924.

25. Joshi R.V., Wessly John К. Luminescence of undoped sodium chloride // Acta Crystallographica. 1977. - Vol. A33. - Part 2. - P.344-345.

26. Halperin A., Schlesinger M. Effect of thermal pretreatment on the thermoluminescence of KC1 crystals // Phys. Rev. Second Series. 1959. - Vol. 113. - № 3. - P.762-766.

27. Spicer W.E. Luminescence from sodium chloride // Phys. Rev. Second Series. 1957. - Vol. 106. - До 4. - P.726-732.

28. Rolfe J., Lipsett F.R., King W.J. Optical absorption and fluorescence of oxygen in alkali halide crystals // Phys. Rev. 1961. - Vol. 123. - № 2. - P.447-454.

29. Алексеева Л.А., Закис Ю.Р., Шмит О.А. Оптические свойства щелочногалоидных кристаллов с примесями элементов шестой группы // Физика щелочногалоидных кристаллов. Труды II Всесоюз. совещания 19 -24 июня 1961 г. Рига, 1962. - С.160-163.

30. Borodkina Т.А., Kochubey V.I. Dynamics of luminescence center structure modification in KBr on excitation spectra of optical luminescence by X-ray // Proc. SPIE. 1999. - Vol. 3726. -P.285-287.

31. Brovetto P., Delunas A., Maxia V., Salis M., Spano G. A study of KC1 lattice defects by thermoluminescence experiment // II Nuovo Cimento. 1991. - Vol. 13D. - № 4. - P.485-494.

32. Brovetto P., Delunas A., Maxia V., Salis M., Spano G. A study of KC1 lattice defects by thermoluminescence experiment // II Nuovo Cimento. 1991. Vol.l3D. №4. P.485-494.

33. Андреев Г. А. Распределение двухвалентных примесей при выращивании монокристаллов NaCl // ФТТ. 1965. - Т.7. - Вып.б. - С. 1653-1656.

34. Андреев Г. А., Бурейко С.Ф. Распределение двухвалентных примесей при кристаллизации КС1 из расплава // ФТТ. 1967. - Т.9. -Вып.1. - С.79-82.

35. Гюнсбург К.Е., Звездова Н.П., Кочубей В.И., Седова Ю.Г Радиофотолюминофоры на основе кристаллов NaCl-Ni // Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии. Тез. докл. Всеросс. семинара 3-4 февраля 1998 г. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1998. - С. 49.

36. Kochubey V.I., Gyunsburg К.Е., Zvezdova N.P., Gorin G.B., Sedova Yu.G. Aggregation of impurity in NaCl-Ni crystals // Proc. SPIE. 1999. - Vol. 3726. - P.281-284.

37. K.E. Гюнсбург, Н.П. Звездова, В.И. Кочубей Оптические характеристики щелочно-галоидных кристаллов, активированных ионами никеля // ЖПС. 1995. - Т.62. - № 3. -С.237-240.

38. Кочубей В.И. Перестраиваемый лазер на Fb(II)- центрах окраски // Перестраиваемые по частоте лазеры. Труды V Международной конф. 20-22 сент. 1989 г., Байкал. -Новосибирск, 1990. 4.1. - С.102-104.

39. Андреев Г. А. Взаимодействие примесей в расплаве NaCl // ФТТ. 1967. - Т.9. - № 1. -С.83-87.

40. Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. М.:Мир, 1978. - Т. 1-2.

41. Benedek Ст., Calella J.M., Capelletti R., Breitschwerdt A. // J. Phys. Chem. Solids. 1984. -Vol. 45. -P.419.

42. Цицкишвили К.Ф. Образование фазы Сузуки в системе NaCl-FeCk // ФТТ. 1984. -Т.26. - В.9. - С.2858-2860.

43. Suszynska М., Capeletti R. Thermally-induced depolarization current spectra of NaCl:Ni2+ crystals// ActaPhysicaPolonica A. 1991. - Vol. 80. -№ 1. - P. 129-139.

44. Suszynska M., Capelletti R. Drift of impurities toward dislocations in NaCl:Ni2+ crystals // Matter Chem. Phys. 1993. - Vol. 34. - № 3-4. - P.228-232.

45. Suszynska M., Grau P., Szmida M., Nowak-Wozny D. Correlated studies of Vickers hardness and the yield stress of NaCl crystals doped with Ni2+, Ca2+ and Eu2+ // Mater. Sci. Eng. A. Struct Mater. 1997. - Vol. 234. - P.747-750.

46. Nowak-Wozny D., Suszynska M. Some structure-sensitive properties ofNaCl:Ni2+ crystals // Acta Physica Polonica A. 1992. - Vol. 81. - № 3. - P.419-427.

47. Kanturek J., Suk. К. Поглощение и рассеяние монокристаллов NaCl:Ni // Czechoslovak journal of Physics. Vol. B.12. - № 7. - P.549-554.

48. Andreev G.A., Hartmanova M., Klimov V.A. The relationship between local plastic deformation and precipitation morphology in ionic crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. - Vol. 41. - P.679-685.

49. Andreev G.A., Hartmanova M., Klimov V.A. Precipitation in nickel-doped sodium chloride crystals//Phys. Stat. Sol. (a). 1977. - Vol. 41. - P.679-685.

50. Kanturek J., Suk K. Line scattering images in crystals of NaCl with nickel II // Czechoslovak journal of Physics. 1963. - Vol. В13. - P. 800-809.

51. Machalik В., Suszynska M. Sensitivity of ionic thermocurrent spectra to the presence of divalent nickel in annealed NaCl crystals // Mater. Chem. Phys. 1996. - Vol. 43. - № 1. - P.62-65.

52. G. Kuwabara. E.S.R. Investigation of 3ct Ions in Alkali-Halides // Journal of the Physical Society of Japan. 1971. - Vol. 31. -№ 4. - P. 1074-1084.

53. Зуев Л.Б., Рыбянец В.А., Шебалин А.А. Агрегация примеси в кристаллах NaCl:Ca, стимулированная переменным электрическим полем // ФТТ. 1986. - Т. 28. - № 7. -С.2175-2177.

54. Свиридов Д.Т. и др. Оптические спектры ионов переходных металлов / Д.Т. Свиридов, Р.К. Свиридова, Ю.Ф. Смирнов. М.: Наука, 1976. - 266 с.

55. Современная кристаллография: В 4 т. / Шувалов Л.А., Урусовская А.А., Желудев И.С. и др. М.: Наука, 1981. Т.4: Физические свойства кристаллов. - 496 с.

56. Ливер Э. Электронная спектроскопия неорганических соединений. -М.: Мир, 1987. -Т. 1-2.

57. Sootha G.D. Transition metal impurities in alkali halides. I. Optical absorption of 3d transition metal ions // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. - Vol. 1. - P.363-373.

58. Гинзбург Г.Д., Згадзай Э.А, Троицкая А.Д. Спектры поглощения и магнитная восприимчивость тетракоординационных комплексных соединений никеля (II) // Журнал неорганической химии. 1968. - Т.ХШ. - Вып. 6. - С.1585-1590.

59. Hayes W., Wilkens J. An investigation of the Ni+ ion in irradiated LiF and NaF // Proceedings of the Royal Society, A. 1964. - Vol. 281. - № 1386. - P.340-365.

60. Баличева Т.Г., Лобанова O.A. Электронные и колебательные спектры неорганических и координационных соединений. Л.: Изд-во ЛГУ, 1983. - 120 с.

61. Иванов Н.А., Иншаков Д.В., Олейников Е.А., Хулугуров В.М. Оптические переходы двухвалентного никеля во фториде никеля // ЖПС. 1991. - Т.54. - № 2. - С.331-334.

62. Соболев Л.М., Пензина Э.Э., Мецик В.М., Макушев К.А. Фотолюминесценция монокристаллов LiF-Ni++ // ЖПС. 1983. - Т.38. - Вып. 4. - С.675-677.

63. Reynolds M L., Hagston W.E., Garlick G.F.J. Absorption and infra-red emission of nickel and cobalt doped alkali halides // Phys. Stat. Sol. 1968. - Vol. 30. - № 1. - P.97-103.

64. Кац М.Л., Никольский В.К., Писаревский А.Н., Позняк А.Л., Семенов Б.З. Оптическое поглощение и электронный парамагнитный резонанс в щелочно-галоидных кристаллах, активированных никелем // Оптика и спектроскопия. 1964. - Т. 17. - Вып. 5. - С.734-736.

65. Nasu Т., Asano Y. Electron spin resonance spectra of nickel ion in alkali halide crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1969. - Vol. 27. -№ 1. -P.263.

66. Foldvari I., Voszka R., Morlin Z. The properties of Ni ions in NaCI single crystals. 1. Vacuum ultraviolet, ionic conductivity and X-Ray diffraction studies // Phys. Stat. Sol. (b). -1978. Vol. 89. - P.235-240.

67. Polak K. Absorption of Ni-centres in alkali chlorides // Z. Physik. 1969. - Band 223. - Heft 4. - S.645-648.

68. Nasu Т., Asano Y. Optical absorption spectra of nickel ion in alkali halide crystals in the ultraviolet region // J. Phys. Soc. Jap. 1969. - Vol. 27. - № 1. - P.264.

69. Moskovits M., Hulse J.E. The ultraviolet-visible spectra of diatomic, triatomic, and higher nickel clusters // J. Chem. Phys. 1977. - Vol. 66. - № 9. - P.3988-3994.

70. Rebane L.A., Polak K., Bohun A. Low-temperature photoluminescence of NaCl-Ni crystals // Czechoslovak Journal of Physics. 1975. - Vol. B25. - № 4. - P.479-482.

71. Nowak-Wozny D., Suszynska M., Szmida M., Capeletti R. Optical and dielectrical characteristics ofNaCl:Ni2+ crystals // J. of Materials Science. 1993. - Vol. 28. - P.645-648.

72. Morawska-Kowal Т., Nowak-Wozny D., Suszynska M. Precipitation of nickel dihalide in thermally pretreated NaCl:Ni2+ crystals // Acta Physica Polonica A. 1994. - Vol. 86. - № 3. -P.363-368.

73. Шамовский Л.М., Максимова Н.Д. Исследование свойств фосфора NaCl-Ni // Физика щелочногалоидных кристаллов. Труды II Всесоюз. совещания 19-24 июня 1961 г. Рига, 1962. - С.206-210.

74. Shengelaya A., Drublis Н., Macalik В., Suszynska М. Low temperature ESR spectra of nickel-doped NaCI crystals // Z. Phys. B. 1996. - Vol. 101. - P.373-376.

75. Парфианович И.А. Люминесценция NaCl-Ni-фосфора, возбужденного рентгеновыми лучами // Известия АН СССР, серия физическая. 1949. - Т. Х1П. - № 1. - С. 161-165.

76. Парфианович И.А., Шуралева Е.И. О влиянии активатора на устойчивость центров F // Оптика и спектроскопия. 1958. - Т. VII. - Вып. 4. - С. 518-523.

77. Парфианович И.А., Шуралева Е.И. Исследование деталей механизма свечения фосфоров NaCl-Ni // Известия высших учебных заведений, Физика, 1961. - № 1. - С. 9497.

78. Шамовский Л.М. Рентгенолюминесценция фосфора NaCl(Ni) // Оптика и спектроскопия. 1967. - Т. ХХП. - Вып. 3. - С. 439-442.

79. Парфианович И.А., Шуралева Е.И. Об особенностях механизма затухания оптической вспышки //Известия АН СССР, серия физическая. 1961. - Т. XXV. - № 1. - С.38-42.

80. Парфианович И.А., Яровой П.Н. Природа инерционности фотостимулированной люминесценции кристаллофосфора NaCl-Ni // Известия АН СССР, серия физическая, -1971. Т. XXXV. - № 7. - С.1316-1319.

81. Парфианович И.А. Об активаторных уровнях захвата электронов в NaCl-Ni-фосфоре // Оптика и спектроскопия. 1959. - Т. VI. - Вып. 2. - С.189-193.

82. Кац М.Л. Поглощение и свечение активаторных центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах // Известия АН СССР, серия физическая. 1962. - Т. XXVI. - № 4. -С.506-551.

83. Кац М.Л., Семенов Б.З. Атомарные центры никеля в фосфорах NaCl-Ni // ДАН СССР. -1956. Т.106. - № з. . с. 415-418.

84. Кац М.Л., Семенов Б.З. Поглощение и свечение активаторных центров щелочногалоидных кристаллофосфоров, активированных никелем // Физика щелочногалоидных кристаллов. Труды П Всесоюз. совещания 19-24 июня 1961 г. Рига, 1962. - С. 191-193.

85. Ishiguro М., Okuno Т., Ueda A. Mem. Inst. Sci. Industr. Res. Osaka Univ., 13, 69, 1956.

86. Kochubey V.I., Sedova Yu.G. Effect of plastic deformation on spectral characteristics of alkali halide crystals doped with indium or nickel ions // Proc. SPIE. 2000. - Vol. 4002. -P.225-230.

87. Парфианович И.А., Шуралева Е.И. Об особенностях люминесценции и структуры некоторых щелочно-галоидных фосфоров // Известия АН СССР, серия физическая. 1962. - Т. XXVI. - № 4. - С.497-505.

88. Гурвич Л. В. Энергии разрыва химических связей. -М.: Наука, 1974. 254 с.

89. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов,- М,: Мир, 1969. 654 с.

90. Лущик Ч.Б., Лущик Н.Е., Соовик Т.А., Пиногорова Л.А., Яансон Н.А. Поверхностноактивированные сцинтилляторы // Труды ИФА АН ЭССР. 1966. - Т.31. -С.160-182.

91. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова.-М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

92. Лущик Н.Е., Маароос А.А., Никифорова О.А., Фрорип А.Г., Яансон Н.А. Кристаллы КС1, RbCl, КВг повышенной чистоты и совершенства // Труды ИФ АН ЭССР. 1987. -Т.61. -С.7-32.

93. Парфианович И.А., Шипицын С.А. О проникновении ионов никеля в каменную соль //ЖЭТФ. 1937. - Т.7. - Вып.4. - С.556-562

94. Парфианович И.А., Шуралева Е.И. Роль структурных дефектов в свечении NaCl-Ni фосфоров // Физика щелочногалоидных кристаллов. Труды II Всесоюз. совещания 19-24 июня 1961 г. Рига, 1962. - С.206-210.

95. Bauer R., Differt K., Schwan L. Analytical Hartree-Fock solution for ground states and exctited states of ions of In, Sn, and Tl, with applications to impurity centres in KC1 // Semiconductors and Insulators. 1977. - Vol. 2. - P.217-226.

96. Jacobs P.W.M. Alkali halide crystals containing impurity ions with the ns2 ground-state electronic configuration //J. Phys. Chem. Solids. 1991. - Vol. 52. -№ 1. -P.35-67.

97. Casaboni M., Francini R., Grassano U.M., Musilli C., Pizzoferato R. Two-photon absorption in I<Br:In+ and NaBr.Tf // Radiation Effects. 1983. - Vol. 73. - P.7-12.

98. Тале A.K. О внутрицентровой люминесценции ЩГК, активированных индием // Радиационная физика VI: Сб. статей. Рига: Зинатне, 1970. - 224 с.

99. Fukuda A. Structure of the С Absorption Band of Tl+ Type Centers in Alkali Halides Due to the Jahn-Teller Effect // Journal of the Physical Society of Japan. - 1969. - Vol. 27. - № 1. -P.96-108.

100. Tyagi R.C., Sethi V.C. Dependence of Impurity Absorption Bands on Lattice Parameters in Alkali Halide Crystals // Physica Status Solidi (b). 1974. - Vol. 65. - № 2. - P. K123-K127.

101. Leutz H., Muuss H. Absorptions- und Emissionsspektren einfach und mehrfach aktivierter Kaliumbromidphosphore //Zeitschrift furPhysik. 1959. -B. 155. - S.531-546.

102. Алыбаков А.А., Губанов В.А., Полыба А Н., Эсенбаева К. Оптические спектры 1п+-центров в кристалле NaF // Оптика и спектроскопия. -1991. Т.70. - JSr5 2. - С.481-483.

103. Зазубович С.Г., Хижняков В.В. Поляризованная люминесценция и новая модель ртутеподобных центров в ионных кристаллах // Известия АН СССР. 1985. - Т.49. - № 10. -С. 1874-1879.

104. Bragina L., Hizhnyakov V., Liidya G., Soovik Т., Zazubovich S., Janson N. Effect of Magnetic Field on te Decay Kinetics and Polarization of the AT Emission of KC1:T1 and KI:In Crystals at 0.4 to 0.7 К // Phys. Stat. Sol. 1983. - Vol. 120. - P.463-470.

105. Кристофель H.H. О причине неэлементарности А-полос центров люминесценции типа КС1-Т1 //Оптика и спектроскопия. 1967. - Т.22. - В.1. - С.74-80.

106. Trinkler M.F. Zolovkina I.S. A-Luminescence of Alkali Halides Activated by Monovalent Mercury-Like Ions//Phys. Stat. Sol. (b). 1977. - Vol. 79. -P.49-58.

107. Зазубович С.Г. Исследование структуры возбужденных состояний ртутеподобных центров в кубических кристаллах методом поляризованной люминесценции // Известия АН СССР, серия физическая. 1982. - Т.46. - № 2. - С.273-279.

108. Boulon G. Spectroscopy of post-transition metals // Spectroscopy of Solid State Laser-Type Mater. Proc. Course, Erice, June 16-30. 1985,-New York, London, 1987. - P.223-266.

109. Ranfagni A., Mugnai D., Bacci M. The optical properties of thallium-like impurities in alkali-halide crystals // Advances in Physics. 1983. - Vol. 32. - № 6. - P.823-905.

110. Зазубович С.Г., Нагирный В.П., Соовик Т.А. Поляризованная люминесценция примесных центров в кристаллах // Известия АН СССР, серия физическая. 1988. - Т.52. -№ 4. - С.674-679.

111. Хижняков В. О причинах нецентральности возбужденных ртутеподобных центров люминесценции//Изв. АН Эстонии, Физика Математика. 1990. - Т.39. - № 2. - С. 113-117.

112. Пологрудов В.В., Карнаухов Е.Н. Кинетика затухания фотолюминесценции щелочно-галоидных фосфоров // ФТТ. 1989. - Т.31. - В.2. - С.179-186.

113. Пологрудов В.В., Карнаухов Е.Н. Механизм внутреннего фотоэффекта в щелочно-галоидных кристаллах при возбуждении примеси // ФТТ. 1985. - Т.27. - В.5. - С. 13801386.

114. Tsuboi Т., Jacobs P.W.M. Optical studies of s2-ion dimer centers in alkali halide crystals // J. Phys. Chem. Solids. -1991. Vol. 52. - № 1. - P.69-80.

115. Ermoshkin A., Evarestov R., Gindina R., Maaroos A., Osminin V., Zazubovich S. Monovalent Mercury-Like Ion Dimer Centres in Alkali Halide Crystals // Phys. Stat. Sol. (b). -1975. Vol. 70. - P.749-757.

116. Tsuboi T. Geometrical structure of (Tl+)2 luminescent center in alkali halides: Presence of D2h and D4h dimer centers // Physical Review B. 1984. - Vol. 29. - № 2. - P.1022-1029.

117. Ermanis Yu.A., Radchenko I.S. Light Extinction by Colloidal Thallium in Ionic Crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1985. - Vol. 127. -P.287-298.

118. Kamishina Y., Matsushima A., Fukuda A. Importance of pseudo-Jahn-Teller effect in the excited state for (TI+)2 type centers in alkali halides // Journal of Luminescence. 1984. - № 31&32. -P.323-325.

119. Зазубович С.Г. Эффект Яна-Теллера и поляризованная люминесценция в щелочногалоидных кристаллах, активированных индием // Труды ИФ АН ЭССР. 1970. -№38. - С. 144-162.

120. Алыбаков А.А., Губанова В.А., Коляго С.С., Полыба А.Н. Спектроскопическое исследование кристаллов NaF, активированных таллием // Оптика и спектроскопия. -1989. Т.66. - В.З. - С.604-607.

121. Atkinson A.W., Chadwick J.R., Kinsella Е. Studies of some indium-chloride compounds // J. Inorg. Nucl. Chem. 1968. - Vol: 30. - P.401-408.

122. Chadwick J.R., Atkinson A.W., Huckstepp B.G. Phase studies of the In-Cl and Ga-I systems // J. Inorg. Nucl. Chem. 1966. - Vol. 28. - P. 1021-1026.

123. J Clarke J.H.R., Hester R E. Vibrational Spectra of Molten Salts. VI. Raman Spectra of Indium Trichloride-Alkali-Metal Chloride Mixtures // The Journal of Chemical Physics. 1969. -Vol. 50. -№ 7. - P. 3106-3112.

124. Чатова В.JI., Морозов И.С. Система InCb-FeCh-NaCl //Журнал неорганической химии. 1968. -Т.13. -В.6. - С. 1645-1648.

125. Срывцев В.А., Петров Е.С. Физико-химическое изучение систем InCb-MeCl // Изв. Сибирского отделения АН СССР, серия химических наук. 1968. - № 4. - В.2. - С.67-72.

126. Федоров П.И., Малова Н.С., Петрова Г.К., Воробьева Г.В. Взаимодействие низших хлоридов индия с хлоридом и хлориндатами калия // Журнал неорганической химии. -1975. Т.20. - В.З. - С.637-640.

127. Федоров П.И., Малова Н.С., Воробьева Г.В. Взаимодействие низших хлоридов индия с хлоридами лития и натрия // Журнал неорганической химии. 1971. - Т. 16. - В.9. -С.2598-2599.

128. Van der Vorst C.P.J.M., Verschoor G.C., Maaskant W.J.A. The Structures of Yellow and Red Indium Monochloride// Acta Cryst. 1978. -B34. -P.3333-3335.

129. Van der Vorst C.P.J.M., Maaskant W.J.A. Stereochemically Active (5s)2 Lone Pairs in the Structures of a-InCl and p-InCl // Journal of Solid State Chemistry. 1980. - № 34. - P.301-313.

130. Лущик H.E. Исследование центров люминесценции в NaCI-фосфорах, активированных ртугеподобными ионами // Труды ИФ АН ЭССР. 1959. - № 10. - С.68-96.

131. Абдусадыков Т.А. Исследование центров люминесценции в щелочно-галоидных фосфорах с разными концентрациями активатора и микродефектов основной решетки. 1. Фосфоры, активированные таллием // Труды ИФ АН ЭССР. 1959. - № 10. - С.97-121.

132. Абдусадыков Т.А. Исследование центров люминесценции в щелочно-галоидных фосфорах с разными концентрациями активатора и микродефектов основной решетки. II.

133. Фосфоры, активированные индием, оловом и свинцом // Труды ИФ АН ЭССР. 1959. - № 10. -С.122-134.

134. Кнаб Г.Г., Урусовская А.А. Механические и эмиссионные свойства LiF с индием, введенным путем диффузии // Кристаллография. -1972. Т.17. - В.4. - С.828-832.

135. Konyukhova Yu.G., Kochubey V.I., Gyunsburg K.E., Zvezdova N.P. Effect of surface implantation of impurities on LiF crystal luminescence spectra // Proc. SPIE. 2001. - Vol. 4243. - P.212-215.

136. Манкин О.Г. О диффузии ионов таллия в монокристаллах йодистого калия // Труды ИФ АН ЭССР. 1966. - № 31. - С. 183-189.

137. Черняк В.Г., Плявинь И.К. Передача энергии в ЩГК, активированных ртутеподобными ионами//Радиационная физика VI: Сб. статей. Рига: Зинатне, 1970. - С.93-162.

138. Власов Г.И., Калныньш Р.А., Нагли Л.Е., Объедков В.П., Плявинь И.К., Тале А.К. Некоторые физические явления в активированных щелочно-галоидных кристаллах и возможности оптической обработки информации // Автометрия. 1980. - № 1. - С.66-84.

139. Витол И.К., Грабовскис В.Я, Зазубович С.Г., Лущик Ч.Б. Ионизация 1п+ и ТГ -центров в кристаллах КС1 и КВг межузельными атомами галоида // ФТТ. - 1972. - Т. 14. -Вып.4. - С. 1044-1049.

140. Nagli L.E. F-Centres in КС1-Т1 Crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1985. - Vol. 127. - P.319-326.

141. Калнинь А.Э., Плявинь И.К., Тале A.K. Увеличение эффективности низкоэнергетического экситонного создания F- In " центров в KBr-In при облучении в С-полосе поглощения // Изв. АН Латв. ССР. - 1987. - № 1. - С.47-55.

142. Осьминин B.C., Завт Г.С., Зазубович С.Г., Нийлиск А.И. Переходы с переносом заряда в Tl~ -, In и центрах // Известия АН СССР, серия физическая. - 1974. - Т.38. - № 6. - С.1235-1237.

143. Луканцевер Н.Л. О «нижней» и «верхней» ионизации центров люминесценции в кристаллах КС1, активированных индием и таллием // Труды ИФ АН ЭССР. 1970. - № 38. - С.85-102.

144. Саломатов В. О возможности замещения примесным катионом анионов в щелочногалоидных кристаллах // Известия Академии наук Эстонской ССР, Физика Математика. 1972. -Т.21. -№ 1. - С. 113-115.

145. Ашимова С., Усаров А.С. Поляризованная люминесценция Нд(1п+)- центров в KCl-In и KBr-In // Оптика и спектроскопия. 1987. - Т.63. - Вып.5. - С. 1054-1057.

146. Aceves R., Barboza Flores М., Nagirnyi V., Peres Salas R., Usarov A., Zazubovich S. Luminescent Associates of Indium Ions with Interstitials and Vacancies in an X-Irradiated KCLIn Crystal // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. - Vol. 195. - P.439-450.

147. Lukantsever N., Osminin V., Zazubovich S. Polarized Luminescence of In++ and In++Vc"

148. Centres in KCl:In Crystals // Phys. status solidi (b). 1972. - Vol. 50. - P.771-783.

149. Горин Г.Б., Гюнсбург K.E., Голубенцева Л.И., Звездова Н.П., Кац М.Л. Спектральные характеристики центров In°Va+ в ЩГК // Тез. докл. XX съезда по спектроскопии. Киев, 1988. -С.78.

150. Горин Г.Б., Гюнсбург К.Е., Голубенцева Л.И., Звездова Н.П., Кац М.Л. Центры In°Va+ в кристаллах КС1-1п // Оптика и спектроскопия. 1990. - Т.68. - Вып.6. - С. 1337-1339.

151. Баранов П.Г., Храмцов В.А. ЭПР центров индия и галлия в щелочно-галоидных кристаллах // Физика твердого тела. 1979. - Т.21. - Вып.5. - С.1455-1461.

152. Rogulis U., Tale I., Hangleter Th., Spaeth J-M. The photostimulation process in the X-ray storage phosphor KBr:In // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. - Vol. 7. - P.3129-3137.

153. Баткалова Н.Б., Бейлинсон M.M. Электронные центры окраски в облученном KBr-In // Взаимодействие нейтральных и заряженных частиц с веществом: Сб. статей. Алма-Ата: Каз. пед. ин-т, 1990. - С. 12-15.

154. Ahlers F.J., Lohse F„ Spaeth J.M. ODMR study of Tl° centers in KC1 // Radiation Effects. -1983. Vol. 73. - P. 19-24.

155. Баранов П.Г., Данилов В.П., Жеков В.И. Мурина Т.М., Нагли Л.Е., Прохоров А.М. Образование центров окраски в кристаллах КС1:1п и NaCl:In // ФТТ. 1981. - Т.23. - Вып.6. - С.1829-1831.

156. Jaek I., Kink М. Tl° and In0 Centers in KC1 Crystals //Phys. status solidi (b). 1973. - Vol. 56. - P.375-380.

157. Асеев Г.И., Горин Г.Б., Гюнсбург К.Е., Звездова Н.П., Кац М.Л. Наведенные люминесценция и поглощение в ЩГК, активированных ртутеподобными ионами // Люминесценция молекул и кристаллов. Тез. конф. ЛМК-87. Таллин, 1987. - С.87.

158. Горин Г.Б., Гюнсбург К.Е., Звездова Н.П., Кочубей В.И. Запись информации на кристаллах КС1-1п // Ж. научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1991. -Т.36.-№4.-С.326-327.

159. Гюнсбург К.Е., Горин Г.Б., Голубенцева Л.И., Звездова Н.П. Наведенная люминесценция в кристаллах KCl-In, NaCl-In // Физика, химия, технология люминофоров. Тез. докл. VI Всес. Совещания. Ставрополь, 1989. - 4.2. - С. 112.

160. Gynsburg К.Е., Gorin G.B., Kochubey V.I., Zvezdova N.P. Material for Optical Information Recording Based on Alkaly Halide Crystals // Optical Memory and Neural Networks. 1994. - Vol. 3. - № 4. - P. 395-397.

161. Горин Г.Б. и др. Люминесценция облученных кристаллов КС1-1п / Г.Б. Горин, К.Е. Гюнсбург, Л.И. Голубенцева, Н.П. Звездова. Деп. в УкрНИИНТИ 10.03.87. №932-Ук87.

162. Лущик Н.Е., Лущи к Ч.Б. О моделях центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллофосфорах // Труды ИФА АН ЭССР. 1957. - Т.6. - С.5-62.

163. Лущик Н.Е. Щелочно-галоидные фосфоры, активированные индием // Труды ИФА АН ЭССР. 1957. - Т.6. - С. 149-168.

164. Нагли К.Т. Механизм создания и кинетика люминесценции 1п+ и 1п++ центров в кристаллах КС1-1п// Оптика и спектроскопия. 1974. - Т.37. - Вып.5. - С.949-953.

165. Casalboni М. Electronic properties of lattice defects studied with synchrotron radiation // Radiation Effects and Defects in Solids. 1991. - Vol. 119-121. - P. 189-208.

166. Soldatov A.V., Ivanchenko T.S., Stekhin I.E., Bianconi A. X-ray absorption fine structure investigation of the ionic compounds NaBr, KBr and RbCl: full multiple-scattering analysis // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. - № 5. - P. 7521-7528.

167. Soldatov A.V., Ivanchenko T.S., Stekhin I.E., Bianconi A., Ingalls R. X-ray absorption fine structure investigation of the high pressure phase of KBr and RbCl // Phys. Stat. Sol. (b). 1994. -Vol. 184. -P.237-245.

168. Stekhin L.E., Soldatov A.V., Ingalls R. Local symmetry influence on the formation of X-ray absorption near edge structure in KBr and RbCl // Physica B. 1995. - № 208-209. - P.286-288.

169. Goulon J., Goulon-Ginet C., Cortes R., Dubois J.M. On experimental attenuation factors of the amplitude of the EXAFS oscillation in absorption, reflectivity and luminescence measurements // J. Physique. 1982. - Vol. 45. - P.539-548

170. Murata Т.; Matsukawa Т.; Naoe S. Na K-XANES and EXAFS studies in sodium halides // Physica B. 1989. - Vol. 158. - № 1-3. - P.610-612.

171. Кочубей Д.И., Баранов Ю.А., Замараев К.И. и др. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел. EXAFS спектроскопия. - Новосибирск: Наука, 1988. - 306 с.

172. Кочубей Д.И. EXAFS спектроскопия катализаторов. - Новосибирск: ВО «Наука». Сибирская издательская фирма, 1992. - 145 с.

173. Vaarkamp М., Dring I., Oldman R.J., Stern Е.А., Koningsberger D.C. Comparison of theoretical methods for the calculation of extended x-ray-absorption fine structure // Phys. Rev. B. 1994. - Vol.50. -№ 11. - P.7872-7881.

174. Boyce J.B., Mikkelsen J.C. Local structure of ionic solid solutions: Extended x-ray absorption fine-structure study // Phys. Rev. B. 1985. - Vol. 31. - № 10. - P.6903-6905.

175. Cation C.R.A., Chadwick A.V., Greaves G.N., Moroney L.M. EXAFS studies in crystalline ionic solids//Cryst. Latt. Def. And Amorph. Mat. 1985. - Vol. 12. - P. 193-211.

176. Levy P.W. Radiation damage on non-metals utilizing measurements made during irradiation//J. Phys. Chem. Solids. 1991. - Vol. 52. -№ 1. - P.319-349.

177. Bianconi A., Jackson D. Intrinsic luminescence excitation spectrum and extended x-ray absorption fine structure above the К edge in CaF2 // Phys. Rev. B. 1978. - Vol. 17. - № 4. -P.2021-2024.

178. Murata Т., Jiang D.T., Sham Т.К., Feng X.H., Frigo S.P. Optical luminescence yield spectra of KC1: T1 produced by CI K- and К K-edge excitations // J. Electron Spectrosc. Relat. Ph. 1996. - Vol. 79. - P. 155-158.

179. Kochubey V.I., Bashkatova T.A., Kochubey D.I. Alteration of EXAFS spectrum structure of KBr crystals resulting from a change of registration method // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A. 2001. - Vol. 470/1-2. - P. 323-326.

180. Запысов A.JI., Танеев А.С., Изранлев И.М. и др. Коэффициенты ослабления рентгеновского излучения. Методические рекомендации. Л.: ЛНПО Буревестник, 1975. -134 с.

181. Rogalev A., Goulon J. Potentialities and limitations of the XEOL-XAFS technique // J. Phys. IV". 1997. - Vol. 7. № C2. - P.565-568.

182. Goulon J., Tola P., Lemonnier M., Dexpert-Ghys J. On a site-selective EXAFS experiment using optical emission // Chemical Physics. 1983. - № 78. - P.347-356.

183. Frentrup A., Schroder D., Manzke R. Correction of self absorption on XAS measurements in fluorescence mode // J. Phys. IV. 1997. - Vol. 7. - № C2. - P.509-510.

184. Troger L., Arvanitis D., Baberschke K., Michaelis H., Grimm U., Zschech E. Full correction of the self-absorption in soft-fluorescence extended x-ray-absorption fine structure // Phys. Rev. B. 1992. - Vol.46. - № 6. - P.3283-3289.

185. Murata Т., Harada K., Emura S., Morgia Т., Nomura M., Bauchspiess K.R., Maeda H. Luminescence yield spectra through X-ray excitation optical XAFS // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1992. - № 319. - P.290-294.

186. Kikas A., Elango M. Monte Carlo simulation of the crossluminescence excitation spectrum in a CsBr crystal // Solid State Communications. 1990. - Vol. 76. - № 11. - P. 1313-1316.

187. Hill D.A., Pettifer R.F., Gardelis S., Hamilton В., Smith A.D., Teehan D. XEOL studies of porous silicon // J. Phys. IV. 1997. - Vol. 7. - № C2. - P.553-555.

188. Belsky A.N., Klimov S.M., Mikhailin V.V., Zinin E.I., Gektin A.V. Fast intrinsic luminescence of Rbl and KI crystals excited by X-ray synchrotron radiation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A. 1995. - № 359. - P.348-350.

189. Casalboni M., Grassano M. Application of synchrotron radiation in defect and color center research//.!. Phys. Chem. Solids. 1990. - Vol. 31. - № 7. -P.805-819.

190. Emura S., Maeda H., Kubozono Y. Atomic displacement by x-ray excitation in NaCI crystal containing Cu+ ions // J Phys IV. 1997. - Vol. 7. - № C2. - P. 585-586.

191. Pustovarov V.A., KrymovA.L., Zinin E.I. Time-resolved luminescence of scintillation crystals under excitation by high intensity synchrotron radiation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A. 1995. - №> 359. - P.336-338.

192. DiCicco A., Rosolen M.J., Tossici R., Marassi R., Rybicki J. Radial distribution function in solid and liquid KBr probed by EXAFS // J Phys IV. 1997. - Vol. 7. - № C2. - P.245-246.

193. Williams G.W., Usiskin S.R., Dekker A.J. Thermal decay of the luminescence of KBr // Phys. Rev. 1953. - Vol. 92. - № 6. - P. 1398-1402.

194. Issler S.L., Torardi C.C. Solid state chemistry and luminescence of X-ray phosphors// J. of Alloys and Compounds. 1995. - Vol. 229. - P.54-65.

195. Amemiya Y. Imaging plate X-ray area detector based on photostimulable phosphor // Synchrotron Radiation News. - 1990. - Vol. 3. - № 2. - P.21-26.

196. Vonseggern H. X-Ray Imaging with Photostimulable Phosphors // Nucl Instrum Meth Phys Res, A. 1992. - Vol. 322. - № 3. - P. 467-471.

197. Su M.-Z., Zhao W., Chen W., Dong Y., Lin J.-H. X-ray storage phosphors, their properties and mechanism // Journal of Alloys and Compounds. 1995. - Vol. 225. - P.539-543.

198. Reddy K.R., Annapurna K., Buddhudu S. Fluorescence spectra of BaFCl:Eu2+ powder phosphors // Mater Lett. 1996. - Vol. 29. - № 4-6. - P. 291-292.

199. Xia C.T., Shi C.S. BaLiF3(Eu2+): A promising X-ray storage phosphor // Mater Res Bull. -1997. Vol. 32. -№ 1. - P. 107-112.

200. Thorns M. The dynamic range of X-ray imaging with image plates // Nucl Instrum Meth Phys Res, A. 1997. - Vol. 389. - № 3. - P. 437-440.

201. Langner G.C., Lucero J.P., Laux M. TI Evaluation of a reusable phosphor X-ray detector // Mater Eval. 1995. - Vol. 53. - № 8. - P. 930-935.

202. Rogulis U., Dietze C., Pawlik Т., Hangleiter Т., Spaeth J.M. Hole-trapping sites and the mechanism of the photostimulated luminescence of the x-ray storage phosphor Rbl:Tl+ // J Appl Phys. 1996. - Vol. 80. - № 4. - P. 2430-2435.

203. Anh Т.К., Minh L.Q., Strek W., Barthou C. Energy transfer and dynamic luminescence of material containing rare earth ions used in X-ray medical imaging // J Luminesc. 1997. - Vol. 72-4. - P. 745-747.

204. Цифровая обработка изображений в рентгенографии // Электроника. 1986. - № 3. -С. 44-48.

205. Гурвич А.М., Мягкова М.Г., Рюдигер Ю. Люминесцентная цифровая радиография // Медицинская техника. 1990. - № 3. - С.27-31.

206. Sonoda М., Takano М., Miyahara J., Kato Н. Computed radiography utilizing scanning laser stimulated luminescence //Radiology. 1983. - Vol.148. № 3. - P.833-838.

207. Siemens AG, Info-Service. GVW 1/Z294. P.O.B. 2348. D-8510 Furth. FRG.

208. Гурвич A.M., Михайлин B.B. Кристаллофосфоры для запоминающих люминесцентных экранов // Успехи химии. 1992. - Т.61. - Вып.6. - С. 1047-1060.

209. Trinkler L.E., Trinkler M.F., Popov A.I. Stimulation energy of the X-ray storage material KBr:In//Phys. Stat. Sol. (b). 1993. - Vol. 180. - P. K31-K34.

210. Nanto H., Endo F., Hirai Y., Murayama K., Nasu S. Photostimulated luminescence in alkali halides induced by excitation with ionizing radiation // Nuclear instruments and Methods in Physics Research B. 1994. - Vol. 91. - P. 205-209.

211. Кочубей Д.И., Горин Г.Б., Гюнсбург K.E., Звездова Н.П., Кочубей В.И. Новый материал для радиографии // Европейская конференция-выставка по материалам и технологиям "Восток-Запад" 4-я. С-Пб., 1993. - Т.2. - С.98.

212. Kochubey D.I., Gorin G.B., Kochubey V.I., Gynsburg K.E., Zvezdova N.P. New Material for Radiography // Abstracts of Conference on X-Ray Instrumentation, GB, Darsberry, 1992.

213. Kochubey V.I., Konyukhova Yu.G., Kochubey D.I. X-ray microscopy using alkali-halide crystals // Journal of X-Ray Science and Technology. 2002. -Vol. 10. - №3/4 - P. 199 - 214.

214. Gorin G.B., Gjunsburg K.E., Zvezdova N.P., Kochubey V.I., Sedova Y.G. X-ray-sensitive storage phosphors with the optically stable luminescent centers // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A. 2000. - Vol. 448. - № 1-2. - P. 196-199.

215. Отчет Сибирского Международного Центра Синхротронного Излучения за 1994 г. / Государственный научный центр Российской Федерации Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера. Новосибирск. 1994. 41 с.

216. Отчет Сибирского Международного Центра Синхротронного Излучения за 1996 г. / Государственный научный центр Российской Федерации Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера. Новосибирск, 1997. - 63 с.

217. Kochubey V.I., Gyunsburg К.Е., Zvezdova N.P., Gorin G.B., Sedova Yu.G. High-resolution x-ray microscopy for biological objects // Proc. SPIE. 1999. - Vol. 3726. - P.58-61.

218. Als-Nielsen J., Materlik G. Recent applications of X rays in condensed matter physics // Physics today. 1995. - Nov. - P.34-40.

219. Regula D.F. Lithium fluoride dosimetry based on radiophotoluminescence // Health Physics Pergamon Press. 1972. - Vol. 22. - P.491-496.

220. RPL Dosimetry: RPL in Health Physics / Perry J.A. ed.- S.L.: Taylor & Francis (USA), 1987. 192 p.

221. Горин Г.Б., Гюнсбург К.Е., Кочубей В.И, Кочубей Д.И. Новый материал для радиофотолюминесцентной дозиметрии // Экология России. Материалы выставки (Москва, Манеж, февраль 1993 г.).