Динамика структурно-фазовых переходов на поверхности кремния при импульсном световом облучении тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Казанский Физико-Технический Институт им. Е.К. Завойского Казанский Научный Центр Российской Академии Наук

На правах рукописи

ЗАХАРОВ Максим Викторович

ДИНАМИКА СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ СВЕТОВОМ

ОБЛУЧЕНИИ

Специальность 0104 07 «Физика конденсированного состояния»

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

□ОЗОВБеТБ

Казань-2007 г.

003065676

Работа выполнена в Лаборатории Методов Медицинской Физики Казанского Физико-Технического Института Им Е К. Зааойского Казанского Научного Центра Российской Академии Наук

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук, заведующий

лабораторией методов медицинской физики КФТИ КазНЦРАН,

Фаггахов Яхъя Валиевич.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, доцент кафедры

Защита состоите« « 4 » октября 2007 г. В 14 часов 30 минут на заседании диссертационного совета Д 212.08115 при Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образовали* «Казанский Государственный Университет» (420008, г Казань, ул Кремлевская, 18).

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке им Н.И Лобачевского Казанского Государственного Университета

Автореферат разослан «_»_2007 г

Отзывы на диссертацию в одном экземпляре, заверенные ученым секретарем и скрепленные гербовой печатью учреждения, прошу направлять по адресу. 420029, г. Казань, ул Сибирский Тракт, д. 10/7 Тел. (843)2319090, факс (843)2725075

физики твердого тела КГУ, Парфенов Виктор Всеволодович;

доктор физико-математических наук, профессор, Богданова Халида Галимзяновна.

Ведущая организация: Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования «Нижегородский государственный университет им НИ Лобачевского (Нижний Новгород)»

диссертационного совета

Содержание

Основные сокращения и условные обозначения, использованные в работе. 4

Общая характеристика работы................................ 5

Актуальность темы диссертации................................ 5

Цель работы................................ .............. 6

Методы исследования и аппаратура ................................. 7

Научная новизна ....................................... 8

Основные положения, выносимые на защиту.............................8

Практическая ценность работы...........................................10

Личный вклад автора.......................................................10

Апробация работы...........................................................11

Публикации...............................................12

Структура и объем диссертации....................................12

Основное содержание работы....................................................12

Первая глава диссертации................................................13

Вторая глава диссертации......................................... 14

Третья глава диссертации............................................16

Четвертая глава диссертации................................................ 19

Пятая глава диссертации........................................... 20

Заключение диссертации ...............................21

Основные результаты работы .............................21

Благодарности...... ........................ . 23

Список опубликованных работ.................................23

Список цитированной литературы.......................... ..25

Основные сокращения и условные обозначения, использованные в

работе

АВ - атомарный водород,

АЦП - аналого-цифровой преобразователь,

БФП - быстрое Фурье преобразование;

ВП - вейвлет преобразование;

ДЭ - дифракционная эффективность,

ИИ - ионная имплантация,

ИЛС - ионно-легированный слой;

ИСО - импульсное световое облучение,

ЛОП - локальные области плавления,

ФД - фотодиод,

ФЭУ - фотоэлектронный умножитель,

Е, ^ Т, Ф - энергия, плотность тока ионного пучка, температура и доза ионной имплантации;

к, 10, ти - длина волны, плотность энергии, плотность мощности излучения

и длительность светового импульса,

Ы, Ь - плотность и размер локальных областей плавления,

Общая характеристика работы Актуальность темы диссертации

Кремний является основным материалом для современных микро- и нанотехнологий, но до настоящего времени не было достоверных данных о динамике протекания структурно-фазовых переходов на поверхности как монокристаллических так и имплантированных пластин кремния во время облучения световыми импульсами.

Нестационарные физические процессы плавления и кристаллизации материалов, наблюдающиеся при взаимодействии мощных импульсов оптического излучения с веществом, вызывают особый интерес. Один из эффектов, который наблюдается при однородном облучении полупроводников мощными импульсами лазеров и некогерентных источников света, это - эффект локального анизотропного плавления поверхности [1,2,3,4,5]. Изучение механизма этого эффекта в динамике позволяет получить дополнительную физическую информацию о закономерностях взаимодействия мощного оптического излучения с веществом, о природе центров зародышеобразования локальной жидкой фазы и др. Особую значимость этим исследованиям придает то обстоятельство, что они позволяют оптимизировать режимы импульсного светового отжига имплантированных полупроводников, импульсной кристаллизации структур «кремний на диэлектрике» и других важнейших технологий современной микроэлектроники

Ещё одной интересной проблемой является формирование мелкозалегающих р-п-переходов, особую важность она приобретает при создании интегральных микросхем. Ионная имплантация, основанная на внедрении в твердое тело ускоренных в электростатическом поле ионизованных атомов и молекул, является одним из основных методов введения примеси в полупроводниковые материалы при изготовлении

приборов микроэлектроники. В процессе замедления имплантированных ионов в полупроводнике образуются радиационные дефекты, поэтому технологический цикл изготовления изделий полупроводниковой микроэлектроники включает в себя высокотемпературный отжиг, используемый для устранения радиационных дефектов и электрической активации примеси, введенной ионной имплантацией [6,7]. Диапазон длительностей термообработок, используемых в настоящее время, изменяется от наносекунд до десятков минут, а температуры - от сотен градусов Цельсия до температуры плавления полупроводника.

В современной промышленности вместо традиционного термического широко используется импульсный световой отжиг Несмотря на то, что мы уже обладаем многочисленными публикациями по использованию для отжига ионнолегированных слоев импульсного светового облучения в режиме теплового баланса [7,8,9,10,11], до сих пор нет достаточных данных о динамике протекания такого важного процесса, как твердофазная эпитаксиальная рекристаллизация имплантированных слоев полупроводника во время светового облучения

Таким образом, актуальность темы диссертационной работы обусловлена необходимостью получения новых знаний о физике образования локальной жидкой фазы на поверхности полупроводников и процессах рекристаллизации аморфных полупроводников при мощных импульсных световых воздействиях

Цель работы

Основной целью диссертационной работы являлось исследование динамики структурных и фазовых переходов на поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов света различной длительности и плотности мощности излучения.

Для успешного достижения цели необходимо было выполнить следующие основные задачи:

- исследовать динамику образования локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния под действием мощного импульсного светового облучения,

- изучить влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния,

- провести подробный анализ бесконтактной дифракционной методики для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников,

- проанализировать экспериментальные результаты исследований динамики структурных и фазовых переходов на поверхности имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов некогерентного света различной длительности и плотности мощности излучения

Методы исследования и аппаратура

Исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников были выполнены с использованием разработанной нами оригинальной дифракционной методики, основанной на регистрации т situ сигнала дифракции зондирующего излучения на специальных периодических структурах.

Облучение имплантированных полупроводников мощными импульсами света проводилось на модернизированной и автоматизированной нами установке УОЛ.П-1. В настоящее время система регистрации позволяет фиксировать на компьютере параметры процессов отжига (динамику рекристаллизации, начало анизотропного локального плавления поверхности) и форму светового импульса.

Научная новизна

1 Проведены исследования появления локальных областей плавления во время импульсного светового облучения с большими пространственным и временным разрешениями

2 Создана оригинальная установка для исследований динамики рекристаллизации и плавления имплантированных полупроводников во время ИСО.

3. Впервые получены результаты исследований динамики процессов твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и локального плавления поверхности кремния имплантированного ионами фосфора и кремния с различными энергиями и дозами, при ИСО в диапазоне длительностей от 100 мс до 5 с

4 Показано, что импульсный нагрев образцов кремния позволяет обнаружить и оценить количественно привнесенную дефектность В частности, с помощью метода импульсного нагрева установлено, что существуют режимы обработки образцов кремния в атомарном водороде, которые практически не изменяют дефектность образцов, а также режимы, приводящие к существенному росту концентрации дефектов

Основные положения, выносимые на защиту

1 Проведена скоростная микросъемка зарождения и роста локальных областей плавления (ЛОП) непосредственно в процессе облучения световыми импульсами с различными длительностями. На основе анализа экспериментальных данных получены in situ зависимости средних размеров и плотности (количества на единицу площади) локальных областей плавления от времени в течение светового импульса Обнаружено, что зависимости

плотности и средних размеров ЛОП для всех длительностей импульса имеют одинаковый характер.

2. Метод импульсного нагрева образцов кремния и последующего анализа картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых во время обработки в интенсивном потоке атомарного водорода (АВ).

3. Обнаружено, что режим обработки в АВ с малой экспозиционной дозой ^ <2 7-1017 см"2) не приводит к изменению количества дефектов в кремнии, и наоборот, режим с большой экспозиционной дозой (0 > 3 6-Ю18 см"2) существенно увеличивает концентрацию дефектов Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие АВ с поверхностью кремния. Для полного понимания природы дефектов, которые образуются в результате обработки и обнаруживаются при импульсном нагреве образцов, необходимы дальнейшие исследования.

4 Подробно исследована бесконтактная дифракционная методика для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников.

5 Изучена динамика процесса твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации ионно-имплантированных слоев кремния (до достижения температуры плавления), и определены важнейшие характеристики фазового перехода расплав — монокристалл такие как длительность периода существования расплава и стадии жидкофазной рекристаллизации. Показано, что оптимальные режимы отжига имплантированных полупроводников очень близки к режиму отжига во время которого могут образовываться локальные области плавления.

Практическая ценность работы

Разработанная нами методика позволяет создать технологию импульсного светового отжига имплантированных полупроводников с контролем не по температуре или длительности процесса, а по факту завершения требуемого процесса рекристаллизации

Это позволит реализовать такие режимы импульсных термообработок, которые, с одной стороны, обеспечат полную электрическую активацию внедренной примеси, но, в то же время, не приведут к диффузионному уширению профиля внедренной примеси Это становится особенно актуальным в настоящее время в связи с уменьшением размеров активных областей сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем

Данная методика может оказаться полезной и при отжиге полупроводниковых структур с различными покрытиями и имплантированных полупроводников типа А3В5 Уменьшение длительности отжига позволит предотвратить деградацию структур и нарушение стехиометрии поверхностных слоев сложных полупроводников.

Личный вклад автора

Диссертация является обобщением работ, выполненных в лаборатории методов медицинской физики казанского физико-технического института КазНЦ РАН Ионная имплантация специальных измерительных структур проводилась на ускорителе ИЛУ-4 в ИАЭ, г Москва Обработка образцов в атомарном водороде проводилась во ФГУП «Научно-исследовательским институтом полупроводниковых приборов», Институтом сильноточной электроники СО РАН

В работе, представленной на защиту, мною внесен определяющий вклад, выраженный в планировании и проведении экспериментальных

исследований, в анализе, интерпретации и формулировании выводов по результатам исследований.

Также мною была проведена автоматизация установки для исследования структурно-фазовых переходов имплантированных полупроводников во время импульсной световой обработки и была написана специальная программа для проведения экспериментов и обработки полученных результатов.

Все результаты, составляющие научную новизну диссертации и выносимые на защиту, мною получены лично.

Апробация работы

Результаты работы докладывались на нескольких международных и российских конференциях и совещаниях: «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, Россия, 2000), «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новгород, Россия, 2000, 2002, 2004, 2006), «Vacuum Electron Ion Technologies» (Варна, Болгария, 2001, 2003), «Photon Echo and Coherent Spectroscopy» (Великий Новгород, Россия, 2001), «24th International Congress on High-Speed Photography and Photonics» (Сендай, Япония, 2000), «25th International Congress on High-Speed Photography and Photonics» (Бьён, Франция, 2002), «16th International Conference on Ion Beam Analysis» (Альбукерка, США, 2003), «International Conference «Micro- and nanoelectronics» (Звенигород, Россия, 2001, 2003), «Кремний-2003» (Москва, Россия, 2003), «Взаимодействие ионов с поверхностью - 2003» (Звенигород, Россия, 2003), «6th International Conference on Modification of Matenals with particle beams and plasma flows» (Томск, Россия, 2003), «Кремний - 2004» (Иркутск, Россия, 2004), «15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials» (Тёрмия, Италия, 2006).

При решении диссертационных задач часть исследований была выполнена в рамках проектов, финансируемых Министерством промышленности и науки (хоздоговор №292-02/К), Российским Фондом Фундаментальных Исследований (№03-02-96236), НИОКР Академии Наук Республики Татарстан (16-14/2000, №06-6 3-104, №06-6.4-240), Государственный контракт с Академией Наук Республики Татарстан № 066 4-59 и СМОТ (ВИНЕ ЯЕС - 007, гранты 2003, 2004 и 2005 годов), гранта Президента РФ поддержки ведущих научных школ НШ —1904 2003 2.

Публикации

По теме диссертационной работы опубликовано более 30 работ, включая 7 статей в реферируемых российских и иностранных журналах, сборники трудов и тезисы международных и российских конференций и совещаний Кроме этого работы представлялись на итоговых конференциях КФТИ КНЦ РАН и К ГУ, а также на молодежных конференциях.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы Объем диссертационной работы составляет 152 страницы, включая 111 (52) рисунков и 4 таблицы Библиография включает 184 ссылки.

Основное содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы исследований, сформулирована цель работы и основные задачи, которые необходимо было решить для достижения поставленной цели, сформулированы научная

новизна и практическая значимость, вкратце представлены сведения об апробации работы и изложено краткое содержание каждой из глав.

Первая глава диссертации

В первой главе приведён аналитический литературный обзор по проблемам отжига полупроводников как до, так и после проведения ионной имплантации

Как уже отмечалось выше, часть работы посвящена исследованию эффекта локального анизотропного плавления поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников, сопутствующего, при определённых режимах, процессу импульсного светового облучения. Суть этого явления заключается в следующем. При однородном облучении полупроводников мощными импульсами когерентного или некогерентного света с длительностями ~02мс- 10с на поверхности образца образуются локальные области плавления (ЛОП), разделенные участками не расплавившегося материала [1-6]. Форма ЛОП на поверхности монокристаллического кремния однозначно связана с кристаллографической ориентацией образца В объеме указанные области представляют из себя углубления с бугорком в центре [5] Внешний вид таких областей объясняется тем, что при локальном плавлении жидкий кремний, имеющий большую плотность в расплавленном состоянии, заполняет углубление из перевернутой пирамиды ограниченной плотноупакованными плоскостями (111) и при последующей рекристаллизации жидкий кремний оттесняется затвердевающим к центру основания пирамиды, образуя бугорок [5].

Основные закономерности эффекта не зависят от типа источника излучения, лазеры или некогерентные источники света [2,3,5]. Впервые эффект локального анизотропного плавления полупроводников наблюдался при облучении импульсами лазеров С началом применения некогерентных источников света для отжига ионно-имплантированных слоев появились

работы, посвященные изучению механизма эффекта с применением различных ламп- галогенных ламп с длительностью импульса —10 с [12], ламп-вспышек, используемых для накачки лазеров, и ламп-вспышек, работающих в стробоскопическом режиме.

Твердофазный эпшаксиальный (ТФЭ) рост кремния в последние годы также занимает все более важное место в ряде современных технологий, в том числе и микроэлектронике В этой связи выполнено большое число экспериментальных работ по ТФЭ-росту Получили развитие модификации ТФЭ-роста* ионно- и электронно-стимулированный ТФЭ-рост, ТФЭ-рост в условиях импульсного светового облучения В литературе описано несколько моделей различных модификаций ТФЭ-роста. Однако природа процесса до сих пор не ясна, что и стимулировало написание данной диссертационной работы.

Вторая глава диссертации

Во второй главе диссертации описаны методики и техника экспериментов

Исследование динамики зарождения и роста локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния в процессе импульсного светового облучения проводилось на установке, принципиальная схема которой изображена на рис 1 В ее состав входят установка по импульсному отжигу УОЛ П-1; система линз (6), включающая в себя длиннофокусный микроскоп и позволяющая получить увеличенное изображение поверхности образца; скоростная кинокамера СКС-1М (7), позволяющая проводить фотографическую регистрацию изображения частотой от 150 до 3000 кадров/с Съемка проводилась на 16 -миллиметровую негативную кинопленку А-2 с чувствительностью 400 ед при фотографическом разрешении 25 штрихов/мм

УОЛ.П-1

2

3

■5

1_Щ

I

/

Рис 1 Схема установки, используемой для исследования динамики процесса зародышеобразования и роста локальных областей плавления, 1 - блок питания установки УОЛ П-1,2 - реакционная камера, 3 - ксеноновые лампы-вспышки, 4 - окно, 5 - образец, 6 - система линз, 7 - скоростная кинокамера СКС-1М-16,

В этой же части работы представлено наиболее полное описание бесконтактной дифракционной методики для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников.

На рис 2 приведена блок-схема установки, используемой для исследования динамики структурно-фазовых переходов на поверхности ионно-имплантированного слоя кремния Во время импульсного фотонного отжига на образец со специальной измерительной дифракционной решеткой (5), находящийся в реакционной камере (2), через окно (4) подается пучок излучения зондирующего лазера (12). Отраженный от поверхности образца (5) дифрагированный луч проходит через систему линз и светофильтров (6) и регистрируется скоростной кинокамерой и (или) фотоэлектронным умножителем (ФЭУ-84) (7) Во избежание засветки ФЭУ излучением ламп вспышек используется экран с диафрагмой. Блок светофильтров включает в себя набор стеклянных светофильтров (СЭС-23, СЗС-25, КС-14), два

интерференционных светофильтра (для длины волны 633 нм), а также анализатор Посредством фотодиода ФД-24К (11) осуществляется контроль реальной формы светового импульса. Сигнал с ФЭУ и фотодиода преобразуется АЦП (9) и записывается в компьютер (10)

фазовых переходов на поверхности ионно-имплантированного слоя кремния 1 - блок питания установки УОЛП-1, 2 - реакционная камера, 3 - ксеноновые лампы-вспышки, 4 - окна, 5 - образец с дифракционной решеткой, 6 - блок светофильтров и линз, 7 -скоростная кинокамера СКС-1М-16 или (и) ФЭУ-84, 8 - устройство управления кинокамерой, 9 - плата Ь-154 (АЦП), 10 - компьютер, И - фотодиод, 12 - Не-Ые лазер ЛГН-111

Третья глава диссертации

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований динамики структурных и фазовых переходов на поверхности имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов некогерентного света различной длительности и плотности мощности излучения

Исследования были выполнены с использованием разработанной нашей группой оригинальной дифракционной методики, основанной на

регистрации in situ сигнала дифракции зондирующего излучения на специальных периодических структурах

Ниже приведена таблица 1, в которой суммированы результаты исследований динамики процессов твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и локального плавления поверхности монокрисгаллического кремния имплантированного ионами фосфора с различными энергиями и дозами.

Таблица 1

Результаты исследований динамики рекристаллизации и плавления поверхности кремния, имплантированного ионами фосфора с энергией 50 кэВ и дозой 500 мкКл/см2

№

Мощность импульса Ри, Вт/см2

Длительность импульса -Си, МС

Время рекристаллизации tp, мс

Момент начала плавления W мс

10 11 12

13

14

1840 1840 1600 1600 1440 1200 1200 1200 1040 800 640 640 400 240

120 130 140 190 190 300 300 260 290 570 890 970 2090 5770

55 55 67 70 73 95 95 70 75 120 152 163 295 345

60

105 136 190 190 130

225

Из результатов, приведенных в данной таблице, отчетливо видно, что для длительностей светового импульса от 140 до 190 мс мы получаем значения времени рекристаллизации порядка 60-70 мс (с учетом погрешности измерения) Момент плавления при этом порядка 100 - 120 мс Оптимальные режимы ИСО полупроводниковых структур располагаются между двумя этими граничными длительностями. Длительность ИСО выбирается, исходя из конкретной задачи и структуры образца. При необходимости получения более тонких активных слоев и уменьшения диффузии примеси, можно отключать световой импульс сразу после

завершения стадии рекристаллизации. Электрическая активация примеси будет происходить в течение заднего фронта теплового импульса - при остывании образца.

Видно, что для длительностей менее 140 мс момент плавления очень близок, к моменту полной рекристаллизации имплантированного кремния Видимо, при дальнейшем уменьшении длительности облучения (а следовательно, увеличении мощности облучения) момент плавления будет происходить еще до завершения процессов рекристаллизации. Таким образом, эти режимы ИСО будут более строгими к выбору режима и стабильности параметров установки отжига.

Нами также проведены эксперименты по исследованию длительности стадии рекристаллизации для различных режимов имплантации Эксперименты проводились на образцах кремния, имплантированных ионами фосфорами с энергиями от 10 до 50 кэВ и дозой от 100 до 500 мкКл/см2.

Энергия, кэВ

Рис 3 Зависимость времени рекристаллизации от энергии имплантации

Для всех полученных точек, представленных на графиках, использовались следующие режимы ИСО мощность импульса — 1600 Вт/см2 и средняя длительность импульса -155 мс

Четвертая глава диссертации

В соответствии с задачами данной диссертационной работы в четвертой главе представлены результаты исследований in situ особенностей зарождения и роста локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния при воздействии мощных импульсов некогерентного света. Так как с точки зрения уточнения механизма эффекта локального анизотропного плавления наиболее важным и интересным является момент зарождения локальной жидкой фазы, основное внимание было уделено этой стадии процесса. Исследования были проведены для широкого диапазона длительностей световых импульсов от 0.26 с до 2.10 с

Образцы монокристаллического кремния были подвержены облучению световыми импульсами длительностью 0 26 с, 0.52 с, 0 92 с, 1 36 с и 210 с. Результаты экспериментов суммированы в таблице 2 Установлены времена появления первых ЛОП: 0.242 с, 0 415 с, 0.796 с, 1 002 с, 1.328 с для импульсов длительностью 0 26 с, 0.52 с, 0 92с, 1.36 с и 2 10 с, соответственно. На рис 2 приведены: графики зависимости появления первых ЛОП (кривая 1) и длительности стадии быстрого роста ЛОП (кривая 2) от длительности импульса.

Таблица 2

Результаты исследований динамики особенностей зарояедения и роста ЛОП на

поверхности монокристаллического кремния во время ИСО

Длительность светового импульса, с 0.26 0.52 0.92 1.36 2.10

Время появления первых ЛОП, с 0 242 0 415 0 796 1 0018 1 328

Длительность стадии быстрого роста ЛОП, с 0 004 0 012 - - 0 084

Максимальное значение плотности ЛОП, см"2 5500 3200 633 830 1300

Средняя скорость роста размеров ЛОП в течение импульса, цм/с 3080 2170 1650 1140 490

Подтверждено, что зарождение областей плавления происходит лишь в течение узкого интервала времени, например, для ти=0 26 с - это 0.004 с, а для т„=2 10 с - 0,084 с (см. табл 2).

02 (Д

Рис 3 Зависимости in situ времени появления первых локальных областей плавления (ЛОП) (кривая 1) и длительности стадии быстрого роста ЛОП (кривая 2) от времени в течение периода действия световых импульсов с длительностями 0 26 с, 0 52 с, 1 36 с, 2 Юс

Пятая глава диссертации

Нами неоднократно уже упоминалось, что ЛОП на поверхности кремния при воздействии мощного импульсного светового излучения образуются в местах скопления дефектов, поэтому у нас возникло желание проверить, можно ли изучать степень дефектности кристалла после какого-либо физического воздействия на него. В качестве такого физического воздействия была выбрана обработка монокристалла в потоке атомарного водорода

В данной части работы мною приводятся результаты исследований влияния обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния

Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым воздействием образцов кремния и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее 2.7 1017 см"2 не приводит к изменению количества дефектов в кремнии, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более 3 6-1018 см"2 существенно увеличивает концентрацию дефектов Экспериментальные данные, приведенные в данной главе, говорят о том, что возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью кремния.

Заключение диссертации

В заключении сформулированы основные результаты и выводы диссертационной работы.

Основные результаты работы

1 Проанализирована бесконтактная дифракционная методика для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников.

2. Получены и проанализированы результаты экспериментальных исследований динамики структурных и фазовых переходов на поверхности имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов некогерентного света различной длительности и плотности мощности излучения.

Исследования проведены методом лазерного зондирования сформированной на поверхности полупроводника периодической решетки и регистрации in situ ее дифракционной эффективности.

Изучена динамика процесса твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации ионно-имплантированных слоев кремния (до достижения температуры плавления), и определены важнейшие характеристики фазового перехода расплав — монокристалл такие как длительность периода существования расплава и стадии жидкофазной рекристаллизации.

3 Приведены результаты скоростной микросъемки зарождения и роста локальных областей плавления непосредственно в процессе облучения световыми импульсами с различными длительностями: 0 26 с, 0 52 с, 0.92 с, 1.36 с, 2.10 с

4 На основе анализа экспериментальных данных получены in situ зависимости средних размеров и плотности (количества на единицу площади) локальных областей плавления от времени в течение светового импульса. Обнаружено, что для всех использованных длительностей импульса зависимости плотности и средних размеров ЛОП имеют одинаковый характер, те наблюдаются три стадии динамики плотности ЛОП- быстрый рост от 0 (в момент зарождения) до максимальной величины, выход на плато, спад вследствие коалесценции ЛОП

Полученные результаты, хорошо согласуются с предложенной ранее моделью эффекта локального анизотропного плавления, основанной на предположении о формировании перегрева полупроводника в твердой фазе относительно равновесной температуры плавления в процессе облучения световым импульсом.

5 Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым воздействием образцов кремния и последующий анализ картины локального плавления может служить

эффективным инструментом контроля количества дефектов привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее 2.7 1017 см"2 не приводит к изменению количества дефектов в кремнии, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более 3 61018 см"2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью кремния.

Благодарности

Считаю необходимым выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю кандидату физико-математических наук, заведующему лаборатории Методы Медицинской Физики Я.В. Фаттахову за постановку задачи и внимательное руководство работой и большую помощь при ее выполнении А также глубокую признательность кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику М.Ф. Галяутдинову за помощь в осуществлении работы, ценные советы и замечания.

Список опубликованных работ

1. Захаров, М. В. Влияние обработки кремния в атомарном водороде на образование локальных областей плавления при импульсном световом облучении /М В.Захаров, В.А Кагадей, Т.Н Львова и др. // Физика и техника полупроводников.-2006.-Т.40 -вып. 1 -С.61-67.

2 Investigation of structural-phase transitions dynamics on the surface of implanted silicon at rapid thermal processing /Ya.V Fattakhov, M F.Galyautdinov, T.N.I/vova, M.V.Zakharov, IВ Khaibullin //Nuclear Instruments and Methods В -2007 -V.257.-Issues 1-2 -P 222-226

3 Исследование динамики рекристаллизации и плавления имплантированного кремния при быстром термическом отжиге /Я.В Фатгахов, М Ф.Галяутдинов, М.В.Захаров и др. //Вестник Нижегородского университета. Серия физика твердого тела Нижний Новгород,-2005.-Вып 1(8) -С.9-14

4. Исследование in situ локального плавления поверхности монокристаллического и имплантированного кремния при облучении импульсами света различной длительности /Я.В.Фаттахов, М Ф Галяутдинов, Т.НЛьвова, Захаров MB. и др //Вестник Нижегородского университета Нижний Новгород. Серия физика твердого тела - 2003. - Вып. 1(6). - С. 3546

5. Investigation of dynamics of phase transitions on silicon surface at light pulse heating /Ya V.Fattakhov, M F Galyautdinov, T.N.L'vova, M.VZakharov, I B.Khaibulhn //Novgorod, Editor by Vitaly V. Samartsev, Proceeding of PECS 2001. Photon Echo and Spectroscopy. Proceeding of SPIE. -2001. -Vol. 4605. -P 399.

6. Захаров, M. В. Модификация свойств кремния при обработке в атомарном водороде /М.В.Захаров, В А.Кагадей, ТН Львова и др. //Proceedings of 6th international conference on modification of materials with particle beams and plasma flows -2002. - P. 439-442.

7. In situ investigation of local melting on the silicon surface under irradiation by incoherent light pulses with various durations /T.N.L'vova, Ya.V Fattakhov, M F Galyautdmov, M.V.Zakharov, LB.Khaibulhn // 25th International Congress on High-Speed Photography and Photonics Proceedings of the SPIE -2003 -V 4948. -P. 769-775.

8. Investigation of the dynamics of reciystallization and melting of the surface of implantd silicon at rapid thermal processing /Ya V Fattakhov, M.F.Galyautdinov, TNL'vova, M.V.Zakharov, I.B.Khaibullm //Proceedings of the SPIE, Belhngham, USA.-2004.-V 5401.-P 104-109

9. Исследование in situ зарождение и рост локальной жидкой фазы на поверхности кремния при облучении импульсами света различной длительности /Я В Фатгахов, М Ф.Галяутдинов, Т Н Львова, Захаров М.В. и др //Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 25-29 июня - 2001. - С. 141.

Список цитированной литературы

1. Rapid thermal annealing of hot wire chemical-vapor-deposited a-SiH films: The effect of the film hydrogen content on the crystallization kinetics, surface morphology, and gram growth /А-HMahan, В Roy, R.C Reedy, Jr, D W Readey, and D S Ginley // J Appi. Phys. -2006 -V 99. -P 023507

2. Физические основы быстрой термообработки. Геттерирование, отжиг ионнолегированных слоев, БТО в технологии СБИС /ВМ.Анищик, В.А.Горушко, В А.Пилипенко и др. Минске: БГУ, 2000. -150 с.

3. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света /Я В.Фатгахов, ИБХайбуллин, Р.М Баязитов и др //Поверхность. Физика, химия, механика - 1989 №11 С 61—69

4. Lo, К Y Study on the rapid thermal annealing process of low-energy arsenic and phosphorous ion-implanted silicon by reflective second harmonic generation /K.YLo //J Phys.D.-Appl Phys.-2005 -V. 38 -P.3926-3933.

5 Верходанов, С И. Анизотропное локальное плавление на дефектах структуры кремния /С И Верходанов, Н.Н Герасименко, А М.Мясников //Поверхность Физика, химия, механика -1988. -№5. -С. 69-73

6 Герасименко, Н Н Анизотропное локальное плавление на поверхности кремния /Н Н Герасименко, А В Двуреченский, С И Романов, Л С Смирнов //Физика полупроводников 1973. - Т 7. - С 2195

7 Плотников, А И Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированных ионами бора /А И Плотников, СИРембеза, В А Логинов //Физика и химия обработки материалов -1991 -№2 - С 122-125

8. Hemig, К -Н Effects of local melting on semiconductor surfaces /К -HHeimg //Proc 1st Internat Conf On Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials Pt 1 Dresden- Zentralmstitut fur Kernforshung - 1985 - P 265-279

9 Импульсный отжиг полупроводниковых материалов /А.В Двуреченский, Г А Качурин, Е В Нидаев и др. М, Наука, 1982 -13 с.

1 O.Meyer, J R Optical heating in semiconductors: Laser damage m Ge, Si, InSb, and GaAs /J R Meyer, M R Kruer, and F J.Bartoli //J. Appl. Phys. - 1980. -V 51 -№10.-P 5513-5522

11. Starkov, V V Amorphisation and solid phase epitaxial regrowth of the silicon overlayer in SIMOX structures /V V.Starkov, P L F Hemment, A F Vyatkin //Nuclear Instruments and Methods m Physics Research В - 1991. -V. 55 -P. 701-704

12 Spatial melt instabilities in radiatively melted ciystalline silicon /G К Celler, Mc D Robinson, L.E Trimble, D J Lishner //Appl Phys Lett. - 1983. - V 43 - №9 - P 868-871

Подписано в печать 27 08 07 г Форм Бум. 60x80 1/16 Печ. Л. 1,75 Тираж 100 Заказ 246

Отпечатано с готового оригинал - макета в ООО «Вестфалшса» Г Казань, ул. Б. Красная, 67

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ,

ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ИМПУЛЬСНОЕ СВЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Локальное анизотропное плавление полупроводников.И

1.2. О природе центров зарождения локальной жидкой фазы на поверхности полупроводников при импульсном световом облучении.

1.3. О микрорельефе локальных областей плавления.

1.4. Процессы рекристаллизации кремния.

1.4.1. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния.

1.4.2. Основные закономерности ТФЭ- и СТФЭ-роста.

1.4.3. Сравнительный анализ моделей ТФЭ- и СТФЭ-роста.

1.5. Выводы к Главе 1.

ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Методика исследования эффекта локального анизотропного плавления.36 2.1.1. Образцы и техника импульсного светового облучения.

2.1.2. Техника и методика исследования динамики зарождения и роста ЛОП

2.2. Методика для исследований степени дефектности гидрогенизированного кремния.

2.3. Методика бесконтактного исследования динамики рекристаллизации и локального плавления поверхности имплантированных полупроводников

2.3.1. Установка для исследования динамики структурно-фазовых переходов при импульсной световой обработке.

2.3.2. Основополагающие моменты оригинальной дифракционной методики исследования динамики рекристаллизации и локального плавления имплантированного кремния.

2.3.3 Обработка экспериментальных данных.

2.3.3. Предложения по развитию методов исследования структурно-фазовых переходов имплантированных полупроводников.

2.3.4. Программа управления установкой.

2.4. Выводы к Главе II.

ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И ЛОКАЛЬНОГО ПЛАВЛЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ИМПЛАНТИРОВАННОГО КРЕМНИЯ.

3.1. Апробация методики для исследований динамики рекристаллизации и локального плавления имплантированного кремния.

3.2. In-situ исследования процессов рекристаллизации имплантированного кремния при импульсном световом облучении.

3.3. Исследование электрофизических параметров мелкозалегающих р-п переходов, сформированных имплантацией и ИСО.

3.4. Исследования особенностей электрической активации имплантированной примеси при двухстадийном ИСО.

3.5. Выводы к Главе III.

ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ.

4.1. Результаты и обсуждения.

4.2. Выводы к Главе IV.

ГЛАВА V. ИССЛЕДОВАНИЕ СТЕПЕНИ ДЕФЕКТНОСТИ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПОДСЧЁТА ЛОКАЛЬНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПЛАВЛЕНИЯ ПОСЛЕ ИМПУЛЬСНОГО

СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ.

5.1. Экспериментальные результаты.

5.1.1. Исследование поверхности образцов Si с помощью атомно-силового микроскопа до и после обработки в потоке АВ.

5.1.2. Исследование поверхности образцов Si после импульсной световой обработки в режиме образования ЛОП.

5.2. Обсуждение экспериментальных результатов.

5.3. Выводы к Главе V.

Одной из важнейших проблем при создании сверхбольших интегральных схем является формирование мелкозалегающих р-п-переходов [1,2]. Ионная имплантация, основанная на внедрении в твердое тело ускоренных в электростатическом поле ионизованных атомов и молекул, является одним из основных методов введения примеси в полупроводниковые материалы при изготовлении приборов микроэлектроники [3,4]. В процессе замедления имплантированных ионов в полупроводнике образуются радиационные дефекты. Поэтому технологический цикл изготовления изделий полупроводниковой микроэлектроники включает в себя высокотемпературный отжиг, используемый для устранения радиационных дефектов и электрической активации примеси, введенной ионной имплантацией [1,5-12]. Диапазон длительностей термообработок, используемых в настоящее время, изменяется от наносекунд до десятков минут, а температуры - от сотен градусов Цельсия до температуры плавления полупроводника.

В настоящее время в промышленности вместо традиционного термического широко используется импульсный световой отжиг (ИСО), хотя многие физические аспекты протекающих при этом процессов изучены недостаточно [13-18].

В настоящее время мы уже обладаем многочисленными публикациями по использованию для отжига ионнолегированных слоев импульсного светового облучения в режиме теплового баланса [11,12,19-25], но до сих пор нет достаточных данных о динамике протекания такого важного процесса, как твердофазная эпитаксиальная рекристаллизация имплантированных слоев полупроводника во время светового облучения.

В последнее время заметный интерес также вызывает эффект анизотропного локального плавления поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников, который при определенных режимах сопутствует процессу импульсного светового облучения (ИСО). Суть этого интересного физического эффекта заключается в том, что при однородном облучении поверхности и определенных для каждого полупроводника сочетаниях параметров импульса светового излучения, на исходной идеально гладкой поверхности полупроводника образуются локальные области плавления, разделенные участками нерасплавившегося материала [26-37].

Интерес к эффекту обусловлен следующим. Во-первых, изучение механизма и основных закономерностей локального плавления позволяет получить ценную физическую информацию о свойствах полупроводника и процессах, протекающих в образце во время и после действия мощного импульса света. Во-вторых, эти исследования непосредственно связаны с решением важной прикладной проблемы - оптимизацией режимов импульсного светового отжига ионно-легированных слоев (ИЛС), импульсной твердофазной диффузии из поверхностного слоя, а также рекристаллизации аморфных и поликристаллических слоев на изолирующей подложке.

Несмотря на довольно большое количество статей, к моменту начала данной работы не было полной ясности в понимании физического механизма возникновения этого важного эффекта и его основных закономерностей даже в монокристаллах, не говоря уже об ИЛС.

С учетом вышеизложенного, настоящая диссертационная работа посвящена более глубокому и детальному изучению влияния различных режимов обработки полупроводников на особенности проявления анизотропного локального плавления, исследованию динамики процесса анизотропного локального плавления в монокристаллических и имплантированных полупроводниках. Это позволит ответить на дискуссионный вопрос о доминирующем физическом механизме, лежащем в основе эффекта анизотропного локального плавления при импульсном световом облучении полупроводников и тем самым целенаправленно управлять этим эффектом.

Данные этих исследований особенно необходимы при разработке физических основ новых технологических процессов в производстве интегральных схем и других приборов микро- и оптоэлектроники.

Диссертационная работа посвящена также и изучению динамики процессов рекристаллизации во время импульсного светового облучения с применением эффекта анизотропного локального плавления.

Исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников проводились с использованием разработанной нами оригинальной дифракционной методики, основанной на регистрации in situ сигнала дифракции зондирующего излучения на специальных периодических структурах.

Основной целыо диссертационной работы являлось исследование динамики структурных и фазовых переходов на поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов света различной длительности и плотности мощности излучения.

В основные задачи диссертационной работы входило следующее.

- Проведение аналитического литературного обзора по проблемам импульсной световой обработке полупроводников как до, так и после проведения ионной имплантации.

- Разработка и анализ возможностей бесконтактной дифракционной методики для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников.

- Обсуждение экспериментальных результатов исследований динамики структурных и фазовых переходов на поверхности имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов некогерентного света различной длительности и плотности мощности излучения.

- Экспериментальные исследования с применением эффекта анизотропного локального плавления динамики образования локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния под действием мощного импульсного светового облучения.

- Экспериментальные исследования влияния обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения.

Основные результаты и выводы

1) Разработана и апробирована оригинальная дифракционная методика для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников при импульсном световом облучении.

Данная методика кроме научной значимости имеет и практическую, она может быть использована в изготовлении промышленных установок для отжига имплантированных полупроводников «с обратной связью», где процесс отжига будет контролироваться не по температуре, а по мере достижения полупроводником заданных параметров.

2) Изучена динамика процессов твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и локального анизотропного плавления поверхности имплантированного кремния.

Определены важнейшие характеристики фазовых переходов для различных длительностей:

• Время полной твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации поверхности имплантированных полупроводников в зависимости от типа ионов, дозы, энергии имплантации и длительностей светового облучения.

• Начало зарождения локальной жидкой фазы и длительности существования расплава.

При этом выявлены следующие закономерности:

• Время полной рекристаллизации трекр и время появления локальной жидкой фазы обратно пропорциональны мощности облучения.

• Время полной рекристаллизации увеличивается с увеличением энергии имплантации (Еии), причём трекр ~ .

3) Проведена скоростная микросъёмка зарождения и роста локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния непосредственно в процессе облучения световыми импульсами с различными длительностями.

При этом получены in situ зависимости средних размеров и плотности (количества на единицу площади) локальных областей плавления от времени в течение светового импульса.

Для всех длительностей импульса зависимости плотности и средних размеров ЛОП имеют одинаковый характер, т.е. наблюдаются следующие стадии динамики плотности ЛОП: быстрый рост от 0 (в момент зарождения) до максимальной величины, выход на плато. Этот результат свидетельствует о перегреве полупроводника в твердой фазе относительно равновесной температуры плавления в процессе облучения световым импульсом как доминирующем механизме эффекта локального анизотропного плавления.

4) Показано, что при импульсном световом воздействии образцов кремния и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов привносимых обработкой в атомарном водороде.

При этом установлено следующее:

• Режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее 2.7-1017 см"2 не приводит к изменению количества дефектов в кремнии, и

18 2 наоборот, режим с экспозиционной дозой более 3.6-10 см" существенно увеличивает концентрацию дефектов.

• Причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью кремния.

БЛАГОДАРНОСТИ

В заключение выражаю искреннюю благодарность своему научному руководителю кандидату физико-математических наук, заведующему лаборатории Методы Медицинской Физики Я.В. Фаттахову за постановку задачи и внимательное руководство работой и большую помощь при ее выполнении.

Выражаю глубокую признательность кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику М.Ф. Галяутдинову за помощь в осуществлении работы, ценные советы и замечания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Распределение дефектов по глубине в имплантированном бором кремнии /К.С.Соловьев, А.Д.Поваляев, А.М.Грошиков и др. //Изд. Воронежского ГУ. -1983. С.70-73.

2. Технология СБИС /Под. Ред. С. Зи в 2-х томах, т.1, М.: «Мир», 1986, 408 с.

3. Мейер, Дж. Ионное легирование полупроводников /Дж.Мейер, Л.Эриксон, Дж.Дэвис. -М.: «Мир». 1973. - 296 с.

4. Риссел, X. Ионная имплантация /Х.Риссел, И.Руге. -М.: «Наука», 1983, 360 с.

5. Адамов, Ю.Ф. Введение в конструирование элементов СБИС ЯО.Ф. Адамов, В.В.Баринов. М.:МГИЭТ (ТУ). - 1996. - 146с.

6. Адамов, Ю.Ф. Конструктивные элементы сверхбыстродействующих биполярных БИС /Ю.Ф.Адамов //Зарубежная электронная техника. 1983. -№11. -С.182.

7. Вавилов, B.C. Некоторые физические аспекты ионной имплантации /В.С.Вавилов //Успехи физических наук. 1985. - Т.145. - Вып.2. -С. 329-346

8. Валиев, К.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике /К.А.Валиев, А.В.Раков. М.: Радио и связь. -1984. - 352 с.

9. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов /А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Е.В.Нидаев и др. М., Наука, 1982. 13 с.

10. Степаненко, И.П. Основы микроэлектроники /И.П.Степаненко. М.: Сов. радио.-2004. -488 с.

11. Физические основы быстрой термообработки. Геттерирование, отжиг ионнолегированных слоев, БТО в технологии СБИС /В.М.Анищик, В.А.Горушко, В.А.Пилипенко и др. Минске.: БГУ, 2000. 150 с.

12. Физические основы быстрой термообработки. Температурные поля и конструктивные особенности оборудования /В.М.Анищик, В.А.Горушко,

13. B.А.Пилипенко и др. Минске.: БГУ, 2000. 136 с.

14. Шагурин, И.И. Проектирование цифровых микросхем на элементах инжекционной логики /И.И.Шагурин, К.О.Петросянц. М.: Радио и связь. -1984.-232 с.

15. Annealing of isolated amorphous zones in silicon /S.E.Donnelly, R.C.Birtcher, V.M.Vishnyakov and G.Carter //Appl. Phys. Lett. 2003. -V. 82. P.1860-1862.

16. Chaki, Т.К. //Phil. Mag. Lett. 1989. V.59. - P. 223.

17. Crystallization of amorphous-Si films by flash lamp annealing /B.Pecz, L.Dobos, D.Panknin e.a. //Applied Surface Science. -2005. V.242. -P.185-191.

18. Физические свойства плёнок Sn02, обработанных некогерентным импульсным излучением /С.И.Рембеза, Е.С.Рембеза, Т.В.Свистова, О.И.Борсякова //Физика и техника полупроводников. 2006. - Т.40. - Вып.1.1. C.57-60.

19. Grossman H.-J., Feldman L.C.//Phys. Rev. 1985. V. B32. - P.6.

20. Hwang. Boron diffusion in strained Si: A first-principles study /Li Lin, Taras

21. Kirichenko, Sanjay К. Banerjee, and Gyeong S. //J. Appl. Phys. 2004. - V.96. -P. 5543.

22. Lo, K.Y. Study on the rapid thermal annealing process of low-energy arsenic and phosphorous ion-implanted silicon by reflective second harmonic generation /K.Y.Lo //J. Phys. D.: Appl. Phys. 2005. -V. 38. -P.3926-3933.

23. Meyer, J.R. Optical heating in semiconductors: Laser damage in Ge, Si, InSb, and GaAs /J.R.Meyer, M.R.Kruer, and F.J.Bartoli //J. Appl. Phys. 1980. -V.51. -№10.-P.5513-5522.

24. Starkov, V.V. Amorphisation and solid phase epitaxial regrowth of the silicon overlayer in SIMOX structures /V.V.Starkov, P.L.F.Hemment, A.F.Vyatkin //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. -V. 55. -P. 701-704.

25. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света /Я.В.Фаттахов, И.Б.Хайбуллин, Р.М.Баязитов и др. //Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. №11. С. 61 - 69.

26. Баязитов, P.M. Зарождение жидкой фазы при импульсном нагреве монокристаллического кремния /Р.М.Баязитов //Сб. Физика экстремальных состояний вещества (Фортов В.Е. и др., ред). Черноголовка: ИПХФ РАН. -2004. -С. 145-147.

27. Верходанов, С.И. Анизотропное локальное плавление на дефектах структуры кремния /С.И.Верходанов, Н.Н.Герасименко, А.М.Мясников //Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. -№5. -С. 69-73.

28. Герасименко, Н.Н. Анизотропное локальное плавление на поверхности кремния /Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский, С.И.Романов, Л.С.Смирнов //Физика полупроводников 1973. Т.7. - С. 2195.

29. Захаров, М.В. Фрактальное распределение локальных областей плавления на поверхности полупроводников, подвергнутых импульсным фотонным воздействиям /М.В.Захаров //Тезисы молодёжной Республиканской конференции. Казань. 2001. - С.37.

30. Каргин, Н.И. Исследование механизма формирования профиля поверхности при локальном плавлении поверхностного слоя /Н.И.Каргин, В.М.Якушев, А.В.Якушев //Вестник СевКавГТУ. Серия «Физико-химическая». 2004. - №1 (8). -С. 6-14.

31. Плотников, А.И. Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированных ионами бора /А.И.Плотников, С.И.Рембеза, В.А.Логинов //Физика и химия обработки материалов. -1991. №2. - С.122-125.

32. Фаттахов, Я.В. Структура и электрофизические параметры ионно-лигированных слоев Si и GaAs: Дис. канд. физ.-мат. наук/Я.В.Фаттахов; Каз. физ.-тех. ин-т. -Казань, 1990. -216стр.

33. Heinig, K.-H. Effects of local melting on semiconductor surfaces /К.-H.Heinig //Proc. 1st Internat. Conf. On Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Pt 1. Dresden: Zentralinstitut fur Kernforshung. 1985. - P. 265-279.

34. Вейко, В.П. Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера /В.П.Вейко, Я.А.Имас, М.Н.Либенсон и др. // Изв. АН СССР, сер. Физ. -1985. Т.49, №6. - С.1236-1239.

35. Емельянов, В.И. Лазерно-индуцированные неустойчивости рельефа поверхности и изменение отражательной и поглощательной способности конденсированных сред /В.И.Емельянов, В.Н.Семиногов //Итоги науки и техники. Т.1.М., изд.ВИНИТА, 1988, с. 118-178.

36. Емельянов, В.И. Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении /В.И.Емельянов, П.К.Кашкаров, Н.Г.Чеченин, Т.Дитрих //Физика твердого тела 1988. - Т.ЗО, вып. 8. - №.2259-2263.

37. Плавление полупроводников при быстром однородным нагревеоптическим излучением /Я.В.Фаттахов, Р.М.Баязитов, И.Б.Хайбуллин и др. //Известия АН. Сер. Физическая. -1995. -Т.59. -№12. -С.136-142.

38. Формирование периодических структур на поверхности полупроводников под действием лазерного излучения /С.Г.Кияк, А.Ю.Бончик, В.В.Гафийчук и др. //Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1998. -Т.52. -№11.-С. 2276-2281.

39. EmePyanov, V.I. Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Order Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beam /V.I.EmePyanov //Laser Physics. 1992. - V.2, -№4. - P.389-466.

40. Melting phenomena and pulsed-laser annealing in semiconductors /J.Narayan, J.Fletcher, C.W.White, and W.H.Christie //J. Appl. Phys. 1981. -V. 52. -P. 7121.

41. Moeglin, J.P., Gautier В., Lacroix F., Joeckle R. Intern. Conf. «LASERS'97». Proceedings. New Orleans, - 1997. -Ed. by V.J. Corcoran and T.A. Goldman. STS PRESS. McLEAN, VA., - 1998. - 435.

42. Spatial melt instabilities in radiatively melted crystalline silicon /G.K.Celler, Mc.D.Robinson, L.E.Trimble, D.J.Lishner //Appl. Phys. Lett. 1983. - V.43. - №9.- P.868-871.

43. Usenko, A. Y. Localized melting induced by rapid annealing correlated with the space distribution of A type microdefects in silicon Czhochralski grown wafers /A.Y.Usenko //J. Materials Science: Materials in Electronics. - 1993. - V.4.- P.89-92.

44. Von Almen, M. Anisotropic melting and epitaxial regrow of laser-irradiated silicon /М. Von Almen, W.Luthy, and K.Affolter //Applied Physics Letters. -1978.-V.33.P 824-825.

45. Алгоритм имитации отжига //http://ru.wikipedia.org Материал из

46. Википедии свободной энциклопедии.

47. Епанешников, A.M. Delphi 5. Язык Object Pascal /А.М.Епанешников,

48. B.А.Епанешников. М.: «Диалог-МИФИ», 2000. -370 с.

49. О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении /Я.В.Фаттахов, М.Ф.Галяутдинов, Т.Н.Львова, И.Б.Хайбуллин //Квантовая электроникаю 2000. - Т.30. -№7. - С. 597-600.

50. Яковлев, Е.Б. Перегрев твердых тел при плавлении /Е.Б.Яковлев //Известия АН СССР. Серия физическая. 1989. - Т.53. - №3. -С591-594.

51. Динамика роста и механизм образования лазерно-индуцированного упорядоченного рельефа поверхности кремния под действием поляризованного излучения /О.П.Гашков, М.Н.Либенсон, В.С.Макин и др. //Журнал технической физики. 1997. - Т.67. - №4. -С.113-116.

52. Коробцова, В.В. Исследование твердофазной эпитаксии тонких плёнок кремния: Дис. канд. физ.-мат. наук/В.В.Коробцова. Харьков, 1987. 180 с.

53. Тетельбаум, Д.И., Менделева Ю.А. Механическая модель аморфизации при ионном облучении /Д.И.Тетельбаум, Ю.А.Менделева //ФТТ. 2004. -Т.46. - Вып. 11.-С.1960-1964.

54. Linnros, J. Proportionality between ion-beam-induced epitaxial regrowth in silicon and nuclear energy deposition /J.Linnros, G.Hollmen, B.Svenson //Phys. Rev. 1985. V. B32. - P. 2770-2777.

55. Linros, J. Ion-beam-induced epitaxial regrowth of amorphous layers in silicon on sapphire /J.Linros, G.Holmen, B.Svenson //Phys. Rev. 1984. V. B30. - P. 3629-3638.

56. Molecular-dynamics simulations of epitaxial crystal growth from the melt. II. Si(lll) /W.D.Luedtke, Uzi Landman, M.W.Ribarsky, R.N.Barnett, and

57. C.L.Cleveland //Phys. Rev. -1988. V. В 37. -P. 4647 - 4655.

58. Вяткин, А.Ф. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния /А.Ф.Вяткин //Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. - №4. - С. 5-26.

59. Аброян, И.А. Кинетика роста поврехности аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий /И.А.Аброян, В.С.Беляков, А.И.Титов //Поверхность. 1989. №4. С. 84-93.

60. Гусаков, Г.А. О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации /Г.А.Гусаков, А.П.Новиков, В.М.Анищик //Физика и техника полупроводников. 1994. -Т. 28. - Вып. 9. -С. 1672-1678.

61. Calorimetric studies of crystallization and relaxation of amorphous Si and Ge prepared by ion implantation /E.P.Donovan, F.Spaepen, D.Turnbull, J.M.Poate, D.C.Jacobson //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. - P. 1795.

62. Direct observation of laser-induced solid-phase epitaxial crystallization at the cw laser-annealing /G.L.Olson, S.A.Kokorowski, R.A.McFarlane, L.D.Hess //Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37. - P. 1019.

63. Substrate-orientation dependence of the epitaxial regrowth rate from Si-implanted amorphous Si /C.Csepregi, E.F.Kennedy, J.W.Wager, T.W.Sigmon //J. Appl. Phys. 1978. V. 49. - P.3906.

64. Титов, А.И. Кинетика роста поверхностных аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий /А.И.Титов, А.Ю.Азаров, В.С.Беляков //Физика и техника полупроводников. 2003. - т. 37. - вып. 3. с. 358-364.

65. Материалы и технологии XXI века", Казань, 26-27 апреля 2005 г. -2005. С. 44.

66. Parker, М.А. Lattice images of defect-free silicon on sapphire prepared by ion implantation/M.A.Parker, R.Sinclair, T.Sigmon //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1985.-V.37.-P.211.

67. Structural characterization of an Sb delta-doping layer in silicon /W.E.J.Slijkerman, P.M.Zagwijn, J.F. van der Veen e.a. //Appl. Phys. Lett. 1989. -V. 55(10).-P. 963.

68. Van Gorkum, A.A. Growth and characterization of atomic layer doping structures in Si /A.A.Van Gorkum., K.Nakagaws, Y.Shiraki //Japan. J. Appl. Phys. 1988.-V. 26.-P. 1933.

69. Lin, W.T. Localized epitaxial growth of MoSi2 on silicon /W.T.Lin, L.J.Ghen //J. Appl. Phys. 1986. V. 59. - P. 1518.

70. Damage calculation and measurement for GaAs amorphized by Si implantation /W.G.Opyd, J.S.Gibbons, J.C.Bravman, M.A.Parker //Appl. Phys. Lett. 1986.-V. 49 (15).-P. 974.

71. De Jong, T. Solid phase epitaxy of silicon on gallium phosphide /T.De Jong, F.M.Saris, Y.Tamminga, J.Haisma //Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44 (4). - P. 445.

72. Iyer, S.S. Summary Abstract: Epitaxy of monolayer silicon films studied by optical second-harmonic generation /S.S.Iyer, T.F.Heinz, M.T.Loy //J. Vac. Sci. and Technol. 1987. V. B5(3). - P. 709.

73. Growth and equilibrium structures in the epitaxy of Si on Si(001) /Y.-W.Mo, В.S.Swartzentruber, R.Kariotis, M.B.Webb, M.G.Lagally //Phys. Rev. Lett. 1989. -V. 63(21).-P. 2393.

74. Jorke, H. Kinetics of ordered growth of Si on Si(100) at low temperatures /H.Jorke, H.-J.Herzog, H.Kebbel //Phys. Rev. B. 1989. V. 40(3). - P. 2005.

75. Заводинский, В.Г. Твердофазная эпитаксия аморфных пленок Si,напыленных на Si(lOO) /В.Г.Заводинский, А.В.Зотов, В.В.Коробцов //Поверхность. 1983. №10. С.129.

76. Reordering of amorphous layers of Si implanted with 3IP, 75As, and NB ions /L.Csepregi, E.F.Kennedy, T.J.Galaugher, J.W.Mayer, T.W.Sigmon //J. Appl. Phys. 1977.-V. 48.-P. 4234.

77. Suni I., Goltz G., Grimaldi M. G., Nicolet M.-A., Leu S.S. Compensating impurity effect on epitaxial regrowth rate of amorphized Si// Appl. Phys. Lett. 1982.-V. 40 (3).-P. 269.

78. Licoppe, C. Impurity-induced enhancement of the growth rate of amorphized silicon during solid-phase epitaxy: A free-carrier effect /C.Licoppe, Y.I.Nissim //J. Appl. Phys. 1986. V. 59. - P. 432.

79. Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации /Ю.Н.Пархоменко, А.И.Белогорохов, Н.Н.Герасименко и др. //Физика и техника полупроводников. 2004. -Т. 38. - Вып. 5. - С.593-598.

80. Effect of pressure on the solid phase epitaxial regrowth rate of Si /E.Nygren, M.J.Aziz, D.Turnbull e.a. //Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. - P. 232.

81. Direct observation of laser-induced solid-phase epitaxial crystallization by time-resolved optical reflectivity /G.L.Olson, J.A.Roth, E.Nygren, A.P.Pogang, J.S.Williams //Mat. Res. Symp. 1987. V. 74. P. 109.

82. Olson, G.L. Investigation of solid-phase epitaxial crystallization at the cw laser-annealing by time-resolved optical reflectivity /G.L.Olson, J.A.Roth //Mat. Sci. Rep. 1988. №3. P. 3.

83. Bean, J.C. Evidence for void interconnection in evaporated amorphous silicon from epitaxial crystallization measurements /J.C.Bean, J.M.Poate //Appl. Phys. Lett. 1980.-V.36.-P. 59.

84. Dependence of grain size on the substrate temperature of Si and Ge films prepared by evaporation under ultrahigh vacuum /R.Tsu, J.Gonzalez-Hernandez, S.S.Chao, D.Martin //Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. - P.647.

85. Priolo F., Soinella C., La Ferla A., Rimini E., Ferla G. //Appl. Surf. Sci. 1989. -V.43.-P.178.

86. Srivastava, D. Anisotropic spread of surface dimer openings in the initial stages of the epitaxial growth of Si on Si{ 100} /D.Srivastava, B.J.Garrison, D.W.Brener //Phys. Rev. Lett. 1989. V.63. - P.302.

87. Narayan, J. Interface structures during solid-phase-epitaxial growth in ion implanted semiconductors and a crystallization model /J.Narayan //J. Appl. Phys. 1982.-V. 53.-P. 8607.

88. Narayan, J. Solid-phase-epitaxial growth and formation of metastable alloys in ion implanted silicon /J.Narayan, O.W.Holland, B.R.Appleton //J. Vac. Sci. and Technol. 1983. V. В 1(4). - P. 871.

89. Chen, X. Effect of the chemical nature of transition-metal substrates on chemical-vapor deposition of diamond /X.Chen and J.Narayan //J. Appl. Phys. -1993.-V.74.-P.4168.

90. Excimer laser annealing of ion-implanted silicon/J.Narayan, O.W.Holland, C.W.White, and R.T.Young //J. Appl. Phys. 1984. -V.55. -P. 1125.

91. Fathy, D. Formation of ion beam mixed silicides on Si (100) at elevated substrate temperatures /D.Fathy, O.W.Holland, and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1985.-V.58.-P. 297.

92. Formation of silicides by rapid thermal annealing over polycrystalline silicon /J.Narayan, T.A.Stephenson, T.Brat, D.Fathy, and S.J.Pennycook //J. Appl.1. Phys.- 1986.-V.60.-P.631.

93. Holland, О. W. Characteristics of rapid thermal annealing in ion-implanted silicon/O.W.Holland, J.Narayan, D.Fathy, and S.R.Wilson. //J. Appl. Phys. -1986.-V.59.-P. 905.

94. Jagannadham, K. Modification of dopant profiles due to surface and interface interactions: Applications to semiconductor materials /K.Jagannadham and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1987. -V.61. -P. 985.

95. McMarr, P. J. Spectroscopic ellipsometry: A new tool for nondestructive depth profiling and characterization of interfaces/P.J.McMarr, K.Vedam, and J.Narayan //J. Appl. Phys. -1986. -V.59. -P.694.

96. Narayan, J. Domain epitaxy: A unified paradigm for thin film growth /J.Narayan and Larson В. C. //J. Appl. Phys. 2003. -V. 93. - P. 278.

97. Narayan, J. Formation of misfit dislocations in thin film heterostructures /J.Narayan and S.Oktyabrsky //J. Appl. Phys. 2002. - V. 92. - P. 7122.

98. Narayan, J. Interface instability and cell formation in ion-implanted and laser-annealed silicon /J.Narayan //J. Appl. Phys. 1981. - V.52. - P. 1289.

99. Pulsed excimer (KrF) laser melting of amorphous and crystalline silicon layers /J.Narayan, C.W.White, MJ.Aziz, B.Stritzker, and A.Walthuis //J. Appl. Phys.-1985.-V.57. P.564.

100. Rapid thermal and pulsed laser annealing of boron fluoride-implanted silicon /J.Narayan, O.W.Holland, W.H.Christie, and J.J.Wortman //J. Appl. Phys. -1985.-V.57.-P.2709.

101. Tsvetanka Zheleva. Epitaxial growth in large-lattice-mismatch systems /Tsvetanka Zheleva, K.Jagannadham, and J.Narayan //J. Appl. Phys. -1994. -V.75. -P.860.

102. Suni I., Goltz G., Nicolet M.-H., Lau S.S. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1982,-V. 10.-P. 175.

103. Williams, J.S. Role of Electronic Processes in Epitaxial Recrystallization of Amorphous Semiconductors /J.S.Williams, R.G.Elliman //Phys. Rev. Lett. 1983. -V. 51.-P. 1069.

104. Азаров, А.Ю. Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PFn+ средних энергий /А.Ю.Азаров, А.И.Титов //Физика и техника полупроводников. -2007. -Т.41. вып. 1. -С. 712.

105. Банишев, А.Ф. Генерация и накопление дислокаций на поверхности кремния при воздействии импульсно-периодического излучения YAG:Nd лазера /А.Ф.Банишев, В.С.Голубев, А.Ю.Кремнев //Журнал технической физики. 2001. -Т.71. -Вып.8. - С.33-38.

106. Булярский, С.В. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках /С.В.Булярский, В.В.Светухин, П.Е.Львов //Физика и техника полупроводников. 2000. - Т.34. - Вып. 4. -С.385-388.

107. Герасименко, Н.Н. Наноразмерные структуры в имплантированных полупроводниках /Н.Н.Герасименко // Российский Химический Журнал. -2002. -Т. XLVI. -№5. -С. 30-41.

108. Van Vechten, J.A. Entropy of ionization and temperature variation of ionization levels of defects in semiconductors /J.A. Van Vechten, L.D.Thuomond //Phys. Rev. B. 1976. V. 14. - P. 3539-3550.

109. Holland, O.W. Interaction ofMeV ions with pre-existing damage in Si: Anew ion beam annealing mechanism /O.W.Holland //Appl. Phys Lett. 1989. V. 54. - P. 320.

110. Ion-beam-induced epitaxy and interfacial segregation of Au in amorphous silicon /R.G.Elliman, D.C.Jacobson, J.Linnros, J.M.Poate //Appl. Phys. Lett. 1987. -V.51 (5).-P. 314.

111. Linnros, J. Dose rate dependence and time constant of the ion-beam-induced crystallization mechanism in silicon /J.Linnros, G.Holmen //J. Appl. Phys. 1987. -V. 62. P.4737.

112. Dominant Influence of Beam-Induced Interface Rearrangement on Solid-Phase Epitaxial Crystallization of Amorphous Silicon /J.S.Williams, R.G.Elliman, W.L.Brown, T.E.Seidel //Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. - P. 1482.

113. Aboelfotoh, M. 0. Microstructure and electrical resistivity of Cu and Сизве thin films on Sil-xGex alloy layers /M.O.Aboelfotoh, M.A.Borek, and J.Narayan //J. Appl. Phys. 2000. -V. 87. -P. 365.

114. Jackson C. A.//J. Mater. Res. 1988. №3. P. 1218.

115. Jeng, S. J. Hydrogen plasma induced defects in silicon /S.J.Jeng, G.S.Oehrlein, G.J.Scilla //Appl. Phys. Lett. 1988. 53(18). P. 1735 - 1737.

116. Buravlyov A.V., Italyantsev A.G., Krasnobayev Z. Ya., Mordkovich V.N., Vyatkin A.F.//Nucl. Instr. and Meth. 1989. V. B39. - P. 366.

117. Dan, T. Lateral solid phase epitaxy of amorphous Si films by selective surface doping method of P atoms /T.Dan, H.Ishiwara, S.Furukawa //Appl. Phys. Lett. 1988.-V. 53(26).-P. 2626.

118. Effect of annealing on the optical properties of ion-implanted Ge /Кои-Wei Wang, William G. Spitzer, Graham K. Hubler, and Edward P. Donovan. //J. Appl. Phys. -1985.-V.57.-P. 2739.

119. Effects of pulsed ruby-laser annealing on As and Sb implanted silicon /C.W.White, P. P.Pronko, S.R.Wilson e.a. //J. Appl. Phys. 1979. -V.50.1. P. 3261.

120. Electrostatic measurement of plasma plume characteristics in pulsed laser evaporated carbon/R.M.Mayo, J.W.Newman, A.Sharma e.a. //J. Appl. Phys. -1999.-V. 86.-P. 2865.

121. In situ investigation of phase transition о f implahted silicon at powerful light irradiation /Ya.V.Fattakhov, M.F.Galyautdinov, T.N.L'vova, I.B.Khaibullin //Vacuum. -2001. -V. 63. -№4. -P. 649-655.

122. Influence of 160, 12C, 14N, and noble gases on the crystallization of amorphous Si layers/E.F.Kennedy, L.Csepregi, J.W.Mayer, T.W.Sigmon //J. Appl. Phys. 1977. V.48. - P. 4241.

123. Interfacial roughening during solid phase epitaxy: Interaction of dopant, stress, and anisotropy effects/William Barvosa-Carter, Michael J. Aziz, A.-V. Phan e.a. //J. Appl. Phys. 2004. - V.96. - P. 5462.

124. Cleaning and Passivation of the Si (100) surface by low temperature remote hydrogen plasma treatment for Si epitaxy/T.Hsu, B.Anthony, R.Qian and at. //Journal of Electronic Materials 1991. 20(3). P. 279 - 287.

125. Ландсберг, Г.С. Оптика /Г.С.Ландсберг. M.: Наука, 1976. 928 с.

126. Вендик, О.Г. Корпускулярно-фотонная технология /О.Г.Вендик, Ю.Н.Горин, В.Ф.Попов. М.: Высш. шк., 1984. 320 с.

127. Галяутдинов, М.Ф. Исследование процессов рекристаллизации ионно-легированных полупроводников: Дис. канд. физ.-мат. наук /М.Ф.Галяутдинов; Каз. физ.-тех. ин-т. -Казань, 1977. 150 с.

128. Реализация алгоритма поиска сигнала заданной формы на фоне шумов /А.А.Логинов, О.А.Морозов, Е.М.Сорохтин, М.М.Сорохтин //Вестник Нижегородского университета. Серия физика твердого тела. Нижний Новгород.-2005.-Вып. 1(8).-С. 141-145.

129. Дьяконов, В.П. От теории к практике. Вейвлеты /В.П.Дьяконов. М.: СОЛОН-Р, 2002. 440 с.

130. Чуй, К. Введение в вейвлеты /К.Чуи. М.: «Мир», 2001. 416 с.

131. Fomitcev, Max. An introduction to wavelets and wavelet transforms /Max.Fomitcev //Электронный математический и медико-биологический журнал. 1998,-Т.З.-Вып. 1.-С. 5-19.

132. Investigation of the dynamics of recrystallization and melting of the surface of implantd silicon at rapid thermal processing /Ya.V.Fattakhov,

133. M.F.Galyautdinov, T.N.L'vova, M.V.Zakharov, I.B.Khaibullin //Proceedings of the SPIE, Bellingham, USA. -2004. -V. 5401. P. 104-109.

134. Ishizaka A., Shiraki Y. Low Temperature Surface Cleaning of Silicon and Its Application to Silicon MBE // Surf. Sci. 1986. V. 174. - P. 671.

135. Johnson, В. C. Kinetics of arsenic-enhanced solid phase epitaxy in silicon /B.C.Johnson and J.C.McCallum //J. Appl. Phys. 2004. -V. 95. - P. 4427.

136. Johnson, В. C. Modeling the effect of hydrogen infiltration on the asymmetry in arsenic-enhanced solid phase epitaxy in silicon /B.C.Johnson and J.C.McCallum //J. Appl. Phys. 2004. -V.96. -P. 2381.

137. Luedtke, W.D. Molecular-dynamics studies of the growth modes and structure of amorphous silicon films via atom deposition /W.D.Luedtke, U.Laudman //Phys. Rev. 1989. V. 40. - P. 11733-11746.

138. Metastable boron active concentrations in Si using flash assisted solid phase epitaxy /S.H.Jain, P.B.Griffin, J.D.Plummer and at. //J. Appl. Phys. 2004. -V.96. -P.7357.

139. Narayan, J. Rapid thermal annealing of ion-implanted semiconductors/J.Narayan, and O.W.Holland //J. Appl. Phys. 1984. -V.56. -P. 2913.145.

140. Nonequilibrium segregation and trapping phenomena during ion-induced crystallization of amorphous Si //Phys. Rev. Lett. -1988. -V. 60. P. 1322-1325.

141. O. W. Holland, B. R. Appleton, and J. Narayan. Ion implantation damage and annealing in germanium // J. Appl. Phys. 1983. -V.54. - P. 2295.

142. Optical emission study of ablation plasma plume in the preparation of diamond-like carbon films by KrF excimer laser/Y.Yamagata, A.Sharma, J.Narayan e.a. //J. Appl. Phys. 1999. -V. 86. -P.4154.

143. Optical studies during pulsed C02 laser irradiation of ion-implantedsilicon/R.B James, J.Narayan, R.F.Wood and at. //J. Appl. Phys. -1985. -V.57. -P. 4727.

144. Pennycook, S. J. Formation of partially coherent antimony precipitates in ion implanted thermally annealed silicon /S.J.Pennycook, J.Narayan, and O.W.Holland //J. Appl. Phys. 1983. -V.54. -P.6875.

145. Pennycook, S. J. Point defect trapping in solid-phase epitaxially grown silicon-antimony alloys /S.J.Pennycook, J.Narayan, and O.W.Holland //J. Appl. Phys.- 1984.-V.55.-P.837.

146. Phase transformation and impurity redistribution during pulsed laser irradiation of amorphous silicon layers /J.Narayan, C.W.White, O.W.Holland, and M.J.Aziz //J. Appl. Phys. 1984. - V. 56. P. 1821.

147. Priolo F., Soinella C., La Ferla A., Rimini E., Ferla G. //Appl. Surf. Sci. 1989.-V.43.-P.178.

148. Ravindra, N. M. Optical properties of amorphous silicon and silicon dioxide /N.M.Ravindra and J.Narayan //J. Appl. Phys. 1986. -V.60. -P.l 139.

149. Ruffell, S. Electrical characterization of 5 keV phosphorous implants in silicon /S.Ruffell, P.J.Simpson, and I.V.Mitchell //J. Appl. Phys. 2005. V. 98. -P. 013713.

150. Ruffell, S. Solid-phase epitaxial regrowth of amorphous layers in Si(100) created by low-energy, high-fluence phosphorus implantation /S.Ruffell, I.V.Mitchell, and P.J.Simpson //J. Appl. Phys. 2005. -V.98. -P. 083522.

151. Smith, H.J. Scanned electron beam annealing of arsenic-implanted silicon /Н.J.Smith, E.Ligeon, and A.Bontemps //Appl. Phys. Lett. 1980. - V. 37. -№11. -P. 1036-1037.

152. The role of point defects generated in the crystalline region in ion beam induced epitaxial crystallization of silicon /A.I.Titov, V.S.Belyakov, P.Cardwell, G.Farrell //Radiation Effects and Defects in Solids. 1996. - №139. - P. 189-195.

153. UV laser incorporation of dopants into silicon: Comparison of two processes /Е. P.Fogarassy, D.H.Lowndes, J.Narayan, and C.W.White //J. Appl. Phys. 1985. -V.58.-P.2167.

154. Тетельбаум, Д.И. Физические проблемы и инженерия дефектов при ионной имплантации кремния (состояние проблемы) /Д.И.Тетельбаум //Тезисы I Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». 2006. - С. 10.

155. Титов, А.И. Твердофазная кристаллизация индивидуальных разупорядоченных нанообластей /А.И.Титов //Тезисы докладов VII Всероссийского семинара «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, 26-29 октября. 2004. - С. 29.

156. Карпов, С.Ю. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения /С.Ю.Карпов, Ю.В.Ковальчук, Ю.В.Погорельский

157. ФТП. -1986. Т.20, вып. 11. - С. 1945-1969.

158. Найдич, Ю.В. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов / Ю.В.Найдич, В.М.Перевертайло, Н.Ф.Григоренко. Киев: Наукова Думка. - 1983. - 100 с.

159. Божков, В.Г. Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл -GaAs с барьером Шоттки /В.Г.Божков, В.А.Кагадей, Н.А.Торхов //Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 11, С. 1343 - 1348.

160. Кагадей, В.А. Влияние гидрогенизации на фотопроводимость ионно-легированных структур арсенида галлия /В.А.Кагадей, Ю.В.Лиленко, Д.И.Проскуровский, Л.С.Широкова //Письма в ЖТФ, 2000. - Т. 26. - Вып. 7.-С. 1-7.

161. Направленное изменение шероховатости поверхности Si и границы раздела Si Si02 /И.А.Айзенберг, И.Р.Москвина, С.В.Носенко и др. //Поверхность. Физика, химия, механика. - 1990. - №11. С. 96 - 100.

162. Влияние гидрогенизации на пробивное напряжение стока транзисторов на основе ионно-легированных структур арсенида галлия/ В.А.Кагадей, Е.В.Нефедцев, Д.И.Проскуровский и др. // Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. -Вып. 1.-С. 27-35.

163. Фаттахов, Я.В. Плавление полупроводников при быстром однородном нагреве оптическим излучением /Я.В.Фаттахов, Р.М.Баязитов, М.Ф.Галяутдинов и др. //Известия Академии Наук. Серия физическая. 1995. - Т59. -№12. - С. 136-142.

164. Effect of substrate temperature and ion incident energy on silicon surfacecleaning using a hydrogen plasma exited by electron cyclotron resonance /K.Nakashima, M.Ishii, T.Hayakawa, I.Tajima //J. Appl. Phys. 1993. 74(11). P. 6936 - 6940.

165. Kagadei, V. A. Use of a new type of atomic hydrogen source for cleaning and hydrogenation of compound semiconductive materials /V.A.Kagadei, D.I.Proskurovsky //J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. - 16(4).

166. Short time electron cyclotron resonance hydrogenation of polycrystalline silicon thin-film transistor structure /R.A.Ditizio, G.Liu, S. J.Fonash, B.-C.Hseih and D.W.Greve //Appl. Phys. Lett. 1990. 56(12). P. 1140 - 1142.

167. Surface roughness and defect morphology in electron cyclotron resonance hydrogen plasma cleaned (100) silicon at low temperatures /Ki-Hyun Hwang, Euijoon Yoon, Ki-Woong Whang, Jeong Yong Lee //Appl. Phys. Lett. 1995. 67(24). P. 3590-3592.

168. Sasaki, K. Etching action by atomic hydrogen and low temperature silicon epitaxial growth on ECR plasma CVD /K.Sasaki, H.Tomoda, and T.Takada //Vacuum. 1998.51(4). P. 537-541.

169. Mayers, S. M. Hydrogen interaction with defects in crystalline solids /S.M.Mayers, M.I.Baskes, H.K.Birnbaum //Reviews of Modern Physics. 1992. 64(2). P.559-617.

170. Morphology of Si (100) surface exposed to a remote H plasma /J.S.Montgomery, T.P.Schneider, R.J.Carter, J.P.Barnak //Appl. Phys. Lett. 1995. 67(15). P. 2194-2196.

171. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977.-256 с.

172. Characterization of thin, doped silicon single crystals by x-ray diffraction /Stefan Joksch, Walter Graeff, Peter Zaumseil e.a. //J. Appl. Phys. -1992.-V.72.-P. 54.