Исследование физических механизмов и динамики анизотропного локального плавления поверхности кремния при импульсном световом облучении тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ И ИМПЛАНТИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ

§1.1. Общая характеристика различных режимов импульсного отжига.

§1.2. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния

§1.3. Расчеты температурных полей при ИСО

§1.4. Дефектность имплантированного и отожженного кремния.

§1.5. Термопластические эффекты в полупроводниках в процессе импульсного светового отжига.

§1.6. Методики исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников при импульсных световых обработках

§1.6.1. Методика зондирования, основанная на изменении интенсивности отраженного от поверхности образца излучения зондирующего лазера.

§1.6.2. Исследование динамики процессов с помощью киносъемки

§1.7. Краткие выводы из анализа литературы.

§1.8. Задачи диссертационной работы.

ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§2.1. Подготовка образцов и техника ионной имплантации

§2.2. Обработка образцов импульсным некогерентным излучением

§2.3. Техника импульсной твердофазной диффузии

§2.4. Методика исследования кристаллической структуры и микрорельефа поверхности кремния

§2.5. Методика исследования электрофизических параметров ионнолегированных слоев

§ 2.6. Установка для исследования динамики зарождения и роста ЛОП

§2.7. Установка для исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности ионно-имплантированных слоев кремния.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА АНИЗОТРОПНОГО

ЛОКАЛЬНОГО ПЛАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО

И ИМПЛАНТИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ.

§3.1. Исследование эффекта анизотропного локального плавления в монокристаллическом кремнии.

§3.2. Исследование эффекта анизотропного локального плавления в имплантированном кремнии.

§3.3. Исследование трансформации кристаллической структуры ионнолегированных слоев кремния.

Современные технологии развития микроэлектроники связаны с разработкой и производством сверхбольших (СБИС) и сверхскоростных (ССИС) интегральных схем [1,2]. Переход к созданию СБИС и ССИС с субмикронными размерами элементов требует привлечения самых современных технологий, в частности, ионной имплантации (ИИ) и импульсного светового отжига (ИСО).

Ионная имплантация, основанная на внедрении в твердое тело ускоренных в электростатическом поле ионизованных атомов и молекул, является основным методом введения примеси в полупроводниковые материалы при изготовлении приборов микроэлектроники [3]. В процессе замедления имплантированных ионов в полупроводнике образуются радиационные дефекты. Поэтому технологический цикл изготовления изделий полупроводниковой микроэлектроники включает в себя высокотемпературный отжиг, используемый для устранения радиационных дефектов и электрической активации примеси, введенной ионной имплантацией [3,4]. Диапазон длительностей термообработок, используемых в настоящее время, изменяется от наносекунд до десятков минут, а температуры - от сотен градусов Цельсия до температуры плавления полупроводника. N

В настоящее время в промышленности вместо традиционного термического широко используется импульсный световой отжиг, хотя многие физические аспекты протекающих при этом процессов изучены недостаточно [5,6].

В последнее время заметный интерес вызывает эффект анизотропного локального плавления поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников, который при определенных режимах сопутствует процессу импульсного светового облучения (ИСО). Суть этого интересного физического эффекта заключается в том, что при однородном облучении поверхности и определенных для каждого полупроводника сочетаниях параметров импульса светового излучения на исходной идеально гладкой поверхности полупроводника образуются локальные области плавления, разделенные участками нерасплавившегося материала [13-27].

Интерес к эффекту обусловлен следующим. Во-первых, изучение механизма и основных закономерностей локального плавления позволяет получить ценную физическую информацию о свойствах полупроводника и процессах, протекающих в образце во время и после действия мощного импульса света. Во-вторых, эти исследования непосредственно связаны с решением важной прикладной проблемы - оптимизацией режимов импульсного светового1 отжига ионно-легированных слоев (ИЛС), импульсной твердофазной диффузии из поверхностного слоя, а также рекристаллизации аморфных и поликристаллических слоев на изолирующей подложке [44].

Несмотря на довольно большое количество статей, к моменту начала данной работы не было ясности в понимании физического механизма возникновения этого важного эффекта и его основных закономерностей даже в монокристаллах, не говоря уже об ИЛС. Хотя многие экспериментальные результаты изучения эффекта анизотропного локального плавления на монокристаллическом кремнии, полученные в то время, объяснялись моделью, предполагающей существование кратковременного метастабильного состояния, характеризуемого перегревом поверхности кремния в твердой фазе относительно равновесной температуры плавления, но тем не менее до сих пор еще нет единого мнения относительно доминирующего механизма. Кроме того, по результатам наших исследований и работ других авторов было установлено, что основные закономерности проявления эффекта на имплантированном кремнии требуют обязательного учета дополнительных факторов, таких как степень разупорядочения ионно-легированного слоя, особенности процессов рекристаллизации и вторичного дефектообразования в процессе ИСО и др.

С учетом вышеизложенного, настоящая диссертационная работа посвящена более глубокому и детальному изучению влияния различных режимов обработки полупроводников на особенности проявления анизотропного локального плавления, исследованию динамики процесса анизотропного локального плавления в монокристаллических и имплантированных полупроводниках. Это позволит ответить на дискуссионный вопрос о доминирующем физическом механизме, лежащем в основе эффекта анизотропного локального плавления при импульсном световом облучении полупроводников и тем самым эффективно управлять этим эффектом.

Данные этих исследований особенно необходимы при разработке физических основ новых технологических процессов в производстве интегральных схем и других приборов микро- и оптоэлектроники.

Диссертация состоит из введения, 4-х глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Основные результаты и выводы

1. Выявлены основные закономерности и особенности проявления эффекта анизотропного локального плавления в монокристаллическом и имплантированном кремнии при воздействии на них мощных импульсов светового излучения с длительностью в диапазоне миллисекунд-секунд. Впервые получены систематизированные зависимости основных характеристик эффекта (плотности, размеров и формы локальных областей плавления) от параметров ионного пучка (дозы, энергии, типа иона) и светового импульса (плотности мощности и длительности).

2. Впервые исследована динамика процесса зарождения и роста локальных областей плавления в кремнии при импульсном световом воздействии. Установлен физический механизм эффекта локального плавления полупроводников, основанный на возникновении перегрева поверхности полупроводника относительно равновесной температуры плавления.

3. Изучена динамика структурно-фазовых переходов аморфное состояние-монокристалл в имплантированном кремнии и определены важнейшие характеристики протекающих физических процессов (длительность стадии твердофазной рекристаллизации, момент достижения температуры плавления аморфного р монокристаллического и кремния, длительность существования жидкой фазы).

4. Установлены оптимальные параметры (длительность, количество импульсов, атмосфера) импульсного светового отжига, обеспечивающие снижение уровня остаточных макроскопических дефектов в имплантированных слоях кремния.

5. Разработаны бесконтактные оптические методики и созданы оригинальные установки для исследования in situ процессов зарождения и роста локальных областей плавления и структурно-фазовых переходов на поверхности монокристаллических и имплантированных слоев кремния.

125

6. На основе обнаруженных и изученных физических закономерностей эффекта анизотропного локального плавления предложены:

1) способ формирования на поверхности двумерной периодической структуры локальных областей плавления;

2) способ повышения дифракционной эффективности голограмм, записанных на кремнии, защищенный Патентом РФ.

В заключение выражаю искреннюю благодарность своим научным руководителям члену-корреспонденту РАН, профессору И.Б. Хайбуллину и кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Я.В. Фаттахову за постановку задачи и внимательное руководство работой и большую помощь при ее выполнении.

Выражаю глубокую признательность кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику М.Ф. Галяутдинову за помощь в осуществлении работы, ценные советы и замечания.

126

1. Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. -М.: Наука, 1986.- 142 с.

2. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. l./Под ред. Зи С. М.: Мир, 1986. - 404 с.

3. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. - 296 с.

4. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. - 360 с.

5. Двуреченский А.В., Ка**урин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов//- М.: Наука, 1982. 208 с.

6. Хайбуллин И.Б., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1985. -Т. 19, вып.4. -С.569-591.

7. Borisenko V.E., Gribkovskii V.V., Labunov V.A., Yudin S.G. Pulsed heating ofsemiconductors/ Phys. Stat. Sol. (A). 1984. - V.86. - P.573-583.

8. Импульсные источники света/ Под ред. И.С. Маршака, -М: Энергия, 1978. -472 с.

9. Correrá L., Pedulli L. Annealing of phosphorus implanted silicon by incoherent light scanning// Radiat. Eff. 1982. - V.63, N 1-4. - P.187-190.

10. П.Педулли Л., Коррера Л. Облучение некогерентным светом как метод отжига имплантированного фосфором кремния // Шестая Всес. конф. по взаимодействию атомн. частиц с тв. телом. Минск, 1981. Ч.З. - С.55-69.

11. Klabes R., Matthai J., Voelskow M., Kachurin G.A., Nidaev E.V., Bartsch H. Flash-lamp annealing of arsenic implanted silicon// Phys. Stat. Sol. (a). 1981. -V.66, N 1. - P.261-266.127

12. Heinig K.-H. Effects of local melting on semiconductor surfaces// Proc. 1st Internat. Conf. On Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Pt 1. Dresden: Zentralinstitut fur Kernforschung, 1985. - P.265-279.

13. Celler G.K., Robinson Mc.D., Trimble L.E., Lishner DJ. Spatial melt instabilities in radiatively melted crystalline silicon// Appl. Phys. Lett.- 1983. -V.43, N 9. P. 868-871.

14. Preston J.S., Van Driel H.M., and Sipe J.E. Order-disorder transitions in the melt morphology of laser-irradiated silicon// Physical Review Letters. 1987. -V.58. P.69-72.

15. Von Almen M., Luthy W., and Affolter K. Anisotropic melting and epitaxial regrow of laser-irradiated silicon// Applied Physics Letters. 1978. - V.33. -P.824-825.

16. Вейко В.П., Имас Я.А., Либенсон M.H., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б. Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера// Изв. АН СССР, сер. Физ. -1985. Т.49, N 6. - С.1236-1239.

17. Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Кияк С.Г., Савицкий Г.В. Морфологияповерхности полупроводников при воздействии импульсов лазерногоизлучения миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. -1986. N 5. - С.142-144.128

18. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Гоноров С.Ж., Южанин А.Г.

19. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсногоiлазерного излучения// Докл. АН Укр. ССР. Сер. А. Физ.-мат. и техн. науки. 1987. - N 5. - С.61-65.

20. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Южанин А.Г. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов// Укр. Физ. Журнал. 1987. - Т.32, N 7. - С.1079-1083.

21. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Южанин А.Г., Тыслюк И.В., Похмурская A.B. Формирование периодических структур на поверхности полупроводников под действием лазерного излучения// Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1988. - Т.52, N 11. - С.2276-2281.

22. Демчук A.B., Данилович Н.И., Лабунов В.А., Пристрем A.M. Локальное плавление кремния лазерным излучением миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1987. -N 12. - С.89-97.

23. Демчук A.B., Данилович Н.И., Лабунов В.А., Пристрем A.M. Образование и развитие поверхностных периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1988. - N 1. - С.106-114.

24. Fattachov Ya.V., Khaibullin I.B., Bayazitov R.M., Misyryov E.M. Anisotropic local melting of semiconductors by incoherent light pulses// Phys. Stat. Sol. (a). -1989. V.112,N2 - P.699-702.

25. Gautier В., Moeglin J.P. Laser induced damages on IR windows and detector materials// Proc. SPI -Int. Soc. Opt. Eng. (USA) -1995.- V.2502. P.737-743.

26. Астахов В.П., Данилов Ю.А., Дудник В.Я., Питиримова Е.А. Особенности импульсного фотонного отжига антимонида индия// Физика и химия обработки материалов. 1988. - N 1. - С.34-38.

27. Емельянов В.И., Кашкаров П.К., Чеченин Н.Г., Дитрих Т. Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении// ФТТ. 1988. - Т.30, Вып.8 - С.2259-2263.

28. Плотников А.И., Рембеза С.И., Логинов В.А., Дорофеев А.П. Анизотропное локальное плавление ионно-имплантированного кремния// ' Кристаллография. 1990. - Т.35, Вып.6. - С. 1523-1526.

29. Плотников А.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированных ионами бора// Физика и химия обработки материалов. -1991. -N2. С.122-125

30. Плотников А.И. Образование поверхностных структур на кремнии при воздействии некогерентного излучения// Поверхность. Физ. Хим. Мех. -1991. N 8. - С.106-112.

31. ЕшеГуапоу V.l. Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Order Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beam// Laser Physics. 1992. - V.2, N 4. - P.389-466.

32. Емельянов В.И„ Кашкаров П.К., Чеченин Н.Г., Дитрих Т. Образованиепериодических структур дефектов на поверхности полупроводников при1импульсном лазерном облучении// Физика твердого тела. 1988. - Т.30, вып. 8. - С.2259-2263.

33. Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б., Баязитов P.M., Мисюрев Е.М., Гретчел Р. Анизотопное локальное плавление монокристаллического иjимплантированного кремния импульсами некогерентного света// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1989. - N 11. - С.61-69.

34. Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б., Баязитов P.M., Мисюрев Е.М. Влияние длительности светового импульса на анизотропное локальное плавление кремния// Письма в ЖТФ. 1988. - Т.14, вып.16. - С.1474-1478.130

35. Верходанов С.П., Герасименко H.H., Мясников A.M. Анизотропное локальное плавление на дефектах структуры кремния// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1988. - N 5. - С.69-73.

36. Астахов В.П., Данилов Ю.А., Дудник В.А., Питиримова Е.А. Особенностиимпульсного фотонного отжига антимонида индия// ФИЗХОМ. 1988. - Ni1. С.34-88.

37. Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. Плавление и кристаллизация полупроводников при импульсном лазерном воздействии// Рост кристаллов, Т.17 М.: Наука, 1988. - С. 18-31.

38. Найдич Ю.В., Перевертайло В.М., Григоренко Н.Ф. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов. Киев: Наукова Думка, 1983. -100 с.

39. Соловьев К.С., Поваляев А.Д., Грошиков A.M., Мещеряков В.М., Исаев Б.Н. Распределение дефектов по глубине в имплантированном бором кремнии// Изд. Воронежского ГУ. 1983. - С.70-73.

40. Зуев И.В., Красулин Ю.Л., Рыкалин H.H. и др. О механизме проплавления кристаллических твердых тел электронным лучом// Докл. АН СССР. 1967. - Т. 174, N 1 - С.76-79.

41. Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия//М.: Наука, 1988.- 175 с.

42. Железный B.C., Логинов В.А., Плотников А.И., Рембеза С.И. Особенности локального плавления кремния при электронно-лучевом нагреве// Физика и химия обработки материалов. 1990. - N 2. - С. 138-139.

43. Дудко Г.В., Мышляев М.М., Северин Н.В., Чередниченко Д.И. Электронно-микроскопические исследования дефектов в кремнии после электронно-лучевой термообработки// Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1972. -Т.36, N 6. - С.1371-1374.

44. Balandin V.Yu., Aleksandrov L.N., Dvurechenskii A.V., Kulyasova O.A. Interference effects at laser pulse heating of multilayer structures// Phys. Stat. Sol. (a). 1994. - V. 142. - P.99-105.131

45. Aleksandrov L.N. Structural transformation in silicon by pulse heating// Prog. Crystal Growth and Charact.- 1992. V.24. - P.53-105.

46. Нидаев E.B., Смирнов' Л.С. Импульсный отжиг. Проблемы и достижения// Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981. - Вып.5. -С.50-59.

47. McMahon R.A., Ahmed Н., Dobson R.M., Speight J.D. Characterization of multiple-scan electron beam annealing method// Electron. Lett. 1980.- V.16, N 8. - P.259-298.

48. Thornton J., Hemment P.L.F., Wilson I.H. Amorphization of silicon by bombardment with group IV ions// Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. Sect. B. 1987. - V. 19/20, pt.1. - P.307-311.

49. Bentini G., Correra L., Donolato C. Defects introduced in silicon wafers during rapid isothermal annealing: thermoelastic and thermoplastic effects// J. Appl. Phys. 1984. - V.56, N 10. - P.2922-2929.

50. Борисенко B.E., Юдин С.Г. Термоупругие напряжения и термопластические эффекты в полупроводниковых пластинах при импульсном нагреве излучением// Зарубежная электронная техника. 1989. -N 1(332).-С.67-82.

51. Webber Н.С., Cullis A.G., Chew N.G. Computer simulation of high speed melting of amorphous silicon// Appl. Phys. Lett. 1983. - V. 43, N 7. - P.669-671.

52. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под ред. Поута Дж. М.: Машиностроение, 1984.424 с.

53. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения. Казань, 1974. - 32 с. - Деп. в ВИНИТИ. - N 2061-74.

54. Баязитов P.M., Ибрагимова М.И., Хайбуллин И.Б. Методы расчетов температурных полей при импульсном световом облучении полупроводниковых ионно-легированных слоев/ АН СССР. Казан. Фил. ФТИ. М.: 1981. 21 с. - Деп. в ВИНИТИ. - N 4714-81.

55. Bentini G.G. Solid state annealing of ion implanted silicon by incoherent light pulses and multiscan electron beam// Rad. Eff. 1982. - V.63, N 1-4. - P. 125131.

56. Самарский A.A. Введение в теорию разностных схем. М: Наука, 1971. -55 с.

57. Хайбуллин И.Б. Лазерный отжиг ионно-легированных полупроводников. -Диссерт. на соиск. уч. степ, д.ф.-м.н. по спец. 01.04.07 физика тв. тела в форме научного доклада, М.: 1984, - 58 с.

58. Фоти Дж. Импульсный лазерный отжиг полупроводников. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. М.: Мир, 1980. -С. 131-145.

59. Баязитов P.M. Импульсный нагрев и кристаллизация ионно-легированных полупроводников. Фундаментальные вопросы ионной имплантации: Материалы III Всесоюзной школы. Алма-Ата, 1987. - С. 107-116.

60. Охотин A.C., Пушкарский A.C., Горбачев В.В. Теплофизические свойства полупроводников. М.: 1972. - 200 с.

61. Baither D., Panknin D., Wieser E. Residual defects after light pulse annealing of implanted silicon// Phys. Stat. Sol. (a). 1987. - V.102, N 2. - P.679-685.

62. Белл Дж. Ф. Экспериментальные основы механики деформируемых твердых тел в 2-х ч. Ч. II. -М.: Наука, 1984. 432 с.

63. Мелан Э., Паркус Г. Термоупругие напряжения, вызываемые стационарными температурными полями. -Москва: Физматлит, 1958. 167133

64. Акулов Н.С. Дислокации и пластичность. -Минск: Изд-во Акад. Наук БССР, 1961.- 109 с.

65. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев B.C., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. -Минск: Университетское, 1990.-С.320.

66. Liu J.M., Kurz Н., Bloembergen N. Picosecond time-resolved plasma and temperature induced changes of reflectivity and transmission in silicon// Appl. Phys. Lett. 1982.- V.41, N 7. - P.643-646.

67. Von der Linde D., Fabricius N. Observation of an electronic plasma inipicosecond laser annealing of silicon //Appl. Phys. Lett. 1982. - V.41, N 10, -P.991-993.

68. Аверьянова М.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В., Смолинский О.В. Динамика коэффициента отражения кристаллических Si и GaAs при воздействии пикосекундных лазерных импульсов// Письма в ЖТФ. 1985. -Т. 11, вып.12. - С.761-765.

69. Shank C.V., Yen R, Hirliman С. // Phys. Rev. Lett. 1983. - V.51, N 10. -P.900-902.

70. Ахманов C.A., Галяутдинов М.Ф., Коротеев Н.И., Пайтян Г.А., Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Шумай И.Л. Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия// Квантовая электроника. -1983. Т.10, N 6. - С.1077-1078.

71. Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семиногов В.Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхностьполупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты нелинейно-оптическая диагностика// УФН. 1985. - Т. 147, вып.4. - С.675-745.

72. Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения// ФТП. -1986. Т.20, вып. 11. - С.1945-1969.

73. Александров JI.H. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. 224 с.

74. Combescot М., Bok J., Benoit С., Benoit a la Guillaume С. Instability at the melting threshold of laser-irradiated silicon// Phys. Rev. B. 1984. - V29, N11.-P.6393-6395.

75. Демчук A.B., Лабунов B.A. Перекристаллизация кремниевых слоев с неоднородным рельефом поверхности лазерным излучением наносекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990. N 6. -С.87-93.

76. Batische S.A., Demchuk A.V., Kuz'muk A.A., Labunov V.A., Mostovnicov V.A., Tatur G.A. Crystallization features of silicon layers on thermo-insulated substrates under nanosecond laser radiation// Appl. Phys. A. 1990. - V.50. -P.321-324.

77. Демчук A.B., Пристрем A.M., Данилович Н.И., Кравченко A.M. Твердофазная рекристаллизация кремниевых слоев на аморфных диэлектрических подложках сканирующим лазерным излучением// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1986. - N 11. - С.86-89.

78. Licoppe С. and Nissim Y.I. In situ time-resolved reflectivity measurements of growth kinetics during solid phase epitaxy: a tool to estimate interface non planarity during growth// Pittsburg, PA, USA: Matter. Res. Soc., 1986. P. 167172.

79. Bosch M.A. and Lemons R.A. Laser-induced melt dynamics of Si and silica// Phys. Rev. Lett. -1981. -V.47,N 16. P.l 151-1155.

80. Olson G.L., Kokorowski S.A., Mc Farlane R.A., and Hess L.D. Direct observation of laser-induced solid phase epitaxial crystallization by timeresolved optical reflectivity// Appl. Phys. Lett. 1980. - V.37, N 11. - P. 10191021.

81. Hess L.D., Forber R.A.,< Kokorowski S.A., and Olson G.L. CW laser annealing of ion-implanted silicon//Proc. SPIE USA, 1979. V.198. - P.31-34.

82. Bertolotti M. and Sibilia C. Depth and velocity of the laser-melted front from an analitical solution of the heat conduction equation// Journal of Quantum Electronics. -1981. V.QE-17, N10. - P1980-1989.

83. Bell R.O., Toulemonde M., and Siffert P. Caculated temperature distribution during laser annealing in silicon and cadmium telluride// Appl. Phys. -1979. -V.19. P.313-319.

84. Bell A.E. Review and analysis of laser annealing// RCA Review. 1979. - V.40. - P.295-338.

85. Cesari C., Nihoul G., Marfaing J., Marine W., Mutaftschiev B. Amorphous-crystalline interfaces after laser induced explosive crystallization in amorphous germanium// Surface Science. 1985. - V.162, - P.724-730.

86. Баязитов P.M., Ивлев Г.Д., Хайбуллин И.Б., Малевич В.JI., Саинов Н.А. Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния// ФТП. -1988. Т.22, вып.1. - С.79-83.

87. Ивлев Г.Д. Динамика отжига ионно-имплантированного кремния моноимпульсным излучением рубинового лазера// Письма в ЖТФ. 1982. -Т.8, вып.8. - С.468-472.

88. Goldsmid H.J., Kaila М.М., Paul G.L. Thermal conductivity of amorphous silicon// Phys. St. Sol. (a). 1983. - V.76, N1. - Р.КЗ 1-K33.

89. Balandin V.Yu., Dvurechenskii A.V., Aleksandrov L.N. Intermediate and self-sustaining crystallization of a-Si layers during pulsed electron beam annealing// Phys. St. Sol. (a). 1986. - V.93, N 2. - P.K105-K109.

90. Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. Температурное изменение оптических свойств жидкой фазы кремния при наносекундном лазерном плавлении кремния и германия// ФТП. 1996. - Т.ЗО, вып.11. - С.2097-2107.iI

91. Auston D.N., Surko C.M., Vekatesan T.N.C., Slusher R.F., Golovchenko J.A. Time-resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing// Appl. Phys. Lett. 1978. - V.33. - P.437-440.

92. Пипилович B.A., Ивлев Г.Д., Малевич BJL, Жидков В.В. Пирометрическое измерение температуры кремния при наносекундном лазерном отжиге// Письма в ЖТФ. 1983. - N 9, вып.10. - С.594-598.

93. Kemmler М., Wartman G., von der Linde D. Thermal radiation from laser heated silicon and pyrometric temperature measurements// Appl. Phys. Lett.1984. V.45, N 2. - P.159-161.

94. Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. Итоги науки и техники. Физические основы лазерной и пучковой технологии. М.: ,1988. -т.1. 181с.

95. Ivlev G.D., Malevich V.L., Zidkov V.V. Melting temperature of amorphized silicon heated by nanosecond laser radiation// Phys. St. Sol. (a). 1988. - V.106, N2. - P.kl23-kl27.

96. Ивлев Г.Д., Баязитов P.M., Гайдук П.И., Соловьев B.C., Хайбуллин И.Б., Жидков В.В. Модифицирование имплантационных слоев кремния моноимпульсным воздействием лазерного излучения// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990.-N 1. - С.65-71.

97. Кашкаров П.К., Каменев Б.В., Константинова Е.А., Ефимова А.И., Павликов А.В., Тимошенко В.Ю. Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях // УФН. 1998. Т. 168, N 5. - С. 577-582.

98. Батище С.А., Данилович Н.И., Демчук А.В., Лабунов В.А., Мостовников В.А., Татур Г.А. Динамика перекристаллизации кремниевых слоев импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим: Мех. 1988. - N 1. - С. 115-123.

99. Борисов В.Т., Любов Б.Я., Темкин Д.Е. О расчете кинетики затвердевания Металлического слитка при различных температурных условиях на его поверхности// Доклады АН СССР. 1955. - Т. 104, N 2 -С.223-226.

100. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975. -256 с.

101. Black J.G., Hawkins W.G., and Griffiths C.H. Thin film crystal growth of Si on fused slilca: Effects of growth front dynamics on crystallography// J. Appl. Phys.-1983. Y.54. - P.5764-5770.

102. Dutartre D. In-situ observation of lamp zone melting of Si films on patterned Si02// Appl. Phys. Lett. 1986. - V.48. - P. 350-352.

103. Inoue T. and Hamasaki T. Direct observation of growth front movement in electron beam recrystallization of silicon layer on insulator// Appl. Phys. Lett. -1987. V.50, N 15. - P.971-973.

104. Johnson C.M., Ridgway M.C., Guararie V. Irradiation-induced cracking/uncracking of silica// Proc. 11 th Intern. Conf. on Ion Beam Modification of Materials. Holland, 1998. P.60-61.

105. Андронов A.H., Баграев H.T., Клячкин Л.Е., Робозеров С.В., Фараджев Н.С. Электронно-лучевая диагностика приповерхностных р-n -переходов в кремнии// ФТП. 1994. - Т.28, N 11. С.2049-2055.

106. Андронов А.Н., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Робозеров С.В., Фараджев Н.С. Сверхмелкие р+-п -переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области// ФТП. 1998. - Т.32, N 2. С. 137143.

107. Батенин В.М., Климовский И.И., Селезнева Л.А. Исследование поверхностей электродов угольной дуги во время ее горения// Доклады АН СССР. 1988. - Т.303, N 4. - С.857-860.

108. Лопота В.А., Смирнов B.C. Состояние материала и его параметров в зоневзаимодействия луча при лазерной сварке с глубоким проплавлением//

109. Физика и химия обработки материалов. 1989. - N 2. - Р. 104-115.

110. Миткевич Е.А., Лопота В.А., Горный С.Г. Динамика формирования шва при сварке СОг-лазером// Автоматическая сварка. 1982. - N2(347). - С.22-25.

111. Миткевич Е.А., Локшин В.Е. Динамика формирования шва в условияхIэлектроннолучевой сварки// Автоматическая сварка. 1980. - N 8. - С. 11-12.

112. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. -М.: Мир, 1986. с.

113. Гришин В.К. Статистические методы анализа и планирования экспериментов. -М.: МГУ, 1975. 128 с.

114. Коломейцов Ю.В. Интерферометры. Ленинград: Машиностроение, 1976.-295 с.

115. Коломейцов Ю.В., Духопел И.И., Инюшин А.И., Артемьев И.В. Оптические приборы для измерения линейных и угловых величин в машиностроении. -М.: Машиностроение, 1964. 255с.

116. Van der Pauw L.J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape// Philips Res. Rep.- 1958. V.13, N 1. - P. 1-9.

117. Johansson N.G.E., Mayer J.W, Marsh O.J. Technique used in Hall effect analysis of ion implanted Si and Ge// Solid State Electron. 1970. V. 13, N 4. -P. 317-335.

118. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Советское Радио, 1976. - 103 с.

119. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. - 207 с.

120. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. - 240 с.

121. Tsaur B.-Y., Donnelly J.P., Fan J.C.C., Geis M.W. Transient annealing of arsenic-implanted silicon using a graphite strip heater// Appl. Phys. Lett. -1981.-V. 39, N 1. -P. 93-95.

122. Двуреченский A.B., Серяпин В.Г. Анодное окисление кремния. -Препринт ИФП СО АН СССР, Новосибирск, 1977. 25 с.139

123. Sze S.M. and Irvin J.C. Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge, and Si at 300 K// Solid-State Electron. 1968. V. 11, N 6. - P. 599-602.

124. Скоростная киносъемочная камера. Паспорт.

125. Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б., Баязитов P.M., Мисюрев Е.М., Васильева

126. Львова) Т.Н. Кинетика твердофазной рекристаллизации на начальной1стадии импульсного отжига//1-я Всесоюзная конференция по физическим основам твердотельной электроники. Тез. докл. Ленинград. -1989. - Т. В. -С.238-239.

127. Фаттахов Я.В., Васильева Т.Н., Хайбуллин И.Б. Анизотропное локальное плавление имплантированного кремния: структурные и термопластические эффекты// Письма в ЖТФ. 1990. - Т. 16, вып.2. - С.47-53.

128. Васильева (Львова) Т.Н., Фаттахов Я.В. Анизотропное плавление имплантированного кремния// Материалы конференции молодых ученых КФТИ-90.-Казань.-1990.-С.37-41.

129. Fattakhov Y.V., Khaibullin I.B., VasiFyeva (L/vova) T.N. The influence of the ion type on the anisotropic local melting of implanted silicon// Nuclear1401.struments and Methods in Physical Research. -1991. Part В. - V. 59/60. -P. 1072-1076.

130. Фаттахов Я.В., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. О некоторых особенностях анизотропного локального плавления имплантированного кремния// Российская конференция с участием зарубежных ученых «Микроэлектроника 94». Тез. докл. -Звенигород. -1994. -С. 257-258.

131. Fattakhov Y.V., Bayazitov R.M., Khaibullin I.B., L'vova T.N. Anisotropic melting of semiconductors at irradiation by powerful light pulses// High PowerI1.sers Science and Engineering. NATO ASI Series. -1995 -V.7. - P. 533-548.

132. Фаттахов Я.В., Баязитов P.M., Хайбуллин И.Б., Львова Т.Н., Еремин Е.А. Плавление полупроводников при быстром однородном нагреве оптическим излучением// Изв. АН. Сер. Физич. 1995. - Т.59, N 12. - С.136-142.

133. Львова Т.Н., Фаттахов Я.В. Плавление полупроводников при быстромоднородном нагреве оптическим излучением// II Республиканская научнаяконференция молодых ученых и специалистов. Тез. докл. -Казань. -1996. -С.76.

134. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. Формирование периодической структуры локальных областей плавления на поверхности кремния при импульсном световом облучении// Журнал технической физики. 1997. - Т.67, N 12. - С.97-99.

135. Колоер Р., Беркхарт К., Лин Л. Оптическая голография. -М.: Мир, 1973. -686с.

136. Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М., Штырков Е.И., Галяутдинов М.Ф., Туриянский Е.А. // А.С. СССР N 490368, кл. G03H1/04, 1974, Бюлл. изобр. -1976.-N11.-с. 1.99.

137. Применение голографии. Под ред. Дж. Гудмена. М.: 1973. - 80 с.I

138. Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Яковлев В.В. Индуцирование квадратичных оптических восприимчивостей в центросимметричных кристаллах за счет неоднородной деформации// Оптика и спектроскопия. -1987. Т.62, вып.5. - С.1188-1190.

139. Usenko A. Y. Localized melting induced by rapid annealing correlated with the space distribution of A type microdefects in silicon Czhochralski grown wafers// J. Materials Science: Materials in Electronics. - 1993. - V.4. - P.89-92.

140. Хафизов P.3., Ладыгин E.A., Усенко А.Ю. Особенности формы и распределения рельефных фигур, оразующихся при импульсной фотонной обработке на поверхности кремниевых пластин// Фихика и химия обработки материалов.-1991 .-Т.4.-С.46-52.

141. Авакянц Л.П, Ивлев Г.Д, Образцова Е.Д. Комбинационное рассеяние света в лазерно-кристаллизованном кремнии// ФТТ. 1992. - Т.34, N11.-С.3334-3337. .

142. Meyer J. R., Kruer M.R. and Bartoli F.J. Optical heating in semiconductors: laser damage in Ge, InSb, and GaAs// J. Appl. Phys. 1980, - v.51, N 10. -P.5513-5522.

143. Tsu R., Paeslen M.A., Sayers D.// J. Non-Cryst. Solids. -1989. V.l 14, N 1. -P. 199-201.

144. Лабунов B.A., Борисенко B.E., Грибковский. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом// Зарубежная электронная техника. 1983. - N 1 (259). - С.3-58.

145. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. Динамика плавления кремния мощными импульсами некогерентного света// Оптика атмосферы и океана. -1998. T.l 1. - № 2-3. -С. 264-268.

146. Fattakhov Y.V., Galyautdinov M.F., L'vova T.N.,. Khaibullin I.B. The dinamics of recrystallization and melting of implanted silicon irradiation by powerful light pulses// Vacuum. 1998. - V 51. - № 2. - P.255-259.

147. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. In situ дифракционные исследования структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников при облучении мощными импульсами света// Известия РАН. 1999. - Т. 63. -№ 6. - С. 1215-1221.

148. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б.

149. Исследование in situ структурных и фазовых переходов на поверхностимонокристаллического и имплантированного кремния при импульсных фотонных обработках. «Микро- наноэлектроника».- Москва. -1999. -Тез. докл. -Р1-12.

150. Белокриницкий Н.С., Гнатовский А.В., Данилейко М.В., Захаров В.П., Козлов А.В., Шпак М.Т. Запись оптической информации на аморфных144пленках полупроводниковых соединений // Письма в ЖЭТФ. 1972. - Т. 15, вып.4. - С. 198-200.

151. Белокриницкий Н.С. Гнатовский А.В., Данилейко М.В., Захаров В.П., Шпак М.Т. Голографическая запись информации на аморфных полупроводниковых пленках // Доклады АН СССР. -1973. -Т.209, N 2. -С.330-332.

152. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. Заявка на изобретение. Способ получения голограмм на кремнии. Патент РФ на изобретение № 2120653, опубл. 20.10.98. Бюл. № 29.