Структурные и фазовые переходы в полупроводниках при импульсных лучевых воздействиях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИНТЕНСИВНЫХ ФОТОННЫХ И КОРПУСКУЛЯРНЫХ ПУЧКОВ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ.

1.1. Механизмы взаимодействия световых потоков с полупроводниками

1.2. Взаимодействие корпускулярных пучков с полупроводниками.

1.3. Особенности кристаллизации и фазовых превращений в полупроводниках при импульсном воздействии в различных диапазонах длительности.

1.3.1. Общая характеристика направления импульсно-лучевой модификации полупроводников.

1.3.2. Трансформация структуры и поведение примеси при импульсносветовой обработке в наносекундном диапазоне длительности. Физичес-ские модели лазерного отжига имплантированных полупроводников.

1.3.3. Процессы твердофазной кристаллизации и особенности плавления при обработках в миллисекундном-секундном диапазонах длительности импульса.

Выводы к гл.1 и обоснование целей работы.

ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Подготовка образцов, техника ионного легирования и термической обработки.

2.2. Техника импульсно-лазерной обработки образцов.

2.3. Техника импульсной обработки ионными и электронными пучками.

2.4. Техника импульсно-фотонной обработки в миллисекундном-секундном диапазонах длительности импульса.

2.5. Методика исследований электрофизических параметров, структуры, элементного состава приповерхностных областей.

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЫДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ, НАГРЕВА, ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ И ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ ПРИ ИМПУЛЬСНО-ЛУЧЕВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.

3.1.Моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации с учетом пространственно-временного распределения выделения энергии излучения в полупроводниках.

3.1.1. Постановка задачи.

3.1.2. Методика численных расчетов температурного поля при импульсных воздействиях.:.

3.1.3. Методика учета пространственно-временного распределения поглощения различных видов излучения.

3.2. Моделирование процессов перераспределения примеси при импульсно-лучевых обработках.

ГЛАВА 4. РАСЧЕТЫ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ И ДИНАМИКИ

ПЛАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ИМПУЛЬСНЫХ СВЕТОВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.

4.1. Компьютерное моделирование нагрева и динамики плавления имплантированных полупроводников.

4.2. Компьютерное моделирование для решения «обратной» задачи нагрева излучением.

4.3. Аналитические методы расчетов температуры до порога плавления. Классификация режимоц нагрева излучением.

4.4. Компьютерное моделирование и аналитические оценки зависимостей параметров плавления от длительности импульса.

ГЛАВА 5. СТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ В ПРОЦЕССЕ ИМПУЛЬСНО-СВЕТОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ.

5.1. Трансформация структуры и поведение примеси в имплантированном кремнии и арсениде галлия в наносекундном диапазоне длительностей воздействия.

5.1.1.Поведение хорошо растворимых примесей и их электрическая активация в кремнии.

5.1.2. Поведение малорастворимых в кремнии примесей.

5.1.3. Динамика фазовых и структурных переходов в имплантированном кремнии.

5.1.4. Низкотемпературное управление прозрачностью кремния при лазерном отжиге.

5.2. Кристаллизация и аморфизация полупроводников при воздействии су бнаносекундными импульсами.

5 .3. Особенности плавления и кристаллизации импульсами миллисекунд-ного и секундного диапазонов длительности.

ГЛАВА 6. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ С ИМПЛАНТИРОВАННЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКАМИ.

6.1. Специфика нагрева и динамика плавления полупроводников импульсными ионными пучками по результатам компьютерного моделирования.;.

6.2. Структурно-фазовые изменения и поведение примеси при импульсно-ионной обработке имплантированного кремния.

6.3. Поведение примеси и ее электрическая активация в арсениде галлия при импульсно- ионной обработке.

6.4. Термическая устойчивость пересыщенных твердых растворов кремния и арсенида галлия.

Одним из наиболее интенсивно развиваемых направлений физики твердого тела является модификация приповерхностных слоев твердых тел интенсивными пучками излучений. В отношении полупроводниковых материалов это связано с двумя основными причинами: -появлением новых источников высокоинтенсивных излучений -импульсных лазерных, электронных, ионных пучков, мощных газоразрядных ламп; -тенденциями развития полупроводниковой электроники к расширению функциональных возможностей приборов за счет использования новых прецизионных, высокопроизвЬдительных и эффективных технологических операций, в т.ч. новых нетрадиционных методов обработки материалов.

Проблема перехода полупроводниковой микроэлектроники в область субмикронных размеров представляет собой крупную научно-техническую задачу, требующую привлечения самых современных технологических процессов управления свойствами приповерхностных слоев полупроводниковых кристаллов [1]. Наиболее широко и успешно используемым методом модифицирования поверхности в полупроводниковой технологии до настоящего времени остается ионная имплантация [2-7], являющаяся универсальным методом введения в любой материал любых легирующих примесей в строго контролируемом количестве. В результате имплантации в тонком приповерхностном слое могут быть достигнуты весьма высокие концентрации примесных атомов. Вместе с тем, в этом же слое образуется большое число радиационных дефектов. Поэтому одной из основных проблем в технологии ионной имплантации остается поиск способов проведения отжига имплантированных слоев с целью восстановления кристаллической структуры и обеспечения максимальной электрической активации внедренной примеси без ухудшения параметров кристаллической подложки.

К наиболее перспективным методам, обладающим к тому же уникальными возможностями, следует отнести предложенный в Казанском физико-техническом институте с участием автора данной работы принципиально новый способ, заключающийся в облучении имплантированных слоев мощным импульсом светового излучения [А1]. Поскольку в первых экспериментах по импульсной обработке имплантированных полупроводников [А1-А4] использовались лазеры, а основным предназначением этих обработок было устранение введенных в процессе имплантации радиационных дефектов, что обычно достигается использованием длительного термического отжига, данная операция была названа нами «лазерным отжигом». Причем этот термин означает как способ устранения радиационных дефектов с одновременной электрической активацией внедренной примеси, так и явление, заключающееся в быстрой ориентированной кристаллизации приповерхностных слоев твердых тел под действием импульсного светового излучения.

В течение достаточно короткого времени с момента обнаружения лазерного отжига - к началу 80-х годов многочисленными научными группами были изучены основные технологические возможности лазерного отжига, разработаны физические модели процессов упорядочения кристаллической структуры приповерхностных слоев и поведения примесей при кристаллизации. К этому времени значительно расширился круг объектов импульсной модификации (диффузионные полупроводниковые слои, вакуумно-осажденные аморфные и поликристаллические пленки, границы раздела полупроводников с металлами и диэлектриками и др.). Более того, было показано, что импульсная обработка полупроводников может осуществляться с использованием самых различных источников электромагнитного или корпускулярного (электроны, ионы) излучений. При этом длительность воздействия различных видов излучений изменялась в очень широком диапазоне Ю'^-Ю1 с. В каждом конкретном случае механизмы трансформации и перераспределения энергии излучений, а также процессы кристаллизации описываются различными физическими моделями, к основным из которых следует отнести быстрый нагрев приповерхностного слоя вплоть до температуры плавления с последующей кристаллизацией либо в твердой фазе, либо из образующегося расплава.

В настоящее время импульсный отжиг имплантированных полупроводников в миллисекундном - секундном диапазонах длительностей стал одной из основных операций в технологии производства интегральных схем (ИС) и получил устойчивый технический термин - RTA (Rapid Thermal Annealing). Что касается обработки с длительностью менее 1 мс, то эта область в настоящее время имеет ограниченное применение. Это обусловлено рядом причин, связанных как с сильно неравновесным характером обработки, требующим коренного изменения технологического процесса, так и с недостаточной изученностью возможностей и ограничений импульсных обработок различными видами излучений.

В связи вышеизложенным изучение возможностей импульсно-пучковой обработки материалов и исследование протекающих при этом физических процессов является актуальной задачей полупроводниковой электроники и физики твердого тела.

Целью работы является комплексное исследование быстропротекающих физических процессов, имеющих место в приповерхностных слоях полупроводников при их импульсной обработке интенсивными потоками излучений в широком диапазоне длительностей воздействия Ю"10-Ю1с, а также разработка физических основ импульсно-пучковой модификации структуры и примесного легирования полупроводниковых материалов.

Несмотря на интенсивные исследования импульсных методов модификации полупроводниковых материалов, начатые автором с сотрудниками в 1974 г. и продолжающиеся в различных научных центрах, к началу основных исследований данной работы (1981 г.) не находил объяснения ряд экспериментально наблюдаемых фактов трансформации структуры и поведения примесей при импульсно-пучковой обработке полупроводников. Отсутствовали также систематизированные данные о влиянии пространственно-временных параметров поглощения излучений на кинетику процессов импульсной кристаллизации.

Поэтому основными задачами настоящей работы явились следующие:

1. Выявление особенностей фазовых переходов, трансформации структуры и поведения примесей в полупроводниках при их импульсно-пучковой обработке.

2. Установление основных физических механизмов процессов фазовых и структурных переходов в полупроводниках в зависимости от их исходного состояния и режимов импульсного воздействия.

3. Изучение влияния пространственно-временного распределения поглощенной энергии излучения на процессы плавления и кристаллизации полупроводников в широком диапазоне длительностей и интенсивностей воздействия.

4. Изучение технологических возможностей альтернативных «лазерному отжигу» импульсных обработок, в частности, ионно-импульсного

•4. отжига.

Научная новизна. В результате проведенной работы получены следующие научные результаты.

1. Установлена связь пространственно-временного распределения поглощенной в полупроводниках энергии излучений с кинетическими параметрами процессов плавления, кристаллизации и перераспределения примеси.

2. Установлены закономерности перераспределения примеси в кремнии при наносекундном лазерном отжиге в зависимости от ее концентрации и коэффициента распределения.

3. Установлена связь между изменением оптического отражения в процессе лазерного отжига, трансформацией кристаллической структуры и электрической активацией имплантированной примеси.

4. Показано, что в близпороговом режиме лазерного отжига имеют место два вида полицентровой кристаллизации, связанного с затвердеванием сильнопереохлажденного (до 200-300 К) и нормального расплавов.

5. Изучены условия образования локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния в процессе однородного нагрева, обусловленного воздействием света с длительностью более 100 мс.

6. Изучена возможность формирования сильнолегированных слоев на кремнии и арсениде галлия с использованием непрерывной ионной имплантации и последующей импульсно- ионной обработки.

Практическая ценность работы. Проведенные автором исследования и предложенные технологические методы импульсных обработок являются основой имплантационно-импульсной технологии легирования полупроводниковых материалов, позволяющей решать следующие технологические задачи:

-создание субмикронных легированных слоев активных элементов ИС толщиной 0.01-1.0 мкм;

-формирование сильнолегированных подконтактных областей и активных элементов силовых полупроводниковых приборов и приборов СВЧ-электроники;

-формирование сверхрезких р-п и гетеропереходов; -создание гетерирующих слоев повышенной эффективности; -изготовление активных элементов фотоприемников и солнечных элементов;

-технологический контроль однородности распределения примесей в полупроводниковых пластинах и др.

К конкретным практически важным результатам относятся следующие:

1. Разработаны методики моделирования температурных полей и перераспределения примесей в полупроводниках при воздействии излучений различных источников, работающих в широком диапазоне длительностей импульса. Результаты моделирования позволяют проводить выбор и оптимизировать режимы импульсной модификации полупроводниковых материалов.

2. Разработана методика наносекундного лазерного отжига имплантированного кремния со стороны кристаллической подложки, основанная на низкотемпературном управлении разностью поглощения света в разупорядоченных и кристаллических областях.

3. Разработана импульсно-ионная технология формирования сильнолегированных слоев на кремнии и арсениде галлия.

4. Изучена устойчивость импульсно-сформированных полупроводниковых слоев к последующим технологическим и эксплуатационным термическим воздействиям.

Положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Пространственно-временное распределение поглощенной энергии различных видов излучения определяет скорости фазовых переходов, структуру сформированных слоев, диффузионное и сегрегационное перераспределение примесей и их электрическую активацию.

2. В зависимости от плотности энергии наносекундного лазерного отжига имплантированного кремния имеют место ориентированная от подложки (эпитаксиальная) и неориентированная (полицентровая) кристаллизация, причем неориентированная кристаллизация аморфного имплантированного слоя может идти как из нормального, так и из сильнопереохлажденного относительно точки плавления кристалла расплава.

3. Образование локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния при миллисекундном-секундном импульсно-световом воздействии обусловлено зародышеобразованием и ростом жидкой фазы в условиях перегрева относительно точки плавления кристалла.

4. При наносекундном отжиге имплантированного кремния лазерным излучением с длиной волны вблизи края собственного поглощения температура окружающей среды определяет разность поглощения в монокристаллическом и аморфном кремнии, что позволяет управлять распределением тепловых источников и перераспределением примеси при лазерном отжиге.

5. Импульсно-ионное формирование слоев п-ваМ с повышенной концентрацией электронов проводимости (до 102Осм"3) обусловлено объемным поглощением энергии излучения и имеет место в заглубленных участках профиля распределения имплантированной примеси.

Личный вклад автора. Диссертация является обобщением работ, выполненных в лаборатории радиационной физики Казанского физико-технического института КНЦ РАН. Часть работ проводилась в сотрудничестве с Центральным институтом физических исследований Венгерской академии наук, Россендорфским научным центром Германии, Институтом ядерной физики (г. Томск), Институтом электроники академии наук Белоруссии (г. Минск). В совместных работах автору принадлежит постановка задач и разработка модельных представлений. Он непосредственно участвовал в планировании и проведении экспериментов, проведении расчетов, анализе и интерпретации полученных результатов. По теме диссертационной работы автор являлся основным и ответственным исполнителем, а также руководителем работ, выполненных по заданиям

Министерства электронной промышленности СССР, в рамках целевой комплексной программы, конкурсной программы РФФИ, программ Министерства науки России.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих Международных, Всесоюзных и Российских конференциях, симпозиумах и совещаниях:

Международное рабочее совещание по ионному легированию полупроводников и других материалов (Прага, Чехословакия, 1981), Международная конференция по аморфным системам, исследуемым ядерными методами (Балатонферед, Венгрия, 1981), Международная конференция по микроэлектронике (Шиофок, Венгрия, 1982), Международная конференция по импульсно-энергетической модификации полупроводников и сопутствующих материалов (Дрезден, Германия, 1984), Рабочее совещание по ионной имплантации в полупроводники и другие материалы, (Балатоналига, Венгрия, 1985), Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов» (Черноголовка, 1987), 1-я Всесоюзная конференция «Физические и физико-химические основы микроэлектроники» (Вильнюс, 1987), Всесоюзный семинар «Фотонные процессы в полупроводниках» (Суздаль, 1987), Всесоюзные школы «Фундаментальные вопросы ионной имплантации» (Одесса, 1981, Алма-Ата, 1985), 4-я и 5-я Отраслевые научно-технические конференции «Ионно-лучевая техника, оборудование и технология ионной имплантации» (Нальчик, 1988, Гурзуф, 1991), 7-я и 8-я Всесоюзные конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1988, 1990), Международная конференция по ионной имплантации в полупроводники и другие материалы (Люблин, Польша, 1988), 3-я Международная конференция по модификации материалов пучками частиц и импульсами энергии (Дрезден, Германия, 1989), 1-я всесоюзная конференция по физическим основам твердотельной электроники (Ленинград, 1989), Международная конференция по ионной имплантации и ионно-лучевому оборудованию (Элените, Болгария, 1990), 3-я Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» (Новосибирск, 1991), 3-я Европейская конференция по вакууму (Вена, Австрия, 1991), 3-я Всесоюзная и Российская конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 1991, Москва 1993), Осенняя встреча общества исследователей материалов (Бостон, США, 1993), Международная конференция «Лазеры-95» (Чарльстон, Северная Каролина, США, 1995), Международная конференция «Мощные лазеры - наука и техника» (Карловы Вары, Чехия, 1995), 13-я Международная конференция по применению ускорителей в науке и технике (Дентон, Техас, США), 15-я Международная конференция по когерентной и нелинейной оптике «КИНО-95» (С.- Петербург, 1995), Международная конференция по взаимодействию излучений с твердым телом (Минск, 1995), 4-я Всероссийская конференция по модификации конструкционных материалов пучками заряженных частиц (Томск, 1996), Всероссийская конференция «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов» (Н. Новгород, 1996), 3-я Российская конференция по физике полупроводников (Москва, 1997), 5-я Европейская конференция по применению ускорителей в науке и технологии (Эйндховен, Нидерланды, 1997), 4-й всероссийский семинар «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н. Новгород, 1998), 6-я Международная конференция «Лазерные технологии - 98» (Шатура, 1998), 11-я Международная конференция по ионно-лучевой модификации материалов -ШММ-98 (Амстердам, Нидерланды, 1998), Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника-98» (Звенигород, 1999).

Результаты работ автора с сотрудниками неоднократно включались в Перечень важнейших достижений Академии наук СССР и России, отмечены Дипломом I степени и Золотой медалью ВДНХ СССР.

14

Публикации автора по теме диссертации вошли в Цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)», удостоенной Государственной премии СССР в 1988г.

Публикации. Список трудов автора по теме диссертации включает 110 работ в том числе 5 авторских свидетельств на изобретения, 5 отчетов по НИР.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Предложенный впервые сотрудниками Казанского физико-технического института с участием автора настоящей работы, принципиально новый способ лазерного отжига ионно-легированных полупроводников заложил основы нового научно-технического направления- импульсной модификации полупроводников. Обнаруженные уникальные возможности импульсных методов и протекающие при этом физические явления привлекли внимание, как передовых научных центров, так и разработчиков полупроводниковой техники. В течение короткого времени ряд импульсных методов нашел широкое промышленное применение в технологии современных интегральных схем.

В то же время широкий диапазон длительностей импульсных воздействий, многообразие и сложность процессов, протекающих при этом в полупроводниках, потребовали проведения комплекса дополнительных исследований, явившегося предметом данной работы.

В процессе работы автором изучен ряд закономерностей и особенностей импульсных методов в широком диапазоне длительности воздействия на полупроводниковые материалы. Основное внимание было направлено на процессы фазовых переходов в разупорядоченных полупроводниковых слоях, протекающие при воздействии интенсивными излучениями, на изучение структуры и электрофизических параметров модифицированных слоев, а также на разработку новых методов, расширяющих технологические возможности направления импульсной модификации полупроводников.

1. Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. -М.: Наука, 1986. - 142с.

2. Мейер Дж., Эриксон JI., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. Пер. с англ. -М.: Мир, 1970. -296с.

3. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников. -М.: Энергия, 1§75. -128 с.

4. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. Пер. с нем. -М.: Наука, 1983. -360с.

5. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. -М.: Высш.шк.,1984. -320с.

6. Вильяме Дж.С., Поут Дж.М. Ионная имплантация и лучевая технология. Пер. с англ. -Киев: Наук, думка, 1988. -360с.

7. Технология ионного легирования. Пер. с японск. Ред. С. Намба. -М.: Советское Радио, 1974. -159 с.

8. Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. -М.: Наука, 1970.-272 с.

9. Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения. Пер. с англ. -М.: Мир, 1974, -468с.

10. Миркин Л.И. Физические основы обработки материалов лучами лазера. -М.: Изд. МГУ, 1975.-383 с.

11. П.Вейко В.П., Либенсон М.Н. Лазерная обработка. -Л.: Лениздат, 1973. -191с. '

12. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. -М.: Мир, 1973. -456 с.

13. Вавилов B.C. Действие излучения на полупроводники. -М.: ФМ, 1963. -264 с.

14. Смит Р. Полупроводники. Пер. с англ. -М.: Мир, 1982. -560 с.

15. Crowder B.L., Title R.S., Brodsky М.Н., Pettit G.D. ESR and optical absorption studies of ion-implanted silicon// Appl. Phys. Lett. -1970, v. 16, N 5, p.205-208.

16. Meyer J.R., Kruer M.R., Bartoli F.J. Optical heating in semiconductors: Laser damage in Ge, Si, InSb, and GaAs // J. Appl. Phys. -1980, v.51, N 10, p.5513-5522.

17. Гринберг A.A., Мехтиев Р.Ф., Рыбкин C.M., Салманов В.М., Ярошецкий И.Д. Поглощение лазерного излучения и разрушение в полупроводниках // ФТТ. -1967, т.9, № 5, с. 1390-1397.

18. Блинов Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г.Н. Изменение оптических свойств и концентрация носителей заряда в Si и GaAs при интенсивном фотовозбуждении рубиновым ОКГ // ФТП. -1967, т.1, № 9, с.1351-1357.

19. Каганов М.И., Лифшиц И.М., Танатаров Л.В. Релаксация между электронами и решеткой //ЖЭТФ. -1956, т.31, № 2 (8), с.232-237.

20. Блинов Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г.Н. Концентрация носителей заряда в полупроводнике, освещенном оптическим квантовым генератором // ФТТ. -1967, т. 9, № 3, с.854-858.

21. Блинов Л.М., Боброва Е.А., Вавилов B.C., Галкин Г.Н. О рекомбинации неравновесных носителей в кремнии при высоких уровнях фотовозбуждения // ФТТ. -1967, т.9, №11, с.3221-3228.

22. Боброва Е.А., Вавилов B.C., Галкин Г.Н. Отражение света в ИК области от кремния при высокой концентрации неравновесных носителей // ФТТ. -1970, т. 12, № 4, с. 1232-1235.

23. Ашкинадзе Б.М., Патрин A.A., Ярошецкий И.Д. Поглощение света неравновесными носителями и рекомбинация в кремнии при высоких уровнях возбуждения // ФТП. -1971, т.5, № 9, с. 1681-1686.

24. Зуев В.А., Литовченко В.Г., Глинчук К.Д. Процессы рекомбинации носителей тока на поверхности Ge и Si при лазерном возбуждении // ФТП. -1972, т.6, № 10, с. 1936-1944.

25. Глинчук К.Д., Литовченко В.Г., Линник Л.Ф. Рекомбинация электронов и дырок на глубоких примесных центрах в кремнии при лазерном возбуждении // ФТП. -1973, т.7, № 3, с.603-605.

26. Зуев В.А., Литовченко В.Г., Сукач Г.А., Корбутяк Д.В. Применение лазеров для исследования неравновесных приповерхностных процессов в полупроводниках // Кв. электроника. -1974, № 8, с.43-50.

27. Грехов И.В., Коробков H.H., Отблеск А.Е., Сергеев В.Г., Определение постоянной Оже-рекомбинации при сверхвысоких уровнях инжекции // ФТП. -1977, т. 11, № 9, с.1691-1696.

28. Вайткус Ю., Гривицкас В., Стораста Ю. Электронно-дырочное рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии при высоком уровне возбуждения // ФТП. -1975, т.9, №7, с. 1339-1345.

29. Jarasiunas К., Vaitkus J. Investigation of non-equilibrium processes in semiconductors by the method of transient holograms // Phys. Stat. Solidi (a). -1977, v.44, N 2, p.793-800.

30. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев B.C., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. -Мн.: Университетское, 1990. -320с.

31. Кумахов М.А., Комаров Ф.Ф. Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах. -Мн.: БГУ, 1979. -319с.

32. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Пер. с англ. -М.: Атомиздат, 1979. -296с.

33. Диденко А.Н., Лигачев А.Е., Куракин И.Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. -М.: Энергоатомиздат, 1987. -184 с.

34. Вендик О.Г., Горин Ю.Н., Попов В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология. -М.: ВШ, 1984. -240 с.

35. Von Almen M.F. Fundamentals of energy deposition / In:" Laser annealing of semiconductors" Eds. J.M. Poate, J.W. Mayer. -N.Y.: Acad. Press, Chapter 3, p.43-74.

36. Hodgson R.T., Baglin J.E.E., Pal R., Neri J.M., Hammer D.A. Ion beam annealing of semiconductors // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, №2, p. 187-189.

37. Штырков Е.И., Хайбуллин И.Б., Галяутдинов М.Ф., Зарипов М.М. Ионно-легированный слой новый материал для записи голограмм // Опт. и спектр. -1975, т.38, № 5, с. 1031-1033.

38. Хайбуллин И.Б., Титов В.В., Штырков Е.И., Зарипов М.М., Страшко В.П., Кузьмин К.П. Лазерный отжиг имплантационных слоев // Труды Междунар. совещ. по ионному легированию полупроводников. -Будапешт, 1975, с.212-246.

39. Зарипов М.М., Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения // Успехи физич. наук. -1976, т. 120, № 4, с.706-708.

40. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Закиров Г.Г. О коэффициенте использования внедренной примеси при лазерном отжиге ионно-легированных слоев на кремнии // ФТП. -1977, т.11, № 12, с.330-334.

41. Khaibullin I.B., Shtyrkov E.I., Zaripov М.М. Laser annealing of ion implanted semiconductors // J. Phys. Soc. Japan. -1980, v.49A, p.1281-1290.

42. Антоненко А.Х., Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов Л.С., Цейтлин Г.М. Распределение внедренной в кремний примеси после лазерного отжига // ФТП. -1976, т.10, № 1, с.139-140.

43. Dvurechensky A.V., Kachurin G.A., Antonenko A.Kh. The mechanisms of impurity redistribution on laser- annealing of ion implanted semiconductors // Radiation Eff. -1978, v.37, N 3-4, p. 179-181.

44. Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов JI.C. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением // ФТП. -1975, т.9., № 7, с. 1428-1429.

45. Богатырев В.А., Гаврилов A.A., Качурин Г.А., Смирнов JI.C. Имплантированные р-п переходы в GaAs, полученные с применением импульсного лазерного отжига // ФТП. -1976, т.10, № 7, с.1392-1394.

46. Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Ходячих A.B., Ковалева Л.А. Отжиг имплантированных слоев сканирующим лазерным лучом // ФТП. -1976, т.10, №10, с 1890-1893.

47. Богатырев В.А., Качурин Г.А. Формирование низкоомных полупроводниковых слоев на p-InSb импульсным лазерным облучением //ФТП.-1977, т. 11 ,№ 1, с.100-102.

48. Качурин Г.А., Нидаев Е.В. О диффузии примеси при лазерном отжиге имплантированных слоев // ФТП. -1977, т.11, №3, с.603-606.

49. Качурин Г.А., Нидаев Е.В. Об эффективности отжига имплантированных слоев миллисекундными лазерными импульсами // ФТП. -1977, т.11, № 10, с.2012-2014.

50. Мустафин Т.Н., Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Попов В.П., Серяпин В.Г., Смирнов Л.С. Диффузия цинка при лазерном отжиге имплантированных слоев кремния // ФТП. -1978, т.12, № 7, с.1312-1317.

51. Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Конышев В.В. Сравнительный анализ лазерного и термического отжигов кремния, имплантированного малыми дозами // ФТП. -1978, т.12, №10, с.2062-2065.

52. Качурин Г.А., Нидаев E.B. Лазерный отжиг точечных дефектов в кремнии и арсениде галлия // ФТП. -1980, т. 14, №3, с.424-427.

53. Качурин Г.А., Ловягин Р.Н., Нидаев Е.В., Романов С.И. Эпитаксиальная кристаллизация слоев GaP на Si наносекундными лазерными импульсами // ФТП. -1980, т.14, №3, с. 111-113.

54. Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Данюшкина Н.В. Отжиг дефектов наносекундными лазерными импульсами после внедрения малых доз ионов // ФТП. -1980, т. 14, №.4, с.656-660.

55. Foti G., Rimini E., Vitali G., Bertolotti M. Amorphous-poly crystal : Transition induced by laser pulse in self-ion implanted silicon // Appl. Phys. -1977, v. 14, p.189-191.

56. Bertolotty M., Vitaly G, rimini E., Foti G. Structure transitions in amorphous Si under laser irradiation // J. Appl. Phys. -1979, v.51, N1, p.259-265.

57. Cohen R.L., Williams J.S., Feldman L.S., West K.W., Thennally assisted flash annealing of silicon and germanium // Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, N 8, p. 751-753.

58. Bomke H.A., Berkowitz H.L., Harmatz M. et al Annealing of ion-implanted silicon by an icoherent light pulse // Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, N11, p.955-957.

59. Gat A., Gibbons J.F. A Laser-scanning apparatus for annealing of ionimplantation damage in semiconductors // Appl. Phys. Lett. -1978, v.32, N 3, p. 142-144.

60. Gat A., Gibbons J.F., Magge T.J. et al. Use of a scanning cw Kr laser to obtain diflusion-free annealing of B- implanted silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N5, p. 389-391.

61. Auston D.H., Golovchenko J.A. Smith P.R. et al .Cw argon laser annealing of ion-implanted silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 6, p. 539-541.

62. Williams J.S., Browwn W.L., Leamy H.J. et al. Solid-phase epitaxy of implanted silicon by cw Ar ion laser irradiation // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 6, p.542-544.

63. Gat A., Lietoila A., Gibbons J.F. A study of the mechanism of cw laser annealing of arsenic-implanted silicon // J. Appl. Phys. -1979, v.50, N 4, p.2926-2929.

64. Lietoila A., Gibbons J.F., Magee T.J. Solid solubility of As in Si as determined by ion implantation and cw laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1979, v.35, N 7, p.532-534.

65. Foti G., Rimini E., Bertolotti M., Vitali G. Amorphous thickness dependence in the transition to single crystal induced by laser pulse // Phys. Lett. -1978, V.65A, N 5-6, 430-432.

66. Auston D.H., Surko C.M., Venkatessan T.N.C. et al Time resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 5, p.437-440.

67. Auston D.H., Golovchenko J.A., Simons A.L., Surko C.M., Venkatesan T.N.C. Dynamics of Q-switched laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1979. v.34, N 11, p.777-779.

68. Golovchenko J.A., Venkatesan T.N.C. Annealing of Te-implanted GaAs by ruby laser irradiation // Appl. Phys. Lett. -1978. v.32, N 3, p.147-149.

69. Gibson J.M, Tsu R. Avidence for partial solid-state regrowth during pulsed laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, N 2, p.197-200.

70. Wang J.C., Wood R.F., Pronko P.P. Theoretical analysis of thermal and mass transport in ion-implanted laser-annealed silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 5., p.455-458. '

71. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. A melting model for pulsing laser annealing of implanted semiconductors // J. Appl. Phys. -1979, v. 50, N 2, p.788-797.

72. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. Segregation effects in Cu implanted Si after laser pulse melting // Phys. Rev. Lett. -1978, v.41, N 18, p.1246-1249.

73. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. Arsenic diffusion in Si melted by high-power nanosecond laser pulsing // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 2, p.137-140.

74. White C.W., Narayan J., Appleton B.R., Wilson S.R. Impurity segregation by pulsed laser irradiation // J. Appl. Phys. -1979, v.50, N 4, p. 2967-2969.

75. Greenwald A.C., Kirkpatrik A.R., Litle R.G., Minnucci J.A. Pulsed- electron beam annealing of ion-implantation damage // J. Appl, Phys. -1979, v.50, N 2, p.783-787.

76. Kamins T.I., Rose P.H. Electron-beam annealing of ion-implantation damage in integrated-circuit devices // J. Appl. Phys. -1979, V.50, №3, p.1038-1311.

77. Yuba J, Gamo K., Murakami K., Namba S. Laser-irradiation effects on unencapsulated GaAs studied by capacitance spectroscopy // Appl. Phys. Lett. -1979, v.35, N 2, p.156-158.

78. Narayan J., Young R.T., White C.W. A comparison study of laser and thermal annealing of boron-implanted silicon // J. Appl. Phys., 1978, v.49, N 7, p.3912-3917.

79. Young R.I., Narayan J. Laser annealing of diffusion-induced imperfections in silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 1, p.14-16.

80. Narayan J. Deph of melting produced by pulsed-laser irradiation // Appl. Phys. Lett. -1979, v.34, N 5, p.312-315.

81. Liu P.L., Yen R., Blombergen N., Hodgson R.T. Picosecond laser-induced melting and resolidification morphology on Si // Appl. Phys. Lett. -1979, v.34, N12, p.864-866.

82. Tsu R, Hodgson R.T., Tan T.Y., Baglin J.E. Order-disorder transition in single-crystal silicon induced by pulsed uv laser irradiation // Phys. Rev. Lett. -1979, v.42, N 20, p.1356-1357.

83. Van Vechten J.A., Tsu R., Saris F.W., Hoonhout D. Reasons to believe pulsed laser annealing of Si does not involve simple Thermal melting // Phys. Lett. -1979, V.74A, N 6, p.417-421.

84. Van Vechten J.A., Tsu R., Saris F.W. Nonthermal pulsed laser annealing of Si: Plasma annealing // Phys. Lett. -1979, V.74A, N 6, p.422-426.

85. Lo H.W., Compaan A. Raman measurement of lattice temperature during pulsed laser of silicon // Phys. Rev. Lett. -1980, v.44, N 24, p.1604-1607.

86. White C.W., Wilson S.R., Appleton B.R., Young F.W. Supersaturated substitutional alloys formed by ion implantation and pulsed laser annealing of group-Ш and group-V dopants in silicon // J. Appl. Phys. -1980, v.51,N 1, p. 738-749.

87. Narayan J., Naramoto H., White C.W. Cell formation and interfacial instability in laser annealed Si-In and Si-Sb alloys // J. Appl. Phys. -1982, v.53,N 2, p. 9123-915.

88. Heinig K.H., Hohmath K., Klabes R., Voelskow V., Woittennek. Flash lamp annealing of ion implanted silicon //Radiation Effects. 1982, v.63, p. 115-123.

89. Narayan J., White C.W., Holland O.W., Aziz M.J. Phase transformation and impurity redistribution during pulsed laser irradiation of amorphous silicon layers //J. Appl. Phys. -1984, v.56,N 6, p. 1821-1830.

90. Двуреченский A.B., Качурин Г.А., Нидаев E.B., Смирнов JI.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. -М.: Наука, 1982.•4208 с.

91. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными, электронными пучками / Ред. Поут Дж., Фоти Г., Джекобсон Д.К. / Пер. с англ. -М.: Машиностроение, 1987. -424 с.

92. Cullis A.G., Transient annealing of semiconductors by laser, electron beam and radiant heating techniques // Rep. Progr. Phys. -1985, v.48, p.l 155-1233.

93. Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В., Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // ФТП. -1986, т.20, № 11, с.1889-1896.

94. Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы // ФТП. -1986, т. 19, № 4, с 569-591.

95. Атаев Б.М. Импульсный лазерный отжиг полупроводников // Физика и химия обработки материалов. -1988, №4, с.5-15.

96. Borisenko V.E., Gribkovskii V.V., Labunov V.A., Yudin S.G. Pulsed heating of semiconductors // Phys. Stat. Solidi (a). -1984, v.86, N 2, p.573-583.

97. Anna E.D., Leggieri G., Luches A. Laser synthesis of thin films of metal silicides // Thin Solid Films. -1992, v.218, p.95-108.

98. Гольдберг Ю.А. Омический контакт Me полупроводник A3B5: методы создания и свойства // ФТП. - 1994, т.28, №10, с.1681-1688.

99. Galvin G.J., Thompson M.O., Mayer J.W., Peercy P.S., Hammond R.B.,

100. Paulter N. Time-resolved conductance and reflectance measurements ofisilicon during pulsed-laser annealing // Phys. Review B. -1983, v.27, N2, p.1079-1087.

101. Fastow R., Maron Y., Mayer J. Pulsed ion-beam melting of silicon // Phys. Review B.-1985, v.31, N 2, p.893-898.

102. Cullis A.G., Webber H.C., Chew N.G., Poate J.M., Baeri P. Transitions to defective crystal and the amorphous state induced in elemental Si by laser quenching // Phys. Rev. Lett. -1982, v.49, N 3, p. 219-222.

103. Liu P.L., Yen R., Blombergen N. Picosecond laser-induced melting and resolidification morphology on Si // Appl. Phys. Lett. -1979, v.34, N 12, p.864-866.

104. Liu P.L., Kurz H., Blombergen N. Picosecond time-resolved plasma and temperature-induced changes of reflectivity and transmission in Si // Appl. Phys. Lett. -1982, v.41, N 7, p.643-646.

105. Алферов Ж.И., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В., Смольский О.В., Соколов И.А. Новый фазовый переход в Si и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов // Письма в ЖТФ. -1983, т.9, № 22, с.1373-1376.

106. Алферов Ж.И., Ковальчук Ю.В., Смольский О.В., Соколов И.А. Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов // Письма в ЖТФ. -1983, т.9, № 15, с.897-899.

107. Narayan J. Interface instability and cell formation in ion implanted and laser-annealed silicon // J. Appl. Phys. -1981, v.52,N3, p. 1289-1293.

108. Wood R.F. Model for nonequilibrium segregation during pulsed laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, N 3, p.302-304.

109. Aziz M.J. Model for solute redistribution during rapid solidification // J. Appl. Phys. -1982, v.53, N 2, p.1158-1168.

110. Hoonhout D., Saris F.W. Dopant segregation in silicon pulsed-laser annealing: a test case for the concept of thermal melting // Phys. Lett. -1979, v.74 A, N3-4, p.253-256.

111. Narayan J., White C.W. Pulsed laser melting of amorphous silicon layers // Appl. Phys. Lett. -1984, v.44, N 1, p.35-37.

112. Spaepen F., Turnbull D. Kinetics of motion of crystal-melt interfase / In: "Laser-Solid Interaction and Laser Processing: Eds Ferris S.D., Leamy . H.J., Poate J.M. -N.Y.: Amer. Inst. Phys., 1979, v.50, p.73-83.

113. Csepregi L., Mayer J.W., Sigmon T.W. Channeling effect measurements of the recrystallization of amorphous Si layers on crystal Si // Phys. Lett. -1975, v.54A, N2, p.157-158.

114. Csepregi L., Mayer J.W., Sigmon T.W. Regrowth behavior of ion implanted amorphous layers on (111) silicon // Appl. Phys. Lett. -1976, v.29, N 2, p.92-93.

115. Csepregi L., Kullen R.P., Mayer J.W., Sigmon T.W. Regrowth kinetic of amorphous Ge layers created by 74Ge and 28Si implantation of Ge crystals // Solid State Commun. -1977, v.21, p.l 1019-1021.

116. Zellama K., Germain P., Squelard S. e.a. Crystallization in amorphous silicon// J. Appl. Phys. -1979, v.50, N11, p.6995-7000.

117. Campisano S.U., Foti G., Baery P., Grimaldi M.F., Rimini E. Solute trapping by moving interface in ion implanted silicon // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, N8, p.719-722.

118. Revesz P., Roth J., Mayer J.M. Epitaxial regrowth of Ar-implanted silicon // J. Appl. Phys. -1978 , v.49, p.5199-5206.

119. Cullis A.G., Seided Т.Е., Meek R.L. Comparative study of annealed neon-, argon- and krypton ion implanted damage in silicon // J. Appl. Phys. -1978, v.49, N10, p.5188-5198.

120. Von Almen M.F., Luthy W. Anisotropic melting and epitaxial growth of laser-irradiated silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N11, p.824-825.

121. Вейко В.П., Дорофеев И.А., Имас Я.И. и др. Образование периодических структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера // Изв. АН СССР, Сер. Физич. 1985, т.49, № 6, с.1236-1239.

122. Гафийчук В.В., Кияк С.Г., Савицкий Г.В. и др. Динамика нагрева, плавления и перекристаллизации полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения // Изв. АН СССР, Сер. Физическая. -1985, т.49, с.769-772.

123. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В. и др. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // Докл. АН УССР, Сер.А. Физ.-мат. и техн. наук, 1987, № 5, с.61-65.

124. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В. и др. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов // Укр. физич. Журнал. 1987, т.32,№ 7, с. 1979-1983.

125. Демчук А.В., Пристрем A.M., Данилович Н.И. и др. Локальное плавление кремния лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987, №12, с.89-97.

126. Демчук А.В., Данилович Н.И., Лабунов В.А. и др. Образование и развитие поверхностных периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, № 1, с. 101-108.

127. Батшце СЛ., Данилович Н.И., Демчук A.B. и др. Динамика перекристаллизации кремниевых слоев импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, № 1, с.115-123.

128. Демчук A.B., Казючиц Н.М., Лабунов В.А. и др. Особенности дефектообразования при перекристаллизации монокристаллического кремния импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990, № 12, с.97-103.

129. Демчук A.B., Лабунов В.А. // Поверхность. Физика, химия, механика. -1991, № 2, с.103-109.

130. Celler G.K., Robinson Mc.D., Trimble L.E. Spatial melt instabilities in radioactively melted crystalline silicon // Appl. Phys. Lett. -1983, v.43, N 9, p.868-871.

131. Heinig K.-H. Effect of local melting on semiconductor surfaces // Zentralinst. Kernforsch. Rossendorf, Dresden, 1985, pt.l, p.265-279.

132. Heinig K.-H., Voelskow M.V., Mattai J., Zetzche A.,Trentler С. Local Melting by nucleation on the surface of single crystalline silicon // Zentralinst. Kernforsch. Rossendorf, Dresden, 1985, pt.l, p.280-286.

133. Гафийчук B.B., Гашпар В.Э. Возникновение неоднородных структур при импульсном разогреве полупроводников // ФТП. -1985, т.27, № 5, с.1354-1358.

134. Верходанов С.П., Герасименко H.H., Мясников A.M. Анизотропное плавление на дефектах структуры кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. -1988, № 5, с. 69-73.

135. Плотников А.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Влияние дефектов поверхности на особенности локального плавления кремния// Поверхность. Физика, химия, механика. -1988, № 9, с. 149-151.

136. Плотников А.И., Логинов В.А., Рембеза С.И. Исследование природы центров поверхностного плавления полупроводников в условиях импульсного нагрева //Высокочистые вещества. -1989, № 6, с.174-178.

137. Лабунов В.А., Борисенко В.Е., Грибковский В.В., Корнилов С.Н. Отжиг имплантированных фосфором слоев кремния секундными импульсами некогерентного света // Электронная техника, сер.2.-1984, №3, с.73-77.

138. Ивлев Г.Д. Динамика отжига ионно-легированного кремния моноимпульсным излучением рубинового лазера // Письма в ЖТФ. -1982, т8, № 8, с.468-472.

139. Бузялис P.P., Дементьев A.C., Косенко Е.К. Формирование субнаносекундных импульсов при ВРМБ излучения импульсно-периодического лазера // Квантовая электроника. -1985, т. 12, № 10, с.2024-2028.

140. Бузялис Р.Р., Гирдаускас В.В., Дементьев A.C., Иванов В.Б., Косенко Е.К., Мак A.A., Паперный С.Б., Серебряков В.А. Каскадная ВР-компрессия импульсов АИГ: Nd-лазера // Квантовая электроника. -1987, т. 14, №11, с.2266-2268.

141. Isakov I.F., Kolodii V.N., Opekunov M.S., Matvienko V.M., Pechenkin S.A., Remnev G.E., Usov Yu.P. Sources of high ion beams for technological applications // Vacuum. -1990, v.42, N1/2, p. 159-162.

142. Иремашвили Д.В., Курильников C.B., Осепашвили Т.А. Электронная пушка с холодным катодом на токи-105 А в импульсе // ПТЭ. -1974, №5, с.26-28.

143. Иремашвили Д.В., Осепашвили Т.А., Какучая П.И. Формирование высокоинтенсивных микросекундных электронных пучков // Письма в ЖТФ.-1975, т.1, №11, с.508-511.

144. Иремашвили Д.В., Осепашвили Т.А., Какучая П.И. Характерные особенности формирования высокоинтенсивных микросекундныхvэлектронных пучков в пушке с плазменным анодом // Письма в ЖТФ. -1977, т.З, №23, с.1241-1245.

145. Импульсные источники света/ Ред. И.С. Маршак, A.C. Дойников, В.П. Жильцов, -М.: Энергия, 1978. 472 с.

146. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высш. шк., 1987. -239с.

147. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. -М.: Сов. радио, 1976. -103с.

148. Vaughan D.E. Four-probe resistivity measurements on small circular specimens // Brit. J. Appl. Phys. -1961. v. 12, N8, p.414-416.

149. Батавин B.B., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. -М.: Радио и связь, 1985. -264с.

150. Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. -К.: Выща шк., 1988. -232с.

151. Двуреченский A.B., Серяпин В.Г. Анодное окисление кремния. -Новосибирск: препринт, 1977. -25с.

152. Pianetta P.A., Stolte С.A., Hansen J.L. Nonalloyed ohmic contacts to electron-beam-annealed Se-ion-implanted GaAs // Appl. Phys. Lett. -1980, v.36, -N7, p.597-599.

153. Файнпггейн С.М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1966. -256с.

154. Johansson N.G.E., Mayer J.W., Marsh O.J. Technique used in Hall effect analysis of ion implanted Si and Ge // Sol. State Electron. -1970, v. 13, p.317-335.

155. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963.- 494 с.

156. Вальтер А.К., Железняков Ф.Г., Малышев И.Ф. и др. Электростатические ускорители заряженных частиц -М.: Госатомиздат, 1963.-303 с.

157. Jager J.C. Conduction of heat in tissue supplied with blood // Brit. J. Appl. Phys. -1952, v.3, p.221-222.

158. Cook M.F. A physical investigation of heat production in human tissues when exposed to microwaves // Brit. J. Appl. Phys. -1952, v.3, p. 1-6.

159. Masters J.I. Problem of intense surface heating of a slab accompanied by change of phase // J. Appl. Phys. -1956, v.21, N 5, p.447-484.

160. Cohen M.J. Melting of half-space subjected to a constant heat input // J. Franclin Institute. -1967, v.283, p.271-285.

161. Wagner R.E. Laser drilling mechanics // J. Appl. Phys. -1974, v.45, N10, p.4631-4637.

162. Руденко B.H. Изменение температуры среды под действием лазерного импульса // Оптика и спектроск. -1966, т.20, №2, с.370-371.

163. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер с англ. -М.: Наука, 1964. -488с.

164. Самарский А.А. Введение в теорию разностных схем. -М.: Наука, 1971.-550с.

165. Охотин А.С., Пушкарский А.С., Горбачев В.В. Теплофизические свойства полупроводников. -М.: Атомиздат, 1972. -200с.

166. Handbook of Chem. and Phys. 51 ed., Ed.R.C. Weast. -Ohio.: The Chem. Rubber Co, 1970-1971.

167. Kucirkova A. Optical reflectance study of damage produced by nitrogen and tellurium ions implanted into silicon // Scripta Facultaties Scientiarum Naturalium Universitas Purkynianae Brunensis, Physica 2. -1974, v.4, p.65-77.

168. Шварев K.M., Баум Б.А., Гельд П.В. Оптические свойства жидкого кремния // ФТТ. -1974, т.16, № 11, с.3246-3248.

169. Biersack J.P., Haggmark L.G. A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets // Nucl. Instr. and Methods. -1980, v.174, p.257-269.

170. Коноплев B.M. Моделирование на ЭВМ имплантации больших доз ионов азота низкой энергии в кремний // Поверхность. Физ., хим., механ. 1987, №2, с. 68-73.

171. Чалмерс Б. Теория затвердевания. Пер с англ. -М.: Металлургия, 1968. -288с.

172. Уббелоде А. Плавление и кристаллическая структура. Пер с англ. -М.: Мир, 1969. -420с.

173. Лодиз Р., Паркер Р. Рост кристаллов. Пер с англ. -М: Мир, 1974. -542с.

174. Smith V.G., Tiller W.A., Rutter J.M. A mathematical analysis of solute redistribution during solidification // Canad. J. Phys. -1955, v.33, p.723-745.

175. Туровский Б.М. Методы оценки коэффициентов диффузии примесей в полупроводниковом кремнии // Ж. Физ. Хим. -1962, т.36, ?.8, с.1815-1818.

176. Шашков Ю.М., Гуревич В.М. Диффузия примесей в расплавленном кремнии//Ж. Физ. Хим. -1968, т.42, т.8, с.2058-2060.

177. Kodera H. Diffusion coefficients of impurities in silicon melt // Jap. J. Appl. Phys.1963, v.2, N4, p.212-219.

178. Глазов B.M., Земсков B.H. Физико-химические основы легирования полупроводников. -М.: Наука, 1967. -372с.

179. Лабунов В.А., Борисенко В.Е., Грибковский В.В. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом // Зарубежная электронная техника. 1983, № 1 (259), с.3-55.

180. Nashiyama К., Arai М., Watneba N. Radiation annealing of boron implanted silicon with a halogen lamp // Jap. J. Appl. Phys. 1980,v.l9, N10, p.L563-L566.

181. Narayan J., White C.W. Pulsed laser melting of amorphous silicon layers // Appl. Phys. Lett.- 1984, v.44, N1, p.35-37.

182. Lue J.T. Arc annealing of BF2+implanted silicon by a short pulse flash lamp // Appl. Phys. Lett. 1980,v.36, N1, p.73-76.

183. Goldsmid H.J., Kaila M.M., Paul G.L. Thermal conductivity of amorphous silicon // Phys. Status Solidi. 1983, v.A86, N1, p.K31-K33.

184. Irvin J.C. Resistivity of bulk silicon and of diffused layers in silicon// Bell Sist. Techn. J. 1962, v.41, N2, p.387-394.

185. Пилипович B.A., Ивлев Г.Д., Жидков В.В., Малевич В.Л. Пирометрическое измерение температуры кремния при наносекундном лазерном отжиге // Письма в ЖТФ. 1983, т.9, №10, с.594-597.

186. Aleksandrov L.N. Structural transformation in silicon by pulse heating // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 1992, v.24, N1, p.53-109.

187. Baeri P., Campisano S.U., Grimaldi M.G., Rimini E. Experimental investigation of the amorphous silicon melting temperature by fast heating processes // J. Appl. Phys. -1982. -v.53, N12, p.8730-8733.

188. Nissim Y.I., Sapriel J., Oudar J.L. Microprobe Raman analysis of picosecond laser annealed implanted silicon // Appl. Phys. Lett. 1983, v.42, N6, p.504-506.

189. Smirl. A.L., Boyd I.W., Boggiss T.F., Moss S.C., van Driel H.M. Structural changes produced in silicon by intense 1 jam ps pulses // J. Appl. Phys. -1986, v.60,N3, p.l 189-1182.

190. Narayan J. Interface instability and cell formation in ion-implanted and laser-annealed silicon // J. Appl. Phys. 1981, v.52, N3, p.1289-1293.

191. Павлов П.В., Зорин Е.И., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование арсенида галлия // Изв. Высших учебных заведений. Физика. 1980, №1,с 76-90.

192. Korotov V.F., Khitko V.I., Yurchenko V.A., Pivovar V.S. On the specific features of gallium arsenide doped with donor by ion implantation // Phys. Stat. Solidi (a). 1989, v.l 12,p.331-334.

193. Tang A.C.T., Sealy B.J., Rezazadeh A.A. The influence of heat treatment on the electrical characteristics of selenium -implanted GaAs // J. Appl. Phys. 1990, v.67, N1, p.307-311.

194. Pearton S.J., Ren F., Chu S.N.G., Abernathy C.R., Hobson W.S., Elliman R.G. Defects and ion redistribution in implant-isolated GaAs-based device structures // J. Appl. Phys. 1993, v.74, N11, p.6580-6586.

195. Sen S., Burton L.C. Electrical characteristics of Mev Si-implanted and annealed GaAs // Nucl. Instrum. and Meth.in Phys. Research. -1992, v.B71, p. 392-398.

196. Ocubo S., Otoki Y., Watanabe M., Kuma S. Influence of boron in semi-insulating GaAs crystals on their Electrical activation by Si-Ion Implantation // Jap. J. Appl. Phys. 1993, v.32,N5a, p.1898-1991.

197. Moll A.J., Ager J.W, Yu K.M., Walukiewicz W., Haller E.E. The effect of coimplantation of the electrical activity of implanted carbon in GaAs // J. Appl. Phys. 1993, v.74, p.7118-7123.

198. Sugitani S., Hyuga F., Yamasaki K. Phosphorus coimplantation effects on optimum annealing temperature in Si-implanted GaAs // J. Appl. Phys. -1990, v.67, N1, p.552-554.

199. Bhattacharya R.C., Rai A.K., Yeo Y.K., Pronko P.P., Ling S.C., Wilson S.R., Park Y.S. Si implantation in GaAs // J. Appl. Phys. 1983, v.54, N5, p.2329-2337.

200. Pearton S.J., Poate J.M., Sette F., Gibson J.M., Jacobson D.C., Willams J.S. Ion implantation in GaAs // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. -1987, v. В19-20, p.369-380.

201. Wesch W., Gotz G. Rapid annealing of ion-implanted GaAs // Phys. Stat. Sol (a). 1986, v.94, p.745-766.

202. Стрельченко С., Лебедев B.B. Соединения А3В5. -М.: Металлургия, 1984. -144с.