Дiя iонiзуючих i механiчних полiв на термостимульовану емiсiю компонент з поверхнi кристалiв CdTe i CdS тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ЛЬВШСЬКМЙ ДЕРЖАВНИЙ УШВЕРСИТЕТ 1л\.ЮАНА ФРАНКА

На правах рукопису

МАТУЛЬСЬКИЙ Володимир Богданович

Д1Я ЮН13УЮЧИХ I МЕХАН1ЧНИХ ПОА1В НА ТЕРМОСТИМУАЬОВАНУ ЕМ1С1Ю КОМПОНЕНТ 3 ПОВЕРХН1 КРКСТАЛ1В Сс1Те 1 Сс13

01.04.10.- физика натвпровЦжшв \ д'електрюиз

АВТОРЕФЕРДТ

дисертаци «а эдобуття вченого ступеня кандидата ф1зшо-математичних наук

»»даКхая-»дягс'.Е«инт|

Сте:.-»

льет - 1ЭЭЗ

Робота виконана.на кафедр! фхзики нап!зпроо1дник1а Львгв-ського державного уШверситету хмен: 1вана ¿ранка.

Науков} кер!вники: - кандидат фгзлко-математичних наук,

доцент Павлкк Ь.В.

- член-кореспондент ¿Н УкраТни, доктор фхзико-математичних наук, професор ыеинкыан М.К.

0ф!ц1'йн! опоненги: - доктор фхзики-математичккх наук, професор Петренко ¿1.0.

- кандидат ф!зико-математичних наук, професор Крочук А.С.

|1рс^{дна орган}зац1ят. Чернгвецький дерзцунхверситет. .

Захист дисертацН втдбудеться ТМг^__1993 р.

о "го,п- на зас1даюЦ Спец1ал1зоЕаноТ рада Д 06d.26.0o .' у Дьг'1вськоку державному ун1верситет! 1м. Iв.'¿ранка (290005, к. льв:в. Бул. Ломоносова, 8, "Велика фгзична аудигор}я).

3 дисертацгею гсг'.а ознайомитись в Науковгй б!бл1отещ Лье{зського ,;эржуШзерситету Ы.Льз1в,-вул. ДраРоманова, 5).

Автореферат роз!сланий «23" 0^-С)___1993 року.

ВчениЯ секретар Спец{ал1зовано? рада

ЗЛГАДША лАРАШЕРЛСТЖА РОБОШ

Мтуальн!сть_теми. Шроке використання досягнень науково-техн}чного прогресу,в ядерн!й: енергегиц!,'косм!чн1й техн!ц! I технолог:» стимулювало розвиток рад1ац1йно! ф!эихи. Актуальность дослгдяень в облает! радгац{ЙноТ фзшеи зумовлена теоре-тичними 1 практичнийи.проблемами ЕзаемодП гон!зуючих вилром!-нювань з нап1влров!дниковкми матерхалаш, ¿становлениям кехан{з-му дефектоутворення' та еволюцП дефект!з, особливо при температурах, при яких вгдбуваеться 1нтенсивне рад!ац|йно-стиадулююче газовлд!лення компонент. * ' ; ;

1з загального плану нап1впр0в1дник}в особливу эац!кавле-Н1сть для радгацхйно! ф?зини. становляуь нап}впров!дников1 спо-луки типу А^В^, як1 усп!пно викеристовувться для виготовлекня нових високоефективних"прилад!в,, датчиков 1он1зувчого випромг-нювання, фотод!од{в^ ^топриймальнше пристроив, неохолодауваних елемент1в силовоУ оптики 1Ч-дгалазону, тоцо. Нап}впров{дников} кристали е об'ектами багаточисельких досл!дяень як в теоретичному, так 1 у практичному план! внасл1док своТх ун1кальних ф1зико-Х1м!чних властивостей. Однак', широке використання пристал 1е Се1Те I Се15 в р!зких областях сучасно? техн!ни обмеиенв склада}сто отриманвд монокристал1чнж эразк!в 1з задаюшй 1 в|дт5орэвальнкми параметрами,. стаб1льним стех!ометричним скла- . дом та електроф1зичними параметрами в широкиду д!апазон1 температур ! Д1Й. зовн}шн1х факт6р!в',' як. от опромгнення, деформац!я.

В даний час, незвакаючи на значиу к|льк{сть експеримен-тальних роб!т по досл1дженнп рад1ад1йно-стимульованих зм1н ф1- . аичних властивостей кристал!в С<1Те } С(15 , немае едино! думки про механ!зм газовид{лення компонент, В}дсутн} в!домост{ про властивост! кристал{в при одаочасн!й дН дек!лькох зовн}и-н!х факторгв. Тому, очевидно,' вивчення впливу $он1зук>чнх 1 ме-ханзчких пол!в на нап1впров}дников! сподуки СйТе 1 С<16 в широкому температурному {нтервал! розширить наш! уявлення про природу точкових 1л1н{йних рад1ац!йних дефект{в, а також дозволить отримати 1нформац!ю, яка мае наукову ц!нн!сть для даль-шого розвитку рад{ац}йному матер!алознавства.

Метою_£оботи s досл}дження впливу !он{зуючого видромхнв-

вання i механхчклх навантажень на електроф!зичн! характеристики кристалла CdTe i CdS в широкому дхапаэон{ температур.

Для досягкекш1ц{с1 мети були поставлен! такт задач! :

- розробити та виготовити високовакуумну установку для доелiд-ження TepMi4HOi t радхацШнох стабхльност! нал! snpoBi днико-вих кристал!в в умовах механ!чного навантаження;

- досл{дити кiнетику eMicií компонент крисгалхa CdTe t CdS , поаередньо опром!нених ¿f-, рентгенхвськими квантами i потоками електрон!а в дхапазон! температур 100-750 К;

- встановити роль дислэкашй у законом!рностях субл!мацг: ато-Mi а з красталхв CdTe- i CdS ; ■

- досл!дити ефект електроннох euicíí з поверхн1 кристалхв CdS в npoueci гх охододжения до температури редкого азоту з метою встановлення механизму дефектоутворення при температурах

<300 К. ■ ■■■■■.... ' .•■■■.■ . . .

Наукова_ноЕИзна. В робот! вперше: ;

- методом мас-спектрометр! t выявлено i вивчено ефект eiíicil aTOMi в з яоверхнх криотал{ в CdTe i Cd5 в процесх íx одно-BfcHOi■ деформац!Т;-■■■ ■

- показано, що при однов!сн{й деформац!? (стиску) сполук CdTe

i CdS -рухлив! дислокац!? виконують роль транспорту нестех1о-метричного Cd э ,об»ему кристалу до бокових граней при Т> > 550 К; •

- заф!ксована i вивчена тешературна залежн|сть eMicfí електро-н!в з поверхЩ кркотая!в CdS без попереднього збуддення в процес! Тх охолодження дотеыператури р!дкого азоту;

- встало влено зв'кзок Mts утвореними макродефектами ( ¿ = SOSO мкм) на поверхн! кристад|в CdTe в процес! терь^чного в!дпалу до Т =■ 750 Л ntcJiff Тх оароиШення, потоки електрон!а з енерг!ес 450 кеВ та. доддтковими максимумами eiiícií атоихв Qd у вакуум.

üEMIí!íiHa_uiHHicTb роботи полягае в наступному:

- залропонована. методика досл1даения ем1сП компонент криста-л!в ь укоаах одночасно? д!Т {онхзуючих випром{нзовань, одно-si сного стиску та' терм!чного bí дпалу в облает i температур

1 = 300-750 л; ■ ' ■ ■ - експериментально встаноалена ыонливЮть використання ефекту механоем!сН атом!в СЙ з кристал!в С(1Те 1 Сс13 для дос-л{дження об'емних 1 поверхневих властивостей нал!впров!дци-кових сполук

Результата роботи знайдуть застосування при проектуванн! пршгад1в електронно? техн!ки» як!. працювть в умовах д!I !он!-зуючих $ механ}чних пол!в.

Положения, як^виносягьсяна захисг.; . -. I. В опроШнених кристадах СЛТе ефективна агрегатизац1я м1Жвузельного Сс1 • в1дбуваеться на"структурних дефектах гратки, а терм}адий нагр!в зразк!в стиыулюс дифуз1юатоы!вС<1 до по-верхн1 ! ?х наступну субл!ыац1ю у вакуум.

2. К!нетика ыеханоем!с11 атом|в С(£ з кристал!в Сс(Те 1 СоСЗ визначаеться тешерятуровзразка! швидк|стю однов!сного стиску. йричочу, температура кристал!в хонтродвв ефективнЮть субл!мац!1 кадм!ю у вакуум, а концентрац1я дислокацШ 1 ?х рух-лив1сть - характеризуютьефективн1стьвюсоду ы1хвузельких ато-М1В С(1 з об'еыу зразк!в до поверен!.

3. Ем!с1я еяектрон!в э базиснмх пеней сполук (МТе 1 (Иб при охолодженн1 до температура р!дкого азоту зуыовлена 1 харак-"теризуеться процесеми первбудови структура дефект!в у припо-верхневих парах кристал!в.

Ап2обац]я. ¡&тер!али дисертац!Т доповЦмишсь ! обговорв-валиоь на: Друг|й Бсесовзн1й нонференц}! «Матер}алоэнавство халькоген{дних1кисневовм1Сних наа1впроз1дник1в" (Черн1вц1, 19ь6 р.); Всесоюзному сем)яар1пДо>(!ш1а1 1 дефекта в вузькозон-нюс- нвп1впров1днкках? (Павлодар,,1967 р.}; Всесаюэн1й конферент ц{ 7 л£отоелектричн1< явица в нап1впров1дниках" (Ташкент, 1989 р.); Сшшоз!ум1 пЁм!с1я а поверхн! нал!впров!дш1к1в, а тону чисд! ек-зоем!с!я" (Льв1в> 1969 р.); Всесоюзна наргуЦ по рад»ац{Ян!й ф1-эиц| твердого т1ла(Дьв1в, 1990 р. ); П»лт!й Всесовзн1й нарад} «Рад1ац}йн! гетерогенн1процеси". (Кемерово, 1990 р.); ХП Всесоюзна конференцН по ф!эиц! нап!впров1даик!в (Ки1в, 1990 р.); х и1анародному сикпозГум! ао екзоем1с!1(ТбШс1, 1991 р.).

0^блшацП_х_внесок_авто£а. Ochobhi результата дисерта-ц!Т опубл1кован! в 12 роботах. В цих роботах автору належать результата i висновки, як! 0публ1К0ван1 в дисертащi i автореферат!. Bet експеримеитальт доелгдкення виконанг особисто автором.

. Дисертац1йна робота. складаеться з вступу, п'яти роздШв," висновк1в i списку цитованог лгтератури. Зона викладена на 129 сторонках машинописного, тексту', включаючи 29 малюнклв, 3 таблиц}. Список Л1тератури мхетить 145 найменувань.

. 3MICT РОБОТИ-

Z_SS2iSSlEjiS£Siffii з'ясовано актуальнхеть проблеми, мета i завдання досл{дяень, ix наукова новизна i практична tjiHHicTb, а також сфорыулаован! ocHOBHi положения, як{ .. виносяться на захист.

Пераий_'2035} л, - оглядовий. На 6a3i л}тературних дан их проведений анал1з ф1аико-х1м1чних властивостей кристал!в CdTe I CiS та основних б{ограф1чних i наведених структурних дефек-т{в. Описано wexaiiiaiffl взаемод{1 дислокац1й з точковими дефектами кристал{чно! гратки,. зокрема, вияснялась тх роль в проце-ci масопереносу. В1дм}чено, ¡цо в fliiepaiypi не мае однозначно? в{дпов!д! на питания — в якому станх ьцгрують по кристалу Mis-вуз ельн! атоми, не мае единого завершеного пхдходу до механ!з-му транспортування м{авузальних атоы1в до noBepxHi. ■

З'ясовано, що густина дислокацШ значно залеиить в.1д ступени деформад}? крксталу. Причиною електричнох активност! дис-локацШ в сполуках могуть бути п'езоелектркчн! поля. Рук зпрядзених дкслокац{й при пластичн{й деформацП викликае пере-розпод!л заряд}в в об»ем1 кристалу, що приводить до зм:ни електролров1дност1. Так, кристали CdS пгсля дефоркацг t при 675 К демонструвть значну ан1зотроп1ю провгдностг, яка е результат ои_к ваз} одн о р t дно г пров!даост1 вздовя гвинтових дисло-кац1В з 6 II [1120].

Досл!доення впливу рад!ад1Йних Екпромгнявань на властивос-

Т1 кристал!в СЫТе ! СЛБ показали, чо субл1}<ац1я с!рки 1-те-луру б процес! опроЩнения вежлива" як з поверхн!, тая 1 э об'е-му.эраэигв. Причому, кехан!зки 'зЩцекня атом!а 1 }сн!в э вуз-лгв гратки пгд дгею опромгнення можуть бути р!гн!, а в о кренах. випадках ниськодозне опрсм}нения нал1впров!дш1кОБгас крпстад!в приводить до частк'ового радхацШно-стимульоБаного впорядкуван-ня кристал1ЧНоТ структури. _

Йл1с1Йн} властивсстх кристад1в СЛТв 1 С(15 в широкому температурному Штервал!, особливо при температурах ниачих за к I ¡шатну, не досл1джен! в достатн!й м}р!. Не встановлен! зако-ношрносгх еще} У компонент у вакуум я!д вшгавом!он}зуючого вивромгнювання '! механ!чних навантатень.

У другому розд}л} викладено методику прпготувзкня 1 дос-л!даення експериметшяъних зразк}в.

Описана установка, яка дозволяв вивчати ем!с!йн! властн-вост! кристал!в при'температурах 77-800 К в укоазх контрольова-ного сднов{сного стиску з р1зн№и пвядкостдая деформед!!. Специальна конструкц!я трикача крдоталу усугаз гериоаяехтронну емтсхю з натр} вши елемент!в. Опром!нення кристаду вяджхи св!т-лом,.У£-випром!кнванням } рентген}еськиии.квантами проводилось через вхкно з мскокристалу М^. } отвори в.трикач! эразка. •Стиск кристалу контроловавсл чутливии редакссмотром Дубова-Ре- : геля» вкготовленого в високовакуушоыу вар! ант {.Для елшентно-го анализу заливкових газ!в та Продукт1в, як1вид1лязотьоя э кристалу при одночасЫй д!Т терн}чкого в}дпаду 1 пластично! де-формацП, оилористовувався кас-спектрсаетр РОМС-4 або МХ-4. Д|авазон рееструвчих мае - 1-250 ат,од^мас./\ л...

Густина дислокацШ на поверхн} дося{дауБажа нап*Епров1д~ никових кристал!в визначалась методом селективного травления.

В третыэду розд}л! приведено результата досл!ддеиня тер-мостимульованоу ем}с}1 кодаонент з поверхн! крнстал!в ШТе

... } саг .

Встановлено, цо ем!с1я Сй в процес} в!дпалу сколотая криетал{в ШТе в1дбуваеться в два егапи. В облает} темпера-\ тур 600-660 К спостер!га$ться каксимуц ем}с}Т С<£ , який зуков-лени» су<Шиац1е1>:надшшо.в^,'м^|о»"'дока* ш струк-

- а _

турних дефектах в приловерхневих шарах. При тешературах Т> > 660 К 1нтенсивя|сть емгс11 ОсЬ монотонно зростаз у о разках з однаковою енергхею антивацП субл{мацГт (0,72-0,73 еВ). Та-ка картина пояскшться дифузгаю 'м!жвузельних атом!в кадагю з об'ему кристалу до ловерхн! г насту1шоя'субл!мацтею у вакуум.

У полхрованих ! травлених кристалах Сс¿Те максимум ем!-с{ I СЛ в темхературноцу Интервал! 600-660 К не спостерхгаеть-с я.

Легування крисгал!в селеном приводить до зкеншення

!нтенсивност! сублхмацП кадм!ю у вакуум при в!дпал! зразя1в. Причиною такого характеру ем!сП Сс1 е зменшекня густини дисло-кахЦЙ до (2-3 ЫО4 см~^ .та Тх рухливост! внасл1Док локалгзацхт навкодо них атом!в селену.

Б кристалах Сс15 , як показали иас-спектрометричнг дос-л{дкення, при тешературах 300-750 К ещс!я кадмхю е незначною. При охолодхенн! криеталхв ;вхд кхмнатнох температуря до темпера-тури р1дкого азоту виявлеяо ефект ем!сП едектрон1в з гращ (0001 )Сс1 . ¿нерг'Я ьштованкх електрон1в складае 2-4 еВ. 3 . гран} (ОООГ) Э ем1с1я еле'ктронхв рееструвалась т!льки на ок-ремих зразках, лричому Тх енер'г!я (5 = 30-50 еВ.

На мал.! приведен! '¡температуряI аалежноот1 енхсН електро-н!в з гран! (СЮ01)Сс1 кристадхв С<£5 Гповерхнево! проехднос-т! на ц!й гран! при. охододиенн! зразив до температуря ргдкого азоту I наступному нагр!ванн! до к!шатнох. температуря. ц1 'за-лежност! ыаютъ 1дентичниЙ' характер, що св!дчкть про однакозу природу ефект! в. '.'Ч-:-;;^

В кристалах €¿5 , попередньо вхдпалених при Т. У 550 К, ем!с!я електрон!в в .процес!1охолодження до тешератури р!дкого азоту е незначнов г вхдсутнгй гистерезис теклературнох залелг-ност! проЕ!днсст{ на гран! (0001 )Сс£ . Це вказуе на.зв'язок цих ефект!в з дефектною структурою кристалу, Руйнувакня дефекта, як!' в!дпов!дають за емхс!ю. електрон!в, приводить до Г: суттееого зменшення. '.."

гд'Лс!ю електрон!в з кристаглв €¿5 при "{х охолоджекн! кокна пояскити перебудовою струкзурл дефект!в а придоверхкеЕкг ьарах ! провесами ьзагиодх: адсорбованих атоихв Чзокрека, кис- ,

ию) з поверхневими '..атомами Сс1 . При цъому вив!лькюзться енер-г:я, яка доетатия для виходу електронтв у'вакуум. Щрополе в таких випадках визначае напрям руху електрон!в з об'еи} крис-талу.

«ал.

I. Кхнетика емгсП електрон!в (I) ! пров}д-ност! (2) на грант (ООО! )СМ . в кристалах. С^б

§_Н£2ё§222Ш!_22ЭаШ роэглянуто особлиеост! ем!с11 ато-м!в Сё. з поверхнг кристал!в СсПе при Тх .в^дпал! до температуря 750 К. Кристали попередньб опром}давалися потоками елект-ронлв, 1 рентген!вськими кванта* при н!ш&тн!й температурь "'■■..''' 7'.'."■.'.

В попередньо опром!нених : ^-квантами ( Рад) прис-

тавах СйТе в прсцес! в!дпалу в}дбуваеться розпад ростових прецкп!тат!в ! спостер!гавться максимум ем!с!Т С(1 в точу а температурному 1нтервал!,"що й в сколотих зразках. Зб1льшення доэи 2^-ояром!нення приводить до зростання концентрац!! точно вих дефект!в ! Тх рад!ац!йно-стиг<ульованоУ агрегатизацН э утворенням дефект!в з б!льшою терм1чнов ст!йк1сти. В реэульта-т! максимум субл!ияц!г атом!в С(А зм!щуеться в сторону високих температур у пор!внянн! з неопроы!неким кристалом (мал.2, крива 3).

На мал.2 (крива 2) приведена температурна залежн!сть

■ - ю -

еы!с!Т атом!в СУ. з поверен! кристалу СсГГе , попередньо опро-м!неного потоками електрон!в з енергхев 450 еВ.

<1

' 4С

¿0

о

Мал. 2. Субл!мац!я Сй в процес! в!дпацу криета-я!в СаТе : I - сколотий зразок; 2 - опроьЦ-нений електронами; 3 - ойромШений У'-кван-■■ ■ : 5в1Ш» .

ЩхроскоЩчи! досл!даення граней таких зразк^в показали, цо на доверен! кристав!в С4Те утворшться шкродефекти вра-.' вильно? гйометричио? форш1.Так{макродефекти е центрами вихо-ду на гран! зарядкених дислокац!й. Ем|с!йшй спектр кадм!ю ви-явився складним у вкладках ревстрац!Тна поверхн! кристал!в ЙТэ вказаних^ накрода|ект!в. Тому мояна вважати, що особли-вост! ем{с{! СА в процес! в!дпалу попередньо опром1 неких елек-тронамя кристал!в СеПГе -зумовлен! л<жал{эац1езо м{квузедьннх атон}в в облает! «акродефект1в.

Таким чином, результаты по доел!даенню ем{с1йних власти-востей кристад!в СсПе ! дан{ селективного травлення ем!тую-чо? позерхн! попередньо опром!нених зразк!в дозволяють розкри-ти аермодислокад!йний механ!зм виходу атом{в С<1 на грань I особдаеост! субд!шц! 1.

§_m32£M¥-E23SÍ5í обговорено експерииантадън i результата доел!днення виявленого нами ефекту механоемШг Col з noaepxHt крксталгз CdJe í CAS . при îx однов!снгй дефориацИ. Вота-новлено, що ем i с i я атом!з Cat гид час контрольованого стиску вхдбувазться при таких температурах дефорыацхТ, при яких рез-струеться сигнал Cd у випадку чисто терм{чних npaqects (мал. 3). Як видно з мал.З !з зб1лыпенкям ступеня стиску {нтенсив-HicTb eMiciï Cd зростаз, що дозволяв пов'язати цей ефеит з дислокацгйнои структурою кристалу. Таким чином, еяладовими частинами механоем1сП мокна вважати: транспортування дислока-1Ця>ли мхявузельних атом i а Cd до поверхн! t ïx вих{д у вакуум.

Винесення мхжвузельного Cd на позерхню кристалл' визнача-еться reHepaqiea нових } зб{льиенням пеидкостг старих дислокаций , яп рухаються до бокових граней. При пружн!й деформац} ï t легкому ковзанн! eMiciH атом i в Cot. з кристал!в CdTe зумовле-на знЫьненням старих дислокац!й,'а при пластичному дефэрму-BaHHi монотрнна ем!с!я кадм!и визначаеться процесо^л генерэе! ï HOSiix ,дислокац1й.

Як показали тс-спектрометричн! домИдкення в .кристалах характерна слабка галекщсть механоемШ! £Н в}д сгу-пеня стиску. Це пояснветься калою рухливхсто дислокаций та 1н-шим набором дислс<кац}й 1 ■ площш ковзшшя, нш в кристалах типу сфалериту.

На основ! отриманих результатов, ыожна стверддувати, що в продес! механоем!с11 досл{дауваних кристалгв С<Ле 1 Сй5 температура визначае ефективнтсть субл1мац}1 Сс( у вакуум, а кразв! дислокац}! в!д!грають головку роль в його транспорту-ванн! з об'ему до бокових граней.

ОБГОБОРЗШ РЕЗУХЬТАПВ. ШСНОВНИ

3. Тер^чний в!дпал у Е&хуум! опрок!нених 1 неопром!нених крыстаЩр С<1Те при Т < 600 К супроводауетъся субл1ь4ац1ею ке-стех!ометричного кади{в," локал!зованого на структурних дефектах в приповерхневих сарах. При температурах в1длалу Т600 К БМ1с1я кадм}в визначавгься дифуз{ею м'1квузедьних атом!в з об'е-му до поверхнГ. Енерг4я актива^ I процесу субл!мац!У 0(1 в 1Н-тервал! -температур ^ = 600-750 К становить 0,72-0,73 еВ.

Е. ДоиНшш; селену =ДО16 сы_3; Е^* Ес - (0,66-

0,72) еВ) змешдуоть;1нтенсивн}сть термоеы|с!I кадм!ю у вакуум при в{дпал} кристал!в СсПе^е . Дричиноа такого процесу е змениення густини дисдокац1й до Ц-3)*304 см-2 та ?х рухливос-т! внасл!док локалхзацИ навколо них атом!в селену.

3. Запропоновано мехеШзк ем!с!!- електрон1в з базисних граней кристаду ШБ при 1х охолодаенн! до температури р!дко-го азоту. Суть механ!зху полягае в перебудов! структури иета-стаб1дьних стан!вдефект}в! адсорбованих атощв на найб!льш заселения гранях кристалу. В результат! утворюеться конфхгура-ц!я з менвою вотенц1ально» енерПею 1 вшшкаюче при охолодден-Н1 в перпендикулярному напряы! до (0001) С<1 Шроелектричне воле стицулюс перех!д в{льних електрон!в з поверхн! кристалу у вакуум.

4. Низькодозне (,D< Ю^ Рад) електромагн!тнв £иаром!ню-вання спричкняЕ розпад ростових прецйл!тат!э з приловерхневих шарах кристалу CiiTe , в результат! чого вгдбуваеться збхль-кення хнгенсивностх ем!eil Cd. в тому s самому температурному хнтерзалх, що й максимум сублхмацх! CdL з сколотих зразкхв. При дозах опром!нення J) > Ю7 Рад слостерггазться радхах;?---но-стимульована мхграцгя точкових дефектов, що зумовлюз утво-рення кластер!в з пхдвшценою терм!чноа ст!йк1ста.

.. ■ 5, ¿лектронне олромхнення зразкгв Cd7e. приводить до ут-ворення з приловерхневих карах точкових дефект!з великоY кон-центрацГг i макродефектгв правильно! форми на поверхнх кристалу. При в}дпал1 кристал13 CdTe з вирааеними макродефектами на гранях емхсхйний спектр Cd характеризуемся додатяовимя' максимумами. Утворен! макродефекти ствердаузвть термодаслсна-сцйний механизм виходу мхявузельного хадм!п на емхтугку по-аерхню.

б. В процес! однов!сного стиску кристалтз CdTs ! Cd.5 при тешературах деформац!! Т > 550 К в!дбувазться Штенеивна ем!с!я aTOMiB кадмги. ¿ехаЩзм механоемхеи атом!в Cd базу-еться на генерацхt нових дислокац!й i збхльшення рухливост! старих. Ноз! дислокацП вШграють основну роль з транспорту-ванн! мглвузельного.кадых» з об'ему кристалу до' бокових граней при хьчасимнгй деформац!!, а стар! s визначальними в областх пруннсго стиску. ' ■'.''.-

Основн! результата дисертацП опубл!ковано в наступних роботах: '

X. Катульский В.Б., Пазлык Б.В., Савиадий A.B., Бурачек В.Р. Влияние рентгеновского облучения на.термическую десорбцию из поверхности кристаллов CdTe //П Зсесоэзн.конф.: Материаловедение халькогенидных' и кисяородсодержзгрсс полупроводников. 'Тез.докл. - Черновцы, 1936. - С.102. 2. Катульский В.Б., ПавлыкБ.В., Савицкий A.B., Паль H.A. Исследования газозаделения при отжиге облученных монокристаллов теллурида кадхия// Сб.: физическая электроника. - Львоэ, I5ö7. - В.;>5. - С.63-67.

3. ¿¿атульский В.Б.» Пашшк Б,В.,,: Данштк а.В.^'Белюх В.М. Исследование влияния ионизируицего излучения на свойства соединений Всес00гн.с1шп.: Примеси.« дефекты в уэко-зонных полупроводниках. Хесидокл; - Павлодар, 1957. - С.16.

4. Матульский В.Б., Павлья: Б.В., Струи Я.А. Весоковакуушая установка для иссдедое^гзш термической и радиационной стабильности Утвевдых-tea''в условий

ДГЭ. - 1989, Я 4. - С.245-246.

5. Катульский В.Б., Павлы? Б.В., Савицкий А.В., Бурачек В.Р.

■ Влияние дксдокащотюй структуры на выделение C¿ ' из CdTe . // Электронная техника. Сер.материалы. - 12а9. - В.2(239). - С . 71-72. •

6. Натульскай В.Б. , Швдцк Б.В., Сухоребрый С.П. и др. Эффект аномальной влелтроиной .sisacas» с яовархности кристаллов CdS // Всесошн.сжш.: сй/.ссяя с поверхности полупроБод-hj:kc:¿, в том числе зхэосг-шесия. Тез.докл. - Львов, IS39. -С.65.

7. ¿^тульский В.Б., Ъзтьзсо И.О. Эмиссионные процессы и изменение заряда на поверхности кристаллов при воздействии ионизирующего излучения// Семинар: Радиационная физика и химия твердого тела. Тез.докл. -Львов, I99Q.- С.43.

" 8. Гулык П.й. ^ Шгульсый В.Б. и др. Способ долуч&чия кристаллов теллура. - А.с. СССР Я 1525293. :

9. Матульский В.Б.» ПавдыкБ.В.» Корсунская Й.Е. и др. Стиму-лирова^шое охлгшдением роздение дефектов, приводящее к возбуждению электронной подсистемы в гексагональных полупроводниках

кЧЬ/ Всесоюзн.конф.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Теэ.докл. - Таокент, 19Ó9. - С.39.

10. Матульский В.Б., Лашшк Б.В., Савицкий А.В. и др. 0 природе макроструктур«!« дефектов на-поверхности монокристаллов . CdTe // Поверхность. Физика» химия, механика. - 1990, »■■3. » С.53-56; ■

11. Матульский В.Б., Павлык Б.В., Швйнкман М.К. Эффект эмиссии Cd с поверхности кристаллов CdTe в процессе их деформации// Письма вШ. - 1990. - T.I5, в.1б. - C.I6-IB.

J2. llatulskyi 7.3., Рчт1ук B.V., Suborebryi S.P., Íiutfco X.O. Lor? tenserature exoenission from CdS single crystal// IO-th International Synpogiua on ■Stoelectroa.3aiaslon чпс! Applications. - Tbilisi, 1991. - ?.343.