Единая картина распределения электрических полей в высокотемпературных сверхпроводниках типа Y-Ba-Cu-O тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ



#

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рук писи

Лавизина Оксана Вячеславовна

Единая картина распределения электрических полей в высокотемпературных сверхпроводниках типа ¥-Ва-Си-0.

01.04.07 -физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических

наук

Казань -1998

Работа выполнена на кафедре квантовой электроники и радиоспектроскопии Казанского государственного университета

Научный руководитель Доктор физико-математических наук

профессор М.В.Еремин.

Официальные оппоненты: Доктор физико-математических наук

профессор Б.З.Малкин (КГУ).

Кандидат физико-математических наук А.В.Мирмелылтейн (Институт физики металлов, г.Екатеринбург).

Ведущая организация: Казанский физико-технический институт

Защита состоится »

ЛС __ 1998 г. в часов на

заседании диссертационного совета Д 053.29.02 при Казанском государственном университете по адресу 420008, г.Казань, ул.Кремлевская, 1 б.

С диссертацией можно ознакомится в Научной библиотеке Казанского государственного университета.

Автореферат разослан » ___¡993 г

Ученый секретарь диссертационного совета, профессор

М.В.Еремин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы исследования. Открытие высокотемпературной сверхпроводимости в керамиках на основе оксидов меди в 1986 году породило каскад экспериментальных и теоретических работ, касающихся этого явления. Однако, несмотря на интенсивные исследования, вопрос о природе сверхпроводимости в этих веществах остается открытым. Это обусловлено большим разнообразием и исключительной сложностью ВТСП соединений. Среди всех существующих на сегодня ВТСП соединений наиболее полно исследованы ReBa2Cti3Oyg и ReBa2Cu4Os, где Re —редкоземельный ион, обычно иттрий. К настоящему времени имеются надежные ЯКР/ЯМР данные о величинах электрических и магнитных полей на всех узлах решетки этих соединений. В частности, для соединения YBa-iCuyO-i-g —это 14 (!) спектроскопически измеренных величин только по градиентам электрических полей на ядрах Ва, Си{ 1), Си(2), 0(I), 0(2), 0(3) и 0(4). К этому следует добавить данные по кристаллическому электрическому полю на редкоземельных ионах (в случае Re—Tm их пять), найденные из экспериментов по неупругому рассеянию нейтронов и ЭПР, ЯМР. Все эти экспериментальные данные содержат ценную информацию об электронной структуре этих соединений. Однако достаточно полный их анализ в той мере, как это будет представлено ниже, в литературе не проводился. В значительной степени это связяно с еще не сложившимися представлениями о зонном строении нормальной фазы слоистых купратов. С нашей точки зрения наиболее перспективной моделью описания зонной структуры является модель сингетно-коррелированной зоны кислорода, базирующейся на идее Жанга-Райса об образовании медно-кислородных синглетных двухчастичных возбуждений. Модель синглетной зоны корректно описывает переход диэлектрик-металл в соединениях Y-Ва-Си-О, имеющиеся фотоэмиссионные данные, а также температурную зависимость сдвига Найта на ядрах меди. Цель работы. В данной работе предпринята попытка проверить возможности этой модели для интерпретации экспериментальных данных о частотах ЯКР/ЯМР:

¡. На основе модели синглетно-коррелированной зоны кислорода разработать систематическую процедуру расчета эффективных точечных зарядов в керамиках У-Ва-Си-0 с различным уровнем допирования и таким образом попытаться описать вес имеющиеся экспериментальные данные о градиентах

электрических полей во всех позициях элементарной ячейки исследуемых веществ.

2. Выяснить причины аномалий в температурных зависимостях частот ЯКР на ядрах меди в обеих позициях и бария. Исследовать процесс кроссовера допированных дырок в системе плоскости-цепи и влияние на него эффектов нестабильности в подсистеме носителей тока по отношению к образованию волн зарядовой плотности. Научная и практическая ценность.

Предложена единая картина распределения дырок (эффективных зарядов и дипольных моментов) в соединениях YBa^Cu-^Oi и УВа^Си^Оъ в рамках которой впервые удовлетворительным образом удалось объяснить наблюдаемые значения градиентов электрических полей на ядрах меди, бария и кислорода во всех позициях элементарной ячейки.

Рассчитаны значения параметров кристаллического электрического поля на ионах Тт3+ в соединениях' ТтВа^и^О^ и ТтВа^Си^О-] с учетов вклада от индуцированных дипольных моментов ионов кристаллической решетки. Показано, что учет этого вклада позволяет корректно описать полученные из

экспериментальных данных значения параметров В\. Рассчитанные параметры кристаллического электрического поля хорошо описывают имеющиеся экспериментальные данные ЯМР и неупругого рассеяния нейтронов на нонах Тт в указанных соединениях.

Объяснены зависимости частот ЯКР от температуры для Сн(1), Си(2) и Ва в соединении YBa2Cu40$. Показано, что температурная зависимость |/е(Сн(1>) чрезвычайно чувствительна к перераспределению дырок между цепями и плоскостями и к волнам зарядовых плотностей. Впервые обсуждаются особенности зонного строения цепочечных фрагментов. Наблюдаемое отличие в поведении температурных зависимостей vq(Cu(1)) и \q(Cu(2)) по порядку величин интерпретируется как следствие различия плоскостных и цепочечных зон проводимости в Y-Ba-Cu-O. Зона проводимости в плоскостях Си02 является енглетно-коррелированной зоной кислорода, в то время как зона проводимости цепей соответствует нижней хаббардовской зоне меди. Научная апробация. Основные результаты работы докладывались на семинарах кафедры кванотовой электроники и радиоспектроскопии КГУ, а также на

— Итоговой научной конференции Казанского университета 1995 гг.

— XIVth International Symposium on Nuclear Quadrupole Interactions, Pisa, July 20-25, 1997.

абота выполнена при частичной поддержке Научной технической программы Сверхпроводимость», проект N94029 и гранта Министерства образования Ф, СГ1Г-95-0-7.1-35.

[убликацнк. По теме диссертации опубликовано 4 статьи и 1 тезис доклада, труктура работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и писка цитируемой литературы из 116 наименований. Общий объем работы — 11 страниц машинописного текста.

о введении обосновывается выбор темы, формулируются цедь и задачи сследования.

первой главе делается краткий обзор существующих фотоэмиссионных аных об электронной структуре соединений Y-Ba-Cu-0 и методов анализа )адиентов электрических полей. Последний параграф посвящен анализу отенциала кристаллического электрического поля (КЭП) на ионе Гт3+ в тВа1СиъО(,. Параметры КЭП рассчитывались как сумма вкладов от точечных ¡рядов (обозначен в таблице как (I)), индуцированных дипольных моментов I) и точечных квадруполей (III); вкладов, учитывающих эффекты ерекрыванием 4f электронных оболочек ионов Тт с 2р оболочками кружающих кислородов (IV) и процессы виртуального переноса электронов з 2р оболочек кислорода в 4f и 5d оболочки Тт (V и VI). Значения ндуцированных дипольных моментов рассчитываются методом >гласованного поля как в [1]. Получение значения параметров КЭП эиведены в таблице 1. С помощью полученных параметров КЭП 1ссчитанны энергии штарковского расщепления основного состояния иона mi+ (в см-1):

расчет 0 117 200 203 279 681 683 719 722 745

эксп.[3] " 5 126 ~ Г73 - - - - -

компоненты тензора парамагнитного сдвига ЯМР для иона Тт:

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ.

nft*

у\\!1л

расчет

5.90 кГц/Э

2.33 кГц/Э

эксперимент [2]

5.30 кГц/Э

3.05 кГц/Э

В\ вЧ BÍ <

»№ 201.75 -91.39 494.15 2.74 10G.43

KÍ") -171.55 -4.85 131.46 1.11 12.77

ВЦШ) -14.90 — — — ■—

Щ{1У) -13.25 20.59 -93.39 -2.24 -57.25

ЩУ) 42.55 -174.62 792.63 29.12 745.06

B¡(VI) 25.75 -2.24 10.14 — —

ЪЧ 70.40 -252.62 1334.95 30.75 806.8

В1 к [2] 31.5 -250.3 1335 31.8 806.8

Во второй главе проводится анализ градиентов электрическою ноля (ГЭП) в УВа2Си}От. Для расчета значений эффективных точечных зарядов используется модель синглетно-коррелированной зоны 14-6]. Гамильтониан бислоя CujO^ представлен в виде:

«e6 =W„ +Я4 + ?/,„„_ (1)

где индексы а и 6 относятся к разным слоям CuOj. Гамильтониан одной плоскости имеет вид:

Н а = £ ttyf!"''^' Ч*?' + 2 г^4/.<т,"0¥

"¡ * ' . ' S ' , (2) ч"'." 'Р 42) 4П)

где и операторы хаббардовского типа, , ' , 1 — интегра-

лы перескока дырок между позициями меди в плоскости. описывает

туннелирование синглетнокоррелированных дырок между слоями а и Ь.

и - V /("^Iw l"1'"* at<Tj,P¡l \л, р<1 ,<r i ujcrt ,pd\ п tan ~ L, '¡1 \ ai v ti + 'Ы aj I

Ы> - (3)

Отмечается, что введение туннелирования позволяет согласовать имеющиеся

фотоэмиссионные данные [7] с индексом оптимального допирования & ~ 0-33 в бислое, а также корректно описать имеющиеся данные ЯКР о ГЭП на ядрах кислорода. Термодинамические средние

~ I . jj- I (<ífl<?')k (4)

k.aj k.cTj

имеют смысл числа "медных" и синглетно-коррелированных кислородных дырок в расчете на один узел CuOi при этом вакуумному состоянию соответствует конфигупация 3d10 в позиции меди (ОЛ) и 2// в позиции кислорода(О2-). Изменение термодинамических средних при допировании приводят к смене значений эффективных зарядов в позициях меди и кислорода в плоскостях. Аналогичные вычисления сделаны для цепей. Расчеты согласованы с имеющимися фотоэмиссионными данными [8]. Зонная структура цепей и плоскостей различна: в плоскостях нижняя хаббардовская зона меди заполнена полностью и верхняя синглетно-коррелированная примерно наполовину, в то время как в цепях эта зона пустая, а нижняя хаббардовская зона меди заполнена более, чем наполовину. Эффективные заряды на Си( 1), Си{2) и 0(2), 0(3), вычисленные с помощью (4) для соединения YBa2Cu-i01 приведены в таблице 2.

Эффективные заряды кислорода в позициях 0(1) и 0(4) были выбраны в соответствии с фотоэмиссионными данными [9].Согласно данным рентгеновской спектроскопии [10] эффективный заряд Ва превышает значение +2¡e|.Ero величина оценивалась исходя из условия электронейтральности ячейки.

При расчете ГЭП на ядрах кислорода учитывались следующие вклады: _

от эффективных точечных зарядов, диполей и квадруполей узлов решетки, (обозначен в таблице (1));_от обменных зарядов, пропорциональных интегралам перекрывания кислородной 2р оболочки с окружающими оболочками Си, Ва и Y (2);_от ковалентных зарядов, возникающих в результате виртуального переноса электрона из кислородной 2р оболочки в незаполненную 3d оболочку меди (3);_от дополнительных дырок, локализованных на 2р(Г состояниях кислорода вследствие допирования (4). Здесь и далее для расчета интегралов перекрывания использовались хартри-фоковские волновые функции из [11]. Втаблице 3 приведены полученые результаты.

Выражения для ГЭП в позициях меди имеют почти тот же вид, как и для позиций кислорода. Некоторые различия возникают из-за наличия не полностью заполненной 3d оболочки у меди. Результаты вычислений приведены в таблице 4.

Таблица 2. Вычисленные значения эффективных точечных зарядов (в |е|) и дипольных моментов (в ИХА) в соединениях КеВа1Си^01 (Де= У, Тт).

Эффективные Дипольные Дипольные

Позиция заряды моменты, моменты,

Ле=Г £ II

Си( 2) 1.9994 0.0211 0.0289

0( 2) -1.9122 -0.1423 -0.1342

0(3) -1.9122 -0.1768 -0.1654

Си< 1) 1.7000 0 0

0(1) -1.7016 0 0

0(4) -1.8042 -0.0685 -0.0828

Ва 2.1300 -0.0241 -0.0321

Ле=У, Тт 3.0000 0 0

Таблица 3. Значения градиентов электрических полей в позициях кислорода в УВа1Сиг01 (х1021 В/м2)

га, у С) И2) аР К« Г ар к« °Р ЪУаР эксп. [12]

0(1) у г XX -2.615 0.949 -1.560 -3.796 -7.022 -5.1

у к у у 9.373 -2.375 3.120 7.592 17.710 17.2

у» -6.758 1.426 -1.560 -3.796 -10.688 -12.1

0(4) -1.821 1.915 -1.032 -2.491 -3.429 -4.0

у У у -4.918 1.297 -1.032 -2.491 -7.144 -7.6

у,г 6.739 -3.212 2.064 4.982 10.573 11.6

0(2) у г хх 8.804 -2.041 3.036 2.234 12.03.3 10.5

V УУ -3.859 1.579 -1.557 -1.117 -4.954 -6.3

У* -4.945 0.462 -1.479 -1.117 -7.079 -4.2

0(3) V XX -2.774 1.557 -1.562 -1.117 -3.896 -6.3

Ууу 6.994 -2.155 3.039 2.234 10.112 10.2

У^ -4.220 0.598 -1.477 -1.117 -6.216 -3.9

При расчете градиентов электрических полей (ГЭП) в позиции Ва учитывались два вклада: от точечных зарядов, дипольных и квадрупольных

моментов — y^J и вклад, обусловленный эффектами перекрывания 4d, Ар и 5р электронных оболочек бария с 2р и 2i оболочками окружающих кислородов (0(2) 0(3) и. 0(4)) — . Полученные результаты приведены в таблице 5.

Таблица 4. Значения градиентов электрических полей в позициях меди в YBa1Cu■iO^ (х1021 В/м2)

уМ У aß Г/(2) v aß 1/(3) Кaß г/Н) у aß ZV aß ЭКСГ1. [13]

Сн<1) К* 13.698 -1,488 9.413 -29.249 -7.626 -7.4

v„ -4.287 5.084 -3.270 10.099 7.626 7.5

-9.411 -3.596 -6.143 19.150 0.000 -0.1

Са( 2) V ' XX -6.393 -1.754 -4.431 19.046 6.468 6.2

Ууу -4.774 -2.663 -4.431 19.046 7.112 6.2

К, 11.167 4.416 8.928 -38.092 -13.580 -12.4

Таблица 5. Значения градиентов электрических полей в позиции бария в УВагСиг01 (x1021 В/м2)

Позиция К С) У aß у (2) Vaß 2 V aß эксп. [14]

Ва V ' XX -16.747 6.838 -9.909 -8.35

vyy 2.830 0.258 3.088 -0.35

13.917 -7.096 6.821 8.70

Параметры кристаллического электрического поля в позиции редкоземельного иона для соединения ГтВа2Си307 были рассчитаны по методике, что и для ТтВа^СиъОь. Их значения приведены в таблице 6 (обозначения для вкладов те же, что и в таблице 1). С помощью полученных параметров К.ЭП рассчитанны энергии штарковского расщепления основного состояния иона Ттъ+ (в см"1):

расчет 0 117 200 203 279 681 683 719 722 745 эксп.[3] 0 126 - 173 = - II — — ~

и компоненты тензора парамагнитного сдвига ЯМР для иона Тт:

Го! 2 т Гб/2-т у Jin

расчет 5.115 кГц/Э 6.136 кГц/Э 2.409 кГц/Э

"эксперимент |2] 5.3 кГц/Э 6.6 кГц/Э 2.3 кГц/Э

Таблица 6. Вычисленные значения параметров КЭП в ТтВа2Си307 (см-1).

Bl(") B№ sim *№ Bi(Vl) 1*1 ЭКСП. 121

й? 208.69 -192.29 -6.00 -11.41 37.91 22.32 59.22 75.9

to 110.84 59.15 1.97 -36.97 23.44 -0.S3 157.62 100.0

д? -87.82 -4.26 — 20.40 -171.20 -2.23 -245.12 -248.3

fii 26.90 1.67 — -11.38 22.21 0.02 39.42 43.0

St 477.38 155.94 — -93.7 786.53 10.32 1284.10 1336

2.85 1.43 — -2.29 30.09 — 32.07 30.4

si -3.11 -8.64 — 3.11 -7.90 — -16.54 20.2

St 104.22 15.21 — -57.06 747.73 - 810.10 810.5

St 1.42 1.15 -2.32 6.04 — 6.31 -5.56

В третьей главе развитая модель распределения зарядов и дипольных моментов используется для описания динамических свойств нормальной фазы и проводится анализ температурных зависимостей частот ЯКР на ядрах меди в обеих позициях и бария в УВагСа40^. В таблице 7 приведены значения рассчитанных эффективных зарядов. Частоты ЯКР и параметры асимметрии ц расчитывались по формулам:

^=Щ^г^Ч*7, "=к - , (5)

где К«I - fyyI г I. Их значения для всех позициях меди, кислорода и бария приведены в таблице 8.

Решая уравнение на единый химический потенциал для цепи и плоскости одновременно, при различных температурах, исследуется явление кроссовера— перераспределения допированных дырок между плоскостями и цепями. Учитываются эффекты нестабильности носителей тока по отношению к волнам зарядовой плотности (ВЗП) в плоскостях и цепях. Флуктуации параметра порядка ВЗП описываются в

Таблица 7 Вычисленные значения эффективных точечных зарядов (в |ej) и динольных моментов (в ИХА) в соединении YBa2Cu40¡.

Позиция Эффективные заряды, х|е| Дипольные моменты, х|е|А

С«( 2) 1.9981 -0.0099

0(2) -1.9256 0.1371

0(3) -1.9256 0.1570

Св( 1) 1.7605 0.1218

0(1) -1.8600 -0.1975

0(4) -1.7850 -0.0360

Ва 2.2375 0.0765

Y 3.0000 -0.0025

Таблица 8. Значения частот ЯК.Р и параметры асимметрии в различных позициях элементарной ячейки УВа2Си40%.

Позиция Расчет Эксперимент

VQ, МГЦ п vq, МГц п [Rcf]

Си(1) 19.884 0.981 20.00 7±0.00 0.85±0.05 [15]

Си( 2) 30.195 0.009 29.786^0.027 0.01±0.01 [15]

Ва 31.125 0.127 31.787+0.035 0.568+0.005 {16]

0(1) 13.343 0.842 13.368±0.040 0.868±0.004 [17]

0(4) 12.086 0.362 12.948j_0.040 0.252+0.003 [17]

0(2) 11.924 0.124 12.172+0.040 0.213 + 0.005 [17]

0(3) 11.137 0.106 12.155+0.040 0.228 + .005 [17]

духе работы [18]. На рис.1, 2, 3 приведены приведены

результаты расчетов температурной зависимости частот ЯКР на ядрах меди и бария в сравнении с

экспериментальными данными. На рисунках правая ось ординат соответствует

экспериментальным дан-ным

(1.а: [16], 1.Ь, 1.с: [15]), Рис.1 Температурная зависимость частоты ЯКР

, Си(2) в УВагСиАОн.

которые изображены символом Левая —результаты вы-числений: □ —без учета кроссовера и ВЗП, д —с. учетом кроссовера дырок из цепей в плоскости, о —с учетом ВЗП в цепях и плоскостях.

Из рисунков видно, что рассчитанные температурные за-висимост чстот ЯКР С и (2) и Ва удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Видно, что учет

д

20,13- А Д Д 20,00

Н д □ а

5 ю.ш- д

й д

г Д •

Г<*

20.05- □ □

♦о- ♦♦ о - л 19,90

оо

100 150 200 250 300

Темгкрагсура, К

Рис.2 Температурная зависимость частоты ЯКР Си(1) в ГВа2Си40&.

волн зарядовой плотности позволяет достаточно точно описать поведение Уси(1)(7)- Что касается кривых и ува(7), то они не испытывают каких-

либо заметных изменений при учете ВЗП. Перераспределение допированных дырок между плоскостями и цепями с температурой оказывает сильное влияние на поведение уси(1>(7), но практически не меняет уСэд(7). Это объясняется различием зонной структуры плоскостей и цепей.

>1.11- s Ч ■ о .И,* МЛ

* :ч, j. * • J1.4

н в ♦ е ♦ .'l.i

8 ♦

HW Ни -ЧО

Те И Пер в тур*. К

Рис.3 Температурная зависимость частоты ЯКР Ва в УВогСщОъ.

В заключении сформулнрозаппы основные положения, выпосимые па защиту.

1. Предложена единая картина распределения дырок (эффективных зарядов и диполышх моментов) п соединениях УВа2Си307 и УВа^Си^О^ в рамках котором впервые удовлетворительным образом удалось объяснить наблюдаемые значения градиентов электрических полей на ядрах мели, бария и кислорода но всех позициях элементарной ячейки.

2. Рассчитаны значения параметров кристаллического электрического поля на ионах Тл13+ в соединениях TmBa2Cti30(, и ТтВа2Си307 с учетов вклада от индуцированных дипольных моментов ионов кристаллической решетки. Рассчитанные параметры кристаллического электрического поля хорошо описывают имеющиеся экспериментальные данные ЯМР и неупругого рассеяния нейтронов па нонах Тт в указанных соединениях.

3. Объяснены зависимости частот ЯКР от температуры для Си(I), Сн(2) и Ва в соединении УВагСи^О^. Показано, что температурная зависимость ге(Сц(1)) чрезвычайно чувствительна к перераспределению дырок между цепями и плоскостями и к волнам зарядовых плотностей. Наблюдаемое отличие в поведении температурных зависимостей ир(Сн(1)) и vq(Cu(2)) по порядку величин интерпретируется как следствие различия плоскостных и цепочечных зон проводимости в У-Ва-Си-О. Зона проводимости в плоскостях СиО > является зоной синглетно-коррелироваиного движения дырок кислорода, в то время как зона проводимости цепей соответствует нижней хаббардовской зоне меди.

Литература:

[1] Г.Л.Богомолова, Л .А.Бумагина, А.А.Каминский, Б.З.Малкин «Кристаллическое поле в лазерных гранатах с 77?-и ионами в модели обменных зарядов», ФТТ, т.19, N8, се.1439-1452, 1977.

[2] O.N.Bakharev, A.V.Dooglav, A.V.Egorov, H.Lutgcmeicr, M.P.Rodionova, M.A.Tcplov, A.G.Volodin, D.Wagener «NMR studies of singlet-ground-state rare-earth ions in high-Tc superconductors», Appl.Magn.Reson., v.3, pp.613-640, 1992.

[3] P.AUenspach, U.Staub, J.Mesot, F.Faut, M.Guillaume, A.Furrer, H.Mutka. -Labor. Fur Neutronenstreuung. ETH Zurich. Progress Reports (Januar-Dezember 1990). LNS 154, pp.22-25.

[4] M.V.Eremin, R.Markcndorf and S.V.Varlamov «The energy dispersion of the singlet correlated impurity band in layered cuprates», Solid State Comimm., v.43. N1, pp.15-18, 1993.

[5] M.B.Еремин, С.Г.Соловьянов, С.В.Варламов, Д.Бринкманн, М.Мали, Р.Маркендорф, Дж.Росс «О спектре элементарных возбуждении н межплоскостном туннелнровании в слоистых купратах», Письма в ЖЭТФ, т.60, N2. сс.118-122, 1994.

|6] M.V.Eremin, S.G .Solovjanov and S.V.Varlamov «Some novel features of the band in HTSC», J.Phys.Chem.Solids, v.56, N12, pp.1713-1715, 1995. [7| K.Gofron, J.C.Campuzano, H.Ding, C.Gu, R.Liu, B.D.Dabrowski, B.W.Veai. W.Cramer and G.Jennings «Occurence of van Hove singularities in УВа2Си4Оц and yBa2Cii3069», Phys.Chem.Solids, v.54, N10, pp. 1 193-1198, 1993. [8] M.V.Eremin, R.Markendorf, S.G .Solovjanov «The energy dispersion of the chain band in )'Дл2Сц306+>. and its effect on the Ci/(2) NQR frequency», Z.Naturforsch, v.49a, pp.379-384, 1994.

[9J N.Nticker, E.Pellegrin, P.Scliweiss, J.Fink, S.L.Molotsov. C.T.Simmons, G.Kaindl. F.Frentrnp, C.Thomscn, A.Erb and G.Muller-Vogt «Site specific and doping dependent electronic structure of YBa2Cu}Ox probed 01 s and Culp J-ray absorption spectroscopy», Phys.Rev.B., V.5I, N13, pp.8529-8542, 1995. [10] В. В.Немошкаленко, В.Х.Кассияненко, Л.И.Николаев, П.В.Гель. С.К.Топыго, А.Е.Морозовский «Валентность ионов меди бария и празеодима ¡3 цысокотемпературных сверхпроводящих соединениях системы У\. хРгхВа2Си)07.^, СФХТ, т.З, N6, ее. 1051-1057, 1990.

[И] Е.Clementi and C.Roetti «Roothaan-Hatree-Fock atomic wavcfunctions. Basis-functions and their coefficients for ground and certain excited states of

neutral and ionized atoms, ¿<54» Atomic Data and Nuclear Data Tables, v. 14, pp. 177-478, 1974; A.D.McLean and R.S.McLean «Roothaan-Hatree-Fock atomic wave functions Slater basis-set expansions for z—55-92», Atomic Data and Nuclear Data Tables, v.26, pp.197-381, 1981.

[12] M.Takigawa, P.C.Hammel, R.H.Heffner, Z.Fisk, R.C.Ottand and I.D.Thompson «170 NMR study of local spin susceptibility in aligned YBa2Cu^01 powder», Phys.Rev.Lett., v.63, N17, pp.1865-1868, 1989.

[13] C.H.Pennington, D.J.Durand, D.B.Zax, C.P.Slichter, J.R.Rice and

D.M.Ginsberg «C« nuclear magnetic resonance of alidned crystals of YBojCu^Ot^»., Phys.Rev.B, v.37, N13, pp.7944-7947, 1988.

[14] A.Yakubowskii, A.V.Egorov, H.Lutgemeier «Ba nuclear resonance in YBa2Cu,Oy», J. of Appl.Magn.Reson., v.3, N3-4, pp.665-676, 1992.

[15] H.Zimmermann, M.Mali, D.Brinkmann, J.Karpinski, E.Kaldis, S.Rusiecki «Copper NQR and NMR in superconductor FßajCt^Os+x», Phys C, v.159, pp.681-688, 1989.

[16] A.Lombardi, M.Mali, J.Roos, D.Brinkmann «Hyperfine fields at the Ba site in YSa2Cu4Og: a NMR and NQR study», Pliysica C, v.267, pp.261-269, 1996.

[17] I.Mangelschots, M.Mali, J.Roos and D.Brinkmann, S.Rusiecki, J.Karpinski and

E.Kaldis «170 NMR study in aligned YBa2Cu4Os powder», Physica C, v.194, pp.277-2S6, 1992.

[18] P.A.Lee, T.M.Rice and P.W.Anderson «Fluctuation effects at a Peierls transition», Phys.Rev.Lett, v.31, pp.462-465, 1973.

Публикации по теме диссертации:

[1] О.Н.Бахарев, А.Г.Володин, А.В.Дуглав, А.В.Егоров, М.В.Еремин, АЛО.Завидонов, О.В.Лавизина, М.С.Тагиров, М.А.Теплов «ЯМР меди и празеодима в двухфазном соединении Pri,S5Ce0.¡5Си04.у», ЖЭТФ, т. 101, N2, сс.693-711, 1992.

[2] T.Ishigaki and K.Mori, O.N.Bakharev, A.V.Dooglav, E.V.Krjukov, O.V.Lavizina, O.B.Marvin, I.R.Mukhametshin and M.A.Teplov «Crystal electric field at Tm3+ sites in ТтВа2СщОъ», Solid State Commun., v.96, pp.465-469, 1995.

[3] О В.Лавизина «Расчет дипольных моментов и параметров кристаллического поля в ТтВа2Си206», ФТТ, т.37, N8, сс.2247-2251, 1995.

[4] М.В.Еремин и О.ВЛавизина «Единая картина распределения градиентов электрических полей на узлах Си, О и Тт в ReBajCuiO-].^, ЖЭТФ, т.111, N1, сс. 144-157, 1997.

[5] M.V.Eremin and O.V.Lavizina «Temperature dependence of electric field gradients at Ba and all Си and О sites in YBa2Cu408», XlVth Int.Symp. on Nuclear Quadrupole Interactions, Abstracts, pp.107-108, Pisa, July 20-25, 1997.

Отпечатано на ризографе. Заказ 27/4. Тираж 100. ООП ТРО ВОИ. Тел 31-55-02.