Эффект де Гааза-ван Альфена в высокотемпературном сверхпроводнике YBa2 Cu3 O7 в сверхвысоких импульсных магнитных полях выше Hc2 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Иваненко, Ольга Михайловна АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1997 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Эффект де Гааза-ван Альфена в высокотемпературном сверхпроводнике YBa2 Cu3 O7 в сверхвысоких импульсных магнитных полях выше Hc2»
 
Автореферат диссертации на тему "Эффект де Гааза-ван Альфена в высокотемпературном сверхпроводнике YBa2 Cu3 O7 в сверхвысоких импульсных магнитных полях выше Hc2"



ч:

л>

ФИЗИЧЕСКРШ ИНСТИТУТ ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

На правах рукописи УДК 537.312.62

ИВАНЕНКО Ольга Михайловна

ЭФФЕКТ ДБ ГААЗА-ВАН АЛЬФЕНА В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ СВЕРХПРОВОДНИКЕ УВа2Си307 В СВЕРХВЫСОКИХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ВЫШЕ Нс2.

01.04.07. - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКВА 1997

Работа выполнена в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН

Научные руководители:

кандидат физико-математических наук

кандидат физико-математических наук

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук профессор

доктор физико-математических наук

А.И. Головашкин К.В. Мицен

Максимов Евгений Григорьевич (ФИАН)

Михайлова Галина Николаевна (ИОФАН)

Ведущая организация:

Физический факультет Московского Государственного Университета

Защита состоится 24 ноября 1997 г. в 9-00 часоз на заседании Специализированного совета № 2 Физического института им. П.Н. Лебедева РАН по адресу: 117924, г. Москва, Ленинский пр., 53, главный корпус, .конференц-зал

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФИАН.

Автореферат разослан \ октября 1997 г.

Ученый секретарь Специализированного совета № 2 Физического института им. П.Н. Лебедева РАН

кандидат физико-математических наук В.А.Чуенков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. С момента открытия высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) в 1987 го/(у до настоящего времени накоплен большой экспериментальный материал, касающийся всех основных физических свойств этих соединений. Основным результатом этих исследований является тот факт, что помимо аномально высоких Тс эти вещества обладают также и рядом необычных свойств в нормальном состоянии, резко отличающих их не только от обычных сверхпроводников, но и от нормальных металлов. Такие отличия дают основания для различных предположений о необычной электронной структуре и особой природе основного состояния в ВТСП соединениях, а также о нетрадиционном (отличном от БКШ) механизме спаривания.

Для решения этих вопросов большое значение имеют исследования свойств ВТСП в магнитных полях. Такие эксперименты, в принципе, могли бы дать ценную дополнительную информацию, касающуюся как механизма сверхпроводимости в этих соединениях (из измерений температурной зависимости верхнего критического магнитного поля), так и особенностей их электронного спектра (из измерений осцилляционных эффектов в квантующих магнитных полях). Однако, первые же эксперименты показали, что ВТСП, по-видимому, обладают чрезвычайно высокими критическими магнитными полями (выше 100 Тл при низких температурах). Предварительная оценка величин квантующих магнитных полей, обеспечивающих экспериментальное наблюдение осцилляционных эффектов, также дает поля более 100 Тл., т.е. значительно превышающие

те значения, которые достигаются в настоящее время в обычной лабораторной практике.

В то же время еще в 50-х годах в Институте экспериментальной физики (г. Арзамас-16) был предложен и разработан уникальный метод генерации магнитных полей до 1000 Тл. Такие поля получались в генераторе МК-1 путем сжатия магнитного потока цилиндрической детонационной волной. Начиная с 1989г., в связи с проводимой конверсией оборонных отраслей, появилась возможность использования этой методики в чисто научных целях и, в частности, для исследований по

втсп.

Целью настоящей диссертации являлось разработка методик и проведение низкотемпературных измерений верхнего критического магнитного поля Нс2 и эффекта де Гааза-ван Альфена (дГвА) в высокотемпературном сверхпроводнике YBa2Cu307 в сверхвысоких импульсных магнитных полях до 300 Тл. Для достижения этих целей были поставлены следующие задачи:

- разработать методики низкотемпературных измерений верхнего критического магнитного поля Н^ в керамических и пленочных образцах ВТСП в импульсных магнитных полях до 300 Тл на установке МК-1;

- изготовить образцы, пригодные для проведения указанных исследований;

- провести эксперименты по измерению Н^ в ¥Ва2Сиз07 при низких температурах;

- провести анализ возможности наблюдения эффекта дГвА в ВТСП YBa2Cu307;

- разработать методику измерения эффекта дГвА в ВТСП УВа2Сиз07 в импульсных магнитных полях до 300 Тл на установке МК-1;

- провести измерения осцилляции намагниченности в УВа2Сиз07 в импульсных магнитных полях до 300 Тл;

- выполнить обработку результатов измерений и определить параметры поверхности Ферми ВТСП УВа2Си307.

Научная новизна и практическая ценность работы определяются, прежде всего уникальным характером проведенных экспериментов и полученными результатами:

- впервые разработаны методики проведения экспериментов по исследованию свойств ВТСП в сверхвысоких магнитных полях до 300 Тл;

- впервые определена величина верхнего критического поля Н^ в ВТСП УВа2Сиз07 при низких температурах (4,2 К);

- впервые удалось наблюдать дГвА осцилляции, соответствующие главному экстремальному сечению • поверхности Ферми ВТСП УВа2Си307 и определить его параметры;

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы полностью отражены в 9 работах, опубликованных в центральных отечественных и зарубежных журналах, доложены на международных и общероссийских конференциях, на сессии ООФА РАН и на семинарах Отделения физики твердого тела и лаборатории сверхпроводимости ФИАН.

Основные результаты, выносимые на защиту.

- разработаны методики проведения низкотемпературных экспериментов по измерению верхних критических магнитных полей и

дГвА-осцилляций в ВТСП в сверхвысоких импульсных магнитных полях до 300 Тл, получаемых в генераторе МК-1;

- получена оценка верхнего критического поля при низких температурах Н1с2(0) в ВТСП YBa2Cu307;

- определены частоты дГвА-осцилляций в ВТСП УВа2Сиз07 и нараметры соответствующих экстремальных сечений поверхности Ферми;

Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, выводов и списка литературы. Работа изложена на 115 страницах, содержит 40 рисунков. Список литературы включает 98 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обосновывается выбор темы диссертационной работы, показана ее актуальность, сформулированы цели работы и приведены основные результаты исследований.. Отмечены новизна и практическая значимость полученных результатов.

В первой главе дан обзор литературы, посвященной, в основном, экспериментальным и теоретическим исследованиям электронного спектра и Ферми поверхности ВТСП. Особое внимание уделено исследованиям в высоких магнитных полях и важности результатов этих исследований для понимания природы основного состояния и механизма сверхпроводимости в ВТСП.

Отмечено, в частности, что результаты измерений верхних критических магнитных полей Нс2 в ВТСП у различных авторов даже на

лучших монокристаллических образцах плохо коррелируют между собой. Существенно отличаются и температурные зависимости критических полей, полученные для разных образцов или различными методами. Это связано с принципиальными трудностями определения Н.-2 в ВТСП, и особенно при низких (гелиевых) температурах, где требуются очень высокие магнитные поля, превышающие 100 Тл, и где обычно значения Нс2 определяют путем экстраполяции температурной зависимости Н^ из высокотемпературной области. Поэтому, для решения вопроса о механизме сверхпроводимости в ВТСП, большое значение представляют прямые измерения Н^Т) при низких температурах.

С другой стороны, вопрос о природе основного состояния ВТСП, определяющего его аномальные свойства, тесно связан с выяснением электронной структуры этих соединений. Как известно, зонные расчеты для недопированных ВТСП-соединений (La2Cu04, YBa2Cu306, ВаВЮ3 и др.) предсказывают металлическое состояние с уровнем Ферми в наполовину заполненной зоне, что не согласуется с экспериментом. Принято считать, что неспособность зонной теории правильно предсказать свойства этих соединений связана с пренебрежением энергией электронных корреляций при расчете в рамках модели с функционалом локальной плотности и простого формализма сильной связи. С другой стороны, в случае сильного допирования нет оснований сомневаться в справедливости зонной теории. Вопрос о применимости этой теории к промежуточному случаю (недодопированных и оптимально допированных ВТСП) может быть решен лишь экспериментально путем сравнения рассчитанных параметров зонной структуры и поверхности Ферми с опытными данными. Наиболее прямым и информативным методом

изучения электронной структуры и определения параметров поверхности Ферми в твердых телах является метод, основанный на измерении осцилляции намагниченности при изменении магнитного поля (т.н. эффект де Гааза-ван Альфена).

Первые измерения эффекта де Гааза-ван Альфена в ВТСП были выполнены на соединении УВг2Сиз07 в работах групп из LANL (США) и Tohoku University (Япония). Сравнение наблюдаемых частот осцилляций (т.е. частотных максимумов в Фурье-спектре сигнала намагниченности) с результатами расчетов зонной структуры в приближении функционала локальной плотности позволило связать их с тремя различными экстремальными сечениями поверхности Ферми. В то же время, в этих экспериментах не наблюдались осцилляции с частотами, связанными с главным экстремальным сечением и соответствующим движению электронов в Си02 плоскостях. Для наблюдения соответствующих частот необходимы поля, превышающие 100 Тл.

Во второй главе изложена методика получения сверхвысоких импульсных магнитных полей мегагауссного диапазона с помощью метода магнитной кумуляции на установке МК-1. Даются технические характеристики установки, излагаются методики измерения импульсных магнитных полей. Приводятся конструкции разработанных криогенных вставок, позволяющих проводить низкотемпературные исследования твердых тел в генераторе МК-1.

Третья глава посвящена экспериментальным исследованиям разрушения сверхпроводимости ВТСП в импульсных магнитных полях.

К моменту начала выполнения данной работы значения Нс2(Т) в ВТСП были измерены только вблизи критической температуры, что

связано с невозможностью достижения магнитных полей свыше 70 Тл в обычной лабораторной практике. Экстраполяция с использованием теоретической зависимости Нс2(Т) из области температур вблизи Тс в низкотемпературную область дает слишком большой разброс значений Нс2(0) от 100 до 600 Тл (для направления поля Н1с). Кроме того, наблюдаемая для "низкотемпературных" ВТСП "расходимость" Нс2(Т) при Т->0 ставит под сомнение возможность использования какой-либо теоретической формулы для экстраполяции Нс2(Т) в низкотемпературную область. Указанные обстоятельства делали крайне актуальными непосредственные измерения Н^ в ВТСП при низких температурах.

В работе предложены и использованы различные бесконтактные методики определения верхних критических магнитных нолей ВТСП при измерениях в сверхсильных импульсных полях: из измерений намагниченности, из анализа полевых зависимостей ВЧ- (или СВЧ-) пропускания. Рассмотрены теоретические основания используемых методик регистрации критических магнитных полей.

Первый метод измерений Нс2 (по намагниченности) основан на сделанном нами ранее в работе [1] наблюдении характерных Б-образных особенностей на кривых (1М/<Й при замедлениях роста поля, возникающих при срабатывании очередного каскада в генераторе МК-1. Причем эти особенности наблюдались лишь когда образец находился в сверхпроводящем состоянии (т.е. ниже Ид). В нормальном состоянии такие особенности не наблюдались (рис. 1, 2). Изменяя диаметры каскадов можно получить указанную особенность в различные моменты времени (а, следовательно, и при различных значениях магнитного поля). Для более точного определения критического магнитного поля следует подбирать

диаметры каскадов таким образом, чтобы один из них срабатывал до перехода образца в нормальное состояние, а второй - после.

Рис. 1. Производная напряженности магнитного поля в генераторе МК-1 с тремя каскадами. Метки времени - 2 шсс. Каскады «включаются» на 12-й, 17-йи 19-ймксек.

Рис. 2. Производная намагниченности аМЛИ образца УВа2Си307, Т=4,2 К. Метки времени - 2 мкс. Особенности 8-типа на с1МУ(к возникают лишь в моменты «включения» первых двух каскадов, т.е. в полях В<160 Тл.

Поскольку образцы являются поликристаллическими, то исчезновение особенностей, связанное с резким уменьшением объема сверхпроводящей фазы, будет происходить в полях выше минимального критического значения, т.е. при ЬМТ1^. Определенное таким методом значение НХС2 для поликристаллического образца УВа2Сиз07 составило Н1С2(4,2К)=160+30 Тл иН\2(77К)=50±10 Тл.

Более непосредственными и точными методами определения являются методы, основанные на измерении зависимости проводимости образца (на какой либо частоте 1) от приложенного внешнего магнитного поля - 0((Н). Зависимость <7((Н) вблизи Щ может быть описана формулой: (а1/оп)-1=1-С(1-ВД2)а (1)

где С и а - постоянные коэффициенты (а~1) , а а„ - проводимость в нормальном состоянии. Следовательно, зная проводимость образца в нормальном состоянии, можно по кривой С{(Н) определить Н^.

Для достижения максимальной чувствительности измерения проводились либо в ВЧ, либо в СВЧ-диапазоне в зависимости от толщины образца. Для тонких (0,3-0,4 мм) поликристаллических образцов измерения проводились на частоте 20 МГц. Измерительный узел состоял из двух индукционных катушек. Одна из катушек подключена к ВЧ-генератору и индуцирует в образце вихревые токи. Если толщина образца меньше или сравнима с глубиной скин-слоя, то вихревые токи проникают через образец и создают в приемной катушке сигнал отклика. Величина этого сигнала зависит от поглощения голучеши образцом и определяется его проводимостью на данной частоте.

На рис. 3 приведен сигнал пропускания (на частоте 20 МГц), в зависимости от приложенного магнитного поля для поликристаллического эбразца УВа2Сиз07. Критическое значение магнитного поля Н"\а(4,2К), эпределешюе по выходу сигнала на плато, составляет 165125 Тл (с учетом эшибки определения абсолютного значения поля).

Поскольку ВТСП являются сильно анизотропными веществами, Зольшой интерес представляло проведение измерений Нй при низких температурах на монокристаллических пленках в направлениях

Рис. 3. Зависимость сигнала ВЧ-отклика от величины магнитного поля.

150 160 170 180 190 В,Тл

рассмотренный выше метод определения Нс2 в ВТСП по ВЧ пропусканию не удается использовать при измерениях на ВТСП пленках. Поскольку толщина пленки много меньше глубины скин-слоя на ВЧ-частотах, то переход в нормальное состояние не приводит к заметному изменению пропускания пленки. Для того, чтобы сделать эти изменения заметными следует переходить к более высоким частотам - т.е. к СВЧ диапазон}'.

В настоящей работе была разработана методика, в которой значение Нс2 определялось по изменению под действием магнитного поля коэффициента прохождения электромагнитного излучения с длиной волны Х=8 мм через образец. В эксперименте исследуемый образец помещался между двумя диэлектрическими волноводами (ДВ). коэффициент связи между которыми зависел, таким образом, от проводимости образца. Измеряя амплитуду СВЧ-волны во втором ДВ можно определять изменение проводимости исследуемого образца.

Экспериментальная осциллограмма сигнала СВЧ-пропускания УВСО пленки, полученная при измерении в МК-1, показана на рис. 4. Поле направлено перпендикулярно, оси «с». За точку достижения Нс2(Т) принимался момент выхода сигнала на плато.

& Нс2 ихкунцношшй

(поликрип адд) О ВЧ

(поликристалл) ■ На СВЧ

(плснхн)

| 200

о 100 8

• На ^

Рис. 4. Сигнал СВЧ пропускания УВа2Сиз07 пленки при Т=4,2 К.

Рис. 5. Температурные зависимости верхнего критического магшгшого поля Цг в УВа2Си307 полученные различными методами и па разных образцах.

зоо

о

Определенное таким образом значение критического поля для пленок УВСО на подложке 8гТЮ3 (ТС=89К) с ориентацией ось «с»1Н составило 110 ± 15 Тл. Это ниже тех значений Н^, которые были получены в данной работе на поликристаллических образцах и связывается нами с особенностями структуры и качеством пленок. Это подтверждается результатами, полученными с использованием данной методики в работе [А.И.Быков, Л.Р.Виссер, Дж.Д.Готти и др. СФХТ, ¡995, т.8, №1, с.37-46], где на высококачественных эпитаксиальных пленках УВСО достигнуты значения н'1л(0)=350 Тл.

На рис. 5 собраны результаты измерений ГГс2 при различных температурах, полученные в настоящей работе на поликристаллических и пленочных образцах, а также результаты работы [А.И.Быков, Л.Р.Виссер, Дж.Д.Готти и др. СФХТ, 1995, т.8, №1, с.37-46]. Значение Н^Ж), полученные в настоящей работе при измерениях в генераторе МК-1, удовлетворительно согласуется с имеющимися литературными данными. Из рисунка видно, что полученные результаты не дают оснований для предположения об аномальной кривизне зависимости Нс2(Т) в соединении УВСО.

Четвертая глава посвящена исследованиям эффекта де Гааза-в ап Альфена в ВТСП УВа2Си307. Описаны методики исследования дГвА-оеццлляций в импульсных магнитных полях и технология приготовления образцов.

В данной работе образцы для исследований изготавливались по следующей технологии: монокристаллы УВа2Си307_х размером 0,3-1 мм выращивались из раствор-расплава исходных оксидов в избытке СиО.

Затем полученные монокристаллы размалывались до достижения размеров ~10 мкм и отжигались в атмосфере 02. Измерения на СКВИД-магнитометре показали, что данные монокристаллы обладали резким переходом в диамагнитное состояние при 92,5 К.

Далее полученные микрокристаллы УВа2Си307 погружались в жидкую эпоксидную смолу и затем эта смесь медленно полимеризовалась в течение 8-12 часов в постоянном магнитном поле 8 Тл. В результате получались компаундные образцы УВа2Си307 (01 №.1, дяшюй 4,5 мм) с ориентацией осей «с» монокристаллитов вдоль поля с точностью ~2° (по данным рентгеновских измерений). Относительный объем УВа2Си307 составлял 17%, что ниже порога перколяции, который составляет 31 %. Таким образом, магнитное поле могло легко проникать между гранулами.

Зонды для измерения осцилляции дГвА представляли собой две встречно намотанные виток к витку однослойные катушки диаметром 1 мм по 30 витков каждая. Одна катушка наматывалась непосредственно на исследуемом образце, вторая -(пустая) на стеклянный цилиндр. Балансировка катушек осуществлялась с точностью лучше, чем 10"3 с помощью ЬСЯ-метра на частоте 4 МГц. Качество балансировки зондов контролировалось также в длинном однослойном соленоиде (длина 200 мм и диаметр 12 мм) на частоте 100 кГц. Зонд считался пригодным к использованию если ЭДС раскомпенсации зонда была много меньше ЭДС одновиткового зонда диаметром 1 мм. Иначе говоря, допускалась раскомпенсация не более 0,1 витка.

Проведен анализ условий, выполнение которых необходимо для обеспечения возможности экспериментального наблюдения эффекта. Выполнены оценки нагрева образца импульсным полем в генераторе МК-1

и неоднородности поля, возникающей в образце при заданной скорости нарастания поля. Показано, что для характерной скорости нарастания магнитного поля в генераторе МК-1 dB/dt~108 Тл/с при В=200 Тл ослабление (неоднородность) поля составляет ДВ«1,6-10"3 Тл (~10"3 %). Нагрев образца происходит равномерно и составляет 8 К (при В=200 Тл).

Особое внимание уделено возможности наблюдения эффекта дГвА в ВТСП в сверхпроводящем состоянии. Показано, что в ВТСП УВагСи307, где величина сверхпроводящей щели 2До>500 К, модуляция щели магнитным полем в вихревом состоянии 5Д может достигать нескольких десятков градусов, что делает невозможным наблюдение дГвА-осцилляций. Поэтому, как впервые было отмечено в нашей работе [5,6], для недвусмысленной интерпретации осцилляций намагниченности, наблюдаемых в ВТСП, необходимо проводить измерения в нормальном состоянии, т.е. в полях Н>НЙ. Выполнены оценки амплитуд сигналов дГвА-эффекта для различных сечений поверхности Ферми (ПФ) YBaiCujOv в конкретных условиях эксперимента.

Приведены результаты измерений дГвА осцилляций в ВТСП YBa2Cu307. На рис. 6 приведены сигналы раскомпенсации (намагниченности) с зондов образец-пусто (а) и пусто-пусто (б) в интервале полей 140-230 Тл. Выполнена математическая обработка результатов измерений и получен спектр частот осцилляций намагниченности в зависимости от обратного поля для обеих пар зондов (рис.7). Проведено отождествление спектральных гиков с частотами дГвА-осцилляций, соответствующих определенным экстремальным сечениям ПФ YBa2Cu307.

-о.а

140 160 180 200 220 Мажитное поле, Тп

а)

б)

Рис. 6. Сигналы раскомпенсадии с зондов образец-пусто (а) и пусто-пусто (б) в интервале полей 140-230 Тл.

Частоте, *Тл

Рис. 7. Спекгр сигнала дГвА (сплошная линия) и шумового сигнала (заштриховано) в интервале полей 140-230 Тл).

В спектре сигнала можно выделить 4 пика, при 3,8, 10, 13 и 20 кТл, соответствующих периодическим осцилляциям намагниченности в зависимости от обратного поля 1/В. Заштрихованный спектр с выраженным максимумом при »6 кТл представляет собой спектр сигнала от пары стекло-стекло и связан с собственными шумами генератора. Поэтому пик при 6 кТл в спектре сигнала дГвА мы связываем с шумом.

Резкие пики па частотах 3,8 и 10 кТл отождествлены нами с дГвА осцилляциями намагниченности. Пик при 3,8 к'Гл соответствует расчетной частоте 3,7 кТл и экспериментально наблюдался в [F.M. Mueller, С.М, Fowler, B.L. Freeman, et al., Physica В 172 (1991) 253-262]. Эта частота соответствует сечению куска поверхности Ферми (р[и~3,5-1(У20 г-см/сек), связанного с движением электронов в 1 D-цепочках. Появление частотного максимума при 10 кТл также следует из теоретических расчетов. 3ia частота соответствует главному экстремальном}" сечению дырочного цилиндра (Pfl~S ,7-1020 г-см/сек) и ранее экспериментально не наблюдалась. Амплитуды пиков при 13 и 20 кТл лишь едва превышают вровень шума и для того, чтобы сделать однозначный вывод об их трироде необходимы дополнительные исследования. Мы полагаем, что данные пики соответствуют второй гармонике шумового сигнала (6 кТл) и ¡торой гармонике сигнала дГвА при 10 кТл.

Таким образом, как следует из полученных в данной работе ¡сзультатов. измеренные значения характерных частот осцилляции в ffiajCuiCb удовлетворительно согласуются с результатами расчетов ошюй структуры и поверхности Ферми этого соединения [В.Н. Антонов, U. Н. Антонов, В.Г. Баръяхтар и др.. ЖЭТФ 95 (1989) 732; W.E.Pickett, R.E.Cohen, and I.Krakauer. Phys. Rev. B42 (1990) 8764].

Краткие выводы:

- разработана методика низкотемпературных измерений верхнего критического магнитного поля Н^ в поликристаллических и пленочных образцах ВТСП YBa2Cu307 в сверхсилышх импульсных магнитных полях на установке МК-1;

- впервые определено значение верхнего критического магнитного поля H'V.iO) в ВТСП УВа;Сдь07.. Установлено, что температурная зависимость Н^ качественно согласуется с зависимостъю Нс2(Т) для обычных сверхпроводников;

- проведен анализ возможности наблюдения эффекта дГвА в ВТСП УВа2Сиз07 и разработана методика измерения дГвА-осцилляций в ВТСП YBa2Cuj07 в импульсных магнитных полях до 300 Тл.

- определены частоты дТвА-осцилляций в ВТСП УВа2Си307 и определены параметры соответствующих экстремальных сечений поверхности Ферми. Впервые удалось наблюдать дГвА осцилляции, соответствующие главному экстремальному сечению поверхности Ферми ВТСП УВа2Си307;

- найдено, что измеренные частоты осцилляции и параметры поверхности Ферми удовлетворительно согласуются с результатами расчета зонной структуры УВа2Си307, полученными в приближении функционала локальной плотности.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих

работах:

1. А.И. Павловский, А.И.Головашкин, Ю.Н. Дерюгин, О.М.Иваненко, Н.П. Колокольчиков, К.В. Мицен, В.В. Платонов, О.М. Таценко. Разрушение сверхпроводимости в УВа2Си307 сверхсильным магнитным полем. СФХТ, 2 (1989) 70-72.

2. A.I. Pavlovskiy A.I. Golovashkin, Yu.N. Deryugin, О.М. Ivanenko, N.P. Kolokolchikov, K.V. Mitsen, V.V. Platonov, O.M. Tatsenko. Destruction of superconductivity in YBa2Cu307 ceramics by ultrahigh magnetic field.

Proceedings of International Conference on Superconductivity (Bangalore, India, 10-14 Jan. 1990), p.302.

3. A.I. Golovashkin, O.M. Ivanenko, Yu.B. Kudasov, K,V. Mitsen, A.I.

DrMrlrYvl'ii V PlstnriiW OM Tqiconl-r. Tlia «on---------i^fTT

t tiv iv v ■ .1.',\ , ;.V;. 1 1 iiv U11^^ L 111Cti -1ii ^Ji:^I [l I ?i i HI

YBa2Cu307 using megagauss magnetic fields. Physica C 185-189 (1991) 1859-1860.

4. A.I. Golovashkin, O.M. Ivanenko, Yu.B. Kudasov, K.V. Mitsen, A.I. Pavlovskiy V.V. Platonov, O.M. Tatsenko. Low temperature measurement of Hc2 in HTSC using megagauss magnetic fields. Physica B 177 (1992) 105108.

5. A.I. Golovashkin, O.M. Ivanenko, K.V. Mitsen, A.I. Bykov, M.I. Dolotenko, N.P. Kolokolchikov, Yu.B. Kudasov, V.V\ Platonov, O.M. Tatsenko. Measurement of magnetization oscillations in YBCO in pulsed magnetic fields. VII Trilateral German-Russian-Ukrainian Seminar on High Temperature Superconductivity, Munich, Germany (Sept. 12-15, 1994), abstracts, p.27.

5. A.I. Bykov, AJ. Golovashkin, M.I. Dolotenko, O.M. Ivanenko, N.P. Kolokolchikov, Yu.B. Kudasov, K.V. Mitsen, V.V. Platonov, O.M. Tatsenko. Measurements of the de Haas-van Alphen effect in YBCO. International Workshop on Advances in High Magnetic Fields -AHMP'95, Tsukuba, Japan (Feb. 20-22, 1995), abstracts, p.128.

A.HronoBaiiiKHH, O.M.HBaneHKO, K.B.MimeH, A.H.Smkob, M.Il/JojiOTCirKo, KXB.KyaacoB, H.n.KojiOKOJiMiiKOB, B.B.IIJiaTOHOB, O.M.TaitenKo. Mccjie/ioBai-me ocuimjihiihh ,ae raa3a-BaH AjiB^eHa b BTCn YBa2Cu307. KCO 1/2 (1995) 27-32.

8. А.ИГоловашкин, О.М.Иваненко, К.В.Мицен, А.И.Быков, М.И.Долотенко, ГО.Б.Кудасов, Н.П.Колокояьчиков, В.В.Платонов. О.М.Таценко. Наблюдение осцилляций де Гааза-ван Альфена в YBa2Cu307 в мегагауссных магнитных полях. Письма в ЖЭТФ 61 (1995) 101-104.

9. A.I. Bykov, A.I. Golovashkin, M.I. Dolotenko, O.M. Ivanenko, N.P. Kolokolehikov, Yu.B. Kudasov, K.V. Mitsen, V.V. Platonov, O.M. Tatsenko. Measurement of the de Haas-van Alphen oscillations in YBCO using pulsed ultra-high fields. Physica В 211 (1995) 241-243.

Лолдкоено s печать 30 сентября I3S7 года

сака g .v 226. Тираж 60 окз.П.л.1,2._

OvrroHSt-'SHO Б КйО ШАН

,13-353 .Ленинский проспект,53.