Магнитные свойства полупроводниковых наноструктур, сильнолегированных бором тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ
Брилинская, Елена Станиславовна
АВТОР
|
||||
кандидата физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
Санкт-Петербург
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
2011
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.07
КОД ВАК РФ
|
||
|
ООЬОиоэ«-
БРИЛИНСКАЯ ЕЛЕНА СТАНИСЛАВОВНА
МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР, СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ
01.04.07 - физика конденсированного состояния
Автореферат
диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
,1 2ЯНВ2012
Санкт-Петербург - 2011
005006913
Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственны« политехнический университет».
Научны/! руководитель: Доктор физико-математических наук Баграс» Николай Таймураювич
Официальные оппоненты;
Доктор физико-математических наук, профессор Агекяи Вадим Фадссвич
Доктор физико-математических наук Шагинян Василий Робертович
Ведущая организация: Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПб!"Э ТУ)
Зашита состоится «15» февраля 2012 г. в 16 ч. 00 мин. на заседании диссертационного совета- Д212.229,29 при ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет» по адресу 195251, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 29. И уч. корн., ауд.265.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургски й государственный политехнический университет».
Автореферат разослан «29 » декабря 2011 г.
Ученый секретарь дисеер пшио н но го со ва та к.ф.-м.н.
Ермакова 11.10.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы
Возможности квантования энергии носителей тока в поперечном магнитном поле были строго обоснованы Л.Д. Ландау [1], который показал, что в этом случае непрерывный энергетический спектр свободных электронов трансформируется в систему подзон, Еу = Рю>с (у+1/2), где сос = еВ/т* , т* - эффективная масса, у - номер уровня Ландау. Эти условия квантования практически немедленно получили экспериментальное подтверждение вследствие обнаружения двух фундаментальных эффектов при исследовании поведения продольного сопротивления (эффект Шубникова - де Гааза (ШдГ) [2]) и магнитной восприимчивости (эффект де Гааза - ван Альфена (дГвА) [3]) висмута в поперечном магнитном поле.
В обоих случаях были зарегистрированы осцилляции транспортных характеристик в зависимости от величины внешнего магнитного поля, период которых соответствовал энергетическому зазору между уровнями Ландау, Тш>с. Причем максимумы осцилляций сопротивления и магнитной восприимчивости наблюдались каждый раз, когда при изменении магнитного поля совпадали значения энергии очередного уровня Ландау и уровня Ферми, ЕР, позиция которого соответствует максимальной энергии свободных носителей тока в образце. Соответственно, минимумы осцилляций сопротивления и магнитной восприимчивости регистрировались в условиях, когда уровень Ферми фиксировался между двумя соседними уровнями Ландау.
В дальнейшем, эффекты Шубникова - де Гааза и де Гааза - ван Альфена развились в классические методы в физике конденсированного состояния. Особенно интерес к исследованиям осцилляций Шубникова - де Гааза возрос после развития технологий получения низкоразмерных полупроводниковых структур с высокой подвижностью носителей тока [4]. В этом случае энергетические позиции уровней размерного квантования определяют спектр уровней Ландау, который отражается в квантовании характеристик продольного транспорта двумерных носителей тока. Следует отметить, что осцилляции Шубникова - де Гааза являются важной составляющей исследования квантового эффекта Холла, поскольку позиции их максимумов сверхточно согласуются с серединами ступенек квантовой лестницы холловского сопротивления [5]. В свою очередь, эффект де Гааза - ван Альфена стал мощным инструментом исследований поверхности Ферми, поскольку период осцилляций магнитного момента, рассматриваемый как функция 1 /Я, непосредственно взаимосвязан с площадью ее максимального или минимального поперечного сечения
плоскостью, перпендикулярной магнитному полю [6]. Особенно интенсивно исследования по идентификации поверхности Ферми различных металлов, полупроводников и сверхпроводников стали проводиться после создания фундаментальной теории Лифшица -Косевича, в рамках которой было получено соотношение, связывающее осциллирующий магнитный момент с экстремальным сечением поверхности Ферми [7]. Кроме того, полученная теоретическая зависимость амплитуд ШдГ и дГвА осцилляций от температуры позволила использовать их измерения для определения эффективной массы носителей тока, что представляет практический интерес, в частности, для физики низкоразмерных структур [8].
Однако в течение долгого времени не удавалось наблюдать осцилляции ШдГ и дГвА при температуре Т > 30 К из-за жесткости условия «сильного поля», сос'Т = [гВ» 1, которое соответствует высокой подвижности, [I = (е-г)Ап *, носителей тока и выполняется при наличии низкого значения эффективной массы, от*, и большого времени релаксации момента, т [9]. Кроме того, регистрации осцилляций ШдГ и дГвА препятствует тепловое размытие в случае невыполнения условия Ибо >кТ ■
Тем не менее, осцилляции ШдГ были обнаружены при комнатной температуре в графене благодаря низкой эффективной массе носителей, -10" т0, хотя для их регистрации понадобилось использовать магнитное поле величиной 29 Т вследствие короткого времени релаксации момента [10]. Таким образом, реализация условия сильного поля в слабых магнитных полях оставалась практически нерешенной задачей.
Еще более жесткие ограничения существуют для наблюдения осцилляций дГвА в сверхпроводниках, поскольку величина магнитного поля, необходимого для их регистрации, обычно превосходит критическое поле, Нс2, фазового перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние. Поэтому в классических сверхпроводниках осцилляции дГвА могут проявиться в области очень низких температур, Т < (еНс2/2л?т*с) ~ Тс /Ер , где Тс - критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние [11, 12]. Данное ограничение в значительной степени смягчается в связи с развитием технологии высокотемпературных сверхпроводников, для которых измерения осцилляций дГвА становятся одним из основных методов идентификации механизма сверхпроводимости [13, 14]. Причем особый интерес вызывают модельные представления высокотемпературных сверхпроводников в рамках последовательности джозефсоновских переходов, представляющих собой систему сверхпроводящих 5 - барьеров, разделенных квантово-размерными диэлектрическими или металлическими прослойками.
Именно в подобных джозефсоновских наносандвичах было реализовано приближение сильного поля при высоких температурах в слабых магнитных полях [15, 16, 17, 18]. Эти наносандвичи, полученные на поверхности кристалла фторида кадмия п - типа проводимости, представляли собой сверхузкую, 2 нм, квантовую яму Сс№2 р - типа, ограниченную 5-барьерами, проявляющими сверхпроводящие свойства, вследствие которых двумерные дырки обладают малой эффективной массой и большим временем релаксации момента, что позволило зарегистрировать осцилляции ШдГ при комнатной температуре [16]. Поэтому особый интерес к таким наноструктурам обусловлен возможностями изучения взаимосвязанности сверхпроводящих свойств 5 -барьеров и квантования энергии носителей в ограничиваемых ими квантовых ямах, проволоках и точках, если сверхпроводящая длина когерентности и фермиевская длина волны отличаются незначительно [15, 18, 19]. Данная взаимосвязанность может быть обнаружена в исследованиях как поперечного, так и продольного транспорта. В частности, при туннелировании через наносандвич, который представляет собой двойной барьер, наблюдается синхронное поведение спектральных зависимостей сверхтока и проводимости двумерных дырок, регистрируемых соответственно ниже и выше температуры сверхпроводящего перехода 8 - барьеров [16, 19]. В этом случае пиковые значения сверхтока, /„ и проводимости, 6'„, совпадают с энергетическими позициями уровней размерного квантования, а их соотношение отражает взаимосвязанность процессов туннелирования одиночных дырок и их пар, 1СЮ„ = лД/е [15, 17, 20]. В свою очередь, в исследованиях квантования характеристик продольного транспорта в наносандвиче следует ожидать проявления взаимосвязанности сверхпроводящих свойств 5-барьеров и квантования Ландау вследствие наличия дискретных состояний Бозе-конденсата, которые подвержены влиянию внешнего магнитного поля и температуры, что может привести к изменению величины плотности и эффективной массы двумерных носителей.
Вышесказанное определяет актуальность темы настоящей работы, основным направлением которой было обнаружение осцилляций де Гааза - ван Альфена и их детальное исследование для идентификации характеристик отмеченных выше наносандвичей на основе кремния и фторида кадмия.
Цель работы заключалась в обнаружении и исследовании квантования магнитного момента в полупроводниковых наноструктурах, сильнолегированных бором, при высоких температурах в слабых магнитных полях.
В задачи работы входило изучение следующих вопросов:
1. Регистрация полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 5 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) и-типа.
2. Экспериментальная реализация условия «сильного поля», шс-т = ц-5» 1, где т и ц - транспортное время и подвижность носителей, для обнаружения осцилляции де Гааза - ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях.
3. Исследование температурных зависимостей характеристик осцилляций де Гааза - ван Альфена для определения значений плотности и эффективной массы двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-тнпа, ограниченных б - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа.
4. Исследование температурных изменений плотности и эффективной массы двумерных дырок с помощью измерений температурных зависимостей амплитуды осцилляций де Гааза - ван Альфена для изучения формирования квантовых состояний Бозе-конденсата вследствие сверхпроводящих свойств сильнолегированных бором 5 -барьеров, ограничивающих квантовые ямы /;-типа проводимости на поверхности кремния (100) и фторида кадмия «-типа.
5. Обнаружение и исследование осцилляций типа Ааронова-Бома, возникающих в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости вследствие фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности 5 - барьеров, сильнолегированных бором.
Научная новизна работы
1. Измерения полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 6 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) м-типа позволили обнаружить осцилляции де Гааза - ван Альфена (дГвА) при высоких температурах в слабых магнитных полях.
2. Измерения температурных зависимостей амплитуд осцилляций дГвА в наносандвичах кремния и фторида кадмия позволили определить малую величину эффективной массы двумерных дырок благодаря которой квантование энергии и магнитного момента стала возможной при высоких температурах.
3. Обнаружено периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое позволило идентифицировать синхронные температурные осцилляции плотности и эффективной массы двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах кремния и фторида кадмия вследствие формирования Бозе-конденсата в ограничивающих их 5 - барьерах, сильнолегированных бором.
4. Обнаружены осцилляции типа Ааронова-Бома, возникающие в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости вследствие фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности сильнолегированных бором 5 - барьеров, ограничивающих квантовые ямы кремния и фторида кадмия. Достоверность полученных результатов подтверждается
сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных с помощью различных методик, а также их соответствием с имеющимися на сегодняшний день экспериментальными и теоретическими результатами изучения квантования магнитного момента в низкоразмерных полупроводниковых структурах.
Научная и практическая значимость диссертационного исследования определяется обнаружением осцилляций де Гааза - ван Альфена (дГвА) при высоких температурах в слабых магнитных полях в планарных наносандвичах кремния и фторида кадмия; обнаружением синхронных температурных осцилляций плотности и эффективной массы двумерных дырок вследствие сверхпроводящих свойств сильнолегированных бором 5 - барьеров, ограничивающих сверхузкие квантовые ямы кремния и фторида кадмия р-типа; обнаружением периодических осцилляций статической магнитной восприимчивости, обусловленных фрактальной самоорганизацией микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных пара- и диамагнетиков; измерениями малой величины эффективной массы двумерных дырок с помощью регистрации температурных зависимостей осцилляций дГвА. Защищаемые положения
1. Полевые зависимости статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 8 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) и-типа проявляют осцилляции де Гааза - ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях.
2. Квантование магнитного момента при высоких температурах в условиях продольного транспорта двумерных дырок обеспечивается благодаря их малой эффективной массе, определенной из
температурных зависимостей амплитуд осцилляций де Гааза - ван Альфена в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 5 -барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа.
3. Плотность и эффективная масса одиночных двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа синхронно осциллируют с ростом температуры в условиях формирования квантовых состояний Бозе-конденсата вследствие сверхпроводящих свойств 8 - барьеров, сильнолегированных бором.
4. Периодические осцилляции типа Ааронова - Бома возникают в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с параметрами фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных пара- и диамагнитных структур. Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты
докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международной конференции по наносистемам, НАЖ>-2010 (Рим, Италия, 2010); 6-й Международной конференции по квантовым вихрям в наноструктурированных сверхпроводниках, УОЯТЕХ-б (Родос, Греция, 2009); 11-й Международной конференции РЬМСЫ-11 (Берлин, ФРГ, 2011); 8-й Международной конференции «Кремний-2001» (Москва, Россия, 2011); 10-й Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, Россия, 2011).
Публикации: по результатам исследований, изложенных в диссертации, имеется 5 публикаций в ведущих отечественных и международных журналах. Список публикаций приведен в конце диссертации.
Структура диссертации: Диссертация состоит из Введения, пяти глав и Заключения.
Первая глава представляет собой обзор литературы, посвященный исследованиям эффектов квантования энергии и магнитного момента в условиях продольного транспорта носителей в поперечном магнитном поле. Основное внимание обращено на важнейшую роль экспериментов Шубникова - де Гааза и де Гааза - ван Альфена, которые впервые зарегистрировали осциллирующие зависимости сопротивления и намагниченности монокристаллов висмута от величины внешнего магнитного поля, в решение фундаментальных проблем в физике конденсированного состояния. Подчеркивается, что эффект Шубникова -
де Гааза (ШдГ) [2] оказался первым экспериментально наблюдаемым проявлением диамагнитного квантования энергии электронов в твердом теле и, как следствие этого,- осциллирующей зависимости электронной плотности состояний на уровне Ферми от напряженности магнитного поля. Позднее были обнаружены осцилляции магнитного момента (эффект де Газа — ван Альфена (дГвА) [3]), термоэдс, холловской ЭДС, теплоемкости, теплопроводности, квазиклассического коэффициента поглощения длинноволнового звука и других термодинамических и кинетических характеристик металла, которые в настоящее время объединены общим названием квантовых осцилляционных эффектов. Сравнительная легкость наблюдения в сочетании с высокой информативностью о параметрах электронной системы привели к тому, что эффекты ШдГ и дГвА получили широкое применение и стали одними из основных методов исследования энергетического спектра электронов в металлах, полуметаллах и полупроводниках.
В первом параграфе рассматриваются условия для наблюдения эффектов, обусловленных квантованием Ландау [1], который показал, что сплошной энергетический спектр свободных носителей становится квантованным в условиях внешнего магнитного поля перпендикулярного их движению. В этом случае решение соответствующего уравнения Шредингера уравнения приводит к заключению, что энергия электрона может быть представлена в виде суммы энергии поступательного движения вдоль магнитного поля и квантованной энергии циклотронного движения в плоскости, перпендикулярной магнитному полю: Еу = 1иос (у+1/2) + Тгк-2/2т. Таким образом, в отсутствие магнитного поля энергетический спектр свободных носителей, отвечающий его движению в плоскости (х, является квазинепрерывным, но при включении магнитного поля он разбивается на отдельные узкие полоски, каждая из которых, "сжимаясь", превращается в дискретный уровень Ландау со степенью вырождения 2|лБ#.
Фактически это было предсказанием того, что при низких температурах намагниченность и сопротивление кристаллов должны осциллировать при изменении магнитного поля, когда уровни Ландау, энергетический зазор между которыми равен Нсос, "проходят" уровень Ферми и оказываются незаселенными, тем самым, демонстрируя размерное квантование в магнитном поле.
Во втором параграфе детально рассматриваются условия наблюдения осцилляций ШдГ и дГвА, которые являются достаточно жесткими и сводятся к так называемому критерию «сильного поля», цЛ » 1, где ц - подвижность носителей, которое определяет отсутствие
рассеяния носителей при выполнении более, чем одного оборота в магнитном поле: сос-т » 1, а также - размытия расстояния между соседними уровнями Ландау за счет появления "хвоста" максвелловского распределения при Т> О К: Ьо)с > кТ\ Е? > Ь<м,. Именно поэтому в течение
долгих лет эффекты ШдГ и дГвА наблюдались в объемных системах только в сильных магнитных полях при низких температурах вследствие отсутствия структур с высокой подвижностью носителей. Тем не менее, они открыли новые направления для регистрации явлений квантовой интерференции, количественное описание которых стало возможным благодаря теоретическим работам И. Лифшица и А. Косевича, построивших наиболее строгую теорию осцилляционных эффектов в металлах [21]. Далее представлены основные соотношения, полученные в рамках данной теории, с анализом их применимости для результатов исследований осцилляций дГвА в металлах, полуметаллах и полупроводниках.
Третий параграф посвящен рассмотрению возможностей изучения осцилляций ШдГ и дГвА в низкоразмерных структурах. Отмечается, что заметное усиление интереса к эффекту де Гааза - ван Альфена в последние годы обусловлено интенсивными исследованиями полупроводниковых наноструктур, в которых спектр уровней Ландау определяется, в первую очередь, позициями уровней размерного квантования. Рассматривается теоретическая температурная зависимость амплитуды осцилляций дГвА, полученная в рамках основных соотношений И. Лифшица и А. Косевича, с помощью которой возможно определить значение эффективной массы носителей в полупроводниковых квантовых ямах. Далее обсуждаются различные версии смягчения критерия «сильного поля», \\В » 1, для экспериментального наблюдения осцилляций ШдГ и дГвА в низкоразмерных структурах. В качестве примера приводится обнаружение осцилляций ШдГ при комнатной температуре в графене благодаря низкой эффективной массе носителей, ~10"4 то. Однако для их регистрации понадобилось использовать магнитное поле величиной 29Т вследствие короткого времени релаксации момента [22]. Таким образом, делается вывод, что реализация условия «сильного поля» в слабых магнитных полях в течение долгого времени оставалась практически нерешенной задачей. Поэтому в заключительной части третьего параграфа основное внимание концентрируется на возможностях смягчения критерия «сильного поля» в наносандвичах, которые представляют собой полупроводниковые квантовые ямы, ограниченные сверхпроводящими 5 - барьерами. Несмотря на достаточно жесткое условие для наблюдения осцилляций дГвА в классических сверхпроводниках: Т < (еНс2/2тгт*с) ~ Т//ЕР, где Тс
- критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние [11, 12], их регистрация стала возможной в структурах на основе высокотемпературных сверхпроводников [13, 14]. Отмечено, что осцилляции ШдГ наблюдались при высоких температурах в слабых магнитных полях в джозефсоновских наносандвичах на основе фторида кадмия [15, 16, 17]. Эти наносандвичи, полученные на поверхности кристаллов кремния и фторида кадмия п - типа проводимости, представляли собой сверхузкую, 2 нм, квантовую яму р - типа, ограниченную 5-барьерами, проявляющими сверхпроводящие свойства, вследствие которых двумерные дырки обладают малой эффективной массой и большим временем релаксации момента. На основании изложенного выше делается вывод, что регистрация осцилляций дГвА при различной температуре в наносандвичах на основе кремния и фторида кадмия представляет значительный интерес, поскольку следует ожидать проявления взаимосвязанности сверхпроводящих свойств 5-барьеров и квантования Ландау вследствие наличия дискретных состояний Бозе-конденсата [22]. В заключительной части третьего параграфа рассматриваются возможности полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости для регистрации осцилляций Ааронова -Бома (АБ), период которых определяется магнитным потоком, Ф = п Ф0, где Ф„ = h/2e и Ф„ = h/e соответственно при наличии сверхпроводимости и баллистического транспорта носителей, в отличие от осцилляций дГвА, периодичных в зависимости от обратного магнитного поля, 1/Н, период осцилляций АБ. Поэтому дГвА и АБ осцилляции могут быть независимо идентифицированы при измерении полевых зависимостей магнитной восприимчивости, что представляет интерес для исследований низкоразмерных структур с искусственно упорядоченной системой квантовых точек, а также - фрактальной самоорганизации поверхности объемных твердых тел.
В конце главы формулируются цель и задачи диссертационной
работы.
Во второй главе рассматриваются вопросы получения и исследования свойств полупроводниковых кристаллов фторида кадмия п-типа, а также - возможностей реализации на их поверхности квантово-размерныхр+-п - переходов.
В первом параграфе обсуждаются свойства фторида кадмия, как одного из немногих широкозонных полупроводников с ионным характером связи. Отмечается, что фторид кадмия - это единственный кристалл, обладающий фундаментальным свойством примесного полупроводника - наличием водородоподобных донорных орбиталей,
характеристики которых слабо зависят от химической природы легирующей примеси. Поэтому полупроводниковые свойства ионного кристалла С(№2 с шириной запрещенной зоны 7.8 эВ, в полтора раза большей, чем у самого широкозонного из традиционных полупроводников - алмаза, 5.5 эВ, вызвали большой интерес исследователей, который долгое время сдерживался невозможностью реализации р-п перехода из-за монополярной, «-типа, проводимости фторида кадмия. Однако недавно удалось получить на поверхности кристалла и-Сс^ путем диффузии бора сверхмелкие р+-п - переходы, что открывает большие возможности для их практического применения [23].
Второй параграф посвящен методам получения полупроводниковых кристаллов СсШг. Рассматриваются вопросы их роста. Причем основное внимание уделяется анализу методов и технологии их аддитивного окрашивания, в результате которых кристалл приобретает проводимость только «-типа.
В третьем параграфе подробно рассматриваются вопросы легирования фторида кадмия. Анализируется электронная структура бистабильных центров, которые формируются на основе мелких доноров. Обсуждаются свойства бистабильных центров как БХ-центров, которые возникают вследствие отрицательной корреляционной энергии, в большой степени определяющей электрические и оптические свойства легированных кристаллов фторида кадмия.
В четвертом параграфе обсуждаются методы получения сверхмелкие //-« - переходов с помощью диффузии бора из газовой фазы, а также - их идентификация на поверхности кристаллов СсШг «-типа. Показано, что прямые ветви ВАХ//-«-переходов проявляют запрещенную зону, 7.8 эВ, а также позволяют идентифицировать строение валентной зоны кристаллов фторида кадмия. Причем ВАХ высокого разрешения находится в хорошем согласии с данными, полученными с помощью методов оптической и фотоэлектронной спектроскопии [24].
В пятом параграфе приведены результаты исследований проводимости баллистических дырочных каналов, проникающих из области //-«-перехода в объем кристалла и-С(1Р2. Кроме того, реализация баллистического режима проводимости была идентифицирована в плоскости квазидвумерного газа дырок на поверхности кристалла п-СА¥2 путем регистрации квантовой лестницы проводимости с помощью изменения напряжения на расщепленном затворе.
Третья глава посвящена анализу характеристик сверхмелких р+-п переходов на поверхности кристаллов п-С&?2 и «-81(100).
В первом параграфе приведены результаты исследований токовых ВАХ и ВАХ проводимости высокого разрешения сверхузкой квантовой ямы р-типа проводимости, ограниченной 5 - барьерами, сильнолегированными бором, которая формируется внутри // - области р -п перехода на поверхности кристалла /г-Сс1Р"2. Эти данные не только позволили определить энергетические позиции подзон двумерных дырок, но и в совокупности с результатами исследований температурных и полевых зависимостей сопротивления, статической магнитной восприимчивости и теплоемкости сделали возможной идентификацию сверхпроводящих свойств наносандвичей С(1Вхр2-х//>Сс1Р2-<3\\7Сс]ВхР2.х [15, 16].
Во втором параграфе анализируются сверхпроводящие свойства наноструктурированных 5 - барьеров С(1ВХР2_Х, ограничивающих квантовую яму СёР2 р -типа проводимости. Исследования магнитных, электрических и оптических характеристик наносандвичей показало, что 8
- барьеры, сильнолегированные бором, состоят из последовательностей чередующихся нелегированных и легированных квантовых точек. Причем последние содержат одиночные тригональные дипольные центры бора, В+
- В', с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2В" => В+ + В' [15].
Третий параграф представляет собой краткий обзор сверхпроводящих свойств планарных кремниевых наносандвичей, 81(В)/р-Зъ^В) [19, 25]. Показано, что экстремально малое значение эффективной массы двумерных дырок, обнаруженное в кремниевых наносандвичах, не только является главным аргументом в пользу биполяронного механизма высокотемпературной сверхпроводимости сильнолегированных бором 6 -барьеров, но и позволяет исследовать квантование магнитного момента при высоких температурах в слабых магнитных полях.
В четвертой главе представлены результаты по обнаружению и исследованию эффекта де Гааза - ван Альфена (дГвА) в наносандвичах СёВхр2-х//?-Сс1р2-С>\\7Сс1Вхр2-х и З^ВУ/^/^В) при высоких температурах в слабых магнитных полях.
В первом параграфе приведены результаты измерений полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости наносандвичей Сс1Вхр2.х/р-С11р2-(3\\'г/Сс1В,1р2-х, которые выявили особенности регистрации осцилляций дГвА в интервале температур вблизи критической температуры перехода 8 - барьеров СсШхР2.х из нормального в сверхпроводящее состояние. Исследования проводились в диапазоне напряженностей магнитных полей 0-1.1 Тл в интервале температур от 280К до 350К методами Фарадея и Гун но установке МвБ
312 FG в автоматизированном режиме. Калибровка установки осуществлялась с помощью эталонного образца фосфида индия с восприимчивостью х = -313-Ю"9 см3/г. Причем высокая чувствительность, 10"9 - Ю10 CGS, балансного спектрометра MGD 312 FG обеспечивала ее высокую стабильность.
Показано, что квантование энергии и магнитного момента в условиях продольного транспорта носителей стали возможными вследствие достижения приближения «сильного поля», сос.-т = [i-B » 1, благодаря малой эффективной массе двумерных дырок, величина которой определялась с помощью измерений температурных зависимостей амплитуд осцилляций дГвА. Температурные зависимости плотности двумерных дырок, определенной из значений периода осцилляций дГвА от обратного поля, показывают, что она изменяется в противофазе с их амплитудой. Иными словами, увеличение плотности двумерных дырок в квантовой яме наносандвича сопровождается диамагнитным откликом ограничивающих ее 8 - барьеров. Эти исследования показали, что плотность и эффективная масса одиночных двумерных дырок синхронно осциллируют при изменении температуры в интервале 280К-К350К, соответственно в пределах 0.4 1014 т"2 + 1.2 1014 т"2 и 3 Ю"5т0 5 10"5т0, где то -масса электрона. Следует отметить, что величина эффективной массы дырок, определенная с помощью соотношений Лифшица-Косевича [21], находится в хорошем согласии с данными исследований осцилляций Ааронова-Кашера в краевых каналах наносандвичей CdBxF2-x/p-CdF2-QW/CdBxF2_x [17]. Резкое уменьшение эффективной массы двумерных дырок и ее осцилляции рассматриваются как результат формирования дипольных центров бора с отрицательной корреляционной энергией, которые составляют основу 8 - барьеров, сильнолегированных бором. Далее, приведен анализ поведения наблюдаемых осцилляций плотности и эффективной массы двумерных дырок в рамках формирования квантовых состояний Бозе-конденсата [22], которое является следствием дискретного изменения длины когерентности куперовских пар дырок в условиях фрактальной структуры сверхпроводящих 5 - барьеров, сильнолегированных бором.
Второй параграф посвящен сравнению результатов измерений осцилляций ШдГ и дГвА в наносандвичах Si(B)//?-Si/Si(B). Обнаруженное изменение периода осцилляций дГвА при 7=120К согласуется с оценкой температуры их наблюдения с учетом выполнения условия «сильного поля», принимая во внимание характеристики кремниевых наносандвичей, и, возможно, связано с процессами квантования длины когерентности куперовских пар дырок в 8-барьерах.
Пятая глава посвящена обнаружению и исследованию полевых и температурных зависимостей магнитной восприимчивости фрактальных систем макроскопических и микроскопических микродефектов, возникающих на поверхности твердых тел вследствие самоорганизации. Обнаружено, что в этом случае персистентные диамагнитные токи, формируемых в замкнутых траекториях вокруг микродефектов, могут приводить к осцилляциям магнитного момента типа Ааронова-Бома (АБ).
В первом параграфе анализируются результаты исследований поверхности кремниевых наносандвичей с помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Эти исследования позволили идентифицировать фрактальное самоупорядочение чередующихся сверхпроводящих и несверхпроводящих макроскопических микродефектов в наноструктурированных 5-барьерах, сильнолегированных бором.
Во втором параграфе приведены результаты исследований полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости низкоразмерных диамагнетиков, таких как наносандвичи на основе кремния и фторида кадмия, а также объемных парамагнетиков и ферромагнетиков, которые проявляют периодические осцилляции типа Ааронова-Бома (АБ) на фоне осцилляций де Гааза - ван Альфена. Поведение обнаруженных АБ осцилляций с периодом 25 мТ представляется крайне необычным и ранее не наблюдавшимся, поскольку они регистрируются только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с параметрами фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных структур. Кроме того, пики этих осцилляций расщеплены в области магнитного поля ниже 220 мТ. Причем величина расщепления равна 10 мТ. Полученные результаты показывают, что свойства замкнутых контуров вокруг макроскопических микродефектов, участвующих в формировании АБ осцилляций, зависят от дискретности изменения магнитного поля. Причем при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля не наблюдается, как могло ожидаться, фазового сдвига АБ осцилляций, а происходит полное тушение ответственных за их возникновение персистентных диамагнитных токов. Поэтому экспериментальные данные по квантованию магнитного момента в системе самоупорядоченных микродефектов рассматривались в работе в рамках квантовой интерференции внутри фрактальных систем макроскопических и микроскопических неидеальных колец [26].
В Заключении приводятся основные результаты работы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Осцилляции де Гааза - ван Альфена (дГвА) были обнаружены при высоких температурах в слабых магнитных полях с помощью измерений полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 8 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) п-типа.
2. Регистрация квантования магнитного момента в условиях продольного транспорта носителей стала возможной вследствие достижения приближения «сильного поля», шс-т = \1-В» 1, благодаря малой эффективной массе двумерных дырок, что подтверждается измерениями температурных зависимостей амплитуд осцилляций дГвА.
3. Обнаружено периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое позволило идентифицировать температурные осцилляции плотности двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 8 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов Сс1Р2 и (100) и-типа.
4. Показано, что плотность и эффективная масса одиночных двумерных дырок синхронно осциллируют с ростом температуры. Полученные результаты объясняются в рамках формирования квантовых состояний Бозе-конденсата, которое является следствием дискретного изменения длины когерентности куперовских пар дырок в условиях фрактальной структуры сверхпроводящих 5 -барьеров, сильнолегированных бором.
5. Исследования полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости низкоразмерных и объемных парамагнетиков, диамагнетиков и ферромагнетиков позволили обнаружить периодические осцилляции типа Ааронова-Бома (АБ).
6. Обнаруженные АБ осцилляции регистрируются только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с параметрами фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных структур.
ЛИТЕРАТУРА
1. Ландау Л.Д. Диамагнетизм металлов [Текст] / Л.Д. Ландау // Zs. Phs.- 1930.-T.64.- С.629.
2. Schubnikow L. Magnetische Widerstandsvergrosserung in Einkristallen von Wismut bei tiefen Temperaturen [Text] / L. Schubnikow, W.J. de Haas// Leiden Commun.- 1930. - V.207a. - P.3.
3. de Haas W.J. Note on the dependence of the susceptibility of diamagnetic metals on the field [Text] / W.J. de Haas, P.M. van Alphen //Leiden Commun. - 1931. - V.208d. - P.31.
4. Fowler A.B. Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces [Text]/ A.B. Fowler, F.F. Fang, W.E. Howard, P.J. Stiles // Phys. Rev. Lett. - 1966.-V.16.-P.901.
5. von Klitzing K. New method for high-accuracy determination of the fine-structure constant based on quantized Hall resistance [Text] / K. von Klitzing, G. Dorda, M. Pepper // Phys. Rev. Lett. - 1980. - V.45. - P.494.
6. Shoenberg D. The de Haas - van Alphen Effect [Text] / D. Shoenberg// Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. - 1952. - V.245. - P.l.
7. Лифшиц И.М. К теории магнитной восприимчивости металлов при низких температурах [Текст] / И.М. Лифшиц, А.М. Косевич // ЖЭТФ. - 1955. - Т.29. - С.730.
8. Pudalov V.M. Low-Density Spin Susceptibility and Effective Mass of Mobile Electrons in Si Inversion Layers [Text]/ V.M. Pudalov, M.E. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E.M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer // Phys. Rev. Lett. - 2002. - V.88. - P.196404.
9. Landwehr G. Quantum transport in n-type and p-type modulation-doped mercury telluride quantum wells [Text] / G. Landwehr, J. Gerschütz, S. Oehling, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, C.R. Becker // Physica E. -2000.-V.6.-P.713.
10. Geim A.K. The rise of grapheme [Text] / A.K. Geim, K. S. Novoselov // Nature Materials. - 2007. - V.6. - P. 183.
11. Минеев В.П. Эффект де Гааза — ван Альфена в сверхпроводниках [Текст] / В.П. Минеев, М.Г. Вавилов// УФН. - 1997. - Т. 167. - С.1121.
12. Бычков Ю.А. Влияние примесей на эффект де Гааза — ван Альфена [Текст] / Ю.А. Бычков // ЖЭТФ. - 1960. - Т.39. - С.1401.
13. Thompson L. de Haas-van Alphen oscillations in high-temperature superconductors [Text]/ L. Thompson, P.C.E. Stamp// Phys. Rev. B. -2010. - V.81. - P.100514(R).
14. Audouard A. Multiple Quantum Oscillations in the de Haas-van Alphen Spectra of the Underdoped High-Temperature Superconductor
УВа2Си30б.5 [Text]/ A. Audouard, С. Jaudet, D. Vignolles, R. Liang, D.A. Bonn, W.N. Hardy, L. Taillefer, C. Proust // Phys. Rev. Lett. -2009,-V. 103. - P.157003.
15. Баграев H.T. Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия [Текст] / Н.Т. Баграев, О.Н. Гимбицкая, JI.E. Клячкин, A.A. Кудрявцев, A.M. Маляренко, А.И. Рыскин, A.C. Щеулин // ФТП. -2009. - Т.43. - С.85.
16. Баграев Н.Т. Квантовый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия [Текст] / Н.Т. Баграев, О.Н. Гимбицкая, Л.Е. Клячкин, A.A. Кудрявцев, А.М. Маляренко, А.И. Рыскин, A.C. Щеулин // ФТП. - 2009. - Т.43. - С.82.
17. Баграев Н.Т. Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия [Текст] / Н.Т. Баграев, О.Н. Гимбицкая, Л.Е. Клячкин, A.A. Кудрявцев, A.M. Маляренко, В.В. Романов, А.И. Рыскин, A.C. Щеулин // ФТП. - 2010. - Т.44. - С. 1372.
18. Bagraev N.T. Phase and amplitude response of "0.7 feature" caused by holes in silicon one-dimensional wires and rings [Text]/ N.T. Bagraev, N.G. Galkin, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko // J. Phys.: Condens. Matter. - 2008,- V.20. - P. 164202.
19. Баграев Н.Т. Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, A.A. Кудрявцев, A.M. Маляренко, В.В. Романов // ФТП. -2009. - Т.43. - С.1481.
20. Beenakker C.W.J. Josephson current through a superconducting quantum point contact shorter than the coherence length [Text]/ C.W.J. Beenakker, H. van Houten //Phys. Rev. Lett. - 1991. - V.66. - P.3056.
21. Лифшиц И.М. К теории эффекта де-Хааза — ван-Альфена для частиц с произвольным законом дисперсии [Текст] / И.М. Лифшиц, А.М. Косевич // ДАН СССР. - 1954. - Т.96. - С.963.
22. Geim A.K. Mesoscopic superconductors as 'artificial atoms' made from Cooper pairs [Text] / A.K. Geim, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, J.G.S. Lok, J.C. Maan, A.E. Filippov, F.M. Peeters, P.S. Deo // Physica B. -1998.-V.249-251.-P.445.
23. Баграев Н.Т. Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 [Текст] / Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, A.C. Щеулин, А.И. Рыскин //ФТП. -2005. - Т.39. - с.557.
24. Orlowski В.А. Band structure of CdF2 from photoemission measurements [Text]/ B.A. Orlowski, J.M. Langer // Acta Physica Polonica A. - 1983. - V.63. - P.107.
25. Баграев H.T. Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин,
А.А. Кудрявцев, A.M. Маляренко, Г.А. Оганесян, Д.С. Полоскин // ФТП. - 2009. - Т.43. - С. 1496. 26. Micolich А.Р. Three key questions on fractal conductance fluctuations: Dynamics, quantization, and coherence[Text]/ A.P. Micolich, R.P. Taylor, T.P. Martin, R. Newbury, T.M. Fromhold, A.G. Davies, H. Linke, W.R. Tribe, L.D. Macks, C.G. Smith, E.H. Linfield, and D.A. Ritchie // Phys. Rev. B. - 2004. - V.70. - P.085302.
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА ПО ТЕМЕ РАБОТЫ
1. Баграев Н.Т. Осцилляции Шубникова - де Гааза и де Гааза - ван Альфена в кремниевых наноструктурах. [Текст] / Н.Т. Баграев, Е.С. Британская, Д.С. Гец, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, В.В. Романов// ФТП. - 2011. - Т.45. - Вып.11. - С.1503-1508.
2. Баграев Н.Т. Эффект де Гааза - ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия. [Текст] / Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Э.Ю. Даниловский, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, В.В. Романов // ФТП. - 2012. - Т.46. - Вып.1. - С.90-95.
3. Баграев Н.Т. Квантование характеристик продольного транспорта дырок в кремниевых наноструктурах, [Текст] / Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Д.С. Гец, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, В.В. Романов// НТВ СПбГПУ. - 2011. - Вып.2(128). - Физико-математические науки. - С.41-47.
4. Баграев Н.Т. Магнитные свойства наноструктур фторида кадмия / Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Э.Ю. Даниловский, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, В.В. Романов [Текст] // НТВ СПбГПУ. — 2011. -Вып.3(129). - Физико-математические науки. - С.38-45.
5. Баграев Н.Т. Эффекты Шубникова - де Гааза и де Гааза - ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах / Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, В.В. Романов [Текст] // НТВ СПбГПУ. - 2011. - Вып.4(130). - Физико-математические науки. - С.7-14.
Подписано в печать 27.12.2011. Формат 60x84/16. Печать цифровая. Усл. печ. л. 1,0. Тираж 100. Заказ 8556Ь.
Отпечатано с готового оригинал-макета, предоставленного автором, в типографии Издательства Политехнического университета. 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29. Тел.: (812) 550-40-14 Тел./факс: (812) 297-57-76
61 12-1/442
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет»
на правах рукописи
(/
БРИЛИНСКАЯ ЕЛЕНА СТАНИСЛАВОВНА
МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР, СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ
01.04.07 - физика конденсированного состояния
диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Научный руководитель - д. ф.-м. н. Баграев Н.Т.
Санкт-Петербург - 2011
Оглавление
Введение.......................................................................................4
Глава 1. Эффекты Шубникова-де Гааза и де Гааза-ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах
...................................................................................................................21
§1.1. Квантование характеристик продольного транспорта носителей
тока (квантование Ландау).........................................................................23
§1.2. Критерий «сильного поля» для наблюдения осцилляций
Шубникова - де Гааза и де Гааза-ван Альфена................................30
§1.3. Эффекты Шубникова - де Гааза и де Гааза-ван Альфена в
низкоразмерных структурах....................................................................39
Выводы..................................................................................45
Цель и задачи.........................................................................47
Глава 2. Ионный полупроводник С(Ш2 и низкоразмерные структуры на
его поверхности.....................................................................48
§2.1. Ионный полупроводник СёГ2..........................................................48
§2.2. Физико-химические аспекты получения полупроводниковых
кристаллов СёГ2.......................................................................50
§2.3. Электронная структура бистабильных центров в СсШ2...............55
§2.4. Планарные структуры р-типа проводимости в холловской геометрии и геометрии расщепленного затвора на поверхности
кристалла п-Сс1Р2.....................................................................62
§2.5. Баллистические дырочные каналы, проникающие из квантовой ямы
р-тшт. проводимости в объем кристалла п-С(№2..............................70
Выводы.................................................................................77
Глава 3. Характеристики сверхмелких р+-п переходов на поверхности
кристаллов п-С6¥2 и я-81(100).........................................................79
§3.1. Туннелирование дырок в сверхузкой квантовой яме р-СёР2, ограниченной 8-барьерами Сс1ВхГ2_х..............................................79
§3.2. Характеристики 5-барьеров CdBxF2-x, ограничивающих квантовую
яму CdF2 р -типа проводимости.................................................85
§3.3. Электрические, оптические и магнитные свойства кремниевых
наносандвичей......................................................................98
Выводы.................................................................................101
Глава 4. Эффект де Гааза - ван Альфена в полупроводниковых
наноструктурах, сильнолегированных бором............................103
§4.1. Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF2_x//?-
CdF2-QW/CdBxF2-x.................................................................107
§4.2. Температурные зависимости осцилляций де Газа - Ван Альфена в
кремниевых наносандвичах......................................................119
Выводы.................................................................................127
Глава 5. Магнитные свойства наноструктур на поверхности твердых тел
................................................................................................128
§5.1. Фрактальное самоупорядочение в кремниевых наносандвичах
...........................................................................................129
§5.2. Осцилляции магнитной восприимчивости типа Ааронова-Бома, возникающие вследствие фрактальной организации поверхности
наносандвичей кремния и фторида кадмия.........................................134
Выводы.................................................................................153
Заключение.................................................................................154
Литература................................................................................156
Список публикаций автора по теме работы......................................173
ВВЕДЕНИЕ
Возможности квантования энергии носителей тока в поперечном магнитном поле были строго обоснованы Л.Д. Ландау [Ландау, 1930], который показал, что в этом случае непрерывный энергетический спектр свободных электронов трансформируется в систему подзон, Ev = hooc (у+1/2), где сос = еВ/т* , т* - эффективная масса, v - номер уровня Ландау. Эти условия квантования практически немедленно получили экспериментальное подтверждение вследствие обнаружения двух фундаментальных эффектов при исследовании поведения продольного сопротивления (эффект Шубникова - де Гааза (ШдГ) [Schubnikow, 1930]) и магнитной восприимчивости (эффект де Гааза - ван Альфена (дГвА) [de Haas, 1931]) висмута в поперечном магнитном поле.
В обоих случаях были зарегистрированы осцилляции транспортных характеристик в зависимости от величины внешнего магнитного поля, период которых соответствовал энергетическому зазору между уровнями Ландау, Нсос. Причем максимумы осцилляций сопротивления и магнитной восприимчивости наблюдались каждый раз, когда при изменении магнитного поля совпадали значения энергии очередного уровня Ландау и уровня Ферми, Ер, позиция которого соответствует максимальной энергии свободных носителей тока в образце. Соответственно, минимумы осцилляций сопротивления и магнитной восприимчивости регистрировались в условиях, когда уровень Ферми фиксировался между двумя соседними уровнями Ландау.
В дальнейшем, эффекты Шубникова - де Гааза и де Гааза - ван Альфена развились в классические методы в физике конденсированного состояния. Особенно интерес к исследованиям осцилляций Шубникова - де Гааза возрос после развития технологий получения низкоразмерных полупроводниковых структур с высокой подвижностью носителей тока [Fowler, 1966]. В этом случае энергетические позиции уровней размерного квантования определяют спектр уровней Ландау, который отражается в
квантовании характеристик продольного транспорта двумерных носителей тока. Следует отметить, что осцилляции Шубникова - де Гааза являются важной составляющей исследования квантового эффекта Холла, поскольку позиции их максимумов сверхточно согласуются с серединами ступенек квантовой лестницы холловского сопротивления [von Klitzing, 1980]. В свою очередь, эффект де Гааза - ван Альфена стал мощным инструментом исследований поверхности Ферми, поскольку период осцилляций магнитного момента, рассматриваемый как функция 1 !Н, непосредственно взаимосвязан с площадью ее максимального или минимального поперечного сечения плоскостью, перпендикулярной магнитному полю [Shoenberg, 1952]. Особенно интенсивно исследования по идентификации поверхности Ферми различных металлов, полупроводников и сверхпроводников стали проводиться после создания фундаментальной теории Лифшица - Косевича, в рамках которой было получено соотношение, связывающее осциллирующий магнитный момент с экстремальным сечением поверхности Ферми [Лифшиц, 1955]. Кроме того, полученная теоретическая зависимость амплитуд ШдГ и дГвА осцилляций от температуры позволила использовать их измерения для определения эффективной массы носителей тока, что представляет практический интерес, в частности, для физики низкоразмерных структур [Pudalov, 2002].
Однако в течение долгого времени не удавалось наблюдать осцилляции ШдГ и дГвА при температуре Т > 30 К из-за жесткости условия «сильного поля», со с г = ¡л-В» 1, которое соответствует высокой подвижности, ¡л = (е-т)/т*, носителей тока и выполняется при наличии низкого значения эффективной массы, т*, и большого времени релаксации момента, т [Landwehr, 2000]. Кроме того, регистрации осцилляций ШдГ и дГвА препятствует тепловое размытие в случае невыполнения условия hcoc > кТ. Тем не менее, осцилляции ШдГ были обнаружены при комнатной температуре в графене благодаря низкой эффективной массе носителей, ~10"4 то, хотя для их регистрации понадобилось использовать магнитное поле
величиной 29 Т вследствие короткого времени релаксации момента [Geim, 2007]. Таким образом, реализация условия сильного поля в слабых магнитных полях оставалась практически нерешенной задачей.
Еще более жесткие ограничения существуют для наблюдения осцилляций дГвА в сверхпроводниках, поскольку величина магнитного поля, необходимого для их регистрации, обычно превосходит критическое поле, НС2, фазового перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние. Поэтому в классических сверхпроводниках осцилляции дГвА могут проявиться в области очень низких температур, Т < (еНс2/27?m*c) ~ TC2/EF , где Тс - критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние [Минеев, 1997; Бычков, 1960]. Данное ограничение в значительной степени смягчается в связи с развитием технологии высокотемпературных сверхпроводников, для которых измерения осцилляций дГвА становятся одним из основных методов идентификации механизма сверхпроводимости [Thompson, 2010; Audourd, 2009]. Причем особый интерес вызывают модельные представления высокотемпературных сверхпроводников в рамках последовательности джозефсоновских переходов, представляющих собой систему сверхпроводящих 8 - барьеров, разделенных квантово-размерными диэлектрическими или металлическими прослойками.
Именно в подобных джозефсоновских наносандвичах было реализовано приближение сильного поля при высоких температурах в слабых магнитных полях [Баграев, 2009а, 2009b, 2010; Bagraev, 2008]. Эти наносандвичи, полученные на поверхности кристалла фторида кадмия п -типа проводимости, представляли собой сверхузкую, 2 нм, квантовую яму CdF2 р - типа, ограниченную 5-барьерами, проявляющими сверхпроводящие свойства, вследствие которых двумерные дырки обладают малой эффективной массой и большим временем релаксации момента, что позволило зарегистрировать осцилляции ШдГ при комнатной температуре [Баграев, 2009а]. Поэтому особый интерес к таким наноструктурам обусловлен возможностями изучения взаимосвязанности сверхпроводящих
свойств 8 - барьеров и квантования энергии носителей в ограничиваемых ими квантовых ямах, проволоках и точках, если сверхпроводящая длина когерентности и фермиевская длина волны отличаются незначительно [Баграев, 2009Ь]. Данная взаимосвязанность может быть обнаружена в исследованиях как поперечного, так и продольного транспорта. В частности, при туннелировании через наносандвич, который представляет собой двойной барьер, наблюдается синхронное поведение спектральных зависимостей сверхтока и проводимости двумерных дырок, регистрируемых соответственно ниже и выше температуры сверхпроводящего перехода 5 -барьеров [Баграев, 2009Ь, 2009с]. В этом случае пиковые значения сверхтока, /с, и проводимости, (/„, совпадают с энергетическими позициями уровней размерного квантования, а их соотношение отражает взаимосвязанность процессов туннелирования одиночных дырок и их пар, 1сЮп = тгА/е [Баграев, 2009Ь, 2010, Веепаккег, 1991]. В свою очередь, в исследованиях квантования характеристик продольного транспорта в наносандвиче следует ожидать проявления взаимосвязанности сверхпроводящих свойств 8-барьеров и квантования Ландау вследствие наличия дискретных состояний Бозе-конденсата, которые подвержены влиянию внешнего магнитного поля и температуры, что может привести к изменению величины плотности и эффективной массы двумерных носителей.
Вышесказанное определяет актуальность темы настоящей работы, основным направлением которой было обнаружение осцилляций де Гааза -ван Альфена и их детальное исследование для идентификации характеристик отмеченных выше наносандвичей на основе кремния и фторида кадмия. Цель работы заключалась в обнаружении и исследовании квантования магнитного момента в полупроводниковых наноструктурах, сильнолегированных бором, при высоких температурах в слабых магнитных полях.
В задачи работы входило изучение следующих вопросов:
1. Регистрация полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных § - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа.
2. Экспериментальная реализация условия «сильного поля», сос-т = 1, где т и ¡а - транспортное время и подвижность носителей, для обнаружения осцилляций де Гааза - ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях.
3. Исследование температурных зависимостей характеристик осцилляций де Гааза - ван Альфена для определения значений плотности и эффективной массы двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 5 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа.
4. Исследование температурных изменений плотности и эффективной массы двумерных дырок с помощью измерений температурных зависимостей амплитуды осцилляций де Гааза - ван Альфена для изучения формирования квантовых состояний Бозе-конденсата вследствие сверхпроводящих свойств сильнолегированных бором 8 - барьеров, ограничивающих квантовые ямы р-типа проводимости на поверхности кремния (100) и фторида кадмия «-типа.
5. Обнаружение и исследование осцилляций типа Ааронова-Бома, возникающих в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости вследствие фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности 8 - барьеров, сильнолегированных бором.
Научная новизна работы
1. Измерения полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 8 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа
позволили обнаружить осцилляции де Гааза - ван Альфена (дГвА) при высоких температурах в слабых магнитных полях.
2. Измерения температурных зависимостей амплитуд осцилляций дГвА в наносандвичах кремния и фторида кадмия позволили определить малую величину эффективной массы двумерных дырок благодаря которой квантование энергии и магнитного момента стала возможной при высоких температурах.
3. Обнаружено периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое позволило идентифицировать синхронные температурные осцилляции плотности и эффективной массы двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах кремния и фторида кадмия вследствие формирования Бозе-конденсата в ограничивающих их 5 - барьерах, сильнолегированных бором.
4. Обнаружены осцилляции типа Ааронова-Бома, возникающие в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости вследствие фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности сильнолегированных бором 5 - барьеров, ограничивающих квантовые ямы кремния и фторида кадмия.
Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных с помощью различных методик, а также их соответствием с имеющимися на сегодняшний день экспериментальными и теоретическими результатами изучения квантования магнитного момента в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Научная и практическая значимость диссертационного исследования определяется обнаружением осцилляций де Гааза - ван Альфена (дГвА) при высоких температурах в слабых магнитных полях в планарных наносандвичах кремния и фторида кадмия; обнаружением синхронных температурных осцилляций плотности и эффективной массы двумерных дырок вследствие сверхпроводящих свойств сильнолегированных бором 5 -
барьеров, ограничивающих сверхузкие квантовые ямы кремния и фторида кадмия /?-типа; обнаружением периодических осцилляций статической магнитной восприимчивости, обусловленных фрактальной самоорганизацией микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных пара- и диамагнетиков; измерениями малой величины эффективной массы двумерных дырок с помощью регистрации температурных зависимостей осцилляций дГвА. Защищаемые положения
1. Полевые зависимости статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 5 - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) п-типа проявляют осцилляции де Гааза - ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях.
2. Квантование магнитного момента при высоких температурах в условиях продольного транспорта двумерных дырок обеспечивается благодаря их малой эффективной массе, определенной из температурных зависимостей амплитуд осцилляций де Гааза - ван Альфена в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 8 -барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) и-типа.
3. Плотность и эффективная масса одиночных двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа синхронно осциллируют с ростом температуры в условиях формирования квантовых состояний Бозе-конденсата вследствие сверхпроводящих свойств 8 - барьеров, сильнолегированных бором.
4. Периодические осцилляции типа Ааронова - Бома возникают в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с п