Эффекты статического и динамического разупорядочения решетки в оптических свойствах слоистых полупроводниковых материалов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 ол „

На правах рукопису

1 а ШОН 19.95

ЛУНЬ Юрій Остапович

ЕФЕКТИ СТАТИЧНОГО [ ДИНАМІЧНОГО Р03П0РЯДКУВАЯНЯ ГРАТКИ В ОПТИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЯХ ШАРУВАТИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ

01.04.10 — фізика напівпровідників і діелектриків

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук

ЛЬВІВ — 1005

Робота виконала в Державному університеті "Ліьвікоька (|и дітекиіка" та а Іуотитуті фівики НАН України

'Наукові керіцвики: доктор фівцка-иатематичних наук,

Офіційні оттвгиі доктор фіаико-математичних наук,

Провідна установа Чернівецький державний університет

ьасідавзі спеціаліврваиоі ради. М 0і* * М, ОВ дрц Львівському державному університеті їм. І. франка за адресою: 290005, и.Львіе-б, вул.Кирила 1 Мефоді», йа, Ведяка фізична аудиторія.

З дисертацією модна ознайомитися в науковій бібліотеці Львівського дервдвногч; університету Ці. ). франка, и. Львів, ьуд. Драгомаиова, 6.

професор ВЛОНСЬКИЙ Іван В^ішовнч доктор фіашш-математичнн» наук, професор НАЭДТСЩЧ Йосип Дмитрович

профеоор КОРВУТЯК Дмитро Васильович кандидат фіаико-цатематичних наук, професор КРОЧУК Анадій Оавцч

.. .1995 р.

Вчений секретар .

Спеці адіаоа&кої редн

д(іктор фі^шо-мачматнчімш щук,

професор

- 3 -

Штатна вафшто^ттзха робот» - '

Широке застосування в сучасних електронних пристроях різноманітних напівпровідникових матеріалів, вр відрізняються ступенем і типом резупорядкування гратки (тверді резчхни напівпровідників, квааіаморфні середовищ та ік.) зумо&шз іятуатяіоїь завдань по вивченню кореляції мія особливостями будови таких об’єктів та їх фізичними властивостями. Вояк аключ мать як встановлення закономірносте* прояву факторів структури у фундаментальних властивостях, так і відпрацрвак-ня адекватних методик опису внутрішньої будови иевпорядова-них маторіаяіа.

Оообливе наукове зацікавлення останніми роками вимикає питання відображекняі резупорядкування гратки в оптичний властивостях. Викликано це двома обставинами.

Одна в них має чисто науковий Інтерес 1 тісно пов'язана » проблемой так званого правила Урбаха. Суть 11 полягаз в тому, що у цілому ряді твердих тіл, які відрізняються ступе- _ нем і природою розупорядкування гратки, при різких експериментальних умовах, в області довгохвильового крап власного поглинання, що обмежена значенням» коефіцієнта поглинання а^',0с*103см~1г спостерігається його експоненціальний спад із їбільтенням довжини хвилі X, який пролягає на сотні оберне-кия сантиметрів а область заборонених значень енергії. Незважаючи на численні спроби, розвинути однозначну теоретичну юдоль цього універсального ефекту досі не здалось. З існуючих теоретичних підходів для пояснення правила Урбаха найчастіше застосовуються моделі, вю грунтуються на впливі ди-

: - 4 - '

намічкога і статичного роаупорядкуванна гратки. В основі, першої лежить сксатсп-фонокна взаємодія, наслідком якої е вииикнєіі'іЯ аміпаяих станів екситонних і граткових абудкань, ар приводить до неоднорідного розширення ЄКСИЇОННКХ зон. Суть інеого підходу полягав у виникненні хвостів густини станів е результаті впливу електричних полів, генетично вв'язаних уже is статичніш структурний розупорядкувелням гратки. Разом в тим, досвід експериментальних досліджені і узагальнення по крайовому поглинанню цілого ряду різних по природі і властивостях матеріалів . дозволяє однозначно стверджувати, шр ні одна ів згаданих вище теорій ке є універсальною, . .

В зв'язку з цим значний інтерес представляє пошук кореляцій між природою ь ьінорідного розширення і спектрами вторинного випромінювашш при селективному збуджені в обдасть неодноріднорозшираних станів різних речовин. Особливо актуальними такі дослідження виглядають у випадку, коли експерт ментально можна впливали на фактори, щр лежать в основі неоднорідного роаширенння екситонних станів. До їх числа відносять силу світло-екситонної і екситон-фононної ваазмодії, а ?акож ступінь розупорядкування гратки. Усіма цими параметрами можна керувати в твердих розчинах напівпровідників (при націленому виборі вихідних сполук) шляхом зміни компонентного складу.

Друга причина уваги до пошуку кореляцій між роаупоряд-кувшням структури і оптичними властивостями матеріалів - у можливості розвитку нових методів діагностики агаданих матеріалів, яка базується на прецизійній техніці оптичної спектроскопії. .

- 5 - .

Виходячи Із сказаного мгпгая даної робот було встановлення кореляції між природе» неоднорідного розширення екси-тояних 'с\г>, їв 1 оптичними властивостями матеріалів, що відрі видаться СИЛОЮ СВІТЛО-екситонної і екситон- фо ЯО К НО І ВЗЗЕМО-дії.-а також ступенем розупорядкування гратки.

. Вдалими модельними об'єктами для такого типу досліджень є йодидиі сполуки металів, що кристалізуються з утворенням шаруватої структури (І/и-хТІх-Ь РЬі-к№х^г. Нвт-Іг (Міг) і характеризуються різне» силою світло-екситоикої і екси-тоя-фононної взаємодії та ступенем розупорядкування гратки.

Головні заадамкя, кр розв'язувати»

1. Вивчення в широкій текг.ературній області адсорбційно-люмінесцентних властивостей нового твердого розчину

ІПі-^ТІхЛ. Встановлення ролі структурного розупорядіїувшшя гратки у формувати каналів спонтанного вгаїромігеоваяня а широкій області зміни х (0<х<0,5).

2. Вивчання: конкуренції вкладів від статичного (компо- _ ййцііікого) і динамічного (теплового) розупорядкування гратки

у формуванні урбаківського крзю поглинання в Іпі-хТІ*-?.

3. Поагул експериментальних методів керування величиною фундаментально! константи - сили екситон-фоконного зв'язку і встановлення концентраційної залежності урбахівської константи бо(х) в твердому розчині Іщ-мТІкі.

4. Встановлення кореляції між природою неоднорідного ;озЕирения екситонних станів (світло-екситсна та екситон-фо-нонка взазжздія, вплив статичного розупорядкування гратки) і структурою ни"ьіхітемпературних спектрів власного вторинного нипромікювання (ОВВ) пра селективному монохроматичному вбу-

- б -

даенні зразків 8 область хвоста густини станів.

Для успішного розв'язання сформульованих вище завдань, за літературними даними було вроблено аналіз сучасних теоретичних представлень, що стосуються енергетичного опііктру екситонів в варув&ткх напівпровідниках. Це дозволило вибрати відповідні об'єкти досліджень 1 розробити методику наступних експериментів і обробки отриманих результатів. Летальне вивчення спектрів оптичного поглинання, відбивання світла 1 люмінесценції а широкому діапазоні вміни температури, довжини хвилі абудкошш і інтенсивності світла проводилось у Деркав-кому університеті "Львівська політехніка" та інституті фізики НАН України в використанням сучасної спектральної апаратури на основі автоматизованих спектрально-вимірювальних комплексів ДО-2 1 СЯК.

Иаукоаа жпиаиа робот визначається сукупністю результатів, сформульованих у ьисновкач до дисертації 1 наведених, на закінчення автореферату. Найголовніші з них;

1. Вперше детально вивчено оптичні властивості неперервного твердого розчину заміщення Іпі-хТ1>^ а області крас власного поглинання. Показано, щр для цих матеріалів провило Урбаха справджується тільки в поляризації Е|с.

2. Аиадіг спектрів поглинання в області урба-чівсьхого краю виявив концентраційну залежність константи бо, що аід-кривгш унікальну можливість змінювати в досліджуваному ТРИН 1пі-кТ^ силу ексктон-фононної взаємодії алнхсм зміни концентрації х.

3. В спектрах їшінесценції Ігц-хТІ*.І при певному пора-говому значенні х (хмз.18) спостерігається нова смуга в міро-миасшлаїя іл, вперше досліджені властивості якої слід пс~

' . - 7 - ' .

в’яаувати з егеситондаи, локалізованими дефектами, № зумовлені композиційним роэупорядкуваняям Лх.

4. Вперше запропоновано і яа пришшді модельних об'єктів «гіг, Ссііг, РЬі-хї/іпній реалізовано метол визначення природи- нвсл^р! дного розширення екситонних аон за результатами досліджень низькотемпературних спектрів вторинного випромінювання при селективному збудженні речовин в область неодио-ріднорозширених станів,

Ва захист виносяться яасту«іиІ писані лалскокмя:

- критерій стотсйієння природи неоднорідного розширення екситонних станів иа основі аналізу властивостей спектрів вторинного випреміиюггяия досліджуваних матеріалів при їх селективному збудженні в область неоднорідного розширення станів;

- метод керування величиною фундаментальної константи -с:или ейситон-фоионного зв'язку» шляхом зміни компонентного складу твердого розчину заміщення;

- висновск про те, «о урбахівськіїй край екситошюго поглинання світла в Іщ-кТІкі визначається сукупним вкладом від процесів локалізації екситонів великомасштабними флуктуаціями складу і нелінійною екситон-фоконкс».взаємодією;

- механізми дисипації енергії екситонного г,буджений в !пі-хТ1хЛ, їдо формують поведінку екситонної смуги поглинання сі зміною температури і які зумовлені шаруватою структуро» досліджуваних матеріалів: непрямі вертикальні переходи з і-частю низькоенергетичних фононів і розсіяння на згиниих хвилях.

. /. • . - в - • .

Пргмгамчна цінність роботи. Вивчені оптичні та люмінесцентні властивості нового твердого розчину заміщення Іпі_хТ1*-ї, перспективного для використання в ПЗОИЕНИХ елє- , центах пристроїв квантової та оптоелектроніки. Запропоновані нові методи вивчення властивостей неоднорідно-розширених станів, які основані на використанні техніки селективного збудження аі скануванням по довжині хвилі генерації.

Доотогірність отриманих результатів і гроблених на їх основі висновків базуються на використанні високоточних методик, апробованих раніше на Інших об'єктах, широкому використанні для обробки результатів вимірювань досконалої лабораторної обчислювальної техніки, розробкою адекватних теоретичних моделей, широким обговоренням результатів роботи на семінарах тконференціях.

Зміст роботи. Дисертація складається із вступу, п'яти розділів, заключения І списку цитованої літератури.

Перший розділ присьячений оглядові літератури. В ньому, на основі існуючих на момент виконання роботи теоретичних представлень, розглянуто основні властивості твердих розчинів заміщення напівпровідників, проаналізовано енергетичний спектр екситонів у двовимірному 1 сильноанізотропному середовищі. Показано, др у згаданих напівпровідниках відбувається якісна перебудова екситоннсго спектру в області дна зони провідності за рахунок як статичних дефектів, так і при динамічних (коливальних) порушеннях періодичності гратки. Де приводить до розмиття краю екситояної зони і можливості локалізації екситонів. Подаються основні положення про природу «юситонн.іх збуджень в напівпровідникових матеріалах типу х Аі-хВ*С та механізми і типи екситон-<*снонно1 взаємодії.

Виділено три головних механізми еки:їон-фононної взаємодії в напівпровіднтікових кристалах, які відрізняються своєю ефективністю: фреліхівська взаємодія екситонів в диполь-неактивними оптичним фононами; п'єасакустична взаємодія; взаємодія, що описується в наближенні деформаційного потенціалу. Звертається увага на перспективність досліджень матеріалів з проміжне» силою екситон-фононної взаємодії „ в яких можуть реалізуватись екситонні збудження перехідного типу . мід вільними і автолокалізованимн, Описано кристаг 1чну Судову і оптичні властивості ІпЛ і ти як базових сполук для досліджуваного твердого розчину, заміщення .

Другий розділ - методичний. В ньому розглянуто апаратурне забезпечення експерименту. Спектральні дослідиеннк аи-конані у співпраці з Інститутом фізики НАН України на двох автоматизованих на базі ЕОМ ДВК-? 1 стандарту КАМАК спектральних комплексах. Базовими приладами були серійні спектрометри СДЛ-2 та дас-12. Спектральні иирини щілин не перевищували О.інм. Похибка визначення коефіцієнта поглинання при _ дослідженні урбахівського їсраю поглинання Да<5Х. Монохроматичне збудження зразків при дослідженні спектрів вторинного випромінювання здійснювалось за допомогою блока лззєрьих джерел, що включав: серійні ОКГ на парі гелій-кадмієво! су-

міші (Хр-442,1км, Р-ІОмВт), . аюомо-ітрієвому гранаті (Хг-532ь1нм, г-8нс, Р-30кВт), а також розробленого в Інституті фізики НАН України лазера "Спектр-63” з можливістю змі-т довжини хвилі генерації (V-420-600нм, спектральна ширина пінії й\-0,1нм, т-бне, Р-ЮкВт). Стабілізація і вимірювання температури здійснювались в діапазоні 4,5-ЗООК з точністю <),1К за доп'могою терморегульованої кріостатної системи

УТРЄКС. їутжа опирано способи приготування зразків для досліджень та мотоди обробки спектрів.

• Третій роадід присвячений аналіву особливостей низькотемпературних спектрів поглинання і люмінесценції твердого розчину заміщення Іщ-хТІх-І. зумовлених процесами локалізації екситонів великомасштабними флуктуаціями складу. Виявлено і описано нову смугу випромінювання І* і досліджено П форму. Експериментально встановлено залежності; величин» стоксового зсуву еиситонноі смуги випромінювання Ід від концентрації х; виріши Іл - смуги випромінювання від х; інтегральної Інтенсивності екситонної смуги випромінювання від х; інтенсивності і спектрального положення максимуму смуги випромінювання від температури. На основі отриманих даних робиться висновок про реалізацію, починаючи г х-0,18, в досліджуваному твердсму розчині процесів захоплення акоитонів великомасштабними флуктуаціями складу. Вивчені особливості. екситонних спектрів поглинання в діапазоні значень коефіцієнтів 100*6000 см~3 для всіх досліджуваних матеріалів (х-С;

0,2; 0,4; 0,6) в широких межах зміни температури де справджується урбахівськє емпіричне правило. Це дало можливість знайти залежність ширини забороненої зони 1 напівширини ек-ситонної смуги поглинання від концентрації х, щр, в свою чергу, дозволило зробити розрахунок геометричних і енергетичних параметрів ям потенціального рельєфу. Сп1вставляючи екснтонні спектри поглинання і люмінесценції визначено вклад статичної складової роаупорядкування гратки у формування ур-бахївського крап.

Показано, «р крім статистичного розподілу нестехіомет-ричних атомів, можлива це й їх кластерна модель розподілу.

Доказом актуальності ефектів кластеризації дефектнії;! атомів в досліджуваному ТВЗН е прояв в спектрах фотолммінесценції їпо.езТІо. кластеркої фази ІпЛ.

Аналіз концентраційних залежностей ширини смуги випромінювання Ід і величини її стоксоиого зсуву виявив високу ефективність тунельного тргяспоріу в системі локалізованих екситонів, причиною якої махе бути утворення перколяційних кластерів по яких полегшено здійснюється такий транспорт.

В четвертому розділі вивчаються основні закономірності екситон-фононної взаємодії в 1 її прояв у аластя-

воотях екситонної сиуги поглинання.. .

Вваляється, що вплхв структурного розупорядкуванкя гратки адекватний дії хаотичного поля типу "білий шум". Збурення електронних зон таким полем веде до утворення "хвостів" густини станів, шо аналітично описуються виразом:

З другого боку, спектральний розподіл коефіцієнта поглинання в області "хво •■та" гуглини станів незалежно вадо-

ио і Ео - параметри фокальної точки, яка отримується при апроксимації краю поглинання речовини для рівних температур; Її* - енергія кванта;

0)

вільно описують емпіричним виразом Урбаха:

(2)

(З)

тут:

■ 1?- -

б(Т) - величина, що характеризує розмиття краю поглинання; бо - параметр, обериенопропорційний силі Л екситон- фононного зв'язку - бо-о/Л; Ы*ф - енергія кванта ефективного фонона. .. ’ , _ . . . ■ ' •

На основі експериментальних даних для ТРЗН !щ-хТ1кі проаналізовано конкуренцію вкладів від статичного і динамічного розупорядкування гратки у формуванні урбахівського краю поглинання. Показало, що вклад від статичного розупорядку-вання більш актуальний в нюшій частині (по енергії) "хвоста" густини станів, в так званій області точхи сингулярності Ліфшиця, в той час як у Еерхній частині --актуальніший вклад від екситон-фононної взаємодії. Досліджено температурні за-лелмості величини урбахівської константи б,, опектрального положення максимуму ЕеКс, напівширини Н/2 і інтегрального коефіцієнта ,ексцтонної. смуги поглина.ня. На їх основі робиться висновок про механізми дисипації енергії екситонного збудження, а також про те, щр за поведінку б(Т) відповідальна ’іелінійна екситон-фонониа взаємодія. Побудовано залежність бо(х), яка дозволила, зробити важливий висновок про можливість керування фундаментально» константою - силою ек-ситон-фононного зв'язку - шляхом зміни компонентного складу твердого розчину напівпровідника. Отримані дані із залежнос-теіі бо(х) співставлені з результатами теоретичних розрахунків. .

В останньому п'ятому розділі, на основі узагальнення існуючих експериментальних результатів, а також результатів отриманих автором, описано новий метод встановлення природи неоднорідного розширення екситонних станів. Для цього приведено дані про структуру низькотемпературних спектрів вторин-

• - 13 -

ного випромінювання при селективному збуджені в область не-одноріднорозширених станів у випадку кристалів, де головний вклад в розширення вносять; світло-екситонна взаємодія (НєЛг). ькснтон-фононна взаємодія (СсМг), вплив хаотичних електриччет полів (РЬі-хМїх-ї, Іпі-хТІх-О-

Показано, до незалежно від природи неоднорідного розширення, в усіх трьох випадках екситонний спектр випромінювання розшаровується на дпі компоненти, що відповідають ріанин стадіям релаксації екситонішк збуджень. Відмінності полягають в тому, щр таке розшерування спектрів на дві компоненти у випадку світло-екситончого змі^аування і впливу статичного розупорядкуваяня гратки проявляється при селективному збудженні зразків в область неодиоріднсрогівиреїтх станів, а у випадку автолокаліаації екситонів - тільки при зона-зонному збудженні, або при збудженні метастабільних вільних екситонів. Поряд з цим відмінності полягають і в природі такого свічення.

В заювоченні роботи подані основні результати і сформульовані висновки.

Апробація роботи. Уичріали дисертації доповідались і обговорювались на міжнародній конференції "Нові фізичні проблеми в електронних матеріалах” (Болгарія,Вариа, 1992 р.). Школі-семінарі СНД по динаміці структуроутворення (Самарканд, 1992 р.), Всесоюзній конференції “Сучасні проблеми статистичної фізики" (Львів, 1987 р.), Науково-практичному семінарі "Оптика і спектроскопія 1 їх використання г народному господарстві” (Кам'янець-Подільський, 1992 р.), XV Пекарівській нараді по теорії напівпровідників (Львів, 1092р.). .

- .14 -

Публікації. За матеріалгми роОоти опубліковано 9 наукових праць, перелік яких подано й кінці автореферату.

Структура та обЧ* лисе-ртаціУ. Дисертація складається із вступу, чотирьох розділів і гакшчення. Список цитованої літератури вкяючае 122 джерела. Загальний об'єм роботи ІБв сторінок. '. .

Основні результати та шюковян

Підводячи підсумки проведених досліджень і аналівупчи отримані результати модна зробити ряд узагальнюючих висновків: . • . .

1. У неперервному твердому розчині заміщення Іпі-кТІхЛ

в усьому діапазоні аміни х в поляризації світла Е|с крайове поглинання в області із екситонної смуги аадовільняє правилу УрОаха. • '

2. В низькотемпературних спектрах фотолюмінесценції

1пі_хТІхі починаючий х-0,і8 виявлена нова смуга випромінювання Іл, . вперше досліджені властивості якої дозволяють пов’язати П природу а екситонами, локалізованими великомасштабними дефектами, зумовленими композиційним розупоряд-куваиням йх. Визначено поріг термічної делокаліаації таких збуджень Т=»40К. ■ • .

3. На основі співставлений спектрів екситонного поглинання в області урбахівського краю і люмінесценції в Іпі-хТІхЛ встановлено, що вплив композиційного розупорядку-Еання в цьому матеріалі у формуванні урбахівського поглинання актуальніший в області точки сингулярності Ліфшиця, а в більш високоенергетичній області основний вклад вносить нелінійна екситон-фононна взаємодія.

4. Дослідженнями спектрів поглинання » ойт'М урОа-XІВСІІКОГО Кіш ДЛЯ рівних 8ИП(№НЬ X И ІПі-хТІн/ ИИИШЮ1Ю ва-гшііоть у;Л'іЯUci.noІ константи бо ВІД х. на основі чого зроблено аксноаон про оросгйн.мі сти екситон-фононної моае-моді! піт вшІиі агоміа Індій на агами талію, Знайдені /«5оо-лютні зивчеїшц бо покааують ( т почингтт в х-0,3 к дошіїд-КуЕНЖМ /ЮРНШУ РОЗЧИН)»! редлівуег«.ин иКСИТОИчЦіОІІОНІШЙ ИЗ'йВОК РРОМІЖІОІ сили, при якому можлива утиореиіш бКПИТОН" «кх ебуджіні нового типу - олоОовв'яаднкх стаді» »іКШтоні» І де<ї»рмлц1? гратки. .

6. Дослідмна І прошіаяігювана температурна належність максимуму вкситоиної смуги поглинання Е«ис(Т) в Порівняння аадшіоагвЯ КиксСТ) і й(Т) дозволило оробмти »м-скоеок, ио у формуванні урбгкі всякого крад смуги поглинання

. суттєвим е цнесок ТІЛЬКИ ПІД НОЛІНІЙНОЇ ПО фононних ОІТврад)* рох еконтон-Фоконно! енамодИ,

в. На основі вивчошш температурного ;к;уиу тктущі, иаліяіи;іриии, Інтегрального коефіцієнта поглинення » 1пі-хПй/ (н-0; 0,1; 0,2і 0,4і 0,6) ьстажшеко, вдз 9 їлоніу матеріалі реалізуються характориї дисипативні екситон»1 прс~ даси, які вдасіиві для мі тушіил структур - [юасіячіїя #кри* токів іш вгшиих камшіш та итьк/жнергвітних опттіщ фононах.

7. Нокаашю» «р н«а<ш?дно 8Ід природи изоднорідмого рогаироиня екснтоянних зон, відпозідний спектр ни-з&иот<гмп$-

РЗТУРЙОГО МЕСНОГО »ИПрОМП>»ВДНИЯ - Д60ХК0МШ<«ЧП(ИЙ; Ярм

кї-сиу шїіш із штатні відповідає еиснтежяим збудникам на рівних стадіях редаисацП. .

8. Заяропоисгано і ш лдошщі медальних об'єкті* Иуіг,

. - 16 - .

CdJ2. Pbl-KMr\xJ2, які відрізняються силою світяо-екснтошюго вмішування, екситон-фочоиного зв’язку І ступенем структурио-го розупорядкування, реалізовано метод визначення природи неоднорідного розширення екситонних зон на основі аналіау структури низькотемпературних спектрів вторинного випромінювання при селективному збудженні речовин в область неоднорідно розширених станів. •

Результати дисертації опубліковані в таких основнке роботах:

1. Стецив Я.И., Лунь 0.0.» Юречко Р.Я. Структурные фак-

торы и функции распределения атомов для неупорядоченных кш-денсированных систем по электронографическим данним//В кн. "Современные проблемы статистической физики”, Тез. докл. Всессюз. конф. чЛГ, Киев, 1S87, с. 142. '

2. Андрейко А.М., Френчко B.C., Лунь 10.0.. Сороківсьхий

A.M. Близький порядок в аморфних шарах InSb 1 (ЗаЗЬ//Вісник Львів, ун-ту, сер.фіз., 1969, вш.22, "®1зичне катєріадоз-

навстЕо”, с. 97-101. .

3. Блонський І.В:, ЛуньЮ.О., ФранівА.В., Бігун М.В.

Екситони в твердих розчинах заміщення з композиційним розу-порядкуванкям Ілі-хТ1^*//Укр* фіз.журн., 1992. т.37, N4.

с. 547-550. • . ■ • ■

4. Вродин М.С., Блонский Й.В., Бигун М.В., Лунь Ю.О., Франив А.В. Экситоньг в условиях статического и динамичесшго разупорядочения решетки в Іпі-хТІхі./^Укр. фіз. журн. 1Q92. Т.37, N7. С.971-976.

5. Блонский Й.В., Каратаев В.Н., Лунь Ю.О., ©ранив А.В. Зффекты статического и динамического разупорядочения решетки

в собственной люминесценции слоистых полупроводникоэ//Тез. докл. конф. "Сгруктурко-динамкческие процессы в неупорядоченных стредах", Самарканд, 1992, с.104.

6. Блонский И.В., Лунь Ю.О., Франив А.В. 0 природа кра-

евого поглощения твердых растворов полупроводников Inj-xTlxJ// В кн. "Оптика и спектроскопия и их применение в народном хозяйстве и экологии", материалы науч.-практич. семинара, Каменец-Подольский,'1992, о.10. .

7. Вродин М.С., Блонський I.B., франів А.В., Лунь Ю.О. Селективна спектроскопія неоднорідно розупорядкованих екси-тояних станів в шаруватих напівпровідниках//Тез. докл. XV Пекарйвского совещ. по теории полупроводников, Львов-Донецн-, 1992, с.10.

8. Бродин М.С., Блонский И.В., Каратаев В.Н., Лунь 0.0., НаСитович И.Д. Спектры вторичного излучения полупроводников со слоистой структурой и различной природой размытия эксл-тоняьгх зон.//Укр. фіа. кури. 1992. т. 37, N11, о. 1Є83-ів&Ч,

9. Blonski I.V., Loon Yu.O. and Bigun М.I. Excitons in layered structures under statical and dynanlcal disordering//International Conference "New physical problems in electronic materials", Bulgaria, Varna, sept. 1992, p.98.

- 10 ~

Лунь 0.0. "Эдикты статического и Динамического ргшуио-рпдстиия роиштки в оптических опойотййх олоиотш подупро-йодниковмх материалов' .

Диссертаций на соискание ученой итепоми кандидата фиэи-. ко-мптоматичоетм* наук по опециашюоти 01.04.10 - Фиоика полупроводников и диэлектриков, Львовский гооудпротпетшй университет, Львов, ШЬ.

Изучена конкуренции процессов ло1ти8йции экоитонов ируттмпоштгЮпими фдуктушмми соотаьа и нелинейного экои-тон-1{шо11ного взаимодействии & формиров*ыши неоднородного уширемш якситонних полос в твердом растворе вамещекяя 1П1-кТ1х>1* Развит новый метод определения природы Ийоднород-ноге уишрении йкситонних состонний» основанный на вручении сооотвенных спектров вторичного излучении при использовании техники селективного возбуждения обраоцов. Метод апробирован на примере слоистых полупроводников 1п1~кТ1х-1. И^й, сМ.Га, Ич -хММй. отлнч;.1мцихс« силой свето-экситонного, »кои-тон-фононного взаимодействия и мерой статического рапупоря-ДОЧеНИН решетки. '

. - 19 -

' (.oiin yu.Q; Efects of statla and dynamic lattice disordering In optical properties of semiconductor layered piaterials. The thesis for obtaining the degree pf candidate of physical and mathematical sciences on the speciality

01.04. № - Physics of semiconductors and insulators. Uvlv State University. lylv, ІЩ5.

The competition of the ttfo processes taking place In

forming an uphomogeneons broadening of exclton hands In the sollj solution qf replacement Jn*-,<Tlx,J is studied. The

first of the two Is tft# exc^tops Iqcalizatlqri t.he

larae-scale fluctuations of the composition and the second Is a nor»-linear exciton-phonpo interaction. A new jnethod of deterging the origin of the exoltpn states unhqmogeneous broadening, based on the study pf the Intrinsic secondary emission spectra by means of selective excitation of the specimens Is developed. The method was eyaluated In treatment of layer. semiconductors Mi-xTlxJ, HgJa. CdJ2, Phj-xMnxj)2, which are distinguished by the strength pf photon-exciton arvl exciton-phonon interactions anJ by thj degree of static lattice (disorder.

Кутові слова: екситраи, докадіеація, автодокаліаація,

композиційне роаупорядкуьанця гратки, спектри, пог^иііаїшя, дшінесцеиція. '