Экситон-фононное взаимодействие в процессах оптического поглощения и катодолюминесценции кристаллов AgBr-xClx (О < х < 1) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

<

111ЛАБЛН НИЗАР

ЯКСИТОН - ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ПРОЦЕССАХ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ И КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КРИСТАЛЛОВ АгВГ1-хС1х ( О < х < 1)

01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико - математических наук

МОСКВА - 1996

Работа выполнена в*Московском энергетическом институте (Техническом университете) на кафедре Физики и технологии электротехнических материалов и компонентов и Московском Государственном Университете на кафедре физики полупроводников.

Научные руководители: Кандидат технических наук, профессор

Ведущая организация: Московский Государственный институт

стали и сплавов (технологический университет)

Защита состоится " /б"" 1996 г. в аудитории Г-У06

в час. РО мин. на заседании диссертационного Совета

Д 053.16.06. Московского энергетического института по адресу: 111250, Москва Е -250, Красноказарменная ул., 17. МЭИ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МЭИ. Отзывы на автореферат просим направлять по адресу: 111250, Москва Е - 250, Красноказарменная ул., 14, Ученый Совет МЭИ.

ФИЛИНОВ В.А.

Кандидат физико - математических наук доцент ЧУКИЧЕВ М.В.

Официальные оппоненты: Доктор физико-математических наук,

профессор МОРОЗОВА Н.К.

Доктор физико-математических наук,

профессор НИКИТЕНКО В.А.

Автореферат разослан 1996 г.

Ученый секретарь диссертационного Совета Д 053.16.06 канд. физ.-мат. наук

КАРЕТНИКОВ И.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

1- Актуальность : Совокупность свойств галогенидов серебра АгВг, АгС1, и их растворов А{?Вг1-хС1х обуславливает их широкое применение в самых различных областях науки и техники. До сих пор не найдено материалов способных конкурировать с галогенидами серебра в фотографии, в фотохромной оптике, в твердых электролитах. Другая область применения связана с прозрачностью кристаллов галогенидов серебра и их твердых растворов в широком спектральном диапазоне от 0.5 до 15-20 мкм и с возможностью получения из них методами пластической деформации оптических элементов, например световодов. В отличие от других материалов, прозрачных в ИК области спектра, световоды из галогенидов серебра не токсичны, практически не гигроскопичны и обладают высокой механической прочностью. Эти преимущества позволяют разрабатывать и применять световоды из этих материалов как наиболее перспективные в лазерной медицине и технологии Ш.

Известно, что уменьшение фоточувствительности А^Вг, А{£С] достигается глубокой очисткой кристаллов, при этом значительно уменьшаются и оптические потери в ИК-диапазоне [21.

Галогениды серебра являются интересными и с точки зрения Фундаментальной физики. Так, ряд твердых растворов А£ВГ1-Х С1х (О < х < 1) представляет собой уникальную систему, в которой при х= 0 существуют свободные экситоны, при х = 1 - автолокализован-ные экситоны, а в интервале 0.3< х <0.5 сосуществуют автолокали-зованные и свободные экситоны 133. Это дает возможность исследовать влияние состава твердого раствора на процессы экситон-фонон-ного взаимодействия, обуславливающие автолокализацию.

Широкое применение галогенидов серебра в науке и технике делают актуальными все более детальное исследование их фундаментальных оптических свойств и илияния на эти свойства примесей, дефектов и внешнего воздействия.

В настоящей работе эти задачи решаются путем исследования края фундаментального поглощения и катодолюминесценции.

2 - Цель работы:

Исследование температурной зависимости края фундаментального поглощения и катодолюминесценции галогенидов серебра и их твердых

растворов АкВг-1-х С1Х ( 0 < х $ 1).

На основе полученных экспириментально параметров Урбаха изучено процесса зкситэн - фононного взаимодействия в этих материалах

3 ~ Научная новизна:

Получены параметры правила Урбаха для твердых растворов А^Вг[-х г']х ( О -V х < 1), определяющие эффективность экситон -фононного взаимодействия в процессах краевого фундаментального поглощения в области энергий непрямого экситона в интервале температур 140 400 К.

Проведены исследования спектров катодолюминесценции кристаллов А^Вгг х С1Х ( О < х $ 1) при высоких уровнях возбуждения в интервале температур 78 - 350 К, что позволило проследить влияние экситон - фононного взаимодействия и несовершенств кристаллической решетки ( дефектов, флуктуационной неоднородности и др.) на процессы излучательной рекомбинации.

Установлено, что при 78 К автолокализация экситонов в кристаллах 1-х С1х происходит при х 0.4 .

Установлено, что при комнатной температуре краевая полоса люминесценции кристаллов А^Вга-х С]х формируется в результате наложения трех широких полос, образующихся в результате излучательной рекомбинации свободных непрямых экситонов, свободных электронов и дырок и автолокализованных непрямых экситонов при интенсивном электрон фононном взаимодействии, причем роль последнего фактора все более возрастает по мере увеличения количества АрС1 в раствор*.

В методическом плане новизна работы заключается в разработке оригинальной методики исследования края фундаментального поглоще ния, позволяющей в кристаллах А^Вг]-х С1Х ( 0 < х < 1) надежно отделять процессы поглощения света в области энергий непрямыми экситонов от процессов, связанных с прямыми переходами, а также в исполблонании импульсного ( О.Ь мкс) возбуждении крист;шюв пучком электронов, что позволило исследовать процессы люминесценции при высоких уровнях возбуждения и в интервале температур 70 -350 К.

4 - Пиитическая значимость^

Результаты проведенных исследований могут быть использованы для разработки методов диагностики дефектности решетки и содержа-

ния примесей в кристаллах бинарных соединении АгВг, А^С1 и их твердых растворов, необходимы для оптимизации технологии получения кристаллов и их обработки для применений в оптоэлектронике.

5 - Основные результаты, выносимые на защиту:

1. Показано, что низкоэнергетический край фундаментального поглощения в нелегированных кристаллах твердых растворов А£ВГ1-хС1х и в кристаллах и их исходных компонент формируется путем взаимодействия непрямых экситонов с продольными оптическими фононами. При этом в первичном акте поглощения кванта света для всех составов твердого раствора и при всех температурах в интервале 78 - 350 К образуются свободные экситоны с участием двух фо-поноп.

2. Показано, что при низких температурах константа экситон -фононного взаимодействия возрастает с ростом концентрации хлора в твердом растворе, причем тем сильнее, чем температура ближе Т » 78 К. При температурах выше 400 К константа экситон - фононного взаимодействия практически перестает зависеть от состава раствора.

3. Показано, что в твердых растворах АдВГ1-хС1х энергия продольного оптического фонона линейно растет с увеличением х.

4. Показано, что низкоэнергетическое плечо полосы катодолю-минесценции свободного экситона в кристаллах АйВг определяется правилом Урбахз, энергетический параметр которого с ростом температуры растет сверхлинейно, согласуясь с данными по исследованию длинноволнового края фундаментального поглощения в области энергетического спектра непрямого экситона.

5. При температуре 78 К в спектрах катодолюминесценции кристаллов твердых растворов АеВг1-хС1х излучательная рекомбинация свободных экситонов наблюдается при значениях х < 0.4, при х > 0.4 происходит практически полная автолокализация экситонов. В интервале 0 < х < 0.4 положение линии свободных экситонов смещается в сторону больших энергий линейно с ростом х.

6. Краевая полоса катодолюминесценции твердых растворов АеВг1-хС1х при комнатный температуре формируется по крайней мере тремя механизмами: излучательной рекомбинацией свободных экситонов, свободных электронно - дырочных пар и автолокализованных экситонов, при этом роль последнего механизма все больше возрастает при увеличении х.

- б -

6 ~ Объем и структура работы:

Диссертация изложена на 128 страницах, включая 80 стр.текста, иллюстрируется 39 рисунками, 2 таблицами и состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы из 87 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

отмечены актуальность , основные задачи и научная новизна диссертационной работы, ее значимость . объем и структура.

Первая глава представляет собой краткий облор литературы, гди рассматривается строение кристаллической решетки галогенидов серебра и методика расчета зонной структуры, общие представления об укеитонах и экситонном поглощении, электронных переходах и эк-ситон - фононное взаимодействие при поглощении квантов света.

Рассмотрены эмпирическая связь между коэффициентом поглощения в области края фундаментальной абсорбции и температурой, именуемая и научной литературе правилом Урбаха, особенности выполнения этого правила в кристаллах AgBrl-x С1х ( 0 < х ч 1) и их интерпретация как проявление зкеитон - фононного взаимодействия в процессе поглощения света. Показано что, характер поглощения света в спектральной области, энергетически близкой максимуму экси-тонной полосы, обусловлен взаимодействием экситонов с колебательными модами кристалла - фононами.

В ранних работах по исследованию фотолюминесценции показано, что кристаллы АйБг. А&С1 имеют весьма высокий квантовый выход люминесценции. Низкотемпературные исследования фотолюминесценции показали, что в А^Вг имеет место излучательная рекомбинация свободных и локализованных на примесных центрах экситонов, а в кристаллах А^С! наблюдается излучательная рекомбинация автолокализо-ванных экситонов. В люминесценции твердых растворов АеВг1-х С1х свободные экситоны можно наблюдать только при х < 0.45, а при больших значениях х происходит их автолокализация,что является следствием роста эффективности экситон - фононного взаимодействия при увеличении содержания компоненты А^С1 в растворе. В люминесценции это проявляется в сильном стоксовом смещении и уширении экситонной полосы.

Обзор литературы по исследованию спектров краевого поглощения и люминесценции кристаллов галогенидов серебра показывает, что, несмотря на значительное количество опубликованных работ, фундаментальные вопросы экситон - фононного взаимодействия в этих кристаллах и, в частности в кристаллах их твердых растворов, не до конца решены. К числу этих задач относится и теоретическое обоснование правила Урбаха.

Вместе с тем, край фундаментального поглощения света и спектры люминесценции очень чувствительны к составу твердого раствора и наличию примесей в кристаллах. Поэтому детальные экспериментальные исследования края фундаментального поглощения и катодолюминесценции чистых кристаллов А(гВг1-хС1х (0 < х <1 ) в зависимости от х позволят в дальнейшем использовать эти результаты для определения состава и степени чистоты кристаллов по спектрам края фундаментального поглощения света и люминесценции.

Таким образом, в данной работе ставится задача детальных исследований края фундаментального поглощения света и спектров катодолюминесценции кристаллов А^Вг, АйС1 и АеВг1-хС1х с целью получения новых экспериментальных данных об экситон - фононном взаимодействии при межзонных электронных переходах в области энергетического спектра непрямых экситонов и температурном интервале 78 - 500 К.

Во второй главе дается описание объектов исследования, а также методики получения требуемой толщины образцов и обработки их поверхности, необходимой для проведения исследований температурной зависимости длинноволнового края фундаментального поглощения (ДКФП) и катодолюминесценции.

Представлены блок схема автоматизированной установки для исследования температурной зависимости ДКФП в области энергией 2 - 3.5 эВ и в интервале температур 140 - 490 К, а также блок схема установки для исследования температурной зависимости спектров катодолюминесценции в интервале температур 78 К - 350 К. Описаны методики расчета коэффициента поглощения и оценки экспериментальной погрешности.

В третьей главе обсуждаются результаты исследований по определению параметров правила Урбаха для твердых растворов

А£Вг1~.кС1х ^0 < х < 1) на краю полосы непрямых перг-ходов, выражаемого формулой :

К (ЕЛ) = К0ехр[(Е-Е0)6/кТ] ( 1 )

где, К - коэффициент оптического поглощения в области ДКФП,

Е - энергия фотонов,

Т - температура,

к - постоянная Вольцмана,

Ес. К0, б параметры правила Урбаха.

В первой части главы обсуждаются результаты по исследованию влияния толщины образца на экспериментально получаемую величину параметра Е0 правила Урбаха. В галогенидах серебра поглощение света на длинноволновом краю фундаментальной полосы происходит как в результате прямых, так и непрямых межзонных переходов. Как и в других ионных кристаллах, при обоих типах переходов происходит эффективное экситон-фононное взаимодействие. Из - за этого происходит сдвиг длинноволнового края поглощения прямых переходов в область края непрямых переходов и в значительном интервале энергий квантов света имеет место перекрытие полос поглощения. Так как параметры правила Урбаха Ко, Е0 и 6 для прямых и непрямых переходов отличны друг от друга, то расчеты этих параметров по зависимости К (Е) для непрямых переходов, которые прежде всего нас интересуют, будут искажены в сторону их завышения. Поэтому правильный выбор области энергий для измерений К (.Е) и выбранной для этой цели толщины образца имеет очень большое значение для нггдежного определения параметров Ко, Е0 и б, соответствующих непрямых переходам. Экспериментально показано, что для правильного определения этих параметров правила Урбаха для непрямых переходов необходимо использовать образцы кристаллов ЛвВг1-хС1х толщиной с1 не превышающих 0.2 см.

Во второй части главы приведены результаты исследований температурной зависимости параметров правила Урбаха. Эксперименты показали, что для всех образцов на кривой зависимости 1п К = ПЕК изображенной в координатах (1п К, Е), имеется линейная область. Наклон этой прямой зависит от температуры и состава твердого раствора и определяется параметром б (Т, х) правила Урбаха.

Экстраполяция прямых, полученных при разных температурах опыта, в сторону увеличения зночений 1п К и Е, приводит их к пересечению с большой точностью в одной точке, которая и определяет параметр правила Урбаха Кс и Ес.

Эксперименты показали, что параметры Ко и Е0 практически не зависят от температуры, а характеризуют свойства кристаллов твердых растворов галогенидов серебра, зависящие от их состава.

Таким образом, температурная зависимость края фундаментальной полосы поглощения в области непрямых переходов определяется в основном параметром б (Т, х) правила Урбаха. Показано что б нелинейно з;ависит от Т в интервале от 140 до 500 К . При этом в оО ласти высоких температур б стремится к некоторому значению б0, слабо различающемуся для разных составов, а в области низких температур температурная зависимость б усиливается и возрастает его зависимость от х.

Экспериментальные кривые б (Т, х) можно описать выражением:

б = б0 * (2кТ/Ы) * ич (Ы /2кТ) ( 2 )

где б0 - константа, не зависящая от температуры, но зависящая от. х, а Ьы - энергия фонона, наиболее эффективно участвующего в процессах экситон - фононного взаимодействия. Формула ( 2 ) позволяет определить зависимость величины б0 и Ьи от состава твердых растворов х.

Для этой цели нами было проведено численное моделирование экспериментальных кривых. Используя специальную программу, на электронно-вычислительной машине для каждой экспериментальной кривой, полученной при конкретном значении х, были подобраны величины б0 и Ьо), так чтобы числено расчетные кривые наиболее точно аппроксимировали экспериментальные данные.

Интерпретация экспериментально полученных зависимостей параметров Е0, б и от состава раствора проведена в третьей части главы.

Параметр Ео с увеличением х от 0 до 1 растет нелинейно, постоянно оставаясь больше значения энергии непрямых экситонов переходов . Это показывает, что при поглощении света в полосе непрямого зкситона во всем интервале составов 0 < х <1 первоначально образуются свободные экситоны, а автолокализация, которая

имеет место при х > 0.45, как это показали исследования катодолю-минесции . происходит в результате последующей за актом поглощения релаксации.

Анализ экспериментальных данных по исследованию зависимости параметра б от температуры и состава AgBri-1х позволил определить зависимость энергии фононов hw в формуле (2) от состава твердого раствора.

Предполагая, что при переходе электрона из вершины валентной зоны (находящейся в точке 1_з(Д) зоны Бриллюэна) на дно зоны проводимости (находящейся в центре зоны - точка Г), в процессе поглощения сиетл участвуют оптические фипоиы LO (Г), энергии которых согласно литературными данным в AgBr и AgCl соответственно равны 17 и 24 мэВ , приходим к выводу, что образование свободного экси тона происходит с участием двух оптических фононов. Качественно, рост энергии фомином I.' подрастанием к от ;<н до ¡..1 m:iH согласуется с теоретическими представлениями о зависимости энергии оптических фононов от массы молекул компонент состава и увеличения упругости кристаллической решетки твердого раствора с увеличением компоненты AgCl.

В четвертой главе Обсуждаются результаты исследований спектров 1сатодолюминесцеиции ( КЛ ) в интервале температур 78 - 350 К с целью получение данных об энергетическом спектре, процессах из-лучательной рекомбинации и влияния электрон ( экситон) - фононного взаимодействия в кристаллах AgBr, AgCl и их твердых растворах.

В первой части главы обсуждаются результаты, полученные на нелегированных кристаллах AgBr . Показано, что при азотной температуре спектр состоит из двух полос: полосы излучательной рекомбинации свободного экситона с hvMaj< - 2.671 эВ и полушириной Д1/2 = 22 * 1 мэВ и примесной полосы с hvMaK = 2.458 ± 0.005 эВ и Д1/2 = 135 -t 10 мэВ .

Показано, что в достаточно чистых и совершенных кристаллах интегральная интенсивность экситонной полосы практически остается постоянной во всем температурном интервале от 78 до 350 К, в то время как примесная полоса с ростом температуры тушится с энергией активации ДЕ = 75 ± 5 мэВ. Примесная полоса КЛ может быть результатом излучательной рекомбинации связанных на остаточных примесях или других дефектах экситонов.

В интервале температур 150 - 350 К , полоса свободного экси-тона линейно смещается в сторону меньших энергий с коэффициентом а - 8.33 * 10~4 эВ / К, который с точностью до экспериментальной ошибки совпадает с литературными данными, полосы экситонной для их полученными при исследовании длинноволнового края фундаментальной полосы поглощения AgBr.

Летальное исследование температурной зависимости формы длинноволнового плеча полосы КЛ свободного экситона показало, что она определяется правилом Урбаха

I = Io ехр - ( Emax - h\> ) / Е0 ( 3 )

где Е0 - энергетический параметр, зависящий от температуры.

Параметр Е0 с ростом температуры увеличивается сверхлинейно и отображает эффективность экситон - фононного взаимодействия, а также влияние флуктуационного размытия краев зон на процесс излу-чательной рекомбинации свободного экситона.

Во второй части четвертой главы излагаются результаты по исследованию КЛ нелегированных кристаллов AgCl. Показано, что в этих кристаллах в интервале температур 78 - 350 К спектр КЛ сос-. тоит из одной полосы с hvMaK = 2.458 ± 0.01 эВ, Л1/2 » 284 ± 5 мэВ при 78 К и hvMaK = 2.45 ± 0.02 эВ, Д1/2 - 390 ± 10 мэВ при 300 К.

Таким образом, с ростом температуры энергетическое положение максимума полосы КЛ практически не изменяется, а ее полуширина значительно увеличивается. Анализ полученных результатов показывает, что в кристаллах AgCl вследствие сильного экситон - фононного взаимодействия происходит автолокализация экситонов, приводящая к смещению энергетического положения полосы люминесценции относительно линии свободного экситона примерно на 0.75 зВ и сильному ее уширению полуширины.

В третьей части четвертой главы исследуются спектры катодо-люминесценции нелегированных твердых растворов AgBri-xClx ( О < х V 1) при азотной и комнатной температурах. При значении х < 0.45 и температуре 78 К спектр КЛ состоит из двух полос, представляющих полосу излучательной рекомбинацию свободного и автолокализо-ванного экситонов. При х > 0.45 экситоны полностью автолокализу-ются. С ростом содержания AgCl линия свободного экситона в облас-

ти х < 0.45 смещается в сторону больших энергии линейно с х. в соответствии с увеличением ширимы непрямой запрещенной зоны А£Бп-хС1х. Полуширина полосы свободного экситояо увеличивается, что соглащется с возрастанием эффективности экситон - фононного взаимодействия, а также флуктуационной неоднородности раствора.

Спектральное положение максимума полосы ИЛ автолокализован-ных экситонов практически не зависит от х и соответст1^ет Ьумак = 2.45 1г 0.02 эВ, что совпадает с положением полосы КЛ нелегированных кристаллов А^С].

При комнатной температуре спектр КЛ кристаллов ЛеВг1-хС1х состоит из одной широкой полосы, которая с увеличением х смещается в сторону меньших энергий. Такое ее поведение показывает, что при комнатной температуре полоса краевой люминесценции определяется несколькими механизмами излучательной рекомбинации: рекомбинацией свободных экситонов и дырок, свободных непрямых экситонов и автолокализованных экситонов. При увеличении х все более определяющую роль начинает играть рекомбинация автолокализованных экситонов, что и приводит к смещению полосы в сторону меньших энергий.

Основные результаты работы могут быть сформулированы следующим образом:

В работе проведены комплексные исследования спектров поглощения и гатодолюминесценции вближи края фундаментальной абсорбции для галоидных кристаллов серебра АйВг, АеС1 и их твердых растворов в интервале температур от 78 до 350 К. На основе анализа полученных при этом экспериментальных результатов можно сделать следующие основные выводы:

I. Покахши, что пизкипнорготичсокнй край фундаментального поглощения в нелегированных кристаллах твердых растворов АкВг1-хС1х и в кристаллах их исходных компонент формируется путем взаимодействия непрямых экситонов с продольными оптическими фоно-нами. При этом в первичном акте поглощения кванта света для всех составов твердого раствора и при всех температурах в интервале 78 - 350 К образуются свободные экситоны с участием двух фононов.

'¿. Показано, что при низких температурах константа экситон -фононного взаимодействия возрастает с ростом концентрации хлора в

растворе, причем тем сильнее, чем температура ниже Т -- 78 К. При температурах выше 400 К константа экситон - фононного взаимодействия практически перестает зависеть от состава раствора.

3. Показано, что в твердых растворах АгВГ1-хС1х энергия продольного оптического фонона линейно растет с увеличением х.

4. Показано, что низкоэнергетическое плечо полосы катодолюминесценции свободного экситона в кристаллах АеВг определяется правилом Урбаха, энергетический параметр которого с ростом температуры растет сверхлинейно, согласуясь с данными по исследованию длинноволнового края фундаментального поглощения в области энергетического спектра непрямого экситона.

5. При температуре 78 К в спектрах катодолюминесценции кристаллов твердых растворов АдВг1-хС1х излучательная рекомбинация свободных экситонов наблюдается при значениях х < 0.4 , при х > 0.4 происходит практически полная автолокализация экситонов. В интервале 0 < х < 0.4 положение линии свободных экситонов смещается в сторону больших энергий линейно с ростом х.

7. Краевая полоса катодолюминесценции твердых растворов ЛгВг1-хС1х при комнатный температуре формируется по крайней мере тремя механизмами излучательной рекомбинации: рекомбинацией свободных экситонов, свободных электронно - дырочных пар и автолока-лизованных экситонов, при этом роль последнего механизма все больше возрастает при увеличении х.

8. Показано, что полученные результаты могут быть использованы для разработки методов диагностики дефектности решетки и содержания: примесей в кристаллах бинарных соединении АйБг, Ай€1 и их твердых растворов.

Основные результаты работы изложены в следующих публикациях:

] . Н. Шаабан, Л. Григорьева, Д. Миллере. Экситон-фононное взаимодействие в смешанных кристаллах галогенидов серебра. Латвийский журнал физики и технических наук. 1993, N.6. С. 34 - 37 (на англ. яз.).

2 . Н.Шаабан, Д. Миллере, Л. Григорьева. Правило Урбаха в смешанных кристаллах галогенидов серебра ЛгВг1~хС1х. ФТТ. 1995. Т. 37. N. 4 . С. 1192 - 1197.

3 . Н.Шаабан, Л. Григорьева. Правило Урбаха в системах

а£вг1-хс1х и их твердых растворов, Тезисы докладов . 10-ой научнной конференции Латвийского университета, 14 - 16 февраля 1994г.. С,21. (Рига, 19941 (на англ. яз.').

4 . Л. Григорьева , Н.Шаабан, Д. Миллере. Экситон-фононное

взаимодействие и правило Урбаха в системах АеВг1-х С1х (04x^1). Тезисы Международной конференции по экси-тонным процессам в конденсированных средах. Австралия, Дарвин, 19 - 22 июля, 1994. С.32 (на англ. яз.).

5 . Шаабан Н., Чукичев М.В. , Лигачев В.А. , Один И.Н., Фи-

ликов В.А. . Катодолюмииесценция AgCl , АйБг и А^Вгг-х С1Х ( 0 < х <1) . Тезисы докладов Международной конференции по электротехническим материалом и компонентам , 2-7 Октября, 1995. Крым. С.50.

Подписано к печати Печ. л. 10

Тираж ЮО заказ Мб

Типография МЭИ, Красноказарменная, 13.