Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов бора тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО ИЗУЧАЕМОМУ МАТЕРИАЛУ И

ИЗУЧАЕМЫМ ЭФФЕКТАМ.

§ 1Л. Структура и электрофизические свойства бора

§1.2. Эффекты переключения в полупроводниках

§1.3. Долговременно релаксирувдие проводимости в полупроводниках

§ 1.4. Эффект фотоэлектрической утомляемости в полупроводниках

§1.5. Фотопроводимость и фотоэлектрическая память в боре.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗНЫ.

§ 2.1. Образцы.

§2.2. Методика и техника электрических измерений

§2.3. Схема фотоэлектрических измерений

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ БОРА

§3.1. Токи, ограниченные пространственным зарцдом в монокристаллах бора

§3.2. Эффект переключения в ^-ромбоэдрическом кристаллическом и нитеобразном боре

§3.3. Электрическая память в кристаллическом и нитеобразном боре

§3.4. Механизм эффекта переключения и электрической памяти в монокристаллах бора.

ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ БОРА.

§4.1. Термостимулированная проводимость в монокристаллах бора.^д

§4.2. Фотопроводимость и остаточная фотопроводимость в монокристаллах бора

§4.3. Эффект фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах бора

§ 4.4. Модельные объяснения фотоэлектрических явлений в монокристаллах бора

ГЛАВА 5. НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВОРА

§5.1. Терморезисторы на основе монокристаллов бора

§ 5.2. Элементы электрической и оптической памяти на основе монокристаллов бора

§5.3. Датчики давления на основе монокристаллов бора Ю

Актуальность теш. Развитие современной науки, техники и производства неразрывно связано с созданием новых приборов и аппаратур, способных работать при обычных и особо жестких условиях. Ранее такие приборы в основном изготавливались на основе таких хорошо изученных полупроводников как германий, кремний, арсенид галлия, селен. В последние годы сильно возросло число материалов, позволяющих наметить пути создания твердотельных приборов естественно новыми характеристиками и возможностями.

Одним из таких полупроводников является бор. Этот материал относится к числу малоизученных полупроводников и исследован лишь с точки зрения металлургии, кристаллохимии, физики твердого тела. Одной из причин такого положения является сложность методов получения высокочистого бора и отсутствие к настоящему времени чистого монокристаллического бора нужного размера. Также пока нет достаточно ясного представления о кристаллическом строении бора. В связи с этим области применения кристаллического бора до последних лет были ограничены. Усовершенствование технологии дало возможность получить монокристаллический бор с достаточно высокой чистотой (99,9999 % вес. отн.)

Хотя к настоящему времени существуют работы, посвященные исследованию электрических, оптических, фотоэлектрических свойств бора, однако полученные при этом экспериментальные данные являются недостаточными для однозначного определения структурных параметров, а также выяснения механизма электропроводимости и фотопроводимости этого полупроводника. Пока не до конца изучены зависимости физических свойств этого материала от кристаллографических направлений и легирующих элементов, а также неточно определены температуры плавления и ширина запрещенной зоны. Особенно мало изучена смачиваемость бора жидкими металлами, которая большую роль играет при создании приборов на его основе.

Безусловно, что выяснение особенностей и определение основных параметров бора необходимо систематическое исследование его электрических и фотоэлектрических свойств.

Целью настоящей диссертационной работы является экспериментальное исследование электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов бора, выяснение механизма эффекта переключения и электрической памяти в этом материале, а также выявление его новых возможностей практического применения.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

1. На основе экспериментального исследования ТОПЗ и ТСП в полученных различными методами (бестигельной, зонной, аргонно--плазменной плавкой) кристаллах бора установлено, что количество и тип примесных атомов в этом материале зависит от режима выращивания.

2. Обнаружена остаточная проводимость (электрическая память) и изучено влияние различных факторов (температуры, материала контактов, сопротивление и толщины кристаллов, длительности и частоты приложенного электрического импульса) на параметры переключения и электрической памяти в монокристаллах бора.

3. Экспериментально исследована фотопроводимость бора при высоких гидростатических давлениях, а также обнаружена высокотемпературная остаточная фотопроводимость в этом материале. Изучено влияние интенсивности и длины волны, света, температуры на остаточную проводимость.

4. Обнаружен эффект фотоэлектрической утомляемости в крис

- 6 таллах£ -ромбоэпического бора.

5. На основе анализа полученных экспериментальных результатов выяснены механизмы возникновения эффекта переключения,электрической и фотоэлектрической памяти, а также фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах бора.

Основные положения, выносимые на защиту, следующие:

1. Изучены ТОПЗ и ТСП в уЗ -ромбо эдрическом боре для выяснения природы примесных уровней в этом материале.

2. Исследованы неустойчивости ВАХ в массивных кристаллах и нитевидном уЗ -ромбоэдрическом боре.

3. Предложен механизм возникновения эффекта переключения, электрической и фотоэлектрической памяти, а также фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах бора.

4. Изучены фотоэлектрические свойства бора при воздействии высокого щдростатического давления.

5. Определены новые возможности практического применения бора в области твердотельного приборостроения.

Практическая ценность работы определяется следующим.

В настоящее время бор используется как композиционный материал, а его место в области приборостроения пока не определено. Полученные при изучении электрических, фотоэлектрических и оптических свойств позволяют определить характеристические параметры и накопить информацию о структуре бора. Эти результаты позволяют также рекомендовать монокристаллы бора для создания различных элементов для твердотельной электроники, таких как терморезисторы, элементы электронной и оптической памяти, датчики давления.

Апробятщ работы. Основные результаты диссертации обсуздались:

- на Всесоюзном совещании по диэлектрической электронике (г.Ташкент, 1973 г.);

- на Всесоюзной конференции по высокотемпературным материалам (г. Ленинград, 1975 г.);

- на 1У, У, У1 Международных симпозиумах по бору и боридам (г. Тбилиси, 1972 г.; г.Бордо, Франция, 1975 г.; г.Варна, Болгария, 1979 г.);

- на П, Ш, IУ, У1 Республиканских научных конференциях молодых физиков (г.Ташкент, 1974 г.; 1976 г.; 1978 г.; 1981 г.);

- на научных семинарах ФТИ АН УзССР, ШШ.Ф ТашГУ им. В.И. Ленина.

Публикация работы: по диссертации опубликованы 18 научных статей, одна брошюра ("Бор - необычный полупроводник", изд. "Билим", г.Ташкент, 1980 г).

Объем работы: Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и изложена на /30 страницах машинописного текста, включающих 48 рисунков, 10 таблиц, списки использованной литературы из 121 наименований.

1. 1.iemyski Т., Olempcka R., Praska J. Preparation of Pure Crysta lline Boron, Proc. Int. Canf. Physics Semiconductors. London, Exter. 1962, p.722-726.

2. Мс. Carty L.V., Kasper I.S., Horn F.H., Decker Б. P., ITewkick A.E. A Hew Crystalline Modification of Boron. J. Am. Chem. Soc. 1958, v.80, Uo9. p.2592-2593.

3. Decker B.F., Kasper I.S. The Crystal Structure of a Simple Rhomhohedral Form of Boron. Acta Cryst. 1959, v. 12,p.503-506.

4. Hugns R.E., Kennard H.L., Sullenger D.B. The structure of Rhomhohedral Boron. J. of Amer. Chem. Soc. 1963,v.85, No 3, p.361-362.

5. Amberger E., Dieter W., Druminski M., Plog K. Formation of Modification of Boron and Boron Carbids. In. Boron. 1970, v. 3, p. 133-141.

6. Джамагидзе Ш.З., Швангирадзе P.P., Мальцев Ю.А., Гвилава М.Ф. Исследование края собственного поглощения бора. ФТТ, 1965,т.7, №5, с.1563-1564.

7. Джамагидзе Ш.З., Швангирадзе P.P., Гвилава М.Ф. Исследования оптического поглощения бора. ФТП, 1968, т.2, №3, с.382-386.

8. Rossler U., Some Results of Bond Structure Calculation of Rhombohedral Boron Ъу the K.P. Method. In Boron. 1965,v. 2, p.101-106.JO. Werheit H,, Leis H,G. On the Conductivity Mechanism ofß -Rhombohedral Boron,Phys.Stat.Sol. 1970, v.41, p.247-253.

9. Немашкаленко B.B., Алешин В.Г., Домая К.П., Синкевич А.И. Рентгеновские фотоэлектронные спектры диспергированного бора. ДАН УССР, сер. А, 1975, т.II, с.1041-1043.

10. Логачев Ю.А. К теории теплопроводности кристаллического бора. Сб. Бор получение, структура и свойства. Тбилиси. Мецниере-ба, 1975, с.19-24.

11. Bryhgs R.A., Jacabsmlyer V.P. Activation Energy of Monocrys-talline y3 -Rhombohedral Boron. J. Phys. Chem. Soc. 1964, v. 25, p.701-706.

12. Джамагидзе Ш.З., Мальцев Ю.А., Швангирадце P.P. Исследования электрофизических свойств бора. ФТП, 1968, т.2, ЖЗ, с.387--392.

13. Лямичев И.Я., Литвак И.И., Ощенко H.A. Приборы на аморфных полупроводниках и их применения. М., Электроника, 1976,34 с.

14. Henish H.R., Pagen Б.А., Ovshinski S.R. A qualitative theory of electrical switching processes in monostable structures. J. Non-Cryst. Solids. 1970, v.4, p.538-547.

15. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Эффект переключения в халькоге-нвдных стеклах. Сб. тезисов.У Всесоюзный симпозиум по стеклообразным халькогенидным полупроводникам. Ленинград, Наука, 1970, с.29.

16. Орешкин П.Т., Глебов Н.С., Орешкин В.П., Беляев В.А., Михай-личенко А.Д. Особенности ВАХ пленочно торцевых пороговых переключателей на основе халькогенидного стекла. Изв. вузов СССР, Физика,, 1969, МО, с.136-139.

17. Милов A.A. Переключающийся прибор на основе аморфных полупроводниковых материалов электронной техники. Сер. 6, Микроэлектроника, 1971, в.З, с.3-13.

18. Алитунян С.А., Стафеев В.И. Исследование тонкопленочных диодных структур металл-халысогенидное стекло-металл. ФТП, 1970, т.4, в.З, с.518-521.

19. Ахудцов Г.А., Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Кязым-заде А.Г. Об эффекте переключения в go де. ФТП, 1973, т.7, в.7,с. 1830-1833.

20. Усов М.М., Беляев Е.Я. Переключатели из стеклообразных полупроводников. Электронная техника, 1971, сер. 2, с.92-104.

21. Ovshinski S.R. Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures. Phys. Rev. Lett. 1968, v.21, No 20, p.1450-1453.

22. Овшинский С.P. Пат. США, 307-385, ЖЗ, 2.71.591. заявл. 20.09.63.

23. Колошец Б.Т., Лебедев ЭЛ., Таксами И. А. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. ФТП, 1969, т.З, в.5, с.731-734.

24. Heberland D.R. badungsbdingter Schaltmechanismus in Glas-halbleitem. Solid St. Electron. 1970, v. 13,p.207-217.

25. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Таксами И.А. К вопросу о механизме пробоя в слоях стеклообразных халькогенидных полупроводников. ФТП, 1969, т.З, в.2, с.312-314.

26. Pearson A.D. Characteristics of semiconducting glass switching memory diodes. JBM. J. Resond. Developm. 1969, v. 13» No 5, p.5Ю-514.

27. Абдинов А.Ш., Акперов Я.Г., Мамедов В.К., Салаев Эль.Ю. Фототриггерный эффект в монокристаллах селенида индия и галлия. ФТП, 1980, т.14, в.З, с.749-753.

28. Boer K.W., Ovshinski S.D. Electrothermal Initiation of an Electronics Switching Mechanism in Semiconducting Glasses.

29. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Эффект переключения в In Se . ФТП, 1974, т.8, в.6, с.2283.

30. Шефтель И.Т., Курлина Е.В., Текстер-Проскурякова Г.Н. Авторское свдцетельство Jfc I22I92, приоритет 20.12.58, I960.

31. Теллерчук Б.А., Терухов Е.И., Чудновский В.А. Темпловой механизм эффекта переключения в окисленном ванадии. Инж.физ. журн. 1975, т.ХХУШ, Ш, с.257-262.

32. Ovshinski s. Симметричный прибор управления током, перевод Ш 570, патент США № 327I59I, кл. 307-885.

33. Глазов В.М., Айвазов A.A. Исследования эффекта переключения в жидкой селене. ФТП, 1976, т.10, в.4, с.636-640.

34. Ovshinski S. Патент США й 3461296, 1969.

35. Горюнова H.A., Коломиец Б.Т. Изв. АН СССР, сер. физика, 1956, 20, с.1496.

36. Аблова М.С., Андреев A.A., Дедекаев Т.Т., Малых Б.Т., Певцов А.Б., Шендель Н.С., Щумилова Л.Н. Эффект переключения в Sb2S3 . ФТП, 1976, т.6, в.6, с.1058-1062.

37. Lyle F.M. The Bracdovn Effect in Boron Conductors, Phys. Rev., 1981, v.11, p.253-260.

38. Dieter W.H., Helmberge H. Boron Semiconductor Devices. In. Boron. 1965, v.2, p.301-316.

39. Klein Y/.I. Semiconductor Properties of Boron in the Electrical Breakdown Range. J. Appl. Phys. 1968, v. 39,p.5797-5798.

40. Бабаев P.M., Иглицын М.И., Кискачи Ю.А., Тихонов В.И. Некоторые свойства терморезистора из бора. Приборы и системы управления. 1969, ЖЗ, с.49.

41. Голикова O.A., Казанин М.М., Мирзажонов 3., Орлов В.А., Тка-ленко Э.А., Хампцов Т. Терморезистивные свойства бора и егосоединений. ФТП, 1980, т.14, в.1, с.88-90.

42. Абдинов А.Ш., Кязим-заде. Явления фото и электропамяти в вы-сокоомных монокристаллах n-inSe. ФТП, 1975, т.9, в.9, с. I69Û-I693.

43. Абдинов А.Ш., Кязим-заде. Аномальная фотопроводимость в монокристаллах электронного селенида индия. 1975, т.9, в.12, с.2382-2384.

44. Абдинов А.Ш., Кязим-заде, Ахмедов А.А. Отрицательная остаточная фотопроводимость (ООП) в монокристаллах GaSe . ФТП, 1978, т.12, в.9, с.1759-1762.

45. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Отрицательная остаточная фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1978, т.12, в.5, с.1759-1766.

46. Абдинов А.Ш., Акперов Я.Г., Мамедов В.К., Салаев Юль.Ю. Долговременно релаксирующая проводимость, возбувденная электрическим полем, в монокристаллах селенида индия и галлия. ФТП, 1981, т.15, в.1, c.II3-II9.

47. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г. Долговременно релаксирующая отрицательная фотопрово,димость в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1982, т.16, в.8, с.1525.

48. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г. Остаточное оптическое гашение собственной фотопроводимости в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1982, т.16, в.8, с.1523.

49. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, т.10, в.2,с. 209-232.

50. Lorenz M.R., Woodbury Н.Н. Double Acceptor Defect CdTe. Phys. Rev. Lett. 1963, v.10, Ho 6, p.215-217.

51. Сытенко Т.Н., Дмитрук M.A., Ляшенко В.И. Остаточная фотопроводимость арсенида галлия при криогенных температурых.ФТП, 1971, т.5, в.6, с.1217-1219.

52. Затовская Н.П., Сердюк В.В. Некоторые эффекты, связанные с захватом свободных носителей в тонких слоях сульфида кадмия. Изв. вузов СССР, Физика, 1969, 10, с.147-148.

53. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М., Мир, 1966.-192с.

54. Bonch-Bruevich Y.L., Landsberg E.G. Recombination Mechanisms. Phys. Stat. Sol. 1968, v.29, p.9-45.

55. Шейнкман M.K. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках. Изв. АН СССР, Физика, 1973, т.37, в.2, с.400-404.

56. Бонч-Бруевич В.А. О спиновом механизме рекомбинации носителей тока в ферромагнитных полупроводниках. ФТТ, 1959, т.1, в.2, с.186-191.

57. Маркеевич И.В., Шейнкман М.К. Свойства и механизм остаточной проводимости в монокристаллах CdS . ФТТ, 1970, 12, с.3133-3140.

58. Kylp В.А., Gale К.A. Effect of stress on CdS single crystals. Phys. Rev. 1967, v.156, По 3, p.877-880.

59. Гольдман А.Г., Королько Б.Н., Степанко Э.С. Создание .двоякой проводимости при низких температурах путем внедрения примесей кобальта, никеля, железа в полупроводники на основе сернистого цинка. ФТП, 1971, т.5, в.6, с.1136-1139.

60. Корсунчкая Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Механизмы фотохимических реакций в чистых и легированных кристаллах Сс/Л • 1973» т-18> с.1978.- 125

61. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962, 417 с.

62. Сандомирский В.Б., Шдан A.B., Месерер М.А., Гуляев И.Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупровод ников. ФТП, 1973, т.7, в.7, с.1314-1323.

63. Шик А.Я, Вуль А.Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. ФТП, 1974, т.8, в.З, с.1675-1682.

64. Boer K.W.,Vogel Н. NichtStationare Vorgange in Photoleitern. J. Langreitiges Anklingen der Photoleitung in CdS-Einkristallen als Methode zur Stortermanalyse. An. Physik, 1955, 17, Hol, p.10-22.

65. Boer K.W., Kumel U. Ein experimentalen Beitrag zum Problem des Feldvorschlages an CdS Ein Kristallen. Ann. Physik, 1955, v.16, No3, p.181-191.

66. Корсунская H.E., Кролевец H.M., Маркевич И.В., Пекарь Г.С., Шейнкман М.Е. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS f легированных медью. ФТП, 1973, т.7, в.2, с.275-278.

67. Андреевский А.И., Рвачев А.Я., В сб. Фотоэлектрические и оптические явления в полупроводниках. Киев, Изд.АН УССР,-1959, с.164 173.

68. Вуль А.Я., Голубев Л.В., Шаранова М.В., Шмарцев Ю.В., Релаксационные проводимости в антимоде галлия п -типа, легированном серой. ФТП, 1970, т.4, в.12, с.2347-2352.

69. Вуль А.Я., Шик А.Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. П. Экспериментальные исследования долговременных релаксаций в антимокиде галлия. ФТП, 1974, т.8, в.10, с.1952-1959.

70. Абдинов А.Ш., Аббасава П.Г., Гасанов Я.Г. Эффект фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах селенида индия.ФТП, 1983, т.17, в.4, с.761.

71. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Отрицательная фотопроводимостьи гашения фототока в n-inSe . ФТП, 1976, т.10, в.1, с. 81-84.76. lelt W., Seiler К, Semiconductor Properties of Boron. In. Boron. 1965, v. 2, p.143-164.

72. Zareba A. Photoconductivity in Boron of Low Temperature. Phys. Stat. Sol. 1967, v.21, p.135-138.

73. Дцирович Э.И., Бендерскнй В.A., Брикенштейн B.X., Корости-лов Ю.А. Фотопроводимость монокристаллов бора в СВЧ полях. ФТП, 1971, т.5, в.1, с.12-17.

74. Адирович Э.И., Гольдштейн Л.М. Фотопроводимость монокристаллов и пленок бора. ФТП, 1969, т.З, в.2, с.238-245.

75. Надольный И.О. Захват электронов вj2> -ромбоэдрическом боре. В сб.: Бор получение, структура и свойства. М., Наука, 1974, с.88-91.

76. Uadolny A.J., Ostrowski I.W., Prregalinska-Miesrkowska М.Z. Kinetics of Photoconductivity in Boron. Phys. Stat. Sol. 1966, v.16, K133-137.

77. Ostrowski I.W., Paiacrkouska A. Spectral Response of Photosensitivity (SRPS) in Boron. Phys. Stat. Sol. 1967,v.20, K159-162.

78. Nadolny A.I., Ostrowski I.W. Spectral Distribution of Photoconductivity in Boron. Electron Technology. 1970, v.3,1/2, p.275-279.

79. Шодковский A., Зареба А. Эффект поля вJb -ромбоэдрическом боре. В сб.: Бор получение, структура и свойства. М., Наука, 1974, с.61-72.

80. Д&амагидзе Ш.З., Мальцев Ю.А., Швангирадзе P.P. Уровни прилипания и температурная зависимость подвижности носителей тока в боре. ФТП, 1969, т.З, М, с.105-108.

81. Габуня Д.Д. Некоторые особенности выращивания и свойств кристалловß -ромбоэдрического бора. Автореферат канд. дис., Тбилиси, 1975, с.8.

82. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М., Мир, 1973, 416 с.

83. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Кязим-заде А.Г. Токи, ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ), в высо-коомных кристаллах P-GaSe . В сб.: Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, ФАН, 1974, с.127-133.

84. Гулямов К.Б., Икрамова М., Муминов A.A., Расулов М. Эффект стимулированной проводимости в кристаллах бора. В сб.: Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника. Ташкент, ФАН, 1977, с.132-140.

85. Могилевский В.М., Чудновский Я.Ф. Теплопроводность полупроводников, М., Наука, 1972, 536 с.

86. Березин А.Н., Зайцев В.К., Казанин М.М., Ткаленко Э.Н. Электропроводность ß -ромбоэдрического бора в сильном электрическом поле. В сб.: Бор получение, структура и свойства, М., Наука, 1974, с.91-97.

87. Березин A.A., Голикова O.A., Мойжес Б.Я., Хамидов Т. Плотность состояний и подвижность носителей тока вß -ромбоэдрическом боре. ФТП, 1971, т.5, в.12, с.2320-2324.

88. Березин A.A., Голикова O.A., Зайцев В.Х., Стильбанс Я.С., Хамвдов Т. Электрические свойстваß -ромбоэдрического и аморфного бора. В сб.: Бор получение, структура и свойства. М., Наука, 1974, с.106-110.

89. Фельдман И., Муржани К., Блум Н. Масс-спектрометрия, оптические поглощения и электрические свойства аморфных пленок.бора. В сб.: Бор получение, структура и свойства. М., Наука, 1974, с.130-132.

90. Prudenziati М., Maini G., and Alberigi Quaranta A. Determination of trapping centers in beta-rhomhedral Boron. J. Phys.Chem.Sol. 1972, v.33, p.245-254.

91. Пруденциати M. Электрическая проводимость и переключения в J3 -ромбоэдрическом боре. В сб.: Бор получение, структураи свойства. М., Наука, 1974, с.75-82.

92. Zareba A., Masrkierlicz М. On the Thermoelectron PQwer of Boron Phys. Stat. Sol. 1970, (a) v.3, K207-210.

93. Geist D., Mayer J. Proc. 10th Internet. Conf. on Phys. Semiconductors, Cambridge. 1970, p.597.

94. Gylyamov K.B., A Myminov. Residual Photoconductivity in Boron Monocrystals. J. Less-Common Metals. 1979, v. 67,p. 557-565.

95. Андреев A.A., Мамадалиев M. Об изменении вольтамперной характеристики при исследовании эффекта переключения в импульсном режиме. ПЭТ, 1973, 3, с.226-227.

96. Адирович Э.И., 1улямов К.Б., Муминов А. О некоторых аномалиях электрофизических свойств бора при высоких температурах. В сб.: Бор получение, структура и свойства. Тбилиси, Миец-ниереба, 1974, с.63-65.

97. Gaule G.K., Breslin I.Т., and Patty R.R. Trap-Dominated Films Electrical and Optical Effects in Crystalline Boron. Boron. 1965, v. 2, p.119-201.

98. Petrits R.L. Theory of Photoconductivity in Semiconductor Films. Phys. Rev. 1956, v.104, No6, p.1508-1516.104 .Dieter W., Herman H. Boron Semiconductor Devices. Boron. 1965, v.2, p.301-316.

99. Tompson I.C., Mc Donald W.J. Low-Temperature Thermal Conductivity of Boron. Boron. 1965, v.2, p.261.

100. Zareba A., and Lubomirska Q. Thermally stimulated current in boron. Phys. Stat. Sol. 1969, v.34, K41-44.

101. Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963, 493 с.НО. Душин Ч.Б. К теории термического высвечивания. ДАН СССР, 1955, т.10, М, с.641-644.

102. Hiemyski Т., Zawadzki W. Some Properties of Pure Polycrys-talline Boron. Phys.Lett. 1962, v.2, Ho 1, p.30-31.

103. Werheit H., Hausen A., Bennenbruck H. Optical Anisotropy of Jb Rhombohedral Boron from 0.4 to 16 yw m. Phys. Stat. Solid (b), 1972, v.51, No 1, p.115-121.113. ¡Пашков А.Г. Терморезисторы и их применения. М., Энергия, 1967, 319^с.

104. Вершагин Л.Ф., Семерчан А.А., Попова С.В., Кузин Н.Н. Изменения электрического сопротивления некоторых полупроводников при давлениях до 300000 кг/см2. ДАН СССР, 1962, т.14,4, с.757-760.

105. Гулямов К.Б., Тихомирова Н.А., Туряница И.Д., Фридкин В.М. Фотопроводимость монокристаллов HgJ2 при высоких гадростатических давлениях. ФТТ, 1965, т.7, в.9, с.2723-2725.

106. Извозчиков Б.В., Таксами И.А. Влияния высокого давления на спектральное распределение фотопроводимости слоев PbS и PbSe . ФТП, 1967, т.1, в.2, с.152-154.

107. Коломиец Б.Т., Распопова Е.М. Влияние давления на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного и монокристаллического Sb2Se2 . ФТП, 1970, т.4, B.I, с.157-161.

108. Barden I., Shochley W. Deformation Potentials and Mobiii -ties in Non-Polar Crystals. Phys. Rev. 1950, v.80,No 1, p.72-80.

109. В кн. Физико-химические свойства элементов. Киев: Наукова думка, 1965, 807 с.