Электрические и оптические свойства аморфного гидрогенизированного углерода, легированного медью тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 од

- 8 01ЙО«ИСКАЯ АКАДЕМИЯ ИЛУ.С ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИОФФЕ

На правах рукописи

Ястребов Сергей Гурьевич

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО УГЛЕРОДА, ЛЕГИРОВАННОГО МЕДЫО

(01,04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1996

Работа выполнена в Физико-техническом институте им. А Ф.Иоффе РАН.

Научный руководитель -доктор физико-математических наук заведующий лабораторией профессор В.И.Иванов-Омский.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук

профессор Ю.И.Уханов,

кандидат физико-математических наук В.В.Чалдышев.

Ведущая организация-Санкт-Петербургский электротехнический университет.

Защита состоится"; к часов на

заседании совета К003.23.01 при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021, Санкт-Петербург, К-21, Политехническая, 26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технического института йм.А.Ф.Иоффе РАН.

Отзывы на реферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просим высылать по вышеуказанному адресу на имя ученого секретаря совета

Автореферат разослан

Як.

Ученый секретарь совета К 003.23.01 кандидат физико-математических наук

/Г.С.Куликов/

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

В последнее время значительно увеличилось количество работ, посвященных исследованию свойств аморфного алмазогодобного углерода, что связано с уникальными свойствами этого материала и широкими возможностями его применения. 1С числу этих свойств относятся оптическая прозрачность в видимом и ИК-диапазоиах, высокие химическая стойкость, электрическое сопротивление, износоустойчивость и привлекательные трибологические характеристики.

Введение в алмазоподобный углерод легирующих добавок существенно расширяет возможности управления его свойствами. Так, легируя материал металлами, можно изменять его электропроводность более чем на 10 порядков и наблюдать в ряде случаев эффекты перехода такого композита в сверхпроводящее состояние при гелиевых температурах. Более того, в последнее время появились публикации о наблюдении в подобных объектах явлений, характерных для перехода в сверхпроводящее состояние при азотных температурах [1]. Такие свойства связываются с наноструктурой алмазоподобного углерода, легированного металлами, т.е. металл в процессе образования композита мо;?:ет формировать в матрице объекты нанометровых размеров, свойства которых могут влиять на физические характеристики получаемого материала в целом.

Проблема изучения формирования медных включений нанометрового размера п матрице а-С:Н интересна из-за возможности применения кластерных металлсодержащих включений в наноэлектронике и б связи с переходом микроэлектроники ох алюминиевых контактных соединений к медным, а также з-за общею интереса к металлическим кластерам в диэлектрических матрицах, возросшего в последнее время.

В качестве объекта исследования в данной работе выбран аморфный гндрогенизированнь,й углерод (а-С:Н), легированный медью ( а-С:(Н,Си) ). Использовался а-С:Н, полученный в результате ионного (магпетронного) сораспыления медной ч графитовой мишеней и аргон-водородной плазме.

ЦЕЛЬ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

состояла в изучении структуры и свойств а-С:Н, легированного медью. В работе ставились следующие задачи:

- изучение электрических и оптических свойств а-С:(Н,Си) н установление корреляции между ними;

- изучение возможности применения оптической интерферометрии и эллнпсометрии для диагностики проводящих включений манометрового размера в а-С:Н, легированном медью, и дальнейшее развитие этих методов с целью проведения такой диагностики;

- исследование ппоцесса формирования сети проводящих кластеров в а-С и а-С:Н с помощью анализа спектральной и концентрационной зависимостей оптических констант и концентрационной зависимости электропроводности;

- определение геометрических характеристик медьсодержащих кластеров.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ И ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

На\чная новизна диссертации определяется следующими представленными к защите положениями:

1. Зависимость электропроводности на постоянном токе пленок а-С и а-С:Н от концентрации меди носит немонотонный характер с резким асимметричным максимумом при концентрациях порядка 14-18 ат.%.

2. Протекание электрического тока в а-С и а-С:Н, легированных медью, осуществляется по сетям двух типов проводящих кластеров. Показано, что наблюдаемая немонотонность может быть объяснена переходом от протекания по сети кластеров с одним набором критических индексов к сети с другим набором.

3. В случае исследованных слоев метод решения обратной задачи эллипсометрии двух углов падения позволяет определить геометрическую неоднородность слоя и его оптические константы при исключении из выражения для невязки целевой функции вещественной части толщины.

4. Обнаруженные резонансные особенности спектров пропускания а-С:Н, легарованного медыо, связаны с поглощением электромагнитного излучения поверхностными плазмонами в двух типах проводящих кластеров, различающихся 'геометрическими характеристиками.

НАУЧНОЕ И ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ РАБОТЫ

Научное значение работы состоит в том, что в результате проведенных исследований

-впервые в а-С:Н, легированном медыо, наблюдались оптические резонанры, обусловленные поглощением электромагнитного излучения поверхностными плазмонами в нанометровых медьсодержащих кластерах двух типов; из исследования параметров резонансов определены оптические и геометрические характеристики кластеров.

- впервые с точки зрения теории протекания проанализирована зависимость электропроводности на постоянном токе для а-С:Н и а-С, легированных медью, и определены критические индексы теории протекания.

- впервые проведен анализ корреляции оптических и диэлектрических свойств слоев а-С и а-С:Н, легированных медью.

Практическое значение работы состоит в том, что исследования, проведенные в широком интервале длин волн, позволил! определить количественные значения диэлектрической проницаемости а-С и а-С:Н, легированных медыо, в зависимости от ее концентрации, что может оказаться полезным при применении этих материалов в качестве оптических покрытии и абсорбционных фильтров. Разработанные н данной работе методы определения оптических констант поглощающих пленок могут быть использованы для анализа оптических свойств различных поглощающих пленочных объектов, например, слоем ц регистрирующих устройствах с побитовой записью информации.

ПУБЛИКАЦИИ

По материалам диссертации опубликовано 14 научных работ, список которых приведен в конце автореферата.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Основные результаты работы С.Г.Ястребова докладывались на двух Международных конференциях по фуллеренам и атомным кластерам (IWFAC'93 (St.Petersburg, October J993), IVVFAC'95 (St.Petersburg, June 1995, Russia); на весенней конференции Общества по исследованию материалов (MRS Spring 1994 Meeting Symposium T: Novel Forms of Caibon II, USA, St.Francisco), па Международной конференции по физике и технологии наноструктур (1995, St.Petersburg, Russia), на 3-ей Международной конференции 'Applied Diamond Conference', Geithersburg, 1995, USA, а также на семинарах в ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Результаты опубликованы в четырнадцати печатных работах.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

Диссертационная работа изложена на 95 стр. машинописного текста, содержит 5 таблиц, 19 рисунков. Она состоит из введения, 4 глав и заключения. Список литературы включает 60 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, выбор объекта исследования, сформулирована цель работы, изложены основные положения, выносимые на защиту и результаты диссертационной работы, охарактеризована их новизна.

Первая глава носит обзорный характер, е ее начале приведен краткий обзор основных технологических способов синтеза а-С:Н, к которым относится метод ВЧ разложения углеводородов и метод магнетронного распыления углеродсодержашей мишени. Характерно, что полученные этими методами пленки обладают рядом физико-химических характеристик, близких к алмазным. Легирование а-С и а-С:Н карбндонеобразукнцими металлами приводит к образованию проводящих включений в углеродную матрицу и интересно с точки зрения управления электрофизическими свойствами.

Нелинейная зависимость электропроводности а-С:Н, легированного медью, наблюдалась впервые в работе [1]. С ростом концентрации меди наблюдается нелинейное падение сопротивления образца до десяти порядков величины. Минимум сопротивления находится при -17 относительных единиц концентрации меди. При дальнейшем росте концентрации наблюдается рост сопротивления, который при достижении ~30 относительны* единиц сменяется его падением.

Анализ литературы показал, что в настоящее время существует широкий круг вопросов о влиянии легирования а-С:Н карбидонеобразукнцнми металлами на оптические свойства в видимом, УФ и ближнем ИК диапазонах, на связь между ними и электрическими характеристиками, не нашедший достаточною отражения в известных литературных источниках. Этот вывод позволил сформулировать цель и поставить задачи исследования, проведенного' в рамках диссертационной работы.

Во второй главе обоснован выбор экспериментальных методик, использованных при исследовании а-С и а-С:Н - спектральной интерферометрии, эллипсометрии и измерения электропроводности. Снятие спектров пропускания полученных слоев в диапазоне длин волн 200-2500 им проводилось на двухлучевом спектрофотометре "НйасЫ-Ш410" с решеточным моиохроматором и синхронным детектированием сигнала. Измерения проводились при комнатной температуре. Исследование пропускания проводилось при нормальном падении спета на образец. Величина светового пятна на образце составляла 0.5x0.5 см. Эллипсометрнческне измерения проводились на эллипсометре ЛЭФ-Зм па длине волны геяип-неонового лазера.

Для измерения электропроводности а-С:Н, легированного медью,' использовалась двухконтактная методика изменения. Использовались енташювые подложки, на которые перед наЫесеннем слоя ; С:(Н,Си) на расстоянии 3-5 мм друг от друга наносились электроды из нержавеющей стали. Типичные вольт-амперные характеристики были линейными.

Для нахождения по спектрам пропускания оптических констант а-С:Н, легированного медью, были использованы различные методы, достоверность которых оценивалась перед их применением. Отмечается, что задача по определению оптических констант и геометрических характеристик пленки из измерения одного параметра (коэффициента пропускания или коэффициента отражения) или двух параметров (коэффициента пропускания и коэффициента' отражения), вообще говоря, является некорректной. Для решения обратной зп чачи интерферометрии п этом случае приходится задавать пит

функциональной зависимости оптических констант от длины волны и применять для подгонки спектров к экспериментальным точкам формализм задач нелинейной математической регрессии. В работе рассмотрен случай, когда диэлектрическая проницаемость материала пленки является суммой Лорентцевых осцилляторов с частотой резонанса для ^того осциллятора ю у , временем релаксации т ¡, плазменной частотой (0Р и объемной долей и^ . Отмечено, что использование при подгонке интерферометрических формул для определения толщины слоя может приводить к погрешности при наличии дисперсии показателя преломления. Поэтому встает вопрос о независимом определении толщины с использованием других, например эллипсометрических данных.

В этой же главе отдельно рассмотрена задача об устойчивости различных методик определения оптических констант эллипсометрни двух углов падения к малым возмущениям параметров отражающей системы, происходящим при изменении угла. Исследование проводилось в первом периоде интерференции. Проведенные расчеты показали, что |р ряда методов только метод исключения действительной части толщины из целевой функции дает наиболее достоверную информацию об оптических константах системы, т.е. является наиболее устойчивым к малому изменению параметров при изменении угла падения. Более того, метод позволяет определять оптические константы, толщину слоя, а также ст пень его геометрической неоднородности.

Для других периодов интерференции показано, чт£> только в частном случае полупрозрачной пленки из эллипсометрического измерения и измерения энергетического коэффициента прямого пропускания света однозначно определяются не только ее оптические константы, но также и толщина. В общем случае для однозначности получаемого решения при определении оптических констант и толщины пленки необходимо задавать номер периода.

Выполненные исследования позволили сформулировать и решить обратную задачу по определению толщины плетен а-С:(Н,Си), а также ее показателя преломления п и коэффициента экстинкцин к. Задача решалась исследованием точек пересечения на плоскости (п,к) целевых функций, рассчитанных для двух углов падения в различных периодах интерференции. Целевые функции содержали в качестве невязки мнимую часть толщины слоя. Точки пересечен^ целевых функций соответствуют решению обратной задачи эллипсометрни двух углов падения в различных периодах интерференции. В окрестностях точек пересечения рассчитывалась невязка энергетического коэффициента

пропускания, измеренного при нормальном падении (длина волны Ü.6J ' мкм). как функция действительной части толщины слоя. Полученный набор минимумов - решения обратной задачи эллипсометрии и интерферометрии для разных периодов интерференции. Номер периода интерференции, использовавшийся при выборе решения из набора, определялся следующим образом. Из серии образцов, полученных при различных концентрациях меди, выбирались образцы с высокой концентрацией (24%) и временем напыления порядка часа. Эта образцы были полупрозрачными, т. е. такими, для которых энергетический коэффициент прямого пропускания был менее 10%. Для образца, удовлетворяющего этим условиям, определен как коэффициент экстинкции (существует аналитическое решение обратной задачи эллипсометрии для полупрозрачной пленки), так и коэффициент прямого пропускания. Это позволяет, воспользовавшись законом Бугера, оценить значение толщины и использовать эту оценку при определении номера периода интерференции у образцов а-С:(Н,Си), для которых условие сильного поглощения строго не выполняется. Оказалось, что значения толщин в зависимости от времени напыления лежат в пределах от 0.2 до 0.6 мкм, что находится в хорошем согласии с данными вторичной ионной масс-спектроскопии.

Третья глава посвящена исследованию оптических свойств а-С:Н, легированного медыо.

Задача по определению диэлектрической проницаемости пленки в .широком диапазоне длин волн решалась поэтапно. На первом этапе определялась толщина пленки и ее оптические константы для длины волны гелий-неонового лазера так, как это описано выше.

Для восстановления спектральной зависимости диэлектрической функции на втором этапе использовались спектры пропускания а-С:Н с выраженной интерференционной картиной, которая сглаживалась но формуле среднего геометрического между значением пропускания в соседних интерференционных минимуме и максимуме. В точках спектра, находящихся между интерференционн- тми особенностями, значения усредненных коэффициентов пропускания находились методом полиномиальной интерполяция. При проведении интерполяции учитываются также точки, находящиеся в области среднего и высокого поглощения, где интерференционная картина подавлена.

На третьем этапе использовался формализм записи диэлектрической функции в виде суммы Лорептцевых осцилляторов. Для определения основных осцилляторов, окашваюших влияние на оптические свойства композита a-(\(ll,Cu), аналм шров >чпсь сглаженные спектры. Hirt спеюр'ж пекч пришишт о а I II

свидетельствует о том, что зависимость поглощения в спектральном диапазоне, соответствующем концу видимой и ближней УФ-областям спектра, подчиняется правилу Тауца с шириной оптической запрещенной зоны Eg порядка 2 эВ. С ростом концентрации меди поглощение в УФ области увеличивается и форма края изменяется. Более того, при дальнейшем росте концентрации (х>10 %) в видимом диапазоне спектра формируется широкая полоса поглощения с максимумом вблизи энергии фотонов 1.9 эВ, интенсивность которой растет с увеличением концентрации. Выборочные эксперименты, проведенные при температуре 77К, показали, что форма полосы и ее спектральное положение не изменяются так же,как и форма края в УФ области. Это обстоятельство подтверждает предположение о том, что происхождение полосы связано с возбуждением поверхностных плазмонов в сферических металлических включениях. Изменение поглощения в высокочастотной области спектра также может быть приписано возбуждению поверхностных плазмонов в несферических проводящих кластерах, таких как двумерные образования 'иди их агрегаты. С ростом концентрации отмечается также увеличение поглощения в ближней ИК области спектра,что может быть связано с поглощением излучения свободными носителями заряда. Следовательно, диэлектрическую проницаемость описывает набор следующих 4-х осцилляторов:

(1) низкочастотный осциллятор, связанный с поглощением свободными носителями (j=l, coi =0, Ui=(Uí+ U3», •

(2) осциллятор, описывающий • поглощение поверхностными плазмонамн, возбужденными в проводящих сферических медных кластерах в среднем диапазоне частот (j=2, форм-фактор f= 1/3>,

(3) высокочастотный осциллятор, связанный с поглощением поверхностными плазмонамн несферических проводящих кластеров (j=3,f=l/2),

(4) высокочастотный осциллятор, описывающий край фундаментального поглощения а-С:Н (j=4, Ui =(1-U2 - Uj)).

На следующем- этапе решения задачи по определеншо спектральной зависимости диэлектрической проницаемости относительно характеристических частот Лорентцевых осцилляторов, их времен релаксации н резонансных частот минимизировался функционал, состоящий из суммы невязок энергетического коэффициента пропускания, измеренного в спектральном диапазоне 2002500 нм с шагом 10 им. В функционал добавлялась невязка для мнимой и действительной части показателя преломления слоя для длины волны

О.бЗмкм. При дальнейших расчетах плазменные частоты осцилляторов брались равными плазменной частоте меди, равной 8.77 эВ. После определения резонансных частот, на пятом этапе, модель Лорентцевых осцилляторов второго и третьего типа заменялась выражением Дэвида-Шоппера для диэлектрической проницаемости эффективной среды, содержащей проводящие кластеры, и минимизация проводилась повторно. Диэлектрическая проницаемость металлического кластера описывалась в рамках модели Друде с эффективным временем релаксации тсп-. В результате было получено, что характерные времена релаксации для "медных сферических капель лежат в пределах Таг = 6.8 -Ю16 - 1.9-10'15 с. Положение максимума мнимой части-диэлектрической функции, соответствующего возбуждению, поверхностного плазмона в сферических медных частицах, не зависит от концетрацин вводившейся в образец меди и равно 1.8 эВ. С ростом концентрации меди от 0 до 24 ат % объемная доля сферических медных капель изменяется от 0 до 0.02. Это свидетельствует о том, что медные капли не являются единственным типом проводящих кластеров в а-С:(Н,Си).

Времена релаксации, получившиеся для кластеров с форм-фактором 1/2, лежат в пределах от 4-Ю16 до 1 о -Ю15 с. Энергия, при которой наблюдается максимум мнимой части диэлектрической функции, уменьшается с ростом концентрации вводимой в образец меди от3.9 эВ для нелегированного образца до 3.2 эВ для образцас 24% меди.

Геометрические размеры кластеров определялись в рамках модели электронного газа, ограниченного размерами кластера. Размер частиц 3-го типа в зависимости от концентрации меди изменялся от единиц (в диапазоне концентраций меди от нескольких атомных процентов до 15 ат%) до десяти нанометров (более 15 ат%). Частицы с форм-фактором 1/3 начинают'.оказывать заметное влияние на оптические свойства композита а-С:(Н,Си) только при концентрациях порядка 15 ат%; их размер практически не зависит от концентрации и равен 3-4 им.

Характерные размеры кластеров, определенные из оптических измерений, находятся в хорошем согласии с данными, полученными с помощью просвечивающей электронной микроскопии (100 кэВ, Philips ЕМ420).

В четвертой главе исследованы свойства протскательных кластеров п установлена корреляция между электрическими и оптическими свойствами а-С:Н, легированного медью.

Исследовались образцы двух серий. Одна серия получена в атмосфере ¿.ргон-водородной (80% Аг и 20% Иг ) плазмы (далее -

"водородная серия"). Другая серия образцов, называемая в дальнейшем "аргоновой", получена в атмосфере аргона. Значение проводимости для нелегированного образца аргоновой серии составляет величину порядка Ю-5 Ом1- см"' , а для водородной 1010 Ом-1 • см-1 . Для образцов обеих серий зависимость электропроводности от концентрации меди носит нелинейный характер и имеет вид несимметричной кривой с максимумом в диапазоне концентраций Хс = 12-14 ат.% (первый порог протекания для аргоновой серии) и 15-18 ат.% - для водородной. Значение проводимости в максимуме для аргоновой серии составляет 1 Ом-1: см1, а для водородной - более Ю 3 Ом1- см1. При дальнейшем увеличении концентрации меди наблюдается резкое падение проводимости на 5 порядков величины. Минимум проводимости лежит при 17-18 ат.% для аргоновой серии и при 22-25 ат.% для водородной. Дальнейшее увеличение концентрации х сопровождается ростом проводимости образцов о.

На левом склоне пика проводимости критический индекс теории протекания q (о=(хс-х)"Ч ) оказался равен для аргоновой серии 2.5, а для водородной 6.4, в то время как характерные значения этого индекса для систем со случайно расположенными проводящими включениями в диэлектрической матрице меньше 2.

Рост проводимости при х < 12-18 ат.% может быть объяснен формированием в алмазоподобной матрице сети протекательных каналов на основе графитоподобных проводящих кластеров. При этом возможно как заполнение медью зазоров между фрагментами графитовых плоскостей (интеркаляция), так и расположение ее на свободных местах по краям этих фрагментов. Обласгь наибольшей проводимое™ соответстаует стехиометрическому составу пленки в интервале CuCs - CuCs. Последнее характерно для интеркалирования бесконечной графитобйй плоскости, меньшие по размерам плоскости могут удерживать меньшее количество меди. В пределе для единичного шестизвенного графитового кольца получаем формулу СиСь. Когда все позиции для интеркалирования графитовых фрагментов исчерпаны (х > 12-18%), происходит .пересгройка сети протекательных канияов и проводимость падает. Дальнейший рост проводимости представляется естественным.

Для второго участка роста проводимости получены следующие 1 значения критических индексов: для аргоновой серии хс = 20 аг%, q=l.4; для водородной хс =37%, q=2.8. Поведение электропроводности для второго участка может быть объяснено переходом к протеканию по сети, содержащей более плотные cipyKiypiiue члемешы. чем ятя с.тучая

Я=2.5 (6.4). Это следует из анализа зависимости радиуса корреляции от концентрации проводящей фазы.

Показано, что поведение проводимости коррелирует также с особенностями оптических свойств а-С(Н); легированного медыо,что подтверждается ходом зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости, полученной из эллипсом трнческнх измерений, и измерения прямого пропускания. Анализ, проведенный в рамках модели Друде, дает качественное согласие с экспериментом с использованием при расчетах плазмешюй частоты меди.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Совместные исследования электрических н диэлектрических свойств а-С:Н и а-С,легированных медью, позволили наблюдать не только резко немонотонный ход проводимости на постоянном токе, но также мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости, как функций концентрации меди. Это может быть связано с перестройкой структуры проводящих каналов при концентрации меди 12-18 ат.%.

Результаты исследования электрических свойств свидетельствуют о том, что в исследоваштых образцах а-С:(Н,Си) имеются две протекательные системы, одна из которых проявляется при концентрациях меди 0<х<14-18°, г, а вторая - при х>18%.

Существующие методики решения обратных задач шггерферометрни и эллнпсометрии в ряде случаев приводят к погрешности в определешш толщины и оптических констат слоя. Поэтому при решении оказывается важным привлечение как эллнпсометрических, так и интерферометрических данных, что позволяет решать обратную задачу поэтапно.

Результата проведенного исследования оптических констант а-С:Н, легировашюго медыо, свидетельствуют об образовании в нем двух типов проводящих наноразмерных включении на основе меди, отличающихся геометрическими характеристиками. Характерные размеры таких кластеров лежат в диапазоне от единиц до десятков нанометров и зависят от уровня 'легирования материала медыо.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНО В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Аверьянов В Л., Базцева Н,Е., Мастеров В.Ф., Приходько А.В., Ястребов С.Г. Экспериментальное наблюдение фазового перехода металл-сверхпроводник в СхСиу при азотной температуре //Письма в ЖТФ, 19(12) (1993), с.77-79.

2. Ivanov-"Omskii V.I., Tolmatchev A.V. and Yastrebov S.G. Optical Absorption of Amorphous Carbon Doped with Copper // Phil.Mag.B, 73(4) (1996), p.715-722,

3. Bazieva N.E., Yastrebov S.G., Masterov V.F. and Prichodko

A.V. Electrical and Magnetic Properties of Thin Amorphous Carbon Films Doped with Copper// Mol.Mat., 4 (1994), p.143-147.

4. Ivanov-Omskii V.I., Lodygin A.B., Yastrebov S.G. and Chelnokov V.E. Formation of Conductive Network in Diamond-Like Carbon by Intercalation

, of Copper / Applications of Diamond Films and Related Materials: Third International Conference, Gaithersburg, USA, NIST Special Publication 885, 1995, p.779-782.

5. Ivkin E.B., Katashov A.Yu., Lodygin A.B., Yastrebov S.G., Prichodko O.A. and Prichodko A.V. Fractal Nanostructure of Semiconductor Films: Technology, Mathematical Simulation and Electrophysical Properties // Mol.Mat. 4 (1994), p.189-193.

6. Ivanov-Omskii V.I., Abaev M.I. and Yastrebov S.G. Optical Properties of Amorphous Carbon Doped with Copper / Proceedings of MRS Spring Meeting Symposium T: Novel Forms of Carbon II, Paper T7.6I, USA, 1994.'

7. Bazieva N.E., Yastrebov S.G., Masterov V.F. and Prichodko A.V. .. Electrical and Magnetic Properties of Thin Amoiphous Carbon Films Doped with Copper// Mol.Mat., 4(1994), p.143-147.

8. Ivanov-Omskii V.k Sitnikova A.A., Suvorova A.A., Yastrebov S.G., Tolmatchev A.V. and Zvonariova Т.К. Study of Copper and Carbon Nanoclusters in a-C:H / Nanostructures Physics and Technology'95, Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, St.Peiersburg, Russia, 1995, p.386.

9. Ivanov-Omskii V.L, Lodygin A.B., Yastrebov S.G. Carbon and Copper Clusters in Diamond-Like Carbon Clusters in Diamond-Like Carbon / Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, St .Petersburg, Russia, 1995, p.53.

10. Аверьянов В.Л., Федоров B.A., Ястребов С.Г. О применении мпогоугловон эллипсометрнп для исследования и контроля тонкослойных поглощающих оптических покрытии //ЖТФ, 64(1) (1994), с. 103-1| 7.

11. Иванов-Омский В.И., Криворотов И.Н., Ястребов С.Г. Аморфный гндрогеннзиропаниый углерод, легированный медью: спектральная интерферометрия // ЖТФ, 65(9) (1996), с. 121 -135.

12. Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Особенности проводящих структур в алмазоподобном углероде, легированном медью // Физика твердого тела, 37(6) (1995), с. 1693-1697.

13. Иванов-Омский В.И., Абаев М.И., Ястребов С.Г. Электрические и оптические свойства аморфного углерода, легированного медыо // Письма в ЖТФ 20(1 1) (1984), с.61-67.

¡4. Averyanov V.L., Bazieva N.E., Yastrebov S.G., Masterov V.F. A.V.Prichodko Thin Amorphous Carbon Films (a-C:II) Doped with Copper: Doping Peculiarities, Diamagnetism, Microwave Effects at Low Temperatures/ Fulleren. atom.Clust.: Abstr.Intern. Workshop, 1WFAC-93, St.Petersburg, Russia, 1995, p.50.

Отпечатано в типографии ПИЯФ

Зак. 305, тир. 100, уч.-изд. л. 0,7; 24/V-1996 г. Бесплатно