Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.Г

ГЛАВА I. Полупроводниковые и диэлектрические пленки окислов металлов: получение, свойства, применение .U

1.1. Методы получения и области применения прозрачных проводящих покрытий-(.ПОП)

1.2. Кристаллическая структура окисных полупроводников .\

1.3. Электрические и оптические свойства ППП. J

1.3.1. Точечные дефекты и концентрации квазисвободных электронов в полупроводниковых окислах.

1.3.2. Механизмы рассеяния электронов проводимости .2\

1.3.3. Оптические свойства ППП.

1Л. Диэлектрические пленки окислов металлов и их применение в микроэлектронике. . . ,26 1.5. Электрическое старение и пробой окисных диэлектриков.

1.5.1. Тепловой пробой диэлектриков.

1.5.2. Электрический пробой диэлектриков.

1.5.3. Механизмы электрического старения диэлектриков.

Выводы.Щ

ГЛАВА 2. Получение пленок окислов металлов методом пиролиза.4?

2.1. Факторы, влияющие на процесс осаждения пленок окислов металлов из мет^лдорргаци^ . ческих соединений (МОС).

Определение оптимальных параметров процесса осаждения пленок окислов металлов из МОС. .45"

Быводы.£

ГЛАВА 3. Физические свойства прозрачных проводящих пленокInz03:Sn 3.1. Электрические свойства ППП In^O^Sn. . . .59 Оптические свойства пленок X^^*'^ . . . 6> 3.^.1. Методика определения спектральной зависимости коэффициента поглощения света. .6? 3.did,. Экспериментальное исследование механизмов поглощения света в пленкахХ^^'^я

3.^.3. Отражение и плазменный резонанс в пленках Inz03-Sn

3.3. Влияние химического состава и кристаллической структуры пленок Тяг^з'-^л на их электрофизические параметры

3.3.1. Кристаллическая структура пленок Тл2О^^гП") 3.3.Z. Химический состав пленок Ji2Oz:$n 7&

3.3.3. Механизм влияния послеростового отжига на электрофизические параметры ППП

Выводы.85*

ГЛАВА 4. Пиролитические окисные пленки диэлектриков. . . 8? 4.1. Влияние внешних факторов на электрическую прочность окисных пленок диэлектриков. . . 87 4.I.I. Объекты исследования и экспериментальная установка.

4.1.^. Результаты экспериментального исследования пробоя окисных пленок диэлектриков. . . .93 4.1.3. О возможном механизме пробоя окисных пленок диэлектриков.

-44.2. Спектральные и цветовые характеристики окисных пленок диэлектриков.WT

Выводы.Щ

ГЛАВА 5. Применение пиролигических пленок окислов металлов^?

Выводы.>

В последние годы в связи с развитием микроэлектроники, оптоэлектроники и квантовой электроники, в связи с возрастанием интереса к испоиьзованию в народном хозяйстве солнечной энергии и с прогрессом в ряде других областей техники повышенное внимание уделяется различным тонкопленочным материалам. В связи с этим перед пленочным материаловедением стоит ряд важных задач, одна из которых - как отмечалось на июньском 1983 года Пленуме ЦК КПСС - это "получение материалов с заранее заданными свойствами". Для успешного решения этой проблемы необходимо изучение связей между свойствами материалов, их составом, структурой и условиями получения.

Важное место среди пленочных материалов занимают пленки окислов металлов, обладающие зачастую уникальными свойствами. Так, например, прозрачные проводящие пленки окислов индия и олова широко используются в микроэлектронике и оптоэлектронике, в приборах солнечной энергетики и т.д. Диэлектрические окисные пленки незаменимы при производстве интегральных схем, приборов на основе МДП - структур, просветляющей оптики и др.

Для получения окисных пленок в настоящее время используются как физические, так и химические методы осаждения, в частности, метод пиролиза металлоорганических соединений. Этот метод обладает рядом преимуществ: возможностью получения окисных пленок стехио-метрического состава, хорошей адгезией полученных слоев к подложке, возможностью получения однородных по толщине и составу пленок на подложках большой площади и сложной геометрической формы, относительно невысокими температурами осаждения (300-500°С), высокой экономичностью, обусловленной отсутствием дорогостоящего оборудования, доступностью исходных металлоорганических соединений и высокой производительностью.

Однако, поскольку данный метод осаждения пленок стал применяться сравнительно недавно, в настоящее время нет единого мнения о механизме образования пленок и влияния параметров получения на физические характеристики осажденных слоев.

Несмотря на интенсивные исследования в области физики полупроводниковых и диэлектрических окисных пленок, ряд вопросов в связи с трудностями экспериментального характера остается до сих пор невыясненным. Это касается, в частности, механизма поглощения света пленками окисных полупроводников ^mi^In^Oz'-Sn от красной границы до ближнего ИК-диапазона, а также механизма пробоя окисных пленок диэлектриков.

В настоящей работе было проведено комплексное исследование электрических и оптических свойств пиролитических пленок окислов металлов ( Хл, }Fe ,Сг ^ А/1 ), изучение взаимосвязи этих свойств с условиями получения пленок, их составом и структурой с целью оптимизации параметров пленок, а также влияние внешних факторов (сильное электрическое поле, повышенная температура) на свойства пиролитических пленок окислов металлов.

В результате этого исследования получены полупроводниковые и диэлектрические окисные слои с таким сочетанием электрических и оптических свойств, которое делает возможным их применение в различных областях микроэлектроники.

В первой главе диссертации изложены современные представления о методах получения, электрических и оптических свойствах полупроводниковых и диэлектрических пленок окислов металлов. Рассмотрена возможность использования пленок окисных полупроводников в качестве прозрачных проводящих покрытий. Особое внимание уделено влиянию условий получения на параметры таких пленок (прозрачность, электропроводность). Приведен обзор основных механизмов проводимости и поглощения света в пленкахXnzOz и SnOz

Рассмотрены основные применения в микроэлектронике окисных пленок диэлектриков. Проведен анализ причин, понижающих надежность микроэлектронных устройств, в которых использованы такие пленки. Дан обзор механизмов электрического старения и пробоя окисных диэлектриков.

Во второй главе рассмотрены основные факторы, влияющие на процесс осаждения пленок окислов металлов при термическом разложении паров металлоорганических соединений, определены оптимальные условия осаждения, описана методика приготовления образцов.

Третья глава посвящена исследованию физических свойств прозрачных проводящих покрытий на основе пленок окиси индия, легированной оловом. Предложена методика измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения света и установлены основные механизмы поглощения света. Методами рентгеновского электрон-но-зондового анализа, оже-электронной спектроскопии совместно с глубинным профилированием, рентгеновской дифрактометрии и растровой электронной микроскопии исследовано влияние послерос-тового отжига на состав и структуру пленок. Показано, что уменьшение удельного сопротивления пленок в 3-5 раз в процессе отжига связано возрастанием однородности химического состава по толщине пленок.

В четвертой главе приведены результаты экспериментального исследования явления пробоя пленок окисных диэлектриков. Получены зависимости времени задержки пробоя диэлектрических пленок о т напряженности поля в широком временном интервале. Изучены температурные зависимости времени задержки пробоя и выявлен активационный характер процесса пробоя. Для объяснения полученных результатов использовано представление об облегченной сильным электрическим полем термогенерации носителей заряда. Исследованы спектральные и цветовые характеристики пиролитических пленок окисных диэлектриков.

В пятой главе рассмотрены вопросы практического использования изучавшихся в настоящей работе пиролитических пленок окислов металлов. Документы, относящиеся к практической реализации результатов исследования, приведены в Приложении.

По материалам диссертации опубликовано 9 печатных работ.

Автор защищает:

1. Методику получения прозрачных проводящих покрытийIh^OySn основанную на пиролизе паров кислород-содержащих металлоорганивоспроизводимое ческих.соединений и обеспечивающую получение пленок с оптимальным сочетанием электрических и оптических свойств.

2. Методику измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения света в пленках, основанную на измерении пропускания нескольких пар пленок различной толщины и обеспечивающую получение корректных результатов в широком спектральном диапазоне.

3. Результаты исследования оптических свойств пленок^ с помощью предложенной методики.

4. Результаты исследования взаимосвязи электрофизических параметров пленок £nz03--Sn с условиями их получения, составом и структурой.

5. Результаты экспериментального исследования закономерностей пробоя окисных пленок диэлектриков в широком интервале времен задержки - I с).

Научная новизна. В настоящей работе предложена оптимизация технологических режимов метода пиролиза паров металлоорганичес-ких соединений для получения прозрачных проводящих покрытий на основе пленок Inz03-Sn , сочетающих высокие проводимость и пропускание в видимом диапазоне с однородностью распределения толщины на поверхностях больших размеров. Оптимизация технологических режимов основана на результатах комплексных исследований условий получения, химического состава, структуры, электрических и оптинеских свойств пленок. Установлены диапазоны значений концентраций исходных веществ и температуры подложки, обеспечивающие получение пленок 1лгОу$п с удельным сопротивлением р = (1,6-1,8).10""^ Ом.м и пропусканием в видимом диапазоне Т=90 -95%, что соответствует уровню современных достижений.

Исследовано влияние послеростового отжига пленок на их химический состав, структуру и электрофизические параметры. Установлено, что увеличение холловской подвижности носителей заряда в процессе отжига обусловлено не ростом размера кристаллитов или изменением степени преимущественной ориентации пленок, а возрастанием однородности состава по толщине слоев.

Для исследования оптических свойств тонких пленок предложена оригинальная методика определения спектральной зависимости коэффициента поглощения света, расширяющая спектральный диапазон, в котором возможно корректное определение о< из спектров пропускания. Применение указанной методики для пленок 1пг03 •• Sn позволило впервые для таких объектов получить зависимость в диапазоне длин волн 0,55-1,4 мкм и показать, что в данном спектральном интервале поглощение света определяется свободными носителями заряда.

Впервые проведено экспериментальное исследование зависимости времени задержки пробоя окисных пленок диэлектриков от напряжена: сти электрического поля и температуры образцов в широком временном диапазоне (от I мкс до I с ). Установлен активационный характер процесса старения и пробоя окисных диэлектриков. На основании изучения электрических и оптических свойств свойств пленок показана связь между энергией активации процесса пробоя и шириной запрещенной зоны окисных пленок диэлектриков и предложен возможный механизм пробоя.

Практическая значимость работы определяется тем, что:

1. Применение содержащихся в ней рекомендаций и выводов позволяет получать с хорошей воспроизводимостью пленки 1пг02:£п с высокими электрическими и оптическими параметрами, используемые в ряде приборов микроэлектроники и солнечной энергетики (в частности, при создании фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии на основе фотоэлемента с ПДП - струкз^рой).

2. Предложенная методика определения спектральной зависимости коэффициента поглощения света упрощает процедуру исследования оптических свойств тонкопленочных материалов.

3. Полученная в работе корреляционная зависимость времени задержки пробоя от внешних условий (температуры и электрического поля) позволяет прогнозировать срок службы диэлектриков по данным ускоренных испытаний.

основные вывода

1. Проведена оптимизация технологических режимов и показана перспективность метода пиролиза кислород-содержащих МОС для получения прозрачных полупроводниковых и диэлектрических пленок окислов металлов. Метод совместим с современной кремниевой технологией и позволяет в едином технологическом цикле наносить на подложки из различных материалов полностью или частично прозрачные в видимом диапазоне окисные слои, проводимость которых меняется от Ю~12 до Юб (Ом.м)"1.

2. Установлена корреляция между условиями получения пленок In2.0^-Sn , их составом, структурой и электрическими свойствами.

Показано, что возрастание подвижности носителей зарядов^пленках в результате их послеростового отжига связано с выравниванием состава по глубине пленок.

Предложена методика определения коэффициента поглощения света в тонких пленках, расширяющая спектральный диапазон, в котором возможно корректное определение коэффициента поглощения.

С помощью данной методики исследованы оптические свойства пленок Tn20-$:Sn в диапазоне длин волн 0,3-1,4 мкм и установлены основные механизмы поглощения света. Показано, что в спектральном интервале 0,55-1,4 мкм основным механизмом поглощения света является поглощение на свободных носителях.

Получены прозрачные проводящие покрытия на основе пленок окиси индия, легированной оловом, обладающие оптимальным сочетанием электрических и оптических свойств: поверхностное сопротивление Rs - 1,9 Ом/кв при высокой прозрачности в видимой области спектра (90-95%) и отражения в ИК-области порядка 90%.

4223. Экспериментально исследован пробой окисных пленок диэлектриков frez0^)Cr20Z9 №0. Впервые получены экспериментальные зависимости времени задержки пробоя диэлектрических пленок в широком временном интервале (IO~^c - I с). Изучены температурные зависимости времени задержки пробоя и установлен активацион-ный характер данного процесса. Для всех исследованных окислов энергия активации возрастала при уменьшении напряженности поля и в пределе (при нулевом значении поля).с хорошей точностью совпадала со значением ширины запрещенной зоны данных окислов.

Для объяснения экспериментальных зависимостей времени задержки пробоя окисных пленок диэлектриков в качестве одного из возможных привлекается механизм облегченной электрическим полем термической ионизации атомов (или ионов) диэлектрика с последующей локализацией свободных носителей заряда на дефектах кристаллической структуры (анионных вакансиях).

4. Исследованы спектральные и цветовые характеристики окисных пленок диэлектриков Сг203 9 ^е203 и Mi О и показана перспективность их использования в качестве оптических фильтров в видимой области и светофильтров для получения чистого желтого, оранжевого и синего цвета.

5. Пиролитические окисные пленки Тп2Оъ:^п и использованы в приборах солнечной энергетики, электронной техники, а также при проведении ряда научно-исследовательских работ.

1. Heilmeier G.H., Zanoni L.A., Barton L.A. Dynamic scattering in nematic liquid crystals. - Appl. Phys. Lett., 1968,v. 13, p. 46-47.

2. Goodman L.A. Liquid crystal displays. J. Vac. Sci. Tech-nol. 1973, v. 10, p. 804-823.

3. Burton L.O., Hench Т., Storti G., Haacke G. CdS-Cu2S solar cell fabricated on CdgSnO^ silica substrates. - J. Elect-rochem. Soc. 1976, v. 123, p. 1741-1744.

4. DuBow J.В., Burk D.E., Sites J.R. Efficient photovoltaic heterojunction of indium tin oxide. Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 494-496.

5. Колтун M.M. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии. М. Наука, 1976, 202 с.

6. Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердоготела. Пер. с англ. М.: Энергоиздат, 1982, 320 с.

7. Pan J.С.С., Bachner P.J. Transparent heat mirrors forsolar energy application. Appl. Opt. 1976, v. 15, p. 1012-1017.

8. Prank G., Kauer E., Kostlin H. Transparent heat-reflecting coatings based on highly doped semiconductors. Thin Solid Films 1981, v. 77, p. 107-117.

9. Александров JI.H., Иванцев А.С. Многослойные пленочные структуры для источников света. Новосибирск: "Наука", 1981, 137 с.

10. Gillham E.J., Preston J.S., Williams B.E. A study of-J24transparent, highly conducting gold films. Philos. Mag. 1955, v. 46, p. 1051-1068.

11. Vossen J.L. Transparent conductive films in Physics of thin films, eds. G. Hass, M. Francombe, H. Hofflnann. N.T., London, Academic Press, 1977, v. 7, p. 1-71.

12. Haacke G. Transparent conducting coatings. Ann. Rev. Mater. Sci. 1977, v. 7, p. 73-93.13* Fraser D.B., Cook H.D. Highly conductive, transparentfilms of sputtered In„ Sn 0- . J. Electrochem. Soc.1. J —у1972, v. 119, p. 1368-1374.

13. Pan C.A., Ma T.P. High-quality transparent conductive indium oxide films prepared by thermal evaporation. Appl. Phys. Lett. 1980, v. 37, p. 163-165.

14. Hath P., Bunshah R.F., Basol B.M., Staffsud O.M. Electrical and optical properties of IngO^sSn films prepared by activated reactive evaporation. Thin Solid Films 1980, v. 72, p. 463-468.

15. Kostlin H., Jost R., Lems W. Optical and electrical properties of doped films. Phys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 29, p. 87-93.

16. Jarzebski Z.M., Marton J.P. Physical properties of SnOg materials. I. Preparation and defect structure. J. Electrochem. Soc. 1976, v. 123, p. 199-205c.

17. Bresse J.P., Manifacier J.C. Physical and electrical properties of IhgO^sSn films. Applications to optoelectronic devices. Rev. de Phys. Appliquee, 1978, v. 13, p. 757760.

18. Manifacier J.C., Pillard J.P., Bind J.M. Deposition of IngO-j Sn02 layers on glass substrates using a spraying method. - Thin Solid Films 1981, v. 77, p. 67-80.

19. Pommier R., Gril C., Marucchi J. Sprayed films of indium tin oxide and fluorine-doped tin oxide of large surface area. Thin Solid Films, 1981, v. 77, p. 91-97.

20. Астафьева JI.В., Скорняков Г.П. Примесные фазы в пленках Sn02, полученных гидролизом тетрахлорида олова.

21. Изв.АН СССР, "Неорганические материалы". 1983, т.19, №8, с.13-41-1343.

22. Yamazaki Т., Mizutani U., Iwama Y. Formation of vapor-deposited SnOg thin films studied by Rutherford backscattering. Jap, J. of Appl. Phys. 1982, v. 21, p. 440445.

23. Muranaka S., Baudо Y., Takada T. Preparation by reactive deposition and some physical properties of amorphous tin oxide films and crystalline SnOg films. Thin Solid Films 1981, v. 86, p. 11-19.

24. Hoguchi S., Sakata H. Electrical properties of Sn-doped bigO^ films prepared by reactive evaporation, J. Phys. D: Appl. Phys. 1981, v. 14, p. 1523-1529.

25. Hennig H., Heckner K.H., Hirsch D., Leadwig H. The influence of the preparation on layers properties of transparent indium-tin oxide electrodes. Phys. Stat. Sol. (a), 1982, v. 74, p. 133-139.

26. Leja Б., Budzynska K., Pisarkiewicz Т., Stapinski T. CdgSnO^ thin films obtained by D.C. reactive sputteringof Cd-Sn alloys. Thin Solid Films, 1983, v, 100, p. 203208.

27. Овсянников В.Д., Свечников С.В., Сорокин B.M. Получение прозрачных проводящих пленок с гомеотронной ориентацией молекул SK для электрооптических модуляторов света. -Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев, 1980, № 31, с.27-31.

28. Kaganovic Е.В., Ovsjannikov V.D., Svechnikov S.V. Determination of optimal reactive sputtering conditions for the preparation of conductive transparent indium oxide films. -Thin Solid Films, 1979, v. 60, p. 335-340.

29. Howson R.P., Ridge M.I. Deposition of transparent heat-reflecting coatings of metal oxides using reactive planar magnetron sputtering of metal and/or alloy. Thin Solid

30. Films, 1981, v. 77, p. 119-125.

31. Smith J.F., Aronson A.J., Chen D., Class W.H. Reactive magnetron deposition of transparent conductive films. -Thin Solid Films, 1980, v. 72, p. 469-474.

32. Fan J.C.C., Bachner F.J. Properties of Sn-doped IiigO^ films prepared Ъу HF-sputtering. J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, p. 1719-1725.

33. Ohhata Y., Shinolci F., Yoshida S. Optical properties of reactive sputtered tin-doped b12°3 " Solid Films, 1979, v. 59, p. 255-261.

34. Smith F.T.J., Lyu S.L. Effects of heat-treatment on indium-tin oxide films. J. Electrochem. Soc., 1981, v. 128, p. 2388-2394.

35. Gautherin G., Veissmantel C. Some trends in preparing film structures Ъу ion beam method. Thin Solid Films,1978, v. 50, p. 135-144.

36. Fan J.C.C. Preparation of Sn-doped films at low deposition temperatures by ion-beam sputtering. -Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, p. 515-517.

37. Frank G., Kostlin H., Habenau X-ray and optical measurements in the IngO^-SnOg system. Phys. Stat. Sol. (a),1979, v. 52, p. 231-238.

38. Vossen J.L. RP sputtered transparent conductors the system In203-Sn02. RCA Rev., 1971, v. 32, p. 289-296.

39. Samson S., Fonstad C.G. Defect structure and electronic donor levels is stannic oxide crystals. J. Appl. Fhys. 1973, v. 44, p. 4618-4621.

40. Pan J.C.C., Goodenough J.B. X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn-doped indium-oxide films. J. Appl. Phys. 1977, v. 48, p. 3524-3531.

41. Weiher R.L. Electrical properties of single crystals of indium oxide. J. Appl. Phys., 1962, v. 33, p. 28342839.

42. Bosnell J.R., Waghome R. On the structure of indium oxide-tin oxide transparent conductive films by electron diffraction and electron spectroscopy. Ihin Solid Films, 1973, v. 15, p. 141-148.

43. Sundaram K.B., Bhagavat G.K. Optical absorption studies on tin oxide films. J. Phys. D: Appl. Phys., 1981, v. 14, p. 921-925.

44. Robertson J. Electron structure of Sn02, GeOg, PbOg, TeO and MgF2. J. Phys.: C, 1979, v. 12, p. 4767-4776.

45. Munnix S., Schmeits M. Electron structure of tin dioxide surfaces. Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p. 7624-7635.

46. Скорняков Г.П., Суркова Т.П., Соколов В.И., Мартынова С.И., Чукина Т.П. Оптические и электрические свойства легированных пленок двуокиси олова. В кн. Оптические исследования полупроводников. 1980. Свердловск, Уральский центр АН СССР, с.90-93.

47. Иванцев А.С., Коняшкина В.И. Влияние примесей на структуру и оптические свойства пленок Sn02. -Изв. АН СССР "Неорганич.материалы" 1979, т.15, с.2246-2247.

48. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М., Иностранная литература, 1961, 304 с.

49. Weiher E.L., Ley R.P. Optical properties of indium oxide. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 299-302.

50. Вайнштейн B.M., Фистуль В.И. О зонной структуре IngO^. ФТП 1967, т.1, с.135-136.

51. Haza A., Agnihotri О.P., Gupta В.К. Preparation and intrinsic absorption in the band edge in chemically sprayed ln203 films. J. Phys. D: Appl. Phys., 1977, v. 10,p. 1871-1876.

52. Szczyrbowski J., Dietrich A., Hoffmann H. Optical and electrical properties of HP-sputtered indium-tin oxide films. Phys. Stat. Sol. (a), 1983, v. 78, p. 243-252.

53. Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах. М., Мир, 1982, 270 о.

54. Пролейко В.М., Васенков А.А. Перспективы развития микроэлектроники. Тезисы докладов и рекомендации Научно-технической конференции. Сер.З. Микроэлектроника, ЦНИИ "Электроника", М., 1976, вып.З (58), с.3-13.

55. Шнаревич Е.И., Рыбинский О.А., Злобин В.А. Диэлектрики интегральных схем. М., Энергия, 1975, 118 с.

56. Горелик С.С., Собакин К.Н. Свойства тонких пленок AigO^, осажденных на разные подложки ВЧ-ионно-плазменным распылением. Электронная техника, серия 6, Материалы, 1982 вып.З (164), с.54-60.

57. Ryabova Ь.А. Thin films from organometallic compounds. -Current Topics in Materials Science, Amsterdam, North Holland, 1981, v. 7, p. 587-642.

58. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей). М., Физмаггиз, 1958, 907 с.

59. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев, Высшая школа, 1980, 400 с.

60. Shosha А.Н.М., Pubfrey D.L., Young Lawrence. Theimal breakdown of thin dielectric in the narrow channel. J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 15-20.

61. Klein N., Gafni H. The maximum dielectric strength of thin silicon oxide films. IEEE Trans., Electron Devices, 1966, v. 13, p. 788.

62. Klein N., Burstein E. Electrical pulse breakdown in thin silicon oxide films. J. Appl. Phys., 1969, v. 40,p. 2728-2740.

63. Klein N. Electrical breakdown mechanisms in thin insulators. Thin Solid Films, 1978, v. 5, p. 223-232.

64. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М., Высшая школа, 1966, 224 с.

65. Воробьев Г.А., Мухачев В.А. Пробой тонких диэлектрических пленок. М., Сов.радио, 1977, 70 с.

66. Сандомирский В.Б., Суханов А.А., Ждан А.Г. Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в полупроводниках.

67. КЭТФ, 1970, т.58, вып.5, с.1683-1694.

68. Jonscher А.К. Physical basis of dielectric breakdown.

69. J. Phys. D: Appl. Phys., 1980, v. 13, Ь143-Ь148.

70. Френкель Я.И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках. КЭТФ, 1938, т.8, вып.12,с.1292-1301.

71. Budenstein P.P., Hayes P.I. Breakdown conduction in Al-SiO-Al capacitors. J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 28-37-2851.

72. Harati E. Conduction and trapping of electrons in highly stressed ultrathin films of theimal SiOg. Appl. Phys.1.tt., 1977, v. 30, p. 601-603.

73. Харитонов E.B. Диэлектрические материалы с неоднороднойструктурой. М., Радио и связь, 1983, 128 с.

74. Койков С.Н., Цикин А.Н. Электрическое старение твердых диэлектриков. Л., Энергия, 1968, 184 с.

75. Койков С.Н. Электрическое старение диэлектриков и надежность электрической изоляции. Электричество, 1978, №9, с.33-37.

76. Розин Н.Т., Столов Л.А., Харитонов Е.В. О применениях метода прогнозирования электрической прочности диэлектриков и конденсаторов, основанных на статистике экстремальных значений. Электронная техника, сер.8, 1974, №8(26),с.123-127.

77. Корсун JI.А., Бейрачный Б.И., Андрющенко Ф.К. Исследование физических процессов при изготовлении и старении оксидно-полупроводниковых конденсаторов. В кн. Анодные окисные пленки. Петрозаводск, 1978, с.172-180.

78. Дьяконов М.Н., Карпухина Л.Г., Муждаба В.М. Термополевая кристаллизация и ее влияние на электроперенос в анодных окисных пленках тантала и ниобия. Электронная техника, сер.5, 1980, I© (40), с.17-21.

79. Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Жук Б.В., Каверин Б.С. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М., Наука, 1981, 316 с.

80. Рябова Л.А., Салун B.C., Сербинов И.А. Свойства прозрачных проводящих слоев на основе окиси индия, легированной оловом.-Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физика окисных пленок", Петрозаводск, 1982, с.55.

81. Salun V.S., Ryabova L.A., Serbinov I.A. Oriented growth and physical properties of transparent conductive IngO^sSn films. European Meeting on crystal growth-82. Prague, August 1982, p. 146-147.

82. Kane J., Schweizer H.P., Kern W. Chemical vapor deposition of transparent electrically conducting layers of indium oxide doped with tin. Thin Solid Films, 1975, v. 29, p. 155-163.

83. Russak M., DeCario J. Radio-frequency sputtered indium-tin oxide thin films. J. Vac. Sci. and Technol., 1983, A v. 1, p. 1563-1564.

84. Ryabova L.A., Salmi V.S., Serbinov I.A. Transparent conductive films of IngO^jSn prepared by pyrolysis method. -Thin Solid Films, 1982, v. 92, p. 327-332.

85. Воронцова E.M., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М., Наука, 1965, 335 с.

86. Рябова Л.А., Салун B.C., Сербинов И.А. Оптические свойства пиролитических пленок окиси индия, легированной оловом. -Оптика и спектроскопия, 1982, г.52, вып.5, с.956-958.

87. Детиненко В.А., Мелиновский В.К., Новиков В.Н. Нарушение стехиометрии по кислороду и проводимость пленок ^rL2°3

88. Электронная техника, сер.6, Материалы, 1983, вып.1(174), с.41-43.

89. Платонов Ф.С. Электрическая прочность оксидных пленок на вентильных металлах. Изв. вузов. Физика, 1967, №2, с.7-9.

90. Varlay J.H.O. A mechanism for the displacement of ions in an ionic lattice. Nature, 1954, v. 174, p. 886-887.

91. Paroli P., Byabova L., Salun V., Tucciarone A. Optical filters based on pyrolytic films of metal oxides. Phys. Stat. Sol. (a), 1983, v. 75, K209-K210.

92. ЮЗ» Иванцев А.С., Рябова Л.А., Салун B.C., Соловьева А.Б. Цветовые характеристики пиролитических пленок окислов металлов. ЖТФ, 1984, т.54, вып.6, с.1209-1210.

93. Международный светотехнический словарь, издание третье. М., Русский язык, 1979.

94. Борисов А.Б., Гущин Е.М., Лебедев А.Н., Сомов С.В., Кленков Г.Г. Увеличение чувствительности фотопленки в импульсном электрическом поле. Препринт № 263 ФИ АН СССР, М., 1983, 17 с.