Электродиффузионные методы создания Cs+ и К+волноводов в стекле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Галенян, Михаил Гайкович АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1991 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Электродиффузионные методы создания Cs+ и К+волноводов в стекле»
 
Автореферат диссертации на тему "Электродиффузионные методы создания Cs+ и К+волноводов в стекле"

АКАДИЕЙ 3НА11 "СССР ИНСТИТУТ ОБЦЕЯ ФИЗИКИ

На правах рухопнои УЖ. 621.372.8.029.7

ГАЛНГШН МИХАИЛ ГАЙКОВИЧ

алжтродаиузиснныЕ ывголи создания

Сь- И К+ - ВОЛНОВОДОВ В СТЕКЛЕ (01.04.07. - физика твердого тела)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата фпзико-математическпх наук

Работа выполнена в Института оСщой физики All СССР.

Научные руководителе: члелькорреоцондел? АН СССР Дпаков Е.М.

доктор физ.-ьит.наук, правее сор, заместитель директора ИОФАН

кандидат физико-математических наук Тищекко А,В., старший поушый сотрудник ИОФАН

Офпцяплглыв оппоненты:

Ведущая организация:

доктор £азико-математических науя Смирнов В, Л,

кандидат <£п зико-мит смс тггеес ких наук ПелахатиЯ В.М,

Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова (г,Ленинград)

15-

Запита диссертация состоятся (^хй^! 139 / г, зз

часов но заседании Специализированного совета гё 2 при Институте общей физики АН СССР по адресу: 117942, Москва В-333, ул.Вавилова 38. •

С диссертацией кокно ознакомиться в библиотеке Института общей физики АН СССР.

Автореферат разослан " ?? " ^М^фТй 195) г.

Ученый секретарь Специализированного совета

^/■¿С/иш/—

Ирнсова Н.А.

I - 3 -

. » . % » /

ОБЩ ХЛРАКТЕЙЮША РАЕОШ

Актупльпость темы.

Реязнвя задач оатозлектроннка треста? создавая шсококэ-•чтетвешгах кяогофункпяояЕУшпа кедповодов о пязгсгяа оптпчесгжнз потершая, ппзроюш оподтрэльшм диапазонов, опредадетпаа даосер-еноннкмя харзкторпотакдаа, о позмозностьа отцпоехй с волокстао-* оттгчосшш саотовода?« п т.д.

Прсьтяешюа производство оатоэлектролтяс уотройота нсклз-дквао? допо.пнятслы*оэ условие - иязкув стопглост:*, которая опродо-ллотся стоимость» псдг.сггга для пптограпьно-оггп^еапоЯ отруатурп а стс-кхоотьп оелоЗ структуры т.о. имководов, язготвшщвпс-шх яз (тли в) подлогкз.

К навбодеэ удобнш материалам, из осиозо потерю: созд5?«ея пассаэнко ноуправлявдле оптоэлеятрстгаэ 70тройства, отаооятея отекла. Кромэ того, па основе стекол лэглровеппих аолущ)овсдох:к2-'<?а (СЛП) во5?«што создеяив ппоспеншс 7пра1?лящяя а вктпеисс оптозлзкт-рошгах устройств. Стекла обладаю? «лотами преилуществамз перед друттап изторпзлпмл, следовательно, йсподьзогипне в пачоство матера ал а подлозкз стекол лвллотса перопейтактим направлением. Соответственно осэденяо п исследование тснкйх дволехтрзчеешк болпо-воднюс олооэ пзготоашшых а стеклах - оатгальяся задача.

Из литература известно больсоо количество различи?« технологий, вспользуе«ых дал создания оптачоекпх волноводов в стггшпх. Наиболее перспективной технологией, с пашеЗ точки зрения, яаэдстоя электродиффузисшыЗ понный обмен. Технология злектродиффузни значительно менее распространена п значительно менее исследована, чем технология термодйффузионного (ТД) обмена Еследствпи

бодие сяе&пйй техяодогдй;с кой схег.а. Однако она позволяет по только иснедьэовать разлачщгэ режимы алектродв^фузии, ко к дозволяв? , варьирул тип прадоявиаото кзпрязгеная, кячэетвшшо из?гекитх рьу.та &лсптрод"<М'УЗЯи, что кххаоляо-г полу тать структуру с ковше оьсКатоага. Развитие технологам апектродафруэии, а также исследование, полученных методом злектродайузеонного конного обысиз, бсушоводнш: слоев в сто'клах, я&ляотся перенектвзнкгл направлением иоследозагшй,

Цоль оайотн. Целью данной работы являлось исследование электродаф^зпогаьк методов ооздгшял Сэ - и К"1"- волноводов в стекле, для дсстазшшд этой цели требовалось рашкть следущзе задачи:

1. Исслодозснве параметров Сз- к К*- волноводов в стекле и.зготовштны ыотодоа! злектроди;Й!уз11и при постоянном токе ОПТ).

2. Иослздазанпо параметров - СС~ и РГ1" — волноводов в отекло пзго'.'олленшх методом иглпульсноЕ э л с ктрод!! ффуз п п (ИЭД).

3. Пр2мсн5нво мотода ИЭД да! создания волноводов в СЛП.

Поактстйокая ценность работе заклзчзатся в слодув^с?/.:

1. Вперзпо для создания оптвчеекпх волноводов предаете» ко™ 'ход ИЭД. с по^одко которого повалена стабильность процесса, одн:^-роднос^ь и воспроизводимость параметров получаамах волноводов. Методом двойной ИЭД в расплаве С$М03 , а затем в расплавах/ 'Л'^ и А'Л'о^ подучены заглубленные Сь'-ъалиоводы.

2. Предложена и реализована новая технологическая схема . электродиф?>угий из расплава в стекло, позволяющая значительно упростить процесс получения высококачественных электродиффугясн-пых волноводов. Оптические потере пленарных А - волноводов

0,2 дЕ/ск.

— о -

3. Методой ИЗД попев К4" из расплава КЫ03 в отекло, оодвр-нащее мпкрокрясталлята С^Б, впервые получена оптэтоскле волновода с потеряла менее 1,5 дЕ/см. Продейсзотчйрсван гф^еет увашпо-нел поглощения а тагах волноводах, сра прплот.енти ¿гос-го.чякого эдектрачйского поля, Эф$ехт мозет бнть аслользсван для ооздеттая ептачпокого модулятора.

4. Предясяея новый простой способ спредедетат параметров канального волновода, заклттающайея а азмаренпп спектрального пропускания снятия; канальный волновод, состшсопэшшй о одаогадозшд волокнами,

Атсобацая работы. Основные результата работы докладквадяоь л обсуждалась па слодугщшс хонфвренщщх я оекщарая.'

1. X координационное созэдшгиа с-овместпоЗ кощеепп АН СССР п ВАН по микроэлектронике (Будапешт, 1983).

2. Всесоюзный наушкй семинар "Основные тецдонщш развитая волоконпо-аптегральпоЯ оптпки" (Клев, 1989).

3. XXX. научная конференция ?.?'ИЯ (Долгопрущшй, 1939).

Дублгто-цяп. Результаты дасоортащш опубликованы а пеяатшлс

работах, порочиолетшх в нопцн автореферата.

Объем работа. Диссертация состоит вз Бведенгл, пяти глав, заялотепия а оппска цитируемой литературу, Общий объем работы составляй? 149 отрсгсц, в тем чпелэ 97 страниц иетнояпеиого текста, 45 рлоупкоэ, 7 тсблгщ, еппоок лпторатурц кз ПО наименований.

СОДЕКШМЕ РАБОШ

Введитз. Зо введении показана актуальность тали, сэдгдулз-розана цель диссертационной работы, дзйо краткое содеряанпе клн-дого из ее разделов.

Нервен глава. Метода создания адектрода^фуэйошых аолново-доа в стсклэ 2 иасяадсзанЕО их пс-раштров.

Ь гюрзой гласе рассиотр&ин вопросы технологии електродийу-аза в кэтсдн гкоаорлментеаьного н георатетеского спродолекия профиля показателя прешддеяия (ПЕЗ). Дан краткий обзор разлЕчтшх гсхподогай, ао2$;о^Г£эдг создавай, полноводные олои. Балез подробно рассмотрена пройдем; п Еозьаааос-ги ионкс-обксиноп даффузвв как во кногах этноксйкяз: яаагххнвз удобной п простой технологии. ЛоЕогкш особенности &авк$ро№$$узв&пного мэтода создшзя волне— нодрых слоев с повш-аннгсл поклэйтьг.см арслс^-лотдаг.

Дан обзор тасыерклоята-шгах иотодов определения ПИП. Гас~ смотрена методика «амгринвй па ргзлдчних уотановках, воэкозглоезга STiax установок, недрстстка силах методов, области iu применения а т.д. Дал случаи слепак Ш1 показана целесообразность ¡григ/еке-ная иотода измерения ИЛИ оопояшшого к г определенна дайчвдвешюй сфЬгкишкиС'хя pcffifiWuJ «г поверхности ведвояода.

Дан краткая обзор теоретических иетодов восстановления ШЫ. Рассмотрела метода гоастановлааш ППП но зкепоркмода-гш-цо Езлзоряшым •о5.фектяз1Паз показателя!.! цракоглленай (ЗГПТ) и случае заранее предложенной модели ШШ, как для планерного, так е для цйнзльнсго яолуоЕода. Указано па неоднозначность получении такп-мп ыетодаыв ШШ (нецрныер, 2 случае олагныг ШШ) я на охрыннчеа-нуэ применимость такпх мотодоб в случае одноглодовше волноводов.

Вторая глава. ЭйзктродгффузЕя нрл постоянном токе (ОПТ).

Вторя глава диссертации посвявдана созданию и пссладовшш) ЭПТ ¿s*-волноводов в стекле. Описана новая технологическая схема метода 5ПТ. В агрессивной среде СьН0$ предложено использовать

тягаль йз чистого алшиияя, в отличии от обычных кварцевых, что позыпает эксплуатационные характеристики технологий электродафЕг-зап. Проблема электроизолящзи жидких катода и анода решена оригинальным способом: с помощью сил поверхностного натяжения расплвв-кэтод удерживается на поверхности подложки под платиновой пластиной.

Приведены характеристики ¿с -планерных волноводов: малые потерн ( ~ 0,2 дВ/си), температурная устойчивость ( > 300°С), устойчивость волноеодов к различным технологическим операциям (йотов травление, напыление различных покрытия и т.д.), результаты измерений ЗПП расцрострапяешх мод волноводов изготовленных в разных условиях.

Линейный характер приведенного типичного графина зависимости ЭШ соседних мод П* - П^., от номера моды т указывает па то, что ППЛ близок к ступенчатому. Для каждого волновода методом наименьших квадратов определялась толпдаа пленки и еа показатель преломления. Показано хорошоо соответствие реальпого п модального ступенчатого ППП. Приведены результаты измерений ЭПП для еол-новодов подвергнутых высокотемпературно^ отжигу (до 500°С). Исследована ЗПТ-даффузия из различных расплавов - из частого АЬУ03 я из смеси А/аШз + СьМО} . Цоль этих экспериментов - получение заглубленных Съ -волноводов с пониженным прирадояпем показателя преломления лП . Обоснована делбсообразность ооздаппя таких волноводов, т.к. симотризации волноводпсго слоя я понижение л (1 позволят с л углей" Еффсктшш остью состыковывать волноводы с волоконно-оптическими световодами.

Экспериментально доказано, что заглублояло Сь -волповодов методом ЭПТ малоэффективно: при заглублении из раоплава чиото-

- о -

го ЫаЫОъ глубина заглубления ~ 0,1 ш, а при заглублений из сшси расплавов НаМд3+С%Я03 глубина 4 I ымл с плохой повторяемостью. Сложности, возшжащив при решении задачи по заглублении Сг -волыоаодов объясапи-гя крайне большой раз;ицей в подвезеоотях нонов /V/ а Л . Пс этой ге причине обычно ариае-вяемай способ попигснвя лп в ионно-обмеяной технологии - исполь зование сиеоой различных расплавов о разным процентным с од ерзанием диффузантов - мк же непригоден дач ЗПТ - С& -волноводов. Как

уотаповдепо, пыост ыеотс диффузия только одного, более подвженого * • *

даффузанта (кона Ш ) до полного истощения смеси расплавов, после чего начинается дяффузия гонов .С* в стекло. Б качество способа пониабния праредения показателя преломления предложен от-аях- заглубленных волноводов при тег.шературе изготовления. Таким образом, удалось понизить лП в 2,5 раза.

Третья глава. Исследование параметров ЭПТ - волноводов.

Б третьей главе исследованы анизотропия пленарных С& -Е К*"-болпсводов полученных мотодом ЭПТ в предложен ноаый метод спродолзпия параметров Еапздыщх волноводов.

Исследование анизотропия волноводов представляет интерес ■ с точки зрения поачмзпия физики процесса волповодообразовапия. Проведено сравнительное исследование анизотропии как ЭПТ Сь~ к К* - волноводов мажду собой так и сравнение их о ЗД & - и К+-.волноводами. Измерены ЭЩ распространяемых иод отонаенншс вол новодов по которым восстановлен ШШ. Для различных случаев прадло кены различные исходные модели ППП. Для ЗПТ - волноводов - ступен чатый ППП ( и для С& и для К^-волноводов), для ТД-волноводов -параболический (дот ¿^-волноеодов) и ППП, описываемый дополни-

тельной функцией оппоок (для ^-волноводов).

Показано, что для ¡{"^-волноводов отаиг приводит к значительному уменьшению при относительно небольшом расшгыввпии 130л-новодного слоя. Это могло объяснить нелинейной зависимостью приращения показателя преломления К^-волновода от концентрации иопов К1", Неизменность отнопония заяачЕпы анизотропии к приращению &П обуслоаюна, скорее всего, тем, что в основе пх возникновения лехлт один и тот яэ механизм - механические напряжения в волноводе. Представленные измерения значения ЭПП стсяеояшх А*-2олно-еодов позволяю? предположить охспесть механизмов образования полноводного слоя при ТД и ЭПТ ионов Сз в стекло в свидетельствуют о разлитая механизмов зозкикповения анизотропии и волловодообрп?о-эания в стекло при ЭПТ ионов Л з 1С1".

Расплав нитрата цезия является сильно агрессивной средой. Поэтому применяемые обычно маски из напиленного на стекло титана нельзя использовать для создания канальных Св -волноводов. Напыленный до на стекло алюминий обладает плохой адгезией со стеклянной подложкой, вследствпи чего края канала маски имеют неудовлетворительное качество. Для создания канальных &*-волноводов предложена слоистая структура маски: титан+ашганиЯ, в которой слой напыленного олюмзкня играет роль охранного для титановой маски. Прдмепешш слоенпЗ маекз позволило повысить качество канальных ¿^-волноводов в срзЕпэнзи о канальными Л-волпоэода-1.и изготовленными через ядпаиниовую маску за очет получения более гладкого края капала маски который при элсктродиффузии имеет значительно больпоз значение чем при ТД.

Предложен ноный метод нахождения основных параметров П1Ш канального волновода, основанный на определении спектрального

пропускания саотемы канальный волновод - одномодовоз волокно, 'отличающийся простой методикой измерения и несложными расчетам. Метод успешно применен и в случае плавного, параболического ППП ТД- - волновода, таккё к в случае резкого ступенчатого ППП ЗШ- ¿s - волновода. В случае Jig -волновода, справедливость получонкых парамотров канального волновода проверялась сравнением с результатами, полученными другими методами. В случае Г/-волнозода - прямым измерением, размеров канального волновода по фотографии этого волновода, подученного на электронном микроскопе. В обоих случаях параметры канальных волноводов, полученных предлагаешь» новым методом находятся в хорошем оогласии о результатами, полученными другими методами.

Четвертая глава. Импульсная злектродаффузия (ИЭД)

Четвертая глава посвящена новому методу создания ионнообмеп-ных волноводов' - методу ИЭД.

Обосновывается целесообразность перехода к импульсноперио-дичвскому релшму, который долаен повысить однородность волноводов, оообенно цри переходе к большим подложкам. Описывается установка по КЭД, приводятся характерные параметры процесса диффузии цри изготовлении й- и К4"- пленарных волноводов я их характеристики. . Метод ИЭД предложен в качестве технологии, позволяющей получать эффективно заглубленные при низких температурах ¿^-волноводы. ИЭД - затаубленио из расплава ШМ03 Cs- волноводов позволяет погружать волновод в подложку на глубину ~ 2 мкм. Продемонстрирована возможность заглублять этим методом Cs -волноводы к из расплава КЫ03 на глубину ~ 3 мкм. ИЭД - заглубление применялось и для заглубления К*-волноводов из раоплава NnN03 , Показано, что для К4"- волноводов ИЭД - заглубление столь хе эффектив-

!!0 КЙК и ЭПТ - заглубденио.

Большая часть главы посвящена экспериментальному измерению ППП всех. ИЭД - еолпоеодов вкличая ИЭД - заглубленные к ах сравнение с ППП, ЭПТ - з ТД - волноводов. ППП вслководоз измерялся дифракционным методом, псзволяицим измерять показатель праш.'леягя с помочью измерения дифракционной ОффеКТИВНССТИ гофра па псвэрх-ноств с последуздим послойным травлением волновода. Такой метод

л

измерения ППП обладал хорошей точностью { ~ 10 ) в определения показателя прело;,тения и хороши разрешением по глубине- волновода ( -V вО га).

Представлены ППП ИЭД- Си - волноводов заглубичедкнх в расплавах « И''03 . Показано, что ИЭД - заглубление упзчто-заот второй слой с бол-зо низким показателям прелетляеют, шгссл границу волновода делает болеэ резкой, чем до заглубления, а приповерхностную границу более пологой. Псз ИЗД - заглубления лз расплава А'йК'03 удастся получвть ясямиетри-вяыЗ ППП, а в случав ИЭД- 2-глуЗлгзыя из расплава КМ05 сп^этричинЯ .ППП ИЗД •• Си - волноводов.

ПШ ^-волноводов, изготовленных методом ИЭД значительно

А ^

слогясз ПШ1 ¿5 -иодноясдов. Обнаружена квазиперяодическш структура л объеме золпезеда о малым периодом ( ~ 0,5 и большим перепадом поназатата преломления 0.10"^). Из сравнения.с ТД-я ЭПТ - волноводами доказывается, что узкая структура профиля ¡Г4"- волноводов возяшсаот прп использовании ИЗД-технологии.

Пдтая глава. ИЗД-К+- волноводы з стекле, легированием полупроводником.

Пятая глава посвящена црпменению' метода ПЭД для создания волноводов в СЛП.

Продемонстрирована возможность создания ИЭД- К^'волповодов хорооего качества з стеклах, легированных полупроводниковым* однородными микрокристшшкамн ¿¿/5. -ИЭД- технология позволяет значительно снизить время Чйааес^чем о 300 раз) 'создания волновода в сравнении с ТД- технологией. Потери на распространении в ИЭД - волноводах снияены до 1,5 дБ/си против 5*10 дБ/см для ТД-волноводсв. Показано, что основной вклад в потери вносят неоднородности стекла к свили, обусловленные несовершенной технологией изготовления таких стекол.;'

Исследовались злектрооптичеекие свойства в ИЭД - К4" - волис-воднсм слое изготовленной в СЛП, Установлено , что влектропоглощение света сохраняется шэсле проведения процесса диффузии ионов К+ в стекло. Измерения электропоглоцения проводились по схеме с поперечно расположенными электродами в: плоскости, перпендикулярной плоскости волновода т.к. использовался планпрный 1С4" - волновод.

Представлена графические зависимости интенсивности выходного излучения от приложенного электрического поля, а так^о зависимость натурального логарифма интенсивности выходного излучения от квадрата поля для разных длин воли лазерного излуче'ния вблизи края поглощения используемого стекла. Показано, что измеренный адект-роабсорбционкнй эффект- практически не зависит от поляризации света к полярности иапрядсикя на олектродах, т.е. квадратичен по полю. Максимальное ослабление, подученное в эксперименте, составило 90% при величине электрического поля 6.6 В/'мкы, что свидетельствует о больших потенциальных прикладных возможностях.•

Предложен физический механизм, объясняющий амплитудную модуляцию излучения, прошедшего через волновод: изменение формы (например, сдвиг края) полосы поглощения света вследствии прило-

генного к образцу напряжения. Заключение

Б диссертации ¡пложены научные осноен и экспериментально воллоасн новый технологический кетод (осносанныП на применении ик-пульсной ?лсктролиО?узк!1) получения в плоских стклямних подложка :< тонки«; диэлектрических слоев. Эти слои представляя? собой опткчеекгз ¿5 - и К*- волноводы с низкими оптическими потерям«. Такие полмоводы могут бить изготорлоны о оироком классе стекол, включающем с тек'л а, легированные полупроводником

Полуиенкнп результаты обеспечили рсэение волной прикледной задачи: разработки новых технологических иетодоа иэготозлекия пн-сококачестзенннх многофункциональных волноводов о различных подложках для создания оптоэлектронных устройств.

3 диссертационной работе получены следувцио основные результаты:

1. Впервые длк создания оптических ролнородоз предлеяеи

и применен метод импульсной электродиффузии. С поиокыз этого метода получены волноводы с повышенной пространственной однородность» показателя преломления. Процесс создания таких волноводов отличается временной стабильностью тока злектродкффузки, что позволяет изготамиеать волноводные слои заданной толсины.

Предложена и реализована новая технологическая схема олектро-диффузии из расплава о стекло, позволяю?,^' значительно упростить процесс получения электродифбузионных волноводов.

2. Методом импульсной электроди^узии ионов К1" из расплава

кщ

в стекло, легированное микрокристаллитами СН5 впервые получены оптические пол незоли с потерями менее 1.5 дБ/см. При приложении постоянного электрического поля (6,6 Б/мкм) в

таких волноводах продемонстрирован эффект увеличения поглощения (до 10 дБ/см), который может бить использован для создания оптического модулятора.

3. Метод импульсной электродиффузии использован для получения .1 загубления К*"- волноводов в стекле. В таких волноводах

обнаругсеиа»-пространственнгш модуляция показателя преломления с

3

пер'одсм "0,5 мкм и амплитудой ~ 8.10 .

1. Проведен цикл исследований С& -волноводов в стекае, ц".:/аваемых различными электродн.-М-узионными методами. Определена зависимость параметров профиля покапате^я преломления ог основных характеристик процесса' электродиФФуэии при постоянном токе, позволяющая изготавливать Св ,-волноводы с контролируемыми параметрами. Исследовано влияние процесса электродЩфузии и последующего отжига на анизотропию А-\и К+- волноводов в стекле. Обнаружено сходство механизмов волноводообразования и анизотропии в К*-волноводах и различие этих механизмов^ ¿5 -волноводах. Методом двойной импульсной электролизу зии в расплаве а затем в расплавах Л'аЩ и КЫО, получены эффективно (более 2 мкм) заглубленные Сь -волноводы. Отжиг таких- волноводов позволяет получать незагубленные волноводы с пониженный (в 2,5 раза) приращением показателя преломления.

5. Предложен новый способ определения параметров канального волновода, представляздего собой тонкую (~ 3 мкм) диэлект-рическус полоску. Способ заключается в измерении спектрального пропускания системы, состоящей из исследуемого канального волновода и пристыкованных к нему двух одномодовых волокон. Определены параметры канального ¿5 -волновода (поперечные размеры

о

3,8 мкм и 1,3 мкм, приращение показателя преломления 2.0.10 )

получзнного электроди^узлей через двухслойную металлическую маску.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах,

1. Галечян М.Г., Лианоп K.M., Лындин Н.М., Тиценко А.З. Электроди^узия ионов ts в стекло из расплава ащ . Планерные волноводы. Копнтовал электроника, т,16, !.°2, с.344-346 (1939).

2. Галечян М.Г., Екимов А.Е., Каразанский В.А., Лындин Н.М., Сычугов В.А., Тиценко A.D. Волноводное электропоглоиение света

в стекле с полупроводниковыми кристаллами. Краткие сообщения по Физике, VII, с.33-34 (¡989).

3. Галечян М.Г., Лындин U.M., Нурлигареев Д.Х., Тиценко A.D., Анизотропия волноводов полученных электродиффузией ионоа Сз и К+- из расплавов CsNOi и КЩ в стекло. ЙТЗ, т.60, в.9,

с.133-136 (1990).

4. Галечян М.Г., Дианов Е.М., Лындин Н.М., Тиценко A.B.

п*

Электроди^узнониые методы создания Сз -волноводнах структур в стекло. Препринт И05АН, V55, Москва, 1990. Отослана в печать.

5. Галечян М.Г., Дианов Е.М., Лындин Н.М., Сычугов В.Л., Тиценко A.B., Усиевич Б.А. Новый способ определения параметров канального волновода. Препринт И05АН, !г77, Москва, 1990. Отослана п печать.

6. Галечян М.Г., Дианов Е.М., Локтев С.М., Лындин Н.М., Тиценко A.B. Импульсная электродиффузия ионов К4" из расплава

КМ03 в стекло. Препринт ИОФАН, 89 Москва, 1590. Отослана в печать.