Электродиффузные методы создания Cs+- и К+-волноводов в стекле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

АКАДШИЯ НШ СССР ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

На правах рулонной УЖ. 621.372.8.029.7

галишн михаил ГАЯКСШЧ аяШГРОДК^узискшб методы создания С* - и К+ - волноводов в стнслв

(01.04.07. - фазика твердого тела)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва, 1991

»10

/ /

: /

Работа выполнена в Институте сСщей физвкв All СССР.

Научные руноводйтагл: члегькорресиондел? АН СССР Ддаков Е.М.

доктор физ.-шэт.наук, профессор, заместитель директора ИОФАН

кандидат фйзихо-штематпеских наук Твщетсо А..В., старашй паучиыЯ сотрудник ИО&АН

Озацяадыше оппоненты:

Вадущая организация:

доктор фа зкко-математкчес ¡та кауя Смирнов В,Л»

кандидат физвко-митидатичесдас наук Пелахатый В.М,

Государственный оптический институт им.С.И.Вавилсяа (г.Ленинград)

Загвта дассертацаи состоятся п29* 139/ г, в

часов на заседании Специализированного совета К 2 при Институте общей фпзаки АН СССР по адре<*ЗУ II7942, Mocxsa В-333, ул.Вавилова 38.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института общей физики АН СССР.

Автореферат разослан " 22 " I9S / г.

Ученый секретарь Специализированного совета

Ирисова Н.А.

одая хлршерлсмка работы

Рояенкя зодач ситоэявхтромка тро<Зуи? создания шоекека-честэвших «ноЗ№ф7Кксяонаяг.«ых аояповодов с кизкдаз! оютгчезкикз аотэряш, шзрокпи опоктрздшзя диапазоне-«, опредалбюпгш раокер-оионныш характеристиками, о оозмсаюсгьа о^ыяовкй с надоконно-' оптичоекзш своговодавд я т.д.

Прсмшшемюэ проззводотво онтоэлекгрокшос устройств нгада-дгааот дожшгагедьков уодовяо - штую стоямость, которвя определяется огозгю&тыэ педяоакн длл внтогральяо-опт^озкой структуры я стошоотго оьмоЭ структура т.о. волноводов, изготавливаемых па (11515 в) 80ДЯСЯЙЭ.

К иазбсйбэ удобном кзторпалам, «а сс:№о которых ссэдззтся паесавкно пвуправлявэде огггоэлектроншэ зтзтройогаа, откосятся отекла, Крюзэ того, на основа стекол лэгароЕаятшх полупроводника:.«? (СЛП) вогмозно создание пйосйеншс управлягацах 2 экгнбншс оптоэлэкт-рогошх устройств. Стоила обладает ыяотая преизуществаш перед друпдаа цзторяаяама, следовательно, ясподьэовкше в качество материала педаозяа стекол является порспе.Ч73ЕШ34 направленном. Соответственно ссэданяе п нсследоаакиа тешеа дяадектрэтеегшх волноводах сдооз изготовленных в отводах - актуальная задача.

Из литература язясотпо бодызоо количество различных технологий, используагах дал создания оптнческах волноводов в етедлах. Наиболее перспективной технологией, о нашей точка зрения, является электроддффузиокныЗ иошшй обмен. Технология злектродиффузии значЕташю менее распространена л значительно менее исследована, чем технология теркодйффузионного (тд) обмена Еоледстввя

болае слсг'и'ой- тахлолопйбо-кой схема, Одшако она поэзый&т но только использовать различные решдц слектродвЯфузий, ко к поззо-— лЯъГ, варьируя гй'л прйлол:в»аго№ капрявваая, кот затаенно изквнкгх. рьт.рпй блбктродлффузш!, что йозЕйляэт получать структуры О КОБЫШ оззсйа-гашла. Развитие технология &л8кгродафрузйи, а такно аослодо-ватшв, пол^ченних аэтодом злектрода1Фгзкониого гонаого обмена, волиовсдкых: слоев в стёклах, ямя-атся перспективным напрапленном исследований.

Цель работа. Целью данной работы яедялссь вссдедскакдо э.пвкгроди(|фузйош1с: методов ооз.даиш Сэ* - ъ ¡С"- волноводов в стекле. дпя достакекмя этой целя требошлось р&еить следущзе задачи:

1, Йссдодоаенай параметров ¿з - в К*"- волноводов в стекле н&гоговяшш: ыотодсм злектрЪдйф]?узял при постаадном тока (ЭГГГ).

2, Иссладозекио пззраметроп С&- и К* - волноводов в стекле язготовлешшх методом импульсной влсг-.тро;«;ффузля (ИЭД).

3, Пр;меп5нае метода ГОД дая созденкя воляоподоэ в СЯП.

ЕвастЕчеокяя ценность работе бакдвчаатсн в следугнем:

1. Впервые для создания оптических вашозодоз предложен катод ИЗД. с иогкздью которого повышена стабильность процесса, однородность и ЕосиройЕБодаыость параметров получаема: волноводов. Методом даоГшсй ИЭД в рамшва С*Ы03, а зегеы я расплавах/•'Ач2г и получены заглублешше -волноводы.

2. Предаодена р реализована новая тохнолоютеская схема . элоктродафйугии вз расплава в стекло, дозволяющая знвтаташю упростить процесс получения Еисококачествегашх алектродиффугиск-пых волноводов. Оптические потери планаркых С$ - нолноводов

0,2 дБ/ок.

3, Методом МЭД допев К4" вэ расплава в отекло, содержащее гязярокрис таллаты 045 4 впервые получены оптачоскяе волновода с потерял мкюе 1,5 дБ/см. Прсдемоястртрсзан уввшгчо-иья цоглещенля в тагах эодяотюдатс, прз прплскекиа цооуоишого адехтрачаском поля. Эффект мозот'бнть асяользсган для ооздевпя опгачсского модулятора.

4. Прэдяскеа повкй простой способ спредвлачет парамотроа канального волновода, зшыалеиагайся я азмеренЕИ спектрального пропускания системы канальный аолновод, состыксяагош'Л о одаоьэдозикз золокнама.

Апробация работа. Основные результаты райоты доляадаяаллоь а оЗсуздалясь на следузцях конференциях а сегашарах.

Г. X коордйиацзопноэ совещание еов.честясй комассяп АН СССР я ВАН па микроэлектронике (Будапешт, 1583).

2, Всссоэзшй паупзнЗ сошнар "Оспорено теяденщш развития волойонно-антегральной сятихм" (Клев, 1989).

3. XXX, паучяая копфзропцяя Ш>ТЛ (Долгопрушшй, 1583).

Пуйпггеяггез. Результата диссертация опубликована а печатая:

работах, норвчислешшх в яопца автореферата.

Объпи работа. Дяссортащш состоят из веэдонвя, пяти глав, зашютешш а ошска датируемой литература Общай объем работы составляет 149 отрэпид, в том чяслэ 97 страниц мапшнояленого текста, 45 ряоуякоэ, 7 таблиц, список лпторатурн кз 110 нашэно-28НПЙ.

СОДЕККАШЕ РАБОМ!

Впоретв. Зо введшая показана актуальность теми, о$ощузв-розана ноль диссертационной работа, днйо краткое содерашпо каждого из ее разделов.

Цепляя т^г». Уетолн ооедшзя ад«ирад§фуэаойнах аозтаде-доз 8 «зхекаа й Еоояедсэзгше их псрометроз.

--------—В аерарЗ ьлть раооиотронхг воцрс&а тахпопопзй йлектродаФ&у-

заа з уагодн гаоа&хжеитй^кога и гворётетесхога -спраяолиам-прог §зпя аоказьтеяя прйкшбага (ШШ;. Дак краткий обзор различии гегаологай, ааз^сй'шуи: соадаЕзгь водясводные одон. Более подробно рассмотрена цро&тм п гозкошюс-ш яоано-обкоиной дн$фуз£т как во «ногах этагасдаях яекбачеа удосиоё н простой тахнологап. Показана оеэбевдосг* адзк^рчвнфйгаамшого метода ооздмшя здкво-водных слор-з с тмггакнш показателем прзлсжетшг.

Дзь обзор експеркыоктг-шгнх истодов оцределезшя ШШ. Гйс~ емзгрона методика ка рг&яачвшх устшовках, возмогаоста

установок, недостатка еаш?х истодов, области юс праменшая а т.д. Джя случая слозшгк 12Ы показана Еаяесообрззностъ щшмеке-тл котодз згыерепая КПП ослоаапиого кг определенны да^р&вдошюй аффахт-ивБсетя ршеты: кг йогйрхлог.гд Есгколода.

Дан враткап обзор теоретических штодое восстаноавшая ЦЕН» Р5сс?.:о?р-&"1к метода госстеновлснвя ШН но зксверйглзцтадько и&йорашш зЗфоятявгагм показателя:.? нрояоиярюет (ЗЩ) » случае заранее предложенной модолл ШШ, для иязкарного, ток к для кьщи&цсго лолиоюдс. Указано па неоднозначность псяучашых такими иотодаш ШШ (аепрныер, з случае слоетпсс ШШ) в на ограниченную цриаеншость такиг. методов п случае однсиодовых волноводов.

, Вторая глана. Элоктродаф^узня прд постоянном токе (Э1Г1).

Вторя глава дисаартацаи посвящена создшшю к исследованию Э1ГГ ¿¡^-волноводов в стекле. Описана новея технологическая схема катода 8ПГ. В агрессивной среде С% N0$ предложено использовать

тйг&йх. Ез чистого влдаяшя, в отлячви от обичйых кварцевых, что повышает эксплуатационные харзкторлстикл технологий электродиффу-заи. Про Слота злоктроизоллцм жидкзх катода и анода решена оригинальным способом: с помощь» сел поверхностного натяжения расплез-катод удеркпзается на поверхности подлоззсв под платиновой пластиной.

Приведены характеристика Сс* -планерных волноводов: малые потерн ( ~ 0,2 дБ/см), температурная устойчивость ( > 300°С), устойчивость волноводов к различным технологическим операциям (ионное травление, напыление различных покрытий я т.д.), результаты измерений ЭШ распространяемых мод волноводов изготовленных в разных условиях.

Линейный характер приведенного типичного трафика зависимости ЭШ соседних мод П^-П^, от номера мода гп указывает на то, что ШШ близок к ступенчатому. Для каждого волновода методой наименьших квадратов определялась толгсзна пленки з ео показатель преломления. Показано хорошее соответствие реального п модального ступенчатого ШШ. Приведены результаты измерений ЭШ для волноводов подвергнутых высокотемпературно^ откагу (до 500°С). Исследована ЗПТ-двф|узня из различных расплавов - из чистого МаИ03 к аз смеси . Цель зтвх экспериментов - получе-

ние заглубленных /з-волноводов с погашенным приращением показателя преломления ДЛ . Обоснована целесообразность ооздзпия таких волноводов, т.к. аккотризагдаи волноводпсго слоя а понкхениа ЛП позволит с луча ей" еффекттшостью состыковывать волноводы с волоконно-оптичеокЕми световодами.

Экспериментально доказано, что заглубление & -волноводов методом ЭПТ малоэффективно: при заглублении из расплава чиото-

го ШШ3 гдубана заглубления ~ ОД икм, а при заглублении еэ оаэск расяяазоа глубина < I шм с плохой пов-

торяемости). Слсшшосте, возшшзвдяе ¡три рокекик зодапя по зоглуб-яваш) Съ -ЕолноводоЕ обгясояютая крвйнв большоР. разницей в псдЕШНйстпх ншов я & . Пс атой не причине обичао праае-вясаай способ псияисаня в иошго-обменной технологии - асполь

зованЕв снвоай различных расплавов о разным процентным содеряангеы дай®тзен«ов ~ *ан ае яепрзгодея для ЗПТ - С% -волноводов. Как установлено, етост йботс дойузкя только одного, Солее подвижного дпйузаята (иона А'а ) до подлого встощеаия смеозз расплавов, после чего начинается дгфйгаия вонов в стекло. Б качестве способа поншсаия прарвцеяия показателя преломления предаокен от-аях- зьглублшннх волноводов црн тешвратуре пзготовленая. Таким образом, удалось понизить лЛ в 2,5 раза.

Третья глава. Исследование параметров ЭДГ - воановодов,

Б третьей глазе исследованы анизотропия планарпых -в К^-еолпсеодон полученных методом ЭПТ п предложен новый метод определения параметров кападьшг волноводов.

Исследованаа шазотропкя волноводов представляет иеторес с точки еранЕЯ пондааная физики процесса воллозодообразованш. Проведано орзвшзтальноо исследованае анизотропии как ЭПТ С& -Б К* - волноводов мазду собой так и сравнение их о ЗД ¿1-й К*-.волноводами. Измерены ЭЩ расцространяеках нод отакаенных волноводов по которш восстановлен ШШ. Для различных случаев преддо-яены различные исходные модели ПЛИ. Для ОПТ - волноводов - ступенчатый 1ШП ( и для С& и для ^-волноводов), для ТД-волноводоб -параболлчоский (для ¿^-волноводов) в ППП, описываемый дополни-

тельной функция опабок (для К^-волноводов).

Показано, что для К^-волноводоз отеиг приводит к значительному уменьшению лп при относительно небольшом расплыавпия полноводного слоя. Это Moaío объяснить яелияеЯяоЯ зависимостью приращения показателя преломления Х^-водновода от концентрации попов К*, Неизменность отношения ззлачинн анизотропия к приращению обусловлена, скорее всего, тем, что в основе их возникновения лехлт одян и тот ко мвхекязй - мааеатескйо напряжения в волноводе. Представленные измерения значений ЭШ отожженных ¿s^-золно-водов позволяет предположить охсейсть механизмов образования полноводного слоя пря Ш и ЭПТ ионов ¿з в стекло и свидетельствуют о разлитии механвэмэв возникновения анизотропия а волловодообразо-эання в стекло при ЭПТ ионов С$ з 1С1".

Расштз нитрата цезия является егльнс агрессивной средой. Поэтому применяете обычно каски яэ напыленного на стекло титана нельзя нсдользонагь для создания каяальншс Cs -волноводов. Напыленный ае на стекло алшипий обладает плохоЗ адгезией со стеклянной поддожкоЗ, Еследегзии чего края канала маокп имеют неудовлетворительное качество. Для создания канальных ¿s'-волноводов предложена слоистая структура маска: титан+алшинпй, в которой слой напыленного адгаинзя играет роль охранного для титановой маски. Применение слоеной каскн позволило повысить качества канальных ¿У-волноводов в сравпеняи о канальными Л-волновода-кн изготовленными через атшшпиовуп маску за счет получения оолее гладкого 1фоя канала маски который при злектродиффузии шеет значительно большее значение чем при ТД.

Предложен копий метод нахождения основных параметров ППП канального волновода, основанный на определении спектрального

пропускания сисгекы канальный волновод - одноыодовое волокно, "Отличница йся простой методикой измерения в неслсакыма расчетами.

Метод успешно нрйиенеа а в случае пдазного, параболического 1ШЦ_

Ш- - волновода, так£ё~и ц. случае резкого ступенчатого ППП Ш~ С& - волновода. В случае -волновода, справедливость аолучошшх параметров капельного волновода проверялась сравнением с результатами, полученными другими методами. В случае ¿V-волясзода - прямым измерением,размеров канального волновода по фотографии этого волновода, подученного па электронном микроскоп«. В обоих случаях параметры канальных волноводов, полученных предлагаемым новым методом находятся в хорошем согласии с результатами, псаучашшмз друхташ методами.

Четвертая глава. Импульсная алектродаффузкя (ИЭД)

Четвертая глава посвящена новому методу создааая иоппообмен-шх волловодов - методу ИЭД.

Обосновывается целесообразность перехода к импульсноперио-дачоскому режиму, который долзея повысить однородность волноводов, особенно цри переходе к больаиы подложкам. Описывается установка по ИЭД, приводятся характерные параметры процесса диффузии цри изготовлении С%- п КГ*"- планерных волноводов я их характеристики. . Метел ИЭД предложен в качестве технологии, позволяющей получать эффективно заглубленные при низких температурах ¿^"-волновода. И2Д - заглубление из расплава С&- волноводов позволяет погружать волновод в подложку на глубину ~ 2 ты. Продемонстрировано возможность заглублять этим методом £ -волноводы и из расплава на глубину ~ 3 мкм. ИЭД - заглубление приме-

нялось и для заглубления Ю^-волноводов из расплава МйМ03 . Показано, что для К4"- волноводов ГОД - заглубление столь хе зффектнв-

«о как й ЗЛТ - заглубление.

Вальяая часть главы яоеводена гкелершентальпоглу намеренна ПИК всех ИЭД - волноводов вклдчая ИЗД - заглубленшо к йх сранно-Кйо с ШШ, 31Г£ - и ГД - ведаоводоз. ШШ волноводов измерялся двф-ракционнш методом, пезволяккяы измерять показатель преломления с аоиогцью измерения дафракцяо.таог! офЬектлвпсоти гофра на поверхности с последующим послойный травленном волновода. Такой метод язнеренкя ШШ обладал хорсиеД точностью ( ~ 10"~1) в определенна показателя преломления я хороаям разрешенаем по глубине волновода

£ -V 80 им),

Представлены 11Ш ИЗД- Съ - волноводов заглубленных в расплавах Л!а/У03 ц КМ03 , Показано, что КЭД - заглубление улпчто-хае? второй слой с болзо нязкхм показателе.! прелонлокая, някжш гргаацу волновода долаот болеэ резкой, чем до заглубления, а праповерхностнув границу более пологоЗ, При ИЗД - заглубдышп из расплава Л'л Ы03 удается получать йопниетрг'йпй ШЖ, а з случае КЭД- з-глуйления лз расплава сякмэтричннй ШШ ИЗД •• ¿в - волноводов.

ППП К^-золноводов, изготовленных глэтедоп ИЭД значительно слояяса ШЕ ¿и -ааянояедов. Обнаружена квазаперзодическа« структура з ейьоке волновода о мшим периодом (~ 0,5 дал) и большим перопадоы показателя преломления С~ 8.10"^). Кз сравнения,с ТД-в ЭТГС - волновода® доказывается, что такая структура лрофздя К1"- волноводов возникает при использовании ИЭД-тохпологнл.

Пятая глаза. 1Щ-К+~ волноводы в стекле, легированном полупроводником.

Пятая глава посвящена применению' метода ИЭД для создания , волноводов в СМ.

Продемонстрирооака соаыокность создания ИЭД- К*волноводов хорошего качества з стеках, легированных полупроводниковыми од_______иороднши^микрог(ристаллихаан^«/5 .^¡ЭД-_технология позволяет_____

значительно снизить вреыяЧЗолео чем с 300 р^з) создания волновода в сравнении с ТД- технологией. Потери на распространении в ИЭД - волноводах снизены до 1,5 дБ/см против 5*10 дБ/см для ТД-волноводсв. Показано, что основной вклад в потери вносят неоднородности стекла к свили, обусловленные несовершенной технологией изготовления таких стекол.!'

Исследовались электрооптичеекие свойстпа в ИЭД - К*- - полноводном слое изготовленном в СЛП, Установлено , что алектропоглоаение ' света сохраняется после проведения процесса диффузии ионов К+ в стекло. Измерения ал.ектропоглощения проводились по схеме с поперечно расположенными электродами в плоскости, перпендикулярной плоскости волновода т.к. использовался пленарный 1С* - волновод.

Представлены графические зависимости интенсивности ьыходного излучения от приложенного электрического поля, а такхе зависимость натурального логарифиа интенсивности выходного излучения от квадрата поля для разных длин волн лазерного излучения вблизи края поглощения используецого стекла. Показано, что измеренный элект-роабсорбционанй эфФант практически не зависит от поляризации света и полярности напряжения на злектрод&х, т.е. квадратичен по полю. Максимальное ослабление, полученное в эксперименте, составило 90% при величина электрического поля 6.6 В/шм, что свидетельствует о больших потенциальных прикладных возможностях..

Предложен физический механизм, объясняющий амплитудную модуляцию излучения, прошедвего через волновод: изменение формы (например, сдвиг коал) паюсы поглощения света вследствии прило-

генного к образцу напряжения. Заключение

в диссертации изложены научные осноен и аксперимснтально еоплсшон новый- технологический кетод (основанный на применении импульсной ?лектрс.дафуузки) получе?г,тя в плоских сткляиних подложка х тонки« диэлектрических сяоев. Эти слои представляют собой оптические ¿5 - и К*- волноводы с низкими оптическими потерям». Такие волноводы могут бить иэготоелеш о широком классе стекол, вклкчаюаем стеши*, легированные полупроводников

Полученные результаты обеслечллч реоеиие полной прикладной задачи: разработки новых технологических иетодоэ изготовления высококачественных многофункциональных волноводов а различных подложках для создания опто&чектронных устройств.

В диссертационной работе получены следующие основные результаты:

1. Впераыс для создания оптических волноводоа предлояе!!

и применен игтод импульсной элентрсдиффузии. С лшолыз этого метода получены волноводы с повывеииой пространственной о.пиородкостыо показателя преломления, процесс создания таких волноводов отличается временной стабильностью тока злектродиффузии, что позволяет изготавливать волноводныя слои заданной толщины.

Предложена и реализована новая технологическая схема эяеитро-диф^уэии из расплава в стекло, позволяющ-у значительно упростить процесс получения олектроди^узиониых волноводов.

2. Методом импульсной электродк^узии ионов К+ из расплава А Щ в стекло, легированное микрокристзллитани СМ

впервые получены оптические волновод« с потерями менее 1,5 дБ/см. При приложении постоянного электрического поля (6,6 В/мкм) в

таких волноводах продемонстрирован эффект увеличения поглощения (до 10 дБ/см), ксторий может быть использован для создания оптического модулятора.

3. Метод импульсной электродкффузии использован для получения .< загубленип К*- волноводов в свекле. В таких волноводах обкарукеиа=-пространственнан чодуляция показателя преломления с пер.-одой " 0,5 мкм и амплитудой ~ 8.10" .

1. Проведен цикл исследований -волноводов в стекче, отдаваемых различными злеитродиФФузионкши методами. Определена аависимость параметров профиля покапателя преломления от основных характеристик процесса' электродиффузии при постоянном токе, позволяющая изготавливать волноводы с контролируемыми параметрами. Исследовано влияние процесса электродиффузии и последующего о та и га на анизотропию Си - \и К+- волноводов в стегле. Обнаружено сходство механизмов волноводообразования и анизотропии п К+-волноводах и рлаличие зтих механизмов^*» Сз -волноводах, Методом двойной импульсной электродиффуэии в расплаве

с% щ

а аатем в расплавах ШЫО} и КЫО, получены эффективно (более 2 мкм) заглубленные Сь -волноводы. Откиг таких- аолно-водое позволяет получать незагубленные волноводы с пониженный (в 2,5 раза) приращением показателя преломления.

5. Предложен новый способ определения параметров канального волновода, представляющего собой тонкую ( ~ 3 мкм) диэлект-рическус полоску. Способ заключается в измерении спектрального пропускания сисгеш, состоящей из исследуемого канального волновода и пристыкованных к нему двух однонодовых волокон. Определены параметры канального С$ -волновода (поперечные размеры

о

3,8 мкм и 1,3 мкм, приращение показателя преломления 2,0.10 )

полученного электродиффузией через двухслойную металлическую маску.

Основные результата диссертации опубликованы в следующих работах,

1. Галечян М.Г\, Дианов K.M., Лнндин Н.М., Гищенко А.З. Электроди.^узия ионов Cs в стекло из респлава . Планерные волноводы. Квантовал электроника, т,16, К®2, с.344-346 (1939).

2. Галечян М.Г., Екимов А.Е., КараванскиЯ В.А., Лнндин H.H., Сычугов В.А., Тивенко A.D. Волноводное электропоглощение света

в стекле с полупроводниковыми кристаллами. Кряткие сообщения по физике, VII, с.32-34 (¡989).

3. Галечян М.Г., Лнндин Н.М., Нурлигареео Д.Х., Тиценко A.B., Анизотропия волноводов полученных электродиффузией ионов Cs и К+- из расплавов

&N0i и КЩ в стекло. ИТ®, т.60, в.9,

с.133-136 (1990).

4. Галечян М.Г., Дианов Е.М., Лындин U.M., Тиценко A.B. Электродиффуаиониые методы создания ¿s*-волноводиых структур в стекле. Препринт ИОФАН, 755, Москва, 1990. Отослана в печать.

5. Галечян М.Г., Дианов Е.М., Лындин Н.М., Сычугов В.А., Тиценко A.B., Усиевич Б.А. Новый способ определения параметров канального волновода. Препринт ИОФАН, №77, Москва, 1990. Отослана в печать.

6. Галечян М,Г., Дианов Е.М., Локтев С.М., Лындин Н.М., Тищенко А,В, Импульсная электродк^уэия ионов К*" из расплава

кn03 в стекло. Препринт ИОФАН, IP 89 Москва, 1990. Отослана в печать.