Электрофизические процессы в многоэлементных электролюминесцентных индикаторах с самосканированием тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

Для служебного пользования Экз. № /3'

ГУРИН Нектарий Тимофеевич

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРАХ С САМОСКАНИРОВАНИЕМ

Специальность 01.ОД.10 - Шизика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на соиснание ученой степени доктора физико-математических наук

\ . ,

С

Ульяновск - 1995

Работа выполнена в филиале Московского государственного университета ин-М-Е-Ломоносова в г-Ульяновске-

Официальные оппоненты: член-корресподент Российской академии

естественных наук, доктор физико-математических наук, профессор Георгоёиани А-Н-,

член-корреспондент Российской акадени естественных наук, доктор Физико-мате матических наук, профессор Комаровских К-ф.,

доктор физико-математических наук, профессор Никитенко В.А-

Ведущая организация: Московский ордена Трудового Красного Знамени государственный инженерно-физический институт (технический университет)

__ __схр

Зашита состоится "О " М АО Л ^ 1995 г ■ в _ часов на заседании диссертационного соЕета Д 053-37-01 филиала Московского государственного университета им.М-В.Ломоносова в г•"льлпйБске по адресу■ 432700, г-ульяновск, ул•Л■Толстого,42■

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке филиала МГУ им-М-В-Ломоносова в г-Ульяновске

Автореферат разослан " Л,СС1ик_1995 Г.

Ученый секретарь диссертационного совета -'!'!/'I'' Пугачев Ю-Ф-

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблены. Одними из осноеных звеньев, обеспечи-ающих эффективное информационное взаимодействие человека с наци-' ой в различных вычислительных, информационных измерительных сис-енах и устройствах, а также в системах управления, являн+Ся лектрошше средства отображения информации (СОИ). Важнейшей сос-авной частью таких СОИ, определяющей практически все его основ-не схемотехнические, конструкторско-технологические, эргономн-еские и эксплуатационные параметры, является блок индикации или ндикаторное устройства (ИУ), включающее в себя собственно инди-атор и устройство управления, содержащее элементы коммутации, зиления, запоминания, модуляции, а также в более общем случав зтройство адресации (выборки) ячеек индикатора•

Потребности техники и успехи Физики и технологии оптоэлек-ронных приборов привели к созданию и широкому использовании наяду с обычными элЕКтронно-лучевыми трубками большого числа раз-:1Х-типов плоских индикаторов (ПИ), базирующихся на разнообразных лзических эффектах. К ПИ индивидуального и группового пользова-;1я, наиболее полно отвечающим современным требованиям плоскост-эсти, монолитности, долговечности, высоких яркости, контрастност-эсти, многоцветное™ и позволяющий получить большую часть необ-здимого спектра электронных СОИ, относятся ПИ на основе эффекта 1ектролнминесценции в полупроводниках - инжекционной, используе-зй в светоизлучающих диодах (СИД), являющихся основой полупро-здниковых индикаторов (ППИ), и предпробойной, на которой базируйся работа пленочных электролюминесцентных (ЭЛ) конденсаторов )ЛК) и ЭЛ индикаторов (ЭЛИ) переменного тока- Для ППИ, характе-' 1зующихся сложностью технологии изготовления структур, невысокой (етоотдачей, небольшими размерами и применением в одноэлементных малоэлементных знаковых, шкальных индикаторах и малоформатных 1тричных СОИ индивидуального пользования, устройства управления >статочно хорошо отработаны. Имеются серии специализированных ин->гральных микросхем управления, выпускаются ППИ с встроенным уп-тлением- В отличие от этого потенциальные преимущества наиболее ?рспективных тонкопленочных ЭЛИ переменного тока ( высокие яркость контрастность при больших уровнях внешней засветки, возможность

. получения больших по размерам ПИ с равномерной яркостью? более сокая па сравнении с П1Ш светоотдача) высокая механическая про-ность и др-), а также наиболее простых в конструктивно-технолот ческой отношении толстопленочных ЭЛИ перененного тока во иного! не реализованы до настоящего времени из-за значительного отстг вания в развитии устройств управления ЭЛИ- Указанное обстоятел! ство связано прежде всего с высоким знакопеременный напряжение! питания таких ЭЛИ (от ~40В да ~300В).

В части обеспечения устройствами управления малоэлЕкентныэ ЭЛИ (до 10 элементов) основное значение имеет разработка дискре ных коммутирующих элементов, совместимых по рабочим напряжению току с ЭЛИ» а по управлению с серийно выпускаемыми микpacxeмaм^ Наиболее простым вариантом, обеспечивающин подачу симметричногс знакопеременного напряжения на ЭЛИ, является использование двунаправленных коммутирующих элементов (КЭ), из которых известны кие серийно выпускаемые элементы с симметричной вольт-амперной рактеристикой (ВАЗ!) с участком отрицательного диФФеренциальногс сопротивления (ОДС), как симистары- Однако имевшиеся на конец Е годов варианты эпитаксиальных симисторов были ориентированы на коммутацию больших и сверхбольших токов и напряжений силовой электроники и не приенлимы в относительно маломощных цепях упрэ ления ЭЛИ«

Как показывает анализ структуры, методов адресации ячеек П в том числе и ЭЛИ, и способов ввода информации в них, основная трудность, возникающая при внешней адресации и коммутации индик торных элементов (ячеек) многоэлементных ПИ (шкальных, знаковых индикаторов, индикаторных панелей), обусловлена большим числом внешних выводов, что существенно усложняет устройство управлени уменьшает надежность ИУ. Принципиальное устранение этого недост ка возможно при использовании внутренней адресации и коммутации когда адресация ячеек ПИ осуществляется за счет внутренних Функ нальных связей между ними, обеспечивающих последовательную выбо ячеек в режиме самосканирования. Из известных полупроводниковых коммутирующих устройств с сакосканированием (КУСС), которые ног быть использованы для управления ЭЛИ, наиболее перспективными я ляются КУСС на основе полупроводниковых КЭ с ОДС, совместимых п параметрам с ЭЛИ: такие как нейристоры, представляющие собой зл трический аналог аксона нервной клетки, и сдвиговые регистры- О

iko известные простыв варианты КУСС на основе серийно выпускаемых (ненаправленных КЭ с ОДС - тиристоров - не учитывали необходи->сть подачи во вреня коммутации на ЭЛИ знакопеременного напряже-[я, описание электрофизических процессов Формирования и распро-■ранения иипульса возбуждения в них носило упрошенный характер, •сутствовал анализ работы индикаторных элементов в ЭЛИ с самоска-[раваниек на основе полупроводниковых КЭ с ОДС-

Разработка и исследование основ Функционирования ЭЛИ, сопря-!нных с устройствами управления на основе КЭ с ОДС или на основе ICC, выполненных на базе таких элементов, позволит создать высокоактивные ЭЛИ с встроенным управлением и самосканированием раз-1чных назначения и информационной емкости, а также конструктив-i-технологического выполнения•

В связи с изложенным комплексная разработка и исследование гаретических и практических основ функционирования многоэлемент-IX электролкминесцентных индикаторов с самосканированием на базе мупроводниковых элементов с ОДС является актуальной научной юблемой и имеет большое научное и практическое "значение-

Цель и задачи исследований- Целью работы является разработка исследование Физических и конструктивно-технологических основ нкционирования многоэлементных ЭЛИ с самосканированием на базе 'лупроводниковых элементов с ОДС.-

Поставленная цель достигается решением следукщих задач: 1■ Анализ основных типов известных многоэлементных ПИ по ис-(льзуеным физическим эффектам, назначению, структуре, методам ад-сации, способам ввода информации, по энергетическим параметрам; енка эффективности управления наиболее перспективных из активных ердотельных ПИ - ЭЛИ - с помощью различных дискретных КЭ и KUCC-

2- Теоретическое и экспериментальное исследование электрофи-ческих параметров и характеристик тонкопленочных (ТП) ЭЛИ пере-нного тока с одинаковыми и различными диэлектрическими слоями, обходимых для получения ЭЛ структур с пониженным рабочим напря-нием (менее 100В), разработка и исследование конструкций ТП ЭЛК нденсаторов (ЭЛК), обеспечивающих создание ЭЛИ с встроенным уп-влениеи, а также оценка энергетической эффективности ТП ЭЛИ.

3. Исследование принципов организации и Функционирования, а кже свойств основных типов КУСС - нейристоров и сдвиговых гистров на основе КЭ с ОДС, анализ и исследование процесса

Формирования импульса возбуждения и работы индикаторных элементов (ИЭ) - СИД и ЭЛК - в нейристорах и сдвиговых регистрах, моделирование и экспериментальное исследование процесса распространения возбуждения в различных типах нейристоров и сдвиговых регистров н основе однонаправленных КЭ с ОДС - тиристоров, разработка новых вариантов таких устройств, обеспечивающих управление многоэлемен-тныии ЭЛИ и расширение Функциональных возможностей КУСС■

4- Исследование свойств двунаправленных КЭ с ОДС на основе халькогенидных пороговых переключателей, симисторных структур и КиСС на их базе, а также исследование возможности их сопряжения с ЭЛК-

5-' Исследование особенностей организации и Функционирования, а также погрешностей преобразования и считывания информации ыкаль ных индикаторов <ШИ) с отсчетными устройствами с самосканиравание (ОУС) на основе светоизлучаищих нейристоров (СИН) и сдвиговых регистров (СИР'), разработка методов и средств уменьшения указанных погрешностей, а также разработка новых вариантов ШИ на основе ЭА ОиС с расширенными функциональными возможностями-

6- Разработка новых вариантов многоэлементных и многоцветных ЭА индикаторных панелей с самосканированием на базе нейристоров -нейроскопов - и на базе сдвиговых регистров-

Новые научные результаты и положения, выносимые на защиту-

1- Аналитически показано, что наиболее общин методом адресации иногоэлементных ПИ с внешней коммутацией является многоуровне вая адресация, которая при большом числе уровней управления ИЭ обеспечивает существенное сокращение числа внешних выводов ПИ-Дальнейшее уменьшение числа внешних выводов обеспечивают методы внутренней адресации и коммутации (самосканирования) ячеек ПИ-

2- Получены аналитические зависимости для расчета числа внеи них выводов, собственного яркостного контраста, максимально возможного времени коммутации ячеек, информационной пропускной способности и удельной потребляемой мощности иногоэлементных ПИ с различными методами адресации и способами ввода информации- Показано, что наилучшей совокупностью таких параметров нногоэле-нентных ПИ при равных светотехнических параметрах ИЭ обладают! при параллельно-последовательном вводе информации - двухмерная матричная адресация с самосканированием, при последовательном вводе - поэлементная адресация с самосканированием-

3- Установлены аналитические зависимости пробивной напряжен-^сти и добротности диэлектрических слоев "ГП ЭЛК переменного тока з одинаковыми и разными диэлектрическими слоями, требуемых для зысоконадежной работы ТП ЭЛК, а также порогового напряжения и энергетической эффективности ТП ЭЛК от электрофизических и конструктивных параметров слоев ТП ЭЛК и крутизны ВЯХ (отношения рабочего и порогового напряжений), определены значения указанных заранетров, необходимых для получения ТП ЭЛК с рабочими напряже--шями, не превышающими 100 В, и с максимальной энергетической эф-рективностьм. Получены и экспериментально исследованы ТП ЭЛИ трех цветов свечения» в ток числе с указанными рабочими напряжениями-

4- Предложены, изготовлены и исследованы ТП ЭЛК о использова-1ием композиционного жидкого диэлектрика на основе смеси порошкообразного сегнетоэлектрика и жидкого диэлектрика в качестве одного 13 диэлектрических слоев, что обеспечивает упрощение конструкции и размещение всех выводов ТП ЭЛИ на тыльной стороне индикатора в од-юй плоскости с одновременный уменьшением периферийной нерабочей зоны лицевой панели, а также уменьшение паразитных связей между соседними ИЭ в составе ТП ЭЛИ? показано, что такие ТП ЭЛК имеют оолее высокие быстродействие, пробивные и рабочие напряжения, мень-иую крутизну ВЯХ по сравнению с обычными ТП ЭЛК-

5- Предложены, теоретически и экспериментально исследованы! зариант СИН с оптоэлектронной связью на основе оптронов! одно-гактный импульсный режим работы СИН, обеспечивающий стабилизацию жорости распространения импульса возбуждения, вариант СИН и три зарианта СИР с биполярным напряжением питания, обеспечивающие поучение знакопеременного напряжения на нагрузочных ЭЛК-

Ь- Получены качественно согласующиеся аналитические и экспериментальные зависимости амплитудно-временных параметров, характеризующих процесс Формирования импульса возбуждения, и СЕетотехни-шских параметров, характеризующих Функционирование СИД, толсто- и гонкопленочных ЭЛК в качестве ИЭ, от электрофизических параметров >лементов и электрического режима работы светоизлучающих нейристо-юв и сдвиговых регистров на основе тиристоров с униполярным и би-юлярным постоянным и импульсным напряжениями питания.

'?• Разработаны Физические и математические модели процессов распространения возбуждения в КУСС и получены качественно согласующиеся расчетные и экспериментальные зависимости анплитудно-вре-

пенных параметров, характеризующих процесс распространения им са возбуждения» от электрофизических и конструктивных парамет элементов и структур нейристоров и сдвиговых регистров с опта тронной и объемной связью между тиристорами-

8- Экспериментально определены условия существования, ха теристики и параметры электронного, электротермического и теп вого механизмов переключения в халькогекидных стеклах, нехани проводимости б еысокоокном состоянии в отсутствии джоулева ра грева, механизм, приводящий к переключению, и механизм поддер включенного состояния пороговых переключателей; предлоаен и а литически обоснован полевой механизм связи между КЭ с ОДС, вы ненными на основе однородного полупроводника и переключающими счет эффектов сильного поля-

9. Предложены, изготовлены и экспериментально исследован: пленарные симисторы- фотссимисторы и маломощные сикистарные с ны на их основе, совместимые по выходным статическим и динами ким параметрам с толсто- и тонкопленочными ЭШ, а по управлен с уровнями сигналов серийно выпускаемых микросхем-

10- Выполнен анализ г.огреыноетей Ш с О УС на основе СИН разработаны и экспериментально исследованы методы и средства шения инструментальной, методической и субъективной погрешнос таких индикаторов -

Научная новизна работы содержится в защищаемых положения: Практическая значимость работы- Заключается в в создании практической основы разработки многоэлементных ЭЛИ с саисскан: ваниен на базе проводниковых КЭ с ОДС!

1• Получены аналитические зависимости для расчета числа 1 них выводов, собственного яркостного контраста, максимально в( моаного Бремени•коммутации ячеек, информационной пропускной с; собности и удельной потребляемой мощности многоэлементных ПИ ( различными методами адресации, включая самосканирование, и сп( бами ввода информации-

2- Получены аналитические зависимости для определения тр< емых электрофизических и конструктивных параметров слоев ТП 31 одинаковым и различными диэлектрическими слоями, необходимых , получения рабочих напряжений, не превышающими 100В, и максима-ной энергетической эффективности; разработаны и исследованы Т1 трех цветов свечения, конструкции и технология изготовления к<

IX внедрены на НПП "Ульяновский радиоланповый завод" и в Улья-¡зском КБ приборостроения. Предложены защищенные авторскими сви-тальствзки, изготовлены и исследованы ТП ЭАК с использованием мпозиционного жидкого диэлектрика в качестзе одного из диэлек-ическнх слоев, сбгспечиваюиие упрощение конструкции и разнеще-е всех выводов ТП ЭЛИ на тыльной стороне индикатора в одной оскости с одновременным уменьшением периферийной нерабочей зо-

лицрвой панели, а также уменьшение паразитных связей между седники НЭ в составе ТП ЭЛИ.

3. Предложены и исследованы: ряд зачищенных авторскими сзи-тедьстваяи и патентом'вариантов СИН с оптозлектронной связью на нове иптронов и интегральных линеек светоизлучанщих КЭ с ОДС; нотактный импульсный режим работы СИН, вариант СИН и три варяга СИР с биполярным напряжением питания, обеспечивающие получе-э знакопеременного напряжения на нагрузочных ЭЛК, а также ва-знт СИР с обеспечением Функций запоминания и произвольной вы-жи возбуждаемых нагрузочных ЭЛК. Получены пригодные для инже-эного расчета зависимости, характеризующие процессы Формирова-1 и распространения импульсов возбуждения и работу ИЭ (СИД и ') в СИН и СИР", определены светотехнические характеристики СИН и > с нагрузочными СИД, толсто- и тонкопленсчными ЭЛК.

4- Предложены а исследованы защищенный авторский свидетель-¡он пленарный усмгаийяйстор и маломощные симисторные оптроны на I основе, совместимые по выходным статическим и динамическим 1анетран с толсто- и тонкопдекочныни ЭЛИ, а по управлении - с 'Енаия сигналов серийно выпускаемых микросхем", дифференциальный исторный оптрон с раздельным управлением процессами коммутации ряжений различных полярностей, симисторные оптроны с повышенным ряжением изоляции "вход-выход" до 3,5-4,5кЕ, .а также с повыиен-

значениеи действующего выходного тока в открытом состоянии до А- Указанные оптроны внедрены в опытное производства на НПП ьяновскии радиолаиповый завод".

5- Предложены ряд защищенных авторскими свидетельствами и патами вариантов КУСС на основе халькогенидных пороговых пере-чателей и сииисторов■

6- Предложены и исследованы ряд защищенных авторскими свиде-=ствами вариантов показывающих ШИ с ОУС на основе СИН с умень-Ю11 инструментальной погрешностью, обеспечивающей получение ШИ

классов точности 0,2-0,5, с уменьшенной методической и субъект ной погрешностью измерения, а также ряд вариантов показывающих сигнализирующих и регулирующих Ш на основе СИН и СИР с расмир ными Функциональными возможностями-

7• Предложены ряд защищенных авторскими свидетельствами в риантов нейроскопов со стабильной скоростью сканирования и пов шенной средней яркостью воспроизводимого изображения, плоских многоцветных индикаторов с самосканированием на основе СИР и Э нейроскоп, обеспечивающий непосредственное воспроизведение асц лаграфического изображения и знаковой индикации, и электрическ управляемый транспарант с самосканированиеи на основе СИН-

Апробация работы- Основные положения диссертационной рабо докладывались и обсуждались на: Международном Совещании "Аморф полупроводники, 74", Рейнгардсбрунн, ГДР, 1974", II республикам ском совещании по физике и технологии тонких пленок сложных полупроводников, Ужгород, 1975 г.", семинаре "Анализ и синтез быстродействующих приборов с отрицательным сопротивлением (нег тронов) с использованием ЭВМ", г-Рязань, 1975 г -IV Междунаро ной конференции по аморфным и жидким полупроводникам, Ленингра 1975 г-, выездном заседании секции мнемологии Центрального пра ления НТОРЗС им-А-С-Попова, г.Ульяновск, 1978 г.; Всесоюзном с вещании "Оптические сканирующие устройства и измерительные при ры на их основе", г.Барнаул, 1980 г-5 Московской научно-технич кой конференции Автоматизация проектирования и управление качеством , г-Москва, 1983 г-; Всесоюзной научно-технической кон ренции "Теория и практика конструирования и обеспечения надежн ти и качества электронной аппаратуры и приборов", г-Воронеж, 1984 г-5 Всесоюзной научно-технической конференции "Специальны коммутационные элементы", г-Рязань, 1984 г-5 V Всесоюзном симп зичме "Проблемы создания преобразователей формы информации, г-Киев, 1984г."; Республиканской научно-техническои конференци "Вопросы теории и проектирования электронных вольтметров и сре ств их поверки", г-Таллин, 1985 г.; научно-техническом семинар "Адаптивные измерительно-информационные системы", г-Ульяновск, 1986 г.; III Всесоюзной конференции по вычислительной оптоэлек тронике "Проблемы оптическои памяти", г-Ереван, 1987 г-! научн техническом семинаре "Применение микроэлектроники в приборостр нии", г-Ульяновск, 1987 г.; 1 Всесоюзной конференции ''Полимерн отганические полупроводники и регистрирующие среды на их основ г-Киев, 1989 г-? Всесоюзной научно-технической конференции "Ак альные проблемы электронного приборостроения", г-Новосибирск,

1990 г.; Всесоюзном научно-техническом семинаре "Низкотемперат ные технологические процессы в электронике", г-Ижевск, 1990 г-V Всесоюзной конференции по Физике и химии редкоземельных полу проводников, г-Саратов, 1990 г.; Московской научно-техническои конференции "Новые электронные приборы и устройства", г-Москва

1991 г.; Всесоюзной научно-технической конференции "Пути разви электронных средств и задачи высшей школы в подготовке специал тов соответствующей квалификации", г.Ульяновск, 1991 г-j Всесо ной конференции по электролюминесценции, г-Ангарск, 1991 г-! научно-технической конференции СНГ "Микроэлектроника в машиностроении", г.Ульяновск, 1992 г.; Международной конференции "Оп тико-злектранные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации", г-Кур 1993 г., Российской науно-технической конференции "Методы и ср ства оценки и повышения надежности приборов, -устройств и систе г.Саратов, 1994 г-5 3 Международной семинаре по моделированию приборов и технологий, г-Обнинск, 1994 г.; научно-технической конференции "Диагностика, информатика и метрология-94", Г-С--П тербург, 1994 г-5 Международной конференции по люминесценции, г-Москва, 1994 г-? 2 Международной научно-технической конФерен ции "Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-94" г■Новосибирск, 1994 г.; 1 Поволжской научно-технической конфер ции по проблемам .двойного применения, г.С'амара, 1995 г.; Между родной научно-технической конференции "Непрерывно-логические и нейронные сети и модели", г-Ульяновск, 1995 г.

Публикации• Результатам исследований опубликованы в 128 на-чных работах, включая 1 монографию и 44 авторские свидетельства

патента на изобретения; в 12 НИР по теме диссертации, по кото-ым опубликовано 18 отчетов- автор являлся научным руководителем-

Личный вклад автора. Все основные научные и практические ре-ультатн диссертации изложены в работах, которые были выполнены второй лично и в соавторстве. В инографии П1] автору принадлежит раздел; подраздел 2-2 написан совместно с соавтором я Б»Б«10анше-ан. В других работах, выполненных автором в соавторстве и резуль-аты которых включены в диссертации, автор являетгя инициатором зыдвигал идею, Формулировал яадччу, намечал пути ее речения)¡ азрабатнвал методики исследования, проводил теоретические расче-ri, участвовал в изготовлении образцов и их исследовании, осущест-■1ЯЛ обработку, анализ и обобщение получаемых результатов. В ав~ эрских свидетельствах и патентах, выполненных в.соавторстве, слад всех соавторов равноценен- Все работы по внедрению и практи-гскоиу использовании результатов диссертации проведены под рукс-здством и при личном творческом участии соискателя.

Об-зен и структура диссертации; Работа изложена на 560 страни-IX машинописного тякста, включает 145 рисунков и 13 таблиц на 114 •раницах, библиографии из 468 наименований на 42 страницах и сос-!ит из введэния, семи глав, заключения, списка используемой лятч-[туры и приложений.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Первая глава. Основные принципы организации и функционирппа-я иногозлеиентных злектролвминрсцентных индикаторов.

Приведенный в обзоре анализ основных Физических принципов ра-ты, характеристик, параметров, состояния и перспектив развития

указывает на высокую перспективность газоразрядных, жидкокрис-ллических и ЭЛ индикаторов для создания знакографических и те-визипнных СОИ индивидуального, группового и коллективного поль-вания пряного видения. При этой ГРИ наиболее» пригодны для самых упноформатных СОИ группового (включая панели для телевидения выкай четности! и коллективного пользования при условии существен-

нога повышения их светоотдачи. Перспективы использования ЭЛИ и в СОИ индивидуального и группового пользования зависят от Функц нального назначения СОИ и эксплуатационных требований (потребдя иая мощность, допустимость наличия подсветки, диапазон рабочих температур и др ■) • Конкурентоспособность указанных типое ПИ по ношении к ЭЛТ определяется стоимостью их изготовления, которая ка весьма высока- Существенным недостатком таких индикаторных п нелей с внешней матричной адресацией ячеек по сравнению с ЭЛТ я ляется большое число внешних выводов, значительно возрастающее увеличением информационной емкости, усложняющее конструкцию и с жающее надежность СОИ на основе подобных панелей. Поэтому особо значение имеют -исследования, направленные на сокращение числа внешних выводов как за счет использования других методов внешне адресации, так и за счет создания ПИ с встроенным управлением, включая внутреннюю адресацию и коммутации (саиосканирование) яч ПИ. Для ПИ .меньшей информационной емкости (мнемонические, шкаль ные, знаковые индикаторы) перспективны также полупроводниковые дикаторы на основе СИД. Учитывая такие достоинства ТП ЭЛИ, рабо ющих на переменном токе, как монолитность, высокие яркость свеч ния, собственный яркостный контраст, крутизну вольт-яркостной х рактеристики (БДК), достижимую светоотдачу, долговечность, даст нутую иногоцветность, следует признать высокую перспективность для создания знакаграфических и телевизионных индикаторных пане а также для ннемонических, знаковых и шкальных индикаторов, пра назначенных для работы в условиях сильной внешней засветки б ба вой, специальной и бытовой аппаратуре! в частности, работающей промышленной и бортовой сети питания частотой 50 и 400 Гц- Осна ии недостатками ТП ЭЛИ являются высокое знакопеременное возбужд щее напряжение (40-300 Б) и большая удельная емкость (5-15 нФ/с что обусловливает необходимость использования дорогостоящих высоковольтных ключей и сложных схем управления. Более низкие яркость и долговечность имеют толстапленочные ЭЛИ, являющиеся одн ка существенно более простыни в конструктивно-технологическом в полнении-

Обзор основных свойств ТП ЭЛИ переменного тока свидетельст вует о том, что отсутствует анализ требований к соотношению эле трофизических и конструктивных параметров ЭЛ и диэлектрического слоев ТП ЭЛИ, необходимых для получения ТП ЭЛИ с пониженными пс

овым и рабочий напряжением и максимальной энергетической эФФек-ивностью; отсутствуют также данные о создании многоэлементных ТП ЛИ с встроенными схемами управления, структурное и конструктив-о-технологическое выполнение известных ТП ЭЛИ не позволяет нини-изировать нерабочую периферийную зону ТП ЭЛИ.

Оценка эффективности управления ТП ЭЛИ переменного тока с кеиней коммутацией, выполненная на основе анализа литературных и атентных источников, показывает, что из большого количества элек-эонных КЭ без ОДС- наиболее перспективными для коммутации ЭЛИ яв-аются полевые транзисторы. Однако они являются беспороговыми знонаправленными КЭ, что обусловливает их низку» помехозащищен-эсть и необходимость существенного усложнения устройства комму-щии для обеспечения "запоминания" яркости свечения. Несмотря на шотипность технологических методов изготовления тонкопленочных мевых транзисторов и ТП ЭЛИ совместить удовлетворительно техно-)гии изготовления этих структур в интегрированном индикаторе по-I не удается- На базе полевых транзисторов не известна также ^ализация-каких-либо ЭЛИ с внутренней адресацией и коммутацией. 1лупроводниковые КЭ с ОДС в силу порогового характера БАХ и двух ;тойчивкх состояний проводимости имеют высокую помехозащищен->сть, внутреннюю статическую память в режиме бистабильного режи-

работы без дополнительных .накопительных элементов, что значи-льно расширяет их функциональные возможности и упрощает устрой-ва управления, обладают внутренней положительной обратной язью, что характеризует их как элементарные микроэлектронные ердотельные Функциональные устройства и позволяет за счет об-ъ-ной связи реализовать на их основе более сложные функциональные тройства для управления индикаторами с внутренней адресацией и «мутацией (с самосканированием). При этом из однонаправленных с ОДС наиболее совместимыми по параметрам и характеристикам с ЭЛИ и широко освоенными в серийнон производстве являются ти-:торы- Двунаправленные КЭ с ОДС имеют симметричную БАХ, что зваляет использовать их для непосредственной коммутации ТП ЭЛИ сохранением всех других преимуществ КЭ с ОДС и существенно упоить устройства управления. Из двунаправленных КЭ с ОДС кон-зуктивно и технологически наиболее простыми являются халъко-гидные пороговые КЭ, характеризовавшиеся однако на начало ис-?дований невысокой стабильностью параметров во времени, неяс-

нссть» механизма переключения, возможностей и условий реализации необходимых для коммутации ЭЛК электрических параметров- Освоенн е сери11нои производстве двунаправленные КЭ с ОДС - сикисторы (ди ки< триаки) разработаны и выпускаются преимущественна для устрой сте силовой электроники к характеризуются сложностью цепи управл ния при знакопеременном коммутируемом напряжении; используемые в качестве КЭ синисторные оптапарн имеют сложную конструкции и тех логив изготовления из-за приведения зпитаксиальных фотосимисторс

Обзор основных типов и свойств электронных коммутирующих устройств, обеспечивающих реализацию внутренней адресации и коммутации (самосканирования) ячеек ПИ указывает на то, что наиболе подходящими для коммутации мнсгоэлеиектных ТП ЭЛИ из всех расскс ренных КУСС с учетом результатов анализа КЭ яелйются нейристоры; коммутация ЭЛИ с помощью которых в ПИ, названном нейросксшои, впервые предложена российскими учеными В-ф-Золотаревым и В-И.Ст; Феевым, и сдвиговые регистры на основе однонаправленных КЭ с ОДС тиристоров и двунаправленных КЭ с ОДС - наиболее простых халько-генидкых пороговых КЭ и симисторов- В результате изучения разные механизмов объемной связи между тиристорныни структурами (диФФус онного, дрейфового, шунтирующего) в нейристорах и сдвиговых регистрах предложены различные варианты построения коделей процессов, происходящих в объеме полупроводника. Однако теоретический анализ или не был направлен ка определение время-инпульсных хар; теристик КУСС, или базировался на упрощенных моделях! при модел! ровании не учитывались возможные пределы изменения параметров э-ментов КУСС и режимов их ¡работы в особенности применительно к 3; В ряде случае предпочтительным может быть использование оптозле! тронной связи между КЭ с ОДС, б частности, на основе оптронов, ввиду обеспечения в этом случае гальванической развязки между я1 ками, а также расширенных функциональных возможностей КУСС из-з, наличия излучателей и Фотоприемников в составе оптронов- Однако начало исследований механизм оптоэлектронной связи КЭ с ОДС в К' не был исследован. Не был известен и исследован также однотактн; импульсный режим работы СИН- В известных .вариантах нейроскоп подача знакопеременного напряжения на ЭЛИ осуществлялась за сче1 существенного усложнения ячеек (введение палевых транзисторов и элементов)- На начало исследований практически отсутствовали св дения о реальных вариантах конструктивно простых СИН и СИР и ЭЛ'

замосканирстанием на их основе-

Особую значимость инеет вопрос об эффективности прииенения знутренней адресации и коммутации на базе КЧСС в ПИ по сравнению : известными методами внешней адресации и коммутации. В известных литературных источниках задача анализа эффективности различных методов адресации и способов ввода информации в ПИ вообще не стави-1ась ■

Вторая глава- Методы адресации и способы ввода информации в 1Иогоэлементных плоских индикаторах-

В ходе проведенного анализа методов адресации ячеек ПИ с шешней коммутацией и с внутренней адресацией и коммутацией (с :амосканированием) с использованием элементов теории вероятностей ¡оказано, что многоуровневая адресация является наиболее общим ви-10М адресации ПИ с внешней адресацией и коммутацией ячеек, обеспе-[ивающей произвольный доступ к любой ячейке ПИ произвольной Формы? |ри этом число внешних выводов ПИ и в общем случае объединения на :аждом из 1 уровней управления 1 выводов ячейки ПИ в неодинаковое [исло групп а. Сл=1,2,—,1) равно

е

Г) = »

4--1

. при одинаковом числе а^, га на всех о=1 уровнях управления де Ы - общее число ячеек ПИ, в общем случае

// - /7 а-.

Все остальные методы адресации с внешней коммутацией являются астными случаями многоуровневой адресации- Применение многоуров-евой адресации обеспечивает существенное сокращение числа внешних ыводов многоэлементных ПИ, однако возможно только при использова-ии ячеек с большим числом уровней управления (выводов); при этом величение числа уровней управления существенно уменьшает значения асинально возможного собственного яркостного контраста ПИ и тре-ает существенного увеличения нелинейности (показателя степени гепенной зависимости) характеристики преобразования "сигнал-свет" чейки (ИЭ)•

Другим путем уменьшения числа внешних выводов ПИ является ^пользование методов адресации с внутренней коммутацией ячеек,

применяемых в ПИ с самосканированием- Показано, что наименьшее число внешних выводов ПИ с числом ячеек, превышающих 5-20 (в зависимости от вида КУСС), обеспечивают поэлементная адресация с самосканированием и двухмерная равносторонняя матричная адресаци: с самосканированием при последовательном вводе информации- Болыш число выводов ПИ по сравнению с многоуровневой адресации дают двухмерная равносторонняя матричная адресация с самосканирование] при параллельно-последовательной Еводе информации и двухмерная равносторонняя матричная адресация с внешней коммутацией. Наибол1 шее число внешних выводов имеют ПИ с индивидуальной адресацией и поэлементной адресацией с внешней коммутацией-

При одинаковом периоде обновления информации в индикаторах I одинаковом числом ячеек N максимально возможное время коммутации ячеек достигается при параллельном.вводе информации и равно пери! ду обновления информации (кадра изображения)- Максимально вознож ное время коммутации ячеек индикатора при параллельно-последовательном способе ввода информации в случае двухмерной равносторон ней "матричной адресации с внешней или внутренней коммутацией и уменьшается с ростом числа уровней управления ячейками, приближа ясь при увеличении числа уровней свыше 10 к значениям, характеры] для последовательного ввода информации- Это обусловливает, в час ности, при одинаковом числе ячеек ПИ, одинаковым мгновенной ярко ти свечения и послесвечении ИЗ существенное уменьшение средней я кости свечения и собственного яркостного контраста ПИ даже при п реходе от двухмерной к трехиерной равносторонней матричной адрес ции-

При одинаковом времени коммутации ячеек, информационной емкости (числа ячеек и градаций яркости) ПИ с разными способоии ввода инфорнации и методани адресации максимальная информационна пропускная способность при параллельно-последовательном вводе ин Формации достигается в случае двухмерной равносторонней матрично адресации с внешней или внутренней коммутацией и уменьшается с ростом числа уровней управления, приближаясь при увеличении числ уровней СЕыше 10 к минимальным значениям, характерным для последовательного ввода информации-

Для характеристики энергетической эффективности ПИ с различ ными методани адресации и способами ввода информации предложен универсальный параметр - удельная потребляемая мощность , при-

ходящаяся на единицу площади ИЭ и учитывающая как затраты мощности на возбуждение излучения в активных индикаторах или на создание светонодулирующего воздействия в пассивных индикаторах, так и потери мощности в наиболее мощных оконечных КЭ, коммутирующих ИЭ в *епь источника информации- Выполненное сравнение методов адресации л способов ввода информации с помощью последовательных КЭ в ПИ по-сазывает, что наименьмими значениями при равных светотехни-1еских параметрах характеризуются индивидуальная адресация при тараллельном вводе информации, а также равносторонняя двухмерная татричная адресация при параллельно-последовательном и поэлемент-гая адресация при последовательном вводе информации с внешней гоммутацией и с внутренней коммутацией ячеек с помощью нейристора ; постоянным напряжением питания- Несколько большие значения Ы^ ;ме»т индикаторы, использующие при последовательном вводе инфор-.ации равносторонним двухмерную матричную адресацию с внешней оммутацией и поэленентную адресацию с внутренней коммутацией с омошью нейристоров с импульсным напряжением питания или сдвиго-ых регистров с многофазным напряженней питания. Существенно бо-

ее высокими значениями ДО., характеризуются иилкклторы о много-

■

ровневой адресацией при параллельно-последовательном и последо-ателъном способах ввода информации-

В итоге при одинаковом числе ячеек ПИ наилучшей совокупностью араметров (число внешних выводов, собственный яркостный контраст, редняя яркость, информационная пропускная способность, удельная этребляемая мощность) при параллельной вводе информации обладает адивидуальная адресация, при параллельно-последовательном вводе формации - двухмерная матричная адресация с самосканированием, при последовательном вводе информации - поэлементная адресация саиосканированиеи-

С учетом этого можно охарактеризовать оптимальные области пользования наиболее перспективных методов адресации: индивидуаль-1Д - для малоэлементных ПИ типа мнемонических индикаторов (табло, [емосхемы и др-)', двухмерные матричные с саиосканированиеи: рав-¡сторонняя и неравносторонняя с Формой,■незначительна отличающей-от квадратной (форматы кадра 4'-3, 5".4 и т.п.) - многоэлементные акографические и телевизионные индикаторные панели, поочередная упповая с самосканированиен - для знаковых индикаторов с большим слом знакомест и для многоканальных ЫИ! поэлементная с самоска-

нированием - для одноканальных ШИ.

Третья глава. Электрофизические параметры и характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов переменного тока

В результате анализа работы ТП ЭЛК на синусоидальном возбуждающем напряжении показано, что требуемая минимальная пробивная напряженность материала диэлектрических слоев ТП ЭЛК структуры металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл (МДПДМ) с одинаковыми однородными диэлектрическими слоями возрастает с уменьшением отношений удельных емкостей диэлектрических и ЭЛ слоев, причем особенно сильно при уменьшении этих отношений менее единицы. Для обеспечения надежной работы ТП ЭЛК добротность диэлектрика, определяемая максимальной платностью электрического заряда, запасенного в диэлектрике при его пробое, должна быть больше, а для достижения пороговых напряжений ТП ЭЛК, близких к минимальна возможным,- много больше, увеличенной в коэффициент зг naca рабочей платности заряда- В частности» для получения ТП ЭЛК на основе ZnS с рабочин напряжением менее 100 В необходимо исполг

зовать диэлектрики с диэлектрической проницаемостью не менее 17-Í

2

и добротностью - не менее 7,0-10,5 икКл/сн .

Определены минимальные требуемые значения пробивной напряженности, толщины и добротности диэлектрических слоев ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями в зависимости от их диэлектрических проницаеиостей, в том числе в случае, когда один из слоев имеет значительную толщину <десятки-сотни микрон) и высокое значение диэлектрической проницаемости (сотни-десятки тысяч единиц). Показано, что при этом минимальное требуемое значение пробивной напряженности этого слоя может быть в десятки-сотни раз меньше значения пороговой напряженности ЭЛ слоя. Определены области значений параметров слоев, необходимых для получения ТП ЭЛК с рабочими напряжениями, на превышающими 100 В-

На основе анализа требуемых параметров слоев МДПДМ структуры ТП ЭЛК разработаны конструкции и технологии изготовления ТП ЭЛИ на базе ZnS желтого, зеленого к красно-оранаевого цветов свечения, в тон числе с рабочим напряжением, не превышающих! 100 ! и исследованы их характеристики- Разработаны и изготовлены образ! мнемонических, шкальных и знаковых ТП ЭЛИ, в том числе в стекло-керакическом корпусе с выводами, расположенными перпендикулярно керамической плате - основанию с минимальной нерабочей зоной лит

ой поверхности.

Предложен вариант ТП ЭЛИ, у которого в качестве одного из ди-лектрических слоев использован слой композиционного жидкого диэ-ектрика (КЖД) в структурах МДПКМ и МПКМ (а-с-1777539), что обес-ечивает упрощение конструкции и технологии изготовления ТП ЭЛИ-кспериментальныни исследованиями показана, что характеристики и араметры МДПКМ и МПКМ структур близки и существенно, отличаются от войств МДПДМ структур, в частности, имеют более высокие быотра-ействие, электрическую прочность и рабочее напряжение, пониженную рутизну ВЯХ- Оптимальными для получения ЭЛИ с максимальной яростью и высоким пробивным напряжением являются МДПКМ и МПКМ труктуры с толщиной слоя РОКД - 40-60 мкм, концентрацией наполни-еля в КЖД - 30-50'/, объем- Для повышения крутизны ВЯХ и уменьшения □рогового напряжения этих структур целесообразна использование елкодисперсного наполнителя с размером зерен не более 2 мкм. ДПКМ и МПКМ структуры обеспечивают минимальное число последова-эльно наносимых на прозрачную подложку тонкопленочных слоев и ^пользование второй непрозрачной диэлектрической пластины с энко- или толстопленочной металлизацией и возможность» размещена на ней интегральных схем управления ЭЛИ-

Предложены варианты конструкций ЭЛИ с ВКД,' оёеспечиваиших трощение конструкции и размещение всех выводов ЭЛИ на тыльной гороне индикатора в одной плоскости с одновременным уменьшением зриферкйной нерабочей зоны лицевой панели ЭЛИ, что облегчает воз-эжность "бесыозной" стыковки индикаторных модулей ( а.с.1В25278), также вариант конструкции с уненьыенными паразитными связяни гжду электродами соседних ИЭ, что приводит к устранению искаже-ui и повыиению резкости контуров воспроизводимого изображения i.e.1Б33113)•

В результате анализа энергетической эффективности ТП ЗЛК ¡казана, что при равных средних яркостях свечения и пороговой ютности мощности, соответствующей началу свечения, энергетичес-|й выход и светоотдача, а также (при постоянном пороговом напря-:нии ЭЛ слоя) внешний квантовый выход ТП ЗЛК с одинаковыми диэ-■ктркческини слояии гиперболически у^аньщактся с ук=кьиеннея крупны ВЯХ и с ростам отноыения удельных емкостей диэлектрических и Слоев, й Эффективность ТП ЗЛК максимальна при ¡значениях зтого

номячия- o^rhw*" v я л Я nfiHWPHy МЛППМ птпиктггр. т* "МИ й-дртгя г.

уменьшением крутизны БЯХ■ В связи с этим оптимальными по знергет: ческой эффективности являются ТП ЭЛЕ ИДПДИ структуры, имеющие БЯ: с максимальной крутизной, у которых отношение удельных емкостей диэлектрических и ЭЛ слоев находится в пределах 2-4. При этом обеспечивается возможность получения ТП ЭЛК с рабочими напрякени ми, не превышающими 100 В- ТП ЭЛК с КлЩ, а также выполненные на основе сегнетокерамических слоев и подложек, при разных средних яркостях свечения и пороговой плотности мощности имеют более низ кие энергетические параметры по сравнении с НДПДМ структурами зв ду меньшей крутизны БЯХ.

Четвертая глава. Электрофизические процессы в светоизлучамщ коммутирующих устройствах с самосканированием на основе тиристор

Рассмотрены основные типы и свойства нейристороз и сдбиговы регистров на основе однонаправленных КЭ с ОДС применительно к ис пользованию их для управления работой ИЭ (СИД, ЭЛК) и предложены четыре варианта СИН с оптоэлектронной связью на основе оптронов (а.с.744982) и интегральных линеек светоизлучающих однонаправлен ных КЭ с ОДС и с гальванической развязкой ячеек, з ток числе вариант с возможность» регулирования ЦЕета излучения за сче\" сунни рования излучения КЭ с ОДС и ЭЛК (а-с. 10726В4) и Еариант с полу чениеи электрической информации о включенной ячейке СИН (а-с-743550)? однотактный импульсный режим работы СИН, при котором не ристорный импульс в каждой последующей ячейке формируется при пс ступлении очередного импульса напряжения питания; вариант СИН и три варианта СИР с биполярным напряжением питания (а-с- 1352639) обеспечивающие получение знакопеременного напряжения на коммутируемых ЭЛК, в том числе в СОТ' - симметричного, а также вариант СИР', обеспечивающий реализацию функций запоминания и произеольнс выбора возбуждаемых нагрузочных ЭЛК, регулировки времени их копг тации и раздельной регулировки напряжения возбуждения ЭЛК и аиш туды Фазных импульсов напряжения, обеспечивающих сканирование (пат- РФ 2010424).

С использованием методов расчета электрических цепей выполз но исследование процесса Формирования импульса возбуждения и рас СИЛ и ЭЛК в ячейках нейрпсторов и сдвиговых регистров, в резулът которого получены: качественно согласующиеся кежду собой расчет! и экспериментальные зависимости Формы и амплитуды тока нейристог ного импульса, Формы и амплитуды напряжения на нагрузочном конде

аторе, а также зависимости импульсной и средней яркости свечения ИД, включаемого в ячейку в качестве ИЭ, от параметров элементов и лектрического режима работы СИН с униполярным напряжением пита-ия! расчетные зависимости формы и амплитуды тока импульса возбуж-ения, напряжения на нагрузочном конденсаторе в зависимости от аранетров элементов и электрического режима работы ячеек СИН и ИР с биполярным напряжением питания. Показано, что в таких СИН и ИР на нагрузочном ЭЛК можно обеспечить знакопеременное напряжение равной амплитудой положительного и отрицательного импульсов, а СИР с противофазным импульсным биполярным напряжением питания -имметричное знакопеременное напряжение. В соответствии с расчета-и экспериментальные зависимости средней яркости свечения толсто-тонкопленочного ЭЛК от напряжения питания СИН и СИР с униполяр-ым и биполярным напряжением питания близки к ВЯХ ЭЛК, измеренным а синусоидальном и биполярном инпульсном возбуждающем напряжени-х при одинаковых частотах изменения этих напряжений и частотах апуска СИН и СИР.

Зздэиа анализа процесса распространения возбуждения в КЧСС гналась путем разработки физических моделей, учитывающих реальные □нструкцию и размеры интегральных линеек тиристоров, а также па-аметры тиристорных оптронов, и базирующихся на диффузионно-дрейфо-эн приближении. Математическое описание процесса распространения □збуждения получено путем решения уравнения непрерывности с уче-эи указанного приближения, начальных и граничных условий в нес-эльких модельных областях с последующей "сшивкой" на границах гшений для каждой модельной области и получением окончательного гшения- Таким образом получены расчетные зависимости амплитуд-э-временных характеристик напряжения питания от-электрофизичес-лх и конструктивных параметров элементов и структур нейристорав аптаэлектронной и объемной связями между тиристорами при одноактном импульсном и постоянном напряжениях питаниях, а также дя сдвиговых регистров с оптоэлектронной и объемной связями меж-3 тиристорами- Результаты исследования экспериментальных зави-*мостей амплитудно-временных характеристик режимов питания от аранетров элементов и структур нейристорав и сдвиговых регистров указанными видани связи и режимами питания свидетельствуют о их ачественном согласовании с расчетными зависимостями и соответст-т расчетных зависимостей реальным физическим процессам в иссле-

дуемых КУСС-

Выполненные исследования свидетельствуют также о принципиальной работоспособности нейристоров и сдвиговых регистров на ос нове тиристоров с различными видани связей и режимами питания в качестве КУСС в составе ПИ с числом ИЭ от единиц до ~20 тысяч дл; управления СИД, и до 1-2 тысяч - для управления толсто- и тонкопленочными ЭЛК при последовательном вводе информации и соответствующим числом ИЭ в строках или столбцах ПИ с двухмерной натрично: адресацией при параллельно-последовательном вводе информации-

Пятая глава- Исследование свойств двунаправленных полупрово, никовых элементов с ОДС и коммутирующих устройств на их основе-

Экспериментально исследованы пороговые переключатели - объе! ные типа "бусинка" и тонкопленочные типа "сэндвич"- на основе ха-когенидных стекал (ХГС) различных составов, в результате чего показано, что достаточно устойчивый и воспроизводимый эффект пороп вого переключения наблюдается только в ХГС на основе As-Te, определены условия существования, характеристики и параметры электрш ного, электротермического и теплового механизмов переключения в динамическом режиме, определены механизм проводимости » еысокоон-ном состоянии переключателей в отсутствии джоулева разогрева -ток, ограниченный пространственным зарядом, - и наиболее вероятш механизм, приводящий к переключению - ударная ионизация локально! уровня в запрещенной зоне, характерного для всех ХГС на основе As-Te; показано- что' поддержание включенного состояния псреклнча телей осуществляется за счет монополярной инжекции электронов из катода, причем ток удержания этого состояния зависит от удельногс сопротивления и типа проводимости электродов\ применение электродов с повышенный сопротивлением-, в ток числе пслупрсссдкиковых, : вышает стабильность работы переключателей, но одновременно увеличивает остаточное напряжение с 0,5-1 В до 2-3 В- Экспериментальш данные свидетельствуют о сложности получения высоконадежных и ст; бильно работающих переключателей типа "сэндвич" с пороговым Hanps жениеи "100 В и более и рабочими токами более 100-200 мА-

В результате экспериментальных исследований обнаружена объемная связь между пороговыми переключателями типа "сэндвич" по общему слов ХГС толщиной 5-10 нкк, находящимися ка расстояниях дс 3-4 толщин слоя стекла, которая может быть объяснена распространЕ нкеп потока Тснла вдоль слоя ХГС ст включенного переключателя к

оседнему выключенному. Предложен и аналитически обоснован также олевой механизм объемной связи между элементами с ОДС, выполнен-ыми на основе однородного полупроводника, например, ХГС, и пере-лючающимися за счет ударной ионизации или туннельного эффекта в ильном электрическом поле- Расчетным путем показано, что при оп-еделенных соотношениях размеров структуры при включении управляю-его элемента с ОДС напряженность электрического поля в активной бласти соседнего выключенного элемента с ОДС возрастает, что беспечивает возможность управления его включением-

В результате разработки и исследования пригодных для управ-ения ТП ЭЛИ маломощных симисторов предложен вариант планарно -иффуэионного симистора, у которого диффузионные базовые области

размещенными в них эмиттерными областями размещены с одной гороны структуры симметрично относительно оси или плоскости ее имметрии (пат-РФ 2022412). Изготовлены и исследованы три вариан-а планарного симистора на основе двух встречно-параллельно вклю-энных тиристорных структур с общим базовым слоем и пятислойной груктуры с четырьмя р-п-переходами, выполненных на базе тиристорах структур, используемых в серийных гибридных пороговых тиристо-IX 2У106- Показано, что расположение участка для доступа оптичес-зго излучения симметрично относительно оси или плоскости симмет-«I структуры обеспечивает симметричное управление изменением ВАК зтосккистсра на ссновэ исследованных структур.

На основе планарно-диФФузконных Фотосииисторов разработаны, зготовлены и исследованы: маломощные симнсторные оптроны, сов-гстимые по выходным статическим и динамическим параметрам с ТП Ш, а по управлении - с уровнями сигналов серийно выпускаемых иросхем; дифференциальные оптроны с двумя излучателями и раз-!льным управлением процессами коммутации напряжения различных (лярностей; симисторные оптопары с повышенным напряжением изоля-[и "зход-вкход" до 3,5-4,5 кБ з пластмассовой корпусе л оптопары повкменнын значением действумщего выходного тока в открытом ¡стоянии до 0,5 А- Экспериментально подтверждена работоспособ-¡сть симистсрной оптопары при управлении работой ТП ЭАК площадью 81 см2-

На базе проведенных исследований двунаправленных КЭ с ОДС едложены семь вариантов КУСС на основе таких КЭ с ОДС, включая: ть вариантов нейристоров, из которых два варианта - на основе

трехэлектродных халькогенидных пороговых переключателей (а-с-563100) и на основе аморфно-кристаллических транзисторов (а.с-7384В7) - обеспечивают коммутацию талстопленочных ЭЛК, два варианта нейристора (а-с- 694005, 694006), в которых распространена нейристорнога импульса осуществляется за счет поочередного подклю чения халькогенидных пороговых переключателей к одному из деух об' щих электродов, и вариант нейристора с управлением распространена импульса возбуждения за счет подачи импульсов, выключающих питанш нейристора ( а-с-747389); коммутирующее устройство, обеспечивающее распространение Фронта возбуждения ЭЛК пропорционально числу полу периодов переменного напряжения питания (а-с-719466)5 КУСС с функ цияни выбора и запоминания возбужденных нагрузочных ЭЛК на основе тиристоров и сииисторов, обеспечивающее управление работой многоэлементного ТП ЭЛИ (пат.РФ 1827050).

Шестая глава. Шкальные индикаторы на основе электролюминесцентных отсчетных устройств с самосканированием-

Проанализированы основные особенности структуры шкальных индикаторов (ШИ) и измерительных приборов на их основе, б результате чего показано, что наименьшее число выводов и наиболее простое устройство управления имеют показывающие ШИ, использующие отсчет-ные устройства с самосканированием (0УС) на основе прежде всего, СИН, а также СИРрезультирующая погрешность измерений с помощью таких Ш обусловлена методической, инструментальной и субъективно погрешностями, причем при использовании СИР в качестве 0УС наиболее значащей является методическая погрешность, определяемая числ' делений шкалы (числом ИЭ) в 0УС. Применение простейшей схемы управления на основе амплитудно-временного преобразователя измеряем' величины Ах в длительность импульса напряжения питания Тх при использовании СИН в качестве 0УС приводит из-за разброса параметров элементов СИН и соответствующего разброса времени задержки распро странения нейристорнога импульса в СИН к существенной инструментальной погрешности измерения, обусловленной нелинейностью преобразования Тх в число возбужденных ячеек (светящихся ИЭ) пх СИН, ограничивающей класс точности таких Ш значением не выше 2,0-4,0.

Для уменьшения инструментальной погрешности предложены и экспериментально исследованы шесть вариантов ШИ на основе СИН, в которых осуществляется либо линеаризация преобразования ■СТ —33 счет схемотехнической стабилизации параметров СИН,

либо реализация преобразования <Ах—Э- с учетом разброса параметров СИН на основе введения следящей обратной связи, либо комбинация указанных способов■ При этом схемотехническая стабилизация амплитудных параметров СИН, косвенно приводящая к стабилизации его временных параметров, и стабилизация временных параметров СИН за зчет Использования однотактного импульсного режима его работы [а.с-1231461) обеспечивают линейность указанного преобразования и лнструментальную погрешность преобразования (0,1-1)*Л при изменении амплитуды импульсов питания в пределах (5-10)'/- Использование следящей обратной связи с аналоговым сравнением входной и компенсирующей величин в ШИ на основе СИН с делительной шиной питания а-с.1112285) не позволяет уменьшить инструментальную погрешность шже (5-8)'/. из-за значительного разброса амплитуды тока нейристор-шх импульсов даже при ее стабилизации! в ШИ с использованием ШФро-аналогового преобразователя (ЦАП) б цепи обратной связи и (налоговым сравнением входной и компенсирующей величин (а-с-231462), а такяе в Ш с аналого-цифровым преобразователем (АЦП) и ;иФровым сравнением входной и конпенпиршшеч пв.п'лшн в цепи обратной связи ( а ■ с -1.276999) инструментальная погрешность преобразо-ания определяется параметрами используемых ЦАП и АЦП и не зависит 1Т разброса параметров элементов СИН и изменения режима его работы напряжения питания, частоты запуска), что обеспечивает получение ■И классов точности 0,2-0,5-

Для уменьшения методической погрешности ШИ на основе СИН и уб-ьективной погрешностей изнерения с его помощью предложены и кспериментально исследованы два варианта показывающих ШИ, в од-ом из которых уменьшение методической погрешности ШИ без увели-ения общего числа ячеек (ИЗ) ОЧС обеспечивается возможностью ото-ражения старших и младших разрядов измеряемой величины на двух аздельных шкалах или поочередно по желанию оператора на одной -сале, а в другом варианте для уменьшения субъективной псгреынос-■л измерения с помощью ШИ на основе СИН обеспечивается яркостное лделение ИЭ укрупненной шкалы за счет1 повышения амплитуды напрд-эния питания СИН при "прохождении" нейристарным импульсом саот-зтствуищих ячеек СИН (а-с.1276999).

Предложены и экспериментально исследованы семь вариантов I на основе ОУС с расширенными Функциональными возможностями, сличая" показывающий ШИ на основе СИН с автоматическим переклю-

чениеи пределов измерения (а-с-1359747), сигнализирующий и регулирующий Ш на основе СИН с яркостным выделением уставок, показ! вающий ШИ с отображением измеряемой величины положением светово! указателя (метки) на основе СИР, работающего в квазистатическом режиме с управлением направлением перемещения указателя сдвигом фаз Фазного напряжения питания (а-с-1420372) или изменением направления "тянущего" поля, приложенного вдоль слоя передачи возбуждения между КЭ с ОДС (а-с-1386850), сигнализирующий Ш (а-с-1420372) и регулирующий ШИ (а-с-1529129) на основе СИР с отобра жениек измеряемой величины положением светового указателя? иноп канальный показывающий ШИ на основе ЭЛК, управляемый с помощью одного СИР' (а-с-1663567)■ Определены варианты Ш с наиболее эффективным применением СИН или СИР в сочетании с различныни типа ми ИЭ - СИД, ЭЛК.

Седьмая глава. Электролюиинесцентные индикаторные панели с саносканированиеи-

Проведен анализ особенностей структуры ПИ, в результате ко торого показано, что в основу синтеза индикаторных панелей, вкл: чая панели с саносканированиен, может быть положено сочетание о щих для всего ПИ или раздельных, размещаемых в каждой ячейки ПИ структурных конструктивных или схемотехнических элементов: собственно излучателя, модулятора, обеспечивающего модуляцию излуч ния в соответствии с вводимой информацией, и элемента памяти, о печивающего "запоминание" яркости свечения излучателя и повышен тем самым средней яркости воспроизводимого изображения; при это часть Функций этих элементов или все Функции иогут быть объедин в одной элементе, включая и функцию коммутации- Основными особе ностями нейроскопов на основе СИН с амплитудной модуляцией напр жения питания видеосигналом является необходимость использовани конструктивных или схемотехнических методов стабилизации скорос сканирования (распространения нейристорного импульса)■ Для реме этой задачи предложен вариант ПИ на основе СИН (а-с-122В29В), р ботающего в режиме однотактного импульсного напряжения питания-отличие от нейроскопов ПИ на основе СИР не требуют дополнительн мер по стабилизации скорости сканирования при амплитудной модул ции Фазных импульсов напряжения питания-

Для повышения средней яркости воспроизводимого изображения стабилизации скорости сканирования предложено семь вариантов не

эскопов, в одном из которых повышение средней яркости обеспечи-ается за счет введения в структуру фоточувствительного (ФЧ) слоя з-с.803832), в другом - введением биполярного напряжения питания возбуждения ТП ЭЛК (а-с-1366005)? в пяти других вариантах повы-=ние средней яркости и стабилизация скорости обеспечиваются за 1ет разделения цепей питания СИН и возбуждения ИЭ путем введения: 1 слоя дополнительно к ЭЛ слою с образованием регенеративных оп-зонов - основных КЭ с ОДС СИН и связанных с ним оптически по воз-(ждению дополнительных КЭ с ОДС, ЭЛК которых выполняют функции > (а-с-997580); фЧ слоя и слоя палевых триодов; модулирующего и ¡толюминесцентного (ФЛ) слоев; дополнительных светоизлучающих КЭ ОДС, связанных оптически по возбуждению с основными КЭ с ОДС СИН ФЛ слоя! дополнительного слоя эмиттеров с отрицательным элек-•онным средством и катодолюминесцентного слоя с образованием оской ЭЛТ с распределенным эмиттером электронов (а-с-1041012)■

В результате разработки ПИ с самосканированиен со стабильной оростью сканирования на основе СИР и ТП ЭЛК предложены три рианта многоцветных ПИ с биполярным напряжением возбуждения ТП К, в одном из которых осуществляется последовательный ввод цве-вой информации путем модуляции Фазного напряжения питания СИР етоделенными видеосигналами, причем каждая ячейка СИР, подклю-нная к одному из фазных шин, содержит ТП ЭЛК одного из основных этов свечения (а-с.1559427); во втором варианте осуществляется раллельный ввод цзвтоеой информации и каждая ячейка СИР содержит л (или другое требуемое число) ТП ЭЛК основных цветов свечения .С.1589425), что обеспечивает упрощение ПИ, увеличение макси-1ьно возможных общего числа многоцветных ячеек ПИ и средней яр-:ти воспроизводимого изображения? в третьем варианте ПИ (а-с. 16073) используется последовательный ввод цветовой информации и ¡хмерная матричная адресация ТП ЭЛК с помощью СИР и дополнитель-■о сдвигового регистра, что обеспечивает дальнейшее упрощение )гоцветного ПИ с самосканированиен на основе СИР.

Для расширения Функциональных возможностей средств отображе-I и обработки информации на основе СИН предложены: нейроскоп, в ■орон обеспечивает переход нейристорного импульса, распространяйся по нейристорной линии - строке на соседние нейристорные ии-строки при сохранении однонаправленности его распространения, позволяет использовать такой нейроскоп для непосредственного

воспроизведения ссциллографического изображения и знаковой инфор нации без предварительного преобразования их в телевизионной сиг нал (а-с-1041010)5 электрически управляемый транспарант с самосканированием, предназначенный для пространственно-временной мод ляции лазерного излучения в вычислительных и информационных сист мах, галографическом телевидении, в котором обеспечивается повыш ние надежности управления за счет объединения транспаранта и уст ройства электрического ввода информации, адресации и коммутации основе СИН и дополнительного модулирующего излучение КЭ с ОДС сл в единой монолитной структуре, что улучшает также и его иассогаб ритные показатели (а-с-900765)■

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В результате выполнения комплекса научно-технических исследований автором осуществлено решение научной проблемы, имеющей важное народнохозяйственное значение, - разработаны и исследован; Физические и конструктивна-технологические основы Функционирования многоэленентных электролюминесцентных индикаторов с самоскан ем на базе полупроводниковых элементов с отрицательным диФФеренц альнын сопротивлением■

Основные результаты и выводы работы, полученные при решении ланнпй проблемы -, зак/лсчгктсг; п слсд "¡лгуЕЛ -

1■ В результате аналитического обзора используемых физическ эффектов, принципов Функционирования, свойств 1 состояния и персп тив развития известных мнсгоэлементных ПИ показана перспективное использозания в ИУ прямого видения индивидуального и группового пользования активных твердотельных ПИ, использующих явление элек тролюминесценции, из которых наиболее перспективными являются ТП ЭАИ, требующие однако для возбуждения высоковольтное симметрично' знакопеременное напряжение! наиболее эффективными для управления ТП ЭЛИ являются одно- и двухнаправленные КЭ с ОДС и КУСС на их основе, однако параметры известных двунаправленных КЭ с ОДС и на иболее простых КУСС, таких как нейристоры и сдвиговые регистры, не обеспечивают сопряжения с ТП ЭЛИ", электрофизические процессы, протекающие в многоэленентных ЭЛИ с самосканированием, не изучеш 2. На основе проведенных теоретических исследований методов адресации и способов ввода информации в многоэлементных ПИ с вне!

ней коммутацией и с внутренней адресацией и коммутацией (с само-сканировзнкен) ячеек показано, что наиболее обшим методом адресации многоэлементных ПИ с внешней коммутацией является многоуровневая адресация, которая обеспечивает существенное сокращение числа внешних еыеодое ПИ, однако возможна только при использовании ячеек с большим числом уровней управления (выводов). Дальнейшее уменьшение числа внешних выводов обеспечивают методы внутренней адресации и коммутации (самосканирования) ячеек ПИ. При одинаковом числе ячеек ПИ наилучией совокупность» параметров (число внешних выводов, собственный яркостный контраст, средняя яркость, информационная пропускная способность, удельная потребляемая мощность) при параллельно-последовательном вводе информации обладает двухмерная матричная адресация с самосканированием, а при последовательном вводе информации - поэлементная адресация с самосканированием.

3- В ходе проведенных теоретических и экспериментальных исследований электрофизических параметров и характеристик ТП ЭЛИ определены расчетные зависимости пробивной напряженности и добротности диэлектрических слоев ТП ЭЛК с одинаковыми и разными диэлектрическими слоями, требуеных для высоконадежной работы ТП ЭЛК, а также порогового напряжения и энергетической эффективности ТП ЭЛК от отноиения удельных емкостей диэлектрических и ЗЛ слоев и крутизны ВЯХ (отношения рабочего и порогового напряжений), установлены значения указанных параметров, необходимых для получения ТП ЭЛК с рабочими напряжениями, не превышающими 100 В, и с максимальной энергетической эффективностью, разработаны и исследованы ТП ЭЛИ трех цветов свечения, в том числе с рабочими напряжениями, не превышающими 100 В, конструкции и -технология изготовления которых внедрены на НПП '.'Ульяновский радиоламповый завод" и з Ульяновском КБ приборостроения-

4- Предложены (а.с-17777539, 1825278, 1833113) и экспериментально исследованы ТП ЭЛК, у которых в качестве одного из диэлектрических слоев использован композиционный жидкий диэлектрик на основе снеси порошкообразного сегнетоэлектрика и жидкого диэлектрика, что обеспечивает упрощение конструкции и размещение всех выводов ТП ЭЛИ на тыльной стороне индикатора в одной плоскости с одновременным уменьшением периферийной нерабочей зоны лицевой панели ЭЛИ, а также уменьшение паразитных связей между соседними ИЗ в составе ТП ЭЛИ- Показано, что такие ТП ЗЛК имеют более высокие

быстродействие,. пробивные и рабочие напряжения, меньшим крутизн1; ВЯК по сравнении с обычными ТП ЭЛК.

5- В результате разработки и исследования полупроводниковые КУСС на основе однонаправленных КЗ с ОДС предложены", четыре вар» анта СИН с оптоэлектронной связью на основе оптронов и интеграль ных линеек светоизлучавщих однонаправленных КЗ с ОДС (а.с-7449В; 749352, 743550, 10726В4); однотактный импульсный режим работы С1; вариант СИН и три варианта СИР (а.с.1352639, 1366005, 1559427, 1589425) с биполярным напряжением питания, обеспечивающие получг ние знакопеременного напряжения на коммутируемых ЭЛК, б ток чис.' б СИР - практически симметричного, а также вариант СИР (а-с 2010424), обеспечивающий реализацию Функций запоминания и произвольного выбора возбуждаемых нагрузочных ЭЛК.

&• Получены согласующиеся между собой расчетные и экспериме тальные зависимости -формы и амплитуды импульса тока возбуждения, Формы и амплитуды напряжения на нагрузочном конденсаторе, зависи мости импульсной и средней яркости свечения С1-5Д, средней яркости свечения толсто- и танкопленочных ЭЛК, Еключаемых в ячейки в качестве ИЭ, от электрофизических параметров элементов и электриче кого режима работы СИН и СИР на основе тиристоров с униполярным биполярным напряжениями питания.

7- Разработаны физические и математические модели процессов распространения возбуждения в КУСС и получены качественно соглас юциеся расчетные и экспериментальные зависимости амплитудно-временных параметров, характеризующих процесс распространения импул са возбуждения, от электрофизических и конструктивных параметров элементов и структур нейристоров при однотактнок импульсном и по стояннок напряжениях питания и для сдвиговых регистров с оптоэлектронной и объемной связями между тиристорами.

S. В результате экспериментального исследования двунаправле ных КЭ с ОДС и КУСС на их основе определены условия существовани характеристики и параметры электронного, электротермического и теплового механизмов переключения в }'ГС в динамическом режиме, о ределены механизмы проводимости в высокооином и низкоомных состо ниях пороговых переключателей в отсутствии джоулева разогрева, м ханизм, приводящий к переключению, пути повышения стабильности р боты переключателей и ограничения на максимально достижимые знач ния порогового напряжения! обнаружена объенная связь между порог<

выик переключателями типа "сэндвич" по общему слою "ГС, обусловленная термическим механизмом? предложен и аналитически обоснован полевой механизм связи между КЭ с ОДС, выполненными на основе однородного полупроводника и переключающимися за счет эффектов сильного поля.

9- Предложены (пат-РФ 2022412)5 изготовлены и экспериментальна исследованы пленарные сияисторы я Фотосимнсторы и кэ. их основе маломощные синисторные оптроны, совместимые по выходным статическим и динамическим параметрам с толсто- и тонкопленочнини ЭЛК, а по управлению - с уровнями сигналов серийно выпускаемых микросхем, дифференциальные оптроны с дзуня излучателями и раздельный управлением процессами коммутации напряжений различных полярностей? синисторные оптроны с повыыеннии напряжением изоляции "вхад-зызсод" до 3,5-4,5 кВ, а также с повышенным значением действующего выходного тока в открытом состоянии до 0,5 А- Указанные оптроны внедрены в опытное производство на НПП "Ульяновский радиолакповый завод".

10. Предложены семь вариантов КУСС (а.с-563100,694005,694006, 739487, 747389, 719466, 1827050), включая пять вариантов нейрис-торов на основе халькогенидных пороговых переключателей, из которых два варианта обеспечивают коммутацию толстопленачных ЭЛК, коммутирующее устройство, сбеспечивгжщэе распространение Фронта возбуждения ЭЛК пропорционально числу полупЕриодов перененкого напряжения питания, и КУСС с функциями выбора и запоминания возбуждаемых нагрузочных ЭЛК на основе тиристоров и симисторов-

11. В результате анализа особенностей структуры и погрешностей ШИ с 0УС на основе СИН и СИР определены основные погрешности преобразования и съема информации, показано, что при использовании СИН в качестве 0УС- и наиболее простой схемы управления инструментальная погрешность является наиболее существенной и ограничивает класс точности ЫИ значением по зыше 2,0-4,0. Предложены и экспериментально исследованы: шесть вариантов показывающих ШИ на основе СИН <а.с.1112285, 1231461, 1231462, 1276999) с уменьшенной инструментальной погрешностью и обеспечением возможности повышения их класса точности до 0,2-0,5? три варианта показывающих ИИ (а.с. 1276999) на основе СИ!! с уменьшенной нетсдкческсй погрзщпсстыо? семь вариантов ЫИ с расширенными Функциональными возможностями

(а.с-1250960, 1335316, 1359747, 1386850, 1420372,1529129,1663567): показывающий ШИ на основе СИН с автоматическим переключением пре-

делов измерений! сигнализирующий и регулирунщий Ш на основе СИН, два варианта показывающих К!, а также сигнализирувший и регулирующий ИИ на основе СИР с отображением измеряемой величины положением светового указателя? многоканальный показывающий ИМ , управля емый одним СИР.

12- Б результате анализа структуры ПИ и разработки ЭЛ индика тарных панелей с самосканированиек предложены: вариант нейроскопа со ст а б и л и з 5.ц ие й скорости сканирования использованием режима одно тактногп импульсного напряжения питания (а-с- 1228298)", дез Еариа: та нейроскопа с повышенной средней яркостью воспроизводимого изображения (а-с-803832, 1366005)5 пять вариантов нейроскопа с повышенной средней яркостью воспроизводимого изображения и стабилизацией скорости сканирования (а-с-9975805 1041012); три варианта плоского многоцветного 'индикатора с саносканированием на основе СИР и ТП ЭЛК (а-с-1559427, 1539425, 1646073) с последовательным, параллельным еводой цветовой информации и с двухмерной матричной адресацией ТП ЗЛК с покощью СИР и дополнительного сдвигового регистра; кейроскоп, обеспечивающий непосредственное воспроизведен!!« осциллсграфического изображения и знаковой индикации (а-с-1041010 и электрически управляемый транспарант с саносканированием на основе СИН (а.С.900765)-

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих ра~

1. Гурин Н.Т., Соломин Ь.А. Перспективные средства отображения информации.-Саратов, изд. СГУ, 1986.-116 с.

2. Гурин Н.Т. Исследование переключения в халькогенидных стеклах/Автореферат дисс. на ссиск. уч. степ. канд. физ-мат. наук .-Черновцы:Черноеицк.гос.ун—г,-1977.-16 с.

3. Гурин Н.Т., Замфир Г.Н., Золотарев В.Ф., Солодов Г.П. К вопросу об апертуре сканистора//Радиотехн. и электрон.—1973.-Т.18.-Р6.-С.1318-1319.

4. Гурин Н.Т., Золотарев В.Ф., Семак-Д.Г. Связь между пороговыми переключателями по общему слога халькогенидного стекла.// Микроэлектрон .-1 976 . -Т. 5 , И" 1.-С.82-83.

5. A.C. 744982 (СССР). Нэйристор/Н.Т.Гурин. Оп. в ЬИ, 1980,

№ 24.

6. A.C. 749352 (СССР). Нейристор/Н.Т. Гурин.

7. Гурин Н.Т., Никулин А.Н. Полевой механизм объемной связи между полупроводниковыми элементами с 0ДС.//Изв.вузов.Физика.-1983 .-1С 6.-С.7-9.

8. Гурин Н.Т. Нейристоры на основе оптронов.//Оптические сканирующие устройства и измерительные приборы на их основе. Тез. докл. Всесоюз. совещ--Барнаул:Алтайск.политехи.ин-т.-1980.-Ч.2.~ С.184-185 .

9. Афанасьев B.C., Гурин Н.Т., Карандашев B.C. Нейристор на основе тиристорных оптронов//Изв.вузов. Радиоэлектроника.-1981,-т.24, №10.-С.59. Деп. ВИНИТИ. Wi 175-81 ДЕПот 1 6.03.198 1 г.

10. Гурин Н.Т. Светоизлучающий нейристор на основе тиристорных оптронов.//Радиотехн.- и электрон.-1984,-Т.29, №4.-0.808—810.

11. A.C. 464249 (СССР). Нейрокон/Н.Т.Гурин, В.Ф.Золотарев.

12. A.C. 494990 (СССР). Твердотельный преобразователь изо-бражения/Н.Т.Гурин, В .Ф.Золотарев, Г.П.Солодов.

13. A.C. 884544 (СССР). Генератор опорного сигнала для ней-рокона/Н.Т.Гурин, Б.Б.Шамшев.

14. A.C. 832770 (СССР). Фотоэлектрический преобразователь изображения/Н.Т.Гурин, Б.Б.Шамшев. Оп. в БИ, 1981, №19.

15. A.C. 752757 (СССР). Многоустойчивый элемент/Н.Т.Гурин. Оп. в БИ, 1980, №28.

16. Гурин Н.Т., Ряпосов В.Б., Бакланов С.Б. Нейристоры с импульсным.напряжением питания в устройствах оптоэлектроники// Теория и практика конструирования и обеспечения надежности и качества электронной аппаратуры и приборов. Тез. докл.Всесогаз.науч.-техн.конф. Февраль 1 984, Воронеж.-М.:Радио и связь.- 1984.-С.42.

17. Гайтан В.В., Турин Н.Т. Светоизлучакзщие нейристоры -коммутаторы в индикаторных устройствах.//Специальные коммутационные элементы. Тез. докл.Всесоюз.науч.-техн .конф. Сент. 1984, Рязань.-Рязань:РРТ И.-1984.-С. 34-35.

18. Гурин Н.Т. Анализ методов адресации плоских индикато-ров//Актуальныэ проблемы электронного приборостроения. Тез. докл. Всесоюз. научн.-техн.конф. Новосибирск.-1 990. - 4.1 . - С.98.

19. Гурин Н.Т. Анализ методов адресации плоских индикато-ров//Изв. вузов. Приборостроение .-1 9 9 1 .-И1! 0 .-С . 53-6 1 .

20. Гурин Н.Т. Анализ способов ввода информации и методов адресации в плоских индикаторах//Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации. Матер. Междунар. конф. Курск, окт.1993.-Курск.политехи.ин-т.-1993.-С.90-91.

21. Гурин Н.Т. Информационный анализ способов ввода информации и методов адресации в плоских индикаторах//Тез.докл.Росс. науч.-техн.конф. "Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем'. Саратов, июнь-июль 1994.-Пенза: ПДНТП,-1994.-С.3 0-32.

22. Гурин Н.Т. Энергетическим анализ способов ввода информации и методов адресации в плоских индикаторах//"Актуальные проблемы электрон, приборостроен. АПЗП-94". Труды второй Междунар. науч.-техн. конф. в 7 т. Т.2. Моделирование и вычислительная техника. Новосибирск, нояб. 1994.- Новосибирск: Новосиб.гос. техн.ун-т. - 1994. - С.8-18.

23. Гурин Н.Т., Рябинов £.Б., Самохвалов М.К. Кинетика релаксационных процессов в тонкопленочных электролюминесцентных структурах//Попимерные органические полупроводники и регистрирующие среды на их основе. Тез. докл. 1 Всесоюзн. научно-техн.конф.-<иев: Киевск.гос.ун—г.-1989.-С.68.

24. Гурин Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев

л -порогового напряжения тонкопленочных электролюмннесцентных конденсаторов// Электрон . техника. Сер.VI., Микроэлектроника.-1990,-Зып.1(135).-С.88-90 .

25. Гурин Н.Т. Анализ параметров тонкопленочных электролю-иинесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями//Ла-зерная техника и оптоэлектроника1992.-Вып.3-4(64-65).-С.74-77.

26. Гурин Н.Т., Гайтан В.В., Шабалов H.A., Бригадное И.Щ. Разработка и исследование устройств индикации на основе пленочных электролюминесцентных индикаторов//Сборник аннотаций законченных забот по программе "Полет".Казань:КАИ.-1989.-С.20-21.ДСП.

27. Бригаднов И. К)., Гурин Н.Т., Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Соединения редкоземельных металлов в тонкопленочных электролю-1инесцентных индикаTopax//V Всесоюзн.конф. по физике и химии >едкоземельных полупроводников. Саратов 29-31 мая 1990 г. Тез. (окл. ч . II.-Саратов:СГУ.-1990.-С.93.

28. Гурин Н.Т., Самохвалов М.К., Шабалов И.А., Бригаднов 1.Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных МДПДМ-:труктур на основе сульфида цинка//Низкотемпературные технологи-1еские процессы в электронике. Всесоюзн.научно—техн.сем. 4-7 июня 990. Тез.докл.-Ижевск.-1990.-С. 148.

29. Гурин Н.Т., Шабалов И.А., Бригаднов И. Ю.', Самохвалов

.К. Электрофизические свойства тонкопленочных электролюминесцент— |ых конденсаторов//Электронная техника. Сер.4. Электровак. и газо-азр.приборы.-1990.-Вып.1(128) .-С.86.Деп.ЦНИИ "Электроника" I? Р -268 .

30. Гурин Н.Т., Бригаднов И.И. Электролюминесцентный кон-енсатор с композиционным диэлектриком//Научно—технический про-ресс и инженерное образование. Тез.докл. 24-й научно-техн- конф. .3. Ульяновск.политехи.ин-т. Ульяновск.-1990.-С.2-4.

31. A.C. СССР 1777539. Электролюминесцентный индикатор/ .Т.Гурин, И. К). Брига д нов .

32. Бригаднов И.Ю., Гурин Н.Т. Тонкопленочные электролюми-есцентные структуры с композиционным жидким диэлектриком//Пись-а в «ТФ.-1990.-Т.16, вып.23.-С.71-74.

33. Бригаднов И.М., Гурин Н.Т. Высокояркостные тонкопленоч-ые электролкзминесцентные индикаторы с композиционным жидким диэ-ектриком//Новые электронные приборы и устройства. Матер.конф.-

. :МДНТП.-1991 .-С.94-98.

34. Бригаднов И.Ю., Гурин Н.Т., Рябинов Е.Б. Вольт-яркостны характеристики ЭЛИ с композиционным жидким диэлектриком//Тез.док к всесоюзн.конф.по электролюминесценции. Ангарск, 16-20 сент. 1991 г.-Ангарск.-1901.-С.39.

35. Бригадное И.И)., Гурин И.Т., Рябинов Е.Б. Повышение надежности тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов//Пути развития электронных средств и задачи высшей школы в подготовке специалистов соответствующей квалификации. Тез,докл.всесоюзн. конф. Ульяновск.-1991.-С.74.

36. Бригаднов И.Ш., Гурин Н.Т., Рябинов Е.Б. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов с композиционны жидким диэлектриком//Журн.прикл.спектроскоп.-1993.-Т.59, №1-2.-С.175-181.

' 37. A.C. СССР 1825278. Электролюминесцентный индикатор/ Н.Т.Гурин.

38. A.C. СССР 1833113. Электролгаминесцентный индикатор/ Н.Т.Гурин.

39. Гурин Н.Т. Оценка энергетической эффективности тонкопленочных электролюминесцантных конденсаторов//Лазерная техника оптоэлектроника.-1994 г.-Вып.3-4.-С.74-77

40. Гурин Н.Т. Выход люминесценции в тонкопленочных электро люминесцентных излучателях//Междунар.конф.по люминесценции. 22-2 нояб. 1994 г. Тезисы. Ч.111.-М.:ФИАН.-1994.-С.214.

41. A.C. СССР 1228298. Устройство воспризведения телевизион ного изображения/Н.Т.Гурин. On. в БИ, 1986, N" 16.

42. A.C. СССР 1231461. Шкальный индикатор/Н.Т.Гурин On. в ЬИ, 1986, № 18.

43. A.C. СССР 1072684. Нейристор/Н.Т.Гурин.

44. A.C. СССР 743550. Нейристор/ Н.Т.Гурин.

45. A.C. СССР 1366005. Нейроскоп/ Н.Т.Гурин.

46. A.C. СССР 1352639. Коммутирующее устройство/ В.В.Гайтан Н.Т.Гурин. On. в ЬИ, 1 987 , (Р 42.

At. Гайтан В.В., Гурин Н.Т., Шабалов И.А. Многоэлементные электролюминесцентные излучатели с самосканированием//111 всесоюзн. конф'. по вычислительной оптоэлектронике "Проблемы оптическо памяти", Ереван. 1-3 нояб. 1987. Тез.докл. 4.2.-Ереван: АН Ар-мянск. ССР.-1987.-С.188-189.

48. A.C. СССР 1559427. Индикаторное устройство/ Н.Т.Гурин, И.А.Шабалов. On. в БИ, 1990, № 15.

49. A.C. СССР 1589425. Индикаторное устройство/ Н.Т.Гурин. On. в ЬИ, 1990, » 32.

50. A.C. СССР 1646073. Индикаторное устройство/Н.Т.Гурин. ©п. в БИ, 1991 , N» 6.

51. Гайтан В.В., Гурин Н.Т., Шабалов И.А. Светоизлучаюшие полупроводниковые устройства с самосканированием//Применение микроэлектроники в приборостроении. Тез. докл. научн.-техн. сем. Ульяновск.-1987.-С.23-25. ДСП.

52. Пат. Российской Федерации 2010424. Коммутирующее устройство/С.Б.Бакланов, В.В.Гайтан, Н.Т.Гурин. On. в БИ, 1994, №6.

53. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Электролюминесцентныэ индикаторы с самосканированием.//Научно-исследовательские разработки и высокие технологии двойного применения : Матер. 1-й Поволжской науч. -техн.конф. 21-23 февр. 1995 г., г.Самара. В 2 ч. 4.2.-Самара ГПСО "Импульс". - 1995. - С.37-38.

54. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Моделирование механизма распространения возбуждения в светоизлучающих нейристорах на основе интегральных линеек тиристоров//Электрон.моделирование.-19S1.-Т.13, IT 6.-С.59-64.

55. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Исследование светоизлучающих устройств с самосканированием//Новые электронные приборы и устройства , Матер.конф.-М.:МДНТП.-1991.-С.8 9-94.

56. Baclanov S.B., 6ur1n N.T. Simulation of self-scanning Devices with Optoelectronic Connection//. Third Int.Sem. of Simu lation of Devices and T«chno1.-Obninsk, Russia. Abstracts. - Obninsk .- 1 994 . -P . 28-29 .

57. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Моделирование работы сдвигового регистра на основе интегральных линеек объемносоязанных ти-ристоров//Электрон.моделирование.-1993.-Т.15, № 4.-С.63-68.

58. Аморфные полупроводники в системе M-Av-Ви -Cv" / Се-мак Д.Г., Туреница И.Д., Кикинеши A.A., Химинец В.В., Гурин Н.Т. Чепур Д.В.//Сб. докладов междунар. совещ. Аморфные полупроводни-ки-74.-Рейнгардебрунн, ГДР, 11 - 15.11.-1974.-1974.-С.220-223.

59. Пороговое переключение в системе M-AV -BVI -CV" /Гурин . , Химинец B.B., Семак Д.Г. и др.//Физ. и техн. полупров.-5.-Т.9, « 1.-С.36-40.

60. Стеклообрэзованиа и пороговое переключение 13 системе As-Te-I/Гурин Н.Т., Химинец В.В., Семак Д.Г. и др.//Изв.вузов. ика.-1975.4.-С.151-154.

61. Стеклообразование и пороговое преключение в системе As-Te-I/Гурин Н.Т., Химинец В.В., Семак Д.Г. и др.//Электрон. ника. Сер.Матер.-197 5.-Вып. 1 2.-С.67-7 2.

62. Влияние элементов I, IV групп на пороговое переключение истеме M-As-Te-I/Гурин Н.Т., Химинец В.В., Семак Д.Г. и др.// уктура и свойства некристаллических полупроводников. Труды шес-

междунар.конф. по аморфным и жидким полупроводн., Ленинград. ? 18-24 нояб.1975 г.-Л.:Наука, Ленингр.отдел.-1976.-С.500-504.

63. Гурин Н.Т., Семак Д.Г., Федак В.8. Переход от электрон-

э механизма порогового переключения к тепловому в халькогенид-стеклах//Микроэлектрон.—1976.—Т.5, К" 1.-С.16-23.

64. Гурин Н.Т., Семак Д.Г., Федак В.В. Исследование работы зговых переключателей с большим межэлектродным расстоянием в эмическом режиме//Радиотехн. и электрон.-1976.-Т.21.-С.1130. . в ВИНИТИ, №3606-75 ДЕП от 16.12.1975.

65. Гурин Н.Т., Семак Д.Г. О времени задержки переключения в экогенидных стеклах//Физ. и техн. полупров.-1977.-Т.11, N* 7.103-1405..

66. Гурин Н.Т., Семак Д.Г., Федак В.В. Пороговое переключе-и локальные состояния в халькогенидных стеклах//Физ. и техн.

/пров.-1975.-Т.9, Р 4.-С.761-764.

67. Гурин Н.Т., Михалько И.П., Семак Д.Г. О механизме поро->го переключения в теллуросодержащих стеклообразных полупровод-1х//Физика и технология тонких пленок сложн. полупров. Тез.

1. II республ. Совещ., Ужгород.-1975.-С.165-168.

68. Гурин Н.Т., Михалько И.П., Семак Д.Г. Переключение и ло->нме состояния в халькогенидных стекпах//Украинск.физич.журн.-¡.-Т.21. № 4.-С.552-554.

69. Гурин Н.Т., Федак В.В. Исследование работы переклкзчате-

с малыми межэлектродными расстояниями в динамическом режиме// ¡р. научн. конф. аспирантов и молод, ученых. Секция физич.

Ужгородск.госуниверситет, Ужгород.-1 975.-С . 63-68. Деп. в ITH,, If 2579 - 75 ДЕП от 3.09.1 975.

70. Гурин И.Т., Семак Д.Г. О высокоомнои состоянии порого-переключателей на основе халькогенидного стекла.// Физика и I. полупров.-1 976 .-Т. 10, И» 7 .-С. 1397-1400 .

71. Гурин H.TU, Семак Д.Г., Федак В.В. Исследование высоко-то состояния пороговых переключателей на основе халькогенид—

■ стекла//Полупров. техника и микроэлектрон.-Киев:Наукова дум-■1977.-Вып.26.-С.21-23.

72. Гурин Н.Т. Исследование халькогенидных пороговых пере-ателей с полупроводниковыми электродами//Материалы научн.

. аспирантов и молод, ученых. Секц. физич. наук. Ужгородск. ниверситет. Ужгород, 197 6.-С.113-13 1 . Деп. в ВИНИТИ, №4501 -ЕП от 23. 12.1976.

73. Гурин Н.Т., Семак Д.Г. Механизм поддержания включенного ояния пороговых переключателей//Изв.вузов. Радиоэлектроника.-.-Т.20, № 5.-С.80-85.-

74. Гурин Н.Т., Семак Д.Г. Переключение в тонких слоях когенидного стекла с полупроводниковыми электродами//Радио—' . и электрон.-1977.-Т.22, !? 1 0 .-С. 2 1 6 2-2 1 6 8 .

75. Пат. Российской Федерации 2022412. ©отосимистор на ос-полупроводниковой структуры/С.Б.Бакланов, В.В.Гайтан, Н.Т.Гу-Оп. в БИ.. 1994, № 20.

76. Симисторные оптопары/Бакланов C.B., Гайтан В.В., Гурин , Никанова А . В .//Электрон . промышл .-1 9 92 .-IP 1.-С.51.

77. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Оптопары симисторные для ств автоматики и индикаторной техники//Микроэлектроника о построении. Тез.докл.научн.-техн.конф. Ульяновск. 11-12 март. .-Ульяновск, НПК УЦМ.-1992.-С.14.

78. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Сабитов 0.Ш. Модель маломощ-планарно-диффузионного симистора//Труды 2-й междунар. науч-

ехн. конф. "Актуальные проблемы электронного приборостроения -94". В 7 т. Т.2 Моделирование и вычислительная техника.-Ново-PCK.-1994.-C.3-7.

79. Бакланов С.Б., Турин Н.Т. Маломощные фотодатчики и опто-пары на базе планэрных фотосимисторов//1ез.докл.нэучн.-техн. кон< "Диагностика, информатика и метрология-94" 28-30 июн.1994.- С.-П< тербург.-1994.-С.238-239.

80. Бакланов С.Ь., Гурин Н.Т. Исследование симисторной опте пары с повышенной нагрузочной способностью//Российск.научн.-техн конф. "Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем". Саратов. 28 июн.-1 имл. 1994 г. Тез.докл.-Пенза.-ПДНТП,-1994.-С.26-29.

81. A.C. СССР 563100. Нейристор/Н.Т.Турин, В.Ф.Золотарев.

82. A.C. СССР 694006. Нейристор/Н.Т.Турин.

83. A.C. СССР 694005. Нейристор/Н.Т.Гурин.

84. A.C. СССР 738487. Нейристор/Н.Т.Гурин. М.А.Ямлеев.

85. A.C. СССР 747389. Нейристор/Н.Т.Турин.

86. A.C. СССР 71946С. Коммутирующее устройство/Н.Т.Гурин.

87. Бакланов С.Ь., Гурин Н.Т., Гайтан В.В. Перспективные коммутаторы в светоизлучающих устройствах с самосканированием// Пути развития электронных средств и задачи высшей школы в подготовке специалистов соответствующей квалификации. Тез.докл. Все— союзн.конф.-Ульяновск.-1991.-С.40.

88v Бакланов С.Б., Турин Н.Т. Оптоэлектрснные коммутирующие устройства для электролгаминесцентных устройств отображения информации//Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации. Матер, междунар. конф. Окт.5-8. 1993.-Курск.-Курск.политехи, ин-т .-1993. - С. 88-89.

89. Пат. Российской Федерации 1827050. Коммутирующее устройство/С.Б.Бакланов, В.В.Тайтан, Н.Т.Гурин. Оп. в Б.И., 1993, Г 25.

90. Гурин Н.Т. Шкальные индикаторы на основе светоизлучающих нейристоров//Новые принципы и элементы построения измерительных преобразователей и приборов. Препринт докл. к засед. Совета Ульяновск, терр.гр. научн.совета по пробл. электр.измер. АН СССР. Ульяновск.-1983.-С.15-16.

91. Шабалов И.А., Гурин Н.Т. Устройства управления электро-лгаминесцентными конденсаторами для средств отображения измеритель ной информации//Всес.науч.-техн.конф. "Актуальн. проблемы электрс приборостр." 17-19 апр. 1990 г.-Новосибирск.-1990.-С.148-149.

92. Турин Н.Т., Гайтан В.В. Нейристорные отсчетные устройства и их использование в оптоэлектронных электроизмерительных приборах.//Измерения, контроль, автоматизация.-1986.-N5 1(57).-С.18-28 .

93. Гурин Н.Т. Шкальный индикатор напряжения на основе светоизлучающего нейристора//Изв. вузов. Сер. Приборостроение.-1983.-Т.26, ff 5.-С.69-73.

94. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Метрологические характеристики шкальных измерительных приборов на основе отсчетных устройств с самосканированием//Применение микроэлектроники ез машиностроении. Тез.докл. научно-техн.сем.-Ульяновск1987.-С.25-2 8. ДСП.

95. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Уменьшение погрешности преобразования и сьема информации в нейристорных шкальных индикаторах// Методы обработки сигналов и полей. Сб. науч. тр.-Ульяновск:Ульяновск -политехн.ин-т.-1987.-С.115-117.

96. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Дискретно-аналоговые индикаторы на базе светоизлучающих нейристоров//Проблемы создания преобразователей формы информации. Тез.докл. V Всес.симп. Киев. 18-20 дек. 1984 г.-Киев:Наукова думна.- 1984.-С.98-1 00.

97. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Схемы управления евьтоизлучающи-ми нейристорами в шкальных индикаторах повышенной точности//Изв. вузов СССР. Сер. Приборостроение.-1985 .-Т . 28 , № 7.-С.7-12.

98. Гайтан В.В., Гурин Н.Т., Ряпосов В.Б. Шкальный индикатор на основе светоизлучающего нейристора с импульсным напряжением пи тания.//Вопросы теории и проектирования аналоговых измерительных преобразователей. Межвуз.научн.сб.-Саратов:изд.СГУ.-1987.-С.33-38

99. A.C. СССР 1112285. Линейный индикатор/Н.Т.Гурин, Ю.В. Елисеев, В.А.Костин и др. Оп. в Е>.И. 1984, № 33.

100. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Шкальный индикатор на базе светоизлучающего нейристора с делителем напряжения//Автоматизация проектирования и управление качеством. Тез.докл. 14-15 нояб. 1983 г.-М.:ЦНИИТЭИП.-1983.-С.86.

101. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б. Шкальный индикатор на основе светоизлучающего нейристора с делителем напряжения//Изв.вузов. Приборостроение.-1984.-Т.27 , «• 3.-С.18-23.

J I

102. Гурин H.T., Бакланов С.Б. Шкальный индикатор напряжения улучшенными метрологическими характеристиками//Вопросы теории и

зоектирование аналоговых измерительных преобразователей. Межзуз. зучн.сб.-Саратов, изд. СГУ.-1985.-С.53-57.

103. A.C. 1231462. Шкальный индикатор/В.В.Гайтан, Н.Т.Гурин. т. в Б. И. 1986, К» 18.

104. Гайтан В.В., Гурин И.Т. Методы построения нейриеторных сальных индикаторов для вольтметров с цифровым отсчетом//Вопросы гории и проектирования электронных вольтметров и средств их по-грки. Тез.докл.респ. НТК. Таллин.- 1985.-С.42-43.

105. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Шкальный индикатор на основе зетоизлучающего нейристора//Приборы и системы управления.-1986.-

10.-С.30-31.

106. A.C. СССР 1276999. Шкальный индикатор/В.В.Гайтан, Н.Т. /рин. On. в Б.И., 1986, К" 46.

107. Гайтан В.В.. Гурин Н.Т. Оптоэлектронный электроизмери-»льный прибор с нейристорным отсчетным устройством//Измерительная гхника.-1936.11.-С.58-60.

108. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Уменьшение методической погреш->сти шкальных индикаторов на основе отсчетных устройств с само-<.анированием//Изв. вузов Сер. Приборостроение .-1986 .-Т . 29 .-ff 12.55-58.

109. A.C. СССР 1201976. Преобразователь постоянного напряже-1Я в постоянное/В.В.Гайтан, Н.Т.Гурин, В.В.Сторожев и др. Опубл.

Б.И., 1985, 1С 48.

110. A.C. СССР 1359747. Шкальный индикатор/В.В.Гайтан, Н.Т. 'рин. Опубл. в Б. И., 19*57, Р 46,

111. Гайтан В.В., Гурин Н.Т. Адаптивные шкальные индикаторы с 1м0сканир0ванием//Адаптивные информационно-измерительные системы.

докл. научн.техн.сем. июнь 1986 .-Ульяновск.-1986.-С.12.

112. A.C. СССР 1250960. Шкальный индикатор (его варианты)/ В.Гайтан, Н.Т.Гурин. Опубл. в Б.И., 1986, «• 30.

113. А,С. СССР 1335816. Дискретно-аналотовый - индикатор/В.В. |йтан, Н.Т.Гурин. Опубл. в Б.И., 1987, W 33.

114. Гайтан В.В., Гурин Н.Т., Шабалов И.А. Дискретно-аналого-|й индикатор на основе оптоэлектронного сдвигового регистра// |фровая информационно-измерительная техника. Межвуз.сб.научн.тр.-!нза:Пенз.политехи.ин-т.-198 8.-С.50-55.

115. Гайтан В.В., Гурин Н.Т., Шабалов И.А. Применение свето-:лучагащих регистров в дискретно-аналоговых измерительных прибо-х.//Изз.вузов. Приборостроение.-1989.-Р 12.-С.51-56.

116. A.C. СССР 1386850. Дискретно-аналоговый индикатор/В.В. йтан, Н.Т.Гурин, Опубл. в Б.И., 1988, К» 13.

117. A.C. СССР 1420372. Дискретно-аналоговый индикатор/Н.Т. рин, В.В.Гайтан. И.А.Шабалов и др. Опубл. в Б.И., 1988, Н" 32.

118. A.C. СССР 1529129. Дискретно-аналоговый индикатор/В.В. йтан, Н.Т.Гурин, А.Н.Касаткин и др. Опубл. в Б.И., 1989, № 46.

119. А..С. СССР 1663567. Дискретно-аналоговый индикатор/Н.Т. рин. Опубл. в Б.И., 1991, К* 26.

120. Гурин Н.Т., Золотарев В.Ф. Оценка максимально допусти-го измерения скорости сканирования в нейроконе//Оптоэлектроника

n."ï:-c:ï8-2ï: — ......... .........--

121. A.C. СССР 803832. Нейроскоп/Н.Т.Гурин.

122. A.C. СССР 997580. Нейроскоп/Н.Т.Гурин, Р.В.Турина.

123. A.C. 1041012. Нейроскоп/В. К).Газизов, Н.Т.Гурин. В.Ш.Зо-тарев и др.

124. A.C. 1041010. Нейроскоп/Н.Т.Гурин.

125. A.C. СССР 900765. Управляемый транспарант/Н.Т.Гурин, Б.Чернятьев.

126. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Маломощные симисторные опто-ры и их модификации//Научно-исследовательскио разработки и вы-кие технологии двойного применения : Матер. 1-й Поволжск. науч.-хн.конф. 21-23 фсср. 1995 г., г.Самара. В 2 ч. 4.2.-Самара:

СО "Импульс".-1995.-С.38-39.

127. Гурин Н.Т. Расширение функциональных возможностей элек-ических аналогог акссна//Модели технических систем:Труды Между-р. науч.-техн.конф. "Непрерывно-логические и нейронные сети и моли" .-Ульяновск : УлГТУ , 19 95.-Т.3.-С.7-9.

128. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Исследование полупроводниковых алогов аксона//Модели технических систем: Труды Между нар.^науч.-хн.конф. "Непрерывно-логические и нейронные сети и модели".-Уль-овск:УлГТУ, 1995.-Т.3 .-С.10-12.