Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ВОЗБУЖДЕНИЯ АКТИВАТОРОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СТРУКТУРАХ.

1.1. Анализ электронных процессов в тонкопленочных структурах.

1.2.Процессы возбуждения центров свечения в пленках люминофора.

1.3.Методы исследования центров свечения в люминесцентных пленках.

2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК.

2.1.Технология изготовления тонкопленочных электролюминесцентных структур.

2.2.Электрофизические свойства диэлектрических и люминесцентных пленок.

2.3. Методика измерения характеристик и расчета параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

2.4. Анализ погрешностей измерения параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур.

2.5. Результаты и выводы.

3. АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ.

ЗЛ.Зависимость яркости свечения тонкопленочных структур от конструктивно-технологических параметров и условий возбуждения электролюминесцентной структуры.

3.2.Определение параметров центров свечения на основе измерений вольт-яркостных характеристик и зависимости яркости от частоты.

3.3. Анализ методической погрешности определения параметров центров свечения W.

3.4. Результаты и выводы.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ЦИНКСУЛЬФИДНЫХ

ЛЮМИНОФОРОВ.

4.1. Определение параметров активаторных центров свечения в люминесцентных пленках на основе сульфида цинка, легированного марганцем ZnS :Мп.

4.2,Определение параметров активаторных центров свечения в люминесцентных пленках на основе сульфида цинка, легированного фторидом тербия ZnS :TbF3.

4.3.Определение параметров активаторных центров свечения в люминесцентных пленках на основе сульфида цинка, легированного фторидом самария ZnS: SmF3.

4.4. Результаты и выводы.

Актуальность темы.

Электролюминесценция в тонкопленочных структурах представляет в настоящее время ту область науки и техники, где потребности развития значительно опережают развитие фундаментальных и прикладных знаний о процессах преобразования электрической энергии в световое излучение.

Достигнутые в начале 70-х годов успехи в технологии получения пленок люминофоров, а также разработке структур, в которых пленка люминофора толщиной около 1 мкм расположена между двумя слоями диэлектрика, позволили получить излучатели на основе структур металл-диэлектрик-люминофор-диэлектрик-прозрачный электрод, возбуждаемые переменным напряжением и имеющие высокую яркость и большой срок службы. В 1974 г. был представлен первый плоский тонкопленочный экран, обладающий высокими функциональными характеристиками, после чего интерес к тонкопленочным электролюминесцентным индикаторам стал резко возрастать.

Исследования свойств тонкопленочных структур представляют большой научный интерес, т.к. многослойные светоизлучающие элементы являются уникальным объектом для изучения природы центров свечения, механизма электролюминесценции и эффектов, связанных с сильными электрическими полями и высоким уровнем возбуждения. К настоящему времени получено большое число экспериментальных данных о влиянии на характеристики многослойных электролюминесцентных излучателей свойств различных люминесцентных и диэлектрических материалов, конструкции приборов и технологии их изготовления, воздействия различных внешних факторов и др. Большие успехи достигнуты в изучении оптических свойств электролюминофоров.

Тем не менее, до сих пор остаются не полностью изученными процессы возбуждения электролюминесценции в тонких пленках, недостаточно разработаны методы определения основных параметров, характеризующих процессы взаимодействия носителей заряда с центрами свечения.

Цель работы.

Целью работы является исследование процессов возбуждения электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах и определение параметров центров свечения в пленках цинксульфидных люминофоров.

Для достижения указанной цели в работе поставлены и решены следующие задачи:

1. Теоретическое и экспериментальное исследование вольт-яркостной характеристики и зависимости яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур от частоты возбуждающего напряжения.

2. Разработка метода для определения параметров тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения и активаторных центров свечения в пленках люминофоров.

3. Исследование свойств и определение параметров центров свечения в цинксульфидных люминофорах с легирующей примесью марганца, фторида тербия и фторида самария в тонкопленочных электролюминесцентных структурах.

Основные положения, выносимые на защиту.

Проведенные теоретические и экспериментальные исследования тонкопленочных электролюминесцентных структур позволяют вынести на защиту следующие основные научные положения:

1. Анализ кинетики процессов электролюминесценции прямого ударного возбуждения центров свечения позволяет рассчитать зависимости яркости свечения и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных структур от амплитуды и частоты приложенного напряжения.

2. Параметры активаторов в люминесцентных пленках могут быть определены с помощью измерений вольт-яркостных характеристик и зависимостей яркости тонкопленочной электролюминесцентной структуры от частоты напряжения.

3. Определена методическая погрешность определения параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур и активаторных центров при возбуждении электролюминесценции линейно изменяющимся напряжением.

4. На основе предложенного метода определены параметры активаторов марганца, фторида тербия и фторида самария в цинксульфидных люминофорах.

Научная новизна.

1. Впервые на основе модели прямого ударного возбуждения получены общие аналитические соотношения для вольт-яркостной характеристики и зависимости яркости от частоты с учетом особенностей режимов возбуждения электролюминесценции в тонкопленочных структурах.

2. Предложен метод определения параметров центров свечения в пленке люминофора на основе измерений вольт-яркостных характеристик и зависимостей яркости от частоты для тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

3. Проведен анализ методической погрешности определения параметров тонкопленочных структур и активаторных центров и получены аналитические выражения для методической погрешности от условий измерений при возбуждении электролюминесценции знакопеременным линейно изменяющимся напряжением.

4. На основе экспериментальных исследований определены значения сечения ударного возбуждения для активаторных центров марганца, фторида тербия и фторида самария в пленках сульфида цинка.

Практическая ценность работы.

1. Предложенная модель позволяет рассчитать зависимости яркости свечения и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных структур от амплитуды и частоты приложенного напряжения, что необходимо для разработки тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

2. Предложенный метод определения параметров источников излучения является полезным при создании тонкопленочных структур на основе различных материалов.

3. Анализ методической погрешности определения параметров источников излучения и центров свечения позволяет определить оптимальные условия измерения характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

4. Полученные в работе значения максимальной яркости и максимальной светоотдачи, концентрации и сечения ударного возбуждения активаторных центров могут быть использованы для расчета и разработки тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств, применяемых в средствах отображения информации.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на заседаниях школы-семинара "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники" (Ульяновск, 1999, 2000, 2001), XXXIV научно-технической конференции УлГТУ (Ульяновск, 2000), 8

Современные проблемы радиоэлектроники" (Красноярск, 2000), VIII Международной научно-технической конференции "Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства контроля качества материалов, промышленных изделий и окружающей среды" (Ульяновск, 2000 г.), Международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000), Международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2001, 2002), Всероссийской научно-практической конференции "Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии" (Кисловодск, 2001), третьей Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ) "Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем" (Ульяновск, 2001).

Публикации.

Основные результаты исследований отражены в 16 печатных работах: 14 тезисах и 2 статьях.

Объем и структура диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения. Материал изложен на 108 страницах, содержит 22 рисунка, 4 таблицы, 110 наименований в списке литературы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

На основании результатов, полученных в ходе теоретических и экспериментальных исследований тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе сульфида цинка, проведенных в ходе выполнения работы над диссертацией, можно сформулировать следующие выводы:

1. На основе теоретических и экспериментальных исследований вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и зависимостей яркости от частоты возбуждающего напряжения с помощью анализа кинетики процессов электролюминесценции в пленке люминофора получены аналитические соотношения для данных зависимостей.

2. В рамках модели прямого ударного возбуждения активаторных центров предложен метод для экспериментального определения максимальной яркости и светоотдачи с помощью измерений характеристик яркость-напряжение и яркость-частота в зависимости от конструктивно-технологических параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

3. Получены уравнения, позволяющие на основании экспериментальных данных рассчитать концентрацию и сечение ударного возбуждения центров свечения в пленках цинксульфидных люминофоров.

4. Проведен анализ методической погрешности предложенного способа определения параметров люминесцентных пленок на основе сульфида цинка. Получены аналитические выражения для зависимости параметра, характеризующего методическую погрешность, от условий измерений при возбуждении электролюминесценции знакопеременным линейно изменяющимся напряжением.

5. Рассчитаны соответствующие функции методической погрешности для частных случаев, когда легирующей примесью являются марганец, фторид тербия и фторид самария, для различных значений частот возбуждающего электролюминесценцию знакопеременного напряжения с линейно изменяющимся фронтом. Показано, точность измерений растет с увеличением частоты напряжения и отношения между амплитудными значениями приложенного и порогового напряжения.

6. Измерены экспериментальные вольт-яркостные характеристики и зависимости яркости от частоты при возбуждении люминесценции знакопеременным напряжением гармонической и линейно-изменяющейся формы для тонкопленочных конденсаторов с цинксульфидным люминофором, легированным примесью марганца (0.5 вес.%), фторида тербия (5 вес.%) и фторида самария (3 вес.%). Экспериментальные результаты согласуются с полученными теоретическими соотношениями, что свидетельствует о прямом ударном характере возбуждения ионов марганца и редкоземельных элементов.

7. На основе измерений зависимости яркости от характеристик возбуждающего напряжения определены максимальная яркость и максимальная светоотдача для тонкопленочных конденсаторов с цинксульфидным люминофором, легированным примесью марганца (Во=10.2xlO3 кд/м2 и rjо=7.6 лм/Вт), фторида тербия {В0=6.7x103 кд/м и 7)0=1.4 лм/Вт) и фторида самария (Bo=0.8xl(f кд/м и Г}0=0.3 лм/Вт).

8. Рассчитаны концентрация и сечение прямого ударного возбуждения центров свечения для всех типов активаторов: N=3.3x1018 см'3, сг= 1.4x10'16 см2 для ZnS:Mn; N=5.6x1017см'3 и сг= 1.0x10'16см2 для ZnS:TbF3; N=3.6x1015cm'3 и о=5.4х10~16см2 для ZnS:SmF3. Соответствие площади сечения ударного возбуждения центра свечения и площади поперечного сечения ионов Re3+ может свидетельствовать о том, что примеси фторидов лантаноидов образуют нейтральные центры.

1. Георгобиани А.Н. Голубева Н.П. Влияние типа связи кристаллофосфоров на их способность к электролюминесценции // Опт. и спектр. 1962. -Т. 12, №6, - С.746-749.

2. Власенко Н.А. Гурьянов С.Н. Электролюминесценция тонких пленок. Состояние исследования и нерешенные проблемы // Изв. АН СССР, Сер. физическая. 1985. - Т.49, №10, - С. 1905-1915.

3. InoguchiT. Retrospect and prospect on research and development of electroluminescent panels // Springer Proc. in Phys. Y.38. Electroluminescence. - Springer Verlag, Berlin, Heidelberg. - 1989. - P.2-7.

4. Adachi D., Hasui Sh., Toyama Т., Okamoto H. Structural and luminescence properties of nanostructured ZnS:Mn // Appl. Phys. Lett. 2000. - V.77, №9, -P.1301-1303.

5. ХенишГ.К. Электролюминесценция.// Пер. с англ. под ред. Вавилова B.C. -М.: Мир, 1964. 445с.

6. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974. -280с.

7. Казанкин О.И., Лямичев И.Я., Соркин Ф.В. Прикладная электролюминесценция. // Под ред. М.В. Фока.- М.: Сов. Радио, 1974. -414с.

8. Деркач В.П., Корсунский В.М. Электролюминесцентные устройства. -Киев: Наукова думка, 1968. 302с.

9. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. Л.: Наука, 1983. - 93с.

10. Разработка и исследование свойств элементов СБИС для устройств отображения информации. Отчет о НИР (заключительный) // Одесский полит, инст-т. Инв. № 02860039536, № гос. per. 01830066527. Одесса, 1985.- 100с. 21 ил.

11. Muller G.O. Basics of electron-impact-excited luminescence devices// Phys. Stat. Sol (a). 1984. - V.81, №2, - P.597-608.

12. Barrow W.A., Coovert R.E., King C.N. Strontium sulphide: the host for a new high-efficience thin-film EL blue phosphor// SID Digest Techn. Papers. -1984.-№15, P.249-250.

13. Smith D.H. Modeling a.c. thin-film electroluminescent devices// J. Luminescence. 1981. - V.23, №1/2, - P.209-235.

14. Власенко H.A., Яремко A.M. О механизме возбуждения электролюминесценции в пленках ZnS:Mn // Опт. и спектр. 1965. - Т. 18, №4, - С.467-473.

15. Мах Р. Поликристаллические полупроводники: Физические свойства и применения. // Пер. с англ. под ред. Горелика С.С. М.: Мир, 1989. - 344с.

16. И.К. Верещагин, В.А.Ковалев, JI.A. Косяченко, С.М. Кокин; Электролюминесцентные источники света. // Под ред. И.К. Верещагина. -М.: Энергоатомиздат, 1990. 168с.

17. Самохвалов М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения. Ульяновск: УлГТУ, 1999. - 117с.

18. ChenY.S. KrupkaD.C. Limitation imposed by field clamping on the efficiency of high-field ac electroluminescence in thin films // J. Appl. Phys. 1972. V.43, №10, - P.4089-4096.

19. Tanaka Sh., Kobayashi H., SasakuraH. and HamakawaY. Evidence for the direct impact excitation of Mn centers in electroluminescent ZnS:Mn films // J. Appl. Phys. 1976. - V.47, №12, - P.5391-5393.

20. ФокМ.В., Васильченко В.П., Войханский М.А., Матизен J1.JI. О возможности рекомбинационного механизма возбуждения Мп в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Ученые записки Тарт. ун-та. 1989. - №867, - С.6-23.

21. Васильченко В.П., Матизен J1.J1. Вольт-яркостная характеристика тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов на основе ZnS:Mn // ЖПС. 1988. - Т.48, №2, - С.237-242.

22. Mach R., Muller G.O. Ballistic transport and electroluminescence in IIB-VI and IIA-VI compounds// J. Cryst. Growth. 1990. - V.101, №1-4, -P.967-975.

23. Bringuier E. Impact excitation in ZnS-type electroluminescence// J. Appl. Phys. 1991. - V.70, №8, - P.4505-4512.

24. Geoffroy A. and Bringuier E. Nonlinearity in the excitation yield of ZnS:Mn electroluminescent devices// Appl.Phys. Lett. 1992. - V.61, №26, -P.3172-3174.

25. Львова Е.Ю., ФокМ.В. Исследование особенностей структуры зоны проводимости кристаллов ZnS электролюминесцентным методом // ФТТ. 1987. - Т.29, №1, - С.249-252.

26. Грамин JI.M., Демьянов В.В., Львова Е.Ю., Фок М.В. Влияние частоты возбуждаемого напряжения на спектры электролюминесценции кристаллов ZnS:Си, Тт // ЖПС. 1988. - Т.48, №6, - С. 1014-1016.

27. Benalloul P. Electroluminescent mechanisms of rare-earth-doped ZnS thin films // Springer Proc. in Phys. V.38. Electroluminescence. - Springer Verlag Berlin, Heidelberg. - 1989. - P.36-43.

28. MikamiA., OguraT., TaniguchiK., YoshidaM., NakajimaSh. Excitation process of the emission center in a ZnS:Tb,F thin film electroluminescent device // J. Luminescence. 1988. - V.40/41, P.784-785.

29. Streicher К., Plant Т.К., Wager J.F. Hot-electron impact excitation of ZnS:Tb alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. -1995. V.78, №3, - P.2101-2104.

30. Marello V., Onton A. Electroluminescence efficiency profits of Mn in ZnS AC thin electroluminescent devices// Appl. Phys. Lett. 1979. - V.34, №8, -P.525-527.

31. МагеИо V., SamuelsonL., Onton A. Probe layer measurements of electroluminescence excitation in AC thin-film devices // J. Appl. Phys. 1981. - V.52, №5, - P.2590-2599.

32. Mikami A., Ogura Т., YoshidaM., Nakajima Sh. Excitation process of the Tb emission center in a ZnS:Tb,F thin film electroluminescent device // J. Appl.

33. Phys. 1988. - У.64, №7, - P.3650-3657.

34. DtirM., Goodnick S., ShankarM., PennathurS. Wager J.F., Reigrotzki M. RedmerR. High-field transport and electroluminescence in ZnS phosphor layers // J. Appl. Phys. 1998. - V.83, №6, - P.3176-3185.

35. ShinS., KeirP.D., Wager J.F. Space charge generation in ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. -1995. V.78, №9, - P.5775-5781.

36. Самохвалов M.K. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур// ЖТФ. 1996. -Т.66, №10, - С.139-144.

37. Allen J.W. Impact excitation and ionization // J. Luminescence. 1981. - V.23, №1-2,-P. 127-139.

38. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. // Пер. с англ. под ред. М.К. Шейнкмана. М.: Мир, 1977. - 562с.

39. MachR., MullerG.O. Efficiency and saturation in AC thin film EL structures // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. - V.81, №2, - P.609-623.41 .Георгобиани A.H., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир, 1994. - 224с.

40. Сабитов О.Ю. Оптимизация режимов возбуждения и параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей// Тр. молодых ученых УлГУ: Тез. докл. студент, и аспирант, на 5 нучно-практ. конф. УлГУ. 1996. - С.48-49.

41. GurinN.T., Sabitov O.Yu. Optimization of the film electroluminescent emitters on luminescence output// "The fifth intern, conf. on simulation of devices and technologies". ICSD96. - Proc. Obninsk, Russia. - 1996. -P.81-82.

42. Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. Влияние электрофизических параметров и режимов возбуждения на выход излучения в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Ученые записки УлГУ. Сер. физическая. 2000. - Вып. 1(3). - С.73-77.

43. Vlasenco N.A., Kopytko Yu.V., Pekar V.S. Concentration and field dependences of electroluminescence decay kinetics in ZnS:Mn thin film structure // Phys. Stat. Sol. (a). 1984.- V.81, - P.661-667.

44. Kobayashi Н., Tanaka S., Shanker V. et. al. Multicolor electroluminescent ZnS thin films doped with rare earth fluorides // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. - Y.88, №2, - P.713-720.

45. Suyama Т., SawaraN., Okamoto K., Hamakawa Y. Multi-coloring of thin-film electroluminescent device// Jap. J. Appl. Phys. 1982.- V.21, Suppl. 21-1, -P.383-387.

46. Yu J., Shen Y., Xu X. et al. The impact cross section of electroluminescent centers // Electroluminescence Proc. 4th Int. Workshop. Tottori, 1988. 1989. -P.24-31.

47. Lozykowsky HJ. Novel step impact electroluminescent devices// Electroluminescence Proc. 4th Int. Workshop. Tottori, 1988. 1989. - P.32-38.

48. Гурин H.T., Сабитов О.Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов при возбуждении линейно нарастающим напряжением //ЖТФ. 1999. - Т.69, №2, - С.58-63.

49. LeeY.H. KimD.H., Ju В.К. et. al. Decrease of the number of the isolatedл i 4emission center Mn in an aged ZnS:Mn electroluminescent device // J. Appl. Phys. 1995. - Y.78, №6, - P.4253-4257.

50. Самохвалов M.K. Релаксационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Труды Междунар. научн. конф.

51. Беленов K.B., Зубкова T.M., Концевой Ю.А. Пленки окислов индия-олова — перспективный материал для прозрачных электродов МДП-структур // Электронная промышленность. 1986.- № 1,- С.26-27.

52. Stojanovic Biljana, Kosec Marija Opticka PLZT keramika-doubijanje i karakterizacija // Nauc.-tehn. pregl./VTI. 1988. - №.9, - C.90-94.

53. Krasnov Alex. N. Selection of dielectrics for alternating-current thin-film electroluminescent device // Thin Solid Films. 1999. - 347, №1-2, P.l-13.

54. Бригаднов И.Ю. Изготовление электролюминесцентных структур //Формирование личности инженера нового типа в условиях перестройки. Тез. докл. 23-й научн.-техн. конф. проф.-преп. состава инст-та. Ульяновск, 1989. - С. 18-19.

55. Бригаднов И.Ю., Турин Н.Т., Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Соединения редкоземельных металлов в тонкопленочных электролюминесцентных индикаторах// Тез. докл. 5-й Всес. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. Саратов, 1990. - С.93.

56. Разработка и исследование устройств индикации на основе пленочных электролюминесцентных индикаторов. Отчет о НИР (заключит.) // УлПИ. Руководитель Н.Т. Гурин. №11-57/86, Инв. №0287.0025817, № гос. per. 0186.0007992. - Ульяновск, 1986. - 56с.

57. Тареев Б.М., Короткова Н.В., Петров В.М., Преображенский А.А. Электрорадиоматериалы. // Под ред. Б.М. Тареева. М.: Высш. Школа, 1978. - 336с.

58. Бригаднов И.Ю., Жуков В.Н., РябиновЕ.Б., Самохвалов М.К. Диэлектрические свойства пленок оксида циркония-иттрия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990. № 9, - С.77-78.

59. Гурин Н.Т., Самохвалов М.К., Шабалов И.А., Бригаднов И.Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе сульфида цинка// Тез. докл. Всес. сем. "Низкотемпературные технологические процессы в электронике". Ижевск, 1990. - С.148.

60. Бригаднов И.Ю., Жуков В.Н., Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Диэлектрические свойства пленок оксида циркония-иттрия // Тез. докл. НТК УлПИ "Научно-технический прогресс и инженерное образование". -Ульяновск, 1990. С.5-6.

61. Gasgnier М. Rare earth compouds as thin films and thin crystals // Phys. stat. sol. (a). 1989. - V. 114, №1,- P. 11-71.

62. Новичков B.B., Самохвалов М.К., Свердлова A.M., Новичкова Н.П. Электропроводность МДЛ-структуры Al-Dy203-GaAs // Электронная техника. Сер.6 Материалы. 1976. - Вып.З. - С.64-66.

63. Кирьяшкина З.И., Новичков В.В., Самохвалов М.К., Свердлова A.M. Использование пленок оксидов редкоземельных элементов в МДП-структурах // Тез. докл. Всес. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. Ленинград, 1976. - С.46.

64. Гурин Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения ТП ЭЛК // Электронная техника. Сер.З Микроэлектроника. -1990.- Вып.1(135). С.88-90.

65. ГуринН.Т. Анализ параметров ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями //Лазерная техника и оптоэлектроника. 1992. - № 3-4 (64-65), -С.74-77.

66. Бригаднов И.Ю., Самохвалов М.К. Влияние условий получения сульфида цинка на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов// Лазерная техника и оптоэлектроника. 1993. - № 1-2, -С.40-50.

67. Самохвалов М.К. Исследование свойств цинк-сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах // ЖПС. 1995. - Т.62, №3, - С. 182-185.

68. Самохвалов М.К., Фокин О.С. Измерение рассеиваемой мощности электролюминесцентных излучателей // Тез. докл. 6-й Российской НТК "Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства неразрушающего контроля". Саратов, 1995. - С.61-62.

69. Самохвалов М.К., Давыдов P.P., Хадиуллин Э.И. Определение сечения ударного возбуждения активаторов в люминофоре на основе измерений вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур // Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27, №8, -С.74-80.

70. Давыдов Р.Р Исследование центров свечения люминофоров ZnS:TbF3 при воздействии пилообразным напряжением // Тез. докл. школы-семинара

71. Актуальные проблемы физической и функциональной электроники". Ульяновск, 2001. С.З.

72. Давыдов Р.Р Исследование центров свечения люминофоров ZnS:SmF3 при воздействии пилообразным напряжением // Тез. докл. школы-семинара "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники", Ульяновск, 2001. С.4.

73. Waldrip К.Е., Lewis J.S., Zhai Q., Puga-Lambers M., Davidson M.R., Holloway P.H., Sun S.-S. Improved electroluminescence of ZnS:Mn thin films by codoping with potassium chloride// J. Appl. Phys. 2001. - V.89, №3, -P. 1664-1670.

74. Jia-Yu Zhang, Pei-Fu Gu, Xu Liu, and Jin-Fa Tang Low-voltage thin-film electroluminescent devices with low-resistivity stacked insulators // Appl. Optics. 1997. - V.36, №3, - P.545-550.

75. Самохвалов M.K., Давыдов P.P., Хадиуллин Э.И. Определение параметров тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения на основе измерений вольт-яркостных характеристик // Ученые записки УлГУ. Сер. физическая. 2000. - Вып.2(9), - С.79-83.

76. Muller G.O., Mach R. Physics of electroluminescence devices // J. Luminescence. 1988. - V.40/41, №1, - P.92-96.

77. Benoit J., Barthou C., Benalloul P. Excitation efficiency in thin-film electroluminescent devices: Probe layer measurements // J. Appl. Phys. 1992. - V.73,№3,P.1435-1442.

78. Singh V.P., McClureJ.C., Morton D.C. Phosphor currents in ZnS:Mn ac thin film electroluminescent display devices// J. Appl. Phys. 1992. - V.72, №9, -P.4148-4155.

79. Mikami A., OguraT., TanakaK., TaniguchiK., YoshidaM. and Nakajima Sh. Tb-F emission centers in ZnS:Tb,F thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1987. - V.61, №8, - P.3028-3034.

80. Hsu Ch.T., Li J.W., Liu C.H., Su Y.K., Wu T.S. and Yokoyama M. High luminous efficiency thin-film electroluminescent devices with low resistivity insulating materials // J. Appl. Phys. 1992. - V.71, №3, - P.1509-1512.

81. Kong W., Fogarty J., Solanki R. Atomic layer epitaxy of ZnS:Tb thin film electroluminescent devices// Appl. Phys. Lett. 1994. Y.65, №6, -P.670-672.

82. Switek K., Suchocki A., GodlewskiM. Impact ionization mechanism in rare earth activated sulfides //Appl. Phys. Lett. 1990. - Y.56, №2, -P.195-197.

83. Бригаднов И.Ю., Самохвалов М.К. Получение и свойства диэлектрических и люминесцентных пленок электролюминесцентных композиций на основе сульфида цинка // Материалы электронной техники. 1998. - №3, - С.64-68.

84. Okamoto К., Yoshimi Т., Miura Sh. Brightness degradation and its mechanism in Tb-doped ZnS thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1989. - V.65, №4, - P.1690-1693.

85. Краткий справочник по химии.// Под ред. О.Д. Куриленко. Киев: Наукова думка. 1974. - 991с.