Электромеханические эффекты в высокотемпературных сверхпроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

1. ВТСП в электрических, магнитных и механических полях (обзор литературы).

1.1 Особенности характеристик Б-Ы перехода и структуры ВТСП.

1.2 Поведение ВТСП в магнитном поле.

1.3 Влияние электрического поля на ВАХ ВТСП керамик.

1.4 Влияние объемного сжатия на свойства сверхпроводящих керамик.

1.5 Механические свойства ВТСП.

1.6 Влияние 8 - N перехода на деформационные характеристики классических (металлических) сверхпроводников.

1.7 Постановка задачи.

2 Методика эксперимента.

2.1 Измерение температурной зависимости сопротивления.

2.2 Измерение ВАХ в магнитном поле и при одноосном сжатии.

2.3 Измерение деформационных характеристик при помощи лазерного интер ф ерометра.

2.3.1 Принцип действия интерферометрической приставки.

2.3.2 Метод спектров скоростей малых неупругих деформаций.

2.4 Используемые образцы и методика их приготовления.

3 Исследование влияния структуры и внешних полей различной природы на свойства ВТСП.

3.1 Изменение скорости деформации при Б-Ы переходе.

3.2 Влияние одноосного сжатия на критический ток и ВАХ в магнитном поле разной величины.

3.3 Зависимость сверхпроводящих свойств от структурных особенностей

ВТСП керамик.

3.4 Особенности механических свойств ВТСП керамики, легированной серебром.

3.5 Гистерезис ВАХ керамик с захваченным магнитным потоком.

4. Заключение и выводы.

Настоящая работа посвящена изучению электромеханических свойств ВТСП. Исследования электрических и механических свойств ВТСП описаны в главе 1. В этой части работы нами были добавлены исследования микропластичности, проведенные с помощью оригинальной методики измерения ее характеристик, основанной на использовании лазерного интерферометра, а также исследования обнаруженной нами особенности ВАХ образцов с захваченным магнитным потоком. В первом случае удалось продемонстрировать высокую чувствительность микропластичности к структурным особенностям ВТСП. Изменение исходного состава, режима отжига, влияющего на содержание кислорода в керамике, легирование - все это существенно сказывается на величине, скорости микропластической деформации и ее температурной зависимости. К началу настоящей работы из механических свойств ВТСП были опубликованы лишь немногочисленные работы по микротвердости. Что касается гистерезиса ВАХ образцов с захваченным магнитным потоком, то несмотря на наличие ряда работ, в которых описывался гистерезис ВАХ, обнаруженный нами вид кривых ранее, по-видимому, не встречался. Можно отметить, что если большинство немонотонностей ВАХ рассматривалось как отрицательный, мешающий фактор, нами предложено использовать гистерезис ВАХ образцов с захваченным магнитным потоком в позитивном плане, для создания ячейки памяти.

Основное направление работы - это изучение свойств ВТСП при одновременном действии механической нагрузки и электрического тока (иногда добавлялось также внешнее магнитное поле), т.е. исследовалось влияние нагрузки на ВАХ и обратный эффект - влияние транспортного тока и магнитного поля на микропластичность ВТСП. Взаимосвязь свойств твердых тел, которые определяются электронной подсистемой, с теми, которые зависят от свойств кристаллической решетки, известна давно и исследуется интенсивно вплоть до настоящего времени во многих научных центрах в различных странах. Это направление является одним из основных в научной деятельности лаборатории физики пластичности ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. Проявление взаимосвязи механических, электрических и магнитных характеристик твердых тел обнаружено во многих эффектах, которые часто носят самостоятельные названия. Так, изменение пластичности диэлектриков и полупроводников в электрическом поле называют электропластическим эффектом (см. например, [179, 180]'), то же под действием света - фотопластическим [181], существует также магнитопластический эффект (изменение пластичности ферромагнитных и немагнитных материалов в магнитном поле [182, 183]) и электроннопластический (уменьшение напряжений течения проводников при пропускании тока через них [184]). Изменение прочности или микротвердости полупроводников в электрическом поле называют электромеханическим эффектом, а под действием света - фотомеханическим [185, 186]. В работе [187] описано взаимное влияние электрического и механического полей на прочность и напряжение пробоя сегнетоэлектриков. Интересно, что слабые поля вызывали увеличение прочности (электрической и механической), а сильные - уменьшение прочности. Известно, что характеристики прочности и пластичности изменяются в условиях облучения электронами [184]. Список явлений, родственных описанным выше, можно было бы продолжить; к ним относятся исследованные в настоящей работе изменения ВАХ под нагрузкой и скорости микропластической деформации при пропускании малого тока или в магнитном поле. Одной из особенностей поведения ВТСП в этом плане оказалось то, что наблюдаемые эффекты являются структурно-чувствительными. Другая отличительная черта, связанная с существованием S<->N перехода, это его влияние на скорость микропластической деформации. Полученные результаты позволяют лучше понять природу микропластической деформации и открывают возможности управления ВАХ и сверхпроводящим переходом в ВТСП.

В настоящей работе мы попытались представить систематическое исследование электромеханических эффектов в ВТСП, проведенное нами на большом числе образцов разного состава и структуры. Несмотря на то, что мы сознательно остановились на изучении керамик, многие из полученных результатов могут быть распространены на весь класс ВТСП материалов. Дело в том, что, как было показано выше, ВТСП керамики, обладая сложной, анизотропной структурой, обнаруживают новые, необычные свойства, большинство из которых могут быть объяснены наличием в них большого числа слабых связей. Отметим, что вследствие очень малой длины когерентности, которая может быть оценена как 0,5-30 Â [50], даже наиболее совершенные представители ВТСП материалов, такие как

1 Здесь и ниже приведены лишь примеры работ из обширного библиографического списка по данной тематике. монокристаллы и высокотекстурированные материалы склонны к образованию слабых связей. Такая величина длины когерентности, фактически сравнимая с размером параметра решетки, приводит к тому, что структурные дефекты, такие как границы двойников, например, могут проявлять свойства слабых связей, разбивая материал на слабосвязанные области. И, конечно же, все присущие керамикам свойства характерны для нового класса композитных материалов - ВТСП лент с металлическим покрытием.

Остановимся на некоторых наиболее интересных результатах и выводах настоящей работы.

1. Исследование особенностей изменения неупругой деформации при переходе из сверхпроводящего в нормальное состояние показало, что после Б—перехода независимо от способа его реализации всегда происходит уменьшение скорости деформации. Обратный N—>8 переход, напротив, приводит к ее увеличению. В моменты 8<-»К переходов за счет резкого включения (выключения) транспортного тока наблюдаются кратковременные деформационные неустойчивости. Они отсутствуют при плавном изменении тока, а также при 8<->ТЧ переходах, вызнанных магнитным полем. Указанные результаты находят объяснение в рамках предложенной дислокационной модели, качественно объясняющей наблюдаемые эффекты.

2. Изучение обратных явлений, то есть влияния механического воздействия на электрические характеристики ВТСП керамик подтвердило предположения об определяющей роли слабых связей в материале. Наблюдавшийся сдвиг ВАХ под действием сжимающих напряжений объясняется локальной деформацией в области границ зерен и имеет нелинейный характер с выходом на насыщение при нагрузках 30-50 МПа. Большинство образцов обнаруживают определенную корреляцию между величиной указанного эффекта сдвига ВАХ и значением критического тока независимо от причины понижения последнего, однако, изменение структуры границы зерна (например, при легировании серебром) может привести к изменению характера наблюдавшейся зависимости. Таким образом, величина эффекта сдвига ВАХ под действием сжимающей нагрузки может являться одной из структурно-чувствительных характеристик состояния слабых связей в ВТСП керамике.

3. Исследование одновременного воздействия одноосного сжатия и магнитного поля на ВТСП керамику обнаруживает четко выраженную неаддитивность эффекта и подтверждает предположение о том, что как поле, так и нагрузка воздействуют на одни и те же структурные элементы керамики - слабые связи. Результаты эксперимента находятся в хорошем соответствии с теоретическим расчетом критического тока одноосно сжатой керамики во внешнем магнитном поле, представляющим ВТСП керамику в виде совокупности соприкасающихся друг с другом сверхпроводящих сфер - зерен, области контактов которых образуют слабые связи, определяющие критический ток керамики.

4. Изучение зависимости сверхпроводящих свойств от структуры образцов, проводившееся на различных образцах с заранее заданными параметрами, показало, что для сверхпроводящей керамики системы У—Ва—Си—О небольшие отклонения от стехиометрического состава У : Ва : Си = 1 : 2 : 3 существенно сказываются на величине критического тока ¡с, В АХ при температуре жидкого азота, ее смещении под действием нагрузки, а также на устойчивости сверхпроводящего состояния по отношению к повторяющимся токовым, механическим и температурным воздействиям. Наилучшие параметры обнаруживает соединение с совершенным стехиометрическим составом. Чем больше отклонение, даже по одному из элементов, тем более слабыми сверхпроводящими свойствами обладает материал. Менее чувствительной к составу оказалась температура сверхпроводящего перехода Тс.

5. ВТСП керамики одинакового состава, но с различным размером зерна и пористостью при измерении различных структурно-чувствительных характеристик показали , что изменение температуры и ширины перехода, критический ток и скорость деформации соответствуют изменению величины зерна. Более сложным является воздействие на }с и В АХ магнитных полей и механических напряжений, которые зависят не только от величины зерна, но и от способа получения керамики, влияющего как на размер, так и на структуру границы.

6. Особенности водородной обработки для получения образцов с пониженным содержанием кислорода приводят к тому, что керамики состава УВагСизОб 7 удерживают температуру сверхпроводящего перехода в районе 85 К. При этом указанные образцы проявляют повышенную чувствительность критического тока к магнитному полю, в то время как влияние механических напряжений на ВАХ остается таким же, как в полностью насыщенной кислородом керамике. Кроме того, в магнитном поле появляется своеобразный гистерезис вольтамперных кривых.

7. Исследование механических свойств легированной серебром керамики приводит к следующим результатам. Керамика, содержащая 3-5% серебра, показывает заметное увеличение микропластичности и прочности, что в свою очередь обусловливает ее большую технологичность. Температурные спектры скоростей микропластической деформации обнаруживают связь одного из пиков со сверхпроводящим переходом. Отметим актуальность полученных результатов в свете все возрастающего интереса к композитным материалам на основе ВТСП соединений в серебряной матрице.

8. Рассмотрение поведения образцов керамики с захваченным магнитным потоком привело к обнаружению участков немонотонности и гистерезиса вольтамперной характеристики в области малых напряжений. Детальное изучение параметров гистерезисного поведения ВАХ дало основания связать его с процессами скачкообразного перераспределения магнитного потока в структуре образца. В свою очередь, исследование временных характеристик эффекта позволило предположить термоактивационный характер процесса и определить его энергию активации.

9. Наличие петли гистерезиса ВАХ сверхпроводника с захваченным магнитным потоком позволяет реализовать оригинальный способ хранения информации в ячейке памяти на основе ВТСП.

В заключение стоит добавить, что проведенное нами исследования поведения ВТСП керамик различного состава в условиях комплексного воздействия электрического, магнитного и механического полей интересны как с фундаментальной точки зрения, так и приближены к возможным условиям эксплуатации данных материалов. Подчеркнем также, что путь к практическому их использованию лежит через детальное исследование механических свойств. Изучение наблюдавшегося гистерезисного поведения вольтамперных характеристик сверхпроводящих материалов могут быть полезны как для понимания динамики магнитного потока в образцах, так и с точки зрения практического их применения.

Автор выражает глубокую благодарность В. В. Шпейзману за научное руководство и содействие в выполнении работы, Б. И. Смирнову за постоянное внимание к тематике и непрекращавшуюся поддержку, Т. С. Орловой, Н. Н. Песчанской, П. Н. Якушеву за особую роль в проведении исследований и заинтересованность в обсуждении их результатов, Ю. П.

Степанову за предоставление образцов. Также признателен всем участвовавшим в выполнении работы и всему коллективу лаборатории физики пластичности ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.

1. - Bedhorz J.G., Muller К.A. Phys. Rev. В 64, 9, 189 (1986).

2. Cava R.J., Dover R.B. van, Batlogg В., Rietman Е.А. Phys. Rev. Lett. 58, 4, 408 (1987).3. -.Jacobson A.J,. Newsam J.M, Jonson D.C., Goshorn D.P., Levandowski J.T., Alvares M.S. Phys. Rev. В 39, 1,254 (1989).

3. Ueda Y.and Kosuge K. Physica С 156, 2, 281 (1988).

4. Cava R.J.,.Batlogg B, Chen C.H., Rietman E.A , Zahurak S.M., Werder D. Nature 329, 6138, 423 (1987).

5. Cava R.J., Batlogg В., Rabe K.M., Rietman E.A., Gallagher P.K., Rupp L.W. Physica С 156, 4,(1988).

6. Takayama-Muronachi E., Uchida Y, Ishii M., Tanaka Т., Kato K. Jpn.J.Appl. Phys.26, 7, 1156(1987).

7. Ihara H., Oyanagi H, Sugisi S., Ohno E., Matsubara Т., Ohashi S., Terada N., Jo M., & Hirabayashi M., Murata K., Negishi A., Kimura Y., Akiba E., Hayakawa H., Shin S. Physica C,153.155, 948(1988).

8. Wong-Ng W., Cooc L.P., Chiang C.K., Swartzendryber L.J., Bennet L.H., Blendell J., Minor D. Mater J. Res. 3, 5,832 (1988).

9. Gourieux Т., Krill G., Maurer M., Ravet M.F., Menny A., Tolentino H., Fontaine A. Phys.Rev. В 37, 13, 7516 (1988).

10. Galagher P.K., O'Bryan H.M., Sunshine S.A, Murphy W. Mater.Res.Bull. 22, 7, 995 (1987).15. 0"Bryan H.M., Galagher P.K. Adv. Ceram. Mater. 2, 640 (1987).

11. Beyers R., Lim G., Engler E.M., Lee V.Y., Ramires M.L., Savoy R.J., Jacovitz R.D., Shaw T.M., La Placa S., Boehme R., Tsuei C.C., Sung I.Park, Shafer M.W., Galagher W.J. App. Phys.Lett. 51,8,614(1987).

12. Manthiram A., Swinnea J.S., Sui Z.T., Steinfink H., Goodenough J.B. Am. J.Chem.Soc. 109, 6667 (1987).

13. Ikeda K., Nagata M., Ishihara M., Kumazawa S., Shibayama Т., Imagawa A., Sugamata Т., H. Katoh, Momozawa H., Umezawa K., Ishida K. Jpn. J. Appl.Phys. 27, 2, 202 (1988).

14. Ayache J. J. Less-Common Metals 164-165, 152 (1990).20.- Zanbergen H.W., Gronsky R., Thomas G. J. Microsc. and Spectrosc. Electron 13, 307 (1988).

15. Zandbergen H. W., Fu W.T., de Jong L.J., van Tendeloo G. Cryogenics 30, 7, 628 (1990).

16. Zhu Y., Zhang H., Wang H., Suenaga M. Grain Boundary Studies by the Coincidense Site Lattice Model and Electron Energy Loss Spectroscopy of the Oxygen K-Edge in YBa2Cu307-5. Preprint (1992).

17. Muraset Т., Kuroda К., Suzuki К., Saka H. Phil. Mag. A 62, 6, 583 (1990).

18. Rabier J., Denanot M.F. J.Less-Common Metals 164-165, 223-230 (1990).ш 25. Shi X.D., Yu R.C., Wang Z.Z., Ong N.P., Chaikin P.M. Phys. Rev. В 39, 1, 827 (1989).

19. Yoshida Т., Kuroda К., Saka H. Phil. Mag. A 62, 573 (1990).

20. Куприянов М.Ю., Лихарев K.K. УФН 160, 5, 149 (1990).

21. Gross R. et al. Superconducting Transport Characterstics of УВагСиз07-б Grain Boundary Junctions. Preprint. (1990).

22. Бароне А., Патерно Дж. Эффект Джозефсона: физика и применения. М. (1984).

23. Фистуль М.В. Письма ЖЭТФ 49, 95 (1989).

24. Nikulov A.V., Remisov D.Yu. Supercond. Sei. and Technol. 4, 312 (1991).

25. De Gennes P.G. Rev. Mod. Phys. 36, 225 (1964).

26. Stauffer D. Phys. Rep. 54, 2 (1979).

27. Essam J.W. Rep. Prog. Phys.43, 833 (1980).

28. Kirkpatrick S. Rev. Mod. Phys. 45, 570 (1973).

29. Cai Z.X., Welch D.O. Phys. Rev. В 45, 2385 (1992).

30. Dimos D., Chaudhari P., Mannhart J., LeGoes F.K. Phys. Rev. Lett. 61, 2, 219 (1988).

31. Mannhart J., Gross R„ Hipler K., Huebener R.P., Tsuei C.C., Dimos D., Chaudhari P. Science 245, 4920, 839 (1989).

32. Mannhart J. Sureconductivity 3, 281 (1990).

33. Gross R., Chaudhari P., Kawasaki M., Gupta A. Superond. Sci. and Technol. 4, 1-2, 253 (1991).

34. Roux S., Herrmann H. Europhys. Lett. 4, 1227 (1987).

35. Лихарев K.K., Ульрих Б.Т. Системы с джозефсоновскими контактами. М. Изд-во МГУ (1978).

36. Meilikhov Е., Gershanov Yu. Physica С 157, 431 (1989).

37. Гуревич М.И., Мейлихов Е.З., Тельковская О.В., Яньков В.В. СФХТ 1, 4, 80 (1988).

38. Мейлихов Е.З. СФХТ 3, 14-22 (1990).

39. Kwasnitza К., Widmer Ch. Cryogenics 29, 11, 1035 (1989).

40. Белоедов М.В., Черных С.В. ЖТФ 73, 2, 75 (2003).

41. Гинзберг Д.М. (под редакцией). Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Пер. с англ. М. Мир (1990).

42. Evetts J.Е., Glowacki В.A. Cryogenics. 28, 641 (1988).

43. Блинов Е.В., Э.Б.Сонин, А.К.Таганцев, Трайто К.Б. СФХТ 4, 3, 501 (1991).

44. Мейлихов Е.З., Шапиро В.Г. СФХТ 4, 1437 (1991).

45. Dai U., Hess N., Deutscher G. et al. Critical Currents of YBaCuO Ceramics Correlated to Magnetic Field Orientation, Preprint. (1990).

46. Ekin J.W., Larson T.M. Dependense of the Critical Current On Angle between Magnetic field and Current in Y-, Bi-, and Tl- Based High-Tc Superconductors. Preprint. (1989).

47. Мейлихов Е.З. СФХТ 4,12, 2297 (1991).

48. Glover R.E., Sherill M.D. Phys. Rev. Lett. 5, 248 (1060).

49. Сандомирский В.Б. Письма ЖЭТФ 2, 396 (1965).

50. Meissner H. Phys. Rev. 154. 422 (1967).

51. Богатко В.В., Веневцев Ю.Н. ФТТ 29, 2872 (1987).

52. Mannhart J., Bednorz J.G., Muller K.A., Schlom D.G. Z. Phys. B83. 307 (1991).

53. Mannhart J., Schlom D.G., Bednorz J.G., Muller A. Phys. Rev. Lett. 67. 2099 (1991).

54. Xi X.X., Doughty С, Walkenhorst A., Kwon С., Li Q., Venkatesan T. Phys. Rev. Lett. 69, 1240 (1992).

55. Смирнов Б.И., Криштопов С.В., Орлова Т.С. ФТТ 34, 2482 (1992).

56. Смирнов Б.И., Орлова Т.С., Криштопов С.В. ФТТ 35, 2250 (1993).66.- Orlova T.S., Smirnov B.I. Supercond. Sei. Technol. 6, 899 (1994).

57. Smirnov В.I., Orlova T.S., Kaufmann H.-J. Proc. Fourth Int. Conf. and Exhibition: World Congress on Superconductivity, Texas, 1, 232 (1994).

58. Смирнов Б. И., Байков Ю.М., Кудымов А.Н., Орлова Т.С., Степанов Ю.П. ФТТ 37, 1794 (1995).

59. Орлова Т.С., Смирнов Б. И., Лаваль Ж.-И. ФТТ 40, 1195 (1998).

60. Смирнов Б.И., Орлова Т.С., Sengupta S., Goretta К.С. ФТТ 42, 7, 1172 (2000).

61. Schirber J.E., Ginley D.S., Venturini E.L., Morosin В. Phys. Rew. В 35, 16, 8709 (1987).

62. Свистунов B.M., Таренков В.Ю., Ревенко Ю.Ф., Дьяченко А.И., Черняк О.И., Пермяков В.В., Григуть О.В., Василенко A.B., Афанасьев Д.Н. Токоперенос в высокотемпературных металлооксидных сверхпроводниках. Препринт. (1989).

63. Барьяхтар В.Г., Григуть О.В., Василенко A.B., Дьяченко А.И., Свистунов В.М., Таренков В.Ю., Черняк О.И. Письма ЖЭТФ 47, 9, 457 (1988).

64. Свистунов и др. Транспортные свойства ВТСП-керамики. Препринт. (1990).75. -Diderichs J., Reith W., Sundqvist В., Niska J., Easterling K.E., Schilling J.S. Supercond. Sei. and Technol. 4, 597 (1991).

65. Svistunov V.M., D'yachenko A.I., Tarenkov V.Yu. Supercond. Sei. and Technol. 5, 101 (1992).

66. Мейлихов Е.З. УФН 163, 3, 27 (1993).

67. Златин H. А., Песчанская H. Н„ Якушев П. Н. ЖТФ 57, 12, 2346-2351 (1987).

68. Златин Н. А., Песчанская Н. Н„ Шпейзман В. В. ЖТФ, 57, 7, 1438—1441 (1987).

69. Песчанская H. H., Смирнов Б. И., Шпейзман В. В., Якушев П. Н. ФТТ 30, 11, 3503 (1988).

70. Солдатов В. П., Нацик В. Д., Чайковская H. М. ФТТ. 32, 6, 1777 (1991).

71. Песчанская H. Н., Смирнов Б. И., Степанов Ю. П., Шпейзман В. В., Якушев П. Н. ФТТ 31, 4, 271 (1989).

72. Migliori A., Chen T., Alavi В., Gruner G. Sol. St. Comm., 63, 9, 827 (1987).

73. Аншукова H.B., Воробьев Г.П., Головашкин А.И. и др. Письма в ЖЭТФ, 46, 9. 373 (1987).

74. Гайдук A.JI., Жерлицын C.B., Приходько O.P., Филь В.Д., Семиноженко В.П., Нестеренко В.Ф., Першин С.А. ФНТ 14, 7, 718 (1988).

75. Горин Ю.Ф., Нугаева Л.Л., Кобелев Л.Я., Кузнецов Ю.С., Лобанов Ю.А. ФММ 66, 1,202 (1988).

76. Пущин В.Г., Сагарадзе В.В., Фризен Э.Н., Гощицкий Б.Н., Завалишин В.А., Зельдович В.И., Юрченко Л.И., Мальцев С.М. ФММ 66, 1, 195 (1988).

77. Буренков Ю.А., Иванов В.И., Лебедев А.Б., Баскин Б.Л., Кардашев Б.К., Никаноров С.П., Степанов Ю.П., Флейшер В.Г., Варюхин В.Н., Дацко О.И., Резников A.B. ФТТ 30, 10, 3188-3192 (1988).

78. Головашкин А.И. УФН 152, 4, 553 (1987).

79. Нацик В.Д., Паль-Валь П.П. ФНТ 16, 6, 806-808 (1990).

80. Паль-Валь П.П., Нацик В.Д., Паль-Валь Л.Н., Доценко В.И., Кауфманн Х.-Й. ФНТ 14, 12, 1296-1301 (1988).

81. Беламестних В.Н., Хасанов О.Л., Кон-Сю Ю. СФХТ 2, 9, 120-128 (1989).

82. Cannell G., Cordero F., Cantelli R., Costa G.A., Ferretti M., Olcese G.L. Phys. Rev.B 36, 16, 8907-8909(1988).

83. Kobelev N.V., Nikolaev R.K., Sidorov N.S., et.al. Phys.Status Solidi A 127, 355-362, (1991).

84. Макаров В.И., Заварицкий H.В., Клочко B.C., Воронов А.П., Ткаченко В.Ф. Письма в ЖЭТФ. 48, 6, 326(1988).

85. Цымбал Л.Т., Иванов А.Г., Волкова Л.П., Черкасов А.Н., Ревенко Ю.Ф., Осыко Е.И. СФХТ 2, 2, 9-12 (1989).

86. Бобров B.C., Зверькова И.И., Иванов А.П., Изотов А.Н., Новомлинский Л.А., Николаев Р.К., Осипьян Ю.А., Сидоров Н.С., Шехтман В.Ш. ФТТ 32, 3, 826 (1990).

87. Фарбер Б.Я., Сидоров Н.С., Кулаков В.И., Иунин Ю.А., Изотов А.Н., Емельченко Г.А., Бобров B.C., Фоменко Л.С., Нацик В.Д., Лубенец С.В. СФХТ 4, 12, 2394 (1991).

88. Yoshitake Nishi at al. J.Mater. Sci. Lett. 8, 507 (1989).

89. Кайбышев О.А. и др. ДАН СССР 305, 1120 (1989).101. von Stunberg A.W., Goretta K.C., Routbord J.L. J. Appl. Phys. 66, 2079 (1989).

90. Bussod G., Pechenik A., Chung-Tse Chu, Dunn. B.J. Americ. Ceram. Soc. 72, 137 (1989).

91. Антонов B.E., Антонова Т.Е., Баркалов О.И., Бобров B.C., Громов A.M., Кистерев Э.В., Коноплева Е.В., Коржов В.П., Кременская И.Н., Кулаков В.И., Сидоров Н.С. СФХТ 5, 4, 683(1992).

92. Бобров B.C., Власко-Власов В.К., Емельченко Г.А. и др. ФТТ 31, 93 (1989).

93. Доросинский Л. А., Инденбом М.В., Никитенко В.И., Фарбер Б.Я. Письма в ЖЭТФ 49, 3, 156 (1989).

94. Власко-Власов В.К., Доросинский Л.А., Инденбом М.В., Никитенко В.И., Полянский А.А., Антонов А.В., Гусев Ю.М., Емельченко Г.А. СФХТ 4, 6, 1100 (1991).

95. Smimova I.S. Phys. Stat. Sol. (a) 166, 237 (1989).

96. Cook R.F., Dinger T.R., Clarke D.R. Appl. Phys. Lett 51, 454 (1987).

97. Демирский B.B., Лубенец C.B., Нацик В.Д., Фоменко Л.С., Кауфманн Х.-Й. ФТТ 31,6, 263-266(1989).

98. Лубенец С.В., Нацик В.Д., Фоменко Л.С., Сорин М.Н., Чайковская Н.М., Бобров B.C., Изотов А.Н., Жохов А.А. СФХТ 6, 7, 1406 (1993).

99. Ling Н.С., YanM.F. J. Appl. Phys. 64, 1307 (1988).

100. Startsev V.I., Pustovalov V.V., Fomenko V.S. Suppl. Trans. Japan Inst. Metals, 9, 843 (1968).

101. Пустовалов В.В. Старцев В.И., Фоменко B.C. ФТТ, 11, 1382 (1969)

102. Kojima Н., Suzuki Т. Phys. Rev. Lett. 21, 896 (1968).

103. Pustovalov V.V., Startsev V.I., Fomenko V.S. Phys. Stat. sol. 37, 413 (1970).116. -Soldatov V.P., Startsev V.I., Vainblat T.S. Phys. Stat. sol. 37, 47 (1970).

104. Каганов М.И., Нацик В.Д. Письма в ЖЭТФ, 11, 550-553 (1970).118.- Старцев В.И., Ильичев В.Я., Пустовалов В.В. Пластичность и прочность металлов и сплавов при низких температурах. М., Металлургия (1975).

105. Песчанская Н. Н., Смирнов Б. И., Шпейзман В. В. ФТТ 31, 8, 292 (1989).

106. Марков Л.К., Шпейзман В.В. ФТТ 33, 11, 3308 (1991).

107. Якушев П.Н. Электрооптическая схема доплеровского измерителя скорости ползучести,- Механика композитных материалов 1,167 (1980).

108. Журков С.Н., Томашевский Э.Е. Исследование прочности твердых тел. Журнал технич. физики 25, 1, 66, (1955).

109. Песчанская H.H., Якушев П.Н., Степанов В.А. ФТТ 26, 4, 1202 (1984).

110. Шпейзман В. В., Песчанская H.H., Смирнов Б. И., Степанов Ю. П. ФТТ 31, 12, 105-108 (1989).

111. Shpeizman V. V., Orlova Т. S., Smirnov В. I., Markov L. К., Engert J., Kaufmann H.-J., Rudolf К., Matz W. Cryst. Res. Technol. 25, 7, 827 (1990).

112. Орлова Т. С., Песчанская Н. Н., Марков Л. К., Смирнов Б. И., Шпейзман В. В., Енгерт Й., Кауфманн Х.-Й., Шлефер У., Шнайдер Л. ФТТ 33, 1,166 (1991).

113. Орлова Т. С., Смирнов Б. И., Шпейзман В. В., Степанов Ю. П., Чернова С. П. ФТТ 32, 4, 1031 (1990).

114. Шпейзман В. В., Смирнов Б.И., Песчанская H.H., Марков Л.К. ФТТ 33, 7, 2198 (1991).

115. Stroh А. N. Adv. Phys. 6, 24, 418-465 (1957).

116. Бреховских Л.М., Гончаров В.В. Введение в механику сплошных сред, М., Наука, (1982).

117. Никифоров В.Н., Ржевский В.В. Физические свойства ВТСП, справочное пособие, М. (1991).

118. Марков Л.К., Смирнов Б.И., Шпейзман В.В. ФТТ 32, 9, 2818 (1990).

119. Орлова Т.С., Марков Л.К., Смирнов Б.И., Шпейзман В.В., Степанов Ю.П. ФТТ 33,12,3595 (1991).

120. Смирнов Б.И., Байков Ю.М., Марков Л.К., Орлова Т.С. Письма в ЖТФ 21, 12, 64 (1995).

121. Гинзбург С. Л. Тез. докл. II Всес. конф. по высокотемпературной сверхпроводимости. Киев, II, 3—4 (1989).

122. May Z.H., ChuX., Day D.Y. J. Mat. Sei. Lett.7, 501(1988).

123. May Z.H., Chen L„ Chu X., Day D.Y., Ni Y„ Huang Y., Xiao Z., Ge P., Zhao Z. Phys. Lett. A 127, 297(1988).

124. Stucki.F., Bruesch, P., Bauman, Th. Phys. Lett. 53, 159 (1988).

125. Pal-Val P.P., Natzik V.D., Engert J., Kaufmann H.-J., Rudolph K, Matz W. Cryst. Res. Technol. 24, 11, 1151 (1989).

126. Smith D. S., Suasmoro S., Gault C., Caillaud F., Smith A. Rev. Phys. Appl. 25, 1, 61 (1990).

127. Kuwabara M„ Shimooka H. J. Appl. Phys. Lett. 55, 26, 2781 (1989).

128. Шалкова E.K., Байков Ю.М., Ушакова T.A. СФХТ 5, 1, 24 (1992).

129. Reilly J.J., Suenaga M., Johnson J.R., Thompson P., Moodenbaugh A.R. Phis.Rev.B. 36, 10, 5694 (1987).

130. Shoji Т., Tazava Y. Mater. Sei. Eng. A143, 1/2, 241 (1991).

131. Ni Q., Li A., Kong Q. Chinese Phys. Lett. 6. 7. 321 (1989).

132. Singh J.P., Leu H.J, Poepell R.B., Van Voorhees E, Goudey G.T., Winsley K„ Shi D. J. Appl. Phys. 66, 7, 3154 (1989).

133. Lee D„ SalamaK. Japan. J. Appl. Phys. 29, 11, L2017 (1990).

134. Joo J., Kim J.-G, Nah W. Supercond. Sei. Technol. 11, 645 (1998).

135. Nishi Y., Moriya S, Tokunaga Sh. J. Mat. Sei. Letters 7, 6, 596 (1988).

136. Галусташвили M.B., Дрияев Д.Г., Политов И.А., Рустамбеков A.B., Саралидзе З.К, Цинцадзе Г.А., Чубабрия М.А. Тез. 1 Всес. Совещания по высокотемпературной сверхпроводимости. Харьков. 2, 140 (1988).

137. Saito Y., Noji Т, Endo A., Higuchi N, Fujimoto К, Oikawa Т., Hattorf A., Furuse К. Japan. J. Appl. Phys. 26, 5, L832 (1987).

138. Su Z, Zhao T, Sun S, Chen Z., Chen X., Zhang Q. Sol. St. Comm. 69, 11, 1067 (1989).

139. Singh P., Shi D., Capone D.W. J. Appl. Phys. Letters 53, 3, 237 (1988).

140. Марков JI.K., Орлова Т.С., Песчанская H.H., Смирнов Б.И, Степанов Ю.П, Шпейзман В.В. ФТТ 45, 9, 1551 (2003).

141. Песчанская H.H., Якушев П.Н, Шпейзман В.В, Синани А.Б, Берштейн В.А. ФТТ 41, 5, 848 (1999).

142. Saint-Paul M., Tholence J.L., Monceau P., Noel H., Levet J.C., Potel M., Goegeon P., Capponi J.J. Solid St. Coramun. 66, 6, 641 (1988).

143. Chovanec F., Usak P. Cryogenics 42, 543 (2002).158.- Usak P., Jansak L., Polak M. Pysica С 350, 139 (2001).

144. Марков Л.К., Шпейзман B.B. ФТТ 35, 11, 3008 (1993).

145. Рыбальченко Л. Ф., Фисун В. В., Бобров Н. Л., Космына М. Б., Мошков А. И., Семиноженко В. Н., Янсон И. К. ФНТ 15, 1, 95 (1989).М

146. Бакуменко В. Л., Бекешко Е. Д., Курбатов Л. Н., Михасько В. И. Письма в ЖТФ 16, 18, 15 (1990).

147. Yamada Y., Nomura S., Ando К., Horigami О. Cryogenics. 30, 7, 643 (1990).

148. Palstra T.T.M., Batlogg В., VanDover R.B., Schneemeyer L.F., Waszczak J.V. Appl. Phys.Lett. 54, 8,763 (1989).

149. Zeldov E, Amer N.M., Koren G., Gupta A., McElfresh M. W., Gambino R. J. Appl. Phys.Lett. 56, 7, 680,(1990).

150. Hebard A.F., Palstra T.T.M. Physica С 162-164, 1181 (1989).

151. Bailey A„ Rüssel G.J., Taylor K.N.R. Physica С 185-189. Pt IV, 2147 (1991).

152. Hung C.J., Chen Y.C., Tseng T.Y. Ibid., 2173.

153. Jamafuji K., Mawatari Y., Fujiyoshi Т., Miyahara K., Watanabe K., Awaji S., Kobayashi N. Ibid., 2285-2286.

154. Lu M., Zhang Y.T., Jin X., Xu X.N., Ji H.L., Yao X.X., Liu P.S., Мои H.L„ Wu X.Z., Zhou L. Ibid., 2151.

155. Kazumato Y., Okayasu S., Kato T. Ibid., 2183.

156. Lee K.W., Jeong I.K., Park Y.K., Kim D.Y., Park J.C. Ibid., 2263.

157. Maley M.P., Willis J.O., Lessure H., McHenry M.E. Phys. Rev. В. 42, 4, 2639 (1990).

158. Fisher P., Neumuller H.-W., Roas В., Braun H.F., Saemann-Ischenko G. Solid State Commun. 72,9, 871 (1989).