Электронные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 од •

ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ) 8 /¡¡|Р ''рр^ им.М.В.ЛОМОНОСОВА В г.УЛЬЯНОВСКЕ

На правах рукописи

САМОХВАЛОВ Михаил Константинович

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССА В ТОНКО ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛХШНЕСЦЕНТНЫХ СТРУКТУРАХ

Специальность 01. 04. Ю - физика полупроьодникоь и диэлектриков'

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

1994

Работа выполнена в Ульяновской политехническом институте

Официальные оппоненты: члэк-коррзсподент Российской

академии естественных наук, доктор физико-математических наук, профессор Георгобиани А.Н.

доктор физико-математических наук, профессор Верещагин И.К. лауреат Государственных премий СССР, доктор технических наук, профессор Савостьянов В.П.

Ведущая организация - Институт физики Академии наук

Белоруссии

Защита диссертации состоится ^/с/МР* 1994 г . в часов на заседании специализированного совета Д 053.37.01 при Филиале Московского государственного университета в г.Ульяновске по адресу: 432700, г.Ульяновск, ул.Л.Толстого, 42.

С диссертацией мокко ознакомиться в Научной библиотеке Филиала ¿НУ в г.Ульяновске.

Автореферат разослан " 4 " апреля 1994 г.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат физ-иат.наук, доцент

З.Ф.Цугачев

• ОЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Электролюминесценция в тонкопленоч-< структурах представляет в настоящее время ту область науки техники, где" потребности развития техники значительно оперз-ог развитие фундаментальных и прикладных знаний о процессах 'образования электрической энергии в излучение.

Явления электролюминесценции, открытые в 1923 г. 0.Лосевым з. 1936 г. Ж.Дестрио, были реализованы в промышленных приборах зь в 60-х и 70-х годах. Эти технические достижения обусловлэ-развитием квантовой теории твердого тела и успехами полупро-шмкоБой технологии. Интерес к исследованиям тонкопленочных ¡ктро люминесцентных структур резко возрос посяз того, как в '4 г. был продемонстрирован первый тонкопленочный плоский эк-ц обладающий высокими функциональными характеристика!.®. Тон-[леночше излучатели, работающие на переменном напряжении, от-гались от предыдущих тем, что пленка люминофора била изолиро-1а от электродов диэлектрическими слоями, обуславливая управ-ше- прибора не электрическим током, а полем. К достоинствам ктролюминесцентных экранов относятся высокие яркость, долго-■ность, разрешающая способность, устойчивость я тепловым и лащонным воздействиям'-и др.

В последующие годы проводились исследования методов полу-ия и свойств тонкопленочных излучателей- Эти исследования дстаьляли большой научный интерес, так как многослойные сво-злучающие устройства являлись уникальным объектом для изучз-природы центров свечения, механизма Электроисминзсцзнцпп и зктов, связанных с сихьншйГэяекирическкш! поля?"! и высоким вкем возбуждения. Получено большое количество экспзринзнтзль-данных о влиянии на характеристики электролшинесцантных уктур свойств различных люминесцентных и диэлектрических ма-яалов, конструкции приборов и технологии их изготовления, действия различных внешних факторов и др. Много работ было эящено исследованию физических основ работы приборов.

Изучение явления, электролюминесценции в тонких пленках ютзЕЛяет большой'интерес тем, что находится на пересечения

целого ряда разделов физики и техники, таких, 'как физика твердого тела, оптика и спектроскопия, физика и химия пирокозонных соединений, физика сильных электрических полей, электроника и светотехника. Разносторонность интересов исследователей обуславливает ту особенность изучения тонкопленочных, электролюминесцен^ ных структур, что при достаточно большом количестве работ, посвященных исследованиям различных аспектов проблемы, до сих пор отсутствует о""ш,ая физическая теория работы приборов данного тип; Большие успехи достигнуты б изучении оптических сеойств электролюминофоров: спектров излучения и их зависимости от внешних факторов, механизмов возбуждения активаторов и др. Имеются достижения в технологии получения тонкопленочных структур: пленки люминофоров получают методами термического,ионно-плазменного и химического осавдения. Достаточно глубоко исследованы вопросы надежности и долговечности приборов: изучены проблемы однородности свойств, деградации параметров при различных внеиних воздейстши причины отказов и др. В настоящее время проблема физического от сания работы тотгопленочиых излучателей решается путем использования эмпирических зависимостей между управляющими воздействиям* ¿1 выходными характеристиками, общего анализа фундаментальных • уравнений основных процессов, применения приближенных решений для частных случаев и детального описания отдельных явлений;

- Вместе с тем до сих пор отсутствует достаточно полная физи-, ческа я модель, позволяющая проводить математическое .описание основных приборных характеристик тонкопленочных электролюминеспент ных излучателей, как элементов электрической цепи, показать взаг ыосвязь входных характеристик и выхода излучения, оценить эффективность преобразования электрической энергии в световую, определить влияние параметров материалов и внешних воздействий на хс рактзристикк приборов.

Данная работа посвящена решению указанной проблемы на основе нового подхода, основанного на последовательном физическом и математическом описании электронных процессов в тонкопленочных злектролюминесцентных структурах, взаимосвязывающем внешние управляющие воздействия, параметры структур и внутренние преобразс вания электрической энергии в световое излучение.

В Ульяновском политехническом институте в течение ряда лет зрабатывались методы получения и исследования свойств тонкопла-чных индикаторов, методы и устройства управления индикаторными иборами и их применения в иидроэлектронннх средствах отображе-я информации. Необходимость развития этих работ и согласования • дач прикладного значения, возникающих при разработке технологии иборов и устройств управления ими, также обусловили- необходимость оретических исследований физических основ работы тонкопленочных ектролюминесцентных структур. Основные результаты исследований ражены'е госбюджетных, и хоздоговорных работах, выполняемых на федре микроэлектроники и технологии электронной аппаратуры и в облемной научно-исследовательской лаборатории шкроэлектронных едств отображения и регистрации информации Ульяновского поли-хнического института.

Цель и задачи исследования. Целью работы является развитие ории электронных процессов в тонкопленочных электролюминесиент-х структурах и обнаружение физических закономерностей, опреде-ощих зардцовую поляризацию, токоперенос я преобразование элект-ческой энергии в световое излучение в пленках люминофоров; размотка математического аппарата, позволяющего проводить анализ лбора как элемента электрической схемы, определять конструкции гройств и режимы работы с наибольшей надежность» и эффективною преобразования энергии.

Поставленная цель, достигается решением следующих задач:

1. Анализ физических представлений об основных электронных эцессах' и разработка физической и математической модели, взаи-;вязыадющей основные электронные процессы в тонкопленочных ;ктрплшинесцентнь'Х структурах.

2. Теоретические и экспериментальные исследования электри-. ;ких характеристик и разработка электрической модели ?онкопле-шых излучателей. - ■

3. Теоретическое и экспериментальное исследование эффективен процессов преобразования электрической энергии в световое учение в слое люминофора тонкопленочных излучателей в "различ-: режимах возбувдения.

4. Экспериментальные и теоретические исследования зависимое-электрооптических характеристик от конструктивно-технологичес-

ких факторов и методов возбуждения для разработки критериев изготовления тонкопленочных структур, выбора режимов возбуждения электролюминесценции и разработки схеы управления электролюминесцентными индикаторами.

Полоаения, выносите на защиту. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования тонкопленочных электролюминесцентных структур позволяют вынести на защиту следующие основные научные положения:

1. БредлоЕЭна физическая модель переходных процессов в токяоплэночных электролк&инесцентных структурах, связывающая изменение поляризационного заряда, электрического поля, тока ■ и рассзнвеекой энергии, на основе теории квазиизолированной поверхности высокооыных широкозонных полупроводников в сильных электрических полях.

2. Электронные процессы, определяющие основные электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбувде-гаш электродшинесцзнцни переменный напряжением, обусловлены переносом заряда в шогослойных структурах в квазистационарном ренине самоэкранирования люминофора.

3. На основе иодели ударного возбуждения центров свечения в яшинофоре предложены способы определения параметров активаторов (концентрации, сеченая ударного возбуждения, постоянной вреаени релаксации) в л&шшесцентных пленках с использованием измерений кинетики яркости и тока, а такке зависимости светоотдачи от яркости излучения тонкоппеночных злектролюшнесдант-ных структур.

4. Разработанные на основе теоретических и экспериментальных исследований шдели и расчеты позволяют производить выбор материалов, конструкций и технологии изготовления тонкопленочных структур, режимов возбувдения электролюминесценции и разработки схем управления излучателями, обеспечивающих высокую эффективность и надежность работы приборов.

Научная ковиана. Впервые поставлена и решена проблема полного анализа электронных процессов в тонкопленочных электролюми нзспентных структурах. На основе комплексных исследований

ектрических и оптических характеристик проведено развитие тео-и электронных процессов в тонкопленочных излучателях и разрабо-ны физические и математические модели физических явлений в ектролюминёсцентных конденсаторах. При этой получены следующие вые научные результаты, которые служат теоретической основой зработки, создания и применения тонкопленочных индикаторных эментов:

I. Разработана теория неравновесных электронных процессов ч квазиизолированной поверхности высокоомных широкозонных по-лроводников в сильных электрических'полях. На ее основе разви-математяческая цодель электронных процессов в слоях лшннофо-танкопленочных электролюминесцентных структур» взаимосвязы-эщая изменение поляризационного заряда, электрического поля, са и рассеиваемой энергии.

2. Теоретически исследованы КЕазистацнонарше режимы саыо-)анирования в многослойных тонкопленочных структурах на основе зокозонных высокоомных полупроводниковых соединений. Проведен 'лиз токопереноса и рассеяния.энергии в пленках люминофора жтролюминесцентных конденсаторов для различных условий воз-щения электролюминесценции переменным напряжением, исследована (ивалентная схема излучателей.

3. Проведен анализ кинетики процессов возбуждения эяектролю-[есгэншш е тонкопленочных структурах, в рамках модели ударного Суждения активаторов получены и исследованы зависимости мгно-:ной и средней яркости от тока и средней мощности при различных :овиях-возбуждения, разработаны методы определения параметров инеспентных пленок. •

4. Проведены экспериментальные исследования электрических лектрооптаческих характеристик тонкопленочных электролюминес-тных структур на осноне сульфида цинка, легированного мэрган-

или фторидами редкоземельных металлов (тербия, самария или ия) с диэлектрическими сдоями твердых растворов оксидов отрад и иттрия. Обнаружены общие закономерности протекания ктронных процессов и их особенности для различных материалов, струкшй излучателей и условий Еозбуядения электролюшшес-

[1ии.

Для обоснования достоверности физических и математических

коделей и результатов теоретических исследований определены границы применимости моделей, в пределах которых проведена сравнение расчетных и экспериментальных данных. Достоверность математических моделей и теоретических расчетов обосновывается их соответствием экспериментальным'результатам, полученным для разных структур и в различных условиях намерений. '

Шакткрзская зитглмость работа« '

1. 1!ате^с.1Ечаскио издали электронных процессов в тонкопле-ша! о«Е5ролвашосцзнтнБК структура* представляют возмоаность х:спольооват1 з разработках описание электрических характеристик прибора, как элемента электрической цепи с количественно взаимосвязанными параметрами входного сигнала, конструктивных свойств прибора и выхода излучения, теп.самым позволяя управлять характеристиками электролэьганесцентного излучателя на этапах проектирования, изготовления и эксплуатации.

2. Полученные аналитические, соотношения применимы для измерений и расчетов значений параметров, характеризующих свойства тонхопленочных алектрояшшесцентных излучателей, а такке-отдельных слоев в многослойных структурах. Использование разработанных способов определения параметров в дополнение к известным позволило с большей достоверностью определить? значения ряда физических величин исследованных топкопяеночнък структур, что свидетельству-

• от о воошкносга.прккон&шя этих методик в научных исследованиях 1-1 для контроля качества изделий в промышленном 'производстве.

3. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования электронных процессов позволили определить рекомендации по выбору материалов, конструкции и технологии изготовления тонкопленочных структур, обеспечивавших высокие, значения функииональ- • как парамотров, высокую стабильность и•надежность работы приборов.

4. Получешше результаты исследований .процессов преобразования онергиа в тонкоплзкочных электролэмянеецэнтшх структурах позволяют определить ройиш возбувдения;злектрояшинееценции в излучателях с наибольший! значением энергетического выхода, разработать йтоди управления характеристиками' приборов и наибольшей с^фэкмшаость» преобразования энергии электрического поля в ево-

. «гевое излучение.

Основные результаты работы использованы на предприятиях, разрабатывающих и изготавливающих индикаторные устройства и средства отображения информации. На Ульяновском радиоламловом заводе использованы методы контроля качества изделий и расчеты конструкции тонкопленочных электролшинесцентных излучателей па осноре приведенных в диссертации расчетов характеристик приборов. Результаты теоретических и экспериментальных исследований процессов преобразования энергии в тонкопленочных электролвминес-пзнтных структурах использованы в разработках схем управления индикаторными устройствами в НПО "Каре"» г.Ульянове!:.

Личный вилац. Автором самостоятельно выполнены теорэтичес- • -кие исследования.электронных процессов в тонкопленочшх структурах, произведено математическое описание я моделирование измзнэ-ния поляризационного заряда, поля и тока, рассеяния энергии ti преобразования ее з световое излучэнкз, поставлены.- задачи экспериментальных исследований, разработаны методики определения параметров структур. Под руководством автора.на кафздрэ "Микроэлектроника ч технология электронной аппаратуры" Ульяновского юлитехнчческого института проведены экспзрнмзкталы-ма нсследо-зания электрических и электрооптичэски" характеристик элзктролп--ганеспектных конденсаторов и те: завксимости от условий возбу.-кде-«1я и конструктивно-технологические: факторов. Апробация работы. Осиоешэ положения диссертационной.работы докидывались и обсуздалксь; на 1-й, 2-й и 5-й Всесоюзных коифзреи-¡иях по физике и химии редкоземзлышх полупроводников, . г.Ленин->рад, 197Б, 1979 гг., г.Саратов, 1990 г.; из 4-м и 8-м Всесоюзна совещаниях по физике поверхности« явлений в полупроводниках, '.Киев, 1977, 1964 гг.; на Всесоюзном научно-техническом семина-)э по методам получения « свойствам тонких пленок, г.Киев, 1977, 979, 19Ы, 1962 гг., на Всесоюзной научно-технической конферея-т "Конструктивно-технологическое обеспечение качества микрорадиоэлектронной аппаратуры,при проектировании и в производстве", .Йкевск, IStd г-., на, 1-й Всесоюзной конференции "Полимерные ор-анические полупроводники.и регистрирующие среды на их основе", •Киев, I9fc£ г., на Всесоюзной научно-технической конференции Спектроскопия конденсированных сред", г.Ульяновск, 1989 г.,

на Всесоюзной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения", г.Новосибирск, 1990 г.; на Всесоюзном сешнаре "Низкотешературные технологические процессы в электронике", г.Ижевск, 1990 г.; на Всесоюзной научно-техни-• ческой конференции "Дути развития электронных средств и задачи высшей школы в подготовке.специалистов соответствующей квалификации", г.Ульяновск, 1991 г.; на Всесоюзной конференции по физике оиисных пленок, г.Петрозаводск, 1991 г.; на Всесоюзной конференции по электролюминесценции, г.Ангарск, 1991 г.; на научно-технической конференции СНГ "физические основы деградации и надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем", г.Нижний Новгород, 1992 г.; на семинаре лаборатории "Оптоэлектроника" МНИТ, 1993 г.; на ежегодных научно-технических конференциях преподавателей и сотрудников УлПИ.

Публикации. Результаты исследований отражены в 40 научных . работах, среди которых одна монография.

Объем и структура диссертации. Работа изложена на 315 страницах машинописного текста, включает 5з рисунка, 2 таблицы, библиографию из 205 наименований. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка .литературы.■

СЭДЖШИЕ РАБОТЫ.

Первая глава. Физические процессы в тонкопленочных

злектролшинесдантньк структурах.

В кратком обзоре проведен анализ известных к настоящему времени данных о свойствах элекгролшине'сцентных структур и физических представлений об основных электронных процессах, определяющих работу тонкопленочных излучателей.

Тонкопконочдае электролюминесцентные структуры типа ЦВДЦМ (прозрачный эяектрод-диэлехстрик-люминофор-диэлектрик-металл) состоят из последовательно нанесенных на стеклянную подложку слоев с использованием штодов тонкопленочной технологии."В качество люминесцентных материалов в основном используют сульфид пинка, легированный марганцем или фторидами редкоземельных элементов, а таете другие люминофоры, являющиеся отрокозонныыи полупроводниками.

Анализ электрических и оптических свойств тонкопленочных лучателей показал, что для описания физических основ работы иборов необходимо' учитывать наличие следующих основных пропес-в: I. Эмиссия электронов поверхностными состояниями границы здела люминофор-диэлектрик в зону проводимости люминофора. 2. корение электронов электрическим полем в люминесцентном слое возбуждение центров свечения. 3. йзлучательные и безызлучатель-е переходы возбужденных центров в основное состояние. 4. Удар-я ионизация атомов и образование пространственного заряда в. ое люминофора. 5.. Захват свободных носителей ловушками границы здела люминофор-диэлектрик. •.. ■

Процессы излучения при электролюминесценции являются апатичными излучению при фото- а катодолюминесценции и представится достаточно изученными. Эффекты генерации носителей и збуждения центров свечения, которые являются взаимосвязанными определяют эффективность преобразования энергии в люминофоре, таются менее изученными.

Проведенный анализ, основных результатов.исследований элект-нных процессов, протекающих в .тонкопленочных электролюкинес-нтных структурах, показал, что многие физические аспекты рабо-электролюминесцентных излучателей достаточно выяснены к нас-ящецу времени.. Изучены 'факторы, влияющие: на характеристики . иборов, и причины различия характеристик структур разных ти-в. Установлены основные-процессы, определяющие генерацию и ус-реше свободных носителей, возбуждение центров свечения и из-чениэ. Выявлены механизмы этих процессов и взаимосвязь между ми. Проблема физического рассмотрения и математического описа-я работы тонкопленочных излучателей в основном решается путем пользования эмпирических зависимостей между управляющими воз-Йствиями и выходными характеристиками, общего анализа -фувда-ктальных уравнений основных процессов, применения приближен-х: решений для частных случаев и детального описания отдельных лений. .■■■■■■■■

/ Вместе с.тем до/ста пор отсутствует достаточко,-полная фи- ' ческая модель, позволяющая проводить математическое описание ■ новных приборных характеристик тонкопленочных олектролшинес-нтных излучателей,, как элементов электрической, цепи, показать

взаимосвязь входных воздействий и выхода излучения, оценить эффективность преобразования, электрической энергии в световое излучение, определить влияние параметров материала и внешних воздействий на характеристики приборов.

В связи с этим являются актуальными исследования электронных 'процессов в тонкопленочных электролюшнесдантных структурах и изучение физических закономерностей, определяющих зарядовую поляризацию, токопереное и преобразование электрической энергии в световое излучение в пленках люминофоров.

■Вторая глава. Изтодикс получения и исследование свойств

планок и тонкопленочных структур.

Дяя экспериментальных исследований и анализа теоретической' КОД8ЛИ электронных процессов в тошолленочных электролюАишесцзш ных структурах проведано изучение зависимости характеристик образцов -от технологии получения и свойств тонких пленок, методики измерения и расчета параметров электролшинесцеотных конденсаторов, общих электрофизических и олзктросптических свойств излучателей. Проведете® исследования позволили отделить общие аанокоизркости протекания физических явлений в научаемых объекте от частных особенностей,'обусловленных индивидуальностью лрше-няешх материалов, ретааойа- получения тонких слоев, кзтодаьз измерения и определения колцчосгвекнык характеристик. На-основа .■полученных результатов в далыюйзом пррузводияось уточнение .оро-реткчзских представлений, количественные' раечзш н разработка катодов экспэрашнгажышх исслздовадай эяоюгрошшх процессов в токкоплоночшх эяоктрояшкнзсцзнгща: структурах.

Для оксиор*.шэнтадьных исследований свойств охекгролзсстиас-цзнтнах, конденсаторов проводились иаиареная 4>кок?роонтичзеких'-и электрически:: характерасхих. Оснбвшка. .характарусУшееш являлись вольт-яркостш.1е9 прэдставадв^ю собой здвиошюсть яркости 02 напряжения. Вообуздоке.элекгролтадазеиаицаи производилось перг-иенным икцульенш, синусоидальным и яанзЮ»*вагй1кщаися напряженней. Для' определзкия рассвиваецрй .ыогзюсти. и расчота светоотдачи излучателай проводились -измерения '»ольу-оаряяовги характеристик, т.е. аавпсииостп еаряда кондзагатора от .папрлгзшя.

Изучение кинетических характеристик проводилось путем измерения зависимостей яркости и тока от времени (волн яркости и тока). Кроме того проводились измерения сопротивления, емкости, тангенса угла диэлектрических потерь и других электрических параметров структур. Для измерений использовались как стандартные измерительные приборы, так и разработанные измерительные устройства. Использованная аппаратура и методика измерений рекомендована для-произсодственного контроля качества тонхопленочных структур.

Впервые проведены исследования электрических свойств тошигх пленок твердых растворов оксидов циркония и иттрия, полученных электронно-лучевым испарением. Установлено, что диэлектрические слои обладали высокими изолирующими свойствами. Определены значения основных электрических параметров: диэлектрическая проницаемость 164-19, удельное сопротивление Ю^-:- 10 Оц'см, электрическая прочность (4^-5)'10° В/см. Установлены основные закономерности электропроводности тонких пленок. Проведенные исследования токазали хорояую воспроизводимость и стабильность свойств пленок свердкх: растворов оксидов циркония и иттрия.

Проведены исследования электрических свойств тонких пленок ¡ульфида цинка, полученных термическим л электронно-лучевш искреннем, Определены значения основных электрически* параметров: деэяектрячо.ская проницаемость в,5, электрическая прочность (14-3)" .0 В/см. Обиарукено, что тонкие пленки сультида цинка являлись !Ксо::оомнкми (у.деяыюэ, сопротивление от 2*10® до З'Ю*® Ом'см)-1 имолц малое значение плотности -электрически активных глубоких юнтров <2' 10*.-см"*^. Установлено, что электрические свойства пяоиок сульфида цинка, легированных марганцем или фторидом «здкозекэльнопо металла, но зависели от типа активатора.

, -'Йрореденн исследования 'электрооптических свойств тоняопле-очных электролюминесиентных структур на основе сульфида цинка, егированного марганцем.■• Полученные значения основных параметров оотвзтствуат лучаим; результатам отечественных и зарубежные; ссладонатеяей: яркость до 2'104 Кд/м2, светоотдача 3,5 ям/Вт, ороговое напряжение до 40-60 В.

Исследования электрсоптических характеристик элёктролюми-эсдантных конденсаторов с различными конструктивными и техноло-ччесниии свойства;® позволили обнаружить общие закономерности

физических процессов в тонкопленочных излучателях и отличия, обусловленные конструкторско-технологическими особенностями. Изучение влияния условий формирования слоев люминофора на характеристики тонкопленочных излучателей показало, что наибольшей яркостью и светоотдачей обладали электролюминесдантные конденсаторы, пленки сульфида цирка в которых были получены термическим испарением в квазизамкнутом объеме. Наибольшую однородность и воспроизводимость свойств имели тонкопленочные структуры с пленками люминофоров, полученными электронно-лучевым испарением. Излучатели, в которых слой люминофора отделен диэлектриками от обоих электродов обладали наиболее высокими значениями функциональных параметров, структуры с одним диэлектрическим слоем имели меньшие значения порогового напряжения, яркости, светоотдачи и были менее стабильными. Выполненные исследования дали возможность разработать оптимальные режимы получения тоннопленочных излучателей с воспроизводимыми параметрами и высокой стабильностью.

Исследованы электрооптические свойства тонкопленочных электролюминесцентных структур с различными цветами свечения. ' Для получения излучателей:зеленого цвета свечения использовались слои сульфида цинка, легированного фторидом тербия; красного -фторидом самария; синего - фторидом тулия. Вольт-яркостные и другие характеристики светоиздучающих структур имели подобный вид, что свидетельствовало об общих физических закономерностях основных процессов в пленках различных-люминофоров. Определены значения здектроодтических параметров электролщинесцентшх конденсаторов: яркость и светоотдача излучателей зеленого, красного - и синего цвета составляли 2,5'ХО3 Кд/м2 и 0,25 Лм/Вт, 6,5Ч02 КдДг и 0,1 лм/Вт, 12 Кд/м2 и 0,003 лм/Вт, соответственно. Полученные значения свидетельствуют о перспективности использования , в индикаторных:устройствах Данных люминофоров, за исключением сульфида цинка, легированного фторидом тулия.

Результаты исследований были использованы на Ульяновском ... радиоламповом заводе, при разработке конструкций и. технологии изготовления тонкопленочных электролюшнесцентных индикаторных устройств. В ходе совместных научно-исследовательских работ на производственном оборудовании завода были изготовлены действующие макетные образцы тонкопленочных •электролшинесаентных индикаторов. • ...

Результаты исследований, изложенные в данной главе, были опубликованы в работах /1-4, 10, 12, 23-26, 29/.

Третья глава. Релаксационные процессы в тонкопленочных

электролюмннесценгннх структурах.

К основный электронным процессам, определяющим работу тон-' {опленочных злектролгаиинесцентных структур относятся процессы • ><$разования свободных носителей заряда в пленке люминофора. Пос-:ольку слой люминофора изолирован от электродов пленками ди-'лектриков, перемещение в электрическом поле свободных носителей ерез люминесцентную пленку приводит к образованию шяяризацион-ого заряда. Процесс изменения поляризационного заряда обуслав-ивает изменение электрического поля и тока в слоях тонкопленоч-ого излучателя. Взаимосвязь этих явлений и кинетика их протека-ия остается недостаточно изученными. С целью определения осков-•лс закономерностей, связывающих внешнее напряжение и конструк-явно~технологические параметры структур с изменением электр«-?ских -параметров тонкопленочных излучателей были проведены чередования распределения электрического поля в структуре к мэ-шизма изменения поляризационного заряда и получены со.отноше-ш, взаимосвязывающие'эти явления и позволяющие проводить анэ-:з и количественное описание кинетики релаксационных процессов и висииости основных электрических характеристик электролюминес-нтных конденсаторов от внешних условий и свойств тонкопленоч-х структур. :

■ Анализ распределения электрического поля, в слоях высокоомно-"люминофора .и диэлектриков тонкопленочной структуры, проведен-й на основе, решения уравнений Раусса^-Остроградского, показал, з вследствие низкой плотности свободных носителей в -люминес-гакых и диэлектрических пленках величины напрягенностей элект-геского. поля а слоях &яоктролюминесцентного конденсатора опре-!яится значе'нвдмя приложенного напряжения и поляризационного еда.■Получены аналитические выражения для напряженности элект-еского поля в пленках якшнофорэ л диэлектрика для различных локтрйческих материалов.- Показано, что поляризационный заряд «чиной 1-10 ккКл/см^ э тонкопленочных электролюминесцентных" уктурах обуславливается зарядом состояний границ раздела

то р

лшинофор-диэлектрик плотностью 10 см , что характерно для кваэиизолированной поверхности полупроводника. С помощью решения уравнения Цуассона для исследованных слоев люминофора показано, что вклад пространственного заряда, связанного с на-^ личием глубоких объемных центров захвата носителей, не превышает 345% величины.поляризационного заряда. " /

Проведен анализ механизма изменения поляризационного заряда в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах и показано, что процессы поляризации объясняются перезарядкой состояний границы раздела люминофор-диэлектрик путем туннелирования электронов 153 поверхностных ловушек в зону проводимости люминофора сквозь сужающийся' в электрическом поле потенциальный барьер. Получено уравнение, определяющее кинетику перезарядки граничных ловушек с учетом внешнего воздействия и двойств материалов люминофора, диэлектрика и границы раздела. Определены значения параметров,.характеризующих скорость'эмиссии носитёлей» расчетные значения соответствуют экспериментальным данным..Ус- . тановлено, что в процессах.перезарядки могут участвовать поверхностные состояния, энергетические уровни.■ которых располо-кены на глубине от 0,3 до 0,8 эВ нине'дна зоны проводимости ., люминофора. , . "■'■■.'

Проведены исследования основных закономерностей процессов релаксации поляризационного заряда при возбуждении'электролюминесценции импульсным напряжением. Получены решения уравнения кинетики перезарядки поверхностных ловушек:для различных -условий возбуждения .и.свойств границы раздела..-'люминофор-диэлектрик, установлены аналитические и численные зависимости поляризационного заряда от прияоаэнного напрякения и времени с учетом. ч свойств материалов и .конструкции:излучателя. 'Кинетика .изменения поляризационного заряда обуславливает' кинетику, изменения электрических полей и токов в плешсах лю.\йшофора и диэлектриков. Полученные на основании -разработанной модели релаксационных 'процессов, в тошопленочшх■<эяектролашнесцевтшк структурах аналитические '-соотношения для1 зависимости поляризационного заряда, напряженности' электрического, поля .и плодаюста тока проводимости в люминесцентном слое', выражаются следующим образом:

где 9 + елх> —^^^- ; т = —-г5— ; т

постоянная времени релаксации; V - напряжение; £ - диэлектрическая проницаемость люминофора; е и т* - заряд и эффективная масса электрона; - глубина залегания уров-

ней поверхностных ловушек ниже дна зоны проводимости полупроводника; ■¥)" - постоянная Планка; Оо - поляризационный заряд в начальный момент времени; С~ (С£ ~ полная

емкость электролюшнесцентного'ковденсатора; £ и Сз> емкости слоев-люминофора и диэлектрика, соответственно'. Резкая • зависимость времени релаксации от напряженности электрического поля в люминофоре объясняет пороговый характер зависимости электронных процессов в тонкопленочных электролюминесцентных структурах от внешнего напряжения. Показано, что амплитуда, длительность и скважность импульсов возбуждающего напряжения эпределяют величину-заряда, Проходящего через люминофор, и скорость его изменения. Экспериментальные исследования.релаксационных процессов проводились при помощи измерения тока, протекаю-цего через электролюминесцентную структуру. Провбденные исследования показали достаточно хорошее соответствие результатов экспериментов теоретическим расчетам.

В результате анализа релаксационных- процессов в тонкопле-отчннх электролюминесйентных структурах с одним и двумя диэлектрические слоями, выявлено, подобие кинетических и полевых зависимостей. :Показано, что общие закономерности, протекания электронных процессов-определяются влиянием зарядовой-поляризации,' збуслозз ленной "свойствами", границ раздела люминофора с диэлектриком и'металлом.и общим .механизмом возникновения свободных носи- • гелей заряда. Получены аналитические, соотношения для зависимос-ри поляризационного заряда в ¿$1ш-структурах от напряжения и зрекени.

.Исследования влияния свойств диэлектрика.на релаксационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах погасали, что. для увеличения значения. заряда» переносимого через . гоминофор, и плотности тока проводимости в. люминофоре необходи-50.использовать диэлектрические.:материалы с высокой• диэлектри-геекой проницаемостью. В результате проведенных.расчетов на

основе экспериментальных данных установлено, что влияние тока утечки в диэлектрике проявляется при использовании диэлектрических материалов с удельным сопротивлением 4 10® Ом-см. Проведенные исследования позволили определить рекомендации по еы-бору материалов и расчетам конструкций электролюминесцентных конденсаторов.

Результаты исследований, изложенные■в данной главе, были опубликованы в работах /I, 5-9, И; 13-22, 2?, 31/.

Четвертая глава. Переходные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах при возбуждении переменным напряжением. .

Для изучения кинетики протекания электрических явлений в тонкопленочных электролюминесцентных структурах проведены исследования переходных, электрических процессов в светоизлучащих конденсаторах при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением, изменяющимся по заданному закону, в частности, синусоидальным и яинейно-изменящкмся. Исследование характеристик структур г1рн воздействии переменного напряжения позволило провести сравнение скоростей протекания электрических и элект- ' рооптическкх процессов в различных условиях, изучить динамику физических явлений, исследовать поведение --электролюминесцентного конденсатора как элемента электрической цепи, что необходимо для разработки режимов возбуждения и схем управления индикаторными устройствами.

В результате проведения теоретических и экспериментальных , исследований переходных процессов в тонхопяеночных структурах . при возбуждении электролюминесценции переменный напряжением обнаружено, что для высоких напряженностей электрического поля в люминофоре наблюдается.квазистационарный реким самоэкранирования внешнего напряжеге1я. Проведен теоретический анализ квазк-стационарных режимов протекания электронных процессов в многослойных структурах и показано, что процесс самозкраниросавкя \ определяется изменением поляризационного заряда путем туннельной перезарядки ловушек границы раздела ;лшинофор~диэлектрик, ккнз-. тика токопереноса ь люминофоре обуславливается скоростью

гзменения внешнего напряжения.

На основе разработанной модели переходных процессов в тон-:опленочных злектролюминесцентных излучателях при возбуждении временным напряжением получены следующие соотношения для полого тока и тока проводимости в слое люминофора:'

л с/г И С с!

де - падение напряжения в слое люминофора. Показано, что

начеккя тока и заряда, переносимого через люминофор, определятся величинами емкостей диэлектрика и люминофира и скоростью зменения напряжения. Определены выражения для плотности тока ри возбуждении электролюминесценции линейно-изменяющимся и си-усоидальным напряжением. Сравнение теоретических и эксперимен-альных кинетических характеристик позволило установить общие акономерности токопереноса и особенности, обусловленные свойст-ами люминофора и диэлектрика. ' . '

В результате проведения экспериментальных исследований яектроннкх процессов в тонкопленочных структурах при возбувдении лектролюминеспенции линейно-изменяющимся и синусоидальным нап~ рением обнарунено, что плотность тока проводимости'в режиме злучения составляет 5$-10 мА/см*", величина переносимого через оминофор заряда 14-10 мхКл/см*\ С помощью теоретических расчетов ¡экспериментальных измерений установлена пороговая напряженность тантрического поля в люминофоре - В/ем и определено

эпротивление люминесцентного слоя для режима "излучения - 10^+10^ 1. Исследования многослойных структур различных конструкций жазало различие свойств границ раздела люминофора с диэлектри-¡скини- и проводящими слоями злектролюминесцёнтных конденсаторов, ¡лученные результаты могут быть использованы при разработке ре-ков возбуждения электролюминесценции в тонкопленочных излуча-

!лях. * ■

На основе результатов теоретических и экспериментальных ис-[едований электронных процессов при различных формах возбуждаю-¡го напряжения разработана электрическая модель тонкопленочного :ектрол!аминесценгного конденсатора. Эквивалентная электрическая :ема замещения с сосредоточенными параметрами содержит элементы, итывающие свойства всех слоев структуры,- отражает основные

особенности протекания электронных процессов, позволяет имитировать основные закономерности изменения заряда, поля и тока в различных пленках структуры при разных условиях измерения.' Проведено сравнение электрических свойств электролюминесцентных излучателей и эквивалентной схемы замещения с помощьй измерения вольт-зарядовых характеристик и волн тока. Полученные результа-- ты свидетельствуют о полной адекватности электрической модели реальной тонкопленочной структуре. Эквивалентная схема'может был использована для исследования свойств и испытания тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, а также для разработки ■ режимов возбуждения и схем управления индикаторными устройствами.

Результаты исследований, излоненные в данной главе, были опубликованы в работах /5, 7, 29, 33, 36, 37, 40/.

Пятая глава. Рассеяние энергии в-тонкопленочных электролюманесцентных структурах.

С целью изучения процессов преобразования электрической энергии в световое излучение для явлений олоктролюминесценции в •тонхопленочных структурах и повышения Цфоктивности работы све-.тоизлучающих приборов проведены исследования процессов рассеяния энергии электрического поля-в электролюминесцентных конденсато-. pax. Были проведены теоретические'и-экспериментальные исследования рассеяния электрической энергии в лхшнесцентном слое, кпко-. тики этих процессов и их. заьисидастй от свойств многослойных • " структур и условий возбуждения электролюминесценции.

В результате -теоретического анализа динамики электронных-процессов с учетом поляризационных явлений ь планке люминофора тонкопленочных структур при воэбуадеиия ояектроявукИесцаншш пм-' пульсным напряжением получены аналитические выралсения для шалости электрического тока и энергии, рассеиваемой п. ламщюсиентно:,: слое в течение-импульса и за период при-возбуздония анакоперз-;.' меннкми импульсами. Покааана зависимость энергетических характеристик от конструктивных параметров излучателей» параметров границу раздела люминофор-диэлектрик и условий возбуждения.':

Исследованы основные закономерности процессов рассеяния энергии в тонкопленочных структурах при возбувдении эяэктролго-минесиеннии переменным линейно-изменяющимся напряжением. Установ-

лена зависимость рассеиваемой в люминофоре мощности от формы возбуждающего,напряжения и конструкции излучателя- В результате проведенных расчетов показано, что для квазистационарного режима сймоэкранирования в слое люминофора тонкопленочной структуры величина .выделяемой энергии электрического тока не зависит от форт.! напряжения, а определяется- его амплитудой, свойствами материалов и конструкцией электролюминесцентного конденсатора. Величина рассеиваемой энергии в люминесцентном слое за период изменения внешнего напряжения выражается следующим соотношени-

.'.йь где - амплитудное ¡значение напряжения, Уг - пороговое

напряжение.

При проведении экспериментальных исследований процессов рассеяния энергии в япишесцентном слое .тонкопленочных структур измерялись вольт-зарядовые характеристики конденсаторов при возбуждении электролюминесценции переменным напряжение!... Экспериментальные результаты изучения энергетических 'характеристик соответствуют данным теоретического анализа квазистапионарного режима сакоэкранирования. Обнаружено, что величина рзссеиваекой мощности достигала значений «ЗОгбО'мВт/мм^. Установлены значения пороговой напряженности электрического поля в люминофоре (7*8)" 10° В/см. Обнаружены общие закономерности и,различия процессов эзесеаиия акергии в пленках жквшофора для ояектролвкинескент-•айс конденсаторов различных конструкций.

Приодену теоретический анализ и' экспериментальные иссле-. ховакот процессов $аееея1гля тепла в тонкопленочшх электролюми-гз'сЦ2!щт излучателях. Анализ тепловых потоков в тонкопленочной ¡труктурэ позволил разработать тепловую модель злектролюминес-гептного конденсатора, произведен расчет элементов тепловой схе-м.с учэто.ч провесов теплового обмена с окружающей средой. По- -:азако, что .подзлязг'зя'з пязгсее люминофора тепловая энергия асссивсвтся-.а основном изрзз егекяяяяуа подложку и разогрев ■онкопяекочггоа структуры не прзЕюает .10*15 К. Установлено, что з~~:пкз сгплозого сзпротпвгзшя элзптролзмкнеспзнтного ковден-агора'состапляэг -гСО-;-£30'К/3 и тепловая постоянная 150*200 с.

Ероведзи янхтаэ нэрзг;та:-зспроиэесов рассеяния тепла £3 •сооЙуудепк! 'элзктрапюминэсценции в токкоплзночных

структурах. Показано, что при, кратковременном возбуждении нагрева пленки люминофора и подложки практически не происходит, при длительности импульса возбуждающего напряжения I мс толщина нагретого слоя составляет около 50 мкм и разогрев люминофора не превышал. I К. .

Результаты исследований, изложенные в данной глаЕв, были опубликованы в.работах /27,.30-34, 39/.

t Шестая глава. Возбуждение центров свечения в пленке .

люминофора в тонкопленочных структурах.

Для изучения преобразования электрической энергии в световое излучение в тонкопленочных. источниках света проведены исследования процессов взаимодействия свободных носителей заряда с активаторными центрами свечения в люминесцентной пленке многослойных структур. Теоретически и экспериментально исследованы . механизм взаимодействия и процессы возбуадения активаторов в -пленке люминофора, определены параметры люминоф9ров, проведен, анализ оптимальных условий для разработки и применения тонкопле-' ночных электролшинесиентных конденсаторов.

Проведен■теоретический анализ кинетики процессов возбунде- . ния центров свечения-в пленке люминофора электролюминесцентнь-х структур. На основе модели ударного возбувдения,-активаторных ^ \ центров ускоренными электронами установлена зависимость волн яркости излучателя от кинетики тока проводимости .в'люминесцентном слое. Предложен метод определения параметров люминофора.из . экспериментальных исследований волн тока и яркости электролюми-' несиентньос конденсаторов. Определены значения постоянных времени спада яркости излучения для тонкопленочных структур с различными цинк-сульфидными люминофорами (1,3 ыс для Z"S -Mn ; 0,64 мс для ZnS -TbF^ ; 0,27 мс для ^^ -SmF^ ; 0,055 мс для

ZnS'-TmFs ).

Доведен теоретический анализ эффективности возбуждения электролюминесценции в тонкопленочныхструктурах переменным напряжением. Показано, что для квазистаиионарного режима протекания электронных процессов в пленке люминофора увеличение средней яркости излучения приводит к уменьшению светоотдачи вследствие того, что с ростом яркости происходит уменьшение плотности неьоз-бужденных центров свечения и увеличение скорости безызлучатель-нкх переходов центров п основное состояние. Анализ процессов , взаимодействия ускоренных электронов с активаторными центрами в люшнссцентном слое тонкопленочного излучателя позволил получить

тедующее соотношение, для зависимости светоотдачи от средней яр->сти излучения:

у = -8/в0),

(е. и &0 - параметры, рассчитываемые с учетом влияния

яанизмов взаимодействия электронов и активаторов и конструк-фско-технологических факторов., Экспериментально определенные :личина коэффициентов светоотдачи электролюкинес. ентных конденсоров с различным иинк-сульфидными люминофорами достигали ачений 3,5 лм/Вт для 2,п& '■ Мп ; 0,25 лм/Вт для ТЬР3

I лм/Вт для 2л$:&гг> Л, и 0,003 лм/Вт для Zn$^■TmГ;2.

Результаты проведенных экспериментальных исследований элект-ческих и оптических характеристик тонкопленочных электролюми-сиентных структур на основе сульфида цинка подтвердили данные еретического анализа. Обнаружены общие закономерности элект-нных процессов в электролюминесцентных конденсаторах с различии люминофорами, что свидетельствует об общей физической при-де явлений. Выявленные различия обусловлены разной активностью имесных центров свечения. Для структур на основе сульфида цин-с диэлектрическими слоями оксида иирхония-иттрия рассчитаны ачения критического угла полного внутреннего отражения (24°37') коэффициента"оптического выхода излучения (0,168). С помощью зпериментальных измерений волн яркости и светоотдачи определе-сечения ударного возбуждения активаторов в пленках сульфида даз: 3,5*10"*® см^ для марганца; 2'10~*6 см^ для фторида тер-и 7*10""*® см^ для фторида самария; 6*Ю~*^ для фторида шя, Полученные результаты могут быть использованы при выборе сериала и разработке технологии получения тонкопленочных элект-шминеспентных излучателей. -

Результаты исследований, изложенные в данной главе, были 'бликованы -в работах /4, 19 , 23, 24, 28 , 33-35, 38/.

.. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Главным итогом диссертационной работы является решение чной проблемы разработки теории электронных процессов в тон-леночных электролюминесиентных структурах, основывающейся на енк'ях зарядовой поляризации, токопереноса и преобразования

энергии электрического поля в световое излучение, обусловленных туннельной перезарядкой границы раздела люминофор-диэлектрик,и ударного возбуждения активаторных центров в пленке люминофора.

Основные результаты и выводы.работы сводятся к следующему:

1. На основе физической модели неравновесных электронных процессов на к^азиизояированной поверхности еысокоомного широкозонного полупроводника в тонкопленочных йлектролюыинесцентных структурах, обуславливающей изменение поля и ток в пленках люминофора и диэлектрика изменением поляризационного заряда вследствие туннельной перезарядки состояний границы раздела люминофор-диэлектрик, разработана математическая модель кинетики релаксац! поляризационного заряда, поля и тока с-учетом влияния свойств л:-минофора и диэлектрика. Получаны аналитические и эксперкмантаяь-ные зависимости характеристик от времени, напряжения, конструк-тинно-технологичасккх параметров и условий возбуждения.

2. На основе анализа квазистаиионарного режима саыоэкрани-роьания люминофора е тонкопленочных структурах при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением разработана новая математическая.модель активного к полного тока в пленках люмино-

. фора и диэлектрика. Проведенное сравнение теоретических и экспериментальных характеристик позволило енделйть общие- закономерное ти токопереноса и ряд особенностей, обусловленных свойствами люминофора и диэлектрика, определить пороговую напряженность электрического поля и сопротивление люминофора в электролюкинэс-иентном конденсаторе. .

3. В результате исследования токопереноса в электролюминес-центнкх структурах разработана электрическая эквивалентная схемг: замещения тонк¿пленочного излучателя, обоснован выбор ее элементов. 'Проведенные экспериментальные исследования характеристик • эквивалентной схемы подтвердили ее адекватность реальному физическому объекту. Электрическая эквивалентная схема излучателя позволяет имитировать тонкопленочные структуры с разлищшш свойстпами, что необходимо для исследования и испытания злектро-люминесиентных конденсаторов и разработки схем и режимов управления.

4. На осноье анализа физической модели электронных-процессов впервые разработана математическая модель динамики рассеяния энергии электрического поля в пленках люминофора токкопле-

ючньос электролюминесцентных структур для раз'личшос форм возбу.тс-1Эющего напряжения, позволяющая выделить особенности процессов ^¡деления энергии и их зависимость от свойств тонкопленочнкх !труктур. .

5. Впервые проведенный анализ и расчет тепловой модели тон-опленочной Злектролпминесиентной структуры показал высокую эф-йктиенооть рассеяния тепла в установившемся и импульсном режи-:е. Оценка разогрева излучателя в рабочих ренинах показала, что оензводе- температуры за счет рассеяния электрической мощности езнэчительио и не мопгет привести к деградации электролюминес-ентного прибора.

6. На основе анализа кинетики ударного возбуждения центров вечения в слое люминофора предложены и обоснованы способы опре-еленил параметров активаторов в пленке люминофора из кинети-еских зависимостей яркости и тока в тонкопленочных структурах.

з результатов экспериментальных данных определены значения араметров, характеризующих свойства марганца и фторидов редко-емзльных металлов в сульфиде цинка.

•7. В результате теоретического и экспериментального кссле-овання ктшетики возбуждения переменным напряжением впервые эздано математическое списание зависимости светоотдачи от срэд-зй яркости излучения тонкоплзночного электролюминесцэнтного злучателя. ^тематическая модель позволила охарактеризовать авпснмость яркости излучения и эффективности преобразования лект-ричоской энергии в световую от условий возбуждения электро-смлнесцэкции, свойств материалов и параметров конденсатора.

8. На оспоге теоретических и экспериментальных исследова-электронных процессов в топкоплекочных электролюминесцент-« структурах определены рекомендации для выбора материалов, зпструккнй и технологии изготовления излучателей, выбора рези-з возбуждения электролюминесценция и создания схем управления . '.дпкатор'.'гл*:! устройствами, обеспечивающих надежность работы заборов и изсонуо эффективность-преобразования электрической :ергин в световое излучение. Результаты работы использованы 1 предприятиях, пзготавяивапцих индикаторы, и в научно-иссле-щатаяьскгк учседдспнях, разрабатывающих средства отображения

Основные положения диссертации отражены в следующих '

публикациях: •

1. Пленки оксидов редкоземельных элементов, в ВДМ- и ЫДП-струк-турах /О.С.Вдовин, З.И.Кирьяшкина, В.Н.Котелков, В.В.Новичков, В.А.Рожков, Ы. К.Самохвалов, А.М.Свердлова.- Саратов.: Изд. СГУ, 1983.- 160 с. '

2. Кирьяшкина З.И., Новичков В.В., Самохвалов М.К., Свердлова A.M. Использование пленок окислов редкоземельных элементов в ¿¡ЩП-структурах // Тезисы докл. Всесоюзн.конф. по.физике и химии редкоземельных полупроводников. Л.; Изд.ЛИЯФ, 1976.-С.45.

3. Кирьяшкина З.И., Самохвалов М.К., Митин В.И,, Свердлова A.M. Влияние различных воздействий на свойства ЬЩП-структур с окислами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика // Тезисы докл. 2-й Всесоюзн. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. Л.; Изд. ЛИЯФ, 1979.-.С.108..

4. Бригаднов И.Ю., Турин Н.Т., Рябинов^Е.Б., Самохвалов М.К.

, Соединения редкоземельных металлов в тонкоплеНочных электролюминесцентных индикаторах // Тезисы докл. 5-й Всесоюзн.конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. Саратов, изд.СГУ, 1990— С.93. ■ .. _

5. Кирьяшкина З.й., Свердлова A.iti., Самохвалов М.К. Переходные процессы е ЩП-структурах на арсениде галлия // Тезисы докл. 4-го Всесоюзн.совещания по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Киев, изд.Наукова думка, 1977,- C.I8-I9.

6. Самохвалов М.К. Релаксационные процессы на квазиизолированной . поверхности полупроводников !) Тезисы докл. 8-го Всесоюзн. совещания по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Киев; Наукова думка, 1984.- С,78.

7. Самохвалов М.К. Процессы эмиссии электронов ловушками границы раздела арсенвд галлия-диэлектрик // Физика и техника полупро-ьодкикое, 1978, т. 12, ii : II.-C.2085-209I.

8. Самохвалов М.К., Липатов. A.D. Моделирование релаксационных \ процессов е тонкопленочных электролюминесцентных, излучателях // Конструктивно-технологическое обеспечение качества микро- и радиоэлектронной аппаратуры при проектировании и в проиэвод-

- стве.-Тезисы докл.Всесоюзн.конф., Ижевск, Изд.УдГУ, 1988.-С. 145-146.

9. Свердлова A.M., Самохвалов U.K. Исследование влияния освещения на переходные процессы в 4ЦП-структурах на арсениде галлия // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника,- Сб.научн.трудов. Саратов, изд.СГУ, 1981.- C.6-I2.

Ю.Митин В.И., Самохвалов Ы.К., Свердлова A.M. Стабильность параметров границы раздела кремний-ОРЗЭ // Получение и свойства тонких пленок.- Сб.научн.трудов. Киев, изд. ШИ АН УССР, 1981.- С.27-30.

11.Самохвалов М.К. Электрофизические свойства анодного окисла фосфида индия // Получение и свойства тонких пленок.- Сб.. научн.трудов. Киев, изд. ИГы АН УССР, 1982.- С.49-52.

12.Кирьяшкина З.И., Самохвалов М.К., Свердлова A.M. Влияние технологических Факторов на свойства границы раздела кремний окисел редкоземельного элемента // Получение и свойства тонких пленок,- Сб.научн.трудов. Киев, изд.Наукова думка, 1982.-С.16-19.

[З.Буц Э.В.,• Возмилова Л.Н., штин В.И., Самохвалов U.K.,

Свердлова. А.М. Влияние технологических факторов на электрофизические параметры границы раздела ареенид галлия - анодный окисел // Электронная техника. Сер.б. '^¡атериалм, 1962, № 9,-С. 46-49.

[4.Самохвалов М.К. Релаксация заряда в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Деп.ВИЮГГИ 12.5.88 - I&3657-B88. Реф.опубл. в Изв.ВУЗов. Физика. 1986, № I0.-C.I24.

Ъ.Самохвалов М.К. Кинетика поляризации а тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Деп.ВИНИТИ 12.5.88 - № 3656-В86. Реф.опубл. в Изв.ВУЗов. Физика, 1988, № 10.- C.I24.

6.Самохвалов d.K. Зависимость релаксационных процессов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях от свойств диэлектрических пленок // Электронная техника. Сер.6. :«5атериалы. 1989, № I,- С.39-42.

7.Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Поляризационные эффекты в тон- . копленочнкх электролюминесцентных конденсаторах // Тезисы докл. научно-техн.конф.УлПИ. Ульяновск, 1989.- C.II-I2.

8.Самохвалов М.К., РябиноЕ Е.Б. Поверхностные состояния ; электролюминесцентных тонкопленочных структурах // Спектроскопия конденсированных сред.- Тезисы докл. научно-техн.конф. Ульяновск, изд. ©аГУ, 1989.- С.58. .

19.Самохвалов М.К. Релаксационные процессы в тонкопленочных элекч ролюминесцентных аДПЦЙ-структурах // Микроэлектроника, 1992, т.21, Ji 3.-С.53-55.

20.Гурин Н.Т., Рябинов Е.В., Самохвалов М.К. Кинетика релаксационных процессов в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Полимерные органические полупроводники и регистрирующие среды на их основе" - Тезись: докл.Всесоюзн.конф. Киев, изд.КГУ, 1989.- С.66.

21.Самохвалов й.К., Рябинов Е.Б. Переходные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных индикаторах // Деп.ВИНИТИ 12.12.69 - I 7356-В69. Реф.0пуб_л. в Изв.ВУЗов. Физика. 1990, № 3.- С.114. .

22.Рябинов. Е.Б., Самохвалов Й.К. Электронные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях // "Актуальные проблемы электронного приборостроения" - Тезисы докл.Всесоюзн. конф. Новосибирск, изд. НЭИС, 1990.- С.101.

23.Турин Н.Т., Самохвалов М.К., Шабалов И.А., Бригаднов И.Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных ¿¿ДВДй-струк-тур на основе сульфида, цинка // "Низкотемпературные технологически е процессы в электронике" - Тезисы докл.Всесоюзн.сем. Ижевск,. изд.УдГУ, 1990— C.I48.

24.Турин Н.Т., Шабалов И.А., Бригаднов И.Ю., Самохвалов М.К. Электрофизические свойства тонкопяеночшх электролюминесцентных конденсаторов У/ Деп.ЦНИИ "Электроника" К> Р-52бЬ., Реф. опубл. е Электронной технике. Сер.4. Электровакуумные "и газоразрядные приборы. 1990, № I.- C.S6.

25.Бригаднов И.Ю., Жуков В.Н., Рябинов Е.Б.', Самохвалов й.К. Диэлектрические свойства пленок оксида циркония-иттрия //

. "Научно-технический прогресс и инженерное образование" -Тезисы докл.научно-техн.конф. УлШ. Ульяновск, 1990.-С.5-6.

' 26.Бригаднов И.Ю., Жуков В.Н., Рябинов Е.Б., Самохвалов Л.К. Диэлектрические свойства пленок оксида циркония-иттрия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990, if 9.-С.77-76.

27.Самохвалов U.K. Релаксация электрического поля и заряда е тонкоплекочных электролюминесцентных структурах // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. ISS0, № 3.-C.2I-25.

28. Самохвалов M.K. Эффективность электролюминесценции в тонкопленочных структурах при возбуждении переменным напряжением // Электронная- техника. Сэр.2. Полупроводниковые приборы. J990, # 3.- С.Ьб-89.

29. Бригаднов И.Ю., Жуков В.Н., Рябинов Е.Б., Самохвалов Ы.К. Влияние- диэлектрических слоев на электрооптические свойства тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // ' "Цути развития электронных средств и задачи высшей школы

в подготовке специалистов соответствующей квалификации".-Тезисы докл. Всес.нонф. Ульяновск, I99I.-C.I2.

30. Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Преобразование энергии 'в тонкопленочных электролюкинеспентннх конденсаторах //' Тезисы доял. Всесоюзн.конф. по электролюминесценции. Ангарск,-изд. АТИ, 1991.- С.55.

31. Рябинов Е.Б.,'Самохвалов М.К. Релаксация заряда и тока з тонкопленочных электролвминесыентных конденсаторах // Деп. ЦНИИ "Электроника" 27.3.91 3 Р-5429, Реф.опубл. в Электронной технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1991.

я> I.- С.42.

32. Рябинов Е.Б., Самохвалов Ы.'К. Выход электролюминесценции в различных условиях возбуждения толкопленочных яондейса-торов // Нурнэл прикладной спектроскопии. 1992, т.56,

JJ 5-6, -С.851-853.

33. Са-мохвалов М.К., Рябинов Е.Б. Рассеяние энергии в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Журнал прикладной спектроскопии. 1993," т.58, $5-6. с.495-499.

34. Бригаднов И.Ю., Самохвалов U.K., Влияние условий получения сульфида цинка на характеристики тонкопленочгадс злект-. ролкмлшэсшнтаих конденсаторов,- Лазерная техника"« опто-электроника, 1993, 1-2, 'C.<iS-50.

35. Самохвалов -М.К., Эизевский. А.И., Бригаднов И.О., Светоотдача тонкопленочншс элзктройюмкнесцентных конденсаторов на основе сульфида цинка.- Тезисы докл. 27-й научно-, техн.конф. УлПИ, чЛ, Ульяновск, изд. УлШ, 1993.-C.34-3S. ...

36. Самохвалов jsI.K., Андреев А.Ю., Гуськов С.А., Электрическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентных конден-

~ саторов.- Тезисы докл. 27-й научно-техн. коаф. УлПИ, чЛ, Ульяновск, изд.УлПИ, 19ЙЗ.- С.37-36.

37. Самохвалов id.К., Эквивалентная электрическая схема тонкопленочных электролюшяёсиентных излучателей.- Письма в

1993, т.19, №9.- С. 14-16. ' '

38. Самохвалов ¿1.К. .Контроль параметров люминесцентных слоев с помощью измерений яркости тонкопленочных излучателей.-Тезисы докл. 5-й Российской научно-технической конференции "Оптические, радиоьоднозые, тепловые методы и средстьа контроля качестг-а материалов, изделий и окружающей-среды" .Ульяновск, 1993.- С.31. •

39. Самохвалов Ы.К., Исследование рассеяния тепла в тонкопленочных структурах для контроля качества-электролюминесцентных излучателей.- Тезисы докл. 5-й Российской научно-технической конференции "Оптические, радиоволниъте, тепловые методы и' средства контроля качества материалов, изделий и окружающей среды". Ульяновск, 1993.- С.75.'

40. Самохвалоь U.K., Электрическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентнь'х излучателей,- Микроэлектроника, 19У4, 1.23, № I.- С.59-64.

Подписано в печать 25.03.94. Формат 60x84 1/16 Вумага писчая. Печать4 офсетная. Усл.печ.л. 2 Тираж 100. Заказ '

Офсетная лаборатория Ульяновского политехнического .института. 432600, Ульяновск, ул. Энгельса, 3