Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

4.5. Выводы

На основании проведенных исследований спектральных и фотоэлектрических характеристик ТП ЭЛИ на основе 7п8:Мп можно сделать следующие выводы:

1. Полоса с Хщ ~ 610 пш, обнаруженная в спектрах ФЛ и ЭЛ подтверждает наличие в слое люминофора вакансий серы, так как она связана с комплексными центрами, образованными ионами Мп2+ и вакансиями серы.

2. В спектрах электролюминесценции ТП ЭЛИ на основе 2п8:Мп, полученных на различных участках волны яркости, наряду с полосами, характерными для

Л I внутрицентрового излучения ионов Мп , обнаружены полосы с максимумами ~ 530 пш и ~ 655 пш, обусловленные, по-видимому, захватом свободных электронов на глубокие центры, образованные вакансиями серы и V* ■

3. Обнаруженные существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~2.6еУ, ~1.9еУ и ~1.3еУ и плотностью потока фотонов (4-1014-3-1015) шт"2^"1, свидетельствуют о перезарядке

163 в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка и серы К/, , расположенных выше валентной зоны, соответственно, на -1.1 еУ, <1.9 еУ и <1.3 еУ. Концентрация центров оценивается величинами: , V* ~ (3-4>1016 ст"3, У*+ ~ 1.5-1016 сш"3.

4. Предложенная модель образования и изменения объемных зарядов: положительного - в прианодной, за счет ионизации вакансий цинка VI', У~ и серы V* и отрицательного - в прикатодной областях, за счет захвата электронов на вакансии серы К/, в процессе работы ТП ЭЛИ, позволяет качественно объяснить экспериментальные результат по влиянию фотовозбуждения на зависимости тока, протекающего через люминофор, от времени.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, на основании полученных результатов выполненных в диссертационной работе теоретических и экспериментальных исследований влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ЕпБгМп можно сформулировать следующие основные выводы:

1. Обнаружена возможность существования, определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на ВАХ слоя люминофора 8- и Ы-типов в одних и тех же образцах ТП ЭЛИ на основе сульфида цинка, легированного марганцем и предложен механизм образования отрицательного дифференциального сопротивления, основанная на ионизации и перезарядке глубоких центров, которые образуют объемные заряды вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора.

2. На основе экспериментальных исследований кинетики мгновенной яркости свечения ТП ЭЛИ при возбуждении напряжением треугольной формы и решения кинетического уравнения определена аналитическая взаимосвязь мгновенных значений яркости, тока, протекающего через слой люминофора, и мгновенного внутреннего квантового выхода и обнаружено различное поведение зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от времени в области частот выше и ниже ЮНг.

3. На основе исследования кинетики мгновенной яркости и тока, протекающего через слой люминофора, показано, что уменьшение степени зависимости средней яркости свечения ТП ЭЛИ от амплитуды напряжения возбуждения (появление участка насыщения на ВЯХ) обусловлено возникновением объемных зарядов в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора и уменьшением эффективной толщины слоя люминофора.

4. В спектрах электролюминесценции ТП ЭЛИ на основе 2п8:Мп, полученных на различных участках волны яркости обнаружены полосы с максимумами - 530 пш и - 655 пш, обусловленные, по-видимому, захватом свободных электронов на глубокие центры, образованные вакансиями серы и V*.

5. Обнаруженные существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~2.6еУ, ~1.9еУ и ~1.3еУ и плотностью потока фотонов (4-1014-3-1015) шш"2^'1, свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка и серы У*, VI*, расположенных выше валентной зоны, соответственно, на ~1.1 еУ, <1.9 еУ и <1.3 еУ. Концентрация центров оценивается величинами: У*', У* ~ (3-4)-1016ст 3, У52+ ~ 1.5-1016 ст"3, время релаксации центров, обусловленных У22' оценивается величиной - Ь, обусловленных У/ ~30-40з.

6. Предложена модель образования и изменения объемных зарядов в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора, обусловленных глубокими центрами -вакансиями цинка У*", У2'п и серы У*, , в соответствии с которой в активном режиме работы ТП ЭЛИ после превышения порогового напряжения, в зависимости от частоты напряжения возбуждения, в прианодной области слоя люминофора может происходить ионизация глубоких центров, обусловленных у£, Р/, У~п ' с образованием положительного объемного заряда, а в прикатодной области - захват свободных электронов глубокими центрами У*, У^, с нейтрализацией положительного объемного заряда, образовавшегося в предыдущем цикле работы ТП ЭЛИ, и формированием отрицательного объемного заряда.

Возможные направления дальнейших исследований:

1) Уточнение энергетического положения и других параметров глубоких центров в 2п8:Мп.

2) Исследование возможностей повышения эффективности (квантового выхода и светоотдачи) ТП ЭЛИ на основе 2п8:Мп.

3) Исследование возможностей понижения рабочего напряжения ТП ЭЛИ на основе гп8:Мп.

1. Н.А.Власенко. Электролюминесцентные устройства отображения информации. -Киев. Общество "Знание" Украины, 1991, 24с.

2. Электролюминесцентные источники света / под ред. И.К.Верещагина, М.: Энергоатомиздат, 1990, 168с.

3. Н.Т.Гурин. Основы организации и функционирования многоэлементных плоских индикаторов. Учебное пособие. Ульяновск: Изд-во Средневолжского научного центра, 1996. 84с.

4. Лямичев И .Я. Устройства отображении информации с плоскими экранами. М.: Радио и связь, 1983. - 239с.

5. Быстров Ю.А., Литвак И.И., Персианов Г.М. Электронные приборы для отображении информации. М.: Радио и связь, 1985. - 239с.

6. Мах Р. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках // Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение / Под ред. Г.Харбеке. М.: Мир, 1989. - 314с.

7. Турин Н.Т., Соломин Б.А. Перспективные средства отображения информации. -Саратов, изд. СГУ, 1986. 116с.

8. Abu-Dayah A., Kobayashi S., Wager J.F. Internal charge-phosphor field characteristics of alternating-current thin-film electroluminescent devices // Appl.Phys.Lett. 1993, v.62, №7, p.744-746.

9. Abu-Dayah A., Wager J.F., Kobayashi S. Electrical characterization of atomic layer epitaxy ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices subject to various waveforms // J.Appl.Phys. 1993, v.74, № 9, p.5575-5581.

10. Abu-Dayah A., Wager J.F. Aging studies of atomic layer epitaxi ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl.Phys. 1994, v.75, №7, p.3593-3598.

11. Singh V.P., Krishna S. Electric field and conduction current in ac thin-film electroluminescent display devices // J.Appl.Phys. 1991, v.70, № 3, p.1811-1819.

12. Neyts K.A., Corlatan D., De Visschere P. et all. Observation and simulation of spacecharge effects and histeresis in ZnS:Mn as thin-film electroluminescent devices // J.Appl.Phys. 1994. v.75, №10, p.5339-5346.

13. Bringuier.E. Charge transfer in ZnS-type electroluminescence // J.Appl.Phys. 1989, v.66,№3,p.i314-1325.

14. Bringuier E. High-field conduction in semi-insulating ZnS films // Phil.Mag.B. 1997, v.75, № 2, p.209-228.

15. Мозжухин Д.Д., Бараненков И.В. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1985, № 7, с.81-94.

16. Törnqvist R., Antson J., Skarp J., Tanninen V.-P. How the ZnS:Mn layer thickness contributes to the perfomance of AC thin film EL device grown by ALE // Conf. Ree. Intern. Display Res., Conf. Cherry Hill. N.-Y., 19-21 oct. 1982, p.34-37.

17. Насс P. Надежный терминал на базе электролюминесцентного индикатора размером 304x355 мм // Электроника, 1990, №11, с.59.

18. Ohnishi Н., Mohri F. High-perfomance thin-film electroluminescent displays coming soon // Electron. Des, 1994,42, № 23, p.44-46.

19. Washizuka I., Mikami A. 14.4-in diagonal hight contrast multicolor information EL display eith 640x128 pixels // IEICE Trans. Electron., 1998, v.E81~c, №11, p.1725-1732.

20. Aquilera M.J., Arbuthnot L., Keyser T. First-generation VGA electroluminescent display for head-mounted applications // Proc. SPIE., 1996, v.2735 p.92-98.

21. Haijue Т., et al., Bright 320(x3)x240 RGB Display Based on Color-by-White // SID 97 Digest, 1997, p.859.

22. Barrow W.A., Coovert R.C.,. Dickey E, et all. A New Class of Blue TFEL Phosphors with Applications to a VGA Full-Color Display // Digest of 1993 SID Int'l Display Symposium, 1993,p.761.

23. Tanaka S., Yoshiyama H., Nishiura J., Ohshio S., Kobayashi H., Bright White-Light EL Devices with New Phosphor Thin Films Based on SrS // Proc. Soc. Inf. Display 29, 1988, p.305.

24. Ohmi K., Tanaka S., Yamano Y., Fujimoto K., Kobayashi H., Mauch R.H et all. White Light Emitting Electroluminescent Devices with SrS:Ce/ZnS:Mn Multilayer Thin Films //Japan Display, 1992, p.725.

25. Mauch R. H.,. Veithaus K.-O, Hiittl В., Troppenz U., Herrmann R. Improved SrS:Ce,Cl TFEL Devices by ZnS Co-Evaporation // SID 95 DIGEST, 1995, p.720-723

26. Haaranen J., Harju Т., Heikklnen P., et all. 512(x3)x256 RGB Multicolor TFEL Display Based on "Color by White" // SID 95 DIGEST, 1995, p.883-886.

27. Mach R., Muller G.O. Physics and technology of thin film electroluminescent displays // Semicond. Sci. Techhol, 1991, №6, p.305-323.

28. Пат. Россия. № 2034363. 1995.

29. Sung K.P., Jeong I.H., Won K.K, Min G.K. Deposition of indium-tin-oxide films on polymer substrates for application in plastic-based flat panel displays // Thin Solid Films, 2001, v.397, p.49-55.

30. Yang Meng, Xi-liang Yang, et all. A new transparent conductive thin film In203:Mo // Thin Solid Films, 2001, v.394 p.219-223

31. Mergela D., Schenkela M., Ghebrea M., Sulkowskib M. Structural and electrical properties of In203:Sn films prepared by radio-frequency sputtering.// Thin Solid Films, 2001, v.392p.91-97.

32. Pat. USA. № 5411792. 1995.

33. Gurumurugan K., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. Magnetron sputtered transparent condutinf CdO thin films // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 // J. Electron. Mater, 1995,24, № 7, p. A29.

34. Messaoudi C., Sayah D., Abd-Lefdil M. Transparent conducting undoped and indium-doped zinc oxide films prepared by spray pyrolysis // Phys. Stat. Sol. A, 1995, 151, № 1, p.93-97.

35. Kawazoe H., Hosono H., Ueda N. New transparent conducting oxides with spinel or pyrochlore structure // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 21-23, 1995 / J. Electron. Mater, 1995, 24, № 7, p. A29.

36. Coutts T.J., Wu X., Muligan W., Webb J.M. High-perfomance transparent conductors based on cadmium oxide // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 / J. Electron. Mater, 1995, 24, № 7, p. A29-A30.

37. Yonghong Y., Zhang j., Gu P. Tang jinfa Study on optical efficiency of alternating-current thin-film electroluminescent devices // Thin Solid Films, 1998, v.315 p.251-256

38. Гурии H.T. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и пороговогонапряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1990, Вып. 1(135), с.88-90.

39. Турин Н.Т. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями // Лазерная техника и оптоэлектроника. 1992, № 3-4, с.74-77.

40. Бригаднов И.Ю., Турин Н.Т. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры с композиционным жидким диэлектриком // Письма в ЖТФ, 1990, Т. 16, вып.23, с.71-74.

41. Бригаднов И.Ю., Гурин Н.Т., Рябинов Е.Б. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов с композиционным жидким диэлектриком // ЖПС, 1993, Т.59, вып. 1-2, с.175-181.

42. Самохвалов М.К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур // ЖТФ, 1996, Т.66, вып. 10, с.139-144.

43. Гурин Н.Т. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // ЖТФ, 1996, Т.66, вып.5, с.77-85.

44. Tanaka S., Deguchi H., Mikami Y. Et all. Red and Blue Electroluminescence in Alkaline-Earth Sulfide Thin-Film Devices // SID Int. Symp. San-Diego, Calif. May 6-8, 1986. Dig. Techn. Pap. N.-Y. 1986, № 6-8, p.29-32.

45. Abe Y., Onisawa K., Tamura T. et all. Multi-Color Electroluminescent Devices Utilizing SrS:Pr,Ce Phosphors Layers and Color Filters // Electroluminescence: Proc. 4th Int. Workshop, Totore, Oct. 11-14, 1988. Berlin etc, 1989, p. 199-202.

46. Okamoto S., Nakazawa E., Tsuchiya. White-Emitting Thin Film Electroluminescent Device with SrS Phosphor Doubly Activated with Rare-Earth Ions // Jap. J. Appl. Phys, 1990, V.29, № 10, p.l987-1990.

47. Tanaka S., Mikami Y., Deguchi H., Kobayaski H. White Light Emitting Thin-Film Electroluminescent Device With SrS:Ce,Cl/ZnS:Mn Double Phosphor Layers // Jap. J. Appl. Phys, 1986, V.25, № 3, p. L225-L227.

48. Копытко Ю.В., Хомченко B.C. Физикотехнологические принципы построения полноцветных тонкопленочных электролюминесцентных дисплеев // Тонк. пленки в электрон.: Матер. 6 Междунар. симп., Херсон, 25-29 сент.,1995. Т.1, М.: Киев; Херсон, 1995, с.92-93.

49. Канчин Р.А., Корнеева Р.В., Першин Г.Г., Соозарь О.Н. Тонкопленочные электролюминесцентные матричные экраны большой информационной емкости //

50. Информат. Сер. Средства отображения инф. ВНИИ межотрасл. инф, 1991, № 2-3, с.21-23.

51. Бараненков И.В. Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкопленочных электролюминесцентных устройств // Зарубежная радиоэлектроника, 1988, № 11, с.60-67.

52. Власенко H.A., Куриленко Б.В., Циркунов Ю.А. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Киев: Знание, 1981.

53. Pat. USA. № 4774435. 1988.

54. Pat. USA. № 4728581. 1988.

55. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю. Пленочные электролюминесцентйые структуры на шероховатых подложках // ЖПС, 1997, Т.64, вып.4, с.507-512.

56. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю., Бригаднов И.Ю. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках // Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, вып. 15, с.7-12.

57. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с диффузно-рассеивающей излучающей поверхностью // Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, вып.20, с.1-7.

58. Козицкий С.В, Чебаненко А.П. Электролюминесценция легированного марганцем сульфида цинка, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖПС, 1993, Т.60, вып.5-6, с.439-442.

59. Козицкий С.В. Люминесценция поликристаллического ZnS, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖПС, 1993, Т.63, вып.1, с.124-128.

60. Козицкий С.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция селенида цинка, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖПС, 1993, Т.64, вып.З, с.333-337.

61. Fukarova-Jurukovska М., Ristov М, Andonovski A. Electroluminescent cell prepared by chemical deposition of ZnS:Mn thin film // Thin Solid Filire, 299 (1997) 149-151

62. Белецкий А.И., Власенко H.A., Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью // Письма в ЖТФ, 1993, Т. 19, вып.1, с.33-37.

63. Белецкий А.И., Велигура Л.И., Власенко Н.А., Кононец Я.Ф. Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2 // Письма в ЖТФ, 1993, Т. 19, вып. 12, с.80-87.

64. Wang Zong-Xin, Cardon Felix. A method evaluating the frequency characteristics of ac thin film electroluminescent devices // J. Phys. D, 1995, 28, № 10, p.2144-2149.

65. Bruc L., Chetrus P., Kopotkov V., Neaga A., Simaschevici A. Crane luminescente cu straturi subtiri bazate pe ZnS:Mn // Rap. 1 Simp, optoelectron. Inst, optoelectron., Magurele, 28 sept., 1993 / Optoelectronica, 1993, 1, № 4, p.35-40.

66. Zeinert Andreas, Barthou Charles, Benalloul Paul, Benoit Jacques. Transient measurements of the excitation efficiency in ZnS-based thin film electroluminescent devices // Jap. J. Appl. Phys. Pt.l, 1996, 35, № 7, p.3909-3913.

67. Ylasenko N.A., Kopytko Yu.V., Pekar V.S. Concentration and Field Dependences of Electroluminescence Decay Kinetics in ZnS:Mn Thin Film Structures // Phys. stat. sol. (a) Vol.81, № 10, p.661-667.

68. Aguilera Alberto, Singh Vijay P., Morton David C. Electron energy distribution at the unsulator-semiconductor interface in AC thin film electroluminescent display devices // IEEE Trans. Electron Devices, 1994, 41, № 8, p. 13 57-1363.

69. Corlatan D., Neyts K.A., De Visschere P. The influence of space charge and electric field on the excitation efficiency in thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys, 1995, 78, № 12, p.7259-7264.

70. Streicher K., Plant Т.К., Wager J.F. Hot-electron impact excitation of ZnS:Tb alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys, 1995, 78, № 3, p.2101-2104.

71. Shih S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. Space charge generation in ZnS:Mn alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys, 1995, 78, № 9, p.5775-5781.

72. В.П.Васильченко. Уровни захвата носителей в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS // ЖПС, 1996, Т.63, вып.З, с.461-465.

73. И.К.Верещагин. Электролюминесценция кристаллов. М.: "Наука", 1974, 280с.

74. Жигальский А.А., Нефедцев Е.В., Троян П.Е. Временные характеристики люминесценции структур Al-ZnS:Mn-InxOy, возбуждаемых одиночными импульсами напряжения // Изв. ВУЗов. Физика. 1995, №2, с.37-41.

75. Сухарев Ю.Г., Андриянов А.В., Миронов B.C. Кинетика электрического поля, волн тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // ЖТФ, 1994, Т.64, №8, с.48-54.

76. Myers R., Wager J.F. Transferred charge analysis of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1997, v.81, №1, p. 506510.

77. Stuyven G., Visschere P. D., Hikavyy A., Neyts K. Atomic layer deposition of ZnS thin films based on diethyl zinc and hydrogen sulfide // Journal of Crystal Growth, 2002,v.234 р.690-698.

78. Davidson J.D. Wager J.F. et all. Electrical Characterization and Modeling of alternating-current thin-film electroluminescent devices // IEEE transaction on electron devices, 1992, v.39, №5 p. 1122-1128.

79. Hitt J.S., Keyr P.D., Wager J.F. Sun S.S. Static space charge in evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1998, v.83, №2, p.1141-1145.

80. Ang W.M., Pennnathur S., Pham L., Wager J.F., Goodnick S.M. Douglas A.A. Evidence for band-to-band impact ionization in evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1995, v.77, №6, p.2719-2724.

81. Muller G.O., Mach R., Selle B. and Schulz G. Measuring on thin film electroluminescent devices // Phys stat. sol. (a), 1988, v.l 10, p.657-669.

82. Geoffroy A. Bringuier E. Bulk deep traps in ZnS and their relation to hight-field electroluminescence//Semicon. Sci. Technol., 1991, №5, p.A131-A132

83. Vlasenko N.A., Denisova Z.L. et all. Energy levels of defects in electroluminescent ZnS :Mn thin films exhibiting hysteresis and self-organized patterns // Jurnal of Crystal Growth, 2000, №214/215 p.944-949.

84. Hui Zhao, Zheng Xu, Yongsheng Wang, Yanbing Hou, Xurong Xu Influence of spatial charges on transport properties of thin film electroluminescent displays // Displays, 2000, v.21, p.143-146.

85. Hui Zhao, Yongsheng Wang, Zheng Xu and Xurong Xu Influence of charged centres on transport properties of thin film electroluminescent devices // Semicond. Sci. Technol., 1999, v,14,p.l098-l 101.

86. Власенко H.A. Исследование одновременного действия электрического поля и ультрафиолетового излучения на люминесценцию сублимат-фосфора ZnS:Mn // Оптика и спектроскопия, 1965, т.18, №3, с.461-466.

87. Cheroff G., Keller S.P. Optical transmission and photoconductive and photovoltaic effects in activated and unactivated single crystals of zns // Physical review, 1958, v.l 11, №1, p.98-103.

88. Zeinert A., Benalloul P., Benoit J., Barthou C., Gumlich H.-E. Influence of ultrafioletirradiation on excitation efficiency and space charge in ZnS thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1994, 76, № 7, p.4351-4357.

89. Кононец Я.Ф., Велигура Л.И., Остроухова O.A. Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства пленок ZnS:Mn // ФТП, 1998,т.32, №5, 549-553.

90. Кононец Я.Ф. Улучшение характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS:Mn после облучения их маломощным лазером // Письма в ЖТФ, 1998, т.24, №4, с. 1-6.

91. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Шмурак С.З. Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS // ФТТ, 1999, т.41, №11, с. 1944-1947.

92. Howard W.E., Salmi О., Alt P.M. A simple model for the hysteretic behavior of ZnS:Mn thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1982, v.53, №1, p.639-647.

93. Sahni O.; Howard, W.E.; Alt, P.M.Optical switching in thin film electroluminescent devices with inherent memory characteristics // IEEE Transactions on Electron Devices, 1981, Volume ED-28, Issue 5, p.459-465

94. Yang K.-W., Owen S.J.T. Mechanisms of the negative-resistance characteristics in AS thin-film electroluminescent devices // IEEE Trans. On Electron. Devices. 1983, v.ED-30, №5, p.452-459.

95. Douglas A.A., Wager J.F., Morton D.C. et all. Evidence for space charge in atomic layer epitaxy ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1993, v.73, №1, p.296-299.

96. Грузинцев А.Н. Тонкопленочные электролюминесцентные МДПДМ-структуры на основе ZnS:Mn с изменяемым желто-оранжевым цветом свечения // Микроэлектроника, 1999, т.28, №2, с.126-130.

97. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Сююнь С., Зидонг JI. Желто-оранжевые электролюминесцентные структуры на основе ZnS:Mn2+ с регулируемым цветом свечения // Неорганические материалы, 1999, т.35, №12, с.1429-1434.

98. Самохвалов М.К., Кочергин В.А. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры на основе ZnS:Mn с изменяемым цветом свечения // Тр. Междунар. конф. "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001г., с. 129.

99. Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. Многоцветные источники света // ЖТФ, 1997,1.61, №10, с.132-133.

100. Физика соединений AnBVI. // Под ред. А.Н.Георгобиани, М.К.Шейнкмана. М.: Наука, Гл. ред. Физ-мат. лит., 1986. - 320 с.

101. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. // Под ред. Полторака О.М. М.: Мир, 1969. 654с.

102. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. шк., 1982 376с.

103. Морозова И.К., Кузнецова В.А. Сульфид цинка: получение и свойства // М.: Наука, 1987. -200 с.

104. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н. Структура дефектов ZnS с собственно дефектной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, Неорган, материалы., 1982, Т. 17, №7, с. 1329-1334.

105. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б. Люминесценция ZnS с собственно-дефектной и примесной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, сер. физическая, 1982, Т.46, с.259-265.

106. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide. // J. Appl. Phys., 1977, v.48, №5, p. 1941-1945.

107. Георгобиани A.H., Маев Р.Г., Озеров Ю.В., Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1976, Т.40, №9, с. 1079-1083.

108. Грузинцев А.Н. Сложные центры свечения в сильнолегированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция. Докт. дисс. Черноголовка, 1999. -373с.

109. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2,66 эВ, входящих в состав голубого излучения самоактивированного ZnS. // Журн. прикл. спектроск., 1973, т. 19, №3, с.469-474.

110. Воронов Ю.В., Тимофеев Ю.П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении. П Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969, г.ЗЗ, №6, с.951-960.

111. Красноперов В.А., Тале В.Г. Тале И.А., Таушканова Л.В. Энергетический спектр в люминофорах ZnS // Журн. прикл спектроск., 1981, т.34, №2, с.253-259.

112. Берченко H.H., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы иих применение. Справочные таблицы М.: Воениздат, 1982„ 208с.

113. Vlasenko N.A., Chumachkova М.М., Denisova Z.L. et all. On nature of centers responsible for inherent memory in ZnS :Mn thin-film electroluminescent devices. // J. Cryst. Growth. 2000, v.216, p.249-255.

114. Турин H.T., Сабитов О.Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением // ЖТФ. 1999, т.69, №5, с.65-73.

115. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970. 252с.

116. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю., Юденков A.B. Исследование кинетики тока в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Тез. лекц. и докл. 5 Всеросс. школы-семинара "Люминесценция и сопутствующие явления" Иркутск: 1999, с.7.

117. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Отрицательное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка // Тр. Междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г., с.11-12.

118. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур // Тр. Междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г., с.78-79.

119. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Вольт-зарядовые характеристики люминесцентного слоя тонкопленочных электролюминесцентных структур // Тр. Междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г., с.80-81.

120. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Частотные зависимости характеристик тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn // Тр. Междунар. конф. "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001г., с.44.

121. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // ЖТФ. 2001, т.71, №3, с.72-75.

122. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка// ЖТФ, 2001, т.71, вып.8, с.48-58.

123. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю., Юденков A.B. Кинетика мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка// Письма в ЖТФ, 2001, т.27, вып.4, с. 12-18.

124. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах //ЖТФ, 2002, т.72, вып.2, с.74-83.

125. Корн Г. Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука. 1974. 832с.

126. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Кинетика электролюминесценциитонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn //t

127. Междунар. конф. по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения академика С.И.Вавилова. Москва, 17-19 окт. 2001: Изд-во Москва, ФИАН, 2001г., С.241.

128. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn // Тр. Междунар. конф. " Оптика, оптоэлектроника и технологии ". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2002г., С.85.

129. Турин Н.Т., Шляпин A.B., Сабитов О.Ю. Формирование вольт-яркостной характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Письма в ЖТФ, 2001, Т.27, вып.22, с.52-57.

130. Xian H., Benalloul P., Barthou С et all Excitation and Radiative efficiencies in ZnS:Mn thin film electroluminescent devices prepared by reactive radio-frequency magnetron sputtering // Jap. J. Apll. Phys. 1994, v.33, p.5801-5806.

131. De Visschere P., Neyts K., Corlatan D. Et all Analysis of the decay of ZnS:Mn electroluminescent thin films // J. Luminescence. 1995, v.65, p.211-219.

132. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. Формирование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn // Тр. Междунар. конф. "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001г., с.60.

133. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. Изменение спектра электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе ZnS:Mn в зависимости от уровня возбуждения // Письма в ЖТФ, 2002, Т.28, вып. 15, с.24-32.

134. Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка // ФТП, 1998, т.32, №6, с.673-675.

135. Буланый М.Ф., Коваленко А.В. Полежаев Б.А. Марганцевые центры свечения в сульфиде цинка // Междунар. конф по люминесценции. Москва, 17-19 октября 2001г. Тез. докл. Москва, ФИАН, 2001, с.98.

136. Thong D.D., Goede О. Optical study of ZnS:Mn thin films with high Mn concentrations //Phys. Stat. Sol. (b), 1983, 120, p.K145-K148.

137. Krasnov A.N., Baycar R.C., Hofstra P.G. Threshold voltage trends in ZnS:Mn-based alternating-current thin-film electroluminescent devices: role of native defects // J. Crystal Growth, 1998, № 194, p.53-60.

138. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. И.К.Кикоина. М.: Атомиздат, 1976- 1098с.