Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки

Коростелев, Дмитрий Александрович

Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Коростелев, Дмитрий Александрович АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Курск МЕСТО ЗАЩИТЫ

2012 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.10 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки»

Автореферат диссертации на тему "Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки"

На правах рукописи

Коростелев Дмитрий Александрович

ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ, СОДЕРЖАЩЕЙ КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ

01.04.10 - физика полупроводников

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

1 2 г54? 2012

Курск-2012 005011841

005011841

Работа выполнена на кафедре физики ФГБОУ ВПО «Государственный университет — учебно-научно-производственный комплекс»

Научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор,

профессор кафедры физики Харламов Владимир Фёдорович

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор, академик

технологических наук, профессор кафедры конструирования и технологии электронно-вычислительных средств ФГБОУ ВПО «Юго-западный государственный университет» (г. Курск)

Дрейзин Валерий Элезарович

доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, директор Центра коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика структуры и свойств наномате-риалов» (г. Белгород) Иванов Олег Николаевич

Ведущая организация Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Защита состоится «29» марта 2012 г. в 14.00 на заседании диссертационного совета Д 212.105.04 при Юго-западном государственном университете по адресу: 305040, г. Курск, ул. 50 лет Октября, 94, конференц-зал.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Юго-западного государственного университета по адресу: 305040, г. Курск, ул. 50 лет Октября, 94.

Автореферат разослан «27» февраля 2012 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета Д 212.105.04 о//<Уос, Рослякова Л.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы исследования. Фундаментальные исследования явлений, происходящих в структурах с размерами менее 100 нм, дали начало развитию новой области знаний, которая вносит революционные изменения в технологии XXI века. Подобным структурам соответствует такое состояние вещества, когда в их поведении проявляются и доминируют принципиально новые явления, в числе которых квантовые эффекты, статистические временные вариации свойств и их масштабирование в зависимости от размеров структур, преобладающее влияние поверхности, отсутствие дефектов в объеме монокристаллов, значительная активность в химических реакциях, процессах сорбции, спекания, горения и т. п. Эти явления наделяют наноразмер-ные частицы и структуры уникальными механическими, электрическими, магнитными, оптическими, химическими и другими свойствами, которые открывают дверь в принципиально новую область манипулирования материей с применениями, трудно представимыми в обычной ситуации.

Использование в технологии полупроводниковых приборов лучевых методов, ионно-лучевых, рентгеновских и других позволяет получать приборы размером до 10-25 нм. Переход от микро- к наноразмерным элементам электронной техники приводит к увеличению потребности в объективной информации об электронных процессах, протекающих в наногетерогенных структурах.

Известны теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению механизмов электропроводности наногетерогенных структур. Однако не исследованы электрические свойства монослоя наночастиц. Перенос электронов через межфазную границу "шарообразная частица-плоский электрод" происходит в результате туннелирования с заполненных состояний по одну строну межфазной границы на свободные состояния по другую строну этой границы. Поэтому, изменяя электрическое напряжение на межфазной границе и его полярность, можно пытаться осуществить сканирующую туннельную спектроскопию поверхностных электронных состояний (ПЭС). Физические и химические процессы, протекающие на поверхности наночастиц в активной газовой среде, изменяют ПЭС и положение уровня Ферми на поверхности. Следовательно, наблюдая изменение электрических свойств наночастиц, можно контролировать физические и химические процессы, протекающие на их поверхности.

Известны оптические свойства полупроводниковых квантовых точек (КТ). Электрические свойства КТ исследованы на моделях двумерного электронного газа, полученных методом литографии с использованием затворов из металлических электродов, ограничивающих двумерное движение электронов при наложении электрического поля. Методы получения электрических контактов к полупроводниковым КТ не разработаны.

стицы - металл» (МНМ) с монослоем шарообразных наночастиц А1203, 7Ю2 или никеля и меди с тонкими оксидными плёнками на их поверхности.

Цель работы состоит в изучении механизмов электронных явлений в структуре МНМ с монослоем шарообразных наночастиц металлов, содержащих тонкую оксидную плёнку на своей поверхности, или с монослоем оксидов металлов.

Задачи исследования:

1. Разработать метод получения тонких плёнок, состоящих из монослоя наночастиц, диаметр которых не превышает 270 нм.

2. Изучить структуру поверхности подложек и структуру тонких плёнок, состоящих из монослоя наночастиц (распределение частиц по поверхности, определение размеров частиц и элементного состава пленок).

3. Разработать технические средства для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) структуры МНМ.

4. Исследовать влияние диаметра наночастиц оксидов металлов структуры МНМ на её электрические свойства.

5. Исследовать влияние температуры на электропроводность структуры МНМ.

6. Исследовать влияние воздействия активной газовой средой (атомарным водородом или атомарным кислородом) на электрические свойства структуры МНМ.

7. Разработать метод получения полупроводниковых КТ.

8. Изучить электронные явления в КТ.

Научная новизна работы обусловлена изучением электрических свойств наночастиц, в том числе квантовых точек, обладающих полупроводниковыми свойствами, и определяется следующими результатами:

1. На примере структуры МНМ с шарообразными наночастицами А1203 или Тг02 обнаружено явление, заключающееся в том, что дифференциальное сопротивление гетерогенной структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока. Установлено, что этот эффект обусловлен двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и туннели-рованием электронов через межфазные границы. При этом толщина потенциального барьера на межфазной границе уменьшается при увеличении уровня инжекции. Положительная обратная связь обеспечивает приближение к нулю отрицательного дифференциального сопротивления структуры МНМ при увеличении силы тока.

2. Обнаружено, что после выдержки структуры МНМ с монослоем шарообразных наночастиц А1203 или Хг02 в среде атомарного кислорода или атомарного водорода электропроводность структуры возрастает до 104 раз и зависит от полярности приложенного электрического напряжения. Эффект обусловлен изменением состояния поверхности наночастиц под действием атомов Н или О. При этом контакт наночастиц с одним из электродов может становиться запорным.

3. Установлено, что дифференциальное сопротивление структуры в виде монослоя шарообразных наночастиц никеля или меди с оксидными плен-

ками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. Форма ВАХ структуры МНМ меняется после выдержки структуры МНМ в среде атомарного водорода: наблюдается обратимый переход из проводящего состояния в непроводящее (переключения) структуры МНМ при увеличении электрического напряжения.

4. Разработан метод, позволяющий получать полупроводниковые КТ с концентрацией до 10й см'2 и электрические контакты к каждой из них. Установленные в опытах электрические свойства КТ объяснены с использованием представлений об эффекте кулоновской блокады и эффекте увеличения прозрачности туннельных барьеров при двойной инжекции электронов и дырок в КТ.

Теоретическая и практическая значимость.

Разработан метод получения тонких плёнок, состоящих из монослоя на-ночастиц, содержащих КТ. Полученные экспериментальные результаты способствуют развитию теории электропроводности наногетерогенных структур и могут найти применение при изучении физических и химических процессов, протекающих на поверхности наночастиц и КТ.

Научные результаты, выносимые на защиту:

1. Структура «металл - наночастицы - металл» (МНМ) с монослоем шарообразных частиц А1203 или Хг02 (у которых наибольший диаметр с1 - 100=30 нм) в зависимости от величины приложенного электрического напряжения находится в слабо проводящем или в высоко проводящем электрический ток состояниях. В высоко проводящем состоянии дифференциальное сопротивление сЮструктуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока J.

2. После выдержки структуры МНМ с частицами А1203 или ¿гСЬ в среде атомарного кислорода или атомарного водорода электропроводность структуры возрастает до 104 раз и зависит от полярности приложенного электрического напряжения.

3. В высоко проводящем состоянии электропроводность структуры МНМ с частицами АЬОз или 2г02 обусловлена двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и туннелированием электронов через межфазные границы.

4. Дифференциальное сопротивление структуры МНМ в виде монослоя шарообразных наночастиц (диаметром й? = 100 нм) меди или никеля с оксидными пленками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. После действия атомарного водорода на структуру МНМ форма ВАХ изменяется: ее электропроводность резко увеличивается, а при увеличении напряжения сила тока линейно зависит от напряжения, затем после увеличения напряжения выше некоторого критического значения происходит обратимый переход (переключение) в непроводящее состояние.

Достоверность результатов, полученных в диссертации, обеспечена теоретической обоснованностью используемых методов и воспроизводимостью большого числа экспериментальных данных, а так же использованием современных экспериментальных методов исследования (СТМ, АСМ, СЭМ). Кроме того полученные экспериментальные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Личный вклад автора. Автором работы получены основные результаты, разработаны технические средства и выполнен весь объём экспериментальных исследований. Им также проведен анализ полученных экспериментальных результатов и сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности.

Диссертационное исследование соответствует п. 1 «Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе», поскольку разработана и апробирована технология получения тонких плёнок, состоящих из монослоя наночастиц; п.2 «Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур па их основе», т.к. проведено экспериментальное изучение влияния толщины оксидной плёнки на поверхности частиц меди и никеля структуры МНМ на её электрические свойства и изучено влияние воздействия активной газовой средой (атомарным водородом или атомарным кислородом) на электропроводность структуры МИМ; п.4 «Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления», т.к. проведено экспериментальное изучение структуры поверхности подложек и структуры тонких плёнок, состоящих из слоя наночастиц; п.б «Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах», т.к. проведено экспериментальное изучение механизма электропроводности структуры МНМ с монослоем шарообразных наночастиц; п. 19 «Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур» (в соответствии которому разработаны методы измерения вольтамперных характеристик структуры МНМ) паспорта специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников».

Апробация работы: основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях ОрелГТУ (2010 г., 2011 г.), X Юбилейной международной научной конференции "Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии" (г. Ставрополь, 2010 г.), XXII Всероссийском Симпозиуме «Современная химическая физика» (г. Туапсе, 2010 г, 2011 г.), Московской конференции - конкурс молодых учёных, аспирантов и студентов "ФИЗИКОХИМИЯ - 2009" «Физикохимия нано- и супрамолекулярных систем» (г. Москва, 2009 г.), VII и VIII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов (г. Москва, 2010 г, 2011 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 работ, в том числе 4 статьи в рецензируемых научных журналах, 8 публикаций в научных изданиях, сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 139 страницах, иллюстрируется 62 рисунками и 9 таблицами, состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 145 наименований.

Краткое содержание работы

Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цель, задачи и основные защищаемые положения, раскрыто научное и практическое значение работы, приведены данные о публикациях, структуре и объеме диссертационной работы.

Первая глава посвящена описанию научного направления, к которому относится диссертационная работа и дана постановка задачи, основанная на анализе литературных источников.

Во второй главе описывается методика проведения экспериментальных исследований, применяемое оборудование, измерительные приборы, методы приготовления образцов.

При изучении механизма электропроводности структуры МНМ в качестве наночастиц этой структуры использовали ультрадисперсные порошки А1203, ¿гО2, N1 или Си. Частицы порошка имели форму шара со средним диаметром 0,1 мкм и удельной поверхностью не менее 15 м2/г. Массовая доля кристаллической фазы оксида металла в порошках А1203 и 7Ю2 находилась в пределах 0.85 - 0.94. Массовая доля примесей в процентах не более в АЬОз: Бе - 0.05, 81 - 0.04, N1 - 0.05, Тл - 0.01, Сг - 0.05; в Хт02: А1 - 0.01, Ре - о"о2, - 0.01, N1 - 0.005, Тл - 0.01, Сг - 0.005. Металлическими электродами структуры МНМ служили плёнки алюминия и золота, напылённые в вакууме на поверхность полированных кристаллов кремния (рис. 1).

ШР- :

Рис. 1. Изображение поверхности алюминиевой подложки с нанесённым слоем шарообразных частиц А1203, полученное с помощью

электронного микроскопа Увеличения: 103 (правый рисунок) и 2*105 (левый рисунок).

Диаметр d наиболее крупных частиц, наносимых на поверхность электрода, варьировал в пределах d = 70+270 нм. Для этого взвешенный в изо-пропиловом спирте порошок Си, Ni, А1203 или ZrO? выдерживали (осаждали) от 0,1 до 24 суток, затем верхнюю часть взвеси наносили на поверхность электрода и высушивали на воздухе. После этого на слой частиц сверху помещали второй электрод структуры МНМ. Площадь электродов составляла Sm = I -5- 60 мм2. Поверхность электродов исследована с помощью атомно-силового микроскопа СММ-2000, оптического микроскопа Axioscop 2МАТ, металлографического микроскопа Альтами МЕТ1М, электронного микроскопа JSM-6380LV и энергодисперсионной приставки Energy INCA-250 нм для электронного микроскопа JSM-6380LV (рис. 2). Размер зерен на поверхности алюминия не превышал 60 нм. Нанесённые на поверхность подложки частицы образовывали островки (двумерные кластеры), при этом степень в покрытия поверхности частицами составляла от 0.3 до 0.97.

' ЮОмкт! б)

'ЮОмкт' в) !ЮОмкт' г)

Рис. 2. Поверхность алюминиевой подложки с нанесённым слоем наночастиц меди После обработки атомарным водородом в течение 60 мин. а) распределение А1; б) распределение О; в) распределение Си; г) распределение 81

ЮОмкт а)

В отдельных опытах алюминиевый электрод с нанесённым слоем частиц обрабатывали в вакуумной камере атомарным кислородом или атомарным водородом при температуре 295 К. Длительность обработки составляла 2 мин., концентрация атомов в газовой среде равнялась па= 1015 см'"3. Затем измеряли ВАХ структуры МНМ. При этом структура находилась в атмосфере воздуха внутри термостата при температуре 295 - 380 К или в откачанной вакуумной камере с давлением 60 - 0.15 Па, температуру стенок которой можно было увеличивать до 400 К.

Третья глава посвящена исследованию структуры поверхности подложек и тонких плёнок. Полученные данные позволили определить распределение частиц на поверхности (определить степень покрытия частицами поверхности электрода), геометрические размеры, форму и рельеф исследуемых ультрадисперсных порошков и металлических электродов. Методом энергодисперсионного рентгеноспектрального микроанализа определен эле-ментый состав используемых в опытах структур металл-наночастицы-металл, показана их химическая чистота.

В четвертой главе представлены результаты экспериментальных исследований электронных явлений в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки, и дана интерпретация полученных данных.

Структура МНМ, содержащая два и более слоев наночастиц (0>\), не проводит электрический ток. Приведем вначале результаты, относящиеся к структуре МНМ с однослойной плёнкой наночастиц А1203 или 2Ю2 (в < 1).

Если 70 < (1 < 130 нм, в = 0.3 - 0.97, Т= 295 - 380 К, тогда в результате увеличения приложенного к структуре МНМ электрического напряжения и сила тока J через эту структуру монотонно возрастает, затем при пороговом напряжении и= их, где {/*= 5-н40 В, сопротивление структуры /? = С/Л/ скачком уменьшается. При дальнейшем увеличении силы тока J сопротивление Я уменьшается более чем в 104 раз по отношению к его начальному значению в состоянии «слабой» электропроводности, а напряжение С/ уменьшается, асимптотически приближаясь к значению С/м, где £/м = (3 - 8) В, при этом дифференциальное сопротивление сШ / сЦ структуры МНМ - отрицательное. Напряжение ит, соответствующее пределу / —>• оо, уменьшается при уменьшении й. После уменьшения силы тока 3 ниже критического значения Т , где /= 1 н- 10 мА, «слабая» электропроводность структуры восстанавливается.

В состоянии высокой электропроводности выполняется условие:

ли = ш:!-н, 0)

где Н «,/х(1/£Ум -1/£/*)- постоянная величина; ./ > Н1]с. При этом имеем: /? = [//./= ({/£/"' -1)/Я, где и > С/,,. Форма ВАХ воспроизводится многократно и не зависит от давления газа (Р = 0.15 - 105 Па), в среде которого находится структура МНМ. Величины 1!п и Н зависят от материалов диэлектрика и электродов, состояния их поверхности и от с/ (рис. 3, 4 и 5). В состоянии высокой электропроводности (У > ,/*) сопротивление 7? не зависит от

температуры (Т = 295 - 380 К). Величина порогового напряжения Ц* возрастает при увеличении в, а также при увеличении <3. Величина тока 3 не зависит от силы механического давления на верхний электрод (до 5 Н/см2).

/,шА/см2

И?—'-*—Г*-*-*--•-*-п

Рис. 3. Зависимость плотности электрического тока через контакты «алюминий - слой частиц АЬОз -алюминий» от электрического напряжения между алюминиевыми электродами

с! — 100 нм; в =0.5; Г = 295 К: к - увеличение электрического тока, ® - его уменьшение.

После обработки электрода с нанесённым слоем частиц оксида металла атомарным кислородом или атомарным водородом сопротивление структуры МИМ уменьшается до 10" раз. При этом поверхность электродов сохраняет металлическую проводимость. После обработки алюминиевого электрода с нанесённым слоем частиц оксида металла атомарным кислородом или атомарным водородом пороговое напряжение Vх уменьшается в несколько раз, а сопротивление Я структуры МНМ с двумя алюминиевыми электродами становится зависящим от полярности приложенного напряжения. При этом в случае обработки наночастиц атомами кислорода сопротивление Я меньше, когда минус источника тока присоединён к необработанному атомами верхнему электроду, после смены полярности приложенного напряжения сопротивление Я возрастает до 104 раз (см., например, рис. 5, кривые 2 и 3). Напротив, после обработки частиц атомами водорода сопротивление К меньше, когда плюс источника тока присоединён к необработанному атомами электроду.

;,шАспг

•23

<л

\«

и,\>

Рис. 4. Зависимость плотности электрического тока через структуру МНМ «алюминий - слой частиц АЬОд - золото» от величины и полярности электрического напряжения между электродами

а - увеличение электрического тока, • — его уменьшение; б/= 80 нм; в = 0.8; Т = 295 К: к верхнему золотому электроду.

ВАХ структуры МНМ необратимо изменяется, если плотность тока через структуру превышает некоторое значение, зависящее от с! и в. При этом происходит разрушение электродов. В этом состоянии сила тока зависит от приложенного к структуре электрического напряжения по линейному закону присоединён плюс источника электрического тока (и < 0) или его минус (и > 0); после обработки атомарным водородом алюминиевого электрода с нанесенными наночастицами.

/дпА.'ст2

б 5 4 3

г 1 о

о 5 10 15 20 25 30 35 40

иу

Рис, 5. Зависимость плотности электрического тока через структуру МНМ «алюминий - слой частиц 7Ю2- алюминий» от электрического напряжения между алюминиевыми электродами 1 — до; 2, 3 — после обработки алюминиевого электрода с нанесёнными частицами '/■Ю2 атомарным кислородом; к необработанному атомами кислорода верхнему электроду присоединён плюс (2) или минус (3) источника электрического тока; I — (1— 130 нм, в = 0.8; 2, 3 - с1= 70 нм, в = 0.7; о, ■ - увеличение электрического тока, *, □ - его уменьшение; 7=295 К.

Если 150 < с1 < 270 нм, в ~ 0.5, тогда при //, <и < £Л вольтамперная характеристика структуры МНМ подчиняется уравнению Фаулера-Нордгейма, образуя при и = 1/\ излом, положение которого зависит от с1, от природы катода и от природы частиц диэлектрика, при этом (У, = 5-И 00 В, и2 — 15+250 В. При напряжении выше {У2 наблюдается электрический пробой, сопровождающийся резким необратимым увеличением электропроводности структуры МНМ.

Теперь приведём данные, полученные при изучении электрических свойств структуры МНМ с шарообразными наночастицами металлов, содержащими квантовые точки.

Метод создания квантовых точек основан на эффекте распыления оксидов металлов атомарным водородом. Он заключается в выдержке структуры МНМ в среде атомов Н. При этом происходит восстановление и распыление

оксидных плёнок толщиной 1-10 нм на поверхности частиц за исключением недоступных для атомов участков плёнок в области контактов, по оценке, диаметром 3-6 нм. Высота образовавшейся между частицей и электродом цилиндрической структуры, состоящей из остатков оксидной плёнки, равна 2-20 нм, а диаметр (различный вдоль оси цилиндра) равен 2-8 нм. В результате происходит образование полупроводниковых цилиндров с концентрацией до 10п см 2. При этом каждый цилиндр имеет два электрических контакта: с металлической частицей и электродом. Созданную цилиндрическую структуру можно рассматривать как КТ (по отношению к электронам металлических электродов цилиндр является квантовой антиточкой: для них он образует потенциальный барьер, а не потенциальную яму). При этом длина волны де Бройля электронов проводимости цилиндра (в полупроводниках она 10-100 нм) превышает его линейные размеры.

При увеличении напряжения (U = 0+30 В) электрический ток через структуру «металл - наночастицы металла - металл» вначале слабо возрастает, затем наблюдается его быстрое увеличение. При этом дифференциальное сопротивление структуры положительное, а форма ВАХ не зависит от полярности приложенного электрического напряжения. После выдержки структуры МНМ в среде атомарного водорода электропроводность структуры увеличивается, при этом сила тока зависит от приложенного напряжения по линейному закону. Причем при увеличении напряжения структура скачком (обратимо) переходит в непроводящее состояние, если напряжение превышает некоторое критическое значение. В качестве примера на рисунках 6а и 66 приведены результаты, полученные в случае структуры "металл - частицы меди - металл".

Переход структуры МНМ с частицами А1203 и Zr02 в высоко проводящее электрический ток состояние при U > Ux не связан с электрическим пробоем воздуха. Если If < 12 В, тогда возникновение самостоятельного газового разряда в воздухе невозможно, так как потенциал ионизации молекул воздуха превышает 12 В. Газовый разряд невозможен в пространстве между электродами, поскольку длина свободного пробега электронов в газовой среде по отношению к ионизации молекул воздуха существенно больше расстояния между электродами. Об отсутствии газового разряда в опытах свидетельствует отсутствие свечения газа и эрозии электродов, крайне низкая электропроводность структуры МНМ при 180 < с/ < 270 нм, 0 < U < 100 В (в этом случае j< 10~5 А/см2), а также отсутствие влияния давления воздуха на форму ВАХ. При одинаковой напряженности электрического поля переход структуры МНМ в высоко проводящее состояние наблюдается в случае частиц А1203 и Zr02 с относительно небольшим диаметром. Поэтому этот переход не связан с увеличением электропроводности пространства между электродами вследствие автоэлектронной эмиссии и обусловлен увеличением электропроводности частиц А1203 и Zr02. Об этом свидетельствует также переход в высоко проводящее состояние структуры МНМ с пленкой наноча-стиц А1203 и Zr02 при в = 0.97.

1 шА «и « АтЛ

0,03 1 1 2 г Г7>----Г, 1

0.02 / Н [• /г Т *

001 4 Г • - • —' X ч

(1 ч / и«

-зо -и -аа.5 1 5 10 13 20 25 30 А

-0.01 ■ У ну \ -Л Г ^--- 1

</ -а ,02 ■ 1

•0.03 • 1 - -м 10 « « с. V 16

Рис. 6. Зависимость силы электрического тока через структуру «алюминий - слой частиц Си - алюминий» от величины электрического напряжения между алюминиевыми электродами а) без обработки атомарным водородом алюминиевого электрода с нанесенными частицами Си; б) после обработки атомарным водородом алюминиевого электрода с нанесенными частицами Си; о - увеличение электрического тока, ш, • - его уменьшение; в = 0.7; Т= 295 К.

Обнаруженный эффект влияния диаметра частиц А1203 и 2Ю2 на стабильность структуры МНМ при протекании электрического тока объяснен с помощью условия теплового баланса. Будем приближенно считать, что теплопроводность «точечных» контактов между сферической частицей и плоскими параллельными электродами пренебрежимо мала. Из равенства мощности электрического тока, протекающего через частицу, потерям энергии на тепловое излучение через её поверхность находим:

¡м1У = /}\сга('Г-Т1?)сБ^ (2)

v .V,

где о) - плотность джоулева тепла, выделяющегося в объёме V частицы; Р < 1 - коэффициент серости; ^ -площадь поверхности одной частицы; Т0 - температура окружающей среды; Т < 900 К; ст0- постоянная Стефана-

Больцмана. Используя теорему о среднем, получаем: а>= 6р<т0{^где

о и Т" - средние по объёму и, соответственно, поверхности частицы значения. Полагая, что необратимое увеличение электропроводности структуры МНМ обусловлено превышением температуры частицы некоторого критического значения, находим: пороговая плотность джоулева тепла, выделяющегося в объёме частицы, обратно пропорциональна диаметру частицы. По сравнению с такой же пороговой плотностью в случае сплошных полупроводниковых плёнок эта пороговая плотность джоулева тепла для наночастиц существенно выше в связи с большими потерями энергии на тепловое излу-

чение через их поверхность. При этом, судя по отсутствию свечения частиц оксидов металлов, их температура не превышает 900 К. В случае, когда степень покрытия поверхности электрода частицами близка к 1, потери энергии частицами на тепловое излучение уменьшаются, что, вероятно, способствует переходу структуры МНМ в необратимое состояние высокой проводимости в связи с разрушением электродов.

Используя условие (2), оценим число частиц А120з и Zr02 в высоко проводящем состоянии: л' ~ .s'/л', к JU/[Ml2/Jalí(Ti-Т*)\ >10'', где S - суммарная площадь поверхности всех частиц; Т < 900 К. При этом на площади 1 см2 находится ~1 /(mi1) ~ Ю9 частиц. Эти оценки показывают, что в высоко проводящее состояние переходит значительная часть частиц структуры МНМ.

Существенный или основной вклад в электропроводность контакта частицы с электродом может давать прохождение тока через зазор между ними. Площадь контакта шарообразной частицы с плоским электродом

л■ r^ a Tib^d = 2-1(Г';л!2 мала по сравнению с площадью поверхности

7Г-Г-,2 » 7Ó/1 и2-](Г16,М2, через которую туннелируют электроны (6, И КГ10Л! и b2 ~ ю~9л< - зазоры между электродом и поверхностью частицы; d = 70 нм). В случае относительно крупных частиц А1203 и Zr02 (d ~ 200 нм) основной вклад в электропроводность зазора, по-видимому, дает автоэлектронная эмиссия. В случае мелких частиц (d ~ 70 нм) происходит туннелирование электронов через зазор, что обеспечивает высокую электропроводность структуры МНМ. При этом изменение потенциального барьера для электронов на межфазной границе существенно влияет на туннельный ток через зазор. Ток через частицы А1203 и Zr02 ограничен пространственным зарядом или подчиняется закону Ома, если носителями тока являются только электроны или только дырки. Поэтому переход структуры МНМ в высоко проводящее состояние обусловлен возникновением в объёме частиц электронно-дырочной плазмы. При этом наблюдавшуюся в опытах зависимость (1) нельзя описать с помощью известной из литературы теории электропроводности наногетерогенных структур.

В условиях двойной инжекции электронов и дырок, при наличии заполненных ловушек, увеличение электропроводности полупроводника, как известно, может быть обусловлено резким ростом времени жизни неосновных носителей тока. В этом случае на вольтамперной характеристике полупроводника возникает участок отрицательного дифференциального сопротивления, который переходит в участок, соответствующий закону Morra - Герни для идеального диэлектрика. При этом режим приближения к нулю отрицательного дифференциального сопротивления при увеличении силы тока не наблюдается. Аналогичная S - образная ВАХ может быть обусловлена выделением джоулева тепла в термисторе.

Будем считать, что при протекании тока через частицу оксида металла происходит инжекция в её объём электронов из катода и дырок из анода. Используем уравнение электропроводности и уравнение Пуассона:

j = Л; + jj;Je = oß;Л/ = Щ/Ч,Vn-Vp); üf/vE= 4m(n-p)/s, (3)

где j - плотность тока; в = eQt„n + /г p) - удельная электропроводность полупроводника; е - заряд электрона; Е - напряженность электрического поля в объёме частицы; //„ и ßp - подвижности электронов и дырок; пар- их концентрации в зоне проводимости и в валентной зоне соответственно; к - постоянная Больцмана; Т - температура; е - диэлектрическая проницаемость. Уравнениям (3) не противоречит выполнение условий:

E*0;jaj£, Si<x<d-S2, (4)

или равенств:

nxp;Uv= j£dx = 0;j ~ jd, Sl<x<d-S2, (5)

где Uv - падение потенциала в объёме частицы; <5, и 8г - толщины потенциальных барьеров на контактах частицы с электродами; d - наименьшее расстояние между электродами (вдоль оси х). Условия (4) соответствуют электропроводности, обусловленной дрейфом носителей тока в электрическом поле. В случае выполнения равенств (5) электропроводность объёма частицы А1203 или Zr02 обусловлена диффузией носителей тока. Условие п~р в (5) — это следствие квазинейтральности электронно-дырочной плазмы, обусловленной выполнением неравенств: n»Nm, p»N,p, d»D, где Nm и

N, - концентрации ловушек для электронов и дырок;

D = (йГ)"г[4жг(п + р)]""2- дебаевский радиус экранирования.

Пусть выполняется условие: t < т, где t = d2 ¡(2/¡JJ') - время дрейфа неосновных носителей тока (дырок) через частицу оксида металла под действием электрического поля; т - время их жизни. Тогда концентрации электронов и дырок в объеме частицы становятся настолько большими, что толщина потенциального барьера на межфазной границе S ~S{ ~ S2 « D оказывается сравнимой с длиной волны де Бройля для электронов Л (аналогично случаю контакта металла и вырожденного полупроводника). При этом электроны проходят через пространство (зазор) между шарообразной частицей и плоским электродом в результате туннельного эффекта. От природы частицы и электрода и состояния их поверхности зависит высота потенциального барьера на межфазной границе и, соответственно, туннельный ток. Увеличение тока через частицу приводит к увеличению концентраций электронов п и дырок р в её объёме и уменьшению напряжения на частице в связи с ростом её электропроводности <т. Благодаря этому уменьшается толщина барьера 8, что увеличивает туннельный ток. Из-за положительной обратной связи процесс развивается лавинообразно. При выполнении условий d<(2rppUx)U2,

Ä^S происходит скачкообразный переход частиц оксида металла в высоко проводящее состояние, в котором электронно-дырочная плазма в объеме частиц квазинейтральна. При этом ток через объём частицы в значительной степени обусловлен диффузией электронов от катода к аноду и дырок в проти-

воположном направлении (условие ] » _/д. нарушается), а сила тока через частицу равна туннельному току. Положительная обратная связь обеспечивает приближение к нулю отрицательного дифференциального сопротивления сШ структуры МНМ при увеличении силы тока 3.

Используя значения с? = 100 нм; [7х = 10 В; цр = 10 см(Вс)~', получаем

оценку: г » Ю"'2 с. Для электронов с тепловыми скоростями в полупроводнике при Т = 295 К длина волны Я и 10~*м. При этом условие Я » £, где 3 ~ , по оценке, выполняется при п + р> 1017 см"3. Следовательно, уровень инжек-ции должен быть высоким. Поэтому критическим параметром, определяющим переход частицы из слабо проводящего состояния в высоко проводящее состояние, служит уровень инжекции, зависящий от силы тока ,/,, через частицу.

Падение напряжения на частице оксида металла представим в виде: и = и^+иу +и2, где и1 и и2 - падение напряжения на контактах частицы с электродами; иу - падение напряжения в остальной части объема частицы. После появления электронно — дырочной плазмы в объёме частицы оксида металла величина иг резко уменьшается. При этом на поверхности частицы появляются электрические заряды, обусловленные поляризацией плазмы во внешнем электрическом поле. Поэтому напряжение на частице, соответствующее пределу ^->а>, по-видимому, равно: (У„ = (£/, +£/2)„= (0,6, + О2Ь2)/с0, где с0 - электрическая постоянная; 0 и £),- поверхностные плотности зарядов на поверхности частицы у катода и анода; Ьх и Ь2 - средние расстояния от поверхности частицы до катода и анода. Полагая, например, (21=02=<2', Ь, = Ь2 = 2х 10""м; и„ = 4 В, находим: О = £■//,„ 1(2Ь) = 1 (Г;< Кл/см2.

Основные результаты и выводы

1. На примере структуры "металл - наночастицы оксида металла - металл" обнаружено явление, заключающееся в том, что дифференциальное сопротивление сШ / с11 гетерогенной структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока о/ через эту структуру.

2. В зависимости от величины приложенного электрического напряжения наблюдаются слабо проводящее и высоко проводящее состояния структуры металл-наночастицы-металл с частицами оксида металла А1203 или

3. После выдержки структуры МНМ с частицами оксида металла А1гОз или 2гОг в среде атомарного кислорода или атомарного водорода её электропроводность резко возрастает и зависит от полярности приложенного электрического напряжения.

4. В высоко проводящем состоянии электропроводность структуры МНМ с частицами А1203 или 2Ю2 обусловлена двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и туннелированием электронов через межфазные границы.

5. Дифференциальное сопротивление структуры в виде монослоя шарообразных частиц никеля или меди (диаметром й - 100 нм) с оксидными плен-

ками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. В результате воздействия атомарным водородом форма ВАХ изменяется. Наблюдается обратимый эффект перехода из проводящего состояния в непроводящее (переключения) структуры МНМ при увеличении напряжения выше некоторого критического значения.

6. Разработан метод, позволяющий получать полупроводниковые КТ с концентрацией до 10й см"2 и электрические контакты к каждой из них. Установленные в опытах электрические свойства КТ объяснены с использованием представлений об эффекте кулоновской блокады и эффекте увеличения прозрачности туннельных барьеров при двойной инжекции электронов и дырок в КТ.

Основные результаты опубликованы в работах: статьи в рецензируемых научных журналах

1. Харламов, В.Ф. Электропроводность структуры металл-диэлектрик-металл со слоем наночастиц оксидов металлов в качестве диэлектрика / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Письма в ЖТФ. 2011. Том 37. Выпуск 11. С. 43-50.

Kliarlamov, V.F. Electric Conductivity of Metal-Dielectric-Metal Structures with Dielectric Layer Formed by spherical Métal Oxide Nanoparticles / V.F. Khar-lamov, D.A. Korostelev, I.G. Bogoraz, O.I. Markov, Yu.V. Khripunov // Techn. Phys. Lett. 2011. V.37. № 6. Pp. 481-484.

2. Коростелев, Д.А. Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые антиточки / Д.А. Коростелев, В.Ф. Харламов // Известия ОрелГТУ. Серия: Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. 2012. №1. С. 17-22.

3. Хрипунов, Ю.В. Исследование поверхности монокристалла висмута после обработки молекулярным и атомарным водородом / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков, Д.А. Коростелев // Учёные записки ОГУ. Серия: естественные, технические и медицинские науки. 2010. №2 (36). С. 64-70.

4. Харламов, В.Ф. Электрические свойства структуры металл-наночастицы диэлектрика-металл / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.А.Миловидова // ФТТ. 2012. Том 54. Выпуск 6. С. 1204-1210.

статьи в научных изданиях, в трудах Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференции

5. Коростелёв, Д.А. Уникальные электрофизические свойства наночастиц диэлектриков / Д.А. Коростелев // VII Российская ежегодная конференция молодых научных сотрудников и аспирантов. Москва. 8-11 ноября 2010 г. / Сборник статей под редакцией академика РАН Ю.В. Цветкова и др. М: Интерконтакт Наука. 2010. С. 459.

6. Коростелёв, Д.А. Метод увеличения электрической прочности наноструктуры в сильных электрических полях / Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, В.Ф. Харламов // Московская конференция-конкурс молодых учёных, аспи-

рантов и студентов Физикохимия - 2009. Секция «Физикохимия нано- и суп-рамолекудярных систем». Тезисы докладов. 1 ноября - 4 декабря, 2009 г. Москва. Изд-во ИФХЭ РАН. С. 34.

7. Коростелёв, Д.А. Электрофизические свойства наногетероструктур в сильных электрических полях / Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов, В.Ф. Харламов // X Юбилейная международная научная конференция "Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии ", 17-22 октября 2010 г, ГК "РОСНАНО", г. Ставрополь - Ставрополь: Изд-во Сев-КавГТУ. 2010. С. 190.

8. Коростелёв, Д.А. Электропроводность структуры "метал - наночасти-цы диэлектрика - метал" / Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов, В.Ф. Харламов // Тезисы доклада XXII Всероссийского Симпозиума «Современная химическая физика» -М.: Изд-во ООО "Парк -медиа". 2010. С. 57.

9. Хрипунов, Ю.В. Формирование наноструктур висмута под действием плазмы водорода / Ю.В. Хрипунов, Д.А. Коростелев // Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2011» / Отв. ред. А.И. Андреев, A.B. Андриянов, Е.А. Антипов, М.В. Чистякова. [Электронный ресурс] — М.: МАКС Пресс, 2011, секция «Фундаментальное материаловедение и наноматериалы». С. 124.

Ю.Марков, О.И. Исследование влияния плазмы водорода на поверхность монокристаллов висмута / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов, Д.А. Коростелев, E.H. Грибанов // Тезисы докладов XLV1I Всероссийской конференции по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, опто-электроники. М. 2011. С. 29-31.

11 .Коростелёв, Д.А. Электрические свойства квантовых антиточек / Д.А. Коростелёв, И.Г. Богораз, O.A. Миловидова, В.Ф. Харламов // Тезисы доклада XXIII Всероссийского Симпозиума «Современная химическая физика» -М.: Изд-во ООО "Парк - медиа". 2011. С. 47.

12.Коростелёв, Д.А. Электрические свойства структуры «металл - нано-частицы диэлектрика - металл» / Д.А. Коростелёв // VIII Российская ежегодная конференция молодых научных сотрудников и аспирантов. Москва. 8-11 ноября 2011 г. / Сборник статей под редакцией академика РАН Ю.В. Цветко-ва и др. М: Интерконтакт Наука. 2011. С. 289.

Подписано в печать 24.02.2012. Формат 60x80 1/16 Печатается на ризографе. Бумага офсетная Гарнитура Times. Объем 1,1п.л. Тираж 120 экз. Заказ № 89 Отпечатано с готового оригинал макета на полиграфической базе редакционно-издательского отдела ФГБОУ ВПО «ОГУ» 302026 г. Орел, ул. Комсомольская, 95 Тел. (486 2) 74-09-30

Текст научной работы диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Коростелев, Дмитрий Александрович, Курск

61 12-1/632

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ - УЧЕБНО-НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС»

ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ, СОДЕРЖАЩЕЙ КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ

Коростелев Дмитрий Александрович

01.04.10 - физика полупроводников

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук,

профессор Харламов В. Ф.

Орел-2012

ВВЕДЕНИЕ..................................................................................................................4

ГЛАВА 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ..............11

1.1 Нелинейные электрические эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.........................................................................11

1.2 Электрические свойства наноконтактов металл - полупроводник........14

1.3 Эффект переключения электропроводности в тонкоплёночных структурах..........................................................................................................26

1.4 Особенности механизмов электропроводности в

гетероструктурах...............................................................................................36

1.5 Постановка задачи.......................................................................................51

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ...............53

2.1 Экспериментальная установка для изучения электрических

свойств структуры "металл - наночастицы - металл"..................................53

2.2 Автоматизированная система электрических измерений с использованием цифровых мультиметров Арра 305.....................................61

2.3 Образцы........................................................................................................63

2.4 Схема электрических измерений и методика эксперимента..................68

ГЛАВА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ

ПОДЛОЖЕК И ТОНКИХ ПЛЁНОК.......................................................................72

3.1 Результаты исследований поверхности металлических

электродов - подложек......................................................................................72

3.2 Результаты исследований поверхности подложек с нанесённым монослоем наночастиц......................................................................................76

ГЛАВА 4 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ...............................................................................................................89

4.1 Электрические свойства структуры "металл - наночастицы -металл" с шарообразными частицами А12Оз и ......................................89

4.2 Электрические свойства структуры "металл - наночастицы -металл" с шарообразными частицами никеля и меди, содержащими

тонкие оксидные пленки на своей поверхности..........................................100

4.3 Обсуждение экспериментальных результатов.......................................105

4.4 Метод создания полупроводниковых квантовых точек и их электрические свойства..................................................................................114

ЗАКЛЮЧЕНИЕ........................................................................................................122

ЛИТЕРАТУРА.........................................................................................................123

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования. Фундаментальные исследования явлений, происходящих в структурах с размерами менее 100 нм, дали начало развитию новой области знаний, которая вносит революционные изменения в технологии XXI века. Подобным структурам соответствует такое состояние вещества, когда в их поведении проявляются и доминируют принципиально новые явления, в числе которых квантовые эффекты, статистические временные вариации свойств и их масштабирование в зависимости от размеров структур, преобладающее влияние поверхности, отсутствие дефектов в объеме монокристаллов, значительная активность в химических реакциях, процессах сорбции, спекания, горения и т. п. Эти явления наделяют наноразмерные частицы и структуры уникальными механическими, электрическими, магнитными, оптическими, химическими и другими свойствами, которые открывают дверь в принципиально новую область манипулирования материей с применениями, трудно представимыми в обычной ситуации.

ские процессы, протекающие на поверхности наночастиц в активной газовой среде, изменяют ПЭС и положение уровня Ферми на поверхности. Следовательно, наблюдая изменение электрических свойств наночастиц, можно контролировать физические и химические процессы, протекающие на их поверхности.

Предмет и объект исследования. Предметом исследования является гетерогенная структура, содержащая наночастицы полупроводника. Объектами исследования служили электронные явления в структуре «металл - наночастицы - металл» (МНМ) с монослоем шарообразных наночастиц А1203, 2г02 или никеля и меди с тонкими оксидными пленками на их поверхности.

Цель работы состоит в изучении механизмов электронных явлений в структуре МНМ с монослоем шарообразных наночастиц металлов, содержащих тонкую оксидную пленку на своей поверхности, или с монослоем оксидов металлов.

Задачи исследования:

1. Разработать метод получения тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц, диаметр которых не превышает 270 нм.

2. Изучить структуру поверхности подложек и структуру тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц (распределение частиц по поверхности, определение размеров частиц и элементного состава пленок).

3. Разработать технические средства для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) структуры МНМ.

4. Исследовать влияние диаметра наночастиц оксидов металлов структуры МНМ на ее электрические свойства.

5. Исследовать влияние температуры на электропроводность структуры МНМ.

7. Разработать метод получения полупроводниковых КТ.

8. Изучить электронные явления в КТ.

1. На примере структуры МНМ с шарообразными наночастицами А1203 или гг02 обнаружено явление, заключающееся в том, что дифференциальное сопротивление гетерогенной структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока. Установлено, что этот эффект обусловлен двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и тунне-лированием электронов через межфазные границы. При этом толщина потенциального барьера на межфазной границе уменьшается при увеличении уровня инжекции. Положительная обратная связь обеспечивает приближение к нулю отрицательного дифференциального сопротивления структуры МНМ при увеличении силы тока.

2. Обнаружено, что после выдержки структуры МНМ с монослоем шарообразных наночастиц А1203 или 2г02 в среде атомарного кислорода или атомарного водорода электропроводность структуры возрастает до 104 раз и зависит от полярности приложенного электрического напряжения. Эффект обусловлен изменением состояния поверхности наночастиц под действием атомов Н или О. При этом контакт наночастиц с одним из электродов может становиться запорным.

3. Установлено, что дифференциальное сопротивление структуры в виде монослоя шарообразных наночастиц никеля или меди с оксидными пленками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. Форма ВАХ структуры МНМ меняется после выдержки структуры МИМ в среде атомарного водорода: наблюдается обратимый переход из проводящего состояния в непроводящее (переключения) структуры МНМ при увеличении электрического напряжения.

4. Разработан метод, позволяющий получать полупроводниковые КТ с

1 1 _л

концентрацией до 10 см и электрические контакты к каждой из них. Установленные в опытах электрические свойства КТ объяснены с использованием представлений об эффекте кулоновской блокады и эффекте увеличения прозрачности туннельных барьеров при двойной инжекции электронов и дырок в КТ.

Теоретическая и практическая значимость.

Разработан метод получения тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц, содержащих КТ. Полученные экспериментальные результаты способствуют развитию теории электропроводности наногетерогенных структур и могут найти применение при изучении физических и химических процессов, протекающих на поверхности наночастиц и КТ.

Научные результаты, выносимые на защиту:

1. Структура «металл - наночастицы - металл» (МНМ) с монослоем шарообразных частиц А12Оз или Ъх02 (у которых наибольший диаметр с! = 100±30 нм) в зависимости от величины приложенного электрического напряжения находится в слабо проводящем или в высоко проводящем электрический ток состояниях. В высоко проводящем состоянии дифференциальное сопротивление сШ / (И структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока J.

2. После выдержки структуры МНМ с частицами А12Оз или Zr02 в среде атомарного кислорода или атомарного водорода электропроводность структуры возрастает до 104 раз и зависит от полярности приложенного электрического напряжения.

3. В высоко проводящем состоянии электропроводность структуры МНМ с частицами А1203 или Zr02 обусловлена двойной инжекцией носителей тока (электронов и дырок) и туннелированием электронов через межфазные границы.

4. Дифференциальное сопротивление структуры МНМ в виде монослоя шарообразных наночастиц (диаметром d ~ 100 нм) меди или никеля с оксидными пленками на их поверхности, расположенных между плоскими металлическими электродами, положительное и уменьшается при увеличении приложенного электрического напряжения. После действия атомарного водорода на структуру МНМ форма В АХ изменяется: ее электропроводность резко увеличивается, а при увеличении напряжения сила тока линейно зависит от напряжения, затем после увеличения напряжения выше некоторого критического значения происходит обратимый переход (переключение) в непроводящее состояние.

Достоверность результатов, полученных в диссертации, обеспечена теоретической обоснованностью используемых методов и воспроизводимостью большого числа экспериментальных данных, а так же использованием современных экспериментальных методов исследования (СТМ, АСМ, СЭМ). Кроме того, полученные экспериментальные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Личный вклад автора. Автором работы получены основные результаты, разработаны технические средства и выполнен весь объем экспериментальных исследований. Им также проведен анализ полученных экспериментальных результатов и сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности.

Диссертационное исследование соответствует п. 1 «Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе», поскольку разработана и апробирована технология получения тонких пленок, состоящих из монослоя наночастиц; п.2 «Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе», т.к. проведено экспериментальное изучение влияния толщины оксидной пленки на поверхности частиц меди и никеля структуры МНМ на ее электрические свойства и изучено влияние воздействия активной газовой средой (атомарным водородом или атомарным кислородом) на электропроводность структуры МНМ; п.4 «Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетерострукту-ры, контактные явления», т.к. проведено экспериментальное изучение структуры поверхности подложек и структуры тонких пленок, состоящих из слоя наночастиц; п.6 «Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах», т.к. проведено экспериментальное изучение механизма электропроводности структуры МНМ с монослоем шарообразных наночастиц; п. 19 «Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур» (в соответствии которому разработаны методы измерения вольтамперных характеристик структуры МНМ) паспорта специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников».

Апробация работы: основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях ОрелГТУ (2010 г., 2011 г.), X Юбилейной международной научной конференции "Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии" (г. Ставрополь, 2010 г.), XXII Всероссийском Симпозиуме «Современная химическая физика» (г. Туапсе, 2010 г., 2011 г.), Московской конференции - конкурс молодых ученых, аспирантов и студентов "ФИЗИКОХИМИЯ - 2009" «Физикохимия нано- и суп-

рамолекулярных систем» (г. Москва, 2009 г.), VII и VIII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов (г. Москва, 2010 г., 2011 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 работ, в том числе 3 статьи в рецензируемых научных журналах, 8 публикаций в научных изданиях, сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 139 страницах, иллюстрируется 62 рисунками и 9 таблицами, состоит из введения, четырех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 145 наименований.

ГЛАВА 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ

1.1 Нелинейные электрические эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах

Отрицательное дифференциальное сопротивление (ОДС) - свойство некоторых элементов электрических цепей, выражающееся в уменьшении падения напряжения V на них при увеличении протекающего тока I (или наоборот). ОДС характеризуется величиной <Ш=(сОЛсИ) < 0.

ОДС - свойство нелинейных элементов и цепей; с точки зрения радиотехники такие элементы являются активными, позволяющими трансформировать энергию источника питания в незатухающие колебания. Такие элементы можно также использовать в схемах переключения [30, 36].

Зависимость с1Я от / в нелинейном элементе с ОДС может быть Ы-типа (когда выбранному значению I в области значений от 11 до 12 соответствует несколько значении V; рисунок 1.1, а) и 8 -типа (когда в области значений от V) до и2 каждому значению соответствует несколько значений /; рисунок 1.1, б). В общем случае ОДС является функцией напряжения (тока) и частоты, т. е. понятие ОДС сохраняет смысл для соответствующих компонент Фурье: Я(о)) = сШ (со)! (¡1 (со)

Рисунок 1.1 - Вольт-амперная характеристика с ОДС [81] а) N - типа; б) 8 - типа

Понятие ОДС используют при рассмотрении устойчивости различных радиотехнических цепей. ОДС может компенсировать некоторую часть потерь в электрической цепи, если его абсолютная величина меньше активного сопротивления; в противном случае состояние становится неустойчивым, возможен переход в другое состояние устойчивого равновесия (переключение) или возникновение колебаний (генерация). В однородном образце полупроводника в области существования ОДС неустойчивость может приводить к разбиению образца на участки сильного и слабого поля (доменная неустойчивость) для характеристики 1Ч-типа или шнурованию тока по сечению образца для характеристики 8-типа.

Элемент цепи с отрицательным сопротивлением называют негатроном [14, 81]. Эти элементы могут иметь различную физическую реализацию. В последнее десятилетие сформировалось новое направление - «Негатроника» [81]. Это направление электрон