Электропроводность и фотоиндуцированные эффекты в высокотемпературных сверхпроводниках Y-Ba-Cu-O тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК УКРАИНЫ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКЩ ИНСТИТУТ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУР ИМЕНИ Б.И.ВЕРКИНА

На правах рукописи

ПРИХОДЬКО Ольга Ростиславовна

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ФОТОИНДУВДРОВАННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫ! СВЕРХПРОВОДНИКАХ У-Ва-Си-0

01.04-.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Харьков - 1995

Диссертация является рукописью.

Работа выполнена в Физико-техническом институте низких температур им. Б.И.Веркина Национальной Академии Наук Украины.

Научные руководители: доктор физико-математических наук, профессор ДМИТРИЕВ В.М., кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник ХРИСТЕНКО Е.В.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических

наук, профессор ГАЛАИКО В.П.

доктор физико-математических наук, профессор КИРИЧЕНКО А.Я.

Ведущая организация - ДонФГИ HAH Украины.

Защита состоится " У " Л 1995 г. в /О часов

на заседании Специализированного совета Д 02.35.02 при Физико-техническом институте низких температур им. Б.И.Веркина HAH Украины (310164, г.Харьков - 164, пр. Ленина, 47).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико -технического института низких температур им. Б.И.Веркина HAH Украины.

Автореферат разослан " Xs " Л1995 г.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, с подписью, заверенной Гербовой печатью, просим направлять по адресу: 310164, г.Харьков-164, пр. Ленина, 47, ФТИНТ.им. Б.И.Веркина HAH Украины, ученому секретарю Специализированного совета

Ученый секретарь Специализированного совета

доктор физико-математических наук

А.С.Ковалев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш.

Открытие в 1986 - 1987 годах высокотемпературной сверхпроводимости явилось знаменательным событием в физике твердого тела конца XX века. Интерес к новому явлении был обусловлен не только его принципиальной научной значимостью, но и практически важными последствиями, связанными с внедрением медно-оксидных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) в технологию, промышленность, производство.

За прошедшие годы проведен большой объем фундаментальных исследований ВТСП материалов, достигнуты определенные успехи в понимании слозкных процессов взаимодействий, происходящих в этих системах. Однако большая часть вопросов, и, пренде всего, связанных с механизмом сверхпроводимости в новом классе соединений, еще не нашла своего разрешения. Учитывая все возрастающий научный и практический интерес к изучению физических свойств ВТСП соединений в целом и их токонесущих характеристик в частности, поискам методов стимуляции критических токов в этих материалах, тема диссертационной работы - электропроводность и фотоиндупированные эффекты в высокотемпературных сверхпроводниках У-Ва-Си-0 - является актуальной.

Цель настоящей диссертационной работы - комплексное исследование токопроводящих характеристик и- фотоиндуцированных изменений таких физических величин, как: электропроводность в нормальном состоянии а, критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние Т , критический ток 1о в высокотемпературных сверхпроводниках УВа2Си30б+х.

Научная новизна определяется впервые полученныш результатами, выносящимися на защиту:

1. В работе впервые проведены прямые импульсные измерения плотности критического тока в массивных монокристаллических образцах ВТСП.

2. Показано, что зависимость плотности критического тока от напрякенности магнитного поля в керамических ВТСП определяется в основном дисперсией размеров слабых связей, а такяе степенью однородности распределения плотности транспортного тока в'слабой связи.

3. Впервые экспериментально обнаружено влияние светового облучения на плотность критического тока в тонких эпитаксиаль-ннх пленках YBa2Cu306+x (х~0,5). Установлено, что фотошду-цированное повышение электропроводности в нормальной фазе и критического тока в сверхпроводящей фазе происходит по экспоненциальному закону с тремя характерными постоянными, времени. Наиболее короткая компонента (х « 15 минут) отвечает прямому перебросу электронов из Си02- плоскости в СиО^-плос-кость при фотовозбувдвнии; средняя по длительности компонента (х м 1,5 часа) отвечает процессам накопления положительного заряда в Си02 -плоскости за счет удлинения медь-кислородных цепочек в CuO^-шгаскости, в длинная (xsw 11,6 часа) -- процессу упорядочения медь-кислородных цепочек.

4. Обнаружено влияние крутизны переднего фронта измерительного импульса на критический ток в фотооблученных насыщенных по кислородному индексу пленках YBa2Cu306+z (х~0,9).

Научное и практическое значение диссертационной работа заключается, прежде всего, в получении большого числа экспериментальных данных о токонесущих характеристиках ВТСП материалов - монокристаллов, тонких эпитаксиальных пленок, керамик, об улучшении этих характеристик под влиянием светового облучения, в частности, о фотостимуляции критического тока. Анализ кинетики критической температуры, электропроводности, критического тока и коэффициента поглощения света в фотооб-лучаемых тонкопленочных соединениях YBagCUgOg позволил получить новые данные о взаимодействии структурных и квази-частичных-подсистем сверхпроводника, расширяющие экспериментальные основы понимания механизма ВТСП.•

Апробация работы. Результаты работы апробированы на •следующих Всесоюзных и Международных конференциях и совещаниях: Всесоюзное совещание по ВТСП (Харьков, 1988, Украина); German-Soviet Bilateral Seminar on High. - Temperature Superconductivity (Karlsruhe, Germany, October 8-12, 1990); VI Trilateral German-Russian-Ukrainian Seminar on High - Temperature Superconductivity (Dubna, Russia, September 14 - 18, 1993); 38-th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (МММ'93, Minneapolis, USA, November 15 - 18, 1993); 7th International workshop on critical currents in Superconductors (Albach, Austria, January 24-27, 1994); 14th General 4

Conference Condensed Matter Division (GCCMD -14, Madrid, Spain, Maren 28-31, 1994); 4th International Conference, Materials & Mechanisms oi Superconductivity High - Temperature Superconductors (M2S - HTSC IV, Grenoble, France, July 5-9, 1994.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 8 печатных работах, список которых приведен в конце автореферата .

Структура и объем работы. Диссертационная работа состо- ' ит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 79 наименований. Полный объем работы составляет 128 страниц, включая 36 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении сформулированы цель и задачи диссертационной работы, обоснована актуальность выбранной темы, приведены основные положения, выносимые на защиту, описана структура диссертации, представлен список опубликованных работ по теме диссертации.

В первой главе, носящей обзорный характер, дано краткое описание физических характеристик ВТСП систем. Основное внимание уделено соединению Y-Ba-Cu-O.

Рассмотрены особенности кристаллической структуры исследуемых в работе соединений (раздел 1.1). Анализируется механизм проводимости ВТСП систем и роль кислородного допирования, приведена фазовая диаграмма в координатах х (кислородный индекс) - критические температуры сверхпроводимости То и антиферромагнитного упорядочения TN (раздел 1.2).

Рассматриваются основные спектральные характеристики ВТСП соединений, в частности, взаимодействие ВТСП соединений со светом (раздел 1.3). Обсуздаются долгокивущие фотоиндуци-рованные эффекты в 1-2-3 системах, их влияние на ряд физических характеристик ВТСП соединений (раздел 1.4).

Глава 2 посвящена изложению методики экспериментальных исследований. Экспериментальная установка позволяла проводить стационарные и импульсные измерения токонесущей способности ВТСП материалов в широком диапазоне температур (4,2 -300 К),'во внешних магнитных полях напрязенностью до 60 кЭ и при фотооблучении пленок.

Температурная зависимость электрического сопротивления ВТСП материалов измерялась с помощью традиционной четырех-зондовой методики. Измерения критических токов образцов проводились также с помощью четырехзондовой методики как в импульсном режиме (через образец пропускались одиночные импульсы треугольной формы длительностью а ~ 100 глее + 1 мс, разделенные временными интервалами в 1-3 мин.), так и в стационарном (использовался генератор тока с медленной пилообразной разверткой по времени, т -30 мин). Данные о величинах тока и падения напряжения передавались в персональный компьютер. Стационарные магнитные поля напряженностью до 60 кЭ генерировались в продольном однокатушечном сверхпроводящем соленоиде. В качестве источника фотооблучения образцов применялись как лампа ксенонового наполнения ДКСШ-150, так и гелий-неоновый лазер ЛГН-111.

В 3 и 4 главах излагаются оригинальные результаты, вошедшие в диссертационную работу.

Глава 3 посвящена исследованиям плотности критических токов в монокристаллических, тонкопленочных и керамических 1-2-3 ВТСП материалах. Исследования проводились в широком интервале температур и внешних магнитных полей.

В первом разделе главы приводятся результаты прямых измерений критического тока в массивных монокристаллических образцах УВа2Си30б (г~1). Впервые показано, что плотность критического тока в этих материалах при азотных температурах достигает значения 10б А/см2, что согласуется с имеющимися данными магнитных измерений. Измерения критического тока в магнитном поле позволили оце^нить второе критическое поле Нс2 (-330 кЭ), что совпадает с оценками критического поля, полученными другими способами. Исследования показали, что в качественных монокристаллах УВа2Си30т слабые связи, наличие которых существенно сникает величину плотности критического тока в сверхпроводниках, играют не столь вашую роль в ограничении максимального бездассипативного тока, как, например, в пленках с кислородным дефицитом или керамических образцах.

В разделе 3.2 приводятся данные измерений плотности критических токов в эпитаксиальных пленках ВТСП

ТВа2Си30б+х , Тс=89,9К и х=0,5, То=43,4). Плотность критического тока насыщенных по кислороду пленочных ВТСП образ-6

цов YBa2Gu306+x достигает 10б А/смг при т~0,9 (т=Т/Т ), что сравнило с плотностью критических токов для монокристаллов.

Роль слабых связей в ограничении максимального бездис-сипативного тока усиливается по мере понижения кислородного индекса, что подтверждается исследованиями критического тока ВТСП пленки YBEgCu^Og^ с х = 0,5. Существование слабых связей проявляется в осциллирующей зависимости критического тока JC(H), наблюдаемой при Т = 38,2 К. По периоду осцилляций удалось оценить размеры мевгрвнульных связей (~103 8). Их наличие естественна связать с неоднородностью пространственного распределения носителей в плоскости Си02, характерной для пленок с понииеннш содержанием кислорода.

В разделе 3.3 приводятся результаты измерений критических токов в керамических образцах 1-2-3 ВТСП соединений. Показано, что в плотных керамических средах переходу в резис-тиБНоа состояние отвечают более низкие значения плотностей токов (102 + 103А/см2). Основным источником ограничения без-диссипативного тока в этих системах являются слабые межгра-нульше связи. Токонесущие свойства керамик определяются в

Рис. 1. Зависимость плотности критического тока от внешнего магнитного поля для керамического образца

^^б« "Р* Т =

4,2 К (а) - экспериментальная кривая, сплошная кривая - результат аналитического расчета.

области этих связей. Зависимость критического тока от напряженности внешнего магнитного поля формируется йод влиянием эффекта Джозефсона -осцплляций критического тока в магнитном поле, характерных для сверхпроводника со слабыми мекгранульными связями. Из-за различия размеров этих слабых связей образец представляет собой среду с неоднородно распределенной слабой сверхпрово-

Т

-'c/Jco

t-o »,11

N

О.З (- 1

п п о g j

1-о-а о пп_

2о" 30 <40 м. кЭ

основном процессами взаимодействия в

н

димостью. При этом четкая фраунгсферовская картина осцилля-ций И] замывается - остается лишь один главный максимум при К = 0. В настоящей работе этот вывод подтверждается аналитическим расчетом (рис.1).

В разделе 3.4 анализируются особенности температурной зависимости критического, тока в ВТСП материалах в сравнении с классическими низкотемпературными сверхпроводниками. Отмечается, что более резкая температурная зависимость критического тока в области низких температур в ВТСП соединекиях обусловлена двумя факторами: 1) малой длиной когерентности, вследствие чего мелкие дефекты, имеющиеся в материалах, играют в ВТСП роль центров пиннинга, формирующих вокруг себя барьеры с небольшими характерными энергиями, эти барьеры легко преодолеваются термоактивационным путем; 2) квазидву-мерностыо структуры медно-оксидных соединений, благодаря которой число возбужденных состояний растет с повышением температуры быстрее, чем в трехмерных системах.

В четвертой главе рассмотрен вопрос о влиянии оптического облучения на проводящие и спектральные характеристики тонких эпитаксиальных пленок УВагСи306+2 (х=0,5; х~1). Улучшения сверхпроводящих характеристик УВагСи306+х. пленок с х ~ 0,4+0,7 можно достичь не только путем обычного допирования кислородом, но и путем их фотооблучения. - Фотоиндуциро-

Рис. 2. Кинетика о (п) и Т (+) пленки

с

УВа£Си306 5 при фотооб-.лучении. На вставке а -кинетика I (61 /I ,в)

с 1 о со' '

и а (ба/оо,а), на встав-.ке О - взаимосвязь между фотоиндуцированными изменениями электропроводности а и критического тока I .

о

2 А е е ю

ванные изменения являются долгокивущими и сохраняются посла прекращения светового облучения в течение многих месяцев, если температура пленки не превышает 160 - 180 К.

В разделе 4.1 анализируется кинетика фотогшдуцированкых изменений электропроводности а и критической температуры Тс, ее зависимость от ячеечной структуры ВТСП соединений. Эксперимент показывает, что кинетика электропроводности о определяется тремя постоянными времени - двумя сравнительно короткими 1 « 15 минут и т » 1,5 часа и одним длинным т » 11,6

CJ И, 8

часов (рис. 2, о).'Кинетика критической температуры в основном определяется одним временем - тз (рис. 2, +).

До настоящего времени оставался открытым вопрос о том, в какой степени критическая температура То монет зависеть при данной плотности дырочных носителей от ячеечной структуры монокристаллического образца, изменяющейся при перераспределении допирущей примеси. Последняя влияет на электронные свойства двояким образом: в проводящую область Си02 поставляются дырочные носители, а отрицательные примесные ионы в цепочках GuO^ создают для носителей в Си02 плоскости потенциальный рельеф [2].

Долгсшшувде" фотоиндуцированные структурные изменения в YBa2Cu306+x происходят в цепочечной плоскости СиО^., структура которой неоднозначна ввиду большого числа кислородных вакансий (при х < 1j. Фотостимулированное перераспределение кислорода в плоскости Си02 сопровождается удлинением медь-кислородных цепочек, которое приводит к увеличению суммарного отрицательного заряда этой плоскости, а, следовательно, и числа дырочных носителей в проводящей Си02- плоскости. Этот процесс (в дальнейшем n-процэсс) протекает сравнительно быстро, поскольку свободная анергия достаточно сильно зависит от распределения зарядов иевду плоскостями Cu0s и Си02 (характерное время т:п). Стимулированная диффузия кислорода продолжается и после того, когда средняя длина цепочек и число носителей п практически перестают изменяться. В процессе диффузии кислорода устанавливается корреляция мезду кедь -кислородными цепочками а они образуют более или менее упорядоченную структуру. Такой процесс (в дальнейшем структурный или s-процесс) не сопрягши с закатными изменениями свободной анергии и поэтому протекает сравнительно медленно (характер-

9

ное время т ). Тем не менее, оказывается, что он ощутимо влияет как на о (благодаря возрастанию подвижности носителей), так и на Тс. Самая короткая временная, компонента отвечает процессам прямого переброса фотовозбувденных электронов из Си02 в СиОх плоскость ^-процесс).

Отрицательный заряд примесного кислорода создает в дне дырочной зоны потенциальную яму с шириной, на порядок превышающей межатомное расстояние [23. Для дырочных носителей, движущихся в плоскости Си02, искривленное дно .зоны играет роль вторичного потенциального рельефа. В диэлектрической фазе дырки локализуются в минимумах вторичного потенциального рельефа. В металлической фазе дырки делокализованы, однако вблизи перехода "диэлектрик - металл" дырка проводит в потециальной яме достаточное время, за которое успевает установиться корреляция между движением дырок в соседних ямах, т.е. возникают силы ван-дер-ваальсовского притяжения. Они оказываются достаточными для того, чтобы оказать значительное влияние на сверхпроводящие характеристики пленки.

В рамках таких представлений было получено выражение для кинетики электропроводности под воздействием фотооблучения с учетом п- и з- процессов:

а(г)/а(0)=[р+(1-р)е^р(-г/тп)]3/г[1+а-аетр(-г/тз)] (1)

Наилучшее совпадение экспериментальной зависимости с расчетной достигается при а=0,04; р = 1,02866, тп = 90 мин., т_ = 11,6 час. (рис. 2, сплошная кривая).

Практически полное отсутствие короткой компоненты тп в кинетике Тс объясняется двумя причинами: 1) квазидвумернос-тью медно-оксидных высокотемпературных сверхпроводников, вследствие которой плотность состояний электронного газа, фигурирующая в модели БКШ в выражении для сверхпроводящей щели А ~ Тс, не зависит от плотности носителей и в А

отсутствует сильная экспоненциальная зависимость от п^. 2) компенсирующим механизмом, существующим в рамках модели [2]. Ван-дер-ваальсовский потенциал притяжения, стимулирующий спаривание дырочных носителей, быстро уменьшается, как г"6,, с возрастанием расстояния г мевду центрами -соседних потенциальных ям. В процессе фотооблучения п^ -увеличивается одновременно с возрастанием г. Удлинение цепочек приводит, с одноЛ стороны, к увеличению числа поставляемых ими дырок в 10

плоскости Си02, а, с другой - к уменьшению числа цепочек и к возрастанию расстояния г менду их центрами. Другими словами, повышение Тс за счет увеличения п^ может компенсироваться ослаблением ван-дер-ваальсовского притязания из-за одновременного роста г. Таким образом, временная зависимость Тс связана только с медленным а-процессом (рис. 1, +).

В разделе 4.2 рассматривается влияние фатооблучения на плотность критического тока эпитаксиальной У-Ва-Си-О пленки, не насыщенной кислородом. Критический ток I , как и провода-мость нормальной фазы о и критическая температура Т , связаны со свойствами проводящей плоскости Си02- Плоскость СиОх при низкой температуре измерений (нике Т = 77,4 К) не вносит заметного иклада в формирование этих величин ввиду малой подвижности дырок, локализованных в этой плоскости.

Кинетика критического тока практически не отличается по своему характеру от кинетики проводимости: быстрый рост обеих величин под влиянием фотооблучения в начальный момент времени постепенно сменяется более слабой зависимостью (вставка а рис. 2). На вставке б рисунка изменение критического тока при фотооблучении представлено как функция изменения проводимости. Связь мевду бо/о и 61 /I имеет вид:

ба/а = Т31с/1с, ° (2)

где значение 7 равно 1,15 в'области 1; < х и 1,7 при 1; > х .

„ 4 4

В интервале 0 - т: , где в основном протекают q-пpoцec-сы, связанные с ростом свободных дырок в Си02 плоскости за счет прямого фотоперэброса электронов, отношение 7 близко к единице. Поэтому есть Есе основания предполагать, что кинетика критического тока тлеет примерно ту же зависимость от числа свободных дырок п^, что и о (т.е. ~ п£/г).

Несмотря на значительное ослабление фотоиндуцированных эффектов с повышением кислородного индекса х и их почти полное отсутствие вблизи х = 1 тем не менее обнаружены весьма необычные фотоиндуцированные изменения плотности критических токов в практически насыщенных кислородом эпитаксиальных пленках YBa2Cu3Oб+з.. (х > 0,9, То = 89,6 К) при генерации измерительных токов в виде коротких пшульсов (раздел 4.3). Измерения критического тока проводились по переднему фронту каждого импульса тока при тешэратурэ Т = 88,4 К до и после фотооблучения в течении 30 минут (ряс. 3). В отсутствие фо-

11

Рис. 3. Зависимость плотности критического тока в пленках YBagCOjO^g до фотооблучения (+) и на первом импульсе тока после фотооблучения (□), от крутизны переднего фронта импульса. Источник облучения - лазер ЛГН-111.

крутизны переднего фронта импульса dl/dt. При этом плотность критического тока остается неизменной в пределах всей серии измерений. Изменения I при первом импульсе измерительного тока после фотооблучения пленки могут иметь как положительный, так и отрицательный знак, в зависимости от величины dl/dt. При последующих импульсах плотность критического тока изменяется от импульса к импульсу и в конечном счете возвращается к своему первоначальному значению до облучения. Повторное фотооблучв-кие не приводит к повторному фотоиндуцированному эффекту до тех пор, пока пленка не переведена в нормальное состояние.

Обнаруженное явление может быть связано как с фотоинду-цированным перераспределением кислорода, так и с изменением силы пиннинга под воздействием фотооблучения.

В заключении перечислены основные результаты диссертационной работы.

Проведены прямые измерения плотности критического тока Зс в различных ВТСП материалах (в массивных монокристаллических образцах впервые). Выявлена важная роль, которую играют слабые связи в керамических и тонкопленочных ВТСП материалах с кислородным дефицитом в ограничении максимальных бездиссипативных токов. Показано, что зависимость критического тока от напряженности магнитного поля в керамических ВТСП определяется дисперсией размеров слабых связей, а таете степенью однородности распределения плотности транспортного тока в слабых связях. Во всех исследовавшихся в работе ВТСП 12

dj/dt- t0~®. А с"1- см"2

тооблучения величина I не зависит от

объектах обнаружена сильная температурная зависимость критического тока вплоть до гелиевых температур. С одной стороны, это свидетельствует о ванной роли термоактивационных процессов в образовании крипа магнитных вихрей и обусловлено малостью длины когерентности £ в ВТСП. С другой стороны, это связано с квазидвумерностью медно-оксидных сверхпроводников, в которых плотность состояний вблизи дна зоны возбуждений выше, чем в трехмерных соединениях. В свою очередь, это приводит к более интенсивному, чем в трехмерных системах, температурному росту числа возбуждений и, соответственно, снижению числа сверхпроводящих носителей.

Впервые обнаружена фотостимуляция критического тока в тонкоплвночных соединениях УВа2Си30б+х с дефицитом кислорода (х ~ 0,5) и изучена кинетика критического тока I , электропроводности а в нормальной фазе и критической температуры То под влиянием фотооблучения. Временные зависимости фотоинду-цированных изменений этих величин носят экспоненциальный характер, причем кинетика I и о определяется тремя постоянными времени - самая "короткая" компонента отвечает прямому перебросу фотовозбуаденных электронов из Си02 в СиО^ плоскость, средняя по длительности компонента тп обуслвлена ростом длины медно-кислородных цепочек в СиО^. подсистеме, а "длинная" - их упорядочением. Показано также, что временная эволюция Тс определяется в основном "длинной" временной компонентой. Вакную роль в формировании кинетики электропроводности, критической температуры и критического тока при фотооблучении ВТСП 1-2-3 соединений играет квазидвумерность структуры этих систем.

Обнаружено, что и в практически насыщенных кислородом пленках У-Ва-Си-О фотооблучение хотя и не приводит к росту плотности носителей в Си02-плоскасти, способствует, тем не менее, перераспределению кислорода в СиО^ цепочках. Это отражается в необычной зависимости плотности критического тока пленок от скорости нарастания фронта измерительного тока.

Список литературы, цитированной в автореферате

1. А.Бароне, Дк.Патерно. Зффект Джозефсонз: физика и применения. -М.: Мир, 1984, 639 с.

2. А.М,Ратнер. Двухмасштабная электронная структура медно -

13

- оксидных сверхпроводников и механизм притяжения дырок. ФНТ, 1995, т. 21, N2, с.208-218.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. В.М.Дмитриев, В.В.Еременко, И.С.Качур, В.Г.Пирятинская, О.Р.Приходько, А.М.Ратнер, Е.В.Христенко и В.В.Шапиро. Кинетика критических токов, критической температуры сверхпроводимости, и электропроводности-нормального состояния при фо-'тооблучении эпитаксиальной пленки YBa2Gu306+x. ФНГ, 1995, ■т. 21, N 2, С. 219 - 227.

2. В.М.Дмитриев, О.Р.Приходько, Е.В.Христенко, А.В.Бондарен-ко, М.А.Оболенский. Прямые измерения плотности критического тока' в монокристаллах УВа2Си307_з.. ФНТ, 1990, т. 16, N 11, с. 1483 - 1486.

3. V.ii.Dmitrlev, V.V.Eremenko, I.S.Kachur, E.V.Khristenko, O.R.Prikhod'ko. Photolnduced changes in critical current density oi YBagCUgO^ films. Proceedings of the 7th International Workshop on Critical currents in superconductors. Albach, Austria, 1994. Editor H.W. Weber - World Scientific, p. 343 - 346.

4. B.M.Дмитриев, В.В.ЕременкоВ.Г.Пирятинская, О.Р.Приходько, Е.В.Христенко. Фотоиндуцированные явления в ВТСП пленках YBa2Gu306+s. ФНТ, 1993, т. 19, N 12, с. 1364 - 1366.

5. В.М.Дмитриев, О.Р.Приходько, Е.В.Христенко. Измерение плотности критического тока массивных высокотемпературных сверхпроводников в импульсном режиме. ФНГ, 1989, т. 15, N 10, с. 1088 - 1091.

6. V.M. Dmitriev, E.V. Khristenko, O.R. Prikhod'ko. Critical current of high-To ceramics. ФНТ, 1990, т.16, N6, с.809-812.

7. V.M.Dmitriev, E.V.Khristenko, O.R.Prikhod'ko, A.V.Bonda-renko, M.A.Obolensky. Direct electric measurements of critical current density In single - crystal YBa2Cu307_x. Proceedings of the third German-Soviet Bilateral Seminar on High-Temperature Superconductivity. Karlsruhe, 1990, p. 372-377.

8. V.V.Eremenko, I.S.Kachur, V.G.Piryatlnskaya, • O.R.Prikhod'ko, V.I.Fomin. Antiferromagnetic spin correlation suppression and superconducting characteristics improvement in YBa2Cu306+8 films under light illumination. J.Appl. Phys., 1994, v. 75, N10, part 2B, p. 6744.

14

Prikhod'ko O.R. "Electric conductivity and photolnduced effects In high temperature superconductivity of Y-Ba-Cu-O".

The thesis for obtaining the Candidate degree of science, physics and mathematics, speciality 01.04.07 - Solid State Physics, B.I.Verkin Institute for low Temperature Physics and Engineering, Kharkov, Ukraine, 1995.

The 8 scientific publications devoted to experimental investigations of electric conductivity and photolnduced phenomena In high temperature superconductive materials is defended. Direct measurements of critical current density In Y-Ba-C.u-0 ceramics, films and single-crystals have been carried. Photostimulations of critical currents has been revealed first. It is -shown photolnduced persistent changes of critical current, conductivity of the noiraal state and critical temperature to be determined on the whole by three processes with different time constants.

Приходько O.P. "Електропров!дн1сть I- фото!ндуктован! ефенти у високотемпературних надпров1дникэх Г-Ва-Си-0".

Дисертац1я на здоСуття вченого ступеню кандидата ф1зи-ко-математичних наук за сп9ц1альн1стю 01.04.07 - ф!зика твердого т1ла, Ф1зико-техн1чний 1нститут низьких температур 1м. Б.1.Верк1на, Харк1в, 1995.

Захищаеться 8 наукових праць, як! м1стнть експеримэн-тальн1 досл!дження електропров1дност! та фото1ндуктованих явищ у високотемпературних надпров!дних матер1алах. Проведен! прям! вим1рювання густини критичного струму в Y-Ba-Cu-0 керам!ках, пл!вках та монокрисгалах. Вперше виявлена фото-стимуляЩя критичного струму. Доведено, що фото1ндуктован1 персистентн! зм1ни критичних струм!в, лров!дност1 нормального стану та критичноi температуря у ц!лому визначаються трьома процесами 1з р1зними часовими константами.

Ключов! слова:

високотемпературна надпров1дн!сть, елэктропров1дн1сть, кри-тичний струм, фотостимуляц!я