Эмиссионный и зарядовый эффекты поверхности сколов ионных кристаллов, имеющих разные типы дефектов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

РГбльВ1ВСЪКИй ДЕРЖАВНИЙ УН1ВЕРСИТЕТ !м. I. ФРАНКА

15 и о а ДОЗ :

I

На правах рукопису

Л О С И К Микола 1ванович

ЕМ1С1ЙН1 I ЗАРЯД0В1 ЕФЕКТИ ПОВЕРХОНЬ СКОЛЮВАННЯ ЮННИХ КРИСТАЛ1В, ЩО МАЮТЬ Р13Н1 ТИПИ ДЕФЕКТ1В

01.04.07 — физика твердого тчла

А втореферат дисертацц на здобуття вченого ступеня кандидата ф1зико-математичних наук

ЛЬВ1В- 1993

Дисертащею е рукопис.

Робота виконана на кафедр! ({изики державного ушверситету «Льв1'вська полпехшка».

Науков! кер>вники: — доктор ф1зико-математичних наук, професор НАБИ-ТОВИЧ Йосип Дмитрович; — кандидат физико-математичних наук, старший иауко-вий сшвроб1тник ГАЛ1Й Павло Васильевич.

Офщнпп опоненти: —

доктор ^¡зико-математичних ТРУК Микола Леонт1Йович; доктор фнзико-ыатематнчних К1В Лев 1ванович.

наук, професор ДМИ-наук, професор 1ВАН-

Пров'щна органЬацш — Харювський шститут монокристал1в АН УкраТни.

Залист гидбудеться « 4 » грудня 1993 р. о 15.15 год. на заа'данш спещал1зовано1 ради Д 068. 26.05 при Львшському державному ушверситет1 ¡м. I. Франка за адресою: 290005, м. Льв1в, вул. Ломоносова, 8а, Велика фь зична аудитор ¡я.

3 дисертащею можна ознзйомитись в науковгё б^блютещ Льв1вського державного ушверсптету ¡м. I. Франка, м. Львш, вул. Драгоманова, 5.

Автореферат розхланий > жовтня 1993 р.

»

Вчений секретар спец1ал1зовано1 ради, доктор ф1зико-математичних

наук, професор А. 6. НОСЕНКО

-1 -

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА. РОБОТЛ

¿SSYSibiitSSb-S^!!* ^ поверхнзвих процесах кагалioy í ел!такс!аль-ного иароцусання ведшее значения мае еаергог«чиа структура св!жоутво-рпнкх nosájJAOKb, я мели найчае?!ш с по верхи t сколвванкя (ПС). Процес руйнування лужно-галоТдинх кристал!в (ЛГК) ■ ! утворення ПС супроводяу-зться Yx де$ормац!аа у верим! рухомоi сколюючо? тргцшш, n¡o приводить до збудження електронно! п!дсистемд кр:!стал1в, утворення i руху диелокацШ, генерад!*т" гочкоиих дефектов структур«, спрямованому дрейфу дом!шок } вакаасШ. Все це сианачае електронно-елергеткчн! власти-вост! ПС, як! необх1лло рочглядата а сухупност! процес}n i явиц, су-проводиуточих Тх утворення i релаксацЦз.

Утворення ПС супроводяузться лро?1канням на н!й i в приповерхне-вому шар! ц!лого ряду едектронних i дкелокацгйних процес!s. Насл!дкои сколюванпя ЛГК в'елентризяц!я ПС i euieia електрон!в. Явшде eiíiciT електронтв у процес! сколювання t релаксацгТ сз1зоутвореюос поверхень - механоекзое:.'Ло1я електроЩв (¡ÍEE3) - е ун1версальним при ру..нуванн! i спостер!гаеться як на початкових стад!ях процесу, так 1 депккй час, протягом релаксацП ПС. MEES р!зко зроотаз а початком руйнування крис-тал!в, що дае змогу прогноэувати коклкве руйнування конструкц!йних ма-тергал!в, К{нетика МЁЕЕ визначаеться релаксац'гйнш.ш процесамя } дас ц{нну }нфорглац{ю про стан ПС.

Екзоелектронна ем!с!я (EES), супроводкупчи релаксац!» збудаених г.оворхонь, стостерхгасться також при стииулкючому оев!тлекн! (ЗСЕЕ&), енерг1яГ яхого менша вгд аиобх1дно¥ для виник'кення CTaqioHapnoY фото-e.vJci'f. Нвице ESE лягло в основу нового методу досл!д-кнь - методу' скзоелектроинОТ спектроскоп!Y дефект!в, який е одним э найб!льа чут-ливих метод!а вплапення i доел!дкенкя пркповерхнеэих дефект!в, дом!-аок, ралаксацШпга процес!в. Тому доел i доения кгнетж слоктриэац!Т ПС ЛГК, релаксац1йних ffiüSS i XüSS дозволить контролявати зШш в поля-ризац»Йко-аарядов!й j еиергеткчн!й елек?роян!Й структурах релаксуотих ПС крастал!в. Комшзксне досл!дошшя еи!с!йних i зарядово-ноляр/за-ц!йних ефе::т!з, як! спосгер!г&иться при сколюваин! !оииих крлпталгз а р1аниш дефектами (закансЯ, дом!ш;и, олектронн! I д!ркоа! цек'.-рн за-йарнлеиня (ЦЗ)} з контрольован!й к!лы:осг1 а ц!шш для rai".6o.:c:v'ро-зу:.,}К!!Я цих ефект!в. Кр!М цього, при 'fx виьченн! !сиус г.:с~л:?.Г?сть ио~ дедоеання i контролю ртзних стад!й релаксац!! ПС. Току я

дай!й дксертац!Т завдаккя •! проведен! для 'fx шр1«гкня досл!д*.ияя - Еарто цзакати актуальни;.<и.

М'ета j эавданвд роботи полягае в доел!дженн! еы!с!йних ! поляри-эац!Йио-зарядових ефект!в у процес! угворення i, особливо, рвлаксац1Т поверхонь ЛГК, одержат» сколюванняы у високоцу вакуум!, а такоя вив-ченн! впливу доы!шок» ваканс!й, електронних ! д!рковюс ЦЗ на вказан! вища ефекти.

Важливиы завданням було встановлення основних законом!рностей едектризац!Т, МЕЕЕ 1 ФСЕЕБ, роэнриття Yx ывхан!зм!р i взаемозв'язку а релаксац!ев св!жоутворених ПС, а також досл!даення фактор!в (опреснения, температуря), як! вшшваать на ралаксац!с ЕС i на ефакти* гцо Y Y супроводдують.

- сконструйована 1 виготовлена високовакуумна установка для досл!д-квнь е!л!с1йнюс <Ы£ЕЕ, SCEES) 1 зарядових ефект!в у процзс! утворен-ня ПС крис">ал!в i Yx релаксац!?;

- досл1дхена електризац!я поверхонь при сколюванн! у високому вакуум!

1 к {нетика релаксац!Y поверхневого заряду п!сля сколювання ноШналь-но чнстих (НЧ), легованих кат!оншши (Cu ) i анЮнними (ОН") дом!в-. камиЛГК:Ш ,-Са ,-ОН; NciCt rCüfOH; KBr , UF ;

- вивчено вплив типу, концентрац!1 дегуотмх дом!шок ! температуря на електризац!ю ! к!нетику релаксац!Y заряду ПС кристал!в;

- розрахована ефективна густина заряду ПС; эапропоновано механ!зи Yx елекгризац! í ! релаксац!Y заряду;

- досл!дхенн1 МЕЕЕ i 5GEEE ПС НЧ ! легованих ЛГК; вивчено вплив елект-ризацП ! гемперетури на к!нетику МЕЕЕ ! йСЕЕЕ;

- проведен! досл!длення впливу електронних 1 д!ркових ЦЗ р!зних кон-центрацШ на к!нетику релаксац!Йних МЕЕЕ i SCEEE;

- роэглянуто вплив дислокац!Й i Yx взаемод!! з ЦЗ на МЕЕЕ и ФСЕЕЕ; розрахована к!нетика ЫЕЕВ в рекомб!нац!йШй модел!.

На^ковя_новиэка_рез^льтат1в полягае в тому, цо:

- вперше проведен! досл}дження к!нетюш ME,í£ ПС ЛГК з р!зним типом дефект! в (ан!оннши 1 кат1онними надлитковнми ваканс!ями, електронни-

' ми i д!рковими ЦЗ); вивчено вплив теыператури на МЕЕЕ;

- вперше систематично досл!джена áCEEE ПС, одержаних у високоцу вакуум!, для НЧ, легованих, адитивно ! рад!' д1йно забарвлених кристал!в, яка вивчалась в единому э МЕЕЕ експерименталькому цикл! Шелл вату-хьшл оотанкьо! до деякого слабозы!кного р1ыш;

- вперше в едяноцу експеримвитальному цикл! доел! десен! електронно-ем!-С!йн1 i поляризац!йно-зарядов1 ефекти ПС ц!ло! сер!! ЛГК, як ИЧ так

! з електричнп-активними ! нейтральними дефектами.

ЗАГАЛЫА ХАРШКШЯНА РОБОТИ

Акт^альи{сть_тег,:и. У поверхневих прмдеса^ ::атал1ау 1 еп!такс{алъ-иого велике значения мае шергетична структура свгжоутво-

рених поверхонь, яки?.« найчас?!ш с позерхн! сколювання (ПС). Процеа руйнувшшя лужно-гало'гдннх кристал!в СЛГК}-1 утворення ПС супроводну-сться Тх^ дефоршц{сю у вершн! рухомоТ скодюючоУ трхщини, що приводить до збудаенкя електронноТ Щдсиегеглл крнстагйв, утворення 1 руху дислокацгй, генерацН точкових дефекПв структура, спрямованому дрейфу домгяюк I ваканс!Я. Все це плзначае електронно-енергетичн} власти-воет} ПС, як! необидно розглядд-ги а сукушост! лроцес{в { явиц, су-проводяуючих Ух утворення г релаксац!п.

Утворення ПС суправадя^згься проти:анням на н!й { в пргаюзерхне-вому шар} ц!лого ряду електрокких 5 дкслокацхйиих процес{з. Наследном сколювання ЯГК о' слектризэц!я ПС ! ем!с1Я електрон!в. Явища емШТ електрон^в у лроцес! сколювання 1 релаксац!Т св!яоутворенлх поверхонь - механоекэоег.ис}я електро^з СШЕЗ) - е ун{версальшм при ру..нуванн{ ! спостер!гаетьея як на початкових стад!ях процесу, так 1 деякий час, протягом релахсац!У ПС. :.1Е££ ргзко зростаз з початком руйнування крис-гал!в, що даа змогу прогнозувати монлнве руйнування конструкц!йш;х ма-тер!ал!в. Мистика М£Е2 визначаеться релаксацхйними процесага 1 дас ц!нну гнформац!»,про стан ПС.

Еизоелектронна еы!с!я (ЕЕЕ), супроводяуачи рсла;:сад?ю збудкених поворхонь, спостерхгазться також при стимулгяочому осв1тлекп1 (ЗСКЕЕ), енерг!яГ якого менша в£д не0бх1дн01 для викик'нення стацгокаркоТ фото-ек!сН. И вице ЕЕЕ лягло в основу нового методу досл!дж.нъ - методу' окзоелектронко! спектроскоп!!- дефектов, який е одним э иайб1яыа чут-ливах 2зе'год1в выявления ! досл!дшдая приповерхнеакх дефектов, .лом}-вон, рел?.ксац)йних процес1в. Тому досл1даення кшзткк елек?риаац!Т 1Ю ДГК, релзксац!йшх ¡.аК { ХдЕЙ дозаолигь контроллинг змтни в поля-рнзацШю-зарядовК! 1 енергеткчн!й електрош!Й структурах релаксувчих ЕС крнстал!и. Кошлсксне досл!даення ш[с№их { зарядово-поляриэа-ц!йних як! спос?ер}гавгься при сколюв&нн! !онпих крлс'.-ал!в з

фзшьш дефектами (влктсИ, доШаки, електронн! ! д}рков? цонурк за-барвяеиня (ЦЗ)) а кснгрольоваЩЙ к'лькост! е ц{шш для г;;;;бо,х;\)" розу;.. }иня цих ефект}в. Кр!м цього, при Тх вивченЩ ?сну- ь ¡/.о-дехаешадя I контролю ртзних стад|й редаисац!? ЛС. Тому я дан!й дпсертац!? завдакня-{ проведен! для 1х 3i-.ptскг«« до<;л1дч'-.[и1я - Еарто иважати актуальни:.'.и.

Мета } эавдання роботи полагав в досд!даекн1 ем!с!йних 1 поляри-зац{Йно-зарядових ефекг!в у лроцее! утворення 1, особливо, релаксац!Т поверхонь ЛГИ, одержаних сколюванням у високо»<у вакуум 1, а також вив-ченн! впливу дом!шок, вшанс}й, елехтронних 1 д!ркових ЦЗ на еказан! вище ефакти.

Важливиы завданням було всгановлення основних законоЩрностей електризац!!, МЕЕЕ ! 4СЕЕЕ, розкриття ¥х механ!зм}р 1 взаеыоэв'язку а релаксацию св!жоутворених ПО, а такон досл!дження фактор!в (олром!-нення, температуря), як| вшшвають на рвяаксац1ю 1Ю } на ефекти, що П супроводжують.

Для досягнення поставлено! мети в робот!:

- сконструйована I виготовлена високовакуумна установка для досл!д-кень ем!с1йних (МЕЕЕ, ФСЕЕЕ) 1 зарядоьих ефект!в у процес! утворення ПС крис-ал!в 1 Ух релаксац!?;

- досл!джёна електриаац!я поверхонь при сколюванн! у високоцу вакуум!

1 к!нетика релаксац!? поверхневого заряду п!сля сколювання нои!наль-но чистих (НЧ), дегованих кат{оннимя (Сй+> 1 ан!онними (ОН ) дом!ш-. ками ЛГН:Ш Са ;0Н; МаС1 гСа.'ОН; КВг , ;

- вивчено вплив типу| концентрац!Т легуших дом!пок ! температури на електризац!» ! к!нетику релаксац!У заряду ПС кристал!в;

- розрахована ефактивна густина заряду ПС; запропбновано механ!зм !х електризац! Т ! релаксац!У заряду;

- досл!дженн! МЕЕЕ 1 ФСЕЕЕ ПС НЧ ! легованих ЛГК; вивчено вплив електризац! У 1 температури на к!нетику ШЕЕ 1 йСЕЕЕ;

- проведен! досл!дження впливу електронних ! д!ркових ИЗ р!зних кон-центрац!й на к!нетаку релаксац!йких МЕЕЕ 1 ФСЕЕЕ;

- розглянуто вплив дислокац!й I Их взазмод!? з ЦЗ на МЕЕЕ и ФСЕЕЕ; розрахована к!нетика МЕЕЕ в рекомб!нац!йн!й модел!.

Наукова новизна результат!в полягав в тому, що:

- вперше проведен! досл!даення к!нетики МЕНЕ ПС ЛГК з р!зним типом дефект! в (ан! синими ! нат!онними надлишковими ваканс!яш, електронни-

' ии ! д!рковимн ЦЗ); вивчено вплив температури на МЕЕЕ;

- вперше систематично досл!джена ФСЕЕЕ ПС, одержаних у високоиу вакуум!, для НЧ, легованих, адитивно ! рад!'^д1йно забарвлених кристал!в, яка вивчадась а единому з МККК експериыенталькоцу цикл! п!сля еату-хаккя останньо? до деякого слабозы!нного р!вня;

- вперие в единому експеримвитальному цикл! досл!джен| електронно-ем!-с!йн! ! подяриэац1Яно-зарядов1 ефекти ОС ц!ло? сер!У ЛГК, як ОТ так

! з електрично-активниыи 1 нейтрааьними дефектами.

полягае перш за ьсэ в застосуванн! комплексу високочутливих I взавмодоповнювальиих методик досл!д*ення ре-лансац!йних процес!в на ПС ЛГК, одержаних у високос вакуум!; ян! дл» ли змогу одержат:: ц!л!сну картину процес1в, що в!дбувавться в поляризовано^ сколвваннш приповерхневому capt i на поверхнх.

Практична_д]нн£сть_Еоботи полягае у фундаментальное?! одержаних • результат {в по поляризац1йно-зарядовкх i «йо1йних ефэктах, як* супро-воджують сколювання t релаксац!п св{гоутвсренкх поверхонь ЛГК. МЕЕЕ 1 ФСЕЕЕ ПС можуть служити методами контролю прот1кення релакеац!йних процесгв на св!жоутвореннх поверхкях i в приповерхневому шар!. Де особливо важливо при вккорисганн! скол}в ЛГй як п!дкладок для enfтак-бального нарощуванш нал! впров!дниковюс шар!в 1 активнкх поверхонь каталiзу.

Метод вим|рювання потенц!алу ПС може бута вккористанкй як ексл-рес-кетод визначення основного типу ! в!дкосноТ к!лькостг елоктрично-актиших надлишкових ваканс!Я. Явща МКЙК коже бути використане для спостереяекня ! лрогиозування зародження м!сць руйнування конструк-ц!йних катер!алis при ¥х деформуванн!.

1. Пластична деформац}я берег! в сколюючо? тр!щини ! зумовленкй нею рух дислокац!й в приповерхневоцу капрукеному шар} ПС t Yx взаемо-д!я э точковими дефектами е основною причиною виникнення поверхневого заряду ! його релаксацП. Знак ефективного поверхневого заряду визна-чаеться типом перевакаючих надгашхопих вакансий в об'ем! сколюваних кристалгв.

2. К!иетика MEEK нергвноважнкх ПС НЧ t легованих ЛГК, яка супро-воджуе швидку стад!» релаксац!У поверхн!,- заловлена рекомбШацхйнкми процесами комплементарних пар &решелевськюс дсфект!в (ПФД), що ство-ршться -в приповерхневому rnpi при сколвванн! в ан!онн!й ! кат10нн!й п!дрешгтках ([H,F] »tV^.F] ). ! Оже-10к!зац!ев електронних пас-ток.

3. Пов!л'ьна релаксац!я ПС яскраво праявлязться для забарвленнх ЛГК 1 зумовлте каявн!сть другого максимуму в к{негиц! ИEES, що по-в!льно затухае, вказуючи на характерну для них б!льга трлвалу релакса-цгю ! виэначальну роль в цьому процее! взаемодП об'емних 1|Э з дислокации!, що виходять на поверхню. Тривал!сть пов!льно? рела.чсяцП ! затухания МЗЕЕ забарвлених ЛГК визначавться часом 1снування потоку дислокац!й в приповерхневому шар! релакауточо? ПС.

4. Для ПС незабарвлених ЛГК, одерканих у високос Ейкуум! I час-

тково прорелаксованих, властив! селективн! спектри îCEES э максгадаа-ми б смугах поглинаиня електронних ЦЗ, створених сколюванням у тонкому приловерхневому cap}. Висока 1нгенсивн!сть ФСЕЕЕ заловлена впливом електричних пол!в дислокац}й на рух ! вих!д фоготермоэбудаених елект-

poHtB.

5. Ktкотика ФСЕЕЁ ПС забарвлених ЛГК визначазться зарядаениш дислокац}ями, ïx рслакоац{йни.: рухом 1 вэаемодйею з об'емними ЦЗ, а такой ïx впливом на рух i вих!д електрон!в. йотодешферування руху дислокац}й релоксувчого приповерхневого шару при фотостииулюванн!, диф.уз}я по дисдокацШних каналах електронних 113, перенесения електро-н!в, захоплеких на дислокац}йн: píBHf до ПС визначають кШетику ре-лаксац{йно! ЗСЕЕЕ, в!добраюаючоГ ouf ни в електронно-енергетичк1й структур! ПС.

• Матер!али дисертацН допов!дались i обговорю-вались на: II Всесоюзному cumioaiyMi по активнхй nocepxHf твердих т}л (Тарту, 1977 р.); Всесоюзному симпоз!уы1 пЗастосування едектронноУ MiKpocKoniï в сучасШй техн*ц1" (Москва, 1978 р.); ЗМ» X, XI, ХП Все-союзнкх симпозгумах по MexaHoeMicíY i MexanoxiMiï твердих tíл (Ташкент, 1979 р.; Москва, 1986 р.; ЧернШв, 1990 р.; Л!берец, Чехо-Сло-ваччина, 1991 р.); Всесоюзна нарад} «Екзоелектронна ем!с{я i ï'f за-стосування" (Свердловськ, 1S79 p.); II Всесоюзна? конференщï по ек-ооелектронн!й eMicïï (Рига, 19Ш p.); II, 1У Всесоюзних симпоэ1умах пЕкзоелектрониа euictH i ïï застосування" (Москва, I9S2 р.; ТбШС1, 1985 р.); Всесоюзному симпоз1уы! „Еы1с!я э ловерхонь нап!впровгдник1в, в тоыу числ! екзоем!с!я" (Льв1в, 1989 p.); XIX, XX, XXI Всесогазних конференция по euiciftHiti едектрон!ц1 (Ташкент, 1984 p.; Kiiïb, 1987р.; Ленинград, 1990 р.); 1У Всесоюзно^ симвозтум! иВластивост! малих частшок i остр1вкови!с кетал!чних пл{вок" {Сумм, 1985 p.); H Респуб-л1канськ1й конференц!? по ф!зиц! твердого т!ла (Ош, 1989 p.); I Шк-народноцу симпоа!ум! по механоеы5сН i механохЫН твердих т!л Ш-.берец, Чехо-Словаччина, 1991 p.); ^ 1.!}жнародному симпоз!ум} по екзо-едектронн!й eMlciï } ÏT застосуванн1- (Тб1л{с{, 1991 р.); щорхчних наукових конференциях Льв1вського пол}т _;н{чного 1нституту (19771993 p.p.),

OïÎSiS&yil- катер1алах дисертсф Y опубл!ковано 22 роботи.

Дисертац!я складаеться з вступу, п'яти гозд!л1в, закдотення (153 стор}нки машинописного тексту, 52 рисунк!в, ó габлкць). Список л(тератури мЮтить 166 наЯменувань.

му шар! ПС (0) в!дбуваються на дислокац!ях t охоплюють, як покапали розрахунки, областten 1 ря t з рад!усом дом!шкоэо-ваканс!йно! хмари Дебая-Хюккеля ( lOt-IO см). Час спадания потенц!алу визнача-«ться íohhod пров1дн1стэ кристал!в t залежить в!д концентрац!!, рух-ливосц ваканс!й, температури (див.табл.).

. Сколювання ЛГК при р!зких температурах кайб!лыа яскраво демокст- . ГУ? по«рн;гц!йн} процеои в ЩйшОверхневих шарах ПС. Ско-

лпвання при к!мнатних ! б!льш низьких температурах эабезпечуз зб!ль-шення проб!г!в дислокац1йних петель в глибину в!д ПС кристал!в внасл!-док-зменшення-кое$!ц!внта вяэкост! íx руху I одночасно утруднюе термо-активац!йний рух п!д д!«ю «гид електростатичного ообралгення 1 л!н!йно-го натягу до поверх«!, а такоз взаморонуе" деполяразувч! дифуз!йно-дрейфов! íohh! процеси. Сказане приводить як до зб!льшення початкових эначень так f до зб!льшення часу його эбереження. П!двгацення температури сколювання ЛГК приводить до зворогн!* ефект!в - зменшення 6&íí ! X (ддв.табл.).

Отриман! експериментальн! результати ! проведен! розрахунки пере-, конувть, що поява на ПС ЛГК зумовлена наявн!стю в кристапах над-лишковюс заряджених вакансЩ певного знаку 1 íx взаемод!бю з рухомими при поширенн! сколиочо! тр{щини дислокац!йшшн петлями. В НЧ аба ж ле-гованих Са (з надлишком \JC~ ) ЛГК ПС зарядяазться позитивно. При вве-декн! в кркстали ан!онних дом!шок ОН" Додатн!й заряд ПС зменщуеться, вкасл!док термох!м!чних перетворень ОН"— О1" в процес! вирощування кристад!в !, таким чином, зб!льшення концентрац!У компенсуючих фонов! ü~ , а починаючи з МеОН> 0,8*1,0 иоль % в!дбувасться !нверс!я знаку DC з додатнъого на в!дгвший. Пластична деформац1я ! пов'язаний з нею рух дислокац!йних петель в приповерхневоыу, напруненому. сколю-' ванням шар! ! íx взаеыйд!я э точкоеими зарядаеники дефектами, е основною причиною поляризацН лриповерхневого шару ПС ! появи ефектив-ного поверхневого заряду ЛГК. • .

У четвертому розд!л! методом HSEE досл!дкена релаксац!я ПС ЛГК, як! м!стили р!зн! тили дефект!в (дом!шки, ваканс!!, електронн! ! д{р-ков! ЦВ). Досл!джено вплив температури на к!нетику МЕЕЕ, розглянуткй Оже-рекомб!нац!йний 1 Оже-дислокац!йний механ!зии МЕЕЕ. В рамках.цих механ!зм!в проведен! розрахукки к!нетики MESE. Встановлено вплив взавмод!! ЦЗ ! дислокац!» на к!нетику релаксац!йноY iáEES ПС.

Експеримейти показали, що для НЧ кристал!в KÚ , KlaCL , KBr , UF в к!нетиц! МЕЕЕ ПС сп6стер{гавться один вузький ыакскмук, п'очаток яко-го сп!впадае з моментом сколювання 1 .в!др!зняеться для кожного з ЛГК

3 I

!нтенсйвн!стю (I,5+4,5)-I0 !ш-с 1 ггривал!с.то в п!вшрин1 0,1+1 с). Щнетики MEES для них под!бн! i складаються з: пМиттевого" нарос-тання с); пвкдкоï сгадгï затухания, яка супроводауе ре-

лаксации} рекомб!нац!йн! процеси на ПС t в приповерхневому шар! (~ю"2+1 с); пое}льно? стад}! затухания, контрольовано! релаксац}¡¡ними з.ч!нами в приповерхнев1й дислокац}йн!й с!тц!. Встановлено вплив низьиих температур 140 К<Т<300 К на к!нетшу МЕЕЕ, який поллгае в зб!льшенн! часу затухания euiciï внасл1Док „заморовування" терыоакти-вованих процес!в релаксац!йно! рексмб!кацН. Температуриа залежн!сть к!нетики MEES s вагомим аргументом УГ рекокб!нац!йноТ природи. МЕЕЕ нер!вноважних ПС КЧ 1 легованих ЛГК зуювлена рекокб}нац{ею в ашонн!Й J кат!онн!й П1дреш!тках комплементарних 1КД ([H,F] ;£V,F] iiWe.UJ] ), створюваних на noBepxHi 1 в приповерхневоку вар! сколюванНяы, i Оке-1он1зац{ею, "ид!леною при реком01нац!ях енерг!сю, електронних ЦЗ } !н-иих електронних пасток. В дифуз{йьШ термоактивац!йн!й модел! проведений розрахунок к!нетик загасакня MEES ПС MûCl для вказаних вще реком-б!нуячих пар i отримане у втадку(Й,П i [V^F] найкраще cni Епад{ння з експериментом. Для випадку[Н,П рекомб!нац}й загасання MESS jd^lOt"3^ см"2«с"1, a SJîh\Vk,FÎ - jU)-ihÓo\)/t см"2-с"г. Щнетика USEE ПС ЛГК найкраще описузться релаксацгйними рекомб!нац!ями, !н!ц!йованиш ру-хом д!ркових H - i V^-iíeHTpiB, що п!дтвердили розрахунки темлератур-них залеяностей к i нетики MERE у вказанШ модель Для ПС легованих крйстал!в Ш-Са гОН, Mûtl-Cû,-0H особливостей в К1нетиц1 МЕЕЕ при пор!внянк! з НЧ не встановлено. Дод1бк!сть к{нетик МЕЕЕ ПС НЧ ! легованих ЛГК вказуе на визначальну роль однакових для них тип!в рекомб!-нац!йних релаксац!йних процес}в. Основным иехан!змом MEES для них в О»е-реко!.:б!нац!йний, а центрами eMiciï електчон!в в електронн! ЦЗ 1 електрони, локал!зован! на даслокац!йних р)шях.

У к!нетиц1 Î1EEE ПС забарвдента (A3, РЗ) НЧ ! легованих К.С1 , Nati , на в!дм!ну незабарвлених, спостер!гаються два максимуми. 1нтен-cjiBHicTb ЩЕЕ в першоку вузькому максимум} (тр:1вал!сть в п!вшрин! 0,5+1 с) для A3 ! РЗ кристал!в з F -ЦЗ (I0I6+I017 см-3) значно вища, . н!ж для незабарвлених. Найб!льп! !нтшсувност! UEEE в першому максимум! спостер!гались для A3 кристал1в Ш-С-Л5'104 1Ш*с-1).'Другий, по-в!льно спадаючий по !ктенсивност!, максимум МЕЕЕ ПС забарвлених кристалл в!дстае в!д першого в час! на 14-200 с в залежност! в!д кристалу t методу його забарвлення, концентрацН F -ЦЗ. Для A3 кристал!в KCt'OH

на 45+75 с; для КС! - на 70+00 с; для KCt-Ca- на 160+200 с,, а для РЗ кристал!» всгановлена эаленоИсть в!д дози опром!нення (концентра-

ц!й F -Up). В !нгенсивност! другого максимуму HESS ПС A3 кристал!в Ш-ОН спостер!галась -тенденц1я до його зростання з ростом концентрату дом!ыки. 11аявн!сть другого максимуму в к!нетнц! ЫЕЕЕ { йогопо-в{льне загасакля для релаксуючих ПС забарвленлх ЛТК вказуе на харак-терну т!льки для них, кр!м шэидкоТ (як для незабарвлених) ч!тко вира-яено? дов!льно? релаксац! 7 i оенозиу роль в цьог.у лроцес! взаеыодЦ ЦЗ з рухомими в приповерхиевому mapi дислокаций, як! виходять на ПС. Визначальним механ!эмом IIEE3 в другому максимум} s Оже-дислока!?!йний.

Отркмано, для скол!в НЧ ! легованих РЗ пристал!в KCl , MaCÍ , КВг !нгенсивносг! перкого Оже-рехсмб{нацШгаго ! другого Ояе-двслока-ц!йного максимум!в зростають з ростом дозм опром!нення (10aЦО® рад) кристал!в, зумоашочи зб!льшення {нтегральнaf екзоем(с!йноТ cyi/л ( Z.j ) симбагно росту концентрац!Т електронних F-ЦЗ. Встановлено энач-н! BiíMfHHocTl в час{ появи другого - максимуму MESE, який для РЗ ЛГИ появляеться значно ран!ше в час! (1*10 с) в залежност! в!д дози опро-мхнекня), Hisc для A3 кристал!в. Ц! в{дн!нност! зумовлен1 неоднаковими умовами руху f взаемод!Т дислокац!й з ЦЗ ! б!льпт !нтенсивн!ст» ре-комб!нац!Яних процес! в в РЗ ЛГК, внасл!док наявност! в приповерхнево-му шар! ПС рекомб!нугочих комплементарних ЩД -W2.pl" Вклад MRKR в ефентивний додатн!й заряд ПС ЛГК s надзвичайно малим ( б^* *

-ю9).-дв Tff-im ).

Розрахунок ¡нтенсивност} другого максимуму MEES для ПС ' ■ адкгивно (A3) t рад!ац!йно забарвлених (РЗ) KCl

Густина дислокацШ

П<1 ,см*2

1-10*

1-КГ

5-Ю5 I-I06

1нтенсивн!сть другого максимуму МЕЕЕ, 1ьш-с~*

A3; Nf= 8-I017 см-3 РЗ; Nf = 0,7-Ю17 см"э

5,4 3,26

5.4-I02 3,26-Ю2

1,35. Ю4 8,1 -!03

5,4-Ю4 3,26-Ю4

Тривал!сть другого максимуму '.ESE, (toro !нтенсивн!сть } загасан-ня для ПС забарвлених ЛТК визначаеться часом !снування в приповерхне-в!й облает! потоку днслокацгЯ, взаемод!ючих э ЦЗ t виносячих Yx з великих глибин (~Ю0 мкм) до тонкого ем!тувчого пару {~ 100 нм). В мо-дел! Сже-дислокац1йноТ JíEEE Y Y тривал!сть повинна задов!льно узгодяу-

ветись з характерним «асом дебаавського екраиування вакансиями заряду дкслокац!й, Розрахований час загасакня другого каксицуцу ИВЕЕ для ПС забарвдених кристал1в KCl (С*(3*3,5)»10 с) задов!льно сп}впадае а експериыентальними данши { добре уэгодяуеться ta спадом електричного потснц!алу ПС, так як обидва вони виэначаоться однотипна лроцесом взавмодЦ точкових 1 л!н!йних дефектна в приповерхневому лар!. МЕЕ& е вксокачутливия методов спостережения рвлакоац1йигас процес!в на р!вн! точкових t л!н!йних дефект!» поверхн1. - '

У п*ятому приведен! результата по фотостиадульованШ екэо-

ем!с!йн1й спектроскоп!! ПС Ш , КЬг , Watt . Сл|д в!дм!гити, цо не-szsssz^R к» »начну кгдькгсть роогт по ЛГК, до цього часу систо» катичшэс досл!джень SCEES з ОС, огриманих в високому вакуум! t в еда-ному цикл! з MEES (nicjLi ccTSKHbOÍ до пэвного сдабозм!иного

р!вня) на проводилось. . ~

Досд1диено взазмозв'язок Iß I центр! в SÍCEEE, вшав типу ЦЗ, Тх концентраций ! взаемод!Í з д»слокац1кми на структуру спектр!в ÍCESE Л С, що дозволило зробати висновкк bí^hocko вал иву зм!н в зарядов! й t еисргетичз:1й слектрокнШ структур! рзл&ксуггаз: ПС вс!х ткп!в ЛТК- СНЧ, • легованлх, AS, РЗ) на к!иеткку йСЕЕЕ.

SCSEE вакорастана як метод досл!дас5шя екергетичного стану ПС ЛГК п!сля ¥х часткозо! ргдаксац!Y i .затухания: KäEE. »Модудяц18и сколотою поверхнеи фотоекзош! с!йного сгрузку, п1дсвгення або послабления його • !ктеколвност!, зи!на його селекткшост! i, в!ддов!дно, структури спектров SCSEE в час! ni едя сковаванкя, дозволила зробитк вксновки про на-явн!сть на ПС селективная центр!в euiclf» дискрегних дислокац!йних р!вн!в, елактричиих под!в даслокацШ, а такод редаксац!йно? взаеиод!Т точкових 1 л1н!йиих дефект!в в приповерхневому шар! ЛС.

Отршано, чо для во!х тип!в досл!лсених ЛГК 5CESE ПС, отриманих в висококу вакуум!, значно перевищуе 1нтенси£н{еть SCEEE поверхонь, отриманих на гов!тр!., для яких, кр!м ¿3 ! РЗ, вона знаходиться на р!в-н! фону. Наявн!сть об'емних ЦЗ, створеннх A3 або РЗ в вих!дних ЛГК приводить до появи SCHEE низько? !нгексивноат1 (50+100 1ма»с"1 в максимумах) з деякоа структурой спектр!в, при Тх сколюванн! на пов!тр!, причому максимум« еи!с!Т зкаходяться в облает! скуг поглинання елект-ронних ЦЗ. чГао!ння" збуджекня ЛС незабарвлэних кристал!в при сколю-ваш i 'fx на пов!тр! зумовлене саыодов!льною 1х релаксац!ею i адсорб-ц!йною акгивн!стю газ!в лабораторного середовица ( 0" , ,0Н~ ), де-активуючих ! руйиугачих поверхнев! центри ем!с!Т, створен! сколюванням, якi яскраао проявляются в спектрах ФСЕЕЕ.при сколюваннг ! фотостиму-лпванн! ПС пристал!в у високому вакуум!.

Поверхн! незабарвлених НЧ f легованих кристал!в KCl Ca ,-ОН ; Na Cl ,-Ca,-0H , огриман! сколюванняы в високому вакуум}, ыають се-лективн! спектри SCEEE виоокоТ {нтенсивност! з одним максимумом, за-дов!льно сп!впадаючим э максимумом смут поглинання F -,Z-ЦЗ, збуре-них дислокац!ями в забарвлених кристалах. Центрами ем!с!Т, як показали експерименти при посл!довн!й к!лька разов!й сткмуляцИ t висв!чу-ванн! ПС в пеших смутах, в електронн! F -.Z -ЦЗ. створен! сколгаван-ням в тонкому приповерхневому шар!, а ыехан!эыом 5СЕЕЕ я фототермо-1он1зац1йнкй механ!зм. Васока !нтенсивн!сть ФСЕЕЕ <~Ю }ш-с-1) зу-новлена впливом електричних пол!в дисл9кац!й, створених сколпванням, на рух ! вих!д фототермозбудженшс елентрон!в F -,Z -ЦЗ. Для незабарвлених KCl . MaCl тип легуючоТ доы!шки валивав на !нтенсивн!сть SCEEE ПС. KaTioHna (Са ) домtea зб!льщуе, а ан!снна (ОН") - зменщуе !нтен-сивн!сть селективних максимумId SCEES.

1нтенсивн!сть SCEES висонов&куукких ПС забарвлених (A3, РЗ) ЛГК KCl ,-£а ,-ОИ ; NqCI ,-Са ,-ОЯ значно вице (нтенсивност! незабарвлених ! волод!е характерной для котом т.ту кристал!в структурою спектр! в з селективнши максимумами (не иеказ 2-х при Л ■ 400+800 нм),як! зм!ншться з часом при посл!довноыу фогостшулюванн!. 1нтенсивн!сть SCüüE ПС Р3'кристал!в KCl в 1,5*2 разя вщэ 1итенснЕност! A3 криста-л!в, а ПС АЗШ-'Савице !нтенсишос4» CCEZ3 A3 KCl гОН , цо зу-иовлено присутн!сто в РЗ кристалах ксмпдаззнтаршгх 1Щ 1 иоаливих ix рекомб!нац!й, зб!лыдуючих прл фотоетикуяяЩях, а такоз б!льш

слачним впливом електричних пол! в дшод&ЩЗ в кркотаяах КС1-Са на 2СЕЕВ. Центрами ем!с!1 ПС эабарвлешос нрзстал!в в елехтронн! ЦЗ, а такоя, сл!д вваяати, електрони, локал1гоЕ2м! its. д^слокгд!йних р!внях.

Зроблено висновонj цо !нтенсяпз!суь ! г^еога к1нетика ФСЕЕЕ ПС забарвлених ЛГК визначаеться раязксйцИЬгг» „р^сы" t 2зазмод!вп з 10 дислокац!й, а такоа впливом Тх електртаиа nasi о m gss фототермозбуд-яених електрон!в. Заряд дислокац!3 1 Чл щз э щпшщашевоцу шар! ПС влзначав !нтеноивн!сть 1 к!нетаау SCSES. ©отсдсж^зрусання руху дисло-кац!й до релаксуячо! поверхн! пра фотсстенугэшкн! зайарвлених ЛГК, захоплення диелокац!ями ! вди£уз1я° яо в|5яашшц1йювс каналах" елект-ронних ЦЗ, транспортування елехтроп!в, ¡sasonssssoc на даслокац!Йн! р!вн! j до поверхн! зб!лыцув сротягН!сть s час! рвдаксац1йно1 ЗСЕЕВ з ПС A3 1 РЗ кристал!в.

. Шнетика ФСЕЕЕ, як ! ИЕЕЕ, досл!даугашсс ГО ЛГК визначаеться зм!нами в зарядовЩ i електронн!й енергетачнШ структур! релаксуючих поверхонь, а сан! метода (ОСЕЕЕ 1 HEES) е придатнши 1 над{йнши для

досл!дя;ення дих релаксац!й.

0СН0Ш1 РШЛЬТАТИ I ШСНОВНИ

I- Для НЧ ЛГ1С знак заряду ПС (IOO), одержаних в високоыу вакуум!, додатн!й. Встановлено сутгввий вплив типу дом!пок (Са+ ,0Н~) t Yx концентраций (особливо у випадку ОН" ) на початкову величину ! знак заряду ПС легованих кристал!в, а також к!нетику спаду потенц!алу.

2. Особливостей в к!нетиц{ М2ЕЕ ПС легованих кристалгв при пор!в-нянHt з КЧ не Естановлено. Лод!бн!сть к!нетики ШЕЕ НЧ i легованих ЛГК вказуе на визначальну роль однаиових для них тип! в релаксац!йьлх рекомсИнац!йних процес!е. ¡¿¡Ел нер!вноважнах ПС зумовлена рекомбтна-qiero в ан!онн!й t кет!онк!й п!дреш!тках комплементарних ПФД ([H.F], ly^.Fi.tMejUj]), створюваних на поверхн! ! в приповерхневому шар! ско-лвванням; оже-!он!зац!ею, вад{ленов при рехомб{нац{ях енерПею, елект-ронних ДЗ та tHLMx електронних пасток.

3. Вклад !ÄEES в ейективдай додатн!й заряд ПС ЛГК е надзвичайно мал им ( 10 Винианення «а поверхн! при сколюванн! зуковлено пластичной деформац!ею поЕерхонь, що розкриваються в устх сколюючоУ тр!щ!ши } рухом дислокац}й в глибину в!д ПС з эахоплешям в!д*сшо заряджених Uc~ . Пршоверхнева область ПС, через яку руха-лксь дислокацН, набувае ефекгквного додатньогэ заряду. Термоактива-ц!йний рух до поверхн! в!д'емно зарядкених дислокац!йних сегкентхв, поряд з процесаь:и iomo'f пров!дност!, приводить до кокпенсацН

i спаду потенц!алу.

4. Сколхшання JITK при п!двигценнх температурах приводить до змен-ыення електризац!? IIC } зб!льиення швидкост! релаксац!У Yx потекцгалу. Це зумовлено зменшедаяи дкслокацхйно? поляризац:? приповерхневого шару ПС ! зменшенням. тривалост! його. ¡снування. Процсси, як! призодять-до !.вир!внюЕгння" заряду в приповерхневому шар! ПС, Б1Дбуваються на дислокац!ях ! займають облает!, сп}ви!рн! з pafliycon доуцшково-вакан-cifiHoY хмари Дебая-Хюккеля ( см). Час спадания потенц!алу вкзначаеться ! онноэ пров1дн1сти кристалг в ! зал ежить в!д концентрац! Y ваканс!й ! температуря.

5. В к!нетиц1 ¡.ESS забарвлених НЧ ! легованих KCl , UaLI на в!д-м!ну в!д незабарвлених, спостер!гаеться два иахеимуни. НаявнЮть другого максимуму ! пов!льне загасання його !нтенсивност! для релаксую-чих ПС забарвлених кристал!в вказуе на характерцу т}льки для них, кр!м швидкоТ (як для незабарвлених ЛГК), поз!льноУ релаксац! i, а також головну роль в цьому процес! взаекодП ДЗ ! рухошх в приповерх-

невому mapl дислокац!й, що виходять на поверхню. Визначальним механ!о-мом МЕЕВ в другому максиму:,!} в (ке-дислокац|йний.

6. Для РЗ НЧ 1 логованих Ш , М<хС1 !нтенсишост! первого Сже-ре-кокб!нац{йного J другого Ояе-мслокац! йного максимум!в МЕЕЕ зростають з ростом дози опронШння (10 +I03 рад) кр;;стал!в, зумовлюючи об!ль-шення !нтегральноТ екзоем!-с!йноУ суш с им б а тн о росту концектрац!1 едектроннях F -ЦЗ. зпачк} 21Дл1кноот1 ь час: иияш другого максимуму HEES, якиЯ для РЗ ЛТК появляться ран!шо (в оалеяюст! в{д дози опром!нення), н!я для A3 пристал!в.

7. Тривал1сть другого максимуму üEEä 1 його загасакня для забарвлених ЛГК визначаеться часом !снування в приповерхшв!й облает! ПС потоку дислокацМ. Час загасання другого максимуму МЕНЕ 1 спаду елект-ричного потенц!алу ПС задов!льно уэгодиуаться, так як зумовлен! одно-типним процесом вэаемодп точкових ! -л!н!йних-дефект! в в приповерхне-вому шар!. МЕЕЕ е високочутливим методом споетереження релансац!йних процес!в на р!вн! точкових ! лШйних дефект!в поверхи!.

8. ФСЕЁЕ поверхонь, отриманих в високому вакуум!, значно переви-щуз 1нтенсивнгсть äCEES ПС, отриманих на пов!тр!, для яких, кр!м за- ■ барвлених, вона знаходиться на р!вн! фону. Наявн!сть 10 в вих1дних ЛГК, зумовлш SCEE2 з деякоп структурою спектр!в нкэькоТ 1нтенсивнос-т! при Тх-сколюванн! на пов!тр!. «Гас!нняи эбудкення поверхонь в цьо-ну випадку спричинено самодов!льнога Тх релаксац!ею ! адсорбц!ею газ'!в

з пов!тря, руйнуючих створен! поверхнев! центри ei.iic!Y.

9. Поверхн! незабарвлених НЧ ! легованих ЛГК, одержаних сколюван-ням в високому вакуум!, волод!ать !ктенсивнюги селектавншли спектрами iCEEE з максимумами, задов!льно сп!впадаичими з максимумами смут по-глинання F - 1 Z -центр!в, збурених дислокац!ями в забарвлених крис-талах. Центрами ем!eil е електрош! F - 1 Z -ЦЗ» створен! сколюванням в тонкому приповерхневому пар!'. Бисока !нтенсивн!сть ФСЕЕЕ зумовлена впливом електричних пол!в дислокац!й на рух 1 вих!д фототермозбудже-них електрон!в F - 1 Z -ЦЗ. Тип легуючо! дом1шки (Са1+,0И*) впливаз

на !нтенсивн|сть Ш£ЕЕ.

10. 1нтенсивн!сть ФСЕЕЕ високовакууших ПС забарвлених (АЗ,РЗ) ЛГК вшца {нтенсивност! незабарвлених. Для кожного типу кристал!в характерна структура спектру SCEEE з селективнши максимумами, як! зм!-нюються з часом при посл!довному фотостимулюванн!. 1нтенсивн!сть ФСЕЕЕ ПС РЗ кристал!в вища 1нтенсивност! A3. Центрами емЮН ПС забарвлених кристал!в е електронн! ЦЗ 1 електрони д1:слокац1йних р!вн!в.

11. 1нтенсисн!сть ! часова к!нетика SCEEE ПС забарвлених криста-

л!в визначавться релаксац! йшм прух ом" 1 взаемод1ев заряджених дисло-кац{й о ЦЗ, а також вмиэом fx пол!в на рух фототермозбуджених елект-poHtB. йотодекпферування руху дислокацШ при фотостимулюванн! забарв-леннх ЛГК, .захоплошя дислокац!ями i пдифуз!яч по «дйслокац1йних каналах" електронних ЦЗ, тронспортування електрон!в, захоплених на дис-локац}йн! pißHt, до поверхн! зб!лыдуе протяжн!сть в час! релаксац!йноТ ÍSCEEE з ЛС A3 ! РЗ крпстал!в.

Kíhütkkk Í.ISEE í ¿CEES досл!длуваних ЛГК визначаються зм!нами в эарядоо!й 1 еиергетичн!й елек?ронн!й структур} релаксуючих ПС криста-л!в.

Ocjiodh! результата дисертацН опубл1кован! в наступних роботах:

1. Kubitovieh I.D.,Gaily P.V.,bosyk U.X. .Chilch II.I. Exoelectroa Eaia-siou freu Cleavoü Surfaces of KCL Crystals Coataiains Coloured. Centr, // Поверхность, йизика, химия, механика. -1993. - í? 8. - С.54-60.

2. líabitovich I.D., Gaily P.Y.,Loay3s U.I.,Chilch II.I. Exoelectroa Enis-sioa fres Cloavod. Surfaces of KCl Cryfltals Containing Coloured Centers// lo-th. Intera.Syap.ca Exoelectron Eaission &¡ad Application. -Tbilisi, 199ч• - Р.З.49.

3. Набитович Й.Д., Галий П.Б., Лосык Н.П., Чих B.ii. Фотоокзоэмиссия

' электронов поверхностей скола кристаллов KCl // Изв.A4 СССР. Сер. физ. - 1991. - Т.55, 12. - С.2437-2440.

4. Набитович И.Д., Лос;,;к П.И., Чих В.И., ГалиЯ II.3. йогоокзоэмиссия электронов поверхности скола KCl // Тез.докл. XXI Всесовзн.кокф.по эмиссионной электронике. - Ленинград, 1990. - T.I, с.240.

5. Набитович И.Д., Лосик Н.И., Чих В.И., Галий П.В., Шкрыбало Ю.М. Механо- и фотостимулированная экэоэлектронная эмиссия с поверхности скола аддитивно-оираиенкнх кристаллов KCl // Тез.докл.XI Вез- . союзн.сиыл.ш механохтши и ыеханоэшссии твердых тел. - Чернигов, 1990. - T.I, с.174-176.

6. Набитович И.Д., Чю; В.И., Лосик H.H. Эмиссия электронов с поверхности облученного монокристалла хлористого натрия// Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Сб.науч.тр. Уральського политехи.ин-та. - Свердловск, ISÜ9. - С.29-32.

7. Лосик H.H. Влияние дефектов структуры ка фотосткь'.улироышнуй зкзо-электронную эмиссию с поверхности скола хлористого натрия// Тез. докл.Всесоюзн.скип.: Эмиссия с поверхности полупроводников, в топ числе зкзоэыиссия. - Львов, I9G9. - С.99.

ó. Набитович И.Д., Чих В.й., Лосик Н.И. Скзоэжзспя электронов с по-

верхности скола KCl, содержащего различные типы дефектов// Тез. докл.Всесоюзн.симл.: Эмиссия с поверхности полупроводников, в том числе ЭК305МИССИЯ, - Львов, 1989. - С.51.

9. Чих В.И., Зранив О.В., Лосик Н.И. Особенности роста тонких пленок меди на искусственных центрах кристаллизации хлористого натрия// Физическая электроника. - Львов, 1988. - Р 36. - С.45-49.

10. ПйийТйьйч И.Д., Чих В.И., Лосик л.Я. Экзоэлектронная эмиссия облученных кристаллов легированного хлористого натрия/7 Тез.докл.XX Всесоязн.конф.по эмиссионной электронике. - Киев, 1937. - С.223.

11. Набитович И.Д., Чих В.И., Лосик Н.И. Зотостимулирозанная электронная эмиссия после разрушения легированного хлористого натрия// Физическая электроника. - Львов, 1987. - 3 35. - С.54-56.

12. Набитович ¿¡.Д., Чих В.II., Лосик Н.И. Эмиссия электронов при механическом разрушении -облученного- бромистого калия// Тез.докл.X Юбилейного сикп.по механозмиссии и ыеханохимии твердых тел. - М., 1986. - С.14.

13. Набитович И. Д., Лосик H.H., Чих В.И. Исследование фотостимулиро-ванной электронной эмиссии со свеяеобразованной поверхности легированного хлористого натрия// Теэ.доклЛУ Всесокш.симп.: Экзоэлектронная эмиссия и ее применение. - Тб:шиси, 1985. - С.52-53.

14. Набитович И.Д., Чих В.И., Хюсик Н.И. Исследование электронной эмиссии со свежеобразованной поверхности EJTK с примесями// Тез. ' . докл.XIX Всесоюзн.конф.по эмиссионной электронике. - Ташкент, 19134. - С.202.

15. $рекчко B.C., Шкрнбало D.M., Лосик Н.И. Модельный расчет заряда и эмиссия электронов из поверхностей скола И£ГК// Тез.докл.П Всесоюзн.симп.: Экзоэлектронная эмиссия и ее применение. - М., IS82. - С.63.

16. Лосик Н.И. Влияние легирующих добавок на параметр; электронной эмиссии ЩГК// Тез.докл.П Всесоюзн.конф.: Экзоэлектронная эмиссия и ее применение. - Рига, 19Э1. - С.39.

17. Лосик Н.И. Исследование электронной эмиссии при расщеплении це-лочногаломдных кристаллов// Сб.: Автоматика. Радиотехника. Электрофизика. - Львов, 1979. - C.I4I-I43. - Деп.в УкрШШТИ, 24.ХП. 1980 г., Л> 2526.

18. Набитович И.Д., Лосик Н.И., Малец В.Г. Исследование электронной эмиссии при разрушении ионных кристаллов// Тез.докл.Всесоюэн.совещ. Экзоэлектронная эмиссия и ее применение. - Свердловск, 1979. - С. II.

- IQ -

19. Набитович И.Д., Лосик H.H. Исследование механозмиссии свежеобразованных поверхностей щелочногалоидных монокристаллов// Тез.докл. УП Всесоюзн.симп.по ыеханоэмиссии и механохимии твердых тел. -Ташкент, 1979. - С.62-63.

20. Набитович И.Д., Икрыбало D.W., Лосик H.H. Электронно-микроскопическое исследование электрического состояния поверхности скола монокристалла// Тез.докл.Всесошн.симп.: Применение электронной шкроскопки в современной технике. - U., 197в. - С. 140.

21. Набитович И.Д., Лосик Н.И., Шкрыбало D.M. Электрический заряд поверхности скола монокристалла при позииенных температурах// Т-з. дэкл.П Всесовзн.симл.по активной поверхности твердых тел. - Тарту, IS77. - С.101.

22. Набитович Я.Д., Икрибало Ю.М., Лосик й.1.,_Фечан В.Т. Електричний стан сц1коутвореноУ псперхн! сколу лужно-галоТдких кристад1в// Елэктронна техн)ка та прилади: В1снш: Льв1вського пол{тьхн.{н-ту. - Льв{в| 1977. - Ю ПО. - С.3-7. * -