Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

1. Физические основы и методы емкостных исследований глубоких центров в полупроводниках.

1.1. Физические основы емкостной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках.

1.2. Емкостные методы исследования глубоких центров.

1.2.1. Изотермическая релаксация емкости.

1.2.2. Методы термостимулированной релаксации тока и емкости

1.2.3. Метод фотоемкости.

1.2.4. Метод нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней.

1.2.5. Другие методы исследования глубоких уровней на основе метода БЬТБ.

2. Разработка автоматизированного измерительно аналитического комплекса емкостной спектроскопии полупроводников.

2.1. Обоснование выбора метода исследований и состава аппаратной части.

2.2. Система нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней.

2.2.1. Методика температурных измерений.

2.3. Реализация режима С-У измерений.

2.4. Реализация метода термостимулированной емкости (тока).

2.5. Аппаратурно-программная реализация модифицированного метода БЬТБ.

2.5.1. Оптимизация выбора стробов.

2.5.2. Определение энергии ионизации.

2.5.3. Расчет концентрации глубоких центров.

2.6. Метод определения параметров глубоких уровней по двум одновременно снимаемым спектрам БЬТ8.

2.7. Реализация метода квазиизотермической релаксации емкости.

2.8. Схема автоматизации измерительно-аналитического комплекса с использованием технологии виртуальных инструментов.

2.9. Окончательная версия автоматизированного измерительного комплекса емкостной спектроскопии полупроводников.

3. Исследование глубоких примесных состояний в твердых растворах.

3.1. Изготовление контактов и характеристики исследованных образцов.

3.1.1. Вольт-емкостные характеристики и температурная зависимость барьерной емкости исследованных структур.

3.2. Исследования глубоких уровней в крайних точках твердого раствора ОаАБ^Рх.

3.2.1. Определение параметров глубоких уровней в ваР.

3.2.2. Определение параметров глубоких уровней в ваАз.

3.3. Глубокие уровни в твердом растворе ОаАз1хРх.

3.3.1. Глубокий У-уровень в твердом растворе ОаАз1.хРх: эксперимент.

3.4. Влияние флуктуаций состава на уширение спектров БЬТ8 твердых растворов.

3.5. Моделирование спектров ЭЬТ8 твердых растворов: У-уровень ОаА81хРх.

3.5.1. Оценка дисперсии глубокого уровня.

3.5.2. Зависимость амплитуды пика ОЬТ8 в тройном растворе от состава.

4. Определение функции плотности состояний глубоких уровней в полупроводниках по спектрам БЬТ8.

4.1. Определение функции плотности состояний глубоких уровней в полупроводниках по спектрам БЬТ8 методом Фурье-анализа

4.1.1. Разработка метода Фурье-анализа спектров БЬТ8.

4.1.2. Выбор функции аподизации.

4.1.3. Тестирование работоспособности метода Фурье-анализа спектров БЬТЗ.

4.1.4. Экспериментальные результаты по определению функции плотности состояний глубоких уровней в ОаАв1.хРх.

4.2. Определение функции плотности состояний глубокого уровня путем регуляризации решения уравнения Фредгольма для спектров БЬТБ.

4.2.1. Описание спектра БЬТБ твердого раствора с помощью уравнения Фредгольма.

4.2.2. Метод минимизации сглаживающего функционала.

4.2.3. Процедура регуляризованного решения уравнения Фредгольма для спектров БЬТ8.

4.2.4. Разрешение близкорасположенных глубоких уровней в спектрах БЫ^.

4.3. Метод регуляризации обращения свертки.

4.4. Влияние беспорядка, вносимого дислокациями, на энергетический спектр глубоких центров на примере СсШ.

5. Емкостное профилирование гетеропереходов в полупроводниках.

5.1. Вольт-емкостные характеристики гетеропереходов.

5.2. Определение разрыва энергетических зон и встроенного на гетерогранице заряда в изотипных гетеропереходах р-А^Оа^ хАв/р- А1хОа1хА8.

5.2.1. Численное решение уравнения Пуассона в случае изотипного гетероперехода.

5.2.2. Определение профиля легирования вблизи изотипного гетероперехода с учетом различия диэлектрической проницаемости слоев.

5.3. Экспериментальные результаты по емкостному профилированию изотопных гетеропереходов р-А^^а^Аз/р-А^ар^Ав.

5.4. Контроль качества гетерограниц методами емкостного профилирования.

6. Емкостная спектроскопия структур с квантовыми ямами.

6.1. Характеристика исследованных образцов квантово-размерных структур.

6.2. Влияние аппаратной функции емкостного спектрометра на определяемый концентрационный профиль.

6.3. Самосогласованное решение уравнений Шредингера и Пуассона для случая квантовой ямы.

6.4. Экспериментальные результаты по вольт-емкостному профилированию структур с квантовыми ямами.

6.4.1. Профилирование лазерных гетероструктур с квантовыми ямами.

6.4.2. Профилирование одиночных квантовых ям 1пхОа1хАз ЛлаАз.

Полупроводниковая электроника является в настоящее время наиболее динамично развивающейся отраслью производства в мире. За последние тридцать лет прирост ее продукции составляет в среднем 15% ежегодно. За это же время среднее снижение затрат на производство составило 25% в год. В значительной степени эти впечатляющие результаты обусловлены успехами в разработке надежных методов контроля качества полупроводниковых материалов и структур на их основе. Среди широкого арсенала методов диагностики указанных объектов достойное место занимают емкостные методы. Благодаря им удалось решить проблему контроля остаточных глубоких примесей и других дефектов, дающих глубокие уровни (ГУ) в запрещенной зоне полупроводника в таких материалах как германий, кремний, а также в некоторых соединениях А3В5.

Дальнейший прогресс полупроводниковой техники связывают с развитием опто- и наноэлектроники, что стало возможным благодаря широкому применению полупроводниковых твердых растворов и созданных на их основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Во всех перечисленных случаях проявляются элементы беспорядка, приводящие к принципиально новым эффектам. В частности, наличие микроскопического беспорядка должно накладывать отпечаток на поведение примесных состояний и других дефектов в твердых растворах. Поэтому прямой перенос методов анализа экспериментальных результатов и определения из них параметров глубоких центров (ГЦ), разработанных для элементарных и бинарных полупроводников, строго говоря, становится некорректным в случае твердых растворов и других систем с элементами беспорядка. Что же касается полупроводниковых твердых растворов, то исследований глубоких уровней в этих материалах емкостными методами до начала настоящей работы практически не было. Это обстоятельство, а также возрастающая значимость данных полупроводниковых систем для современной электроники определяют актуальность темы диссертационной работы.

Существенной особенностью твердых растворов является возможность плавно и в широких пределах управлять параметрами материала путем изменения его состава. Это, в свою очередь, позволяет проследить влияние изменений основных свойств материала на фундаментальные физические процессы и примесные состояния в твердых телах.

Уменьшение активных зон полупроводниковых приборов до нескольких атомных слоев потребовало разработки весьма деликатных методов исследования подобных квантово-размерных объектов. Большинство этих методов сложны и требуют дорогостоящего оборудования. Привлекательность емкостной спектроскопии определяется не только высокой чувствительностью и высокой разрешающей способностью метода, но также доступностью аппаратуры и ее относительно невысокой стоимостью. В этом смысле разработка емкостных методов контроля характеристик квантово-размерных структур также представляется весьма актуальной задачей.

Настоящая диссертационная работа является составной частью научно-исследовательских работ, выполнявшихся на кафедре микроэлектроники (ранее кафедра диэлектриков и полупроводников) и в проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им.В.И.Ульянова (Ленина) в соответствии с Координационными планами АН СССР и РАН.

Основными объектами исследований в работе являлись полупроводниковые твердые растворы соединений А3В5 ( А1хОа1хА8, ЫхОа^хАБх, 1пхОа1.хР, ОаА5[хРх). Для проведения систематических экспериментальных исследований в качестве модельного материала был выбран твердый раствор ОаАз1.хРх, поскольку крайние точки указанного твердого раствора (GaAs и GaP) хорошо изучены, твердый раствор существует во всем диапазоне составов х, обладает точкой перехода от непрямой к прямой структуре энергетических зон и технология указанного полупроводникового соединения хорошо отработана. С целью демонстрации возможностей разработанных нами методик часть экспериментов была проведена на i-n структурах из нитрида галлия, а также на монокристаллах сульфида кадмия, выращенных как из расплава, так и из газовой фазы. В работе исследовались гетеропереходы и квантово-размерные структуры, изготовленные на основе твердых растворов AlxGai„xAs и InGaixAsx.

Целью работы являлось установление общих закономерностей в энергетическом спектре глубоких примесных состояний и дефектов в полупроводниковых системах с элементами беспорядка методами емкостной спектроскопии и разработка емкостных методов контроля характеристик квантово-размерных структур.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:

1. Разработать и создать автоматизированный измерительно-аналитический комплекс емкостной спектроскопии полупроводников, позволяющий при проведении одного температурного сканирования формировать и впоследствии обрабатывать полный массив данных.

2. Разработать новые измерительные методики, расширяющие возможности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (Deep Level Transient Spectroscopy - DLTS).

3. Провести исследования глубоких примесных состояний в полупроводниковых твердых растворах во всем диапазоне составов с целью установления общих закономерностей в поведении глубоких центров в системах, в расположении атомов которых присутствуют элементы беспорядка.

4. Разработать методику корректного определения параметров глубоких центров из спектров БЬТБ применительно к полупроводниковым твердым растворам и другим системам с элементами беспорядка.

5. Исследовать методами емкостного профилирования гетеропереходы и квантово-размерные структуры с целью определения их параметров и контроля качества указанных объектов.

Научная новизна работы состоит в том, что впервые на примере твердых растворов А3В5 методами емкостной спектроскопии проведены систематические исследования поведения глубоких центров в полупроводниках, в расположении атомов которых имеются элементы беспорядка. В результате этих исследований установлены общие закономерности в поведении глубоких состояний в указанных системах и разработана методика корректного определения параметров глубоких центров для случая полупроводниковых твердых растворов по спектрам БЬТ8.

Конкретные формулировки приведены в научных положениях, отвечающих требованию новизны.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Наличие элементов беспорядка в полупроводниковых твердых растворах приводит к неэкспоненциальной релаксации барьерной емкости и уширению спектров ОЬТ8, что принципиально необходимо учитывать при количественной емкостной спектроскопии таких объектов.

2. Предложенный метод одновременного измерения нескольких спектров БЬТ8 с разными "окнами скорости" для случая экспоненциального изменения барьерной емкости позволяет использовать весь массив экспериментальных данных для определения параметров глубоких центров и тем самым увеличить достоверность и точность измеряемых параметров.

3. Регуляризация спектров БЬТ8 систем с элементами беспорядка позволяет в явном виде получить функцию плотности состояний глубоких центров без субъективных априорных предположений о характере этого распределения.

4. Предложенная методика обработки спектров БЬТ8 на основе регуляризации обеспечивает повышение разрешающей способности метода, приближаясь к естественному пределу разрешения тонкой структуры функции плотности состояний.

5. Развитый метод вольт-фарадного профилирования квантово-размерных структур позволяет определять распределение основных носителей заряда в области квантовой ямы с разрешением не хуже трех молекулярных слоев.

Практическая ценность работы заключается в углублении существующих представлений о фундаментальных свойствах состояний, дающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводников, в расположении атомов которых присутствуют элементы беспорядка. Эти материалы являются базовыми при производстве структур современной опто- и наноэлектроники, а глубокие центры в них оказывают решающее влияние на параметры приборов, изготавливаемых на их основе. Предложена методика корректного количественного определения параметров глубоких центров в полупроводниковых твердых растворах из спектров нестационарной емкостной спектроскопии (среднее значение энергии ионизации, вид функции плотности состояний дефекта в запрещенной зоне полупроводника, сечение захвата, концентрация глубоких ловушек).

Разработана новая измерительная методика, расширяющая возможности БЬТЭ, основанная на использовании полного массива экспериментальных данных, что позволяет увеличить достоверность и точность определяемых параметров глубоких центров в полупроводниках.

Предложен способ определения и определены характеристики кван-товоразмерных структур, такие как разрывы зон на гетеропереходе, величина встроенного в гетеропереход заряда, качество гетерограниц.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы были представлены и обсуждены на: Международном совещании по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле (Варна, НРБ, 1977); 6-ой Всесоюзной конференции по электролюминесценции (Днепропетровск, 1977); Всесоюзной конференции по люминесценции широкозонных полупроводников (Ленинград, 1979); Всесоюзном семинаре "Методы получения, свойства и области применения нитридов" (Рига, 1980), Ежегодном заседании немецкого физического общества (Мюнстер, ФРГ, 1982), Международном совещании по взаимосвязи между условиями эпитаксиального роста и свойствами полупроводниковых эпитаксиальных слоев (Перпиньян, Франция, 1982); 12-ой Европейской научной конференции по твердотельным приборам (Мюнхен, ФРГ, 1982); 5-ой Всесоюзной конференции по методам получения, исследованию свойств и перспективам применения нитридов (Рига, 1984); 8-ой Всесоюзной конференции "Планирование и автоматизация эксперимента в научных исследованиях " (Ленинград, 1986); 3-ем Всесоюзном совещании "Физика и технология широкозонных полупроводников" (Махачкала, 1986); 1-ом Координационном совещании секции "Диагностика полупроводников и полупроводниковых структур" научного совета АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников" (Наманган, 1988), 12-ой Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990); Первой национальной конференции "Дефекты в полупроводниках" (С.-Петербург, 1992); 23-ем международном симпозиуме по твердым растворам (С.-Петербург, 1996); Международном симпозиуме "Наноструктуры: физика и технология" (С.-Петербург, 1997); Первой международной кон

12 ференции "Материаловедение для инфракрасной оптоэлектроники" (Киев, 1998); Международной конференции по мягким вычислениям и измерениям (С.-Петербург, 1999); 12-ой Международной научной конференции "Математические методы в технике и технологиях" (Новгород, 1999); XI Российском Симпозиуме по электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (РЭМ'99) (Черноголовка, 1999); Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1999); X Международном симпозиуме "Тонкие пленки в электронике" (Ярославль, 1999); а также на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ЛЭТИ (СПбГЭТУ) (1974-1999).

Публикации. По результатам исследований и разработок, представленных в диссертации, опубликовано 54 печатных работы, в том числе 37 статей, 3 учебных пособия, 14 тезисов докладов на конференциях.

Структура и объем диссертации: Диссертационная работа состоит из введения, шести глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Исследование глубоких примесных состояний в полупроводниковых твердых растворах и в других системах, в расположении атомов которых присутствуют элементы беспорядка, методами емкостной спектроскопии позволяет сделать следующие выводы:

1. В отличие от бинарных соединений в твердых растворах наблюдается неэкспоненциальный переходный процесс релаксации барьерной емкости и уширение спектров БЬТ8, что вызвано неоднородным уширением основного энергетического состояния глубокого центра вследствие статистически неупорядоченного распределения компонент твердого раствора. Поэтому традиционная методика обработки спектров становится некорректной.

2. Разработана методика определения основных параметров глубоких центров в твердых растворах из экспериментальных спектров ОЬТБ с помощью моделирования уширенных спектров в предположении гауссового характера уширения глубоких уровней. Введенные параметры расщепленной группы уровней: средняя величина энергии ионизации Е0 и дисперсия распределения позволяют корректно интерпретировать спектры БЬТ8 твердых растворов.

3. Разработан метод Фурье-анализа спектров БЬТБ, позволяющий определять функцию плотности состояний глубоких центров в запрещенной зоне полупроводников из экспериментальных спектров путем обращения свертки.

4. Для корректного решения обратной задачи ОЬТ8 применен метод тихоновской регуляризации, что позволило в явном виде получить функцию плотности состояний глубоких центров без субъективных априорных предложений о характере этого распределения. Предложенная методика обработки спектров БЬТ8 на основе регуляризации обеспечивает повышение разрешающей способности метода, приближаясь к естественному пределу разрешения тонкой структуры функции плотности состояний.

5. Разработан метод регуляризации обращения свертки на основе быстрого преобразования Фурье, позволяющий более эффективно использовать вычислительные ресурсы при операции вычитания аппаратной функции.

6. Предложен и реализован метод определения параметров глубоких уровней из двух спектров ЭЬТЗ, регистрируемых одновременно в случае экспоненциального характера релаксации барьерной емкости. Сущность метода заключается в делении друг на друга сигналов БЬТ8, получаемых одновременно при одной температуре с разными окнами скорости, и решении соответствующего трансцендентного уравнения относительно постоянной времени при данной температуре.

7. Разработана методика определения разрывов зон и встроенного в интерфейс заряда в изотипных гетеропереходах из экспериментальных результатов С-У профилирования, основанная на численном моделировании уравнения Пуассона с учетом различных величин диэлектрической проницаемости по разные стороны от гетерограницы и неполной ионизации примеси. Определены величины разрывов зон (АЕУ =113 мэВ при Т=300К, что составляет 39% от Е8) для p-Alo.2Gao.8As/p-Alo.5Gao.5As и выявлен характер их температурной зависимости. Методика пригодна для контроля качества гетерограниц.

8. Развит метод вольт-фарадного профилирования квантово-размерных структур, позволяющий определять распределение основных носителей заряда в области квантовой ямы с разрешением не хуже трех молекулярных слоев.

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИИ

С - барьерная емкость полупроводника ик - контактная разность потенциалов и - напряжение смещения с1 - толщина области объемного заряда q, е - заряд электрона

8 0 - диэлектрическая проницаемость вакуума в - относительная диэлектрическая проницаемость среды; р энергетическая дисперсия м(г) ' концентрация мелкой (глубокой) примеси

Nи, -концентрация ионизованных атомов в области объемного заряда

- площадь р-п перехода; нормализованная величина сигнала х - постоянная времени переходного процесса р - удельное сопротивление

- толщина базовой области диода

ЕР - энергия уровня Ферми

Е с (у) - энергия дна зоны проводимости (потолка валентной зоны) еп{р) - скорость термической эмиссии электрона в зону проводимости дырки в валентную зону) - скорость захвата электрона (дырки) на уровень ст - сечение захвата носителя на ГЦ; встроенная поверхностная плотность зарядов Т - температура

УТ > - средняя тепловая скорость носителя

Ыс{у) - эффективная плотность состояний в зоне проводимости валентной зоне) ф - электростатический потенциал в уравнении Пуассона

- интеграл Ферми-Дирака

- плотность встроенного в гетерограницу заряда У„(р) - коэффициент захвата электрона (дырки) g - фактор вырождения ГУ к - постоянная Больцмана т„(р) - эффективная масса электрона (дырки)

И - постоянная Планка а - эффективный радиус Бора

Мс - число эквивалентных минимумов зоны проводимости

- сопротивление базовой области диода со - круговая частота тестового сигнала tgЬ - тангенс угла диэлектрических потерь

Е^, - ширина запрещенной зоны

Е1 - энергия ионизации рЕ - плотность состояний ГУ g(E) - функция Гаусса п, р - концентрация свободных электронов, дырок

С0 - стационарная барьерная емкость

Р - скорость линейного изменения температуры

I - время и^) - весовая функция фильтрации тй - эффективная масса плотности состояний тс - эффективная масса проводимости

Т0,5 - ширина пика БЬТ8 на полувысоте

Х,Г - непрямой и прямой минимумы зоны проводимости

1. Берман J1.C. Емкостные методы исследования полупроводников.-Л.: Наука, 1972.-104 с.

2. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.-Л. : Наука, 1981.-176 с.

3. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.-М.: Мир, 1977.-562 с.

4. Блад П., Ортон Ж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника.-1981.-№ 1-2.-С.3-49.

5. Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. Capacitance transient spectroscopy// Ann.Rev.Mater.Sci.- 1977.-P.377-448.

6. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.-М.: Мир, 1973. 456 с.

7. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centers in GaP p-n junctions//J.Appl.Phys.-1974.-Vol.45, N7.-P.3014-3022,

8. Бургуэн Ж., Ланно M. Точечные дефекты в полупроводниках.Т.1. Теория. М.: Мир, 1984.-264 с.

9. Pals J.A. Properties of Au,Pt,Pd and Rh levels in silicon measured with aconstant capacitance technique// Solid State Elect.-1974.-Vol.l7,Nll.-P.1139-1145.

10. Пикус Т.Е. Основы теории полупроводниковых приборов.-M.: Наука, 1965 .-448 с.

11. Shokley W., Read W.T. Recombination of holes and electrons//Phys.Rev. 1952.-V.87,N5.-P.835-842.

12. Buchler Y.G. Impurity centers in p-n junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate// Solid State Elect.-1972.-V. 15,N1 .-P.69-79.

13. Lang D.V. Deep level transirnt spectroscopy:A new method to characterise traps in semiconductors//J.Appl.Phys.-1974.-V.45,N7.-P.3023-3032.

14. Wagner E.E., Hiller D., Mars D.E. Fast digital apparatus for capacitance transient analysis//Rev.Sci.Instrum.-1980.-V.51,N9.-P. 1205-1211.

15. Jack M.D., Pack R.C., Henriksen J. A computer controlled deep-level transient spectroscopy system for semiconductor process control/ЛЕЕЕ Tranc.Electron Dev.-1980.-V.ED-27,N12.-P.2226-2231.

16. Schulz M., Klausmann E. Transient capacitance measurements of interface on the intentionally contaminated Si-Si02 interface//Appl.Phys.-1979.-V.18.-P.169-175.

17. Lefevre H., Schulz V. Double correlation technique /DDLTS/ for the analysis of deep level profiles in semiconductors // Appl.Phys.-1977.-V.12.-P.45-53.

18. Lefevre H., Schulz M. Doubl correlation technique /DDLTS/ for the analysis of deep level profiles in GaAs and GaAso,6Po,4// IEEE Tranc.Electron Dev.-1977.-V.Ed-24,N7.-P.973-978.

19. Petroff P.M., Lang D.V. A new spectroscopic technique for imaging the spatial distribition of nonradiative defects in a scanning transmission electron microscope// Appl.Phys.Lett.-1977.-V.31,N2.-P.60-62.

20. Сережкин Ю.Н., Акимов П.В., Федосеев B.C. Гибридный метод определения параметров глубоких уровней в р-п переходах//ФТП.-1978,-Т.12,вып.6.-С. 1079-1084.

21. Шаймеев С.С. Автоматический емкостной спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полупроводниках//ПТЭ.-1985.-№1.-С.175-177.

22. Самойлов В.А., Принц В.Я. Емкостной спектрометр глубоких уровней//ПТЭ.-1985.-№5.-С. 178-181.

23. Барков В.Б., Лебедева Л.В., Фомин И.А. Установка для исследования параметров глубоких уровней в полупроводниках//ПТЭ.-1982.-№6.-С.178-181.

24. САМАС.А modular instrumentation system for date handling.-EUR 4100. 1972.

25. Кузьмичев Д.А.,Радкевич H.A., Смирнов А.Д. Автоматизация экспериментальных исследований.-М.: Наука, 1983.-384 с.

26. Зубков В.И., Соломонов A.B. Автоматизированная установка для емкостных исследований полупроводников на базе МЦЕ-13АМ // Изв. ЛЭТИ.-1986.-Вып.365.-С.97-100.

27. Фастовский В.Г. Криогенная техника.-М.: Энергия, 1974.-496 с.

28. Калиткин H.H. Численные методы.-М.: Наука, 1978.-512 с.

29. Румшиский Л.З. Математическая обработка результатов экперимента.-М.: Наука,1971.-192 с.

30. Васильев A.B., Смагулова С.А., Шаймеев С.С. К вопросу о методике обработки спектров DLTS//OTn.-1983.-T.17,Bbin.l.-C.162-164.

31. Landolt-Bomstein.Numerical Data and Functional Relationships in Scirnse and Technology.-Springer-Verlag Berlin,Heidelberg„N.Y.,1982.-V.17a.-348 p.

32. Катодолюминесценция нелегированных эпитаксиальных слоев нитрида галлия / Л.А.Марасина, А.Н. Пихтин, И.Г.Пичугин, А.В.Соломонов // ФТП,1975.-Т.9, Вып.9,- С.1772-1776.

33. Catodoluminescence of undoped and Zn-doped GaN epitaxial layers / L.A.Marasina, A.N.Pikhtin, I.G.Pichugin, A.V. Solomonov // Phys.Stat.Sol.(a).1976,- V.38.- P.753-760.

34. Соломонов A.B.Глубина возбуждения катодолюминесценции в нитриде галлия // Известия ЛЭТИ.-1976,- Вып.205,- С.98-100.

35. Соломонов A.B. Кинетика люминесценции в нитриде галлия, легированном цинком // Тез. докл. II Всесоюз. совещания по широкозонным полупроводникам.- Л. 1979.-С.95-96.

36. Малиновский В.В., Пихтин А.Н., Соломонов A.B. Особенности кинетики излучательной рекомбинации в нитриде галлия, легированном цинком // ФТП.-1980,- Т.14, Вып.8.-С. 1550-1554.

37. Соломонов A.B. Люминесценция нитрида галлия, легированного цинком //Изв. ЛЭТИ.-1981,- Вып.281.-С.82-86.51 .Люминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев Gai.xAlxN /

38. A.Н.Пихтин, Е.Б.Соколов, А.В.Соломонов, В.П.Чегнов // ФТП.-1979.-Т.13, Вып. 10,- С.2026-2028.

39. Голубые светодиоды на базе GAN/А.И. Зюганов,

40. B.В.Зориков,М.С.Матинова и др.//Письма в ЖТФ.-1981.-Т.-7,вып. 19.-С. 11531157.

41. M.A.Melnik, A.V.Solomonov, V.I.Zubkov. Virtual instrument technology in deep level transient spectroscopy / Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл. XX Междунар. конф., Воронеж.,18-21 окт. 1999 г.- Воронеж,1999,1. C. 93-94.

42. Берг А., Дин П. Светодиоды.-М.: Мир,1979.-688 с.

43. Марина Л.И., Нашельский А.Я., Колесник А.И. Полупроводниковые фосфиды АШВУ и твердые растворы на их основе.-М.: Металлургия, 1974,232 с.

44. Арсенид галлия. Получение , свойства и применение/Под ред.Ф.П.Кесаманлы и Д.Н.Наследова.-М.:Наука,1973.-471 с.

45. Пихтин А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах//ФТП.-1977.-Т.11,вып.3.-С.425-455.61 .Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов 111 и У групп.-М.: Мир,1967.-477 с.

46. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия//Излучательная рекомбинация в полупроводниках:Сб.статей.-М.: Наука, 1972.-С.224-304.

47. Материалы для оптоэлектроники: Сб.статей/Под ред.перев.Гиваргизова Е.И. и Горина С.Н.-М.: Мир,1976.-С.9-307.

48. Blakemore J.S. Semiconducting and other major properties of Gallium Arsenide//J.Appl.Phys.-1982.-V.53,N10.-P.R123-R181.

49. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях АШВУ //ФТП.-1978.-Т.12,вып.4.-С.625-652.

50. Martin G. V., Mitonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals//Electron.lett-1977.-Y. 13,N7.-P. 191 -192.

51. Пихтин А.Н., Яськов Д.А. Край собственного поглощения фосфидагаллия//ФТТ.-1969.-T.il,в.3.-С.561-566.

52. Study of electron traps in n-GaAs grown by molecular beamepitaxy/D.V.Lang,A. Y.Cho, A.C.Gossard, M.Ilegems//J.Appl.Phys.-1976.1. V.47,N6.P.2558-2564.

53. Detailed electrical characterisation of the deep Cr acceptor in GaAs/G.M.Martin,A.Mitonneau,D.Mircea,D.V.Woodard//J.Phys.C.:Solid State Phys.-1980.-V.13.-P.3855-3882.

54. Lang D.V., Logan R.A. A study of deep levels in GaAs by capacitance spectroscopy//J.Electron.Mater.-1975.-Vol.4,N5.-P. 1053-1066.

55. Состояние примесных атомов Cr и Co в GaP /В.И.Кириллов, Н.Н.Прибылов, С.И.Рембеза, А.И.Спирин, В.В.Тесленко//ФТП.-1983,-Т.17,вып.6.-С. 1149-1151.

56. Henry С.Н. Deep level spectroscopy, low temperature defect motion and nonradiative recombination in GaAs and GaP//J.Electron.Master.-1975.-V.4,N5.-Р.1037-1051/

57. Makram-Ebeid S. Effect of electric of fieid on deep-level transients in GaAs and GaP// Appl.Phys.Lett.-1980.-V.37,N5.-P.464-466.

58. Glinskii G.F.,Kopylov A.A.,Pikhtin A.N. Indirect exciton dispersion in 111-V semiconductiors: CameFs back in GaP// Solid State Comm.-1979.-V.30,N4.-P.631-634.

59. Пихтин A.H., Попов B.A., Яськов Д.А. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью лазера//ФТП.-1969.-Т.З,№11,-С.1646-1648.

60. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Получение омических контактов к полупроводникам//ПТЭ.-1970.-№2.-С.238-239.

61. Клот Б. Люминенсценция твердых растворов GaAsi.xPx:N (Х>0,5), выращенных методом газофазной эпитаксии: Авторефер.дис. канд.техн.наук.-Л.,1984.-12 с.

62. Пихтин А.Н. Оптические явления в полупроводниковых твердых растворах А111ВУ. Дисс. . докт.физ.-мат.наук.-Л.Д978.

63. A.N.Pikhtin, D.A. Yaskov: Infrared absorbtijn in GaP.Phys.Stat.sol.V.34. P.815-824, 1969.

64. A.A. Копылов, А.Н. Пихтин Донорные состояния в GaAsi.xPx. ФТП. Т.15Д11.1981.-С. 2164-2170.

65. Ferenczi G. Frequency and temperature dependence of the small signal capacitance of reverse biased GaP(Zn,0) p-n junction// Solid State Electron.-1974.-V.17,N9.-P.897-902.

66. Гольдберг Ю.А., Иванова O.B., Львова T.B., Царенков Б.В. Влияние последовательного сопротивления на харктеристку емкость-напряжение поверхностно-барьерной структуры // ФТП. 1983.-Т. 17,N6.

67. Константинов О.В., Мерзин О.А. // ФТП. 1983.-Т.17.С.305.

68. Ferenczi G., Krispin P., Somogyi N. Nitrogen related deep electron trap in GaP// J.Appl.Phys.-1983.-V.54,N7.-P.3902-3912.

69. Determination of the solidus and gallium and phosphorus vacancy concentrations in GaP/A.S.Jordan,A.R.Von Neida,

70. R.Caruso,C.K.Kim//J.Electr.Soc.-l 974.-V. 121,N1.-P. 153-158.

71. Kuipers F.P.J., Blok L.,Vink A.T. Growth and characterisation of GaP and GaAsi.xPx//J.Cryst.Growth.-1975.-Vol.31.-P. 165-171.

72. N.T.Bagraev. The EL-2-zenter in GaAs: Symmetry and Metastability. J.Phys. I. France. V.l. P.1511-1527. 1991.

73. Баграев H.T. Симметрия EL-2-центра в GaAs. Письма в ЖЭТФ. Т.53. Вып. 11. С.548-553. 1991.

74. Native levels and degradation in GaAso,6Po,4 LED's/C.1.per, A.Garcia,F.Garcia, E.Munos// Solid State Electron.-1979.-V.22, N1,- P.81-85.

75. Henning I.D., Thomas H. Electron trap behavior in Te-doped GaAso^PoV/ Solid State Electron.-1982.-V.25,N4.-P.325-333.

76. Кольченко Т.И., Ломако В.М. Взаимодействие глубоких ловушек с различными минимумами зоны проводимости в тройных растворах на основе GaAs// Тез.докл. X Всесоюзн. Конф. По физике полупроводников, 17-19 сент., Минск, 1985.-Минск,1985.-Ч.Ш.-С.20-21.

77. EL2-related defects in neutron irradiated GaAsixPx alloys/E.Minos, F.Garcia, B.Junenes, E.Calleja, A.Gomez// Appl.Phys.Lett.-1985.-V.47,N8.-P.798-800.

78. Берндт В., Копылов А.А., Пихтин А.Н. Оптические свойства и энергетический спектр доноров в GaxInixP//OTn.-1977.-T.l 1,вып.11.-С.-2206-2209.

79. ЮО.Берндт В., Копылов А.А., Пихтин А.Н. Расщепление основного состояния донора-кремния в твердом растворе Оах1п1хР//ФТП.-1978.-Т.12,вып.8.-С.-1628-1630.

80. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников.-М.: Наука,1979.-416 с.

81. Зубков В.И., Ким Ха Ен, Соломонов А.В. Исследование глубоких уровней в твердых растворах GaAsi„xPx , легированных медью, методами нестационарной емкостной спектроскопии // Известия ЛЭТИ.-1990. -ВЫП.420.-С.6-10.

82. Samuelson L. Defect levels in semiconductor alloys. 13. Int. Conf. On Defects in Semiconductors // Calif. Aug. 12-17, 1984, Warrendale, 1985, P.101-114.

83. Morgan T.N. Theory of the DX center in AlxGai„xAs and GaAs crystals. // Physical Rev. Vol.34. N 4. P.2664-2669.

84. Diwan A., Sihgh Vijay A. Broading in the deep-level transient spectra of defects in GaAs!xSbx alloys. // J. Phys. C. Solid State Phys. 1987. Vol. 20. P.3603-3611.

85. F.Hasegama,Jpn.Appl.Phys.Partl,V.24. 1985. P.1356.

86. Берман JI.C. Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент// ФТП.1998., В.6.С.688-689.

87. A.Istratov,O.Vyvenko Exponential analysis in physical phenomena.Rev.Sci.Instr.,1999. V.70. N. 2. P. 1233-1257.

88. Tittelbach-Helmrich. Meas. Sci. Technol. 1993. Vol.4. P. 1323.

89. Y.L.Luke. Q.J.Mech Appl. Math. 1964. Vol.17. P.91.

90. Ш.Глинский К.Ф., Лупал M.B., Парфенова И.И., Пихтин А.Н. Тонкая структура А-линии связанных экситонов в GaAsixPx твердых растворах. // ФТП 1992. Т.26. С.641-649.

91. Диткин В.А., Прудников А.П. Интегральные преобразования и операционное исчисление. М.: Наука. 1974. 542 с.

92. A comparison of same electronic properties of GaxIni.xAs grown by MOCVD, VPE and LPE / D Bimberg., K.H. Goetz, A.Jurgensen, H.Razeghi, A.Y. Solomonov //12 th European Solid State Device Research Conference 13.09-16.09.82.Muenchen (1982). FRG.

93. Low temperature photoluminescence and absorption of GaxInixAs/InP / D.Bimberg, K.H. Goetz, A. Jurgensen, H. Razeghi, J. Selders, A.V. Solomonov // J.Phys.- Paris.-1982.- P.383-392.

94. Катодолюминесценция твердых растворов системы GaN-AIN / Г.А. Коркоташвили, А.Н. Пихтин, И.Г. Пичугин, А.В. Соломонов // Тез. Докл. 5 Всесоюз. конф. по методам получения, исслед. свойств и перспективам применения нитридов. Рига, 1984.

95. Effect of carbon doping on the photoluminescence spectra of MOMBE p-GaAs/ S.Ambros, K.Wolter, M.Weyers, H.Heinecke ,H.Kurz, A.V. Solomonov / Jahresbericht 1986 Inst, fuer Halbleitertechnik RWTH.-Aachen. P.148-149.

96. Метод определения функции плотности состояний глубоких уровней вполупроводниковых твердых растворах по спектрам НЕСГУ / В.И. Зубков,

97. Ха Ен Ким, А.А. Копылов, А.В. Соломонов // Тез. докл. XII Всесоюз. конф. по физике полупроводников, Киев, 1990,- Киев, 1990,- С. 154-155.

98. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых твердых растворах: Метод определения функции плотности состояний / В.И.Зубков, Ха Ен Ким, А.А. Копылов, А.В. Соломонов // ФТП.-1991.-Т.25, Вып.12.-С.2163-2167.

99. В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов Анализ уширения спектров нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в твердых растворах А3В5 // Изв. СПбГЭТУ-1995,- Вып.488.-С.32-38.

100. Риад С.М. Проблемы обращения свертки. // ТИИЭР. 1986. Т.24. N 1. С.93-97.

101. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1986. 287 с.

102. Solomonov A.V., Zubkov V.I. Regularizing algorithm for determination the deep center density-of-states function by DLTS spectra // Proceedings of PTB.-1999. -15 pp. -(В печати).

103. Бонч-Бруевич В.JI., Гласко В.Б. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. // ФТТ. 1961. Т.З. Вып. 1. С.36-52.

104. Вывенко О.Ф., Истратов А.А., Хлебов А.Г. Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS. //ФТП. 1990. Т.24. Вып.9. С.1650-1658.

105. Алферов Ж.И. Полупроводниковые приборы и их применение // В.25. Сов. Радио. М. 1971. С.204.

106. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего. // Физика сегодня и завтра. Прогнозы науки. Л. 1973. С.61-89.

107. Alferov Zh.I. Andreev V.M. Ledentsov N.N. Semiconductror Heterostractures. // Ioffe Institute. 1918-1998. 1998. St-Petersburg P.68-100.

108. Dingle. //Appl. Phys. Lett. 1976 V. 30. N2 p. 345-347

109. Kroemer H., Chien Wu-Yi. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V profiling. // Appl. Phys. Lett. 1980 V.36 N4 P.295-297

110. Hooft, S. Colak//Appl. Phys. Lett. 1986. V. 44 P. 1525-1527

111. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. 1982.

112. Определение величины разрыва валентной зоны и ее температурной зависимости в изотипных гетеропереходах p-AIxGaixAs/p-AlxGaixAs из С-V-измерений / В В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов и др.// ФТП,-1999.-Т.ЗЗ, Вып.8,- С.940 944.

113. Bugge F., Erbert G., Gramlich S., Rechenberg I., Zeimer U., Weyers M. Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. N 145. P.167.

114. Bugge F., Zeimer U., Sato M., Weyers M Trankle G. MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells.// Journ. of Crystal Growth 1998. Vol.183. P.511-518.

115. Adachi S.// J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. P.1844.

116. Solomonov, V.I. Zubkov, F. Bugge. // 23 Int. Symp. on Compound Semiconductors. St.Petersburg, Russia, September 23-27.1996.-Summaries.-P.62.

117. Alferov Zh.I. Quantum wires and dots show the way forward. // III-VI Review. 1998. Vol.11. N2. P.47-52.

118. М.Г. Мильвидский, В.В.Чалдышев Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов (обзор) // ФТП.1998.Т.32.№5.С.513-522.

119. Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. и др. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников-1997-В. 10-С. 1249-1255.

120. Брунков П.Н., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Копьев П.С. и др. C-V профилирование барьеров Шоттки Au/n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых ямам InAs // Физика и техника полупроводников. 1998.В.10.С. 1229-1234.

121. Брунков П.Н., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Копьев П.С. и др. Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в GaAs //ФТП.1996.В.5-С.924-933.

122. Kennedy D.P., Murley P.C., Kleinfelder W. On the measurement of impurity amot distibutions by the differential capasitance technique// IBM J.Res. Develop.1968,- Vol.12, N9 P. 399-409.

123. Kennedy D.P., O'Brien., R.R. On the measurement of impurity amot distibutions by the differential capasitance technique// IBM J.Res. Develop.1969,-Vol.13, N3 -P.212-214.

124. Kroemer H., Chien Wu-Yi //On the theory of Debye averaging in the C-V profiling of semiconductors // Solid State Electron. -1981. Vol.24 , N7- p.655-660Zh.

125. Susa N., Nakadome N., Mikami O., Ando H., Kanbe. New InGaAs/InP Avalanche Photodiode Structure for the 1-1.6 (im Wavelenght Region. // IEEE J. Quantum Electron. QE-16 1980,- p.864-870 157.Stern F., Das Sarma S.//Phys. Rev. 1984. Vol.30. P.840.

126. K.Yokoyama, K. Hess Montr-Carlo study of electronic transport in -Ali xGaxAs/GaAs single-well heterostructures. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 33. N 8. P.5595-5605.

127. Бронштейн И.Н., Семендяев K.A. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов.-М.: Наука, 1986.-544 с.

128. Определение параметров гетеропереходов из емкостных измерений / В.И. Зубков, А.О. Мартынова, М.А. Мельник, А.В. Соломонов // Изв.ГЭТУ:-1996.-Вып.495.-С.54-58.