ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

I. СЛОИСТЫЕ КРИСТАЛЛЫ.МЕТОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ) .II

1.1. Характер сил связей, структурные типы,политипизм II

1.2. Некоторые особенности физических свойств

1.3.- Квазидвумерность в оптических и электрических свойствах.

1.4. Физические свойства, изучаемые магниторезонансными методами.

1.5. Результаты исследований неметаллических слоистых кристаллов методом ЭПР

1.5 Л. Спектры ЭПР и параметры спинового гамильтониана

1.5.2. Проявления особенностей колебательного спектра

1.6. Изучение фотопроводимости с помощью техники СВЧ

1.7. Выводы и постановка задачи

2i" МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Спектрометр ЭПР.

2.2. Автоматическая система меток магнитного поля

2.3. Криогенная техника

2.4^ Многоцелевой резонатор СВЧ

2.5. Подготовка образцов и их характеристики

2.6. Методика изучения анизотропии СВЧ фотопроводимости

3. ЭПР ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ Ga Se , Bil3 И S£I

3.1, Парамагнитные центры в легированном марганцем

3.1.1. Одиночные ионы Мп

3.1.2. Пары обменносвязанных ионов

Мк -Мп

3.1.3. Скопления ионов марганца

3.2. Метод определения политипа слоистого кристалла

3.3. ЭПР интеркалированного кристалла беи St

3.4. Парамагнитные центры в кристаллах BiT$ и S£l

О » п

3.4.1. Ионы и Съ в кристалле dil

3.4.2. Ион а3' в кристаллах Bil3 и $41э

3.5. Эффект низкой симметрии в интенсивностях линий ЭПР

3.6. Радиационная стойкость слоистых кристаллов . . . 113 3,6.1^ Угловая зависимость линий ЭПР в обличенном электронами кристалле £а5е . Модель парамагнитного центра.

3.6.2. Форма и ширина линии ЭПР облученного электронами кристалла блЗе

3.6.3. Обсуждение результатов

4.' НИЗКОЧАСТОТНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ КОЛЕБАНИЯ И ЭПР ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ

4.1. Температурная зависимость аксиальной константы

4.2. Температурная зависимость времени спин-решеточной релаксации.

4.3. Обсуждение результатов

5. АНИЗОТРОПИЯ СВЧ ФОТОПРОВОДИМОСТИ КРИСТАЛЛОВ И IruSe , ИЗМЕРЕННАЯ БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ НА СПЕКТРОМЕТРЕ

5.1. Эксперимент.

5.2. Обсуждение результатов

5.3. Влияние интеркалирования

Слоистые кристаллы относятся к квазидвумерным кристаллическим системам с сильными ионно-ковалентными связями внутри слоев и слабыми связями между слоями, преимущественно ван-дер-вааль-сового типа» Наличие такой анизотропии, а также нелинейность физических свойств этих соединений, с одной стороны, обуславливают все более широкое их применение в технике, а с другой стороны, определяют важность их фундаментальных исследований, поскольку в таких кристаллах возможны новые эффекты, связанные с дву-мерностью слоев.

Подавляющее большинство слоистых кристаллов, в первую очередь, полупроводниковых, синтезировано в лабораторных условиях, причем их число в настоящее время продолжает растив На основе этих материалов созданы фотопластинки для записи информации / I /, нелинейные преобразователи света / 2 /, термоэлектрические полупроводниковые приборы / 3 /, материалы твердой смазки / 4 /. Ак-гивно ведутся работы по созданию аккумуляторов электрической энергии на основе интеркалированных слоистых соединений / 5 /, продолжается поиск слоистых материалов для осуществления высокотемпературной сверхпроводимости / 6,7 /.

Внимание исследователей, работающих со слоистыми кристаллами, сосредоточено на таких вопросах, как их кристаллическая и электронная структура, фононные спектры, электрические и магнитные свойства, фазовые переходы, процессы интеркалирования. Настоящее исследование посвящено, в основном, слоистым кристаллам полупроводникового типа, у которых богатый спектр физических свойств я широкие возможности их технического применения.

Несмотря на обилие фактического материала и фундаментальных )бзорных работ / 1,4,7,8,9 /, освещающих различные свойства сло-ютых полупроводниковых кристаллов, некоторые проблемы до сих пор остаются нерешенными или далекими от полного понимания. Так, для большинства кристаллов такого типа однозначно не установлены типы структурных модификаций, модели примесных центров и характер их взаимодействия с кристаллической решеткой, симметрия внутрикристаллических полей, степень анизотропии электронных свойств, особенности фононных спектров; дискуссионным является вопрос о том, где преимущественно располагаются примеси - в слое или ыежслоевом пространстве; практически отсутствуют данные о структуре агрегатных примесных центров, радиационной стойкости; отдельный круг вопросов касается проявлений квазидвумерности в определенных физических свойствах и явлениях ; недостаточно изучены интеркалированные слоистые кристаллы,

Для решения перечисленных задач одними из наиболее эффективных являются СВЧ методы, позволяющие проводить измерения, не оказывая модифицирующего воздействия на исследуемый кристалла и получая, вместе с тем, обширную и точную информацию,' В настоящем исследовании используются электронный парамагнитный резонанс / 10 / и измерение анизотропии фотопроводимости в поле СВЧ^ Основная часть результатов получена методом ЭПР, тогда как изучение СВЧ фотопроводимости с использованием техники ЭПР дополнило исследования, позволив получить сведения об анизотропии подвижно-стей носителей заряда, вскрыть новые механизмы фотопроводимости. Число работ по изучению слоистых неметаллических соединений методом ЭПР сравнительно невелико : это разрозненные работы,посвященные узким вопросам.

Целью диссертационной работы является исследование методами ЭПР и изучения СВЧ фотопроводимости активированных слоистых полупроводниковых кристаллов типа А В и А В3 , включающее установление моделей примесных центров и определение их радиоспектроскопических параметров, получение сведений о структурных политипах легированных кристаллов, симметрии внутрикристаллических полей, особенностях: фононного спектра, радиационной стойкости, явлении интеркалирования, анизотропии СВЧ фотопроводимости.

Эксперименты проводились на кристаллах 6а,и ЗсХ3 и 54Т3 (А*8*)9 являющихся примесными полупроводниками. Выбор )бъектов исследования диктовался теми соображениями, что указанное кристаллы обладают явно выраженной слоистостью, интенсивно ручаются различными физическими методами и в какой-то мере явля-)тся модельными. Наличие в литературе сведений о них облегчает [нтерпретацию экспериментов и обнаружение новых закономерностей, [еобходимых для более эффективного использования рассматриваемых :ристаллов. Кроме того, они не изучались ранее методами ЭПР и СВЧ ютопроводимости.

Актуальность темы диссертационной работы связана с обнаружении относительно недавно специфическими свойствами слоистых кри-таллов, которые вызывают большой научный интерес и определяют ;ерспективу их дальнейшего практического использования. Парамаг-итные примесные центры являются чувствительными зондами, с помощью оторых возможно детальное и глубокое исследование физических войств этих кристаллов в микроскопическом масштабе. Это дает воз-ожность изучить структурный политипизм легированных кристаллов, имметрию внутрикристаллических полей, особенности фононного спект-а и их проявлений.

Весьма важным является также получение информации о радиаци-нной стойкости слоистых кристаллов, влиянии облучения на примес-ые парамагнитные центры, взаимодействии этих центров с дефектами труктуры. В настоящее время интенсивно исследуются интеркалиро-анные слоистые соединения; в частности, интеркалирование рассмат-ивается как способ управления межслоевым взаимодействием,откры-ающий перспективу создания высокотемпературных сверхпроводников на основе слоистых кристаллов. Важно определить, в какой мере метод ЭПР может быть полезен для изучения сложных процессов ин-теркалирования. Для физики слоистых кристаллов актуальна проблема степени их двумерности, которая неразрывно связана с анизотропией различных физических свойств, например, электронных. Достоверные сведения по этим вопросам можно получить бесконтактными методами, в частности, изучая анизотропию СВЧ фотопроводимости.1

Для защиты ввдвжзются следующие положения:

2 "в*

1. Обнаруженные по спектрам ЭПР парамагнитные центры М*ъ в Bil3 и GccSt , пары Мгъ-Мг£*с осью обменной связи вдоль оси С в £а5е f GoL3+ в 31 Тз и SiT3 образуют центры замещения катионов.

2. Число линий тонкой структуры спектров ЭПР зависит от политипа слоистого кристалла. Сопоставление таких чисел для спектров одиночных и парных центров Мп* с результатами анализа структуры дает метод определения политипа кристаллов со структурой 6a.Se .

3» Эффект низкой симметрии в интенсивностях линий ЭПР иона Bil3 и S&^z заключается в резком изменении вероятности запрещенных и разрешенных переходов в промежуточных магнитных полях» Этот эффект создает основу новых методов определения низкосимметричных параметров спинового гамильтониана.

Влияние низкочастотных оптических колебаний на температурные зависимости констант ЭПР и спин-решеточную релаксацию состоит в затягивании линейности этой зависимости для констант ЭПР в область температур значительно ниже температуры Дебая и более плавном, чем обычно, температурном изменении скорости романовской спин-решеточной релаксации»

5. Кристаллы ба^Ле , ZnSe , 3iT3 и S£I3 обладают радиационной стойкостью по отношению к образованию дефектов, влияюг ео щих на спектры ЭПР, при облучении / -лучами С<о дозой

ТБ — ?

50 Мрад и электронами с энергией 1,2 Мэв дозой 10 см .

6. Анизотропная по знаку СВЧ фотопроводимость, обнаруженная на образцах 6a.Se и Irv$e в области низких температур, обусловлена анизотропным уменьшением подвижности носителей заряда, вызванное перезарядкой светом рассеивающих центров.

Научная новизна результатов состоит в том, что впервые зарегистрированы и изучены спектры ЭПР от десяти новых центров в слоистых полупроводниковых кристаллах, установлены модели и определены характеристики этих центров; обнаружены и объяснены принципиально новые эффекты, такие, как эффект низкой симметрии в интенсивноетях линий ЭПР, проявление низкочастотных оптических колебаний в ЭПР, отрицательный фактор анизотропии СВЧ фотопроводимости, повышенная радиационная стойкость изученных слоистых кристаллов к fl- и облучению.

Полученные сведения о примесных центрах и их свойствах вносят вклад в дальнейшее развитие физики слоистых полупроводниковых кристаллов и важны во многих аспектах их технического применения. Впервые изученный эффект низкой симметрии в интенсивнос-тях линий ЭПР расширяет возможности метода ЭПР и повышает эффективность его использования для определения параметров примесных центров. Предложенный метод определения структурных модификаций по спектрам ЭПР может найти применение при контроле структуры в случаях выращивания легированных слоистых кристаллов типа А3 Б6. Полученные данные о радиационной стойкости изученных соединений важны для оценки перспектив дальнейшего практического использования этих материалов. Метод измерения СВЧ фотопроводимости, разработанный на основе супергетеродинного радиоспектрометра и специального резонатора СВЧ, может использоваться для бесконтактного контроля параметров полупроводниковых кристаллов.

Диссертационная работа включает введение, пять глав и заключение. Первая глава посвящена обзору структурных типов слоистых кристаллов, особенностей их физических свойств, результатов их исследований магниторезонансными методами, в частности, методом ЭПР. Обосновывается необходимость изучения фотопроводимости данных кристаллов в поле СВЧ, Вторая глава содержит описание методики и техники эксперимента, включая некоторые аппаратурные разработки. В третьей главе представлены результаты исследования методом ЭПР парамагнитных примесных центров, а также полученные на этой основе сведения о структурном политипе, проявлениях низкой симметрии, влиянии интвркалирования и облучения слоистых кристаллов. В четвертой главе изложены материалы изучения температурных зависимостей некоторых параметров ЭПР. Пятая глава посвящена результатам исследования СВЧ фотопроводимости.

Основные результаты диссертационной работы следующие:

1. Зарегистрирован и детально изучен ЭПР десяти новых парамагнитных центров в слоистых кристаллах £&<<Se , BiT3 и

381-$ , активированных примесями Мк , Съ и . Определены их радиоспектроскопические характеристики, предложены модели центров. На основании изучения симметрии центров, их заряд-ности, нестабильности, числа линий ЭПР, а также учета ионных радиусов и сопоставления с результатами оптических исследований установлено, что примесные ионы занимают внутрислоевое узельное положение, образуя центры замещения катионов.

2. Обнаружено, что в кристалле , легированном марганцем, кроме центров образуются агрегатные примесные центры : пары обменносвязанных ионов Мп< -Мп?* и включения, обусловленные скоплениями марганца. Показано, что центры

Mri'^M^ изовалентно замещают ковалентносвязанные пары решетки (da. - (эа.)^; определена для этих центров константа изотропного обменного взаимодействия см"* ; установлено, что обмен носит антиферромагнитный характер. Для включений, связанных с марганцем, предположено, что они представляют собой зародыши новой кристаллической фазы, обладающей кубической магнитной структурой, и при понижении температуры испытывают антиферромагнитное упорядочение. Температура Нееля, найденная по спектрам ЭПР, оказалась равной для них 170

3. Предложен ".простой метод определения по числу линий в спектре ЭПР вида структурного политипа для слоистых кристаллов типа (dclSc . В исследованном gcL&iMn как для одиночных центров Ми , так и для пар hnP - № наблюдались два спектра ЭПР, обусловленные наличием двух электрически неэквива*лентных узлов. Это позволило сделать однозначный вывод, что изученные образцы этого кристалла обладают кристаллической структурой £ -политипа.

Изучено влияние интеркаляции молекулами антрацена и атомами натрия на спектр ЭПР Мп?+ в Ga,$e , Установлено, что по изменениям в этом спектре ( увеличение константы ) можно судить о самом факте интеркалирования и оценить возникающее при этом изменение расстояния между слоями,

5.В." угловой зависимости спектров ЭПР кристаллов 3iIy6cL и SiT^'Gd. зарегистрированы и изучены сильные эффекты низкой симметрии - несовпадение экстремумов различных переходов, их асимметрия, неповторяемость экстремумов через <77"/2. Показано, что они обусловлены большой величиной константы кристаллического поля

6. Обнаружен и исследован экспериментально и теоретически новый эффект низкой симметрии, проявляющийся в интенсивностях линий ЭПР.1 Эффект заключается в резком увеличении интенсивности некоторых запрещенных переходов и соответствующем уменьшении интенсивности разрешенных переходов в промежуточных магнитных полях, когда энергия зеемановского взаимодействия сравнима с энергией взаимодействия спинов с внутрикристаллическим полем. В нашем случае он возникал в спектрах ЭПР в ВсТ^ и при переходе с частоты регистрации 35 ГГц на частоту 10 ГГц. Показано, что наблюдаемый эффект обусловлен смешиванием спиновых состояний центра низкосимметричными компонентами кристаллического поля вблизи пересечений зеемановских уровней энергии. Изучена частотная зависимость эффекта. Произведена идентификация всех запрещенных линий. Различие их по интенсивности объяснено неодинаковым удалением от соответствующих пересечений уровней энергии, а частотная зависимость - изменением этого удаления.1

Предсказано существенное усиление одной из запрещенных линий ЭПР в 5ИЪ : Get при записи спектра на частоте 6 ГГц.

7. На основании анализа обнаруженного эффекта низкой симметрии предложены новые способы определения низкосимметричных параметров парамагнитных центров по интенсивностям и резонансным полям ЭПР линий, причем используется только одна ориентация кристалла в магнитном поле. Такие методы определения низкосимметричных параметров в ЭПР являются единственными, когда по каким-либо причинам невозможно снятие угловых зависимостей. В частности, они особенно полезны для слоистых кристаллов, где из-за часто встречающейся дефектности - развороте слоев относительно друг друга - нередко с хорошим разрешением удается зарегистрировать спектр ЭПР только при ориентации ИКС .

8. Изучено влияние облучения ft -лучами и электронами с энергией 1,2 МэВ на легированные и чистые ( специально нелегированные ) слоистые кристаллы , InSt , Bil^ и S£T3, Обнаружена высокая радиационная стойкость вышеуказанных кристаллов в отношении образования парамагнитных центров и дефектов, влияющих на спектры ЭПР. Исключение составили некоторые образцы GxtSe , в которых после облучения электронами появлялась линия ЭПР с сильной угловой зависимостью ^ ~ фактора, формы и ширины. Показано, что подобной зависимостью cjf - фактора обладает парамагнитный центр, характеризующийся орбитальным

L = 2 и спиновым 5 = 1/2 квантовыми числами и состояния которого перемешаны тригональным кристаллическим полем и спин-орбитальным взаимодействием. В такой модели для экспериментальных значений и I^jlI решена задача определения уровней энергии центра, параметров кристаллического поля и знаков ^-фактора. В качестве механизма, ответственного за угловую зависимость формы и ширины ЭПР линии, предложено понижение симметрии кристаллического поля в узле, где локализован центр, за счет присутствия зарядового компенсатора. Такой модели парамагнитного центра наиболее соответствует ион 71f который мог возникнуть в результате перезарядки непарамагнитного иона Ti при воздействии облучения. Последний, по-видимому, находился в кристалле как неконтролируемая примесь, осуществляя изозаряд-ное замещение пары При перезарядке ТС ^ 7б3+ появлялся непарамагнитный компенсатор электрического заряда, вызывающий понижение симметрии кристаллического поля. Причем , из-за разброса расстояния до парамагнитного центра, степень влияния компенсатора на разные центры была различной.

9, В ЭПР слоистых кристаллов впервые обнаружен и объяснен эффект низкочастотных оптических колебаний, характерных для слоистых структур. Эффект проявлялся в температурных зависимостях ЭПР параметров и спин-решеточной релаксации и заключался в затягивании линейного участка температурной зависимости ЭПР констант в область температур значительно ниже температуры Де-бая и более плавном, чем обычно, температурном изменении скорости рамановской спин-решеточной релаксации в той же области^1 Показано, что в случае эффективной модуляции параметров ЭПР и отсутствия влияния температурного сжатия ( расширения) кристалла, .низкочастотные оптические колебания могут полностью определять ход температурных кривых. Исследование проведено в температурном интервале 4,2 * 400 К. Обнаружено, что во всех изученных кристаллах ( Cz , 6cL ; S£lzi dcL ; $tSe \ Мк) наиболее сильное изменение испытывала константа аксиального кристаллического поля . На основании сопоставления теории и эксперимента установлено, что во всех изученных кристаллах основное влияние на зависимость ^ (т) оказывают мягкие оптические ветви с частотами в диапазоне 40 - 70 сн""*. Несущественность влияния оптических ветвей с частотами вблизи 30 см""^ согласуется с выводами о внутрислоевой локализации примесных магнитных ионов и объясняется слабостью изменения внутрислоевого окружения парамагнитных центров при таких колебаниях. Особенности температурного изменения скорости спин-решеточной релаксации» зарегистрированные для центра Мц в BiT-^ , полностью описываются одной низкочастотной оптической модой.

10. Разработан и применен для изучения фотопроводимости слоистых кристаллов бесконтактный СВЧ метод с применением техники радиоспектроскопии, позволяющий исследовать угловые зависимости фотопроводимости и связанных с ней явлений в условиях: ослабления влияния непроводящих макроскопических дефектов, отсутствия контактных явлений, постоянства освещенности образца. С помощью этого метода проведены исследования анизотропии фотопроводимости слоистых полупроводников (scuSe. и InSe в интервале температур 4,2 т 300 К. Меньшее влияние дефектности кристаллов проявилось в отсутствии экспоненциальной температурной зависимости фактора анизотропии, которая наблюдалось ранее для этих слоистых кристаллов на постоянном токе и-- обусловлена специфическими двумерными дефектами.

11. Впервые зарегистрирован отрицательный фактор анизотропии фотопроводимости, когда фотопроводимость в направлении, перпендикулярном оси С ( вдоль слоя) была отрицательной, а вдоль

С ( перпендикулярном слоям ) - положительной. Явление обнаружено в слоистых кристаллах бяЛ и In,St при низких температурах. Наблюдаемый эффект ориентационного изменения знака фотопроводимости объяснен изменением подвижности носителей тока при перезарядке светом центров рассеяния. Наиболее вероятной представляется локализация носителей при низких температурах в указанных кристаллах на двумерных проводящих дефектах, которые обнаружены ранее в IrtSe методом циклотронного резонанса. Проявление таких дефектов в Ge.Se наблюдалось впервые.

12. Бесконтактным СВЧ методом изучена фотопроводимость ин~ теркалированных антраценом кристаллов Q'clSc . Обнаруженное при этом увеличение фактора анизотропии может быть объяснено увеличением анизотропии эффективных масс носителей тока, что согласуется с оптическими измерениями.

13. Для технического обеспечения проведенных исследований разработан и изготовлен ряд оригинальных устройств, являющихся дополнением к ЭПР спектрометру. Это автоматическая система меток магнитного поля и радиочастоты ; специальный цилиндрический резонатор с модой Eiil , имеющей пучность электрического СВЧ поля в центре резонатора ; автоматическое устройство для поддержания постоянного давления при работе с гелием под откачкой. Перечисленные устройства являются многоцелевыми и могут быть использованы для проведения различного рода экспериментов.

В конце автор считает своим непременным долгом отметить неизгладимое впечатление, оставшееся от работы под руководством покойного Михаила Федоровича Дейгена. Несомненно, что настоящая диссертация является закономерным следствием деятельности созданной им школы физиков-радиоспектроскопистов.

Автор благодарен Станиславу Степановичу Ищенко, взявшего на себя нелегкий труд руководства диссертантом, Валентину Георгиевичу Грачеву, сотрудничество с которым было весьма плодотворным, Александру Аркадьевичу Бугаю, создавшего, как заведущий отделом, все необходимые условия для успешной работы соискателя, Александру Брониславовичу Ройцину за постоянную поддержку и консультации, Анатолию Алексеевичу Климову за неоценимую помощь при измерениях.

- 154 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Tubes M.R. The optical properties and chemical decomposition of halides with layer structures. Phys. stat. sol. (b), 1975> v. 67, N 1, p. 11-49.

2. Берегулин E.B., Валов П.М., Рыбакова Т.В. и др. О возможности использования кристаллов селенида галлия для преобразования инфракрасного света в ближайший ИК и видимый диапазон. ШГП, 1974, т. 8, W- I, с. 189-192.

3. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Tej.- М. : Наука, 1972. 320 с.

4. Калихман В.Л., Уманский Я.С. Халысогениды переходных металлов со слоистой структурой и особенности заполнения их бриллюэнов-ской зоны. УФН, 1972, т. 108, вып. 3, с. 508-528.

5. Кошкин В.М. Интеркаляционные соединения полупроводников и диэлектриков. -Из в. АН ЛатвССР, 1981, № б, с. 90-98.

6. Булаевский Л.Н., Гинзбург В.Л., Жарков Г.Ф. и др. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. М. : Наука, 1977.-400 с;

7. Беленький Г.Л., Стопачинский В.Б. Электронные и колебательные1. О Йспектры слоистых полупроводников группы А°В . УФН, 1982, т. 140, вып. 2, с. 233-270.

8. Моцный Ф.В., йценко С.С., Окулов С.М., Блецкан Д.И. О природе инфракрасной фотолюминесценции и характере легирования слоистых монокристаллов йодистого висмута. ФГП, 1977, т. II,вып. 6, с. 1043-1048.

9. Ischenko S.S., Konovalov V.I., Okulov S.M., Deigen M.F. EPRand spin-relaxation peculiarities in layer crystals. In* Proc. XXth Congress Ampere. Tallinn, 1978, p. 210.

10. Грачев В.Г.,йценко С.С., Климов А.А., Окулов С.М. ЭПР облученг ного селенида галлия. У®К, 1983, т. 28, № 10, с. I5I8-I520.

11. А.С. I07046I /СССР/. Резонатор радиоспектрометра. Ищенко С.С., Окулов С.М., Брик А.Б. Опубл. в Б.И., 1984, № 4.

12. Бокий Г.Б. Введение в кристаллохимию. М. : Изд-во Моск. унта, 1954. - 491 с.

13. Бетехтин А,Г. Минералогия. М. : Изд-во геологич. литература 1950. - 952 с.

14. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. -М. : Мир, 1969. 274 с.

15. Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ. М. : Изд-во тех.-теор. лит., 1950. - 968 с.

16. Пинскер 3.JI. Электронографическое исследование Bii^ и современные представления о строении слоистых решеток. Труды Инта кристаллографии АН СССР, 1952, вып. 7, с. 35-48.

17. Лисица М.П., Еремко А.Я., Тарасов Г.Г. и др. Особенности эк-ситонных эффектов в слоистых кристаллах. ФГТ, 1973, т. 14, вып. II, с. 3219-3224.тттБ

18. Медведева З.С. Халькогениды элементов НГ подгруппы периодической системы. М. : Наука, 1968. - 216 с.

19. Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. Crystal structure and interatomic distances in GaSe. Phys. stat. sol. (a), 1975, v. 31, N 2, p. 469-475.

20. Maschke K., Schraid Ph. Influence of stacking disorder on the electronic properties of layered semiconductors. Phys. Rev. B, 1975, v. 12, N 10, p. 5645-5648.

21. Kuznick Z.T., Maschke K., Schmid Ph. Influence of stackingdisorder on the photoconductivity of GaSe. J. Phys. С : Sol. St. Phys., 1979, v. 12, N 8, p. 3749-3755.

22. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М. : Наука, 1978, - 792 с.

23. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М. : Иностранная литература, I960. - 385 с,

24. Blakslee O.L., Proctor D.G., Seldin et al. Elastic constants of compression anneald pyrolitic graphite. - J. Appl.Phys., 1970, v. 41, N 8, p. 3373-3382.

25. Nicklow R., Wakabayashi N., Smith H.G. Lattice dynamics of pyrolitic graphite. Phys. Rev. B, 1972, v. 5, N 12, p. 4951-4962.

26. Ramani R., Mani K.K., Singh R.P. Long optical vibrations and elastic constants of hexagonal boron nitride. Phys. stat. sol. (b), 1978, v. 86, N 2, p. 759-763.

27. Kuruba Т., Sato Y., Yamaoko S. et al. Raman-scattering study of high pressure effects on the anisotropy of force constant of hexagonal boron nitride. Phys. Rev. B, 1978, v. 18, N 8, p. 4440-4443.

28. Ковтун B.M., Михальченко В. П. Упругие характеристики и деба-евские характеристические температуры монохалькогенидов галлия. УШ, 1980, т. 25, W 5, с. 709-713.

29. Искандер-Заде З.А., Фарадааев В.Д., Агаев А.И. Упругие свойства inSe . ШТ, 1977, т. 19, № 3, с. 851-853.

30. Dorner В., Ghosh R.E., Harbeke G. Phonon dispersion in the layered compound Pbl2. Phys. stat. sol. (b), 1976, v. 73» N 2, p. 655-659.

31. Carrara P., Redoules I.P., Escribe C. et al. The dispersion acoustic phonon in CoCl2. Sol. State Comm., 1977, v. 21, N9, p. 929-931.

32. Prevot В., Schwal C., Dorner B. Phonon dispersion in red Hgl2. Phys. stat. sol. (b), 1978, v. 88, N 1, p. 327-333.

33. Stirling W.G., Dorner В., Cheeke I.D.N, et al. Acoustic phonon in the transition-metal dichalcogenide layer compound TiSe2. Sol. State Comm., 1976, v. 18, N 7, p. 931-933.

34. Лифииц И.М. 0 теплоемкости тонких пленок и игл при низких температурах. ЖЭТФ, 1952, т. 22, вып. 4, с. 471-474.

35. Лившиц И.М. 0 тепловых свойствах цепных и слоистых структур при низких температурах. ЖЭТФ, 1952, т. 22, вып. 4, с. 475486.

36. Косевич A.M. Основы механики кристаллической решетки. М. Наука, 1972. - 280 с.

37. Wakabayashi П., Smith H.G. Nicklow R.M. Lattice Dynamics of hexagonal MoS2 studied by neutron scattering. Phys. Rev. B, 1975, v. 12, IT 2, p. 659-663.

38. Fujii G., Akahama G., Endo S. et al. Inelastic neutron scattering study of acoustic phonon of black phosphourus. Sol. State Comm., 1982, v. 44, N 5, p. 579-582.

39. Jandl S., Brebner J.L., Powell B.M. Lattice dynamics of GaSe*-Phys. Rev. B, 1976, N 2, p. 686-693.

40. Баженов В.К., Бауман И.М., Марваков Д.И. Динамика решетки иупругие свойства изолированного слоя селенида галлия. ФГТ,1979, т. 21, вып. б, с. I144-I147.

41. Сыркин Е.С., Федосеев С.Б. Вклад оптических колебаний в низкотемпературную теплоемкость слоистых кристаллов. ФНТ, 1982, т. 8, № 7, с. 760-764.

42. Ицкевич Е.С., Стрелков П.Г. Теплоемкость слоистых решеток при низкрх температурах. ЖЭТФ, 1957, т. 32, вып. 3, с. 467-477.

43. Мамедов К.К., Алджанов М.А., Керимов И.Г. и др. Теплоемкость и моменты колебательного спектра монохалькогенидов галлия. -ЗВГТ, 1978, т. 20, вып. I, с. 42-47.

44. Weiting T.J., Verble I.L. Interlayer bonding and the lattice vibrations of B-GaSe. Phys. Rev B, 1972, v. 5, IT p. 14-731479.

45. Ziel I.P., Meixner A.E., Kasper H.M. Raman scattering from J3-GaSe Sol. State Comm., 1973, v. 12, N 11, p. 1213-1215.

46. Беленький Г.JI., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. и др. Энергетио сческие спектры слоистых кристаллов группы А В . Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, 1978, № 4, с. 60-66.

47. Jandl S., Carlone С. Raman spectrum of crystalline InSe. -Sol. State Comm., 1978, v. 25, N 1, p. 5-8.

48. Verble I.L., Weiting T.J., Read P.R. Rigid-layer lattice vibrations and Van Der Waals bondings in hexagonal Мо32. Sol. State Comm., 1972, v. 11, N 8, p. 94-1-94-4.

49. Kuzuba Т., Era K., Ishii T. et al. A low frequency Raman-active vibration of hexagonal boron nitride. Sol. State Comm., 1978, v. 25, N 11, p. 863-865.

50. Zalben R., Slade M. Rigid-layer modes in chalcogenide crystals. Phys. Rev. B, 1974, v. 9, N 4, p. 1627-1637.

51. Nakashima S., Daiman M., Mitsuishi A. Rigid layer modes and Van Der Waals interactions in CdI2-CdBr2 mixed layer compounds. J. Phys. Chem. Solids, 1979, v. 40, N 1, p. 39-44.

52. Polian A., Kunc K. Low-frequency lattice vibrations ofi-GaSe compared to £- and ^f-polytypes. Sol. State Comm., 1976, v. 19, N 11, p. 1079-Ю82.

53. Artamonov V.V., Valakh M.T., Lisitsa M.P. Interlayer interaction in phonon spectra of £-GaSe crystals. Phys. stat. sol., (Ъ), 1981, v. 105, N 8, p. K103-K106.

54. Kiefer W. Raman-Spektren eines Asl^-Pinkristalls und von Sbl^-und Bilj-Kristallpulvern. Z. Naturforsch., 1970, Bd. 25a,1. N 7, S. 1101-1107.

55. Sugal S., Murase K., Uchuda S. et al. Comparison of the soft modes in tantalum dichalcogenides. Physica, 1981, v. 105 B+C, N 1-3, p. 405-408.

56. Schollhorn R. Intercalation chemistry. Physica B+C, 1980,v. 99, N 1-4, p. 89-99.

57. Rouxel J. Structural chemistry of layer materials and theirintercalates. Physica B+C, 1980, v. 99, N 1-4, p. 3-11.

58. Григорчак И.И., Ковалюк З.Д., Юрцешок С.П. Получение и свой3 6ства интеркалированных слоистых соединений типа А В . Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1981, т. 17, Р 3, с. 412415.

59. Fivaz R., Mooser Е. Mobility of charge carriers in semiconducting layer structures. Phys. Rev. B, 1967, v. 163, N 3, p. 743-755.

60. Schluter M., Camassel I., Kohn S. et al. Optical properties of GaSe and GaSxSe«|x mixed crystals. Phys. Rev. B, 1976, v. 13, N 8, p. 3534-3547.

61. Atakishiev S.M., Akhundov G.A. On the transfer nature of the charge carriers in InSe. Phys. stas. sol., 1969, v. 32, N1, p. K33-36.

62. Ковалюк З.Д., Митянский И.В.Электрические свойства монокристаллов inSe . УФК, 1981, т.26, № 7, с. I2I3-I2I5.

63. Бродин М.С., Блонский И.В., Крочук А.С. и др. Экситонное поглощение света в слоистых кристаллах. ЖЭТФ, 1982, т. 83, вып. 3(9), с. 1052-1057.

64. Блонский И.В., Крочук А.С., Фронив А.В. Проявление фазовых структурных переходов в экситонных спектрах слоистого полупроводника GaSe . УЖ, 1981, т. 26, № II, с. I9I9-I922.

65. Berthier С., Chabre Y., Segransan P. MR studies of lamellar intercalation compounds. Physica B+C, 1980, v. 99, N 1-4, p. 107-116.

66. Lyfar D.L., Goncharuk V.E., Riabchenlco S.M. Temperature dependence of nuclear quadrupole resonance in layer-type crystals. Phys. Stat. Sol. (b), 1976, N 1, p. 183-189.

67. Bastow T.J., Campbell I.D., Whitfield H.J. A Ga69, In115 NQR stady of polytypes of GaS, GaSe and InSe. Sol. Stat. Comm., 1981, v. 39, N 2, p. 307-311.

68. Лыфарь Д.JI., Рябченко С.М. Влияние интеркалирования пиперидином на ядерный квадрупольный резонанс Pbi2 . ФНТ, 1977, т. 3, № 10, с. I297-I30I.

69. Лыфарь Д.Л., Рябченко С.М. Влияние интеркалирования анилином на температурные зависимости ЯКР в Pbl2. ФНТ, 1979, т. 5, W 7, с. 779-782.

70. Kre3s-Rogers Е., Nicholas R.J., Portal J.С. Cyclotron resonance studies bulk and two-dimensional conduction electrons in InSe. Sol. stat. Comm., 1982, v. 44, N 3, p. 379-383.

71. Баранов П.Г., Вещунов Ю.П., Романов Н.Г. Оптически детектируемый ЭПР в кристаллах GaSe. сЖТ, 1983, т. 25, вып. II, с.3299-3303.

72. Morigaki К., Dawson P., Cavenett B.C. Optical detection of triplet exciton resonance in GaSe. Sol. State Comm., 1978, v.28, N 9, p. 829-834.

73. Laugine P., Estrade A., Conard I. et al. Graphite lamellarjcom-pounds EPR studies. Physica B+C, v. 99, N 1-4, p. 514-520.

74. Wagoner G. Spin resonance of charge carriers in graphite. -Phys. Rev., 1960, v. 118, N 3, p. 647-655.

75. Flandrois S., Amiell J., Masson J.M. ESR study of second stage nicel chloride graphite intercalation compound. Phys. Lett., 1980, v. A80, N 4, 328-330.

76. Orton J.W. Paramagnetic resonance data. Rep. Progr. Phys., 1959, v. 22, p. 204-240.

77. Morigaki K. Paramagnetic resonance of cobalt in cadmium chloride and cadmium bromide. J. Phys. Soc. Jap., 1961, v. 16, II 8, p. 1639.

78. Fukuda K., Matsumoto H., Takayi T. et al. Electron spin resonance of manganese in MgCl2. J. Phys. Soc. Jap., 1961,v. 16, N 8, p. 1256-1257.

79. Matsumoto H., Fukuda K., Takeshina M. et al. Cubic contribution to EPR of Mn2+ in MgCl2. J. Phys. Soc. Jap., 1961, v. 16, N 9, P. 1791-1792.

80. Windsor C.G., Griffiths J.H.E., Owen J. S-bonding in manganese complexes. Proc. Phys. Soc., 1963, v. 81, N 520, p. 373-375.

81. Chqn I.Y., Doetchman D.C., Hutchison C.S. et al. Paramagnetic resonance absorption by divalent vanadium ion in cadmium di-chloride. J. Chem. Phys., 1965, v. 42, N 3, p. 1639-1640.

82. Miyanaga T. EPR studies of strong Jahn-Teller coupling systems CdCl2:Ag2+ and CdBr2:Ag2+. J. Phys. Soc. Jap., 1979, v. 46, N 1, p. 167-175.

83. Patankar A.V., Schneider E.E. Electron spin resonance of color centres in ^-irradiated planer lead halides. J. Phys. Chem. Solids, 1966, v. 27, N 3, p. 575-579.

84. Arends J., Verwey J.P. ESR on UV irradiated lead halides at 80 K. Phys. stat. sol. (Ъ), 1967, v. 23, N 1, p. 137-145.

85. Benet R.W. Electron-paramagnetic-resonance study of Cr ions and exchange-coupled Cr ion pairs in the Bil^ structure. -Phys. Rev. B, 1969, v. 178, N 2, p. 497-513.

86. Hoeve H.G., Van Ostenburg D.O. Electron-spin-resonance study of Mn2+ in CdCl2. Phys. Rev. B, 1968, v. 167, N 2, p. 245248.

87. Hall T.P.P., Hages W., Williams F.I.B. Paramagnetic resonance of manganese. Proc. Phys. Soc., 1961, v. 78, N 503, p. 883894.

88. Sharma R.R. Temperature variation of zero-field splitting in CdCl2:Mn2+. Phys. Rev., 1970, N 8, p. 3316-3318.

89. Глинчук м.Д., Гончарук B.E., Лыфарь Д.JI. и др. Температурная зависимость ЭПР Мп2+ в слоистых кристаллах. ФГТ, 1976, т. 18, № I, с. 15-23.

90. Глинчук м.Д., Гончарук В.Е., Лыфарь Д.Л. и др. Влияние температуры и давления на ЭПР в слоистых кристаллах. ФНТ, 1976, т. 2, № 9, с. 1203-1209.

91. Цугмейстер В.Е., Глинчук м.Д., Зарицкий И.м. и др. Спин-решеточная релаксация, обусловленная изгибными колебаниями слоистых кристаллов. ЖЭТФ, 1975, т. 69, вып. 5, с. 1756-1763.

92. Физический энциклопедический словарь. Т. 2. М. : Советская Энциклопедия, 1965. - 608 с.

93. НО. Minder R., Ottaviani G., Canali С. Charge transport in layer semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1976, v. 37, p. 417424.

94. Ottaviani G., Canali C., Nava F. et al. GaSe : A layer compound with anomalous valence bond anisotropy. Sol. State Commun., 1974, v. 14, N 10, p. 933-936.

95. Осипьян Ю.А., Тальянский В.И., Шевченко С.А. Дислокационная СВЧ проводимость германия. ЖЭТФ, 1977, т. 72, вып. 4, с.1.43-1549.

96. ИЗ. Осипьян Ю.А., Тальянский В.И., Харламов А.А. и др. СВЧ проводимость германия n-типа с дислокациями. ЖЗТФ, 1979, т. 76, вып. 5, с. I655-1660.

97. Осипьян Ю.А., Прокопенко В.М., Тальянский В.И. и др. Анизотропия дислокационной СВЧ проводимости n-Ge. Письма в ЖЭТФ, 1979, т. 30, вып. 2, с. 123-125.

98. Гражулис В.А., Кведер В.В., Мухина В.Ю. и др. Исследование высокочастотной проводимости дислокаций в кремнии. Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 24, вып. 3, с. 164-166.

99. Ерофеичев В.Г., Курбатов Л.Н. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость слоев сульфида свинца при частоте 10^ Гц. ФГТ, 1959, т. I, W- I, с. 133-143.

100. Ашкрофт Н., Мермин Н. Шизика твердого тела. Т. I. М. : Мир, 1979. - 399 с.

101. Гашка И. И. Исследование релаксационных процессов в поликристаллическом cds с помощью техники СВЧ. Труды АН ЛитССР, Б, 1961, IP 3/26/, с. 133-137.

102. Гашка И.И., Лауринавичюс А.К. Исследование фотопроводимости в поликристаллическом Cds и cdse . Литовский физич * сборник, 1965, т. 5, № 3, с. 409-415.

103. Давыдов А.Б., Цидилковский И.М. Исследование магнитосопротив-ления на сверхвысоких частотах. ПГЭ, 1964, В? 3, с. 172-174.

104. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Отрицательная фотопроводимость и гашение фототока в inSe при примесном возбуждении. ФГП,1976, т. 10, вып. I, с. 81-85.

105. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Отрицательная фотопроводимость, индуцированная электрическим полем в монокристаллах селенида галлия. ФГП, 1978, Т. 12, вып. 6, с. 10741078.

106. Буравов Л.И., Щеголев И.Ф. Метод измерения проводимости малых кристаллов на частоте Ю10 Гц. ПГЭ, 1971, Р 2, с. I7I-I73.

107. Катапухин В.К., Медведев Ю.В. Установка для измерения времени жизни свободных носителей тока в полупроводниковых слитках бесконтактным способом на СВЧ. Заводская лаборатория, 1979, т. 45, В? 9, с. 844-845.

108. Тайтл.Р. Обнаружение захвата носителей заряда в фотопроводнике методом парамагнитного резонанса. В кн. : Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. М., 1962, с. 369-374.

109. Вихорев А.П., Коваленко А.В., Кушнир А.С. и др. Установка для комплексных исследований фото- и электролюминесценции, фотопроводимости и ЭПР-измерений. В кн.: Автоматизация экспериментальных исследований. Днепропетровск, 1977, с. 99-102.

110. Берлов П.А., Буланный М.Ф., Коджеспиров Ф.Ф. Приставка к радиоспектрометру для измерения фотопроводимости полупроводников. В кн.: Материалы и приборы радиоэлектроники. Днепропетровск, 1982, с. 148-153.

111. Suzuki I. Two-way ESR cavity for magnetic and electro-dipole transitions. Rev. Scient. Instr., 1978, v. 4-9, N 12,p.1706-1708.

112. Марон P.C., Позняк А.Л., Щушкевич С.С. Аппаратура для исследования электронного парамагнитного резонанса. Л. : Энергия, Ленингр. отд-ние, 1968. - 140 с.

113. Букин И.И., Косяков В.И., Максимов В.Л. и др. Автоматическийкалибратор магнитного поля для радиоспектрометров ЭПР. ГГГЭ, 1966, № 2, с. 93-95.

114. Horstfield A., Morton J.R., Moss D.G. Automatic method of magnetic field calibration using proton resonance. J. Scient. Instr., 1961, v. 38, Ы 8, p. 322-324.

115. Цгл Ч. Техника ЭПР-спектроскопии. M. : Мир, 1970. - 557 с.

116. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М. : ГШ1Л, 1963. - 403 с.

117. Блгоменфельд JI.A., Воеводский В.В., Семенов А.Г. Применение электронного парамагнитного резонанса в химии. Новосибирска Изд-во СО АН СССР, 1962. - 240 с.

118. Альтшулер С.А., Козырев Б.М. Электронный парамагнитный резонанс соединений элементов промежуточных групп. М. : Наука, 1972. - 672 с.

119. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. Т. I. М. : Мир, 1972. - 651 с.

120. Грачев В.Г., Семенов Ю.Г. Метод обработки спектров ЭПР и ДЭЯР с помощью ЭВМ. В кн. : Радиоспектроскопия : Межвуз. сб. статей. Пермь, 1983, с. I63-I7I.

121. Owen J. Paramagnetic resonance measurements of exchange interactions. J. Appl. Phys., 1961, v. 32, (Suppl.) N 3, p. 213-217S.

122. Maxwell L.R., McGuire Т.Н. Antiferromagnetic resonance. Rev. Mod. Phys., 1953, v. 25, N 1, p. 279-284.

123. Wagsness R.K. Antiferromagnetic resonance above the Curie temperature. Phys. Rev. B, 1953, v. 89, N 1, p. 142-144.