Фазовые переходы полупроводник-металл в почти ферромагнитных соединениях переходных металлов и гетерофазных системах на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ К

РАСЧЕТУ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СИСТЕМ ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ.

1.1. Геометрические модели и типы гетерофазных систем полупроводник-металл, полуметалл-металл.

1.2. Некоторые методы расчета эффективных проводимостей гетерогенных матричных систем.

1.3. Влияние геометрических факторов на величину эффективной проводимости.

1.4. Оценка погрешностей традиционных используемых методов.

1.5. Температурные коэффициенты электросопротивления гетерофазных систем полупроводник-металл.

1.6. Выводы по главе.

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОВОДИМОСТИ ГЕТЕРОФАЗНЫХ

СИСТЕМ ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ НА ОСНОВЕ РеБ^+х ПРИ МАЛЫХ ОТКЛОНЕНИЯХ ОТ СТЕХИОМЕТРИИ.

2.1. Электрические свойства моносилицида железа и сплавов на его основе.

2.2. Расчет электропроводности гетерофазных систем моносилицид-дисилицид железа.

2.3. Влияние конфигурации и концентрации включений на проводимость гетерофазной системы моносилициддисилицид железа.

2.4. Выводы по главе.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ

ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В НЕМАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

3.1. Неравновесные фазовые переходы.

3.2. Неравновесный фазовый переход в однофазной полупроводниковой пленке.

3.3. Неравновесные электронные фазовые переходы в гетерофазной системе полупроводник-металл.

3.4. Выводы по главе.

ГЛАВА 4. СПИНОВЫЕ ФЛУКТУАЦИИ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЧТИ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

4.1. Теория спиновых флуктуаций для равновесных состояний электронных подсистем почти ферромагнитных металлов и полупроводников.

4.1.1. Обобщенная модель Бр,(!-электронов. Эффективный гамильтониан системы. Функционал свободной энергии.

4.1.2. Вычисление функциональных интегралов методом перевала.

4.2. Теория спиновых флуктуаций для неравновесных состояний электронных подсистем почти ферромагнитных полупроводников.

4.2.1. Уравнение электронейтральности и плотность электронных состояний почти ферромагнитных полупроводников в сильных электрических полях.

4.2.2. Плотность тока.

4.2.3. Уравнение для теплопроводности.

4.2.4. Зависимость амплитуды спиновых флуктуаций от внешнего электрического поля.

4.2.5.Теплоемкост ь.

4.3. Теплоемкость и теплопроводность Ре81, находящегося в условиях саморазогрева.

4.4. Плотность электронных состояний ГеБь находящегося в условиях саморазогрева.

4.5. Особенности ВАХ. Неравновесные фазовые переходы в Ре&.

4.6. Выводы по главе.

Актуальность работы. В настоящее время известно большое количество веществ, которые обнаруживают электронные фазовые переходы металл-полупроводник под действием температуры. Электронные переходы используются в современных технологиях нано-, микро- и оптоэлектроники. Однако, не смотря на широкое практическое применение, природа переходов полупроводник-металл до сих пор окончательно не выяснена.

Среди различных соединений, обладающих электронными фазовыми переходами металл-полупроводник, особо выделяются силициды переходных металлов и различные гетерофазные системы на их основе, которые обладают рядом характеристик важных для создания оптоэлектрических устройств длительного хранения информации, датчиков температуры и датчиков сильных электрических полей. Указанные характеристики связаны с происходящими в сильных электрических полях фазовыми переходами, исследование которых затруднено в связи с неоднозначностью их электрических свойств и, в частности, с неконтролируемо большим разбросом значений электросопротивления. Последнее может быть связано как с гетерофазностью возникающей при отклонениях от стехиометрии, так и с нелинейным влиянием на протекание электрического тока внешних электрических полей. Отметим, что среди упомянутых соединений особое внимание привлекает моносилицид железа (Ре81), который относится к классу почти ферромагнитных полупроводников и находятся в условиях близких к критическим (т.е. при легировании малым количеством магнитной примеси испытывает превращение в ферромагнитное состояние). Кроме того, в РеБ! имеют место переходы металл-полупроводник, особенностью которых является плавное температурное возрастание электропроводности, сопровождаемое формированием промежуточного состояния с аномально малым значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС), вслед за которым возникает металлическое состояние с положительным ТКС. При этом следует иметь ввиду, что хотя теоретическая картина наблюдаемого в моносилициде железа перехода металл-полупроводник в настоящее время окончательно не сформулирована, как показали предшествующие исследования значительное влияние на электронную структуру и свойства почти ферромагнитных полупроводников оказывают флуктуирующие в пространстве и во времени обменные поля, приводящие к расщеплению яр- и ¿/-спектров.

При отклонениях от стехиометрии в Ре8ь весьма распространенной является образование гетерофазных систем с составом Ре81-Ре812, где Ре81г сам по себе является широкозонным и не магнитным полупроводником. Изучение указанных гетерофазных систем также представляется актуальным, т.к. в них обнаруживаются концентрационные электронные превращения сопровождаемые формированием фаз с минимально возможными, значениями ТКС, изучение которых чрезвычайно важно в связи с проблемой создания резистивных материалов на основе силицидов.

Таким образом, представляется актуальным провести исследование влияния гетерофазности и сильных электрических полей на электронные переходы, проводимости и ТКС магнитных и немагнитных полупроводников и полуметаллов, а также гетерофазных систем на их основе. В качестве конкретных объектов подобного исследования наиболее интересны силициды переходных металлов группы железа, актуальные не только в связи с проблемами современной электронной теории твердых тел, но и с точки зрения электронной техники.

Целью работы является исследование влияния гетерофазности и сильных электрических полей на электронные переходы, проводимости, ТКС полупроводников и гетерофазных систем на их основе на примере силицидов переходных металлов группы железа. Для ее достижения необходимо:

1. Численное моделирование процессов переноса в соединениях силицидов переходных металлов группы железа. Установление закономерностей процессов электропереноса в ранее не изученном типе гетерофазных систем.

2. Расчет величин параметров гетерофазной системы металл-полупроводник, при которых реализуется минимальное значение

4 температурного коэффициента сопротивления.

3. Исследование фазовых переходов в гетерофазных системах полупроводник-металл, происходящих под влиянием саморазогрева.

4. Развитие подхода (на основе спин-флуктуационной теории) для исследования неравновесных фазовых переходов в почти ферромагнитных полупроводниках и полуметаллах (в частности в РеБ^. Исследование зависимости плотности электронных состояний ¿/-электронов от приложенного к образцу напряжения. Расчет вольт-амперной характеристики РеБь находящегося в условиях саморазогрева.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

1. Впервые установлены закономерности процессов протекания тока в Ч ранее не изученных типах гетерофазных систем - систем с прямоугольными включениями и взаимопроникающих систем с прямоугольными включениями. Показано, что величина эффективной проводимости гетерофазной системы зависит не только от концентрации включений, но и от геометрических параметров включений.

2. С помощью метода конечных элементов рассчитаны величины параметров гетерофазной системы металл-полупроводник, при которых реализуется минимальное значение температурного коэффициента сопротивления. Показано, что зависимость температуры 7с, при которой ТКС обращается в ноль, от концентрации включений - линейная.

3. С помощью метода конечных элементов рассчитана электропроводность гетерофазной системы моносилицид-дисилицид железа (Ре8ьРе81г). Показано, что проводимость такой гетерофазной системы существенно зависит от формы и концентрации частиц Ре812, а также от параметра рыхлости границы.

4. Исследован неравновесный фазовый переход гетерофазной системы полупроводник-металл из «холодного» состояния в «горячее». Для чистого полупроводника получено значение приложенной к образцу разности потенциалов, при которых наблюдается резкое изменение тока. С помощью численного эксперимента построен гистерезис вольт-амперной характеристики гетерофазной системы полупроводник-металл.

5. С использованием обобщенной модели Бр,¿/-электронов развит подход, позволяющий описать поведение суперпарамагнитных полупроводников (в частности Ре81), находящихся в условиях саморазогрева. Найдена зависимость плотности электронных состояний зр,¿/-электронов от приложенного к образцу напряжения. На примере РеБ! показано, что под действием саморазогрева происходит электронный переход полупроводник-металл. Показано, что вольт-амперная характеристика Ре8ь находящегося в условиях саморазогрева, имеет характерный ¿"-образный вид.

Научное и практическое значение состоит в следующем:

1. Показано, что для разработки композиционных резисторов предпочтительным является синтез материалов с полупроводниковой матрицей и металлическими включениями.

2. Установленные в ходе работы закономерности процессов электропереноса в гетерофазных системах дают возможность прогнозировать физические характеристики образцов силицидов переходных металлов и гетерофазных систем на их основе, а также давать рекомендации по оптимизации состава и структуры резистивных материалов.

3. Рассчитанная с помощью метода конечных элементов электропроводность гетерофазной системы моносилицид-дисилицид железа (Ре8ьРе812), в зависимости от объемной концентрации Ре81г для различных форм частиц эвтектики, указывает на то, что система Ре8ьРе812 является перспективной для конструирования новых термо- и оптоэлектрических приборов. Эффекты неоднородного распределения выделений второй фазы могут приводить к заметным изменениям величин критических концентраций и должны учитываться при интерпретации результатов экспериментальных исследований переходов полупроводник-металл, реализующихся в двухфазных системах

4. На основе спин-флуктуационной теории развит подход, позволяющий описать влияние саморазогрева, происходящего под действием сильных электрических полей, на электронные характеристики почти ферромагнитных полупроводников. С помощью развитого подхода исследованы индуцированные электрическими полями неравновесные фазовые переходы.

Автор выносит на защиту следующие положения:

1. Значение отношения геометрических параметров в системах с прямоугольными включениями, характеризующее форму включения устанавливает характер анизотропии процессов переноса.

2. Величины параметров гетерофазной системы с прямоугольными включениями металл-полупроводник, при которых реализуется минимальное значение температурного коэффициента сопротивления. Температурно-концентрационную область, в которой температурный коэффициент сопротивления принимает значения близкие к нулю. Линейная зависимость температуры Тс, при которой температурный коэффициент сопротивления обращается в ноль, от концентрации включений.

3. При некотором значении концентрации Сокр дисилицида железа, соответствующего смыканию частиц Ре81г в эвтектике, резко падает проводимость системы и реализуется переход металл-полупроводник

4. Значения приложенной к полупроводниковому образцу разности потенциалов, при которых наблюдается резкое изменение тока, в предположении независимости ширины запрещенной зоны от саморазогрева образца.

5. Зависимость плотности электронных состояний ¿/-электронов от приложенного к образцу напряжения. Представление о влиянии спиновых флуктуаций на вольт-амперные характеристики почти ферромагнитных полупроводников (на примере моносилицида железа). Гистерезис вольт-амперной характеристики в почти ферромагнитном моносилициде железа.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, изложена на 117 страницах, содержит 24 иллюстрации, 6 таблиц и список литературы из 110 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В диссертационной работе исследовались фазовые переходы полупроводник- металл в почти ферромагнитных соединениях переходных металлов и гетерофазных системах на их основе. По результатам работы можно сделать следующие выводы:

1. В работе проведено моделирование процессов переноса в гетерофазных системах с использованием метода Дульнева и метода конечных элементов. Использование метода конечных элементов позволило учесть различные особенности проводящей среды и обеспечило хорошую точность вычислений - порядка 1%. Результаты моделирования позволили установить закономерности процессов электропереноса в ряде ранее не изученных типах гетерофазных систем, в частности в системах с прямоугольными включениями («51») и во взаимопроникающих системах с прямоугольными включениями («/21»). Результаты моделирования показали, что для пространственно неоднородных систем анизотропия процессов электропереноса определяется отношением геометрических параметров, характеризующих форму включений, а также концентрацией включений.

2. Для матричной структуры металл-полупроводник с квадратными включениями получены величины параметров, при которых реализуется минимальное значение температурного коэффициента сопротивления. Обнаружена температурно-концентрационная область, в которой ТКС принимает значения близкие к нулю. Показано, что зависимость температуры, при которой ТКС обращается в ноль, от концентрации включений — линейная. Полученные результаты позволяют сделать вывод о том, что для разработки различных полупроводниковых приборов на основе гетерофазных систем предпочтительным является синтез материалов с полупроводниковой матрицей и металлическими включениями.

3. Применение метода конечных элементов для расчета электропроводности частного случая гетерофазной системы - моносилицид-дисилицид железа (Ре8ьРе812) - позволило получить зависимости эффективных проводимостей системы Ре81-Ре812 от объемной концентрации Ре81г для различных форм частиц эвтектики. В частности, показано, что, проводимость гетерофазной системы существенно зависит от формы частиц Ре81г. Показано, что при некотором значении концентрации дисилицида железа, соответствующего смыканию частиц Ре812 в эвтектики, резко падает проводимость системы и реализуется переход металл-полупроводник.

4. Установлено, что характер политерм сопротивления гетерофазной системы Ре8ьРе81г зависит от исходного значения концентрации полупроводниковой фазы, параметра рыхлости границы и формы включений, образующих ее. Показано, что вблизи некоторого значения концентрации полупроводниковой фазы реализуется ¿/-образная политерма сопротивления, для которой характерно наличие участка с нулевым ТКС.

5. Исследованы фазовые переходы в гетерофазных системах полупроводник-металл, происходящих под влиянием саморазогрева. Для чистого полупроводника, в предположении линейной зависимости ширины запрещенной зоны от температуры образца, получены значения приложенной к образцу разности потенциалов, при которых наблюдается резкое изменение тока. Результаты численных расчетов позволили построить гистерезис вольт-амперной характеристики гетерофазных систем, находящихся в условиях саморазогрева. Причем в случае чистого полупроводникового образца переход от холодной к горячей ветви ВАХ происходит очень резко, а при добавлении металлических включений данный переход становится более затянутым.

6. На основе теории спиновых флуктуаций развит подход, позволяющий описать влияние саморазогрева, происходящего под действием сильных электрических полей на электронные характеристики почти ферромагнитных соединений переходных металлов. Исследованы неравновесные электронные фазовые переходы в моносилициде железа с учетом влияния саморазогрева на спиновые флуктуации. На примере Ре81 показано, что под действием саморазогрева происходит электронный переход полупроводник-металл. Эффект саморазогрева усиливается за счет спиновых флуктуаций. Рассчитанная для случая РеБ! вольт-амперная характеристика имеет характерный ¿»-образный вид.

Основное содержание диссертации опубликовано в работах [37-41, 66,

1. Дульнев Г.Н., Заричняк Ю.П. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Л.: Энергия, 1974. 264с.

2. Киркпатрик С. / В кн.: Новости физики твердого тела. М.: Мир, 1984, вып.7, с.249-292.

3. Митюшов Е.А., Гельд П.В. О методе согласования при описании обобщенной проводимости гетерогенных систем // ИФЖ, 1989, т.57, N1, с.75-80.

4. Sederberg М., Grimvall G. Conductivity of inhomogeneous materials represented by discrete resistors networks // J. Appl. Phys., 1986, v.59, N1, p.186-190.

5. Биндер К. Метод Монте-Карло в статистической физике. М.: Мир, 1982. 400с.

6. Сегерлинд Л. Применение метода конечных элементов. М.: Мир, 1979. 392с.

7. Зенкевич О., Морган К. Конечные элементы и аппроксимации. М.: Мир, 1986.318с.

8. Митюшов Е.А., Гельд П.В., Адамеску P.A. Обобщенная проводимость и упругость макрооднородных гетерогенных материалов. М.: Металлургия, 1992. 145с.

9. Харитонов Е.В. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой. М.: Радио и связь, 1983. 128с.

10. Хейфец Л.И., Неймарк A.B. Многофазные процессы в пористых средах. М.: Химия, 1982. 320с.

11. Дульнев Г.Н. Коэффициенты переноса в неоднородных средах. Л.: Изд. ЛИТМО, 1979. 64с.

12. Портной К.И., Заболоцкий A.A., Салибеков С.Е., Чубаров В.М. Классификация композиционных материалов // Порошк. Мет., 1977, N12 (180), с.70-75.

13. Слоистые металлические композиции / И.Н. Потапов, В.Н. Лебедев, А.Г. Кобел ев и др. М.: Металлургиздат, 1986. 217с.

14. Литовский Е.Я., Пучкелович H.A. Теплофизические свойства огнеупоров. М.: Металлургия, 1982. 152с.

15. Smith D. and Anderson J. Theory of electrical conduction in particulate Systems // Philosophycal Magazine. B. 1981. Vol.43, N5, p.797-810.

16. Расчет температурного коэффициента сопротивления композиционных резистивных материалов в приближении смешанной структуры / О.Л. Василенко, А.Л. Майер, В.А. Чащин и др. // Инж. Физич. Журн. 1985, т.49, N3,c.477-481.

17. Тимашев В.В., Сычева Л.И. Химия и технология дисперсно-армированного цементного камня // Журнал Всесоюз. Химич. Общества. 1982, т.27, N5, с.14-19.

18. Богачев И.Н., Вайнштейн A.A., Волков С.Д. Статистическое металловедение. М.: Металлургия, 1984. 176с.

19. Адамеску P.A., Гельд П.В., Митюшов Е.А. Анизотропия физических свойств металлов. М.: Металлургия, 1985. 136с.

20. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений / Под ред. Косолаповой Л.Т. М.: Металлургия, 1986. 928с.

21. Порошковая металлургия. Материалы, технология, область применения / И.М. Федорченко, И.Н. Францевич, И.Д. Радомысвитский и др. Киев: Наукова думка, 1985. 624с.

22. Емец Ю.П. Электрические характеристики композиционных материалов с регулярной структурой. Киев: Наукова думка, 1986. 192с.

23. Дьяк И.И., Миколайчук А.Г., Третьяков Ю.В. Теплофизические свойства тонких пленок металлов // Инж. Физич. Журн. 1990, т.58, N 1, с. 130-135.

24. Гуляев А.П. Металловедение. М.: Металлургия, 1986. 542с.

25. Мартюшов К.И. Электропроводность композиционных резистивных материалов // Обзоры по электронной технике, сер.5 / М.: ЦНИИ Электроника. 1982. Вып.8 (910)-58с.

26. Дульнев Г.Н., Новиков В.В. Процессы переноса в неоднородных средах. JL: Энергоатомиздат, 1991. 258с.

27. Дульнев Г.Н., Новиков В.В. // Инж. физич. журн. 1981, т.41, N1, с. 172184.

28. Волков Д.П., Заричняк Ю.П. Моделирование структуры и расчет теплопроводности полидисперсных зернистых систем // Инж. физич. журн. 1981, т.41, N4, с.601-606.

29. Сачков И.Н. Геометрические факторы процессов переноса и фазовых превращений в пространственно-неоднородных системах / Диссертация на соискание степени д.ф.-м.н., УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2000.

30. Проводимость гетерогенных систем: метод конечных элементов / Гельд П.В., Сачков И.Н., Гофман А.Г., Сидоренко Ф.А. // ДАН СССР. 1990, т.315, N3, с.604-607.

31. Сачков И.Н., Митюшов Е.А. Анизотропия проводимости и соотношения взаимности двухфазных пленок с регулярной структурой // Письма в ЖТФ, 1996, вып.1, с.22-25.

32. Метод конечных элементов: проводимость и выделение джоулева тепла в регулярных структурах / И.Н. Сачков, А.Г. Гофман, Ф.А. Сидоренко, П.В. Гельд//Изв. Вузов. Физика, 1996, вып.5, с. 17-23.

33. Сачков И.Н. Влияние формы включений на проводимость двумерных регулярных матричных систем // ЖТФ, 1996, т.66, вып. 12, с.48-58.

34. Сачков И.Н., Повзнер A.A. Электронный переход полупроводник-металл и особенности проводимости гетерофазных систем FeSi-FeSi2 // ФТТ, 1996, т.38, вып. 10, с.2969-2972.

35. Дьярмати И. Неравновесная термодинамика. Теория поля и вариационные принципы / Пер. с англ. Под ред. Семенченко В.Г. М.: Мир, 1974. 304с.

36. Бердичевский В.А. Вариационные принципы механики сплошной среды. М.: Наука, 1983.447с.

37. Андреева А.Г. Разработка моделей проводимости матричных систем с кольцевыми включениями // Сб. тезисов 1-й Уральской школы-семинара металловедов-молодых ученых. Екатеринбург, УГТУ-УПИ, 1999.

38. Сачков И.Н., Повзнер A.A., Андреева А.Г. Разработка моделей проводимости гетерофазных резистивных материалов с помощью метода конечных элементов // В сб. Физические свойства металлов и сплавов. Екатеринбург, УГТУ, 1999, с.25-29.

39. Андреева А.Г, Сачков И.Н., Повзнер A.A. Условия формирования нулевого температурного коэффициента сопротивления в матричных системах металл-полупроводник // ИФЖ, 2001, т.74, N1, с. 153-155.

40. Андреева А.Г., Сачков И.Н., Повзнер A.A. Условия формирования нулевого температурного коэффициента сопротивления в матричных системах металл-полупроводник // В сб. Физические свойства металлов и сплавов. Екатеринбург, УГТУ, 2000, с.33-38.

41. Дыхне A.M. Проводимость двумерной двухфазной системы // ЖЭТФ, 1970, т.59, вып.1, с.110-115.

42. Балагуров Б.Я. Соотношения взаимности в двумерной теории протекания //ЖЭТФ, 1981, т.81, N2, с.665-671.

43. Мартюшов К.И. Проблемы резисторного материаловедения. Обзоры по электронной технике. Сер.5. Радиодетали и компоненты. М.: ЦНИИ Электроника, 1985, вып.2 (1108). 68с.

44. Мартюшов К.И. Механизм электропроводности керметных и легированных полупроводниковых резисторов. Обзоры по электронной технике. Сер.5. Радиодетали и компоненты. М.: ЦНИИ Электроника, 1979, вып.З (683). 75с.

45. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. 342с.

46. Foex M. // Comp. Rend., 1946, v.B223, p.l 126.

47. Buschinger В., Geibel С., Steglich F., Mandrus D., Young D., Sarrao J.L., Fisk Z. Transport properties of FeSi // Physica B, 1997,230-232, p.784-786.

48. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. -М.: Металлугрия, 1971, 582с.

49. Игишев В.Н., Гельд П.В. Электропроводность твердых растворов в железе при повышенных температурах // Изв. Черная металлугрия, 1960, N2, с.90-94.

50. Андреева Л.П., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. Валентные состояния атомов в моносилицидах некоторых Sd-переходных металлов при пониженных температурах // ФММ, 1965, т. 19, вып.5, с.784-786.

51. Андреева Л.П. Механические, тепловые и электрические свойства силицидов железа. Автореферат диссертации канд. физ.-мат. наук. Свердловск: УПИ им. С.М.Кирова, 1965. 14с.

52. Wolfe R., Wernick J.H., Halszko S.E. Thermoelectric properties of FeSi // Phys. Lett., 1965, v. 19, N6, p.449-450.

53. Нешпор B.C., Самсонов Г.В. // ФТТ, 1960, т.2, N9, с. 2202-2209.

54. Никитин E.H. // ЖТФ, 1958, т.28, с.26.

55. Нешпор B.C., Юпко Ю.Б. // Порошковая металлургия, 1963, N2, с.55.

56. Сидоренко Ф.А. и др. // Изв. Вузов., Физика, 1970, N7, с. 13.

57. Кренцис Р.П. и др. // Физика и технология полупроводников, 1970, т.1, с.45.

58. Воронов Б.К. и др. // В сб. Химическая связь в полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1969, с.273

59. Shinoda D., Aosanabe S.J. //Phys. Soc. Japan, 1966, v.21, p.555.

60. Ромашова А.Ф. Магнитные и электрические свойства твердых тел Fei. xCoxSi / Диссертация на соискание степени к.ф.-м.н., УПИ, Свердловск, 1982.

61. S. Takagi, Н. Yasuoka, S. Ogawa, J.H. Wernick 29Si NMR studies of an "unusual" paramagnet FeSi Anderson localized state model // J. Phys. Soc. Japan, 1981, v.50, N8, p.2539-2546.

62. S. Takagi, H. Yasuoka, S. Ogawa, J.H. Wernick 29Si NMR studies of an "unusual" paramagnet FeSi Anderson localized state model // Techn. Rep. Of ISSR, ser.A, March 1981, 1126, pi-27.

63. Lunkenheimer P // Solid State Commun., 1995, v.93, p.891.

64. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем. Т.2. М.: Наука, 1972. 977с.

65. Повзнер А.А., Андреева А.Г., Сачков И.Н., Крюк В.В. Формирование резистивных свойств двухфазных систем полупроводник-металл на основе FeSii+x при малых отклонениях от стехиометрии // ЖТФ, 2001, т.71, вып.8, с.109-111.

66. Birkholz U., Schlem J. // Phys. Status solidi, 1968, v.27, p.413.

67. Гельд В.П., Повзнер A.A., Абельский Ш.Ш., Ромашева Л.Ф. // ДАН СССР, 1990, т.313, N5, с.1107-1109.

68. Климов В.А., Тимофеева И.О., Ханин С.Д., Шадрин Е.Б., Ильинский А.В., Сильва-Андраде Ф. Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металл-полупроводник в пленках диоксида ванадия // ЖТФ, 2002, т.72, вып.9, с.67-74.

69. Волков АГ., Повзнер А.А., Крюк В.В., Баянкин П.В. Спиновые флуктуации и особенности электронных переходов полупроводникметалл в почти ферромагнитных соединениях переходных металлов // ФТТ, 1999, т.41, вып.10, с.1972.

70. Гельд П.В., Повзнер A.A., Волков А.Г. К теории магнитных и теплофизических свойств моносилицида железа // ДАН СССР, 1985, Т.283, N2, с.358-360.

71. Повзнер A.A., Волков А.Г., Баянкин П.В. Спиновые флуктуации и электронные переходы полупроводник-металл в моносилицидах железа //ФТТ, 1998,т.40,N8, с.1437-1441.

72. Мория Т. Спиновые флуктуации в магнетиках с коллективизированными электронами. М.: Мир, 1988. 288с.

73. Кроткус А. Добровольские 3. Электропроводность узкощелевых полупроводников. Вильнюс.: Мокслас, 1988.172с.

74. Imada Masatoshi, Fujimori Atsushi, Tokura Yoshinori // Mod. Phys., 1998, v.70, N4, part 1, p.1059-1063.

75. Мелких A.B., Повзнер A.A. Неравновесный фазовый переход полупроводник-металл, происходящий под действием саморазогрева // ЖТФ, 2002,1.12, вып.7, с.141-142.

76. Бугаев A.A., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. JL: Наука, 1979. 182с.

77. Андреев В.Н., Чудновский Ф.А. // ФТТ, 1975, т. 17. вып.10, с.2957-2960.

78. Кудасов Ю.Б. Диффузия магнитного поля при фазовом переходе металл-изолятор // ЖТФ, 1998, т.68, N12, с.43-48.

79. Кудасов Ю.Б., Макаров И.В. Развитие неустойчивости при движении фазовой границы металл-изолятор // Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып.22, с.90-94.

80. Кроткус А., Добровольские 3. Электропроводность узкощелевых полупроводников. Вильнюс, Мокслас, 1988. 172с.

81. Бонч-Бруевич B.JL, Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972.416с.

82. Левинштейн М.Е., Пожела К.Ю., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. Радио, 1975.288с.

83. Мелких А.В., Повзнер А.А., Андреева А.Г., Сачков И.Н. Неравновесные фазовые переходы и S-образные вольт-амперные характеристики в системе полупроводник-металл // Письма в ЖТФ, 2001, т.27, вып.6, с. 1925.

84. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев, Наукова думка, 1975, 704с.

85. Herz J.A., Klenin М.А. Fluctuations in itinerant-electron paramagnets // Phys. Rev. B, 1974, v.10, N3, p.1084-1096.

86. Shimizu M. Itinerant electron magnetism // Rep. Progr. Phys., 1981, v.44, N4, p.329-409.

87. Гребеников В.И., Прокопьев Ю.И. Температурные флуктуации спиновой электронной плотности и восприимчивость парамагнитных переходных металлов // ФММ, 1984, т.57, вып.З, с.483-492.

88. Korenman V., Prange R.E. Local band theory of itinerant ferromagnetism // Phys. Rev. B, 1979, v. 19, N9, p.4691,4698-4702.

89. Hasegawa H. Single-site spin fluctuation theory of itinerant-electron systems with narrow bands // J. Phys. Soc. Japan, 1980, v.49, N1, p. 178-188; 1980, v.49, N3, p.963-971.

90. Evangelon S.N., Edwards D.M. Temperature-induced local moments in MnSi and FeSi // J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1983, v.16, N11, p.2121-2131.

91. Moriya Т., Takahashi Y. Spin fluctuations theory of itinerant-electron ferromagnetism. A unified picture // J. Phys. Soc. Japan, 1978, v.45, N2, p.398-408.

92. Moriya T. Spin correlations in itinerant electron magnetic // J. Phys. Soc. Japan, 1982, v.51, N9, p.2806-2818.

93. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands // Proc. Roy. Soc., A, 1963, v.276, N22, p.238-257; 1964, v.277, N2, p.237-259; 1964, v.281, N19, p.401-419.

94. Мория Т. Спиновые флуктуации в магнетиках с коллективизированными электронами., М.: Мир, 1988, 287с.

95. Makoshi К., Moriya Т. Effect of spin fluctuations on the specific heat of weakly and nearly ferromagnetic metals // J. Phys. Soc. Japan, 1975, v.38, N1, p. 10-20.

96. Повзнер A.A., Баянкин П.В., Волков А.Г. // ФНТ, 1997, т.23, N6, с. 1054.

97. К. Urasaki and Т. Saso. Thermal and dynamic properties of the two-band Habbard model compared with FeSi // Phys. Rev. B, 1998, v.58, N23, p.15528-15533

98. Крюк B.B. Термоэлектрические свойства суперпарамагнитного FeSi и гетерофазных систем на его основе. / Диссертация на соискание степени к.ф.-м.н., УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2001.

99. Стратонович P.JI. Об одном способе вычисления квантовых функций распределения // ДАН СССР, 1957, т. 157, вып.6, с. 1097-1100.

100. Hubbard J. Calculations of partition functions // Phys. Rev. Lett., 1959, v.3, N2, p.77-78.

101. Абрикосов А.А., Горьков JI.П., Дзялошинский И.Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.: ГИФМЛ, 1962. 444с.

102. Федорюк М.В. Метод перевала. М.: Наука, 1977, 368с.

103. Jaccarino V., Wetheim G.K., Wernik J.H., Walker L.R., Arajs С. Paramagnetic escited state of FeSi // Phys.Rev., 1967, v. 160, N3, p.476-482

104. Schlesinger Z., Fisk Z., Zhang H.T., Maple M.B., Di-Tusa J.F., Aeppli G. Unconventional charge gap formation in FeSi // Phys. Rev. Lett, 1993, v.71, N11, p.1748-1751.

105. Зайнман Дж., Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974,472с.

106. Аношина О.В., Волков А.Г., Повзнер А.А., Ромашова Л.Ф. Концентрационное электронное превращение в слабых зонных магнетиках «FexCoi.xSi и FexMni.xSi» // Известия вузов. Физика, 2002, N12, с.48-54.

107. Винокурова Л.И., Власов А.В., Кулатов Э.Т. Электронное строение силицидов переходных металлов // Труды ИО РАН, 1991, т.32, с.26-66.

108. Островский Ф.М. Теплопроводность и температуропроводность моносилицидов и высших силицидов Зс1-переходных металлов / Диссертация на соискание степени к.ф.-м.н., УПИ, Екатеринбург, 1970.

109. Hunt М.В., Chernikov М.А., Felder Е., Ott H.R. Fick Z., Canfield P. Low-temperature magnetic, thermal and transport properties of FeSi // Phys. Rev. B, 1994, v.50, N20, p.14933-14941.