Физические процессы при росте полупроводниковых пленок CdS, Cd1-хZnхS послойном хемосорбцией из растворов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

РГБ ОД

1 ШШСТЕГСТБО ОБРАЗОВАНИЯ АЗЕРЗАИДЮШСКОЯ РЕСПУБЛИКИ БАКИНСКИЙ Г0С7ДАРСТВШШ УНИВЕРСИТЕТ Ш*,М.Э.РАСУЛЗАДЕ

На правах рукописи УДК 669.1 621.372

ШГРАДОВ ЙУСТАФА БАЙРАМ оглы

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ РОСТЕ ПОЛУПРОВОДНЙКОЕЫХ ПЛЕНОК СдЗ, Сй^гп^Б ПОСЛОЙНОЯ ГО^ОСОРИЩН ИЗ РАрТВОРОВ

Спецпальяость 01.04.04 - вггнчесяая элэктроиззя

АВ10РВОВРАТ

диссертанта на соискание ученой степени. кандидата фазико-матгаатических наук

БШ - ШЪ

Работа выполнена в НИЛ физики полупроводников Бакинского Государственного Университета им.М.Э.Расулзаде.

Научные, руководителя:

Доктор технических наук, профессор МАСЛОВ В.Я. Доктор $изико-математических наук АГАСИЕВ АД.

Официальны^ оппоненты:

Доктор физико-математических наук, профессор

Искевдерзаде S.A.

Доктор физико-математических. наук,профессор

Кизыизаде А.Г.

Ведущая организация: Институт физики Академии наук Азербайджанской Республики г.Баку '

Защита состоится «¡% » Жартл* 1996г. в « часов на заседании Специализированного Совета'Д.004.25.01 то присуждению ученой степени доктора физико-математических наук при Институте фотоэлектродаки АН Азербайджанской Республики по адресу: 370041, ул.Ф.Агаева, квартал 555.

С диссертацией можно ознокомиться в научной библиотеке Института фогоэлектровики АН Азербайджанской Республики.

Автореферат разослан «/•/ » 1996г. •

Ученый секретарь Специализированного Совета д.ф.м.н..профессор

- э -

Актуальность теш. Тонкие пленки составляют в настоящее время основу большинства кикроэлэктронных и оптоэлектронных приборов и является объектом фундаментальных исследований в области физики кондесированных сред. Прогресс микроэлектроники, интегральной оптики, сверхпрозодниковой техники и многих новейших направлений науки и техник* требуют оперехащего развития исследований в области разработки новых технологических процессов синтеза и роста субмикронных монокристаллических пленок. Селективный рост пленок (молекулярное насливание, атомно-слоевая эпитаксия,■ионно-слоевая эпитаксия) является одним из перспективных технологией выращивания тонких пленок и ультрадасперсных частиц.

Несмотря на разнообразие технологии селективного роста пленок, общей и необходимой для.всех этих процессов стадией является хемо-ссрбция на поверхности конденсированной фазы. Поэтому обобщающим названием следует считать термин "послойная хемосорбция", который преимущественно используегся з данной работе. Послойная хемосорбция является принципиально новым и практически мало изученным механизмом кристаллизации не требующим пересыщения кристаллизационной среда веществом растущего кристалла.

Доказано."что рост эпитаксиальных монокристаллических пленок по механизму послойной хемосорбции возмокен в условиях очень низких температур (вплоть до^'урсзня комнатной температуры). Одним из главных преимуществ метода является возможность получения субмикронных пленок,' состояецих из леСого, наперед заданного тлела мсноюлэкуляршх слоев, шлли словами, возможность управления процессом формирования кристаллической структуры .на

молекулярном уровне. •

Вследствие новизны самого механизма кристаллизации и разнообразия возможных вариантов реализации метода, несомненно, потребуется выполнить очень большой обьем исследований как непосредственно по механизму адсорбции к формирования кристаллической1 структуры, а такке по выяснению особенностей технологических^процессов в различных кристаллизационных средаг.. Кроме этого требуются определения области применения полученных пленочных структур и условий, при которых свойства пленок будут удовлетворять определенным требованиям.

Целью данной работы явилось исследование физических процессов при выращиваний субмикронных полупроводниковых структур ж механизм}' послойной хемосорбции потенциал-определящих ионов из растворов электролитов. В качестве объектов исследования были выбраны халькогекюше полупроводники с<й, Сс^&гв субмикронше структуры которых могут зать сравнительно ясное представление об особенностях кристаллизрции в условиях низкотемпературной послойной ::емосорбшш и в перспективе представляют существенный интерес для .применения в устройствах отгтоэлектрокики и интегральной оптики.

Научная новизна. На защиту выносятся следующие результаты, полученные впервые в данной работе:

1.Установлено, что движущей силой процесса кристаллизации при послойном росте является разность химических потенциалов анионов (катионов)"находящихся в кристаллизационной среде и пленке.

2.Предложена термодинамическая модель роста кристаллической фазы по механизму послойной хемосорбции. В отличии от ранее

устоявщихся представлений доказано, что фазовый состав и стехиометрия пленок, полученных по механизму послойной хемосорбции зависят от концентрации растворов электролитов.

3.Показано, что смещение края фундаментаьного поглощения микрокристаллитов сульфида кадмия, сформированных в объеме полимерной матрицы, в область коротких волн с уменьшением размеров частиц обусловлено квантово-размерными эффектами в микрокристаллитах cds.•

Сформированы оптические волновода на основе желатиновой пленки и микрокристаллитов сульфида кадмия. Показана возможность управления параметрами оптических, волноводов путем контролируемого роста микрокристаллитов cas в полимерной матрице.

4.Показано, что температурный отжиг пленок желатина с микрокристаллитами Cds приводит к смещению края фундаментального поглощения в длинноволновую область которое удовлетьорительно объясняется процессами коалесцеяции частиц cds в таких структурах.

5.В субшкрэнных пленках cds и Zrs обнаружено смещение фазоого перехода сфалерит-ввршгг и твердое тело-газ в низко-температурнузо область. Показано, что оно обусловлена с микропористостью полученных планок.

S.Показано, что при получении "пленок тройного соединения Cd^zn^b на поверхности растущей структуры сначала преимущественно адсорбируются ионы цинка, а по мере установления частичного термодинамического равновесия ионк цинка заменяются ионами кадмия

Практическая ценнее? работы. РсзработЕН низкотемпературный .метод'получения ялеяок типа ämbv1 с помощью послойной хемосорбции

— б -

из растворив электролитов.Структуры такого типа могут быть использованы для нанесения ультратонких высокоомных слоев на поверхности полупроводниковых подложек, при создании фотоприемников, многослойные субьгакроишх полупроводниковых структур, интегрально-оптических. структур, а также других изделий физической и функциональной электроники. Разработанный метод позволяет управлять поверхностными свойстзами полупроводниковых структур.

Показано, что стехиометрия и фазовый состав пленок, полученных по механизму послойной хемосорбции, зависят от соотношения концентраций растворов электролитов. Данное положение имеет важное значение для полупроводников CdS и ZnS, т.к. многие .физические свойства этих материалов сильно зависят от кристаллической к дефектной структуры кристаллов.

Предлскеяа методика формирования ультрадисперсных частиц полупроводниковых соединений в .обьаме полимерной матрицы. На основе таких структур сформированы'волноводныв структуры, которые могут быть использованы для создания оптических модуляторов на основе кь&атоЕс-разм^рного эффекта Штарка.

Апробация работа. Материалы диссертации догладывались и обсук-д-'лись аа: '

III Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупрово;5йшой",г.Москва, .1986 г.?

■ XII Bes союзном совещании "Физик» технология вкрокозонных

г.Махачкала, 1986 г.;; ; "Ш - ки^грйнда по лроцэссйь: роста и синтеза пол^-провс-дкило-шгкристаллов в гивю.4% г,Новосибирск, 1986 г.;

. - 7 -

Республиканской конференции молодых ученых, г.Уфа, 1987 г.;

XIII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии, г.Суш, 1987 г.;

Всесоюзной конференции "Волоконно-оптические системы связи и передачи информации - 88", г.Москва, 1988 г.;

vil Всесоюзной кондаренции по1 росту кристаллов,г. .Moches , 1 S8Sr. ;

II Международной конференции "Лазеры и их применения", г.Тегеран, 1S93 г.;

Публикации. По результатам работы имеются 18 публикаций, защищено два авторских свидетельства.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения-, основных, выводов и списка использованной литературы. Работа изложена на 162 страницах машинописного текста, включая 39 рисунков, 7 таблиц и списка цитируемой литературы из 132 наименований.

СОДЕРЖАНИЙ РАБОТЫ

_ _ • о

В диссертации на основе обзора литературных данных поставлена задача исследования цроцесса роста халшогенидных полупроводниковых пленок A1IBVI методом послойной хемосорбции из растворов электролитов при комнатной температуре. Рассмотрены особенности термодавемш.2 и кинетики процесса роста пленок по механизму послойной хемосорбции. Хотя в системе отсутствует полное термодинамическое равновесие.процесс роста можно описывать, введя понятия частичного термодинамического равновесия мэзуту частицами 1-го компонента, находящихся з растворе алектро-

лита, адсорбционном слое и в одной из подрешеток пленки:

Р й / л \

VI = ^ = ^ (1)

где м*, р®, р" - химические потенциалы частиц 1-го сорта соответственно в растворе электролита, адсорбционном слое и пленке. Анализ кинетики адсорбции показывает, что оно сильно за-зисит от степени заполнения поверхности. При этом скорость роста пленок определяется как

й = N й 0(1;;

о

гдэ а - толщина слоя,, синтезируемая за цикл, ло- предельная толщина мон^слоя хемосорбции за один цикл при данной температуре, &Ц) - степень заполнения поверхности, N - количества циклов.

В работе приводится описание экспериментальной установки БЫрасдаважя полупроводниковых пленок путем послойной хемосорбции из растворов электролитов, обсувдаются возможности приведенной установки, описываются методики приготовления подложек к пленок, а также исследования свойств полученных образцов.

Исследованы начальные стадии процесса кристаллизации полтпро-■ коднш-совых пленок сульфида, кадмия, сульфвда цинка, а также твердых растворов на их основе на германиевых подлогках о ориентацией (111). Показано, что механизм кристаллизации пленок сильно

зависит от соотношения параметров решетки подложи и пленки. В случае формирования структуры 0<аз/0е(111) процесс кристаллизации включает б себя процессы адсорбции иоюь обоих компонентов, образование трехмерных центров роста, которые ' на начальной стадии при значительном- ргаличии параметров решеток рэзоркентиро-ваны относительно шдложка. их .коалеодежда с возникновением

предпочтительной ориентации и последующее заращиваиие всей поверхности подлозка растущей пленкой. Такой механизм кристаллизации сульфида кадмия при послойном росте, очевидно, связан с относительно низкой температурой, при которой амплитуды тепловых колебаний атомов ограничены и образование дислокаций несоответствия затруднено. Ирн совпадении параметров решеток пленок твердых растворов ca^Zn^s с подхэккой набйвдается рост по механизму ван дэр Марво. В начальных стадиях роста пленок ZnS/Ge (111) наблюдается кристаллиты с ориентациями (ЮЮ) и (Ю1Т). При дальнейшем увеличении толщины пленок возникают мозаичные блоки, ориентирующиеся плоскостью (111 )ку(5 параллелно подложке.. Исследования зависимости показателя преломления от толщины пленок Ods и ZnS показызают, что эта зависимость носит нелинейный характер. В начальных стадиях роста с увеличением толщины увеличивается показатель преломления пленок. При толщинах пленок

о

150 - 200 А и более значения показателя преломления стаблизи-руется. Такое поведеюю показателя преломления объясняется тем, что в начальных стадиях роста существенен вклад показателя преломления г/.зззкристаллзтвого пространства. Уменьшению значения показателя преломления пленок по сравнении с объемными кристаллами способствует и островковай характер пленок на начальных стадиях роста.

Структура, фазовый состав, а тзяг.э устойчивость пленок, полученных по механизму послойной хемосорбщш существенно зависит от . соотношении концентрации растворох 'эдэктраяетов, т.к. изменение концектраиаи растворов элактролнтоэ приводит к изменению

химического потенциала частиц в растворах. Одновременно для частиц ч-го "сорта должно выполнятся условия (1'), так что изменение химического потенциала частиц в растворах электролитов должно приводить к изменению химического потенциала частиц в адсорбционном слое и пленке. Такое изменение может осуществится путем образования дефектов, изменения состава кристаллической фазы, возникновения механических напряжений в пленках.. Проведен-1Ш9 исследования показывают, что при большой разнице ( ~ 5 раз и более) концентраций растворов электролитов в пленках обнаруживаются смесь кубической и гексогональной фазы. При толщине

о

пленок ЗСЮ-£00 А в таких структурах наблюдается процесс отслаивания пленок от подложки, что связано с нестехиометричностью пленок. Это предположение подтверждается результатами термического отжига пленок в вакууме. Если в растворах электролитов концентрация ионов кадмия преьыгает концентрацию ионов серы, то при отжиге в камере элэктроно-графз в пленках обнаруживается рефлексы от металлического кадмия, отслоившиеся от подложка пленки находятся в деформированном состоянии, йсддствие миграции дефектов на границу раздела пленка -подложка и Н8 поверхность. Оценю! показывают, что внутренние напряжения в таких пленках о ~ 2,Ь а'м2, а относительное изменение объема вследствие миграции дефектов п ~ 1СГг.

йсслэдованы процесс формирования и фазовый состав сложных но-лупройодквкомя сс-9дян98ий. Боквяано, что при формирзвавии слож--шг* соединений с^гп^з, путем одновременной адсорбции ионов каддая к пкакз на поверхности рестуией структура пр9Ж<узюсгаенно соэжважся конн кадмия. На структура ?, фазовый сослав осаждаемых

пленок влияет тип используемых подложек, концентрация и соотношения концентраций солей компонентов анионной и кагаонкой подрашеток в растворах. При росте пленок с^гп^Б на германиевых подложках с ориентацией (111), при концентрации растворов электролитов 0,1 м/л, наиболее совершенные эплтаксиальныэ структура' получаются при мольной доле ионов кадмия в растворе хр = 0,0002. При дальнейшем увеличении мольной доли ионов кадмия в растворе рестущке пленки имеют структуру сульфида кадмия типа сфалерита.

Изучены спектры пропускания пленок 5 в зависимости от

времени адсорбции. Эксперименты показывают, что с увеличением времени адсорбц:ш край фундеэнтального поглощения смещается в длинноволновую область т.е. в сторону сульфида кадмия. Это означает, что на поверхности растущих структур скача,"?, преимущественно адсорбируются ионы цинка, -а затем (по мере установления частичного . термодинамического равновесия между частица»,и кадмия и цинка в растворе и адсорбционном слое) кош цинка в адсорбционном слое заменяются ионами кадщя.

о

Рассмотрена термодинамика процесса роста пленок с^йп^з. Учитывая условия частичного термодинамического разков-.; сяя (1) была установлена взаимосвязь кезду мольной долей конов кадмия в растворе и пленке. При определения химического готетшалэ частиц в растворах электролитов учитывалось взаимодействие между одновременно адсорбируешь частицами кадая и щшка. При описан® химического потенциала ионов в адсорбционном слое использовали модель вак- Лазра. Взаимосвязь мольной дола чзетщ кадая в растворах и в адсорбционном слое выражается сле-дущам образе«:

' - 12 -

zi Ли '

+ laO + (2V1) + ln(1_xjr up—(1-х) (2)

где с - концентрация раствора, и * - м0 - разность стандартных химических потенциалов частиц кадмия в растворе и адсорбционной слое, xt, х - соответственно мольная доля частиц кадмия в растворе и адсорбционном слое. Расчеты показывают, что уравнение (2) достаточно хорошо описывает экспериментальные данные.

Изучено влияние термического отнята на структуры пленок cdS/Ge и ZnS/ве, На основе электрояографяческих в зллипсометри-ческих исследований установлэно, что при ^агреае в таких пленках наблюдаются фазовые превращения. Причем температура фазовых переходов ниже чем в массивных образцах втих материалов, что объясняется ыикропористсстью таких структур. G увеличением темпе- *' ретуры увеличивается рвзориентация блоков-кристаллитов. Далнзйшэе увеличение температуры приводит к испарения пленок (fcda-55C . 600 К и - G0Q - 800 2). Температура фазовых переходов зависит от толщины пленок. -

Б диалозоне частот 700 - 400 см"1 проводились исследований пленок сульфидов кадаия и циекз на германиевых подушках методом многократного нарушенного полного Багренного отражения (ШПВО). Выявлено, что в спектрах МНПВО присутствуют полосы поглощения в области частот к=3400 см'1 (валентные колебания воды), v=i620 'см"'(деформационные колебания вода), ^»2910 см*1 - спектры поглощения с-Н группы, а теккв 'у=1730 см*1 - спектры тоглоаенш группа й-ю, что связано с загрязнением поверхности пленок вследствие адсорбция соединений углерода на поверхности пленок. Незначительное смещение частоты ва-

лентннх колебаний воды от значения у=3400 см"1 свидетельствует о физической адсорбции молекул вода в пленках.

Изучение спектральных характеристик частиц сульфида кадотя распределенных в желатиновой матрице показывает, что с увеличением количества циклов хемосорбции край фундаментального поглощения смотается в длинноволновую область. Это объясняется тем, что в малых-частицах сульфида кадмия наблюдается квантсво-механячоские эффекты. При размере частиц „ й смепегак» края фундаментального поглощения в коротковолновую область составляет дв 1\Ал<1х, где Б. - постоянная Планка, а*-''эффективная масса электрона з частицах сульфида кадмия. Эхсперакенты .доказали, что желатиновые пленки с ультрадисперснимк частица?® соз на стеклянной подлоккз имеют волвоводные свойства.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Tepr.roдинамический анализ процесса формирования пленок сульфидов кадмия и цикка, а такие тверда ^астворов на их основе путем послойной хемосорбции из раствороз электролитов показывает» что послойный рост пленок является термодинамически неравновесным процессом. При послойном росте поочередно устанавливается частичное -термодинамическое равновесие анионных (катионннх) подрешзтск в пленке с анионами (катионами) в растворах электролитов.

2. Двиаущей силой процесса кристаллизации при послойном росте является разность химических потенциалов анионов {катионов), находящихся в кристаллизационной: среда и кристалле.

3. Стехиометрия и фазовый состав полухфоводаяковах плевок,

подученных по механизму послойной хемосорбции из растворов электролитов зависят от соотношения концентраций растворов электролитов, содержащих анионы и катионы, входящие в состав кристаллической решетки.

4. Изучены основные закономерности формирования пленок сульфида кадмйя, сульфида цинка и твердых растворов на их-основе на подножках из германия, кремния и антимонида кадаия. В случае роста пленок Ccis/Ge(lii) в начальных стадиях роста структуры поликристалличе окна. По мере увеличения толщины пленки ориентируются в нацрвлекии <111> Ods// <111> Ge. В случае роста пленок ZnS/Oe(m) в начальных стадиях формируются гексагональная фаза с ориентацией (10.10) и (1011). По мере увеличения толщины образуется ьоликристаллкчоская структура типа сфалэри- ' та. При близости параметров решетки od^Zn^s и Ge(m) пленки

- растут по механизм!' Ван-дер Нерве.

5. При формировании твердых растворов Cd^Zn^S путем одновременной адсорбции гонов-кадмия и. цинка на поверхности растущей структуры сначала проимущественно осаздаотся иош цинка, а по мере установления частичного термодинамического равновесия меяду частицами кадмия (цинка;, находящийся в адсорбционном слое и в растворах электролитов, в адсорбционном слое коны цинка замещаются ионами кадмия.

6. Рассмотрен процесс отслаивания пленок сульфида кадмия от подложки в процессе роста. Отслаивание "пленок- объяснено с помощью модели Еакансионного порообразования на границе раздала пленка - подложка.

7. 3 субмихронных пленках сульфадов кадмия и цинка обнаружено смещение температуры фазоЕых переходов твердое тело -газ в сторону низких температур. Данное явление объяснено мшс-ропористостью полученных структур.

8. Результаты исследований оптических спектров пропускания пленок показывают, что в полимерных пленках с внедренными малыми частицами сульфгда кадмия' положение края фундаментального поглощения зависит от размеров внедренных частиц. Отжиг таких структур приводит к увеличению размеров частиц путем коалесценции и вследствш этого край фундаментального поглощения в спектрах пропускания смещается в длинноволновую область.

9. Сформированы оптические волноводы на основе желатины и полупроводниковых микрокристаллитов сульфида кадмия.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Маслов В.Н., Гайлис М.С., Мурадов Ы.Б. Держатель подложек. A.c. СССР," £1515786, 1987.

2. Мурадсв М.Б., Смирнов В.Л., Караванский В.А, Способ получения вьлноводенх структур. A.c. СССР' ä 1448914, 1986 г.

3. Маслоэ В.Н., Мурэдоз И.Б., Яукова Л.А., Овчаренко В.М., Моьчар Г.А., Мончар И.Ai* Термодинамические и кинетические особенности выращивания. пленок AnSvl и а^в*1 методом послойной хемосорбцил. Тез. докл. VII конференции ш процес- , сам роста н синтеза полупроводниковых кристаллов я пленок. Новосибирск, 198в. - Т.З. ~ a.1G2~183. ;

4. Маслоч В.Н., Мурадов М.Б. Теоретические проблемы химичес-

кой термодинамики выращивания полупроводниковых пленок по механизму послойной хемосорбции. Тез. докл. III Всесоюзной конф. "Термодинамика и материаловедение полупроводников". - М.: 1986. - Т.1. - G.53.

5. Клечковская В.В., Маслов В.Н., Мурадов М.Б., Семилетов С.А. Исследование процесса роста и структуры полупроводниковых пленок cds, ZnS и твердых растворов на их основе, полученных по механизму послойной хемосорбции из растворов электролитов.//Кристаллография. - 1989. - Т.34. - $ 1. -

С.182-186

6.. Мурадов М.Б., Агасиев A.A., Джавадов Э.Э. К термодинамике Формирования пленочных структур. Тез. докл. v республ. межвузовской научной конф. по физике. - Баку.: 1992.

С.44.

7. Кутепов A.M., Маслов В.Н., Нервов B.C., Мурадов М.В. Фрак-

тальный poof сульфида кадмия при■ послойной хемосорбции ИОНОБ.//ДАН СССР. - 1969. - Т.304. ~ Je 4. - С.1900 - 1903.

8. Маслов В.К., Мурадов М.Б,, Жукова л.А., Овчаре-цк В Ja., Мснчар Т.А., Мончар И.А. Термодинамические и кинетические особенности выращивания пленок a"bvi и a"bvi методом по-«жйяой хемосорбции. В кн.: Процессы роста полупроводнике-ssx кристаллов и слепок. - Взтсн^ирск:Каука. 1988, 1;53 с.-С-5Э-Р5.

9. Мурйлов фазоше переход» в суСиикронных пленках CäS и ZnS, выучйшт методом послойной гвмосорбдая. Тез. докл.

- 17 -

III Всесоюзн. ков*). "Материаловедение халькогенидных полупроводников". - Черновцы.: 1991. - С.181.

10. Ag&siev А.А.. Muradov М.В., Bjavadov Е.Е. Phase transformation peculiarities in thin film struotures. Booklet of the abstraots Satellite conference of the XXX annual meeting of the European high pressure research group. -Baku.: 1992. -P.75.

11. Клечковская В.В., Масло„ В.Н., Мура,дев М.Б., Орннячез С.В.

' Исследование плёнок Od^n^s, подученных то механизму послойной хемосорбции, методами растровой электронной микроскопии и элэктронограф:ги. Тез. докл. XIII Всесоюзн. конф. ло электрон, микроскопии. - С?ш: 1S87. - С.241-243.

12. Маслов Б.Н., Мурадов М.Б. Субмикронннэ полухфоводпвкозке пленки ZnS/Ge и Zn odKS/Gs, ' получению МЭТОДОМ послойной хемосорбнии.'Тез. докл. iii Всесоюз-. сов. "«ивкеа я .технология ашрокозовных полупроводников". - Махачкала: 1988. -С.105.

о

13. Клечковская В.В., Маслов В.Н., Мурадов М.Б., Семилетов С.А. Исследование пленок Cd Jin S методами мектронегра-фии, оптической и электронной микроскопии.//Кзв. АН СССР, Сер. физическая. - 1Р88. - Т.52. - .* 7. - С. 132',-1326.

14. Мурадов М.Б. К термодинамике роста сложных полупроводниковых соединений по механизму послойной хемосорбцич. Тез. докл. конф. молодых ученых..- Уфа.: 1937. - С.175.

15. Мамедов Н.В..Эйнуллаёв А.В.. Агзев А.В., Агаеиев и... Мурадов м.Б. Синтез и лсследозаше ВАХ соедаеюй craijirtsti

- 18 -

//Вестник БГУ, - 1Э95. I. - 0.89-93.16. Мурадов М.Б., Агасивв A.A., Карамалиев P.A. Квантово-раз-мерные эффекты в полупроводниковых микрокристаллитах сформированных в полимерной матрице. Тез. докл. v респуб. • меквузрвский конф. по физике. - Баку.: 1992. - С.ЗЗ.

17. Мурадов U.B., Гахраманов К.Ф., Дяавадов 3.3. Формирование пленочных структур на'основе полупроводниковых микрокристаллитов л диэлектрической матрицы.Тез. докл. республ. конф. Ч&изика-ЭЗ". - Баку.: 1993. - 4 1 - С.67.

18. Muradov Ж.В. Optical wavuguide on the baeis of dieleo-trio matrix and Bsmiconduoti7<j miсгоогувtalli t ea. Proo. of 2nd International Conferenoe on lasers and theii« applications. - Tehran.: 1993. - K179-184-. "-1

19. Агасивв A.A., Ыурадов М.Б. Формирование частиц сульфида кадмия в объеме полимерной матрицы. //Письма: в ЖТФ. -1991. - Т.17. - Bm.1ä. - С.54-Б7.

20. Клечковская В.В., Наслои B.R., Ыурадов М.Б., Тронин А.Ю. исследование полупроводниковых пленок сульфида кадмия, полученных с помощью послойной хемосорбции. Тез. докл. 7 конф. по росту кристаллов. - К.: 138S. - Т.1. - С.262-263.

CdS, Cd^ZnS HASKK ГЭБ8ГЭЛЗРЙНШ МЗЬЛУЛЛАРДАН ЛШЫ bEMOCOPBCEJA ВАСЖЗСИЛЭ «ОРМШШАСИ ЗАМАНЫ ©ИЗИКИ ПР0ССЕСЛЗР

Мурадов M.B.

x ï л a с a

Ди ccepTacaja шгшдэ гермаяиум алтлыгларда jiajm heMocopöcHja васитэсилэ алынан cas, Cd1_xZn Sx назик твбэгэ-лэринин формалашмасннын ганунау Лгунлуглары е^энилмишдир. Назик тэбэгэлэрш формалашмасынкн термодинамик хусуси^Jb г-лэри арашдьфылмышдыр. Кестэрилмишдир ки, ашнан твбэгалерин стехиометр^асы вэ фаза теркяби мэйдулларын KOHceHTpacaJa-ларьшнн нисбэтиндэн аслыдар. Массив нумунэлэрв нисбэтен CdS, Zns назик тзбэгзлэриндэ структур во бэрк чисим - газ фаза кечадлэринин температуру шага тврефэ сурушур.

Анион вэ катионлары желатин матраса нввбе илэ дахил етмэклэ Ods ' ултрадисперо зэррвчиклэра алыншгадар. Зэррэчиклэрин влчулеринин кичилмеса замаян фундаментал удулма областыннн кичик дапгалар тэрефэ сурушмэси квант-елчулу еф-фектле кзай едомшидир. OdP ззрречиклзри ва яелатин матриса эсзсыяда оптик далгаетурэнлер' влынмшдцр. -

PHYSICAL PROCESSES AT TEE GROWTH OP CdS AMD Cd^ Znx S THIN FILMS BY LAYER CHEKOSORPTION PROM THE SOLUTIONS Muradov Ы.В.

ABSTRACT The regularities of the formation of CdS and Cd4_x ZnxS films obtained by the mechanism of layer ohemoeorption of

ions on germanium sabstratee have been investigated in the

t

present paper. The therraodynamical peculiarities of the film formation are considered. The stoichemetry and a phase composition of the above films are shown to depend on the relationship of the eolution concentration. In CdS, ZnS thin filras the structure and solid state - gao phase transition temperatures shift to a low-temperature region as compared to massive samples. -

The ultradiepereed particles of oadmium sulfide are formed by means of alternating introduction of anions and cations, into a gel matrix. The shift of the fundamental atcwrption edge to a short-wavelength region , with decrease the CIS partiolo siae is attributed to quantum-dimensional effects.. The optical waveguides based on the CdS particles and a gel matrix have been obtained.