Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

На правах рукописи

Филатова Татьяна Николаевна

ПОВЕРХНОСТНЫЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СИСТЕМЫ 1п8Ь-С<!8

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

иУ3071Э20

Омск-2007

003071320

На правах рукописи

Филатова Татьяна Николаевна

ПОВЕРХНОСТНЫЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СИСТЕМЫ 1п8Ь-Сс18

02 00 04 - Физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Омск - 2007

Работа выполнена на кафедре физической химии Омского государственного технического университета

Научный руководитель Заслуженный деятель науки и техники РФ,

доктор химических наук, профессор И А Кировская

Официальные оппоненты доктор технических наук, профессор

Ю И Матяш

кандидат химических наук, научный сотрудник Ю А Стенькин

Ведущая организация - Омский научно-исследовательский институт

приборостроения

Защита диссертации состоится 25 мая 2007 г в 1700 часов на заседании Совета по защите диссертаций К 212 178 04 при Омском государственном техническом университете по адресу 644050, г Омск, пр Мира, 11

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Омского государственного технического университета

Автореферат разослан апреля 2007 г

Ученый секретарь Совета К 212 178 04

кандидат химических наук, доцент

А В Юрьева

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Полупроводниковые материалы являются неотъемлемой частью современных приборов самых различных областей применения Среди них особое место занимают бинарные соединения АШВУ и АПВ4' Благодаря широкому спектру свойств они используются для создания инжекционных лазеров, детекторов излучения, полевых транзисторов, люминофоров и т п Еще большие возможности при решении практических задач обнаруживают твердые растворы на их основе Сохраняя свойства исходных веществ, они приобретают новые в широком диапазоне, прежде всего, электрофизические, фотоэлектрические, оптические, что позволяет получать материалы с контролируемыми характеристиками

Получением и изучением свойств многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе бинарных соединений АШВ,/ и А1^4" многие годы занимается творческий коллектив кафедры Физической химии ОмГТУ под руководством профессора И А Кировской Основное внимание уделяется проблеме создания единого подхода к исследованию реальной поверхности алма-зоподобных полупроводников и теории ее управления, так как параметры полупроводниковых приборов во многом определяются поверхностными процессами Обнаруженные зависимости изменения физико-химических свойств твердых растворов от состава характеризуются не только участками с плавным изменением свойств, но и наличием экстремальных эффектов, предсказывать которые заранее не всегда возможно, но весьма актуально [1,2]

Настоящая работа является неотъемлемой частью данных исследований Она посвящена изучению совершенно новой, ранее не полученной полупроводниковой системы 1п5Ь-Сс18 Особенность входящих в нее бинарных компонентов состоит в абсолютной противоположности их свойств, проявляемых в рядах соединений одного типа и вытекающих из характера связи 1п8Ь имеет самую слабую ковалентную, Сс18 - одну из самых сильных ковалентно-ионных Вследствие этого исследование объемных и поверхностных свойств твердых растворов системы 1п8Ь-Сс18 представляет особый научный и практический интерес в связи с накоплением недостающих знаний о многокомпонентных полупроводниковых системах, а также возможным применением их в полупроводниковом катализе, опто-, микроэлектронике и сенсорном анализе различных газов

Цель работы. Разработать, исходя из физико-химических свойств бинарных соединений ГпБЬ и Сс15, технологию получения ранее неизвестных твердых растворов (1п5Ь)| х(Сс18),, получить и аттестовать их на основе исследований объемных свойств (рентгенографических, термографических, электрофизических) Изучить поверхностные атомно-молекулярные и электронные сройства компонентов системы 1п8Ь-Сс18 Установить взаимосвязь между ними и закономерности изменений с составом Определить возможности практического применения полученных новых материалов

В соответствии с целью диссертационной работы были поставлены следующие задачи

1 Разработать технологию получения твердых растворов новой системы 1п8Ь-Сс18

2 Получить и идентифицировать их на основе рентгенографических, термографических и электрофизических исследований Определить протяженность области образования твердых растворов и оценить влияние на нее основных характеристик элементарных составляющих системы (1п, БЬ, Сё, Б)

3 Исследовать физико-химические свойства поверхности микроструктуру, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные (по отношению к 1\Ю2 и N1Ь), изменение зарядового состояния

4 Установить взаимосвязь, закономерности изменения изученных свойств в зависимости от внешних условий и состава системы Получить диаграммы состояния «свойство (электрофизическое, кислотно-основное, адсорбционное) - состав»

5 На основе анализа диаграмм состояния системы 1п8Ь-С<38 определить возможности получения новых материалов, отличающихся повышенной поверхностной чувствительностью

6 Разработать практические рекомендации по использованию полученных материалов в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков экологического назначения

Научная новизна работы

1 Впервые разработана технология и получены твердые растворы системы 1п8Ь-Сс18 различною габитуса (в форме порошков и пленок)

2 Исследованы объемные свойства полученных твердых растворов (рентгенографические, термографические, электрофизические), использованные для их аттестации Установлено образование в системе 1п8Ь-Сс18 твердых растворов замещения с кубической структурой Протяженность области их образования со стороны 1п5>Ь составляет 0-4 мол % Сс18 Обнаруженный экстремальный характер изменения объемных свойств с составом системы увязан с такими физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих (1п, 8Ь, Сс1, 8), как упругость паров, соотношение тетраэдрических и ионных радиусов, электроотрицательность

3 Впервые изучены физико-химические свойства поверхности твердых растворов (ТпБЬ), х(Сс18)х, наряду с бинарными компонентами системы (микроструктура, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и электрофизические)

- пленки компонентов системы 1п8Ь-С<18 имеют поликристаллическую структуру с неоднородным характером распределения кристаллитов

- химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других апмазо-подобных полупроводников химический состав экспонированной на воздухе поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20, группами ОН", углеводородными соединениями и продуктами окисления поверхностных ато-

мов После термической вакуумной обработки поверхность содержит в небольших количествах остатки оксидных фаз Экспонированная на воздухе поверхность имеет слабокислый характер, на ней присутствуют два типа кислотных центров - льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы [ ЬО и группы ОН") В зависимости от состава кислотно-основные свойства изменяются экстремально максимум и минимум рН1ПО приходятся соответственно на 2 и 3 мол % CdS, общая концентрация кислотных центров изменяется в обратной последовательности,

- па основе анализа опытных зависимостей («i>~ f(T), ат = f(P), ат = f(t)), результатов расчетов термодинамических (теплот адсорбции) и кинетических (энергии активации адсорбции) характеристик и с учетом изменения зарядового состояния поверхности установлен преимущественно химический характер адсорбции газов Оценено влияние указанных газов на химическое и электронное состояния поверхности Подтверждены природа активных центров и механизм преимущественно донорно-акцепторного взаимодействия N0: и NH3 с поверхностью компонентов системы InSb-CdS, а также одинаковое происхождение так называемых «химических» активных центров и поверхностных состояний Наиболее активным из изученных адсорбатов оказался диоксид азота величина адсорбции N02 (а 104 моль/м2) на порядок выше, по сравнению с NH3

4 Обнаруженный параллелизм между полученными диаграммами состояния системы InSb-CdS «электрофизическая характеристика - состав», «кислотно-основная характеристика - состав», «адсорбционная характеристика -состав», дополнительно высвечивающий физическую основу их тесной взаимосвязи, подтверждает ранее сделанное заключение о механизме атомно-молекулярных и электронных процессов на алмазоподобных полупроводниках и открывает путь поиска активных адсорбентов такого рода систем без проведения прямых адсорбционных исследований

5 Показана возможность использования диаграмм «свойство - состав» для получения активных адсорбентов Такими оказались компоненты системы InSb, (InSb)o 98(CdS)o 02 (по отношению к N02) и (InSb)o97(CdS)ooi (по отношению к NH3) Они были рекомендованы как первичные преобразователи сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и NH3

Защищаемые положения

1 Результаты синтеза и аттестации, исследования объемных и поверхностных (структуры, химического состава, кислотно-основных, адсорбционных, электронных) свойств компонентов системы InSb-CdS

2 Установленное влияние на характер изменения изученных свойств с составом физико-химических характеристик элементарных составляющих (In, Sb, Cd, S) - упругости паров, соотношения гетраэдрических и ионных радиусов, электроотрицательности

3 Выводы, подтверждающие единую природу активных центров и поверхностных состояний, механизмы взаимодействия поверхности с молекулами газов различной электронной природы (N02, NH3)

4 Способ оценки адсорбционной активности компонентов не только изученной, но и других систем типа AlnBv-A!IBvi на основе диаграмм состояния «кислотно-основная характеристика - состав», «электрофизическая характеристика - состав»

5 Практические рекомендации по созданию активных адсорбентов - первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и NH3

Практическая значимость работы

1 Разработана технология и найдены оптимальные режимы получения твердых растворов (InSb)i.x(CdS)x в порошкообразном и пленочном состояниях

2 Определены условия термовакуумной обработки пленочных бинарных компонентов и твердых растворов

3 Показана необходимость учета физико-химических характеристик элементарных составляющих при получении сложных многокомпонентных полупроводниковых систем

4 Предложен и реализован на примере системы InSb-CdS способ оценки адсорбционной активности бинарных соединений (A"'bv, AnBvl) и твердых растворов (Al,IBv)1.x(AnBv')4 с использованием, диаграмм «физическое или физико-химическое свойство - состав»

5 С применением данного способа

- выявлены компоненты системы InSb-CdS с повышенной чувствительностью к диоксиду азота (InSb, (InSb)o9s(CdS)oo2) и аммиаку ((InSb)0 97(CdS)0 оз),

- разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и NH3,

- созданы соответствующие сенсоры-датчики, прошедшие лабораторные испытания

Апробация работы. Материалы диссертации доложены на Международной научной школе-конференции студентов и молодых ученых «Экология Южной Сибири и сопредельных территорий» (г Абакан, 2003, 2006), Международной научно-практической конференции «Региональные аспекты обеспечения социальной безопасности населения юга Западной Сибири - проблемы снижения рисков и смягчения последствий чрезвычайных ситуаций природного и техногенного характера» (г Барнаул, 2004), V Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин» (г Омск, 2004), VII конференции «Аналитика Сибири и дальнего Востока» (г Новосибирск, 2004), V Международной конференции «Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности» (г Москва, 2006), Международной научной конференции «Химия, химическая технология и биотехнология на рубеже тысячелетий» (г Томск, 2006), III Международной научно-технической конференции «Наука, образование, производство в решении экологических проблем (Экология-2006)» (г Уфа, 2006) Результаты диссертации опубликованы в 14 научных работах

Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы

Краткое содержание работы Во введении дано обоснование актуальности темы диссертации, сформулированы ее цель и задачи, показаны научная новизна, практическая значимость работы, приведены основные положения, выносимые на защиту

В первой главе приведен обзор литературных данных по основным объемным и поверхностным свойствам бинарных компонентов InSb, CdS и твердых растворов типа AIIIBV-AIIBVI, а именно, кристаллохимическим, термодинамическим, оптическим, электрофизическим, кислотно-основным и адсорбционным свойствам, а также о химическом составе поверхности Изложены и проанализированы методы получения твердых растворов A'"Bv-A"Bvi в форме монокристаллов, поликристаллов и тонких пленок Рассмотрены области применения бинарных компонентов InSb и CdS, а также твердых растворов систем a'"Bv-A"Bvi Обоснована необходимость поиска новых высокочувствительных и селективных материалов для полупроводникового газового анализа

Во второй главе описаны методы получения и идентификации твердых растворов (InSb)i.x(CdS)4, а также методы исследования их поверхностных свойств

Объектами исследования являлись порошки и тонкие пленки бинарных компонентов InSb, CdS и твердых растворов (InSb),.x(CdS)x (х = 0,01-0,03) Последние получали двумя методами изотермической диффузии бинарных компонентов в вакуумированных кварцевых ампулах при температуре 1273 К и дискретным вакуумным испарением с последующим гомогенизирующим отжигом

Идентификацию твердых растворов (InSb),.x(CdS)x проводили на основе результатов прямых (peim еноструктурных, термографических) и косвенных (электрофизических, кислотно-основных) исследований

Рентгенографический анализ порошков и пленок компонентов системы InSb-CdS проводили на дифрактометре ДРОН-3 в Си Ка-излучении Для более точного определения параметров решеток порошкообразных образцов применяли метод добавления эталонного вещества В качестве эталона использовали а - кварц с точно известной величиной параметров элементарной ячейки и углом скольжения 0, близким к таковому исследуемых компонентов

Дифференциальный термический (ДТА) и термогравиметрический (ТГ) анализ проводили на дифференциальном термическом анализаторе DTG-60, Shimadzu в интервале температур 303-1273 К, исследование микроструктуры -на атомно-силовом микроскопе Solver PRO (NT-MTD)

Химический состав поверхности определяли методом ИКС на спектрометре Shimadzu с Фурье-преобразователем Кислотно-основные характеристики - методами гидролитической адсорбции (определение рН-изосостояния), меха-нохимии и неводного кондуктометрического титрования

Адсорбционные измерения проводили методом пъезокварцевого микровзвешивания (чувствительность 1,2310й г/см2 Гц) в интервале температур 273 - 353 К и давлений адсорбата 0,2 - 9,8 Па

Измерение электрофизических характеристик в процессе взаимодействия N02 и МН3 с поверхностью компонентов системы ¡пБЬ-СсК осуществляли статическим и динамическим методами по компенсационной схеме

Воспроизводимость результатов проверяли дублированием опытов Расчеты величин адсорбции, кристаллохимических, термодинамических и кинетических характеристик проводили с использованием ЭВМ Для статистической обработки результатов использовали метод наименьших квадратов

В третьей главе описаны результаты экспериментальных исследований -идентификации твердых растворов (1п8Ь)( ч(Сс18)х, оценки химического состава, кислотно-основных, адсорбционных и электрофизических характеристик поверхности, дана их интерпретация

В четвертой главе проведены анализ и сопоставление нескольких систем АШВЧ-А1|ВУ1, на основании чего установлено влияние физико-химических характеристик элементарных составляющих на закономерности изменения поверхностных свойств твердых растворов подобного рода систем

Получение и идентификация твердых растворов системы 1п8Ь-С<18

Вследствие отсутствия информации о протяженности области твердых растворов (1п8Ь)1_х-(Сс18)х, синтез проводили в широком диапазоне составов (\ = 0,01-0,80) При этом, опираясь на известные данные по подобным системам, предположили ограниченную растворимость Сс1Б в 1пБЬ

Рентгенографический анализ показал, что составы с х = 0,05-0,80 содержат линии, соответствующие а-Сс18 гексагональной модификации При этом с увеличением содержания СёБ происходит рост интенсивностей линий последнего Данный факт свидетельствует об ограниченной растворимости компонентов системы 1п8Ь - Сс15 друг в друге Штрих-рентгенограммы пленок ГпБЬ и (1п8Ь)0 95(Са8)005 также подтверждают ограниченную растворимость сульфида кадмия в пленке твердого раствора обнаружено присутствие сурьмы

Согласно результатам проведенного рентгеноструктурного анализа, ан-тимонид индия и твердые растворы на его основе различного габитуса (порошки и пленки) имеют кубическую структуру Зависимость рассчитанных значений параметра решетки от состава изменяется экстремально, а рентгенографической плотности - близка к линейной (рис 1) При этом параметр решетки для твердых растворов составов (1п8Ь)о97(Сс18)ооз и (1п5Ь)о9б(Сс18)оо4 одинаков Можно предположить, что граница растворимости Сс18 в 1п8Ь составляет 3-4 мол %

Малый диапазон образования твердых растворов объясняется энергетическим и геометрическим факторами Вследствие различий типа химических связей в исходных бинарных соединениях, а также размеров замещающих и замещаемых атомов в твердых растворах системы 1пБЬ - Сс15 изменение энергии

связей в последних с увеличением содержания CdS сопровождается нарушением целостности кристаллической решетки и выделением второй фазы

Выявленная в данной работе зависимость параметра решетки а от состава сходна с таковой для системы InSb-CdTe Сжатие решетки твердого раствора (InSb)099(CdS)001 можно объяснить увеличением анионных вакансий, т к из взаимодействующих элементов сера обладает наиболее высокой упругостью паров, а также возможным образованием антиструктурных дефектов CdSb* Гььз ), по-

скольку в узкозонных полупроводниках их роль существенно возрастает С ростом концентрации CdS определяющую роль, скорее всего, играют различия тетраэдрических и ионных радиусов индия — кадмия (rIn3t < rcd2+) и сурьмы - серы (rsb3. > rS2-)> поэтому возможно расширение решетки При этом будет иметь место некоторый избыток атомов серы Наряду с этим в твердых растворах (InSb)i „(CdS), также возможно образование сложных донорно-акцепторных комплексов In2S3, имеющих две кубические модификации с постоянной решетки а (a-In2S3) = 5,37 Ä и а (ß-In2S3) = 10,74 Ä При преобладании одной из них следует ожидать сжатия или расширения решетки

а, А рг, г/см3

0 1 2 3 4 100

ГпБЬ мол % Сё8

Рис 1 Зависимость параметра решетки (я) и рентгеновской плотности (р,) от состава системы (1п8Ь)| „(Сс^),

Положительное отклонение параметра решетки от правила Вегарда, начиная с (1п5Ь)о99(С<15)оо1. также может быть вызвано кластеризацией твердых растворов, т е образованием микрообластей (кластеров) размером 100-1000 А, обедненных или обогащенных серой или кадмием При этом на макроскопическом уровне твердые растворы остаются гомогенными Одновременное наличие положительных отклонений от правила Вегарда и расслаивание на микро-

области обнаружено во многих системах с неметаллическими твердыми растворами [3]

На основании вышеизложенного несовпадение хода зависимости параметра решетки (а) с зависимостью рассчитанной рентгеновской плотности (рг) от состава системы 1п8Ь-Сс18 можно объяснить неравномерным распределением катион-анионных комплексов

Подтверждением образования твердых растворов стали также результаты исследования термографических, электрофизических и кислотно-основных характеристик (рис 2)

Проведенный термографический анализ 1п5Ь и твердых растворов с содержанием Сс15 1-3 мол % позволил обнаружить эндо- и экзоэффекты, сопровождающиеся ростом массы образцов в исследованном интервале температур Однако они отличаются по интенсивности с увеличением содержания Сс18 до 2 мол % идет уменьшение, а затем увеличение интенсивности пиков Можно считать, что эндотермические эффекты отвечают плавлению образцов, т к температура их появления соответствует плавлению 1п8Ь (798-808 К) Причиной экзотермических пиков является, скорее всего, образование продуктов окисления, поскольку при этих же температурах происходит значительный прирост массы

При сопоставлении зависимостей а =/(хГ1В) и рН„30 = / (хак) для компонентов системы 1п8Ь-С<18 прослеживается следующая особенность твердый раствор (1п5Ь)о98(Сс18)оо2 проявляет экстремальные свойства (о минимальна, рНШ0 максимальна) Подщелачивание поверхности в ряду 1п8Ь —► (¡пЗЬ^зГСЖ),;^ свидетельствует об уменьшении силы и концентрации кислотных центров, которыми преимущественно являются координационно-ненасыщенные атомы (1п, Сс1) Как известно [4], последние могут изменять свои функциональные способности под влиянием координационного окружения в многокомпонентных системах Поэтому данный факт можно рассматривать как результат изменения координационного окружения атомов кадмия и индия, а также роста концентрации ионных пар с образованием нейтральных комплексов типа (Сс18)°, т к соединения типа АПВ41 обладают более основными свойствами [5] С процессом образования нейтральных ионных пар, сопровождающимся уменьшением общего числа заряженных рассеивающих центров, связано и резкое снижение электропроводности в указанном ряду Дальнейшее увеличение содержания сульфида кадмия сопровождается уменьшением ионных пар и некоторым ростом избыточных атомов серы При этом растут ионность связи и концентрация заряженных рассеивающих центров Это сказывается на силе кислотных центров и электропроводности Поверхность твердого раствора (1п5Ь)о97(С«18)ооз становится более кислой и гидратированной за счет более высокого, чем ранее, сродства к электрону орбит алей атомов индия и увеличения его эффективного

заряда, а увеличение электропроводности твердого раствора является следствием преобладания донорных примесей

1пБЬ мол % СсК

Рис 2 Зависимость удельной электропроводности и рН изоэлектрического состояния поверхности от состава системы 1п8Ь-Сс)8

Таким образом, на основании указанных результатов сделан вывод об образовании твердых растворов замещения (1п8Ь)|.х(Сс15)ч с неравномерным распределением катион-анионных комплексов

Химический состав поверхности. Кислотно-основные свойства

Совокупность использованных методов (определение рН изоэлектрического состояния, механохимия, кондуктомегрическое титрование, ИК-спектроскопия) позволила оценить силу и концентрацию кислотных центров поверхности компонентов системы 1п5Ь-Сс18 (порошков)

Как уже отмечалось, кислотность поверхности изменяется экстремально (рис 2) Дифференциальные кривые кондуктометрического титрования подтверждают закономерность изменения рНи30 с составом и свидетельствуют о присутствии на поверхности образцов различных по силе кислотных центров -центров Льюиса и Бренстеда Как и на других алмазоподобных полупроводниках [6], за первые ответственны координационно-ненасыщенные атомы, за вторые - адсорбированные молекулы Н20, С02 и группы ОН, наличие которых обнаружено ИК-спектроскопией (рис 3) Наименьшая концентрация кислотных центров отвечает составу (1п5Ь)о98(Сс18)оо2 (3,30 10"4 г-экв/г), наибольшая -(1л8Ь)0 97(Сс18)о оз (1,18 102 г-экв/г)

Таким образом, исследование кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы 1п5Ь-Сё8 позволило определить закономерности их изменения, связать с особенностями донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах, а также предположить повышенную адсорбционную спо-

собность поверхности твердого раствора (1п8Ь)0 9з(Сс!5)о 02 к Ы02, (1п5Ь)о9?(Сс55)О от - К МН3

V, см-'

Рис 3 ИК-спектры пленок 1пБЬ (1), (1п8Ь)095(Сс15)оо1 (2), (1п8Ь)0 98(CdS)o 02 (3), экспонированных на воздухе

Адсорбционные и электрофизические свойства компонентов системы 1п8Ь-С<18

Исследование адсорбционных свойств компонентов системы InSb-CdS проводили с учетом изученных кислотно-основных свойств поверхности

В качестве адсорбатов были выбраны аммиак и оксид азота (IV) Аммиак является зондом на определенные типы кислотных центров, N02 - соответственно на основные Как аммиак, так и диоксид азота обладают определенной токсичностью, поэтому исследование адсорбционной способности компонентов изучаемой системы к и N0; представляет интерес и в связи с поиском новых высокочувствительных, селективных и низкотемпературных материалов сенсоров-датчиков для контроля окружающей и технологической сред

Полученные результаты показали, что адсорбционное взаимодействие данных газов с поверхностью образцов исследуемой системы имеет в зависимости от температурных условий физическую или химическую природу В интервале температур 273-293 К на поверхности образцов протекает физическая адсорбция, в интервале температур 293-353 К - химическая На всех образцах

химическая адсорбция протекает необратимо, адсорбция ЫСЬ характеризуется переходом при температуре 313 К из необратимой активированной в обратимую

Величины адсорбции исследуемых газов имеют порядок 10 МО5 моль/м2, нарастая с повышением давления Рассчитанные для предполагаемой химической адсорбции теплоты (с]„) и энергии активации (Еа) соответственно составляют 1-30 кДж/моль и 9-87 кДж/моль При эгом малые значения теплоты адсорбции можно объяснить локализацией носителей заряда на молекулах адсор-бата [4] С ростом заполнения поверхности величины энергии активации адсорбции растут, теплоты адсорбции падают Это свидетельствует о неоднородном характере исследуемой поверхности и присутствии на ней различных по силе активных центров Неоднородный характер поверхности пленок компонентов системы 1п8Ь-Сс^ доказывают изображения, полученные методом атомно-силовой микроскопии

В результате электрофизических измерений установлено донорное влияние и КНз на поверхностную проводимость исследованных образцов Это подтверждает донорно-акцепторный механизм взаимодействия изученных газов с активными центрами (координационно-ненасыщенными атомами) с образованием комплексов типа МН3"' - Ме°, N0/ - Ме5" [5] При этом КЬЬ адсорбируется и на бренстедовских кислотных центрах за счет образования водородной связи Сам факт изменения электропроводности в условиях адсорбции указывает на изменение электронного состояния поверхности адсорбента, что возможно при наличии химического взаимодействия

Сопоставление изобар адсорбции аммиака и диоксида азота на компонентах системы 1п8Ь-Сс18 позволило выявить селективный характер адсорбции диоксида азота в интервале температур 293-333 К При этом наибольшую чувст вительность к N02 при температуре 295 К проявляет антимонид индия, в области обратимой химической адсорбции (313-333 К) - (1п8Ь)о98(Сс!8)оо2 (р»с 4) По-видимому, данная зависимость обусловлена большей энергией активации адсорбции N02 на твердом растворе (1п5Ь)0 эд(С<15)о 02 по сравнению с 1п8Ь К аммиаку наибольшую чувствительность проявляет твердый раствор (1п8Ь)0 9т(Сс15)о оз при температуре 353 К В ряду 1пБЬ —»(1п8Ь)] х(Сс18)х —> СсК энергии активации в целом растут, а теплоты адсорбции падают, тес увеличением содержания Сс15 возрастает прочность связи адсорбат - адсорбент и степень локализации носителей заряда на молекулах адсорбата

Выявленная аналогичная зависимость адсорбционных п электронных процессов (одновременный рост величин адсорбции газов и изменения электропроводности) свидетельствует о том, что молекулы в процессе адсорбции блокируют активные центры, одновременно ответственные и за адсорбцию и за поверхностную проводимость Это подтверждает одинаковое происхождение активных центров адсорбции и поверхностных состояний как для бинарных полупроводников, так и их твердых растворов, что неоднократно отмечалось при исследовании поверхности алмазоподобных полупроводников [4]

О 1 2 3 100

1пБЬ мол % Сс18

Рис 4 Зависимость величииы адсорбции (1, Г), энергии активации (2, 2') и теплоты адсорбции (3, 3') Ы02 (1, 2, 3) и >1Нз (Г, 2', 3') от состава системы 1п8Ь-Сс15 при Т=313 К, Р = 4,7-4,9 Па

Изменение электропроводности в атмосфере аммиака на антимониде индия выше, чем на твердом растворе (1п8Ь)о97(Сс18)ооз (рис 5) Однако адсорбционная способность 1п8Ь и твердого раствора (1п8Ь)о97(Сс18)ооз по отношению к аммиаку в интервале температур 333-353 К имеет обратную зависимость Данный факт можно объяснить общим снижением подвижности носителей в твердом растворе, т к при добавлении Сс18 происходит дополнительное рассеяние носителей на ионах Такая закономерность характерна для некоторых твердых растворов А'"ВУ-А,1В^ [7]

0--- - --- -------г

0 2 4 6 8 10 Р, Па

Рис 5 Зависимость изменения электропроводности пленок 1п8Ь (1) и (1п8Ь)о 97(С(18)о оз (2) от давления аммиака при Т=333 °К

Исходя из полученных результатов, дальнейшее исследование электрофизических свойств проводили на антимониде индия динамическим методом в токе аргона В качестве основного адсорбата выступал диоксид азота При этом были получены зависимости изменения электропроводности 1п8Ь от температуры и давления ЬЮ2 (рис 6)

О 5 10 15 20 25 30 35 40 Р> Па

Рис б Зависимость изменения электропроводности 1п8Ь под влиянием К02 (Т=323 К)

Известно [1, 5], что обратимость процесса адсорбции является необходимым условием длительной работы сенсора-датчика, так как восстановление поверхности до первоначального состояния происходит наиболее полно Поскольку в интервале температур обратимой химической адсорбции (313-353 К) антимонид индия проявляет и некоторую адсорбционную способность к аммиаку, то было определено влияние аммиака на величину сигнала При этом обнаружено, что некоторое падение сигнала происходит при соотношении концентраций диоксида азота и аммиака 1 2 соответственно Данный факт можно объяснить ранее установленными закономерностями в процессе адсорбции на алмазоподобных полупроводниках наиболее активным компонентом в смеси N02 + N1^3 является Ы02 [8]

Результаты проведенных исследований позволяют заключить, что зависимость адсорбционной чувствительности компонентов системы 1п8Ь-С<}8 согласуется с зависимостью кислотно-основных свойств Наибольшей адсорбционной способностью к N02 обладает более основный твердый раствор (1п8Ь)098(Сс)8)оо2 и 1п8Ь, к N43 - соответственно более кислый (1п8Ь)097(С<15)о<в Наличие таких экстремумов на диаграммах «поверхностное свойство - состав» является отражением специфических особенностей твердых растворов, как многокомпонентных систем, а именно изменением координационного окружения поверхностных атомов и их ненасыщенности, что сказывается на количестве активных центров и прочности их связи с адсорбатом

Анализ диаграмм «адсорбционная характеристика — состав», а также выявленный селективный характер адсорбции 1\Ю2 на компонентах системы 1п8Ь-Сс18 позволяет предложить наиболее активные из них в качестве чувствительных материалов электрохимических и пьезокварцевых сенсоров-датчиков на микропримеси диоксида азота

Некоторые аспекты прогнозирования поверхностных свойств твердых растворов систем типа А1ПВХ'-А|,ВУ1

Единый подход к исследованию поверхности алмазоподобных полупроводников, реализуемый на кафедре с целью создания теории управления поверхностью, позволил сопоставить и проанализировать имеющийся экспериментальный материал Возможности прогнозирования свойств многокомпонентных полупроводниковых систем ранее уже определялись [9], но при этом не были учтены такие факторы, как соотношение ковалентных и ионных радиусов замещающего атома к замещаемому, а также упругость паров элементов, входящих в систему

Влияние указанных факторов также может отражаться на поверхностных свойствах твердых растворов А111ВХ/-АИВУ1, т к синтез в основном проводится в вакууме, а пеэквиатомное соотношение элементов вследствие разности тетра-эдрических и ионных радиусов атомов подтверждается рентгеноспектральными исследованиями [10] При этом от соотношения элементов зависит координационное окружение атомов А111 и А", выступающих в роли кислотных центров Льюиса, и, как следствие, их ненасыщенность

Вследствие того, что элементы VI группы обладают большей электроотрицательностью, по сравнению с элементами V группы, в твердых растворах АШВУ-А,,ВЧ" за подкисление поверхности ответственны атомы Аш, а за увеличение основности - атомы А11 Соотношение вновь возникающих связей АШ-ВУ1, А1[-Ву и должно определять в целом кислотность поверхности

На основании систематизированного экспериментального материала можно выделить следующие основные моменты Потери наиболее летучего компонента сказываются при малой концентрации легирующей примеси, поэтому наличие экстремумов в основном отмечается в области до 5 мол % А"ВУ| В дальнейшем определяющую роль играют различия тетраэдрических и ионных радиусов При этом начинают преобладать те атомы, у которых отношение радиусов замещающего атома к замещаемому наименьшее В результате чего идет плавное изменение поверхностных свойств либо в сторону уменьшения, либо увеличения кислотности поверхности Так, системы 1п8Ь-7пТе и 1п8Ь-2п8е отличаются одннм элементом ВУ1, однако в первом случае наибольшее давление паров имеет цинк, а во втором - селен Соответственно изменение кислотности поверхности (рНию) проходит через минимум только для системы (ГпБЬ)! х(7пТе)х (х = 0,05), т к некоторый избыток теллура приводит к увеличению эффективного заряда на атомах индия и, следовательно, общей кислотности поверхности

Влияние отношения радиусов замещающего атома к замещаемому на поверхностные свойства можно проследить при рассмотрении систем 1п8Ь-2пТе и ОаБЬ^пТе, где Ган+/гаш+ соответственно равны 0,90 и 1,34 В обоих случаях рН1130 минимальна для твердых растворов, содержащих 5 мол % 2п'Гс, но дальнейшее увеличение ZnTe в системе Оа8Ь-7лТе не приводит к величинам рНим, превышающим таковую исходного бинарного компонента ваБЬ

Выводы

1 Впервые разработана технология и получены твердые растворы системы 1п8Ь-С<18 в виде порошков и пленок

2 Исследованы объемные свойства полученных твердых растворов (рентгенографические, термографические, электрофизические), использованные для их аттестации Установлено образование в системе 1п8Ь-Сс!8 твердых растворов замещения с кубической структурой Протяженность области их об разования со стороны 1пБЬ составляет 0-4 мол % Сс18 Обнаруженный экстремальный характер изменения объемных свойств с составом системы увязан с такими физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих (1п, 8Ь, Сс1, Б), как упругость паров, соотношение тетраэдрических и ионных радиусов, электроотрицателыюсть

3 В результате исследования физико-химических свойств поверхности (микроструктура, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и электрофизические) твердых растворов (1п8Ь)|.х(С<18)х и бинарных соединений (ГпБЬ, СёБ) выявлено следующее

- пленки компонентов системы 1п5Ь-Сс18 имеют поликристаллическую структуру с неоднородным характером распределения кристаллитов,

- химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других алмазо-подобных полупроводников Кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов (1п8Ь)1_х(Сс18)х п зависимости от состава изменяются экстремально максимум и минимум рНию приходится соответственно на 2 и 3 мол % Сс18, общая концентрация кислотных центров изменяется в обратной последовательности,

- на основе анализа опытных зависимостей (ор= ДТ), ат — ДР), ат = ДО), результатов расчетов термодинамических (теплот адсорбции) и кинетических (энергии активации адсорбции) характеристик и с учетом изменения зарядового состояния поверхности установлен преимущественно химический характер адсорбции газов Оценено влияние указанных газов на химическое и электронное состояния поверхности Подтверждены природа активных центров и механизм преимущественно донорно-акцепторного взаимодействия N02 и N1-13 с поверхностью компонентов системы 1п8Ь-Сс18, а также одинаковое происхождение так называемых «химических» активных центров и поверхностных состояний Наиболее активным из изученных адсорбатов оказался диоксид азота величина адсорбции И02 (а Ю4 моль/м2) на порядок выше, по сравнению с №1з

4 Выявленная в данной работе взаимосвязь поверхностных свойств компонентов системы 1п8Ь-Сс18 с физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих позволила оценить их влияние и внести коррективы в методы прогнозирования поверхностных свойств четверных твердых растворов

5 Предложен и реализован на примере системы ТпЗЬ-СсШ способ оценки адсорбционной активности бинарных соединений и твердых растворов (А|1,Ву)1.х(А"Ву,)х с использованием диаграмм «физическое или физико-химическое свойство - состав»

6 С применением данного способа

- выявлены компоненты системы 1пБЬ-Сс18 с повышенной чувствительностью к диоксиду азота (1пБЬ, (1пБЬ)о 98(Сс18)о о:) и аммиаку ((1п8Ь)0 97(Сс18)о (п),

- разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси N0^ и ИН,,

- созданы соответствующие сенсоры-датчики прошедшие лабораторные испытания

Цитируемая литература

1 Кировская, И А Адсорбционные процессы / И А Кировская - Иркутск Изд-во ИГУ, 1995 - 310 с

2 Кировская, И А Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников Твердые растворы / И А Кировская - Томск Изд-во ТГУ, 1984 -160 с

3 Вест, А Химия твердого тела Теория и приложения В 2-х ч 4 1/ А Вест -М Мир, 1988 -558 с

4 Кировская, И А Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников Адсорбция газов / И А Кировская — Иркутск Изд-во ИГУ, 1984 -186 с

5 Кировская, И А Поверхностные явления / И А Кировская - Омск Изд-во ОмГТУ, 2001 - 174с

6 Кировская, И А Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников Химический состав поверхности Катализ / И А Кировская - Иркутск Изд-во ИГУ, 1988 - 168 с

7 Кировская, И А Электрофизические и адсорбционные свойства образцов системы 1п5Ь-2п5е / И А Кировская, О П Азарова // Неорган материалы -2003 - Т 39, № 12 - С 1443-1447

8 Миронова, Е В Новая многокомпонентная полупроводниковая система ГпБЬ — СсГГе Ее поверхностные физико-химические свойства автореф дисс канд хим наук /ЕВ Миронова - Омск Изд-во ОмГТУ, 2003 18 с

9 Шубенкова, Е Г Получение твердых растворов системы 1пБЬ - 2пТе Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства автореф дисс канд хим Наук / Е Г Шубенкова - Омск Изд-во ОмГТУ, 2005 18 с

10 Влияние комплексообразования на электрические свойства твердых растворов (ГпБЬ)! х(Сс11е)х / В А Анищенко [и др ] // Неорган материалы -1993 - Т 29, №2 - С 197-199

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1 Кислотно-основное состояние поверхности компонентов систем типа AmBv-A"Bvl / И А Кировская, Е Г Шубенкова, О Т Тимошенко, Т Н Филатова//Омский научный вестник -2006 -№ 10 (48), декабрь - С 5-8

2 Адсорбционные и электрофизические исследования поверхности компонентов систем типа AIIIBV-A,IBVI / И А Кировская, Е И Быкова, О Т Тимошенко, ТН Филатова//Омский научный вестник -2006 - № 10 (48), декабрь -С 9-12

3 Полупроводниковый анализ токсичных газов с использованием новых материалов типа (А lnBv)x(A"Bv'), х / И.А Кировская, Е Г Шубенкова, Л В Нов-городцева, С С Лещинский, О Т Тимошенко, Т Н Филатова // Современные проблемы науки и образования - 2006 - № 2 - С 49-50

4 Катализаторы обезвреживания СО и N02 на основе систем типа InBv-CdBvl / И А Кировская, Е В Миронова, О Т Тимошенко, Т Н Филатова // Современные наукоемкие технологии - 2007 - № 2 - С 82 - 84

5 Создание первичных преобразователей газовых сенсоров на основе полупроводниковых систем AUIBv-AnBvl / И А Кировская, Л В Новгородцева, Е Г Шубенкова, С С Лещинский, О Т Тимошенко, Т Н Филатова, А В Ше-денко // Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности материалы V Международной конференции - Москва, 2006 — С 118-119

6 Новые материалы па основе полупроводниковых систем типа A,,rBv-AnBvl / И А Кировская, О Т Тимошенко, С С Лещинский, Т Н Филатова, А В Шеденко // Химия, химическая технология и биотехнология на рубеже тысячелетий материалы Международной научной конференции - Томск, 2006 -С 80-81

7 Кировская, И А Экспресс-диагностика технологических сред как один из путей прогнозирования чрезвычайных ситуаций / И А Кировская, О Т Тимошенко, Т Н Филатова // Материалы III Международной научно-технической конференции «Наука, образование, производство в решении экологических проблем (Экология-2006)» / НИИ БЖД РБ - Уфа, 2006 - Т 1 - С 49 - 50

8 Новые материалы типа (Ai'iBv)4(A"Bvi)i х в полупроводниковом анализе токсичных газов / И А Кировская, Л В Новгородцева, Е Г Шубенкова, С С Лещинский, О Т Тимошенко, Т Н Филатова // Аналитика Сибири и Дальнего Востока - 2004 материалы VII конференции - Новосибирск, 2004 - С 228

9 Кировская, И А Получение и исследование пленок InSb, (InSb)o 9s(CdS)0 os / И А Кировская, ТН Филатова // Материалы V Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин» - Омск, 2004 - С 46-49

10 Создание адсорбционных газоанализаторов аммиака, оксидов азога и углерода / И А Кировская, О Т Тимошенко, С С Лещинский, Т Н Филатова // Региональные аспекты обеспечения социальной безопасности населения Юга

Западной Сибири - проблемы снижения рисков и смягчения последствий чрезвычайных ситуаций природного и техногенного характера материалы Международной научно-практической конференции - Барнаул, 2004 - С 146-147

11 Кировская, И А Перспективы исследования полупроводниковых систем для создания приборов газового анализа / И А Кировская, Т H Филатова // Экология Южной Сибири и сопредельных территорий материалы VII Международной научной школы-конференции студентов и молодых ученых Абакан, 2003 -Т 2 - С 55-56

12 Экспресс-контроль техногенного загрязнения как необходимый элемент мониторинга окружающей среды / И А Кировская, О Т Тимошенко, Т H Филатова, Е И Быкова, M В Васина, Т JI Рудько // Экология Южной Сибири и сопредельных территории / Хакасский гос ун-т -2006 - Вып 10, Т 2

С 31-32

13 Кислотно-основные свойства и химический состав поверхности компонентов системы InSb-ZnTe / И А Кировская, Е Г Шубенкова, О Т Тимошенко, Т H Филатова//ЖФХ - 2007 -Т 81,№10

14 Адсорбционные и электрофизические исследования чувствительности и селективности поверхности компонентов системы InSb-ZnTe по отношению к токсичным газам/ И А Кировская, Е В Миронова, Е И Быкова, О Т Тимошенко, Т H Филатова//ЖФХ - 2007 -Т 81, №10

Отпечатано с оригинала-макета предоставленного авюром

ИД №06039 от 12 10 2001

Подписано к печати 23 04 2007 Бумага офсетная Формат 60\84 V|6 Отпечатано на дуиликэторе Уел печ л 1,25 Уч-изд л 1,25 Тираж 100 экз Заказ 377

Издательство ОмГТУ 644050, г Омск, пр Мира, 11 Типография ОмГТУ

Введение.

Глава 1. Литера гурный обзор.

1.1. Общая характеристика и объемные свойства соединений

AinBv, AnBVI и твердых растворов типа АШВУ - AHBVI.

1.1.1. Кристаллическая структура.

1.1.1.1. Полупроводниковые соединения AniBv, AnBvl.

1.1.1.2. Особенности кристаллической структуры 1вердых растворов AinBv - AnBVI.

1.1.2. Дефекты кристаллической структуры.

1.1.3. Взаимодействие компонентов в полупроводниковых твердых растворах AnIBv - AnBVI.

1.1.4. Химические, электрические и оптические свойства бинарных соединений InSb и CdS, а также твердых растворов типа AmBv - AnBVI.

1.1.4.1. Ан гимонид индия.

1.1.4.2. Сульфид кадмия.

1.1.4.3. Твердые растворы AmBv - A"Bvi.

1.1.5. Применение бинарных соединений InSb, CdS и твердых растворов A'V-AV1.

1.2. Поверхностные свойства соединений AH1BV, AnBVI, в том числе InSb и CdS, а также твердых растворов типа АИ|ВУ - AHBVI.

1.2.1. Физико-химическая природа поверхности.

1.2.2. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности соединений InSb, CdS.

1.2.2.1. Антимонид индия.

1.2.2.2. Сульфид кадмия.

1.2.3. Адсорбционные и электрофизические свойства соединений InSb, CdS.

1.2.4. Особенности поверхностных свойств твердых растворов A'"BV - AnBvl.

1.3. Методы получения твердых растворов типа AmBv - AHBVI.

1.4. Химические сенсоры-датчики газовою анализа.

Глава 2. Экспериментальная час1ь.

2.1. Получение твердых растворов системы (InSb)i.x(CdS)x.

2.2. Идентификация твердых растворов (InSb)i x(CdS)x методом рентгеноструктурного анализа.

2.3. Термогравиметрический анализ.

2.4. Исследование микроструктуры, химического состава и кислотно-основных свойств поверхности бинарных соединений InSb, CdS и твердых растворов на их основе.

2.4.1. Метод атомно-силовой микроскопии.

2.4.2. ИК-спектроскопические исследования.

2.4.3. Определение рН-изоэлектрического состояния.

2.4.4. Механохимическое исследование кислотно-основных свойств.

2.4.5. Кондуктометрическое титрование.

2.5. Исследование адсорбционных свойс1в бинарных соединений InSb, CdS и твердых растворов на их основе методом пьезокварцевого взвешивания.

2.6. Исследование электрофизических свойств пленок антимонида индия и твердых растворов системы (InSb)i.x(CdS)x.

2.7. Получение аммиака и оксида азота (IV).

Глава 3. Результат и их обсуждение.

3.1. Идентификация твердых растворов (InSb)i.4(CdS)x.

3.1.1. Рентгеноструктурный анализ.

3.1.2. Термографический анализ.

3.1.3. Зависимость изменения электропроводности пленок антимонида индия и твердых растворов (InSb)i.x(CdS)x от состава.

3.2. Структура, химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InSb-CdS.

3.2.1. Исследование микроструктуры поверхности.

3.2.2. ИК-спектроскопические исследования.

3.2.3. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния (pi 1ию).

3.2.4. Механохимические исследования.

3.2.5. Неводное кондуктометрическое титрование.

3.3. Адсорбционные свойства компонентов системы InSb-CdS.

3.3.1. Адсорбция аммиака на поверхности компонентов системы InSb-CdS.

3.3.2. Адсорбция оксида азота (IV) на поверхности компонентов систем!,I InSb-CdS.

3.3.3. Сравнительная характеристика адсорбционных свойств компонентов системы InSb-CdS.

3.4. Электрофизические измерения в процессе адсорбции.

Глава 4. Анализ результатов комплсксно1 о исследования компонентов системы InSb-CdS, а 1акже пекоюрые аспект npoi позирования поверхностных свойс1в твердых растворов типа А,||ВХ-А||ВХ1.

Выводы.

Актуальность темы. Полупроводниковые материалы являются неотъемлемой частью современных приборов самых различных областей применения. Среди них особое место занимают бинарные соединения АШВУ и AnBVI. Благодаря широкому спектру свойств они используются для создания инжекционных лазеров, детекторов излучения, полевых транзисторов, люминофоров и т.п. Еще большие возможности при решении практических задач обнаруживают твердые растворы на их основе. Сохраняя свойства исходных веществ, они приобретают новые в широком диапазоне, прежде всею, электрофизические, фотоэлекфические, оптические, что позволяет получать материалы с контролируемыми характеристиками.

Получением и изучением свойств мноюкомпонентных полупроводниковых материалов на основе бинарных соединений AniBv и AHBVI многие Е'оды занимается творческий коллектив кафедры Физической химии ОмГТУ под руководством профессора И.А. Кировской. Основное внимание уделяется проблеме создания единого подхода к исследованию реальной поверхности алмазоподобных полупроводников и теории ее управления, так как параметры полупроводниковых приборов во многом определяются поверхностными процессами. Обнаруженные зависимости изменения физико-химических свойств твердых растворов от состава характеризуются не только участками с плавным изменением свойств, но и наличием экстремальных эффектов, предсказывать которые заранее не всегда возможно, но весьма актуально [1,2].

Настоящая работа является неотъемлемой частью данных исследований. Она посвящена изучению совершенно новой, ранее не полученной полупроводниковой системы InSb-CdS. Особенность входящих в нее бинарных компонентов состоит в абсолютной противоположности их свойств, проявляемых в рядах соединений одною типа и вытекающих из характера связи: InSb имеет самую слабую ковалентную, CdS - одну из самых сильных ковалентно-ионных. Вследствие этою исследование объемных и поверхностных свойств твердых растворов системы InSb-CdS представляет особый научный и практический интерес в связи с накоплением недостающих знаний о многокомпонентных полупроводниковых системах, а также возможным применением их в полупроводниковом катализе, опто-, микроэлектронике и сенсорном анализе различных газов.

Цель рабо!ы. Разработать, исходя из физико-химических свойств бинарных соединений InSb и CdS, технологию получения ранее неизвестных твердых растворов (InSb)1.4(CdS)x; получить и аттестовать их на основе исследований объемных свойств (рентгенографических, термографических, электрофизических). Изучить поверхностные атомно-молекулярные и электронные свойства компонентов системы InSb-CdS. Установить взаимосвязь между ними и закономерности изменений с составом. Определить возможности практического применения полученных новых материалов.

В соответствии с целью диссертационной работы были поставлены следующие задачи:

1. Разработать технологию получения твердых растворов новой системы InSb-CdS.

2. Получить и идентифицировать их на основе рентгенографических, термографических и электрофизических исследований. Определить протяженность области образования твердых растворов и оценить влияние на нее основных характеристик элементарных составляющих системы (In, Sb, Cd, S).

3. Исследовать физико-химические свойства поверхности: микроструктуру, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные (по отношению к NOi и NH3), изменение зарядового состояния.

4. Установить взаимосвязь, закономерности изменения изученных свойств в зависимости от внешних условий и состава системы. Получить диаграммы состояния «свойство (электрофизическое, кислотно-основное, адсорбционное) - состав».

5. На основе анализа диаграмм состояния системы InSb-CdS определить возможности получения новых материалов, отличающихся повышенной поверхностной чувствительностью.

6. Разработать практические рекомендации по использованию полученных материалов в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков экологического назначения.

Научная новизна работы

1. Впервые разработана технология и получены твердые растворы системы InSb-CdS различного габитуса (в форме порошков и пленок).

2. Исследованы объемные свойства полученных твердых растворов (рентгенографические, термографические, электрофизические), использованные для их аттестации. Установлено образование в системе InSb-CdS твердых растворов замещения с кубической структурой. Протяженность области их образования со стороны InSb составляет 0-4 мол. % CdS. Обнаруженный экстремальный характер изменения объемных свойств с составом системы увязан с такими физико-химическими свойствами ее элеменгарных составляющих (In, Sb, Cd, S), как упругость паров, соотношение теграэдрических и ионных радиусов, электроотрицателыюсть.

3. Впервые изучены физико-химические свойства поверхности твердых растворов (InSb)i 4(CdS)x, наряду с бинарными компонентами системы (микроструктура, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и электрофизические):

- пленки компонентов системы InSb-CdS имеют поликристаллическую структуру с неоднородным характером распределения кристаллитов.

- химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других алмазоподобных полупроводников: химический состав экспонированной на воздухе поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20, группами ОН", углеводородными соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов. После термической вакуумной обработки поверхность содержит в небольших количествах остатки оксидных фаз. Экспонированная на воздухе поверхность имеет слабокислый характер, на ней присутствуют два типа кислотных центров - льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы 1120 и группы ОН"). В зависимости от состава кислотно-основные свойства изменяются экстремально: максимум и минимум рНи30 приходятся соотвегственно на 2 и 3 мол. % CdS; общая концентрация кислотных центров изменяется в обратной последовательности;

- на основе анализа опытных зависимостей (а{>= f(T), а\ = f(P), а\ = f(t)), результатов расчетов термодинамических (теплоi адсорбции) и кинетических (энергии активации адсорбции) характеристик и с учетом изменения зарядового состояния поверхности установлен преимущественно химический характер адсорбции газов. Оценено влияние указанных газов на химическое и электронное состояния поверхности. Подтверждены природа активных центров и механизм преимущественно донорно-акцепторного взаимодействия Ы02 и NII3 с поверхностью компонентов системы InSb-CdS, а также одинаковое происхождение так называемых «химических» активных центров и поверхностных состояний. Наиболее активным из изученных

1 О адсорбатов оказался диоксид азота: величина адсорбции NO2 (а ■ 10' моль/м') на порядок выше, по сравнению с NH3.

4. Обнаруженный параллелизм между полученными диаграммами состояния системы InSb-CdS «электрофизическая характеристика - состав», «кислотно-основная характеристика - состав», «адсорбционная характеристика - состав», дополнительно высвечивающий физическую основу их тесной взаимосвязи, подтверждает ранее сделанное заключение о механизме атомно-молекулярных и электронных процессов на алмазоподобных полупроводниках и открывает путь поиска активных адсорбентов такого рода систем без проведения прямых адсорбционных исследований.

5. Показана возможность использования диаграмм «свойство - состав» для получения активных адсорбентов. Такими оказались компоненты системы InSb, (InSb)0,ys(CdS)о02 (по отношению к N02) и (InSb)o,97(CdS)o,o3 (по отношению к NH3). Они были рекомендованы как первичные преобразователи сенсоров-датчиков на микроиримеси NO2 и NH3.

Защищаемые положении

1. Результаты синтеза и аттестации, исследования объемных и поверхностных (структуры, химическою состава, кислотно-основных, адсорбционных, электронных) свойств компонентов системы InSb-CdS.

2. Установленное влияние на характер изменения изученных свойств с составом физико-химических характеристик элементарных составляющих (In, Sb, Cd, S) - упругости паров, соотношения теграэдрических и ионных радиусов, электроотрицательности.

3. Выводы, подтверждающие единую природу активных центров и поверхностных состояний, механизмы взаимодействия поверхности с молекулами газов различной электронной природы (N02, NII3).

4. Способ оценки адсорбционной активности компонентов не только изученной, но и других систем типа АШВУ-АИВУ| на основе диаграмм состояния «кислотно-основная характеристика - состав», «электрофизическая характеристика - состав».

5. Практические рекомендации по созданию активных адсорбентов -первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микроиримеси N02 и NH3.

Практическая значимость работы

1. Разработана технология и найдены оптимальные режимы получения твердых растворов (InSb)1.x(CdS)x в порошкообразном и пленочном состояниях.

2. Определены условия термовакуумной обработки пленочных бинарных компонентов и твердых растворов.

3. Показана необходимость учета физико-химических характеристик элементарных составляющих ири получении сложных многокомпонентных полупроводниковых систем.

4. Предложен и реализован на примере системы InSb-CdS способ оценки адсорбционной активности бинарных соединений (AmBv, AnBVI) и твердых растворов (AIIIBV)1.4(AIIBVI)K с использованием диаграмм «физическое или физико-химическое свойство - состав».

5. С применением данного способа:

- выявлены компоненты системы InSb-CdS с повышенной чувствительностью к диоксиду азога (InSb, (InSb)o,9s(CdS)o 02) и аммиаку ((InSb)o,97(CdS)o,03);

- разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси NO2 и N113; созданы соответствующие сенсоры-датчики, прошедшие лабораторные испытания.

Выводы

1. Впервые разработана технология и получены твердые растворы системы InSb-CdS в виде порошков и пленок.

2. Исследованы объемные свойства полученных твердых растворов (рентгенографические, термографические, электрофизические), использованные для их аттестации. Установлено образование в системе InSb-CdS твердых растворов замещения с кубической структурой. Протяженность области их образования со стороны InSb составляет 0-4 мол. % CdS. Обнаруженный экстремальный характер изменения объемных свойств с составом системы увязан с такими физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих (In, Sb, Cd, S), как упругость паров, соотношение тетраэдрических и ионных радиусов, электроотрицательность.

3. В результате исследования физико-химических свойств поверхности (микроструктура, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и электрофизические) твердых растворов (InSb)j.x(CdS)x и бинарных соединений (InSb, CdS) выявлено следующее:

- пленки компонентов системы InSb-CdS имеют поликристаллическую структуру с неоднородным характером распределения кристаллитов;

- химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других алмазоподобных полупроводников. Кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов (InSb)i.x(CdS)4 в зависимости от состава изменяются экстремально: максимум и минимум рНиз0 приходится соответственно на 2 и 3 мол. % CdS; общая концентрация кислотных центров изменяется в обратной последовательности;

- на основе анализа опытных зависимостей (яР= f(T), а\ = f(P), aj = f(t)), результатов расчетов термодинамических (теплот адсорбции) и кинетических (энергии активации адсорбции) характеристик и с учетом изменения зарядового состояния поверхности установлен преимущественно химический характер адсорбции газов. Оценено влияние указанных газов на химическое и электронное состояния поверхности. Подтверждены природа активных центров и механизм преимущественно донорно-акцепторною взаимодействия N02 и NII3 с поверхностью компонентов системы InSb-CdS, а также одинаковое происхождение так называемых «химических» активных центров и поверхностных состояний. Наиболее активным из изученных адсорбатов оказался диоксид азота: величина адсорбции N02 (а • 10"4

-у моль/м ) на порядок выше, по сравнению с NH3.

4. Выявленная в данной работе взаимосвязь поверхностных свойств компонентов системы InSb-CdS с физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих позволила оценить их влияние и внести коррективы в методы прогнозирования поверхностных свойств четверных твердых растворов.

5. Предложен и реализован на примере системы InSb-CdS способ оценки адсорбционной активности бинарных соединений (AmBv, AnBVI) и твердых растворов (AIiIBv)i.x(AIIBv')x с использованием диаграмм «физическое или физико-химическое свойство - состав».

6. С применением данного способа: выявлены компоненты системы InSb-CdS с повышенной чувствительностью к диоксиду азота (InSb, (InSb)o,98(CdS)o,o2) и аммиаку ((InSb)o,97(CdS)o,o3);

- разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и NH3; созданы соответствующие сенсоры-датчики, прошедшие лабораторные испытания.

В заключение автор выражает глубокую бчагодарность своему научному руководителю, Заслуженному деятелю науки и техники РФ, доктору химических наук, профессору Ирине Алексеевне Кировской за неоценимую помощь в подготовке диссертации.

1. Кировская, И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы / И.А. Кировская. Томск: Изд-во ТГУ, 1984.- 160 с.

2. Кировская, И.А. Адсорбционные процессы / И.А. Кировская. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1995. -310 с.

3. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н.Х. Абрикосов и др.. М.: 11аука, 1967. - 256 с.

4. Горюнова, Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников / I I.A. Горюнова. Л.: ЛГУ, 1963. - 23 с.

5. Угай, Я.А. Введение в химию полупроводников / Я.А. Угай. М.: Высшая школа, 1975.-320 с.

6. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир, 1970. - 174 с.

7. Палатник, Л.С. Эпитаксиальные пленки / Л.С. Палатник, И.И. Папиров -М.: Наука, 1971.-524 с.

8. Наумов, А.В. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочевиной / А.В. Наумов, В.Н. Семенов, Е.Г. Гончаров// Неорган, материалы. -2001. Т. 37, № 6. - С. 647-652.

9. Panchekha, Р.А. Structure and technology problems of A'B semiconductor films / P.A. Panchekha // Funct. Mater. 2000. - V. 7, № 2. - P. 261-265.

10. Ju, S.C. Polymorphism and Crystal Structures of InSb at Elevated Temperature and Pressure / S.C. Ju, J.L. Spain, E.F. Skelton // J. Appl. Phys. 1978. - V. 49, №9.-P. 4741-4745.

11. Pearson, W.B. A Handbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys / W.B. Pearson. N.Y.: Pergamon Press, 1967. - 1446 p.

12. Smith, P.L. Structure of the High-Pressure Phase of Indium Antimonide / P.L. Smith, J.E. Martin // Nature. 1962. - № 24. - P. 763.

13. Banus, M.D. The P-T Phase Diagram of InSb at High Temperatures and Pressures / M.D. Banus, M.C. Lavine // J. Appl. Phys. 1969. - V. 40, № 1. -P. 409-413.

14. Straumanis, N.E. Lattice Parameters, 'I hernial Expansion Coefficients, Phase Width and Perfection of the Structure of GaSb and InSb / N.E. Straumanis, C.D. Kim // J. Appl. Phys. 1965. - V. 36, № 12. - P. 3822-3825.

15. Giesecke, G. Pruazisionsbestimmung der Gitterkonstanten von AmBv -Verbindungen / G. Giesecke, H. Pfister // Acta Crystallogr. 1958. - V. 11, № 5. -P. 369-371.

16. Самсонов, Г.В. Антимониды / Г.В. Самсонов, М.Н. Абдусалямова -Душанбе: Дониш, 1977.-241 с.

17. Глазов, В.М. Жидкие полупроводники / В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева М.: Наука, 1967. - 283 с.

18. Кировская, И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок / И.А. Кировская // Омский научный вестник.2001. Вып.14. - С. 66-68.

19. Кировская, И.А. Получение и исследование материалов на основе1 с /полупроводников А В , А В / И.А. Кировская // Омский научный вестник. 2002. Вып. 19. - С. 74-76.

20. Твердые растворы в полупроводниковых системах: справочник. -М.: Наука, 1978.- 167 с.С

21. Рентгенографические исследования твердых растворов систем типа А В1. О f

22. А В / И.А. Кировская и др. // Омский научный вестник. 2001. - Вып. 14. -С.69-70.л /

23. Синтез и оптическое поглощение твердых растворов систем InSb-A В / И.А. Кировская и др. // Неорган. Материалы. 2002. - Т. 38, № 2. - С. 135138.

24. Томашик, В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений А"В : справочник / В.Н. Томашик, В.И. Грыцив. Киев: Наукова думка, 1982. - 168 с.

25. Хабарова, В.А. Определение границы растворимости CdTe в InSb / В.А. Хабарова, Э.Н. Хабаров, П.В. Шаравский // Изв. вузов. Физика. 1963. - № 6. - С. 62-64.

26. Войцеховский, А.В. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP-ZnS / А.В. Войцеховский, Л.Б. Панченко // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Материалы. 1977. - Т. 13, № 1. - С. 160-161.

27. Войцеховский, А.В. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x(ZnSe)i.x методом химических газотранспортных реакций /

28. A.В. Войцеховский, Т.П. Стеценко // Исследования по молекулярной физике и физике твердого тела. Киев: Киев. пед. ин-т, 1976. - С. 38-40.

29. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков,

30. B.C. Сорокин СПб.: Лань, 2001. - 368 с.

31. Глазов, В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В.М. Глазов, B.C. Земсков М.: 11аука, 1967. - 372 с.

32. Кировская, И.А. О получении и идентификации твердых растворов замещения на основе GaAs и ZnSe / И.А. Кировская, Г.М. Муликова // Тр. Том. ун-та. 1973. - № 8. - С. 155-156.

33. Кировская, И.А. Система GaAs-ZnSe / И.А. Кировская, Г.М. Муликова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975. - Т. 11, № 6. - С. 1131 -1132.

34. Лакеенков, В.М. Диаграмма состояния системы GaAs-ZnSe /

35. B.М. Лакеенков, М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975. - Т. 11, № 7. - С. 1311 -1312.

36. Особенности изменения постоянной решетки твердых растворов (InSb)i x(CdTe)4 / В.А. Бродовой и др. //1 Ieopr. матер. 1997. - Т. 33, № 3.1. C. 303-304.

37. Миронова, Е.В. Рентгенографическое исследование системы InSb-CdTe / Е.В. Миронова // Матер. XL Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». Новосибирск, 2002.-С. 232.

38. Бокий, Г.Б. Кристаллохимия / Г.Б. Бокий М.: Изд. Моск. гос. ун-та, 1960.-194 с.

39. Химия координационных соединений М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1960. -695 с.

40. Берсукер, И.Б. Строение и свойства координационных соединений / И.Б. Берсукер-М.: Химия, 1971. 614 с.

41. Фистуль, В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов / В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1977. - 126 с.

42. Мильвидский, М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский М.: Металлургия, 1984.-256 с.

43. Абаева, Т.В. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb / Т.В. Абаева, В.Т. Бублик, А.Н. Морозов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1988. - Т. 24, № 1.-С. 15-18.

44. Расчет области гомогенности антимонида индия / Ф.А. Заитов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1981. - Т. 17, № 9. - С. 1541 -1544.

45. Dobson, T.W. Entalpy of Formation of Antisite Defects and Antistructure Pairs in III-V Compound Semiconductors / T.W. Dobson, J.F. Wager // J. Appl. Phys. -1989.-V. 66, №5. -P. 1997-2001.

46. Bublik, V.T. The Mean Square Atomic Displacements and Entalpies of Vacancy Formation in some Semiconductors / V.T. Bublik // Phys (A). Status Solidi. 1978. - V.45, № 2. - P. 543-548.

47. Семенова, Г.В. Отклонение от стехиометрии в ряду полупроводниковых соединений InP, InAs, InSb / Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова, Е.Г. Гончаров // Журнал неорганической химии. 1994.-Т. 39, № 10.-С. 1612-1615.

48. Гурвич, Л.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров / A.M. Гурвич М.: Высшая школа, 1982. - 376 с.

49. Shaw, D. The dependence of Cd diffusion and electrical conductivity in CdS on Cd partial pressure and temperature / D. Shaw, R.C. Whelan // Phys. stat. sol. -1969. V. 36, № 2. - P.705-716.

50. Хариф, Я.Л. Диаграмма парциальное давление кадмия температура -состав сульфида кадмия / Я.Л. Хариф, Н.И. Кудряшов, П.В. Ковтуненко // Изв. АН СССР. I Ieopr. матер. - 1986. - Т. 22, № 12. - С. 1962-1966.

51. Taylor, A.L. Identification of Cd vacancies in neutron-irradiated CdS by electron paramagnetic resonance / A.L. Taylor, G. Filipovich, G.K. Linberg // Sol. St. Comm. 1971. - V. 9, № 13. - P. 945-947.

52. Kukk, P. High-temperature conductivity relaxation in undoped CdS and CdSe single crystals / P. Kukk, T. Varema // J. State Chem. 1982. - V. 43, № 3. -P. 320-326.

53. Boer, K.W. Self-activated semiconductivity of CdS crystals / K.W. Boer, R. Boyn, 0. Goede //Phys. stat. sol. 1963. - V. 30,№ 9. - P. 1684-1694.

54. Kumar, V. Self-diffusion and the defect structure of CdS / V. Kumar, F.A. Kroger//J. Sol. Stat. Chem. 1971. - V. 3, № 3. - P. 387-400.

55. Дрейф междоузельных атомов в электрическом поле в чистых и легированных Li кристаллах CdS / Н.Е. Корсунская и др. // ФТП. 1981. -Т. 15, № 2. - С. 52-55.

56. Ермолович, И.В. Собственные дефекты в CdS, облученном тепловыми нейтронами / И.В. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко // ФТП. 1977. - Т. 11, № 9. - С. 1812-1817.

57. Van Vechten, I.A. Point Defects and Deep Traps in III-V Compounds / I.A. Van Vechten // Czech. J. Phys. 1980. - V. 30, № 4. - P. 388-394.

58. Смит, P. Полупроводники / P. Смит M.: Мир, 1982. - 560 с.

59. From amorphous to polycrystalline thin films: dependence on annealing time of structural and electronic properties / T. Mohammed-Brahim et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. - V. 23. - P. 962-966.

60. Хабаров, Э.Н. К вопросу о критериях образования твердых растворов полупроводниковых соединений со структурой сфалерита / Э.Н. Хабаров // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1966. - Т. 2, № 6. - С. 1141-1143.

61. Хабаров, Э.Н. Взаимодействие компонентов в полупроводниковых твердых растворах с гетеровалентным замещением / Э.Н. Хабаров, А.А. Рязанцев // Изв. Сиб. отд. АН СССР. Сер. хим. наук. 1975. - Т. 2, № 1. -С. 126-136.

62. Хабаров, Э.Н. Твердые растворы алмазоподобных полупроводниковых соединений при гетеровалентном замещении / Э.Н. Хабаров, В.А. Лиопо // ФТП 1972. - Т. 6, № 10. - С. 2082-2085.1 с Of

63. Бузевич, Г.И. Зонная структура твердых растворов типа Экстремальные условия межзонного взаимодействия / Г.И. Бузевич, Л.А. Скоробогатова, Э.Н. Хабаров // ФТП. 1973. - Т. 7, № 11. -С. 2079-2083.

64. Хабаров, Э.Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие в атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях /

65. Н. Хабаров // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск : Наука, 1977. - Ч. 1. - С. 248-253.

66. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих3 5примесей в А В / Е.А. Балагурова и др. // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок Новосибирск: Наука, 1977. - Ч. 1. - С. 253-255.

67. Вигдорович, В.Н. Взаимодействие примесей II и VI групп периодической системы в соединениях типа А3В5 и природа твердых растворов типа А3В59 А

68. А В / В.Н. Вигдорович, В.Б. Уфимцев, В.П. Шумилин // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Паука, 1977.4. 1.-С. 255-260.

69. Федоров, П.И. Индий / П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин М.: Наука, МАИК «Наука/Интерпериодика», 2000. - 276 с.

70. Построение диаграммы состояния системы In-Sb по иредкристаллизационным переохлаждениям / В.Д. Александров и др. // Изв. РАН. Металлы. 1992. - № 6. - С. 184-195.

71. Палатник, Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / Л.С. Палатник, В.К. Сорокин М.: Энергия, 1973. -296 с.

72. Хилсум, К. Полупроводники типа А3В5 / К. Хилсум, А. Роуз-Инс

73. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963. 524 с.

74. Попов, Ю.Г. Распределение кадмия в эпитаксиальных //-/^-структурах из антимонида индия / Ю.Г. Попов, Ш.О. Эминов, Э.К. Гусейнов // Неорган, материалы. 1993. - Т. 29, № 8. - С. 1148-1149.

75. Получение, структурные и электрические свойства тонких слоев Ini xCdxSb (х = 0,001 0,003) / О.Н. Пашкова и др. // Неорган, материалы. -2001.-Т. 37.-С. 149-152.

76. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ: справочник. М.: Издательство стандартов, 1973.-208 с.

77. Корольков, В.А. Исследование микротвердости и работы выхода электрона в полупроводниковых материалах и сплавах / В.А. Корольков, Х.И. Ибрагимов//Неорган, материалы. 1999. - Т. 35, № 9. - С. 1065-1071.

78. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы In-Sb / И.А. Стрельникова и др. // Неорган, материалы. 1994. -Т. 30, №4.-С. 467-473.

79. Кучис, Е.В. Методы исследования эффекта Холла / Е.В. Кучис. М.: Сов. радио, 1974.-328 с.

80. Тонкие пленки антимонида индия / В.А. Касьян и др. Кишинев: Штиинца, 1989.- 161 с.

81. Ling, С.Н. Cerrier mobility and field effect in indium antimonide films / C.II. Ling, J.H. Fisher, J.C. Anderson // Thin.-Sol. films. 1972. - V. 14. - P. 267.

82. Law, W.W. InSb Thin-Film Prepared by a Multilayer Vacuum Deposition / W.W. Law, I. Shih // Mater. Lett. 1993. - V. 16, № 1. - P. 8-13.

83. Влияние термообработки на свойства антимонида индия / И.А. Стрельникова и др. // Неорган, материалы. 1993. - Т. 29, № 3. -С. 430-431.

84. Касьян, В.А. О влиянии структуры слоя на величину подвижности носителей тока в пленках антимонида индия / В.А. Касьян, М.В. Кот // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1964. - Т. 28, № 6. - С. 993-995.

85. Tanenbaum, М. Optical properties of indium antimonide / M. Tanenbaum, H.B. Briggs // Phys. Rev. 1953. - V. 91, № 6. - P. 1561-1562.

86. Burstein, E. Anomalous optical absorption limit in InSb / E. Burstein // Phys. Rev. 1954.-V. 93. - P. 632.

87. Kurnick, S.W. Optical absorption in pure single crystal InSb at 298 0 and 78 °K /KurnickS.W., Powell J.M. //Phys. Rev. 1959. - V. 116, № 3. - P. 597-604.

88. Кировская, И.А. Электрофизические и адсорбционные свойства образцов системы InSb-ZnSe / И.А. Кировская, О.П. Азарова // Неорган, материалы. -2003. Т. 39, № 12. - С. 1443-1447.

89. Spitzer, W.G. Determination of optical constants and carrier effective mass of semiconductors / W.G. Spitzer, H.Y. Fan // Phys. Rev. 1957. - V. 106, № 5. -P. 882-890.

90. Никольский, Ю.А. О механизме токопрохождения в пленках я-InSb / Ю.А. Никольский // ФТП. 2001. - Т.35, № 11. - С. 1309-1310.

91. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975.-220 с.

92. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной структуры полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2, AgGaS2 / A.A. Лаврентьев и др. // ФТТ- 1996. Т. 38, № 8. - С. 2347-2362.

93. Получение монокристаллических пленок CdS и CdSe в условиях, близких к равновесию / И.П. Калинкин и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1970. - Т. 6, № 9. - С. 1564-1567.

94. High-resistivity р-type CdS / F. Chernow et al.J // Appl. Phys. Lett. 1966. -V. 9, №4.-P. 145-146.

95. Ормонт, Б.Ф. О невоспроизводимости свойств соединений переменного состава (на примере TiO, ТаС и CdS) / Б.Ф. Ормонт, В.И. Смирнова // Изв. AII СССР. Сер. Неорган, материалы. 1971. - Т. 7, № 5. - С. 908-912.

96. Морозова, Н.К. О растворимости кислорода в CdS / Н.К. Морозова,

97. B.C. Зимогорский, А.В. Морозов // Неорган, материалы. 1993. - Т. 29, № 7.1. C. 1014-1016.

98. Морозова, Н.К. Изменение собственно-дефектной структуры CdS (ZnSe) при легировании изоэлектронными примесями О и Те / Н.К. Морозова, Л.Д. Назарова, К.Н. Бутнев // Неорган, материалы. 1996. - Т. 32, № 5. -С. 542-545.

99. Чопра, К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас -М.: Мир, 1986.-435 с.

100. Mohanchandra, К.Р. Thermoelectric power of CdS and CdSe films deposited on vibrating substrates / K.P. Mohanchandra, J. Uchil // Thin Solid Films. 1997. -V. 305, № 1-2.-P. 124-129.

101. Hadiri, H. Properties of cadmium sulphide thin films deposited from a chemical solution / H. Hadiri, H. Oumous, L.E. Ameziane // Ann. chim. Sci. mater. 1999. - V. 24, № 6. - P. 457-462.

102. Кировская, И.А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности системы InSb-ZnSe / И.А. Кировская, О.П. Азарова // Журнал физической химии.-2003.-Т. 77, №9.-С. 1663-1667.

103. Влияние комплексообразования на электрические свойства твердых растворов (InSb)|.x(CdTe)x / В.А. Анищенко и др. // Неорган, материалы. -1993.-Т. 29, №2.-С. 197-199.

104. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в AniBv/ Е.А. Балагурова и др. // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск: Наука, 1977. Ч. 1. - С. 78-80.

105. Падалко, А.Г. Фотоэлектрические свойства неохлаждаемых детекторов на основе тонких слоев антимонида индия / А.Г. Падалко, В.Б. Лазарев, Ф.С. Перри // Неорган, материалы. 1994. - Т. 30, № 2. - С. 156-163.

106. Электрические и фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb/Al203 при 300 К / А.Г. Падалко и др. // Неорган, материалы. -1996.-Т. 32, №4.-С. 398-404.

107. Пашкова, О.Н. Влияние сверхстехиометрического содержания сурьмы на электрические свойства резистивных фотоприемников на основе InSb <Sb> /а-АЬОз / О.Н. Пашкова, А.Г. Падалко, В.П. Саныгин // Неорган, материалы. -2003.-Т. 39,№5.-С. 525-528.

108. Developments in InSb Materials and Charge Injection / M.D. Gibbons et al. // Proc. of the Meet. «Focal Plane Arrayas: Technology and Applications», 1987, Cannes, France / Ed. Redonto Beach (USA): SPIE, 1988. V. 865. - P. 52-58.

109. Люминесцентные свойства пленок CdS, легированного медыо, полученных распылением растворов на нагретую подложку / В.Н. Семенов и др. //Неорган, материалы. 1993. - Т. 29, № 3. - С. 323-326.

110. Влияние n-толуидина, нестехиометрии и легирования на интенсивность фотолюминесценции монокристаллов CdSe, CdS / В.В. Петрыкин и др. // Неорган, материалы. 1998. - Т. 34, № 2. - С. 142-147.

111. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра / И.Д. Анисимова и др.. М.: Радио и связь, 1984. - 276 с.

112. Горелик, С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С.С. Горелик, М.Я. Дашевский М.: Металлург ия, 1988. - 522 с.

113. Рудь, В.Ю. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 / В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, H.W. Schock // ФТП 1999.-Т. 33,№4.-С. 484-487.

114. Фотоэлектрическое преобразование в поверхностно-барьерных структурах на основе поликристаллического CdS / IO.II. Бобренко и др. // Оптоэлектрон. и полупровод, техн. 1996. - Т. 31. - С. 74-79.

115. Optimisation of CdS-TCO bilayers for their application as windows in photovoltaic solar cells / M.A. Martinez et al. // Sol. Energy Mater, and Sol. Cells. 1996. - V.43, № 3. - P. 297-310.

116. Кировская, И. А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды / И. А. Кировская // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. VI конференции. Новосибирск, 2000. - С. 164-165.

117. Кировская, И.А. Новые возможности оперативной диагностики и контроля содержания оксида углерода / И.А. Кировская, Т.В. Ложникова, О.П. Азарова // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. VI конференции. Новосибирск, 2000. - С. 413-414.

118. Голованов, В.В. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора на основе сульфида кадмия / В.В. Голованов, А.И. Гудис,

119. B.А. Смынтына // Журнал аналитической химии. 1991. - Т. 46, №12.1. C. 2374-2379.

120. Кировская, И.А. Адсорбционные сенсоры-датчики / И.А. Кировская, О. А. Старцева // Вопр. пол игр. пр-ва. 1996. - № 2. - С. 48-50.

121. Адсорбционные свойства полупроводниковых соединений типа А В по отношению к оксиду углерода / И.А. Кировская и др. // Омский научный вестник. 1998. - Вып.4. - С. 94-97.

122. Голованов, В.В. Механизм хемосорбции монооксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия / В.В. Голованов, В.В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. - № 5. - С. 35-42.

123. Surface Chemistry of Prototypical Bulk II-VI and III-V Semiconductors and Implications for Chemical Sensing / Seker Fazila et al. // Chem. Rev. 2000. -V. 100, №7.-P. 2505-2536.

124. Кировская, И.Л. Закономерности и механизм адсорбции оксида углерода на пленках твердых растворов и бинарных соединений системы InSb-ZnSe / И.Л. Кировская, О.П. Лзарова // Журнал физической химии. 2003. - Т. 77, № 12.-С. 2216-2220.

125. Кировская, И.Л. Прогнозы поведения поверхности твердых растворов алмазоподобных полупроводников / И.А. Кировская // Журнал физической химии. 1985. - Т. 59, № 1. - С. 194-195.

126. Кировская, И.Л. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации / И.А. Кировская // Неорган, материалы. 1994. - Т. 30, № 2. -С. 147-152.

127. Кировская, И.А. Истоки, задачи и перспективы исследований поверхности алмазоподобных полупроводников / И.Л. Кировская // Омский научный вестник. 1999. - Вып.9. - С. 43-44.

128. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ / И.А. Кировская. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1988. - 220 с.

129. Кировская, И.А. Поверхностные явления: Монография / И.А. Кировская.- Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. 174 с.

130. Получение и исследование новых полупроводниковых катализаторов / И.А. Кировская и др. // Современные наукоемкие технологии. 2006. - № 1.- С. 97-98.

131. Ханеман, Д. Структура поверхности полупроводниковых соединений АШВУ / Д. Ханеман // В кн.: Полупроводниковые соединения AniBv М.: Металлургия, 1967. - С. 593-604.

132. Крылова, И.В. Химическая электроника / И.В. Крылова. М.: Изд-во МГУ, 1993.-168 с.

133. Моррисон, С. Химическая физика поверхности твердою тела / С. Моррисон. М.: Мир, 1980. - 488 с.

134. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов / И.А. Кировская. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1984.-186 с.

135. Кировская, И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv / И.А. Кировская // Неорган, материалы. 1999. - Т. 35, № 5. -С. 535-540.

136. Штабнова, B.JI. Химический состав поверхности соединений InBv / B.JI. Штабнова, И.А. Кировская // Изв. АН СССР. Сер. I Ieopran. материалы. -1989.-Т. 25,№2.-С. 207-211.

137. Кировская, И.А. Химический состав и природа активной поверхности соединений типа А3В5 / И.А. Кировская // Журнал физической химии. 1998. -Т. 72, №5.-С. 912-917.

138. Исследование состояния поверхности соединений типа А3В5 (А-1п) методом электронного парамагнитного резонанса / И.А. Кировская и др. // Изв. АН СССР. Сер. Пеорган. материалы. 1987. - Т. 23, № 10. - С. 17321734.

139. Кировская, И.А. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования / И.А. Кировская, А.В. Юрьева, В.В. Даныпина // Журнал физической химии. -1982.-Т. 56, №4.-С. 911-915.

140. Кислотно-основные свойства поверхности алмазоподобных соединений А3В5, А2В6, А'В7 / И.А. Кировская и др.. Омск, 1984. - 6 с. - Деп. в ОНИИТЭХим., № 988ХП-84.

141. Кировская, И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений А3В5 индиевой группы / И.А. Кировская // Журнал физической химии. 1998. -Т. 72, №6.-С. 1106-1110.

142. Азарова, О.П. Получение и исследование пленок соединений ZnSe и InSb / О.П. Азарова // Динамика систем, механизмов и машин: тез. докл. III

143. Международной научно-технической конференции. Омск, 1999. - С. 348349.

144. Кировская, И.Л. Адсорбционные и зарядовые характеристики эпитаксиального арсенида галлия / И.А. Кировская, Ф.Е. Шакалов // Журнал физической химии. 1980. - Т. 54, № 10. - С. 2493-2497.

145. Кировская, И.А. Исследование поверхности электролитически окисленного антимонида индия / И.А. Кировская, B.J1. Штабнова, И.В. Вотякова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1983. - Т. 19, №8. -С. 1250-1253.

146. Wilmsen, C.W. Chemical composition and formation of thermal and anodic oxide III-V compound semiconductor interfaces / C.W. Wilmsen // J. Vac. Sci. and Technol. 1981. - V. 19, № 3. - P. 279-289.

147. Белый, В.И. Окислительно-восстановительные электрохимические и химические превращения на поверхности полупроводниковых соединений А3В5/ В.И.Белый, Т.П. Смирнова, А.Н. Голубенко Новосибирск: Наука, 1981.-19с.

148. Wieder, II.H. Perspectives on III-V compound MIS structures / H.H. Wieder //J. Vac. Sci. and Technol. 1978. - V. 15, № 4. - P. 1498-1506.

149. Inversion layer transport and properties of oxides on In As / D.A. Baglee etal.//J. Vac. Sci. and Technol.- 1980.-V. 17, №5.-P. 1032-1036.

150. Langan, J.D. Characterization of improved InSb interfaces / J.D. Langan, C.R. Viswanathan // J. Vac. Sci. and Technol. 1979. - V. 16, № 5. - P. 14741477.

151. Кировская, И.А. Исследование каталитической активности соединений InX в реакции разложения изоиропилового спирта / И.А. Кировская, В.А. Хомич. Черкасы, 1986. - 6 с. - Ден. в ОНИИТЭХим., № 229. хп - 86.

152. Кировская, И.А. Химическое состояние реальной поверхности1. Л £соединений типа А В / И.А. Кировская // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989. - Т. 25, № 9. - С. 1472-1476.

153. Shubert, R. Perturbed bands in real semiconducting glasses / R. Shubert, K.W. Boer // J. Phys. Chem. Solids. 1971. - V.32, № 1. - P. 77.

154. Смынтына, В.Л. Аномальная температурная зависимость электропроводности пленок CdS / В.А. Смынтына, А.Е. Турецкий, Г.Г. Чемересюк // Журнал физической химии. 1985. - Т. 59, № 1. -С. 127-131.

155. Быкова, Т.Т. Влияние нагрева на стимулированную светом десорбцию кислорода со слоев CdS и CdSe / Т.Т. Быкова, Э.Ф. Лазнева // Журн. техн. физики. 1979. - Т. 49, № 4. - С. 828.

156. Штабнова, В.Л. Адсорбция паров воды и кислорода на соединениях InBv / В.Л. Штабнова, И.А. Кировская // Изв. AI1 СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989.-Т. 25,№2.-С. 338-340.

157. Майдановская, Л.Г. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки / Л.Г. Майдановская, И.А. Кировская // Журнал физической химии. -1966. Т. 40, №3. - С. 609-613.

158. Штабнова, B.JI. Состав и физико-химические свойства поверхности полупроводников типа А3В5. Автореф. дисс. . канд. хим. наук. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1985.- 15 с.

159. Юрьева, А.В. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников. Автореф. дисс. . канд. хим. наук. Свердловск: Изд-во УПИ, 1981. - 16 с.

160. Kirovskaja, J.A. Termodesorptive analysis of GaAs and ZnSe surfaces / J.A. Kirovskaja, J.M. Zeleva, A.V. Juryeva //Talanta. 1985. - V. 32. - P. 57-59.

161. Оптические, магнитные и электрофизические исследования адсорбцииу сводорода на полупроводниках А В индиевой группы / И.А. Кировская и др. //М., 1986.4 с. Деп. в ПИИТЭХим,№ 1066-XII-86 Деп.

162. Кинетика адсорбции кислорода и зарядка поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия / A.M. Курбанова и др. // Неорган, материалы. -2001. Т. 37, № 1. - С. 21-23.

163. Характеристические параметры кинетики фотоадсорбции кислорода на эпитаксиальных слоях халькогенидов кадмия (CdS, CdSe, w-CdTe) / М.А. Магомедов и др. // Журнал физической химии. 1999. - Т. 73, № 6. -С. 1122-1124.

164. Голованов, В.В. Влияние «биографических» и сорбционных дефектов на токоперенос в поликристаллических пленках сульфида кадмия / В.В. Голованов, Г.Г. Чемересюк, A.M. Шмилевич // Журнал физической химии. 1992. - Т. 66, № 4. - С. 1098-1100.

165. Ложникова, Т.В. Адсорбция монооксида углерода на тонких пленках сульфида кадмия // Динамика систем, механизмов и машин: тез. докл. III Международной научно-технической конференции. Омск, 1999. - С. 350351.

166. Головань, Н.В. Влияние адсорбции сернистого ангидрида на поверхностный потенциал пленок сульфида кадмия / Н.В. Головань, В.А. Смынтына, A.M. Шмилевич // Журнал физической химии. 1992. -Т. 66,№4.-С. 1073-1076.

167. Afify, II.H. Oxygen interaction with CdS based gas sensors by varying different preparation parameters / H.I I. Afify, I.K. Battisha // Indian J. Pure and Appl. Phys. 2000. - V. 38, № 2. - P. 119-126.

168. Миронова, Е.В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: дис. канд. хим. наук / Е.В. Миронова. Омск, 2003. - 158 с.

169. Шубенкова, Е.Г. Получение твердых растворов системы InSb ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: дис. канд. хим. наук / Е.Г. Шубенкова. - Омск, 2005. - 263 с.

170. Несмеянов, А.Н. Давление пара химических элементов / А.Н. Несмеянов. М.: Изд-во АН СССР, 1961. - 396 с.

171. Addamiano, A. Some observations on the system ZnS-AlP // J. Electrochem. Soc. 1960. - № 12. - P. 1006-1007.

172. Глазов, В.М. Фазовое равновесие и характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te / В.М. Глазов, JI.M. Павлова, 11Л. Грязева // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1975.-Т. 11,№3.-С. 418-423.

173. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te / Т.Е. Пурис и др. // Изв. AI1 СССР. Сер. Пеорган. материалы. 1970. - Т. 6, № 10. - С. 1811-1815.

174. Глазов, В.М. Совместная растворимость и донорно-акцепторное взаимодействие селена и кадмия в арсениде галлия / В.М. Глазов, Л.М. Павлова, Л.И. Передерий // Журнал физической химии. -1985. Т. 59, № 1.-С. 32-36.

175. Получение материалов твердых растворов А3В5 А2В6, близких к собственным / Е.В. Калашникова и др. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск: Наука, 1975. - Ч. 2. - С. 232-236.

176. Твердые растворы в системах InAs-CdS и InAs-CdSe / А.В. Войцеховский и др. // Изв. АН СССР. Сер. Пеорган. материалы. 1968. -Т. 4, № 10.-С. 1681-1684.

177. Войцеховский, А.В. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа А2В6 / А.В. Войцеховский, А.Д. Пашун, В.К. Митюрев // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1970. - Т. 6, № 2. - С. 379-380.

178. Глазов, В.М. Раздельная и совместная растворимость Zn, Cd и Те в InAs / В.М. Глазов, В.А. Нагиев, Н.Н. Глаголева // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы.-1975.-Т. 11,№ 7. С. 1181-1183.

179. Некоторые исследования твердых растворов на основе соединений типа А3В5 и А2В6 / А. Инюткин и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1964. - Т. 28, №6.-С. 1010-1016.

180. Stuckes, A. D. Electrical and thermal properties of alloys of InAs and CdTe / A. D. Stuckes, R.P. Shasmar // J. Phys. Chem. Sol. 1964. - V. 25, № 5. -P. 469-476.

181. Скоробогатова, J1.A. Зонные параметры системы твердых растворов (InSb)x(CdTe)|.4 / JI.A. Скоробогатова, Э.Н. Хабаров // Физика полупроводников. 1974. - Т. 8, № 2. - С. 401-403.

182. Sonomura, II. Synthesis and some properties of solid solutions in the GaP-ZnS and GaP-ZnSe pseudobinaiy systems / H. Sonomura, T. Uragaki, T. Miyauchi // Jap. J. Appl. Phys. 1973. - V. 12, № 7. - P. 968-973.

183. Ku, S. M. Synthesis and some properties of ZnSe : GaAs solid solutions / S. M. Ku, L. J. Bodi Hi. Phys. Chem. Sol. 1968. - V. 29, № 12. - P. 2077-2082.

184. Захаров, M.A. Квазиравновесные состояния твердых растворов / М.А. Захаров // ФТТ. 1999. - Т. 41, № 1. - С. 60-63.

185. Кировская, И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды / И.А. Кировская // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. Докл. Новосибирск, 2000. - С. 164-165.

186. Indium oxide-based gas sensor for selective detection of CO / Yamaura Hiroyuki et al. // Sensors and Actuators. 1996. - В 35-36. - P. 325-332.

187. NO2 response of 1п20з thin film gas sensors prepared by sol-gel and vacuum thermal evaporation techniques / C. Cantalini et al. // Sensors and Actuators. -2000.-В 65.- P. 101-104.

188. A. c. 1798672. Датчик влажности газов / И.А. Кировская, Е.Д. Скутин,

189. B.Г. Штабнов Бюл. Изобретений и открытий, № 8. - 1993.

190. Электрофизические исследования поверхности селенида цинка / И.А. Кировская и др. //Деп. В ВИНИТИ, 1980. № 4038. - С. 80.

191. Горелик, С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ /

192. C.С. Горелик. М.: Металлургия, 1970. - 368 с.

193. Миркин, С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу / С.Е. Миркин.-М.: Гос. физ. мат. лит-ры, 1961. - 863 с.

194. Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул / Л. Литтл.- М.: Мир, 1969.-628 с.

195. Давыдов, А.А. ИК спектроскопия в химии поверхности окислов / А.А. Давыдов. - Новосибирск.: Изд - во «Наука» Сибирское отделение, 1984.- 245 с.

196. Крылов, О.В. Адсорбция и катализ на переходных металлах и оксидах / О.В. Крылов, В.Ф. Киселев. М.: Химия, 1981. - 288 с.

197. Кировская, И.А. Кинетика химических реакций / И.А. Кировская. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 1994. 96 с.

198. Крешков, А.Н. Кислотно-основное титрование в неводных растворах / А.П. Крешков, Н.А. Казарян. М.: Химия, 1967. - 192 с.

199. Кирпатовский, И.П. Охрана природы. Справочник / И.П. Кирпатовский. -М. Химия, 1980.-376с.

200. Рапаиорт, Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф.М. Рапапорт. М., 1963. - 419 с.

201. Ахметов, Н.С. Общая и неорганическая химия: учеб. пособие / Н.С. Ахметов. М.: Высшая школа, 1988. - 453 с.

202. Кировская, И.А. Исследование кислотно-основных свойств поверхности системы InSb-ZnTe / И.А. Кировская, Е.Г. Шубенкова // Динамика систем, механизмов и машин: матер. V Междунар. науч.-техн. конф. Омск: ОмГТУ, 2004. Кн. 3. С. 49-53.

203. Вест, А. Химия твердого тела. Теория и приложения. В 2-х ч . Ч. I / А. Вест. М.: Мир, 1988. - 558 с.

204. Физико-химические свойства полупроводников: справочник. М.: Наука, 1979.-220 с.

205. Паукштис, Е.А. Инфракрасная спектроскопия в гетерогенном кислотно-основном катализе/ Е.А. Паукштис. Новосибирск: Наука, 1992.-235 с.

206. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки /И.А. Кировская и др. //ЖФХ, 1970. Т. 44, № 5. - С. 1260-1266.

207. Кировская, И.А. Адсорбционные свойства компонентов системы ZnSe CdSe / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ - 2002. - Т. 76, № 7. -С. 1246- 1254.

208. Миронова, Е.В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: автореф. дис. канд. хим. наук / Е.В. Миронова. - Омск: Изд-во ОмГТУ, 2003. 18 с.

209. Шаскольская, М.П. Кристаллография / М.П. Шаскольская. М.: Высшая школа, 1976.-392 с.

210. Бацанов, С.С. Экспериментальные основы структурной химии / С.С. Бацанов. М.: Изд-во стандартов, 1986. - 240 с.