Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СПОСОБОВ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХКТУР n-InSb, Ini.xGaxSb С ЗАДАННЫМИ СВОЙСТВАМИ

1. Вакуумное осаждение.

2. Перекристаллизация.

3. Эпитаксиальное выращивание

ГЛАВА II. ИССЛЕДОВАНИЕ ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА В

ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ n-InSb И СПЛАВАХ Ini.xGaxSb

1. Основополагающие теоретические модели. а) Монокристаллические пленки. б) Поликристаллические пленки.

2. Влияние размеров зерен и толщины пленки на электрические свойства.

3. Определение основных электрофизических параметров и механизмов рассеяния носителей заряда из измерений электропроводности и эффекта Холла. а) Пленки n-InSb. б) Пленки системы Ini„xGaxSb.

4. Влияние центров захвата на эффект Холла.

5. Оценка параметров барьерного механизма токопрохождения из измерений поперечного магнетосопротивления.

ГЛАВА III. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗОВАННЫХ ПЛЕНКАХ n-InSb И In,.xGaxSb.

1. Зависимость холловской подвижности электронов от толщины пленки и концентрации носителей заряда. а) Пленки n-InSb. б) Пленки системы InixGaxSb.

2. Особенности механизмов рассеяния носителей заряда в перекристаллизованных пленках. а) Пленки n-InSb. б) Пленки системы InixGaxSb.

3. Влияние неоднородностей на аномально высокое поперечное магнетоспротивление. а) Пленки n-InSb. б) Пленки системы Ini.xGaxSb.

4. Факторы, обусловливающие отрицательную фотопроводимость в пленках n-InSb.

ГЛАВА IV. ХАРАКТЕРИСТИКА ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК n-InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ ОКИСЛЕННОГО КРЕМНИЯ

1. Особенности механизма токопрохождения в пленках n-InSb.

2. Влияние сильного электрического поля на механизм токопрохождения.

3. Оценка электрических параметров макродеффектов в перекристаллизованных пленках n-InSb.

4. Аномальный эффект Холла.

5. Кинетические явления в компенсированных пленках n-InSb.

6. Аномальная термоэдс в пленках n-InSb.

7. Фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект.

ГЛАВА V. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ n-InSb-Si02-p-Si

1. Характер гетероструктуры и глубина залегания ловушек.

2. Механизм токопрохождения и диаграмма энергетических зон гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si.

3. Барьерная термоэдс.

4. Оптическая память.

ГЛАВА VI. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК n-InSb, СПЛАВОВ

Ini.xGaxSb И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ n-InSb-Si02-p-Si.

1. Датчики эдс Холла.

2. Магниторезисторы.

3. Тензорезисторы.

4. Датчик деформации.

5. Микротермоэлектрогенератор.

6. Фоторезистор.

7. Пленочный датчик электрического поля.

8. Элемент оптической памяти.

9. Тонкие пленки n-InSb в качестве модуляторов инфракрасного и микроволнового излучения.

ВЫВОДЫ

Уже четыре десятилетия развитие физики и технологии тонких полупроводниковых пленок и тонкопленочных структур оказывает существенное влияние на успехи современной электронной техники. Первоначально применение полупроводниковых пленок отличалось известным эмпиризмом, так как началось задолго до того, как появилась теория полупроводников, способная их объяснить. Это, например, относится к купроксным и селеновым выпрямителям, фотоэлементам на основе напыленных пленок селена, сульфида, селе-нида и теллурида свинца и др. Особенно быстрое развитие получили научные исследования и практические разработки в области тонких пленок в 60-е и последующие годы. Изучение электрических, оптических и других физических свойств пленок элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений позволило установить ряд особенностей электронных процессов в тонких пленках. Эти особенности обусловлены влиянием многих факторов, приводящих к существенному различию свойств тонкой пленки и массивного кристалла. К таким факторам следует отнести толщину пленки (размерные эффекты), состояние поверхности, фазовый состав, структуру, род и количество дефектов и др. В технологии тонких пленок основное внимание уделялось разработке таких методик их выращивания, которые позволили бы воспроизводимо получать полупроводниковые слои со свойствами, максимально приближающимися к свойствам массивного материала. Это является важным как при получении пленок на диэлектрических неориентирующих подложках, так и при эпитаксиальном выращивании тонкопленочных структур.

Успехи в развитии физики и технологии тонких полупроводниковых пленок привели к значительному расширению области их применения.

Наряду с многочисленными исследованиями тонких слоев элементарных полупроводников значительное внимание уделяется работам по физике и технологии пленок более сложных объектов — бинарных, тройных и других полупроводниковых материалов. Развитие физики тонких пленок и пленочного материаловедения стимулируется расширением круга задач, решаемых микроэлектроникой. Это приводит к тому, что прогресс в области микроминиатюризации электронной аппаратуры все теснее связывают с использованием тонких слоев полупроводников группы АШВУ, нитритов, силицидов, окислов и др.

В последнее время получены впечатляющие результаты для коротковолновых источников излучения на основе селенидов AnBVI и нитридов AIHN. Использование гетероструктурных концепций и методов роста, которые были разработаны для квантовых ям и сверхрешеток на AinBv, в большой степени определило успех этих исследований. Естественная и наиболее предсказуемая тенденция - применение гетероструктурных концепций и технологических методов к новым материалам. Среди данных материалов соединения элементов III и V групп и их твердые растворы представляют особый интерес. Они технологичны, характеризуются высокими значениями подвижностей электронов и дырок, широким диапазоном величины запрещенной зоны, могут быть легированы до высоких концентраций акцепторов и доноров. Этими и другими ценными свойствами объясняется широкое использование полупроводников AHIBV в электронной технике, в частности при создании различных полупроводниковых приборов. Так, к примеру, на основе полупроводников АШВУ классические гетероструктуры, квантовые ямы и сверхрешетки настолько совершенны, что уже используются многие из их уникальных свойств, а структуры с квантовыми точками подразумевают новые материальные системы, способные перекрывать новые диапазоны энергетического спектра.

Наиболее развитая система InGaAs -GaAs уже нашла применение для значительного усовершенствования характеристик полупроводниковых лазеров. Недавно квантовые точки И-го рода GaSb-GaAs были сформированы на поверхности GaAs [100]. Подобная концепция образования квантовых точек работает и в системе InSb - GaSb, делая квантовые точки потенциально привлекательными для применения в лазерах средней инфракрасной области спектра.

Один из представителей данного класса - антимонид индия отличается

- a IHt»V ~ минимальнои среди соединении А В ширинои запрещенной зоны, равной 0.164 эВ при Т=300К, наибольшей величиной подвижности электронов, достигающей 78000 см2/(В-с) при комнатной температуре и на порядок выше при температуре жидкого азота. Эффективная масса электрона составляет всего т* = 0.014т.

Следует отметить, что особенно шестидесятые и семидесятые годы нашего столетия изобиловали исследованиями полупроводниковых кристаллов и пленок антимонида индия, которые нашли широкое применение в измерительной технике, электронике, автоматике и других областях народного хозяйства.

Основные результаты исследования кристаллов n-InSb и сплавов на их основе представлены в работах [48-52, 117, 130, 144, 164, 174-176, 178, 181183, 200, 208, 218, 225, 234-240, 266], а пленок n-InSb и сплавов InixGaxSb в работах [1-47, 53-116, 118-128, 131-143, 145-163, 165, 169, 186-192, 209-217, 219-224, 226-233, 241-265, 267, 268-272].

В конце 50-х годов в Институте кристаллографии им. А.В. Шубникова АН СССР и в Томском физико-техническом институте З.Г. Пинскер, С.А. Семилетов, Г.А. Куров, В.А. Преснов, В.Ф. Сыноров с коллегами и учениками впервые опубликовали сообщения о получении и свойствах пленок антимонида индия. С тех пор опубликовано более трехсот работ, посвященных различным аспектам физики, материаловедения и применения пленок InSb. Обобщение наиболее существенных результатов, полученных в нашей стране и за рубежом при изучении свойств и практического применения пленок антимонида индия и тонкопленочных структур на их основе было сделано в монографии [1].

Вместе с тем, еще огромен круг исследований по новым свойствам пленок InSb, сплавов и структур на их основе, а также созданных из них приборов, работающих на использовании как классических, так и квантовых эффектов в широких диапазонах электрических, магнитных полей, температур и энергий излучения.

В связи с этим необходимо рассмотреть и углубить анализ тех физических проблем, которые еще имеются в процессе изготовления тонких пленок антимонида индия, сплавов и структур на их основе, исследовать физику кинетических процессов и явлений, протекающих в них при различных внешних воздействиях, выяснить природу их аномальных электрофозических, гальва-номагнтных, фотоэлектрических и других свойств, а также показать конкретные практические примеры использования данных токнопленочных структур.

Целью данного исследования является комплексная разработка технологии процессов получения тонких пленок антимонида индия n-типа проводимости, сплавов и структур на их основе, выяснение влияния особенностей структуры на их электрические, гальваномагнитные, термоэлектрические, фотоэлектрические и другие свойства, оценка механизма токопрохождения в них при различных внешних воздействиях, а также создание новых приборов на их основе.

В соответствии с этой целью в работе сформулированы следующие задачи:

Разработка физических основ способов получения тонких пленок n-InSb, сплавов Inix Gax Sb на различных подложках со структурой и свойствами, близкими к массивным материалам.

Оценка влияния условий получения на структуру и электрофизические свойства поликристаллических, перекристаллизованных и монокристаллических пленок n-InSb, сплавов Ini.x Gax Sb.

Исследование особенностей механизма токопрохождения в поликристаллических и перекристаллизованных пленках на основе анализа их физических свойств.

Выяснение физической природы аномальных эффектов Холла, магнито-сопротивления, термоэдс, отрицательной фотопроводимости на основе предложенных теоретических моделей.

Экспериментальное исследование электрических и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si для определения механизма токопрохождения, построения энергетической диаграммы и определения эффекта оптической памяти.

Создание на основе исследованных тонкопленочных структур приборов с параметрами и характеристиками, превышающими имеющиеся аналоги: датчики эдс Холла, магниторезисторы, тензорезисторы, датчики деформации, фоторезисторы, микротермоэлектрогенераторы, пленочные датчики электрического поля, элементы оптической памяти, модуляторы микроволнового и ИК излучения.

Научная новизна полученных в работе экспериментальных результатов состоит в следующих положениях:

1. Разработана комплексная методика получения пленок n-InSb и сплавов Ini.x Gax Sb на диэлектрических подложках (стекло, слюда, кварц, сапфир, двуокись кремния) с заданной структурой и электрофизическими параметрами и предложен новый способ получения монокристаллических пленок антимонида индия n-типа проводимости на диэлектрических подложках, основанный на пропускании постоянного электрического тока через пленку во время ее перекристаллизации.

2. Показано из анализа механизмов токопрохождения в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb, 1п].х Gax Sb их в широкой области температур, электрических и магнитных полей в рамках существующих теорий и с учетом особенностей структуры бинарных и тройных сплавов, рода дефектов, подложки и др., что барьерный механизм токопрохождения является основным в поликристаллических пленках, а в перекристаллизованных пленках механизм токопрохождения ограничен рассеянием носителей заряда на краевых дислокациях и макронеоднородностях.

3. Обнаружена отрицательная фотопроводимость в перекристаллизованных пленках n-InSb, выращенных на слюдяных подложках, которая возникает за счет преобладания уменьшения подвижности носителей заряда при освещении над ростом их концентрации. В то же время на подложках из окисленного кремния на блюдается положительная фотопроводимость в пленках n-InSb во всем измеренном интервале температур (77-М-00 К), обусловленная генерацией дополнительных носителей заряда в гетерострук-туре n-InSb-Si02-p-Si при освещении, что приводит к росту концентрации основных носителей заряда в n-InSb.

4. Определены значения уровня протекания из измерений электропроводности поликристаллических и перекристаллизованных пленок в области собственной проводимости (Т>300 К), которые для поликристаллических пленок n-InSb находится в диапазоне 0.053^0.275эВ в зависимости от температуры подложки, а для перекристаллизованных пленок он равен 0.2эВ.

5. Установлено, что рост электропроводности в сильном электрическом поле как в поликристаллических, так и в перекристаллизованных компенсированных пленках n-InSb, выращенных на подложках из окисленного кремния, происходит за счет увеличения концентрации носителей заряда. Из данных измерений получены значения энергии активации носителей заряда 0.12эВ для поликристаллических пленок и 0.14эВ для перекристаллизованных. Эти значения энергии активации коррелируют с данными из хол-ловских измерений.

6. Предложена методика расчета электрических параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках n-InSb, выращенных термической перекристаллизацией на подложках из окисленного кремния, из измерений поперечного магнетосопротивления и на основании теории эффективной среды. Показано, что подвижность носителей заряда составляет ~5Т02 см2/В-с, их концентрация ~1019 см"3 и электропроводность 7-102 Ом'см'1 при комнатной температуре.

7. В перекристаллизованных пленках n-InSb на подложках из окисленного кремния наблюдается аномальное уменьшение постоянной Холла (Rx) с ростом напряженности магнитного поля (Н) по гиперболическому закону из-за влияния макронеоднородностей в отличие от аналогичной зависимости для поликристаллических пленок n-InSb и монокристаллов. Определено, что уменьшение Rx с понижением температуры в этих слоях происходит за счет уменьшения подвижности носителей заряда с понижением температуры в приповерхностном слое, содержащем макродефекты.

8. Показано, что аномально высокое значение термоэдс (~800мкВ/К)для поликристаллических пленок n-InSb на подложках из окисленного кремния обусловлено вкладом барьерной термоэдс в области высоких температур.

9. Впервые приготовлена и исследована гетероструктура n-InSb-Si02-p-Si, в которой определены туннельный механизм токопрохождения, глубина залегания ловушек и обнаружен эффект оптической памяти. Построена ее зонная энергетическая диаграмма. Установлена барьерная термоэдс в данной гетероструктуре.

10. На основе проведенных исследований тонкопленочных структур разработаны приборы с характеристиками и параметрами, превышающими известные аналоги: датчики эдс Холла, магниторезисторы, тензорезисторы, датчики деформации, фоторезистор, микротермоэлектрогенератор, элемент оптической памяти, пленочный датчик электрического поля, модулятор микроволнового и ИК-излучений.

На защиту выносятся следующие основные положения диссертации:

Способы получения тонких пленок n-InSb, пленок сплавов твердых растворов InixGaxSb толщиной 1-5 мкм и концентрацией носителей заряда 1016-1017 см"3 при Т=300 К на диэлектрических подложках из стекла, слюды, кварца, сапфира, окисленного кремния: дискретное испарение, дискретное испарение с последующей термической перекристаллизацией, дискретное испарение с последующей термической перекристаллизацией и пропусканием постоянного электрического тока через пленку во время перекристаллизации для выращивания слоев со структурой и свойствами, приближающимися к монокристаллам, а также их эпитаксиальное выращивание на свежесколотые поверхности [111], [111], [110], [110] монокристаллов GaSb, ZnTe, ZnSe, CdTe.

Механизмы токопрохождения в полученных поликристаллических, перекристаллизованных и монокристаллических тонкопленочных структурах на основе исследования их электрических, термоэлектрических, гальваномагнитных, фотоэлектрических свойств в широком диапазоне температур, электрических и магнитных полей, энергий излучения, обусловленные влиянием меж-кристаллитных барьеров, краевых дислокаций, макродефектов.

Отрицательная фотопроводимость в перекристаллизованных пленках п-InSb на слюдяных подложках.

Аномальные эффекты Холла, магнетосопротивления, термоэдс, возникающие из-за присутствия макродефектов в пленках n-InSb, полученных термической перекристаллизацией на подложках из окисленного кремния. Наличие таких дефектов в пленках n-InSb приводит к уменьшению постоянной Холла в области низких температур, высоким значениям магнетосопротивления и термоэдс.

Влияние сильного электрического поля на электропроводность как поликристаллических, так и перекристаллизованных пленок n-InSb, выращенных на подложках из окисленного кремния, что позволило найти значения энергии активации носителей заряда. Оценка уровня протекания в этих же пленках в рамках теории перколяционной проводимости на основе изучения их электрических свойств. Определение электрических параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках n-InSb.

Туннельный механизм токопрохождения в гетероструктуре n-InSb-Si02-p-Si и глубина залегания ловушек в p-Si, определенные из исследования ее электрических и фотоэлектрических свойств. Зонная энергетической диаграмма. Барьерная термоэдс на данной гетероструктуре и эффект оптической памяти.

Технология создания приборов, разработанных на основе специфических особенностей пленок n-InSb, пленок сплавов твердых растворов In 1х Gax Sb и гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si: датчики эдс Холла, магнито-резисторы, тензорезисторы, датчик деформации, фоторезистор, микротермо-электрогенератор, пленочный датчик электрического поля, модулятор микроволнового и ИК излучения, элемент оптической памяти.

Результаты работы докладывались на П-ой научно-практической конференции по техническим применениям эффекта Холла, г.Москва, 1969; на Международной конференции по гетеропереходам и слоистым структурам, г.Будапешт, 1970; на семинаре лаборатории электронных полупроводников физико-технического института им. А.Ф. Иоффе, г. Ленинград, 1970; на республиканском физическом семинаре, г.Кишинев, 1971; на Ш-ей научно-практической конференции по техническим применениям эффекта Холла, г. Тбилиси, 1971; на Ill-ем Всесоюзном симпозиуме по узкозонным полупроводникам, г. Ивано-Франковск, 1971; на II-ом Всесоюзном совещании по физике и технологии тонких пленок, г. Ивано-Франковск, 1981; на IV-ом Республиканском семинаре по физике и технологии тонких пленок, г. Ивано-Франковск, 1982; на IV-ом Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел "РЭМ-84", г. Москва, 1984; на Международной конференции по прикладным проблемам физики, г. Саранск, 1999; на IV Всероссийской конференции по физике полупроводников "Полупроводники - 99", г. Новосибирск, 1999; на Всероссийской

15 научно-практической конференции "Методы и средства измерения в системах контроля и управления", г. Пенза, 2001; на научных конференциях профессорско-преподавательского состава и сотрудников Кишиневского госуниверситета, г. Кишинев (1967-1973 гг., 1978-1984 гг.); на научных конференциях профессорско-преподавательского состава и сотрудников Борисоглебского пединститута, г. Борисоглебск (1990-2001 гг).

1. Методом дискретного испарения получены поликристаллические пленки п 1п8Ь и системы ХпьхОахЗЬ толщиной 14-5 мкм на диэлектрические подложки из стекла, слюды, кварца, сапфира, окисленного кремния с параметрами и свойствами, приближающимися к массивным материалам. Термическая пе рекристаллизация поликристаллических пленок, выращенных на слюдяных и кварцевых подложках приближает электрические параметры и свойства пленок к монокристаллам. В пленках, выращенных на подложках из окис ленного кремния, процесс перекристаллизации приводит к образованию макродефектов. Пропускание постоянного электрического тока 9н-11 мА в процессе перекристаллизации пленки п-1п8Ь на подложке из окисленного кремния дает возможность получить слои без макродефектов. Металлогра фические, электронографические и рентгеноструктурные исследования по зволили установить наличие высокоориентированной структуры в перекри сталлизованных пленках и обсудить природу образования в них макроде фектов.2. При эпитаксиальном выращивании методом дискретного испарения найде ны оптимальные условия получения текстурированных слоев на неориенти рованные подложки из слюды, кварца и сапфира и монокристаллических пленок на свежесколотые поверхности ряда монокристаллов А^"В^ и А^^В^\ Установлено, что ни плоскости скола, ни атомные поверхности не оказыва ют существенного влияния на структуру слоев. Она зависит от соответствия параметров решетки подложки и осаждаемого материала.3. Заниженные значения холловской подвижности в поликристаллических тонкопленочных структурах объясняется влиянием толщины пленки и межкристаллитных барьеров, что находится в хорошем согласии с теори ей Петрица. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава для поликристаллических пленок системы 1п8Ь-Оа8Ь подобна аналогичной за висимости для массивных материалов, что подтверждает согласно закону Вегарда существование в данной системе непрерывного ряда твердых растворов.4. В перекристаллизованных пленках электрофизические свойства близки к свойствам монокристаллов. Величина холловской подвижности электро нов в монокристаллических и дендритных пленках близка к ее значениям в массивном материале и аналогично монокристаллам уменьшается с ростом концентрации электронов. Рассеяние носителей заряда деформа ционным потенциалом, обусловленное краевыми дислокациями, локали зованными на границах макродефектов, является существенным меха низмом, ограничивающим подвижность носителей заряда в перекристал лизованных пленках при Т>200К, Ниже этой температуры подвижность почти не изменяется с изменением температуры. Интервал температур, в котором преобладает данный механизм рассеяния, сужается с уменьше нием концентрации носителей заряда.5. Фотопроводимость перекристаллизованных пленок п-1п8Ь, выращенных на слюдяных подложках, остается отрицательной в области температ)ф

77-г380 К при освещенности 2000 лк. Она меняет знак на положительный при напряженностях электрического поля Е1-ь2В/см. Отрицательная фотопроводимость объясняется преобладанием уменьшения подвижно сти электронов над ростом их концентрации при освещении пленки. Ее температурный ход идентичен аналогичной зависимости для монокри сталлов п-1п8Ь. Из температурной зависимости фотопроводимости пере кристаллизованных и поликристаллических пленок установлено, что ме ханизм рекомбинации в 1п8Ь не зависит от способа приготовления мате риала и степени легирования.6. Из измерений электрофизических свойств поликристаллических и пере кристаллизованных пленок п-1п8Ь, выращенных на подложках из окис ленного кремния, установлены уровень протекания, высота потенциаль ного барьера на границе кристаллитов и макродефектов, электрические параметры макродефектов, аномальное уменьшение коэффициента Холла с понижением температуры из-за того, что холловская подвижность элек тронов в пленке будет ограничиваться существенным влиянием рассея ния электронов на границе неоднородностей в приповерхностном слое, уменьшение коэффициента Холла с увеличением напряженности магнит ного поля по гиперболическому закону, аномально высокое значение термоэдс (до 800 мкВ/К).7. Для компенсированных пленок п-1п8Ь определены энергия активации но сителей заряда, температурный ход уровня Ферми, плотность носителей заряда, захваченных ловушками, концентрация носителей заряда в кри сталлитах, степень компенсации, механизмы рассеяния носителей заряда во всей исследованной области температур 77...300 К.

8. Для гетероструктуры п-1п8Ь-8102-р-81 определено значение концентра ции глубоких центров в подложке, которая составляет -Ю'^^-Ю^^см'^.Глубина их залегания 0,14-7-0,28 эВ в зависимости от условий получения и температуры. Из ВАХ установлен туннельный механизм токопрохож дения через гетероструктуру. Коэффициент усиления фототока в гетеро структуре возрастает от 2...5 при напряжениях 5...9В и до 40...5О при напряжениях 10... 15В. Впервые построена энергетическая диаграмма ге тероструктуры п-1п8Ь-8102-р-81.9. Гетероструктура п-1п8Ь-8102-р-81 с перекристаллизованной пленкой п 1п8Ь имеет относительно высокие значения удельной термоэдс от 15 до 50 мВ/К в области температур 77^300К, что может позволить создать на её основе эффективные термопреобразователи. На этой же гетерострук туре обнаружен эффект оптической памяти, составляющий -40% при

10. В результате проведенных исследований на основе поликристаллических и перекристаллизованных пленок п-1п8Ь и сплавов 1п1.хОах8Ь разработа ны высокочувствительные датчики эдс Холла, магниторезисторы, тензо резисторы; датчик деформации, фоторезистор, пленочный датчик элек трического поля; предложено их использование в качестве модуляторов ИК и микроволнового излучения; на основе гетероструктуры п-1п8Ь-8102-р-81 разработан элемент оптической памяти.

1. Тонкие пленки антимонида индия /В.А.Касьян, П.И. Кетруш, Ю.А. Никольский, Ф.И. Пасечник; Под ред. Н.Н. Сырбу. Кишинев: Щти-инца, 1989, - 162с.

2. Физика тонких пленок / Под ред. Т. Хааса и Р.Э. Туна; Пер. с англ. М.: Мир, 1966-1978.

3. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972.

4. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, В.Г. Старое, Т.А. Филаретов. М.: Сов. радио, 1975.

5. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга; Пер. с англ. М.: Сов. радио, 1977.

6. Точинский Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. Минск: Наука и техника, 1976.

7. Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985.

8. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973.

9. Wieder Н.Н. Intermetallic Semiconducting Films. Oxford: Pergamon Press, 1970.

10. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.

11. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.

12. Конозенко И.Д., Михновский С.Д. Структура и электрические свойства тонких слоев InSb //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т.20. С. 1486-1490.

13. Семилетов С.А., Розсивал М. Электронографическое исследование InSb //Кристаллография. 1957. Т.2. С.287-288.

14. Куров Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких пленок, полученных испарением InSb в вакууме //ЖТФ. 1958. Т.28. С.2130-2134.

15. Папародитис К. Испарение соединений //Полупроводниковые соединения АШВУ /Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга; Пер. с англ. М.: Металлургия, 1967. С.462-476.

16. Ling С.Н., Fisher J.H., Anderson J.C. Carrier Mobility and Field Effect in Indium Antimonide Films //Thin. Sol. films. 1972/ Vol.14. P.267-288.

17. Векшинский С.А. Новый метод металлографического исследования сплавов. М.: ОГИЗ, 1944.

18. Преснов В.А., Сыноров В.Ф. Получение и исследование интерметаллических соединений в тонких слоях //ЖТФ. 1957. Т.27. С.123-126.

19. Куров.Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких слоев переменного состава системы индий-сурьма //ЖТФ. 1958. Т.28. С.29-34.

20. Касьян В.А., Кот М.В. О влиянии структуры слоя на величину подвижности носителей тока в пленках антимонида индия //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1964. Т.28. С.993-995.

21. Oszwaldowski М. Effect of Evaporation Conditions on Electrical Properties of InSb Thin Layers //Acte Physies Polonice. 1970. Vol.A37. P.617-624.

22. Гюнтер К. Испарение и взаимодействие элементов //Полупроводниковые соединения AnIBv /Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга; Пер. с англ. М.: Металлургия, 1967. С.443-462.

23. Gunther K.G. Aufdampfschichten aus Halbleitenden III-V Verbindungen //Z. Naturforschung. 1958. Vol.l3A. P.1081-1089.

24. Hanlein W., Gunther K.G. Advances in Vacuum Science and Technology. N.Y.: Pergamon Press, 1960. Vol.2. P.727-733.

25. Gunther K.G., Freller H. Feigenschalten Aufgedampfter InSb und InAs Schichten //Z.Naturforschung. 1961. V0I.I6A. P.279-283.

26. Семилетов C.A., Агаларзаде П.С. Структура и электрические свойства тонких пленок InSb //Кристаллография. 1964. Т.9. С.490-497.

27. Агаларзаде П.С., Семилетов С.А. К методике получения пленок антимонида индия испарением в вакууме //Кристаллография. 1963. Т.8. С.289-299.

28. Айтхожин С.А., Семилетов С.А. К образованию пленок полупроводниковых соединений при дискретном испарении. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников //Тр. симпозиума. 4.1. Новосибирск: Наука, 1968. С.487-489.

29. Никольский Ю.А. Устройство для подачи порошкообразного полупроводникового материала. Патент №1830017. к В65В1/42. Заявка 12.02.91. Опубл.23.07.93. Бюлл.№27.

30. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия //Уч. зап. Кишиневского гос. ун-та. 1961. Т.49. С.69-77.

31. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия //Тез. докл. на Всесоюз. совещании по полупроводниковым соединениям Л.: Изд-во АН СССР, 1961. С.37.

32. Касьян В.А., Кот М.В. Технология получения и электрические свойства тонких слоев InSb с большой подвижностью электронов //Тр. по физике полупроводников /Кишиневский гос. ун-т. Вып. I. Кишинев, 1962. С.57-69.

33. Касьян В.А., Кот М.В. Некоторые оптические и электрические свойства тонких слоев антимонида индия //Изв. вузов. Сер. Физика. 1963. Вып.5. С.14-20.

34. Невзорова JI.H., Юрасова В.Е. Исследование распыления монокристаллов InSb, GaSb и GaAs //Вестн. Моск. ун-та. 1971. №4. С.370-375.

35. Chahita M. High Mobility InSb Films Prepared by Source Temperature-programmed Evaporation Method //Jap. Journ. Appl. Phys. 1971. Vol.10, N 10. P.1365-1371.

36. Айтхожин C.A., Семилетов C.A. Кристаллография, 9, 574, 1964.

37. Айтхожин C.A., Семилетов C.A. Кристаллография, 10, 493, 1965.

38. Айтхожин С.А., Семилетов C.A. Электронная техника, серия 14, Материалы, 2, 59, 1968.

39. Касьян В.А., Кот М.В. Исследование некоторых физических свойств пленок системы InSb-GaSb //Физические свойства соединений АШВУ и АПВ1У. Баку.: Изд-во АН АзССР, 1967. С.261-266.

40. Dillon R.O., Bunahah R.F., Beale Н.А. et al. Physical Vapor Deposition of GaxIni.xSb //Journ. Vac.Sci. Techn. 1976. V. 13, N 1 P.175-179.

41. Greene J.E., Wickersham C.E., Zilko J.L. Epitaxial Growth of Ini.xGaxSb Thin Films by Multitarget rf Sputtering //Journ. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N 6 P.2289-2297.

42. Amemiya Y., Terao H., Sakai Y. Electrical Properties of InSb-based Mixed Crystal Films // Journ. Appl. Phys. 1973. Vol. 44, N 4. P.1625-1630.

43. Nakatani I., Masumoto K. Vapor-phase Growth of Epitaxial GaixInxSb by the Open Tube Method //Trans. Jap. Inst, metals. 1978. Vol. 19, N 8. P.454-456.

44. Joullie A., Dedies R., Chevrier J. et al. Diagramme de Phases et Croissance par Epitaxie en Phase Liquide du GaxInbxSb //Rev de Phys. Appl. 1974. Vol. 9. P.455-463.

45. Miki H., Segava K., Otsubo M. et al. The Ga-In-Sb Ternary Phase Diagram at low Growth Temperature //Jap. Journ. Appl. Phys. 1978. Vol. 17, N 12 P.2079-2084.

46. Segava K., Otsubo M., Miki H. et al. GaJn^Sb Crystal Grown by Liquid Phase Epitaxy // Jap. Journ. Appl. Phys. 1978. Vol. 17, N 1 P.165-170.

47. ГорюноваН.А., Фёдорова H.H. ЖТФ, XXV, 1339, 1955.

48. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б.Т. ФТТ, L913, 1959.

49. Braunstein R, Moore A.R. and Herman E. Phys. Rev. 109, 695, 1958.

50. Woolley J.C., Gillett C.M. and Evans J.A. Proc. Phys. Soc., 74, 244, 1959.

51. Woolley J.C., Evans J.A. Proc. Phys. Soc., 78, 354, 1961.

52. Cervenak J, Zivcakova A., Bush J. Structure and Electrical Properties of InSb Thin Films Prepared by Plasmatic Sputtering //Czhech Journ. Phys. 1970. Vol. B-20. P. 84-93

53. Гинье А. Рентгенография кристаллов. Физматгиз. Москва. 1961.

54. Франкомб М.Х., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. //Физика тонких пленок /Пер. с англ.; Под ред. Г. Хасса и Р.Э. Туна. М.: Мир, 1972. Т.5. С. 140-244.

55. Wieder Н.Н., Clawson A.R. Strucuture and Galvanomagnetic Properties of Two-phase Recrystallised InSb Layers //Sol. Stat. Electron. 1965. Vol.8. P.467-471.

56. Wieder H.H. Crystallizattion and Properties of InSb Films Grown from a Nonstoichiomatric Liquid //Sol. Stat. Comm. 1965. Vol.3. P. 159-160.

57. Spivac J.F., Carrol J.A. High Mobility InSb Thin Films by Recrystallization //Journ. App. Phys. 1965. Vol. 36. P.2321-2322.

58. Carrol J.A., Spivac J.F. Preparation of High Mobility InSb Films //Sol. Stat. Electron. 1966. Vol.9. P.383-387.

59. Wieder H.H. Galvanomagnetic Properties of Recrystallizad Dendritic InSb Films //Sol. Stat. Electron. 1966. Vol.9. P.373-382.

60. Clawson A.R. Crystall Morfology of Melt Grown InSb Films //Journ. Vac. Sci. Techn. 1969. Vol.6, N 4. P.769-772.

61. Касьян B.A., Никольский Ю.А., Пасечник Ф.И. Структура и электрофизические параметры монокристаллических пленок антимонида индия и системы InSb-GaSb //Тр. по физике полупроводников /Кишиневский гос. ун-т. Вып.2. Кишинев, 1969. С.84-92.

62. Касьян B.A., Никольский Ю.А., Пасечник Ф.И. Монокристаллические пленки InSb //Изв. вузов. Сер. Физика. 1969. Вып.7. С.127-128.

63. Kassyan V.A., Pasechnik F.I. The Thermal Recrystallization as a Method for Preparation of High Quality Single Crystal InSb Films //Intern. Conf. on Crystal Growth. Collected abstracts. Tokyo, 1974. P. 115-116.

64. Касьян B.A., Пасечник Ф.И. Условия роста монокристаллических пленок антимонида индия на диэлектрических подложках. //Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука,1975. 4.2. С.290-294.

65. Kassyan V.A., PasechnikF.I. Investigation of the Transport Properties of InSb Single Crystal Films Obtained by Directional Crystallization //Thin Sol. Films.1976. 33, P.219-232.

66. Касьян B.A., Киларь B.M., Никольский Ю.А. Тезисы докладов на IV Всесоюзной конференции по микрорентгеноспектральному анализу и растровой электронной микроскопии : "РЭМ-84" Москва 1984. С. 141.

67. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наукова думка, 1975.

68. Палатник JI.C., Федоренко А.И., Едыкин В.Я. и др. Выращивание монокристаллических пленок под защитным слоем //Приборы и техника эксперимента. 1975. №6. С.243-245.

69. Teede N.F. Single Crystal InSb Thin Films Prepared by Electron Beam Recrystallization//Sol. Stat. Electron. 1967. Vol.10. P.1069-1076.

70. Teede N.F. Structural and Electrical Properties of Electron Beam Zone Recrystallized Indium Antimonide Thin Films. //Proc. I.R.E.Australia. 1967. P.115-117.

71. Namba S., Kawazu A., Kanekama N. et a.l. Crystallization of Vacuum-Deposited Indium Antimonide Films by the Electron Beam Zone Melting Process. //Jar. Journ. Appl. Phys. 1967. Vol.6. P. 1464-1465.

72. Williamson W.J. Microzone Melting of InSb Films Using a Hot Wire //Journ. Vac. Sci. Techn. 1969. Vol.6. P.'765-769

73. Williamson W.J. On Microzone Melting of InSb Thin Films. //Sol. Stat. Electron. 1969. Vol.12. P.61-63.

74. Isai M., Ohshita M. Magnetically Sensitive InSb Films Prepared on SiO Layers Using hot Wire Recrystallization // Journ. Appl. Phys. 1985. Vol.58, N 7. P.2686-2690.

75. Никольский Ю.А. Способ получения монокристаллических пленок антимонида индия. Авторское свидетельство № 1503349. Заявка 24.12.85. С30В 11/00, 29/40. ДСП. 1989.

76. Бауэр У. В сб. "Монокристаллические пленки". Изд. "Мир", Москва, 1966г.

77. Палатник JI.C., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.

78. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.

79. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок /Под ред. Л.Н. Александрова. Новосибирск: Наука, 1972.

80. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. / Под ред. Л.Н. Александрова, и В.И. Петросяна. Новосибирск: Наука, 1977.

81. Александров Л.Н. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, 1972.

82. Melngallis I., Calava A.R. Solution Regrowth of Planar InSb Laser Structures. //Journ. Electrochem. Soc. 1966. Vol.113. P.186-199.

83. Косогоров O.B., Марамзина M.A. Фотодиоды с фильтрующим n-слоем. //ФТП. 1969. Т.З, вып.П. С. 1736-1740.

84. Kanzaki К., Yahata A., Miyao W. Properties of InSb Photodiodes Fabricated by Liquid Phase Epitaxy. //Jar. Journ. Appl. Phys. 1976. Vol.15, N 7. P. 12391244.

85. Ludowise M.J. Metalorganic Chemical Vapor Deposition of III-V Semiconductors. // Journ. Appl. Phys. 1985. Vol.58, N 8. P.31-35.

86. Khan J.H. Epitaxial Growth of Indium Antimonide Films as Studied in Situ by Electron Diffraction. //Surface Sci. 1968. Vol.9. P.386-394.

87. Holloway H., Richards J.L., Bobb L.C. et al. /Oriented Growth of Semiconductors. IV. Vacuum Deposition of Epitaxial Indium Antimonide. // Journ. Appl. Phys. 1966. Vol.37, N 13. P.4684-4693.

88. Касьян В.А., Кетруш П.И., Пасечник Ф.И. и др. Диодные структуры типа кристалл-пленка на основе InSb. //Микроэлектроника. 1975. Т.4, вып.З. С.275-277.

89. Гаугаш П.В., Касьян В.А., Кетруш П.И. Гетеропереходы между соединениями АШАУ и AnBVI. //Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980. С.98-109.

90. Rabin В., Scharager С., Haage-Ali М. et al. CdTe-InSb Heterojunctions. An Investigation by Electrical Measurements and by Secondary Ion Mass Spectroscopy. //Phys. Stat. Sol. (a). 1980. Vol.62.N 1. P.237-242.

91. Ido Т., Hirose M., Arizumi T. Electrical Properties of p-InSb-n-Si Hetrojunctions. //Proc. Intern. Conf. on Phys. and Chem. Semicond. Heterojunc. and Layer Structures. Budapest.: Akademiai Kiado, 1971. Vol.2. P.55-65.

92. Оганова И.Г. Кинетические эффекты и оптические свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия: Автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук. Баку, 1987.

93. Janoi М., Takuje Т., Kimata М. Heteroepitaxial InSb Films Grown by Molecular Beam Epitaxy. // Phys. Stat. Sol. 1979. Vol.54, N 2. P.707-713.

94. Oe K., Ando S., Sugiyama K. RHEED Study of InSb Films Grown by Molecular Beam Epitaxy. // Jap. Journ. Appl. Phys. 1980. Vol.19, N 7. P.L417-L420.

95. Yata M. Growth Kinetics of InSb Thin Films on Si 100. Surfaces by and Sb4 Molecular Beams. //Thin Sol. Films. 1986. Vol.137. N 1. P.79-87.

96. Дж.Л. Ригарде, Б.П. Гарт., Е.К. Мюллер. В сб. "Монокристаллические пленки". Изд. "Мир". Москва, 1966г.

97. Айтхожин С.А. Автореферат кандидатской диссертации. Москва, 1969г.

98. Травление полупроводников. Изд. "Мир", Москва, 1965г.

99. Anderson J.C. Conduction of Thin Semiconductor Films. //Adv. Phys. 1970. Vol.19, N 79. P311-338.102.0rton J.N., Powell M.J. The Hall Effect in Polycrystalline and Powdered Semiconductors. //Rep. Progr. Phys. 1980. Vol.43 № 11. P. 1263-1307.

100. Кравченко А.Ф., Митин B.B., Скок Э.М. Явления переноса в полупроводниковых пленках. Новосибирск.: Наука, 1979.

101. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения /Под ред. Л. Казмерски; Пер. с англ. М.: Мир, 1983.

102. Колешко В.Н., Ковалевский А.А. Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике. Минск: Наука и техника, 1978.

103. Petritz R.L. Theory of Photoconductivity in Thin Films. //Phys. Rev. 1956. Vol. 104. P/1508-1519.

104. Berger H., Janiche G., Kahle W. Thickness Dpendence of Conductivity due to the Polycrystalline Structure in Evaporated CdS Thin Films //Phys. Stat. Sol. 1968. Vol.28. P.K97-K99.

105. Lipskis K., Sekalas A., Viscakas J. Hall Efect in Thin CdSe Films // Phys. Stat. Sci. (a). 1971. Vol.5. P.793-797.

106. Seto J.Y.W. //Journ. Electrochem. Soc. 1975. Vol.122. P.701.

107. Seto J.Y.W. //Journ. Appl. Phys. 1975. Vol.46. P.5247.

108. Шкловский Б.И., Эфрос Ф.Л. Теория протекания и проводимость сильнонеоднородных сред. //УФН. 1975. Т.117. С.401-435.

109. Атакулов Ш.Б., Онаркулов К.Э. О перколяционной проводимости фоточувствительных химически осажденных слоев сернистого свинца //ФТП. 1985. Т.19, вып.7. С.1324-1326.

110. L.I. Van der Paw. Phil Res. Repts. , 13, 1, 1958.

111. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп /Пер. с англ. М.: Мир, 1967.

112. Зависимость электрических свойств тонких слоев некоторых бинарных соединений от толщины и окружающей атмосферы /В.А. Касьян, М.В. Кот, Ю.Е. Марончук и др. //Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1964. С.432. '

113. Juhas С. Anderson J.C. Field-Effect Studies on Indium Antimonide Films //The Radio and Electronic Engineer. 1970. P.223-228.

114. Ling C.H. Surface Trapping in Thin Indium Antimonide Films //Thin Sol. Films. 1973. Vol.15. P.103-114.

115. Касьян В.А., Никольский Ю.А. Структура и электрические свойства пленок системы InSb-GaSb. В сб. "Полупроводниковые соединения и их твердые растворы". РИО АН МССР, Кишинев, 1970. С.107-113.

116. Green J.E., Wickersham С.Е. Structural and Electrical Characteristics of InSb Thin Films Grown by rf Sputtering //Journ. Appl. Phys. 1976. Vol.47, N 8. P.3630-3639.

117. Yang J.J., Dapkus P.D., Dupius R.D. et al. Electrical Properties of Polycrystal-line GaAs Films //Journ. Appl. Phys. 1980. Vol.51, N 7. P.3794-3800.

118. Siegel W., Ktihnel G., Shneider H.A. On the Determination of the Carrier Concentration in Large-Grain Polycrystalline InP, GaAs and GaP by Hall Effect Measurements //Phys. Stay. Sol. (a). 1985. Vol.87. P.673-681.

119. Mathur P.C., Sharma R.P., Schrivastava R. et al. //Journ. Appl. Phys. 1983. Vol.54. P.3913-3917.

120. Saitoh Т., Matsubara S. Electrical Properties of n-type Polycrystalline Indium Phosphide Films //Journ. Electrochem. Soc. 1974. Vol.124, N 7. P. 1065-1069.

121. Shigeta J., Kotera N., Oi Т. Noise and Electrical Transport Properties of Poly-crystalline InSb Thin Films //Journ. Appl. Phys. 1976. Vol.47, N 2. P.621-626.

122. Herring C. Effect of Random Inhomogenities on Electrical and Galvanomag-netical Measurements //Journ. Appl. Phys. 1960. Vol.31. P. 1939-1952.

123. Wooley J.C., Gillett C.M. Electrical Properties of GaSb-InSb Alloys //Journ. Phys. Chem. Sol. 1960. Vol.17. P.34-43.

124. Potter R.F. and Wieder H.H. Solid St Electron., 1, 233, 1964.

125. Billings A.R. Microzone Recrystallisation of Semiconductor Compound Films //Joun. Vol. Sci. Tech. 1969. Vol.6, N 4. P.757-765.

126. Many A., Goldstein Y., Groven N.B. Semiconductor Surfaces Amsterdam. North-Holland Publ. Co, 1965, P. 307.

127. Никольский ЮА. Исследование свойств пленок системы InSb-GaSb. Автореферат канд. дисс. Кишинев, 1971.

128. С. Juhasz and J.C.Andeerson. Preparation of High Mobility Thin Films of Indium Antimonide. Proc. of the 3-rd Int. Vac. Congr. 1965.

129. Wieder H.H.Thickeness Dependence of Electron Mobility of InSb Films // Journ. Vac. Sci. Technol. 1972. Vol.9, N4. P. 1193-1196.

130. Hanus W., Oszwaldowski M. Influence of Point Deffects on Elecrtical Properties of Melt-Grown InSb Thin Films // Thin Sol. Films. 1979. Vol. 61. P. 235-239.

131. Goc J., Oszwaldowski M., Szweycer M. Doping of InSb Thin Films with Elements of Groups II and VI // Thin Sol. Films. 1986. Vol. 142. P. 237-240.

132. Clawson A.R., Wieder H.H. Electrical and galvanomagnetic properties of InSb single crystall dendrides // Sol. Stat. Electron. 1967. Vol. 10. P. 57-67.

133. Wieder H.H. Anomalous transverse magnetoresistance of InSb films // Journ. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. N. 8. P. 3320-3325.

134. Beer A.C. // Sol. Stat. Phys. 1963. Vol. 4. P. 159.

135. Касьян В.А., Никольский Ю.А. Электрические свойства монокристаллических пленок сплавов InxGaixSb //Тр. по физике полупроводников / Кишиневский гос. ун-т. Вып. 3. Кишинев, 1971. С. 78-82.

136. Касьян В.А., Никольский Ю.А. Подвижность носителей заряда в монокристаллических пленках системы InSb-GaSb с небольшими добавками антимонида галлия //Тр. по физике полупроводников / Кишиневский гос. ун-т. Вып. 3. 1971. С. 83-87.

137. Галаванов В.В. О механизме рассеяния дырок в InSb //ФТП. 1970. Т. 4, вып. 5. С. 853-859.

138. Wieder Н.Н., Collins D.A. InSb films raster pattern magnetoresisters //Sol. Stat. Electron. 1968. Vol. 11. P. 1093-1095.

139. Касьян В.А. Фотопроводимость тонких слоев антимонида индия. ФТТ, 5, 1979 (1963).

140. Парицкий Л.Г., Рыбкин С.М. Об одной возможности интерпретации отрицательной фотопроводимости. ФТП, 1, 718 (1967).

141. Баранов А.Н., Воронина Т.И., Гореленок А.А., Лагунова Т.С., Литвак A.M. и др. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсе-нида индия. ФТП, 26, 1616 (1992).

142. Никольский Ю.А. Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния. ФТП, 24, 1322 (1990).

143. R.K. Zitter, A.S.Strauss, А.Е. Attard. Phys.Rev., 115, 266 (1956).

144. Никольский Ю.А. Отрицательная фотопроводимость в пленках InSb. //ФТП. 1994. -Т 23, вып. 11, -С 1472-1974.

145. Касьян В.А., Никольский Ю.А. Условия получения и некоторые физические свойства пленок системы InSb-GaSb. Сокр. текст, докл. науч. конф. по итогам НИР за 1966 г. сек. физ.-мат. и хим. наук. Кишиневский унив. с. 36. Кишинев, 1967.

146. Касьян В.А., Пасечник Ф.И., Недеогло Д.Д., Никольский Ю.А. Влияние терм, перекристаллиз. на электрич. и оптич. свойства пленок InSb. Матер, научн. Конф. Кишиневск. университета по итогам НИР за 1968г. Секц. ест. и матем. наук с. 53-54. Кишинев, 1969.

147. Коболев В.И., Никольский Ю.А. Оптическое пропускание тонких пленок сплавов InGaSb. Тезисы докл. на научн. конф. Кишиневск. унив. по итогам НИР за 1972г. Секц. ест. и эксп. наук Кишинев, 1972, с. 89.

148. Касьян В. А., Мигунова Г.Н., Никольский Ю.А. Оптические свойства монокристаллических пленок InSb. Мат. науч. конф. Кишиневского госунив. по итогам НИР за 1969 г. Секц. естеств. и эксп.; наук С.42-43 Кишинев. 1970.

149. Касьян B.A., Никольский Ю.А. Получение, особенность структуры и электрические свойства монокристаллических пленок сплавов InGaSb. Матер, науч. конф. Кишиневский унив. По итогам НИР. за 1970 г. Секц. естеств. и .экеп. наук, с. 70-71 Кишинев. 1971.

150. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.:Наука,1990. 264 с.

151. Ржанов А.Е., Лазарев С. Д Луцкий О.Н., Рыжий В,И. Межзонное поглощение в пленках InSb в ИК области спектра // Микроэлектроника 1980.-Т.9, вып.1.-С.79-82.

152. Генкин Г.М, Ноздрин Ю.Н, Окомельков А.В., Шастин В.Н. Исследования n-HgTe в сильных электрических полях.//ФТП-1990.-Т.24, вып. 9,-С.-1616-1617.

153. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б.Т., Смекалова Б.Т., ФТП. 2, 1197, (1968).

154. Бенеславский Ц.Д., Иванов-Омский В.И., Коломиец Б.Т., Смирнов В.А. ФТП, 16, 1620,(1974).

155. Луцкий В.Н., Огрин Ю.Ф., Челышков С.П. Вопросы пленочной электроники. М. 1966. С 423-426.

156. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Особенности механизма токопрохождения в пленках n-InSb. Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. Сб. научн. тр. (Под ред. В.М. Иевлева), Воронеж: ВГТУ, 1998. с.90-92

157. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Влияние сильного электрического поля на механизм токопрохождения в пленках антимонида индия, выращенных на подложках их окисленного кремния. Сб научн. трудов БГПИ, 1999, с. 140142.

158. Шейнкман М.К., Маркович И.В., Хвостов В. А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS:Ag:Cl.//OTn.-1971.-T.5, вып. 10.-С.1904.1910.

159. Сандомирский В.Б., Ждан А.Т., Мессерер М.А., Гуляев И.Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости в полупроводниках.//ФТП.-1973. Т.7, вып.7.С.1314-1323.

160. Bate R. Т., Bell J. С., Beer А. С. Influence of Magnetoconductivity Discontin-ions on Galvanomagnetic Effects in Indium Antimonide // J. Appl. Phys. 1961. V. 32.N5.P. 806-814.

161. Wolfe G.M., Stillman G.E. Apparent Mobility Enhancement in Inhomogeneus Crystals. Semiconductors and Semimetals. Transport Phenomena. New York. Academic Press. 10, 175,(1975).

162. Глушков E.A., Резцов В.Ф. ФТП. 13, 1469, (1979).

163. Juhasz С., Anderson J. С. // Phys. Lett. 1964. V. 12. P. 163-165.

164. Пека Г. П. Физика поверхности полупроводников. Киев, 1968. 190 с.

165. Many A., Goldstein J., Groven N. В. Semiconductor Surfaces. Amsterdam, 1965, p.307.

166. Морозовский A. E., Снарский A. A. // ФТП. 1989. T. 23. B. 7. C. 1220-1225.

167. Шалимова K.B. Физика полупроводников. -M. Энергоатомиздат, 1985. -392 с.

168. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. -Воронеж. Изд-во ВГУ, 1989.-224 с.1830.В.Емельяненко, Ф.П.Кесаманлы. К вопросу о методике экспрессных прецизионных измерений термоэдс полупроводников. ФТТ, 2, 1494 (1960).

169. C.H.Ling, J.H.Fisher, J.C.Anderson. Thin.-Sol. Films., v. 14, p.267 (1972).

170. Ю.А. Бойков, В.А.Данилов, О.М.Кусаинов, В.А.Кутасов. ФТП, 25, 1246 (1991).

171. Никольский Ю.А., Поляков В.В. Фотоэлектрические явления в пленках антимонида индия, выращенных на кремниевых подложках и гетеропереходе n-InSb-Si02-p-Si // Сб. научн. трудов Борисоглебского пединститута, 1996, с.76.

172. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Перколяционная проводимость в пленках антимонида индия. Тез. докл. II Межд. научн.-технич. конф. "Проблемы и прикладные вопросы физики г.Саранск, 1999.- с. 162.

173. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Аномальные явления в пленках антимонида индия. Тезисы докл. IV Российской конф. по физике полупроводников «Полупроводники-99» , г. Новосибирск, 1999, с.204.

174. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Аномальная термоэдс в пленках n-InSb. Конденсированные среды и межфазные границы. Т. 1, №3, 1999, С.280-282.

175. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Кинетические явления в компенсированных пленках n-InSb. Конденсированные среды и межфазные границы. Т. 2, №3, 2000, С. 252-254.

176. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Фотоэлектрические явления в пленках п-InSb. Конденсированные среды и межфазные границы. Т. 2, №2, 2000, С.187-188.

177. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. 1963.

178. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетероструктуры: (Пер. с англ. /Под ред. Ю.В. Гуляевва) М."Советское радио". 1979, 232с.

179. K.L. Anderson. IBM. I. Res. Dev. 4, 283 (1960).

180. J.P. Donnelly, G.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., E.D-14, 63 (1967).

181. K. Berchfold. Inf. Some Properties of InSb-Si Heterojunction. Conf on the Phys. and Chem. of Semicond. Heterjunctions. Vol. II.p.221. Ahademiai Kiado, Budapest, 1971.

182. H.J. Hovel and Milnes. Jnt.J.Electron. 25, 201. (1968).

183. Горев Н.Б., Копылов C.A., Макарова T.B., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т. Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур n-GaAs. ФТП., т.26, вып.5, с.861-867. 1992.

184. Марголин М.А., Румянцев Н.П. Основы инфракрасной техники. М., 1957.

185. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1962.253с.

186. Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И. Термоэлектрические явления в полупроводниковой структуре с р-п-переходом. М.: ЦНИИ "Электроника". 1985. №Р-4038.

187. Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И. Распределение потенциалов в полупроводниковой структуре с р-п-переходом при наличии градиента температуры. ФТП, т.20, вып. 8, 1986, с.1541-1544.

188. Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И. Барьерная термоэдс на р-п-переходе. ФТП, т.29, вып. 10, 1995. с. 1796-1804.

189. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, 10, В 2. С 209-228.

190. Сандомирский В.Б. и др. Модель замороженной (остаточной) проводимости. Письма в ЖЭТФ, 1972,15, В.7 С. 408-410.

191. Шик А.Я. Фотопроводимость случайных неоднородных полупроводников. ЖЭТФ. 1975, 68, с. 1859-1867.

192. Шейнкман М.К., Маркевич И.В., Хвостов В.А. Модель остаточной проводимости полупроводника и ее параметры в CdS:Ag:Cl. ФТП, 1971, 5, В.10. С.1904-1911.

193. Вайсс Г. Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение. М.: Энергия, 1974.

194. Суворинов А.В., Мухина О.В., Ямщикова И.Б. Перспективы использования тонких слоев некоторых узкозонных полупроводников для создания датчиков Холла // Тр./Моск. энергетический ин-т. Сер. материалы и приборы электронной техники. 1979, Вып.403. С.53-57.

195. Касьян В.А., Кот М.В. -Датчики ЭДС Холла из тонких слоев антимонида индия // Новые датчики Холла и термосопротивления из полупроводниковых соединений: Экспресс-информация ГК СМ МССР по координации научно-исследовательских работ. Кишинев, 1962. С.З 11.

196. Gunther K.G., Freller Н. Neuartige Hallgeneratoren mit aufgedampfter Hel-bleiterschieht// Siemens-Zeitschr. 1962.Vol.36. P. 728-734.

197. Касьян B.A., Никольский Ю.А., Пасечник А.И. Датчики эдс Холла из тонких монокристаллических пленок антимонида индия // Тез. докл. на II науч.-техн. совещании по вопросам применения полупроводниковых элементов Холла в приборостроении. М., 1969. С.5-6.

198. Касьян В.А., Пасечник Ф.И. Высокочувствительные генераторы эдс Холла из монокристаллических пленок InSb // Тр. по физике полупроводников" / Кишиневский гос. ун-т. Вып.З. Кишинев,1971. С.95 102.

199. Касьян В.А., Никольский Ю.А., Пасечник А.И. Датчики эдс Холла из тонких монокристаллических пленок антимонида индия / Тезисы докл. науч-но-тех. совещания по вопросам примен. п/п элементов Холла в приборо-строен. Москва, 1969. С.5-6.

200. Никольский Ю.А., Пасечник А.И. Некоторые магниточувствительные приборы из монокристаллических пленок InSb //Мат. науч. конф. Кишиневского госунив. по итогам НИР за 1969 г. Секц. естеств. и эксп. наук Кишинев, 1970. С.37-38.

201. Касьян В.А., Никольский Ю.А. Гальваномагнитные приборы из монокристаллических пленок системы InSb-GaSb //Тезисы докл. 2-го Всесоюзного совещ. по применению эффекта Холла в приборостроении. Тбилиси, 1971. С.32.

202. Тихонов В.И., Бабаев P.M. Полупроводниковое магниточувствительные приборы в СССР // Вайсс Г. Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение / Пер. с нем. М.: Энергия, 1974.

203. Tetsu Ое, NobuoKoters, Janji Shigets et al. Microzone Recrystallization of InSb Thin Films for Hall Effect Magnetic Heads //Jap. Journ. Appl. Phys. 1978. Vol.17, N2. P.407-412.

204. Суханов С., Аллабареков С., Алланазаров А. и др. Тонкопленочные датчики Холла из InSb // Изв. АН ТССР. Сер. физ.-техн., хим. геолог, наук. 1977. № 5. С.111 112.

205. Nadkarni G.S., Simoni A. Fabrication of High Sensitivity Thin-Film Indium Antimonide Magnetoresistors // Sol. Stat. Electron. 1975. Vol.18. P.393 397.

206. Фалько И.И. Тензоэффект поликристаллических пленок антимонида индия и антимонида галлия // Тез. докл. на IV Всесоюзн. конф. по полупроводниковой тензометрии. Львов, 1969, С.26 27.

207. Ильинская Л. С., Подмарьков А.Н. Полупроводниковые тензодатчики. М.: Энергия, 1966.

208. Касьян В.А., Козлов А.И., Никольский Ю.А. Тензоэффект в пленках GaSb п- и р-типа // Тр. по физике полупроводников / Кишиневский гос. ун-т. Кишинев, 1971. Вып.З. С.88 94.

209. Wlodarski W. Properties of Indium Antimonide Thin Films as Fast Response Pressure Transducers // Thin. Sol. Films. 1975. Vol.27. P.217 223.

210. Никольский Ю.А. Магниторезистивный элемент (патент на изобретение). Патент № 2053587, Москва, 1996. Заявл. 23.04.93. Опубл. 27.01.96. Бюл. №3.

211. Никольский Ю.А. Датчик деформации (патент на изобретение). Патент № 2087052, Москва, 1997. Заявл. 02.07.93. Опубл. 10.08.97. Бюл. № 22.

212. Никольский Ю.А. Фоторезистор (патент на изобретение). Патент № 2095887, Москва, 1997. Заявл. 21.03.95. Опубл. 10.11.97. Бюл. №31.

213. Никольский Ю.А. Микротермоэлектрогенератор (патент на изобретение). Патент № 2130216, Москва, 1999. Заявл. 26.11.96. Опубл. 10.05.99. Бюл. №13.

214. Никольский Ю.А. , Зюзин С.Е. Фоторезисторы и фототензорезисторы на основе тонких пленок n-InSb. Тезисы докл. II Международной научн. конф. "Проблемы и прикладные вопросы физики", г, Саранск, 1999.

215. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Пленочный датчик электрического поля. Патентна изобретение. Москва, 2000. Заяв. 17.02.1998, Опубл. 10.05.2000. Бюлл. №13.

216. Викулин И.М., Стафеев В.И. Полупроводниковые датчики. М.: Сов. радио. 1975.

217. Городецкий А.Ф., Кравченко А.Ф. Полупроводниковые приборы. М: Высшая школа. 1967. С. 165-166.

218. Смит Р. Полупроводники. Пер с англ. М.: Изд. иностр. лит. 1962.

219. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники AniBv. Пер. с англ. М: Изд-во иностр. лит. 1963.

220. J.L.Davries. Surface States on the 111. Surface of Indium Antimonide. Surface Science. 2, 1964.p.p. 33-39.

221. R.T. Bate and A.C. Beer. Influence of Conductivity Gradients on Galvanomag-netic Effects in Semiconductors. J. Appl. Phis. V.32. No.5. 1961. p.p. 800-805.

222. A.C. Beer. Galvanomagnetic Effects in Compounds Semiconductors. J. Appl. Phis. V.32. No.10. 1962. p.p. 2107-2112.

223. Potter P.F., Kretschmar G.G. Optical Properties of Evaporated InSb Films. J. Opt. Soc. Amer. V. 51, N6. 1961.

224. V.L. Frantz. Indium Antimonide Thin Films Transistor. Proc. Inst. Electr. Electronics Engrs., 53, N 11, 1965. P. 1792.

225. E.B. Dale and G. Senecal. Annealing Effects in Evaporated InSb Films. J. Appl. Phis. V.33. N.8. 1962. p.p. 2526-2531.

226. W.G.Williamson. High mobility thin films of indium antimonide vacuum deposited on to a cold substrate. Solid State Electronics. 9, № 3, 1996. p.p.213-224.

227. H.S.M. Barlow, R.Koike and R.Uolea. Negative magnetoresistance effect in evaporated indium antimonide films. Proc. Inst.Elect. Engrs. 112, №10, 1965. p.p. 1844-55.

228. K.Berchtold and D.Huber. Transpost Properties of Indium Antimonide Thin Films.Phys. Status.Sol. 33, 425, 1969.

229. H.H.Wieder and N.M. Davis. Transverse Hall Coefficient and Magnetoresistatance of Two-Phase InSb-In Layers. Solid. St.Electronics.V.8, 1965.p.p. 605-610.

230. Грушко H.C., Герасименко JI. А., Гоглидзе Т.И. В сб.: Физика полупорводников и диэлектриков. Кишинев, Штиинца, 1972, С.83.

231. Juhasz С., Anderson J.C.Field-Effect Studies in Indium Antimonide Films. The Radio and Electronics Engineer, № 4, 1967, p.p.223-228.

232. H.H. Wieder. Thickness Dependence of Electron Mobility of InSb Films. J. Vac. Sci. Technol. Vol.9, №1, pp.1193-1196.

233. Junji Shigeta, Nobuo Kotera and Tetsu Oi. Noise and Electrical Transport Properties of Polycrystalline InSb Thin Films. J.Appl. Phys. Vol.47, № 2, 1976, p.p. 621-626.

234. J.B.Webb, C.Halpin and J.P.Nood. The Structure and Compositional Characterization of InSb Films Prepared by Metalorganic Magnetron Sputtering. J.Appl.Phys.60, № 8, 1986, p.p.2949-2953.

235. J.W.Harrison and J.K.Hauser. Theoretical Calculations of Electron Mobility in Ternary III-V Compounds. J.Appl.Phys. V.47, No. 1, 1976, p.p.292-300.

236. A.Hojo and J.Kurn Liquid Phase Epitaxy of High Purity n-GaSb and InxGaixSb and Their Electron Transfer Effects. Proc.of the 5-th Conf. on Solid State Devias. Tokyo. 1973 .p.p. 226-231.

237. Шалимова К.В., Гуляев A.M., Иноземцев С.А. Кристаллическая структура и электрические свойства слоев антимонида индия, напыленных методом трех температур. Кристаллография.№ 12, 1967, с. 653-655.

238. Вавилов B.C., Плотников А.Ф., Шубин В.Э. О возможности использования МОП-структур на основе InSb в качестве преобразователей изображения ФТП. 4, 1970, с.598-600.

239. Никольский Ю.А. Влияние барьерного механизма токопрохождения на величину тензоэффекта в поликристаллических пленках антимонида галлия. Мат. научн. конф. Кишиневск. ун-та по итогам НИР за 1971г. Кишинев, 1971, с. 92.

240. John L. and Phillip Е. Thompson. Molecular Beam Epitaxy Growth of InSb Films on GaAs. Appl. Phys. Lett. 54, 1989, pp.2235-2237.

241. H. Okimura, T. Matsumae, M. Ohshita. Dendritic Crystal Regrowth and Electrical Properties of InSb Thin Film Prepared by Vacuum Evaporation. J. Appl. Phis. 66, 1989.pp. 4252-4257.

242. G.T. Stauf, D.K.Gaskill, N.Bottka, R.W.Gedridge. Low-Temperature Or-ganometallc Vapor Phase Epitaxy of InSb Using the Novel Sb Precursor Tri-isopropylantimony Appl. Phys. Lett. 58, 1991, pp. 1311-1313.

243. Masaaki Isai and Masahide Ohshita. Magnetically Sensitive InSb Films Prepared on SiO Layers Using Hot-Wire Recrystallisation. J. Appl. Phys. 58, 1985, pp. 2686-2690.

244. Masaaki Isai, Toshiaki Fukunaka, Masahide Ohshita. Influence of Thickness on the Galvanomagnetic Properties of Thin InSb Films for Highly Sensitive Mag-netoresistance elements. J. Appl. Phys. 59, 1986, pp. 2845-2848.

245. R.M.Biefeld and G.A.Hebner. Epitaxial Growth of InSb on GaAs by Metalo-granic Chemical Vapor Deposition. Appl. Phys. Lett. 57, 1990, pp. 1563-1565.

246. R.O. Dillon, R.F.Bunshah, H.A.Beale, V.L.Rehn, N.Bottka. Phisical Vapor Deposition of GaxInixSb. J.Vac.Sci. Technol. Vol.13, №1, 1976, pp.176.

247. J.W.Harrison and J.K.Hanser. Theoretical Calculations of Electron Mobility in Ternary III-V Compounds. J. Appl. Phys., 47, №1, 1976, pp. 292-300.

248. Akinuchi Hojo and Isanin Kuru. Liquid Phase Epytaxy of High Purity n-GaSbthand InxGaixSb and Their Electron Transfer Effects. Proc. 5 Int. Conf. on Solid State Devices. Tokyo, Supplement to th. Jorn. Japan. Soc. Appl. Phys. Vol.43, 1974, pp.226-231.

249. Никольский Ю.А., Зюзин C.E. Электропроводность пленок n-InSb в сильных электрических полях. ФТП, 35, 2, 2001, с. 182-183.

250. Никольский Ю.А., Донцова В.В. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si. Конденсированные среды и межфазные границы. Т.З, №1, 2001, с. 54-59.

251. Никольский Ю.А. Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In!.xGaxSb, n-InSb-Si02-p-Si (монография). Деп. ВИНИТИ, 2001, 257 с.

252. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Новые возможности использования пленок антимонида индия. Сб. материалов Всероссийской научн.-техн. конф.: "Методы и средства измерения в системах контроля и управления". Пенза, 2001, с.75.

253. Никольский Ю.А., Донцова В.В. Элемент оптической памяти. Сб. материалов Всероссийской научн.-техн. конф.: "Методы и средства измерения в системах контроля и управления". Пенза, 2001, с. 76-77.