Физические процессы в полупроводниковых кристаллах при высокоэнергетической и высокодозной ионной имплантации тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

БЕЛОРУССКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. В. И. ЛЕНИНА

На правах рукописи

ФЕДОТОВ Сергей Александрович

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ ПРИ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОИ И ВЫСОКОДОЗИОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

01.04.07—физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Минск 1991

Рс 'ота выполнена в научно- исследовательском институте прикладных физических проблем им.А.Н.Севченко при Белорусском ордена трудового красного знамени государственном университете им.В.И.Ленина.

Научные руководители - доктор физико-математических наук,

профессор КОМАРОВ Ф.Ф.,

- доктор физико-матвматических наук, старший научный сотрудник БУРЕНКОВ А.Ф.

Официальные оппонента - доктор физико- математических наук,

профессор БОРИСЕНКО В.Е.

- кандидат физико- математических наук, старший научный сотрудник БУМАИ D.A.

Ведущее предприятие - Ордена Ленийа институт атомной

энергии им.И.В.Ку; эгова

Защита диссертации состоится " 14 " февраля_1992г.

в ^ час. на заседании специализированного Совета Д056.03.05 в Белорусском государственном университете по адресу: 220080, г.Минск, Ленинский проспект, 4.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Белорусского государственного университета им.В.И.Ленина.

Автореферат разослан " " января 1992 года-.

Ученый секретарь специализированного Совета, кандидат физико-математических наук,

доцент / . В.ф.СТЕЛЬМАХ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТУ

Актуальность темы. Исследования взаимодействия пу' :сов тяжелых заряженных частиц с веществом в последнее время приобретают все большую практическую значимость. Ионная имплантация широко используется для целенаправленного изменения разнообразных свойств поверхности материалов: коэффициента трения, поверхностной твердости, критической температуры сверхпроводимости, электрофизических параметров и т.д.-Характерными преимуществами ионной имплантации перед другими методами легирования поверхности материалов являются возможность введения дозированного количества любых примесей при низких темпер?" "pax и создания глубинных распределений примеси произвольной формы. К недостаткам этого метода относится прежде всего образование структурных дефектов, сопутствующее прохождению частиц в веществе.

Особую важность метод ионного легирования приобрел в современной микроэлектронике. Актуальность исследований радиационных воздействий на полупроводниковые кристаллы возрастает в связи с развитием микроэлектроники по пути повышения степени интеграции схемных элементов, необходимостью создания силовых полупроводниковых приборов большой мощности и возможностью. регулирования параметров приборов с помощью облучения. В частности, интерес к высокоэнергетичной ионной имплантации связан не только с необходимостью совершенствования известных технологических процессов изготовления Полупроводниковых приборов, но и делает возможным создание новых приборных структур. Високодозная ионная имплантация в последние Годы также широко используется в микроэлектронике. Существенную Значимость приобрели, в частности, проблемы создания скрытых изолирующих слоев и низкоомных легированных областей в полупроводниковых кристаллах при высокодозной ионной имплантации и последующем термическом отжиге.

В настоящее время оптимальный выбор условий проведения технологических процессов невозможен без количественных данных о взаимодействии заряженных частиц с твердыми телами. Развитие

современной микроэлектроники определяется пониманием физической сущности процессов, сопровождающих взаимодействие ионов с поверхностью мишени, а такге наличием количествеиных данных и методов моделирования иоино- лучевой технологии. Очевидна необходимость разработки как физических, так и математических моделей с учетом фактороЕ, характерных для высоких энергий и доз ионного внедрения, составляющая основную тему данной работы.

Целью диссертационной работа являлось моделирование физических процессов, сопровождающих прохождений конов е веществе и характерных для высокодозной и высокознергетичной ионной имплантации, а такие моделирование послекмплантационного термического отжига.

Научная новизна рабош заключается в следувдэм:

- предсказано сильное влияние флуктуаций зарядовых состояний высокоэнергети'пшх ионов на пространственные распределения имплантированной примеси и. радиационных дефектов;

• - модифицированы с учетом флуктуаций зарядовых состояний ионов программы числошгаго моделирования ионной имплантация методом Монте- Карло и на основе прямых и обратных кинетических уравнений;

- создана модель высскоэнвргетичной ионной имплантации в кристаллические мишени, учитывающая эффект каналировакия иопоэ при большой разориентации пучка относительно низкоиндексных кристаллографических осей к плоскостей мкзони, и проЕодеао численное моделированию различных акспераментов;

- получена аналитическая формула для коэффициента Дйчфузки дрнорной примеси в кремнии при Систром термическом отасяге, учитывающая перколяциошшй механизм переноса примоси;

- разработана модель высокоинтеисивной имплантации кислорода в кромний с образованием скрытого диэлектрического слоя, основанную на диффузионно- кинетических уравнениях; разработана модель, описывающая синтез скрытого слоя в кремнии в процессе послоимплантационного термического отхеига на основе приближения стохастического фрактала.

Практическая значимость работы. Получнше в работе результата могут быть использованы для раь^аботки рекомендаций по технологии конного легирования различных материалов с энергиями порядка I МэВ/а.е.м., а также создания скр тых диэлектрических слоев и проводящих высоколегированных областей в полупроводниковых материалах. Разработанные программ могут быть использованы как элементы программных комплексов сквозного моделирования технологий микроэлектроники. Результаты включены в .отчет по теме "Исследовать параметры физических процессов ионной имплантации, разработать модели и создать программные средства для моделирования ионно- лучеьой 'технологии производства СБИС" (исследования выполнялись в рамках межотраслевой республиканской программы по информатике, номер гос. регистрации 01890056442).

Положения, выносимые на защиту:

1. Модель высокоэнергетичной ионной имплантации в •кристаллические мишени, учитывающая эффект каналирования ионов при большой разориентации пучка относительно низкоиндексных кристаллографических осей и плоскостей мишени. Рассмотрено влияние деканалирования ионов на процесс формирования послеимплантационных профилей примеси.

2. Количественная модель Еысокоэнергетичной йотой имплантации с учетом флуктуаций зарядовых состояний ионов при движении в вещество. Результаты моделирования глубинных распределений внедренных атомов и радиационных повреждений методом Монте- Карло, а также на осноеэ численного решения

. прямых й обратных кинетических уравнений.

3. Предсказанное сильное влияние эффекта флуктуаций зарядовых состояний высокоэнергетичных ионов на пространственные распределения имплантированной примеси и радиационных дефектов.

4. Аналитическая формула для коэффициента диффузии донорной примеси в кремнии при быстром термическом отжиге, учитывающая перколяционный механизм переноса примеси.

5. Модель высокоинтенсивной имплантации кислорода и кремний с образованием скрытого диэлектрического слоя, основанная на

диффузионно- кинетических уравнениях.

6. Модель, описывающая синтез скрытого слоя в кремнии в процессе послеимплантационного термического отжига на основе приближения стохастического фрактала.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и представлялись на 4 Всесоюзной конференции по взаимодействию излучения с твердыми телами (Нальчик, 1990г.), XX и XXI Всесоюзных совещаниях по взаимодействию заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1990 и 1991г.), УН Международной конференции "Модификация материалов ионными пучками" (США, Ноксвилл, 1990г.), 1У Всесоюзном совещании "Математическое моделирование физических" процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" (Ярославль, 1990г.), Всесоюзной конференции ."Перспективы применения алмазов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" (Москва,• 1991г.), У1 Международной конференции "Радиационные аффекты в изоляторах" (ФРГ, Веймар, 1991г.), XXX Всесоюзном постоянном семинара "Моделирование на ЭВМ дефектов и процессов в металлах" (Одесса, 1990г.), Х1У Международной конференции по атомным столкновениям в твердых телах (Великобритания, Сэлфорд, 1991г.), X Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 1991г.).

Публикации. Основные результаты диссертации изложены в 24 научных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка цитируемой литературы и приложения. Она содержит 182 страницы машинописного текста, в том числе 30 рисунков, 5 • таблиц и список литературы из 125 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЬ'

Во введении обоснована актуальность теми исследования, сформулирована цель работы, охарактеризована научная новизна и практическая значимость результатов, изложен1» основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит краткий обзор литературы, посвященной концепциям моделирования прохождения заряженных частиц в твердых телах. В §1Л рассматривается подход к проблеме на основе метода Монте- Карло. В качестве пример?! реализации метода используется известная программа trim. Кратко рассмотрены наиболее часто используемые модели уггругого потенциала рассеяния и неупругого торможения ионов. В 51-2 сформулирована концепция проникновения ускореншх ионов и развития каскадов атомных столкновений на основе обратных кинетических уравнений (подход ЛШШ). В §1.3 рассматривается подход к описанию процессов прохождения ионов и генерации дефектов на "основе прямых кинетических уравнений, а также численный метод; используемый при их решении. §1.4 посвящен краткому обзору литературных данных о зарядовых состояниях ионов при прохождении в твердых телах и моделей, описывающих процессы перезарядки быстрых ионов.

Во второй главе работы рассмотрены вопросы, связанные с неадекватностью стандартных подходов моделирования прохождения ионов, изложенных в гл.1, при энергиях внедрения выше I МэВ/а.е.м. За последнее время было опубликовано довольно много экспериментальных результатов по высокоэнергетичному ионному внедрению, которые показали, что при энергиях внедрения порядка I МэВ/нуклон экспепиментэльнов значение дисперсии среднего проективного пробега ионов (лпр) для многих сочетаний ион-мишень в 1.5 раза и более превышает расчетное значение, а экспериментальное значение «симметрии оказывается значительно меньше расчетного.

В работе делается попытка объяснения наблюдаемых эффектов на основе следующих соображений. В стандартных методах расчета процессы захвата и потери электронов движущимися ионами не учитываются в явном виде. В качестве параметра для расчета

сечений торможения и рассеяния ионов, используется среднее значение зарядового состояния ионов, формирующееся при установлении динамического равновесия процессов захвата и потери электронов движущимися ионами и зависящее только от их энергии. Таким образом, принимается предположение о несущественности влияния флуктуаций зарядовых состояний ионов на процессы ионного внедрения, которое хорошо выполняется при низких и средних энергиях вследствие большой величины сечений потери и захвата электронов движущимися ионами. При энергиях порядка I МэВ/а.е.м. и выше мы имеем существенно иную ситуацию вследствие намного более низкой величины сечений изменения зарядов ионов. Характерная длина пробега ионов в вьцестве в неизменном зарядовом состоянии оказывается сравнима с дисперсией профиля остановившихся ионов. Следовательно, случайные флуктуации зарядов высокоэнергетичных ионов должны оказывать существенное влияние на формирование профилей примеси ' и радиационных дефектов,, и ими нельзя пренебрегать.

Для проверки влияния данных флуктуаций на формирование профилей ионного внедрения был применен подход, использующий моделирование прохождения частиц через вещество . методом Монте-Карло. Моделирование имеющихся экспериментов позволило сделать вывод о существенном влиянии флуктуаций зарядового состояния ионов на формирование профилей внедрения примеси и дефектов при высокоэнергетичной имплантации. Было достигнуто качественное улучшение согласия с экспериментами по сравнению с результатами расчетов с использованием стандартной программы ТГим-85.

В работе рассмотрены такхе подхода к проблеме, основанные на решении прямого и обратного кинетических уравнений и во многих случаях имеющие преимущества перед методом Монте- Карло вследствие меньших вычислительных ' затрат. На рисунке с экспериментальными результатами (обозначены - маркерами) сравниваются энергетические зависимости дисперсии распределений имплантированных ионов Лйр , полученные с использованием данной модели (обозначены сплошными линиями) и стандартным методом (обозначены штрихами) на основе обратных кинетических .уравнений.

£, МэВ

Энергетическая зависимость дисперсии среднего проективного пробега ионов бора, имплантированных в кремний. Сплошной линией изображены результаты расчетов с учетом флуктуация зарядовых состояний ионов, штриховой - результаты стандартного моделирования. Маркеры о, х и + изображают экспериментальные результаты из работ- соответственно.

1. Вигепкоу к.7. ег а1. // Р1»уэ.вга*.ао1. (а). 1989- 7.115. Р.427.

2. Ьа Рвг1а А. ег а1. // Мв1. Бсх. ап<1 Епе. 1989. У.В2. Р.бЭ.

3. *Гопв Н. вг в1. // N401. 1пагг. впЛ ЮегН, 1987. У.В21. Р.447.

Заметно, что в энергетическом диапазоне от нескольких МэВ до 100 МэВ представленная модель значительно лучше согласуется с экспериментами по высокоэнергетичной имплантации по сравнению со стандартными расчетами и дает результаты, аналогичные полученным методом Монте- Карло. В §2.3 диссертации показано, что учет флуктуаций зарядов ионов при решении уравнения Больцмана также качественно улучшает согласие с экспериментами.

В третьей главе настоящей работе представлена модель, позволяющая проверить предположение о том, что экспериментально наблюдаемое глубокое проникновение примеси объясняется влиянием каналирования на процесс высокоэнергетичной ионной имплантации. Вследствие малости критического угла каналирования при больших энергиях ионов основная доля каналирующих частиц будет входить в каналы не вблизи поверхности кристалла, а на глубине, несколько меньшей, чем Rp, где вероятность каналирования повышается вследствие большой дисперсии углового распределения рассеянных ионов. Движение частиц в канале . с учетом возможного деканалирования описывается с помощью уравнения Фоккера- Планка. Движение частиц в random- режиме описывается кинетическим уравнением в диффузионном приближении.

Расчеты были проведены в двух вариантах: с учетом и баз учета деканалирования, согласно вышеизложенному методу. Сравнив расчетные и экспериментальные распределения, можно сделать вывод о заметном влиянии деканалирования на форм:фованио профиля остановившихся ионов. Наблюдается качественное соответствие экспериментальных и теоретических результатов. Однако на основании их анализа можно сделать енеод, что. только влиянием эффекта каналирования наблюдаемые расхождения объяснить нельзя, тек как глубинные профили послеимплантационных распределений, рассчитанные с учетом влияния каналирования и полученные экспериментально, существенно различаются по форме в области среднего проективного пробега ионов. На основании анализа результатов моделирования, изложенных во 2 и 3 главах, можно сделать вывод, что для адекватного моделирования высокоэнергетичного ионного Енедрения необходимо учитывать как флуктуации зарядов ионов, так и каналирование.

В четвертой главе рассматриваются процессы, связанные с высокодозной ионной имплантацией. §4.1 посвящен рассмотрению процессов диффузии ионно-имплантированных в кремний примесей пятой группы во время быстрого термического о1, ига (БТО). В последние годы были опубликованы результаты экспериментов по БТО при высоких концентрациях легирования кремния (более Ю^см-3), согласно которым при превышении некоторой пороговой концентрации примеси диффузионный коэффициент становится пропорциональным концентрации электронов в аномально высокой степени'э (1.6^3^4.6 для сурьмы). В связи с этим в литературе было выдвинуто предположение, что ускорение диффузии обусловлено возникновением перколяционного эффекта при превышении некоторой пороговой концентрации примеси. Считается, что атомы внедренной примеси, находящиеся на расстоянии не более 5-й координационной сферы друг от друга, образуют перколяционный кластер, внутри которого миграция примеси идет значительно быстрее, чем вне кластера, вследствие более низкой энергии активации процесса. В работе модифицирована модель перераспределения примеси в высоколегированном кремнии с учетом теоретических работ по моделированию торколяцш методом Монте- Карло. Определены параметры модели для случая быстрого термического отжига сурьмы в кремниевом кристалле. Модифицированная модель хорошо описывает наблюдаемую зависимость диффузионнсч'о коэффициента от температуры отжига и уровня легировшшя кремния.

В §4.2 и §4.3 изложены результаты моделирования различных экспериментов по высокодозной и высокоинтенсивной имплантации и термическому отжигу скрытых слоев с учетом таких факторов, как распыление поверхности, изменение тормозных свойств среды вследствие накопления примоси и процесс образования новой >Гвзы. В §4.2 рассматривалось моделирование экспериментов по высокоинтенсивной имплантации кислорода в кремний. Моделирование осуществлялось на основе решения диффузионно- кинетических уравнега1й, описывающих процесс имплантации и образования новой фазы. Для описания динамики формирования нитрадного слоя при послоимшгантациоином отжиго была разработана модель, имлоюшпи в §4.3 и описывающая диффузионное перераспределение пркг-си и

синтез новой фазы в процессе отжига. По модели, нитридная фаза a-sijN^ существует в виде преципитатов, на поверхности которых идет кристаллизация нитрида. Согласно недавним электронно-микроскопическим наблюдениям, преципитаты новой фазы имеют дендритную структуру, для описания которой мы используем фрактальную модель. Для описания роста преципитатов мы приняли известную химическую модель кластер-кластерной . агрегации. Кластер-кластерная агрегация в континуальном приближении .описывается ура ением Смолуховского. При моделировании совместно, решалась система диффузионно- кинетических уравнений и уравнение Смолуховского.

В приложении приведен текст программы моделирования . прохождения ионов в веществе с учетом флуктуаций их зарядовых состояний на основе транспортного уравнения Больцмана на языке FORTRAN.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

I. Исследовано влияние различных эффектов, существенных для процессов ионной имплантации в области . энергий порядка I МэВ/а.е.м., на прохождение ионов. Разработана концепция моделирования высокоэнергетичной ионной имплантации с учетом флуктуаций зарядовых состояний ионов. Созданы алгоритмы и программы моделирования прохож; ¡шя шсокоэнергетичных ионов в веществе с учетом данного эффекта методом Монте- Нарло и на основе прямых и обратных, кинетических уравнений. Получены численные результаты моделирования различных экспериментов методом Монте- Карло и посредством численного решения кинетических уравнений. Впервые показано, что учет флуктуаций зарядовых состояний ионов в области высоких энергий ведет к значительному увеличению дисперсии распределений имплантированной примеси и радиационных дефектов и дает лучшее согласие с экспериментом, чем стандартные метода моделирования, обсуждавшиеся в литературе. Рассчитаны глубины установления равновесного зарядового состояния ионов, имплантируемых с Е>1 Мэй/;" .м. в различные мишени. Полученные значения сравнимы

с дисперсией среднего проективного пробега имплантированной примеси и составляют примерно I мкм.

О 2. Результаты численных расчетов свидетельствует о том, что эффект каналирования высокоэнергетичных люв является однйм из наиболее существенных факторов, влияющих .на формирование послеимплантационных профилей примеси и дефектов. Разработана модель высокоэнергетичной ионной имплантации в кристаллические мишени, учитывающая эффект каналирования ионов при большой разориентации пучка относительно низкоиндексшх кристаллографических осей и плоскостей мишени. Сравнение измеренных и расчетных профилей ионного внедрения указывает на существенную роль каналирования в формировании профчлей внедрения ионов в мегаэлектронвольтном диапазоне энергий. Влияние каналирования наиболее существенно в периферийной области распределения. Рассмотрено влияние деканалирования ионов на процесс формирования послеимплантационных профилей примеси. Показано, что учет деканалирования в модели улучшает соответствие экспериментальных и теоретических результатов.

3. Разработаны модели и проведено численное моделирование перераспределения атомов сурьми, имплантированной в кремний, при быстром термическом отжиге с учетом перколяционного механизма диффузии. Предложена аналитическая формула для коэффициента диффузии донорной примеси в высоколегированном кремнии при быстром термическом отжиге, хорошо согласующаяся с экспериментами в широком диапазоне температур.

4. На основании моделирования экспериментов по высокоинтенсивной ионной имплантации показано, что перераспределение химически активной принеси в процессе внедрения может быть описано на осноЕе днф^узиошго-кине.тических уравнений. Разработана -модель Бысокоинтенсигаюй имплантации кислорода в кремний с образованием скрытого диэлектрического слоя, учитывающая синтез новой фазы, процессы радиационного распыления и распухания. Наблюдается хорошо«} соответствие теории с экспериментами.

5. Показано, что для корректного описания синт-эзэ скрытого нитридного слоя в крешг.ш в процессе послоклаи'лнтчцизшпго

термического отжига мокет быть использовано приближение кластер- кластерной агрегации. Проведено моделирование длительного термического отжига кремния, имплантированного азотом, на основе системы диффузионно- кинетических уравнений и уравнения Смолуховского.

Основные результаты диссертации изложены в следующих публикациях:

1. Burenkov А.P., Kotnarov F.F. and Fedotov S.A. The description of antimony diffusion in silioon during rapid thermal annealing with peroolation model. // The 4 All- Union Conference on Interaction 'of Radiation with Solids. Book of abetraote.- IIoboow.- 1990.- P.2.

2. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.А. Каналирование ионов бора при высокоэнергетичной имплантации в кремний // Тезисы докладов XX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами.- 1990.- М.:ЫГУ.-C.I20.

3. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.А. Глубинное распределение примеси при высокодозной ионной имплантации с образованием устойчивой фазы // Поверхность.- 1990.- *б.-С.75-80.

4. Burenkov A.F,, Komarov F.F., Fedotov S.A., and Kazjutohitz N.1I. Description of impuri ty depth profile formation during high- energy ion implantation into silicon with regard to channeling // Abstracts of the 7-th International Conference on Ion Beam Modification of Materials 1990 (Knoxwllle, Tennessee, USA, September 9-19, 1990). P.320.

5. Burenkov A.F., Komarov F.F., and Fedotov S.A. The fraotal model of the forming of nitride layere in silioon during postiraplantation thermal annealing // Abstracts of the 7-th International Conference on Ion Beam Ifodifioation of Materials 1990 (Knoxwille, Теппеввее, USA, September 9-19, 1990). P.334.

6. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов О.А. Отжиг скрытых штридных слоев в кремнии с применением фрактальной модели // Повврхно„ т .- 1990.- JS8.- С.5-9. '

7. Буронков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.А. Моделирование глубинного распределения примеси в кремнии при высокоэнергетичной имплантации ионов бора. // Тезисы докладов 1У Всесоюзного совещания "Математическое моделировагае физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" (г.Ярославль, декабрь 1990г.).- 1990.- Ярославль.- С.28.

8. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов O.A. Моделирование диффузии донсрной примеси в кремнии с учетом перколяциошюго эффекта // Тезисы докладов 1У Всесоюзного совещания "Математическое моделировение физических процессов в полупроводниках и полупроводшшовых приборах" (г.Ярослвы .. декабрь 1990г.).- 1990.- Ярославль.- 0.29.

9. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов O.A. Фрактвльи -: модель формирования диэлектрических слоев при послеимплантационном отжиге кристаллов кремния // Тезисы докладов 1У Всесоюзного совещашш "Математическое моде,1; роианке физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" (г.Ярославль, декабрь 1990г.).- 1990,- Ярославль.-0.30.

10. Burenkov А.Р., Komarov P.P., and Peäot,07 S.A. Simulation of redistribution oí donor impurity in eilioon during rapid thermal annealing with, regard for percolation effeot // Rad. Eff. and Dei. in Sol.- 1990.- V.115.- P.45-40.

11. Комаров Ф.Ф., Буренков А.Ф., Ширяев С.Ю., Крупнов И.П., Федотов O.A. Отчет о НИР "Исследовать параметры физичоских процессов конной имплантации, разработать модели и создать программные средства для моделирования /онно- лучевой технологии производства СБИС". Шифр "Имплантация". Номер гос. регистрации 01890056442.

12. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов O.A. Модели]«ванио процесса высокоэнергетичной ионной имплантации в алмаз с учетом флуктуаций зарядовых состояний ионов. // Тезисы дсюндов Всесоюзной конференции "Перспективы применения алмазов в полупроводниках и полу про вод ико в u х приборах". 1991.- li.:-0.54-56.

13. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.Л. Прш.мпчнич

обратного кинетического уравнения для моделирования ионной имплантации с учетом флуктуаций ионного заряда // Тезисы XXI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. 1991.- М.:МГУ- С.95.

14. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.А. Каналирование ионов бора при высокоэнергетичной имплантации в кремний // Материалы XX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. 1Э91.- М.:МГУ- 0.182-184.

15. Burenko А.P., Komarov F.F., Fedotov S.A. High- energy iori implantation into diamond. Boltzmann transport equation approach // 6-th International.Conference on Radiation Effeots in Insulators (June 24-28, 1991, Weimar, Germany). Book of. abstracts.- 1991.- P.17.

16. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов O.A. Флуктуации зарядового состояния ионов: возможная причина увеличения дисперсии пробегов при высокоэнергетичной ионной имплантации // Письма В ЖТ^.- 1991.- Т.17.- Вып.5.- С.69-72.

17. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.А. Применение фрактальной модели для описания формирования нитридных слоев в процессе послеимплантационного отжига // Сборник XXX Всесоюзного постояшюго семинара "Моделирование на ЭВМ дефектов и процессов в металлах".- 1990.- Л.:- С.17-18.

18. Burenkov А.Р,, Komaxov F.F., and Fedotov S.A. The backward transport equation a. proaoh for the simulation of the charge state fluctuation effects during ion penetration into solids // 14-th International Conference on Atomia Collisions in Solids (28 Juli - 2 August 1991. University of Salford, UK). Couferenoe Handbook.- 1991.- P.110.

19. Burenkov A.F., Komarov F.F., and Fedotov S.A. The ion ohargti state fluctuation effect during the high energy ion implantation // 14-th International Conference on Atomic Collisions in Golids (2a Juli -r 2 August 1991. University of iiaJford, uk). Oonferenoe Handbook.- 1991.- P. 111.'

20. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Федотов С.А. Влияние .;ijiyi.ryf.ii;i:t ионного заряда на глубинные распределения имилаш.»* и.ашшх ионов и радиационных дефектов. -Моделирование

методом Монте-Карло. // Материалы X Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (3-6 сентября 1931г., г.Звенигород).- 1991.- М.: - С.17-18.

21. Буренков А.©., Комаров Ф.Ф., Федотог С.Л. Влияние флуктуаций ионного заряда на послеимплантвциошшо пространственные распределения. Моделирования на основа обратного кинетического уравнения. // Материалы X Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (3 6 сентября 1991г., Г.Звенигород).- 1991.- М.: - С.95-97.

Подпкоано к печагп Фориат ^ ] ^

Уел. ивч.л. 1,0 Тире« ЛТ 833. Бесплагмо. Заказ 2.4 54 Велйикати. 22000%, Иаис», и*. Иааэрова, 23