Физические явления в структурах с дефиной инжекцией на основе компенсированных полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ
|
Гаспарян, Фердинанд Вазгенович
АВТОР
|
||||
|
доктора физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Ереван
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
1995
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.07
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
¿изиизш^ ¿ии^СБПГ.ОЗиЪ <}ПЗПМЗЗЛИШ;№ ЩЗДЗИъ ичиасшш ./ьпзпчизп чгтцт&иъ 'пппр'и'г'лспг: пъиз^сг^з
_ """ -------------------------------------------- -------ЛСдцдрп- Ьпщ1|пс\1Рп!|--------------------
чш'пигшъ ъспппидл чиячсъп
•О
¿п&пчичиъ соштзмш'С чл1Р<съшбчигг чпии^уш^-^сррз
Ли^Р^З'Ш УЩСЛИЩ,? п^^дггъ ГМ.'СГГгч
01.04.07.- шМт иГщтГаЬ ЬЬипиш
4фцрЦш-(/»О^шфиаШагй арятщтЬЬйпП ^ги^п-п сфри1шй шшлп£и&Ь Ьауу(/шй жиЛЬшпип.».^
и о о у и д п п
и/ 'ОЧиси- ; гг^
ЛШ^кальная МАйй&ш нш
ИНСТИТУТ ЛРЙК^АЛНЫХ ЛР06ЛЕМ ШШ
ГАСПАРЯЯ ФЕРДИНАНД ВАЗГЕКОВИЧ
ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ 3 СТРУКТУРАХ С &Ш& • НА ОСНОВЕ КОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
•Ji.C4.C7- г^гика твердого те^о
А В Т 0 ? Е '5 5 Р А Т диссертации на соискание учено:! степени доктора физико-математических наук
3 РЕВА Н-1995
Работа выполнена в Ереванского государственном университете
Научный консультант доктор физико-математических наук, член-корр. HAH Ра, профессор
Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор
В.М.Арутвнян
?Л'..К.азарян
доктор те:шических наук, профессор
доктор физико-математических кзук
С.олйфтчян А.Г.Алексанян
Ведущая организация: ереванский физический институт
оО
Защита диссертации состоится
« /Г- ОГ
1995 г. в
Ю часов на заседании специализированного совета Д 005.20.01 е Институте прикладных проблем физики HAH Республики Армения.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института прикладных проблем физики HAH Республики Армения. Адрес: 375014, ул.Гр.Неисесяна, £5 Автореферат разослан "О У г.
Ученый секретарь специализированного совета
"д- 00:,.20.01
кандидат
физ.-мат.наук WIM ^ <L. №. А.Саркисян
Ог£|Ад ХАгАг^ГЗН1С]2КА РлБСХа
Актуально с ть щх>блецк.Ннтекскввое развитие сизяки ик^екпион-ах явлений. в коаспенснрованных, поахупроводшЕах (КШ привело к -эзнанию иногочксленнкх полупроводниковых приборов различного каг-ачения, в основе работы которых: ле^ат инфекция носителей заряда обусловленные е® явления, протекающие в объеме полупроводника.
Исследование .электрофизических, фотоэлектрических, шламовых войств таюас систем, их яина^агческие характера стикн представля-2- большой научный и практический интерес в связи с ю: нспользо-акпеи в качестве фотоприеиннков ЕК диапазона в различных иикро-ептоэдензрокннх устройствах. л сгстекгг. В волупроволкиках тхрак-згчески всегла ииехкгся ели специально вводятся принеси с глубокп-з уровняли (ТУ), существенно влиянцие на процесс токопрохояденпя ак каЕ- разогрев носителей тока в элементарных: полупроволннках ,'в частносги, в ) имеет несто при сравнительно слабых, електри-геских полях, то ухе при небольших уровнях кнкекцик в таких ьгате-:иалах проявляется зафектк, вкзЕакнке разогревоы носителей те~а.
5 настой ее вреня. 2 первух очередь гтс обусловлено интересные
¡за: Еггиов и узел,гчекпя ^сточузстзгтельнос?;: у обнаружительсг
Ш. Изучение дикаьжческкх характеристик КП позволяет лучше понята зоведение электроыко-дырочкэй елазщ в базе кдаекцконньл: сгруктуг к способствует решеннс проблемы: создания ьаагр озлектрокньос икцук-гквностей.
Глубоко предуъшнное использование известных технологических приемов получения КП открывает новне перспективные возггоккости ¿¿я использований структур с на практике, ьгогет играть существенную роль для увеличения соточувстзктельностк и обнаружительно:. способности инфекционных фотодиодов (ЙЗЗД) и оказать большое влияние на полное внутренее усиление датчиков потока э'лектронов.
Исследование механизмов возникновения собственных шумов в КП й И£й на основе таких полупроводников способствует не только вы- рдению новкх путей уменьшения их уровня, но и даст полное фкзи-
- I -
ческое представление происходящих в таких материалах кинетически микропроцессах. В этой связи особое значение представляет изучение низкочастотного ОН) шума со спектром . Отметим, что исс: дование природа возникновения 1/-Г шума и выявление его особенное тей - одна из важнейших задач современной физики. Актуальность этой проблемы определяется тем, что исследование 1/£ шума спосо( ствует- описание детальной картины макро- и микрофизических проц< сов,. происходящих на поверхности и в объеме любого физического < екта. .
Вышеуказанные физические явления з НИ и ШцЦ исследованы явн< недостаточно, что связано со слраюстьа проблемы. В частности, 1 буется новый подход к реаенкз ее при изучении статических, фото: ектрических, динамических и шумовых характеристик вышеуказанных инфекционных структур, созданных на основе полупроводников со злобой зонной структурой, с учетом специфических особенностей ыногозаряцннх ГУ. При этом необходимо учесть реально всегда сулествуас^а неоднородность компенсации, влияния излучения из о< ласти как собственного, так и примесного поглощения и'т.д.
Седъа -работы являлось исследование статических, мало сигналь ных, пумовкх характеристик и фотоэлектрического усиления в ин^е: ционных структурах с ДГ из КП с существенной пространственной н однороднестьз компенсации (ТГ?д и датчиках потока электронов),пр лощение в итоге таких исследований рекомендаций по увеличению к зффициента фотоэлектрического усиления, фоточузстзительности и наругительной способности, выбору технологического режима комле сацин полупроводника, уменьшения уровня внутренних шумов, а так выявление роли злектрон-фононного взаииодейстзия в форашровании пЧ шума со слетром !/£-.
Для достижения этой цели представлялось необходимым детальн исследование вкпеукадаят-тнх процессоз в структурах с Д8, изготов ленЕых на основе полупроводников, компенсированных как одкозаря ными,.так и двухзарялтгк?дх ГУ.
Научная новизна. Еа основе исследования статических, мяло си нальных, шумовых характеристик и фотоэлектрического усиления из секционных структур, ЩД и датчиков потока электронов на основе КЗ получены аналитические выражения, описызаавдэ физические прс цессы и характеристики выше отмеченных приборов, установлены за
- 2 -
эномерносгн, поззсля^цке оптимизировать гелый ряд Basneiiznix па-знетров и объяснить снзнческуэ природу некоторых явлений, пред-экпть способы улучшения параметров ЩЦ и датчиков подтока элек-
рсков .-------- --------- " • -------------------------------:---------------• •
Предложена обобщенная теория прохожден-^я сока в дсннкых р^пп"* р^рп"*") диодных структурах ез полупроводников, компенсированных вухзарядккмк ГУ с учетом разогрева носителей тока з слабом алег-ркческом поле. Получены полные нелинейные ди^серендкалъные уранения, огшсыващне распределение напряженности злентр;гческоро поя -ШШ) в базе таких структур.
Из предложенной теории з 'частных случаях следуют известные в птературе результаты. Развита теория ДЯ б n-GaAs<Fe>.
Рассмотрено влияние неоднородного распределена ксьшенспруэ-ей примеси по глубине базы ка электрофизические к фотоэлегтрл-еские характеристики S-шопов, ЩЦ и датчиков потока электронов :з КП. Получены аналитические выражения для Больтаыперннх характеристик СВАХ) такпх структур при освещении, соточузстзительнос-и, обнарузнгелънок способности, коэщфпгиента усиления в случаях
занкый с неоднородный распределением прииеснкх атомов в обьене
.тесных атомов ысгет привести к сильному, не контр с-пгруsnoiy перераспределен:^ ЕсД в оЗьеие полупровопккка.
Предложен ыехсл увеличения фоточувствителъкостн к кезфекпнен-га внутреннего успленпя II^Z, на основе
р~лп~ структуры из ЗП. предложено использовать в качестве высокодобротных, устоГгчкзых твердо телы-пд: ккгукткБнэстеГ:, упразля-как тонок таг: к потоком внешнего излучения. Ыетод "кипедансных полей" применен прк вычислениях внутренних шумов инфекционных структур, изготовленных ез КП. Доказана
- 3 -
сзизалектность жетонов Ланаевена и "тшедаЕСЕкх полей" при рас-;ге думоз р^пп"5" к подобных структур на основе НП.
Получена полная систем уравнений, позволявшая в дрейфово-:фсузионнсь£ приближении рескть задачу о гекерационно-рекоггбика-■онных (г-р) и дифгугионных зунах в диодных структурах на оско-; КН. Пад^ченн аналитические выражения спектральных плотностей •р и диффузионных шушэз р+пп+ структур на основе нокпенсировгн->го дзу г ядряттекуи ГУ полупроводника. Долученн аналитические видения для спектральной плотеостк пуцоз (СПШ ЩЦ, изготовленное I полупроводника, кошхенсирозанного прюгесы, создащей однозар-•нне ГУ.
Развита недель формирования НЧ 1/р луъ-а на основе электрон-'нснныг взаимодействий в однородных к ненырсгленных полупровод-:ках л—гига. Получены аналитические зырадаэннл 54 ззуьгов, зклгча-в себя: во ¡гсактнче сз
загнейдде особенности зьяхирическсй формула луга. _: геннссть -работы. Электрофизические, фотсэлектри-
й. их основе
б£Л1
лги поиске уетодоз
нь~ен:тст доточузствитальности и обнаружительнсй способности, а
уОО-аНН у
пга. теодин тонов ¿2 в
ьаозанн з качестве гдка 10-50, а тазге для усиления и генерации сигналов
гуыоз 2К 2ЩД. 1-0аАг <Ре>.
ггута на основе К
^ностей
иогут быть ис-добротностьз
Определены: оптизгальЕне условия работы ЩЦ. Установлены ваибо-е ^узстзательЕке области Ж фотодиодов при "влттнии как собст-нного, гак к прнкэсноро излучения к предложен метод оптнннза-и уату? ¿¿^ердспзс
Предложен 1;етол создания датчиков погода электронов сретших ерта£ с козфсгцгентсш: усиления электронного потока
Установлена. роль эдентрон-фононного взаимодействия в форми-зании НЧ 1/р Еу1а. в однородных и Еевкрг.чдянннх полупроводниках. - Полученные в работе аналитические выражения и фор^^лы иогут ть использованы: ддя зачисления основных параметров ннкекцион-х. структур^-ЖЙ5--я датчиков потока электронов, изготовленных из штртл'.ж^штавяяг ттд^трп-дпцниигн- ......
Ег. залхгу заносятся следузетге научные положения:
1.C использованием метода последовательных приближений ггоед-кена обобщенная теория процессов гокопрсхо^лення в Езтгпта^рг
пп+ (р+рпт) структурах из полупроводников, компенсированных ухзаряггнтлдт ГУ с учетом яр.ттения разогрева носителей rosa в ал-трнческом поле. Б этом случае на ВАХ при прямом смешении возмоп-формирование участка сублинейностк (до срыва) и двух участков питательного дифференциального сопротивления CQaCj S-типа. sor-рованке одного из них сзязано с Т -механизмом. В р"^гш+ стгжкту-с яз полупроЕОлника, компенсированного акцепторам с энергети-гкиык уровннми, расположенными в верхней половине запрещенной ян, перед срывом Еа BUL имеет место квадратичная зависимость га от напряжения, а форофование области ОДС S -типа не связано г-механизмов.
2.Переменкые составляшие концентрации влектронов и дкоок в шенсированном дцухзарялными ГУ псшупровопнике в условиях ела-" ?о разогрева носителей тока не сикфазны, что обуславливает cod-
1знях кк^еггцкн, состветстзтдгзз: рабочей точке на участие ВАК с :окнтелькым дифференциальным сопротивлением. Класть Д)С с-о™с-;тся в вполне определенном частотной диапазоне к ее глубина и я:на зависят от уровне инхекдии. Реактгзкая часть импеданса в говном списывается индуктивностью, максимальное значение коте— : }.:с^ет достичь бельдих величин (ло 10 Г).
3.Путем выборе. соответствующего неоднородного раегг-еделення яенсируьзиих примесей в базовой области инфекционных структур, 'азде зависимости сечения захвата электронов от интенсивности 'свозб^лдения moaHQ повысить значения фсточувствительнасти, об-уяительной способности, коэффициента инфекционного усиления, фаициента усиления электронного потока. Наиболее эффективным собой освещения (облучена) ЩЦ из длинных р+пп~*" стгзугтут) яв-тся направление паления излучения перпендикулярно направление ала тона. Предло&ен новый механизм внутреннего усиления екгка-
4.Учет примесного излучнния на 1ЩЦ сзодится к появлению во
х аналитических выражениях для статфакторов Шокли-Рида "свето-"добавок. Участок квадратичной зависимости на ВАК более чувст-елен к примесноцу излучении, чей следующий за ним участок cvt5-
- 5 -
линейности. Для ИФД из 5т<:7п> при 300 К на длине волныХ-2 к значение токовой фоточувствительности достигает значения 290 А/Вт, а обнаружительнал способность - 8,5.10^ см/Вт.
5-Метод "импедансных полей"-распространен на случай внчис ния внутренних пумоз обьемкых приборов, изготовленных из КП. зультатк теоретического расчета применительно к случаю инжега -гп-гт диодных структур из п- Эт <7и> удовлетворительно согласуютс экспериментальными данными.
Расчет г-р и диффузионных шумов р+пп+ структур и ИЩЦ на с ве НП позволил выявить целый ряд особенностей этих шумов, с С шой точностью определить значения ряда важнейших параметров I ГУ. Установлена связь спектральной плотности г-р шума с длине базовой области ИцЦ, позволяюцая определить оптимальную длин; зы, при которой уровень г-р шума принимает наименьшее значен
В длинных р^пл"*" структурах из КП с ростов уровня иннекцш частотной зависимости спектральной плотности, г-р луна наряду общеизвестной квадратичной зависимость!) вогиолно формировали« ласти с более сильной частотной зависимостью. В инфекционных структурах из компенсированного лвухзарялкыми ГУ полупровояш на частотной, зависимости спектра г-р шума возможно ¿оршрова; двух характерных "плато" с последующими участками спада. Час перегибов зазисят от уровня инфекции а характеризует рекомби; ционные свойства ГУ. С изменением уровня инфекции частоты пе] гибов могут как расходиться, так и приближать ся, вплоть до П1 го слияния двух: "плато" в одно.
- б Исследование рлиятлтя- флуктуаций фононной полсисте&гы на туации взаамодействуыцего с ней электронного газа в однородн невырожденных полупроводниках п-типа показало, что вклад флу ций. фоноков в спектре флуктуаций электронов существенно связ. неупрутостьа ели квазиупругостьвэтих взаимодействий. 3 уело теплового, равновесия кди при,.чисто упругом характере электро: фононнкх взаимодействий СШ в ВЧ области совпадает с форглуло Найнвкста для теплового шума, а в НЧ области независимо от з ной структуры полупроводника получена формула, аналогичная э:
рической формуле Хуга. ....................
. - . Аптюбалия т>аботн» По. материалам диссертации опубликовано работы в одна монография.
- б -
Основные результаты работы доложены на: II Всесоюзной ваучно-снической конференции "Фотометркя н ее метрологическое обеспе-зие" (Москва, 157б)^ сове^ания "Проблема теории чувствительнос-
злентронвкх и электромеханических устройств и систем" {Взади-э,1976); годичной общем собрании отделение АН Армении Сжеван, 76); 1У Всесоюзной совещании по исследованию арсенгда галлия эмск»1£78); UL Всесоюзной совещании но теории, полупроводников 5клиси,1£78); II республиканской конференции по фогозлентрнчес-й явлениям в. лсцупровслннках (Одесса, IS82); 2-ой Всесоюзной нференпкк "ёлуетуалгоннке явления в физических системах" (Ввжь-= ,1932); XIII Всесоюзном совещании по теории полупроводников реван,1987); 4th.Conf.on IR Phys.EE (Zin-idl,IS83); 4th.ini. tum Meeting (Cbossewitz., IS9I); обсуздалксь на кафедре сетжки лупроводников и диэлектриков и в научной с сл едо ватель ской лабо-гории физики полупроводниковых материалов в ЕГУ, на сеуитгграх . Институте радиофизики и электроники HAH РА.
Структура диссертации. Диссертация изложена на 290 страницах екнодксяого текста, внлз^гая 7S рисунков, 2 таблиц с спгсог пнп:-е.\:ой литературы кз 254 наименований. диссертация состоит its ввг-ния, пяти глав и заключения. Сведения об инекскхся в лигерату-с-:ся предмета диссертации, рассматривается непс-
. Г-1 р fTlQ-3
CX^PÄAOIIE PADGTK
Во введении обоснована актуальность Teis диссертации, c^opiy-рована ее цель, характеризован обаее состояние проблемы, нау-:-я нозкана к практическая ценность подученных результат-os, дрпве-ны основные научные пояснения, вынесенные на защиту, изложено аткое содержание лиссертацки.
В пеозой главе в дрейфовом приближен::;: рассмотрены прспессн нопрсхолдення и характер распределения НЭП в базе p~nnT дкодно!. руктуры, работаидей в pesaie ДИ к изготовленной на основе КП.
Для случая, когда кокпенскруэсая примесь создает однозарядны:", цептзрнкй ГУ, расположенной в верхней половине запрещенной зоны пупроволника, - иетолоы последовательных приближений решено даф-ренциальное уравнение токов, непрерывностей, квазинейтралъности "ювой области и баланса кинетических процессов через ГУ. 3 ре- 7 -
зультате для различных уровней инаекции, с использованием особенностей поведения, времени аизни неосновных носителей тока, получены распределения ЕЖ (участки ВАХ.). После обычного омического участка, ВАК огшсызается квадратичной зависимостью, следующее за ней областью ОДС S -типа и после срыва на ВЛХ - вторым квадратичным участком. Анализ показывает, что в такой структуре ОДС формируется из-за увеличения с ростом тона результирующей силы, дейстзугэкей на злектронно-лырочнуа плазму. Получены выражения для тока к напряжения срыва. -
Далее, рассматривается вопросы токопрохолдения в более сложных объектах - в инфекционных структурах на основе полупроводника, компенсированного примесью; созлазоыее лвухзарядные ГУ. Задача еае более усложняется, когда учитывается разогрев носителей тока в электрической поле. В расчетах учтены полевые зависимости подвижности lUj и сзчения захвата электронов на однократно отрицательно запяченный ГУ ъ ~ в следушем внле __? П __
. ; , (I)
....... ü и 0
где З-ындрягенность электрического поля, -£ и о - постоянные, зав! сяцке от свойств полупроводника и ГУ (для Si ( и с^ меньше единицы). Бадичие таких зависимостей в компенсированном Si , Ge и (JaA; лодтвералено многимз экспериментаторами. Получены два нелинейные дифференциальных уравнения для Е: одно - для области слабых ВЗД без привлечения палевых зависимостей (I), второе - для области сравнительно высоких НЭП с использованием зависимостей (I). Зк-кие уравнения получены впервые» Они могут быть использованы в ш роком диапазоне уровней ннгекции для селения задачи о токопрохоз дениа в инфекционных структурах с ДЕ, база которых содержит как однозарядные, так и двухзарядкые ГУ. Из обобщенного анализа как частные случаи получены не только известные результаты СП, но i ряд новых закономерностей на BáX структуры с зонной схемой, соде лзухзарядный ГУ. fía. основе вышеупомянутых уравнений в качестве примера проанализирована ВА2 длинной р+пп+ структуры, изготовленной ез n-GeAs<Fe>. Показано, что BáX таких структур имеет участок ОДС S -типа, обусловленный Т -шасянтамэм, а при определенных условиях на?ВА1 перед основным срывом мо^ет возникнуть сублинейная зависимость тока от напряжения. Анализ показал что на ВАК р~*"пп*" структуры из G¡aÁs<Fe> возмоано существование двух
-8-
участков срыва, причем напряжение первого растет с температурой. 06-наруаено хорошее согласие расчетных зависимостей до основного срыва с экспериментальными данными. На рис.1 представлена полная ВАХ р+ппч" структуры из 0аА5<Ре> при комнатной температуре. Сшюзная кривая - расчетная, точками приведены эксперимен тальные результаты согласно 1123 . Вторая глава диссертации посвящена исследованию электрофизических и фотозлевлрическпх свойств КЩ Ж диапазона. Вычислены распределение В5П в базовой области. 5АХ"при освещении (световая ВАХ), фоточувствитегьность, обналуги-?ельная способность с учетом спектральной зависимости интенсивное' :и излучения, коэффициент икгекционно'го усиления. Для рассмотре-
ло для низких урозней инфекции для трех разных случаев надразле-•ия падения Численные расчеты проведены конкретно для
' .^Г уз ^_S ''чA, • , - ~ случат, но^да нагтоазленхе -д-"*~ т^з^—
'сво2 £АХ, тскззой и вольтово;; фсточувстзительностай, обнаругл:-■ ель ной способности. КЗЗ, не меняет своего характера распределения, уменьшается с ростом интенсивности излучения. ВАХ при осзеще-ки остается квадратичной. Численные оценки показали, что сдект->алькая зависимость токовой Фоточувствительности {р^ инеег ярко ¡крсзенный максимум при длине волны А= 0,3 мкы- 5Ц растет с умень-
£¿:c}zsj!¿ прк^-0,3_ь£км и при Т=ЗС0 К и степени гомпенсагз:;: tú=0,S )*^=2.101^с1-1/Бт.сх/'2 при частоте w=I04 с"1, а присо^ТО6 с-х3)^ ,74. Ю^^см/Вт.с"^. С узел!:чениен тока D* резко палает, так как пльно увеличивается уровень думов. Сильное влияние кг D* сказы- _ ает и изменение степени компенсации ?Г0 . КозфЁипиент ингекционно-о усиления ц- больше единицы.
Для случая, когда направление падения излучения совпадает с
- 9 -
направлением канала тока, в расчетах учтен тот факт, что интенсивность излучения £ уменьшается по глубже базы по закону
£ «Гвехр(-«*) , (2)
где -интенсивность излучения на поверхности полупроводника, с«: кс.57гг.г:~1£Н? дог-деления, зс-ксордината. 3 этом случае при реденпп соответствующего уравнения для 3 получены аналитические выражения для 3', ЗЛХ и ведь тобой фоточувствительности Яу. Сравнительный анализ показал, что при тех ^е условиях
3 случае, когда направление паления излучения противоположно каналу тона, интенсивность излучения спалает по закону
£ = ^0ехрС-а(6-х)1 , (3)
где с!-длина, базы. Аналнз выражений идя НЭП К", световой БАХ и зсльтсвой фоточузстзительнсстн показал, что I, I
:ры 2ДЦ получается з случае, когда направление па-
трацин ксипенсируздгзс 17" по глубине базы на параметры эьсеукг
задних ЕЩД при уровнях ингекцид, когда на ЗАХ формируется квадрг
гнчная область. Дгинято, что
Ыд(х) «гехр(-ах) , (4а 1
КА^с) =^ех?(ах) , ^46)
где Nдт-концентра"~ кокпенсируззей примеси на поверхности полупроводника (при х=0), а-постоянная. Расчеты для те^хнозого н светового распределений ЕЛ и ВД5С, дия обнаружитель кон способности и фоточузствятедьности показали:
а)В случае распределения ГУ по закону (4а) распределение Н31 неннется, какеп:.гл.~ное значение "2 сдвигается с п+п контакта к рн контакту. Световая и теинозая ВАХ не ¿¿еняат своего характера, онх остаются квалратичннь£и. При Т=ЭОО К вольтовая светочувствительность йу дня Бт <Аср>. достигает гаксих^алького значения при «V. =0,3 дкь: и 5^^=424 3/Бтт а (здесь 5^-зольтовая фоточувст-витедьность при однородном распределении компенсирутссгих 1У).
б)3 случае распределения ГУ по закону (46) Н5П не пеняет свс его характера распределения, а еде более сосредоточивается у п+х контакта, растет ыакеш^альнае значение НЗП.
Далее, проведены расчеты НШ, ШХ и фоточувстзптальностн дзг
- 10 -
4, соответствующего зонной дгаграюз Sî<A^.>, при параболичес-« распределении кошгенеирушкг закону
NAU) = ММИ + 7 (5)
е К-параметр, характеризующий круткзну зависимости N^Ck), а -характерная координата. ЕЗП в базе ШЩ под влиянием излучения еыьоается к - начиная с некоторого значения интенсивности калуче-я i на зависимости Eù:) появляется четко БЫрдгенннк минимум,
Е,В/си | I-V=0; 2-х, =d/4; 3-х, =d/2,-4-х, =
0,2 0,4 0,6 0,8 x/d Рис.2
который угл^~бхяе?сл с ростов и сделается к тылозоьу п+п контакт? (см.рис.г). Область бвзк разделяется на три участка: левый зысокоонный, срелник нкзко-оыный к правый высокоомкзй.Если при однородной, ксзаенсации наиболее чувствительной является . область вблизи тылозого п+п кон-
_-:та t,pno.<i, кр._;, то теперь появляется
.р:-.2ы распрепеленпя ГУ. Слеловательнс, . основе неоднородного КП зозиожно осе
•п контактам. Зыбог
. J Г-
но;. компенса!
kol-_. енскрсванно го г п-<>'• -и^лучан:
:ст:::-п' р^пп" структура гходудрозоды:::
заряла в электрическое поле. С yqeToir спектральной зависимос -: i (Л) получены аналитические зырахенггя для Е, В АХ, фоточузствп-
г,-чае Kaiлного бсльпе есиницы, £ BAI остается сублинейно;:. «Цалег. -.счеты проведены как с учетов (2) и зависло сти сечения захвата Еектрсксз на однократно отрицательно заряженный центр от иктен-кзностк фотозозбукпхенйя, таг: и разогрева носителей тока в срав-ительно слабых электрических полях. Расчеты прозеденн для случа-з как однородного, так и при неоднородного распределений з базе
- II -
компенсирующих примесей. Во всех этих случаях получены ан тические выражения распределения НЗП, ВАХ, фоточузстзительнос и коэффициенты инаекциокного и "градиентного" усиления. Опред ны наиболее оптимальные рета работы И;ДД. Численные оценки у : веденные'для'случая И<2Д из n-S-i<Zn>, показали, что фоточузстз тельность ЙОД при неоинородкой компенсации более чем на поряд превышает чувствительность того же Щц при о.дкородной кошенс цин. Анализ коэффициента "градиентного" усиления показал, что молсет существенно превысить еяинигу и внести значительный вкл з общий коэффициент усиления.
С учетов: спектральных зависимостей квантовой эффективност
и сечения фотоионизации рассмотрено влияние примесного излуче
на характеристик! диодных структур с Дй из полупроводника, ко
па;т. zi акцепторнк^п ГУ (на примере n-$i<
Учет примесного излучения свсдлтся к замене "темкозкх" .статфа
тороз'Шоклп-Рпда на "световое". Впервые получены аналитически
выражения для предсрызнкх участков ВАХ таких примесных Й<5Д. П
зако, что наиболее чувствительным к примеског~у излучению явля
ся предсрывной квадратичный участок ЗАХ. При 300 К на длине в
ны Л - 2 мкм значение токовой Фоточг-эстзя^&лькости достигает 2
Т? Т/9
А/Вт, а обнаруамтельная способность 8,5Л01Лсм/Вт.с . У танозлено, что при слабых уровнях примесного излучения опреде мщуьз роль з работе ЩЦ играет двукратно отрицательно зарякенк ¿вровень Zn, чем и обусловлено появление одного пика фоточузса тельности и об нару^ т ель кой способности при Л- 2 мкм.
Неоднородное распределение компенсирующих примесных атоме суцественно влияет тавае на коэффициент усиления электронного потока в датчиках потока электронов средних энергий (40-60 кг Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными х ными, полученными нами для датчиков на основе диодных структз из n-5i<Zn>. В результате этих исследований предложен метол с дания датчиков потока электронов среднзгх энергий на основе к] ния, компенсированного неоднородно распределенными атомами Ц1 ка с коэффициентом внутреннего усиления $ и коэффициенте! усилешш электронного потока U . Полученные рекордно высо] значения £ и у объясняются тем, что в диоаных инфекционных с: турах с неоднородным распределением компенсирующих примесных
- 12 -
з создаются, как отмечено выше, благоприятные условия для осу-¡твления дополнительного "градиентного" механизма внутреннего :ления. наряд}" с механизмом иккекционного усиления.-------------------------------
Дяя учета особенностей, связанных с неоднородным распрепеле-эь; примесных атомов в инфекционных структурах из Ш, впервые глено понятие о механизме "градиентного" усилеш:я. Коэффициент задиентного" усиления определяется слелушим образок:
(6)
э Е0 (Е^) - НЭП при однородное распределении примесных ГУ в аноте (пол излучением), Ev (Е^) ~ НЭП при неоднородно:; распре-яенпп примесных ГУ в темноте (под излучением). Результаты расчета коэффициента "градиентного" усиления Цу лля случая. И<±Щ из п-5т<Аср при 300 К представлены на рис.3. Кривые построены для следующих распределений ГУ: I-по формуле (4а); 2-по формуле (46); 3-по фор].уле
_1_. м , Г^техрС-сцх), Оосо^ ,
О 0,5 */Ь I X), Х7.<Х<5 .
Рис.3. Здесь йт и -некоторые постояк-
н N• --концентров:;, аккептооов пои х=0 и х—а, соответст-но. Пои неоднородно;. ко^онсап:;: в огзе происходит лэре-^еделенпе НЭП оно сосредоточивается на наиболее вгсокоот.гно:. :астк базы. Чем больше НЭП, тем сильнее око копулируется под, ¡яки ем внешнего излучения, в результате чего растет Фоточувст— •ельность ИцЦ. Такое "градиентное" усиление Фотстока может кг--ь существенную роль и успешно монет быть использовано при соз-гии высокочувствительных твердотельных фотоумножителей. Обратим э'анне на универсальность механизма "градиентного" ус1:лек;:я,кс-мо^ет вносить существенный вклад в полное вкутрекее у силе-з не только в к датчиках потока электронов, а также зо все;: з^дотельных прнез.:ккках самого различного назначена.
В результате исследований предложен метод увеличения Фоточуз-зительностп к коэффициента инкекционного у с юления полупроводниках р+пп+ (р+рп+) ЩЦ и датчиков потока электронов средних эн-база которых содержит мелкие и компенсирующие их примес-
- 13 -
ше ГУ икеет длину, превышающую несколько диффузионных ддик о сковных зз сит елей тока. Указанный способ реализован на практ Созданы ззокочузствительные И£?Д и датчики потока электронов п-бт^п^Созданше Э-йЁД из п-5т<?п> были использованы в ряд случаев ИК радиометре, разработанной в №43 НАН РА для изм ния мадыгдотоков лучистой энергии СЗ]; при со г Дании усилител преобразсгтеля света 143; бистабильного устройства, полность - управляемо светом СБ ; оптронных пар из .ОаАь-сзетодиола и й ' Тоетн. глава диссертации посвящена исследованию импеданса р'ш"1* инггционных структур и И£Д из компенсированных двухзар ныли акц220ркы!ш ТУ под воздействием надого переменного сигн Рассмотрев зедется как для слабых электрических полей (учас квадратики зависимости ВАК), так и для уровней инфекции, ко начинаете:, слабы;! разогрев носителей тока (участок сублинейно зазис:п.;ссп ЗАХ). Для обоих; случаев в .дрейфовом приближении в лена -функгональная связь медду "волнами" переменных составлю концентргли элантрснов и дырок, игращад реиалцуа роль при у новдекии зшетическнх процессов и токопроходления. Получены т полные нззнейкые дифференциальные уравнения для переменной с тазляюцеШЗД. Решения этих уравнений- являются основой опреде кия иштеднеа: <1
Z = Я. +ЧХ = .
Здесь <} -ременная составляющая плотности полного тока. В слу слабых На, при низких уровнях инфекции, без учета полевых за * сиыостей Ю (на о&шческогл участке ВАХ), активное-сопротиЕлек ■ Я. оставазь положительным уменьшается с ростом частоты, а ре тивная чагь шшеданса X характеризуется емкостью, которая пр низких Чсготах стремится к геометрической емкости стрзостурк. улеренныхтровнях инфекции, при формировании квадратичного уч ка на ВАХД и X являются знакопеременными функциями от чаете На структсе формируется ДОС. Анализ показал, что Я , X и доб£ ность 0. езьно зависят от времени жизни неосновных носителей ка "Срз 07 уела пролета ф^и)!^) • При сравнительно больно: X р2 сопрсивлекие Я положительно и при низких частотах слабс висит от с. С увеличением частоты Я убывает, в области 0,5<( резко прсилит-через нудь и становится отрицательным. Формир} ся участсЕДрС. ХМ растущая функция до ^=0,5, в области 0,5
- 14 -
/¿-знакопеременные функции от ьо И, Ом
О-
2,4.10 1=1,8 мА
1-ф=0,6;£=С,3
2-(^=0,б;Е=0,25
0,24
¡рехолит на насыщение и имеет тенденцию к резкому спаду через мак-илум с изменение!.: знака. При слабых токах (-0,01 мА) и малых врезах аизни Тр2 (Ю~^-Ю~6с) значение индуктивности моает достичь больших значений (порядка 10 Генри и более). Добротность 0. и: большее х монотонно растет с частотой, слабо зависит от то: и монет достичь значений порядка 10-30.
При средних уровнях инфекции (область сублинейности на ВАХ) Я
В эток случае область ДОС сильно зависит от величин с^, и В, характеризующих полевые зависимости ип и С". С увеличением к £ резко увеличиваются относительная ширина участка ДОС, и ее глубина (рис.4). Возможно регулирование основных параметров ДОС в довольно широком интервале частот с помощью изменения постоянного сме-
шения через прибор. Чем сильнее выражена сублинейная зависимость на статической ВАХ, тем при более низких тока:: и более широкой ыол;-но получить область ДОС.
Реактивная составляющая импеданса представляет собой индуктивность. Она обусловлена инерционностью МОДУЛЯЦИИ ПрОВОДИМОСти базовой области инжектирован-Рис.4 ной плазмой, состоящей из нерав-
эвесных электронов и дырок. На рис.5 представлена частотная зави-шость реактивной части импеданса р^п"1" структуры из В-1^7п> при зовнях ишекцга:, соответствующей сублинейной зависимости на стамеской ВАХ. Сплошные кривые построены согласно расчетным фориу-ш при а=0,б I =-0,25, точками отмечены опытные данные для Бт з 151.
Далее рассмотрен фотоимпеданс ИЩЦ из полупроводника, компенси->ванного однозарядными ГУ. Зависимость "светового" активного соп->тивления в области слабых уровней излучения повторяет ход темно- 15 -
ю-2
ю-3
ГЬ, г
вого активного сопротивленн с той лишь разницей, что ши и глубина "светового ДОС ср гельно малы. Ширина и глуби "светового" ДОС уменьшается ростом тока через ЩЩ. При бызс уровнях излучения и бол токах реактивная часть фото педанса X характеризует е;.'
1-1=0,6 мА При сильных потоках излучен
2-1=1,2 мА сравнительно малых токах X
рактеризуется индуктивность
2 4 2 4 Т0~5 ^ но с ростом частоты меняет
Рис.5 ' * и носит емкостной характер,
явлена аналитическая связь фазового сдвига между переменными с тавлящими концентрации носителей тока и потоком излучения.
Четвертая глава диссертации посвящена теоретическому иссле ванию теплового, диффузионного и г-р шумов в инфекционных р+ш структурах п ШД на основе КП. Рассмотрение проведено дня там уровней инжекции, когда на статической ВАХ формируется квадра: ная зависимость. Анализ шумов проведен двумя методами: методо; "импедансных полей" и метолом Ланхевена. Во всех случаях опре. на СПШ по току (31.) или по напряжению (5У), выявлены их особе: ти в зависимости от параметров полупроводника и компенсирущи представлена, вероятная физическая картина происходящих в обье: КП, ответственных за особенности поведения СПШ, выявлены возм пути ее. уменьшения. Результаты численных расчетов удовлетвори но согласуются с энспериментальнцш! данными.
Метод расчета шумов "импедансных полей" распространен для числения шумов обьегдных приборов, изготовленных из Ш. Дня сл полупроводника с однозарядными ГУ, описывается формулой
Э ~ Б«-»--
где 5*, и Зуа -некоторые постоянные, не зависящие от частоты, время аизнй неосновных носителей тока. Результаты численных I тов СПШ с помощью метода "импедансных полей" для р'гпп+ струн: из п- Бт^т представлены-сплошной кривой на рис.6. Точками п] ставлены опыт1ше данные согласно работе С53. Расхождение ме™
- 16 -
т
10'
■19
-22
10
-25
10
г 28
5„
А2, с
10
1(Г РИС.6
Ю"
ю4
-Т
расчетной кривой и зкспери-ментальными-точками-при ни з -же частотах связано с тем, что в теоретических расчетах не учтено влияние НЧ 1/( шума При рассмотрении задачи з случае полупроводника,компенсированного однозарядными ГУ метолом Ланаевена,используются два подхода: за-
дача решается как с приме' адиабатического прим*)
неннем ближения
так и без него.
Получена полная система уравнений, позволяющая в дрейфово-диффу-зионном приближении решить задачу о г-р и диффузионных шумах в диодных структурах на основе КП. Из этой системы уравнений легко получаются известные в литературе простые частные случаи.Зпеозые сформулированы граничные условия, позволяющие вычислить г-р и диффузионные шумы единый путем. Получены аналитические заражения СПШ р^п"5" структур на основе компенсированного однозарядными акцепторная! ГУ с произвольной энергией активации. СПШ имеет следующий вид:
• V«"
где \ , 1с
№14 -^гЛа а") _
-соответственно напряжение, ток и нормировочная
(иОХ
(9)
плотность тока;м.-постоянные, зависящие от параметров КП; и Ъ2~некоторые характерные времена жизни, причем СПШ состо-
ит из тепловой (первый член з (9)) ц г-р (второй член в (9)) составляющих. Тепловой шум представляет собой сушу "чисто теплового" шума (4к1^) и дополнительного члена, который для случая Б -диодов намного меньше чем 4ку ^ При частотах и) « 1Д т 3., не зависит от частоты и описывает сумму чистого теплового шуг,?а и НЧ плато г-р шума, причем уровень теплового шума на несколько порядков меньше уровня НЧ плато г-р шума. При частотах ^ ~ 1/Х^ 5у(из) в основном определяется г-р членом и уменьшается
л»,- *^Под "адиабатическим приближением" подразумевается условие (N ^-концентрация одно1фатно отрицательно заряженных акцепторных центров).
с частотой. Спад Sv продолжается до частоты io "lAg» после чего СЕЛИ не зависит от» и характеризуется ВЧ плато (рис.7). Кривые соответствуют случаям:I- £>0=0,5; 2,2'-%=0,8; 3-S=I; 2'-<)а= 0,5 А/см2; 1*3-j>I А/см2; So-степень компенсации. Штрихпунктирной линией пока--зана уровень теплового шума при В0=Ю,5 и <ja=0,5 А/см2.
Расчеты, проведенные без использования "адиабатического приближения", приводят к появлению в выражении для
новых дополнительных членов. Частотную зависимость г-р шума удобно представить в виде - -
Sv Р= + [^(шГ^ЛХюТр)3] ' (I0)
При сравнении полученной зависимости с аналогичной зависимостью
(9) обнаруживаются интересные особенности:
1.B зависш.юсти ¿v(u>) возможно появление области с более крутым спадом причем эта область, характеризуемая параметром д = (1 (В-А)/А1 г'' , зависит как от тока через структуру, так и от параметров КП. В случае, когда д < i, область отсутствует. Вачиная с частоты u> =t~-L практически наблюдается монотонный спад
Если жеЬ>1, то в промежутке t ""ЧинТр^" возможно появление области с зависимостью Sv~Чем большее ,теы шире область иГ^. В случае, когда ГУ лежат близко к середине запрещенной зоны и Тп=Тр, возможна ситуация, когда область будет отсутство-
вать ..
2.При вычислении шума с использованием "адиабатического приближения" Svr~PL —const (см.формулу (9)). Из (10), как и следовало ожидать, получаем Svr~^
3.С перемещением ГУ к сере окне запрещенной зош полупроводника, СПШ увеличивается.
Далее, метопом Лакьсевека рассмотрены шумы з более слох ном- объекте "-"в инжёкщгачккх р^пп" структурах из полупроводника, кс5.гпгнс:гроз£нкого ' дзухзаряднкми ГУ. Получены пять основных уравнения, из решения которых мсмко определить S^ илиЭу . Они решены для случая р+лп"г структуры zz Si<Zn> з области уровней инфекции, когда на ВАХ формируются участки омической и кзад-Рлс.8 ратлчной зависимости. На р;;с.с
представлены результаты численных расчетов, а также экспериментальные кривые из l5J . Кривые 2>3 - расчетные, а I'+З'-опытные: Кривые- соответствует случаям:!, V , 1"-1=5.10"^А; 2,2' -1-3,5.1С~4А; 3, 3'-1=1,2. 3 области£>1С0-Гц имеет место удовлетворитель-
нее согласие расчетных и опытк;
Ti^lSrU
кривых. При £¿100 Гц эксперимек-кривые описызаатся зависимостью , где<х*1*1,3. Расхож-
дение :сс с расчетными кривы:.« очевидно, поскольку з расчета:: не рассмотрены НЧ ssyis. Нервы;'; излом на расчетных и экспериментальных кривых приt =300 Гц соответствует времени лизни
>>
• Ю"4с. Вто-
рой излом при]; =2,5.Ю°Гц, который проявляется с ростом уровня ян-зекции при переходе от омического участка к квадратичному - участку БАХ, соответствует времени б,5.10~°с. 3 области, где доминирует г-р ¡лун, (Ж по току в основном пропорциональна квадрату тока.
. Далее в условиях. "адиабатического приближения" рассмотрены шумы ИйЩ на основа полупроводника, компенсированного однократно заряженными ГУ. В расчетах прекебрегается флуктуациями числа фотонов з потоке излучения. Вычисление СПШ производится методом Ланне-вена в условиях дрейфового приближения и квазинейтральности базовой области 1Щ при уровнях инжекции, 'когда на ВйХ формируется квадратичная область. Впервые получены аналитические выранения для-полной СПШ' Зу ,'представлящей собой сумму диффузионных и г-р составляющих. При влиянии излучения из области собственного поглощения полупроводника в ней создаются дополнительные электрон-дыроч-
- 19 -
ные пары и концентрация носителей тока в разрешенных зонах растет, что сопровождается ростом их времени лизни. Такое характерное смещение буФ) в сторону более низких частот с ростом интенсивности излучения наблюдалось экспериментально в Б -диодах из 5т<7п>С1,5]. Баки проведен численный анализ Бу и показателя шума для случая ИЩД из б;<Ад> при 300 К. Дитеузионный шум состоит из чисто тепловой (4кТ^ при частоте) составляющей и дополнительной, зависящей от частоты "г-р подобной" составляющей, проявляющейся при частотах Г-р шум и "г-р подобная" составляющая диффузионно-
го пума имеют одинаковую природу и одинаковым образом реагируют на внешнее воздействие, Уровни г-р и "г-р подобного" шумов увеличиваются с ростом интенсивности излучения. Тепловая часть диффузионного шума уменьшается с ростом излучения. Спектральная плотность "г-р подобного" диффузионного шума монотонно спадает с ростом длины базы с!, а г-р шум достигает своего наименьшего значения в области с!=250-300 мкм (рис.9). На рис.9 представлена зависимость
8УГ-Р(с1) для ИЩД из $1 <А^> при
10
-о
Ю
,-7
1СГ8
300 К, =1,8 В, интенсивности
Кат: видно
излучения
из рисунка,' для конкретных 1КЩ • шязю подобрать определенные значения длины базы, при которых уровень г-р пука достигает своего наименьшего значения. Для дос-тилсенпя предела чувствительности, определяемого внешним излучением, необходимо уменьшить, показатель шума. Показатели диффузионного к г-р шумов Яд и й. р^ обратно пропорциональны интенсивности излучения Г, а в свою очередь N Рис.9 (К^-плотность потока фотонов, па-
даьщ;:,; на поверхность полупроводника). Увеличение времени еизни д^рок Тр I- плотности потока излучения долпно приводить к уменьпе-к Яг'_р.
Пятая глава диссертации посвящена теоретическому исследованию рол; злектрон-фононного взаимодействия на формирование НЧ 1/р чу-'
' - 20 -
I г з а (-ю-2;, см
ма в однородных и невырожденных полупроводниках п-типа. Для вычис лвния СПЫ по току нео_бходимо_опрвделить--ф5фье-составлящул_(|У1уктЗ' "ации тока, а для последней - поправка к функции распределения СФР электронов ^(к,^,4:). Для определения малых поправок к ФР электтэо-ноз и фононов + и | использованы кинетические уравнения Боль циана. Рассмотрены только те механизмы рассеяния, которые приводят к флуктуации среднего числа фононов. В качестве основного механиз ма электрон-фононного рассеяния рассматривается взаимодействие эл ектронов с акустическими фононами, осуществляющееся через потенциал деформации. Путем решения системы связанных уравнений Больц-мана для электронов и фононов получено уравнение для £ в предполо жении отсутствия градиента температуры и в пренебрежении диффузией электроноз. Дальнейшие расчеты проведены з условиях кзазиупру того приближения. В термически равновесных'условиях поправка к <ЁР фононов ^ не влияет на и, на флуктуации электронного тока. Сле■ довательно, в условиях как термического равновесия, так и пои уп-. ругости рассеяния з" исследуемом обьекте можно ожидать проявления только термического шума. Уравнение для £ решается методом последовательных приближений. В первом приближении получается £ = —^г + # |МСг(|,Г- э^из^ I"1]; у-^г-г^гЬ
где .^-решение в нулевом приолижении; и (о.)-времена релак-
сации -электроноз и фононоз; Г и С-лакжевеновскиё источники флукту-аций для электронов и фононов; '¿-некоторая известная функция от £ и 5-номер, фонснной ветви.. Далее, определив переменную составляющую электрического. тока К"3), получим аналитическое выражение для СПШ Бг в интегральной форме. В условиях как термического равновесия, так и упругости рассеяния электронов на акустических фононах СПШ токового шума описывается общеизвестной формулой Еайквиста
Э. = 4 к -Т Яе Ул (со^ , где Уп (и)) -адмитанс полупроводника.
Выражение для СПИ в НЧ области З^ получено отдельно как для случая полупроводника с параболической, так и с непараболической (модель Кейна) зонной структурой. Для полупроводника с параболической зонной структурой а а
1 а . I ,ГТу
а в случае закона диспепсии по Кейну
В (II) в (12) 4 -частота,Ц -полное число носителей тока
-г - Д
я] - -£¡1
I >ет
5 =■
С е 4 ^ (5 (гч)/2г)]
кгТ
Л-объем полупроводник, И =е<Т^> /тв-подвижность при определенном ¿-он механизме рассеяния, ц^^Цэр/^-лолввжность, обусловленная рассеянием электронов на акустических фононах; Г и В-табзглпрован-кые гаю^а и бетта функции; Зермя; т- и &-зависят от
ьгеханизмов рассеяния» В зависимости от механизмов рассеяния , ^ принимает различные значения в интервале от 0 до I. Постоянную можно представить через кояфсицнент }лта о^ :
Ы = КV ( и /ЦяГУ2 2. Ю-3С и /иас)2 .
тп-Х
10'
Рис.10
140-200 К и 250-330 К, отмеченные
Таким образом, СЕЕТ имеет как тепловую, так- и завксяцув от частоты НЧ (Б^ ) состазляииие. гогезт все основные особенности з;-гл:рпчес— кой формулы луга. Нами проведено обсуждение полученных результатов с учетом известных экспериментальных данных по НЧ пуму в кремнии. Температурная зависимость определяется через Ос, сУт ^ РЕС* 10 представлены температурные зависимости (У I: <ут- Здесь >-е для сравнен!^. приведены экспериментальные зависимости С< (Т) (кр.1, 2, 3) для трех образцов п-Бт при -£-=25 Гц £53. В температурных диапазонах ^ рисунке страховкой, расчетные
коизые хоропо описывают ход опытных зависимостей СХ(Т). Отметщ: так
же близость численных значений расчетных и опытных данных.
22 -
Пш: низ
I!
ких те;;ператур£х (140<Т<2С0 К) расчетные кривые сх(Т) и <*£(Т) рас-тут- су; гекьпекяеа- температуры.~ Т^гоё'созпадекпе расчетных и опытных кривых явно свидетельствует о "родственно,;" связи ме.гцу происхождением характерных изломов на опытно" зависимости ос(Т) и рассеяние:: электронов на акуст;г-:ес:-::1х ^ононах.
3 Ы 3 О Д Ы
• I. Предложена обобщенная теория прохождения тока з длинных р~пи~ Ср^рп"1*) диодных структура хз полупроводников, коьтгенсирс'-заыкых двухзарядныыи ГУ с учетом разогрева носителей тока з элек-тр;гчес:-:см поле. Получены полные нелинейные дифференциальные уравнения, оппсывашие распределение НЭП з базе таких структур. Репе-ния эт:£х уравнений охватывает :лпро:-::1й диапазон уровней инкекции: с - зх помощью иСлНО анализировать ЗАХ структур с Д. Полученные уравнения носят общий характер :х могут быть использованы не только для случал, когда ко^енс.труыпая примесь создает лзу^е-.^днь:.: центр, но и случая однозарядного центра. Из обойденного анализа, как частный случай получены не только известные из лптератуоы результаты, не и ряд новых закономерностей на ЗЛд структуры с Д1, содержащей двухзарядный центр.
2.На основе предложенной тэср;:::, в частности, развита теория ДИ в д-\ЗаА5<?5>. По.т/чен полны:. набор Б.-1Х в лирсксй области уровней ин^экцзп:. Ка ВАХ до срыва при прямом смещении, в частности, имеется участок сублинейности, возможно формирование двух участков ОДС Э-тпла. Напряжение первого срыва растет с температурой.
3.Акализ ЗАХ р^пп"1" структуры из полупроводника, компененрозан-ного прнмесьа, создащэл однозарядные ГУ в верхней пологнне запрещенной зоны, показал, что участок ОДС Э -типа в таком материале формируется из-за роста с током результируалей силы, деГг" на глзктронно-дырочнуз плазму со стороны дрейфовой соста электрического поля.
4.Рассматривается влияние неоднородного распределения компен-снру^ейлримесипо глубже база на электрофизические и фотоэлектрические характеристики Б -диодов и ЖЩ из КП. Впервые получены • аналитические выражения для ВАХ таких структур при освещении, фото чувствительности,- обнаруантедъной способности, коэффициента ин-гекцаонного усиления для случаев однородного а неоднородного рас- 23-
предедения концентрации компенсярухцей примеси, с учетом направления падаощего потока излучения н влияния на характеристики фо-топриемкиков зависимости сечения захвата электронов на ГУ от- интенсивности фотовозбугшення. Изучены условия, приводящие к повн-сеншз фотоэлектрического инъекционного усиления, фоточувствитель-ЕОСТИ Ж обкаруХЦТ&ЛЪЕОЙ способности этих структур. . . 5.Рассмотрено влиянке примесного освещения на характеристики диодов с дЕ кз полупроводника, компенсированного лвухзарялнши глубокими акцепторами. Установлено, что учнт примесного освещения сводится к замене "темновкх" статфакторов Еокли-Риса на "световые" - Получены выражения дня предсрывных участков ВАХ Й*Д из п-5п<.1п>. Выявлены спектральные зависимости "световых" статфакто-ров, тока е фоточувствительностк. Установлено, что участок квадратичной ВёХ более чувствителен к. примесному излучению, чем сле-дузх^ий за ним участок сублинейности. Максимальные значения фоточувствительности и обнаругителькой способности достигаются при длине вслны ~2 мкм.
6.Предложен метод создания высокочувствительных ЕК ИЩЦ на основе неоднородно компенсированного полупроводника с двумя чувствительными областями.
7.Предложен метод. создания датчиков потока электронов на основе неоднородно лелгоогакного 5т<2п> с коэсошпциентом гсиления
- Г- ' *
электронного потока . Установлено хорошее согласие расчетных данных с опытнкш:.
о.Псказанс, что при неоднородном распределении К01тгенснруг>-щей примеси максимум НЗЛ е базе молет изменить свае положение и сместиться к противоположному контакту. Установлено, что значение фоточувстЕКтальностк но^ет быть больце по сравнению с однородным распределением ГУ к при 300 К монет достичь значений 400 В/Зт.
2. Предложен новый механизм внутреннего усиления сигнала, связанная с неоднородные распределением примесных атомов в обьеме полупроводника. Выявлена основные особенности этого механизма. Установлено, что такой механизм "градиентного" усиления мелет приводить к сильному (но контролирующему) перераспределению' электрического поля в обьеме полупроводника и играть существенную .роль в таких полупроводниковых приборах, в которых основнне фжзи-
- 24 -
чеекие процессы обусловлены сбьемными эффектами." Предложен способ увеличения фоточувстзительностя и коэффициента Енутреннёго "усялё^ кил р~пп~ (р^ргЛ) ЩЦ ИК диапазона из КП. Указанный способ реали-зозан на практике. Созданы высокочувствительные И2Щ. и датчики потока злектрокоз из л-бк7п>.
10.Проведен теорет:гчесжк:1 анализ кал о сигналь пкх характеристик длинных р+пп+ структур из КП. Получены аналитические выражения активной и реактивной составляющих импеданса для участкоз БАХ до срыва. Доказано, что з случае но'шенсированного двухзарддныии 17 полупроводника з условиях разогрева носителей тока волна переменной составляющей концентрации неосновных носителей опережает по фазе волну основных носителей, что способствует формированию в та кой структуре области ¿ОС. Показано, что параметры ДОС сильно зависят от рабочей точки на статической ВАХ. Заявлены возможности регулирования параметров. ДОС з широком диапазоне частот с помощь» дзденекпл постоянного смещения на гго;-:бс~е и иасадетсоз ГУ. Реак-
гается такие S -лиолы использовать з качестве зысскодобрсткых, ус-
II.Рассчитан фотсимпеланс из полупроводника, компенсированного однозарядный:* Г7 з условиях непостоянства потека излучения. Получена аналитические выражения для "световых" составлявших полного импеданса при слабых потока:': излечения. Установлено, что "световая" активная составляющая импеданса имеет ДОС, глубина и ширина которого могут как увеличиться, так и уменьшаться с рос-' том постоянной составлявшей количества квантов.
Установлена аналитическая связь фазезоге сдвига между переменными составляющими концентраций электронов, дырок и лоте кем излучения.
. . Реактивная составляющая фотоимпеданса - знакопеременная функция от частоты и описывается как емкостью, так и индуктивностью. Возмозео регулировать параметры фото импеданса с помощьа постоянной составлявшей, потока излучения.
... -12.Распространен метод, расчета цушяз "лмпеланеннх полей" на случай вычисления внутренних щукоз обьемных приборов, изготовлен- 25 -
вых жз ВН. Получена интегральные выражения для СШП р+пп"*" са^укзур из полупроводников, компенсированных однозарядным» и двухзарадны- -с кг ГУ. Для случая, соответствующего двухзарянноху центру цинга в кремнии, проведен цякпгнттцз расчет СШ. В частотном диапазоне 1С?<и>< Ю4 расчетные кривые хорошо согласуется с известными опытными данными. .....
12.Ыетодом Ланжевека рассмотрены г-р и диффузионные кумы р+пп+ ннкекцИОНЕьас структур на основе. ГШ. Подучена- полная система уравнений, позволяющая в дрейфово-днффузионном приближении решгть задачу о г-р и диффузионных супах в диодных структурах на основе КН. Ез этой системы уравнений легко получается известные в литературе простые частные случаи. Сфор^-лированы граничные условия, позволяющие вычислить г-р и диффузионные ггумк единым путем.
В дрейфовом приближение подучены аналитические выражения для спектральных плотностей г-р к диффузионных щумов р^пл* структур на оснозе полупроводника, компенагрованного однозарядными рекомби-национныш: акцепторными центрами с произвольной енергией активации
"Показано, что отказ от "адиабатического приближения" пргзоднт к появлении новых, дополнительных участков на СШЕ с более сильными частотными зависимостями. Наличие этих участков сильно зависят как от уровня кнжекцки, так и от* параметров КП. Установлено также, что при расположении ГУ близко к середине запрещенной зоны по-лгпооЕОЛкика, возможна твансм'пыалия частотной зависимости г-т?
еуца от со-*1 е со -.
14.Подучены акадитичес!:ие выражения для спектральных плотностей г-р и диффузионных сумо в р~пп~г струхчур на основе компенспро-вакного двухзарядными рекомбикационными ТУ полупроводагка. Показано, что в зависимости от уровня икжекцим на частотной зависк-ыости спектральной плотности г-р пума могут иметь место два перегиба с соотзетствушими характернкмд частотаьш. Б зависимости от уровня инжекции при определенных соотношения:: между Бременами жизни е пролета носителей заряда возможны ситуации слияния двух точек перегиба е превращения частотной зависимости СШ с дзукя полками в зависимость с одной полкой. Выявлена функциональная связь "метлу переменными сурье составляющими концентрата: основных и неосновных носителей заряда, нмещийся фазовый сдвиг между которыми во многом ответственен за форшфования сложного характе-
• -26-
ра частотной зависимости СПШ. Показана общность -полученных ре------зультатов со случаем структуры с р-базой, компенсированной двух- .
зарядными донорами.
Показано удовлетворительное согласие опытных данных полученных для л-5т<£п>, и теоретически результатов.
15.Получены аналитиче скпе выражения для СШ5-ЙЩД, изготовленных из полупроводника, компенсированного примесью, создающей однозарядные ГУ с произвольной энергией активации, в условиях ■ однородного и постоянного потока излучения из области собственного поглощения полупроводника. Установлено, что с увеличением потока излучения частотная зависимость ШШ смещается в сторону более низких частот, уровень г-р хлума возрастает, а уровень диффузионного тума уменьшается. Такое поведение СИП при освещении качественно согласуется с известными опытными данными. Установлено, что для каадого конкретного случая КП имеется некоторая оптимальная длина базовой области ИФД, при которой спектральная
ченпй. Выявлены частотные, токовые и другие зависимости спектральной плотности светового г-р мума и коэффициента пума.
15.Доказана эквивалентность методов Данмевена и "импелаксных полей" при расчете лумсз р~пп~ и полосных: структур на основе ¡-О.
17.Развита модель фсрмн-рсзанпя: НЧ 1/$ пума на основе элект-рон-фононных ззаимопейстзий. йсслелозано влияние флуктуации фо-нонкой подсистемы на флуктуации ззаимсдейстзуишего с ней электронного газа в однородных и невырожденных полупроводниках. Установлено, что вклад флуктуации ¿снопов в спектре флуктуации электронов существенно связан с кеуггоугостьа или квазцупругостьз этих взаимодействий. 3 условиях теплового равновесия или при чисто упругом характере электрон-фононных взаимодействий СНГ в 34 области совпадает с формулой Еайквиста для теплового -ума.
18.Обнаружено, что спектральная плотность фшуктугций электронного тока в НЧ области как з случае параболической, так и непараболической зонной структуры может иметь особенности, характерные для НЧ шума. Установлено, что учет неупругости рассе- . яния электронов на акустических фоконах приводит к величинам показателя $ (5^ ), всегда меньше единищ.В рамках развитой теории максимальное значение ^ составляет 0,75.
- 27; -
. Цитируемая литература ,
1.Арутснян В.ЬиГекеращонно-рекомбинационные эффекты и двойная кекция в поЕупроволшшах/Ереван. гНзд.АН Арм.ССР.-1977.-322 С."
2. Hartnagel Е./Sei. Rep ort Co. EDA-EaO-75-G-038.-tIiiiversity of . ITercastle upon Tyiie.-1575. -
3.Нирзгбекян Э.Г.,Абрамян P.A., Aim кян З.Н.,Арутюнян В.Ы.,Свиокян Р.Г. .2&сокочувствительквй инфракрасный ралиометр//ДАН Арм.ССР.-I977.-T-64, Р5.-С.285-250.
4.Адалин З.Н. Друтанян В.Ы. Усилитель и преобразователь света/ Сб.:"Диэлектрики и полупроводники", Киев.: Вица школа.-1977.-PII.-С.103-107.
б.Адаиян З.Н. Экспериментальные и теоретические исследования электрофизических свойств чувствительных к свету s -диодов из крем-.кия, компенсированного цкнком/Днсс. канд. наук., Ереван. -I £75. -13ЭС
6. Lu.0 J. ,I»ove Т7.F.,Killer S.O. Eecperature dependence оi 1/i noise in Eilicon//J.Appl.Ph7E.-1S3c.-V.60,i:9.-P.3""'S6-31S3.
Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:
Х.Арутгнян В.Ы. ,Гаспарян S.B. К теории двойкой ингекции в компенсированный полупроводник/Сб.:"Диэлектрики и пол^ттрозодники".Вица школа. Киев.-Вып.6.-IS75.-C.65-72.
2.Арутанян В.Ы.,Буниатян В.З. ,Заросян А.Г. ,Гапарян 2.В. Влияние глубоких примесных розней на электрофизические параметры диодов Ганна, Енгекцконно-пролетных диодсе и S -фотоприемников инфракрасного диапазона/Препринт ЕР53 АН Ары. ССР. Ереван.-1975.-E2.-S5 С.
3.Гаспарян Q.3. Друтюнян В.Ы. -Влияние освещения Has -диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами,рас-
* положенными в верхней половине запрещенной зоны//Тезисы докла-
" дов к респ. совещании "Проблемы теории чувствительности электронных к электромеханических устройств и систем", 3-4 ивня, 1976. Владимир. Езд. ВПК.-1976.-С.62-63.
4.Арутанян В.К. ,Гаспарян В. Влияние освещения на,S -диоды, изготовленные из.кремния, компенсированного цинком//Иза.АН Арм.ССР. Физика.-1976.-T.XI, Ш.-С. 44S-457.
5. Арутанян В.Ы. ,Гаспарян Ф. В. Xapairr ери с тики высокочувствительных
- 28 -
приемников ближнего инфракрасного диапазона, изготовленных из
.. - полупроводников. с. инаегциснноЛ„ ддаз1гой//Тезиса „ докладов. 2тОй_____
3 с е с о ¿i з. научн с - т е хнич. к о нф. ** 5с т с м е тр: íh и ее метрологическое обеспечение". М. :1£75. Лзд.Зс£ЗШ.-1975.-С.175.
o^ju^ . «..-.а . - it//. - i. Л-J__, . - О . -Leo .
7. Zar-uty-myan 7,С-агре^гтап J.Т. Irrped=r:ce oí p^nrT" s^ucr^ss
cen-rres//Knys.Ste^.Solidi.—~ 372.—Т.ЛЭ-!-,1Т2.-?.757-2С'!. З.Арутднян 3.II. ,Гаспарян 5.3. К теории двойной нндекд;с: з QaAs , компенсированном- железсмУ/Тегнсн докладов 17 Зсесодз.созед.по исследованию арсенида ггдлия, 19-21 сент. ,1973.: Тонек.: Изд. Томского университета.-127с.-С.75-
.—, ,.É У* 2.V —. w - « ."".-Д. . . « í » • V ^ • — О • / О- wW •
2£2/7Нзз.АЕ Арм. ССР.Физика.-I960.-Т.Х7,Ж.-С.274-279.
characteristics cí p^rr." structures, cased or: semiconductors, ccirperLsated Ъу double iend-ed acceptor's csn-tr-esZ/Zlectron 2eeh—
дионндх фотолпоиах/Хезнск докладов II Всэсовз.созец.по глубоким уровням з полупрезелннках, 22-24 зкт. .Таднент. гИзд.ТздГУ.-IS80.-C.14.
-.Гаспарян- 5.3. двойная инхекцпя в структурах из QaAs < Ре>//Jfcao-
"дсй. иауч.работнин Ж7.Естест.науки.-1981.-^2(34).-C.7S-89. э.Адамян З.Н. ,Арутзжян В.-Ы. ,Г^.спарян З.В. ^зогнительность 5 -фотодиодов при наличии градиента концентрации глубоких цент- 29 -
ров/ЛЯП.-IS8I.-Т15,Р10.-С. I879-I6S2.
Хб.Арутанян B.il. ,Г&спарян ф.В. ,Меднокян C.B. Еумы в инфекционных '
— - - фотодиодах из полупроводника, компенсированного глубокими
- - .V центрами//Тезк сы докладов И^респубд.конф-.по -фютоздеЕтричэс-
кик явлениям в полупроводниках. Сект. ,1982, Одесса. :Наукова Думка. Киев.-1SÔ2.-C.25-26.
Г7.Гаспарян й.В. Еумы в структурах с двойной инъекцией из компенсированных полупрозсдкиков//Ыэлолой науч.работник ЕГУ.Ес-тест.науки. -ISS2. -Е2 (36). -С. II9-I25.
16.Арут*.нян В.М. ,Адамян З.Е.,Азарян Ы.Г» ,Барсегяы Р.С., Гаспарян■ w.B. ,Ыелкокян C.B. .¡¿хитарян 3.0. ,Сайдапез Ж.Е. йлуктуационные явления в S -диодах из компенсированного кремния//Тезисы док- • ладов 2-ой Всесовз.конф. "^лз—туацпокные явления в физических системах",26-2S сент.,1582, Вильнюс. :Езл.Вильнюсского универ-ситета.-1933.-С.1&4-156..
19.Агут£НЯН В.Ы. ,Гаспарян £.В. ,Ызлкокяк С.З. К теории думов р^пп"^ етт^-кт^р из компенсированных полутгоовоцнпкоз//Ученые записки ¿ГУ. -1933. —FS (153). -С.55-61.
20.Авакян К.В.,Адамяк 2.Н. ,Арутаняк В.М. ,Гаспарян £.3. Датчики петого. электронов на основе р"гппт" структур из кремния, ком-пенсстоваыкого Ц1снксм//3лбктр0н.тех:~л:ка. Серия 2. Пслупрэзод. Цр::б сры. -1 £55. -'¿3 ( 175 ). -С. 10-17.
батичэсксго приближения" при расчете ыумовб -лкодоз//Изз.АН
ПТ-; гГ п rzs г\ 07Т_ОТ~
22.zar7utvun;.-cn 7.Г.. Z.I?. »ber-segr-jEr. ?.. S. ,С-апрсл?~аг: Г.T.,
A^brvar LI. H., £e~erd; iar. Б.С . .LSrhitheryBr: Z.H., ils lî: or "sr. S.T. Phenomena in silicon photodiodes doped т.-ith Zn Ex.d S//T^-red rh7E,-15£fc.-V.2c,lI5.— ?.2c7-272.
"£З.Арут^нлн 3.LL ,Гасларяк Ш.В. ,-Мелкокян C.B. Шумы ь структурах с двойной инфекцией из полупроводника, компенсированного однозарядными глубокими центрах^//Радиотехника и электронна. -1987*.-Т. 32, Р2 .-С. 416-425.
24.Ыелкокян С.В, ,Гаспарян &.В. Еумы инфекционного фотодиода на оенэзе полупрозоднкка, компенсированного однократно заряженными глубокими цейтрамк//0кзккг. Ыегзузовсккй сб.науч.трудов Вып.7. Неравновесные процессы в полупрозодшгках. Езд.ЕГУ,
~ ' - зо -
Ерезан.-IS87.-С.23-56.
25.Гаспарян Ф.З.Градпентное усиление ~ в" Ил фото:фие1п--:иках//Тезисн докладов XIII Всесоюз.совед.по теор»га полуггрсзодн., 10-12 но-.ябрн.1987. Ерезан. :Изд.ЕГ7, Ереван.-1987.-С. 37".
20.Арутанян В.М.,Гаспарян Ф.З. ,Мелконян C.B. К теории низкочастотного шупа в полупрозоднинах//Тезисн докладов XIII Всзсоюз. ссзед.ло теории полупрозодн.,10-12 ноября,IS87. Ереван.: Изд. . ЕГУ, Зреван.г1967.-С.25.
27.Лги-yiл--яг. 7.М. 7.7. ."ellionyan. Z.T. Сп где -heory о? 1/i reise in "tlie niddle and iar infrared phc~cde~;ac"ror3//?roc. 4th Int.Coni.on 13. Phys.SSH,. Zurich, Switzerland, August 2226, 19SS.-P.2S2-284»
28.Лт-угту an 7.1i., Gasparjan P.7.,lielhonyan S.V. Iheory of 1/£ noise in'nedinn and far infrared pho~od°tectors//In:£rared Phys. 19S9.-7.29,22-4.-?.243-250-
£9.Гасларян ¿.Б., Ала:З.Н. ,Арут.-:нлн З.М. Кре:г-~:евге жстсгтрием-
ЗС.Аваклк K.3. »Арутжнлк 3.iL ,Гаспарян 5.3. ».Чаруыян 3.S. Авт.сзид. CGC? £1650895 с приоритетом 1987г. Предметны:: столик электронного мнкрсокопа. 22.12.1990.
iron —по э зоэс—г®- and —— д р—.
rin-г in sanicanducisr -echnolc^;-. 3edes~ ' 3'« ?ro:. oi ~he -th In-.Au.tnnn Meeting heia in Chcsse?rit3, near Äenkiurt (Oder), Germany. October 13-19, 1991.' Zd.M.Süttlsr and H.Riehter// Solid State Phenosena.-I9919&20.-P.535-5-0.
22.Арутанян B.M. ,Адамян 3.H.,Гаспарян 5.3.,Мелконян C.B. Исследование пумоз р~гпп~ структур из полупроводника, хсмпенс:грованного дзухзарядннми акцепторами//Изв.ВУЗ-оз. Ралио'.1язигг.-199Т.-Т. 34, PII-12.-С. I22n-I2c6.
33.Гаспарян £.3.,Агасарян Г.Г. Новый механизм внутреннего усиления в зп-зекционных фотодиодах из компенсированного полупроводника/ /ДАН Армении.-IS93.-I. 34,К.-С. 2S-5Ô.
ИЕФПФйЧЪГ UobtiaJ-jnunLpjnL*Uji Ъ4(1р4шЬ t ЦпкГвЬЪиодфаЬ liJiuDÍar^npr^^libptig cjcra-eus^Qb Ьр1{1|Пг^1ГсЛф fi\idbl|g[ibjni{ l{annLgl|uibрЪЬр^ ившсфЦ 11 q(VbcaTJib uljalj Amtpiaqphpfi, «тгап^ЬЦораЬшЪ nttfbqHgiTeAi к ЪЬр|фЪ «¡ajtfni.li^ibpji пиипиГ— IDU^PITEJIIQ, Influaiмг^прт^пиГ gcbpiaÖaJjEJj^ i/Ç er^ínLli^bp^ áíit;i{npila\¡ .npbntiT tLhlinpnV—3¡n\in\íoj^lj фп1ивс1г1*19пи? J"^1 I^Pb pogw^ejniTolígí
11пв£{-.Ъ q^JunuT UennLgtjb^ t Ьр1{ЦпгцГш\ф Jrtítfbligbnli 5пиш\фЪЬр|1 O^iq— юЪршд^шЬ iabuni.pjni.li ^гнГ^ЬЪиад^шЬ orjnp—
¿Ji¿^bpfi ЧигГшр, прЬд çbr.LtT ЬЪ tîji 2D?E! "»mjEi^ji abutal^iali II фпрйЪсЦвЛ ер— уп1_Ъ{з"иЬр; !; ЬрЦЦпг^ивЛф [i\icbl{gtinli ^пипЪс>ЪЬр[| ir.btrnjJïjnLljn
^qAs^Fö^— bs 4Eaapour.1ltab ЬрЬшр lic¡nnLgi|ohg\ibp[i iojnpï
Îîpljpnpq ftLnLi-n Mbr>lîab t ^Ьрп^ЬгJ^L t|ps!
[шг. puium diu и {i"licf bl{gjin\i 5,nan£i'Ur¿ni.\j£i¿'UbpJi Snnnt^ ЫрвршЦсЛ» rndh^ugiTcAi, ^qEjliriLpjoili, ÎKjaîicpbpnrlnLsusî'lni.Pjcili Ii £(.bUcpr.VijbpJi ínugji c45?¿^bpnLií ^felpnpnVübpji ínug^ nLábr^agiTuilj impgbph ctupqcipti.'W'EAjp: Ршда^с^пх^Ь^ ЬЪ Snnnt;].bl;npBiI'u\¡ riLiíb^Eigubu, î^kllcîpn'iAibpfi ínugf} nnfbrticJL¡\i, qqc.j\;nL — ¡jeAi к ísjn\iu¡pbpnrint."l;cVn[.p jui'ü mpdhg"übn¡i pcipápugiTisli cejiTtaVijbppîlina-
£ luqrEi'Vjc'jh "иЬп^ЬЪ пи!Ьпсгии.Ъ "Unp iTbbiuUfiqtT* свjiTcAtsiînpiîisb [JiuaScsinnq^n'-ir fjsnVnLpqKjJrtj cn.-niTl¡bpJi nAiiciTtzubn pin2füiTcnTn:
tppnpq c^;nLif ctigcîss b^ t tk'bi¡t.-pnVjLp£) ^ ÍJnnn¿1jbpJi t: n"üg bti-pa-jfiBMjbnj^ çnthn'pinba"ii 4par,_c:r^pp¿'übp¡i iT[i£k fenmb r.nLucjfiV jb-l1^^ ^Ьрп
и'З^иЬ uc-pbnnLi." piicaunbcAi гth'Lltt;JЬ,..iu'^{UJ"L, rthi.ru;qpnLrjcl ¿koiiínnuи:Ъ сг.п-) п ¡_l" L l[ óf tn-J lç.'c'. tpq'plicl'iA: quin £ кг-и bp q: EnLjc t r.p-Jb^, nr.
cjqqfiub ban.ni.ci(cib|;ï;fcp£î bcpbj_{i t ocncjqnpbb^ riptibu Linjni.^ k i!nuc:'Ugni[ il йвлшсjpucl; ñnиjnv' г b'jctîep'Jnr^ ¿Л/гичиЪр'Г^Ъ hЪг.nlUp'Jr. L. p jniu:
2nppnprt qi_b-n>tT 1,сЪдЬ!>ЬЪЬ. iTbpnr.h j-. JlA.1 i|pu; bann l c-J Ь ¡_ £ "ubpoh'u BqiTnLbljfcpfi icjifu'nlj гЛи^сЪрвгфиЬ r.bur.tRjolIí: Bu¡guiíii:jni[faL ^^ ta? iTntbl/b tJi dbbapnuL'[i YuJiuqbcsTcli r.LqJi'ubpp : SnLjg Í; cipdb^, nn er.jnLpjiilI: т.ЪИ !гпип[}ЪппиЪ^£[1 oqcHJcL bpl.^t;nni.pjni-Ъ, npji qfc:;gnLur qb'Ubpa^Jin'U—nhbriu-а^Ъшд^пЪ tr^tTnLL^bpp p\mnLÍjnLU ЬЪ IjtiiaqmqnLjli updbg;
2,b"bqbpnprt qi^nuT ^Bufmubn k ¿uij bpücb bfiuuítari npr¡¿[i ícjcp qon-qusgijb^ t l/p íaqtTnLbJi dkodnpiTuAi Ъпр urnqb^, np^li n\inpn2*b\i ¿nLqfi ^tT-qfipfili pB^aákfí pnLnp шпшЪаЪс^шпЦпьрjnv\jlibppí ДЬрйшисфОаЪЪЬр}i npn2 J{i£ratirajpnuiT l/ç B^tTni-lifi ucjbljmpmt {3mnupjw"li сЬишЬшЪ k шр—
r^jnL^g"ubpp рпйиршр ¿аЛт| íujiTQliljlinLU ЬЪ: ibpiTcjl^j 'Jailuoupml^nnLpJB'ü |t tibl{:npn\j—ЬпЪпЪ iJin^ciqqbgnLpjm^j EUDCqiaùaiti pÍJnLjfffi nbEjpnuT li[iuœio— rlnP1¿nLl,r ¿kmiinpünttT b\i iTJimjIi \ic¡jDÜ[iainJi £bpiTmjfi'ú ta\iTnLlíbbpQ:
- 32 - \Сг«а!Дч
