Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введете.

Глава I. Основные свойства электронно-дырочной плазмы в полупроводнике.

§1.1. Электронно-дырочная плазма (ЭДП), инжектированная в полупроводник.

§ 1.2. Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на двойную инжекцию

§ 1.3. Нарушение однородности распределения носителей в сильных электрических полях

§ 1.4. Контактные свойства полупроводников в сильных электрических полях.

Глава П. Методика эксперимента

§ 2.1. СВЧ методика разогрева носителей заряда

§ 2.2. Разогрев носителей заряда импульсным униполярным полем.

§ 2.3. Изготовление контактов.

Глава Ш. Влияние горячих неосновных носителей заряда на свойства полупроводниковых контактов

§ 3.1. Термоэдс на антизапорном контакте полупроводника с биполярной проводимостью.

§ 3.2. Экспериментальное изучение влияния неосновных носителей на свойства антизапорного контакта.

§ 3.3. Термоэдс горячих носителей заряда на п-р переходе в присутствии неосновных носителей.

§ 3.4. О механизме инжекции неосновных носителей заряда через антизапорный контакт

§ 3.5. Краткие выводы.

Глава 1У. Свойства горячей электронно-дырочной плазмы, инжектированной в полупроводник

§ 4.1. Особенности инжекции через п-р переход в сильных электрических полях.

§ 4.2. ВАХ при разогреве носителей заряда, инжектированных через п-р переход.

§ 4.3. Распределение электрических полей при двойной инжекции

§ 4.4. Распределение горячих неосновных носителей заряда в полупроводнике р-типа

§ 4.5. Распределение инжектированных носителей заряда в п-германии при высоком приложенном напряжении.

§ 4.6. Краткие выводы.

Актуальность темы. Свойства горячих носителей заряда в полупроводниках изучаются уже более тридцати лет. Однако, основное внимание при этом уделяется исследованию полупроводников с монополярной проводимостью. Именно такие исследования привели к появлению и внедрению в технику ряда принципиальных новых полупроводниковых приборов (диод Ганна [I] , лавинно-пролетный диод [2] , принципиально новые детекторы [3] высокочастотного излучения и т.д.). К настоящему времени свойства горячих носителей заряда обобщены в ряде обзоров [4] и монографий [5-10] .

Гораздо меньше внимания исследователи уделяют изучению горячих носителей в полупроводниках с биполярной проводимостью. Это, по-видимому, объясняется тем, что свойства таких полупроводников гораздо сложнее, так как в этом случае возникают две системы носителей, имеющие разную температуру, и связанные между собой электрическими силами. Наличие двух типов носителей заряда снижает устойчивость системы относительно проходящего по ней тока или приложенного напряжения, поскольку теперь неустойчивость системы в целом определяется не только неустойчивостью состояния каждой из подсистем носителей, но и неустойчивостью взаимодействия между ними [II-I2]. Кроме того становится возможным возникновение пространственных неоднородностей, не связанных с образованием объемного заряда [13]. Таким образом исследование горячей электронно-дырочной плазмы должно привести к более глубокому пониманию процессов взаимодействия носителей заряда между собой и с решеткой, а также к обнаружению новых эффектов, способных найти применение в новых технических приборах и устройствах.

В связи с этим целью настоящей работы явилось исследование электрических свойств горячей электронно-дырочной плазмы, полученной как с помощью фотовозбуждения, так и инжекцией через контакт, а также влияние на электрические свойства такой плазмы контактов и геометрической неоднородности образца.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые обнаружено, что в случае разогрева тянущим полем инжектированных в германий р-типа электронов на вольт-амперной характеристике появляется участок насыщения. В аналогичных условиях в германии п-типа насыщение отсутствует.

2. Впервые показано, что при разогреве электронно-дырочной плазмы тип контакта полупроводника может изменяться, то есть антизапорный контакт превращается в запорный и наоборот.

3. Насыщение инжекционной ВАХ в германии р-типа определяется превращением антизапорного контакта в запорный.

4. Впервые обнаружено, что распределение электронно-дырочной плазмы в полупроводнике при ее разогреве становится неоднородным. Возникают резкие градиенты концентрации на границе горячей и холодной областей.

5. При отсутствии геометрической неоднородности в образце резкие градиенты концентрации возникают в приконтактных областях, причем раньше всего у контакта,инжектирующего электроны.

Практическая ценность диссертационной работы состоит в том, что исследованные явления позволяют сформулировать требования к контактам для предотвращения нежелательных инжекционных явлений в сильных электрических полях. Кроме того, обнаруженное влияние света на возникновение инжекции позволяет создать фотоприемники, способные работать как фотореле, то есть резко уменьшать свое сопротивление при определенной, заранее заданной интенсивности света.

Содержание диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основное содержание диссертационной работы можно кратко сформулировать в виде следующих выводов:

1. В полупроводнике с биполярной проводимостью в том случае, когда неосновные носители имеют более высокую температуру, чем основные, при достаточно высокой температуре происходит изменение знала контактной разности потенциалов, то есть антизапорный контакт для дырок превращается в запорный.

2. Изменение знака контактной разности потенциалов на антизапорном контакте проявляется при разогреве с помощью СВЧ-поля в изменении знака термоэдс с ростом температуры носителей заряда.

3. При разогреве однонаправленными импульсами поля эффект изменения знака контактной разности потенциалов проявляется в изменении вида контактных явлений: на антизапорном контакте эксклюзия сменяется инжекцией.

4. В случае генерации неосновных носителей заряда светом при СВЧ-разогреве влияние их на контактную разность потенциалов можно рассматривать как фотоэдс горячих носителей заряда. Если неосновные носители имеют более высокую температуру, чем основные, то фотоэдс может быть больше, чем термоэдс основных носителей заряда (и для антизапорного и для запорного контактов).

5. Предложен механизм инжекции неосновных носителей заряда через антизапорный контакт, состоящий в том, что неосновные носители повышают свою температуру по обе стороны от контакта, и горячие неосновные носители из металла или вырожденного полупроводника инжектируются через барьер.

6. При разогреве инжектированных носителей заряда инжектирующим полем наблюдаются существенные различия в вольтам-перных характеристиках для германия п-типа и р-типа: а) наклон ВАХ круче для п-германия; б) ВАХ для р-германия насыщаются.

7. Изменение распределения инжектированных носителей в образце малы до тех пор пока в образце не появляются резкие градиенты температуры (температура изменяется на длине

8. Если образец состоит из двух частей с разными поперечными сечениями, то резкий градиент температуры возникает в узкой части образца вблизи границы узкой и широкой частей образца. В образце с постоянным сечением резкие градиенты температуры возникают у контактов.

9. Статические домены появляются при повышении приложенного напряжения сначала у контакта, инжектирующего электроны, а затем у контакта, инжектирующего дырки.

10. Насыщение инжекционного тока в р-германии определяется переворотом контактной разности потенциалов.

В заключение выражаю глубокую признательность руководителю работы Вейнгеру А.И. за постоянное внимание, проявленное им в ходе выполнения работы, обсуждение результатов и повседневную помощь. Хочется поблагодарить весь коллектив сотрудников лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках Ленинградского физико-технического института, деловая атмосфера которой благоприятно влияла на автора в течение всего времени выполнения этой работы.

1. Девинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С., Эффект Ганна.-М., Сов.радио, 1975. - 288 с.

2. Тагер А.С., Вольд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М., Сов.радио, 1968. - 4806 с.

3. Гечкаускас С.И., Мозалис И.Л., Пожела Р.К., Репшас К.К. Полупроводниковый детектор импульсной мощности СВЧ.- Авт. свидетельство М53679.

4. Ашмонтас С.П., Олекас Л.П. Исследование разогрева электронов СВЧ-электрическим полем и диодах Шоттки. Киев, Науко-ва думка, 1979. - 151 с.

5. Кэролл Дж. СВЧ генераторы на горячих электронах. М.,Мир, 1972. - 382 с.

6. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М., Мир, 1977. 562 с.

7. Арцимович Л.А. Элементарная физика плазмы. М., Атомиздат, 1969. - 179 с.

8. Тхорик Ю.А. Переходные процессы в импульсных полупроводниковых диодах. Киев, Техника, 1966. - 312 с.

9. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная неустойчивость в полупроводниках. М., Наука, 1972. - 414с.

10. Стиль М., Вюраль Б. Взаимодействие волн в плазме твердого тела. М., Атомиздат, 1973. - 265 с.

11. П.Вейнгер А.И.,Парицкий Л.Г.,Крамер Н.И.,Абдинов А.Ш. Исследование разогрева неосновных носителей тока в п-германии в условиях сильного электронно-дырочного взаимодействия. ФТП, 1971, т.5, вып.10, с.1969-1975.

12. Зильберман П.Е. Теоретическое исследование условий активности электронной плазмы в полупроводниках. Препринт ИРЕ АН СССР, № 14, М., 1974. - 16 с.

13. Карнер Б.С., Осипов В.В. Рассеяние электронно-дырочной плазмы при разогреве. ЖЭТФ, 1976, т.71, вып.4 (10), с.1542-1554.

14. Шишкин Г.Г. Плазма твердого тела в электронике (Обзор). М., Электроника, 1971, т.8, с.69-76.

15. Уэйо М. Физика плазмы и твердого тела. Зарубежная радиоэлектроника, 1968, т.4, с.92-108.

16. Ишимару С. Основные принципы физики плазмы. Пер. с англ. -М., Атомиздат, 1975. 223 с.

17. Пожела Р.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М., Наука, 1977. - 367 с.

18. Lampert М., Rose A. Volume-controlled two carrier currents in Dolids the injected plasma case. Phys.Rev., 121,1. И 1, pp.26-27, 1961.

19. Шокли Ш. Теория электронных полупроводников. М., Ш. 1953. 565 с.

20. Адирович Е.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов.радио,- 1978. 320 с.

21. Lampert M. Double injection in insulator, Phys. Rev., 1962, 12£, N 1, pp. 126-140.22. lampert A., Murray. Double injection in the Perfect Insulator: Further Analytic Results. J. of Appl. Phys., vol. 41» N 2, pp. 508-521.

22. Barron R. Effect of Diffusion on Double Injection in Se-miconditors. J. Appl. Phys., 1968, vol. 39, N 3, p.1436.

23. Лебедев A.A., Стафеев В.И., ТУчкевич B.M. Некоторые свойства диодов из германия с примесью золота. 2Ш>, 1956, т. 26, вып. 10, с. 2I3I-2I4I.

24. Tyler W.W. Injection Breakdown on Iron-Doped Germanium Diodes. Phys. Rev., vol. 96, U 1, pp. 226-227, 1954.

25. Стафеев В.И. Модуляция длины диффузионного смещения, как новый принцип действия полупроводниковых приборов. ФТТ, 1959, т. I, Я 6, с. 841-852.

26. Стафеев В.К. s -диодовая электроника на полуизоляторах. М., Радиотехника, 1971, т. 26, № 10, с. 5-12.

27. Стафеев В.И. Некоторые проблемы микроэлектроники. В кн.: Микроэлектроника (под ред. Лукина В.Ф.). М., Сов. радио, 1967, с. 5-30.

28. Стафеев В.И. Новые методы полупроводниковой СВЧ электроники в кн.: М., Мир, 1968, с. 5-13.

29. Shockley W. The theory of p-n junction in semiconductors and p-n junctions transistors. Bell. Sust, Tech. J., 1949, N 28, H 2, pp. 435-489.

30. Конуэдл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильныхэлектрических полях. М., 1970,- 384 с.

31. Conwell Е.М. High Field Mobility in Germanium with Impurity scattering Dominant. Phys.Rev.,v.90, К 5,p.769-772.33. prohlich H. Paran Tape. B.Y. Proc. Phys. Soc., B. 69, 21, 1956*

32. Ryder E.J., Rose I.M., Kleinman D.A. Electron Multiplication in Germanium at low Temperature. Phys. Rev., 1954, vol. 95, N 5, PP. 1342-1343.

33. Cornell E.M., Zucker X. Thermoelectric effect of hot carrier. J. Appl. Phys., 1965, vol. 36, N 7, P. 2192.

34. Gunn J.B. In book: Progress in Semicontuctors ed. Gibson A.?., vol. 2, p. 213, New York, 1957.

35. Добровольский B.H., Павлюк С.Д., Тарасенко Л.И. Инжекцион-ный ток в полупроводниках с градиентами подвижностей электронов и дырок. ФТП, 1977, т. XI, вып. I, с. 144-152.

36. Грибников З.С. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода в пределах больших токов. М., Радиотехника и электроника, 1964, т. 9, № I, с. I63-I7I.

37. Грибников З.С., Митин В.В. Объемная ЭДС на неоднородности в многодоменном полупроводнике. ФТП, 1970, т. 4, № 12, с. 2232-2235.

38. Добровольский В.Н., Павлюк С.П. Дрейф электронно-дырочной плазмы обусловленный градиентами подвижностей носителей заряда. ФТП, 1977, т. И, вып. 7, с. 1377-1380.

39. Акопян А.А., Грибников З.С. Инжекционные явления в структурах с омическим контактом при слабом разогреве носителей тока. ФТИ, 1975, т. 9, № 8, с. 1485-1493.

40. Akopyan A.A. and. Gribnikov Z.S. Double injection for Weak Heating of Current Carriers. Solide-State Electronics, 1976, vol. 19, pp. 41-46, Pergamon Press.

41. Добровольский B.H. Двойная инжекция электронов и дырок в полупроводник с градиентами подвижностей носителей заряда. УФ1Д977, т.22, №2, с.298-305

42. Вейнгер а.И., Иванов В.г., Парицкий Л.г., рыбкин о.м. Экс-клюзия неравновесных горячих носителей в германии и кремнии. ФТП, 1969* т. 3, вып. 4, с. 560-565.

43. Роуз А. В кн.: Основы теории фотопроводимости. М., 1966.

44. Вейнгер а.И., Иванов В.г., Парицкий Л.г., рыбкин с.м. о рекомбинации горячих электронов в кремний с золотом. ФТП, 1968, т. 2, вып. 10, с. 1480-1483.

45. Ashley K.L. and Milnes A.G. Double injection in Deep-lying Impurity Semiconductors. J. Appl. Phys., vol. 35» К 2, p. 369-374, 1964.

46. Bonch-Brouevich Y.L., Landsberg E.G. Recombination Mechanisms. Phys. St. Sol., vol. 29, pp. 9-43, 1968.

47. Кальвенас С.П., Пожела Ю.К. Даршелюнас И.В. т Верооцкас А.П. Баравикас В.В. Разогрев носителей тока и их рекомбинацияна поверхности германия в сильных электрических полях. -Лит. физ. сб., 1965, т. 5, № 4, с. 529-541.

48. Kazan M.S., Kalashnikov S.G. and Zdanova U.G. Nonlinear

49. Electrical Effect and Recombination of the Electrons in Compensated Ge. Phys. St. Sol., v. 11, pp.415-427.

50. Ridley B.K. Pratt R.A. Hot Electrons and Negative Resistance at 20°C in n-Ge Containing Au Centers. J. Phys.Chem. Solids Per. Press., 1965, vol. 26, pp.21-31.

51. ЖДАНОВА Н.Г., Каган M.C., Калашников С. Г. Рекомбинация горячих электронов на отталкивающих примесных центрах в германии. ФТТ. 1966. т.8. в.З. с.774-778.

52. Курова И.А., Калашников С.Г. Об электрической неустойчивости в германии. ФТТ, 1963, т.5,вып.12,с.3224-2229

53. Носов Р.Г. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.,Наука,1968,- 351 с.

54. Ridley B.K. Specific negative Resistance in Solids. Proc. Phys. Soc., 1963, vol. 82, pp. 954-966.

55. Бонч-Бруевич В.JI., Коган Ш.М. К вопросу об образовании доменов в полупроводниках с отрицательным дифференциальным сопротивлением. ФТТ, 1965, т.7, вып.1, с.23-27.

56. M.Andre Barreaud. Ъе comportement de l'arsenide de galliun de haute resistivite a de champs ёlectriques intenses. Note. Acad^mie Des Sciences, 196З, vol. 256, N 17, pp.3632-3635.

57. Жданова Н.Г., Каган M.C., Калашников С.Г. Неустойчивостьтока и электрические домены в компенсированном германии. ФТТ. 1966. т.8. в.З. с.788-790.

58. Dobrovolskii V.N., Vinoslavskii M.N. High-Pi eld Domain in

59. Electron-Hole Plasma of Germanium. Phys. St. Sol. (a), 1974, vol. 24, pp.653-659.

60. Prior A.C. A Reserved Carrier Transport Effect in Germanium. Proc. Phys. Soc., 1960, vol. 76, pp. 465-480.

61. Грибников 3.C., Мельникова Ю.С. Однородный дрейф и диффузия носителей тока в собственной и инжектированной ЭДП в полупроводнике с малой одиночной неоднородностью. ФТТ, 1978, т. 12, вып. I, с. 129-133.

62. Dmitriev А.P., Stefanovish А.Е. and Tsendin L.D. Disconti-meites in Drift Solution Due to Reversal in Ambipolar Drift. Phys. St. Sol. (a), 1978, vol. 46, pp. 45-53.

63. Sablikov V.A. On the Theory of Injection current in Semiconductors with Deep Traps. Phys. St. Sol. (a), 1973, vol. 16, pp. 49-59.

64. Дмитриев А.П., Степанович А.Е., Цендин Д.Д. Образование скачка концентрации и электрического поля при двойной инжекции горячих носителей. ФТП, 1975, т. 9, вып. 7, с. 1358-1363.

65. Казаринов Р.Ф., Осипов В.В. Инжекционный пробой в длинном диоде. ФОЛ, 1969, т. 3, вып. 6, с. 810-814.

66. Саченко А.В. Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках с биполярным механизмом проводимости. -УФЖ, 1969, т. 14, вып. 5, с. 772-776.

67. Осипов В.В., Стафеев В.И. К теории длинных диодов с отрицательным сопротивлением. ФТП, 1967, т. I, вып. 12, с. 1795-1804.

68. Казарияов Р.Ф., Стафеев В.И., Сурис Р.А. Отрицательное дифференциальное сопротивление в германии с глубокими уровнями при инжекции неосновных носителей. ФТП, 1967, т. I, вып. 9, с. 1293-1300.

69. Кальвенас С.П., Пожела Ю.К. Рекомбинация горячих носителей тока в сильных электрических полях в германии в области собственной проводимости. Лит. физ. сб., 1963, J& 3-4,с. 413-418.

70. Кастальский А.А. Барьерно-диффузионная неустойчивость тока. ФТП, 1969, т. 3, вып. 6, с. II69-II73.

71. Асторов Ю.А., Кастальский А.А. Поверхностно-барьерная неустойчивость тока. ФТП, 1971, т. 5, вып. 7 с. I573-L579.

72. Лайдерман А.Ю. Влияние центров прилипания на токовые характеристики полупроводникового р-п-п+ диода. ФТП, 1959, т. 3, вып. 10, с. 1492-1505.

73. Gliksman М. and Steele М.С. Phys. Rev., 1958, JH1., N 5, p. 1204.

74. Пожела Ю.К. Термоэдс обусловленная разогреванием носителей тока. В сб.: Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. ИПАН Лит. ССР, 1969, с. 87-97.

75. Тауц Я. В кн.: Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1962. - 253 с.

76. Trousil Z. Proof of the Anomalous Thermal BMP on Germaniun. Czechosl. Journ. Phys., 1956, vol. 6, N 2, p. 170-172.

77. Touc Jan. Electronic Phenomena on Semiconductors with a Temperature Gradient. Czechosl. Journ. Phys., 1956, vol. 6, N 2, pp. 108-122.

78. Гречкаускас С.И., Пожела Ю.К., Репшао К.К. Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТЭ, вып. 55, Х968.

79. Вейнгер А.О., Парицкий A.1I., Акопян Э.А., Дэдамирзаев Г. Термоэдс горячих носителей тока на р-п переходе. ФТП, 1975, т. 9, Я 2, с. 216-224.

80. Ашмонтас С. Разогрев электронов неоднородным электрическим полем в Ge. Лит. физ. сб., 1976, т. ХУ1, В 3, с. 407-417.

81. Ашмонтас С.П. Исследование разогрева электронов неоднородным электрическим полем в германии. Лит. физ. сб., 1975, т. ХУ, № 5, с. 791-797.

82. Ашмонтас С.П., Репшао К.К. О биградиентной эдс горячих носителей тока. Лит. физ. сб., 1971, т. II, Л 2, с. 243*-246

83. Ашмонтас С.П., Дожела Ю.К., Репшас К.К. Явления возникновения ЭДС и ассиметрии электропроводности в однородном изотропном полупроводнике. Диплом на открытие № 185.

84. Барайкис В.А., Вайткевичутес И.Б., Пожела Ю.К. Флюктуации горячих носителей в германии. Лит. физ. сб., 1966, т. У1, гё 3, с. 437-444.

85. Денис В., Пожела Ю. Термоэдс обусловленный разогревом ноеителей тока. В кн.: Горячие электроны. Вильнюс, Изд. МИНТИС, 1971, - 289 с.

86. Пожела Ю.К., Репшас К.К. Термоэдс в полупроводниках обусловленная горячими носителями тока. Лит.физ.сб., 1966, т.У1, № 4, с.523-537.

87. Репшас К.К. 9 Пожела Ю.К. Термоэдс на горячих электронах и электропроводность германия в области квадратичной зависимости от электрического поля. Лит.физ.сб.,1964, Т.1У, № 4, с.485-490.

88. Рывкин С.М. К вопросу о механизме действия германиевых фотодиодов. ЖТФ, 1955, 25, вып.I, 21, с.21-28.

89. Акопян Э.А. , Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г. Фотоэдс горячих носителей тока на п-р переходе. ФТП, 1974, т.8, вып.4, с.754-759.

90. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М., Физматиздат, 1963. 494 с.

91. Вейнгер А.И., Саргсян М.П. О знаке термоэдс горячих носителей заряда на антизапорном контакте. ФТП, 1976, т.Ю, вып.10, с.1977-1979.

92. Банис Т.Я., Пожела Ю.К., Репшас К.К. Исследование постоянной электродвижущей силы, возникающей в полупроводнике в сильном переменном электрическом поле. Лит.физ.сб., 1966, т.У1, №3, с.415-425.

93. Гаврилов Р.А., Скворцов A.M. В кн.: Технология производства полупроводниковых приборов. Л., Энергия, 1968,с.240.

94. Тихонов Ю.И. В кн.: Технология изготовления германиевых и кремниевых диодов и триодов. Л., Энергия, 1964.

95. Hall R.N. Power Rectifiers and (Transistors. Proceeding of the I.R.E., vol. 40, N 11, pp. 1512-1519.

96. Hennig H.P. On the conduction Mechanism in the Instable Range of a Double Injection Diode. Phys. St. Sol. 29, pp. 167-169, 1968.

97. Ламперт M., Марк П. В кн.: Инжекционные токи в твердых телах. М., Мир, 1973.- 416 с.

98. Пикус Г.Е. В кн.: Основы теории полупроводниковых приборов. М., Наука, 1965. - 448 с.

99. Benedicks С. Tetziger Stand grundlegenden Kenntrisse der Thermoelektrizitat. Erg, Exact Haturwiss, 8, pp. 26-67, 1929.

100. Вейнгер А.И., Крамер Н.И., Парицкий Л.Г., Абдинов А.Ш. Возникновение термоэдс в однородном полупроводнике (явление Бенедикса) при разогреве носителей тока СВЧ-полем в германии. ФТП, 1972, вып.5 с. 915-920.

101. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Абдинов А.Ш., Дадамирзаев Г. Эффект Бенедикса при разогреве неравновесных носителей СВЧ-полем в Ge. ФТП, 1972, т. 6, В 7, с. 1354-1358.