Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ И ВИНТОВАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С БИПОЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОВОДНОСТЬЮ. ю

1.1. Особенности прохождения электрического тока через ограниченный полупроводник с биполярной анизотропной электропроводностью . II

1.2. Концентрационный эффект в анизотропно деформированных полупроводниках кубической сингонии

1.3. Магнитоконцентрационные эффекты в полупроводниках

1.4. Винтовая неустойчивость в электронно-дырочной плазме.

Со времени открытия транзисторного эффекта (1948 г.) изучение свойств электронно-дырочной плазмы в твердом теле традиционно является одним из основных направлений в физике и технике полупроводников. Среди разнообразных явлений, связанных с коллективными свойствами свободных электронов и дырок, биполярные диффузия и дрейф занимают особо выдающееся место, поскольку именно эти явления лежат в основе работы большинства полупроводниковых электронных приборов.

В подавляющем большинстве случаев, исследование явлений биполярного переноса в полупроводниках кубической сингонии обычно проводилось (и проводится) в приближении классической изотропии основных кинетических параметров (подвижностей и коэффициентов диффузии носителей тока), то есть без учета реальной зонной структуры конкретных полупроводников. Однако в рамках такого приближения невозможно понять и, тем более, разумно использовать некоторые важные особенности свойств электронно-дырочной плазмы, которые могут наблюдаться прежде всего в таких технически важных материалах, как германий и кремний. Эти особенности являются, в основном, следствием анизотропии макроскопической электропроводности, возникающей в указанных полупроводниках при приложении к ним .различных направленных возмущений, таких, например, как скрещенные электрическое и магнитное поля, упругие деформации, греющее электрическое поле и т.д. Поэтому исследование свойств электронно-дырочной плазмы при возникновении анизотропной проводимости в кристаллах кубической симметрии представляется важным и актуальным.

К началу выполнения данной работы основные эффекты (прежде всего - концентрационные), связанные с особенностями биполярных диффузии и дрейфа в ограниченных анизотропных полупроводниках, были хорошо известны (см., например, [Х-з] ). Достаточно подробно были они изучены и в кубических кристаллах, помещенных в скрещенные электрическое и магнитное поля, а также подвергнутых упругой анизотропной деформации [ 1,2 ] . Однако, эти эффекты практически совсем не изучались при других, отличных от указанных выше, способах создания искусственной анизотропии проводимости, и тем более никогда не анализировалось их влияние на плазменные явления в полупроводниках кубической симметрии. Исходя из этого и определялись цель и основные задачи диссертационной работы.

Прежде всего, предстояло исследовать анизотропные концентрационные эффекты (АКЭ) в многодолинных полупроводниках типа St и Ge в условиях, когда анизотропия электропроводности вызвана: а) различным влиянием магнитного поля на парциальные токи электронов из различных долин при приложении к кристаллу внешних электрического и магнитного полей; б) различным разогревом электронов разных долин внешним электрическим полем. В первом случае, АКЭ ранее совсем не изучался, а во втором - лишь однажды была предпринята попытка его экспериментального обнаружения [4] .

Затем предполагалось изучить влияние указанных АКЭ на винтовую неустойчивость электронно-дырочной плазмы, возникающую при помещении полупроводника в продольные электрическое и магнитное поля. Конечная цель этой части работы состояла в том, чтобы выяснить ранее неизвестную природу ориентационной зависимости явления винтовой неустойчивости в бе и St .

Кроме того, с целью поиска новых принципов полупроводниковой тензометрии планировалось изучение влияния на характеристики винтовой неустойчивости АКЭ, возникающего при одноосной деформации кристаллов Ge . Экспериментальное решение этих и некоторых других задач выполнено на образцах монокристаллического германия.

Научная новизна настоящей работы состоит в следующем:

1. Обнаружен и подробно исследован четный по магнитному полю магнитоконцентрационный эффект в многодолинных полупроводниках (ММКЭ). Эффект связан с различным замагничиванием электронов в разных долинах и сильно зависит от кристаллографической ориентации образцов.

2. При Т = 7? К исследован разогревный концентрационный эффект (РКЭ) в образцах бе со слабо- и сильно-инжектирующими контактами.

3. В образцах со слабоинжектирующими контактами при 77 в условиях хорошо развитого РКЭ обнаружена токовая неустойчивость.

4. Показано, что ориентационная зависимость характеристик винтовой неустойчивости в бе обусловлена влиянием ММКЭ в области негреющих электрических полей, а области греющих - ММКЭ, РКЭ и эффектом изменения скорости сноса винтовых возмущений, вызванным разогревом носителей.

5. Изучено влияние деформационного концентрационного эффекта (ДКЭ), возникающего при одноосной деформации образцов на характеристики винтовой неустойчивости и показано, что это влияние в первом приближении аналогично влиянию обычного МКЭ, возникающего при рассогласовании (перекосе) внешних электрического и магнитного полей.

Все перечисленные выше результаты (за исключением:эффекта изменения скорости сноса винтовых возмущений при разогреве носителей электрическим полем и одноосной деформации) получены впервые и выносятся на защиту.

Практическая ценность работы заключается в том, что: а) на основе исследований влияния ДКЭ на срыв осциллис-торных колебаний показана принципиальная возможность создания высокочувствительного порогового датчика давлений, управляемого магнитным полем; б) показано, что ЩКЭ может быть использован для исследования зонной структуры полупроводников, подобно эффекту обычного магнитосопротивления. В отличие от последнего, ММКЭ обладает более высокой чувствительностью; в) в многодолинных полупроводниках типа бе и St найден новый механизм генерации колебаний средних и высоких частот; г) на основе магнитоконцентрационного эффекта создан макет высокочувствительного датчика перемещений.

Основные результаты работы докладывались на Республиканской студенческой конференции (г. Одесса, 1982г.), У Всесоюзном симпозиуме "Плазма и неустойчивости в полупроводниках" (г.Вильнюс, 1983г.), конференциях молодых ученых Московского р-на г.Киева (1983-1985гг.), ежегодных научных собраниях ИП АН УССР (г.Киев, 1982-1983гг.), семинарах сектора полупроводниковой фотоэлектроники ИП АН УССР. .

Диссертация состоит из Введения, пяти глав, Приложения, Общих выводов и списка цитируемой литературы.

Основные результаты, полученные при выполнении настоящей работы, коротко можно сформулировать следующим образом:

I. Экспериментально обнаружен и подробно исследован на примере собственного Ge. новый вид четного магнитоконцентра-ционного эффекта в многодолинных полупроводниках кубической симметрии. Эффект принципиально связан с анизотропией электропроводности, возникающей вследствие различного влияния магнитного поля на парциальные токи электронов разных долин, и зависит от кристаллографической ориентации многодолинного полупроводника. Эффект исследован в двух ориентациях внешнего магнитного поля, при которых в полупроводнике с простыми энергетическими зонами магнитоконцентрационный эффект не возникает: а) Магнитное поле Н = ( AV, 0,0) параллельно приложенному электрическому полю Ех .

-V б) Магнитное поле Н = (0 0) перпендикулярно .

В случае а) удается лишь качественно наблюдать ММКЭ; количественное сравнение экспериментальных ВАХ с расчетом в широком диапазоне полей провести не удается из-за сильного побочного эффекта - винтовой неустойчивости. Для случая б) найдено удовлетворительное согласие теоретически расчитанных и экспериментально наблюдаемых ВАХ.

Z. Показано,, что с возникновением ММКЭ в продольных £ и И полях непосредственно связана сильная ориентационная зависимость характеристик винтовой неустойчивости в образцах, вырезанных из кристаллов Ge и St. .На примере бе детально изучено влияние ММКЭ на амплитуду колебаний потенциала, порог возбуждения, частоту и сопротивление осциллистора. С ММКЭ, в частности, связано нарушение азимутальной симметрии, приводящее к возникновению осциллисторных колебаний во внешней цепи (токовый осциллистор) при строгой параллельности внешних Е - и Н - полей в образцах произвольных кристаллографических ориентации.

3. При Т = 293 К методом, основанным на измерении углов срыва осциллисторных колебаний в образцах Ge различных кристаллографических ориентаций экспериментально найдены значения параметра анизотропии cl(h) для ММКЭ в широком диапазоне продольных электрического и магнитного полей; полученные значения ci(ti) хорошо согласуются с расчетом.

4. При Т = 77 К в образцах Ge со слабо- и сильноинжекти-рующими контактами обнаружена сильная ориентационная зависимость ВАХ в области электрических полей, приводящих к заметному разогреву электронов и появлению анизотропии их подвижностей. Указанная зависимость обусловлена развитием разогревного концентрационного эффекта в образцах, асимметрично ориентированных по отношению к главным кристаллографическим осям.

5. В случае образцов бе со слабоинжектирующими контактами при Т = 77 К в условиях хорошо развитого РКЭ обнаружена токовая неустойчивость.

6. Показано, что ориентационная зависимость характеристик винтовой неустойчивости в области греющих электрических полей помимо эффекта изменения скорости биполярного сноса винтовых возмущений обусловлена совместным влиянием ММКЭ и РКЭ.

7. Изучено влияние на характеристики винтовой неустойчивости деформационного концентрационного эффекта, возникающего при упругой одноосной деформации образцов бе и показано, что это влияние в первом приближении аналогично влиянию обычного МКЭ, возникающего при рассогласовании (перекосе) внешних электрического и магнитного полей.

8. На основе исследования влияния ДКЭ на срыв осциллис-торных колебаний показана принципиальная возможность создания высокочувствительного порогового тензосигнализатора с порогом срабатывания, регулируемым магнитным полем.

9. Создан макет позиционно-чувствительного датчика перемещений на основе магнитоконцентрационного эффекта.

Автор считает своим долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю доктору физ.-мат. наук ЖАДЬКО И.П. за предоставление темы диссертации и постоянное руководство при выполнении диссертационной работы.

Выражаю искреннюю благодарность заведующему отделом № 25 доктору физ.-мат. наук РОМАНОВУ В.А. за постоянное внимание и полезные дискуссии, а также за многочисленные расчеты, выполненные на ЭВМ для сопоставления экспериментальных результатов с теорией.

Благодарю канд.физ.-мат.наук СЕРДЕГУ Б.К. за ценные советы и помощь при выполнении экспериментов, доктора физ.-мат. наук БОЙКО И.И. за плодотворное сотрудничество, канд. физ.-мат. наук КОЗЛОВСКОГО С.И. за помощь в конструировании экспериментальной установки, а также всех сотрудников отдела анизотропных полупроводников № 25 и сектора фотоэлектроники ИП АН УССР и, в первую очередь, руководителя научного семинара проф. ШЕЙНКМА-НА М.К. за постоянный интерес и поддержку на протяжении всего периода выполнения данной работы.

1.Rashba Е.J., Romanov V.A., Boiko I.I., Zhadko I.P. Electrical pinch in electrically deformed germanium. - Phys.Status Solidi, 1966, 16, p.43-56.

2. Рашба Э.И. Особенности прохождения электрического тока через собственный анизотропный полупроводник. ФТТ, 1964, 6, стр. 3247-3250.

3. Бойко И.И., Романов В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводников с анизотропной проводимостью. -ФГП, 1977, t.II, № 5, стр. 817-833.

4. Варякоите А.П., Левитас И.С., Пожела Ю.К. Аномальное изменение электропроводности германия в сильных электрических полях в условиях поперечной анизотропии. Лит.физ. сборник, 1966, т.6, № 3, стр. 427-429.

5. Жадько И.П. Некоторые особенности электрических и фотоэлектрических свойств полупроводников с макроскопически анизотропной биполярной проводимостью. диссертация на соискание ученой степени канд.физ.- мат.наук, 1967, Киев.

6. Романов В.А. Биполярная диффузия и дрейф носителей тока в анизотропных полупроводниках. диссертация на соискание ученой степени доктора физ.- мат.наук, 1973, Киев.

7. Жадько И.П., Рашба Э.И., Романов В.А. и др. Анизотропия электрических и фотоэлектрических свойств Уп^ Se ФТТ, 1965, 7, № 6, стр. 1777-1782.

8. Жадько И.П., Романов В.А., Сердега Б.К., К)ров Ю.Г. О возможности использования особенностей биполярной анизотропной электропроводности для исследования термических дефектов в монокристаллах Cd S8 . УШ, 1974, 19, № 10, стр.1.82-1687.

9. Жадько И.П., Романов В.А., Сердега Б.К., Солончук Л.С. Маг-нитоконцентрационный эффект и электрический пинч в теллуре.-ФТП, 1975, 9, № 2, стр. 297-302.3D. Smith C.S. Piezoresistance effect in Ge and Si. Phys.Rev., 1954, v. 94, Ко.I,p.42-49.

10. Herring С. Transport properties of a many valley semiconductor. Bell Syst. Techn. Journal, 1955, v.54, p.237-297.

11. Herring C,f Vogt E. Transport and deformation-potential theory for many-valley semiconductors with anisotropic scattering. Phys.Rev., 1956, v.IDI, Ио.З» p. 94-4-961.

12. Morin F.J. et ale Temperature dependence of the piezoresis» tance of high-purity silicon and germanium. Phys.Rev., 1957, v.I05, No.2, p.525-539»

13. Ликус Г.Е., Вир Г.JI. Влияние деформации на энергетический спектр дырок в германии и кремнии. ФТТ, 1959, т.1, № II, стр. 1642-1658.

14. Пикус Г.Е., Вир Г.Л. Влияние деформации на электрические свойства дырочного германия и кремния. ФТТ, 1959, т.1, № 12, стр. I828-1840.

15. Вир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., Наука, 1972, стр. 583.

16. Мэзон У. Полупроводниковые преобразователи. В кн. "Физическая акустика" под ред. У.Мэзона; т.1, часть Б-М, Мир, 1967, стр. 139-186.

17. Терстон Р. Применение полупроводниковых преобразователей для измерения деформаций, ускорений, смещений. В кн. "Физическая акустика" под ред. У.Мэзона; т.1, часть Б-М, Мир, 1967, стр. 187-209.

18. PfannW.G., Thurston R.N. Semiconducting stress transducers utilizing the transverse and shear piezoresistance effects. J.Appl.Phys., 1961, v.32, p.2008-2)19.

19. Бойко И.И., Жадько И.П., Рашба Э.И., Романов В.А. Возникновение неравновесных носителей при прохождении тока через упруго деформированный германий. ФТТ, 1965, 7, стр. 2239-2242.

20. Romanov У.A., Zhadko I.P., Boiko I.I. Photoconductivity of anisotropically deformed intrinsic germanium. Phys. Status Solidi, 1966, v.17, p.389-396.

21. Boiko I.I., Zhadko I.P., Romanov V.A. Electrical pinch in intrinsic elastically bent germanium. Phys.Status Solidi, 1969, v.34, p.461-468.

22. Gribnikov Z.S., Lomova G.X., Romanov V.A. Injection of current carriers in anisotropic semiconductor plates and the magnitodiode effect. Phys.Status Solidi, 1968, v.28, Wo.2, p.815-825.

23. Gribnikov Z.S., Zhadko I.P., Romanov V.A., Serdega B.JC. Effect of bend on forward current of plate -shaped germanium diodes. Phys,Status Solidi, 1969, v.35, p.163-166.

24. Грибников 3.C., Романов В.А., Жадько И.П., Сердега Б.К. Тензодиодный эффект при изгибе длинных полупроводниковых диодов-пластин. УФЖ, 1970, т.15, № 2, стр. 303-317.

25. Жадько И.П., Романов В.А., Рашба Э.И., Бойко И.И. Тензо-электрические свойства собственного германия. ФТП, 1967, т.1, № 8, стр. II74-II77.

26. Жадько И.П., Михайленко И.В., Романов В.А. Полупроводниковые дистанционные манометры. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1981, № 34, стр. 71-75.

27. Романов В.А., Михайленко И.В., Святогор Л.В. и др. Полупроводниковый преобразователь давления и температуры. ПСУ, 1983, № 10, стр. 22-23.

28. Suhl Н., Shockley W. Concentrating holes and electrons by magnetic fields. Phys.Rev., 1949, v.75, p.I6I7-I6I8.

29. Welker H. Zur theorie der galvanomagnetischen effekte bei gemischen heitung. Z.Naturforsch., 1951» v.6a, p.184-191.

30. Weisshaar E., Welker H. Magnetische sperrschichten in germanium. Z. Katurforsch., 1955» v.8a, p.681-686.

31. Madelung 0., Tewordt L., Welker H. Zur theorie der magne-tischen sperrschict in halbleitern. Z. Baturforsch., 1955, v.IOa, p.476-488.

32. Дикус. Г.Е. Термо- и гальвано-магнитные эффекты в полупроводниках при учете изменения концентрации носителей тока. -ЖТФ, 1956, т.26, № I, стр. 22-50.

33. Ансельм А.И. Распределение концентрации носителей тока в образце полупроводника при эффекте Холла. ЖТФ, 1952, т.22, № 7, стр. II46-II53.

34. Левитас И.С., Пожела Ю.К. Исследование гальваномагниторе-комбинационного эффекта в германии. Лит.физ.сб., 1967, т.7, № 7, стр. 387-395.

35. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сащук А.П. Исследование кинетики гальваномагниторекомбинационного эффекта. ФТП, 1972, т.6, № 2, стр. 205-207.

36. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сащук А.П. Гальваномагнитореком-бинационный эффект в переменных электрических и магнитных полях. Лит.физ.сб., 1972, т.12, № 5, стр. 285 - 291.

37. Chovet A. Study of recombination process from the magneto-concentration effect. Phys.Status Solidi, 1975» A28,p.655-645.

38. Toda M. Direct observation of self-pinched plasma distribution in antimonide indium. Jap.Journ.Appl.Phys., 1965» v.2, p.467-470.

39. Бойко И.И., Малютенко В.К. Электрический пинч в полупроводниках с анизотропной биполярной проводимостью в случае бимолекулярной рекомбинации носителей тока. Невырожденный электронно-дырочный газ. УФЖ, 1969, 14, стр. 1447-1457.

40. Владимиров В.В., Черноусенко В.М. Поперечный магнитокон-центрационный эффект в полупроводниках при квадратичной объемной рекомбинации. ФТП, 1971, 5, стр. 685-688.

41. Fugisada Н. Effect of diffusion current on galvanomagnetic properties on thin intrinsic InSb at room temperature. ■»• J.Appl, Phys., 1974, v.45, p.3530-3540.

42. Бойко И.И. Четный гальваномагнитоконцентрационный эффект в полупроводниках с биполярной проводимостью. ФТП, 1977, т.II, № 7, стр. I266-1271.

43. Гуга К.Ю., Малютенко В.К. Четный магнитоконцентрационный эффект в ЪSi . Письма в ЖТФ, 1977, т.З, № 15, стр. 730-732.

44. Грибников З.С., Гуга К.Ю., Малозовский JQ.M., Малютенко В.К. Магнитоконцентрационные эффекты в несобственном полупроводнике с существенно различными подвижностями электронов и дырок. Письма в ЖЭТФ, 1979, 29, стр. 290-294.

45. Малютенко В.К., Гуга К.Ю., Малозовский Ю.М. Магнитоконцентрационный эффект в полупроводниках с несобственной проводимостью. ФТП, 1981, 15, стр. 250-257.

46. Стафеев В.И. Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов. ФТТ, 1959, I, стр. 841-847.

47. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитодиоды. ФТТ, 1961, 3, стр. 677-686.

48. Воробьев JI.E., Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Влияние магнитного поля на распределение носителей в толще магнитодиода.-ФТТ, 1963, т.5, стр. 982-993.

49. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Сборник "Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников", Наука, Новосибирск, 1967, стр. 49.

50. Стафеев В.И.,Каракушан Э.И. Магнитодиоды. Наука, М.Д975, 216 стр.

51. Рашба Э.И., Толпыго К.Б. Прямая вольтамперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах. -ЖТФ, 1956, 26, стр. I419-1427.

52. Ямада Т. Новый высокочувствительный эффект магнитосопротив-ления в полупроводниках. Матер. IX Международн. конф. по физике полупроводников, М., 1968, стр. 7II-7I4.

53. Сорокин О.В. Метод измерения объемного времени жизни и коэффициента диффузии носителей тока по измерению сопротивления полупроводников в магнитном поле. ЖТФ, 1957, 27, стр. 2774-2776.

54. Chovet A., Kamarinos G. Magnetoresistanse anormalepar effekt de surface dans les semiconducteurs. Response an frequence at duree vie effective des porteurs. - Rev.Phys. Appl•, 1971» v.6, p.345-354.

55. Плотников С.А., Стильбанс Л.С. Исследование влияния процессов рекомбинации на гальваномагнитные эффекты. ЖТФ, 1957, 27, № I, стр. 30-34.

56. Жадько И.П. 0 фотопроводимости ограниченного полупроводника в скрещенных электрическом и магнитном полях. УФЖ, 1967, 12, стр. I387-1390.

57. Kamarinos G., Chovet A. Effect de magnetoresistanse anormale Application an calcul des vitesses de recombinatson an surface. - C.R.Acad.Sci.,Paris, I970,270B, p.II63-H66.

58. Патент 2.736.858 /США/ Х.Велькер опубликовано 28.02.1956.

59. Boiko I.I., Malyutenko V.K., Liptuga A.I. Propagation in infrared radiation through an intrinsic semiconductor in the crossed electrical and magnetic fields. Infrared Phys., 1975, v. 15,. p. 143-148.

60. Левитас И.С., Минцерис Б.И., Харлушас З.П. Применение галь-ваномагниторекомбинационных элементов в измерительных средствах металлорежущих станков. Станки и инструменты, 1975,t.I, стр. 30-31.

61. Виленчикас И.И., Левитас И.С., Пожела Ю.К., Харлушас З.П. Исследования преобразователя статических перемещений, работающего на основе гальваномагниторекомбинационного эффекта. Станкостроение Литвы, т.Ш, Вильнюс, Минтис, 1971, стр. 221-226.

62. Денис В., Левитас И., Матуленис А. и др. под ред. проф. Пожела Ю.К. Полупроводниковые преобразователи. Вильнюс, "Мокслас", 1980, 174 стр.

63. Иванов Ю.Л., Рыбкин С.М. Возникновение колебаний тока в образцах германия, помещенных в электрическое и продольное магнитное поле. ЖТФ, 1958, 28, стр. 774-775.

64. Bok J., Veilex R. Semi-conductivite experiences d'electrons chaunds dans S"bln. Application a la realisation d'un oscillateur. - Сотр.Rend.Acad.Sci., 1959, v.248, N16,p. 2300-230 2.

65. Larrabee R., Steele M. The oscillistor<- new type of semiconductor oscillator. J.Appl.Phys., I960, v.31, No.9,p.1519-1523.

66. Gliksman M. Instabilities of cylindrical electron-hole current pinching in indium antimonide. Phys.Rev., 1961, v.124, p.1655-1664.

67. Кадомцев Б.Б. Конвенция плазмы положительного столба в магнитном поле. ЖГФ, 1961, т.31, № II, стр. 1273-1283.

68. Hurwitz С., McWhorter A. Growing helical density waves in semiconductor plasmas. Phys.Rev., 1964, v.134, p.I03I1050.

69. Владимиров B.B., Дубовой Л.В., Кондаков А.А. и др. Токово-конвективная неустойчивость в трубчатом слое электронно-дырочной плазмы. ЖЭТФ, 1972, т.62, № 2, стр. 578-583.

70. Anker-Johnson В. Hysteresis in stability condition of electron-hole plasma. Phys,Rev., 1964, v,334, p.1465-1473.

71. Владимиров B.B. Винтовая неустойчивость в электронно-дырочной плазме полупроводников. УФН, 1975, т.115, вып.1, стр. 73-99.

72. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. , М., 1977, Наука, 368 стр.

73. Владимиров В.В., Волков А.Ф., Мейлихов Е.З. Плазма полупроводников. М., 1979, Атомиздат, 254 стр.

74. Okamoto Р., Koike Т., Tosima S. Experimental evidence for helical instabilities in a semiconductor plasma. Journ. Phys.Soc.Japan., 1962, v.17, No.5, p.804-806.

75. ГУревич Л.Э., Иоффе И.В. О возникновении неустойчивости тока в полупроводниках. ФТТ, 1962, т.4, вып.10, стр.26412646.

76. Гуревич Л.Э., Иоффе И,В. Теория неустойчивости тока в полупроводниках и полуметаллах. ФТТ, 1963, т.5, вып.9, стр. 2674-2681.

77. Владимиров В.В. Магн1токонцентрац1йний ефект Суля I осци-л1стор. УФЖ, 1967, т.12, № II, стор. I794-I80I.

78. Викулин И.М., Люзе Л.Л., Цреснов В.А., Михачева Н.С. Возникновение токовых колебаний в осциллисторах. ФТП, 1967, т.1, № 10, стр. 1462-1465.

79. Люзе Л.Л., Бурлаков Р.Б. Влияние угла между электрическим и магнитным полями на колебания тока в осциллисторе. ФТТ, 1966, т.8, № 3, стр. 984-986.

80. Ципивка Ю.й., Караваев Г.Ф. Влияние малого поперечного магнитного поля на спиральные волны в плазме твердого тела. -ФТТ, 1968, т.10, № II, стр. 3406-341I.

81. Успенский Б.А., Викулин И.М. Влияние малого поперечного возмущения на спиральную неустойчивость в осциллисторе. ФТП, 1968, т.2, № 10, стр. 1436-1440.

82. Бондар В.М., Владимиров В.В., Кононенко Н.И. Влияние многодолинной структуры зоны проводимости на винтовую неустойчивость в электронно-дцрочной плазме кремния. ЖЭТФ, 1973, т.65, № 3, стр. 1093-1099.

83. Бондар В.М., Владимиров В.В., Кононенко Н.И., Щедрин А.И. Влияние одноосного сжатия и растяжения кристаллов на критерий возбуждения винтовой неустойчивости в электронно-дырочной плазме кремния и германия. ФТТ, 1975, т.17, № 2, стр. 445-448.

84. Бондар В.М., Владимиров В.В., Кононенко Н.И., Щедрин А.И. Влияние разогрева электронов на винтовую неустойчивость в многодолинных полупроводниках. ДАН СССР, 1975, 223, № 2, стр. 322-324.

85. Бондар В.М., Владимиров В.В., Доскоч В.П. и др. Влияние междолинного перезаселения электронов на частоту осциллисторав кремнии и германии. ЖЭТФ, 1975, 69, № 6, стр. 2187-2189.

86. Викулин И.М. и др. "Приборы на основе винтовой нестабильности в германии" "Полупроводниковые приборы и их применение". Сборник статей под ред. Федорова Я.А., Вып. 22, М., "Сов. радио", 1969, стр. 230.

87. Бондар В.М., Владимиров В.В., Доскоч В.П., Щедрин А.И. Тен-зодатчик на основе осциллисторного эффекта. - ПТЭ, 1981, №3, стр. 244-246.

88. Бондар В.М., Сидоренко Э.А., Яковлев В.В. Термометр на основе осциллисторного эффекта. ПТЭ, 1982, № 4, с. 229-230.

89. Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В. и др. Под ред. П.И.Баранского. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. Киев. "Наукова думка", 1977, 270 стр.

90. Baranski P.I., Baidakov V.V., Dakhovskii I.V. et al. Grabner effect quadratic with respect to the magnetic field in n-Ge. Phys.Status Solidi , 1975, B7I, p.ODI-K3D3.

91. Sasaki W, Shibuya M. Experimental evidence of the anisotro-py of hot electrons in n-type germanium. Journ. Phys. Soc.Japan., 1956, v.II, Ho.10, p.I202-I2D7.

92. Sasaki W., Shibuya M., Mizuguchi K?,, Anisotropy of hot electrons in n-type germanium. Journ.Phys.Soc.Japan., 1958, v. 13, Ho.5, p.456-460.

93. Митин В.В. Электрический пинч-эффект в многодолинных полупроводниках при разогреве электронов. ФТП, 1971, т.5,9, стр. 1729-1734.

94. Misawa Т. A possibility origin of а.с. current through oscillating cylindrical electron-hole plasma. Japan. J.Appl.Phys., 1962, v.I, p.67-69.

95. Грибников Г.С., Козловский С.И., Романов В.А. Дрейф собственных и инжектированных носителей тока в полупроводниках со сложной неоднородностью. ФТП, 1978, т.12, № 9, стр. 1794-1800.

96. Koenig S.H. et al. Effect of high pressure on some hot electron phenomena in n-type germanium. Phys.Rev., I960, Ho.5, p.1217-1221.

97. Аше M., Грибников 3.C., Митин В.В., Сарбей О.Г. Горячие электроны в многодолинных полупроводниках. Киев, "Науко-ва думка", 1982, 235 стр.

98. Даховский И.В. Анизотропное рассеяние электронов в GeuSC -ФТТ, 1963, т.5, № 8, стр. 2332-2338.

99. Kikuchi М., Abe Y. The "Sogicon" A new type of semiconductor oscillator. - J*Phys.Soc. Japan., 1962, v.17, p.881-882.

100. Kikuchi M., Abe Y. Observation of instability in semiconductors caused by heavily injected minority carriers.-Journ.Phys.Soc.Japan., 1962, v.17, p.1268-1280.

101. Kawauchi M.t Akiba Y., Kurosu T. Current oscillation ina semiconductor bar with partially narrow cross-section.-Appl.Phys. (Oyo Butiri) /in Japan/, 1985, v.52, Fo.8, p.705 (6I)-7II (69).

102. Yoshida S., Akiba Y., Kurosu Т., Kikuchi M. A Sogicon type instability in silicon. Appl.Phys.,1984, v.A55, Ho.5, p.145-149.