Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd x Hg1-x Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.19 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Получение эпитаксиальных слоев CdxHg^Te (KPT) методом химического осаждения из паров металло-органических соединений (литературный обзор).

1.1. Основные физико-химические свойства CdTe, HgTe и СйхН^хТе.

1.2. Методы получения эпитаксиальных слоев КРТ.

1.3. Получение эпитаксиальных слоев КРТ MOCVD-методом.

1.3.1. Общая характеристика и достигнутые результаты.

1.3.2. Подложки для эпитаксии КРТ.

1.3.3. Особенности выращивания буферных слоев теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия.

1.3.4. Низкотемпературный рост слоев КРТ.

1.3.5. Кинетика и механизм осаждения слоев CdTe и КРТ из паров металлоорганических соединений.

1.4. Термораспад алкильных соединений кадмия и теллура.

1.4.1. Взрывной режим распада.

1.4.2. Кинетика и механизм термораспада диметилкадмия и диэтилтеллура.

1.5. Постановка цели и задач работы.

Глава. 2. Исследование взрывного распада алкильных МОС в газовой фазе.

2.1. Расчет термохимических и термодинамических свойств алкильных МОС.

2.2. Исследование распада индивидуальных алкильных МОС в форме теплового взрыва.

2.2.1. Аппаратура и методика эксперимента.

2.2.2. Результаты и их обсуждение.

2.3. Влияние добавок на взрывной распад алкильных МОС.

2.3.1. Исследование влияния воздуха на взрывной распад диметилкадмия.

2.3.2. Влияние водорода на взрывной распад диметилкадмия.

2.3.3. Исследование взрывного распада смеси диметилкадмия с диэтилтеллуром.

2.4. Оценка возможности взрывного распада летучих алкильных МОС

2.5. Рекомендации по безопасной работе с алкильными МОС.

Глава 3. Исследование кинетики и механизма термораспада диметилкадмия и диэтилтеллура.

3.1. Гомогенный термораспад диметилкадмия.

3.1.1. Аппаратура и методика эксперимента.

3.1.2. Результаты и их обсуждение

3.2. Гомогенный термораспад диэтилтеллура.

3.3. Гомогенно-гетерогенный распад диметилкадмия.

3.4. Рекомендации по использованию в МОСУБ-процессах кинетических данных термораспада диметилкадмия и диэтилтеллура.

Глава 4. Получение МОСУБ-методом высококачественнных буферных слоев теллурида кадмия на подложках из сапфира и арсенида галлия.

4.1. Термодинамический анализ системы С£Ше2-ТеЕ12-Н2.

4.2. Аппаратура и методика исследований.

4.3. Определение состава газовой фазы в процессе осаждения слоев.

Исследование кинетических закономерностей роста слоев СйТе из паров диметилкадмия и диэтилтеллу-ра в потоке водорода.

Зависимость скорости роста от температуры. Зависимость скорости роста от парциального давления МОС и общего давления в реакторе. Механизм роста (Же.

Исследование состава слоев теллурида кадмия. Изменение концентрации макрокомпонентов по толщине слоев теллурида кадмия. Исследование примесного состава слоев теллурида кадмия.

Исследование влияния типа подложки, ее подготовки и условий осаждения на структурное совершенство слоев СсГГе.

Зависимость кристаллографической ориентации и морфологии поверхности эпитаксиальных слоев теллурида кадмия от' типа подложки и условий осаждения.

Зависимость структурного совершенства слоев теллурида кадмия от условий выращивания и их толщины.

Дифференциальный анализ кривых качания рентгеновской дифракции слоев теллурида кадмия. Влияние подготовки сапфировых подложек на кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев СйТе.

Зависимость совершенства кристаллической структуры слоев СсГГе от разориентации сапфировой подложки.

4.8. Исследование спектров низкотемпературной фотолюминесценции и электрофизических свойств слоев СсГГе.

4.8.1. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции эпитаксиальных слоев теллурида кадмия.

4.8.2. Влияние чистоты слоев Сс1Те на спектры фотолюминесценции.

4.8.3. Зависимость электрофизических свойств слоев СсГГе от типа подложки и условий выращивания.

Глава 5. Получение эпитаксиальных слоев Сс^Г^^Те на ар-сениде галлия методом химического осаждения из паров ртути и алкильных МОС кадмия и теллура.

5.1. Аппаратура и методика эксперимента.

5.2. Осаждение слоев СсГГе на подложках из СаАэ.

5.2.1. Кинетика осаждения и свойства слоев СсГГе.

5.2.2. Модель осаждения теллурида кадмия из диметилкад-мия и диэтилтеллура.

5.2.3. Обсуждение результатов осаждения слоев СйТе.

5.2.4. Выбор условий осаждения слоев СсЗТе в вертикальном реакторе.

5.3. Осаждение слоев теллурида ртути.

5.3.1. Влияние условий осаждения на скорость роста эпитаксиальных слоев теллурида ртути.

5.3.2. Влияние условий осаждения на свойства полученных слоев теллурида ртути.

5.3.3. Обсуждение результатов осаждения слоев теллурида ртути.

5.4. Осаждение эпитаксиальных слоев Сс^^^Те.

5.4.1. Выращивание слоев Сс1хН&хТе послойным методом.

5.4.2. Модель осаждения С^Нё! хТе.

- 6

5.4.3. Влияние температуры осаждения на свойства слоев

Cdx Hg-t хТе.

5.4.4. Исследование фоточувствительности слоев CdxHgj.xTe.

5.4.5. Обсуждение результатов по осаждению слоев

CdxHgi хТе.

5.5. Развитие методики получения гетероструктуры

CdxHgi хТе/ GaAs из паров МОС и ртути.

5.5.1. Влияние замены диэтилтеллура на диизопропилтеллур на рост слоев CdTe и HgTe.

5.5.2. Совершенствование методики получения слоев

CdxHgi хТе.

5.5.3. Исследование свойств слоев CdxHgixTe и обсуждение результатов.

Выводы

Актуальность темы.

ИК-фотоприемники обычно функционируют в диапазонах спектра 0,95-5-1,8; 2,1-2,4; 3-5 и 8-14 мкм, являющихся окнами прозрачности атмосферы [1].

Характерной особенностью элементарных и бинарных полупроводников, используемых для изготовления ИК-фотоприемников, является фиксированная величина ширины запрещенной зоны или энергии ионизации примесного уровня, определяющая максимум спектральной чувствительности прибора на его основе.

В отличие от них в системе CdTe-HgTe образуется непрерывный ряд твердых растворов CdxHg^xTe (KPT) . Изменяя состав, можно регулировать ширину запрещенной зоны КРТ от -0,3 эВ ( х=0) до 1,6 эВ ( х=1) и спектральный диапазон чувствительности от 1 до 20 мкм. Наибольший интерес представляет материал с х~0,2 для изготовления детекторов дальнего ИК-диапазона (8-14 мкм), а также среднего (3*5 мкм; х~0,3) и ближнего 2 мкм; х~0,5) ИК-диапазо-на, а КРТ с х~0,7 используется в волоконно-оптических линиях связи на длине волны 1,3 и 1,55 мкм.

Возможность получения на базе одного полупроводника фотоприемников с высокой чувствительностью и быстродействием в широком диапазоне спектра поставила КРТ в ряд важнейших для современной ИК-техники материалов.

До конца 70-х годов основным направлением в получении CdxHg^xTe оставалось выращивание объёмных кристаллов. Процессу присущи значительные технологические трудности, обусловленные склонностью расплава CdTe-HgTe к сегрегации и переохлаждению и высоким давлением паров ртути. Низкая производительность и малый выход годной продукции при получении объёмного материала, усложнение функций и конструкции фотоприемных устройств и необходи

- 8 мость понижения их стоимости стимулировали развитие методов выращивания эпитаксиальных слоев КРТ на различных подложках.

Основными методами выращивания эпитаксиальных слоев CdxHg!xTe в настоящее время являются жидкофазная (ЖФЭ) и моле-кулярно-лучевая (МЛЭ) эпитаксия , метод испарения - конденсации - диффузии (ИКД) и химическое осаждение из паров металлооргани-ческих соединений (M0CVD). В методах ЖФЭ и ИКД вследствие сравнительно высокой температуры роста имеются ограничения при выборе материала подложек, недостаточно резки гетерограницы в полученных структурах. Кроме того, в методе ЖФЭ возникают большие затруднения при получении поверхности с хорошей морфологией, а в методе ИКД - при уменьшении варизонности структур по глубине.

Преимуществами методов МЛЭ и M0CVD по сравнению с ЖФЭ и ИКД являются более низкая температура роста, возможность выращивания слоев на распространенных гетероподложках большой площади (кремний, арсенид галлия, лейкосапфир).Оба метода позволяют совмещать в одном цикле несколько операций: получение буферного слоя , расположенного между подложкой и пленкой КРТ, целевых слоев КРТ разного состава и типа проводимости, нанесение защитного покрытия. Уступая МЛЭ в возможностях мониторинга процесса роста, метод M0CVD более дешев и производителен, поэтому довольно быстро завоевал признание как один из наиболее перспективных для получения высококачественных слоев КРТ.

В материаловедении как массивных образцов, так и слоев КРТ основными проблемами являются:

- достижение высокой химической чистоты материала (<1 -10~6 ат.по лимитируемым примесям), поскольку принцип действия фотоприемников из КРТ основан на явлении собственного фотоэффекта;

- получение твердого раствора с четко фиксированным составом (неоднородность состава не должна превышать Дх=±0, 005 ), так как длина волны детектируемого излучения сильно зависит от со

- 9 держания основных компонентов;

- получение материала в виде структурно-совершенного монокристалла с минимальным "количеством собственных точечных дефектов ( они играют в КРТ очень значительную роль, определяя во многом его электрофизические характеристики).

В случае осаждения эпитаксиальных слоев КРТ добавляется еще одна существенная проблема - наличие высококачественных подло

UfOLT

В технологии объемного КРТ вышеперечисленные проблемы к середине 80-х годов, то есть началу настоящей работы, были решены. Методы получения эпитаксиальных слоев КРТ, особенно M0CVD, были развиты в заметно меньшей степени.

Анализ состояния MOCVD-метода показал на существование ряда научных проблем, недостаточная проработка которых сдерживала его развитие.

Несмотря на явную недостаточность научной проработки проблемы влияния чистоты исходных МОС на характеристики MOCVD-слоев КРТ, она в практическом плане была решена довольно быстро. Во всяком случае достаточный в то время уровень чистоты алкильных МОС кадмия и теллура был достигнут. Объясняется это тем, что летучие исходные МОС могут быть подвергнуты без сильных ограничений глубокой очистке такими высокоэффективными многоступенчатыми методами, как ректификация, кристаллизация, сорбция.

Анализ литературы показал, что при наличии исходных МОС с концентрацией лимитируемых примесей ниже 10"5 % на первое место в MOCVD-методе получения КРТ выходят следующие из вышеперечисленных проблем.Конкретизируя их с целью постановки задач перед собой, мы выделили несколько основных направлений работы. Среди них - исследование и разработка MOCVD-методики получения высококачественных подложек для эпитаксии КРТ; проблема понижения температуры роста слоев; разработка научных основ химических процес

- 10 сов, протекающих при MOCVD-осаждении КРТ. Решение этих задач можно отнести к развитию физико-химических основ метода.

Осаждение слоев проводят, как правило, с использованием элементарной ртути и алкильных соединений кадмия и теллура при температуре подложки 350-420°С [2-5]. Наиболее широко используемым материалом подложки при' выращивании эпитаксиальных слоев КРТ является теллурид кадмия. Однако, вследствие больших технологических трудностей получения совершенных монокристаллов CdTe большого размера и их высокой стоимости, для выращивания КРТ применяют подложки из альтернативных материалов - арсенида галлия, лейкосапфира и других, на которые наносится буферный слой CdTe.

MOCVD-метод осаждения буферных слоев CdTe на гетероподлож-ках был изучен недостаточно. В литературе имелись противоречивые данные по кинетике и механизму осаждения слоев, влиянию условий роста на свойства получаемых пленок. Это затрудняло воспроизводимое получение высококачественных подложек для последующего выращивания на них КРТ.

Понижение температуры роста КРТ благоприятно сказывается на его характеристиках и прежде всего на концентрации собственных точечных дефектов. В MOCVD-методе осаждения слоев КРТ температуру роста лимитирует скорость распада МОС теллура. Одним из простых способов снижения температуры роста является использование зоны прекрекинга МОС. Анализ показывает, что в литературе вопрос влияния зоны прекрекинга на закономерности роста и свойства слоев КРТ изучен крайне слабо. Детальное исследование этого вопроса может дать технологам простой и эффективный инструмент влияния на свойства осаждаемых слоев КРТ.

Стадия распада МОС является очень важной в MOCVD-процессе получения слоев КРТ. Однако кинетические данные по термораспаду алкильных соединений кадмия и теллура противоречивы, гомогенный

- И распад их практически не был изучен. Отсутствие надежных кинетических данных затрудняет оценку и использование моделей роста-слоев. Практически не изучена взрывоопасность летучих МОС, используемых в MOCVD-методе получения КРТ. При дальнейшем развитии метода и превращении его в коммерческую технологию обеспечение взрывобезопасности станет необходимостью".

С учетом вышеизложенного целью настоящей работы являлась разработка физико-химических основ MOCVD-метода осаждения КРТ и получение гетероэпитаксиальных слоев КРТ с характеристиками, приемлемыми для изготовления из них ИК-фотоприемников.

Для достижения указанной цели мы поставили перед собой следующие конкретные задачи:

- исследовать кинетику и механизм роста слоев (Же MOCVD-методом, установить связь условий осаждения со свойствами получаемых слоев, разработать методику получения высококачественных буферных слоев CdTe на гетероподложках;

- исследовать особенности процесса осаждения слоев КРТ из паров ртути и алкильных МОС кадмия и теллура в реакторе с'зоной прекрекинга; изучить влияние температуры зоны прекрекинга на закономерности роста и свойства слоев; разработать методику получения эпитаксиальных слоев КРТ со свойствами, приемлемыми для изготовления из них ИК-фотоприемников;

- исследовать кинетику и механизм термораспада исходных алкильных МОС кадмия и теллура;

- изучить условия возникновения взрывного режима распада паров МОС и их типичных газовых смесей; определить основные параметры, характеризующие их взрывоопасность; выработать рекомендации по обеспечению техники безопасности MOCVD-технологии КРТ.

Научная новизна.

Проведено комплексное исследование процесса химического осаждения гетерослоев теллурида кадмия из паров диметилкадмия

- 12

ДМК) и диэтилтеллура ( ДЭТ) на подложках из арсенида галлия и лейкосапфира. Установлено, что скорость роста и кажущаяся энергия активации процесса осаждения в кинетическом режиме зависят от соотношения исходных реагентов в газовой фазе и кристаллографической ориентации растущего слоя. Предложена модель гетерогенного осаждения слоев; объясняющая изменение кажущейся энергии активации роста сменой лимитирующей стадии. Модель качественно описывает экспериментальные результаты. Выявлена корреляция чистоты и спектров низкотемпературной фотолюминесценции получаемых слоев с чистотой исходных МОС. Оптимизированы условия предэпитаксиальной подготовки подложек и осаждения зеркально гладких высокочистых слоев CdTe с высоким структурным совершенством. Установлена связь электрофизических свойств слоев с условиями их осаждения.

Проведено комплексное исследование процесса осаждения гете-рослоев CdTe, HgTe и KPT из паров диметилкадмия, диэтилтеллура и ртути. Установлено существенное влияние предварительного нагрева реакционной смеси на скорость роста, кристаллическое совершенство и морфологию поверхности эпитаксиальных слоев, а также ориентацию слоя CdTe, растущего на подложке GaAs(lOO). Предложена модель осаждения, учитывающая изменение состава парогазовой смеси в процессе ее переноса от входа в реактор к подложке, позволяющая объяснить экспериментальные данные по влиянию условий осаждения на скорость роста и свойства эпитаксиальных слоев. Показана возможность послойного выращивания эпитаксиальных слоев CdxHgi-xTe из паров ДЭТ, ДМК и Hg при температуре подложки 350°С путем осаждения чередующихся слоев теллуридов кадмия и ртути при различной температуре зоны прекрекинга.

Впервые проведено систематическое исследование взрывоопас-ности летучих алкильных производных элементов II-VI групп Периодической системы. Тем самым заложены научные основы техники бе

- 13 зопасности при получении слоев из паров алкильных металлоорга-нических соединений.

Впервые изучен гомогенный термораспад диметилкадмия и диэ-тилтеллура методом ударных волн, исключающим влияние поверхности и вторичных реакций. Получены кинетические уравнения, описывающие процесс в широком диапазоне экспериментальных условий. Изу~ чен гомогенно-гетерогенный термораспад этих соединений в условиях, близких к используемым при эпитаксиальном росте слоев методом химического осаждением из газовой фазы. Предложены схемы протекающих при газофазном термораспаде диметилкадмия и диэтил-теллура реакций и оценен вклад различных факторов в суммарную константу скорости в условиях эпитаксиального осаждения (гомогенный, гетерогенный, влияние водорода и др.).

Практическая ценность.

Разработана методика получения на подложках из арсенида галлия и лейкосапфира слоев высокочистого теллурида кадмия (суммарное содержание примесей менее 2-10~4ат.%) с хорошей морфологией поверхности (высота неровностей <0,5 мкм), высокими кристаллическим совершенством (полуширина кривой качания рентгеновской дифракции 100-150 угл.сек) и электрофизическими характеристиками (удельное сопротивление >105 ом-см, п300= Ю10-Ю12 см-3, дп300= 400-700 см2/в-с, Мрзоо= 50-80 см2/в-с ), обеспечивающими их пригодность в качестве буфера при дальнейшем выращивании слоев КРТ и использование в оптоэлектронных приборах. Характеристики слоев находятся на уровне лучших образцов, описанных в литературе.

Создана автоматизированная установка для получения слоев КРТ из паров МОС и металлической ртути. Разработана методика выращивания эпитаксиальных слоев C^Hg^xTe путем послойного осаждения CdTe и HgTe. Методика позволяет получать материал n-типа с концентрацией и подвижностью носителей заряда п77=(1-3)■1015

- 14 см-3 и jn77 = (4-17) ■ 104 см2/в-с .полушириной кривой качания рентгеновской дифракции 2-4 угл.мин и неоднородностью состава Дх=' 0,005. Характеристики слоев находятся на уровне хороших образцов, описанных в литературе.

Установленные в работе условия возникновения взрывного режима термораспада индивидуальных алкильных МОС, их смесей с воздухом, водородом и друг с другом, найденные количественные характеристики такого процесса, выработанные рекомендации по технике безопасности являются важными при проектировании установок и разработке методик синтеза, очистки и практического применения этих соединений.

Предложены уравнения для вычисления константы скорости гомо генного термораспада диметилкадмия и диэтилтеллура, справедливые для обычно используемых в MOCVD-процессах условий.

Кинетические характеристики термораспада диметилкадмия и диэтилтеллура могут быть использованы в качестве справочных данных.

На защиту выносятся:

- кинетические закономерности и механизм осаждения эпитак-сиальных слоев теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия и лейкосапфира; влияние на скорость роста и свойства слоев условий осаждения (температура, величина и соотношение потокой реагентов, кристаллографическая ориентация подложки, чистота исходных МОС и др.); условия предэпитаксиальной подготовки подложек из сапфира;

- результаты исследования влияния предварительного нагрева смеси исходных МОС на скорость роста, кристаллическое совершенство и морфологию поверхности слоев CdTe, HgTe и КРТ; модель осаждения слоев, учитывающая изменение состава парогазовой смеси в процессе ее переноса от входа в реактор к подложке;

- условия возникновения взрывного режима термораспада паров

- 15 индивидуальных алкильных МОС, их смесей с воздухом, водородом и друг с другом; характеристики процесса распространения пламени -взрывного распада этих горючих систем; прогноз возможности протекания распада алкильных МОС во взрывном режиме; рекомендации по технике взрывобезопасности при работе с алкильными МОС элементов II-VI групп Периодической системы;

- выражения для расчета константы скорости реакции гомогенного и гомогенно-гетерогенного термораспада диметилкадмия и диэ-тилтеллура; механизм гомогенного распада этих соединений;

- методика получения гетероэпитаксиальных слоев CdTe с параметрами на уровне лучших образцов, описанных в литературе;

- аппаратура и методика получения эпитаксиальных слоев КРТ на подложках из арсенида галлия методом послойного осаждения чередующихся слоев CdTe и HgTe из паров ртути и МОС при меняющейся и постоянной температуре зоны прекрекинга, позволяющие выращивать слои с параметрами, приемлемыми для изготовления из них ИК-фотоприемников.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на V и VI Всесоюзном совещании по применению МОС для получения неорганических покрытий и материалов (Горький, 1987 г. Н.Новгород, 1991 г.), на VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (Горький, 1988 г.), на VII Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Ужгород, 1988 г.), на V всесоюзной школе "Физико-химические основы электронного материаловедения" (Иркутск, 1988 г.), на XIV Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (Ташкент, 1989 г.), III Всесоюзной конференции по физике и технологии полупроводниковых тонких пленок (Иваново-Франковск, 1990 г.), Международном симпозиуме по материалам для высоких технологий "MASHTEC 90" (Дрезден 1990 г.), 2-ой европейской конференции по передовым ма

- 16 териалам и процессам "EUR0MAT-91" (Кембридж, 1991 г.), 14 научно-техническом совещании по фотоэлектрическим полупроводниковым и тепловым приемникам излучения (Москва, 1~991 г), IX и X конференции по химии высокочистых веществ (Н.Новгород, 1992 и 1995 г.г.), I Российской конференции по физике полупроводников (Н. Новгород/ 1993г.), на VHI научно-технической конференции по химии, физике и технологии халькогенидов и халькогалогенидов (Ужгород, 1994 г.), конференции "Высокочистые вещества и материалы для ИК-оптики" (Н.Новгород, 1997 г.), 15 научно-технической конференции по фотоэлектронике, электронным и ионно-плазменным технологиям (Москва, 1998 г.) , городском семинаре по химии высокочистых веществ (Горький, Н.Новгород 1986-1999 г.г.).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 46 сообщений в отечественной и зарубежной научной печати

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы. Работа изложена на 335 страницах машинописного текста, включая 89 рисунков, 42 таблицы и библиографию из 389 наименований.

Основные результаты и выводы.

1. Решена важная научно-практическая задача - разработаны физико-химические основы метода получения слоев КРТ химическим осаждением из паров ртути и алкильных МОС кадмия и теллура. Выявленные закономерности ростовых процессов послужили основой методики воспроизводимого получения гетероэпитаксиальных слоев КРТ со свойствами, приемлемыми для изготовления из них ИК-фотоприем~ ников.

2. Впервые изучены условия возникновения и основные параметры процесса распространения пламени взрывного распада 14 индивидуальных алкильных производных элементов II—VI групп Периодической системы, смесей диметилкадмия с воздухом, водородом и диэтилтеллуром. Показано, что за исключением четырех этильных производных, исследованные МОС менее взрывоопасны, чем такие типичные горючие системы, как углеводородо-воздушные смеси.

Установлены границы значений стандартной энтальпии образования и теплоты реакции распада, средней энергии связи металл-углерод и адиабатической температуры пламени для исследованных МОС, разделяющие их на две группы: способных к взрывному распаду и не проявивших такой способности. На основании полученных результатов предсказана возможность протекания взрывного распада пяти еще неисследованных алкильных МОС.

Разработаны рекомендации по технике взрывобезопасности при работе с алкильными производными непереходных металлов.

3. Впервые методом ударных волн , исключающим влияние поверхности и вторичных реакций, изучен термораспад диметилкадмия и диэтилтеллура.

Показано, что лимитирующей стадией распада является отрыв первого алкильного радикала от молекулы МОС. С помощью теории мономолекулярных реакций получены выражения для расчета констан

-30А ты скорости термораспада МОС, справедливые в широком интервале температуры и давления, в том числе используемых в MOCVD-росте КРТ. Предложен и подтвержден механизм гомогенного распада диме-тилкадмия и диэтилтеллура, учитывающий вклад вторичных реакций.

Изучен гомогенно-гетерогенный распад диметилкадмия и диэтилтеллура в условиях, близких к используемым при осаждении слоев А2В6. Показано, что суммарная эффективная константа скорости распада диэтилтеллура определяется в основном гомогенной составляющей. Значение эффективной константы скорости распада диметилкадмия в отличие от диэтилтеллура сильно зависит от давления МОС и водорода, рода и величины поверхности. Предложены практические рекомендации по выбору кинетических данных для использования в расчетах процессов осаждения слоев А2В6 с участием диметилкадмия и диэтилтеллура.

4. Исследованы кинетические закономерности и механизм осаждения эпитаксиальных слоев теллурида кадмия на подложках из ар-сенида галлия и сапфира. Установлено, что скорость роста и кажущаяся энергия активации процесса роста в кинетическом режиме зависят от соотношения исходных реагентов и кристаллографической ориентации растущего слоя. Предложена модель гетерогенного осаждения слоев, объясняющая изменение кажущейся энергии активации сменой лимитирующей стадии.

Изучено влияние на свойства слоев условий осаждения (температуры, величины и соотношения потоков МОС, кристаллографической ориентации подложки, чистоты исходных реагентов и др.). На основании полученных результатов оптимизированы условия предэпитак-сиальной подготовки подложек и роста гетерослоев CdTe. Разработана методика получения эпитаксиальных слоев теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия и лейкосайфира химическим осаждением из паров диметилкадмия и диэтилтеллура.

5. Проведено систематическое исследование процесса химичес

- 305 кого осаждения гетерослоев CdTe,HgTe и KPT в реакторе с горячими стенками из паров диметилкадмия, диэтилтеллура и ртути в потоке водорода. Изучено влияние условий осаждения на кинетические закономерности, морфологию поверхности, структурное совершенство и электрофизические параметры слоев. Установлено существенное влияние температуры зоны предварительного нагрева МОС на^ свойства получаемых слоев. Предложена модель осаждения, учитывающая изменение состава парогазовой смеси в процессе ее переноса от входа в реактор к подложке.Модель позволяет качественно объяснить экспериментальные результаты.

6. Разработана методика получения эпитаксиальных слоев тел-лурида кадмия на подложках из арсенида галлия и сапфира химическим осаждением из паров диметилкадмия и диэтилтеллура, включающая предэпитаксиальную подготовку подложек и осаждение слоев из паров высокочистых реагентов в оптимизированных условиях.

Содержание электрически активных примесей в полученных слоях ниже 10~5- Ю-6 ат.%, значение полуширины кривой качания рентгеновской дифракции и полуширины линии связанного экситона в спектрах ФЛ слоев при 4,2 К составляет 100 - 150 угл.сек. и 0,3* О, 6 мэВ соответственно, удельное сопротивление и холловская подвижность носителей зарядя при 300 К находятся в интервале 104 * 108 ом-см, jiin= 400 - 700 и др= 50 - 80 см2/в-с соответственно.

По своим характеристикам полученные гетерослои находятся на уровне лучших образцов, описанных в литературе, и могут быть использованы в качестве подложек при выращивании высококачественных эпитаксиальных слоев CdxHgj.xTe и в производстве оптоэлект-ронных приборов на основе теллурида кадмия.

7. Создана автоматизированная установка и разработана методика послойного выращивания слоев КРТ из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура на подложках из арсенида галлия при меняющейся и постоянной температуре зоны прекрекинга, позволяю

- 3 06 щая получать зеркальные слои Cd^Ug^xTe/CdTe/GaAs с неоднородностью состава на площади 3 см2 Дх= 0.005, толщиной переходной области между буферным и целевым слоями не более 1.5-2 мкм, полушириной кривой качания рентгеновской дифракции 2*4 угл.мин., концентрацией и подвижностью носителей заряда при 77 К (х= 0, 2 * 0,3) (1*3) - 1015см~3 и дп= (4*17)-104 см2/в-с соответственно.

Параметры слоев отвечают требованиям к материалу для изготовления некоторых типов фотоприемников.

- 307

1. Берченко Н.Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. А2В6. М. Военн. издат.1982.208 с.

2. Tunnicliffe J., Irvine S.J. С. et al. // J. Cryst. Growth. 19;84. V. 68. N 1. P. 245.

3. Hyliands M.J., Thompson J., Bevan M.J. et al. // J. Vac. Sci. Techno 1. 1986. A 4. N 4. P. 2217.

4. Triboulet R. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 598.

5. Ashley T., Elliott C.T., Gordon N. T. et al.// J. Cryst. Growth. 1996. V.159. P.1100.

6. Кузнецов П.И., Журавлев И. А., Один И.Н. и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы .1982.Т.18. N 6. С.930.

7. Абдуллин Р.В., Аграфенин Ю. В., Гутаковский А. К. и др. // Ж. техн.физики.1988.Т.58.N10. С. 1991.

8. Бовина Л. А.,Стафеев В. И. В кн. Физика соединений А2В6 /Под ред Георгобиани А.Н., Шейкмана М.К. М.: Наука. 1986. С.246-281

9. Физика и химия соединений А2В6 / Пер. с англ. под ред. Медведева С. А. М. : Мир. 1970. 624 с.

10. Ratajezak Е. and Terpilowski J.// Roczniki Chem. 1969. ¥.43. P. 1609.

11. Kubaschewski 0., Evans E.L. and Alcok C. // Metallurgical Chemistry. Oxford. 1967. P. 314.

12. Brice J.C., Capper Т., Jones C.L. //J. Cryst. Growth. 1986. V. 75. N 2. P. 395.

13. Левицкая Т.Д., Ванюков А.В., Крестовников A.H., Быханов И.М. // Неорг. материалы. 1970. т. VI. N 5. С. 849.

14. Vydyanath H.R. and Hiner С.Н. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 8. P. 3080.

15. Farrar R.H., GilhamC.J. //Mater. Sci. 1974. V. 12. P. 836.- ЗОВ 1.vine S.J.С., Mull in J.В., Giess J. et al. //J. Cryst.Growth. 1988. V. 93. P. 732.

16. Ghandhi S.K., Bhat I.В., Ehsani H., et al. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 2. P. 137.

17. Chu T.L., Chu S., Pauleau Y. et al. // Appl. Phys. 1983. V. 54. N 1. P. 398.

18. Yang Jianrong // J. Cryst. Growth. 1993. V.126. P. 695. Chu J., Xu S. and Tang D. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. N 11. P. 1064.

19. Scott W. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 1055.

20. Chadi D.J., Walter J. P., Cohen M. L. et al. // Phys. Rev. 1972.1. V. 5. P. 3058.

21. Горшков А.В. //Высокочистые вещества. 1989. N 6. С. 207. Capper P. // J. Cryst. Growth. 1982. V.57 . P. 280. Capper P. // Progr. Cryst. Growth and Charact. 1989. V.19. P. 295.

22. Capper P. // J. Vac. Sci.Technol. B.1991. V.9. N 3. P. 1667. Millin J.B., Holland R., Blacmore G.M. et al. // J. Cryst. Growth. 1990. V.106: P. 127.

23. Capper P., Keefe E.S., Maxey C. et al. // J. Cryst-. Growth. 1996. V. 161. P. 104.

24. Capper P., Easton В. C., WiffinP.A.C. et al. // J. Cryst. Growth. 1986. V. 79. P. 508.

25. Гирич Б.Г., Лакеенков В.М.// Новости науки и техники. Серия: Новые материалы, технология их производства и обработки.Реф. сб. Вып. 3. М. : ВИНИТИ. 1990.

26. Ершов С.Н., Бенюшис Т.И. // В сб. Вестник ННГУ им. Н.И.Лобачевского. Материалы, процессы и технология электронной техники. Н.Новгород: ННГУ. 1994. с. 81.

27. Kisker D.W., Fuoss Р.Н. et al. // J. Cryst. Growth. 1990. v.- 309101. p. 42.

28. Theeten J.B., Hottier F., Hallais J. //J. Cryst. Growth. 1979. v. 46. p. 245.

29. Aspnes D.E., Quinn W.E., Gregory S. // Appl. Phys. Lett.1990. v. 56. p. 2569.1.vin S. J.C.", Bajaj J., Sankur H.O. // J. Cryst. Growth. 1992 v. 124. p. 654.

30. Dakshina Murthy S., Bhat I.B. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 170. P. 193.

31. ManasevitH.il, Simpson W. I. //J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. N 4. P. 644.

32. Tompa G.S., Salagaj T. et al. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 198.

33. Takada H., Murakami T. et al. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 44.

34. Peng Rui-wu, Xu Fei, Ding Yong-ging // J. Cryst. Growth1991. V. 115. N 1-4. P. 698.1.vine S.J.C., Tunnicliffe J. and Mullin J.B. // J. Cryst Growth. 1983. V. 65. P. 479.1.ane I-R., Chou K-S., Lin M-S. // J. Cryst. Growth. 1988 V. 87. N 3. P. 529.

35. Mullin J.B., Irvine S.J.C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1981 V. 14. P. L 149.1.hwara B. Bhat. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 1.-310 1.vine S.J. С., Tunnicliffe J. and Mull in J.B. // Mater. Lett. 1984. V. 2. N 4B. P. 305.

36. Бовина JI. А., Заитов Ф. A., Горшков А. В. и др. // В сб. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы, ч. II. Львов. : Высшая школа. 1975 с. 14.

37. D.D, Edwall, E.R. Gertner and J. 0. Bubulac. //J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 240.

38. Mullin J.B., Irvine S.J.C., Ashen D.J. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. P. 92.

39. Mullin J.B., Irvine S.J.C., Giess J. // J. Cryst.Growth.1985. V. 72. P. 1.

40. Murakami S., Sakachi V. et al. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 33.

41. Snyder D. W., Sides P. J., Ко E.I. // J. Cryst. Growth. 1992. V. -121. N 4. P. 631.

42. Snyder D.W., Sides P. J., Ко E.I. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 123. N 1-2. P. 163.

43. Andersen P.L., Erbil A. et al. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 135. N 3/4. P. 383.

44. Smith L.M., Byrhe C.F., Patel D. et al. // J. Cryst. Growth 1991. V. 107. N 1-4. P. 605.

45. Gouws G.J., Muller R.J., Bowden R.S. // J. Cryst.Growth.1993 V.130. P. 207.

46. Mar H.A., Salansky N., CheeK.T. // Appl. Phys. Lett. 1984 V. 44. N 9. P. 898.1.vine S.J. С., Gertner E.R. et al.// Semicond. Sci. Technol. 1991 V. 6. P. С 15.

47. Murakami S., Nishino H., Ebe H. et al. // J.Electron. Mater. 1995. V.24. N 9. P.1143.

48. Mitra P., Schimert Т.Е., Case F.C. et al.//J.Electron.Mater. 1995. V. 24. N 5. "P.661.

49. Mitra P., Schimert T.R., Case F.C. et al.//J. Electron. Mater. 1995. V. 24. N 5. P. 1077.

50. Druilhe R., Desjonqueres F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1991 V. 6 P. С 22.

51. Chen M.C., Bevan M.J. // J. Appl. Phys. 1995 V. 78 N 7. P. 4787.

52. Ashley Т., Elliot С. Т. et al. //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 2314.

53. Schmit J.L. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. A4. N 4. P. 2141. Casagrande L.G., Larson D.J. et al. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 137. N 1/2. P. 195.

54. Guergonri K., Ferah M.S. et al. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 139. N 1/2. P. 6.

55. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука. 1979. 339с. Рубин и сапфир.М.:Наука. 1974. 236с.

56. Yawcheng L., Bicknell R.N. et al // J. Appl. Phys. 1983. V 54. N 7. p. 4238.

57. Ho 11 D. B., Abdallo M.I. // Phys. Stat. Sol. (a) 1974 V. 25 N 2. P. 509.1.n M.-S., Chou I.-R., Chou K.-S. // J. Cryst. Growth. 1986 V. 77. N 1-3. P. 475.

58. Ellott C.T. // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. N 1-2. P. 453 Faulie J.P., Sporken R. et al. // Mater. Sci. Eng. 1993.16. P. 51.

59. Ebe H., Takigawa H. // Mater. Sci. Eng. 1993. B 16. P. 57 Lyon'T.J., Rajavel D. et al. //Appl. Phys. Lett. 1995, V. 66. P. 2119

60. Ebe H., Nishijima V.//Appl. Phys. Lett. 1995, V. 67. P. 3138. Qkamoto =T.Saito T., Murakami S. et al.// Appl. Phys. Lett.1996, V. 69. N 5. P. 677.

61. DharN.K., Wood C. E. C., Gray A.// J. Vac. Sci.Technol. 1996. V.B14. N 3. P. 2366.

62. Millon A., DharN.K., Dlnan J. H.// J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 76.

63. Rujirawat .-S., Almeida L. A., Chen Y. P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997, V. 71. N 13. P. 1810.

64. Dhar N.K., Zandian M., Pasko J.G. et al.// Appl. Phys. Lett.1997, V. 70. N 13. P. 1730.

65. Farrow R.F.C., Noreika A. J., Shirland F.A, et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. A 2. N 2. P. 527.

66. Bhat I.B. , Patel K., Taskar N. R. et al. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. N 1. P. 23.

67. Farrow-R.F.C., Jones G.R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. N 12. P. 954.

68. Dian J.H., Quadri S.B. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. A 4. N 4. P. 2158.

69. Pelliciari B. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. N 1. P. 146. Matsumura N., Ohshima T., Saraie J., Yodogawa Y. //J. Cryst. Growth. 1985. V 71. P. 361.

70. Biknell R.N., Myers T.H., Schetzina J.F. //J. Vac. Sci. Technol. 1984. A 2. N 2. P. 423.

71. Hoke W.E., Traczewski R., Krelsmanis V.G. et al. // Appl Phys. Lett. 1985. V. 47. N 7. P. 276.- 313

72. Myers Т.Н., Yawcheng L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1983. V.42. N 3. P. 247.

73. Gertner E.R., Tennant W.E., Blakwell J.D., Rode J.P. // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. P. 462.

74. Cheung J.Т., Khoshnevisan M. //Appl. Phys. Lett. 1983. V43. N 5. P. 462.

75. Ponce F. A. et al. // Surface Sci. 1986. V.168. N 1-3. P. 564

76. Feldman R.D., Kisker D.W., Austin R.F. et al. // J. Vac. Sci. Techno1. 1986. A 4. N 4. P.2234.

77. Tompa G.S., Nelson C.R., Saracino M. A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 1. P. 62.

78. Korenstein R., MacLeod B. //J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 382.

79. Kimata H., Ryoji A., Croki T. //J. Cryst. Growth. *1987. V. 81. P. 508.

80. Rauhala E., Keinonen J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1987. V.51. N 13. P. 973.

81. Zinck J.J., Brewer et al. //Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 17. P. 1434.

82. Nouhi A., Radhakrisnan et al. //Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N 24. P. 2028.

83. Bean R., Zanio K., Ziegler J.// J. Vac.Sci.Technol. 1989. V. A7. N 2. P. 343.

84. Johnson S.M., Vigil J.A., James J.B. et al.//J.Electron. Mater. 1993. V. 22. P. 835.

85. Irvine S. J.C., Bajaj J., Gil R. V. et al.//J.Electron. Mater.1995. V.24. N 5 . P.457. 111.Booyens H., Basson S.H.// Phys. Stat. Sol (a).1984. V.85. N 1. P.243.

86. Shin S.H. , Arias J.M. et al.// Appl. Phys. Lett. 1991. V.59.- 1. N 21. P.2718.

87. ИЗ. Ghandhi S. К., Bhat I.B., Fardi H.// Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 5. P. 392.

88. Иванов-Омский В. И., Огородников B.K., Сидорчук П. Г.// в кн. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. Наука. 1977. 4.1. С. 141.

89. Shen J., Aidun D.K., et al.// J. Cryst. Growth. 1993. V. 132. N 1/2. P.250.

90. Bevan M. J., Muller R. J., Bowden R. S.// J. Cryst. Growth. 1995, V:67. N 23. P.3450.

91. Strlkman H., Oron M. et al. // J. Electronic.Mat. 1988. V.17 -- N 2. P.105.

92. Giess J., Gough J.S. et al.// J. Cryst. Growth. 1995. V.72. P. 120.

93. Marbeuf A., Druilhe R. et al.// J.Cryst. Growth.1992. V.117 P. 10.

94. Grainger F., Roberts J.A. // Semicond. Sei. Technol. 1988 V.3. P. 802.

95. Feldman R.D., Austin R.F., Fuoss P.H. et al. //Appl. Phys.Lett 1986. V.49. P.797.

96. Feldman R.D., Austin R. F., Fuoss P. H. et al. // J. Vac. Sei Technol. 1987. V.B5. P. 690.

97. Yasuda K., Ekawa M., Matsui N. // Jap. J. Appl. Phys. 1990 V. 29. N 3. P. 479.

98. Feldman R.D., Kisker D.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1986 V. 48. N 3. P. 248.

99. Anderson P. L. // J. Vac. Sei. Technol. 1986. V.A4. N4. P.2162

100. LuP.-Y., Williams L. M., ChuS.N.G. // J. Vac. Sei. Technol 1986. V.A4(4). P.2137.

101. Kisker D.W., Steigerwald M.L., KometaniT.Y. // Appl. Phys-315 1.tt. 1987. V. 50. N 23. P. 1681.

102. Ekawa M., Yasuda K., Sone S. et al. // J. Appl. Phys. 1990. V.67(11). P.6865.

103. Angelo J.E., Gerberich W.W., Bratlna C. et al. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 130. P. 459.130,. Cheng T.T., Aindon M., Jones I. P. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 135. P. 409.

104. Brown P. D., Halls J.E., Russel G.J,, Woods J. // Appl. Phys.1.tt. 1987. V. 50. N 17. P. 1144. 132.Oron M., Raizman A., Shtricman H., Cinader G. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 13. P. 1059.

105. Cinader G., Raizman A., Oron M. '/-/ J. Cryst. Growth. 1990 V. 107. P. 167.

106. Cinader G., Raizman A., Sher A. // J*. Vac. Sci. Technol. 1991 V. B9. N 3. P. 2234.

107. Desjonqueres F., Tromson-Carli A. et al.// J. Cryst. Growth 1990. V.107. N 1-4. P.626.

108. Pain G.N., Sandford C. et al. // J. Cryst. Growth. 1991. V 107. N 1-4. P.610.

109. Yoshlkawa M., Maruyama K. et al. // J.Vac. Sci.Technol.1987 V.A5. N 5. P. 3052.

110. Druilhe R., Desjonqueres F., Katty A. et al. // J. Cryst Growth. 1990. V. 101. P. 73.

111. Faurie J.P. // J. Cryst.Growth. 1987. V. 81. P. 483.

112. WuO., Kamath G.S. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V.6. P.C6

113. Lansari Y. //J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 720. 142.Sang-Hee Sun, Jong-Hyeong Song, Sung-Wook Moon // J. Cryst

114. Growth. 1996. V.159. P.1132. 143.Faurie J.P., Hsu C., Sivananthan S. et al.//Surface Science 1986. V. 168. P. 473.- 316 144.0tsuka N., Kolodziejski L. A., Gunshor R.L. et al. // Appl.

115. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 9. P. 860. 145.Srinivasa R., PanishM. V., Temkin H. //Appl. Phys. Lett.1987. V. 50. N 20. P. 1441.

116. Wagner B.K., Oakes J.D. et al. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 292.

117. Tang H. P., Feung J.Y. et al. //J. Cryst. Growth. 1991. V. 112. N 2-3. P. 407.

118. Gobil Y., Cibert J., Saminadayar K., Tatarenko S. // Surface Science. 1989. V. 211/212. P. 969.

119. Natarayan V., Taskar N. R., Bhat I.B. //J. Electron. Mater.1988. V. 17. N 6. P. 479.

120. Patriarche G., Triboulet R. et al.// J. Cryst. Growth. 1993. V. 129. N 3/4. P. 375.

121. McAllister T. // J. Crystal Growth. 1989. V. 96. P. 552.

122. Jones A.C., Wright P.J., Cockayne // J. Cryst. Growth. 1991. V.107. N 1-4. P. 297.

123. Hoke W. E. , Lemonias P.J. .// Appl. Phys. Lett. 1986. V.48. N 24. P. 1669.

124. Parsons J.D., Lichtman L. S.// J. Cryst. Growth. 1988. ¥.86.2 ¡2 •

125. Kuech T.F., McCaldin J.0.// J.Electrochem. Soc. 1981. V.128. N 5. P. 1142.

126. Hails J.E., Irvine S.J.C. // J. Cryst. Growth. 1991. V.107. P.319.

127. Ewan A., MillinJ.B. et al. //J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 32.5.

128. Hahn S. R., Parsons J.D. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V.76. N 1. P.385.

129. Irvine S.J.C., Mullin J.B. //J. Vac. Sci. Technol. 1987. V.- 317

130. А5. N 4. P. 2100. 160. Thompson J., Mackett P. et al.// J. Cryst. Growth. 1988. V.86. P. 233.161.0guz S., Lee D. L., et al. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 124. P. 664.

131. Williams L. M., Lu P.-Y., , Wang C.-H., et al. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 21. P. 1738.

132. Williams L.M., Lu P.-Y., , Chu S. M. G. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 54. N 14. P. 1329.

133. Бенюшис T. И., Василевский M. И., Гурылев Б.В. и др.// Высокочистые вещества. 1989. N 6. С. 202.

134. Бенюшис Т. И., Василевский М.И., Гурылев Б. В. и др.// Высокочистые вещества. 1989. N 6. С. 78.

135. Бенюшис Т. И., Василевский М.И., Гурылев Б. В. и др.// ЖТФ. *1990. Т. 60. вып. 1. С. 160.

136. Бенюшис Т. И., Василевский М.И., Гурылев Б. В. и др.// ЖТФ.1991. Т. 61. С. 37.

137. Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В. и др.// Письма в ЖТФ. 1991 Т. 17. вып. 15. С. 62.

138. Ершов С.Н. // Вестник Нижегородск. унив. им Н.И. Лобачевского. Материалы, процессы и технологии электронной техники. Изд-во Нижегородск. унив. Н.Новгород. 1994. С. 59.

139. Ершов С.Н. Плазмостимулированное осаждение из МОС и физические свойства гетероэпитаксиальных структур теллуридов кадмия ртути. Автореферат диссерт. на соискание уч. степени доктора физ.-мат. наук. Н.Новгород. 1997. 29с.

140. Василевский М.И., Гурылев Б. В., Ершов С.Н.// ЖТФ.1995. Т. 65. N 2. С.76.

141. Sigiura 0., Tanaka Y., Shiina К., Matsumura M. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 19. P. 1515.

142. Lu P.-Y., Williams L. M., Chu S.N.G. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. V. 54. P. 2021.

143. Rossouw C.J., Pain G.N. et al. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 106. P. 673.

144. Russo S.P., Pain G.N. et al. //J. Cryst. Growth. 1993. V. 131.; P. .124.

145. Davis T.J., McAllister T. et al. //J. Cryst. Growth. 1993. V. 133. P. 230.

146. Pain G.N., Bharatula N. et al. //J. Vac. Sci.Technol.1990. A8. N 2. P. 1067.

147. Czerniak M. R., Robinson II F. // German Patent N DE3733499A1.

148. Czerniak M.R., Anderson P. L. // S. Afr. J. Sci. 1988. V.84. P. 645.

149. Irvine S.J.C., Mullin J.В., Hill H., Brown G.T. and Barnett S.J. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 188.

150. Mullin J. В., Irvine S.J.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1986 V. A4. N 4. P. 700.

151. Irvine S.J.C., Mullin J. B. //J. Cryst. Growth. 1986 V. 79. P. 371.

152. Ahlgren W.L., Smith E.J. et al. // J. Cryst. Growth. 1988 V. 86. P. 198.

153. Morris B.J. //Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 867.

154. Irvine S.J.C., Hill H., Dosser O.D. et al. //Mater. Lett 1988. V. 7. P. 25.

155. Fujita Y., Terada T. etal.//J. Cryst. Growth. 1991. V. 107 N 1-4. P.621.

156. Terada Т., Fujita Y. et al. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117 P. 54.

157. Фаерман В.И., Зорин А.Д., ГурылевВ.В. //ЖОХ. 1990. Т. 60 вып. 7. С. 1468.- 319

158. Snyder D.W., Ко E.I., Siles P.J., Mahajan S. // Appl. Phys.1.tt. 1990. V. 56. N 12. P. 1166. 189.Дьяконов Л.И., Ивлев В.Н., Липатова Н.й. // Изв. АН СССР.

159. Неорг. матер. 1989. Т. 25. N 6. С. 951. 190 Bhat I.B., Taskar N.R., Ghandhi S.K.// J. Electrochem. Soc.1987. V. 134. N 1. P. 195.

160. Bhat I. В., Taskar N.R., Ghandhi S.K. // J. Vac. Sci. Tech-nol. 1986. A4. N 4. P. 2231

161. Liu B., McDaniel A.H., Hicks R.F. //J. Crystal. Growth. 1991. V. 112. P. 192.

162. McDaniel A.H., Liu В., Hicks R.F. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 124. P. 676,-

163. Czerniak M. R., E.aston B.C. //J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 128.

164. Гурылев Б. В., Каржин Г.А., Фаерман В.И., Степанова Л.В. // Получение и анализ чистых веществ: Межвуз. сб. // Горький,1988. С. 30.

165. Дьяконов Л.И., Ивлев В.Н., Липатова Н. И. // ВОТ. 1991. Сер. И. в.2(128). С.6.

166. Рохов Ю., Херд Д.-, Льюис Р. Химия металлоорганических-соединений. М.:ИЛ. 1963. 360с.

167. Михеев B.C., Орлов А.С. // Высокочистые вещества. 1986. N 2. С. 119.

168. Heller С.A., Taylor Н.А. // J. Phys.Chem. 1953. V.57. Р.226.

169. Laurie С. М., Long L. Н. // Trans. Farad. Soc. 1957. V.53. P. 1431.

170. Price S.J.W., Trotman-Dickenson A.F. // Trans. Faradey Soc. 1957. V. 53. P. 1431.

171. Krech M., Price S.J.W. // Canad. J. Chem. 1965. V. 43. P. 1929.- 320

172. Дягилева Л. М., ФаерманВ.И. // ЖОХ. 1992. Т. 62. вып. 2. С. 258.

173. Баев А.К., Козыркин Б.И., Подковыров А.И. // Y Всес. совещ. по применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов. Тез.докл. Горький. 1987. С.104.

174. Фаерман В. И., Агафонов И. А., ШабалинаЛ.А. // ЖОХ. Т. 59. Вып. 2. С. 244.

175. Фаерман В.И. // Высокочистые вещества. 1993. N 1. С. 162.

176. Девятых Г.Г., Батманов С.М., Ковалев И.Д. и др. // ДАН СССР. 1988. Т.303. N 1. С.109.

177. Кузнецов П.И., Шемет В.В., Один Й.Н., Новоселова А.В. // ДАН СССР. 1979. Т.248. N 4. С, 879.

178. Кузнецов П.И., Дворянкин В.Ф., Шемет В. В. и др. // ДАН СССР. 1980. Т.252. N 1. С.15.

179. N 19. P. 1276. 214.Sitter H., Lischka K. et al.// J. Cryst. Growth. 1988. V.86. P.377.

180. Lischka K., Fanter E.J., Ryan T.W., Sitter H. // Appl. Phys. Lett. 1989. V.55. N 13. P.1309.

181. Ballingall J.M., Wrode M.L., Leopold D.J. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. N 19. P. 1273.

182. Cibert J., Gobil Y. et al.//Appl.Phys.Lett. 1989. V.54. N 9.- 32i 1. P. 828.

183. Cole H. S., Woodbury H.H., Schetzina J.F.// J.Appl.Phys.1984. V. 55. N 8. P.3166.

184. Bailingall J.M., Takei W. J., Feldman B.J.// Appl. Phys. Lett. 1985. V.47. P.599.

185. Gutowsky H.S. // J. Chem. Phys. 1949. V. 17. . N 2. P,128.

186. Свердлов Л.M., Ковнер M.А., Крайнов Е.И. Колебательные спектры многоатомных молекул. М.: Наука. 1970. 560с.

187. Родионов А.Н., ПалееваН.Е., ШигоринД.й., Шевердина Н.И. // Изв. АН СССР, сер. хим. 1967. N 5. С. 1031.

188. Thompson H.W., Linnett J.W. // Proc. Roy. Soc. Ser.A. 1937. V. 160. P. 539.

189. Thompson H.W.// Proc. Roy. Soc. Ser.A. 1935. V. 150. P.603.

190. Thompson H.W., Linnett J.W., Wagstaffe E. J.// Trans. Farad. Soc. 1940. V.36 P. 797.

191. Гибин A.M., Гришнова H. Д., Гусев A.B., Моисеев А. H., Ремеш-кова И.И., Салганский Ю.М. // Высокочистые вещества.1987. N 6. С.28.

192. Термические константы веществ (под ред. В.П. Глушко) в. VI 4.1. М: ВИНИТИ. 1972. 369с.

193. Boyd D.R., Williams R.L, Thompson H. W.// Nature. 1951. V.167. P. 766.

194. Gutowsky H.S.// J. Amer. Chem. Soc. 1949. V.71. P. 3194.

195. Rao К. S., Stoicheff B.P., Turnell R. // Can. J. Phys. 1960. V. 38. P. 1516.

196. Butler J. S., Newbury M. L.// Spectrochem. Acta. Pt.A. 1977. V. 33 A. P.669.

197. Киреев В.A. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций. М.: Химия. 1971. 643с.

198. Сталл Д., Вестрам Э., Зинке Г. Химическая термодинамика ор- 322 ганических соединений. M.: Мир. 1971. 345с.

199. Мосин A.M., Шаулов Ю. X., Андреева Н. И. // Журн. фи з. химии. 1974. Т. 48. N 9. С. 2356.

200. ГОСТ 12.1.044-89. Пожаровзрывоопасность веществ и материалов М. : Изд-во стандартов. 1990.

201. Пожарная опасность веществ и материалов, применяемых в промышленности. /Под. ред. Рябова И.В. М.: Химия. 1991. 254с.

202. Льюис Б., Эльбе Г. Горение, пламя и взрывы в газах. М. : ИЛ. 1968. 592с.

203. Розловский А.И. Основы техники взрывоопасности при работе с горючими газами и парами. М. : Химия. 1980. 368с.

204. Щетинков Е.С. Физика горения газов. М. : Наука. 1968. 530с.

205. Девятых Г. Г., Верховский В. Я., Михеев B.C. и др.// Изв. АН СССР. сер. химич. 1976. N8. С.1861.

206. Михеев B.C., Моисеев А.Н., Николаев Л.И. // Получение и анализ чистых веществ: Межвуз. сб. / Горьк. гос. ун-т. 1978. в. 3. С.77.

207. Бабкин В.С., Вьюн А.В., Козаченко Л. С.// ФГВ. 1967. Т.3. N 3. С.362.

208. Иванов Б. А. Физика взрыва ацетилена. М. : -Химия. 1969. 180с.

209. Бенсон С. Основы химической кинетики. М.: Мир. 1964. С.307.

210. Кондратьев В.Н.Константы скорости газофазных реакций. М.: Наука. 1971. 352с.

211. Гурвич Л.В., Карачевцев Г.В., Кондратьев В.Н. и др. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. М.: Наука. 1974. 351с.

212. Крылов В.А., Лазукина О.П., Лазарев С.Е. // Высокочистые вещества. 1987. N 5. С. 25.

213. Тельной Б.И., Рабинович И. Б. // Успехи химии. 1980. Т.49. в.7. С.1137.- 323

214. Бабкин B.C., Вьюн A.B. // ФГВ. 1971. Т. 7. N 3. С. 392.

215. Карапетьянц М.Х. Примеры и задачи по химической термодинамике. М.: Химия. 1978. С.42.

216. Фаерман В.И., Зорин А.Д., Гурылев В.В. //ЖОХ. 1990. Т. 60. в. 7. С.1468.

217. Франк-Каменецкйй Д.А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. М.: Наука. 1987. 502с.

218. Зеликман Е.Г. // ЖФХ. 1969. Т. 43. в.1. С. 236.

219. Моисеев А.Н., Федосеев В.Б. Термодинамические функции диэ-тилцинка // Тез.докл.IY Всес.совещ."Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов". Горький,сент. 1983 М.: Наука. С. 43

220. Вотинцев В.Н., Моисеев А.Н., Никишин A.C. Исследование взрывного распада диметилкадмия в газовой фазе // Высокочистые вещества. 1987. N 6. С.58.

221. Ливерко В.Н., Моисеев А.Н., Рябов Л.Г. Расчет некоторых термодинамических свойств диэтилселенида и диэтилтеллурида . Тез. докл. Y Всес. совещ."Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов".Горький.ИХАНСССР. 1987.С.106.

222. Вотинцев В.Н., Моисеев А.Н., Никишин A.C. Исследование взрывного распада диэтилцинка и тетраэтилсвинца в газовой фазе // Высокочистые вещества. 1989. N 4. С. 100.

223. Вотинцев В.Н., Моисеев А.Н., Никишин A.C. Взрывоопасность смесей диметилкадмия с воздухом. // Высокочистые вещества. 1989. N 6. С.47.- 324

224. Никишин A.C., Вотинцев В.H., Моисеев А.H. Определение гасящего расстояния пламени распада некоторых алкильных МОС // Высокочистые вещества. 1991. N 6. С.137.

225. Никишин A.C., Вотинцев В.Н., Лебедев С.А.,Моисеев А.Н.Исследование взрывного распада диэтилкадмия в газовой фазе. // Высокочистые вещества. 1992. N 2. С.123.

226. Никишин A.C., Моисеев А.Н.:, Вотинцев В.Н. Взрывоопасностьсмеси диметилкадмия с водородом и диэтилтеллуром в газовой• •фазе. // Высокочистые вещества. 1992. N 5-6. С.140.

227. Девятых Г.Г., Никишин A.C., Моисеев А.Н., Вотинцев В.Н. Исследование взрывного распада летучих алкильных МОС элементов II-YI групп периодической системы в газовой фазе. // Высокочистые вещества. 1992. N5-6. С.133.

228. Солоухин Р.И. Ударные волны и детонация в газах. М.: Физмат-гиз. 1963. 175с.

229. Ахмадов У.С., Заслонко И.С., Смирнов В.Н. // Кинетика и катализ. 1988. Т.29. N 2. С.291.

230. Hussain D. // J.Chem.Soc. Faraday Trans. 1973. V.69. P. 585.

231. Luther К, Troe J. // XVII Intern. Sumpos. on Combustion, Pittsburg. 1978. P.535.

232. Робинсон П., Холбрук К. Мономолекулярные реакции / пер. под ред. проф. Никитина Е.Е. М. : Мир. 1975. 380с.

233. Troe J. // J. Chem. Phus. 1977. V.66. P. 4758.

234. King К.D., Nguyen T.T., Gilbert R.G. //Chem. Phus. 1981. V. 61. P.221.-325

235. Варнатц Ю. Химия горения. Константы скорости реакций с участием частиц, содержащих атомы С, H и 0. М. : Мир. 1988. С. 209.

236. Hamada К., Morishita H. // Spectroscop. Letters. 1977. V. 10. P.357.

237. Смирнов В.H., Вотинцев В. H., Заслонко И.С., Моисеев А.Н. Кинетика термического- распада диметилкадмия // Кинетика и катализ. 1990. Т.31. в. 5. С. 1041.

238. Девятых Г.Г., Вотинцев В.Н.,Моисеев А.Н. Кинетика и механизм термораспада диметилкадмия в проточном реакторе.// Высокочистые вещества. 1993. N 1. С.113.

239. Девятых Г.Г., Заслонко И.С., Смирнов В.Н., Моисеев А.Н., Вотинцев В.Н., Тереза A.M. Термическое разложение диэтилтеллу-ра в газовой фазе. // Кинетика и катализ. 1993. Т.34. N 2. С. 213.

240. Глушко В. П., Алемасов В. Е. , Гуревич J1. В., Медведев В. А.// Вестн. АНСССР. 1984. N 8. С.86.

241. Сипарев Г.Б., Ватомин H.A., Трусов Б.С., Моисеев Г.К. Применение ЭВМ для термодинамических расчетов металлургических процессов. М.: Наука. 1982. 264с.

242. Zanlo Kenneth // Semlcond. and Semimetals. N.Y.: Acad.Press. 1978. V. 13. P. 235.

243. Мильвидский M.Г.,Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М: Металлургия. 1984. 256с.

244. Wang С.Н., Cheng К.Y., YangS.Y., Hwang F.С. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. N 12. P.757.

245. Воротынцев В.M. // Высокочистые вещества. 1993. N 2. С.21.

246. Андреев Б.А., Батманов С.М., Ливерко В.Н. //Высокочистые вещества. 1990. N 5. С.178.

247. Шоу Д.У. в кн. Рост кристаллов. Теория роста и методы выращи вания кристаллов. Т. 1. под ред. Гудмана К. (пер. с англ.),- 326 1. M: Мир. 1977. С. И.

248. Фаерман В.И., Шабалина Л.А., Агафонов И.Л. // Применение для получения неорганических покрытий и материалов. // Тез. докл. 5 Всесоюзн. совещ. М: Наука. 1987. С. 105.

249. Фаерман В.И., Гурылев Б.В., Каратаев E.H. // Применение ме-таллоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов. // Тез. докл. 5 Всесоюзн. совещ. М: Наука. С.244.

250. Голодец Г.И. Гетерогенно-каталитическое окисление органических веществ. Киев: Наукова думка. 1978. 374с.

251. Thompson J., Woodhouse К.T., Dineen С. // J. Cryst. Growth.1986. V.77. P.452.

252. Kamon K., Shimazu K., Kimura K. et al. // J. Cryst. Growth.1987. V.84. P.126.

253. Кузнецов П. И., ШеметВ.В., Один И. H., Новоселова А. В. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1981. Т. 17. N 5. С.791.

254. Девятых Г.Г., Домрачев Г.А., Жук Б. В. и др. //Докл. АН СССР. 1982. Т. 266. N 6. С. 1403.

255. Gaugash Р., MilnesA.G. //J. Electrochem. Soc. 1981. V.138. N"4. P. 924.

256. Hartmann H., Mach R., Selle В. // Current Topic in Mater. Sei. 1982. V. 9. P. 5.

257. Палатник JI. С., Бойко Б. Т., Виноградов В. Е. //Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1974. Т. 10. N6. С. 1133.

258. Федорова Т.В., Вишняков A.B., Ковтуненко П.В. и др. // там же. 1987. Т. 23. N 6. С.912.

259. Bagai R. К., Mohan G., Seth G. L., Borde W.N. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 85. N 3. P. 386.

260. Faurie J.P., Hsu C., Sivananthan S., Chu X. // Surface Sei. 1986. V. 168. P. 473.- 327

261. Cohen-Solal G., Bailly F., ВагЬе M. //Appl. Phys. Lett. 1986. V.49. P.1519.

262. Kolodziejski L.A., Gunsor R.L., Otsuka N., Choi C. // J. Vac. Sci. Techno 1. 1986. A 4. N4. P. 2150.

263. Bicknell R.N., Yanka R.W., Giles N. C. et al. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. . N 3. P. 313.

264. Дворецкий С.А., Бударных В.И., Гутаковский А.К. и др. // Докл. АН СССР. 1989. Т.304. N 3. С.604.

265. Reno J.L., Gourley P.L.,Monfroy G., FaurieJ.P. //Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 18. P. 1747.

266. Михайлов И.Ф., Алавердова О.Г., Фукс М.Я. // Заводск. лаб. 1980. Т. 46. N 1, : С. 783.

267. Shtrikman Н., Raizman A., Oron М., Eger D. // J. Cryst. Growth. *1988. V. 88. P. 522.

268. Monfroy G., Sivanathan S., Faurie J.P., Reno J.L. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. A 7. N 7. P. 326.

269. Bhat I.В., Ehsani H., Ghandhi S.K. // J. Vac. Sci. Technol. 1990. A 8. N 2. P. 1054.

270. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия. 1974. 528с.

271. Германий монокристаллический. ГОСТ 16153-70.М.: Издательство стандартов. 1972. 30с.

272. Pramatorova L.D., Savova Е.В., Vinchev G.M., Mihailov M.G. // Cryst. Res. Technol. 1988. V.23. N 1. P.K11.

273. Saito J., Nanbu K., Kondo K. // J. Vac. Sci. Technol. 1988. В 6. N 1. P.26.

274. Saletes A., Massies J., Contour J.P. // Jap. J. Appl. Phys.1986. V. 25. N 1. P.48. 312.Myers Т.Н., Giles-Taylor N.C., Yanka R.W. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. A3. N 1. P. 71.- 328

275. Hoke W.E., Traczewskl R., Kreismanls V.G. et al. // Appl. Phys. Lett. 1985. V.47. N 7. P. 276.

276. Marashlna L.A., Valinowski V.V., Pichugin I.G., Prentky P. // Cryst. Res. Technol. 1982. V.17. N 3. P. 365.

277. French Т.M., Somorjai G.A. // J. Phys. Chem. 1970. V. 74. N 12. P. 2489.

278. Maruyama K., Yoshikawa M., Taklgawa H. //J. Cryst. Growth. 1988. V.93. P.761.

279. Lischka K., Schmidt T., Pesek A., Sitter H. //Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 12. P. 1220.

280. Feng Z.C., Bevan M.J., ChoukeW.J., Krishnaswamy S. V. //J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 2595.

281. Tatsuoka H., Kuwabara H., Fujiyasu H., Nakanishi Y. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 5. P. 2073.

282. Dean P.J., Williams G.M., Blacmore G. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1984. V. 17. P. 2291.

283. Бабенцов B.H., Горбань С.И., Сальков Е.А., Гарбаев Н.И. // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. Вып. 9. С. 1724.

284. Molva Е., Saminad-ayar К.,Paurtat J.L., Ligeon Е. // Solid State Comm. 1983. V. 48. N 11. P. 955.

285. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Киев: Наукова думка. 1987. 606с.

286. Mull in J. В., Irvine S.J. С., Tunnicliffe J. //J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 214.

287. Агринская H.В., Матвеев O.A. // Физ. и техн. полупр. 1987. Т. 21. В. 3. С. 542.

288. Svob L., Heurtel A., Marfaing Y. //J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 815.- 329

289. Onodera С., Ekawa H., Taguchl T. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 99. P. 459.

290. Dawart A.L., Ferdinand К. V., Jagdish C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1983. V. 16. P. 2349.

291. Lopez-Otero A., Huber W. // J. Cryst. Growth. 1978. V. 45. P. 214.

292. Девятых Г.Г., Батманов С.М., Ковалев И.Д., Ладонычев Г.В.,- 330

293. Ливерко В.Н., Моисеев А.Н., Нечунеев Ю. А., Рябов Л. Г., Сенников П.Г., Шакаров М.А. Получение эпитаксиальных слоев высокочистого теллурида кадмия методом химического осаждения из паров МОС.// Докл. АН СССР. 1988. Т. 303. N 1. С. 109.

294. Батманов С.М., Ливерко В.Н., Моисеев А.Н., Сенников П.Г.,Шакаров М.А. Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев CdTe, полученных химическим осаждением из паров МОС на подложках из GaAs.// Высокочистые вещества. 1989. N 5. С. 54.

295. Батманов С.М., Ливерко В.Н., Моисеев А-.-Н. Получение высококачественных слоев эпитаксиальных слоев теллурида кадмия на арсениде галлия по реакции диметилкадмия с диэтилтеллуром.// Высокочистые вещества. 1990. N 1. С.233.

296. Шакаров М.А., Сенников П. Г., Ливерко В.Н., Моисеев А. Н., Батманов С.М. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции эпитаксиальных слоев (100)CdTe/(100)GaAs и (111)CdTe/(100)GaAs, полученных методом M0CVD. // Высокочистые вещества. 1990. N 5 С. 32.

297. Батманов С.М., Бочкова Р. И., Ливерко В.Н., Моисеев А.Н. Получение эпитаксиальных слоев CdTe методом M0CVD.// Тез.докл.-331

298. I Всес.конф. по физике и технологии полупроводниковых тонких пленок. Ивано-Франковск. 1990. Т.1. С. 72.

299. Batmanov S.M., Devyatysh G.G., Liverko V.N., Molseev A.N.The growth of hlgn quality CdTe epitaxial layer on GaAs by MOCVD //Intern.Symp.MASHTEC'90. Dresden GDR Apr.24-27, 1990.Collected Abstracts. 1990. V. 1. P. 250.

300. Девятых Г.Г., Батманов С.М., Ливерко В.Н., Моисеев А.Н. Способ выращивания эпитаксиальных слоев теллурида кадмия на ар-сениде галлия. А.с. СССР. N 1699310 от 15.08.91.

301. Devyatysh G.G., Batmanov S.M., Liverko V. N., Moiseev A.N. The growth of hign quality CdTe epitaxial layer on GaAs by MOCVD //2 Europ.Conf. on Advanced Mater, and Processes Cambridge U.K. 1991. Abstracts. P. 80.

302. Батманов С.М., Герасименко В.В., Голубев А.В., Ливерко В.Н.,- 332

303. Моисеев А.Н. Сенников П.Г., Шакаров М.А. Получение эпитак-сиальных слоев теллурида кадмия на сапфировых подложках методом M0CVD // Высокочистые вещества. 1993. N 5. С.159.

304. Моисеев А.Н., Батманов С.М., Ливерко В.Н.Кинетика и механизм химического осаждения из паров диметилкадмия и диэтилтеллура монокристаллических слоев теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия // Высокочистые вещества. 1994. N 4. С.136.

305. Батманов С.М., Моисеев А.Н., Голубев A.B., Красильников B.C. Исследование структурного совершенства MOCVD-слоев (III)В CdTe на сапфире // Высокочистые вещества. 1995. N 2. С.124.

306. Батманов С.М., Моисеев А.Н. Получение эпитаксиальных слоев теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия по реакции диметилкадмия с диизопропилтеллуром //Высокочистые вещества 1995. N 4. С.37.

307. Жмакин А.И., Макаров Ю.Н.// Газодинамические процессы в проточных эпитаксиальных реакторах. В сб." Гидромеханика и тепломассообмен при получении материалов". М. Наука.1990.С.43.

308. Воробьев А.Н., Гугель Ю.В., Хоружников С.Э. // Высокочистые вещества. 1993. N 6. С. 10.3.53,-Кудрявцев A.A. Химия и технология селена и теллура. М. Высшая школа. 1961. С. 285.

309. Чижиков Д.М. Кадмий. М.Металлургия. 1967.

310. Иванов-Омский В.И., Огородников В.К., Смекалова К.П. // ФТП. 1970. Т.4. С.690.

311. Hoke W.E. and Lemonias P.J. // Appl. Phys. Lett. 1985. V.46. N 4. P. 398.

312. Дьяконов Л.И., Ивлев В.H., Липатова H.И.// Изв. АН СССР. Не-орг. материалы. 1990. Т. 26. N 1. С. 69.

313. Irvin S.J. С., Mull In j.b. and Royle A. // J. Cryst Growth. 1982. V.57. P.15.-333

314. Bhat I.B., Ghandi S.K. //J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. N 8. P.1923.

315. Shigenaka K., Kanno T., Saga M. et al. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 49.

316. Dakshinamurthy S., Bhat I. // J.Electron. Mater. 1998. V.27. N 6. P.521.

317. Mitra P., Case F.C., ReineM.B. // J.Electron. Mater. 1998. V.27. N 6. P. 510.

318. Tribolet P., Chatard J.P., Costa P., Manissadjian A.// J. Cryst. Growth. 1998. V. 184-185. P. 1262.

319. Meur M.A., Cuniot M., Rommeluere J.F. et al. //J. Cryst. Growth1998. V. 184-185. P. 1279.

320. De lion T.J., Rajavel R. D., Vigil J. A. et a,l. // J. Electron. Mater. 1998. V.27. N 6. P. 550.

321. Zanatta J.P., Ferret P. et al.// J.Electron.Mater.1998.V.27. N 6. P. 542

322. Price S. L., Hettich H. L., Sen. S. etal.// J. Electron. Mater. 1998. V.27. N 6. P. 564.

323. Ruault M.O., Kaitasov 0., Triboulet et al.// J.Cryst. Growth.1994. V. 143. P. 40.

324. Nishino H., Nishijima Y. // J. Cryst. Growth. 1997. V.173. P.330.

325. Hails J.H., Cole-Hamilton D. J., Giess J. //J. Electron.Mater. 1998. V.27. N 6. P. 624.

326. Korenstein R., HallockP., MacLeod B. etal.// J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. A8. N2. P. 1039.

327. Nishino H., Murakami S., Ebe H. et al.// J. Cryst. Growth. 1995. V. 146. P. 619.

328. Nishino H., Murakami S.Saito T. et al. // J. Electron. Mater.1995. V. 24. N 5. P. 533.-334

329. Nishino H., SaitoT., Nishijima Y. // J.Cryst. Growth. 1996. V.165. P.227.

330. Edwall D.D., Zandlan M., Chen A.C., Arlas J.M. //J.Electron. Mater. 1997. V. 26. N 6. P. 493.

331. Vldyanath H.R. // J.Cryst. Growth. 1996. V.161. P.64.

332. Leo G., Longo M., Lovergine N. et al. // J. Vac. Sci.Technol 1996. V. B14. N 3. P. 1739.

333. Кротов И.И., Миколюк Е.А., Старков Г.В. // В сб. Структура и свойства соединений А2В6. М.Металлургия, 1983 г. (МИСиС, Научные труды N 146) С.72.

334. Котков А.П., Ливерко В.Н., Моисеев А.Н., Сучков А.И. Исследование однородности состава эпитаксиальных слоев Cá^g^Te выращенных MOCVD-методом // I Росс.конф. по физике полупроводников. Тез. докл. Т. 2. Н.Новгород. 1993. С. 361.

335. Голубев A.B., Герасименко В.В., Котков А.П., Моисеев А.Н.,- 335

336. Сучков А.И. Влияние температуры осаждения на свойства эпитаксиальных слоев CdxHgj-xTe, выращенных MOCVD-методом // X Конф. по химии высокочистых веществ. Тез.докл. Н.Новгород. 1995. С.206.

337. Гришнова Н.Д., Котков А.П., Моисеев А.Н. Влияние температуры стенок реактора на рост теллурида кадмия по реакции диметилкадмия с диэтилтеллуром // X Конф. по химии высокочистых веществ Тез. докл. Н.Новгород. 1995. С. 261.

338. Моисеев А.Н. Получение высокочистых гетероэпитаксиальных слоев теллурида кадмия химическим осаждением из паров метал-лоорганических соединений // X Конф. по химии высокочистых веществ. Тез.докл. Н.Новгород. 1995. С.269.

339. Девятых Г. Г., Котков а. П., Ливерко В.Н., Моисеев А.Н. Влияние температуры стенок реактора на рост теллурида кадмия по реакции диметилкадмия с диэтилтеллуром //Докл.АН. 1995.Т.340. N 3. С.331.

340. Моисеев А.Н., Котков А.П., Голубев А.В.,Герасименко В.В., Сучков А.И. Свойства эпитаксиальных слоев CdxHgtxTe, полученных химическим осаждением из паров металлоорганических соединений. //Неорганические материалы.1996. Т.32. N 3.C.309.

341. Parat К. К., Taskar N.R.,Bhat I.B. et al.// J. Cryst. Growth, 1990 v.106 p.513