Физико-химические особенности влияния внешних воздействий на формирование и свойства полупроводниковых тонкопленочных гетерокомпозиций тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

1 .ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НИЗКОЭНЕР-ГЕТИЧСКИХ УСКОРЕННЫХ ЧАСТИЦ И ИЗЛУЧЕНИЙ С МАТЕРИАЛАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ГЕТЕРОКОМПОЗИЦИЯМИ НА ИХ ОСНОВЕ

1.1. Структурные нарушения в монокристаллических материалах (Si,Ge).

1.2.Влияние ионного воздействия на аморфные материалы

Si02, Si 3N4).

1.3 Влияние ионного воздействия на изменение электрофизических свойств полупроводниковых соединений и структур на их основе.

1.4 Стимулирование гетерогенных химических реакций.

1.5. Ионно-плазменное травление полупроводниковых гетероструктур на основе GaN.

1.6. Электронное воздействие на материалы.

1.7. Влияние электромагнитного поля на свойства материалов электронной техники.

Актуальность темы. Современное развитие тонкоплёночной технологии в электронике неизменно связано с разработкой новых материалов, поиском новых физико-химических способов и приёмов их получения и обработки. Прежде всего, это относится к полупроводниковым материалам, основными из которых остаются, несомненно, кремний и соединения группы Аш Bv. Среди многочисленных способов получения тонких плёнок полупроводников и гете-рокомпозиций на их основе особое место занимают способы, в которых используются низкотемпературные процессы с применением ионов, электронов, электрических и магнитных полей, плазмы газового разряда и т.д. Кроме того, указанные процессы применяются для управляемого изменения свойств тонкоплёночных материалов как в процессе их формирования, так и последующей обработки.

В отмеченных условиях получения тонких плёнок, гетерокомпозиций и их обработке имеется возможность воздействия как на отдельные частицы, так и на межатомные связи. Это открывает дополнительные возможности создания новых материалов с улучшенными свойствами.

Установление корреляции между кинетикой роста плёнок, химическим и фазовым составами, атомной структурой, морфологией, электрофизическими свойствами тонкоплёночных гетерокомпозиций и энергетическими параметрами внешних физических и физико-химических воздействий является предметом многочисленных исследований и технологических разработок.

Ярким примером использования внешних воздействий для получения тонких плёнок и гетероструктур является ионно-плазменное и плазмохимическое осаждение полупроводникового аморфного (a-Si), микро (mc-Si)- и поликристаллического кремния (poly-Si). Практическое применение эти плёнки находят в солнечных элементах, биполярных транзисторах и диодах, фотоприёмниках, микросхемах и т.д.

Проблема здесь состоит в поиске дополнительных возможностей управления структурой и свойствами материалов, уменьшение деградации параметров приборных структур.

Широкое использование низкоэнергетических ионных пучков для распыления и травления тонких плёнок, в том числе и полупроводниковых соединений (GaAs, InP, GaP) применительно к микро- и наноэлекторонике связано с необходимостью поиска таких условий, при которых оставался бы неизменным или слабо изменяющимся как химический состав поверхности, так и электронные свойства полупроводника.

Является актуальным исследование и разработка приёмов контроля параметров травления тонкоплёночных материалов и гетерокомпозиций непосредственно в процессе травления в технологическом аппарате.

Электронное воздействие на гетерокомпозиции и тонкоплёночные полупроводниковые (в первую очередь на основе кремния) приборные структуры является достаточно эффективным средством изменения, прежде всего зарядового состояния структур. Многочисленные исследования в этой области (так называемой радиационной технологии) показали возможность не только осуществлять отбраковку изделий, но и улучшать параметры приборов. Проблемой остаётся выяснение природы механизма и кинетики генерации различных центров захвата электронов.

Обнадёживающими являются исследования влияния "эффекта пирамиды" на зарядовое состояние гетероструктур полупроводник-диэлектрик-металл, а тем самым, на выходные параметры приборных структур. Данных в этой области чрезвычайно мало.

Упомянутые приёмы получения и изменения свойств полупроводниковых тонкоплёночных материалов и гетерокомпозиций на их основе соответствуют ряду приоритетных направлений в области критических технологий федерального значения: лазерные и электронно-ионно-плазменные технологии; материалы для микро- и нано электроники; опто-, радио- и акустоэлект-роники, оптической и СВЧ-связи. ки, оптической и СВЧ-связи.

Анализ опубликованных результатов работ в рассматриваемой области с использованием нетермически активируемых процессов получения и обработки тонкоплёночных материалов электронной техники приводит к необходимости расширения поиска новых подходов к управлению свойствами материалов и гетерокомпозиций. Одним из таких направлений является использование конкурирующего проявления различных эффектов, возникающих в материалах как при корпускулярном воздействии, так и при воздействии излучений.

Цель работы состояла в расширении возможности использования низкоэнергетических ионов, электронов, электромагнитного поля и плазмы для изменения физико-химических свойств полупроводниковых материалов и тонкоплёночных гетерокомпозиций на их основе применительно к устройствам преобразования энергии с повышенной эффективностью.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Теоретически и экспериментально изучить особенности протекания физико-химических процессов при плазмохимическом разложении крем-нийсодержащих соединений в условиях ионного и электронного воздействий.

2. Установить взаимосвязь между микрорельефом поверхности полупроводниковых плёнок и условиями их ионно-стимулируемого травления. Выявить закономерности распределения легирующих примесей в тонком приповерхностном слое полупроводников при структурных и фазовых превращениях.

3. Исследовать кинетику плазмохимического травления полупроводниковых соединений InP и GaAs и свойства поверхности.

4. Исследовать ионно-электронную эмиссию с поверхности полупроводников и тонкоплёночных гетерокомпозиций при их ионно-лучевом травлении.

5. Выявить особенности возникновения радиационных дефектов в гетеро9 структурах полупроводник -диэлектрик-металл при электронном воздействии.

6. Выяснить влияние "эффекта пирамиды" на параметры полупроводниковых структур.

7. Определить пути совершенствования технологии создания тонкоплёночных гетерокомпозиций для устройств преобразования энергии с повышенной эффективностью.

Научная новизна работы состоит в установлении новых физико-химических возможностей управления свойствами тонких плёнок полупроводникового кремния, соединений A111 Bv (InP, GaAs) и границ раздела гетерокомпозиций на их основе за счёт конкурирующего проявления эффектов, сопровождающих низкоэнергетическое воздействие ионов, электронов, плазмы и электромагнитного поля (структурные и радиационные дефекты, распыление, стимулирование гомогенных и гетерогенных химических реакций), взаимосвязи между параметрами тонкоплёночных полупроводниковых гетероструктур и энергетическими характеристиками используемых физических и химических воздействий.

Конкретная формулировка приводится в основных положениях и результатах, отвечающих требованиям новизны.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Воздействие ионов низкой энергии (до 1 ООО эВ) на поверхность в процессе формирования слоя полупроводника в химически активной плаз-мообразующей среде в условиях преимущественного проявления одного или совокупности эффектов дефектообразования, внедрения ионов, распыления и стимулирования гетерогенных реакций позволяет целенаправленно, с высокой эффективностью и интенсивностью изменять химический и фазовый составы, атомную структуру, топологию и электрофизические свойства тонких плёнок полупроводниковых материалов.

10

2. Дополнительное низкоэнергетическое ионное воздействие (до 100 эВ) на поверхность растущей плёнки аморфного гидрогенизированного кремния при разложении как моносилана, так и тетрахлорида кремния в высокочастотном электрическом разряде (13,56 МГц) позволяет варьировать скорость роста в несколько раз, содержание водорода и хлора на порядок, первое координационное число, соотношение аморфной и микрокристаллической фаз, величину оптической ширины запрещённой зоны до 40%.

3. Воздействие низкоэнергетических химически активных ионов (галогенов) на поверхность полупроводников (Si, Ge, InP, GaAs) в процессе травления приводит к периодическому изменению микрорельефа ("автоколебания") в пределах 10-14 класса шероховатости и химического состава в тонком приповерхностном слое полупроводниковых соединений (-100А).

4. Регистрация эмиттированных электронов с приповерхностного слоя материалов при низкоэнергетической ионной бомбардировке позволяет фиксировать все стадии процесса ионно-лучевого травления тонкоплёночных гетерокомпозиций: очистки поверхности, изменение химического состава, момент окончания травления, включая период перехода травления от одного слоя к другому.

16 2

5. Облучение электронами с энергией до 4 МэВ и дозой до 10 см" полупроводниковых гетерокомпозиций на основе кремния (МДП-структур) в сочетании с типом и концентрацией легирующей примеси в полупроводниковой структуре позволяет изменять как соотношение и концентрацию, так и скорость генерации радиационных центров.

6. Изменение времени жизни носителей заряда в полупроводниковой транзисторной гетероструктуре при воздействии "эффекта пирамиды" даёт возможность регулировать параметры полупроводниковых устройств.

Практическая ценность. Установленные теоретические и экспериментальные закономерности улучшения свойств тонких полупроводниковых плёнок кремния, соединений InP, GaAs и параметров гетерокомпозиций на их основе открывают новые возможности использования их при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов создания изделий микроэлектроники, а также устройств преобразования энергии с улучшенными характеристиками. Полученные экспериментальные и теоретические результаты используются в учебном процессе при чтении лекций и проведении лабораторных занятий по дисциплинам специальностей: 200100-микроэлектроника и твёрдотельная электроника; 014100-микроэлектроника и полупроводниковые приборы и направления 550700-электроника и микроэлектроника в Кабардино-Балкарском государственном университете.

Ниже приводятся конкретные результаты и их применение.

1. Разработана ионно-плазменная технология вскрытия контактных площадок при минимальном (<0,1 мкм) отклонении линейных размеров в межслойном диэлектрике толщиной до 0,4 мкм при создании структур с использованием плазмохимического оксида кремния и аморфного кремния. Результаты внедрены в СКБ "Элькор".

2. Разработан технологический маршрут изготовления биполярных транзисторных п-р-п структур с самосовмещёнными активными элементами при использовании слоя микро- и поликристаллического кремния в качестве резистора и ионно-стимулированного размерного травления, что обеспечило повышенную селективность травления и минимальное отклонение линейных размеров (<0,1 мкм). Результаты внедрены в СКБ "Элькор"

3. Создана усовершенствованная экспериментальная установка спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии, позволяющая проводить анализ состава, структуры и топографию поверхности кристалла с локальностью в один монослой, а также исследовать поверхность при углах падения первичных ионов от 0 до 90 градусов, при углах падения первичных ионов от 0 до 90 градусов, углах рассеяния до 120 градусов и повороте образца по азимуту на 360 градусов вокруг нормали к исследуемой поверхности.

4. Разработаны и созданы устройства для измерения с повышенной точностью оптических свойств исходных материалов группы соединений A111 Bv (Ga, In) и AIV BVI (Pb, Sn) в жидком состоянии, обеспечивающие получение полупроводниковых соединений со стабильным химическим составом (а.с. №1213399, 1986г; а.с. №1383167, 1988г).

5. Разработана методика регистрации интегрального сигнала электронной эмиссии при ионно-лучевом травлении тонкоплёночных гетерокомпозиций, позволяющая устанавливать изменение концентрации в кремнии, например, фосфора в пределах 2-4% ат., водорода 3-5% ат. мышьяка в GaAs в пределах 5-8% ат.

6. Предложен способ уменьшения деградации параметров тонкоплёночных гетероструктур на основе аморфного гидрогенизированного кремния для тензочувствительных и фотоприёмных устройств за счёт перекристаллизации полупроводникового материала и обеспечения оптимального соотношения аморфной и микрокристаллической фаз. Тензо-чувствительность датчиков при этом возросла в 3 раза, а соотношение o-ph/(7d в 10 раз.

7. Полученные результаты по ионно-плазменному травлению поверхности подложек соединений A111 Bv могут быть использованы при разработке светоизлучающих и фотоприёмных устройств с повышенной чувствительностью и селективностью.

8. Предложено использовать ионно-плазменную обработку поверхности подложек на основе соединений AIV BVI (PbTe, SnTe, GeTe) и ионное распыление никеля при создании чувствительных элементов датчиков теплового потока и термоэлектрических преобразователей, обеспечивающих повышенную воспроизводимость параметров гетероструктур.

13

9. Полученные результаты по влиянию электронного облучения на параметры гетерокомпозиций на основе полупроводникового кремния (МДП-структур) расширяют возможность создания радиационно-стойких приборов электроники. Результаты внедрены в СКБ "Элькор".

10. Результаты по влиянию "эффекта пирамиды" на увеличение времени жизни носителей заряда в полупроводниковой транзисторной структуре могут быть использованы для оптимизации типовой структуры и получения полупроводниковых приборов с улучшенными стабильными параметрами и характеристиками (патент РФ №2168236, 2001 г.)

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Систематическим и комплексным исследованием обосновано и показано, что возможности использования ионов низкой энергии (до 1000 эВ) электронов, электромагнитного поля и плазмы электрического разряда в процессе формирования и обработки тонких пленок полупроводникового кремния, соединений АШВУ и гетероструктур на их основе для улучшения их свойств применительно к устройствам преобразования энергии далеко не исчерпаны и обеспечивают эффективное изменение атомной структуры, химического и фазового составов, топологии поверхности и кинетики их образования.

2. Использование преимущественного проявления одного или совокупности эффектов, сопровождающих ионную бомбардировку поверхности: избирательного распыления, дефектообразования, активации низкотемпературных (до 300 °С) гетерогенных химических превращений, позволило разработать новые приемы и способы создания и травления тонких пленок полупроводников (Si, Ge, InP, GaAs)n гетерокомпозиций на их основе с улучшенными физическими, химическими и электрическими свойствами. Воспроизводимость физико-химических свойств тонких пленок полупроводников определяется термодинамически неравновесными условиями и особенностями кинетики их формирования.

3. Теоретически и экспериментально, с использованием представлений о кинетике моно- и полимолекулярной адсорбции при ионном (до 100 эВ) и электронном (до 20 эВ) воздействии на растущую поверхность, установлены закономерности изменения химического состава плазмы, скорости образования пленок полупроводникового аморфного гидрогенизированного кремния при плазмохимическом разложении моносилана (SiH4)n тетрахлорида кремния (SiCU). Дополнительное ионное стимулирование гетерогенных химических реакций обеспечивает увеличение скорости роста в 2-3 раза, а ионное распыление - ее уменьшение

329 роста в 2-3 раза, а ионное распыление - ее уменьшение вплоть до преимущественного удаления материала подложки.

4. Применение дополнительного низкоэнергетического ионного воздействия (до 100 эВ) при отрицательном потенциале на поверхности растущей пленки a-Si : Н(С1) позволяет варьировать содержание водорода от 20 до 5% ат, хлора от 12 до 4%ат, изменять величину оптической ширины запрещенной зоны от 1,35 до 1,82 эВ. Установлено, что воздействие ионами Аг+ и^с энергией 10-100эВ на поверхность осаждаемого слоя приводит к изменению первого координационного числа от 2,0 до 3,6, а также соотношения микрокристаллической и аморфной фаз в слое от 0 до 0,7. Экстремальные изменения параметров пленок наблюдаются при приложении дополнительного отрицательного потенциала к подложке на уровне 40-70 В. Отношение световой проводимости (aph) к темновой (ad) достигает 6-Ю6.

5. Экспериментально установлено, что дополнительная ионная бомбардировка растущего слоя аморфного кремния, при плотности потока ионов в

11 12 2 13 15 2 пределах 10 -10,zhoh/cm-с и дозе 10-10" ион/см , приводит к перекристаллизации слоя a-Si: Н(С1) и, как следствие, к изменению скорости диффузии легирующей примеси (бора) в несколько раз.

6. Показано, что воздействие ионами с энергией до 200 эВ в галогеносодер-жащей плазме позволяет ускорить в 2-3 раза процесс травления поверхностных слоев полупроводникового кремния и германия. Установлено периодическое изменение микрорельефа поверхности ("автоколебания") в пределах VI0-VI4 класса шероховатости, что связывается с конкурирующим проявлением эффектов дефектообразования и ионного распыления.

7. Разработаны и созданы прецизионные экспериментальные установки для исследования оптических свойств веществ в твёрдом и жидком состоянии в широкой области частот, температур и концентраций. Оптические из

330 мерения позволяют с высокой точностью определять отклонение химического состава вещества от заданного и прогнозировать свойства синтезированных соединений.

8. Созданная экспериментальная установка спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии позволяет проводить анализ состава, структуры и топографию поверхности кристалла с локальностью в один монослой, а также исследовать поверхность при углах падения первичных ионов от 0 до 90 градусов, углах рассеяния до 120 градусов и повороте образца по азимуту на 360 градусов вокруг нормали к исследуемой поверхности.

9. Впервые методом ВИМС построены профили распределения элементов по глубине ультратонкого поверхностного слоя монокристалла Си + 6 ат. % Ge и полупроводниковых соединении InSb и GaP, которые апрокси-мируются экспоненциальной зависимостью.

10.Спектры обратно рассеянных ионов показывают, что при температуре 323К на поверхность монокристалла твердого раствора Си+6 ат. % Ge сегрегирует Ge и его концентрация составляет -15 ат. % . Исследованы зависимости интенсивности рассеянных ионов на атомах Си и Ge от углов падения первичного пучка, рассеяния и вращения образца по азимуту. Исходя из этих результатов, оценена атомная шероховатость поверхности и установлено, что атомы Ge смещены относительно атомов Си на 0.066 нм вниз. С помощью ЭВМ построены модели первого атомного слоя монокристалла твердого раствора Си+15 ат. %. Установлено, что в первом атомном слое поверхности твердого раствора Cu-Ge сохраняется поворотная ось симметрии шестого порядка, характерная для плоскости ориентации (111) объемной структуры, и что элементарные ячейки меди и германия на поверхности ориентированы друг относительно друга на -30°

11. Предложен способ электронно-эмиссионного контроля процесса ион-но-лучевого травления плёнок и гетероструктур. Установлена возмож

331 ность реализации контроля всех этапов процесса ионно-лучевого травления тонкопленочных гетерокомпозиций по интегральному сигналу ион-но-электронной эмиссии. Показано, что при энергии ионов Аг+на уровне 1000 эВ, плотности их потока до 2-1014 ион/см2с уровень сигнала достигает 120 мкА, а ионно-электронная эмиссия позволяет регистрировать изменение состава слоя в пределах 3-5%от исходной концентрации.

12. Электронное облучение гетерокомпозиций полу провод

16 2 ник-диэлектрик-металл с дозой до 2-10 см" и энергией 4МэВ приводит к генерации различных по природе РЦ с различной скоростью, в зависимости от типа и концентрации легирующей примеси и геометрии структуры.

15 2

Доминирующими по концентрации РЦ при дозе до 5 • 10 см" являются Аи Е-центры. Установлено, что в структурах с изоляцией р-n переходом имеются РЦ с энергией ионизации 0,17; 0,24; 0,30 и 0,42 эВ. Скорость их генерации изменяется от 6,5-10"1 до 9,10"2, соответственно, а концентрация изменяется в интервале 2-1013- 7-1014 см"3 при изменении дозы от 1015до 16 2

2-10 см" . Разработаны оптимальные режимы отжига.

13. Воздействие электронного облучения на гетероструктуру приводит к образованию поверхностных электроактивных центров и разрыву направленных связей между атомами как в объеме диэлектрика, так и вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник с образованием пары электрон-дырка. Атом кислорода образует ловушечный уровень донорного типа, на котором локализованы дырки, атом Si - нейтрального акцепторного уровня. Плотность объемного заряда растет, достигая насыщения при потоке 108-109рад.

14. Показано, что снижение влияния радиационных эффектов на параметры полупроводниковых структур может быть достигнуто за счёт оптимизации топологии элементов ИМС. Для снижения влияния положительного заряда на работу ИМС изолирующий оксид целесообразно удалить от активных областей приборов на расстояние не менее 5-6 мкм. Это позволяет

332 предотвратить как появление паразитных каналов в пленке изолирующего оксида, так и снизить влияние поверхностных состояний.

15.Результаты исследований по влиянию "эффекта пирамиды " на параметры кремниевых транзисторных структур указывают на возможность регулирования коэффициента усиления, пробивного напряжения и обратного коллекторного тока. Показано, что в объеме и на поверхности полупроводниковой структуры изменяются центры рекомбинации, обуславливающие изменение составляющих рекомбинационных токов, что приводит к изменению времени жизни носителей заряда в структурах. По результатам проведенных исследований разработан технологический процесс, обеспечивающий повышенный процент выхода годных.

16.Результаты исследований и практические разработки позволили усовершенствовать технологию вскрытия контактных площадок создания транзисторных п-р-п структур с самосовмещёнными активными элементами, обеспечивающую минимальное отклонение линейных размеров (<0,1 мкм), а также показать пути повышения радиационной стойкости МДП-структур на основе кремния. На опытных образцах тензочувстви-тельных датчиков, тонкоплёночных устройств регистрации тепловых потоков и термоэлектрических преобразователей, показана возможность уменьшения деградации их параметров и повышения чувствительности в 2-3 раза.

Считаю своим приятным долгом выразить признательность за помощь в подготовке работы и обсуждении её результатов научному консультанту, доктору технических наук, профессору Кузнецову Г.Д., завкафедрой физических основ микроэлектроники, проректору КБГУ, доктору физико-математических наук, профессору Шебзухову А.А., доктору технических наук, профессору Мустафаеву Г.А.,

333 доктору физико-математических наук, профессору Кармокову A.M. и другим, оказавшим помощь в выполнении данной работы

Заключение

Применение слоя оксида кремния в сочетании со слоем аморфного и микрокристаллического кремния в качестве межслойного диэлектрика в транзисторных структурах позволило получить пологий геометрический рельеф после ионно-стимулированного травления с минимальным уходом линейных размеров (<0,1 мкм). При этом использованы конкурирующие проявления эффекта дефектообразования и физического, и химического распыления (травления). Использование модифицированного ионами слоя микро- и поликристаллического кремния в качестве резистора позволили разработать само- и сверх-самосовмещённую технологию создания базовых и эмиттерных областей транзистора. Параметры полученных биполярных транзисторов на 25-30% выше по всем показателям чем по стандартной технологии.

326

Результаты по модифицированию свойств слоёв аморфного и микрокристаллического кремния были использованы для создания тонкоплёночного, чувствительного элемента тензодатчика с конструкцией балочного типа. Конструкция предусматривает создание концентраторов напряжений в месте расположения тензочувствительного материала (тензорезистора). В месте расположения тензорезистора происходит увеличение деформации на два порядка. Для реализации расчетной картины деформации была разработана конструкция универсального тензомодуля в виде параллелограмма и изготовлена из монокристаллического кремния. Тензочувствительный элемент представляет гете-роструктуру на основе плёнки микрокристаллического водород- и борсодер-жащего кремния толщиной 1 мкм.

Эксперименты показали, что коэффициент тензочувствительности резисторов составляет 30-40 единиц, величина температурного коэффициента тензочувствительности 0,1-0,15% /°С, выходной сигнал при напряжении питания 5 В составляет 50-70 мВ, нелинейность нагрузочной характеристики гистерезис не превышает 0,02%, величина случайно составляющей погрешности не превышает 0,03%). Датчики сохраняли работоспособность и неизменяемость характеристик после 108 циклов нагружения.

Таким образом, проведённое комплексное исследование процессов создания плёночной гетероструктуры Si/SiOx:H/mk-Si:H(B) с применением ион-но-плазменного и плазмохимического осаждения кремнийсодежащих плёнок и последующего ионного воздействия ИК-нагрева аморфного гидрогенизиро-ванного кремния позволило получить тензочувствильные элементы датчиков силы и давления.

Результаты по ионно-стимулируемому травлению поверхности полупроводниковых соединений InP и GaAs использованы при создании экспериментальных светодиодных структур различного цвета свечения. Рассчитанные значения коэффициентов идеальности р-n переходов близки к единице, что свидетельствует о достаточно высокой степени совершенства технологий гетероструктур.

328

1.В. Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях.-М.: Атомиздат, 1978, с. 168-192.

2. Lilnhftrd J., Scharff М., Schiott Н.В., Range concepts and heavy ion ranges. -Kgl.danske Vid.selskab.Mat. ys. Medd., 1963 Bd 33, № 14.

3. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные дефекты в твердых телах. М.: И.Л.,1960, 240с.

4. Келли Б. Радиационные повреждения твердых тел.- М.: Атомиздат, 1970,236 с.

5. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы,- М.: Атомиздат, 1967, 401 с.

6. Setz F. On the discordering of solids by on of fast maselre particles. Disc.Faraday Soc., 1949, p. 271.

7. Плешивцев H.B. Катодное распыление,- M.: Атомиздат 1968, 344 с.

8. Mitchell Т.Е., Das G., Kemik E.A. Determine. Of threshold displacement energies by high voltage electiv microscopy. In: Fundamental aspects of radiation damage metals, Gatlinburg, USA, 1976, p. 73-79.

9. Brice D. K. Recoil contribution to ion implanted energy deposition distribution. - J. Appl. Phys., 1975» v.46, p. 3385 - 3394.

10. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д.// Радиационно-стимулируемая химико-термическая обработка. М., Энергоиздат, 1982, -186с

11. Кузнецов Г.Д.//Ионно-плазменное получение и обработка материалов. Научные школы МИСиС, издат МИСиС, 1997, -8с

12. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д.// Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. М., изд. МИСиС, 1995, 459с334

13. Восилюс Й., Пранявичус JI. Процессы на поверхности твердых тел, активируемые ионными пучками. Вильнюс, Моислас , 1987 , -210с.

14. Габович М.Д., Плешивцев Н.В., Семашко Н.Н. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. Москва : Энергоатомиздат, 1986, -249с.

15. Займан Дж. Модели беспорядка,- Пер. с англ. под ред. B.JI. Бонч-Бруевича,-М.: Мир, 1982, 591 с.

16. Pliskin W.A., Behman H.S. Structural evaluation of silicon oxide films. -J.Electrochera.Soc., 1978 v,112, № 9, p. 1013 1027.

17. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах,-М.: Мир, 1982, т. I, 368 е., т. 2, 663 с.

18. Estebau S.J. "Method of preparing glass films", Pat. №3158505 (CILIA). Кл. 117-215. 26 Schafer H. "Verfahren zum herstellen einer diffusionsmaske oder einer schutzschicht auf einem halbleitmarkorper", Pat. №40558 (ГДР). Кл. 21.

19. Hickmott T. Defect centers in oxygen-deficient rf-stuttered Si02 films. Electron spin resonance. J.Appl. Phys., 19ff4, v.45, Я 3, p.1051.

20. Кумахов M.A., Комаров Ф.Ф. Энергетические потери в твердых телах.-Минск, изд-во ЕГУ, 1979, 131 с.

21. Определение дефицита кислорода в двуокиси кремния /С.У. Крейнгольд, А.А. Пантелеймонова, Н.А. Шинкарева, М.С. Чунахин.- Ж. аналит. химии, 1975, т. XXX, вып. 5, с. 981-984.

22. Пранявичюс Л.И., Дудонис Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками.- Вильнюс: Мокслас, 1980, 242 с.

23. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно плазменная обработка материалов. М. : Радио и связь, 1986, -231с.335

24. Zaidi M.A., Zazoui M., Bourgoin J.C.// Ibid. 1993 V. 74 N 8. P. 4948-4951.

25. Shirafuji J., Kakiuchi Т., Olka K. et. al. // Defects and radiation effects in semiconductors. 1980. P. 263-269.

26. Liming W., Fung S., Beling C.D. // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V. 10. N 41. P. 9263-9271.

27. Reddy С. V., Luo Y.L., Fung S. // Phys. Rev. B. Condenced Matter. 1998. V. 58. N 3. P. 1358-1366.

28. Барчук A.H., Герасименко B.B., Иващенко А.И. и др // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 7. С.1308-1310.

29. Fang Z.-Q., Look D.C., Uchida М. // J. Electron Mater. 1998. V. 27. N 10. P. L68-L71.

30. Мильвидский М.Г. Полупроводниковый кремний на пороге XXI века. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 2000, №1, с.4-13

31. Ковалев А.Н. Полевые транзисторы на AlGan/Gan структурах. -М. : ООО "Микропринт ", 2001, -72с.

32. Stephen J.Pearton, Ganand Related Manerials. ( Gordon and Breach Science Publishers ; Amsterdam), 1997, p. 120.

33. Осипов K.A., Фолманис Г.Э. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков,- М.: Наука, 1973, 87 с.

34. Вишняков Б.А., Осипов К.А. Электронно-лучевой метод получения тонких пленок из химических соединений,- М.: Наука, 1970, с. 144.

35. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М. : Высшая школа, 1984 - 155с.

36. Аранович Г. Л., Вишняков Б.А. Кинетическое уравнение адсорбции в условиях электронной бомбардировки,- Физика и химия обработки материалов, 1979, № 1, с. 127-129.

37. Аранович Г.Л. Исследование и разработка процесса осаждения в тлеющем разряде защитных плёнок диоксида кремния разложением химических соединений. Дис. канд. техн. наук.-М., 1981, 175 с.336

38. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. М. -Советское радио, 1979,-103 с.

39. Зи.С. Технология СБИС М., Энергоиздат 1986г. 450с.

40. Ершов А.В., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф. Получение и исследование свойств аморфного кремния и приборов на его основе// Материалы, процессы и технология электронной техники: Вестник ННГУ-Н.Новгород 1994, с 119-126

41. Кузнецов Г.Д., Аранович Г.А. Флуктуация локальной температуры поверхности при осаждении окисных плёнок под воздействием электронной и ионной бомбардировки-Физика и химия обработки материалов, 1981, №4, с 39-42.

42. Миттов О.Н., Пономарева Н.И., Миттова И.Я. Формирование пленок оксида кремния на кремнии при термодеструкции триметилхролсилана в присутствии оксида азота и аммиака. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 2001, №2, с.48-51.

43. Chan Y.J., Lin M.S. Thermal annealing study on Ga As encapsulated by plasma-enhanced chemical vapr deposited SiOxNx. J. Appl. Phys. 58(1), 1, 1985, p.545.

44. Gerber R.M., Dzimanski J.W. Use of an ion microbe in semiconductor failure analysis. J. Vac. Ssci. Techol., 1997, v.25, №16, p.1072-1074

45. Левинштайн X., Смит Т.Е. Реактивное плазменное осаждение плёнок на основе кремния, 1981г.

46. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров, 1987г.

47. Иотаустас А., Дудонис Ю. Особенности формирования тонких пленок оксидов при реактивном магнетронном распылении. Ионно-плаазменные процессы в технологии микроэлектроники. Вильнюс, 1982, с.90-97.

48. Низкотемпературные методы окисления и их применение в микроэлектронике. Канд. дис. ЛабуноваВ.А., -Минск, 1978.337

49. Zolper J. С., Shul R. J. Dry Etching of Group III - Nitride Semiconductors MRS Bulletin, № 2 (1997), v. 22, p. 36

50. Nakamura S. at al. Appl. Phys. Lett. 69 (1996), p. 1477.

51. Pearton S. J. at al. Semicond. Sei. Technol. 8(1993), p. 31.

52. R. Lossy, J. Hilsenbeck, J. Wurfl, K. Kohler and H. Obloh "A new KOH-Based UV Assisted Wet Etching Technique", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V 537, 2000 oct., G 1.5.

53. Kenji Shiojima, and Shiro Sakai "DRY and WET ETCHING" Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V 537, 2000 oct., G 1.5.

54. S. Arulkunrran, T. Egawa, H. Ishikawa, Tjinibo and M. Umeno, "PHOTO-ASSISTED ANODOC ETCHING", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V 537, 2000 oct., G 1.5.

55. E. Kaminska, A Piotrowska, et. Al. "High speed AlGaN/GaN HFETs fabricated by wet etching mesa isolation" Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V 537, 2000 oct., G 1.5.

56. I. Adesida, "Eatching of GaN Related Compounds," in Properties, Processing and Applications of GaN and Related Semiconductor, ed. J. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, Amano and C. Wetzel, EMIS Data Review No 23 (INSPEC, IEE, London 1999).

57. R.J. Shul, "ICP Etching of Ill-Nitrides," in GaN and Related Manerials II, edited by S.J. Pearton (Gordon and Breach, New York 1998).

58. F. Ren, S.J. Pearton, J. Electron. Mater. 27.175 (1998).

59. E. Kaminska, A. Piotrowska, et. al. "High speed AlGan/Gan HFETs fabricated by wet etching mesa isolation" Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V 537,1999, G 1.5.

60. Arulkunrran, T. Egawa, H. Ishikawa, Tjinibo and M. Unemo "PHOTOASSSTED ANODIC ETCHING" Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V537, 2000 oct., G 1.5.

61. Диденко С.И. , Кольцов Г.И., Ладыгин E.A., Юрчук С.Ю. Влияние электронного облучения на электрофизические характеристики барьеров Шоттки на основе полупроводниковых соединении АШВУ. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 2000, №2, стр. 73-74.338

62. Дашевский М.Я., Ежлов B.C., Ладыгин Е.А. и др. Свойства облученных быстрыми электронами монокристаллов кремния, легированных германием. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 1999, №1, с.27-29.

63. Функционально-интегрированные структуры СБИС субмикронного топологического диапазона с повышенной стойкостью к внешним воздействиям. Докт. дис. Мурашов В.Н., Москва. МИСиС, 2000.

64. Чисстяков Ю.Д., Каминский В.В., Гришин В.М., Шведова В.В. Использование электромагнитого излучения в газофазных процессов технологии полупроводников. Обзоры по электронной технике, сер. 26 -М. : ЦНИИ "Электроника", 1986, 83с.

65. Войценя B.C., Гуужова С.К., Титов В.И. Воздействие низкотемпературной плазмы и электромагнитного излучения на материалы. -М. : Энергоиздат , 1991,233с.

66. Канэда И., Накано И., Накара Т. "Метод получения тонких покрытий", Пат. №23447 (Япония). Кл. 99/5.

67. Kuth К. and etc. "Plasma-enhanced deposition of silicon nitride from SiH4-N2 mixture", Japan Journal of Applied Physics vol.22, No 5,1983.

68. Рембеза С.И., Борсякова О.И., Рембеза Е.С., Тешев Р.Ш. Влияние кристаллической структуры пленок Sn02 на их электрические свойства. // Сборник на339учных трудов "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж. - 2001. - с.15-18.

69. Горбачев Ю.Е., Затевахин М. А., Каганович И.Д. Моделирование роста пленок гидрированного аморфного кремния из ВЧ разрядной плазмы. // Журнал технической физики.- 1996. -Т. 66. -№ 12.-С. 89-110.

70. Гуревич В. М., Карпова М.И. Москалев JI. Л. Кинетика осаждения эпитаксиаль-ных слоев кремния методом пиролиза силана. // Неорганические материалы. -1983.-Т. 19.-№11.-С. 1781-1785.

71. Демидова Н.С., Мишин В.А. Численное моделирование процесса экстракции ионов из замагниченной плазмы. // Письма в журнал технической физики. 1997. -Т.23.-№8.-С. 42-46.

72. Аранович Г.Л., Кузнецов Г.Д. Формирование тонких пленок под воздействием электронной и ионной бомбардировки. // Физика и химия обработки материалов. -1983. -№ 6.-С. 13-17.

73. Кузнецов Г.Д., Ходос Ю.А. Влияние ионного воздействия на скорость роста и химический состав водород- и хлорсодержащих аморфных слоев кремния. // Электронная техника. Серия 6 «Материалы». 1985. - № 1 (200). - С. 78 - 81.

74. Лебедев Ю.А. Введение в плазмохимию. Электронная школа по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Ивановский Государственный химико технологический университет, Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН.Апрель - октябрь 1999.

75. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков,- М.: Наука, 1978, 255 с.

76. Бубеников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. Москва, "Высшая школа", 1989. -320 с.

77. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Расчет и моделирование элементов интегральных схем. // Методические разработки. КБГУ. - 1999. - с. 62.

78. Люев В.К., Кармоков A.M.,Тешев Р.Ш. Определение коэффициента диффузии и энергии активации легирующих примесей в поверхностном слое монокристаллов кремния и германия. // Вестник КБО Академии технологических наук, серия технология. 1998. - в.2. - с.23.

79. Нефедов В.И. Физические основы рентгеноэлектронного анализа состава поверхности.//Поверхность -1982, № 1, с.4-21.

80. Мс Lean D., Grain boundarias in Menals // Oxford, Clareydol Press, -1957-X.-346 P

81. Du Plessis J., Viljoen P.E., Non-eguilibrium surface segregation of silicon in Fe-6,3 at.% Si(l 11).

82. Crank J. The Matematics of diffusion. //Oxford University Press, -1975.

83. Lea C., Seah M.P. //Phil. Mag. -1977, -35, -213.341

84. Hofmann S., Erlewein J. A model of the kinetics and equilibria of surface segregation in the monolayer regime.// Surface Sci. -1978. -77. -№3. -p.591-592.

85. Бондарчук A.B., Кармоков A.M., Аксельруд E.A. Исследование методом ВИМС профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-Al, Cu-Ge и фаз Лавеса.// Вестник КБО АТН РФ. -1997. -в.1 -с. 24-30.

86. Журтов З.М., Шебзухов А.А. Исследование поверхности сплавов методом ЭОС //Химия и технология молибдена и вольфрама. Нальчик. -1987.-е. 11-19.

87. Кармоков A.M., Тешев Р.Ш., Люев В.К., Гаев Д.С. Распределение элементов в поверхностном слое полупроводниковых кристаллов InSb, Ga, КЭФ-01, КЕС-0,01 и КЭМ-0,003. // Тезисы докладов региональной конференции-Нальчик. -2001. -с.45-46.

88. Кармоков A.M., Шебзухов А.А. Методическая разработка "Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионного пучка"/ Нальчик. Изд. КБГУ, -1992, -86 с.

89. Хофман С. Послойный анализ.// Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: -Мир. -1987. -с. 110.

90. Рейнор Г.В. Металловедение магния и его сплавов./ Перевод с англ. Гальперина Е.Л., Тиховой Н.М. Под редакцией Михеевой В.И.-М., Металлургия.-1964.-487 с.342

91. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф. Кумахов М.А. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, методы расчетов, таблицы). Минск: изд. БГУ им. Ленина, -1980. -348с.

92. Маннинг Ж.Д. Кинетика диффузии атомов в кристаллах, пер. с англ. Москва, "Мир", 1971. -277 с.

93. Русанов А.И. К термодинамике деформируемых твердых поверхностей. //В кн.: Физика межфазных явлений./ Нальчик, КБГУ, -1980, -с. 26-56.

94. Задумкин С.Н., Хоконов Х.Б. Физика межфазных явлений. Нальчик: КБГУ,-1980, -ч.1,-84 с.

95. Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах./ЯТоверхность -1983, -№ 8, -с. 13-22.

96. Аброян И.А.// Физические основы электронной и ионной технологии -М: Высшая школа, 1984. -55с.

97. Кармоков A.M., Лефкаер И.-Х,. Шебзухов А.А., Исследование сегрегации элементов в поверхностном слое интерметаллидов типа фаз Лавеса.// Вестник КБГУ, сер. физ.-мат. наук, -1996 -в.1 -с.261-266.

98. Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, -1980, -488 с.

99. Методы анализа поверхностей. Под ред. Зандерны А.: пер. с англ. /под ред. Кораблева В.В., Петрова Н.Н.-М.: Мир,-1979.-540 с.

100. Вернер Г. Введение в вторично-ионную масс-спектрометрию (ВИМС).// В кн.: Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника, В. Декейсера. М.: Мир, -1981. -с.345-459.

101. Новое в исследовании поверхности твердого тела. /Под ред. Гиваргизова Е.И., Ждана А.Г., Сандамирского В.Б. М.: Мир,-1977,-в.1 и -в.2 -314 с. и -371 с.

102. Козлов И.Г. Методы энергетического анализа электронных потоков. М.: Атомиздат, -1971, -189 с.

103. Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев: Наук, думка, -1981. -328с.343

104. Петров Н. Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л. Из-во ЛГУ. -1977. -160 с.

105. Еремеев М.А. Испускание электронов и отражение ионов от поверхности металла .//Докл. АН СССР -1951, -т.79, -№2, -175-780.

106. Арифов У. А., Агафонов А.Х., Поверхностные явления при бомбардировке металлов положительныим ионами.//Докл. АН Уз ССР, -1951, -№4, -с. 12-16.

107. Smith D.P. Scattering of low-energy noble gas ions from metal surfaces.//J. Appl. Phys. -1967, -v.38, -№1, -p.340-347.

108. Арифов У. А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. М., -1968, -372 с.

109. Векслер В. И. Вторичная эмиссия атомных частиц. Ташкент. 1970. 244с.

110. Smith D. P. Analysis of surface composition with low-energy backscattering ions.// Surface sci. -1971, -v. 25, -№1, -p.171-191.

111. Коган Л.М., Вишнековская Б.И. и др. // Электронная промышленность. -1992.-№2.-с.46-48.

112. Афанасьев В.П., Явор С.Я. Электростатические анализаторы для пучков заряженных частиц. М.: Наука. -1978.- 224 с.

113. Протопопов О.Д., Машинский Ю.П. Энергетические анализаторы оже-электронной спектроскопии. Обзоры по электронной технике. Серия 7, "Технология, организация производства и оборудование", вып. 4(363), ЦНИИ Электроника, М. -1976. -49 с.

114. Приборы и методы анализа поверхностей материала с помощью обратного рассеяния ионов низких энергий. Отчет о патентных исследованиях. ВЦПУ, Волгоградский филиал. Per. № ВЦПУ 1101/86, -1986, -119 с.

115. Волков С.С., Гутенко В.Т. Исследование внешнего моноатомного слоя поверхности методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий.// Электронная промышленность, -1984, -№ 2, -27-31.

116. Волков С.С., Денисов А.Г. и др. Автоматизированная установка для анализа поверхности методами ионной и электронной спектроскопии.// Тезисы докладов "Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия", Харьков, -1980.-е .67-69.

117. Попов В.П., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М. Высшая школа, -1988, -239-244.

118. Saiton М., Oura К., Asano К., Shoji F., Hanawa Т., Low energy ion scattering study of adsorption and desorption processes ofPb on Si(lll) surfaces.// Surface Sciens -1985,-№ 154, -394.

119. Souda R., Aono M., Oshima C., Otani S., Ishizawa Y. Mechanism of electron ex-chage between fow energy He+ and solid surfaces.// Surf. Sci. —1985, -№ 1, -L59-L65.

120. Oura K., Katayama M., Shoji F., Simp. Amer. Vac. Soc., Reno, Nev., 4-7 Dec.-1984,-1507-1510.

121. Speller S., Schleberger M., Heiland W., Structural stadies of the Pb(110) surface with ISS and RHEED.//Surf. Sci. -1997, -380, -№ 1, -p. 1-8.

122. Creemers C., Dual mode segregation of Pd to the surface of polycristaleine Fe99Pdi.// Surf. Sci. -1996, -360, -№ 1-3, -p. 10-20.

123. Niehus H., Bauer E. Low energy ion backscattering spectroscopy (ISS) with a commercial auger cylindrical analyzer (CMA).// Rev. Sci. Instrum. -1975 -v. 46, -№9,-1275-1277.345

124. Кармоков A.M., Матвеев Г.Н. Исследование поверхности кремния методом спектоскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Сб. научн. трудов.// Физика и технология поверхности./ Нальчик, -1990, -92-99.

125. Кармоков A.M., Шебзухов А.А. Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионных пучков. Нальчик, КБГУ, -1993, -76 с.

126. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично- эмиссионные методы исследования твердого тела. М., "Наука".-1977, -551 с.

127. Davis Н. L., Noonon J. R. Atomic rippling of a metallicordered alloy sur-face-NiAl(llO) //J. Vac. and Technol. 1985, A3, Pt 2: Proc. 31 Nat. Symp. Amer. Vac. Sol., Reno, Nev., 4-7 Dec. -1984, -p. 1507-1510.

128. Mfrchut L, Buck Т. M., Mc Mfchon C. J., Wheatley G. H., Augustynik W. M. //Surface Science -1987, -p. 252-262.

129. Whetley G. H., Calatteing C. W. UNV sistems for surface studies be ion scattering.// Rev. Su. Instrum. -1973. -44. -№6 . -p. 744-747.

130. Niehys H., Bauer E. Quantitative aspects of ion scattering spectroscopy (ISS). // Rev. Sei. Instrum. -1975. -№9. -46. -p. 222-333.

131. Аристархова А. А., Волков С. С., Гутенко В.Т., Дорожкин Н.В., Мишурова Е.А. Влияние изотопного состава на элементный и количественный анализ поверхности методом ионного рассеяния. //Поверхность.-1991. -%5 -с. 133-138.

132. Аристархова А. А., Волков С. С., Исаев Т. Н., Машкова Т. М., Тимашев М. Ю. Установка для исследования поверхности и эммисионных свойств пленочных эмиттеров.// Электронная промышленность —1987, -№5, -с. 47-49.

133. Примаченко В. Е., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, -1988, -232 с.346

134. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, -1987, -240 с.

135. Алябин Н.А., Логинова Р.Г., Овсянников М.И., Шамов С.А. Испарение фосфора и бора из кремния в вакууме. № 354-77. Горький, -1976. -10 с.

136. Вурзель Ф.Б., Полак Л.С., Щипачев B.C. Термическое разложение тетра-хлорсилана в условиях адиабатического сжатия и в плазменной струе.- Химия высоких энергий, 1967, т. 1 № 3, с. 268-274.

137. Словецкий Д.И. Механизм химических реакций в неравновесной плазме.- М.: Наука, 1980,310 с.

138. Актуальные проблемы материаловедения /Пер. с англ, под ред. Е.И. Гивар-гизова, М.М. Колтуна.- М.: Наука, 1982, вып. I, 271 с.

139. Лагов П.Б., Ладыгин Е.А. Кинетика накопления глубоких радиационных центров в неоднородных кремниевых структурах. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 1999, №1, с.53-56

140. Диденко С.И., Кольцов Г.И., Ладыгин Е.А., Юрчук С.Ю. Кинетика накопления глубоких радиационных центров в структурах с барьером Шоттки на широкозонных полупроводниках АШВУ. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 2000, №2, с. 75-76.

141. Тешев Р.Ш., Шебзухов А.А., Лущиков И.И. Экспериментальная установка для измерения оптических коэффициентов отражения жидких металлических сплавов. // В кн.: Физика межфазных явлений. Нальчик. - 1976. - с.73-83.

142. Тешев Р.Ш., Шебзухов А.А. Физико-химические характеристики поверхности металлических сплавов по данным оптических измерений. Поверхностные явления в расплавах. // Тезисы докладов. Грозный. - 1976.-е.8.347

143. Тешев Р.Ш. Экспериментальная установка для измерения оптических констант жидких металлов. // В кн. : Физика и химия поверхности. Нальчик. -1982. - с.63-67.

144. Тешев Р.Ш. Оптические свойства жидкого индия в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. // В кн.: Физика межфазных явлений. Нальчик. - 1984. - с.56-61.

145. Тешев Р.Ш., Катханов С.Н., Курманов З.Х. Оптические свойства и электронные характеристики олова и свинца в жидком состоянии. IIВ кн.: Физика межфазных явлений. Нальчик. - 1984. - с.77-82.

146. Тешев Р.Ш., Алчагиров Б.Б. Устройство для измерения оптических постоянных жидких металлов и сплавов. // Авторское свидетельство № 1213399. -1986.

147. Тешев Р.Ш. Оптические свойства жидких металических сплавов галлий -индий, индий олово, олово - свинец. // В кн. : Физико - химия межфазных явлений. Нальчик. - 1986. - с. 86 - 92.

148. Тешев Р.Ш., Шайкевич И.А., Поперенко Л.В. Межзонные переходы и характеристики электронов проводимости индия в жидком состоянии. // Вестн. Киев, ун та. Физика. - 1987. - №28. - с. 45 - 49.

149. Тешев Р.Ш. Оптические свойства олова и свинца в жидком состоянии в области спектра 0.4.2.5 мкм. // В кн. : Эллипсометрия в науке и технике. Новосибирск. 1987. - с.168-171.

150. Тешев Р.Ш., Шебзухов А.А., Карданов P.M. Устройство для измерения коэффициента отражения металлов и сплавов в жидком состоянии. // Авторское свидетельство №1383167. Бюл. изобретений 1988.348

151. Тешев Р.Ш., Шебзухов А.А. Электронные характеристики и дисперсия оптических постоянных жидкого галлия в области спектра 0.4.2.5 мкм // Оптика и спектроскопия. 1988. -т.65. - с. 1178-1181.

152. Кармоков A.M., Матвеев Г.Н., Тешев Р.Ш. Исследование поверхности материалов методом спектроскопии обратно-рассеянных ионов низкой энергии, h Тезисы докладов VI Всесоюзного семинара «Вторично-ионная и ион-но-фотонная эмиссия». Харьков. - 1991. - с.148.

153. Концевой Ю.А., Шухостанов А.К., Альтудов Ю.К., Тешев Р.Ш. Контроль параметров полупроводниковых материалов. // Учебное издание. 4.7.п.л. -Москва Нальчик. - 1997.

154. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Методы измерения и исследования в микро349электронике. II Методическая разработка. КБГУ. - 3.5 пл. - 1997.

155. Ершов А.В., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф. Получение и исследование свойств аморфного кремния и приборов на его основе. Материалы, процессы и технологии электронной техники : Вестник ННГУ. Н. Новгород , 1994, с. 119-126.

156. Кузнецов Г.Д. , Аранович Г.Л. Флуктуации локальной температуры поверхности при осаждении окисных пленок под воздействием электронной и ионной бомбардировки. Физика и химия обработки материалов. 1981, № 4, с. 39-42.

157. Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Таиров Ю.М. Аморфные пленки 2-Si:H, полученные методом циклического осаждения. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 1999, №4, с. 29-32.

158. Мустафаев Г.А., Кумахов А.М, Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Кинетика образования плёнок Si02. // Сб. докладов XIV Международного симпозиума «Тонкие плёнки оптоэлектроники и электроники». Харьков. - 2002. - стр. 88 -90.

159. Земсков B.C. , Кузнецов Ф.А., Уфимцев В.Б. Банки данных по полупроводниковым и другим материалам электронной техники и процессам их получения. Изв. вузов, Материалы электронной техники, 1998, №3, с.13-16.

160. Левинштайн Х.Ж., Смит Т.Е. Реактивные плаазменные осаждения пленок на основе кремния. -М.: Наука.-1981.-288 с.

161. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров, 1987

162. Мильвидсккий М.Г., Громадин А.Л., Парфенов А.В. Тонкопленочные структуры аморфного кремния для жидкокристаллических пространственных модуляторов света Изв. вузов, Материалы электронной техники, 1999, №1, с. 13-16.

163. Konagai М., Takahaski К. Amprphoue Si-P-H solar cells prepared by D.C. glow discharge. Appl.Phys.Lett», 1980» v.36(7), № 1.350

164. Plasma deposition of amprphoue silicon films from S1CI4. + H2/Q. Brunc, P.Capezzuto, F.Cramarosea, R.D' Agostino R.F. Thin Solid Films, 1980, т. 67, p. 103 - 107.

165. Angelli V., Murri R. Physical Characterization of halogenated and hydrogenated amprphous silicon films. Thin Solid Films, 1980, т.69, p. 315 - 320.

166. Кузнецов Т.Д., Миронов A.C. Исследование процесса получения аморфных кремниевых слоев из хлоридсодержащей среды в ВЧ тлеющем разряде.-Электронная техника, сер. Материалы, 1981, вып. 9(158), с. 37-40.

167. Steribler D.U., Wronski C.R. // Appl. phys. Left, 31, 292 (1977).

168. Меден A., LLIo M. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991,670с.

169. Lung С.Р„ Zhu F. // 2-nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, 1998, p. 994 997.

170. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. И. Хамакавы. М: Мир, 1986,376 с.

171. Makoto Nakamura. Degradation in Amorphous Silicon Solar Cells. PVSEC-1, Kobe, Japan, 1984,p.387-391.

172. Miyzaki. Current Status and Perspektives of Amorphous Si Thin Film Solar Cells. PVSEC-9, Japan, 1996, p. 248-256.

173. Urli N.B. // 2-nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Confersien, 1998, p. 987-993.

174. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шиляев П.А., Шентуров Д.В., Шентуров В.Г. // Поверхность. 2001, №8, с. 107-112.

175. Кузнецов Г.Д., Тешев Р.Ш. Модифицирование свойств плёнок аморфного гидрогенизированного кремния низкоэнергетическим ионным воздействием. //Известия вузов. Материалы электронной техники. -М. -2002. в.4. -с.64-68.

176. Mishima Y., Miyazaki S., Hirose M., Osaka Y.// Phyl. Mag. B, №46, p. 1 (1982).

177. Аранович Г.Л., Кузнецов Г.Д. //Физика и химия обработки материалов. -1983, №6, с. 13-17.351

178. Кузнецов Г.Д., Миронов А.С.// Электронная техника, сер. материалы., вып. 9 (158), 1981, с. 37-40.

179. Шентуров Д.В., Павлов Д.А., Шентуров В.Г., Хохлов А.Ф.// Изв. РАН сер. физ. -1998,-т. 34, №9, с. 1128-1131.

180. Данилин B.C., Киреев В.Ю. Модель процесса травления материалов в гало-генсодержащей газоразрядной плазме,- Физ. и хим.обработка материалов, 1977, J* 4, с. 8-13.

181. Шентуров Д.В., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Овсецина А.Э., Кудрявцева Р.В. П Изв. ВУЗов. Цв. металлургия. -1997, №5, с. 67-70.

182. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Способы получения тонких диэлектрических пленок для интегральных схем. // Зарубежная электронная техника. М. - 2001. - вып.4. - с.61-92.

183. Киреев В.А. «Курс физической химии», М. 1975г.

184. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц M.JI. «Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ», М. 1975г.

185. Карапетьянц М.Х. «Химическая термодинамика», М. 1975 г.

186. Корзо В. Ф., Черняев В. Н. «Диэлектрические пленки в микроэлектронике» МД977, 368с.

187. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Свойства окисных пленок алюминия . // Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах. ОМА II. - Второй международный симпозиум. - Сочи. - 2001. -с.206-209.

188. Тешев Р.Ш., Кузнецов Г.Д. Электронно-эмиссионный контроль процесса ионно-лучевого травления слоистых гетерокомпозиций. // Известия вузов.352

189. Материалы электронной техники. М. - 2002. - в.2. - с.57-62.

190. Winters Н.Р. The role of chemisorptions in plasma etching. J. Appl. Phys., 1978, v.49,N 10, p. 5165-5170.

191. Дикарев Ю.Н., Сыноров В.Ф., Толстых Б.Л. Плазмохимическое травление в технологии ИС,- Зарубежная электронная техника, 1978, № 3, 51 с.

192. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ион-но-химическое травление микроструктур,- М.: Радио и связь, 1983, 126 с.

193. Тонкие пленки в электронике. Взаимная диффузия и реакции/ Под ред. Д. Поута, К. Ту, Д Мейера М.: Мир, 1982,576 с.

194. Вяткин А.П. и др. // Сб. тез. докл. 1 Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники, Ленинград ФТИ им. Иоффе, 25-27сент. 1989, Т.Б, с. 267-269.

195. Morgan D.V., Wood J. // Appl. Surf Sci., 1989, v. 38, № 1 4, p. 517 - 539.

196. Hayashi K. etal. // Materials' Science and Engineering, Al 15, 1989, p. 349 353.

197. Галанин С.Г., Мучник М.Л., Черняк Е.Я. // Сб. тез. докл. 9 Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом, — М.: МИФИ, 1986, т. 1,ч. 2, с. 94-96.

198. Применение ионно-плазменного травления для обработки и исследования поверхностных слоев кристаллов /О.Н. Григорьев, .В.Н. Карбань А.Ф. Онишко В.И. Трефилов.- Физ. и хим. обработки материалов, 1979, Л 3, с. 30-34.

199. Исследование процесса плазмохимического травления Si и Si02 при изготовлении полупроводниковых ИМС /И.И. Кротов, Г.Д. Кузнецов, Г.Б. Юн, А.С. Миронов,- Электронная техника. Сер. 5, Радиокомпоненты, 1981, вып. 1(170), с. 32.

200. Кузнецов Г.Д., Миронов А.С., Юн. Г.Б. Исследование плазмохимического травления двуокиси кремния во фреоновой плазме тлеющего ВЧ разряда.-ЦНИИ Электроника. Деп. Л ДРС875, п. 810820, 1981, с. 6.

201. Маккоэн Д.В., Кушнер Р.А. Деградация окисных пленок за счет облучения353плазмой при катодном распылении и ионном травлении.- ТИИЭР, 1994, т. 62, Л 9, с. 63.

202. Верходанова С.П., Гаштольд В.Н. Электрическая эрозия структур в процессе ионного облучения,- Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы, 1979, вып. 2(128), с. 41-50.

203. Clark D. L, Fok Т. Surface modification of InP by plasma techniques using hydrogen and oxygen.- Thin Solid Films, 1981, v. 78, № 2, p. 271.

204. Burton R. H., Smolinsky G. CC14 and Clz plasma etching of III—V semiconductors and the role of added 02.- Solid State Sci. and Technol., 1982, v. 129, № 7, p. 1599.

205. Smolinsky G., Gottscho R. A., Abys S. M. Time-dependent etching of GaAs and InP with CC14 or HC1 plasmas.- J. Appl. Phys., 1983, v, 54, № 6, p. 3518.

206. Burton R. H., Hollien G. L., Marchut L., Abys S., Smolinsky G. Etching of gallium arsenide and indium phosphide in of discharges through mixtures of trichloro-fluoro-methane and oxygen.- J. Appl. Phys., 1983, v. 54, № 11, p. 6663.

207. Тешев Р.Ш., Кузнецов Г.Д. К моделированию плазмохимического травления монокристаллического фосфида индия в галогенидсодержащей среде. // Известия вузов. Северо-Кавказкий регион. Технические науки. Ростов-на-Дону. - 2002. - Спецвыпуск. - с.89-92.

208. Новикова Э. М., Кузнецов Г. Д., Ершова С. А., Бабайцева М. II. Роль кислорода в процессе плазмохимического травления InP.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1985, т. 21, № 8, с. 1268.

209. Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионнохимиче-ское травление микроструктур. М.: Радио и связь, 1983.

210. Тешев Р.Ш., Кузнецов Г.Д., Кушхов А.Р. Моделирование кинетики процессов плазохимического травления кремния и диоксида кремния. // Изв. Вузов. Северо-Кавказкий регион. Технические науки. Ростов-на-Дону. - 2002. -Спецвыпуск. - с. 92-94.

211. Рябов С. Н., Кутолин С. А., Бойкин Н. Ж Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления.— Электрон, техника. Науч.-техн.354сб. Технология, организация производств и оборудования, 1981, вып. 20, с. 844.

212. Adachi S., Kawaguchi Н. Chemical etching characteristics of (001) InP.— J. Electrochem. Soc., 1981, v. 128, № 6, p. 1342.

213. Adachi S. Chemical etching of InP and InGaAsP/InP.-J. Electrochem. Soc., 1982, v. 129, № 3, p. 609.

214. Adachi S., Kawaguchi H., Iwane G. InGaAs/InP planar-stripe lasers with chemically etched mirrors.- J. Electrochem. Soc., 1982, v. 129, № 4, p. 883.

215. Turley S.E., Greene.P. D. LPE growth on structured (100) InP substrates and their fabrication by preferential etching.— J. Cryst. Growth, 1982, v. 58, № 2,

216. Coldren L. A., Furuya K., Miller В. I. On the formation of planar — etching facets in GalnAsP/InP double heterostructures.- J. Electrochem. Soc., 1983, v. 130, № 9,p. 1918,

217. Данилин Б. С., Киреев В. Ю., Назаров Д. А. Реактивное ионное травле-ние//Обз. по ЭТ. Сер. 3. Микроэлектроника. 1984. Вып. 1 (1010). 71 с.

218. Burton R. Н., Smolinsky G. ССЦ and С12 plasma etching of III — V semiconductors and the role of added 02//Solid State Sci. and Technol. 1982. V. 129. № 7. P. 1599.

219. Gottosho R., Smolinsky G. Carbon Tetrachloride plasma etching of GaAs and InP//J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 8. P. 5908.

220. Coburn I. W., Winters G. F. Chemical reactions of gases initioned ions and electrons//.!. Appl. Phys. 1979. V. 50. № 5. P. 3189.

221. Рипан P., Честяну И. Неорганическая химия. Т. 1. М.: Мир, 1972. 573 с. 10. Термодинамические константы веществ. Справочник/Под ред. Глушко Г. А.355

222. Т. 1 — 4. Наука, 1971 — 1977.

223. Schultes К., Chistodoulidis A. Studies by the electron cyclotron resonance ECK) technique the chlorine containing molecules//! Chem. Phys. 1975. V. 59. № 8. P. 354.

224. Новикова Э.М., Кузнецов Г. Д., Ершова С. А. Роль кислорода в процессе плазмохимического травления ЭПР//Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 21, №8. С. 1268.

225. Yeh Т.Н, Joshi M.J. Strain Compensation in Silicon by Diffused Impurities. J. Electrochem. Soc., 1969, v. 116, № 1, p.73.

226. Попов В.К., Кондрашова А.Т. СВЧ плазмохимическая обработка. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1982. - Вып. 22. с. 131-134.

227. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. И. Айспрука и Д. Брауна . Пер. с англ. к.т.н. Ю. М. Золотарева и к. ф-м. н В.В.Юдина. / Под ред. д. ф-м. н. Е. С. Машковой // М.: Мир. 1987.

228. Mahi В., Arnal Y.J Pomot С. The Etching of Silicon in Diluteed SF6 Plasmas :Correlation Between the Flux of Incident Species and the Etching Kinetics. //J. Vac. Sci.Technol.B.-1987.-Vol. 5, N3.-P.657-665.

229. Becher P. Interaction parameter calculations from contacted angle data//J. Colloid and Interface Sci. 1977. V. 59. № 3. P. 429.

230. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Кумахов A.M., Мустафаев А. Г. Влияние электронного облучения на полупроводниковые гетерокомпозиции. // Труды 12 Международной конференции. «Радиационная физика твёрдого тела». М. -2002. -с.89-103.

231. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Влияние им356пульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы. // Труды X межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". М. -2002. - с.496-498.

232. Кумахов A.M., Тешев Р.Ш., Мустафаев Г.А. Влияние импульсного ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры и устройства на их основе. // Вестник Дагестанского научного центра РАН. 2001. - №12. - с 4-42.

233. Кодолщев Б.Б., Пистунович В.И.// Международный Токамак-реактор ИНТОР, -Атомная энергия, 1983, т.54, вып.2 с. 83-98.

234. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Ионно-легированные ме-за-планарные полупроводниковые структуры. // Труды международного научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.-2001. - с.194-196.

235. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М., Атомиздат 1969.

236. Svensson B.G., Willander M.J. Generation of divacancies in silicon irradiated by 2 mev electrons delh and dose dependence // J. Appl. Phys. -1987. v.62. -N 7-p.2758-2762.

237. Colllogue Int. la Microeleetr., Avancee, 1970, p.667.

238. Solid State Technol, 1969,v. 12, 5, pp40-49.357

239. Патрикеев Л.Н., Подлепецкий Б.И., Попов В.Д. "Изменение заряда в диэлектрике и прводимости МДП-структур под действием радиации". В кн.: Тонкие диэлектрические пленки, Т. 3 Л. 1973, с.266-267.

240. Zaininger К., Waxman A. Radiation resistance of AI2O3 MOS devices. IEEE Trans. Electron. Devices, 1969, v. ed-16, 4, pp333-338.

241. Пекарчук Т.Н., Хруумель A.K. Радиационная стойкость МДП-структур и по-лупроводникковых приборов на их основе. обзоры по ЭТ, серия 2, 1979, вып.5, с.651.

242. Vanstone G. Electronics Letters, 1972 , v.8, 1, pl3.

243. Тешев Р.Ш., Кузнецов Т.Д. Гетеропереходы с барьеров Шоттки в системе арсенид галлия-нитрид-вольфрама. // Труды международной конференции «Актуальные проблемы твёрдотельной-электроники и микроэлектроники». -Таганрог. 2002. -ч. 1. - с. 101-103.

244. Корзо В.Ф, Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлекторнике. М. 1977. 368с.267 "Радиационно-надежностные характеристики изделий электронной техники", под редакцией Ю.Н. Торгашова. С-П., 1994, с94.

245. Flowers D. "Gate oxide degradaation in the polysilicon doping activatiion processes". J. Electrochem. Soc., 1987, v. 134, 3, pp698-702.

246. Lahav A., Grim A. K., Blech I.A.//J. Appl. Phis., 1990, v. 67, № 2,p. 734 -738.

247. Geissberger A. E., Sadler R.A//J. Vac. Sci. Technol. (B), 1987,v. 5, №6, p. 1701-1706.

248. Aslam M., Singh R., Balk P. "Nature of electron and hole traps in MOS systems with poly-Si electrode". Phys. Stat. Sol, 1984, v.84, 2, pp659-668.

249. Eernisse E. "Viscous flow of thernal Si02". Appl. Phys. Lett., 1977, v.30, 6, pp290-293.

250. Cheng БЦ Chao C., Su W. "The effect of gate electrodes using tungsten and or poiysilicon on the dielectric characteristics of very thin oxides". Sol. St. Electr., 1990,v. 33, 3,pp365-373.358

251. Smalter R. "Hole tran creation in SiC>2 by phoshorus ion penetration of polycrys-talline siliccon". IEEE Trans. Nucl. Sci, 1982, v. ns-29, 6, ppl467-1470.

252. Гаев Д.С., Тешев Р.Ш. Исследование давления насыщенного пара сплавов системы свинец селен. // Известия вузов. Химия и химическая технология. -Иваново. 2002.

253. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш. Полировальный состав и способ полирования полупроводников типа А12Вщ.// Патент на изобретение № 2170991.— 2001.

254. Mustafaev G.A., Teshev R.Sh., Mustafaev A.G. Influence of processing by magnetic fields on semiconductor structures parameters.//New Materials and technolo-qies in 21-st Century. Beijinq.-China Oct 2001.- p.415.

255. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов. Положительное решение по заявке на изобретение №2002101238/28. Приоритет от 8.01.2002г.

256. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ повышения быстродействия полупроводниковых приборов на основе кремния. Патент на изобретение № 2001109564/28. 2002.359

257. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов на основе кремния. Патент на изобретение №2168236. 2001.

258. Пасынков В.В., Чиркин JI.K. Полупроводниковые приборы. М. - В.Ш. 1987. -с. 375.

259. Киреев В. Ю., Данилин В. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионохи-мическое травление микроструктур // М.: Радио и связь. 1983.

260. Карпель Н.Г., Федорчук O.K., Куляс C.JI. Применение химико-спектрального метода для решения некоторых аналитических задач при эпитаксиальном наращивании. Заводская лаборатория, 1972, К 6, с.671.

261. Химико-спектральный метод определения поверхностных загрязнений подложек кремния и арсенида галлия/ И.А.Кузовлев, В.Л.Сабатовская, Л.С.Хоркина, В.А.Еыстрова Заводская лаборатория, 1972, и 6, с.674.

262. А. N. Saxena, D. Pramanil Multilevel j Solid State Technology / December 1984, p 93-100.

263. A. J. Rossmallen, Review drycthing of Silicon oxide j Vacuum / volume 34, N3,1984, p 429-436.

264. Раис Д. Создание высококачественных цифровых БИС и СБИС по технологии "изопланар - 5" Электроника т.52,1979, №25, с. 35-41.

265. Lee Sctall IEEEJ. - V 17 1982 №5 p. 913-918.

266. Лохстрох Я. Приборы и схемы для БИС на биполярных транзисторах. ТИИЭР. т.62,1981 г., №7 с. 47-61.

267. Хоясака Т. Хандотай Канкю, т. 15,1978, №4, с. 33-59.

268. Валиев К. А., Наумов Ю. Е. Проблемы создания элементной базы сверхвысокой степени интеграции для ЭВМ - микроэлектроника, 1980, т. 9, в. 6, с. 483360-490.

269. IEEEJ, 1981 V C-16, №5 p488.

270. IEEE Trans, 1980, V-27, №11, p.2194.

271. Янушонс С.С. Применение метода самоформирования для получения пла-нарных структур // Электронная промышленность. 1980. Вып. 1. С. 16-18.

272. Климашаускас К.Ю., Янушонс С.С. Самоформирование структур в технологии изготовления интегральных схем // Электронная промышленность. 1980, вып. 1.С. 10-12.

273. Li G., Ning Т. et al. /ЛЕЕЕ. Trans. 1987. Vol. ED-34. №10. P. 324-328.

274. Тешев Р.Ш., Мустафаев Г.А. Технология изготовления биполярных ИС с совмещёнными активными элементами из полкремния. // Вестник Дагестанского научного центра РАН. Махачкала. - 2001. - №11. - с.50-52.

275. Ватанов В. И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоиздат, 1983. -135 с.

276. Hino J. Crystal structure of InGaAlP for visible semiconductors laser .sand devices characteristics. //LaserEg. -1990. v. 18. p. 592- 595.304 11 Migoko O., Watanable Y.Si Related deep levels in InGaAlP. // J.Appl. Phys.-1986. -v.80.-p. 1032.

277. Мармалюк А. А. Исследование и разработка процесса МОС гидридной эпитаксии нитрида галлия: Дисс. канд. техн. наук М.,1998. 177с.

278. Abramov V., Sinelnikov В., Teshev R.Sh., Kuznetsov G., Sushkov V. Full-colour light emitting diodes. // New Materials and technoloqies in 21-st Century. Beijinq. -China Oct 2001.-p.398.

279. Тешев Р.Ш., Сижажев T.A., Сукач E.B., Люев В.К., Кармоков A.M. Экспериментальная установка эпитаксиального наращивания нитридов Ш группы. // Труды докладов международного семинара по теплофизическим свойствам расплавов. Нальчик. - 2001. - с.280-284.

280. Гаев Д.С., Панченко В.А., Кармоков A.M., Тешев Р.Ш., Технология получения многокомпонентных субмикронных слоев для изделий функциональной электроники. //Тезисы докладов Российской конференции «Приборы и техника ночного видения». -Нальчик-2002. с. 67.

281. Сроки внедрения : плановый 1995 г. фактический 1995 г.

282. О внедрении результатов научно-исследовательской работы по теме : «Факт 163»1 .Организация-разработчик: Кабардино-Бадкарский госуниверситетэлектроники.

283. Руководитель темы Тешев Р.Ш.

284. Сроки внедрения : плановый 1992 г. фактический 1992 г.

285. О внедрении результатов научно-исследовательской работы по теме : «Техпомощь 93»S1 .Организация-разработчик : Кабардино-Балкарский госуниверситет

286. Подразделение-разработчик : кафедра физических основ микро электроники.

287. Руководитель темы Тешев Р.Ш.

288. Пред став ленные материалы Исследование влияние дестабилизи рующих факторов на свойства и параметры структур на основе кремния2.0рганизация, внедряющая результаты НИР : ОАО НЗПП

289. Предмет внедрения : Оптимизация технологии изготовления полупровод1никовых приборов и ИС для повышения их надежности. 4.Экономический эффект 500 тыс.руб.

290. Сроки внедрения : плановый 1993 г. фактический 1993 г.

291. Работники, принимающие участие во внедрении : от организации разра ботчика Тешев Р.Ш.от организации внедряющей результаты НИР : главный технолог ОАО НЗПП Меркушев А.А.1. Тхагалегов А.М