Формирование и разрушение эпитаксиальных структур при импульсном лазерном воздействии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В. ЛОМОНОСОВА

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ имени Д.В. СКОБЕЛЬЦЫНА

На правах рукописи УДК 539.1.075:681.7.069.2

Монахов Эдуард Валерьевич / /у

ФОРМИРОВАНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ.

01.04.04 — физическая электроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физихо - математических наук

Москва 1997

Работа выполнена в Отделе физики атомного ядра Научно — исследовательского института ядерной физики Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова

Научные руководители:

доктор физико-математических наук,

профессор Анатолий Филиппович

ТУЛИНОВ

доктор физико-математических наук,

в. н. с. Николай Гаврилович

ЧЕЧЕНИН

Официальные оппоненты:

доктор физико — математических наук,

профессор Владимир Николаевич

НЕВОЛИН

кандидат физико — математических наук,

доцент Николай Леонидович

ЛЕВШИН

Ведущая организация: Институт металлургии им. А.А. Байкова, РАН

Защита диссертации состоится " О "////Л41У1997 г. в "-/Г" часов на заседании диссертационного совета К—053.05.23 в Московском государственном университете им. М.В. Ломоносова. Адрес: 11989Э Москва, НИИЯФ МГУ, 19-й корпус МГУ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке-НИИЯФ МГУ.

Автореферат разослан г. //■.:] " ч 'V \

Ученый секретарь ('7 ; Ъ ■ /-у . ";;4 ' ' 'Д

диссертационного совета ' / 4 , ■ ]' *;

кандидат физико — математических наук у, '-' О.В:, ЧУМАНОВА

Актуальность проблемы. Импульсное лазерное воздействие Ч.В) на материалы интенсивно исследуется в течении последних -20 лет. Изначально, интерес к ИЛВ обуславливался можностью применения мощного лазерного излучения для отжига зектов и активации примесей в полупроводниках после Ионной плантации. В 1974— 1975 гг. были опубликованы пионерские юты по лазерному отжигу имплантированных слоев [1,2]. Для >мния лазерный отжиг обеспечивал полное восстановление 1сталлическ0й структуры и практически 100% активацию примесей , В). Позднее, однако, было показано, что для ряда .упроводниковых соединений, таких как А3В5 и ЭЮ, ИЛВ приводит интенсивной генерации дефектов, препятствующих активации 1лантированной примеси [3—6].

В последующие годы, основное внимание, помимо нологичесхих применений метода, было уделено принципиальным зическим вопросам: фазовым превращениям в приповерхностных ях полупроводников, неравновесной сегрегации примесей, хиометрическим нарушениям при ИЛВ и т. д. Получило развитие ленное моделирование лазерно — индуцированных изменений в •ериалах. В настоящее время, интерес в исследованиях ИЛВ на гериалы сместился в сторону контролируемой модификации дества, такой как создание метастабильных фаз, изменение ктрофизических свойств, создание эпитаксиальных пленок и т. д., используются как локальность, так и сильно неравновесный :актер ИЛВ.

Целью работы явилось исследование структурных и тозиционных перестроек в эпитаксиальных структурах динения УВагСизОх, 6<х.<,7, обладающего свойством высоко — шературной проводимости, и в полупроводниковой ■хкомпонентной системе СехБ11 _Х/Б1 под воздействием мощных ерных импульсов. В задачу входило также численное \елирование лазерного воздействия на исследуемые материалы.

Научная новизна. Проведены экспериментальные исследования численное моделирование структурных и композиционных

перестроек в эпитаксиальных структурах YBa2Cu3Ox, 6<х<7, и Ge]_xSix при воздействии мощных лазерных импульсов. При этом:

1. Впервые проведены исследования корреляции структурных и композиционных модификаций и изменений электрофизических свойств в эпитаксиальных пленках YBa2Cu3Ox, 6Sx<7, под воздействием мощного импульсного лазерного излучения с длиной волны 694 нм и длительностью импульса 20 не, что дало возможность сделать вывод о механизме и характере структурных модификаций.

2. Проведены численные расчеты глубины структурных перестроек в эпитаксиальных пленках YBa2Cu3Ox, 6<xS7. Хорошее согласие результатов расчета с экспериментальными данными показывает применимость тепловой модели для лазерного воздействия с длиной волны 694 нм и длительностью импульса 20 не на вещество.

3. Впервые проведено численное моделирование импульсного лазерного излучения с длиной волны 694 нм и длительностью импульса 20 не на тонкопленочную структуру GexSii_x/Si с высоким содержанием Ge (х>0,25). Получено хорошее согласие расчетных и экспериментальных данных по профилю распределения Ge по глубине после импульсного лазерного воздействия.

4. Детально изучено формирование эпитаксиальных слоев GeKSii-x/Si с ориентацией (111) при помощи лазерно — индуцированной жидкофазной эпитаксии для импульсного лазерного излучения с длиной волны 694 нм и длительностью импульса 20 не, получены данные о характере основных дефектов кристаллической структуры в создаваемых эпитаксиальных слоях.

Практическая ценность работы. Детально исследованы структурные, композиционные и электрофизические изменения в эпитаксиальных пленках соединения YBa2Cu3Gx, б£х<7, при импульсном лазерном воздействии, предложен механизм наблюдаемых модификаций. Разработана схема численного моделирования результатов импульсного лазерного воздействия как на соединение YBa2Cu3Ox, так и на кремний —германиевую систему,

дающая хорошее согласие с экспериментальными данными. Определен основной тип дефектов в эпитаксиальных пленках GexSi| _X/Si с ориентацией (111), полученных при лазерно — индуцированной жидкофазной эпитаксии.

Апробация работы и публикации. Результаты работы докладывались на XXV и XXVI Межнациональных совещаниях по взаимодействию заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1993 и 1994), на научных семинарах Отделения физики атомного ядра НИИЯФ МГУ. По материалам диссертации имеется 10 публикаций.

Структура диссертапии. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Содержит 107 страниц печатного текста, 46 рисунков, оглавление и список литературы из 91 ссылки.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обсуждается актуальность исследуемых проблем, изложены цели работы и сформулированы основные положения, выносимые на защиту, их научная новизна, практическая ценность. Описано распределение материала диссертации по главам.

Первая тлава носит обзорный характер. В ней излагаются основы описания процессов, протекающих при импульсном лазерном воздействии (ИЛВ) на материалы. Представлены основные механизмы поглощения лазерного излучения в веществе, описаны механизмы перевода поглощенной энергии из электронной подсистемы в фононную, даны основные зависимости. Дано описание основных моделей лазерно —индуцированных изменений в материалах: тепловой и плазменной моделей. Также, представлены основы классической феноменологической теории кристаллического роста, в большинстве случаев описывающей фазовые преобразования в материале при ИЛВ. Описаны эффекты перераспределения компонент в многокомпонентных материалах при ИЛВ. Приводятся сведения, необходимые в дальнейшем для выполнения моделирования ИЛВ на материалы.

Во второй главе рассматривается метод резерфордовского обратного рассеяния и каналирования ионов (РОРКИ), используемый в работе как основной метод исследования структурных и

композиционных перестроек при ИЛВ. РОРКИ основан на кулоновском взаимодействии ускоренной заряженной частицы с атомом исследуемого вещества. Ввиду того, что сечение рассеяния хорошо известно, метод РОРКИ является абсолютным, т. е. для определения стехиометрического состава не требуется использования эталонных образцов. С помощью метода РОРКИ возможен элементный и количественный анализ приповерхностных слоев (¿1 мкм).

Приводится также подробное описание экспериментальной установки для исследования "in situ" результатов ИЛВ на материалы методом РОРКИ на ускорителе Ван-де-Граафа (НИИЯФ МГУ), позволяющем ускорять ионы от 1 до 3,5 МэВ [7].

Третья глава посвящена исследованию ИЛВ на эпитаксиальные пленки высокотемпературного сверхроводника УВа2СизОх. В данной главе сформулирована задача численного моделирования ИЛВ в рамках тепловой модели, рассчитаны глубины проплава пленки для различных энергий ИЛВ. Представлено описание методики получения эпитаксиальных пленок УБагСизОх с помощью лазерного напыления. Описан четырехзондовый метод для измерения температурной зависимости сопротивления пленок. Методом РОРКИ получены денные по глубине разупорядоченного слоя для ИЛВ с разными плотностями энергии. Было показано, что экспериментальные данные находятся в хорошем согласии с расчетными толщинами проплава. Измерения температурных зависимостей сопротивления пленок после ИЛВ с различными энергиями продемонстрировали, что структурные перестройки, вызванные мощным лазерным воздействием, не вызывают деградации сверхпроводящих свойств в широком интервале энергий ИЛВ.

Моделирование ИЛВ проводилось в рамках тепловой модели, где все лазерно — индуцированные изменения определяются эволюцией температурных полей и фазовыми превращениями в материале. В то время, как в достаточно удаленной от поверхности области облучаемого вещества температура остается постоянной,

определяя тем самым одно из граничных условии, на поверхности материала мог/т иметь место довольно сложные и интенсивные процессы. Очевидно, что при достаточной энергии ИЛВ происходит испарение вещества с поверхности — явление широко используемое в настоящее время для напыления пленок. Возможны, так же, тепловое излучение с разогретой поверхности облучаемого образца и теплоотвод окружающей атмосферы; оба эти эффекта, впрочем, не играют заметной роли и практически всегда ими пренебрегают. В данных расчетах пренебрегались также и процессы испарения, что является хорошим приближением для энергии ИЛВ, не намного превышающей порог плавления облучаемого материала. Таким образом, в данной схеме расчетов граничное условие на поверхности материала было выбрано в предположении отсутствия тепловых потоков.

В соответствии с вышеизложенным, а также учитывая, что поперечный размер лазерного луча (~2 мм) значительно превосходит характерную толщину разогретого ЛИ слоя (~1 мкм), позволяя рассматривать одномерный случай, задачу по расчету тепловых полей можно сформулировать в виде:

c^aT(z,t)_ а

д\. dz

ST

02

+ Q(z,t) ,

^-(0,0 = 0, Т(М) = Т0, Т(2,0) = То,

где Т(гД) —температура на глубине г в момент времени 1, С — теплоемкость, р—плотность, К — коэффициент теплопроводности, О (г,!)—плотность тепловых источников, обусловленная поглощением ЛИ и превращением энергии ЛИ в теплоту и, которая может быть записана в виде:

Q(z,t)=[l-R(t)]j(t)a(z,t)exp

- fc(x,t)dx]

. J. J

где R(t), a(z,t) —коэффициенты отражения и поглощения лазерного излучения, J(t) —интенсивность падающего излучения. Функция J(t),

описывающая форму лазерного импульса, апроксимировалась гауссоидой.

Для решения задачи была разработана и отлажена программа, осуществляющая численное интегрирование уравнения теплопроводности методом конечных разностей по схеме Кранка— Николсона.

Пленки, использованные в эксперименте, были получены методом лазерной абляции. Для распыления материала использовался эксимерный KrF (Я = 248 нм) лазер с энергией в импульсе 0,2 Дж. Плотность энергии излучения на мишени составлял 2 — 4 Дж/см2. Облучение проводилось в кислородной атмосфере с давлением 0,1 — 1 Topp. Подложка монокристаллического SrTiOa с ориентацией (100) располагалась на расстояния 3 см от мишени и имела температуру около 700°С. Скорость осаждения УВа2СизОх составляла около 1,5 А/импульс. Для эксперимента были выращены два типа пленок с различными толщинами: 0,2 мкм и 1,5 мкм.

Для измерения электрического сопротивления был использован четырехзондовый метод. На поверхность пленки напылялись четыре золотые полоски, обеспечивающие стабильный омический контакт прижимных зондов с пленкой. Для измерения температурной зависимости образец крепился на хладопровод, соединенный с емкостью, содержащей жидкий азот. Нагревательный элемент, помещенный на хладопроводе, позволял плавное контролируемое изменение температуры образца от комнатной до температуры жидкого азота. Измерения температурной зависимости элекрического сопротивления проводились в вакууме.

Согласно данным РОРКИ, ИЛВ с плотностью энергии >0,1 Дж/см2 вызывает дефектообразование в приповерхностной области пленок. При увеличении энергии ИЛВ глубина дефектного слоя увеличивается.

0.2

с), мкм

0.1

0.0

□

<0 У ** / .-» / / / У / У /> /Л

/ / / /■ / / / / / О - в воздухе

0 / О-в вакууме

• * » *

1.2

<1, мкм

0.8

0.05 0.15 0.25 0.35

■УУ, Дж/см2

//-//-

0.0

X — рельеф □ _ дефектный слой

1.0 2.0 3.0 4.5

VI, Дж/см2

Рис. 1. Рассчитанная глубина проплава УВа2СизОх для х=6,5 (сплошная линия) и 7,0 (пунктирная линия) и толщина разупорядоченного слоя и рельефа по данным РОРКИ в зависимости от плотности энергии ИЛВ для пленок с толщинами 0,2 мкм (а) и 1,5 мкм (б).

На рис. 1 продемонстрировано соответствие между рассчитанной глубиной проплава и толщиной разупорядоченного слоя по данным РОРКИ как функции от плотности энергии ИЛВ для пленок с толщинами 0,2 мкм и 1,5 мкм. Согласие расчетных и экспериментальных данных позволяет заключить, что доминирующую роль здесь играют термические процессы, и причиной дефектообразования является плавление материала пленки с последующим быстрым его охлаждением.

Как было обнаружено, ИЛВ на воздухе в большом интервале плотностей энергии не вызывает уменьшения Тс и увеличения ЛТС, как это происходит, например, в случае ионного воздействия. В то же время, облучение в вакууме ведет к заметной деградации сверхпроводящих свойств пленок.

Хотя и ионное и лазерное облучение приводит к разупорядочению, наблюдаемому с помощью эффекта каналирования, эти воздействия принципиально отличаются. При ионном воздействии постепенно нарушается ближний порядок в расположении атомов, из —за смещения атомов из узлов решетки, и, в конечном счете, возникает полностью аморфизованная среда. Сверхпроводящие свойства, при этом, исчезают. При ИЛВ, судя по устойчивости параметров Тс и ДТС, нарушения ближнего порядка не происходит, но нарушается эпитаксиальность пленок и структура становится поликристаллической. При этом параметры Тс и ДТС сохраняются, но, за счет образования и развития межзеренных границ, сопротивление пленки при Т>ТС резко возрастает. Эти межзеренные переходы не оказывают большого влияния на ход температурной зависимости сопротивления и не создают конечного сопротивления ниже критической температуры Тс. Облучение в вакууме ведет к потере кислорода с поверхности УВСО, что является главной причиной деградации сверхпроводящих свойств.

В четвертой главе исследуются структурные и композиционные изменения происходящие в кремний —германиевой системе при ИЛВ.

Формулировка задачи численного расчета ИЛВ была полностью аналогична описанной в предыдущей главе. Значительное внимание в данной главе уделялось подбору оптических и термодинамических параметров для численного моделирования. Помимо температурных зависимостей параметров, при моделировании ИЛВ на СеБ1 необходимо учитывать и композиционную зависимость параметров.

Для апроксимации концентрационной зависимости коэффициента поглощения лазерного излучения в Се^ь,, ас^, было выбрано следующее выражение:

где aSi и асе — коэффициенты поглощения в чистых Si и Ge, соответственно.

Концентрационная зависимость коэффициента отражения была выбрана в виде линейной интерполяции между соответсвующими значениями для Si и Ge:

Концентрационные зависимости остальных параметров были так же апроксимированы линейной зависимостью:

А=А3|+(Асе-А51)х , где А — апроксимируемый параметр, и Асе — соответствующие параметры для 51 и Се.

Для моделирования кристаллизации расплавленных слоев использовался подход, где движение границы раздела расплав — кристалл определяется по формуле:

В представленных расчетах, коэффициент Kf был положен равным

Важной особенностью проведенных расчетов является присутствие значительного количества Се (>25%), что обычно не рассматривалось в литературе, поскольку основной интерес был направлен на изучение так называемого "лазерного отжига" имплантированных слоев, где максимальные концентрация примеси

R = Rsi+(RGe-Rsi)x.

100 м/с.

составляли несколько процентов. Необходимость учитывать концентрационную зависимость коэффициента сегрегации становится очевидной при рассмотрении фазовой диаграммы сплава GexSi[_х и при определении равновесного коэффициента ко по фазовой диаграмме. В настоящих вычислениях коэффициент сегрегации Ge в Si апроксимировался выражением:

к' = 0,7 + 0.3х .

Значение к'= 0,7 при х=0 было взято из работ по исследованию сегрегации Ge имплантированного в Si.

Экспериментальная часть четвертой главы начинается с описания образцов и методов создания тонких кремний — германиевых пленок. Для исследований были использованы образцы с двумя ориентациями подложки: (100) и (111). Также были представлены два типа пленок: кристаллическая пленка Geo,25Sio,75 и аморфная пленка Ge.

Для создания кристаллической пленки Geo^Sipjs на 100 мм подложках Si с ориентацией (100) был использован метод молекулярно—лучевой эпитаксии, где испарение компонент происходит за счет разогрева пучками электронов. Регулируя интенсивность и энергию электронных пучков, можно варьировать потоки испаренных атомов на поверхность подложки и, тем самым, изменять соотношение компонент и скорость осаждения.

Кремний — германиевый слой выращивался на 100 мм подложках Si(100) в системе VG Semicon V80. Давление в камере до и во время напыления составляло 5хЮ~и и 5х10-10 Topp, соответственно. Скорость осаждения пленки поддерживалась равной 5 А/с, температура подложки во время роста пленки составляла 550°С.

Аморфные пленки Ge выращивались на подложках Si (111) в установке электронно —лучевого испарения. Давление в камере не превышало р= 10~8 Тор, скорость осаждения германия составляла 0.1 нм/с. Осаждение пленок проводилось при комнатной температуре.

Из сопоставления спектров РОРКИ образцов Ge0,25Sio,7s/Si (100) до и после ИЛВ видно, что облучение приводило к существенному

и

перераспределению германия и кремния по глубине. Уменьшение концентрации Се в приповерхностной области восполнялось кремнием, происходило перемешивание германия и кремния при ИЛВ благодаря жидкофазной диффузии. После многократного облучения с одинаковыми плотностями энергии, профиль распределения Се становился более равномерным, по сравнению с профилем Се после однократного облучения, Се распространялся на всю область проплава. Профили распределения германия, извлеченные из спектров РОРКИ, сравнивались с профилями, полученными при моделировании ИЛВ, как продемонстрировано на рис. 1.

(1,нм

Рис. 2. Сравнение профилей распределения германия в образцах Се0,25510,75 (30 нм)/5Ц100) после ИЛВ с разными энергиями, извлеченных из спектров РОРКИ, с профилями, полученными при моделировании ИЛВ.

Исследования методом РОРКИ кристаллического качества эпитаксиальных структур Ge,Si|.*/Si( 100), образовавшихся после ИЛВ, не выявили заметного присутствия дефектов, что находится в согласии с данными из литературы [8]. Типичное значение относительного минимального выхода в режиме каналирования, Xmim составляло около 4%.

В случае ориентации (111), которая, как известно, является наиболее неблагоприятной с Точки зрения жидкофазной эпитаксии, методом РОРКИ было обнаружено заметное количество дефектов. Минимальный относительный выход в режиме каналирования для образцов с наилучшей эпитаксией составлял около 8%. Проведенные дополнительные исследования методом просвечивающей электронной микроскопии позволили идентифицировать дефекты кристаллической структуры как дефекты упаковки по плоскостям (111), которые образуются в процессе рекристаллизации расплава. Эти дефекты начинаются, как правило, на глубине порядка 150 — 200 нм и выходят на поверхность пленки.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Лазерное воздействие импульсами от рубинового лазера с длительностью 20 не на эпитаксиальные пленки УВа2СизОх/ЗгТЮз сопровождается дефектообразованием, регистрируемым методом РОРКИ, начиная с плотности энергии «0,1 Дж/см2. Толщина дефектного слоя увеличивается с увеличением плотности энергии излучения.

2. Установлено, что порог дефектообразования »0,1 Дж/см2 соответствует порогу плавления поверхности кристалла. Более того, расчеты, проведенные в рамках тепловой модели ИЛВ, демонстрируют хорошее согласие рассчитанных глубин проплава и толщин дефектных слоев, определенных методом РОРКИ.

3. ИЛВ в воздухе на эпитаксиальные пленки YBa2Cu3Ox сопровождается ростом электрического сопротивления пленок, однако, не приводит к деградации сверхпроводящих свойств. В то же время ИЛВ в вакууме, хотя и не приводит к заметным отличиям в

дефектообразовании по сравнению с облучением на воздухе, вызывает значительную деградацию сверхпроводящих свойств.

4. На основе полученных экспериментальных данных и их сравнения с расчетами по тепловой модели, можно сделать вывод о том, что основным механизмом дефектообразования в эпитаксиальных пленках YBa2Cu3Ox при ИЛВ является поликристаллизация пленок из расплава. Деградация сверхпроводящих свойств пленок при ИЛВ в вакууме объясняется потерей кислорода разогретой пленкой.

5. Методом лазерно — индуцированной жидхофазной эпитаксии получены эпитаксиальные пленки GexSi| _X/Si(100) с кристаллическим качеством, определенным методом РОРКИ, близким к совершенному.

6. В рамках тепловой модели ИЛВ проведено численное моделирование процессов перераспределения компонент при фазовых превращениях, вызванных ИЛВ, демонстрирующее хорошее согласие с экспериментальными данными по распределению компонент, полученными методом РОРКИ.

7. Методами РОРКИ и электронной микроскопии установлено, что эпитаксиальные пленки GexSi)_x с ориентацией (111), полученные при помощи лазерно—индуцированной жидкофазной эпитаксии, имеют заметнее количество протяженных дефектов. Основной тин дефектов идентифицирован как дефекты упаковки по плоскостям (111).

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ.

1) Корнеев В.В., Монахов Э.В., Селезнев Б.В., Черныш A.B., Чеченин Н.Г. //"Модификация структурных, композиционных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок YBaCuO/SrTiO при импульсном лазерном воздействии". Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника. 1992. т.5. с.2320

2) Chechemn N.G., Chemysh A.V., Korneev V.V., Monakhov E.V., Seleznev B.V. //"Influence of pulsed laser energy deposition on transport properties and structure in trilayei epitaxial (Y/Pi)BaCuO/SrTiO films". Physica Status Solidi A. 1993. v. 136. p. 107

3) Chechenin N.G., Chemysh A.V., Komeev V.V., Monakhov E.V., Selcznev B.V. //"Modification of structural and transport properties in YBaCuO films by puised laser Irradiation". J. Phys. (Paris) III. 1993. v.3. p.2173

4) Чеченин Н.Г., Монахов Э.В., Бурдвль К.К. //"Установка для исследования 'in situ' импульсного лазерного воздействия на материалы методами иеразрушающего ядерного анализа". Приборы и техника эксперимента. 1994. №3. с. 142

5) KuznetsovA.Yu., Khodos I.I., Linnios J., Mohadjeri В., Monakhov E.V., Svensson B.G. //"Phase transformations in a — Si/Ni/c — Si structures with different interfacial Ni layer thicknesses". MRS Symposium Proceedings. 1994. v.355. p.427

6) Монахов Э.В., Бурдель К.К., Чеченин Н.Г. //"Исследование импульсного лазерного воздействия на структуру a—Ge/Si (111) методом РОРКИ". Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. т.5. с.140

7) Monakhov E.V. and Larsen А. N. //"Channeling studies of relaxed, epitaxial SiGe films". Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 1996. v. 108. p.399

8) Monakhov E.V. and Larsen A. N. //"Monte Carlo simulation of alpha — particle channeling in relaxed SiGe films". Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 1996. v.117. p.71

9) Монахов Э.В., Лебедев О.И., Васильев А.Г., Бурдель К.К., Киселев НА., Орликовстй А.А., Чеченин Н.Г. //"Структурные и композиционные перестройки в a —Ge/Si02/Si(lll) при импульсном лазерном облучении". Микроэлектроника. 1997. т.26. с.74

10) Monakhov E.V., Shiryaev S.Yu., (.arscn A. N., Hartung J., and Davies G. //"Relaxed epitaxial SiGe grovm by MBE". Thin Solid Films. 1997. v.294. p.44

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. И.Б. Хайбуллим, М.М. Зарилов, Е.И. Штырьков, М.Ф. Галяутдинов, P.M. Баязитов. //"Способ легирования полупроводников". А.С. №504435 (СССР). 1974. Опубл. в БИ. 1982. №42

2. Г.А. Качурия, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. //"Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением". ФТП. 1975. т.9. вып. 7. с. 1428

3. J.M. Poate, J.W. Mayer. Laser Annealing of Semiconductors. N.Y.: Academic Press, 1982

4. A.B. Двуреченский, Г.А. Качуран, E.B. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука. 1982

5. Cohesive Properties of Semiconductors under Laser Irradiations/ Ed. By L.D. Laude. The Hague: Martinus Nijhoff, 1983

6. Laser —Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials/ Ed. by J. Narayan, W.L Brown, L.A. Lemons. N.Y.: North — Holland, 1983

7. Чеченин Н.Г., Монахов Э.В., Бурдель К.К. //"Установка для исследования in situ импульсного лазерного воздействия на материалы методами неразрушающего ядерного анализа". ПТЭ. 1994. №3. с. 142

8. J.R. Abelson, T.W. Sigmon, К.В. Kim, and К.Н. Weiner. //"Epitaxial GeSi/Si(100) structures produced by pulsed laser mixing of evaporated Ge on Si(100) substrates". Appl. Phys. Lett. 1988. т.52. p.230