Фото- и термопревращения центров окраски в кристаллах со структурой флюорита, активированных щелочными примесями тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ
Щеулин, Александр Сергеевич
АВТОР
|
||||
кандидата физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
Санкт-Петербург
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
1999
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.05
КОД ВАК РФ
|
||
|
Введение.
Часть 1. Центры окраски в кристаллах со структурой флюорита.
Глава 1. Структура, электронные свойства и элементарные центры окраски в кристаллах типа флюорита.
1.1. Структура и электронные свойства кристаллов типа флюорита.
1.2. Элементарные центры окраски в кристаллах типа флюорита.
Глава 2. Методы получения и исследования центров окраски
2.1. Окрашивание кристаллов.
2.1.1. Аддитивное окрашивание кристаллов
2.1.2. Получение элементарных центров в аддитивно окрашенных кристаллах.
2.2. Измерение спектров поглощения, люминесценции, кинетики превращений центров окраски, дихроизма, эффекта Штарка.
Часть 2. Спектроскопические свойства электронных центров.
Глава 3. Спектроскопические свойства и структура М+А -центров. 29 3.1. Оптические свойства.
3.2. Бесфононные линии (эффект Штарка).
3.3. Фотохимические превращения и дихроизм М+А центров.
3.4. Структура Х-центров окраски.
3.5. Механизм низкотемпературных превращений
М+А -центров в кристаллах Бгр2 :Иа.
Глава 4. Спектроскопические свойства 7ч-, Я^-, N центров окраски.
4.1. Структура электронных уровней 7ч-центров.
4.2. Оптические свойства кристаллов, содержащих
Лд- центры.
4.3. Магнитный циркулярный дихроизм тУ-центров.
Часть 3. Фотохимические превращения центров окраски и образование квазиколлоидных центров.
Глава 5. Фотохимические превращения при низких температурах.
5.1. Фотохимические превращения в радиационно окрашенных кристаллах.
5.2. Ионизация центров окраски.
5.3. Образование простейших агрегатных центров в кристаллах СаРг: А+.
5.4. Превращения М+А и Яд - центров окраски в кристаллах ЗгБг.
Глава 6. Фотохимические превращения при температурах выше комнатной и образование квазиколлоидных центров в кристаллах СаБг.
6.1. Термические превращения центров окраски в кристаллах СаРг.
6.2. Фотохимические превращения А^-центров окраски.
6.3. Механизм фототермического образования и свойства квазиколлоидных центров.
6.4. Практическое применение квазиколлоидных центров.
6.4.1. Запись голограмм.
6.4.2. Запись аподизирующих апертур.
Развитие современной науки и техники в значительной степени определяется возможностью получения новых материалов, обладающих заданными свойствами. Одним из наиболее эффективных способов изменения свойств кристаллических материалов является введение в них дефектов определенного типа. Для прозрачных материалов - стекол или кристаллов - такими дефектами прежде всего являются центры окраски (ЦО)- локальные дефекты кристалла, захватившие электрон (электроны) или дырку (дырки). Простейшим из них является Р-центр - захватившая электрон анионная вакансия. Внутрицентровые и фотоионизационные переходы вызывают окрашивание кристаллов в области их прозрачности. Формально к ЦО может быть отнесена и "пустая" вакансия, поскольку с фотопереносом на нее электрона из валентной зоны тоже связана полоса поглощения (так называемая, а-полоса). Часто локальные дефекты ассоциируются с сопутствующими (следовыми) или введенными примесями; в этих случаях говорят о возмущенных центрах окраски. ЦО образуются при росте кристаллов, под действием ионизирующей радиации или при аддитивном окрашивании кристаллов. Кристаллы с центрами окраски могут быть использованы в качестве активных элементов лазеров, пассивных лазерных затворов или для записи оптической информации. Исследованию свойств ЦО посвящено большое количество работ, выполненных за последние годы. Наиболее подробно исследованы центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК).
В диссертационной работе исследованы ЦО в кристаллах типа флюорита(Мер2, Ме = Ca, Sr, Ва), которые являются не только широко используемыми оптическими материалами, но и важными модельными объектами физики кристаллов. Первые искусственные кристаллы флюорита были синтезированы в 1949 г. [1]. Эти образцы были загрязнены примесями трехвалентных катионов или кислорода, стимулирующими их окрашивание. Для устранения влияния примеси кислорода П.П. Феофиловым было предложено "осветлять" кристаллы введением церия, который образовывал с кислородом устойчивые комплексы [2]. Введение церия привело к получению кристалллов оптического качества, прозрачных в видимой и инфракрасной областях спектра, обладающих повышенной радиационной стойкостью. С развитием техники выращивания были получены кристаллы, не содержащие трехвалентных катионов и кислорода. Такие кристаллы прозрачны в области вакуумного ультрафиолета до 125 нм.
В кристаллах со структурой флюорита центры окрашивания исследованы в меньшей степени, нежели в ЩГК. Сопутствующей примесью в чистых кристаллах являются щелочные металлы, предельная концентрация которых существенно ниже концентрации редкоземельных металлов. При радиационном окрашивании в активированных щелочными металлами кристаллах образуются возмущенные электронные центры окраски. Было показано, что при комнатной температуре в одной из полос люминесценции этих центров может быть получена генерация стимулированного излучения [3-6].
Целью диссертационной работы являются: измерение оптических характеристик, спектроскопическое исследование структуры и механизмов превращения ЦО в активированных щелочными ионами фторидах щелочно-земельных металлов МеБг (Ме = Са, Бг, Ва).
Модели и методы исследования ЦО были развиты при исследовании ЩГК, выращивание которых было освоено ранее других кристаллов [7]. Электронные центры, в соответствии с принятой традицией, описываются как комплекс из Б-центров. В ЩГК наблюдаются и подробно описаны двух-, трех-, четырех-вакансионные центры окраски (обозначаемые соответственно как Р2- (М-), (Л-) и ¥4- (ТУ-) центры) [6, 7]. Кроме анионных вакансий, в ЩГК возможно образование катионных вакансий, которые наряду с примесными ионами могут входить в состав электронных центров. Таким образом, ЩГК демонстрируют весьма многообразную систему ЦО. Свойства ЦО исследуются методами оптической и магнитооптической спектроскопии, позволяющими определить ориентацию оптических дипольных моментов и число электронов в центре. Для построения моделей центров используются также данные о взаимных превращениях центров. Очевидно, что для построения моделей необходимо также знать примесный состав кристаллов.
В решетку флюорита ионы щелочных металлов А+, (А = 1л, Иа, К) входят главным образом в форме раствора замещения катионов, образуя примесно-вакансионные комплексы [8]. Присутствие этих дефектов стимулирует радиационное окрашивание кристаллов, так что под действием ионизирующей радиации образуются возмущенные примесью электронные центры окраски - РА, М+А и Я+А. При аддитивном окрашивании кристаллов МеРг, активированных щелочными примесями, образуются преимущественно собственные и высоко-агрегированные центры, которые под действием ультрафиолетового (УФ) излучения превращаются в те же центры, которые образуются при радиационном окрашивании [9]. В отличие от радиационно окрашенных кристаллов, при аддитивном окрашивании не образуются дырочные центры, и фотохимические превращения центров полностью обратимы.
Наибольший практический интерес представляют М+л центры, устойчивые при комнатной температуре (7), имеющие широкие полосы поглощения и, как показано ранее, перспективные для получения стимулированного излучения [5, 6]. Значительное внимание в настоящем исследовании уделено именно этим центрам, описаны их структура, оптические и кинетические параметры.
В диссертационной работе рассмотрены фото- и термохимические процессы, приводящие к образованию, преобразованию и распаду возмущенных центров окраски в кристаллах типа флюорита с щелочными примесями. Исследование указанных процессов и центров позволило установить следующую картину.
Возмущенные щелочным ионом ЦО в кристаллах Мер2:А+ (ГА, М+А, Лд и ¿V центры) при возбуждении светом в верхние возбужденные состояния или при нагреве превращаются друг в друга. Общая схема тепловых превращений определяется движением анионных вакансий. При низких температурах (Т < 170 К) их движение приводит к переориентации центров в окрестности примеси, при достаточно высоких температурах (Т >250 К) наблюдается ассоциация вакансий и образование более высоко-агрегированных центров по схеме РА М+А Дд -» N. Оптическая ионизация центров стимулирует их распад, и под действием света могут образовываться низко-агрегированные центры по схеме, обратной тепловой.
Механизм фотохимических превращений центров окраски в кристаллах флюорита определяется изменением устойчивости агрегата из анионных вакансий после ионизации светом центров, образованных на этом агрегате, или рекомбинации на нем электронов. При низкой температуре в результате ионизации центров наблюдается их переориентация около примесного катиона. В частности, показано, что МА -центры в Эгр2 имеют две устойчивых конфигурации при Т < 120 К; в первой из них вакансии расположены вдоль оси С4, во второй, метастабильной, они располагаются вдоль оси С2. При температурах выше комнатной подвижность таких анионных вакансий в кристаллах типа флюорита оказывается весьма высокой, и эти вакансии в свою очередь образуют новые агрегатные ЦО, с которыми рекомбинируют фотоэлектроны. Этот механизм приводит к эффективному снижению квантового выхода люминесценции М+А и Я+А центров при мощной накачке светом, необходимой для получения лазерной генерации [4, 5], и объясняет затягивание эффекта оптического просветления М+А центров, затрудняющее их использование для пассивной модуляции света [10]. Подвижные анионные вакансии при температуре несколько выше комнатной ассоциируются в высокоагрегатные У-центры, имеющие полосы поглощения в ИК области спектра. Эта фотохимическая реакция аналогична реакции образования Х-центров в ЩГК [11, 12]. В отличие от последних, в кристаллах с У-центрами существует область прозрачности в красной области спектра, что позволяет производить запись амплитудно-фазовых голограмм для этой области спектра [13].
На защиту выносятся следующие положения.
1. Измерение абсорбционных, люминесцентных и кинетических параметров М^-центров в кристаллах Мер2:А, показавшее неперспективность использования этих центров для генерации стимулированного излучения в инфракрасной (ИК) области спектра.
2. Обнаружение бесфононных линий МА-центров в Мер2:А+ (А = 1л, К). С использованием эффекта Штарка показано, что эти центры имеют симметрию Сгм первого типа.
3. Идентификация трех полос в спектре поглощения М+А -центров в видимой и ближней УФ областях спектра. По своей симметрии длинноволновая (М1) полоса соответствует переходу А1 -» В1, а УФ полосы - переходам А1 -» Вг (Мг-полоса) и А1 -» А1 (наиболее коротковолновая Мз-полоса).
4. Установление механизмов трансформации и распада МА-центров. При Т < 120 К МА-центры могут быть разрушены светом из области коротковолновых полос поглощения, который вызывает их фотоионизацию. При Т ~ 200 К наблюдается термическая переориентация МА -центров с энергией активации порядка 0,6 эВ. При Т> 340 К происходит их распад на /^-центры и примесно-вакансионные комплексы, при этом оставшиеся МА-центры рекомбинируют с образовавшимися ^-центрами и превращаются в Я^-центры.
5. Установление строения (структуры) М^-центров двух типов - типа I (стабильная конфигурация), образованного двумя анионными вакансиями, расположенными вдоль оси С4 в непосредственном соседстве с примесным катионом А+, и типа II (метастабильная конфигурация, устойчивая при Т< 100 -ь 120 К), в котором упомянутые вакансии расположены вдоль оси Сг. Эти центры мы наблюдали только в кристаллах БгРг^а.
6. Обнаружение в кристаллах Са¥2 квазиколлоидных ЦО, имеющих полосы поглощения в ближней ИК области спектра. Предложен вероятный механизм этого процесса, согласно которому при облучении светом происходит ионизация низко-агрегированных центров и последующий их распад с образованием свободных анионных вакансий. Ассоциация последних приводит к возникновению многовакансионных квазиколлоидных ЦО.
7. Общая схема термопревращений ЦО в кристаллах МеРг:А. Полученные данные о фото- и темопревращениях ЦО позволяют построить общую схему превращений центров при различных температурах в кристаллах Сар2 и 8гРг. Распад агрегатных центров происходит с отделением от них ^-центров, которые затем рекомбинируют с оставшимися агрегатными центрами. В кристаллах СаРг этот процесс может быть модифицирован под действием света, ионизирующего агрегатные центры.
Диссертация состоит из Введения, 6 глав и Заключения.
Заключение
На основании результатов исследования спектров поглощения и люминесценции центров окраски, их структуры и механизмов превращения в кристаллах фторидов щелочно-земельных металлов были сделаны следующие выводы.
1. Измерены абсорбционные, люминесцентные и кинетические параметры - центров в кристаллах MeF2:A, показавшие неперспективность использования этих центров для генерации стимулированного (ИК) излучения.
2. Обнаружены бесфононные линии МА-центров в MeF2:A+ (Me = Са, Sr, А = Li, Na, К). С использованием эффекта Штарка показано, что эти центры имеют симметрию Civ первого типа.
3. В спектре поглощения МА-центров в видимой и ближней УФ области идентификацированы три полосы. Длинноволновая (Mi) полоса соответствует переходу Ai -> Bi, а УФ полосы - переходам Ai -» В2 (М2-полоса) и Ai Ai (наиболее коротковолновая Мз-полоса).
4. Установлены механизмы трансформации и распада МА-центров. При Т < 120 К МА-центры могут быть разрушены светом из области коротковолновых полос поглощения, который вызывает их ионизацию. При Т ~ 200 К наблюдается термическая переориентация МА-центров с энергией активации порядка 0,6 эВ. При Т > 340 К происходит их распад на F-центры и примесно-вакансионные комплексы, при этом оставшиеся M¿ -центры рекомбинируют с образовавшимися .F-центрами и превращаются в Яд-центры.
5. Установлено строение (структура) М^-центров двух типов: типа I (устойчив при высокой Т), образованного двумя анионными вакансиями, расположенными вдоль оси С4 в непосредственном соседстве с примесным катионом А+, и типа II (устойчивого при Т < 100 ч- 120 К), в котором упомянутые вакансии расположены вдоль оси С2. Эти центры мы наблюдали только в кристаллах SrF2:Na.
6. В кристаллах фторида кальция обнаружено фотостимулированное образование квазиколлоидных ЦО, имеющих полосы поглощения в ближней ИК области спектра. Предложен вероятный механизм этого процесса, согласно которому при облучении светом происходит ионизация низко-агрегированных центров и последующий их распад с образованием свободных анионных вакансий. Ассоциация последних приводит к возникновению многовакансионных квазиколлоидных ЦО.
7. Общая схема термопревращений ЦО в кристаллах MeF2:A. Полученные данные о фото- и термопревращениях ЦО позволяют построить общую схему превращений центров при различных температурах в кристаллах CaF2 и SrF2. Распад центров происходит с отделением от них .F-центров, которые затем рекомбинируют с
109 оставшимися агрегатными центрами. В кристаллах СгРг этот процесс может быть модифицирован под действием света, вызывающего ионизацию агрегатных центров.
8. Показана принципиальная возможность использования фотохимической реакции превращения центров окраски в квазиколлодные центры для реверсивной записи голограмм и получения аподизирующих диафрагм для видимого и ближнего ИК диапазона спектра.
110
1. Stockbarger D. "Artificial Fluorite" // Journ. Opt. Soc. Am., 1949, т. 39, с. 731-740.
2. Степанов И.В., Феофилов П.П. "Исскуственный флюорит" // Сб. "Рост кристаллов", Изд. АН СССР, 1957, с. 229-241.
3. Архангельская В.А., Федоров А.А., Феофилов П.П. "Спонтанное и вынужденное излучение центров окраски в кристаллах MeF2-Na" // Опт. и спектр., 1978, т.44, в. 3, с. 409- 410.
4. Архангельская В.А., Федоров А.А., Феофилов П.П. "Люминесценция и вынужденное излучение Мд-центров окраски в кристаллах типа флюорита" // Изв. АН СССР, сер. физ., 1979, т. 43, в. 6, с. 1119-1124.
5. Arkhangelskaya У.A., Fedorov A.A., Feofilov P.P. "Tunable room-temperature LASER action of colour centers in MeF2-Na, Optics Communications" // 1979, v. 28, n. 1, p. 87-90.
6. Архангельская В.А., Феофилов П.П. "Перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах (Обзор)" // Квантовая электроника, 1980, т. 7, в.6, с. 1141-1160.7. "Physics of Colour Centers" // ed. Fowler W.B., Acad. Press, N. Y., 1968.
7. Twidell J.W. "Radiation induced movement of charge compensating ions in CaF2" //J. Phys. Chem. Solids 1970, v. 31, pp. 299-305.
8. Архангельская B.A., Щеулин А.С. "Механизм термического разрушения Мд-центров окраски в кристаллах типа флюорита" // Опт. и спектр., 1981, т.50, в.6,с.1142-1146.
9. Hultzsch R. "Passive Q-switching of the Ruby Laser by Means of Color Centres in SrF2" // Phys. stat. sol., 1978, v.47, p. 415-423.
10. Tsal N.A., Didik R.I. "On the Nature of X-Centres in NaCl Crystals with Anionic Impurityes" // Phys. stat. sol., 1970, т. 40, с. 409-416.
11. Радченко И.С., Удод В.В. "Коллоидные центры окраски в кристаллах КС1, KBr, KJ" // ФТТ, 1970, т.12,в.5, стр. 1511-1514.
12. Щеулин А.С., Рыскин А.И. "Новая фотохромная среда для записи оптической информации на основе кристалла флюорита" // Опт. и спектр., 1995, т.79, в.1, с.101-104.
13. Harries H.J., Morris D.F.C. "The Lattice Energies of Alcaline Earth Fluorides, Acta Crystallogr." //1959, v. 12, n.9,657-659.15."Crystals with the fluorite structure" // Ed. by Hayes W., Clarendon Press, Oxford, 1974.
14. King A.D., Moerman J. "Calcium Diffusion in Pure and YF3 Doped Single Crystal CaF2" // Phys. stat. sol., 1974, a22, №2, c. 455-463.
15. Langer J.M. "Cadmium Fluoride from Physics to Application" // Postepy Fizyki (Польша), 1980, т. 31, в. 5, p. 435-450.
16. Fontanella J.J., Chadwick A.V., Carr V.M., Wintersgill M.C., Andeen C.G. "Dielectric relaxation studies of alkali-metal-doped calcium fluoride" // J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1980, v. 13, pp. 3457-3466.
17. Wintersgill M.C., Fontanella J.J., Saghafian R., Chadwick A.V., Andeen C.G. "Dielectric relaxation studies of alkali-metal-doped strontium and barium fluoride" // J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1980, v. 13, pp. 6525-6536.
18. Глумов А.В. "Исследование процессов миграции и релаксации точечных дефектов во фторидах со структурой флюорита" // автореф. дисс, 1980.
19. Архангельская В.А., Рейтеров В.М., Трофимова JI.M. "Примесное поглощение кристаллов щелочно-земельных фторидов в вакуумной ультрафиолетовой области спектра" // ЖПС, 1980, т. 32, в. 1, с. 103-109.
20. Hayes W., Lambourn R.F. "Production of F and F-Aggregate Centres in CaF2 and SrF2 by Irradiation" // Phys. Stat. Sol. (b), 1973, v. 57, p. 693-699.
21. Феофилов П.П. "Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов" // М.; JL 1959.
22. Лисицын В.М., Штанько В.Ф. "^-центры в CaF2-NaF" // Опт. и спектр., 1977, т. 42, в. 4, с. 760-761.
23. Раух Р. "Фотолюминесценция центров окраски в кристаллах щелочноземельных фторидов" // Изв. АН СССР, сер. физ., 1973, т. 37, в. 3, с.595-598.
24. Архангельская В.А., Щеулин А.С. "Структура и спектроскопические свойства возмущенных М-центров в кристаллах типа флюорита со щелочными ионами, Опт. и спектр." // 1984, т.57, в.5, с.847-852.
25. Архангельская В.А., Щеулин А.С. "Исследование структуры центров окраски в кристаллах SrF2-Na методом оптически наведенного дихроизма" // Опт. и спектр., 1991, т.70, в.6, с.1242-1247.
26. Mollenauer L.F. "Apparatus for the Coloration of Laser-Quality Alkali Halide Crystals" // Rev. Sci. Instrum., 1978, т. 49, № 6, с. 809-812.
27. Королев H.E., Мокиенко И.Ю., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. "Аддитивно окрашенные кристаллы. Методы получения. Практическое использование." // Материалы 2 Межреспубликанской школы молодых ученых, Минск, 1989, с. 113-116.
28. Полетимов А.Е. "Прибор для аддитивного окрашивания щелочно-галоидных кристаллов и щелочно-земельных галогенидов" // ПТЭ, 1992, № 2, с. 265-268.
29. Scouler W.J., Smakula A. "Coloration of Pure and Doped Calcium Fluoride Crystals at 20 °C and -190°C" // Phys. Rev., 1960, v. 120, p. 1154 -1161.
30. Архангельская B.A., Рейтеров B.M., Трофимова JI.M., Щеулин А.С. "Оптические свойства кристаллов типа флюорита с Мд-центрами окраски" // ЖПС, 1982, т. 37, в.4, с. 644-648.
31. Rauch R. "Stark Effect on Sodium-Disturbed F2-Centers in CaF2" // Phys. stat. sol., (a), 1977, v. 41, p. K97-K99.
32. Архангельская В.А., Крылов В.А., Щеулин A.C. "Эффект Штарка на бесфононных линиях Ма -центров в кристаллах типа флюорита" // Опт. и спектр., 1983, т. 54, в. 6, с. 1123-1124.
33. Каплянский A.A., Медведев В.Н. "Линейный эффект Штарка в спектрах локальных центров в кубических кристаллах" // Опт. и спектр., 1967, т. 23, в. 5, с. 743-755.
34. Beaumont J.H., Harmer A.L., Hayes W. "An Investigation of <100> and <110> Oriented F2 Centers in CaF2 and SrF2" // J. Phys. C: Solid St. Phys., 1972, v.5, p. 1475-1488.
35. Martin R., Hamaidia A., Margerie J. "Paramagnetic colour centers in SrF2:Na"//J. Phys.Csol. st. Phys. 1985г.,т. 18, с. 5947-5961.
36. Архангельская В. А. "Люминесценция, термо- и фотохимия возмущенных центров окраски в кристаллах типа флюорита со щелочными примесями" // Изв. АН СССР, сер. физ. 1982, т.46, N 2, с. 295-299.
37. Эварестов P.A. "Происхождение F(M)-nonoc в спектре щелочно-галоидных кристаллов" // Опт. и спектр. 1964, т. 16, в.2, с. 361-362.
38. Von Н. Karras, Ullman Р. "Absorptionsuntersuchungen zur Natur von Farbzentren in Erdalkalifluoriden" // Jenaer Jahrbuch, VEB Gustav Fischer Verlag, Jena 1969/70, р. 11-29.
39. Архангельская В.А., Ерофеичев В.Г., Киселева М.Н. "Автолокализованные дырочные центры в кристаллах типа флюорита, активированных редкими землями" // ФТТ, 1969, т. 11, в. 7, с. 2008-2010.
40. Архангельская В.А., Киселева М.Н. "Оптический дихроизм полос поглощения и структура некоторых дырочных центров в кристаллах MeF2-RE" // ФТТ, 1968, т. 10, в. 11, с. 3239-3242.
41. Fowler W.B., ch. 2 "Electronic States and Optical Transitions of Color Centers" в "Physics of Color Centers" // ed. Fowler W.B., 1968, Acad. Press, New York.
42. Hamaidia A., Margerie J. "Measurement of Oscillator Strengths of "F2a" Centres in MeF2:A+ (Me=Ca, Sr; A+=Li+, Na+, K+)" // Phys. Stat. Sol. (b), 1987, v. 141, p. 391-398.
43. Beaumont J.H., Harmer A.L., Hayes W., J., Spray A.R.L. "Zero-phonon lines in CaF2 and SrF2" // J. Phys. C: Solid St. Phys., 1972, v.5, p. 1489-1500.
44. Rauch R., Senff I. "Spectroscopic investigation of a New Type of Color Centers in Additively Colored Pure Alcaline Earth Fluoride Crystals" // phys. stat. sol. (a), 1974, v.26, p. 537-545.
45. Мокиенко И.Ю., Полетимов A.E., Щеулин A.C. "Оптические запоминающие среды на основе активированных кристаллов типа флюорита" // Опт. и спектр., 1991, т.71, в.1, с. 77-82.
46. Tzalmona A., Pershan R.S. "Irradiation Damage in SrF2 and BaF2" // Phys. Rev., v. 182, n. 3, pp. 906-913,1969.
47. Rauch R., Schwotzer G. "Disturbed color centers in oxygen and alkali doped alkaline earth fluoride crystals after X-ray irradiation at 77 and 295 K" // Phys. stat. sol. (a), 1982, v.74, p. 123- 132.
48. Лущик Ч.Б., гл. 3 "Метод термического обесцвечивания" в кн. "Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах", 230 е., Тр. ИФА ЭстССР, 1955, т. 3, с. 74-88
49. Келли Б. "Радиационное повреждение твердых тел" // M 1970, "Атомиздат".52,Orera V.M., Alcala Е. "Optical properties of cation colloidal particles in CaF2 and SrF2 " // phys. stat. sol. (a), 1977, v.44, p. 717-723.
50. Gorlich P., Ullmann P. "Reversible photochemical reastions in additively colored CaF2 crystals" // phys. stat. sol. (b), 1973, v. 58, p. 371-377.
51. Бандере Д.П., Кристапсон Я.Ж. "Влияние фототермической обработки на превращения центров окраски аддитивно окрашенных кристаллов". Изв. АН Латв. ССР, 1974, в.1, с.24-29.117
52. Удод В.В. "Термодинамическое равновесие F-центров с продуктами их коагуляции в кристаллах КС 1" // ФТТ, 1969, т. 11, в.7, с.2042-2044.
53. Tijero J.M.G., Jaque F. "Thermal and optical properties of the Fa and (F2+)a centers in Na-doped CaF2 crystals" // Phys. Rev. B, 1990, v. 41, n. 6., p. 3832-3836.
54. Лукишова С.Г., Красюк И.К., Пашинин П.П., Прохоров A.M. "Аподизация световых пучков как метод повышения яркости лазерных установок на неодимовом стекле" // Труды ИОФАН, 1987, т.7, с. 92-147.
55. Мак А.А., Соме Л.Н., Фромзель В.А.,. Яшин В.Е. "Лазеры на неодимовом стекле" // Наука, 1990, с. 137-157.